JPS60119567A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS60119567A JPS60119567A JP58225395A JP22539583A JPS60119567A JP S60119567 A JPS60119567 A JP S60119567A JP 58225395 A JP58225395 A JP 58225395A JP 22539583 A JP22539583 A JP 22539583A JP S60119567 A JPS60119567 A JP S60119567A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
この発明は電子写真感光体に関する。
従来技術
従来、光導電層が非晶質の炭化ケイ素系感光体すなわち
ａ−３ｉＣ系感光体は、炭素（Ｃ）の混入量により、電
気的エネルギーギャップＥ（＋を変化させることが可能
であり、高硬度で耐候性に優れ、電子写真感光体として
知られている。そして、その一種としてａ−８ｉ。
ａ−３ｉＣ系感光体は、炭素（Ｃ）の混入量により、電
気的エネルギーギャップＥ（＋を変化させることが可能
であり、高硬度で耐候性に優れ、電子写真感光体として
知られている。そして、その一種としてａ−８ｉ。
ＣＩ−Ｘ ： Ｈからなる感光体が知られているが、光
導電層の膜質の改良が不十分で実用的な光感度、帯電能
を備えていない。
導電層の膜質の改良が不十分で実用的な光感度、帯電能
を備えていない。
更に、これらの感光体としての耐久性についてはまだ改
良の余地がある。例えばアルミニウム（Ａ１）支持体か
ら感光層が剥離し易く長時間の使用に耐えないという欠
点がある。
良の余地がある。例えばアルミニウム（Ａ１）支持体か
ら感光層が剥離し易く長時間の使用に耐えないという欠
点がある。
目 的
この発明の目的は、無公害で耐久性が優れた高感度、高
画質の感光体を提供し、特にこの感光層が基体から剥離
しにくい光導電層を有する電子写真用像形成部材を提供
することである。
画質の感光体を提供し、特にこの感光層が基体から剥離
しにくい光導電層を有する電子写真用像形成部材を提供
することである。
構 成
この発明の構成は、支持体とハロゲンおよび水素のうち
一種以上を含有するアモルファスシリコンカーボンナイ
ｉ−ライド［ａ−８ｉ：Ｃ：Ｎ（１−１−Ｘ）］感光層
（ただし、Ｘはハロゲン）からなる光Ｓ電層を有するこ
とを特徴とする電子写真感光体であり、更に、上記感光
層に第■族Ａの元素例えばＢ、ＡＩ、Ｑａｌ １ｎ、Ｔ
Ｉ又は／及び第Ｖ族Ａの元素Ｐ、ＡＳ 、Ｓｂ 、Ｂｉ
をドーピングした光導電層を有するもの、空気と感光層
との中間の光の屈折率をもつ物質からなる表面層を有す
るもの、感光層と支持体層との間に中間層を有するもの
、ならびに支持体の表面が粗面であるものを実施態様と
する電子写真感光体である。
一種以上を含有するアモルファスシリコンカーボンナイ
ｉ−ライド［ａ−８ｉ：Ｃ：Ｎ（１−１−Ｘ）］感光層
（ただし、Ｘはハロゲン）からなる光Ｓ電層を有するこ
とを特徴とする電子写真感光体であり、更に、上記感光
層に第■族Ａの元素例えばＢ、ＡＩ、Ｑａｌ １ｎ、Ｔ
Ｉ又は／及び第Ｖ族Ａの元素Ｐ、ＡＳ 、Ｓｂ 、Ｂｉ
をドーピングした光導電層を有するもの、空気と感光層
との中間の光の屈折率をもつ物質からなる表面層を有す
るもの、感光層と支持体層との間に中間層を有するもの
、ならびに支持体の表面が粗面であるものを実施態様と
する電子写真感光体である。
上記感光層に例えばボロン（Ｂ）をドーピングしたもの
の具体例としては ａ−［（Ｓｉ Ｉ−ＸＣＸ ）Ｉ−ＹＮＹ］ ＋ −ｚ
Ｂｚ ：（Ｈ，Ｘ） （０＜ｘ ＜ ０．６、０＜ｙ
＜ ０．５．１０’ ＜ｚ ＜ ０．０５ ）として
表わされるものがあり、そのうち特にＶ＝０．１のもの
はａ−３ｉ：Ｈに近い優れた感光体である。
の具体例としては ａ−［（Ｓｉ Ｉ−ＸＣＸ ）Ｉ−ＹＮＹ］ ＋ −ｚ
Ｂｚ ：（Ｈ，Ｘ） （０＜ｘ ＜ ０．６、０＜ｙ
＜ ０．５．１０’ ＜ｚ ＜ ０．０５ ）として
表わされるものがあり、そのうち特にＶ＝０．１のもの
はａ−３ｉ：Ｈに近い優れた感光体である。
この感光体の一例の構造を第１図によって説明すると、
光導電層−１がＡＩ支持休体の表面に形成されており、
この光導電層１の構造は、最上部にａ−８ｉ ３Ｎ４か
らなる表面層２、その下に上記ａ−８ｉＣ：Ｎ：Ｂ：Ｈ
からなる感光層３、その下にａ−８ｉ ３Ｎ４で形成さ
れた中間層４から構成されている。各層の厚さは、表面
層２が３０００人、感光層３が３０μｍ中間層４が５０
００人である。
光導電層−１がＡＩ支持休体の表面に形成されており、
この光導電層１の構造は、最上部にａ−８ｉ ３Ｎ４か
らなる表面層２、その下に上記ａ−８ｉＣ：Ｎ：Ｂ：Ｈ
からなる感光層３、その下にａ−８ｉ ３Ｎ４で形成さ
れた中間層４から構成されている。各層の厚さは、表面
層２が３０００人、感光層３が３０μｍ中間層４が５０
００人である。
感光層３の上に屈折率が空気と感光層の屈折率の中間に
ある物質を積層して表面ＷＩＪ２とすることにより、入
射光の表面反射を抑制することができる。
ある物質を積層して表面ＷＩＪ２とすることにより、入
射光の表面反射を抑制することができる。
このような物質としては酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ２
）、酸化チタニウム （Ｔｉ０２）、酸化ケイ素（Ｓｔ０２）、酸化錫（Ｓｎ
０２）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、１１２化タ
リウム（Ｖ−ａ２０ｓ）及びこれらの物質の混合物があ
げられる。上記物質の屈折率はｎ＝１．４４〜２．３０
である。
）、酸化チタニウム （Ｔｉ０２）、酸化ケイ素（Ｓｔ０２）、酸化錫（Ｓｎ
０２）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、１１２化タ
リウム（Ｖ−ａ２０ｓ）及びこれらの物質の混合物があ
げられる。上記物質の屈折率はｎ＝１．４４〜２．３０
である。
これらの物質を積層するには、感光層３の堆積後、ひき
つづいて同一真空室内に設ジノられたＥＢ蒸着機により
２００〜ｉ ｏｏｏｏ人の範囲で所定の膜厚になるよう
に成膜する。
つづいて同一真空室内に設ジノられたＥＢ蒸着機により
２００〜ｉ ｏｏｏｏ人の範囲で所定の膜厚になるよう
に成膜する。
感光層３はＳｉを母体とし、Ｃ，Ｎ、１〜１、Ｂを同時
に含むもので暗抵抗ｌＸ１０”Ωｃｍ。
に含むもので暗抵抗ｌＸ１０”Ωｃｍ。
明抵抗ＩＸ １０９Ωａｍである。この層の動作原理は
プラスのコロナチャージを表面層２の表面にチャージし
てのせ、表面電位が約７００〜８００ｖになったところ
で画像露光する。いわゆるカールソンプロセスで潜像を
形成し、トナーで現像し、赤外線ヒーターで定着するの
に適している。
プラスのコロナチャージを表面層２の表面にチャージし
てのせ、表面電位が約７００〜８００ｖになったところ
で画像露光する。いわゆるカールソンプロセスで潜像を
形成し、トナーで現像し、赤外線ヒーターで定着するの
に適している。
中間層４は支持体と感光層の界面に形成される。この機
能は帯電中に支持体５を通してマイナスキャリアが注入
され暗減衰が大きくなることを防止する。プラスキャリ
アの通過を容易にするが、マイナスキャリアには阻止効
果をもつ。
能は帯電中に支持体５を通してマイナスキャリアが注入
され暗減衰が大きくなることを防止する。プラスキャリ
アの通過を容易にするが、マイナスキャリアには阻止効
果をもつ。
ココテ使用するａ−８ｉ ： Ｃ： Ｎ （Ｂ）感光性
物質は通常水素（１−１）を１０〜２０％含有するが、
１」のかわりにハロゲン（Ｘ＞を適ｍｓ入しても感光層
が形成できる。この感光層は第■族Ａ、第Ｖ族Ａの元素
を５０〜５ｘ １００００ｐｐ■導入することによりｐ
型または１１型に電気的性質を変え、感光体の性質を制
御することが可能である。
物質は通常水素（１−１）を１０〜２０％含有するが、
１」のかわりにハロゲン（Ｘ＞を適ｍｓ入しても感光層
が形成できる。この感光層は第■族Ａ、第Ｖ族Ａの元素
を５０〜５ｘ １００００ｐｐ■導入することによりｐ
型または１１型に電気的性質を変え、感光体の性質を制
御することが可能である。
第２図は、この感光層が二重構造になっている感光層を
示す。ｐ型半導体層３′と感光層３との接合面に電気的
ブロッキング層を形成し、マイナスキャリアの注入防止
効果がある。
示す。ｐ型半導体層３′と感光層３との接合面に電気的
ブロッキング層を形成し、マイナスキャリアの注入防止
効果がある。
このような感光体を製造するには第３図に示す装置を用
いる。この装置はＲＦ電源１０に接続された真空容器６
の中に支持体９をセラ１〜し／ｊ電極７があり、その中
にはヒーター８が備えられている。この真空容器６にガ
スバルブ１２、マスフローコントローラー（ＭＦＣ）１
４へ・１７および各ガスバルブ１９〜２３を介して原料
用のガスボンベ２４〜２８が接続されている。
いる。この装置はＲＦ電源１０に接続された真空容器６
の中に支持体９をセラ１〜し／ｊ電極７があり、その中
にはヒーター８が備えられている。この真空容器６にガ
スバルブ１２、マスフローコントローラー（ＭＦＣ）１
４へ・１７および各ガスバルブ１９〜２３を介して原料
用のガスボンベ２４〜２８が接続されている。
これらのガスボンベ２４にはシラン（
ＳｉＨ２）２５にはＮ２．２６にはメタン（ＣＨ４）、
２７にはｌ−１２，２８にはドーピングガスが充填され
ており、支持体９の表面に１［積させる物質の組成に適
したガス組成になるようにガスバルブ１９〜２３および
ＭＦＣ１４〜１８を調節し、所定の組成のガスを真空容
器Ｇ中に送給する。真空容器６は主バルブ１３を経て排
気されており、原料ガスが分解したガスを排出するよう
になっている。
２７にはｌ−１２，２８にはドーピングガスが充填され
ており、支持体９の表面に１［積させる物質の組成に適
したガス組成になるようにガスバルブ１９〜２３および
ＭＦＣ１４〜１８を調節し、所定の組成のガスを真空容
器Ｇ中に送給する。真空容器６は主バルブ１３を経て排
気されており、原料ガスが分解したガスを排出するよう
になっている。
この発明の感光体を製造する場合、特に支持体表面を粗
面化すると耐久性のある感光体ができる。その支持体の
面粗さは０．０５〜１．０μｍとする。
面化すると耐久性のある感光体ができる。その支持体の
面粗さは０．０５〜１．０μｍとする。
更に粗面化の適切な範囲は０．１〜０．３μの面粗さで
ある。このような処理をした支持体にａ−８ｉ ：Ｃ：
Ｎ （Ｂ）（Ｈ，Ｆ、ＣＩ ）を積層し、感光層とする
。
ある。このような処理をした支持体にａ−８ｉ ：Ｃ：
Ｎ （Ｂ）（Ｈ，Ｆ、ＣＩ ）を積層し、感光層とする
。
この発明の感光体の製造法を実施例によって、具体的に
説明すると、 実施例 ＡＩ ドラム表面を２００メツシユの Ａｌ２Ｏ３粒子と水を含んだ面で摩擦し、その表面を粗
面にした。次に水洗し、研磨剤を除去して乾燥する。
説明すると、 実施例 ＡＩ ドラム表面を２００メツシユの Ａｌ２Ｏ３粒子と水を含んだ面で摩擦し、その表面を粗
面にした。次に水洗し、研磨剤を除去して乾燥する。
このＡ１ドラムをプラズマＣＶＤ装置に取付け、二層の
ａ−８ｉ ：Ｃ：Ｎ：Ｂ（Ｈ）を積層した。
ａ−８ｉ ：Ｃ：Ｎ：Ｂ（Ｈ）を積層した。
その製造条件は下記のとおりであった。
Ａ１表面粗さ０．３μＩＩＩと０．０１μｍガス流ｍ
５００ｓｃｃｍ （１０％８１ト１４．８２ベース） ガス組成比 ＣＩ−Ｉ＜ ／ （ＣＨｑ ＋ Ｓｉ Ｈ４） ＝０．
２ＯＮＨ３／ （ＮＨ３＋Ｓｉ Ｈ＜ ） ＝０．１０
支持体温度 ２５０℃ ＲＦ ハ！７− ５７０Ｗ （１３，５６Ｍ Ｈｚ ）
積層時間 １０時間 帯電電位向上のため表面にａ−３ｉ ３Ｎ４を約３００
０人積層した。膜厚は、各々３１μｍであった。
５００ｓｃｃｍ （１０％８１ト１４．８２ベース） ガス組成比 ＣＩ−Ｉ＜ ／ （ＣＨｑ ＋ Ｓｉ Ｈ４） ＝０．
２ＯＮＨ３／ （ＮＨ３＋Ｓｉ Ｈ＜ ） ＝０．１０
支持体温度 ２５０℃ ＲＦ ハ！７− ５７０Ｗ （１３，５６Ｍ Ｈｚ ）
積層時間 １０時間 帯電電位向上のため表面にａ−３ｉ ３Ｎ４を約３００
０人積層した。膜厚は、各々３１μｍであった。
この感光体を複写機に取付け、繰り返しコピーをどり耐
久性を試験した。約５００サイクルで而粗さ０．０１μ
ｍの感光体には支持体と感光層間の剥離現象が発生した
が而粗さ０．３μｍのものには、剥離現象の発生はなか
った。
久性を試験した。約５００サイクルで而粗さ０．０１μ
ｍの感光体には支持体と感光層間の剥離現象が発生した
が而粗さ０．３μｍのものには、剥離現象の発生はなか
った。
最終的に５０，０００回までは全く剥離現象がみられず
、支持体表面粗面化の効果は顕箸であった。
、支持体表面粗面化の効果は顕箸であった。
効 果
以上説明したようにこの発明の感光体の効果を要約する
と、 １、高硬度で耐久性が優れている。
と、 １、高硬度で耐久性が優れている。
２、結晶化温度が高く、高温度での複写ができる。
３、表面層の材料を選択することにより、表面反射が低
下し、実効的に使用できる光量が増加する。
下し、実効的に使用できる光量が増加する。
４、膜抵抗が非常に高く、画像が鮮明である。
５、表面絶縁層により、耐湿性が優れている。
６、窒素原子を１つの構成元素とすることによって、膜
質に柔軟性をもたせることができ、使用時に膜に割れ目
が入ることが防止できる。
質に柔軟性をもたせることができ、使用時に膜に割れ目
が入ることが防止できる。
７、支持体と感光膜との層間剥離が防止できる効果があ
る。
る。
ｉＩ図は、この発明の感光体の一具体例を示す構造図、
第２図は同じくこの発明の感光体の他の具体側を示す構
造図、 第３図は、この発明の感光体を製造する装置の構造を示
づ概略図である。 １及び１゛・・・光導電層、２・・・表面層、３００．
感光層、３−・・・ｐ型半導体層、４・・・中間層、５
・・・支持体、６・・・真空容器、７・・・電極（基板
セット）、８・・・ヒーター、９・・・基板、１０・・
・ＲＦ電源、１１・・・排気口、１２・・・ガスバルブ
、１３・・・主パルプ、１４乃至１８・・・ＭＦＣ（マ
スフローコン１〜ローラー）、 １９乃至２３・・・ガスバルブ、 ２４ノ５至２８・・・ガスボンベ、 特許出願人 株式会社リ コ − 代理人 弁理士 小 松 秀 岳 代理人 弁理士 旭 宏 才１図
造図、 第３図は、この発明の感光体を製造する装置の構造を示
づ概略図である。 １及び１゛・・・光導電層、２・・・表面層、３００．
感光層、３−・・・ｐ型半導体層、４・・・中間層、５
・・・支持体、６・・・真空容器、７・・・電極（基板
セット）、８・・・ヒーター、９・・・基板、１０・・
・ＲＦ電源、１１・・・排気口、１２・・・ガスバルブ
、１３・・・主パルプ、１４乃至１８・・・ＭＦＣ（マ
スフローコン１〜ローラー）、 １９乃至２３・・・ガスバルブ、 ２４ノ５至２８・・・ガスボンベ、 特許出願人 株式会社リ コ − 代理人 弁理士 小 松 秀 岳 代理人 弁理士 旭 宏 才１図
Claims (4)
- （１） 支持体とハロゲンおよび水素のうち一種以上を
含有するアモルファスシリコンカーボンナイトライド［
ａ−８ｉ ： Ｃ： Ｎ （ｌｉ ・Ｘ） ］感光層（
ただしＸはハロゲン）とからなる光導電層を有すること
を特徴とする電子写真感光体。 - （２） アモルファスシリコンカーボンナイトライドか
らなる感光層に周期表第■族Ａ又は／及び第Ｖ族Ａの元
素をドーピングしてなる光導電層を有する特許請求の範
囲第（１）項記載の電子写真感光体。 - （３）感光層の表面に空気と感光層の中間の光学的屈折
率を有する物質からなる表面層を有する、上記特許請求
の範囲（１）および（２）の何れかに記載の電子写真感
光体。 - （４） 感光層と支持体との間に中間層を有する特許請
求の範囲（１）乃至１３］の何れかに記載の電子写真感
光体。 ［５１支持体の表面が粗面である特許請求の範囲（１）
乃至４）の何れかに記載の電子写真感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58225395A JPS60119567A (ja) | 1983-12-01 | 1983-12-01 | 電子写真感光体 |
| DE19843443823 DE3443823A1 (de) | 1983-12-01 | 1984-11-30 | Elektrophotographischer photoleiter |
| US06/821,832 US4687723A (en) | 1983-12-01 | 1985-12-17 | Electrophotographic photoconductor having a photosensitive layer of amorphous silicon carbonitride |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58225395A JPS60119567A (ja) | 1983-12-01 | 1983-12-01 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60119567A true JPS60119567A (ja) | 1985-06-27 |
Family
ID=16828684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58225395A Pending JPS60119567A (ja) | 1983-12-01 | 1983-12-01 | 電子写真感光体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4687723A (ja) |
| JP (1) | JPS60119567A (ja) |
| DE (1) | DE3443823A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4845001A (en) * | 1986-04-30 | 1989-07-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member for use in electrophotography with a surface layer comprising non-single-crystal material containing tetrahedrally bonded boron nitride |
| JPH0677158B2 (ja) * | 1986-09-03 | 1994-09-28 | 株式会社日立製作所 | 電子写真感光体 |
| JPH0782240B2 (ja) * | 1986-09-04 | 1995-09-06 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体 |
| JPS644754A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Minolta Camera Kk | Photosensitive body |
| JP2595574B2 (ja) * | 1987-11-06 | 1997-04-02 | ミノルタ株式会社 | 感光体 |
| EP0324039B1 (en) * | 1988-01-13 | 1995-06-14 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor |
| DE69027158T2 (de) * | 1989-08-11 | 1996-10-24 | Sharp Kk | Lichtadressierte Flüssigkristallanzeigevorrichtung |
| US5330873A (en) * | 1989-11-09 | 1994-07-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Production method of photosensitive member by eliminating outermost surface portion of photosensitive layer |
| US5162183A (en) * | 1990-07-31 | 1992-11-10 | Xerox Corporation | Overcoat for imaging members |
| JP2674302B2 (ja) * | 1990-11-01 | 1997-11-12 | 富士電機株式会社 | 電子写真用感光体 |
| US7344810B2 (en) | 1995-08-09 | 2008-03-18 | Minolta Co., Ltd. | Photosensitive member |
| US5693443A (en) * | 1995-11-24 | 1997-12-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, and process cartridge and electrophotographic apparatus having the same |
| DE69606687T2 (de) * | 1995-11-24 | 2000-07-06 | Canon Kk | Elektrophotographisches, lichtempfindliches Element und es umfassende Prozesskassette und elektrophotographischer Apparat |
| JP5121785B2 (ja) * | 2008-07-25 | 2013-01-16 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体および電子写真装置 |
| US8064808B2 (en) | 2008-08-25 | 2011-11-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Developing roller, and electrophotographic process cartridge and electrophotographic image forming apparatus comprising the developing roller |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU530905B2 (en) * | 1977-12-22 | 1983-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member |
| JPS57177156A (en) * | 1981-04-24 | 1982-10-30 | Canon Inc | Photoconductive material |
| DE3280026D1 (en) * | 1981-05-29 | 1989-12-21 | Kanegafuchi Chemical Ind | Process for preparing amorphous silicon semiconductor |
| US4536460A (en) * | 1981-11-09 | 1985-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member |
| US4536459A (en) * | 1982-03-12 | 1985-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member having multiple amorphous layers |
| US4510224A (en) * | 1982-05-06 | 1985-04-09 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptors having amorphous silicon photoconductors |
| JPS59108370A (ja) * | 1982-12-14 | 1984-06-22 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光起電力装置 |
-
1983
- 1983-12-01 JP JP58225395A patent/JPS60119567A/ja active Pending
-
1984
- 1984-11-30 DE DE19843443823 patent/DE3443823A1/de active Granted
-
1985
- 1985-12-17 US US06/821,832 patent/US4687723A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3443823A1 (de) | 1985-06-13 |
| DE3443823C2 (ja) | 1987-10-29 |
| US4687723A (en) | 1987-08-18 |
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