JPS62272273A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 （発明の属する技術分野） 本発明は、シリコン原子を母体とするアモルファスシリ
コンで構成された光導電層を有する光受容部材、特に優
れた特性を有する表面保護層を前記光導電層上に設けた
電子写真用感光体に適した光受容部材に関する。

（従来技術の説明） 従来、電子写真用感光体等に用いられる光受容部材とし
ては、その光感度領域の整合性が他の種類の光受容部材
と比べて優れているのに加えて、ビッカース硬度が高く
、公害の問題が少ない等の点から、例えば特開昭５４−
４６３４１号公報や特開昭５６−１１４７４δ号公報に
みられるようなシリコン原子を母体とし水素原子又はハ
ロゲン原子のうちの少なくともいずれか一方を含有する
アモルファス材料（以後、　’ａ−５ｉ（Ｉｔ、Ｘ）　
Ｊと表記する）光受容部材が注目されてしする。

ところでこうした光受容部材は、支持体上に、ａ−５１
（Ｉ（、Ｘ）で構成される光導電層を有するものである
ところ、該光導電層が帯電処理を受けた際に自由表面側
から先導１ｔＦｌ中に電荷が注入されるのを阻止すると
ともに、該光導電層の耐湿性、連続縁り返し使用特性、
電気的耐圧性、使用環境特性、および耐久性等を向上せ
しめ、長期間安定した画像品質を得るために、該光導′
ｒＦｉ層上に表面保護層を設けることが知られている。

そして、前記表面保護層については、前述の各種機能を
効率的に発揮することが要求されるところ、種々の高抵
抗でかつ充分な光透過性を有する非単結晶質材料、即ち
、アモルファス材料又は／及び多結晶質材料を用いるこ
とが提案されており、それらの提案の１つとしてリン化
ホウ素を含有するアモルファス材料（以後’ａ−８Ｐ」
と表記する。）で構成された薄膜を用いることが知られ
ている。（特開昭６０−６１７６０号公報参照）しかし
、前記ａ−ＢＰで構成された薄膜を表面保護層として用
いた場合は、クリーニングブレード等の接触をはじめと
する種々の機械的損傷を防止し、更に、？電時のコロナ
放電で生じるオゾンやイオンによる光受容部材表面の変
質を防止するのに特に有効であるが、該ａ−ＢＰで構成
された表面保護層を用いた光受容部材は、帯電能及び暗
減衰等の電子写真特性が不充分であって、こうした光受
容部材を用いて画像形成を行なう場合には画像上にゴー
ストが生じる等の画像品質の劣化となって現われるとい
う問題がある。

（発明の目的〕 本発明は、電子写真用感光体等に用いられる光受容部材
における表面保護層に関わる上述の問題を解決して、長
期間にわたって所望の機能を奏するものとした改善され
た表面保護層を有する光受容部材を提供することを主た
る目的とするものである。

本発明の他の目的は、常時安定した帯電能を有し、長期
間にわたって優れた品質の画像が得られる電子写真用感
光体等に用いられる光受容部材を提供することにある。

（発明の構成〕 本発明者らは、電子写真用感光体等に用いられる光受容
部材における表面保護層に関わる前述の諸問題を解決し
、上述の本発明の目的を達成すべく鋭意研究を重ねたと
ころ、水素原子又はハロゲン原子の少なくとも一方を含
有する非単結晶質リン化窒素（以下、ｒ　Ｎｏｎ−ＢＰ
（Ｈ，Ｘ）　Ｊと表記する。）薄膜を表面保護層として
用いることにより、前述の諸問題を解決しつるという知
見を得た。

即ち、Ｎｏｎ−ＢＰ　（Ｉｔ　、Ｘ）で構成された薄膜
を電子写真感光体用光受容部材の表面層Ｍ’ＡＮとして
用いる場合、非単結晶質リン化窒素中に含有された水素
原子（１１）又はハロゲン原子（Ｘ）の少なくとも一方
によって、非単結晶質リン化窒素の未結合手が補償され
、欠陥が非常に少ない表面保護膜が得られる。更に非単
結晶質リン化窒素中に水素原子又はハロゲン原子の少な
くとも一方を含有せしめることにより、非単結晶質リン
化窒素薄膜を１１が成する夫々の原子の実効的な配位数
が減少し、該薄膜の柔軟性が増加するため、該薄膜を用
いた表面保護層は膜の欠陥が減少するとともに、該層の
下に設けられた他の層との密着性も改善されるところと
なる。

こうしたことから、Ｎｏｎ−ＢＰ　（）Ｉ　、　Ｘ）で
構成された表面保護層を有する電子写真感光体用光受容
部材は、帯電能が高く、暗減衰が少なく、高感光で、画
像流れのない等の電子写真感光体が有するへき計時性に
優れ、更にｍ械的強度が強く、耐環境性の良好なものを
得ることができる。

また、本発明者らは、前述のＮｏｎ−ＢＰ　（）１．Ｘ
）で構成された表面保護層を用いた場合について更に検
討を続けたところ、該Ｎｏｎ−ＢＰ　（Ｈ，Ｘ）に価電
子制御剤を含有せしめることにより、表面保護層中への
―像露光後の電荷の蓄積を防止し、画像流れ、残留電位
の発生が生じない光受容部材が得られることが判明した
。

即ち、電子写真用光受容部材として用いた場合、画像露
光後に光受容部材の表面層に電荷が蓄積すると、蓄積し
た電荷が表面層と光導電層の界面近傍で水平方向に移動
し、形成された画像には画像滴れとなって現われるが、
本発明の光受容部材においては、表面保護層中に価電子
制御剤を含有せしめることにより、画像露光後に表面保
護層中に移動してきた電荷を、表面保護層の自由表面ま
で移動させることができるため、画像流れや残留電位の
発生を防止することができるものである。

本発明は、これらの知見に基づいて完成せしめたもので
あって、その骨子とするところは、支持体と、該支持体
上に、シリコン原子を母体とし、水素原子又は、ハロゲ
ン原子のうちの少なくともいずれか一方を含有するアモ
ルファス材料で構成された光導電層と、表面保護層とを
少なくとも有する光受容層とからなる光受容部材におい
て、前記表面保護層が、水素原子又は、ハロゲン原子の
少なくとも一方を含有する非単結晶質リン化ホウ素で構
成されており、かつ価電子制御剤を含有する光受容部材
にある。

本発明により提供される光受容部材は、その表面保護層
に特徴を有するものであるところ、支持体はもとより、
光導電層を始めとする他の構成層は用途目的に応じて任
意に選択することができる。　したがって以下に本発明
の光受容部材についてその層構成の典型例を、電子写真
用のものにする場合について説明するが本発明の光受容
部材はこれにより限定されるものではない。

第１（＾）乃至（［）図は、電子写真用のものにした本
発明の光受容部材の層構成の典型的な例を模式的に示す
図である。

第１（Ａ）図に示す例は、支持体＋０１上に、光導電Ｆ
１１０２及び表面保護層１０３をこの順に設けたもので
あり、表面保護Ｆ１１０３は自由表面１０７を有してい
る。

第１（Ｂ）図に示す例は、支持体上１０１に、電荷注入
阻止層１０４、光導電層１０２及び表面保護層＋０３を
この順に設けたものである。

第１（Ｃ）図に示す例は、支持体上１０１に、長波長光
吸収Ｆｌ１０５、光導電Ｆ１１０２及び表面保護層１０
３をこの順に設けたものである。

第１（Ｏ）図に示す例は、支持体上ｌｏｔに、密着層１
０６、光導電ＦＪ　１０２及び表面保護層１０３をこの
順に設けたものである。

第１（Ｅ）図に示す例は、電荷注入阻止層１０４、密着
層１０６、光導電層１０２及び表面保護層１０３をこの
順に設けたものであり、第１（Ｆ）に示す例は、長波長
光吸収層１０５、密着層ｔＯａ、光導電層１０２及び表
面保護層１０３をこの順に設けたものである。

第１（Ｇ）図に示す例は、支持体上１０１に、長波長光
吸収層１０５、電荷注入阻止１ｉ１１０４．光導電層１
０２及び表面保護層１０３をこの順に設けたものであり
、語例においては長波長光吸収層１０５、及び電荷注入
阻止層１０４の順序を入れかえることもできる。

第１（１図に示す例は、支持体上！０１に、長波長光吸
収層１０５、電荷注入阻止層１０４、光導電１’３１０
２及び表面保護層１０３をこの順に設けたものである。

　第１（Ｉ）図に示す例は、支持体上１０１に、電荷注
入阻止層ＩＱ４、先導′２Ｉｔ居１０２、中間層１０８
及び表面保護層１０３をこの順に設けたものである。

本発明の光受容部材に用いる支持体１０１は、導電性の
ものであっても、また電気絶縁性のものであってもよい
、導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレ
ス、八Ｑ、　Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ
、ｐｔ、ｐｂ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等の
電気絶縁支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層を設
けるのが望ましい。

例えばガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、＾Ｑ　
、　Ｏｒ、Ｍｏ、Ａｕ、［ｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、
Ｐｔ、Ｐｄ、ＩｎＯ２、ＩＴＯ（Ｉｎ、ｏ３＋Ｓｎ）等
から成る薄膜を設けることによって導電性を付与し、或
いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれ
ば、ＮｉＣｒ、八Ｑ、八ｇ、ｒｂ、Ｚｎ、Ｎ　ｔ、　Ａ
ｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、ＴＱ、Ｐｔ等
の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリ
ング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラ
ミネート処理して、その表面に導電性を付与する。支持
体の形状は平滑表面或いは凹凸表面の板状無端ベルト状
又は円筒状等であることができ、その厚さは、所望通り
の光受容部材を形成しつる用に適宜決定するが、光受容
部材としての可撓性が要求される場合には、支持体とし
ての機能が充分発揮される範囲内で可能な限り薄くする
ことができる。しかしながら、支持体の製造上及び取り
扱い上、機械的強度等の点から、通常は、１０μ以上と
される。

第１（Ｂ）図に示す本発明の光受容部材において、支持
体１０１　と光導電層１０２の間に設けられる電荷注入
阻止層１０４は、光導電層１０２が帯電処理を受けた際
に支持体側から光導電層１０２中に電子が注入されるこ
とを阻止するために設けられる層であり、該電荷注入阻
止層１０４は、水素、又は多結晶シリコン（以後、’ｐ
ｏｌｙ−５ｔ　（）１．Ｘ）　Ｊと呼称する、）、ある
いは両者を含むいわゆる非単結晶シリコン（以後、’Ｎ
ｏｎ−５Ｌ（Ｉｔ、Ｘ）」　と呼称する。）〔なお、微
結晶質シリコンと通称されるものはａ−５＋に分類され
る。〕に、周期律表第■族に属する原子（以後、車に「
第１ＩＩ族原子」と称す。）または周期律表第Ｖ族に属
する原子（以後、単に「第■族原子」と称す。）を含有
せしめたもので構成されている。

該電荷注入阻止層１０４に含有せしめる第１ＩＩ族原子
としては、具体的には、Ｂ（硼素）、八Ｑ　（アルミニ
ウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、ＴΩ
（タリウム）等を用いることができるが、特に好ましい
ものは、８、Ｇａである。また第■族原子としては、具
体的には、Ｐ（ｆｉｌ、八Ｓ（砒素）、ｓｂ（アンチモ
ン）、Ｂｉ　　（ビスマス）等を用いることができるが
、特に好ましいものはＰ、＾Ｓである。そして電荷注入
阻止層１０４に含有せしめる第１Ｈ族原子又は第Ｖ族原
子の量は３〜５　Ｘ　ｌｏ’ａｔｏＩＩｌｉｃ　ｐｐｍ
、好ましくは５０〜Ｉ　Ｘ　１０’ａｔｏＩｌｉｃ　ｐ
ｐｍ、　１　ｘ　１０２〜５　ｘ　ｌｏ３ａｔｏｍｉｃ
ｐｐ■とすることが望ましい。

又、電荷注入阻止層１０４中に含有せしめるハロゲン原
子又は水素原子の量は、ｌＸＩＯ３〜７×ｔｏ’　ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍとし、特にｐｏｌｙ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ
）で構成される場合には好ましくはｌＸｌ０’〜２　Ｘ
　１０５１０５ａｔｏ　ｐｐＩｌｌとし、ａ−５ｔ（Ｈ
，Ｘ）で構成される場合には１　ｘ　１０’　〜６　ｘ
　ｌＱ’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとすることが望ましい。

　更に、本発明の光受容部材の電荷注入阻止層＋０４の
層厚は０．０３〜１５μ、好ましくは０．０４〜ｌＯμ
、最適には０．０５〜８μとするのが望ましい。

第１（Ｃ）図に示す本発明の光受容部材において、支持
体ＬＱＩ　と光導電ｊｌ　１０２　どの間に設けられる
長波長光吸収１ｉＪ　１０５は、ゲルマニウム原子（Ｇ
ｅ）又はスズ原子（Ｓｎ）のうちの少なくとも一方を含
有するＮｏｎ−５ｉ　（１１，Ｘ）で構成される層であ
り、露光光源としてレーザー光等の長波長光を用いた際
に、光導電層１０２において吸収しきれなかった長波長
光を該長波長光吸収層１０５が効率的に吸収することに
より、支持体１（１１表面での長波長光の反射による干
渉現象の現出を顕著に防止する機能を有するものである
。そして該長波長光吸収層１０５中に含有せしめるＧｅ
原子の量又はＳｎ原子の量あるいはそれらの和は、１〜
ｌＯ’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、好ましくはＩＸ　１０’
　〜９　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好ま
しくは５ｘ　１０２〜８　ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍとすることが望ましい、また長波長光吸収層１０
５中に含有せしめる水素原子又はハロゲン原子の量は、
好ましくは１×１０３〜３　ｘ　１０’ａｔｏＩＩｌｉ
ｃ　ｐｐｍとすることが望ましく、特にｐｏｌｙ−５ｉ
　（Ｇｅ、Ｓｎ）　（Ｉｌ、Ｘｌの場合好ましくはＩ　
Ｘ　１０’　〜２　ｘ　ｌＯ’ａｔｏｍｆｃ　ｐｐｍ　
とし、ａ−５ｉ（Ｇｅ。

Ｓｎ）　（Ｈ，Ｘ）の場合好ましくはＩ　ＸＩＯ’　〜
６　ＸＩＯ’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｌｌｌとすることが望
ましい。

更に本発明の光受容部材における長波長光吸収［１０５
の層厚は、Ｏ，ｏｓ〜２５ｕ、好ましくは０．０７〜２
０μ、最適には、０１〜１５μとするのが望ましい。

第１（Ｄ）図に示す本発明の光受容部材において、支持
体１０１　と光導電層１０２との間に設けられる密着層
ＩＱ６は、支持体１０１と光導電層１０２との密着性を
改善せしめる機能を奏する層であって、酸素原子、炭素
原子および窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を
含有するＮｏｎ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ）　（以後、’Ｎｏｎ
−５Ｉ　（０、Ｃ、Ｎ）　（）Ｉ　、　Ｘ）　Ｊと表記
する。）テ構成されている。そして該密着層１０６中に
含有せしめる酸素原子炭素原子、窒素原子の量、又はそ
れらの中の少なくとも２つ以上の和は、　１００〜９　
Ｘ　１０’ａｔｏＩＩｌｉｃ　ｐｐｍ好ましくは　１０
（１〜４　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとするこ
とが望ましい。また、該密着層１０６中に含有せしめる
水素原子又はハロゲン原子の量あるいはそれらの和は好
ましくは１０〜７　Ｘ　１０’ａｔｏａ＋ｉｃｐｐｍと
し、特にｐｏｌｙ−５ｔ（０，Ｃ，Ｎ）　（ＩＩ、Ｘ）
の場合には１（１〜２　ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ、ａ−５＋（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）の場合には１
　ｘ　１０’　〜７　ｘ　ｌｏ５ａｔｏｍｉｃ　ＰＰ＋
Ｉ＋とすることが望ましい。

ところで、本発明の光受容部材における電荷注入阻止層
１０４、長波長光吸収層１０５及び密着層１０６は、こ
れらを組み合わせて用いることが可能であり、その典型
的な例を示したものが第１（Ｅ）図乃至（１図である。

更に、本発明の光受容部材においては、電荷注入阻止層
１０４又は長波長光吸収Ｆｌ　１０５中に酸素原子、炭
素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を
含有せしめることにより、これらの層に密着層としての
機能を兼ねそなえさせることも可能であり、また、長波
長光吸収１ｉ１１０５中に第１１１族原子又は第Ｖ族原
子を含有せしめるか、あるいは電荷注入阻止層１０４中
にゲルマニウム原子又はスズ原子を含有せしめることに
より、これら両層の機能を兼ねそなえた層とすることが
できる。

ところで、本発明の光受容部材における電荷注入阻止Ｆ
１１０４．長波長光吸収層１０５及び密着層１０１ｉは
、Ｎｏｎ−５ｔ　（１１，Ｘ）を母体とする材料で構成
されているが、ｐｏ　１ｙ−５ｉ　（Ｈ、Ｘ）で構成さ
れる層を形成するについては種々の方法があり、例えば
次のような方法があげられる。

その１つの方法は、基体温度を高温、具体的には４００
〜４５０℃に設定し、該基体上にプラズマＣＶＤ法によ
り膜を堆積せしめる方法である。

他の方法は、基体表面に先ずアモルファス状の膜を形成
、即ち、基体温度を約２５０℃にした基体上にプラズマ
ＣＶＤ法により膜を形成し、該アモルファス状の膜をア
ニーリング処理することによりｐｏｌｙ化する方法であ
る。該アニーリング処理は、基体を４００〜４５０℃に
約２０分間加熱するか、あるいは、レーザー光を約２０
分間照射することにより行なわれる。

本発明の光受容部材の光導電層１０２は、ａ−５ｔ（Ｈ
。

Ｘ）またはａ−５ｉ（Ｇｅ、Ｓｎ）　（Ｈ，Ｘ）で構成
され、光導仏性を有する層であって、該層にはさらに、
第１ＩＩ族原子又は第■族原子又は／及び酸素原子、炭
素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を
含有せしめることができる。

光導１！Ｆ１１０２中に含有せしめるハロゲン原子（×
）としては、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が
挙げられ、特にフッ素、塩素を好適なものとして挙げる
ことができる。そして光導電層１０２中に含有せしめる
水素原子（ＩＩ）の量又はハロゲン原子（Ｘｌの量、あ
るいは水素原子とハロゲン原子の量の和（ＩＤＸ）は、
好ましくは１〜４Ｑａｔｏｍｉｃ零、より好ましくは５
〜３０ａｔｏｍｉｃ％とするのが望ましい。　また、光
！４電層１０２中に第１ＩＩ族原子原子又は第Ｖ族原子
を含有せしめる目的は、光導電層１０２の伝導性を制御
することにある。このような第■族原子及び第Ｖ族原子
としては、前述の電荷注入阻止層１０４中に含有せしめ
るものと同様のものを用いることができるが、光導電層
１０２に含有せしめる場合には、電荷注入阻止層１０４
に含有せしめたものとは逆の極性のものを含有せしめる
か、あるいは電荷注入阻止層１０４に含有せしめたもの
と同極性のものを該層１０４に含有される量より一段と
少ない量にして含有せしめることができる。

光導？ＩｔＦｌ１０２中に含有せしめる第１ＩＩ族原子
又は第■族原子の量は、好ましくはＩ　Ｘ　１０−’〜
１×１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好ましくは５
　Ｘ　１０−２〜５　Ｘｔｏ”　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
、最適にはＩ　Ｘ　１０−’〜２　Ｘ　１０”ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｆｆｉとすることが望ましい。

また光導電層１０２中に、酸素原子、炭素原子及び窒素
原子の中から遭ばれる少なくとも一種を含有せしめる目
的は、光導電ＦＪ　１０２の高暗抵抗化をはかるととも
に、光導電層１０２の膜品質を向上せしめることにある
、そして、光導電＠　１０２に含有せしめるこうした原
子の量は、好ましくは１×１０−’　〜５０ａｔｏａｌ
ｉｃ％、より好ましくは２　Ｘ　１０−３〜４０ａｔｏ
ｍｉｃＪ最適には３　ｘ　１０−３〜３０ａｔｏｍｉｃ
％とするのが望ましい。

更に、光導電層１０２中に、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）
又はスズ原子（Ｓｎ）のうちの少なくとも一方を含有せ
しめることができるが、こうした原子を含有せしめる目
的は、レーザー光などの長波長光に対する感度を向上せ
しめることにあり、この場合、光導電層１０２中に含有
せしめるこれらの原子の量は、好ましくは１〜９．５　
ｘ　ｌｏＩｌａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとするのが望ましい
。

また、本発明の光受容部材において、光導電層の層厚は
、本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因の１
つであって、光受容部材に所望の特性が与えられるよう
に、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要が
あり、通常は１〜１００μとするが、好ましくは３〜ａ
θμ、最適には５〜５０μとする。

本発明の光受容部材において特徴とするところの表面保
護石工０３は、前述の光導電Ｎ１０２上に位置して設け
られ、自由表面１０７を有するものである。そして該表
面保ｇ（［Ｆ１１０３は、光受容部材に要求される計時
性、即ち、耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧
性、使用環境特性、および耐久性等を向上せしめ、特に
光受容部材表面の機械的損傷およびコロナ放電により生
じるイオンやオゾンによる変質を防止する機能を有する
とともに、帯電能及び暗減衰等の電子写真特性が優れて
おり、画像形成時における画像流れや残留電位の発生を
有効に防止する機能を奏するものである。

かくなる本発明の光受容部材の表面保護層１０３は、価
電子制御剤および水素原子又はハロゲン原子の少なくと
も一方を含有する非単結晶質リン化ホウ素（’Ｎｏｎ−
ＢＰ　（Ｈ，Ｘ）Ｊ、即ちアモルファスリン化ホウ素（
以後ｒａ−Ｂｐ（Ｈ，Ｘ）」と表記する。、）又は多結
晶質リン化ホウ素〔以後、’ｐｏｌｙ−ＢＰ（１１，Ｘ
）」　と表記する。〕あるいは両者の混合物で構成され
るものである。

本発明の表面保護ＪｉｌｌＱ３中に含有せしめる価電子
制御剤としては、正帯電の場合にはドナーとして機能す
るドーパントが用いられ、負帯電の場合にはアクセプタ
ーとして機能するドーパントが用いられる。具体的には
、前者の例として、ケイ素原子（Ｓｔ）　、ゲルマニウ
ム原子（Ｇｅ）、イオウ原子（Ｓ）、セレン原子（Ｓｅ
）あるいはこれらのうちの２つ以上を混合したものがあ
げられ、後者の例として、ベリリウム原子（８ｅ）、マ
グネシウム原子（Ｍｇ）亜鉛原子（Ｚｎ）、カドミウム
原子（ｌａｄ）、水銀原子（Ｈｇ）、炭素原子（Ｃ）、
ケイ素原子（Ｓｔ）、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）、ある
いはこれらのうちの２つ以上を混合したものがあげられ
る。

そして、表面保護層中に含有せしめるこれらの価電子制
御剤の量は、通常は１０００　ａｔｏｍｉｃ　１１ｐ０
１以下とするが、好ましくは７００　　ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ以下、最適には　５００　　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ以下とするのが望ましい。　　また、該表面保護層１
０３を構成するＮｏｎ−ＢＰ（ｌＩ、Ｘ）の組成比を （ＢｌｌＰ＋−）　＋−，（Ｉｔ、Ｘ）。

で表わすと、次の条件を満足していることが望ましい。

Ｘについて； ０．１≦Ｘ≦０．９、好ましくは０．２≦Ｘ≦０８最適
には０．３≦Ｘ≦０．７ ｙについて； ０．１≦ｙ≦４０、好ましくは０．５≦ｙ≦３０最適に
は０．６≦ｙ≦２０ 本発明の光受容部材においては、表面保護層１０３の層
厚も本発明の目的を効率的に達成するために重要な要因
の１つであり、所望の目的に応じて適宜決定されるもの
であるが、表面保護層に含有せしめる４み成原子の量、
あるいは表面保護層に要求される特性に応じて相互的か
つ有機的関連性の下に決定する必要がある。更に生産性
やｆｎａ性も加味した経済性の点においても考慮する必
要もある。

こうしたことから、本発明の光受容部材の表面保護層１
０３の層厚は、好ましくは０００３〜３０μ、より好ま
しくは０．００４〜２０μ、最適には０００５〜１０μ
である。

更に本発明の光受容部材においては、前述の表面保護層
１０３と光導１ｉＮ１０２との間に中間層１０８を形成
せしめてもよい。該中間層１０８は、炭素原子を含有す
ルａ−５ｉ　（Ｉｔ　、　Ｘ）又はｐｏｌｙ−５ｔ（Ｈ
，Ｘ）で構成されており、該中間層１０８中に含有せし
める炭素原子の量は、好ましくは２０〜９０ａｔｏｍＬ
ｃ％、より好ましくは３０〜［１５ａｔｏｍｉｃ％、最
適には４０〜８０ａｔｏｍｉｃ％とすることが望ましい
。また該中間Ｆｌ１０８中に含有せしめる水素原子（１
１）の愈、ハロゲン原子（×）の量、及び水素原子＋ハ
ロゲン原子（Ｏ＋Ｘ）の景は、好ましくは１〜７０ａｔ
ｏｍｉｃ％、より好ましくは２〜６５ａｔｏｍｉｃ％、
最適には５〜８０ａｔｏｍｉｃ％とするのが望ましい。

さらに該中間Ｆ１１０８の層厚は、好ましくは０．００
３〜３０μｍ１より好ましくは０００４〜２０μｍ１最
適にはｏ、ｏｏｓ〜１０μｍとするのが望ましい。

次に、本発明の光受容部材の構成層の形成方法について
説明する。

本発明の光受容部材を構成する非晶質材料は、いずれも
グロー放電法（低周波ＣＶＤ、高周波ＣＶＤ又はマイク
ロ波ＣＶＤ等の交流放電ＣＶＤ、あるいは直流放電ＣＶ
Ｄ等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンブレー
ティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＯ法などの種々の薄膜
堆積法によって成形することができる。これらの薄膜堆
積法は、製造条件、設備責本投下の負荷程度、製造規模
、作成される光受容部材に所望される特性等の要因によ
って適宜選択されて採用されるが、所望の特性を有する
光受容部材を製造するに当っての条件の制御が比較的容
易であり、シリコン原子と共にハロゲン原子及び水素原
子の導入を容易に行い得る等のことからして、グロー放
電法或いはスパッタリング法が好適である。そして、グ
ロー放電法とスパッタリング法とを同一装置系内で併用
して形成してもよい。

例えば、グロー放電法により、価電子制御剤を含有する
Ｎｏｎ−ＢＰ　（Ｈ，Ｘ）で構成される表面保護層を形
成するには、基本的にはリン原子（Ｐｌ　を供給し得る
Ｐ供給用の原料ガスと、窒素原子（Ｎ）を供給し得るＮ
供給用の原料ガスと、水素原子（）Ｉ）導入用又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスと価電子制御剤
導入用の原料ガスとを、内部が減圧にし得る堆積室内に
導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、Ｎｏｎ
−ＢＮ　（Ｈ、Ｘ）から成る層を形成する。

前記Ｂ供給用の原料ガスとしては、ＲｘＨ６、Ｂ４１１
１０、ＢａＢ４．８ｓＨ＋　＋、８Ｂ＋１１２、ＢＦ、
、ＢＣ１＊等のガス状態の又はガス化し得る化合物があ
げられる。

また、前記Ｐ供給用の原料ガスとしては、Ｐｌ＋、、Ｐ
２１１４、ＰＦ３、ＰＣｌ、、ＰＦ、、Ｐｆ：１．等の
ガス状態の又はガス化し得る化合物があげられる。

また、前記価電子制御剤導入用の原料ガスのうち、ドナ
ーとして機能するドーパント導入用の原料ガスとしては
、ケイ素原子（Ｓｉ）　Ｒ入用の５ｉＨ１，５ｔ２１１
６　、　ＳｉＦ４、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）導入用の
ＧｅＨ４、ＧｅＦ４、イオウ原子（Ｓ）導入用のＳＦ４
、ＳＦａ　、５ＣＩ２．　Ｓ２Ｂｒ２　、１１２ｓ　、
セレン原子（Ｓａ）導入用の５ｅＦ４、　Ｓ　ｅ　Ｆ　
６　、　Ｓ　ｅ　１１２等のガス状態の又はガス化し得
る化合物があげられ、アクセプターとして機能するドー
パント導入用の原料ガスとしては、ベリリウム原子（８
ｅ）導入用のＢｅ（ＣＪ）、ｚ、１１ｅ（ＣＪｓＬ　、
マグネシウム原子（Ｍｇ）導入用のＭｇＣＨ３Ｃｌ　、
亜鉛原子（Ｚｎ）導入用のＺｎ（Ｃ１１３）２、Ｚｎ（
Ｃ２Ｈｓ）ｔ　、カドミウム原子（Ｃｄ）導入用のＣｄ
　（ＣＨａ）　２、　Ｃｄ　（ＣＪｓ）　２　、　Ｃｄ
　（（：３Ｈ７）　２　、水銀原子（）Ｉｇ）導入用の
Ｉｌｇ、ｌ１ｇ（Ｃｌｈ）２、炭素原子（Ｃ）導入用の
ＣＨ４、Ｃ２ＨＩｌ、Ｃ２ＩＩ　ａ　、　Ｃ２１１２、
ケイ素原子（Ｓｉ）導入用の５１１１４、Ｓ　ｉ　２１
＋　、　、Ｓ　ｉ　Ｆ　４、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）
導入用のＧ　ｅ　ＩＩ　４、Ｇｌ！Ｆ４等のガス状態の
又はガス化し得る化合物があげられる。

また、スパッタリング法によって価電子制御剤を含有す
るＮｏｎ−ＢＰ　（Ｈ，Ｘ）　Ｆｉを形成するには、タ
ーゲットとしてＢターゲットを用い、前記Ｐ供給用原料
ガスと前記価電子制御剤導入用の原料ガスとを計ガスと
共に堆積室内に導入してプラズマを形成し、−前記Ｂタ
ーゲットをスパッタリングするか、あるいはターゲット
としてＢＰツタ−ットを用い、前記Ｂ、Ｐ供給用原料ガ
スと前記価電子制御剤導入用の原料ガスとをＡｒガスと
共に堆積室内に導入してプラズマを形成し、前記ＢＰタ
ーゲットをスパッタリングすることによって形成される
。

また、グロー放電法によって、ａ−５ｉ（）Ｉ、Ｘ）で
構成される層を形成するには、基本的にはシリコン原子
（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと共に、水
素原子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導
入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入
して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位
置に設置した所定の支持体表面上にａ−５１（Ｈ，Ｘ）
から成る層を形成する。

前記Ｓｉ供給用のガスとしては、５ｉｌ１４、Ｓｉ、１
１．．５ｉ３Ｈ６，５ｉ４Ｈ＋ｏ等のガス状態の又はガ
ス化し得る水素化硅素（シラン類）が挙げられ、特に、
層形成作業のし易さ、Ｓｔ供給効率の良さ等の点で、５
ｔ）Ｉ４、Ｓｉ、Ｈ６が好ましい。

また、前記ハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、多
くのハロゲン化合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、
ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換され
たシラン誘導体等のガス状態の又はガス化しつるハロゲ
ン化合物が好ましい。具体的にはフッ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ、ＣＩＦ、　ＣＬＦｓ、
ＢｒＦ５．ＢｒＦ＊、ＩＦ、、１０１、ＩＢｒ等のハロ
ゲン間化合物、および５ｉＦａ、５ｉ２Ｆ、、５ＬＣＩ
４、ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素が挙げられる。

上述のごときハロゲン化硅素のガス状態の又はガス化し
つるものを用いる場合には、Ｓｉ供給用の原料ガスを別
途使用することなくして、ハロゲン原子を含有するａ−
５ｌで構成された層が形成できるので、特に有効である
。

また、前記水素原子供給用の原料ガスとしては、水素ガ
ス、ＩＩＦ、　ＩＩｃＩ　、　ｌ！Ｂｒ　、旧等のＡＯ
ゲン化物、ＳｉＨ，，５１２８６、５ｉ３Ｈ６、５１４
Ｈ＋。等の水素化硅素、あるいはＳｉＨ，Ｆ２．５ｉＨ
２Ｉ２、Ｓｉ）＋２Ｃ１，，５ｉｌｌＣＩ３．５ｉＨ２
Ｂｒ２ｊ　５ｉＨＢｒｌ、等のハロゲン置換水素化硅素
等のガス状態の又はガス化しうるものを用いることがで
き、これらの原料ガスを用いた場合には、電気的あるい
は光電的特性の制御という点で極めて有効であるところ
の水素原子（１１）の含有量の制御を容易に行うことが
できるため、有効である。

そして、前記ハロゲン化水素又は前記ハロゲン置換水素
化硅素を用いた場合にはハロゲン原子の導入と同時に水
素原子（Ｈ）も導入されるので、特に有効である。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−５ｔ　（ｔｌ、Ｘ）から成る層を形成するに
は、例えばスパッタリング法の場合には、ハロゲン原子
を導入するについては、前記のハロゲン化合物又は前記
のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導
入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやればよい。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ７或いは前記したシラン類等のガス
をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやればよい。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓｉターゲ
ットを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ２ガス
を必要に応じてｌｉｅ、　Ａｒ等の不活性ガスも含めて
堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓｉ
ターゲットをスパッタリングすることによって、支持体
上にａ−５ｔ（ＩＩ、Ｘ）から成る層を形成する。

グロー放電法によってａ−５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる層を形成するには、シリコン原子（Ｓｔ）を供給し
うるＳｉ供給用の原料ガスと、ゲルマニウム原子（Ｇｅ
）を供給しうる６ｅ供給用の原料ガスと、水素原子（１
１）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給しつる水素原
子（１１）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）供給用の原料
ガスを内部を減圧にしつる堆積室内に所望のガス圧状態
で導入し、該堆積室内にグロー放電を生起せしめて、予
め所定位置に設置しである所定の支持体表面上に、ａ−
５ＩＧｅ　ｔ）ｌ、Ｘ）で構成される層を形成する。

Ｓｉ供給用の原料ガス、ハロゲン原子供給用の原料ガス
、及び水素原子供給用の原料ガスとなりつる物質として
は、前述のａ−５ｉ　（Ｈ、Ｘ）で構成される層を形成
する場合に用いたものがそのまま用いられる。

また、前記Ｇｅ供給用の原料ガスとなりつる物質として
は、ＧｅＨ４、ＧｅＪ６　、Ｇｅ５Ｈａ　、　Ｇｅ４）
１＋ｏ、ＧｅＪｔｉ、Ｇａ＠ｔｌｔｍ、ＧｅｔＨｔｓ、
ＧｆｌａＨ＋ａ、　Ｇｅ５ｔ（２ｏ等のガス状態の又は
ガス化しつる水素化ゲルマニウムを用いることができる
。特に、層作成作業時の取扱易さ、Ｇｅ供給効率の良さ
等の点から、ＧｅＬ、Ｇｅ、Ｈ，、およびＧｅ５Ｈａが
好ましい。

スパッタリング法によってａ−５ｉＧｅ　（ＩＩ、Ｘ）
で構成される層を形成するには、シリコンから成るター
ゲットと、ゲルマニウムから成るターゲットとの二枚を
、あるいは、シリコンとゲルマニウムからなるターゲッ
トを用い、これ等を所望のガス霊囲気中でスパッタリン
グすることによって行なう。

イオンブレーティングを去を用いてａ−５ｉＧｅ　（）
Ｉ、Ｘ）で構成される層を形成する場合には、例えば、
多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウ
ム又はまた単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸
着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法あるいはエ
レクトロンビーム法（Ｅ、Ｂ、法）等によって加熱蒸発
させ飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ７囲気中を通過せ
しめることで行ない得る。

スパッタリング法およびイオンブレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中にハロゲン原子を含有せし
めるには、前述のハロゲン化物又はハロゲン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成すればよい、又、水素原子を導入する場
合には、水素原子供給用の原料ガス、例えば１１２ある
いは前記した水素化シラン類又は／′Ｅ２．び水素化ゲ
ルマニウム等のガス類をスパッタリング用の堆積室内に
導入してこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すれば
よい。さらにハロゲン原子供給用の原料ガスとしては、
前記のハロゲン化物或いはハロゲンを含む硅素化合物が
有効なものとして挙げられるが、その他に、ＨＦ、　Ｉ
ｌｌ：１　、　Ｈ［ｌｒ　、　Ｈｌ等のハロゲン化水素
、５ｉＨｚＦｚ、５ｉｌｈｌｔ、５ｉｔ（２Ｃ１２，５
ｉｌｌＣ１，，５ｉｌｈＢｒ２．５ｉｌｌＢｒ３、等の
ハロゲン置換水素化硅素、およびＧ　ｅ　ＨＦ　３　、
Ｇ　ｅ　Ｈ２Ｆ　２、ＧｅＨｓＦ　、　ＧｅＨＣｌ３、
ＧｅＨＢｒ５：１２、Ｇ　ｅ　ｔｌ　ｓ　Ｃｌ、　Ｇｅ
ＨＢｒ５、　Ｇ　ｅ　ＩＩ　２　Ｂ　ｒ　、　　、Ｇ　
ｅ　Ｈ３０「、　Ｇ　ｅ　Ｉｔ　Ｉ　３　　、ＧｅＨｚ
ｈ、ＧｅＨｓＩ等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム等、
ＧｅＦａ、Ｇｅ［：１４．　ＧｅＢｒ４％　ＧｅＩ４、
ＧｅＦ２、Ｇａ１ｌ：１２、ＧａＢｒ２、ＧｅＩ２等の
ハロゲン化ゲルマニウム等々のガス状′態の又はガス化
しつる物質も有効な出発物質として使用できる。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、スズ原子を含有する７　モ）Ｌｒ
　７７　スシリコン（以下、’ａ−５ＩＳｎ（ｌｌ、Ｘ
）」と表記する。）で構成される光受容層を形成するに
は、上述のａ−５ｉＧｅ　（Ｉｆ　、　Ｘ）で構成され
る層の形成の際に、ゲルマニウム原子供給用の出発物質
を、スズ原子（Ｓｎ）供給用の出発物質にかえて使用し
、形成する層中へのその量を制御しながら含有せしめる
ことによって行なう。

前記スズ原子（Ｓｎ）供給用の原料ガスとなりつる物質
としては、水素化スズ（ＳｎＨ４）や５ｎＦ２．５ｎＦ
４．５ｎｌｌ：１２．５ｎＣ１４，ＳｎＢｒ２　、　Ｓ
ｎＢｒ４．５ｎ１２．５ｎ１４等のハロゲン化スズ等の
ガス状態の又はガス化しうるものを用いることができ、
ハロゲン化スズを用いる場合には、所定の支持体上にハ
ロゲン原子を含有するａ−５＋で構成される層を形成す
ることができるので、特に有効である。なかでも、層作
成作業時の取り扱い易さ、Ｓｎ供給効率の良さ等の点か
ら、５ｎＣＬａが好ましい。

そして、５ｎＣ１４をスズ原子（Ｓｎ）供給用の出発物
質として用いる場合、これをガス化するには、固体状の
５ｎＧ１４を加熱するとともに、后、ｌ（ｅ等の不活性
ガスを吹き込み、該不活性ガスを用いてバブリングする
のが望ましく、こうして生成したガスを、内部を減圧に
した堆積室内に所望のガス圧状態で導入する。

グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、ａ−５ｉ（ＩＩ、Ｘ）に第１Ｉ
Ｉ族原子又は第Ｖ族原子、窒素原子、酸素原子あるいは
炭素原子を含有せしめた非晶質材料で構成された層を形
成するには、ａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）の層の形成の際に、第
１１ｔ族原子又は第■族原子導入用の出発物質、酸素原
子導入用の出発物質、窒素原子導入用の出発物質、ある
いは炭素原子導入用の出発物質を、前述したａ−５ｉ　
（Ｉｔ　、　Ｘ）形成用の出発物質と共に使用して、形
成する層中へのそれらの量を＄制御しながら含有せしめ
てやることによって行なう。

例えば、グロー放電法を用いて、原子（０，ｆ：、Ｎ）
を含有するａ−５ｉ　（ＩＩ　、　Ｘ）で構成される層
を形成するには、前述のａ−５ｉ（１１，Ｘ）で構成さ
れる層を形成する際に、原子（０，ｆ：、Ｎ）導入用の
出発物質をａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質ととも
に使用して形成する層中へのそれらの量を制御しながら
含有せしめることによって行なう。

このような原子（０，ｆ：、Ｎ）導入用の出発物質とし
ては、少なくとも原子（０゜Ｃ，Ｎ）を構成原子とする
ガス状の物質又はガス化し得る物質であれば、はとんど
のものが使用できる。

具体的には酸素原子（０）導入用の出発物質として、例
えば、酸素（０２）、オゾン（０，）、−酸化窒素（Ｎ
Ｏ）、−二酸化窒素（Ｎ２０＋、三二酸化窒素（Ｎｚｏ
ｓ）、四三酸化窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎｚ
Ｏｓ）、二酸化窒素（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓｉ）
と酸素原子（０）と水素原子（旧　とを構成原子とする
例えばジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ５ｉＪ）、　トリシロ
キサン（Ｈ３ＳｉＯ５ｔＨｚＯ５ｉｌｈ１等の低級シロ
キサン等が挙げられ、炭素原子（Ｃ）導入用の出発物質
としては、例えば、メタン（Ｃ１１４）　、エタン（Ｃ
２Ｈ８）、プロパン（Ｃｚｌｌａ）、ｎ−ブタン（ｎ−
Ｃ４Ｉ＋　、。）、ペンタン（Ｃ８Ｈ１２）等の炭素数
１〜５の飽和炭化水素、エチレン（ｆ：１ｌＬ）、ブロ
ピルン（Ｃ３１１ａ）、ブテン−１（Ｃ４Ｈａ）、ブテ
ン−２（ＣＪａ）、イソブチレン（Ｃｄｌｓ）、ペンテ
ン（Ｃ，ＩＩ、。）等の炭素数２〜５のエチレン系炭化
水素、アセチレン（Ｃｉｌｈ）、メチルアセチレン（Ｃ
３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ１１）等の、炭素数２〜４の
アセチレン系炭化水素が挙げられ、窒素原子（Ｎ）導入
用の出発物質としては、例えば、窒素（Ｎ２）、アンモ
ニア（Ｎ１１３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ
化水素（ＨＮｓ）　、アジ化アモニクム（ＮＨ４Ｎｚ）
　、三弗化窒素（ＦＪ）　、四三弗化窒素（Ｆ４Ｎ）が
挙げられる。

例えば酸素原子を含有する層又は層領域を形成するのに
グロー放電法を用いる場合には、前記した光受容部材層
形成用の出発物質の中から所望に従って選択されたもの
に酸素原子導入用の出発物質が加えられる。その様な酸
素原子導入用の出発物質としては、少なくとも酸素原子
を構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質で
あればほとんどのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（）Ｉ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ
）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又は、シリコン原子（ＳＬ）を構成原子
とする原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）
を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比
で混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｔ）を構成原
子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、酸素原子
（０）及び水素原子（＋１）の３つを構成原子とする原
料ガスとを混合して使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（１１）
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用してもよい。

具体的には、例えば酸素（０，）、オゾン（０３）、−
酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、　−二酸化
窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３）、四三酸化
窒素（Ｎ２０４）三二酸化窒素（Ｎ２０Ｓ）、三酸化窒
素（Ｎｏｓｅ、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（０）
と水素原子（Ｈ）　とを構成原子とする例えばジシロキ
サン（ＨｓＳｉＯ５ｉＨｓ）　、　　トリシロキサン（
ＨｓＳＩＯ５ｉＨｉＯ５ｉＨｓ）等の低級シロキサン等
が挙げられ、挙げることができる。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層また
は層領域を形成するには、単結晶又はＳｉウェーハ又は
５ｉ０２ウエーハ、又はＳｉと５ｉ０２が混合されて含
有されているウェーハをターゲットとして、これ等を種
々のガス霊囲気中でスパッタリングすることによって行
なえばよい。

例えば、５１ウエー八をターゲットとして使用すれば、
酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを必要に応じて希釈ガスで希
釈して、スパッター用の堆積室内に導入し、これ等のガ
スのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハをスパッ
タリングすればよい。

又、別にはＳｉとＳｉｎ、とけ別々のターゲットとして
、又はＳｉと５ＬＯ２の混合した一枚のターゲットとを
使用することによフて、スパッター用のとしての希釈ガ
スの雰囲気中で又は少なくとも水素原子ＤＩ）又は／及
びハロゲン原子（×）を構成原子として含有するガス雰
囲気中でスパッタリングすることによって形成できる。

酸素原子導入用の原料ガスとしては、前述したグロー放
電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用
できる。

また、例えば炭素原子を含有するアモルファスシリコン
で構成される暦をグロー放電法により形成するには、シ
リコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと、炭素
原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必要に応じて
水素原子（）ｌ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成
原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用す
るか、又はシリコン原子（Ｓｔ）を構成原子とする原料
ガスと、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ）を構成原子
とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合して
使用するか、或いはシリコン原子（ＳＬ）を構成原子と
する原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、炭素原子（Ｃ
）及び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスを混合
するか、更にまた、シリコン原子、水素原子を構成原子
とする原料ガスを混合して使用する。

このような原料ガスとして有効に使用されるのは、Ｓｔ
とＨとを構成原子とするＳｉＨ４，５ＬＨｓ、Ｓ＋３１
１゜Ｓ　ｉ　４１１　、。等のシラン（Ｓｉｌａｎｅ）
類等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする、例
えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素ａ２〜４のエチ
レン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素
等が挙げられる。

具体的には飽和炭化水素としては、例えば、メタン（Ｃ
１ｌａ）　、エタン（Ｃ２）＋８１、プロパン（Ｃ３Ｈ
Ａ）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ４１１＋　Ｏ）　％ペンタン
（Ｃ５Ｈ１２）、エチレン系炭化水素としては、エチレ
ン（Ｃ２）１ｇ）　、プロピレン（ｃｓｕａ）、ブテン
−１（Ｃ４Ｈ６）、ブテン−２（Ｃ４Ｈａ）、イソブチ
レン（ｃ４Ｈｓ）、ペンテン（ＣｓＨ＋ｏ）アセチレン
系炭化水素としては、アセチレン（ＣｔＨ２）、メチル
アセチレン（Ｃ３）＋４）、ブチン（Ｃ４）１ａ）等が
挙げられる。

ＳｌとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
ｉ　（ＣＨ３）４．５ｉ（ｈＨｓ）４等のケイ化アルキ
ルを挙げることができる。これ等の原料ガスの他、Ｈ導
入用の原料ガスとしては勿論Ｈ７も使用できる。

スパッタリング法によってａ−５ｉｃ　（Ｈ、Ｘ）で構
成される層を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉつ
ニー八又はＣ（グラツブイト）ウェーハ、又はＳｉとＣ
が混合されているウェーハをターゲットとして、これ等
を所望のガス雰囲気中でスパッタリングすることによっ
て行なう。

例えば、ＳＬウェー八へターゲットとして使用する場合
には、炭素原子、および水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて計、ｌｌｅ
等の希釈ガスで希釈して、スパッタリング用の堆積室内
に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成して前記
Ｓｔウェー八へスパッタリングすればよい。

又、別にはＳｉとＣは別々のターゲットとするか、ある
いはＳｉとＣの混合した一枚のターゲットととして使用
する場合には、スパッタリング用のガスとして水素原子
又は／及びハロゲン原子導入用の原料ガスを、必要に応
じて希釈ガスで希釈して、スパッタリング用の堆積室内
に導入し、ガスプラズマを形成してスパッタリングすれ
ばよい。

該スパッタリング法に用いる各原子の導入用の原料ガス
としては、前述のグロー放電法に用いる原料ガスがその
まま使用できる。

例えば窒素原子を含有する層又は層領域を形成するのに
グロー放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成
用の出発物質の中から所望に従って選択されたものに窒
素原子導入用の出発物質を加える。その様な窒素原子導
入用の出発物質としては、少なくとも窒素原子を構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質であればほ
とんどのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓｔ）を構成原子とする原ｔ４ガ
スと、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（ＩＩ）又は／及びハロゲン原子（
Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合
して使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原
子とする原料ガスと、窒素原子（Ｎ）及び水素原子（Ｈ
）を構成原子と原料ガスとを、これも又所望の混合比で
混合するかして使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（ＩＩ）
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用してもよい。

窒素原子を含有する層または層領域を形成する際に使用
する窒素元素（Ｎ）導入用の原料ガスとして有効に使用
される出発物質は、Ｎを構成原子とするか或いはＮとＨ
とを構成原子とする例えば窒素（Ｎ２）、アンモニア（
Ｎｌｈ）　、ヒドラジン（８２ＮＮＩ＋２）アジ化水素
（ＨＮ３）　、アジ化アンモニウム（Ｎ）１４Ｎ３１等
のガス状の又はガス化し得る窒素、窒化ホウ素物及びア
ジ化物等の窒素化合物を挙げることができる。この他に
、窒素原子の導入に加えて、ハロゲン原子の導入も行な
えるという点から、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）　、四弗化窒
素（ＦＪ）等のハロゲン化窒素化合物を挙げられる。

スパッタリング法によって、窒素原子を含有する層また
は層領域を形成するには、単結晶又はＳｉウェーハ又は
多結晶のＳｉウェーハ、又は５ｉ３Ｎａ　ウェーハ、又
はＳｒとは５Ｌ３Ｎ４が混合されて含有されているウェ
ーハをターゲットとして、これ等を種々のガス雰囲気中
でスパッタリングすることによって行なえばよい。

例えば、Ｓｉウェーハをターゲットとして使用すれば、
窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて希釈ガスで
希釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等の
ガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハをスパ
ッタリングすればよい。

又、別にはＳｔとＳｉ３Ｎ４　とは別々のターゲットと
して、又は５ｉとＳｉ３Ｎ４の混合した一枚のターゲッ
トを使用することによって、スパッター用のガスとして
の希釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有す
るガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成
できる。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述した
グロー放電の例で示した原料ガスの中の窒素原子導入用
の原料ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスと
して使用できる。

また、グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオ
ンブレーティング法を用いて、ｙｓ　ｍ族原子又は第Ｖ
族原子を含有するａ−５ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成される層の
形成の際に、′ｆＳ＋■族原子又は第Ｖ族原子導入用の
出発物質を、ａ−５ｉ（Ｉｔ、Ｘ）形成用の出発物質と
共に使用して、形成する層中へのそれらの量を制御しな
がら含有せしめてやることによって行なう。

第■族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、８２１１　、、Ｂ４ＨＩＯ、Ｂｓ１ｌ
＊、［１ａｌｌ＋＋　−ＢｇＨ＋ｏ・＋］６Ｈ１２・［
１６Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ３　、　ＢＧｈ、Ｂ［
ｌｒ３等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａ
Ｑ［：ｈ、ＧａＣ１５、Ｇａ　（Ｃ１ｈ）　２、ＩｎＣ
ｌ３．　ＴＱＣＩ３等も挙げることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として具体的には燐原子導
入用としてはＰＨｓ　、　Ｐ２Ｈ４等の水素化燐Ｐ）１
４１、ＰＦ、、ＰＦ、、ＰＣｌ、、ＰＣｌ５、ＰＢｒｓ
、Ｐａ１ｒ、、Ｐｈ等のハロゲン化燐が挙げられる。こ
の他、Ａｓ）Ｉ、Ｉ、ＡｓＦ３、＾ｓＣｈ、＾５Ｂｒ３
、ＡｓＦ、、ＳｂＨ３、ＳｂＦ３、ＳｂＦ６．５ｂＣ１
ｓ、５ｂＣＩｓ、　ＢｉＨｓ、８ｉＣ１ｓ、Ｂ１Ｂｒ５
等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙
げることができる。

以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、スパッタリング法等を用いて形成する
が、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及
びスズ原子、第１ＩＩ族原子又は第Ｖ族原子、酸素原子
、炭素原子又は、窒素原子、あるいは水素原子又は／及
びハロゲン原子の各々の含有量の制御は、堆積室内へ流
入する、各々の原子供給用出発物質のガス流量あるいは
各々の原子供給用出発物質問のガス流量比を制御するこ
とにより行なわれる。

また、光導電層および表面保護層等の各構成層形成時の
支持体温度、堆積室内のガス、放電パワ−等の条件は、
所望の特性を有する光受容部材を得るためには重要な要
因であり、形成する層の機能に考慮をはらって適宜選択
されるものである。

さらに、これらの層形成条件は、光導電層および表面保
護層等の各構成層に含有せしめる上記の各原子の種類及
び量によっても異なることもあることから、含有せしめ
る原子の種類あるいはその量等にも考慮をはらって決定
する必要もある。

具体的には、価電子制御剤を含有するＮｏｎ−Ｂ１’　
（Ｎ、Ｘ）からなる表面保護層を高周波（１３，５８Ｍ
Ｈｚ）プラズマＣＶＤ法により形成する場合、堆積室内
のガス圧は、通常１０−’〜１０Ｔｏｒｒとするが、よ
り好ましくは５　ｘ　１Ｇ”　〜２　Ｔｏｒｒ、最適に
は０．１〜Ｉ　Ｔｏｒｒとする。また、支持体温度は、
通常５０〜７００℃とするが、特にＮｏｎ−ＢＰ　（Ｎ
、Ｘ）層とする場合には５０〜４００℃、ｐｏｌｙ−Ｂ
Ｐ（Ｈ，Ｘ）Ｎとする場合には２００〜７００℃とする
。更に放電パワーは通常０．０１〜５Ｗ／Ｃｆｆ１２、
より好ましくは０．０２〜２　Ｗ　／　ｃｍ２　とする
、更にまた、Ｂ供給用原料ガス、及びＰ供給用原料ガス
のガス流量比は、Ｂ／Ｐが１　／ｌｏｏ　Ｎ１００　／
１、より好ましくは１１５０〜５０／１．最適には１／
３０〜３０／１となるようにする。

また、価電子制御剤を含有するＮｏｎ−ＢＰ　（１１，
Ｘ）からなる表面保護層をマイクロ波（２，４５０Ｈｚ
）プラズマＣＶＤ法により形成する場合、堆積室内のガ
ス圧は通常１０−’〜２　Ｔｏｒｒ、より好ましくは５
　Ｘ　１０−’〜１．ＯＴｏｒｒとし、放電パワーは通
常０．１〜５０Ｗ／ｃＩＩ＋２、より好ましくは０．２
〜３０Ｗ　／　ｃｍ”　とする。支持体温度及び各原料
ガスのガス流量比は、いずれも前述の高周波プラズマＣ
ＶＤ法による場合と同じである。

更に、価電子制御剤を含有するＮｏｎ−ＢＰ　（ｌ（、
Ｘ）からなる表面保護層をスパッタリング法により形成
する場合、堆積室内のガス圧は通常１０−４〜ＩＴ。

ｒｒ、　より好ましくは５　ｘ　１０−’〜０．７Ｔｏ
ｒｒ、とし、放電パワーは０．０１〜ＩＯＷ／ａｍ”、
より好ましくは００５〜８Ｗ／ａｓ’とする。支持体温
度は前述の高周波プラズマＣＶＤ法による場合と同じで
ある。

また、窒素原子、酸素原子、炭素原子等を含有せしめた
ａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層をグロー放電法により形
成する場合、支持体温度は、通常５０〜３５０℃とする
が、特に好ましくは５０〜２５０℃とする。

堆積室内のガス圧は通常０．０１〜Ｉ　Ｔｏｒｒとする
が、特に好ましくは０．１〜０．５　Ｔｏｒｒとする。

放電パワーは０００５〜５０Ｗ／ａｍ２　とするのが通
常であるが、より好ましくは０．Ｏ１〜３０Ｗ／ｃｍ’
　とする。特に好ましくは０．０１〜２０Ｗ／ｃｍ’　
とする。

ａ−５ｉＧｅ（１−１，Ｘ）　Ｆｌをグロー放電法によ
り形成する場合、あるいは第１ＩＩ族原子又は第Ｖ族原
子を含有せしめたａ−５ＩＧｅ　（Ｈ，Ｘ）からなる層
を形成する場合については、支持体温度、通常５０〜３
５０℃とするが、より好ましくは５０〜３００℃とする
が、特に好ましくは１００〜３００℃とする。そして堆
積室内のガス圧は通常０．０１〜５　Ｔｏｒｒとするが
、好ましくは０．００１〜３　　Ｔｏｒｒとし、特に好
ましくは０．０１〜ＩＴｏｒｒとする。また、放電パワ
ーはｏ、ｏｏｓ〜ＳＯＷ／Ｃｍ２とするのが通常である
が、好ましくは００１〜３０Ｗ／ｃｍ２　とする。特に
好ましくは０．０１〜２０Ｗ／ｃｍ２　とする。

しかし、これらの、層形成を行なうについての支持体温
度、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通
常には個々に独立しては容易には決め難いものである。

したがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、
相互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件
を決めるのが望ましい。

次に、グロー放電分解法によって形成される光導電部材
の製造方法について説明する。

第２図にグロー放電分解法による電子写真用光受容部材
の製造装買を示す。

図中の２０２．２０３．２０４．２０５．２０６．２４
１のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成するため
の原料ガスが密封されており、その１例として、たとえ
ば、２０２はＳ　Ｈ１４ガス（純度９９．９９９％）ボ
ンへ、２０３は）１２で希釈されたＢ２）ＩＳガス（純
度９９．９９９％、以下１１ｚＮａ／Ｈ２と略す）ボン
ベ、２０４はＮＯガス（純度９９．５％）ボンベ、２０
５　はＢ２で希釈されたＢ２Ｈ８ガス（純度９９．９９
９％、以下Ｂ、＋１．／Ｉ＋２と略す）ボンベ、２０６
は）１□で希釈された１１．Ｓガス（純度９９．９９９
％、以下Ｈ２Ｓ　／Ｈ２と略す）ボンベ、２４１は１１
□で希釈されたＰＨ３ガス（純度９９．９９９％、以下
ＰＨ３／　ｔｈと略す）ボンベである。

これらのガスを反応室２０１に流入させるにはガスボン
ベ２０２〜２０６のバルブ、リークバルブ２３５が閉じ
られていることを確認し、又、流入バルブ２１２〜２１
６、流出バルブ２１７〜２２１、補助バルブ２３２〜２
３３が開かれていることを確認して先ずメインバルブ２
３４を開いて反応室２０１、ガス配管内を排気する。次
に真空計２３６の読みが約ｓ　ｘ　ｉｏ−’Ｔｏｒｒに
なった時点で、補助バルブ２３２〜２３３、流出バルブ
２１７〜２２１を閉じる。

基体シリンダー２３７上に第１の層を形成する場合の１
例をあげると、ガスボンベ２０２よりＳｉＨ＜ガス、ガ
スボンベ、２０３より８２１１ｓ／Ｈｚガス、ガスボン
ベ、２０４よりＮＯガス、バルブ２２２　、２２３　、
２２４を開いて出口圧ゲージ２２７．２２８　、２２９
の圧を１ｋｇ７ｃｍ”に調節し、流入バルブ２１２　、
２１３．２１４を徐々に開けて、マスフロコントローラ
２０７．２０８．２０９内に流入させる。引続いて流出
バルブ２１７　、２１８．２１９、補助バルブ２３２を
徐々に開いて夫々のガスを反応室に流入させる。このと
きの５ｉ８４ガス流量、Ｂｚｌｌａ／Ｈ２ガス流量、Ｎ
Ｏガス流量の比が所望の値になるように流出バルブ２１
７．２１８．２１９を調整し、又、反応室内の圧力が所
望の値になるように真空計２３６の読みを見ながらメイ
ンバルブ２３４の開口を調整する。モして基体シリンダ
ー２３７の温度が加熱ヒーター２３８により５０〜３５
０℃の温度に設定されていることを確認された後、電源
２４０を所望の電力に設定して反応室２０１内にグロー
放電を生起させ基体シリンダー上に第１の層を形成する
。

第１の層にハロゲン原子を含有される場合には、上記の
ガスに例えばＳｉＦ４ガスを更に付加して反応室２０１
に送り込む。

各層を形成する際ガス種の選択によっては、層形成速度
を更に高めることが出来る。例えば５１１１４ガスの代
りに５ｉ２Ｈｓガスを用いて層形成を行なえば数倍高め
ることが出来、生産性が向上する。

上記の様にして作成された第１の層上に第２の層を形成
するには、流出バルブ２１７〜２２１を閉じ、補助バル
ブ２３２〜２３３を開いてメインバルブ２３４を全開し
て系内を一旦高真空に排気したのち、第１の層の形成の
際と同様なバルブ操作によって８２１１８／Ｈ２ガス、
ＰＨ，／　Ｈ２ガス及び価電子制御剤成分を含むガス、
第２図の例でいうと、ボンベ２０６のＨ，Ｓ／Ｈ２ガス
を所望の流量比で反応室１０１中に流し、所望の条件に
従ってグロー放電を生起させることによって成される。

第２の層中に含有される水素原子の玉を変化させる場合
には、上記のガスに例えば１１２ガスを付加して、Ｈ２
ガスの反応室１０１内に導入される流量を所望に従って
任意に変えることによって所望に応じて制御することが
できる。

第２の層にハロゲン原子を含有される場合には、上記の
ガスに例えばＰＦｓガスを更に付加して反応室１０１内
に送り込む。

夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出は全て閉
じることは言うまでもなく、又、夫々の層を形成する際
、前層の形成に使用したガスが反応ｚ　ｌｏｔ内、流出
バルブ２１７〜２２１から反応室１０１内に至る配管内
に残留することを避けるために、流出バルブ２１７〜２
２１を閉じ補助バルブ２３２〜２３３を開いてメインバ
ルブ２３４を全開して系内を一旦高真空に排気する操作
を必要に応じて行なう。

又、２形成を行なっている間は層形成の均一化を図るた
め基体シリンダー２３７は、モータ２３９によって所望
される速度で一定に回転させる。

（実施例〕 以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本
発明はこれらによって限定されるものではない。

〈実施例１〉 ′　　第２図の製造装置を用い、第１表の作成条件に従
って鏡面加工を施したアルミシリンダー上に電子写真用
光受容部材を形成した。

光受容部材（以後ドラムと表現）は、電子写真装置にセ
ットして、種々の条件のもとに、初期のｆ電能、残留電
位、ゴースト等の電子写真特性をチェックし、又、１５
０万故実機耐久後の一！ＩＦ電能低下、表面削れ、画像
欠陥の増加等を調べた。更に、３５℃、８５％の高温高
温雰囲気中でのドラムの画像流れについても評価した。

また、ドラムに直流高圧電圧を加えることにより絶縁耐
圧を調べた。さらに、先端が球形の針に一定の荷重をか
けて、ドラム表面にキズをつけることにより、耐キズ性
を調べた。上記の評価結果を第２表に示す。

第２表に見られる様に、特に初期帯電能、ゴースト、画
像欠陥、表面削れ、絶縁耐圧、耐キズ性の各項目につい
て著しい優位性が認められた。

〈実施例２〉 表面層の作成条件を第３表に示す数種の条件に変えた以
外は実施例１と同様にして、表面層中のＨ量又はＦ量が
異なり、かつ価電子制御剤を含む複数のドラムを作成し
、実施例１と同様の評価を行った。

その結果を￥Ｓ４表に示す。

第４表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得られ
た。

〈実施例３〉 表面層の作成条件を第５表に示す数種の条件に変えた以
外は実施例１と同様にして、表面層中のＰ量とＰ量が異
なり、かつ価電子制御剤を含有する複数のドラムを作成
し、実施例１と同様の評価を行った。

その結果を第６表に示す。

第６表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得られ
た。

〈実施例４〉 電荷注入阻止層、光導電層、表面層をそれぞれ第７表（
ａ）　、　（ｂ）に示す作成条件で実施例１と同様にド
ラムを作成し、実施例１と同様の評価を行った。

その結果を第８表に示す。

第８表にみられる様に実施例１と同様の特性が得られた
。

〈実施例５〉 アルミシリンダーに陽極酸化処理を行って、シリンダー
表面に酸化アルミニウム層（八Ｑ２０３）を作成して、
これを、電荷注入阻止層とし、この層の上に光導電層と
表面層をそれぞれ実施例４と同様にドラムを作成し、実
施例１と同様の評価を行った。

その結果を第９表に示す。

第９表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得られ
た。

〈実施例６〉 長波長光吸収層（以後、ｒｌＲ吸収層」と称す）、光導
電層、表面層をそれぞれ、第１０表に示す作成条件で、
実施例１と同様にドラムを作成し、同様の評価を行った
。

さらに７８５ｒ＋ｍの波長を有する半導体レーザーを画
像露光の光源に用いる電子写真装誼にドラムをセットし
て、画像上に干渉縞が現われるかチェックした。

その結果を第１１表に示す。

第１１表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得ら
れ、干渉縞も現われなかった。

〈実施例７〉 密着層、先導二層、表面層をそれぞれ、第１２表に示す
作成条件で、実施例１と同様にドラムを作成し、同様の
評価を行った。

その結果を第１３表に示す。

第１３表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得ら
れた。

〈実施例８〉 ｒｎ吸収層、電荷注入阻止層、光導電層、表面層を、そ
れぞれ、第１４表に示す作成条件で実施例１と同様にド
ラムを作成し、実施例６と同様の評価を行った。

その結果を第１５表に示す。

第１５表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得ら
れた。

〈実施例９〉 密着層、電荷注入阻止層、先導？ｌ！層、表面層をそれ
ぞれ、第１６表に示す作成条件で実施例１と同様にドラ
ムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第１７表に示す。

第１７表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得ら
れた。

〈実施例１０〉 密着層、ＩＲ吸収層、電荷注入阻止層、光導電層、表面
層を、それぞれ、ｉ１８表に示す作成条件で、実施例１
と同様にドラムを作成し、実施例６と同様の評価を行っ
た。

その結果を第１９表に示す。

第１９表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得ら
れた。

〈実施例１１〉 光導電層の作成条件を第２０表に示す数種の条件に変え
、それ以外は実施例１と同様の条件にて、複数のドラム
を用意した。

これらのドラムを実施例１と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例１と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１２＞ 光導電層の作成条件を第２１表に示す数種の条件に変え
、それ以外は実施例２と同様の条件にて、複数のドラム
を用意した。

これらのドラムを実施例２と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例２と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１３＞ 光導電層の作成条件を第２２表に示す数種の条件に変え
、それ以外は実施例３と同様の条件にて、複数のドラム
を用意した。

これらのドラムを実施例３と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例３と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１４＞ 電荷注入阻止層の作成条件を第２３表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例４と同様の条件にて、複数の
ドラムを用意した。

これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例４と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１５＞ 電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第２５表に示す数種の条
件に変え、それ以外は実施例４と同様の条件にて、第２
６表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例４と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例ｔｅ＞ 電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、先導Ｔｉｎの作成条件を第２７表に示す数種の
条件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す条件に
て、第２９表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例４と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１７＞ 電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第２７表に示すａ種の条
件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す条件にて
、第３１表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例４と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１８＞ 光導１！層の作成条件を第２５表に示す数種の条件に変
え、をれ以外は実施例５と同様の条件にて、第３２表に
示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例５と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例５と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１９＞ 表面層の作成条件を第２８表に示す条件に変え、光導電
層の作成条件を第２７表に示す数種の条件に変え、それ
以外は実施例５と同様の条件にて、第３３表に示す複数
のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例５と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例５と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２０〉 表面層の作成条件を第３０表に示す条件に変え、光導電
層の作成条件を第２７表に示す数種の条件に変え、それ
以外は実施例５と同様の条件にて、第３４表に示す複数
のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例５と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例５と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２１〉 ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３６表に示す数種の条
件に変え、それ以外は実施例６と同様の条件にて、第３
７表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例６と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例６と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２４〉 ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す数種の条
件に変え、光導電層の作成条件を第２５表に示す数種の
条件に変え、それ以外は実施例６と同様の条件にて、第
３９表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例６と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例６と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２３〉 Ｉｌ＋吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す数種の
条件に変え、光導１ｔＦｌの作成条件を第２７表に示す
数種の条件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す
条件にて、第４０表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例６と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例６と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２４〉 ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す数種の条
件に変え、光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の
条件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す条件に
て、第４１表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例６と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例６と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２５〉 密着層の作成条件を第４２表に示す数種の条件に変え、
それ以外は実施例７と同様の条件にて、第４３表に示す
？！［数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例７と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２６〉 密着層の作成条件を第４４表に示す数種の条件に変え、
光導電層の作成条件を第２５表に示す数種の条件に変え
、それ以外は実施例７と同様の条件にて、第４５表に示
す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例７と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２７〉 密着層の作成条件を第４４表に示す数種の条件に変え、
光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の条件に変え
、表面層の作成条件を第２８表に示す条件にて、第４６
表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例７と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２８〉 密着層の作成条件を第４４表に示す数種の条件に変え、
光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の条件に変え
、表面層の作成条件を第３０表に示す条件にて、第４７
表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例７と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２９〉 ｒｎ吸収層の作成条件を第３５．３６表に示す数種の条
件に変え、それ以外は実施例８と同様の条件にて、第４
８表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３０〉 電荷注入阻止層の作成条件を第４９表に示す数種の条件
に変え、ＴＲ吸収層の作成条件を′ｒ％３５．３８表に
示す数種の条件に変え、それ以外は実施例８と同様の条
件にて、第５０表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３１＞ 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＴＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す
条件にて、第５２表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３２〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＴＲ吸収層の作成条件を￥Ｈ５，３８表に示す
数種の条件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す
条件にて、第５３表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３３〉 密着層の作成条件を第４４．５４表に示すａ種の条件に
変え、それ以外は実施例９と同様の条件にて、第５５表
に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例９と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３４〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５６表に示す数種の条件
に変え、密着層の作成条件を第４４．５７表に示す数種
の条件に変え、それ以外は実施例９と同様の条件にて、
第５８表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例９と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３５〉 電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、密着層の作成条件を第４４．５７表に示す数種
の条件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す条件
にて、第５９表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例９と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３６〉 電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、密着層の作成条件を第４４．５７表に示す数種
の条件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す条件
にて、第６０表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例９と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３７〉 電荷注入阻止層の作成条件を第６１表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例１０と同様の条件にて、第６
２表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例１０と同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１Ｏと同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例３８〉 電荷注入阻止層の作成条件を第６４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第６３表に示す数ｆｆｆ
ｌの条件に変え、それ以外は実施例１０と同様の条件に
て、第６５表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例１０と同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例ＩＣと同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例３９〉 電荷注入阻止層の作成条件を第６４表に示す数種の条件
に変え、光導？ｉ！層の作成条件を第６６表に示す数種
の条件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す条件
にて、第６７表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例１０と同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１０と同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例４０〉 電荷注入阻止層の作成条件を第６４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第６６表に示す数種の条
件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す条件にて
、第５８表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例１０と同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１０と同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例４１〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、Ｉｎ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導′Ｆｌ！層の作成条件を第６９
表に示す条件にして、表面層の作成条件を第７０表に示
す条件にて、第７１表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４２〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＩＩＩｎ吸収層成条件を第３５．３８表に示
す数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第７２表に
示す条件にして、表面層の作成条件を第７０表に示す条
件にて、第７３表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４３〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、Ｉｎ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第６９表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第２８表に示す条件
にて、第７４表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４４〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、Ｉｎ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第７２表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第２８表に示す条件
にて、第７５表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４５〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、Ｉｎ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第６９表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第３０表に示す条件
にて、第７６表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４６〉 電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示すａ種の条件
に変え、Ｉｎ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第７２表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第３０表に示す条件
にて、第７７表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４７〉 電荷注入阻止層、光導電層の作成条件を第７８表に示す
条件にして、表面層の作成条件を第７９表に示す複数の
ドラムを用意した。

これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例４と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得らｔ　。

〈実施例４Ｂ〉 ｒｎ吸収層、電荷注入阻止層、光導電層の作成条件を第
８０表に示す条件にして、表面層の作成条件を第８１表
に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例４９〉 密Ｍ層、［Ｒ吸収層、電荷注入阻止層、光導電層の作成
条件を第８２表に示す条件にして、表面層の作成条件を
第８３表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例１０と同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１０と同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例５０〉 電荷注入阻止層、光導電層、中間層、表面層をそれぞれ
第８４表に示す作成条件で、実施例１と同様にドラムを
作成し、同様の評価をかけた結果、実施例１と同様に、
きわめてすぐれた電子写真特性のドラムが得られた。

〈実施例５１＞ 鏡面加工を施したシリンダーを更に様々な角度を持つ剣
バイトによる旋盤加工に供し、第３図のような判断形状
で第８５表のような種々の断面パターンを持つシリンダ
ーを複数本用意した。該シリンダーを順次？４２図の製
造装置にセットし、実施例１と同様の作成条件の基にド
ラム作成に供した。作成されたドラムを実施例１と同様
の評価を行った結果、いずれも実施例１と同様に、電子
写真特性を十分に満足するドラムが得られた。

〈実施例５２〉 鏡面加工を施したシリンダーの表面を、引続き多数のベ
アリング川床の落下の基にさらしてシリンダー表面に無
数の打痕を生じせしめる、所謂表面ディンプル化処理を
施し、第４図のような判断形状で、第８６表のような種
々の断面パターンを持つシリンダーを複数本用意した。

該シリンダーを順次第２図の製造装置にセットし、実施
例１と同様の作成条件の基にドラム作成に供した。作成
されたドラムを実施例１と同様の評価を行った結果、い
ずれも実施例１と同様に、電子写真特性を十分に満足す
るドラムが得られた。

第２０表 本表面層は第１表（ｂ）に従う（無印は第１表（ａｌ　
に従う）第２１表 本表面層は実施例２ドラムＮｏ、２０２に従う和、（印
は実１血例２トラムＮｏ、２０３に従う７５２２表 本表面層は実施例２トラムＮｏ、３０２に従う！！！（
印は実施例２トラムＮｏ、３０１に従う第２３表 本表面層は７ｒＳ７表（ｂ）に従う 無印は第７表（ａ）に従う 第２４表 第２５表 第３２表 本表面層は第８表（ｂｌ　に従う。

無印は第８表（ａ）に従う。

第３３表 ＊は表面層Ｂを使用 ｊ！；印は表面色Ａを使用 第　　３４　　表 ＊は表面層Ｂを使用 無印は表面層Ａを使用 第３５表 第　３５　表（つづき） 第３６表 第　３６　表（つづき） 第　　３７　　表 ＊表面層は２ｇｔｏ表（ｂｌ　　に従う無印は第１θ表
（ａ）　　に従う ′Ｓ３８表 ｉ３８　　表（つづき） 第３９表 ＊表面層はｍｔｏ表（ｂ）　に従う　　無印は第１０表
（ａ）　　に従う第４０表 第４１表 無印は表面層Ａを使用。

第４３表 ＊表面層は第１２表（ｂ）　　に従う 無印は第１２表（ａｌ　　に従う 第４５表 無印は第１２表（ａ）　に従う 第４６表 第４７表 無印は表面層Ａを使用。

第　　４８　　表 ＊電荷注入阻止層と表面色は第１４表（ｂｌに従う。

無印は第１４表（ａ）　　に従う。

第４９表 第５０表 無印は第１４表（ａｌ　　に従う 第５１表 第５２表 第５３表 第５５表 ＊電荷注入阻止層と表面層は第１６表（ｂ）に従う無印
は第１６表（ａ）　に従う 第６１表 第６２表 無しＩＪは′ｔ５１８表（ａ）　　に従う第６４表 第６５表 無印は第１８表（ａｌ　　に従う 第６７表 無印は表面ＦｒＪＡを使用。

第６８表 第７１表 無印は表面層Ａを使用。

第７３表 ＊は表面層Ｂを使用 無印は表面層Ａを使用。

第７４表 無印は表面層Ａを使用。

第７５表 １１ｊ印は表面層Ａそ１史川。

第　７６表 ＊は表面Ｆ！ＪＢを使用、無印は表面層Ａを使用。

第７７表 ＊は表面１１５Ｂを使用、無印は表面層Ａを使用。

第８５表 第８６表 〔発明の効果の概略〕 本発明の光受容部材は、水素原子又は、ハロゲン原子の
少なくとも一方を含有するＮｏｎ−１１Ｐ　　で構成さ
れた表面保ＨＵ’Ｊを設けたことにより、光受容部材表
面のｍ成約損傷を防止するとともに、帯電能や暗減衰な
どの電子写真特性も優れたものであって、本発明の光受
容部材を電子写真用像形成部材として適用させた場合に
は、残留電位の影響が全くなく、その電気的特性が安定
しており、それを用いて得られた画像は、ゴーストの発
生、画像欠陥等のないすぐれたものとなる。

【図面の簡単な説明】

第１（Ａ）〜（１）図は本発明の光受容部材の層構造の
典型例のいくつかを模式的に示した図であり、第２図は
本発明の光受容部材を製造するための装置の一例で、グ
ロー放電法による製造装置の模式的説明図である。第３
図及び第４図は、本発明の光受容部材の支持体の断面形
状の例を示す図である。 ＋００・・・光受容部材、１０１・・・支持体、＋０２
・・・光導電層、１０３・・・表面保護層、１０４・・
・電荷注入阻止層、１０５・・・長波長光吸収層、１０
８・・・密着層、１０７・・・自由表面、１０８・・・
中間層、２０１・・・反応室、２０２〜２０６・・・ガ
スボンベ、２０７〜２１１・・・マスフロコントローラ
、２１２〜２１６・・・流入バルブ２１７〜２２１・・
・梳出バルブ、２２２〜２２６・・・バルブ２２７〜２
３１・・・圧力調整器、２３２．２３３・・・補助バル
ブ、２３４・・・メインバルブ、２３５・・・リークバ
ルブ２３６・・・真空計、２３７・・・基体シリンダー
、２３８・・・加熱ヒーター、２３９・・・モーター、
２４０・・・高周波電源 く 第１図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体と、該支持体上に、シリコン原子を母体と
   し、水素原子又はハロゲン原子のうちの少なくともいず
   れか一方を含有するアモルファス材料で構成された光導
   電層と、表面保護層とを少なくとも有する光受容層とか
   らなる光受容部材において、前記表面保護層が、水素原
   子又はハロゲン原子の少なくとも一方を含有する非単結
   晶質リン化ホウ素で構成されており、かつ、価電子制御
   剤を含有することを特徴とする光受容部材。
2. （２）前記光受容層が、３層以上の多層構成である特許
   請求の範囲第（１）項に記載された光受容部材。
3. （３）前記光受容層が、電荷注入阻止層を有する特許請
   求の範囲第（２）項に記載された光受容部材。
4. （４）前記光受容層が、長波長光吸収層を有する特許請
   求の範囲第（２）項に記載された光受容部材。
5. （５）前記光受容層が、接着性を改善する機能を備えた
   接着層を有する特許請求の範囲第（２）項に記載された
   光受容部材。