JPS60118848A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 この発明は、電子写真感光体に関する。

従来技術 従来、アモルファスシリコンカーボン系感光体としてａ
−８ｉＣ；ｌ−１からなる感光体が知られているが、そ
れを感光層とした場合必要な光感度、帯電能が得られな
いという欠点があった。

目　的 この発明は、上記欠点のない感光体をＩＭ供することを
目的としたものである。

ｌ−一【 この発明の構成は、支持体の表面に順に中間層、感光層
、表面層を右する感光体であって、感光層がアモルファ
スシリコンカーボン酸素［ａ　−（Ｓｉ　Ｉ−ＸＣＸ　
）Ｉ−ＹＯＹ　：　（Ｈ。

ＣＩ、Ｆ）］（但し、０．０１＜ｘ　＜０．６０．０．
０００１＜ｙ　＜０．０５）であり、中間層および表面
層は、それぞれ下記の化学式で示される物質、すなわち
、 Ｃｅ　Ｆ　２　、Ｚｒ　Ｎ１Ｔａ　２　Ｎ、　Ｔｉ　０
１Ｔｉ　０２　、ａ　−ＢＮ　（アモルファスボロンナ
イトライド＞、ａ−ＢＣＮ（アモルファスボロンカーボ
ンナイトライド）、ＴａＮ。

Ｔａ　Ｃ，△ｌ　Ｎｓ　３ｉ　０１丁＋　Ｎ、　Ｔ＋　
ｃ、ＺｒＯ２、Ｍ（］Ｆｚ、Ｔａ２０５、ＳｉＯ２、Ｃ
ｅＯ２、Ｓｉ　３Ｎ＜、ＡｌＦ３−３ＮａＦの中から選
んだ何れかであることを特徴とする電子写真感光体であ
る。

この発明の感光体を図面を参照して具体的に説明すると
、第１図は支持体５の上に中間層４、第１感光層３、表
面層２を有する感光体１を示した拡大断面図である。

表面層２を設けることによって、感光体の耐湿性を向上
することができる。その具体的材料は中間層とともに構
成について説明したとおりである。

第１感光層３は、ａ　−８ｉ　Ｃ：　（Ｈ，Ｘ）（×は
ハロゲン原子）に酸素原子を０．５％ドープしたａ−３
ｉ　：Ｃ：Ｏ：　（Ｈ，Ｘ）であって、これはａ−８ｉ
：ｌ−１と同程度の優れた感光体になる。

この発明で使用されるａ３ｉ：Ｃ：Ｏ感光物質は通常水
素原子を１０〜２０％含有するが、その暗比抵抗は１ｘ
ｉｏ１２Ωａｍ、明比抵抗は１×１０８Ωｃｎ＋である
。水素原子と同様の機能を有する末端基であるハロゲン
をある適当な比率で導入してもよい。

中間層４は、上記感光層３と支持体５の間に中間層４が
あり、この中間層４の機能は、帯電中に支持体５を通し
てマイナスキトリアが注入され、暗減衰が大きくなるこ
とを防止する。その作用はプラスキャリアは通過を容易
にするが、マイナスキャリアには防止効果がある。

各層の厚みは、表面層２が１０００人〜１μ、感光層３
が２０〜５０μｍ１中間層４が１００〜５０００人であ
る。

この感光体の動作原理はプラスのコロナチャージを表１
ｍ層２にチャージし、表面電位が約７００〜８００ｖに
なったところで画像露光するいわゆるカールソンプロセ
スで潜像を形成し、トナーで現像し、赤外線ヒーターで
定着する。

第２図は第１感光層３の外に第２感光層３−を有する感
光体であって、第２感光層３′ニ１ＩＶＪ表第■族Ａ、
又ハ第Ｖ　１ｆｌＡＡ　（７）　元素を５０〜１１００
０ｐｐ　導入することにより、Ｐ型又は口型に電気的性
質を変え、感光体の性質を制御することが可能である。

例えば、第２感光岡３−にホウ素を多量にドープしたも
のはＰ型半導体になっているために第１感光層３ど第２
感光層３′の接合面に電気的ブロッキング層を形成し、
マイナスキャリアの注入防止効果がある。

第３図は、この発明の感光体を製造するのに用いる装置
の一例であって、真空容器６の中に基板（支持体）９を
備えた電極７を備え、その内部にはヒーター８がある。

また、ヒーター２７を有する蒸発源２６があり、基板上
に析出させる物質によってはスパッタリング法によって
膜を形成することができる。

真空容器６はＲＦ電源１０に接続されてあり、また主バ
ルブ１３を介して真空排気装置１１によって排気されて
いる。また、この真空容器６にはガスバルブ１８乃至２
１、ＭＦＣ（マスフローコントローラー）１４乃至１７
、ガスバルブ１２を経て原料用ガスボンベ２２乃至２５
から原料用ガスが所定の組成になるように供給される。

原料用ガスとしては例えばボンベ２２にはＳ！Ｈ４１０
０％、ボンベ２３には０２　１％含有する）」２、ボン
ベ２４には０Ｈ４１００％、ボンベ２５にはＨ２１００
％の各原料ガスを充填しである。

表面層２および中間層４を形成する物質は蒸発源２１か
ら蒸着してもよいが、原料（固体）をスパッターづ′る
こともでき、また、プラズマＣＶＤでも膜を形成するこ
とができる。

効　果 以上説明したように、この発明の感光体は、１．ａ−８
ｉＣ系の感光体であるため、硬度が大で耐候性が優れて
いる。

２、結晶化温度が高いのでセレン又はセレン化合物では
不向きな温度の高い複写プロセスにも使用できる。

３、膜抵抗が＾いので画像が鮮明である。

４、表面に絶縁層があるので耐湿性も大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の感光体の構造の一員体例を示す断
面図、 第２図は、この発明の感光体の１？４造の他の具体例を
示す断面図、 第３図は、この発明の感光体を製造するのに使用する装
置の具体例を示す略図をそれぞれ示す。 １および１′・・・感光体、２・・・表面層、３・・・
第１感光層、３−・・・第２感光層、４・・・中間層、
５・・・支持体、６・・・真空容器、７・・・電極、８
・・・ヒーター、９・・・基板、１０・・・ＲＦ電源、
１１・・・真空排気装置、１２・・・ガスバルブ、１３
・・・主バルブ、１４乃至１７・・・ＭＦＣ（マスフロ
ーコントローラー）、１８乃至２１・・・ガスバルブ、
２２乃至２５・・・原料用ガスボンベ、２Ｇ・・・蒸発
源、２１・・・ヒーター、特許出願人　株式会社リ　コ
　− 代理人　弁理士　小　松　禿　岳 代理人　弁理士　旭　宏

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 支持体の表面に順に中間層、感光層、表面層を有する感
   光体であって、感光層がアモルファスシリコンカーボン
   酸素［ａ−（Ｓｔ＋−ｘＣＸ　）＋−ｙｏｖ　：　（Ｈ
   ，ＣＩ　、Ｆ）］　（但し、０．０１＜Ｘ　＜０．６０
   ．０．０００１＜　ｙ　＜　０．０５）であり、中間層
   および表面層は、それぞれ下記の化学式で示される物質
   、すなわら、 Ｃｅ　Ｆ２　、Ｚｒ　Ｎ、−ｒａ　２　Ｎ、Ｔｉ　Ｏ。 Ｔｉ　０２　、ａ　−ＢＮ　（アモルファスボロンナイ
   トライド）、ａ−ＢＣＮ（アモルファスボロンカーボン
   ナイトライド）、ＴａＮ。 Ｔａ　Ｃ，Ａｔ　Ｎ、Ｓｔ　０１Ｔｉ　Ｎ、Ｔｉ　Ｃ。 ＺｒＯ２、ＭｇＦ２、Ｔａ２０５、ＳｉＯ２、ＣｅＯ２
   、Ｓｉ　３Ｎ４、ＡＩ　Ｆ３−３Ｎａ　Ｆの中から選ん
   だ何れかであることを特徴とする電子写真感光体。