JPH07120057B2 - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
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- JPH07120057B2 JPH07120057B2 JP62111002A JP11100287A JPH07120057B2 JP H07120057 B2 JPH07120057 B2 JP H07120057B2 JP 62111002 A JP62111002 A JP 62111002A JP 11100287 A JP11100287 A JP 11100287A JP H07120057 B2 JPH07120057 B2 JP H07120057B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子写真方式の複写機、光プリンタ等に用い
られる電子写真感光体の製造方法に関する。
られる電子写真感光体の製造方法に関する。
従来の技術 電子写真感光体における光導電体として、10〜40atm％
の水素を局在化状態密度を減少せしめる修飾物質として
含む非晶質シリコン（以下ａ−Si:Hと記す）が高い光感
度、無公害性、及び高い硬度を有することにより注目さ
れ利用されている。
の水素を局在化状態密度を減少せしめる修飾物質として
含む非晶質シリコン（以下ａ−Si:Hと記す）が高い光感
度、無公害性、及び高い硬度を有することにより注目さ
れ利用されている。
しかしながら、上記のａ−Si:Hで構成される電子写真感
光体ではまだまだ解決すべき問題も多い。
光体ではまだまだ解決すべき問題も多い。
例えば、第１の問題としてａ−Si:Hは、他の感光体材料
である有機光半導体（以下（OPCと記す）、あるいはSe
に比較して誘電率が約11と大きく（CPC:約３、Se:約
６）静電容量が大きいため、表面への帯電処理を行う際
には非常に大きな帯電電流を必要とする。
である有機光半導体（以下（OPCと記す）、あるいはSe
に比較して誘電率が約11と大きく（CPC:約３、Se:約
６）静電容量が大きいため、表面への帯電処理を行う際
には非常に大きな帯電電流を必要とする。
また、実用表面電位（〜400V）を得るには表面電荷の電
荷密度も高く、この電荷を光除電するためには多くの光
エネルギーを必要とするため、実際の光感度は十分高い
とは言えない。
荷密度も高く、この電荷を光除電するためには多くの光
エネルギーを必要とするため、実際の光感度は十分高い
とは言えない。
さらに、第２の問題としてａ−Si:H膜の製膜に際して最
も良く用いられるシラン（SiH4と記す）ガスを原料ガス
としたプラズマCVD法では、堆積速度も10μm/H以下と遅
く、シランガスも高価であることから、製造コストの低
減は困難である。
も良く用いられるシラン（SiH4と記す）ガスを原料ガス
としたプラズマCVD法では、堆積速度も10μm/H以下と遅
く、シランガスも高価であることから、製造コストの低
減は困難である。
また第３の問題は、膜厚においても30μｍ以下で使用さ
れることが多く帯電電界強度も30V/μｍ程度から、実用
の表面電位はSe感光体の800Vに比べ500V以下と低い電位
で使用されるため、通常の２成分現像剤では十分な画像
濃度のコピーが得られないと言った問題がある。
れることが多く帯電電界強度も30V/μｍ程度から、実用
の表面電位はSe感光体の800Vに比べ500V以下と低い電位
で使用されるため、通常の２成分現像剤では十分な画像
濃度のコピーが得られないと言った問題がある。
発明が解決しようとする問題点 このような諸問題を解決する手段として、特開昭54-143
645号公報には、有機半導体材料を用いた機能分離型の
感光体が開示されている。
645号公報には、有機半導体材料を用いた機能分離型の
感光体が開示されている。
この有機半導体材料を用いた光導電層上に形成し用いた
場合、誘電率の減少による帯電電位の向上が望めるもの
の、有機半導体材料は硬度が小さいため、Siを含む非晶
質光導電膜の持つ高い硬度の長寿命感光体としての特長
が生かせない。また、従来の有機半導体上に温度150℃
以上で良質なａ−Si:H膜を形成するには耐熱性に乏しい
ため良好な電子写真感光体が得られない。あるいは、耐
熱性を有するポリアクリルニトリル（PAN）を加熱処理
を行うことも提案されているが、十分なキャリアの移動
度、キャリア寿命のものが得られていないため、残留電
位が高く、感度も十分とは言えない。
場合、誘電率の減少による帯電電位の向上が望めるもの
の、有機半導体材料は硬度が小さいため、Siを含む非晶
質光導電膜の持つ高い硬度の長寿命感光体としての特長
が生かせない。また、従来の有機半導体上に温度150℃
以上で良質なａ−Si:H膜を形成するには耐熱性に乏しい
ため良好な電子写真感光体が得られない。あるいは、耐
熱性を有するポリアクリルニトリル（PAN）を加熱処理
を行うことも提案されているが、十分なキャリアの移動
度、キャリア寿命のものが得られていないため、残留電
位が高く、感度も十分とは言えない。
問題点を解決するための手段 光励起によって移動可能なキャリアを発生する光導電層
を、電荷移動層上に積層する際、前記電荷移動層を主鎖
にｐ−フェニレンとビニル基を含む高分子層を形成し、
高分子層を少なくとも形成後あるいは形成中に、加熱処
理により耐熱性に優れたキャリア移動度の大きな、また
光導電層からの電荷注入効率の良い電荷移動層を形成す
る。
を、電荷移動層上に積層する際、前記電荷移動層を主鎖
にｐ−フェニレンとビニル基を含む高分子層を形成し、
高分子層を少なくとも形成後あるいは形成中に、加熱処
理により耐熱性に優れたキャリア移動度の大きな、また
光導電層からの電荷注入効率の良い電荷移動層を形成す
る。
作用 主鎖にｐ−フェニレンとビニル基を有する高分子層は光
感度を有し、キャリア移動度も10-4〜10-7cm2/V・secと
大きいが、ａ−Si:Hのようなイオン化ポテンシャルの小
さな光導電層に対しては電荷注入効率が悪く、電子写真
感光体としては十分な特性が得られにくい。しかし、15
0〜450℃にて0.1〜15時間減圧下あるいは空気中あるい
は不活性ガス中あるいは酸素、水素等を含むガス中にて
加熱処理を行うことによって高分子層に熱分解反応、あ
るいは熱重合反応を誘起し、これにより高分子層の耐熱
性および、電荷の移動度が向上し、特に一部の構造変化
により光学的禁止帯幅を減少せしめ、光導電層からの電
荷注入効率を著しく向上せしめる。
感度を有し、キャリア移動度も10-4〜10-7cm2/V・secと
大きいが、ａ−Si:Hのようなイオン化ポテンシャルの小
さな光導電層に対しては電荷注入効率が悪く、電子写真
感光体としては十分な特性が得られにくい。しかし、15
0〜450℃にて0.1〜15時間減圧下あるいは空気中あるい
は不活性ガス中あるいは酸素、水素等を含むガス中にて
加熱処理を行うことによって高分子層に熱分解反応、あ
るいは熱重合反応を誘起し、これにより高分子層の耐熱
性および、電荷の移動度が向上し、特に一部の構造変化
により光学的禁止帯幅を減少せしめ、光導電層からの電
荷注入効率を著しく向上せしめる。
また、誘電率も３〜3.5と小さく表面電位の向上と帯電
電流の減少をもたらす。
電流の減少をもたらす。
以上の相乗効果により、残留電位の小さな、高感度で帯
電電位の大きな電子写真感光体が得られる。
電電位の大きな電子写真感光体が得られる。
実施例 図は、本発明における基本的な電子写真感光体の一実施
例の断面を模式的に示したものである。
例の断面を模式的に示したものである。
図に示す電子写真感光体は、電子写真感光体としての支
持体１上に、主鎖にｐ−フェニレンとビニル基を有する
高分子層からなる電荷移動層２と光導電層３とを有し、
前記光導電層３は一方で自由表面４を有している。
持体１上に、主鎖にｐ−フェニレンとビニル基を有する
高分子層からなる電荷移動層２と光導電層３とを有し、
前記光導電層３は一方で自由表面４を有している。
本発明において、光導電層として硬度の高いシリコンを
含有する非晶質層を用い、光導電層としては、ａ−S
i（:H:X）,a−Si1-yCy（:H:X）（０＜ｙ＜１）,a−Si1-
yOy（:H:X）（０＜ｙ＜１）,a−Si1-yNy（:H:X）（０＜
ｙ＜１）,a−Si1-zGez（:H:X）（０＜ｚ＜１）,a−（Si
1-zGez）1-yNy（:H:X）（０＜y,z＜１）,a−（Si1-zGe
z）1-yOy（:H:X）（０＜y,z＜１），または、ａ−（Si
1-zGez）1-yCy（:H:X）（０＜y,z＜１）の単層、あるい
はこれらの積層体を用いる。また、ｙを連続的に変化さ
せた場合も使用できる。
含有する非晶質層を用い、光導電層としては、ａ−S
i（:H:X）,a−Si1-yCy（:H:X）（０＜ｙ＜１）,a−Si1-
yOy（:H:X）（０＜ｙ＜１）,a−Si1-yNy（:H:X）（０＜
ｙ＜１）,a−Si1-zGez（:H:X）（０＜ｚ＜１）,a−（Si
1-zGez）1-yNy（:H:X）（０＜y,z＜１）,a−（Si1-zGe
z）1-yOy（:H:X）（０＜y,z＜１），または、ａ−（Si
1-zGez）1-yCy（:H:X）（０＜y,z＜１）の単層、あるい
はこれらの積層体を用いる。また、ｙを連続的に変化さ
せた場合も使用できる。
この時の膜厚は、電荷移動層は５〜50μｍ好適には10〜
25μｍ、また光導電層の膜厚は0.5〜10μｍ好適には１
〜５μｍとすれば良い。
25μｍ、また光導電層の膜厚は0.5〜10μｍ好適には１
〜５μｍとすれば良い。
本発明において、更に電子写真特性を向上させるため
に、第１図において、支持体１と電荷移動層２との間
に、支持体１から電荷移動層２に注入するキャリアを効
果的に阻止するため障壁層を設けてもよい。
に、第１図において、支持体１と電荷移動層２との間
に、支持体１から電荷移動層２に注入するキャリアを効
果的に阻止するため障壁層を設けてもよい。
障壁層を形成する材料としては、Al2O3,BaO,BaO2,BeO,B
i2O3,CaO,CeO2,Ce2O3,La2O3,Dy2O3,Lu2O3,Cr2O3,CuO,Cu
2O,FeO,PbO,MgO,SrO,Ta2O3,ThO2,ZrO2,HfO2,TiO2,TiO,S
iO2,GeO2,SiO,GeO等の金属酸化物またはTiN,AlN,SnN,Nb
N,TaN,GaN等の金属窒化物またはWC,SnC,TiC等の金属炭
化物またはSiC,SiN,GeC,GeN,BC,BN等の絶縁物、ポリイ
ミド、ポリアミドイミド、ポリアクリルニトリル等の耐
熱性を有する有機化合物が使用される。
i2O3,CaO,CeO2,Ce2O3,La2O3,Dy2O3,Lu2O3,Cr2O3,CuO,Cu
2O,FeO,PbO,MgO,SrO,Ta2O3,ThO2,ZrO2,HfO2,TiO2,TiO,S
iO2,GeO2,SiO,GeO等の金属酸化物またはTiN,AlN,SnN,Nb
N,TaN,GaN等の金属窒化物またはWC,SnC,TiC等の金属炭
化物またはSiC,SiN,GeC,GeN,BC,BN等の絶縁物、ポリイ
ミド、ポリアミドイミド、ポリアクリルニトリル等の耐
熱性を有する有機化合物が使用される。
また、クリーニング性あるいは耐摩耗性あるいは耐コロ
ナ性を向上させるため、図における自由表面４上に表面
被覆層を形成する。表面被覆層として好適な材料として
は、SixO1-x,SixC1-x,SixN1-x,GexO1-x,GexC1-x,GexN1-
x,BxN1-x,BxC1-x,AlxN1-x（０＜ｘ＜１）、およびこれ
らに水素あるいはハロゲンを含有する層等の無機物など
が上げられる。
ナ性を向上させるため、図における自由表面４上に表面
被覆層を形成する。表面被覆層として好適な材料として
は、SixO1-x,SixC1-x,SixN1-x,GexO1-x,GexC1-x,GexN1-
x,BxN1-x,BxC1-x,AlxN1-x（０＜ｘ＜１）、およびこれ
らに水素あるいはハロゲンを含有する層等の無機物など
が上げられる。
シリコンを含有する光導電層であるａ−Si（:H:X）の作
成には、SiH4,Si2N6,Si3H8,SiF4,SiCl4,SiHF3,SiH2F2,S
iH3F,SiHCl3,SiH2Cl2,SiH3Cl等のSi原子の原料ガスを用
いたプラズマCVD法、または多結晶シリコンをターゲッ
トとし、ArとH2（さらにF2又はCl2を混合しても良い）
の混合ガス中での反応性スパッタ法が用いられる。ま
た、ａ−Si1-yCy（:H:X）（０＜ｙ＜１）,a−Si1-yO
y（:H:X）（０＜ｙ＜１）,a−Si1-yNy（:H:X）（０＜ｙ
＜１）の作成には、更に炭素源として、CH4,C2H6,C3H8,
C4H10,C2H4,C3H6,C4H8,C2H2,C3H4,C4H6,C6H6等の炭化水
素、CH3F,CH3Cl,CH3l,C2H5Cl,C2H5Br等のハロゲン化ア
リル、CClF3,CF4,CHF3,C2F6,C3F8等のフロンガス、C6H6
−mFm（ｍ＝１〜６）の弗化ベンゼン等のＣ原子の原料
ガスをプラズマCVD法に用いるシリコン原料ガスと混合
して、あるいは、反応性スパッタ法にはAr等のスパッタ
ガスと混合して用いる。また、酸素源としてはO2,CO,CO
2,NO,NO2等、また、窒素源としてはN2,NH3,NO等を混合
して用いる。
成には、SiH4,Si2N6,Si3H8,SiF4,SiCl4,SiHF3,SiH2F2,S
iH3F,SiHCl3,SiH2Cl2,SiH3Cl等のSi原子の原料ガスを用
いたプラズマCVD法、または多結晶シリコンをターゲッ
トとし、ArとH2（さらにF2又はCl2を混合しても良い）
の混合ガス中での反応性スパッタ法が用いられる。ま
た、ａ−Si1-yCy（:H:X）（０＜ｙ＜１）,a−Si1-yO
y（:H:X）（０＜ｙ＜１）,a−Si1-yNy（:H:X）（０＜ｙ
＜１）の作成には、更に炭素源として、CH4,C2H6,C3H8,
C4H10,C2H4,C3H6,C4H8,C2H2,C3H4,C4H6,C6H6等の炭化水
素、CH3F,CH3Cl,CH3l,C2H5Cl,C2H5Br等のハロゲン化ア
リル、CClF3,CF4,CHF3,C2F6,C3F8等のフロンガス、C6H6
−mFm（ｍ＝１〜６）の弗化ベンゼン等のＣ原子の原料
ガスをプラズマCVD法に用いるシリコン原料ガスと混合
して、あるいは、反応性スパッタ法にはAr等のスパッタ
ガスと混合して用いる。また、酸素源としてはO2,CO,CO
2,NO,NO2等、また、窒素源としてはN2,NH3,NO等を混合
して用いる。
また、ａ−Si（:H:X）にGeを添加する場合もGeH4,Ge
2H6,Ge3H8,GeF4,GeCl4,GeHF3,GeH2F2,GeH3F,GeHCl3,GeH
2Cl2,GeH3Cl等のガスを上記Si原子の原料ガスと混合し
プラズマCVD法によって形成することも出来る。
2H6,Ge3H8,GeF4,GeCl4,GeHF3,GeH2F2,GeH3F,GeHCl3,GeH
2Cl2,GeH3Cl等のガスを上記Si原子の原料ガスと混合し
プラズマCVD法によって形成することも出来る。
さらに、本発明において、上記のａ−Si（:H:X）,a−Si
1-yCy（:H:X）（０＜ｙ＜１）,a−Si1-yOy（:H:X）（０
＜ｙ＜１）,a−Si1-yNy（:H:X）（０＜ｙ＜１）、ある
いはこれにGe添加のこれらの膜中に、不純物を添加する
ことにより伝導性を制御し、所望の電子写真特性を得る
ことができる、ｐ型伝導性を与えるｐ型不純物として
は、周期律表第III族ｂに属するB,Al,Ga,In等があり、
好適にはB,Al,Gaが用いられ、ｎ型伝導性を与えるｎ型
不純物としては、周期律表第Ｖ族ｂに属するN,P,As,Sb
等が有り、好適にはP,Asが用いられる。
1-yCy（:H:X）（０＜ｙ＜１）,a−Si1-yOy（:H:X）（０
＜ｙ＜１）,a−Si1-yNy（:H:X）（０＜ｙ＜１）、ある
いはこれにGe添加のこれらの膜中に、不純物を添加する
ことにより伝導性を制御し、所望の電子写真特性を得る
ことができる、ｐ型伝導性を与えるｐ型不純物として
は、周期律表第III族ｂに属するB,Al,Ga,In等があり、
好適にはB,Al,Gaが用いられ、ｎ型伝導性を与えるｎ型
不純物としては、周期律表第Ｖ族ｂに属するN,P,As,Sb
等が有り、好適にはP,Asが用いられる。
また、これらの不純物を添加する方法として、ｐ型不純
物の場合、B2H6,B4H10,B5H9,B5H11,B6H12,B6H14,BF3,BC
l3,BBr3,AlCl3,（CH3）3Al,（C2H5）3Al,（ｉ−C4H9）3
Al,（CH3）3Ga,（C2H5）3Ga,InCl3,（C2H5）3Inを、ｎ
型不純物の場合、N2,NH3,NO,N2O,NO2,PH3,P2H4,PH4I,PF
3,PF5,PCl3,PCl5,PBr3,PBr5,PI3,AsH3,AsF3,AsCl3,AsBr
3,SbH3,SbF3,SbF5,SbCl3,SbCl5等のガスを、あるいはこ
れらのガスをH2,He,Arで希釈したガスを、プラズマCVD
法では、それぞれの膜形成時において、使用する上記の
Ｃ原子,Si原子等の原料ガスと混合して用いれば良く、
反応性スパッタ法では、ArまたはH2あるいはF2,Cl2に混
合して用いれば良い。以下実施例について述べる。
物の場合、B2H6,B4H10,B5H9,B5H11,B6H12,B6H14,BF3,BC
l3,BBr3,AlCl3,（CH3）3Al,（C2H5）3Al,（ｉ−C4H9）3
Al,（CH3）3Ga,（C2H5）3Ga,InCl3,（C2H5）3Inを、ｎ
型不純物の場合、N2,NH3,NO,N2O,NO2,PH3,P2H4,PH4I,PF
3,PF5,PCl3,PCl5,PBr3,PBr5,PI3,AsH3,AsF3,AsCl3,AsBr
3,SbH3,SbF3,SbF5,SbCl3,SbCl5等のガスを、あるいはこ
れらのガスをH2,He,Arで希釈したガスを、プラズマCVD
法では、それぞれの膜形成時において、使用する上記の
Ｃ原子,Si原子等の原料ガスと混合して用いれば良く、
反応性スパッタ法では、ArまたはH2あるいはF2,Cl2に混
合して用いれば良い。以下実施例について述べる。
実施例１ 鏡面研磨したアルミニウム基板上に高分子スルホニウム
塩の１つであるポリ（キシリレン−α−ジエチルスルホ
ニウムブロマイド）を塗布し減圧下で〜30℃でフィルム
化を行い高分子層を得た。この高分子層を窒素ガス中に
て200〜400℃にて１〜15時間の加熱処理を行った。これ
により、ポリ（キシリレン−α−ジエチルスルホニウム
ブロマイド）のBr、あるいは（C2H5）2Sが解離すると同
時にこれらの高分子間の重合度が進み共役鎖の長さが増
加する。また、光学的禁止帯幅は減少し、当初可視領域
に吸収もなく透明（2.7eV）であったものが、〜430nm付
近に吸収ピークが現れ黄色く着色（2.1〜2.4eV）したポ
リ（ｐ−フェニレンビニレン）が得られる。
塩の１つであるポリ（キシリレン−α−ジエチルスルホ
ニウムブロマイド）を塗布し減圧下で〜30℃でフィルム
化を行い高分子層を得た。この高分子層を窒素ガス中に
て200〜400℃にて１〜15時間の加熱処理を行った。これ
により、ポリ（キシリレン−α−ジエチルスルホニウム
ブロマイド）のBr、あるいは（C2H5）2Sが解離すると同
時にこれらの高分子間の重合度が進み共役鎖の長さが増
加する。また、光学的禁止帯幅は減少し、当初可視領域
に吸収もなく透明（2.7eV）であったものが、〜430nm付
近に吸収ピークが現れ黄色く着色（2.1〜2.4eV）したポ
リ（ｐ−フェニレンビニレン）が得られる。
このポリ（ｐ−フェニレンビニレン）は下記の構造を有
し、 ここで、X:C2H2、ｎ＝５〜40であった。
し、 ここで、X:C2H2、ｎ＝５〜40であった。
上記の層を電荷移動層として加熱処理後の膜厚で25μｍ
形成した基板を６インチの放電電極を有する平行平板型
の容量結合方式プラズマCVD装置内に配置し、反応容器
内を５×106Torr以下に排気後、基板を150〜200℃に加
熱した。つぎにSiH4を10〜40sccm導入し、圧力0.2〜1.0
Torr、高周波電力20〜100Wでノンドープ（non-doped）
ａ−Si:H層を光導電層として0.5〜５μｍ形成し、更
に、SiH4を10〜30sccm、C2H4を20〜40sccm導入し、圧力
0.2〜1.0Torr、高周波電力50〜150WでSi1-xCx:H（０＜
ｘ＜１）を表面被覆層として0.08〜03μｍ形成して電子
写真感光体を作成した。
形成した基板を６インチの放電電極を有する平行平板型
の容量結合方式プラズマCVD装置内に配置し、反応容器
内を５×106Torr以下に排気後、基板を150〜200℃に加
熱した。つぎにSiH4を10〜40sccm導入し、圧力0.2〜1.0
Torr、高周波電力20〜100Wでノンドープ（non-doped）
ａ−Si:H層を光導電層として0.5〜５μｍ形成し、更
に、SiH4を10〜30sccm、C2H4を20〜40sccm導入し、圧力
0.2〜1.0Torr、高周波電力50〜150WでSi1-xCx:H（０＜
ｘ＜１）を表面被覆層として0.08〜03μｍ形成して電子
写真感光体を作成した。
このようにして得られた電子写真感光体を＋6.0kVでコ
ロナ帯電させたところ、＋2200Vの表面電位を得ること
が出来、白色光で露光したところ、残留電位＋150V以下
で、半減電位露光量は1lux・sec以下と非常に高い感度
が得られた。また、この感光体を＋900Vに帯電させ同じ
く白色光にて露光したところ、半減電位露光量は0.2lux
・sec以下と感度は非常に高い。これを、従来のａ−Si:
Hの20μｍからなる感光体を＋400Vに帯電させ白色光で
露光した場合と比較すれば３倍の感度があり、可視光の
みに限り露光を再度行い比較したところ、４倍以上の感
度が確認された。また、同じコロナ電位での帯電はａ−
Si:Hのみに比べ、帯電電位も４倍以上と少ない帯電電流
で高い感度の感光体が得られる事を示した。
ロナ帯電させたところ、＋2200Vの表面電位を得ること
が出来、白色光で露光したところ、残留電位＋150V以下
で、半減電位露光量は1lux・sec以下と非常に高い感度
が得られた。また、この感光体を＋900Vに帯電させ同じ
く白色光にて露光したところ、半減電位露光量は0.2lux
・sec以下と感度は非常に高い。これを、従来のａ−Si:
Hの20μｍからなる感光体を＋400Vに帯電させ白色光で
露光した場合と比較すれば３倍の感度があり、可視光の
みに限り露光を再度行い比較したところ、４倍以上の感
度が確認された。また、同じコロナ電位での帯電はａ−
Si:Hのみに比べ、帯電電位も４倍以上と少ない帯電電流
で高い感度の感光体が得られる事を示した。
また、0.2〜２μｍのａ−Si:H光導電層に酸素を200〜30
00ppm添加した場合も、Ｂを0.5〜5ppm添加した場合も、
上記と同様な特性を示す電子写真感光体を形成できた。
00ppm添加した場合も、Ｂを0.5〜5ppm添加した場合も、
上記と同様な特性を示す電子写真感光体を形成できた。
一方、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）に電子受容体で
あるSO03をH2SO4をソースとして0.05〜0.4wt％混合し電
荷移動層を形成した。形成後、N2中にて同様の処理を行
い光導電層を同様に形成し、同じく＋6.0kVで帯電処理
を行ったところ＋1500Vの表面電位を得、白色光で露光
したところ、残留電位は＋50V以下と低下し良好な感光
体が得られた。このような効果が得られる他の電子受容
体として、AsF5,SbF5,TCNQ,I2が上げられる。
あるSO03をH2SO4をソースとして0.05〜0.4wt％混合し電
荷移動層を形成した。形成後、N2中にて同様の処理を行
い光導電層を同様に形成し、同じく＋6.0kVで帯電処理
を行ったところ＋1500Vの表面電位を得、白色光で露光
したところ、残留電位は＋50V以下と低下し良好な感光
体が得られた。このような効果が得られる他の電子受容
体として、AsF5,SbF5,TCNQ,I2が上げられる。
発明の効果 本発明によれば、光励起によって移動可能なキャリアを
発生する光導電層を、電荷移動層上に積層する際、前記
電荷移動層を主鎖にｐ−フェニレンとビニル基を含む高
分子層を形成し、その高分子層を形成後あるいは形成中
に、加熱処理により電荷移動層を形成する。従って、耐
熱性に優れたキャリア移動度の大きな、また光学的禁止
帯幅の減少により、光導電層からの電荷注入効率の良い
電荷移動層を形成することが可能となる。
発生する光導電層を、電荷移動層上に積層する際、前記
電荷移動層を主鎖にｐ−フェニレンとビニル基を含む高
分子層を形成し、その高分子層を形成後あるいは形成中
に、加熱処理により電荷移動層を形成する。従って、耐
熱性に優れたキャリア移動度の大きな、また光学的禁止
帯幅の減少により、光導電層からの電荷注入効率の良い
電荷移動層を形成することが可能となる。
以上の相乗効果により、残留電位の小さな、高感度で帯
電電位の大きな電子写真感光体が得られる。
電電位の大きな電子写真感光体が得られる。
図は、本発明の一実施例における電子写真感光体の断面
図である。 １……支持体、２……電荷移動層、３……光導電層、４
……自由表面。
図である。 １……支持体、２……電荷移動層、３……光導電層、４
……自由表面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 秋山 浩二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 渡辺 正則 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭56−94354（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−90954（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−59353（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】光励起によって移動可能なキャリアを発生
する光導電層と、上記キャリアが効果的に注入され、且
つ注入面から反対面に効果的に移動し得る電荷移動層と
を積層する電子写真感光体の製造方法において、前記電
荷移動層を下記の構造を有する高分子を主成分とし、そ
の高分子層を少なくとも形成中に、加熱処理によって上
記電荷移動層を形成する工程を含む電子写真感光体の製
造方法。 （ここで、ｎ＞１、Ｘ＝C2H2） - 【請求項２】高分子層に電子受容体を添加することを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体の
製造方法。 - 【請求項３】光導電層が局在化状態密度を減少せしめる
修飾物質を含む非晶質層を形成する工程を有する特許請
求の範囲第１項記載の電子写真感光体の製造方法。 - 【請求項４】光導電層が、少なくとも水素あるいはハロ
ゲン元素のいずれかを含む特許請求の範囲第３項記載の
電子写真感光体の製造方法。 - 【請求項５】自由表面に表面被覆層を形成する工程を有
する特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体の製造
方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62111002A JPH07120057B2 (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 電子写真感光体の製造方法 |
| US07/190,093 US4886719A (en) | 1987-05-07 | 1988-05-04 | Electrophotography photosensitive member and a method for fabricating same |
| DE3855975T DE3855975T2 (de) | 1987-05-07 | 1988-05-06 | Lichtempfindliches, elektrophotographisches Element und Verfahren zu dessen Herstellung |
| EP88304123A EP0290270B1 (en) | 1987-05-07 | 1988-05-06 | Electrophotography photosensitive member and a method for fabricating same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62111002A JPH07120057B2 (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 電子写真感光体の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6269437A Division JP2638511B2 (ja) | 1994-11-02 | 1994-11-02 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63276058A JPS63276058A (ja) | 1988-11-14 |
| JPH07120057B2 true JPH07120057B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=14549910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62111002A Expired - Lifetime JPH07120057B2 (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120057B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5590954A (en) * | 1978-12-29 | 1980-07-10 | Toray Ind Inc | Photoconductor |
| JPS5694354A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-30 | Canon Inc | Electrophotographic image forming material |
| JPS6059353A (ja) * | 1983-09-13 | 1985-04-05 | Toshiba Corp | 電子写真感光体 |
-
1987
- 1987-05-07 JP JP62111002A patent/JPH07120057B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63276058A (ja) | 1988-11-14 |
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