JPS62278566A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 （発明の属する技術分野） 本発明は、シリコン原子を母体とするアモルファスシリ
１ンで構成された光導電層を有する光受容部材、特に優
れた特性を有する表面保護層を前記光導電層上に設けた
電子写真用感光体に適した光受容部材に関する。

（従来技術の説明） 従来、電子写真用感光体等に用いられる光受容部材とし
ては、その光感度領域の整合性が他の種類の光受容部材
と比べて優れているのに加えて、ビッカース硬度が高く
、公害の問題が少ない等の壱から、例えば特開昭５４−
８６３４１号公報や特開昭５６−８３７４６号公報にみ
られるようなシリコン原子を母体とし水素原子又はハロ
ゲン原子のうちの少なくともいずれか一方を含有するア
モルファス材料（以後、’ａ−５ｉ　（Ｈ、Ｘ）　Ｊと
表記する）光受容部材が注目されている。

ところでこうした光受容部材は、支持体上に、ａ−５ｉ
（Ｈ，Ｘ）で構成される光導電層を有するものであると
ころ、該光導電層がｆ電処理を受けた際に自由表面側か
ら光導電層中に電荷が注入されるのを阻止するとともに
、該光導電層の耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的
耐圧性、使用環境特性、および耐久性等を向上せしめ、
長期間安定した画像品質を得るために、該光導電層上に
表面保護層を設けることが知られている。

そして、前記表面保護層については、前述の各種機能を
効率的に発揮することが要求されるところ、種々の高抵
抗でかつ充分な光透過性を有するアモルファス窒化ホウ
素（以後、’ａ−８Ｊと表記する。）、アモルファスリ
ン化ホウ素（以後、’ａ−ＢＰ」と表記する。）および
ダイヤモンド状炭素（以後１．’１−Ｃ）と表記する。

）等で構成された薄膜を用いることが知られている。（
特開昭５９−１２４４８号公報、特開昭６０−６１７６
０号公報参照）しかし、前記、ａ−ＢＰ又はｉ−Ｃで構
成された薄膜を表面保護層として用いる場合、帯電処理
におけるコロナ放電で生じるオゾンやイオンによる光受
容部材表面の変質や、他の部材、例えばクリーニングブ
レード等との接触をはじめとする種々の機械的損傷によ
る劣化を防止するのに有効であるが、該ａ−ＢＮ、　ａ
−ＢＰ又はｉ−Ｃからなる薄膜を用いた光受容部材は、
帯電能および暗減衰等の電子写真特性が不充分であって
、こうした光受容部材を用いて画像形成を行なう場合に
は画像上にゴーストが生じる等の画像品質の劣化となっ
て現われるという問題がある。

（発明の目的） 本発明は、電子写真用感光体等に用いられる光受容部材
における表面保護層に関わる上述の問題を解決して、長
期間にわたって所望の機能を奏するものとした改善され
た表面保護層を有する光受容部材を１供することを主た
る目的とするものである。

本発明の他の目的は、常時安定した帯電能を有し、長期
間にわたって優れた品質の画像が得られる電子写真用感
光体等に用いられる光受容部材を撞供することにある。

（発明の構成） 本発明者らは、電子写真用感光体等に用いられる光受容
部材における表面保護層に関わる前述の諸問題を解決し
、上述の本発明の目的を達成すべく鋭意研究を重ねたと
ころ、表面保護層として水素原子又はハロゲン原子の少
なくとも一種を含有する非車結晶貿炭化ホウ素薄膜を用
いることにより、前述の諸問題を解決しつるという知見
を得た。

本発明の光受容部材は、水素原子又はハロゲン原子の少
なくとも一種を含有する非単結晶質炭化ホウ素（以後、
ｒ　Ｎｏｎ−ＢＣ（ｌ（、Ｘ）　」と表記する。）即ち
、アモルファス炭化ホウ素（以後、ｒａ−ａｃ（Ｉｌ、
Ｘ）」と表記する。）又は多結晶質炭化ホウ素（以後、
ｒ　Ｐｏ１ｙ−Ｂ（：　（Ｈ，Ｘ）　Ｊと表記する。）
あるいはこれらの混合物で構成される表面保護層を設け
ることにより、機成的破損を防止し、コロナ放電で生じ
るオゾンやイオンによる光受容部材表面の変質を防止す
る機能を奏するとともに、該Ｎｏｎ−Ｂ（：　（ｌ（、
Ｘ）で構成された表面保護層は、ｉｔ能や暗減衰等の電
子写真特性に優れているため、該表面保護層を設けた光
受容部材を用いて画像形成を行なう場合には、ゴースト
や画像流れ等の生じない優れた画像を形成することかで
きるものである。

そして、本発明の光受容部材の表面保護層を構成するＮ
ｏｎ−ＢＣ（Ｈ，Ｘ）薄膜中に含有せしめた水素原子又
はハロゲン原子の少なくとも一方によって、Ｎｏｎ−Ｂ
Ｃ（Ｈ，Ｘｌ薄膜の未結合手が補償され、欠陥が非常に
少ない表面保護層となる。更に、Ｎｏｎ−ＢＣ（Ｈ、Ｘ
）薄膜中に水素原子又はハロゲン原子の少なくとも一方
を含有せしめることにより、該薄膜を構成する夫々の原
子の実効的な配位数が減少し、該薄膜中の欠陥が減少す
るとともに、該層の下に設けられた他の層との密着性も
改善されるところとなる。

こうしたことから、Ｎｏｎ−ＱＣ（Ｈ，Ｘ）で構成され
た表面保護層を有する電子写真感光体用光受容部材は、
高感度で、残留電位や画像流れのないすぐれた電子写真
特性を有するとともに、壜械的強度および密着性のすぐ
れたものを得ることができる。

本発明は、該知見に基づいて完成せしめたものであって
、その骨子とするところは、支持体と、該支持体上に、
シリコン原子を母体とし、水素原子又は、ハロゲン原子
のうちの少なくともいずれか一方を含有するアモルファ
ス材料で構成された光導電層と、表面保護層とを少なく
とも有する光受容層とからなる光受容部材において、前
記表面保護層が、水素原子又は、ハロゲン原子の少なく
とも一方を含有する非単結晶質炭化ホウ素で構成されて
いる光受容部材にある。　本発明により提供される光受
容部材は、その表面保護層に特徴を有するものであると
ころ、支持体はもとより、光導電層を始めとする他の構
成層は用途目的に応じて任意に選択することができる。

　　したがって以下に本発明の光受容部材についてその
層構成の典型例を、電子写真用のものにする場合につい
て説明するが本発明の光受容部材はこれにより限定され
るものではない。

第１（＾）乃至（Ｉ）図は、電子写真用のものにした本
発明の光受容部材の層構成の典型的な例を模式的に示す
図である。

第１（Ａ）図に示す例は、支持体１０１上に、光導電層
１０２及び表面保護層１０３をこの順に設けたものであ
り、表面保護Ｉ！１１０３は自由表面１０７を有してい
る。

第１（Ｂ）図に示す例は、支持体上１０１に、電荷注入
阻止層１０４、光導電層１０２　Ｆｊｔび表面保護層＋
０３をこの順に設けたものである。

第１（Ｃ）図に示す例は、支持体上１０１に、長波長光
吸収層１０５、光導電層１０２及び表面保護層１０３を
この順に設けたものである。

第１（Ｏ）図に示す例は、支持体上１０１に、密着層１
０６、光導電層１０２　′ＢＬび表面保護層１０３をこ
の順に設けたものである。

第１（Ｅ）図に示す例は、電荷注入阻止層＋０４、必着
層１０６、光導電層１０２及び表面保護層１０３をこの
順に設けたものであり、第１（Ｆ）に示す例は、長波長
光吸収層１０５、密着層１０６、光導電層１０２及び表
面保護層１０３をこの順に設けたものである。

第１（Ｇ）図に示す例は、支持体上１０１に、長波長光
吸収ＦＪ　１０５．電荷注入阻止層１０４、光導電層１
０２及び表面像ｇｆｆｌＦＮｏ：＋をこの順に設けたも
のであり、該例においては長波長光吸収層１０５、及び
電荷注入阻止層１０４の順序を入れかえることもできる
。

第１（Ｈ）図に示す例は、支持体上１０１に、長波長光
吸収層１０５、電荷注入阻止層１０４、光導電層１０２
及び表面保護層１０３をこの順に設けたものである。

第１（Ｉ）図に示す例は、支持体上＋０１に、電荷注入
阻止層１０４、光導電層１０２、中間層１０８及び表面
保護層１０３をこの順に設けたものである。

本発明の光受容部材に用いる支持体１（１１は、導電性
のものであっても、また電気絶縁性のものであってもよ
い。導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステン
レス、八Ｑ、　Ｇｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔ
ｉ。

ｐｔ、ｐｂ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等の
電気絶縁支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層を設
けるのが望ましい。

例えばガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、逓、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、＾Ｕ、Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、Ｔｉ、
Ｐｔ、　Ｐｄ、ＩｎＯ２、ＩＴＯ（Ｉｎ２ｏ、十Ｓｎ）
等から成る薄膜を設けることによって導電性を付与し、
或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであ
れば、ＮｌＣｒ、ん、Ａｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、　Ｎｉ、　Ａ
ｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、　Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、ＴＱ、Ｐｔ
等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面を
ラミネート処理して、その表面に導電性を付与する。支
持体の形状は平滑表面或いは凹凸表面の板状無端ベルト
状又は円筒状等であることができ、その厚さは、所望通
りの光受容部材を形成しつる用に適宜決定するが、光受
容部材としての可撓性が要求される場合には、支持体と
しての機能が充分発揮される範囲内で可能な限り薄くす
ることができる。しかしながら、支持体の製造上及び取
り扱い上、機械的強度等の点から、通常は、１０μ以上
とされる。

第１（８）図に示す本発明の光受容部材において、支持
体１０１　と光導電層１０２の間に設けられる電荷注入
阻止層１０４は、光導電層！０２が帯電処理を受けた際
に支持体側から光導電層１０２中に電子が注入されるこ
とを阻止するために設けられる層であり、該電荷注入阻
止層１０４は、水素、又は多結晶シリコン（以後、’ｐ
ｏｌｙ−５ｔ　（Ｈ，Ｘ）　Ｊと呼称する。）、あるい
は両者を含むいわゆる非単結晶シリコン（以後、’Ｎｏ
ｎ−５ｉ（）Ｉ、Ｘ）」　と呼称する。）（なお、微結
晶質シリコンと通称されるものはａ−５ｉに分類される
。）に、周期律表第ｍ族に属する原子（以後、隼に「第
１ＩＩ族原子」と称す、）または周期律表第■族に属す
る原子（以後、車に「第■族原子」と称す、）を含有せ
しめたもので構成されている。

該電荷注入阻止層１０４に含有せしめる第１ＩＩ族原子
としては、具体的には、Ｂ（硼素）、ＡＱ　（アルミニ
ウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ
タリウム）等を用いることができるが、特に好ましいも
のは、Ｂ、　Ｇａである。また第■族原子としては、具
体的には、Ｐ（燐）、＾Ｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモン
）、Ｂｉ　　（ビスマス）等を用いることができるが、
特に好ましいものはＰ、＾Ｓである。そして電荷注入阻
止層１０４に含有せしめる第１ＩＩ族原子又は第Ｖ族原
子の量は３〜５　Ｘ　１０’ａｔｏ１Ｍｉｃ　ｐｐｍ、
好ましくは５０〜１　ｘ　ｌｏ’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
、　１　ｘ　１０２〜５　ｘ　１０３ａｔｏ１０３ａｔ
ｏとすることが望ましい。

又、電荷注入阻止層１０４中に含有せしめるハロゲン原
子又は水素原子の量は、ｔ　ｘ　ｔｏ’〜７Ｘ１０’　
ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとし、特にｐｏｌｙ−５ｉ（Ｈ，
Ｘ）で構成される場合には好ましくは１ｘｉｏ３〜２　
Ｘ　１１０５ａｔｏ＋ｉｃ　ｐｐｍとし、ａ−５ｉ　（
Ｈ，Ｘ）で構成される場合にはＩ　Ｘ　１０’　〜６　
Ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐａ＋とすることが望まし
い、　更に、本発明の光受容部材の電荷注入阻止層１０
４の層厚は０．０３〜１５μ、好ましくは０８０４〜１
０μ、最適には０．０５〜８μとするのが望ましい。

第１（Ｃ）図に示す本発明の光受容部材において、支持
体１０１　と光導電層１０２との間に設けられる長波長
光吸収層１０５は、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）又はスズ
原子（Ｓｎ）のうちの少なくとも一方を含有するＮｏｎ
−５ｉ（Ｈ、Ｘ）で構成される層であり、露光光源とし
てレーザー光等の長波長光を用いた際に、光導電層１０
２において吸収しきれなかフた長波長光を該長波長光吸
収層１０５が効率的に吸収することにより、支持体１０
１表面での長波長光の反射による干渉現象の現出を顕著
に防止する機能を有するものである。そして該長波長光
吸収層１０５中に含有せしめるＧｅ原子の景又はＳｎ原
子の量あるいはそれらの和は、Ｉ　〜ＩＯ’ａｊｏｍｉ
ｃ　ｐｐｇｌ、好ましくは１ｘ　１０’　−−９ｘ　１
０’　ａｔｏａ＋ｉｃ　ｐｐｍ、より好ましくは５ｘ　
１０’　〜８　ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｇｌと
することが望ましい、また長波長光吸収層１０５中に含
有せしめる水素原子又はハロゲン原子の量は、好ましく
は１×１０’　〜３　Ｘ　１０Ｉ１０ｌ１ａｔｏ　ｐｐ
ｍとすることが望ましく、特にｐｏｌｙ−５ｉ　（Ｇｅ
、Ｓｎｌ　（Ｈ，Ｘ）の場合好ましくは１　ｘ　１０’
　〜２　ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　とし、ａ−
５ｉｆＧａ。

Ｓｎ）　（Ｈ，Ｘ）　ノ場合好ましくは１　ｘｌＯ’　
〜６　ｘｌｏ’ａｔｏａ＋ｉｃ　ｐｐｍとすることが望
ましい。

更に本発明の光受容部材における長波長光吸収ｒｇＪｔ
ｏｓノ層厚は、０．０５〜２５μ、好！　シ＜　ハ０．
０７〜２０μ、最適には、０．１〜１５μとするのが望
ましい。

第１（Ｄ）図に示す本発明の光受容部材において、支持
体１０１と光導電層１０２との間に設けられる密着層１
０６は、支持体１０１　と光導電層１０２との密着性を
改善せしめる機能を奏する層であって、酸素原子、炭素
原子および窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を
含有するＮｏｎ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）　（以後、’Ｎｏｎ−
５ｉ（０，ｆ：、Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。）で
構成されている。そして該密着層１０６中に含有せしめ
る酸素原子炭素原子、窒素原子の量、又はそれらの中の
少なくとも２つ以上の和は、１００〜９　Ｘ　１０’ａ
ｔｏａ＋ｉｃ　ｐｐｍ好ましくは　１００〜４　Ｘ　１
０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとすることが望ましい、ま
た、該密着層１０６中に含有せしめる水素原子又はハロ
ゲン原子の王あるいはそれらの和は好ましくは１０〜７
　Ｘ　ｌｏ’ａｔｏｍｉｃｐｐａ＋とし、特にｐｏｌｙ
−５ｉ（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）　（Ｄ場合ニ１ｎｋ
ｔｏ〜２　ｘ　ｌｏ’ａｊｏｍｉｃ　９１１１Ｂ、ａ−
５ｉ（０，Ｃ，Ｎ）　（）１．Ｘ）の場合には１　ｘ　
１０’　〜７　ｘ　ｌｏ’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとする
ことが望ましい。

ところで、本発明の光受容部材における電荷注入阻止層
１０４、長波長光吸収層１０５及び密着層１０６は、こ
れらを組み合わせて用いることが可能であり、その典型
的な例を示したものが第１（Ｅ）図乃至（）Ｉ）図であ
る。

更に、本発明の光受容部材においては、電荷注入阻止層
１０４又は長波長光吸収層１０５中に酸素原子、炭素原
子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有
せしめることにより、これらの層に密着層としての橙能
を兼ねそなえさせることも可能であり、また、長波長光
吸収層１０５中に第１ＩＩ族原子又は第Ｖ族原子を°含
有せしめるか、あるいは電荷注入阻止層１０４中にゲル
マニウム原子又はスズ原子を含有せしめることにより、
これら両層の機能を兼ねそなえた層とすることができる
。

ところで、本発明の光受容部材における電荷注入阻止層
１０４、長波長光吸収層１０５及び密着層１０６は、　
Ｎｏｎ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ）を母体とする材料で構成され
ているが、ｐｏｌｙ−５ｉ（）１．Ｘｌで構成される層
を形成するについては種々の方法があり、例えば次のよ
うな方法があげられる。

その１つの方法は、基体温度を高温、具体的には４００
〜４５０℃に設定し、該基体上にプラズマＣＶＤ法によ
り膜を堆積せしめる方法である。

他の方法は、基体表面に先ずアモルファス状の膜を形成
、即ち、基体温度を約２５０℃にした基体上にプラズマ
ＣＶＤ法により膜を形成し、該アモルファス状の膜をア
ニーリング処理することによりｐｏｌｙ化する方法であ
る。該アニーリング処理は、基体を４００〜４５０℃に
約２０分間加熱するか、あるいは、レーザー光を約２０
分間照射することにより行なわれる。

本発明の光受容部材の光導電層１０２は、ａ−５ｉ（）
ｌ。

Ｘ）またはａ−５１（Ｇａ、Ｓｎｌ　（ｌ（、Ｘ）で構
成され、先導仏性を育する層であって、該層にはさらに
、第１ＩＩ族原子又は第Ｖ族原子又は／及び酸素原子、
炭素原子及び窒素原子の中から遷ばれる少なくとも一種
を含有せしめることができる。

光導電１ｉ１１０２中に含有せしめるハロゲン原子（Ｘ
ｌ　としては、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素
が挙げられ、特にフッ素、塩素を好適なものとして挙げ
ることができる。そして光４電層１０２中に含有せしめ
る水素原子（１１）の最又はハロゲン原子（×）の量、
あるいは水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ−Ｘ）は
、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉｃ魁より好ましくは５
〜３０ａｔｏｍｉｃ　９ｇとするのが望ましい。　また
、光導電層１０２中に第１ＩＩ族原子原子又は第■族原
子を含有せしめる目的は、光導ｔ■１０２の伝導性を制
御することにある。このような第１ＩＩ族原子及び第Ｖ
族原子としては、前述の電荷注入阻止層１０４中に含有
せしめるものと同様のものを用いることができるが、光
導ｔＦＪｔｏ２に含有せしめる場合には、電荷注入阻止
層１０４に含有せしめたものとは逆の極性のものを含有
せしめるか、あるいは電荷注入阻止層１０４に含有せし
めたものと同極性のものを該層１０４に含有される量よ
り一段と少ない量にして含有せしめることができる。

光導電層１０２中に含有せしめる第１ＩＩ族原子又は第
Ｖ族原子の景は、好ましくはＩ　Ｘ　１０−３〜１×１
０３）０３ａｔｏ　ｐｐｍ、より好ましくは５ＸＩＯ−
’〜５Ｘ１０２ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適には１　ｘ
　１０−’　〜２　ｘ　１０２）０２ａｔｏ　ｐｐｍと
することが望ましい。

また光導電層１０２中に、酸素原子、炭素原子及び窒素
原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有せしめる目
的は、光導電層１０２の高暗抵抗化をはかるとともに、
光導電層１０２の膜品質を向上せしめることにある。そ
して、光導電ＦＪ　１０２に含有せしめるこうした原子
の量は、好ましくは１×１０−３〜５０ａｔｏｍｉｃ％
、より好ましくは２ｘｌＯ−”〜４０ａｔｏｍｉ＋Ｊ、
最適には３　ｘ　１０−”〜３０ａｔｏｍｉｃ％とする
のが望ましい。

更に、光導電ｆｉ１０２中に、ゲルマニウム原子（Ｇｅ
）又はスズ原子（Ｓｎ）のうちの少なくとも一方を含有
せしめることができるが、こうした原子を含有せしめる
目的は、レーザー光などの長波長光に対する感度を向上
せしめることにあり、この場合、先導電層１０２中に含
有せしめるこれらの原子の量は、好ましくは１〜９．５
　Ｘ　ｌＯ’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとするのが望ましい
。

また、本発明の光受容部材において、光導電層の層厚は
、本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因の１
つであって、光受容部材に所望の特性が与えられるよう
に、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要が
あり、通常は１〜１００μとするが、好ましくは３〜ａ
Ｇμ、最適には５〜５０μとする。

本発明の光受容部材において特徴とするところの表面像
ｉｔ層１０３は、前述の光導電層！０２上に位置して設
けられ、自由表面１０７を有するものである。そして該
表面保護層１０’３は、光受容部材に要求される緒特性
、即ち、耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性
、使用環境特性、および耐久性等を向上せしめ、特に、
光受容部材表面の１械的損傷およびコロナ放電により生
じるイオンやオゾンによる変質を防止する機能を有する
と共に、帯電能および暗減衰等の電子写真特性が優れて
おり、画像形成時における画像流れや残留電位の発生を
有効に防止する機能を奏するものである。

かくなる本発明の光受容部材の表面保護層１０３は、Ｎ
ｏｎ−８（：　（Ｈ、Ｘ）で構成されており、該表面保
護層１０３を構成する各原子の割合については、Ｎｏｎ
−ＢＣ（Ｈ，Ｘ）の組成比を （Ｂｔ（＋−）　＋−ｙ（Ｈ，Ｘ）ｙ で表わすと、次の条件を満足していることが望ましい。

Ｘについて。

０．１≦Ｘ≦０．９、好ましくは０．２≦Ｘ≦０．８最
適には０．３≦Ｘ≦０．７ ｙについて； ０．４≦ｙ≦４０、好ましくは０５≦ｙ≦３０最適には
ｌ≦ｙ≦２０ 本発明の光受容部材においては、表面保護層ＩＱ３０層
厚も本発明の目的を効率的に達成するために重要な要因
の１つであり、所望の目的に応じて適宜決定されるもの
であるが、表面保護層に含有せしめる構成原子の量、あ
るいは表面保護層に要求される特性に応じて相互的かつ
有機的関連性の下に決定する必要がある。更に生産性や
量産性も加味した経済性の点においても考慮する必要も
ある。

こうしたことから、本発明の光受容部材の表面保護層１
０３の層厚は、好ましくは０．００３〜３０μ、より好
ましくは０．００４〜２０μ、最適には０．００５〜１
０μである。

更に本発明の光受容部材においては、前述の表面保護層
１０３と光導電ＮＪ１０２との間に中間層１０８を形成
せしめてもよい。該中間ｆｆｉ　１０８は、炭素原子を
含有するａ−Ｓｉ（Ｉｔ、Ｘ）又はｐｏｌｙ−５ｔ（Ｉ
ｌ、χ）で構成されており、該中間ＰＪ１０ｉ１中に含
有せしめる炭素原子の量は、好ましくは２０〜９０ａｔ
ｏｍｉｃ％、より好ま−し七は３０〜８５ａｔｏｔｎｉ
ｃ％、最適には４０〜８０ａｔｏｍｉｃ％とすることが
望ましい、また該中間層１０８中に含有せしめる水素原
子（）ｌ）の量、ハロゲン原子（Ｘｌ　の量、及び水素
原子＋ハロゲン原子（）ｌ＋Ｘ）の量は、好ましくは１
〜７０ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは２〜６５ａｔｏ
ｍｉｃ％、最適にはｓ　〜８０ａｔｏｍｊｃ％とするの
が望ましい、さらに該中間層＋０８の層厚は、好ましく
は０．００３〜３０μｍ、より好ましくは０．００４〜
２０μｍ、最適には０．００５〜１０μｍとするのが望
ましい。

次に、本発明の光受容部材の構成層の形成方法について
説明する。

本発明の光受容部材を構成する非晶質材料は、いずれも
グロー放電法（低周波ＣＶＤ、高周波ＣＶＤ又はマイク
ロ波ＣＶＤ等の交流放電ＣＶＤ、あるいは直流放電ＣＶ
Ｄ等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンブレー
ティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの種々の薄膜
堆積法によって成形することができる。これらの薄膜堆
積法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製造規模
、作成される光受容部材に所望される特性等の要因によ
フて適宜還択されて採用されるが、所望の特性を有する
光受容部材を製造するに当っての条件の制御が比較的容
易であり、シリコン原子と共にハロゲン原子及び水素原
子の導入を容易に行い得る等のことからして、グロー族
を法或いはスパッタリング法が好適である。そして、グ
ロー放電法とスパッタリング法とを同一装置系内で併用
して形成してもよい。

例えば、グロー放電法により、Ｎｏｎ−Ｂ（：　（ＩＩ
、Ｘ）で構成される表面保護層を形成するには、基本的
にはホウ素原子（８）を供給し得るＢ供給用の原料ガス
と、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原料ガスと
、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとを、内部が減圧にし得
る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起
させ、Ｎｏｎ−ＢＣ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。

前記Ｂ供給用の原料ガスとしては、”　ｉ　）Ｉ　ｓ　
、Ｂ　ａ　ｔｌ　１゜５、Ｈ８、ＢｓＨ＋＋、！１ａｔ
ｌ＋ｚ、Ｂｈ、　ＢＣＩ、等のガス状態の又はガス化し
得る化合物があげられる。

また、前記Ｃ供給用の原料ガスとしては、飽和炭化水素
化合物（１：ｎＨ２ｎ　＋２．ｎ≦１０）、エチレン系
炭化水素化合物（ＣｎＨ２ｎ　、ｎ≦１０）、アセチレ
ン系炭化水素化合物（（：ｎＨ２ｎ　−ｔ、　ｎ≦１０
１．ｌｆｉ状炭化炭化水素化合物いはこれらのハロゲン
化合物等のガス状態の又はガス化しつる化合物が挙げら
れる。具体的には、飽和炭化水素化合物又はハロゲン化
飽和炭化水素化合物として、ＣＨ５、Ｃ，）！、、Ｃ５
Ｈｓ、ＣＦ、、Ｃ１（ｓＦ、Ｃ２Ｈｄ、Ｃｅ１ｔ等、エ
チレン系炭化水素化合物としてＣｘＨａ、ＣＨ，−ＣＨ
−Ｃ）Ｉ、等、アセチレン系炭化水素化合物としてＣ２
）１２等、環状炭化水素化合物としてベンゼン、トルエ
ン、キシレン、アダマンタノン等が挙げられる。

前記：Ｈ供給用原料ガスおよびＸ供給用原料ガスとして
は、水素ガス、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン
ガス、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、Ｈｌ等のハロゲン化水素
化合物、ＢｒＦ、　（：ｌＦ、［；ＨＦ３、ＢｒＦ、、
８「Ｆ２、ＩＦ７、ＩＣ１，ＩＢｒ等のハロゲン間化合
物等のガス状態の又はガス化し得る化合物があげられる
。

また、スパッタリング法によってＮｏｎ−８（：（ｔｌ
、Ｘ）層を形成するには、ターゲットとしてＢＣターゲ
ットを用い、前記Ｎ供給用原料ガス及び前記Ｃ供給用原
料ガス、及び必要に応じて前記Ｈ又は／及びＸ供給用原
料ガスを＾「等の不活性ガスと共に堆積室内に導入して
プラズマ雰囲気を形成し、前記ＢＮターゲットをスパッ
タリングするか、ターゲットとしてＢターゲットを用い
、前記Ｃ供給用原料ガスを多量に導入してプラズマ雰囲
気を形成し、前記Ｃターゲットとスパッタリングするこ
とによって形成される。

また、グロー放電法によって、ａ−５ｉ（Ｈ，Ｘｌ　で
構成される層を形成するには、基本的にはシリコン原子
（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと共に、水
素原子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘｌ導
入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入
して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位
置に設置した所定の支持体表面上にａ−５＋（）１．Ｘ
）から成る層を形成する。

前記Ｓｉ供給用のガスとしては、ＳｉＨ＜、Ｓ　ｉ　２
　ｔｌ　６．５ｉ３Ｈ６，５ｉ４）１．。等のガス状態
の又はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が挙げられ
、特に、層形成作業のし易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の
点で、ＳｉＨ＜、５ｉ２Ｈ，が好ましい。

また、前記ハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、多
くのハロゲン化合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、
ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換され
たシラン話導体等のガス状態の又はガス化しつるハロゲ
ン化合物が好ましい、具体的にはフッ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ、ＣＩＦ、　ＣｌＦ５、
ＢｒＦ５、ＢｒＦ３、ＩＦ７、ＩＣ１、ＩＢｒ等のハロ
ゲン間化合物、およびＳｉＦ４、Ｓｉ２Ｆ６．５ｉＣＬ
、５ｉ８ｒ４’ｐのハロゲン化硅素が挙げられる。

上述のごときハロゲン化硅素のガス状態の又はガス化し
つるものを用いる場合には、Ｓ１供給用の原料ガスを別
途使用することなくして、ハロゲン原子を含有するａ−
５＋で構成された層が形成できるので、特に有効である
。

また、前記水素原子供給用の原料ガスとしては、水素ガ
ス、）ＩＦ、）Ｉ［：１　、　ｔｌＢｒ　、　ＨＩ′ｒ
Ｐのハロゲン化物、５ｉＨａ、５＋２Ｌ　、　ＳｉＪａ
　、　５Ｉ４Ｈ１゜等の水素化硅素、あるいはＳｉＨ，
Ｆ、、５ｉＨｚｌｚ、５ｉＨ２ＣＩ、、５ｉＨＣ１，，
５１１（Ｊｒｉ　、　５ｉ）ｌＢｒｓ、等のハロゲン置
換水素化硅素等のガス状態の又はガス化しつるものを用
いることができ、これうめ原料ガスを用いた場合には、
電気的あるいは光電的特性の制御という点で極めて有効
であるところの水素原子（）ｌ）の含宥量の制御を容易
に行うことができるため、有効である。

そして、前記ハロゲン化水素又は前記ハロゲン置換水素
化硅素を用いた場合にはハロゲン原子の導入と同時に水
素原子（＋１）も導入されるので、特に有効である。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−５ｉ（Ｈ，Ｘｉ　から成る層を形成するには
、例えばスパッタリング法の場合には、ハロゲン原子を
導入するについては、前記のハロゲン化合物又は前記の
ハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入
して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやればよい。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２或いは前記したシラン類等のガス
をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやればよい。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓｉターゲ
ットを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ２ガス
を必要に応じてＨｅ、　Ａｒ等の不活性ガスも含めて堆
積室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓｉタ
ーゲットをスパッタリングすることによって、支持体上
にａ−５Ｌ（）Ｉ、Ｘ）から成る層を形成する。

グロー放電法によってａ−５ｉＧａ０１．Ｘ）で構成さ
れる層を形成するには、シリコン原子（Ｓ　ｉ）を供給
しうるＳｉ供給用の原料ガスと、ゲルマニウム原子（Ｇ
ａ）を供給しうるＧｅ供給用の原料ガスと、水素原子（
ｌ（）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給しつる水素
原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）供給用の原料
ガスを内部を減圧にしつる堆積室内に所望のガス圧状態
で導入し、該堆積室内にグロー放電を生起せしめて、予
め所定位置に設置しである所定の支持体表面上に、ａ−
５ｉＧｅ　（ＬＸ）で構成される層を形成する。

Ｓｉ供給用の原料ガス、ハロゲン原子供給用の原料ガス
、及び水素原子供給用の原料ガスとなりつる物質として
は、前述のａ−５ｉ（ｌ（、Ｘ）で構成される層を形成
する場合に用いたものがそのまま用いられる。

また、前記Ｇｅ供給用の原料ガスとなりつる物質として
は、ＧｅＨ＜、Ｇａ２）１６　、　Ｇｅ５Ｈａ　、　Ｇ
ｅ４１１＋ｏ＋Ｇｅ５Ｈ＋２、Ｇｅ６Ｈ１４、ＧｅｙＨ
＋　ｅ、Ｇａ６Ｈ＋ａ、Ｇｅｇ）ｌｚｏ等のガス状態の
又はガス化しうる水素化ゲルマニウムを用いることがで
きる。特に、層作成作業時の取扱易さ、Ｇｅ供給効率の
良さ等の点から、ＧｅＨ，、ＧａｚＨａ　、およびＧｅ
、Ｈ，が好ましい。

スパッタリング法によってａ−５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構
成される層を形成するには、シリコンから成るターゲッ
トと、ゲルマニウムから成るターゲットとの二枚を、あ
るいは、シリコンとゲルマニウムからなるターゲットを
用い、これ等を所望のガス７Ｊ、囲気中でスパッタリン
グすることによって行なう。

イオンブレーティング法を用いてａ−５ｉＧｅ（ｌ（、
Ｘ）で構成される層を形成する場合には、例えば、多結
晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又
はまた単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボ
ートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法あるいはエレク
トロンビーム法（Ｅ、Ｂ、法）等によって加熱蒸発させ
飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過せしめ
ることで行ない得る。

スパッタリングン青およびイオンブレーティング法のい
ずれの場合にも、形成する層中にハロゲン原子を含有せ
しめるには、前述のハロゲン化物又はハロゲン原子を含
む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入する
場合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＨ７ある
いは前記した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマニ
ウム等のガス類をスパッタリング用の堆積室内に導入し
てこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すればよい。

さらにハロゲン原子供給用の原料ガスとしては、前記の
ハロゲン化物或いはハロゲンを含む硅素化合物が有効な
ものとして挙げられるが、その他に、）ＩＦ、　）Ｉｃ
Ｉ　、　）ＩＢｒ　、　ＨＩ＄のハロゲン化水素、５ｆ
ｔ（２Ｆ、、ＳｉＨ，Ｉ、、５ｉ１ｈ（：Ｉ２．５ｉＨ
ＣＩｓ、５ｔ）ＩｔＢｒ２．５ｉＨＢｒｓ、等のハロゲ
ン置換水素化硅素、およびＧｅ）ＩＦ３．　ＧａＨｚＦ
２、ＧｅＨ３Ｆ　、ＧｅＨＣｌ３、ＧｅＨ２ＧＩ２、Ｇ
ｅ）ｌ＝ｃｌ、ＧｅＨＢｒ３、Ｇｅ）ＩＪｒ２　、　Ｇ
ａＨｓＢｒ、ＧｅＨＩｓ、ＧｅＨｔｈ、ＧｅＨ，Ｉ等の
水素化ハロゲン化ゲルマニウム等、ＧｅＦａ、ＧｅＣ１
＜　、　ＧｅＢｒ４．　Ｇｅ１ａ、ＧａＦ２、ＧｅＣＩ
２、ＧｅＢｒｘ、Ｇｅｌ、等のハロゲン化ゲルマニウム
等々のガス状態の又はガス化しつる物質も有効な出発物
質として使用できる。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、スズ原子を含有するアモルファス
シリコン（以下、’ａ−５ｉＳｎ　（）Ｉ、Ｘ）ノと表
記する。）で構成される光受容層を形成するには、上述
のａ−ＳｉＧｅ　（Ｈ７Ｘｉ　で構成される層の形成の
際に、ゲルマニウム原子供給用の出発物質を、スズ原子
（Ｓｎｌ供給用の出発物質にかえて使用し、形成する層
中へのその量を制御しながら含有せしめることによって
行なう。

前記スズ原子（Ｓｎ）供給用の原料ガスとなりつる物質
としては、水素化スズ（Ｓｎｌ（４）やＳｎＦ、、５ｎ
Ｆ４．５ｎＣ１，，５ｎＣＩａ　、　ＳｎＢｒ２　、　
ＳｎＢｒ４．　ＳｎＩ２、ＳｎＩ４等のハロゲン化スズ
等のガス状態の又はガス化しつるものを用いることがで
き、ハロゲン化スズを用いる場合には、所定の支持体上
にハロゲン原子を含有するａ−５ｉで構成される層を形
成することができるので、特に有効である。なかでも、
層作成作業時の取り扱い易さ、Ｓｎ供給効率の良さ等の
点から、５ｎＣＩａ　が好ましい。

そして、５ｎＣＩ４をスズ原子（Ｓｎ）供給用の出発物
質として用いる場合、これをガス化するには、固体状の
５ｎＣ１４を加熱するとともに、＾「、Ｈｅ等の不活性
ガスを吹き込み、該不活性ガスを用いてバブリングする
のが望ましく、こうして生成したガスを、内部を減圧に
した堆積室内に所望のガス圧状態で導入する。

グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、　ａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）　に第１
■族原子又は第Ｖ族原子、窒素原子、酸素原子あるいは
炭素原子を含有せしめた非晶質材料で構成された層を形
成するには、ａ−５ｔ（Ｈ，Ｘ）の層の形成の際に、第
１Ｈ族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質、酸素原子
導入用の出発物質、窒素原子導入用の出発物質、あるい
は炭素原子導入用の出発物質を、前述したａ−５ｉ（Ｈ
，Ｘ）形成用の出発物質と共に使用して、形成する層中
へのそれらの量を制御しながら含有せしめてやることに
よって行なう。

例えば、グロー放電法を用いて、原子（Ｏ，Ｃ，Ｎ）を
含有するａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成する
には、前述のａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成
する際に、原子（０，Ｃ，Ｎ）導入用の出発物質をａ−
５ｊ（Ｈ，Ｘｉ形成用の出発物質とともに使用して形成
する層中へのそれらの量を制御しながら含有せしめるこ
とによって行なう。

このような原子（ｏ、ｃ、Ｎ）導入用の出発物質として
は、少なくとも原子（０，Ｃ，Ｎ）を構成原子とするガ
ス状の物質又はガス化し得る物質であれば、はとんどの
ものが使用できる。

具体的には酸素原子（０）導入用の出発物質として、例
えば、酸素（０２）、オゾン（０，）、−酸化窒素（Ｎ
Ｏ）、−二酸化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０
３）、四二酸化窒素（ｑ２ｏ４）、三二酸化窒素（Ｎ２
Ｏ５）、三酸化窒素（ＮＯｓ）、シリコン原子（Ｓｔ）
と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする
例えばジシロキサン（ＩＩ、５ｉＯ５ｉＨａ）、　トリ
シロキサン（Ｈ３ＳｉＯ５ｉＨ２０ＳｉＨ：＋）等の低
級シロキサン等が挙げられ、炭素原子（Ｃ）導入用の出
発物質としては、例えば、メタン（ＣＨ４）　、エタン
（Ｃ２＋１６）、プロパン（Ｃ３）１８）、ｎ−ブタン
（ｎ−Ｃ４１（＋ｏ）　、ペンタン（ＣｓＬｚ）等の炭
素数１〜５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プ
ロピレン（Ｃｕ２）、ブテン−ｓ　（に４Ｈ８）、ブテ
ン−２（０４Ｈ８）、イソブチレン（（ｚＨａ）、ペン
テン（Ｃ５ＩＩ　、。）等の炭素数２〜５のエチレン系
炭化水素、アセチレン（Ｃ２）１ｉ）、メチルアセチレ
ン（Ｃｕ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等の、炭素数２〜４
のアセチレン系炭化水素が挙げられ、窒素原子（Ｎ）導
入用の出発物質としては、例えば、窒素（Ｎ２）、アン
モニア（Ｎ）１３）、ヒドラジン（ｕｚＮＮＨ２）、ア
ジ化水素（ＨＮ３）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎｓ
）　、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ＋　、四三弗化窒素ＣＦ、Ｎ
）が挙げられる。

例又は酸素原子を含有する層又は層領域を形成するのに
グロー放電法を用いる場合には、前記した光受容部材層
形成用の出発物質の中から所望に従って通訳されたもの
に酸素原子導入用の出発物質が加えられる。その様な酸
素原子導入用の出発物質としては、少なくとも酸素原子
を構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質で
あればほとんどのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（］（）又は／及びハロゲン原子（Ｘ
）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子
とする原料ガスと、酸素原子（０）′ＢＬび水素原子（
旧を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合
比で混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｉ）を構成
原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｌ）、酸素原
子（０）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とする原
料ガスとを混合して使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（）ｌ）
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用してもよい。

具体的には、例えば酸素（０，）、オゾン（０，）、−
酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯｔ）、　−二酸化
窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素ｆＮ２０ｓ）、四二酸化
窒素（Ｎ２０４）三二酸化窒素（ＮＪｓ）、三酸化窒素
（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓ　ｉ）と酸素原子（０）
と水素原子（Ｉｔ）　　とを構成原子とする例えばジシ
ロキサン（Ｈ３ＳｉＯ５ｉＨ３）　、　　トリシロキサ
ン（Ｉ（３５ｉ０ＳＦＨＪＳｉＨｓ）等の低級シロキサ
ン等が挙げられ、挙げることができる。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層また
は層領域を形成するには、単結晶又はＳｉウェーハ又は
Ｓｉｎ、ウェーハ、又はＳｉとＳｉｎ、が混合されて含
有されているウェーハをターゲットとして、これ等を種
々のガス雰囲気中でスパッタリングすることによって行
なえばよい。

例えば、Ｓｉウェーハをターゲットとして使用すれば、
酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを必要に応じて希釈ガスで希
釈して、スパッター用の堆積室内に導入し、これ等のガ
スのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハをスパッ
タリングすればよい。

又、別にはＳｉとＳｉｎ、とは別々のターゲットとして
、又はＳｉとＳｉｎ、の混合した一枚のターゲットとを
使用することによって、スバッ・ター用のとしての希釈
ガスの７囲気中で又は少なくとも水素原子（旧又は／′
ＥＬびハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有するガ
ス雰囲気中でスパッタリングすることによフて形成でき
る。酸素原子導入用の原料ガスとしては、前述したグロ
ー放電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原
料ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして
使用できる。

また、例えば炭素原子を含有するアモルファスシリコン
で構成される層をグロー放Ｎ　？ｂにより形成するには
、シリコン原子（Ｓ　ｉ）を構成原子とする原料ガスと
、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必要に
応じて水素原子（）ｌ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するか、又はシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とす
る原料ガスと、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ）を構
成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混
合して使用するか、或いはシリコン原子（Ｓｉ）を構成
原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉｌ、炭素原
子（Ｃ）及び水素原子（旧を構成原子とする原料ガスを
混合するか、更にまた、シリコン原子、水素原子を構成
原子とする原料ガスを混合して使用する。

このような原料ガスとして有効に使用されるのは、Ｓｉ
とＨとを構成原子とする５ｉ）Ｉ４．５ｆＪａ、Ｓｉ、
ＨａＳ　ｉ　、　Ｉｔ　、。等のシラン（Ｓｉｌａｎｅ
）類等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、
例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエ
チレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水
素等が挙げられる。

具体的には飽和炭化水素としては、例えば、メタン（Ｃ
）１４）　、　エタン（ＣｆｆＨ８）、プロパン（ｃ３
ｏａ）、ｎ−ブタン（ｎ−ＣＪ＋ｏ）　、ペンタン（（
：５）１１２）　、エチレン系炭化水素としては、エチ
レン（ｃｉＨｓ）　、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン
−１（Ｃ４Ｈａ）、ブテン−２（ＣＪａｌ、イソブチレ
ン（Ｃ４８６）、ペンテン（ＣｓＨ＋。）アセチレン系
炭化水素としては、アセチレン（ｃａＨ２）、メチルア
セチレン（［：３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４１１６１等が挙
げられる。

ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、５
ｉ（Ｃ）Ｉｚ）４、Ｓｔ　（ＣＪｓ）　ａ等のケイ化ア
ルキルを挙げることかできる。これ等の原料ガスの他、
Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論Ｈ１も使用できる。

スパッタリング法によってａ−５ｉＣ（Ｈ、Ｘ）で構成
される層を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェ
ーハ又はＣ（グラファイト）ウェーハ、又はＳｉとＣが
混合されているウェーハをターゲットとして、これ等を
所望のガス雰囲気中でスパッタリングすることによって
行なう。

例えば、Ｓｉウェーハをターゲットとして使用する場合
には、炭素原子、および水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて＾ｒ、　Ｈ
ｅ等の希釈ガスで希釈して、スパッタリング用の堆積室
内に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成して前
記Ｈウェーハをスパッタリングすればよい。

又、別にはＳｉとＣは別々のターゲットとするか、ある
いはＳｉとＣの混合した一枚のターゲットととして使用
する場合には、スパッタリング用のガスとして水素原子
又は／′ＥＬびハロゲン原子導入用の原料ガスを、必要
に応じて希釈ガスで希釈して、スパッタリング用の堆積
室内に導入し、ガスプラズマを形成してスパッタリング
すればよい。

該スパッタリング法に用いる各原子の導入用の原料ガス
としては、前述のグロー放電法に用いる原料ガスがその
まま使用できる。

例えば窒素原子を含有する層又は層領域を形成するのに
グロー放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成
用の出発物質の中から所望に従って選択されたものに窒
素原子導入用の出発物質を加える。その様な窒素原子導
入用の出発物質としては、少なくとも窒素原子を構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質であればほ
とんどのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガス
と、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（１０又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉｔを構成原子と
する原料ガスと、窒素原子（Ｎ）及び水素原子（Ｈ）を
構成原子と原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合
するかして使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉｌと水素原子（１１）
とをｔｒａ成原成上子る原料ガスに酸素原子（０）を構
成原子とする原料ガスを混合して使用してもよい。

窒素原子を含有する層または層領域を形成する際に使用
する窒素元素（Ｎ）導入用の原料ガスとして有効に使用
される出発物質は、Ｎを構成原子とするか或いはＮとＨ
とを構成原子とする例えば窒素（Ｎ２）、アンモニア（
ＮＨ，）　、ヒドラジン（ｌｈＮＮＨｚ）アジ化水素（
）ｌＮ３）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）等のガ
ス状の又はガス化し得る窒素、窒化ホウ素物及びアジ化
物等の窒素化合物を挙げることができる。この他に、窒
素原子の導入に加えて、ハロゲン原子の導入も行なえる
という点から、三弗化窒素０ｓＮｌ　、四三弗化窒素（
Ｆ４Ｎ）等のハロゲン化窒素化合物を挙げられる。

スパッタリング法によって、窒素原子を含有する層また
は層領域を形成するには、単結晶又はＳｉウェーハ又は
多結晶のＳｉウェーハ、又はＳｉ、Ｎ、つ工−ハ、又は
Ｓｔとは５ｉｉｎが混合されて含有されているウェーハ
をターゲットとして、これ等を種々のガス雰囲気中でス
パッタリングすることによって行なえばよい。

例えば、Ｓｉウェーハをターゲットとして使用すれば、
窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて希釈ガスで
希釈して、スパッター用の堆積車中に導入し、これ等の
ガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハをスパ
ッタリングすればよい。

又、別にはＳｉとＳｉ、Ｎ４　とは別々のターゲットと
して、又はＳｉとＳｉ＊Ｎａの混合した一枚のターゲッ
トを使用することによって、スパッター用のガスとして
の希釈ガスの；囲気中で又は少なくとも水素原子（）ｌ
）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有
するガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形
成できる。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述し
たグロー放電の例で示した原料ガスの中の窒素原子導入
用の原料ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガス
として使用できる。

また、グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオ
ンブレーティング法を用いて、第１ＩＩ族原子又は第Ｖ
族原子を含有するａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層の
形成の際に、第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物
質を、ａ−５Ｉ　（ｔｌ　、　Ｘ）形成用の出発物質と
共に使用して、形成する層中へのそれらの量を制御しな
がら含有せしめてやることによって行なう。

第１１１族原子導入用の出発物質として具体的には硼素
原子導入用としては、Ｂ、Ｈ，、Ｂ４ＨＩＱ　、　ｆ３
ｓＨ＊、ＢｓＬｚ　、ＢｓＨ＋。、　ＢＳ）＋１２　、
　ＢＳ）１１４等の水素化硼素、ＢＦ３　、ＢＧｈ、Ｂ
Ｂｒ３等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａ
Ｑ　Ｃｌ　３、ＧａＣ１，、Ｇａ（ｆ：Ｈ３）ｚ、Ｉｎ
（：ｌｓ　、　ＴＱＣＩｓ等も挙げることができる。

第■族原子導入用の出発物質として具体的には燐原子導
入用としてはＰＨ，、Ｐ２Ｈ，等の水素化燐ＰＨ４１、
ＰＦ３、　　ＰＦ、、　　Ｐ（：１．、　　ＰＣＩＩ、
　　Ｐ８ｒ＊、　　ＰＢｒ３．　　ＰＴＩ等のハロゲン
化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ３、ＡｓＦ、、＾５
ｃｌｓ、＾ｓ８「８、＾ｓＦｓ、５ｂｌ（、、ＳｂＦ、
、ＳｂＦ、、５ｂＣ１，，５ｂＣ１，、ＢｉＨ，、Ｂｉ
（：Ｉ３、Ｂ１１１ｒ５等も第■族原子導入用の出発物
質の有効なものとして挙げることができる。

以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、スパッタリング法等を用いて形成する
が、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及
びスズ原子、第１ＩＩ族原子又は第■族原子、酸素原子
、炭素原子又は、窒素原子、あるいは水素原子又は／及
びハロゲン原子の各々の含有量の制御は、堆積室内へ流
入する、各々の原子供給用出発物質のガス流量あるいは
各々の原子供給用出発物質問のガス流量比を制御するこ
とにより行なわれる。

また、光導電層および表面保護層等の各構成層形成時の
支持体温度、堆積室内のガス、放電パワー等の条件は、
所望の特性を有する光受容部材を得るためには重要な要
因であり、形成する層の機能に考慮をはらって適宜選択
されるものである。

さらに、これらの層形成条件は、光導電層および表面保
護層等の各構成層に含有せしめる上記の各原子の種類及
び量によっても異なることもあることから、含有せしめ
る原子の種類あるいはその量等にも考慮をはらって決定
する必要もある。

具体的には、Ｎｏｎ−ＢＣ（Ｎ、Ｘ）からなる表面保護
層を高周波（１３，５６ＭＨｘ）　プラズマＣＶＤ法に
より形成する場合、堆積室内のガス圧は、通常１ｏ−２
〜１゜Ｔｏｒｒとするが、より好ましくは５　Ｘ　１０
”〜２Ｔ。

ｒｒ、最適には０．１〜Ｉ　Ｔｏｒｒとする。また、支
持体温度は、通常５０〜７００℃とするが、特にａ−Ｂ
ｃ（Ｎ。

Ｘ）層とする場合には５０〜４００℃、Ｐｏ１ｙ−ＢＣ
（Ｈ，Ｘ）層とする場合には２００〜７００　℃とする
。更に放電パワーは通常０．０１〜５Ｗ／ｃｍ’、より
好ましくは０．０２〜２　Ｗ　／　ｃｍ２　とする、更
にまた、Ｂ供給用原料ガス、及びＣ供給用原料ガスのガ
ス流量比は、Ｂ／Ｃが１／ｌｏｏ〜１００／１、より好
ましくは１１５０〜５０／　１　、最適には！／３ｏ〜
３ｏ／１となるようにする。

また、Ｎｏｎ−ＢＣ（Ｈ，Ｘ）からなる表面保護層をマ
イクロ波（２，４５Ｇ）ＩＺ）プラズマＣＶＤ法により
形成する場合、堆積室内のガス圧は通常１０”’〜２　
Ｔｏｒｒ、より好ましくは５　Ｘ　１０−’〜１．ＯＴ
ｏｒｒとし、放電パワーは通常０．１〜ＳＯＷ　／　ｃ
ｖａ２、Ｊｕｌ）好ましくは０．２〜３０Ｗ／ｃ１とす
る。支持体温度及び各原料ガスのガス流量比は、いずれ
も前述の高周波プラズマＣＶＤ法による場合と同じであ
る。

更に、Ｎｏｎ−ＢＣ（）ｌ　、Ｘ）からなる表面保護層
をスパッタリング法により形成する場合、堆積室内のガ
ス圧は通常１Ｏ−４〜Ｉ　Ｔｏｒｒ、より好ましくは、
５×１０−４〜０．７Ｔｏｒｒとし、放電パワーは０．
０１〜ＩＯＷ／ｃｓ２、より好ましくは０．０５〜１３
’Ｗ／ｃｓ”とする、支持体温度は前述の高周波プラズ
マＣＶＯ法による場合と同じである。

また、窒素原子、酸素原子、炭素原子等を含有せしめた
ａ−５ｔ　（Ｈ，Ｘ）からなる層をグロー放’Ｋｔ去に
より形成する場合、支持体温度は、通常５０〜３５０℃
とするが、特に好ましくは５０〜２５０℃とする。

堆積室内のガス圧は通常０．０１〜Ｉ　Ｔｏｒｒとする
が、特に好ましくは０．１〜０．５　Ｔｏｒｒとする。

放電パワーはｏ、ｏｏｓ〜５０Ｗ／ｃｍ’　とするのが
通常であるが、より好ましくは０．０１〜３０Ｗ／ｃｍ
’　とする。特に好ましくは０．０１〜２０Ｗ　／　ｃ
ｍ”　とする。

ａ−５ｉＧｅ（）ｌ、Ｘ）層をグロー放電法により形成
する場合、あるいは第１ＩＩ族原子又は第■族原子を含
有せしめたａ−５ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成
する場合については、支持体温度、通常５０〜３５０℃
とするが、より好ましくは５０〜３００℃とするが、特
に好ましくは１００〜３００℃とする。そして堆積室内
のガス圧は通常０．０１〜５　Ｔｏｒｒとするが、好ま
しくは０、ＱＯｌ　〜３　　Ｔｏｒｒとし、特に好まし
くは０．０１〜ＩＴｏｒｒとする。また、放電パワーは
０．００５〜５０Ｗ／ｃａ＋２とするのが通常であるが
、好ましくは０．Ｏ１〜３０Ｗ／ｃ１１２　とする、特
に好ましくは０．０１〜２０Ｗ７ｃｍ”　とする。

しかし、これらの、層形成を行なうについての支持体温
度、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通
常には個々に独立しては容易には決め難いものである。

したがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、
相互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件
を決めるのが望ましい。

次に、グロー放電分解法によって形成される光導電部材
の製造方法について説明する。

第２図にグロー放電分解法による電子写真用光受容部材
の製造装置を示す。

図中の２０２，２０３．２０４，２０５，２０６、　の
ガスボンベには、本発明の夫々の層を形成する゛ための
原料ガスが密封されており、その１例として、たとえば
、２０２はＳｉＨ，ガス（純度９９．９９９％）ボンベ
、２０３はＮ２で希釈されたＢ２Ｏ，ガス（純度９９．
９９９％、以下ａ、Ｈ，１０２と略す）ボンベ、２０４
はＮＯガス（純度９９．５％）ボンベ、２０５はＣＨ，
ガス（純度９９．９９９％）ボンベ、２０６は８Ｊａ／
Ｈｚガス（純度９９．９９９％）ボンベである。　これ
らのガスを反応１２０１に流入させるにはガスボンベ２
０２〜２０６のバルブ、リークバルブ２３５が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ２）２〜２）６、
流出バルブ２）７〜２２）、補助バルブ２３２〜２３３
が開かれていることを確認して先ずメインバルブ２３４
を開いて反応室２゜ｌ、ガス配管内を排気する０次に真
空計２３６の読みが約５　ｘ　１０”Ｔｏｒｒになった
時点で、補助バルブ２３２〜２３３、流出バルブ２）７
〜２２）を閉じる。

基体シリンダー２３７上に第１の層領域を形成する場合
の１例をあげると、ガスボンベ２０２より５ｉｎ４ガス
、ガスボンベ、２０３よりａ、Ｈ，／＋、ガス、ガスボ
ンベ、２０４よりＮＯガス、バルブ２２２　、２２３．
２２４を開いて出口圧ゲージ２２７　、２２８　、２２
９の圧をＩ　ｋｇ／ｃｍ’に調節し、流入バルブ２）２
　、２）３，２）４を徐々に開けて、マスフロコントロ
ーラ２０７．２０８．２０９内に流入させる。引続いて
流出バルブ２）７．２）Ｂ、２）９、補助バルブ２３２
を徐々に開いて夫々のガスを反応室に流入させる。この
ときのＳｉＨ，ガス流量、８２Ｈ８／Ｈ２ガス流量、Ｎ
Ｏガス流量の比が所望の値になるように流出バルブ２）
７．２）８．２）９を調整し、又、反応室内の圧力が所
望の値になるように真空計２３６の読みを見ながらメイ
ンバルブ２３４の開口を調整する。そして基体シリンダ
ー２３７の温度が加熱ヒーター２３８により５０〜：１
５０　’Ｃの温度に設定されていることを確認された後
、電源２４０を所望の電力に設定して反応Ｎ２０１内に
グロー放電を生起させ基体シリンダー上に第１の層を形
成する。

第１の層にハロゲン原子を含有される場合には、上記の
ガスに例えば５ｉ８４ガスを更に付加して反応室２０１
　に送り込む。

各層を形成する際ガス種の選択によっては、層形成速度
を更に高めることが出来る０例えば５ｉ８４ガスの代り
に５ｔ２）１．ガスを用いて層形成を行なえば数倍高め
ることが出来、生産性が向上する。

上記の様にして作成された第１の層上に第２の層を形成
するには、流出バルブ２）７〜２２）を閉じ、補助バル
ブ２３２〜２３３を開いてメインバルブ２３４を全開し
て系内を一旦高真空に排気したのち、第１の層の形成の
際と同様なバルブ操作によってＣＭ、ガス、Ｂ、Ｈ，、
／Ｈ２ガスを所望の流量比で反応室１０１中に流し、所
望の条件に従ってグロー放電を生起させることによって
成される。

第２の層中に含有される水素原子の量を変化させる場合
には、上記のガスに例えばＨ，ガスを付加して、Ｈ２ガ
スの反応室１０１内に導入される流量を所望に従って任
意に変えることによって所望に応じて制御することがで
きる。

第２の層にハロゲン原子を含有される場合には、上記の
ガスに例えばＣＦ４ガスを更に付加して反応室１０１内
に送り込む。

夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出は全て閉
じることは言うまでもなく、又、夫々の層を形成する際
、前層の形成に使用したガスが反応室１０１内、流出バ
ルブ２）７〜２２）から反応室１０１内に至る配管内に
残留することを避けるために、流出バルブ２）７〜２２
）を閉じ補助バルブ２３２〜２３３を開いてメインバル
ブ２３４を全開して系内を一旦高真空に排気する操作を
必要に応じて行なう。

又、層形成を行なっている間は層形成の均一化を図るた
め基体シリンダー２３７は、モータ２３９によって所望
され速度で一定に回転させる。

次に、マイクロ波放電分解法によって形成される光導電
部材の製造方法について説明する。

第３図にマイクロ波放電分解法による電子写真用光受容
部材の製造装置を示す。

図中の３０２，３０３，３０４．３０５．３０６．のガ
スボンベには、未発舅の夫々の層を形成するための原料
ガスが密封されており、その１例として、たとえば、３
０２はＳｉＨ４ガス（純度９９．９９９％）ボンベ、３
０３はＨ２で希釈されたＢ２Ｈ１ｌガス（純度９９．９
９９％、以下８２８６／＋４２と略す）ボンベ、３０４
はＮＯガス（純度９９．５％）ボンベ、３０５はＣＨ，
ガス（純度９９．９９９亀）ボンベ、３０６はＢＪ６／
Ｈ２ガス（純度９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室３０１に流入させるにはガスボン
ベ３０２〜３０６のバルブ、リークバルブ３３５が閉じ
られていることを確認し、又、流入バルブ３）２〜３）
６、流出バルブ３）７〜３２）、補助バルブ３３２．３
３３が開かれていることを確認して先ずメインバルブ３
３４を開いて反応室３０１１ガス配管内を排気する１次
に真空計３３６の読みが約５　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒに
なった時点で、補助バルブ３３２．３３３流出バルブ３
）７〜３２）を閉じる。

基体シリンダー３３７上に第１の層を形成する場合の１
例をあげると、ガスボンベ３０２よりＳ：Ｈａガス、ガ
スボンベ３０３よりＢ２Ｈａ／Ｈ２ガス、ガスボンベ３
０４よりＮＯガス、バルブ３２２　、３２３．３２４を
問いて出口圧ゲージ３２７　、３２８　、　：＋２９の
圧を１　ｋｇ／ｃｍ２に調節し、流入バルブ３）２　、
３）３．３）４を徐々に開けて、マスフロコントローラ
３０７．３０１１．３０９　内ニ流入させる。引続いて
流出バルブ３）７　、３）８．３）９、補助バルブ３３
２を徐々に開いて夫々のガスを反応室に流入させる。こ
のときのＳｉＨ，ガス流量、８＊Ｈａ／）Ｉｔガス流量
、ＮＯガス流量の比が所望の値になるように流出バルブ
３）７．３）８．３）９を調整し、又、反応室内の圧力
が所望の値になるように真空計３３６の読みを見ながら
メインバルブ３３４の開口を調整する。そして基体シリ
ンダー３３７の温度が加熱ヒーター３３８により５０〜
３５０℃の温度に設定されていることを確認された後、
マイクロ波電源３４０を所望の電力に設定し、導波管３
４１及び既電体窓３４２を通して反応室３０１内にマイ
クロ波放電を生起させ基体シリンダー上に第１の層を形
成する。

第１の層にハロゲン原子を含有される場合には、上記の
ガスに例えばＳｉＦ、ガスを更に付加して反応室３０１
に送り込む。

各層を形成する際ガス種の１択によっては、層形成速度
を更に高めることが出来る６例えば５ｉ８４ガスの代り
にＳ　ｉ　、　ＩＩ　、ガスを用いて層形成を行なえば
数倍高めることが出来、生産性が向上する。

上記の様にして作成された第１の層上に第２の層を形成
するには、流出バルブＨ７〜３２）を閉じ、補助バルブ
３３２．３３３を開いてメインバルブ３３４を全開して
系内を一旦高真空に排気したのち、第１の層の形成の際
と同様なバルブ操作によってＣＨ４ガス、ａ２ｏ、／Ｆ
、ガスを所望の流量比で反応室３０１中に流し、所望の
条件に従ってマイクロ波放電を生起させることによって
成される。

第２の層中に含有される水素原子の玉を変化させる場合
には、上記のガスに例えばＨ２ガスを付加して、Ｈ２ガ
スの反応室３０１内に導入される情景を所望に従って任
意に変えることによって所望に応じて制御することがで
ざる。

第２の層にハロゲン原子を含有される場合には、上記の
ガスに例えばＣＦ４ガスを更に付加して反応室３０１内
に送り込む。

夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出は全て閉
じることは言うまでもなく、又、夫々の層を形成する際
、前層の形成に使用したガスが反応室３０１内、流出バ
ルブ３）７〜３２）から反応Ｎ３０１内に至る配管内に
残留することを避けるために、流出バルブ３）７〜３２
）を閉じ補助バルブ３３２．３３３を開いてメインバル
ブ３３４を全開して系内を一旦高真空に排気する操作を
必要に応じて行なう。

又、層形成を行なっている間は層形成の均一化を図るた
め基体シリンダー３３７は、モータ３３９によフて所望
される速度で一定に回転させる。

（実施例） 以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本
発明はこれらによって限定されるものではない。

〈実施例１〉 第２図の製造装置を用い、第１表の作成条件に従って鏡
面加工を施したアルミシリンダー上に電子写真用光受容
部材を形成した。

光受容部材（以後ドラムと表現）は、電子写真装置にセ
ットして、種々の条件のもとに、初期の帯電能、残留電
位、ゴースト等の電子写真特性をチェックし、又、ｔＳ
Ｏ万枚実機酎久耐のｉｔ能低下、表面削れ、画像欠陥の
増加等を調べた。更に、３５℃、８５％の高温高温雰囲
気中でのドラムの画像流れについても評価した。

また、ドラムに直流高圧電圧を加えることにより絶縁耐
圧を調べた。さらに、先端が球形の針に一定の荷重をか
けて、ドラム表面にキズをつけることにより、耐キズ性
を調べた。上記の評価結果を第２表に示す。

第２表に見られる様に、特に、初期帯電能、ゴースト、
画像欠陥、表面削れ、絶縁耐圧、耐キズ性の各項目につ
いて著しい優位性が認められた。

〈実施例２〉 実施例１と同様に光導電層を成膜したアルミシリンダー
を第３図の製造装置にセットして光４電層上に表面層を
第３表の作成条件に従フて成膜し、実施例１と同様の評
価を行った。

その結果を第４表に示す。

第４表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得られ
た。

〈実施例３〉 表面層の作成条件を第５表に示す数種の条件に変えた以
外は、実施例１と同様にして、複数のドラムを作成し、
実施例１と同様の評価を行った。

その結果を第５表に示す。

第５表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得られ
た。

〈実施例４〉 電荷注入阻止層、光導電層、表面層をそれぞれ第７表に
示す作成条件で実施例１と同様にドラムを作成し、同様
の評価を行った。

その結果をＨ８表に示す。

第８表にみられる様に実施例１と同様の特性が得られた
。

〈実施例５〉 アルミシリンダーに陽極酸化処理を行って、シリンダー
表面に酸化アルミニウム層（ＡＱ　ｙ　Ｏｓ　）を作成
して、これを、電荷注入阻止層とし、この層の上に光導
電層と表面層をそれぞれ実施例４と同様にドラムを作成
し、実施例１と同様の評価を行った。

その結果を第９表に示す。

第９表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得られ
た。

〈実施例６〉 長波長光吸収層（以下ｒＩＲ吸収層」と称す。）光導電
層、表面層をそれぞれ、′ｆＳ＋ｏ表に示す作成条件で
、実施例１と同様にドラムを作成し、同様の評価を行り
た。

さらに７８５ｎｍの波長を有する半導体レーザーを画像
露光の光源に用いる電子写真装置にドラムをセットして
、画像上に干渉縞が現われるかチェックした。

その結果を第１１表に示す。

第１１表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得ら
れ、干渉縞も現われなかった。

〈実施例７〉 密着層、光導電層、表面層をそれぞれ、第１２表に示す
作成条件で、実施例１と同様にドラムを作成し、同様の
評価を行フた。

その結果を第１３表に示す。

第１３表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得ら
れた。

く実施例８〉 ＩＲ吸収層、電荷注入阻止層、光導電層、表面層を、そ
れぞれ、第１４表に示す作成条件で実施例１と同様にド
ラムを作成し、実施例６と同様の評価を行った。

その結果を第１５表に示す。

第１５表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得ら
れた。

〈実施例９〉 密着層、電荷注入阻止層、光導電層、表面層をそれぞれ
、第１６表に示す作成条件で実施例１と同様にドラムを
作成し、同様の評価を行った。

その結果を第１７表に示す。

第１７表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得ら
れた。

〈実施例１０〉 密着層、ＩＲ吸収層、電荷注入阻止層、光導電層、表面
層を、それぞれ、第１８表に示す作成条件で、実施例１
と同様にドラムを作成し、実施例６と同様の評価を行っ
た。

その結果を第１９表に示す。

第１９表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得ら
れた。

〈実施例１１＞ 光導電層の作成条件を第２０表に示す数種の条件に変え
、それ以外は実施例１と同様の条件にて、複数のドラム
を用意した。

これらのドラムを実施例１と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例１と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１２＞ 光導電層の作成条件を第２）表に示す数種の条件に変え
、それ以外は実施例２と同様の条件にて、？３）数のド
ラムを用意した。

これらのドラムを実施例２と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例２と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１３〉 光導電層の作成条件を第２２表に示す数種の条件に変え
、それ以外は実施例３と同様の条件にて、複数のドラム
を用意した。

これらのドラムを実施例３と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例３と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１４＞ 電荷注入阻止層の作成条件を第２３表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例４と同様の条件にて、複数の
ドラムを用意した。

これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例４と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例ｔＳ＞ 電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第２５表に示す数種の条
件に変え、それ以外は実施例４と同様の条件にて、第２
６表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例４と同様の、評価にかけた結果
、いずれも実施例４と同様に、へ子写真特性を十分に満
足するドラムが得られた。

〈実施例＋８＞ 電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の条
件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す条件にて
、第２９表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例４と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１７〉 電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の条
件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す条件にて
、第３）表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例４と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１８＞ 光導電層の作成条件を第２５表に示す数種の条件に変え
、をれ以外は実施例５と同様の条件にて、第３２表に示
す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例５と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例５と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１９〉 表面層の作成条件を第２８表に示す条件に変え、光導電
層の作成条件を第２７表に示す数種の条件に変え、それ
以外は実施例５と同様の条件にて、第３３表に示すａ数
のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例５と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例５と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２０〉 表面層の作成条件を第３０表に示す条件に変え、光導電
層の作成条件を第２７表に示す数種の条件に変え、それ
以外は実施例５と同様の条件にて、第３４表に示す複数
のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例５と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例５と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２）〉 ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３６表に示す数種の条
件に変え、それ以外は実施例６と同様の条件にて、纂３
７表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例６と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例６と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２４〉 ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す数種の条
件に変え、光４′ｔＬＮの作成条件を第２５表に示すｉ
種の条件に変え、それ以外は実施例６と同様の条件にて
、第３９表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例６と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例６と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２３〉 ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す数種の条
件に変え、光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の
条件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す条件に
て、第４０表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例６と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例６と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２４〉 ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す数種の条
件に変え、光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の
条件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す条件に
て、第４１表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例６と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例６と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２５〉 密着層の作成条件を第４２表に示す数種の条件に変え、
それ以外は実施例７と同様の条件にて、第４３表に示す
複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例７と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２６〉 密着層の作成条件を第４４表に示す数種の条件に震え、
光導電層の作成条件を第２５表に示す数種の条件に変え
、それ以外は実施例７と同様の条件にて、第４５表に示
す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例フと同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２７〉 密着層の作成条件を第４４表に示すａ種の条件に変え、
光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の条件に変え
、表面層の作成条件を第２８表に示す条件にて、第４６
表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例７と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２８〉 密着層の作成条件を第４４表に示す数種の条件に変え、
光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の条件に変え
、表面層の作成条件を第３０表に示す条件にて、第４７
表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例７と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２９〉 ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３６表に示す数種の条
件に変え、それ以外は実施例８と同様の条件にて、第４
８表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３０〉 電荷注入阻止層の作成条件を第４９表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、それ以外は実施例８と同様の条件に
て、第５０表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３）＞ 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す
条件にて、第５２表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３２〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す
条件にて、第５３表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３３〉 密着層の作成条件を第４４．５４表に示す数種の条件に
変え、それ以外は実施例９と同様の条件にて、第５５表
に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例９と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３４〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５６表に示す数種の条件
に変え、密着層の作成条件を第４４．５７表に示す数種
の条件に変え、それ以外は実施例９と同様の条件にて、
第５８表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例９と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３５〉 電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、π着層の作成条件を第４４．５７表に示す数種
の条件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す条件
にて、′！ｆ％５９表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例９と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３６〉 電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、π着層の作成条件を第４４．５７表に示す数種
の条件に変え、表面層の作成条件を５３゜表に示す条件
にて、第６０表に示す？１数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例９と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３７〉 電荷注入阻止層の作成条件を第６１表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例ＩＯと同様の条件にて、第６
２表に示す？３）数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例１Ｏと同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１Ｏと同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例３８〉 電荷注入阻止層の作成条件を第６４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第６３表に示す数種の条
件に変え、それ以外は実施例１０と同様の条件にて、第
６５表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例１０と同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１０と同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例３９〉 電荷注入阻止層の作成条件を第６４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第６６表に示す数種の条
件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す条件にて
、第６７表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例１Ｏと同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１Ｏと同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例４０〉 電荷注入阻止層の作成条件を第６４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第６６表に示す数種の条
件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す条件にて
、第６８表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例１０と同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１Ｇと同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例４１〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光４７Ｘ層の作成条件を第６９表に
示す条件にして、表面層の作成条件を第７０表に示す条
件にて、Ｓ７１表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４２〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ％収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第７２表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第７０表に示す条件
にて、第７３表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４３〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第６９表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第２８表に示す条件
にて、第７４表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４４〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第７２表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第２８表に示す条件
にて、第７５表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実２ｉｉ！ｉ−例８と同様の評価にか
けた結果、いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を
十分に満足するドラムが得られた。

〈実施例４５〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第６９表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第３０表に示す条件
にて、第７６表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４６〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第７２表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第３０表に示す条件
にて、第７７表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４７〉 電荷注入阻止層、光導電層の作成条件を第７８表に示す
条件にして、表面層の作成条件を第７９表に示す複数の
ドラムを用意した。

これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例４と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４８〉 ＩＲ１収層１電荷注入阻止層、光導電層の作成条件を第
８０表に示す条件にして、表面層の作成条件をＩａｔ表
に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４９〉 密着層、ＩＲ吸収層、電荷注入阻止層、光４電層の作成
条件を第８２表に示す条件にして、表面層の作成条件を
第８３表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例ＩＯと同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１Ｏと同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例５０〉 電荷注入阻止層、光導電層、中間層、表面層をそれぞれ
第８４表に示す作成条件で、実施例１と同様にドラムを
作成し、同様の評価をかけた結果、実施例１と同様に、
きわめてすぐれた電子写真特性のドラムが得られた。

〈実施例５１＞ 鏡面加工を施したシリンダーを更に様々な角度を持つ剣
バイトによる旋慇加工に供し、第４図のような断面形状
で第８５表のような種々の断面パターンを持つシリンダ
ーを複数本用意した。該シリンダーを順次第２図の製造
装置にセットし、実施例１と同様の作成条件の基にドラ
ム作成に供した。作成されたドラムを実施例１と同様の
評価を行った結果、いずれも実施例１と同様に、電子写
真特性を十分に満足するドラムが得られた６〈実施例５
２〉 鏡面加工を施したシリンダーの表面を、引続き多数のベ
アリング用球の落下の基にざらしてシリンダー表面に無
数の打痕を生じせしめる、所謂表面ディンプル化処理を
施し、第５図のような判断形状で、第８６表のような種
々の断面パターンを持つシリンダーを複数本用意した。

該シリンダーを順次第２図の製造装置にセットし、実施
例１と同様の作成条件の基にドラム作成に供した。作成
されたドラムを実施例１と同様の評価を行った結果、い
ずれも実施例１と同様に、電子写真特性を十分に満足す
るドラムが得られた。

第２３表 第２４表 第２５表 第　　３２　　表 第　　３３　　表 第　　３４　　表 ′ｆ％３５表 第　３５　表（つづき） 第３６表 Ｔ％　３６　表（つづき） 第３７表 第３８表 第　３８　表（つづき） 第３９表 第４０表 第４１表 第４３表 第４５表 第４６表 第４７表 第４８表 第４９表 第５０表 第５１表 第５２表 第５３表 第　　５５　　表 第５６表 第６１表 第６２表 第６４表 第６５表 第６７表 第６８表 第７１表 第７３表 第７４表 第７５表 第　７６表 第７７表 ｙ、　ａｓ表 第８６表 （発明の効果の概略） 本発明の光受容部材は、必要に応じて水素原子又はハロ
ゲン原子の少なくとも一方を含有する非単結晶質炭化ホ
ウ素で構成された表面保護層を設けたことにより、光受
容部材表面の機成的損傷およびコロナ放電により生じる
イオンやオゾンによる変質を有効に防止することができ
るとともに、帯電能や暗減衰等の電子写真特性にも優れ
たものが得られ、本発明の光受容部材を電子写真用像形
成部材として適用させた場合には、残留電位の影響が全
くなく、その電気的特性が安定しており、それを用いて
得られた画像は、ゴーストの発生、画像欠陥等のないす
ぐれたものとなる。

【図面の簡単な説明】

′ｓ１（＾）〜（Ｔ）図は本発明の光受容部材の層構造
の典型例のいくつかを模式的に示した図であり、第２．
３図は本発明の光受容部材を製造するための装置の典型
で、第２図はグロー放電法による製造装置の模式的説明
図であり、第３図は、マイクロ波放電法による製造装置
の模式的説明図である。第４図及び第５図は、本発明の
光受容部材の支持体の断面形状の例を示す図である。 １００・・・光受容部材、１０１・・・支持体、１０２
・・・光導電層、１０３・・・表面保護層、１０４・・
・電荷注入阻止層、１０５・・・長波長光吸収層、１０
６・・・密着層、１０７・・・自由表面、１０８・・・
中間層、２０１　、３０１・・・反応室、２０２〜２０
６．３０２〜３０６・・・ガスボンベ２０７〜２）１　
、３０７〜３）１・・・マスフロコントローラ、２）２
〜２）６　、３）２〜３）６・・・流入バルブ２）７〜
２２）　、　：１１７〜３２）・・・流出バルブ、２２
２〜２２６．３２２〜３２６・・・バルブ２２７〜２３
）　、３２７〜３３）・・・圧力調整器、２：１２．２
３３　、　：１３２　、３３３・・・補助バルブ、２３
４　、３３４・・・メインバルブ、２：１５　、３３５
・・・リークバルブ、２３８　、１：１６・・・真空計
、２３７．３３７・・・基体シリンダー、２３８　、３
３８・・・加熱ヒーター、２３９　、３３９・・・モー
ター、２４０　、　：１４０・・・高周波電源、３４１
・・・　導波管、３４２・・・　訪電体窓第１図 第１１ 図

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体と、該支持体上に、シリコン原子を母体と
   し、水素原子又はハロゲン原子のうちの少なくともいず
   れか一方を含有するアモルファス材料で構成された光導
   電層と、表面保護層とを少なくとも有する光受容層とか
   らなる光受容部材において、前記表面保護層が、水素原
   子又はハロゲン原子の少なくとも一方を含有する非単結
   晶質炭化ホウ素で構成されていることを特徴とする光受
   容部材。
2. （２）前記光受容層が、３層以上の多層構成である特許
   請求の範囲第（１）項に記載された光受容部材。
3. （３）前記光受容層が、電荷注入阻止層を有する特許請
   求の範囲第（２）項に記載された光受容部材。
4. （４）前記光受容層が、長波長光吸収層を有する特許請
   求の範囲第（２）項に記載された光受容部材。
5. （５）前記光受容層が、接着性を改善する機能を備えた
   接着層を有する特許請求の範囲第（２）項に記載された
   光受容部材。
6. （６）前記光導電層と前記表面保護層との間に中間層を
   有する特許請求の範囲第二項に記載された光受容部材。