JPH0795196B2 - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPH0795196B2 JPH0795196B2 JP61176409A JP17640986A JPH0795196B2 JP H0795196 B2 JPH0795196 B2 JP H0795196B2 JP 61176409 A JP61176409 A JP 61176409A JP 17640986 A JP17640986 A JP 17640986A JP H0795196 B2 JPH0795196 B2 JP H0795196B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier
- gas
- sic
- layer
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体レーザーを用いたレーザービームプリン
ターに適すると共に帯電能を向上させることによって高
速複写を可能とした電子写真感光体に関するものであ
る。
ターに適すると共に帯電能を向上させることによって高
速複写を可能とした電子写真感光体に関するものであ
る。
近年、電子写真感光体の進歩は目覚ましく、超高速複写
機やレーザービームプリンターなどの開発が活発に進め
られており、これらの機器に用いられる感光体は長期間
高速で使用されるため、動作の安定性及び耐久性が要求
されている。この要求に対して水素化アモルファスシリ
コンが耐熱性、耐摩耗性、無公害性並びに光感度特性等
に優れているという理由から注目されている。
機やレーザービームプリンターなどの開発が活発に進め
られており、これらの機器に用いられる感光体は長期間
高速で使用されるため、動作の安定性及び耐久性が要求
されている。この要求に対して水素化アモルファスシリ
コンが耐熱性、耐摩耗性、無公害性並びに光感度特性等
に優れているという理由から注目されている。
また、高速印字ができるレーザービームプリンターの開
発に伴ってそのレーザー光源に小型且つ高信頼性の半導
体レーザーが用いられるようになってきたが、このプリ
ンターにアモルファスシリコン（以下、a-Siと略す）感
光体を搭載した場合、このレーザー光の発振波長が近赤
外付近にあるためその受光側にあるa-Si感光体の光感度
特性が劣るという問題がある。この問題を解決するため
に感光体のa-Siキャリア発生層にGeを適当量ドーピング
してこの層の光感度領域を長波長側へ移行させることが
提案されているが、これに伴って表面電位が小さくなる
という問題がおきていた。
発に伴ってそのレーザー光源に小型且つ高信頼性の半導
体レーザーが用いられるようになってきたが、このプリ
ンターにアモルファスシリコン（以下、a-Siと略す）感
光体を搭載した場合、このレーザー光の発振波長が近赤
外付近にあるためその受光側にあるa-Si感光体の光感度
特性が劣るという問題がある。この問題を解決するため
に感光体のa-Siキャリア発生層にGeを適当量ドーピング
してこの層の光感度領域を長波長側へ移行させることが
提案されているが、これに伴って表面電位が小さくなる
という問題がおきていた。
このような問題を解決するために第３図に示すような機
能分離型感光体が特開昭58-192044号公報に提案されて
いる。
能分離型感光体が特開昭58-192044号公報に提案されて
いる。
即ち、第３図によれば、導電性基板（１）の上に水素化
アモルファスシリコンカーバイドから成るキャリア輸送
層（２）、アモルファスシリコンゲルマニウムから成る
キャリア発生層（３）及び表面保護層（４）が順次形成
された積層体が提案されており、そして、このキャリア
輸送層（２）は暗抵抗率及びキャリア移動度の大きい材
料と成り得る水素化アモルファスシリコンカーバイド
（以下、a-SiC:Hと略す）により形成しており、これに
よって表面電位が高く光感度に優れ且つ残留電位が小さ
くなることをねらっている。
アモルファスシリコンカーバイドから成るキャリア輸送
層（２）、アモルファスシリコンゲルマニウムから成る
キャリア発生層（３）及び表面保護層（４）が順次形成
された積層体が提案されており、そして、このキャリア
輸送層（２）は暗抵抗率及びキャリア移動度の大きい材
料と成り得る水素化アモルファスシリコンカーバイド
（以下、a-SiC:Hと略す）により形成しており、これに
よって表面電位が高く光感度に優れ且つ残留電位が小さ
くなることをねらっている。
しかしながら、この公報に示されたa-SiC:Hキャリア輸
送層を形成するに当たっては、例えばグロー放電分解法
を用いる場合、反応圧力、高周波電力などの様々な放電
条件、原料ガスの種類、ガス流量等々に起因して安定し
た特性をもつ高品質なa-SiC:H膜を形成するのが難し
く、且つ、この膜自体水素化アモルファスシリコン（以
下、a-Si:Hと略す）膜に比べてダングリングボンドが生
成し易い傾向にあり、これにより、目安として1011Ω・
cm以上の高暗抵抗率を有すると共に高いキャリア移動度
をもつa-SiC:H膜を得るのが難しくなっており、その結
果、この感光体を高速複写用に用いた場合には光メモリ
効果により先の画像が完全に除去されずに残留し、次の
画像形成に伴って先の画像が再び現れるという問題があ
る（これはゴースト現象と呼ばれている）。
送層を形成するに当たっては、例えばグロー放電分解法
を用いる場合、反応圧力、高周波電力などの様々な放電
条件、原料ガスの種類、ガス流量等々に起因して安定し
た特性をもつ高品質なa-SiC:H膜を形成するのが難し
く、且つ、この膜自体水素化アモルファスシリコン（以
下、a-Si:Hと略す）膜に比べてダングリングボンドが生
成し易い傾向にあり、これにより、目安として1011Ω・
cm以上の高暗抵抗率を有すると共に高いキャリア移動度
をもつa-SiC:H膜を得るのが難しくなっており、その結
果、この感光体を高速複写用に用いた場合には光メモリ
効果により先の画像が完全に除去されずに残留し、次の
画像形成に伴って先の画像が再び現れるという問題があ
る（これはゴースト現象と呼ばれている）。
更にこのa-SiC:H膜を再現性よく安定した条件によって
形成するために、暗抵抗率及びキャリア移動度の両者の
特性に共通してその特性評価ができる検知手段が望まれ
ている。
形成するために、暗抵抗率及びキャリア移動度の両者の
特性に共通してその特性評価ができる検知手段が望まれ
ている。
また、Geを含むキャリア発生層を形成するに当たって
は、キャリア輸送層に対して安定した密着性が得られて
おらず、ガス圧や高周波電力などの放電条件によっては
一部剥離が生じ、その結果、これがピンホールとなって
画像に白抜けなどが発生するという問題がある。
は、キャリア輸送層に対して安定した密着性が得られて
おらず、ガス圧や高周波電力などの放電条件によっては
一部剥離が生じ、その結果、これがピンホールとなって
画像に白抜けなどが発生するという問題がある。
従って本発明は上記事情に鑑みて完成されたものであ
り、その目的はa-SiC:Hキャリア輸送層の暗抵抗率及び
キャリア移動度を向上させ、これにより、大きな帯電能
をもつ電子写真感光体を提供することにある。
り、その目的はa-SiC:Hキャリア輸送層の暗抵抗率及び
キャリア移動度を向上させ、これにより、大きな帯電能
をもつ電子写真感光体を提供することにある。
本発明の他の目的は高速複写及び高速印字ができる半導
体レーザービームプリンター用の電子写真感光体を提供
することにある。
体レーザービームプリンター用の電子写真感光体を提供
することにある。
本発明の更に他の目的はa-SiC:Hキャリア輸送層を製作
するに当たってその製造条件の設定が容易であると共に
再現性及び安定性に優れた電子写真感光体を提供するこ
とにある。
するに当たってその製造条件の設定が容易であると共に
再現性及び安定性に優れた電子写真感光体を提供するこ
とにある。
本発明の更に他の目的はキャリア発生層の下地層に対す
る密着性を大きくしてピンホールを発生させず、これに
より、長期に亘って画像に白抜けなどが発生しなくなっ
て高画質且つ高信頼性を達成した電子写真感光体を提供
することにある。
る密着性を大きくしてピンホールを発生させず、これに
より、長期に亘って画像に白抜けなどが発生しなくなっ
て高画質且つ高信頼性を達成した電子写真感光体を提供
することにある。
本発明によれば、基板上に少なくともキャリア輸送層及
びキャリア発生層を形成して成る積層体であって、前記
キャリア発生層がアモルファスシリコンゲルマニウムカ
ーバイド層から成ると共にシリコンとゲルマニウムの原
子組成比が1:1乃至19:1の範囲内に且つシリコンと炭素
の原子組成比が1:1乃至19:1の範囲内にあり、前記キャ
リア輸送層が水素化アモルファスシリコンカーバイドか
ら成ると共に炭素とシリコンの原子組成比が1:9乃至9:1
の範囲内にあり且つ赤外線吸収スペクトルにおける炭素
と水素の結合状態を示す2860cm-1の吸収係数が1000以下
であると共にシリコンと水素の結合状態を示す2090cm-1
の吸収係数が1000以上であることを特徴とする電子写真
感光体が提供される。
びキャリア発生層を形成して成る積層体であって、前記
キャリア発生層がアモルファスシリコンゲルマニウムカ
ーバイド層から成ると共にシリコンとゲルマニウムの原
子組成比が1:1乃至19:1の範囲内に且つシリコンと炭素
の原子組成比が1:1乃至19:1の範囲内にあり、前記キャ
リア輸送層が水素化アモルファスシリコンカーバイドか
ら成ると共に炭素とシリコンの原子組成比が1:9乃至9:1
の範囲内にあり且つ赤外線吸収スペクトルにおける炭素
と水素の結合状態を示す2860cm-1の吸収係数が1000以下
であると共にシリコンと水素の結合状態を示す2090cm-1
の吸収係数が1000以上であることを特徴とする電子写真
感光体が提供される。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の典型的な電子写真感光体には第１図に示す通り
基板（１）上にキャリア注入阻止層（５）、キャリア輸
送層（2a）、キャリア発生層（3a）及び表面保護層（4
a）を順次積層した積層体、或いは第２図に示す通り、
第１図に示した積層体よりキャリア注入阻止層（５）を
除いた積層体があり、また、これらの積層体に対してキ
ャリア輸送層（2a）とキャリア発生層（3a）の積層順序
を変えた積層体がある。
基板（１）上にキャリア注入阻止層（５）、キャリア輸
送層（2a）、キャリア発生層（3a）及び表面保護層（4
a）を順次積層した積層体、或いは第２図に示す通り、
第１図に示した積層体よりキャリア注入阻止層（５）を
除いた積層体があり、また、これらの積層体に対してキ
ャリア輸送層（2a）とキャリア発生層（3a）の積層順序
を変えた積層体がある。
本発明によれば、機能分離型感光体に用いられるキャリ
ア輸送層（2a）にa-SiC:H膜を用いると共にキャリア発
生層（3a）にa-SiGeC膜を用いてこれらの層に種々の条
件を設定することにより本発明の目的が達成できること
を見出したものである。
ア輸送層（2a）にa-SiC:H膜を用いると共にキャリア発
生層（3a）にa-SiGeC膜を用いてこれらの層に種々の条
件を設定することにより本発明の目的が達成できること
を見出したものである。
このキャリア輸送層に用いられるa-SiC:H膜は、例えば
後述するグロー放電分解法によって生成され、その放電
条件等によって暗抵抗率とキャリア移動度が鋭敏に作用
を受けており、これに対して、本発明者等はこの原因を
解明すべく種々の実験を繰り返し行った結果、ＣとＨの
結合状態並びにSiとＨの結合状態が前記特性に顕著に影
響することを知見した。
後述するグロー放電分解法によって生成され、その放電
条件等によって暗抵抗率とキャリア移動度が鋭敏に作用
を受けており、これに対して、本発明者等はこの原因を
解明すべく種々の実験を繰り返し行った結果、ＣとＨの
結合状態並びにSiとＨの結合状態が前記特性に顕著に影
響することを知見した。
即ち、a-SiC:H膜の赤外線吸収スペクトルを測定するとC
H2結合及びCH3結合の伸縮モードを示す吸収ピークが286
0cm-1の波数に表われ、SiH結合及びSiH2結合の伸縮モー
ドを示す吸収ピークが2090cm-1の波数に表われることを
確認し、そしてこの2860cm-1の吸収係数が1000以下であ
ると共に2090cm-1の吸収係数が1000以上、好適には2860
cm-1の吸収係数が500以下であると共に2090cm-1の吸収
係数が1000以上であればダングリングボンドが少なくな
って大きなキャリア移動度となることが判った。尚、本
発明にて表わす吸収係数の値は当業者が一般に用いてい
るcm-1を単位とする。
H2結合及びCH3結合の伸縮モードを示す吸収ピークが286
0cm-1の波数に表われ、SiH結合及びSiH2結合の伸縮モー
ドを示す吸収ピークが2090cm-1の波数に表われることを
確認し、そしてこの2860cm-1の吸収係数が1000以下であ
ると共に2090cm-1の吸収係数が1000以上、好適には2860
cm-1の吸収係数が500以下であると共に2090cm-1の吸収
係数が1000以上であればダングリングボンドが少なくな
って大きなキャリア移動度となることが判った。尚、本
発明にて表わす吸収係数の値は当業者が一般に用いてい
るcm-1を単位とする。
本発明によれば、このa-SiC:H膜中のSiとＣの原子組成
比が重要であり、この比が1:9乃至9:1、好適には2:8乃
至8:2の範囲内に設定されると暗抵抗率が1011Ω・cm以
上となることを見い出した。また膜中の水素含有量はSi
・Ｃ原子組成比と関連するが、膜中５乃至40原子％、好
適には10乃至30原子％の範囲内になるようにすればよ
い。
比が重要であり、この比が1:9乃至9:1、好適には2:8乃
至8:2の範囲内に設定されると暗抵抗率が1011Ω・cm以
上となることを見い出した。また膜中の水素含有量はSi
・Ｃ原子組成比と関連するが、膜中５乃至40原子％、好
適には10乃至30原子％の範囲内になるようにすればよ
い。
このキャリア輸送層の厚みは１乃至50μｍ、好適には５
乃至30μｍの範囲内に設定するのがよく、１μｍ未満で
あれば電荷保持能力に劣って画像形成が困難になり50μ
ｍを越えると画像の分解能が劣化すると共に残留電位が
大きくなる。
乃至30μｍの範囲内に設定するのがよく、１μｍ未満で
あれば電荷保持能力に劣って画像形成が困難になり50μ
ｍを越えると画像の分解能が劣化すると共に残留電位が
大きくなる。
更にこのキャリア輸送層はSi、Ｃ及びＨの三種類の原子
を必須とするものであるが、他の原子を必要に応じてド
ーピングすることは何ら差支えない。例えばＢなどの周
期律表第IIIa族元素をドーピングすれば暗抵抗率を向上
させたり、キャリア移動度を大きくすることができ、更
にキャリア発生層とキャリア輸送層との界面におけるフ
ェルミレベルをシフトさせることもできるのでキャリア
発生層で生じた光キャリアをキャリア輸送層へスムーズ
に注入することができ、これにより、光感度を高めて残
留電位を小さくすることができる。
を必須とするものであるが、他の原子を必要に応じてド
ーピングすることは何ら差支えない。例えばＢなどの周
期律表第IIIa族元素をドーピングすれば暗抵抗率を向上
させたり、キャリア移動度を大きくすることができ、更
にキャリア発生層とキャリア輸送層との界面におけるフ
ェルミレベルをシフトさせることもできるのでキャリア
発生層で生じた光キャリアをキャリア輸送層へスムーズ
に注入することができ、これにより、光感度を高めて残
留電位を小さくすることができる。
更に、a-SiC:H膜を形成するに当たってはグロー放電分
解法、イオンプレーティング法、反応性スパッタリング
法、真空蒸着法、CVD法などの薄膜形成技術を用いるこ
とができ、また、これに用いられる原料には固体、液
体、気体のいずれでもよい。例えばグロー放電分解法に
用いられる気体原料としてSiH4，Si2H6，Si3H8などのSi
系ガス、CH4，C2H4，C2H2，C2H6，C3H8などのＣ系ガス
を用いればよく、更にH2,He,Ne,Arなどをキャリア−ガ
スとして用いてもよい。
解法、イオンプレーティング法、反応性スパッタリング
法、真空蒸着法、CVD法などの薄膜形成技術を用いるこ
とができ、また、これに用いられる原料には固体、液
体、気体のいずれでもよい。例えばグロー放電分解法に
用いられる気体原料としてSiH4，Si2H6，Si3H8などのSi
系ガス、CH4，C2H4，C2H2，C2H6，C3H8などのＣ系ガス
を用いればよく、更にH2,He,Ne,Arなどをキャリア−ガ
スとして用いてもよい。
本発明に用いられるキャリア発生層（3a）はGeを含む層
から成るのでa-Si層に比べて分光感度特性が長波長側へ
シフトする。この層（3a）はSiとGeの原子組成比が1:1
乃至19:1、好適には2:1乃至10:1の範囲内に設定するこ
とが重要であり、これによって約780nmの発振波長をも
つ半導体レーザー光に対する光感度特性がa-Siキャリア
発生層を用いた感光体に比べて顕著に向上する。そし
て、本発明者等が行った実験によれば、a-SiC:Hキャリ
ア輸送層を形成して成る機能分離型感光体に対してはSi
とGeの原子組成比を2:1乃至5:1の範囲内に設定するのが
望ましく、この範囲内であれば残留電位が小さくなって
一段と高い帯電能を有する感光体が得られる。
から成るのでa-Si層に比べて分光感度特性が長波長側へ
シフトする。この層（3a）はSiとGeの原子組成比が1:1
乃至19:1、好適には2:1乃至10:1の範囲内に設定するこ
とが重要であり、これによって約780nmの発振波長をも
つ半導体レーザー光に対する光感度特性がa-Siキャリア
発生層を用いた感光体に比べて顕著に向上する。そし
て、本発明者等が行った実験によれば、a-SiC:Hキャリ
ア輸送層を形成して成る機能分離型感光体に対してはSi
とGeの原子組成比を2:1乃至5:1の範囲内に設定するのが
望ましく、この範囲内であれば残留電位が小さくなって
一段と高い帯電能を有する感光体が得られる。
更にこのキャリア発生層（3a）にはＣを含有しており、
これにより、キャリア輸送層（2a）などの下地層との密
着性を大きくすることができる。このために層中のSiと
Ｃの原子組成比が1:1乃至19:1、好適には2:1乃至10:1の
範囲内に設定する必要があり、この原子組成比が1:1か
ら外れた場合780nm付近の長波長側の光感度特性が低下
して実用上支障が生じ、19:1から外れた原子組成比の場
合には下地層との密着性が期待できない。
これにより、キャリア輸送層（2a）などの下地層との密
着性を大きくすることができる。このために層中のSiと
Ｃの原子組成比が1:1乃至19:1、好適には2:1乃至10:1の
範囲内に設定する必要があり、この原子組成比が1:1か
ら外れた場合780nm付近の長波長側の光感度特性が低下
して実用上支障が生じ、19:1から外れた原子組成比の場
合には下地層との密着性が期待できない。
このキャリア発生層はＨやハロゲン元素（F,Cl,Br等）
を含有しており、この含有量は５乃至40原子％、好適に
は10乃至30原子％がよく、また、周期律表第IIIa族元素
（B,Al,Ga,In等）や第Va族元素（P,As,Sb等）を0.05乃
至5000ppm、好適には0.1乃至2000ppm含有すればよく、
これにより、膜の伝導型を制御したり、或いは暗抵抗値
を大きく又は小さくすることができ、その結果、優れた
帯電能が得られる。
を含有しており、この含有量は５乃至40原子％、好適に
は10乃至30原子％がよく、また、周期律表第IIIa族元素
（B,Al,Ga,In等）や第Va族元素（P,As,Sb等）を0.05乃
至5000ppm、好適には0.1乃至2000ppm含有すればよく、
これにより、膜の伝導型を制御したり、或いは暗抵抗値
を大きく又は小さくすることができ、その結果、優れた
帯電能が得られる。
本発明によれば、キャリア注入阻止層（５）はキャリア
輸送層（2a）へのキャリアの注入を阻止するために設け
られており、例えばポリイミド樹脂などの有機材料、Si
O2,SiO,Al2O3,SiC,Si3N4,a-Si,a-Si:H,a-Si:F,a-SiC,a-
SiC:H,a-SiC:Fなどの無機材料を用いて形成される。Si
系又はSiC系を用いた場合には周期律表第IIIa族元素や
第Va族元素を50乃至5000ppmの範囲内で添加してキャリ
アの注入阻止を一段と高めることができる。そして、本
発明の電子写真感光体についてはa-SiC:Hキャリア輸送
層が十分に大きな暗抵抗を得ることができるので、この
キャリア注入阻止層を必ず形成しなくてはならぬという
ものではなく、本発明者等が繰り返し行った実験によれ
ば、キャリア輸送層の暗抵抗率が1013Ω・cm以上であれ
ばキャリア注入阻止層を形成しなくても電子写真感光体
として十分実用に供することができることを見い出し
た。
輸送層（2a）へのキャリアの注入を阻止するために設け
られており、例えばポリイミド樹脂などの有機材料、Si
O2,SiO,Al2O3,SiC,Si3N4,a-Si,a-Si:H,a-Si:F,a-SiC,a-
SiC:H,a-SiC:Fなどの無機材料を用いて形成される。Si
系又はSiC系を用いた場合には周期律表第IIIa族元素や
第Va族元素を50乃至5000ppmの範囲内で添加してキャリ
アの注入阻止を一段と高めることができる。そして、本
発明の電子写真感光体についてはa-SiC:Hキャリア輸送
層が十分に大きな暗抵抗を得ることができるので、この
キャリア注入阻止層を必ず形成しなくてはならぬという
ものではなく、本発明者等が繰り返し行った実験によれ
ば、キャリア輸送層の暗抵抗率が1013Ω・cm以上であれ
ばキャリア注入阻止層を形成しなくても電子写真感光体
として十分実用に供することができることを見い出し
た。
表面保護層（4a）にはそれ自体高絶縁性、高耐食性及び
高硬度特性を有するものであれば種々の材料を用いるこ
とができ、例えばポリイミド樹脂などの有機材料、Si
O2,SiO,Al2O3,SiC,Si3N4,a-Si,a-Si:H,a-Si:F,a-SiC,a-
SiC:H,a-SiC:Fなどの無機材料を用いることができる。
高硬度特性を有するものであれば種々の材料を用いるこ
とができ、例えばポリイミド樹脂などの有機材料、Si
O2,SiO,Al2O3,SiC,Si3N4,a-Si,a-Si:H,a-Si:F,a-SiC,a-
SiC:H,a-SiC:Fなどの無機材料を用いることができる。
更に本発明によれば、a-SiC膜、a-SiC:H膜又はa-SiGeC
膜をグロー放電分解法により形成するに当たってその原
料にSiH4ガス及びC2H2ガスを用いれば大きい成膜速度
（約５乃至20μm/時）が得られる。従って、この両者の
ガスを用いてキャリア注入阻止層（５）、キャリア輸送
層（2a）及び表面保護層（4a）をa-SiC膜又はa-SiC:H膜
により形成することにより同じ成膜装置を用いて連続的
に形成でき、且つその成膜時間を著しく小さくすること
ができる。因にSiH4ガスとCH4ガスを用いてa-SiC膜やa-
SiC:H膜を生成した場合その成膜速度は約0.3乃至１μm/
時である。
膜をグロー放電分解法により形成するに当たってその原
料にSiH4ガス及びC2H2ガスを用いれば大きい成膜速度
（約５乃至20μm/時）が得られる。従って、この両者の
ガスを用いてキャリア注入阻止層（５）、キャリア輸送
層（2a）及び表面保護層（4a）をa-SiC膜又はa-SiC:H膜
により形成することにより同じ成膜装置を用いて連続的
に形成でき、且つその成膜時間を著しく小さくすること
ができる。因にSiH4ガスとCH4ガスを用いてa-SiC膜やa-
SiC:H膜を生成した場合その成膜速度は約0.3乃至１μm/
時である。
次に本発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放電
分解装置を第４図により説明する。
分解装置を第４図により説明する。
図中、第１、第２、第３、第４、第５タンク（６）
（７）（８）（９）（10）には、それぞれSiH4，C2H2，
GeH4，B2H6，H2ガスが密封されており、H2はキャリーガ
スとしても用いられる。これらのガスは対応する第1,第
2,第3,第4,第５調整弁（11）（12）（13）（14）（15）
を開放することにより放出され、その流量がマスフロ−
コントローラ（16）（17）（18）（19）（20）により制
御されてメインパイプ（21）へ送られる。尚、（22）は
止め弁である。メインパイプ（21）を通じて流れるガス
は反応管（23）へと送り込まれるが、この反応管（23）
の内部には容量結合型放電用電極（24）が設置されてお
り、それに印加される高周波電力は50W乃至3KWが、また
その周波数は1MHz乃至10MHzが適当である。
（７）（８）（９）（10）には、それぞれSiH4，C2H2，
GeH4，B2H6，H2ガスが密封されており、H2はキャリーガ
スとしても用いられる。これらのガスは対応する第1,第
2,第3,第4,第５調整弁（11）（12）（13）（14）（15）
を開放することにより放出され、その流量がマスフロ−
コントローラ（16）（17）（18）（19）（20）により制
御されてメインパイプ（21）へ送られる。尚、（22）は
止め弁である。メインパイプ（21）を通じて流れるガス
は反応管（23）へと送り込まれるが、この反応管（23）
の内部には容量結合型放電用電極（24）が設置されてお
り、それに印加される高周波電力は50W乃至3KWが、また
その周波数は1MHz乃至10MHzが適当である。
反応管（23）の内部には、アルミニウムから成る筒状の
成膜用基板（25）が試料保持台（26）の上に載置されて
おり、この保持台（26）はモーター（27）により回転駆
動されるようになっており、そして、基板（25）は適当
な加熱手段により、約50乃至400℃好ましくは約150乃至
300℃の温度に均一に加熱される。更に、反応管（23）
の内部は膜形成時に高度の真空状態（放電圧0.1乃至2.0
Torr）を必要とすることにより拡散ポンプ（28）と回転
ポンプ（29）に連結されている。
成膜用基板（25）が試料保持台（26）の上に載置されて
おり、この保持台（26）はモーター（27）により回転駆
動されるようになっており、そして、基板（25）は適当
な加熱手段により、約50乃至400℃好ましくは約150乃至
300℃の温度に均一に加熱される。更に、反応管（23）
の内部は膜形成時に高度の真空状態（放電圧0.1乃至2.0
Torr）を必要とすることにより拡散ポンプ（28）と回転
ポンプ（29）に連結されている。
以上のように構成されたグロー放電分解装置において、
例えば、a-SiC:H膜を基板（25）上に形成する場合に
は、第１、第２、第５調整弁（11）（12）（15）を開い
てそれぞれよりSiH4，C2H2，H2ガスを放出する。放出量
はマスフロ−コントローラ（16）（17）（20）により制
御されてSiH4，C2H2，H2の混合ガスがメインパイプ（2
1）を介して反応管（23）へと流し込まれる。そして、
反応管（23）の内部が0.1乃至2.0Torr程度の真空状態、
基板温度が50乃至400℃、放電用電極（24）の高周波電
力が50W乃至3KW、また周波数が1MHz乃至10MHzに設定さ
れていることに相俟ってグロー放電がおこり、ガスが分
解してa-SiC:H膜が基板上に高速で形成される。
例えば、a-SiC:H膜を基板（25）上に形成する場合に
は、第１、第２、第５調整弁（11）（12）（15）を開い
てそれぞれよりSiH4，C2H2，H2ガスを放出する。放出量
はマスフロ−コントローラ（16）（17）（20）により制
御されてSiH4，C2H2，H2の混合ガスがメインパイプ（2
1）を介して反応管（23）へと流し込まれる。そして、
反応管（23）の内部が0.1乃至2.0Torr程度の真空状態、
基板温度が50乃至400℃、放電用電極（24）の高周波電
力が50W乃至3KW、また周波数が1MHz乃至10MHzに設定さ
れていることに相俟ってグロー放電がおこり、ガスが分
解してa-SiC:H膜が基板上に高速で形成される。
但し、後述する実施例において、a-SiC:Hキャリア輸送
層の成膜速度、導電率及び赤外線吸収特性を測定するに
当たっては３×3cmの角形の平板を用意し、そして、前
述のアルミニウム製筒状基板の周面を一部切り欠いてこ
の切り欠き部に平板を設置し、この平板上にa-SiC:H膜
を生成する。
層の成膜速度、導電率及び赤外線吸収特性を測定するに
当たっては３×3cmの角形の平板を用意し、そして、前
述のアルミニウム製筒状基板の周面を一部切り欠いてこ
の切り欠き部に平板を設置し、この平板上にa-SiC:H膜
を生成する。
また、これら成膜速度、導電率及び赤外線吸収特性の測
定用平板にはそれぞれアルミニウム板、NESAガラス板及
び高抵抗単結晶シリコン板を用いる。
定用平板にはそれぞれアルミニウム板、NESAガラス板及
び高抵抗単結晶シリコン板を用いる。
次に本発明の実施例を詳細に説明する。
〔例１〕 本例においてはa-SiC:Hキャリア輸送層をアルミニウム
製平板上に生成してその成膜速度を測定した。
製平板上に生成してその成膜速度を測定した。
即ち、第４図に示した容量結合型グロー放電分解装置を
用いて第１タンク（６）よりSiH4ガスを、第２タンク
（７）よりC2H2ガスをこれらの合計流量が270sccmにな
るように放出し、必要に応じて第５タンク（10）よりH2
ガスを放出し、グロー放電分解法に基づいてa-SiC:H膜
を形成してこの成膜速度を測定したところ、第５図に示
す通りの結果が得られた。
用いて第１タンク（６）よりSiH4ガスを、第２タンク
（７）よりC2H2ガスをこれらの合計流量が270sccmにな
るように放出し、必要に応じて第５タンク（10）よりH2
ガスを放出し、グロー放電分解法に基づいてa-SiC:H膜
を形成してこの成膜速度を測定したところ、第５図に示
す通りの結果が得られた。
第５図は膜中のSiとＣの原子組成比（C/Si＋Ｃ）に対す
る成膜速度を表しており、○印、△印及び□印はそれぞ
れH2ガスが無添加、流量200sccm,流量500sccmの場合の
プロットであり、a,b,cはそれぞれの特性曲線である。
る成膜速度を表しており、○印、△印及び□印はそれぞ
れH2ガスが無添加、流量200sccm,流量500sccmの場合の
プロットであり、a,b,cはそれぞれの特性曲線である。
第５図から明らかな通り、H2ガスが無添加の場合、（C/
Si＋Ｃ）比が大きくなるのに伴って成膜速度が増加傾向
にある。そして、H2ガスの流量が200sccm,500sccmと大
きくなるのに伴って成膜速度が小さくなる傾向にある
が、H2ガス流量が500sccmの場合であっても６μm/時以
上の高速成膜が得られる。
Si＋Ｃ）比が大きくなるのに伴って成膜速度が増加傾向
にある。そして、H2ガスの流量が200sccm,500sccmと大
きくなるのに伴って成膜速度が小さくなる傾向にある
が、H2ガス流量が500sccmの場合であっても６μm/時以
上の高速成膜が得られる。
〔例２〕 本例においては、〔例１〕と同様の製造操作によってa-
SiC:Hキャリア輸送層をNESAガラス製平板に生成してそ
の層の導電率を測定した。この結果は第６図に示す通り
である。
SiC:Hキャリア輸送層をNESAガラス製平板に生成してそ
の層の導電率を測定した。この結果は第６図に示す通り
である。
即ち、第６図は膜中のSiとＣの原子組成比（C/Si＋Ｃ）
に対する導電率を表しており、○印、△印及び□印はそ
れぞれH2ガスが無添加、流量200sccm,流量500sccmの場
合のプロットであり、d,e,fはそれぞれの特性曲線であ
る。この図から明らかな通り、（C/Si＋Ｃ）比が0.1乃
至0.9の範囲内であればいずれも導電率が10-11Ω・cm以
下になることが判る。
に対する導電率を表しており、○印、△印及び□印はそ
れぞれH2ガスが無添加、流量200sccm,流量500sccmの場
合のプロットであり、d,e,fはそれぞれの特性曲線であ
る。この図から明らかな通り、（C/Si＋Ｃ）比が0.1乃
至0.9の範囲内であればいずれも導電率が10-11Ω・cm以
下になることが判る。
〔例３〕 ダイヤモンドバイドを用いた超精密旋盤により鏡面に仕
上げた基板用アルミニウム製ドラムを有機溶剤を用いた
超音波洗浄及び蒸気洗浄、次いで乾燥を行って清浄に
し、第４図に示した容量結合型グロー放電分解装置の反
応管（23）内に設置した。そして、第１タンク（６）よ
りSiH4ガスを、第２タンク（７）よりC2H2ガスをこれら
の合計した流量が270sccmになるように放出し、更にH2
ガスを第５タンク（10）より必要に応じて50sccm,200sc
cm,500sccmの流量で放出し、ガス圧を0.5Torrに、高周
波電力を0.4w/cm2に設定して前述したグロー放電分解法
に基づいて厚み25μｍのキャリア輸送層（2a）を形成し
た。
上げた基板用アルミニウム製ドラムを有機溶剤を用いた
超音波洗浄及び蒸気洗浄、次いで乾燥を行って清浄に
し、第４図に示した容量結合型グロー放電分解装置の反
応管（23）内に設置した。そして、第１タンク（６）よ
りSiH4ガスを、第２タンク（７）よりC2H2ガスをこれら
の合計した流量が270sccmになるように放出し、更にH2
ガスを第５タンク（10）より必要に応じて50sccm,200sc
cm,500sccmの流量で放出し、ガス圧を0.5Torrに、高周
波電力を0.4w/cm2に設定して前述したグロー放電分解法
に基づいて厚み25μｍのキャリア輸送層（2a）を形成し
た。
次いで同様の操作によりSiH4ガス、C2H2ガス、GeH4ガス
及びH2ガスをそれぞれ200sccm,20sccm,90sccm及び250sc
cmの流量で放出し、ガス圧を0.5Torrに、高周波電力を
0.4w/cm2に設定して厚み５μｍのキャリア発生層（3a）
を形成した。
及びH2ガスをそれぞれ200sccm,20sccm,90sccm及び250sc
cmの流量で放出し、ガス圧を0.5Torrに、高周波電力を
0.4w/cm2に設定して厚み５μｍのキャリア発生層（3a）
を形成した。
然る後、SiH4ガス及びC2H2ガスをそれぞれ150sccm及び1
00sccmの流量で放出し、ガス圧を0.3Torrに、高周波電
力を0.4w/cm2に設定して厚み0.5μｍの表面保護層（4
a）を形成した。
00sccmの流量で放出し、ガス圧を0.3Torrに、高周波電
力を0.4w/cm2に設定して厚み0.5μｍの表面保護層（4
a）を形成した。
かくして得られた感光体Ａ乃至Ｉについて表面電位、光
感度（投光源として発振波長780nmの半導体レーザーを
用いた場合）、残留電位及び画質を測定したことろ、第
１表に示す通りの結果が得られた。
感度（投光源として発振波長780nmの半導体レーザーを
用いた場合）、残留電位及び画質を測定したことろ、第
１表に示す通りの結果が得られた。
表中、画質評価の◎印は画質コントラストが高くて高速
複写（50枚／分以上の複写）を行っても全くゴースト現
象が生じなく、○印は高速複写を行うと若干ゴースト現
象が発生するが、実用上何ら支障がない程度であり、×
印は残留電位が高くて白地のカブリが顕著に生じて実用
に適さない場合を示す。
複写（50枚／分以上の複写）を行っても全くゴースト現
象が生じなく、○印は高速複写を行うと若干ゴースト現
象が発生するが、実用上何ら支障がない程度であり、×
印は残留電位が高くて白地のカブリが顕著に生じて実用
に適さない場合を示す。
また、本例においては感光体Ａ乃至Ｉのそれぞれに対し
て設定したa-SiC:Hキャリア輸送層の製造条件、即ち（C
/Si＋Ｃ）比及びH2ガス流量を同じにして、〔例１〕と
同様の製造操作によってa-SiC:Hキャリア輸送層だけを
シリコン単結晶製平板上に生成し、これに対して2090cm
-1の波数及び2860cm-1の波数のそれぞれの赤外線吸収係
数を測定しており、この結果は第１表に示す通りであ
る。
て設定したa-SiC:Hキャリア輸送層の製造条件、即ち（C
/Si＋Ｃ）比及びH2ガス流量を同じにして、〔例１〕と
同様の製造操作によってa-SiC:Hキャリア輸送層だけを
シリコン単結晶製平板上に生成し、これに対して2090cm
-1の波数及び2860cm-1の波数のそれぞれの赤外線吸収係
数を測定しており、この結果は第１表に示す通りであ
る。
第１表から明らかな通り、感光体Ａ乃至Ｅ、Ｇは実用に
適した優れた感光体となり、高速複写用感光体として提
供することができ、特に感光体Ａ乃至Ｃは光感度が高く
て帯電能にも優れているために高速複写を行っても全く
ゴースト現象が生じなかった。然るに感光体Ｆ、Ｈ、Ｉ
はゴースト現象が顕著になって実用に適さなかった。
適した優れた感光体となり、高速複写用感光体として提
供することができ、特に感光体Ａ乃至Ｃは光感度が高く
て帯電能にも優れているために高速複写を行っても全く
ゴースト現象が生じなかった。然るに感光体Ｆ、Ｈ、Ｉ
はゴースト現象が顕著になって実用に適さなかった。
本例によれば、感光体の優劣を決める評価手段がキャリ
ア輸送層の赤外線吸収係数が所定の波数に対して所定の
範囲内の吸収係数を有しているという点にあり、第１表
より明らかにされる通り、その吸収係数が2090cm-1の波
数に対して1000以上であると共に2860cm-1の波数に対し
て1000以下であれば本発明の感光体が得られることが判
る。
ア輸送層の赤外線吸収係数が所定の波数に対して所定の
範囲内の吸収係数を有しているという点にあり、第１表
より明らかにされる通り、その吸収係数が2090cm-1の波
数に対して1000以上であると共に2860cm-1の波数に対し
て1000以下であれば本発明の感光体が得られることが判
る。
更に、本例中キャリア輸送層（2a）を形成するに当たっ
て第４調整弁（14）を開放してB2H6ガスを10sccmで放出
してＢを含む層（2a）を形成し、これにより得られた感
光体Ａ乃至Ｉに対応する９種類の感光体についてもそれ
ぞれ同じ画質評価が得られた。
て第４調整弁（14）を開放してB2H6ガスを10sccmで放出
してＢを含む層（2a）を形成し、これにより得られた感
光体Ａ乃至Ｉに対応する９種類の感光体についてもそれ
ぞれ同じ画質評価が得られた。
また、感光体Ａの分光感度を測定したところ、第７図に
示す通りの結果が得られた。
示す通りの結果が得られた。
即ち、第７図中●印は感光体Ａの分光感度を表わすプロ
ットであり、これに対してGeを含まないキャリア発生層
から成る感光体（比較例）の分光感度のプロットは○印
で示されており、ｇ、ｈはそれぞれの特性曲線である。
この比較例の感光体は感光体Ａと比べてキャリア発生層
以外はすべて同一であり、このキャリア発生層を形成す
るに当たってはGeH4ガスを用いなくてSiH4ガス，C2H2ガ
ス及びH2ガスを用いており、それぞれの流量を200scc
m、20sccm及び250sccmに設定すると共にガス圧を0.5Tor
r、高周波電力を0.4w/cm2に設定し、これによって厚み
５μｍのキャリア発生層を形成する。
ットであり、これに対してGeを含まないキャリア発生層
から成る感光体（比較例）の分光感度のプロットは○印
で示されており、ｇ、ｈはそれぞれの特性曲線である。
この比較例の感光体は感光体Ａと比べてキャリア発生層
以外はすべて同一であり、このキャリア発生層を形成す
るに当たってはGeH4ガスを用いなくてSiH4ガス，C2H2ガ
ス及びH2ガスを用いており、それぞれの流量を200scc
m、20sccm及び250sccmに設定すると共にガス圧を0.5Tor
r、高周波電力を0.4w/cm2に設定し、これによって厚み
５μｍのキャリア発生層を形成する。
第７図から明らかな通り、感光体Ａは比較例の感光体に
比べて波長約780nmの光感度が優れていることが判る。
比べて波長約780nmの光感度が優れていることが判る。
〔例４〕 本例においては、〔例３〕の感光体Ａを製作するに当た
って、キャリア発生層のＣとSiの原子組成比を変えるこ
とにより感光体としての表面電位、光感度、残留電位及
び密着性を測定した。
って、キャリア発生層のＣとSiの原子組成比を変えるこ
とにより感光体としての表面電位、光感度、残留電位及
び密着性を測定した。
この測定結果は第２表に示す通りであり、密着性につい
ては感光体を液体窒素に浸漬し、その後常温に放置し、
再び液体窒素に浸漬するという温度サイクルを10回繰り
返すという試験を行い、これによってピンホールが全く
発生しなかったものを◎印で表わし、そして、○印は0.
5mmφ以下のピンホールがわずかに発生したが実用上支
障がない場合であり、×印は0.5mmφを越えるピンホー
ルが比較的高密度で発生した場合を示す。
ては感光体を液体窒素に浸漬し、その後常温に放置し、
再び液体窒素に浸漬するという温度サイクルを10回繰り
返すという試験を行い、これによってピンホールが全く
発生しなかったものを◎印で表わし、そして、○印は0.
5mmφ以下のピンホールがわずかに発生したが実用上支
障がない場合であり、×印は0.5mmφを越えるピンホー
ルが比較的高密度で発生した場合を示す。
第２表より明らかな通り、本発明の感光体K,L,Mは光感
度及び密着性に優れており、これに対して感光体J,Nは
密着性又は光感度に劣っており、実用に適さない。
度及び密着性に優れており、これに対して感光体J,Nは
密着性又は光感度に劣っており、実用に適さない。
以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、機能分
離型感光体用に形成されるa-SiC:Hキャリア輸送層の暗
抵抗率及びキャリア移動度を向上させることができ、こ
れにより、感光体の暗減衰率が小さくなると共に帯電能
を高めることができ、その結果、高速複写に適した電子
写真感光体が提供できる。そして、この感光体は約780n
mの波長に対して優れた光感度をもっているので半導体
レーザープリンター用として特に有用である。
離型感光体用に形成されるa-SiC:Hキャリア輸送層の暗
抵抗率及びキャリア移動度を向上させることができ、こ
れにより、感光体の暗減衰率が小さくなると共に帯電能
を高めることができ、その結果、高速複写に適した電子
写真感光体が提供できる。そして、この感光体は約780n
mの波長に対して優れた光感度をもっているので半導体
レーザープリンター用として特に有用である。
更に本発明によれば、SiH4ガス及びC2H2ガスを原料とし
たグロー放電分解法によってキャリア輸送層、キャリア
発生層及び表面保護層を同一の成膜装置を用いて連続的
且つ高速に形成することができ、これにより、製造効率
を高めて製造コストを著しく低減することができる。
たグロー放電分解法によってキャリア輸送層、キャリア
発生層及び表面保護層を同一の成膜装置を用いて連続的
且つ高速に形成することができ、これにより、製造効率
を高めて製造コストを著しく低減することができる。
また本発明の電子写真感光体によれば、キャリア注入阻
止層を形成しなくても十分に実用に成り得ており、その
ためにはa-SiC:H膜をキャリア輸送層に用いると共にこ
の層の暗抵抗率が1013Ω・cm以上あればよく、これによ
り、この暗抵抗率の値を目安にしてキャリア注入阻止層
のない感光体を確実に製作でき、その結果、製造効率及
び製造歩留りが向上する。
止層を形成しなくても十分に実用に成り得ており、その
ためにはa-SiC:H膜をキャリア輸送層に用いると共にこ
の層の暗抵抗率が1013Ω・cm以上あればよく、これによ
り、この暗抵抗率の値を目安にしてキャリア注入阻止層
のない感光体を確実に製作でき、その結果、製造効率及
び製造歩留りが向上する。
更に本発明の電子写真感光体によれば、キャリア発生層
の下地層に対する密着性が向上しており、これにより、
画像に白抜けなどが発生しなくなって長寿命且つ高信頼
性が達成できる。
の下地層に対する密着性が向上しており、これにより、
画像に白抜けなどが発生しなくなって長寿命且つ高信頼
性が達成できる。
第１図は本発明に係る機能分離型電子写真感光体の層構
造を示す断面図、第２図は本発明に係る機能分離型電子
写真感光体の層構造を示す断面図、第３図は従来の機能
分離型電子写真感光体として示す層構成の断面図、第４
図は本発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放電
分解装置の説明図、第５図は本発明に係る感光体のキャ
リア輸送層の成膜速度を表わす線図、第６図は本発明に
係る感光体のキャリア輸送層の導電率を表わす線図、第
７図は感光体の分光感度を表わす線図である。 １……基板 ２、2a……キャリア輸送層 ３、3a……キャリア発生層 ４、4a……表面保護層 ５……キャリア注入阻止層
造を示す断面図、第２図は本発明に係る機能分離型電子
写真感光体の層構造を示す断面図、第３図は従来の機能
分離型電子写真感光体として示す層構成の断面図、第４
図は本発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放電
分解装置の説明図、第５図は本発明に係る感光体のキャ
リア輸送層の成膜速度を表わす線図、第６図は本発明に
係る感光体のキャリア輸送層の導電率を表わす線図、第
７図は感光体の分光感度を表わす線図である。 １……基板 ２、2a……キャリア輸送層 ３、3a……キャリア発生層 ４、4a……表面保護層 ５……キャリア注入阻止層
フロントページの続き (72)発明者 石櫃 ▲こう▼吉 滋賀県八日市市蛇溝町長谷野1166番地の６ 京セラ株式会社滋賀八日市工場内 (56)参考文献 特開 昭58−192044（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−140355（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−144749（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−144750（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に少なくともキャリア輸送層及びキ
ャリア発生層を形成して成る積層体であって、前記キャ
リア発生層がアモルファスシリコンゲルマニウムカーバ
イド層から成ると共にシリコンとゲルマニウムの原子組
成比が1:1乃至19:1の範囲内に且つシリコンと炭素の原
子組成比が1:1乃至19:1の範囲内にあり、前記キャリア
輸送層が水素化アモルファスシリコンカーバイドから成
ると共に炭素とシリコンの原子組成比が1:9乃至9:1の範
囲内にあり且つ赤外線吸収スペクトルにおける炭素と水
素の結合状態を示す2860cm-1の吸収係数が1000以下であ
ると共にシリコンと水素の結合状態を示す2090cm-1の吸
収係数が1000以上であることを特徴とする電子写真感光
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61176409A JPH0795196B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61176409A JPH0795196B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6332558A JPS6332558A (ja) | 1988-02-12 |
| JPH0795196B2 true JPH0795196B2 (ja) | 1995-10-11 |
Family
ID=16013172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61176409A Expired - Lifetime JPH0795196B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0795196B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2733866B2 (ja) * | 1990-05-15 | 1998-03-30 | 新日本製鐵株式会社 | ガスシールドアーク溶接方法 |
| US5723089A (en) * | 1994-03-11 | 1998-03-03 | Nippon Steel Corporation | Line pipe metal arc welded with wire alloy |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58192044A (ja) * | 1982-05-06 | 1983-11-09 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体 |
| JPS60140355A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Canon Inc | 光導電部材 |
| JPS60140356A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Canon Inc | 光導電部材 |
| JPS60144749A (ja) * | 1984-01-04 | 1985-07-31 | Canon Inc | 光導電部材 |
| JPS60144750A (ja) * | 1984-01-04 | 1985-07-31 | Canon Inc | 光導電部材 |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP61176409A patent/JPH0795196B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6332558A (ja) | 1988-02-12 |
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Legal Events
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |