JPS6015644A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS6015644A JPS6015644A JP12339283A JP12339283A JPS6015644A JP S6015644 A JPS6015644 A JP S6015644A JP 12339283 A JP12339283 A JP 12339283A JP 12339283 A JP12339283 A JP 12339283A JP S6015644 A JPS6015644 A JP S6015644A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoreceptor
- semiconductor
- photoconductive
- barrier layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真用感光体に関する。更に詳しくは、本
発明は非晶質シリコンを光導電性材料として利用した電
子写真用感光体の改良に関する。
発明は非晶質シリコンを光導電性材料として利用した電
子写真用感光体の改良に関する。
従来、電子写真用感光体の光導電性層にはＳｅ、ＣｄＳ
、ＺｎＯ等の無機光導電性材料を初め、ポリビニルカル
バゾール等の有機半導体を使用する単層型、又は積層型
の有機光導電性材料が広く使用されている。しかしなが
ら、近年、アモルファスシリコン半導体を光導電性材料
として使用した場合には、上記の如き、従来汎用されて
いた光導電性材料を使用した場合に比し、機械的耐久性
、耐熱性、耐湿性ミ耐コロナイオン性等において優れた
性能を有する可能性が大きく、又、毒性が全くないこと
から、電子写真用感光体へ応用するための活発な開発が
なされてきた（例えば、特開昭５５−８７１５４．５６
−８３７４８．５７−１１５５５９）。
、ＺｎＯ等の無機光導電性材料を初め、ポリビニルカル
バゾール等の有機半導体を使用する単層型、又は積層型
の有機光導電性材料が広く使用されている。しかしなが
ら、近年、アモルファスシリコン半導体を光導電性材料
として使用した場合には、上記の如き、従来汎用されて
いた光導電性材料を使用した場合に比し、機械的耐久性
、耐熱性、耐湿性ミ耐コロナイオン性等において優れた
性能を有する可能性が大きく、又、毒性が全くないこと
から、電子写真用感光体へ応用するための活発な開発が
なされてきた（例えば、特開昭５５−８７１５４．５６
−８３７４８．５７−１１５５５９）。
これらの開発研究の結果、はぼａ−３ｉ半導体を電子写
真用感光体の光導電層として使用し得ることが可能にな
ったが、尚、耐コロナ性が十分ではなく、我国の夏期に
相当する環境、即ち気温約３０℃、相対温度約８５％で
連続複写を行なった場合には、特に負のコロナ放電に対
する性能が不足するために解像力が減少し、画像ボケが
生ずるという欠点があった。
真用感光体の光導電層として使用し得ることが可能にな
ったが、尚、耐コロナ性が十分ではなく、我国の夏期に
相当する環境、即ち気温約３０℃、相対温度約８５％で
連続複写を行なった場合には、特に負のコロナ放電に対
する性能が不足するために解像力が減少し、画像ボケが
生ずるという欠点があった。
従って、本発明の第１の目的は、高温多湿下における連
続複写によっても、コピーの画像ボケを生ずることのな
い、ａ−３＋半導体を光導電層として利用した電子写真
用感光体を提供することである。
続複写によっても、コピーの画像ボケを生ずることのな
い、ａ−３＋半導体を光導電層として利用した電子写真
用感光体を提供することである。
本発明の第２の目的は、高温多湿下における長時間の使
用に耐え得る、ａ−３ｉ半導体を光導電層として利用し
た電子写真用感光体を提供することである。
用に耐え得る、ａ−３ｉ半導体を光導電層として利用し
た電子写真用感光体を提供することである。
本発明のかかる目的は、ａ−３ｉ半導体を光導電性層と
して利用した電子写真用感光体の表面に、疎水性の有機
高分子結合剤及び電子伝導性物質からなる表面層を形成
せしめることにより容易に達成された。
して利用した電子写真用感光体の表面に、疎水性の有機
高分子結合剤及び電子伝導性物質からなる表面層を形成
せしめることにより容易に達成された。
本発明で使用するａ−Ｓｔ半導体とは、一つのＳｉ原子
に着目した場合、その原子の近傍では原子が一定の秩序
を有して配列しているが、長距離秩序は有しない、所謂
非晶質シリコン半導体を意味する。このようなａ−３ｉ
半導体のｓＩＱは一般に、グロー放電法、スパッタリン
グ法、ＣＶＤ法、イオンブレーティング法等の公知の方
法により容易に得ることができる。
に着目した場合、その原子の近傍では原子が一定の秩序
を有して配列しているが、長距離秩序は有しない、所謂
非晶質シリコン半導体を意味する。このようなａ−３ｉ
半導体のｓＩＱは一般に、グロー放電法、スパッタリン
グ法、ＣＶＤ法、イオンブレーティング法等の公知の方
法により容易に得ることができる。
本発明においては、これらの方法の内、特にグロー放電
法又はＣＶＤ法を用いることが便利であるが、この場合
に使用するシラン及び／又はシラン誘導体として、例え
ば、シラン、ジシラン、トリシラン、テトラシラン、シ
リコエチレン、シリコアセチレン、ジシロキサン、シリ
ルアミン、モノクロルシラン、ジクロルシラン、トリク
ロルシラン、テトラクロルシラン、ヘキサクロルジシラ
ン、オクタクロルトリシラン、デカクロルテトラシラン
、ドデカクロルペンタシラン、モノフルオルシラン、ジ
ブロムシラン、トリフルオルシラン、テトラフルオルシ
ラン、ヘキサフルオルジシラン、オクタフルオルトリシ
ラン、モノブロムシラン、ジブロムシラン、トリブロム
シラン、テトラブロムシラン、ヘキサブロムジシラン、
オクタブロムトリシラン、モノヨードシラン、ショート
シラン、トリヨードシラン、テトラヨードシラン、ヘキ
サヨードジシラン、オクタヨードトリシラン、及び−分
子中に珪素原子と二辺上のハロゲン原子を含む化合物（
例えば５ＩＢｒＣｊ！３．３１（１！２Ｆ２）等を挙げ
ることができる。これらの化合物は単独もしくは混合し
て用いることができ、又、更に必要により水素ガスなど
を併用することもできる。
法又はＣＶＤ法を用いることが便利であるが、この場合
に使用するシラン及び／又はシラン誘導体として、例え
ば、シラン、ジシラン、トリシラン、テトラシラン、シ
リコエチレン、シリコアセチレン、ジシロキサン、シリ
ルアミン、モノクロルシラン、ジクロルシラン、トリク
ロルシラン、テトラクロルシラン、ヘキサクロルジシラ
ン、オクタクロルトリシラン、デカクロルテトラシラン
、ドデカクロルペンタシラン、モノフルオルシラン、ジ
ブロムシラン、トリフルオルシラン、テトラフルオルシ
ラン、ヘキサフルオルジシラン、オクタフルオルトリシ
ラン、モノブロムシラン、ジブロムシラン、トリブロム
シラン、テトラブロムシラン、ヘキサブロムジシラン、
オクタブロムトリシラン、モノヨードシラン、ショート
シラン、トリヨードシラン、テトラヨードシラン、ヘキ
サヨードジシラン、オクタヨードトリシラン、及び−分
子中に珪素原子と二辺上のハロゲン原子を含む化合物（
例えば５ＩＢｒＣｊ！３．３１（１！２Ｆ２）等を挙げ
ることができる。これらの化合物は単独もしくは混合し
て用いることができ、又、更に必要により水素ガスなど
を併用することもできる。
本発明で使用するａ−３ｉ層には、電子写真用感光体と
しての性能を十分にするために、不純物をドーピングす
ることが好ましい。このような不純物としては、例えば
、Ｈ，Ｆ、Ｃ，Ｎ、Ｏ，及び元素周期率表箱■族Ｂの元
素、並びに元素周期率表第■族Ｂの元素等を使用するこ
とができ、これらは公知の方法でａ−３ｉ層に導入する
ことができる。
しての性能を十分にするために、不純物をドーピングす
ることが好ましい。このような不純物としては、例えば
、Ｈ，Ｆ、Ｃ，Ｎ、Ｏ，及び元素周期率表箱■族Ｂの元
素、並びに元素周期率表第■族Ｂの元素等を使用するこ
とができ、これらは公知の方法でａ−３ｉ層に導入する
ことができる。
本発明において、ｒａ−３ｉ半導体を光導電１―として
利用する」とは、ａ−３ｉ層を単一の１鰻として利用す
る場合のみならず、特開昭５４−７８１３５号公報に記
載されている如＜ＰＮ接合を形成する場合、或いは特開
昭５４−１１６９３０の如＜ａ−３１層の上に有機又は
無機の電荷担体輸送層を設ける場合をも包含する。
利用する」とは、ａ−３ｉ層を単一の１鰻として利用す
る場合のみならず、特開昭５４−７８１３５号公報に記
載されている如＜ＰＮ接合を形成する場合、或いは特開
昭５４−１１６９３０の如＜ａ−３１層の上に有機又は
無機の電荷担体輸送層を設ける場合をも包含する。
又、本発明のｒａ−３ｌ半導体を光導電１−とじて利用
した電子写真用感光体」は、単に導電性支持体の上に光
導電層を設ける場合のみならず、光導電層と導電性支持
体の間及び／又はこれと反対側の光導電層の表面に、電
荷の流れを防止し、帯電を良好なものとするための障壁
層を設けている場合、その他光反射防止層等を設ける感
光体である場合をも包含する。
した電子写真用感光体」は、単に導電性支持体の上に光
導電層を設ける場合のみならず、光導電層と導電性支持
体の間及び／又はこれと反対側の光導電層の表面に、電
荷の流れを防止し、帯電を良好なものとするための障壁
層を設けている場合、その他光反射防止層等を設ける感
光体である場合をも包含する。
これら障壁層等として作用する絶縁層に関しては、例え
ば、米国特許第２．８６０．０４８号公報、特公昭４１
−１６，４２９号公報、同３８−１５．４４６号公報、
同４６−３，７１３号公！Ｕ、同４２−２３，９１０号
公頼、同４３−２４，７４８号公報、同４２−１９，７
４７号公報、同３６−４，１２１号公報、特開昭５２−
５８９２４号公報、同５５−８７１５４号公報、同５Ｇ
−８３７４８号公報及び同５７−１１５５５９号公報等
に記載されている。
ば、米国特許第２．８６０．０４８号公報、特公昭４１
−１６，４２９号公報、同３８−１５．４４６号公報、
同４６−３，７１３号公！Ｕ、同４２−２３，９１０号
公頼、同４３−２４，７４８号公報、同４２−１９，７
４７号公報、同３６−４，１２１号公報、特開昭５２−
５８９２４号公報、同５５−８７１５４号公報、同５Ｇ
−８３７４８号公報及び同５７−１１５５５９号公報等
に記載されている。
本発明で用いられる導電性支持体は、例えば、ガラス、
セラミック、プラスチックスの如き絶縁性材料の板又は
フィルム等の表面に、例えば、Ｎｉ、７１．Ｊなどの金
属、ニクロム等の合金、又は酸化錫等の電導性を有する
無機酸化物等の導電層を形成せしめた支持体、或いは導
電性物質のみからなる板、フィルム若しくはホイル等の
中から任意に選ぶことができる。
セラミック、プラスチックスの如き絶縁性材料の板又は
フィルム等の表面に、例えば、Ｎｉ、７１．Ｊなどの金
属、ニクロム等の合金、又は酸化錫等の電導性を有する
無機酸化物等の導電層を形成せしめた支持体、或いは導
電性物質のみからなる板、フィルム若しくはホイル等の
中から任意に選ぶことができる。
これらの種々の材料からなる電子写真用感光体の中でも
、感光体の電子写真特性及び耐刷性の観点から特に、導
電性支持体上に順次、障壁層として炭素原子を不純物と
して含有するアモルファスシリコン層（ａ−３ｉ：Ｃと
略記する）、光導電ｌ−としてのａ−５ｉ層、更にａ−
３ｉ層の保護層を兼ねた表面障壁層として機能するａ−
３ｔ：０層を設ける構成を有する感光体が好ましく、更
に、上記障壁層及び／又は表面障壁層には、１〜５゜原
子％のハロゲン原子を含有せしめる（これをａ−５ｉ：
Ｃ：Ｘと略記する。但し、Ｘはハロケン原子であり、原
子％は１００ ｘＸ／ （Ｓ ｉ ＋Ｃ十Ｘ）を表わす
。）ことが好ましい。上記障壁層及び／又は表面障壁層
に含有される炭素原子は約５〜約９０原子％であること
が好ましく、更に好ましくは約４０〜約６０原子％であ
る（この場合の原子％は他の不純物の有無にかかわらず
、１００×Ｃ／（Ｓｉ＋ｃ）によって表わされる。）。
、感光体の電子写真特性及び耐刷性の観点から特に、導
電性支持体上に順次、障壁層として炭素原子を不純物と
して含有するアモルファスシリコン層（ａ−３ｉ：Ｃと
略記する）、光導電ｌ−としてのａ−５ｉ層、更にａ−
３ｉ層の保護層を兼ねた表面障壁層として機能するａ−
３ｔ：０層を設ける構成を有する感光体が好ましく、更
に、上記障壁層及び／又は表面障壁層には、１〜５゜原
子％のハロゲン原子を含有せしめる（これをａ−５ｉ：
Ｃ：Ｘと略記する。但し、Ｘはハロケン原子であり、原
子％は１００ ｘＸ／ （Ｓ ｉ ＋Ｃ十Ｘ）を表わす
。）ことが好ましい。上記障壁層及び／又は表面障壁層
に含有される炭素原子は約５〜約９０原子％であること
が好ましく、更に好ましくは約４０〜約６０原子％であ
る（この場合の原子％は他の不純物の有無にかかわらず
、１００×Ｃ／（Ｓｉ＋ｃ）によって表わされる。）。
又ハロゲン原子を含有せしめる場合には特に弗素原子を
含有せしめることが好ましい。
含有せしめることが好ましい。
このような障壁層は、例えば、真空容器内にｉｉｉ述し
たような珪素原子を含有する化合物と共に、炭素原子を
含有する化合物（同時にハロゲン原子、特に弗素原子も
有していることが好ましい）の一定量を導入してグロー
放電を行うことにより容易に形成せしめることが出来る
。このようにして使用される炭素原子を含有する化合物
としては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ｎ−ブ
タン、イソブタン、ｎ−ペンタン、イソペンタン、エチ
レン、プロピレン、１−ブテン、イソブチレン、１−ペ
ンテン、２−ペンテン、アセチレン、メチルアセチレン
、ブチンなどの炭素数１〜５の炭化水素、及び弗化メチ
ル、弗化エチル、弗化プロピル、塩化メチル、塩化エチ
ル、臭化メチル、臭化エチル、沃化メチル、弗化メチレ
ン、塩化メチレン、ヘキサフルオルエタンなどのハロゲ
ン化アルキル等を挙げることが出来るが、これらの中で
も特に弗化メチレン、ヘキサフルオロエタン等の弗化ア
ルキルが好ましい。これらの化合物は、単独で用いるこ
とも任意に混合して用いることも出来る。この場合、珪
素含有化合物と炭素含有化金物の混合比率によってａ−
３ｉ層中に含有される炭素原子の比率（ハロゲン原子を
有する化合物を使用する場合には、ハロゲン原子の比率
も）が決定される。
たような珪素原子を含有する化合物と共に、炭素原子を
含有する化合物（同時にハロゲン原子、特に弗素原子も
有していることが好ましい）の一定量を導入してグロー
放電を行うことにより容易に形成せしめることが出来る
。このようにして使用される炭素原子を含有する化合物
としては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ｎ−ブ
タン、イソブタン、ｎ−ペンタン、イソペンタン、エチ
レン、プロピレン、１−ブテン、イソブチレン、１−ペ
ンテン、２−ペンテン、アセチレン、メチルアセチレン
、ブチンなどの炭素数１〜５の炭化水素、及び弗化メチ
ル、弗化エチル、弗化プロピル、塩化メチル、塩化エチ
ル、臭化メチル、臭化エチル、沃化メチル、弗化メチレ
ン、塩化メチレン、ヘキサフルオルエタンなどのハロゲ
ン化アルキル等を挙げることが出来るが、これらの中で
も特に弗化メチレン、ヘキサフルオロエタン等の弗化ア
ルキルが好ましい。これらの化合物は、単独で用いるこ
とも任意に混合して用いることも出来る。この場合、珪
素含有化合物と炭素含有化金物の混合比率によってａ−
３ｉ層中に含有される炭素原子の比率（ハロゲン原子を
有する化合物を使用する場合には、ハロゲン原子の比率
も）が決定される。
本発明においては、特に上記障壁層の厚さは約０．００
５μ〜約０，３μが好ましく、ａ−３ｉ層の厚さは約５
〜約１００μの範囲から任意に選択される。
５μ〜約０，３μが好ましく、ａ−３ｉ層の厚さは約５
〜約１００μの範囲から任意に選択される。
しかしながら本発明においては、感光体の表面に更に表
面層を設けるために、ａ−５ｉ光導電層の表面に上記表
面障壁層をさらに設けることのない感光体を使用した場
合であっても、高温多湿下における連続複写に十分耐え
ることができるので、感光体の構成を単純にし製造コス
トを下げることができる点で、この場合も本発明の好ま
しい態様である。
面層を設けるために、ａ−５ｉ光導電層の表面に上記表
面障壁層をさらに設けることのない感光体を使用した場
合であっても、高温多湿下における連続複写に十分耐え
ることができるので、感光体の構成を単純にし製造コス
トを下げることができる点で、この場合も本発明の好ま
しい態様である。
本発明において感光体の表面に設けられる表面層は、疎
水性の有機高分子結合剤と電子伝導性物質によって構成
される。表面層に使用する疎水性の有機高分子結合剤と
しては、従来から汎用されている親水性でない高分子化
合物の中から任意に選ぶことが出来る。このような高分
子化合物としては、例えばポリスチレン、ポリアクリレ
ート、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボネート、
ポリアセタール、エチルセルロース、二トロセルロース
又は酢酸セルロース等の公知のものを挙げることが出来
る。
水性の有機高分子結合剤と電子伝導性物質によって構成
される。表面層に使用する疎水性の有機高分子結合剤と
しては、従来から汎用されている親水性でない高分子化
合物の中から任意に選ぶことが出来る。このような高分
子化合物としては、例えばポリスチレン、ポリアクリレ
ート、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボネート、
ポリアセタール、エチルセルロース、二トロセルロース
又は酢酸セルロース等の公知のものを挙げることが出来
る。
本発明において使用する電子伝導性物質としては、ルイ
ス酸をはじめ、例えばＺｎＯ，ＴｉＯ’２、ＣｄＳ等の
ｎ型無機半導体粒子、その他、フタロシアニン等の無機
又は有機の顔料を挙げることができる。
ス酸をはじめ、例えばＺｎＯ，ＴｉＯ’２、ＣｄＳ等の
ｎ型無機半導体粒子、その他、フタロシアニン等の無機
又は有機の顔料を挙げることができる。
本発明で使用するルイス酸としては、例えば２゜３−ジ
クロル−５，６−ジシアツーｐ−ヘンゾキノン、ジシア
ノメチレン、テトラシアノエチレン、２．６−ジニトロ
−ｐ−ベンゾキノン、テトラシアノ−ｐ−ベンゾキノン
、テトラシアノ−ｐ−キノジメタン、２．３−ジシアノ
−ｐ−ベンゾキノン、０−ブロムアニル、０−クロルア
ニル、ｐ−ブロムアニル、ｐ−クロルアニル、ｐ−ヨー
ドアニル、トリクロル−ｐ−ベンゾキノン、２，６−ジ
クロル−ｐ−ベンゾキノン、２．５−ジクロル−ｐ−ベ
ンゾキノン、２，３−ジクロル−ｐ−ベンゾキノン、２
．４．７−ドリニトロー９−フルオレノン、クロル−ｐ
−ベンゾキノン、１．２−シカｎｔホ＋’、ｔ−１、２
−ジシアノエチレン、ピロメリット酸無水物、ｐ−ベン
ゾキノン、１，３゜５−トリニトロベンゼン、２，４．
６−トリニトロトルエン、無水マレイン酸、テトラクロ
ルフタル酸無水物、１，２，４．５−テトラシアノベン
ゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、Ｉ、３．５− トリシア
ノベンゼン、２．４−ジニトロ安息香酸、３゜５−ジニ
トロ安息香酸、４，４゛ −ビス（ジメチル−アミノ）
ベンゾフェノン、無水テトラクロルフタル酸、ピクリン
酸、４−ニトロベンズアルデヒド、２−アセチルナフタ
リン、フタール酸、等を挙げることができる。これらは
単独で用いても混合して用いてもよい。
クロル−５，６−ジシアツーｐ−ヘンゾキノン、ジシア
ノメチレン、テトラシアノエチレン、２．６−ジニトロ
−ｐ−ベンゾキノン、テトラシアノ−ｐ−ベンゾキノン
、テトラシアノ−ｐ−キノジメタン、２．３−ジシアノ
−ｐ−ベンゾキノン、０−ブロムアニル、０−クロルア
ニル、ｐ−ブロムアニル、ｐ−クロルアニル、ｐ−ヨー
ドアニル、トリクロル−ｐ−ベンゾキノン、２，６−ジ
クロル−ｐ−ベンゾキノン、２．５−ジクロル−ｐ−ベ
ンゾキノン、２，３−ジクロル−ｐ−ベンゾキノン、２
．４．７−ドリニトロー９−フルオレノン、クロル−ｐ
−ベンゾキノン、１．２−シカｎｔホ＋’、ｔ−１、２
−ジシアノエチレン、ピロメリット酸無水物、ｐ−ベン
ゾキノン、１，３゜５−トリニトロベンゼン、２，４．
６−トリニトロトルエン、無水マレイン酸、テトラクロ
ルフタル酸無水物、１，２，４．５−テトラシアノベン
ゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、Ｉ、３．５− トリシア
ノベンゼン、２．４−ジニトロ安息香酸、３゜５−ジニ
トロ安息香酸、４，４゛ −ビス（ジメチル−アミノ）
ベンゾフェノン、無水テトラクロルフタル酸、ピクリン
酸、４−ニトロベンズアルデヒド、２−アセチルナフタ
リン、フタール酸、等を挙げることができる。これらは
単独で用いても混合して用いてもよい。
本発明の感光体において、表面層がいがなる機構により
高温多湿下の連続複写の性能を改良するかは明らかでは
ないが、次のように推定することが出来る。
高温多湿下の連続複写の性能を改良するかは明らかでは
ないが、次のように推定することが出来る。
一般に、電子写真のプロセスは帯電、露光、現像及びク
リーニングが１組となって繰り返されている。この場合
、帯電が正帯電である場合にはクリーニングの工程で負
の帯電工程が組み込まれ、最初の帯電が負帯電である場
合にはクリーニングの工程で正帯電の工程が組み込まれ
て残留電荷の消去がはかられており、これらの帯電工程
はコロナ放電によっている。本発明で使用するａ−３ｔ
半導体を利用する電子写真用感光体の場合も同様である
が、この場合には高温多湿下の連続複写において最初の
帯電量及び感度については異常が認められないにもかか
わらず、得られる画像の解像力の低下と画像ボケを生ず
ることからすれば、コロナ放電によって発生する例えば
ＮＯｘ−のような活性種がａ−５ｉＪ＆の表面に作用し
て、感光体の表面方向の電気伝導度を減少せしめるため
に、画像露光によってＷＩＩ＆様に分布した筈の電荷が
感光体表面に分散するものと考えられる。即ち本発明に
おける表面層は、上記のＮＯｘ−のような活性種の付着
を実質的に防止すると考えられ、これによって高温多湿
下における連続複写の性能を改善することが出来ると解
される。
リーニングが１組となって繰り返されている。この場合
、帯電が正帯電である場合にはクリーニングの工程で負
の帯電工程が組み込まれ、最初の帯電が負帯電である場
合にはクリーニングの工程で正帯電の工程が組み込まれ
て残留電荷の消去がはかられており、これらの帯電工程
はコロナ放電によっている。本発明で使用するａ−３ｔ
半導体を利用する電子写真用感光体の場合も同様である
が、この場合には高温多湿下の連続複写において最初の
帯電量及び感度については異常が認められないにもかか
わらず、得られる画像の解像力の低下と画像ボケを生ず
ることからすれば、コロナ放電によって発生する例えば
ＮＯｘ−のような活性種がａ−５ｉＪ＆の表面に作用し
て、感光体の表面方向の電気伝導度を減少せしめるため
に、画像露光によってＷＩＩ＆様に分布した筈の電荷が
感光体表面に分散するものと考えられる。即ち本発明に
おける表面層は、上記のＮＯｘ−のような活性種の付着
を実質的に防止すると考えられ、これによって高温多湿
下における連続複写の性能を改善することが出来ると解
される。
本発明の感光体は、更にその性能を改善するために表面
層の表面をシランカップリング剤によって処理すること
も出来る。
層の表面をシランカップリング剤によって処理すること
も出来る。
本発明において、表面改質剤として使用されるシランカ
ンプリング剤は有機シラン化合物であり、その代表的な
化合物は、（ＲｎＳｉＸ４ ｎ）の一般式で表わされる
。ここで、Ｒは有機置換基、Ｘは加水分解性の置換基で
あり、ｎは１〜３の整数である。
ンプリング剤は有機シラン化合物であり、その代表的な
化合物は、（ＲｎＳｉＸ４ ｎ）の一般式で表わされる
。ここで、Ｒは有機置換基、Ｘは加水分解性の置換基で
あり、ｎは１〜３の整数である。
置換基Ｒは脂肪族、環状脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族
等、炭素数１〜２０の任意の有機置換基であるが、この
うち少なくとも一つは活性な基、例えば、その中のアル
キル基がオレフィン性基、グリシジル基、メルカプト基
、アミノ基、又はエポキシ基を有する炭素数１〜１ｏの
アルキル基であるか、もしくはアルカリール基であるこ
とが好ましい。
等、炭素数１〜２０の任意の有機置換基であるが、この
うち少なくとも一つは活性な基、例えば、その中のアル
キル基がオレフィン性基、グリシジル基、メルカプト基
、アミノ基、又はエポキシ基を有する炭素数１〜１ｏの
アルキル基であるか、もしくはアルカリール基であるこ
とが好ましい。
一方、置換基Ｘは加水分解性の基であり、例えば、ハロ
ゲン原子、アミノ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、又
はアセトキシ基、アルキルアミノ基、プロペノキシ基等
である。
ゲン原子、アミノ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、又
はアセトキシ基、アルキルアミノ基、プロペノキシ基等
である。
次に一般式（ＲｎＳＩＸ４−ｎ）で表わされる化合物の
具体例を挙げる。
具体例を挙げる。
以下余白
１）ＣＨ＝ＣＨ３ｉ （○Ｃ２１４５）３２）ＣＨ２−
ＣＨ３Ｓ （ＯＣ２Ｈ４０ＣＨ３）３２ ４）ＣＨ＝ＣＨ２Ｈ２０（ＣＨ２）３Ｓｉ （ＯＣＨ：
５）３＼１ Ｈ７ＮＣｔｌ、７ＣＨ２Ｎ （ＣＩ７） ３Ｓｉ （Ｏ
ＣＨ３）３７） Ｃ／＋ （ＣＨ２） ３ Ｓ ｉ （
ＯＣＨ３） ３８） Ｈ３（ＣＨ２） ３Ｓ ｉ （Ｏ
ＣＨ３） ３９）（Ｃ２Ｈ５０） ３ｓｉ （ＣＨ２）
３ＮＨ２１２） （ｔ−Ｃ４Ｈ９００） ３ Ｓ ｉ
ＣＨ＝ＣＨ２１３）（ＣＨ３０） ３ｓｉ （ＣＨ２
）３ＮＨＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２１４） （Ｃ２Ｈ５０）３
Ｓｉ （ＣＨ２）３ＮＨＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２：ＨＣｌ１
１５）（ＣＩ（３０）３Ｓｉ （ＣＨ２） ３ＮＨＣＨ
２ＣＨ２ＮＨＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２１６）（ＣＩ＋３０）
３ｓｉ （ＣＨ２）３ＮＨＣＨ２ＣＨ２ＮＨＣＨ２ＣＯ
ＯＨ１７）（Ｃ２Ｈ５０） ３Ｓｉ （ＣＨ２） ３Ｎ
ＨｃＯｃＨ＝ｃＨｃＯＯＨ１８）（ＣＨ３０） ３Ｓｉ
（ＣＨ２）３ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＨ１９） （ＣＨ
３０） ３Ｓ ｉ ＣＨ３２０） （ＣＨ３０） ３Ｓ
ｉ （Ｃ４（２） ＋７ＣＨ３２１）（ＣＩ７Ｈ３３Ｃ
ＯＯ）３ＳｉＣ３Ｈ５０ＣＯＣ＋７Ｈ３３２４）（ＣＨ
３０）３ＳｉＣＨ２ＣＨ２（ＣＦ２）７ｃＦ’３穴ＣＦ
３ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ （ＯＣＨ３）３２６）ＣＦ３（Ｃ
Ｆ２） ３ｃＨ２ｃＨ２ｓｉ （ＯＣＨ３）３２７＞Ｃ
Ｆ３ （ＣＦ２）７ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ （ＯＣＨ３）３
２９）ＣＦ３（ＣＦ２）５ＣＯＯ（ＣＨ２） ３Ｓｉ
（ＯＣＨ３）３３０）ＣＦ３ （ＣＦ２）５ｃｏｓ （
ＣＨ２） ３Ｓｉ （ＯＣＨ：３）！３１）ＣＦ３ （
ＣＦ２）５ＣＯＮＨ（ＣＨ２） ３Ｓｌ （ＯＣｚＨ５
） ３３２）ＣＦ３（ＣＦ２）７ＳＯ２ＮＨ（ＣＨ２）
３３ｋ （ＯＣ２Ｈ５）３３３）ＣＦ３（ＣＦ２）７Ｃ
Ｈ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ （ＯＣＨ３）３３４）
ＣＦ３ （ＣＦ２） ９ ＣＨ２ＣＨ２５ＣＨ２ＣＨ
２ＳＩ （ＯＣＨ３） ３所） （ＣＨ３ＣＯＯ） ３
ＳｉＣＭ−ＣＨ２十０１− ”）（１−１０） ３Ｓｉ （ＣＨ２） Ｓ （ＮＨ２
） ２３９） （ＣＨ３０）３ＳＩＣＨ＝ＣＨ２４０）
（Ｊ３ＳｉＣＨ＝ＣＨ２ ４４）（ＣＨ３０）３３１ （ＣＨ２）３３Ｈ４５）
（ＣＨ：ｓ ＣＯＯ＞ ３３ ｉ ＣＨ＝ＣＨ２４６）
（ＣＨ３０）３Ｓｉ （ＣＨ２） ３ＣＩ４７） （Ｃ
Ｈ３０） ３ Ｓ ｉ ＣＨ＝ＣＨ２４静 ＣＨ２＝Ｃ
Ｈ８１（Ｊ３ ４９） （ＣＨ３ＣＨ２０） ３ Ｓ Ｉ ＣＨ＝ＣＨ
２団）（ＣＨ３０ＣＨ２ＣＨ２０） ３ＳｉＣＨ−ＣＨ
２本発明においては、このようなシランカップリング剤
の中でも特に、ビニルトリクロルシラン、ジビニルテト
ラメチルジシラザン、フェニルトリエトキシシラン、メ
タクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシ
ドキシプロビルトリメトキシシラン、フェニルジメチル
クロルシラン、Ｃｌ８Ｈ３７）リメトキシシラン、メチ
ルトリメトキシシラン、及びヘキサメチルジシラザンが
好ましい。
ＣＨ３Ｓ （ＯＣ２Ｈ４０ＣＨ３）３２ ４）ＣＨ＝ＣＨ２Ｈ２０（ＣＨ２）３Ｓｉ （ＯＣＨ：
５）３＼１ Ｈ７ＮＣｔｌ、７ＣＨ２Ｎ （ＣＩ７） ３Ｓｉ （Ｏ
ＣＨ３）３７） Ｃ／＋ （ＣＨ２） ３ Ｓ ｉ （
ＯＣＨ３） ３８） Ｈ３（ＣＨ２） ３Ｓ ｉ （Ｏ
ＣＨ３） ３９）（Ｃ２Ｈ５０） ３ｓｉ （ＣＨ２）
３ＮＨ２１２） （ｔ−Ｃ４Ｈ９００） ３ Ｓ ｉ
ＣＨ＝ＣＨ２１３）（ＣＨ３０） ３ｓｉ （ＣＨ２
）３ＮＨＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２１４） （Ｃ２Ｈ５０）３
Ｓｉ （ＣＨ２）３ＮＨＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２：ＨＣｌ１
１５）（ＣＩ（３０）３Ｓｉ （ＣＨ２） ３ＮＨＣＨ
２ＣＨ２ＮＨＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２１６）（ＣＩ＋３０）
３ｓｉ （ＣＨ２）３ＮＨＣＨ２ＣＨ２ＮＨＣＨ２ＣＯ
ＯＨ１７）（Ｃ２Ｈ５０） ３Ｓｉ （ＣＨ２） ３Ｎ
ＨｃＯｃＨ＝ｃＨｃＯＯＨ１８）（ＣＨ３０） ３Ｓｉ
（ＣＨ２）３ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＨ１９） （ＣＨ
３０） ３Ｓ ｉ ＣＨ３２０） （ＣＨ３０） ３Ｓ
ｉ （Ｃ４（２） ＋７ＣＨ３２１）（ＣＩ７Ｈ３３Ｃ
ＯＯ）３ＳｉＣ３Ｈ５０ＣＯＣ＋７Ｈ３３２４）（ＣＨ
３０）３ＳｉＣＨ２ＣＨ２（ＣＦ２）７ｃＦ’３穴ＣＦ
３ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ （ＯＣＨ３）３２６）ＣＦ３（Ｃ
Ｆ２） ３ｃＨ２ｃＨ２ｓｉ （ＯＣＨ３）３２７＞Ｃ
Ｆ３ （ＣＦ２）７ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ （ＯＣＨ３）３
２９）ＣＦ３（ＣＦ２）５ＣＯＯ（ＣＨ２） ３Ｓｉ
（ＯＣＨ３）３３０）ＣＦ３ （ＣＦ２）５ｃｏｓ （
ＣＨ２） ３Ｓｉ （ＯＣＨ：３）！３１）ＣＦ３ （
ＣＦ２）５ＣＯＮＨ（ＣＨ２） ３Ｓｌ （ＯＣｚＨ５
） ３３２）ＣＦ３（ＣＦ２）７ＳＯ２ＮＨ（ＣＨ２）
３３ｋ （ＯＣ２Ｈ５）３３３）ＣＦ３（ＣＦ２）７Ｃ
Ｈ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ （ＯＣＨ３）３３４）
ＣＦ３ （ＣＦ２） ９ ＣＨ２ＣＨ２５ＣＨ２ＣＨ
２ＳＩ （ＯＣＨ３） ３所） （ＣＨ３ＣＯＯ） ３
ＳｉＣＭ−ＣＨ２十０１− ”）（１−１０） ３Ｓｉ （ＣＨ２） Ｓ （ＮＨ２
） ２３９） （ＣＨ３０）３ＳＩＣＨ＝ＣＨ２４０）
（Ｊ３ＳｉＣＨ＝ＣＨ２ ４４）（ＣＨ３０）３３１ （ＣＨ２）３３Ｈ４５）
（ＣＨ：ｓ ＣＯＯ＞ ３３ ｉ ＣＨ＝ＣＨ２４６）
（ＣＨ３０）３Ｓｉ （ＣＨ２） ３ＣＩ４７） （Ｃ
Ｈ３０） ３ Ｓ ｉ ＣＨ＝ＣＨ２４静 ＣＨ２＝Ｃ
Ｈ８１（Ｊ３ ４９） （ＣＨ３ＣＨ２０） ３ Ｓ Ｉ ＣＨ＝ＣＨ
２団）（ＣＨ３０ＣＨ２ＣＨ２０） ３ＳｉＣＨ−ＣＨ
２本発明においては、このようなシランカップリング剤
の中でも特に、ビニルトリクロルシラン、ジビニルテト
ラメチルジシラザン、フェニルトリエトキシシラン、メ
タクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシ
ドキシプロビルトリメトキシシラン、フェニルジメチル
クロルシラン、Ｃｌ８Ｈ３７）リメトキシシラン、メチ
ルトリメトキシシラン、及びヘキサメチルジシラザンが
好ましい。
これらのシランカップリング剤を感光体の表面に適用す
る具体的な方法としては、第１に感光体の表面をシラン
カップリング剤の蒸気にさらす方法、第２にシランカッ
プリング剤を感光体の表面に塗布する方法、第３に感光
体をシランカップリング剤中に浸漬する方法、等の通常
の方法を挙げることができる。第２、第３の方法を採用
するにあたっては、シランカップリング剤の希釈剤とし
て有機溶剤を併用することができる。
る具体的な方法としては、第１に感光体の表面をシラン
カップリング剤の蒸気にさらす方法、第２にシランカッ
プリング剤を感光体の表面に塗布する方法、第３に感光
体をシランカップリング剤中に浸漬する方法、等の通常
の方法を挙げることができる。第２、第３の方法を採用
するにあたっては、シランカップリング剤の希釈剤とし
て有機溶剤を併用することができる。
本発明における表面層の効果は、理由は明確ではないが
、表面層を設けない感光体の性能を維持した上に、更に
耐コロナ性を改善することができる点にある。
、表面層を設けない感光体の性能を維持した上に、更に
耐コロナ性を改善することができる点にある。
従って、本発明において表面層を設けるための感光体の
構成として特に、ａ−３ｉ光導電層の上に、少なくとも
炭素原子を含有するａ−Ｓｉ：Ｃ障壁層を使用した場合
には、この障壁層が存在するために極めて耐剛性が良好
である上、更にこの上に設けられた表面層によって、耐
コロナ性が増大するので、極めて優れた感光体とするこ
とができる。
構成として特に、ａ−３ｉ光導電層の上に、少なくとも
炭素原子を含有するａ−Ｓｉ：Ｃ障壁層を使用した場合
には、この障壁層が存在するために極めて耐剛性が良好
である上、更にこの上に設けられた表面層によって、耐
コロナ性が増大するので、極めて優れた感光体とするこ
とができる。
以下、実施例により更に詳述するが、本発明はこれによ
って限定されるものではない。
って限定されるものではない。
実施例１． “
真空系、ガス供給配管系、ガスリーク系、ヒーター、グ
ロー放電装置等を備えたペルジャー型の非晶質シリコン
製造用グロー放電装置を用いて導電性支持体の上に順次
、光導電性層のａ−３ｉｌ！及びａ−８ｌ：Ｃ障壁層を
形成した。
ロー放電装置等を備えたペルジャー型の非晶質シリコン
製造用グロー放電装置を用いて導電性支持体の上に順次
、光導電性層のａ−３ｉｌ！及びａ−８ｌ：Ｃ障壁層を
形成した。
表面を研磨したアルミニウム製ドラム（支持体：外径１
２０鶴、長さ４１０ｍｍ）をペルジャー内の回転支持台
上の石英板にセットしたのち、ペルジャーの内部を排気
し、又ペルジャーに備えられたガス配管系内も排気して
、これらの系内の真空度を約３ Ｘ １０−５Ｔｏ ｒ
ｒ （ｍＨｇ）とした。
２０鶴、長さ４１０ｍｍ）をペルジャー内の回転支持台
上の石英板にセットしたのち、ペルジャーの内部を排気
し、又ペルジャーに備えられたガス配管系内も排気して
、これらの系内の真空度を約３ Ｘ １０−５Ｔｏ ｒ
ｒ （ｍＨｇ）とした。
次に、アルミニウム製ドラムをペルジャー内部に備えら
れたヒーターにより温度を２５０’Ｃに制御しながら加
熱した。尚、温度の制御はアルメルクロメル熱電対によ
ってドラムの温度を測定しながら行なった。
れたヒーターにより温度を２５０’Ｃに制御しながら加
熱した。尚、温度の制御はアルメルクロメル熱電対によ
ってドラムの温度を測定しながら行なった。
次に、リークバルブを僅かに開き、ペルジャー内の真空
度を約０．３Ｔｏｒｒになるように調整し、負の脈流高
圧電源（以後、高圧電源と略記する）によりアルミニウ
ム製ドラムとガス吹き出し板との間で３０Ｗのグロー放
電を５分間行ない、ドラムの表面に吸着されているガス
を除去した。
度を約０．３Ｔｏｒｒになるように調整し、負の脈流高
圧電源（以後、高圧電源と略記する）によりアルミニウ
ム製ドラムとガス吹き出し板との間で３０Ｗのグロー放
電を５分間行ない、ドラムの表面に吸着されているガス
を除去した。
高圧電源を切って、リークバルブを閉じた後、再びペル
ジャー内部を約Ｉ Ｘ １０−５Ｔｏ ｒ ｒの真空度
とした。
ジャー内部を約Ｉ Ｘ １０−５Ｔｏ ｒ ｒの真空度
とした。
次いで、２９０容積ｐｐｍ水素希釈のＢ２ Ｈ５／夏１
２ （以後、８２ Ｈｔ５／ Ｈ２と略記する）をガス
供給配管系から、マスフローメーターで流量を調節しな
がら４ｅｃ／分（ＳＣＣＭ）の流量にて供給した。又Ｓ
ｉＨ４ガス供給配管系のバルブを徐々に開き、マスフロ
ーメーターで流量を調節しながら１５０ｃｃ／分の流量
にて供給した。尚、この操作においてペルジャー内圧力
をバイパスバルブの調整により４．５Ｘ１０−ＩＴｏｒ
’ｒにした。
２ （以後、８２ Ｈｔ５／ Ｈ２と略記する）をガス
供給配管系から、マスフローメーターで流量を調節しな
がら４ｅｃ／分（ＳＣＣＭ）の流量にて供給した。又Ｓ
ｉＨ４ガス供給配管系のバルブを徐々に開き、マスフロ
ーメーターで流量を調節しながら１５０ｃｃ／分の流量
にて供給した。尚、この操作においてペルジャー内圧力
をバイパスバルブの調整により４．５Ｘ１０−ＩＴｏｒ
’ｒにした。
供給ガスの流量が一定になったところで、回転している
ドラムとガス吹き出し板との間で、入力電力１００Ｗで
グロー放電を５時間行ない、非晶質シリコン光導電性層
の形成を行なった。
ドラムとガス吹き出し板との間で、入力電力１００Ｗで
グロー放電を５時間行ない、非晶質シリコン光導電性層
の形成を行なった。
次に、障壁層の形成を開始する前にガス供給配管系を閉
じ、ペルジャーの内部の真空度を１×１Ｏ−５Ｔｏ ｒ
ｒにした。
じ、ペルジャーの内部の真空度を１×１Ｏ−５Ｔｏ ｒ
ｒにした。
ペルジャー内部の真空度がＩ Ｘ １０−５ＴＯｒｒに
なったところで、ＳｉＨ４ガス供給配管系のマスフロー
メーターを３０ｅＱ／分に、又Ｃ２Ｆ５ガス供給配管系
のマスフローメーターを８ｃｃ／分に調整し、ペルジャ
ー内にこれらのガスを供給した。次いで、ペルジャー内
の真空度が５Ｘ１０−３Ｔｏ ｒ ｒになった時点で、
５ｔＨ４ガス供給配管系のマスフローメーターを１５０
ｃｃ／分に、又Ｃ２Ｆ５ガス供給配管系のマスフローメ
ーターを３２Ｃｅ／分に調整した。それらのガスの流量
が設定値になったところでバイパスバルブを利用してペ
ルジャー内の圧力を４．５ｘｌＯ〜ＩＴｏｒｒにした。
なったところで、ＳｉＨ４ガス供給配管系のマスフロー
メーターを３０ｅＱ／分に、又Ｃ２Ｆ５ガス供給配管系
のマスフローメーターを８ｃｃ／分に調整し、ペルジャ
ー内にこれらのガスを供給した。次いで、ペルジャー内
の真空度が５Ｘ１０−３Ｔｏ ｒ ｒになった時点で、
５ｔＨ４ガス供給配管系のマスフローメーターを１５０
ｃｃ／分に、又Ｃ２Ｆ５ガス供給配管系のマスフローメ
ーターを３２Ｃｅ／分に調整した。それらのガスの流量
が設定値になったところでバイパスバルブを利用してペ
ルジャー内の圧力を４．５ｘｌＯ〜ＩＴｏｒｒにした。
次に、高圧電源により入力電力１００Ｗでグロー放電を
６分間実施し、障壁層の形成を行なった。
６分間実施し、障壁層の形成を行なった。
高圧電源を切って、グロー放電を終了させた後、ペルジ
ャー内の圧力が５Ｘ１０ ２Ｔｏｒｒになった時点で、
更に真空度をＩ Ｘ １０−５Ｔｏ ｒ ｒとして１０
分間排気を行なった。次いで、ヒーターを切り、ドラム
の温度が１００℃になるのを待って、ドラムをペルジャ
ー内から取り出した。
ャー内の圧力が５Ｘ１０ ２Ｔｏｒｒになった時点で、
更に真空度をＩ Ｘ １０−５Ｔｏ ｒ ｒとして１０
分間排気を行なった。次いで、ヒーターを切り、ドラム
の温度が１００℃になるのを待って、ドラムをペルジャ
ー内から取り出した。
ドラム上に形成された非晶質シリコン層の厚さは全体と
して３７μｍであり、この内、障壁層は約０．２１μｍ
であった。この障壁層における炭素原子比率は約３０原
子パーセントであった。
して３７μｍであり、この内、障壁層は約０．２１μｍ
であった。この障壁層における炭素原子比率は約３０原
子パーセントであった。
このようにして製造されたａ−３ｔ電子写真用感光体の
上に、次のようにして表面層を塗布乾燥した。
上に、次のようにして表面層を塗布乾燥した。
β型銅フタロシアニン１ｇ及びポリエステル樹脂（東洋
紡績株式会社製、商品名バイロン２００）７ｇをメチル
・エチルケトン：トルエン−１：ｌの混合溶媒２００ｇ
に溶解、混線分散し、塗布液とした。次に上記ａ−３ｉ
電子写真用感光体を回転塗布機に装着し、回転数１３５
ｒｐｍで上記塗布液を塗布し、雰囲気温度６０℃の空気
中で２時間乾燥し、更に真空中で１００℃で５時間乾燥
した。乾燥後の表面の膜厚は約２μｍであった。
紡績株式会社製、商品名バイロン２００）７ｇをメチル
・エチルケトン：トルエン−１：ｌの混合溶媒２００ｇ
に溶解、混線分散し、塗布液とした。次に上記ａ−３ｉ
電子写真用感光体を回転塗布機に装着し、回転数１３５
ｒｐｍで上記塗布液を塗布し、雰囲気温度６０℃の空気
中で２時間乾燥し、更に真空中で１００℃で５時間乾燥
した。乾燥後の表面の膜厚は約２μｍであった。
このようにして得られた感光体を（Ａ）とする。
又、上記表面層塗布液の組成から、β型銅フタロシアニ
ンを取り除いた組成の塗布液を塗布乾燥した感光体を（
Ｂ）とする。又、上記表面層のいずれをも塗布しない感
光体を（Ｃ）とする。
ンを取り除いた組成の塗布液を塗布乾燥した感光体を（
Ｂ）とする。又、上記表面層のいずれをも塗布しない感
光体を（Ｃ）とする。
それぞれの感光体（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）について、温
度３０℃、相対湿度８５％の下でプラス５ｋｖ、帯電時
間０．０８秒のコロナ放電を行ない、直ちに画像露光を
１．５ルツクス・砂丘なった。次に、マイナス荷電性の
トナーとキャリヤーとからなる乾式現像剤を磁気ブラシ
法によって感光体のドラム表面にのせ、プラスのコロナ
放電により転写紙に転写したところ、極めて鮮明な高解
像力高濃度の画像が得られた。次いで、転写後の感光体
表面をクリーニングブレードで清掃を行なった後、温度
３０℃、相対湿度８５％の下で、次のようにしてコロナ
帯電劣化テストを行なった。
度３０℃、相対湿度８５％の下でプラス５ｋｖ、帯電時
間０．０８秒のコロナ放電を行ない、直ちに画像露光を
１．５ルツクス・砂丘なった。次に、マイナス荷電性の
トナーとキャリヤーとからなる乾式現像剤を磁気ブラシ
法によって感光体のドラム表面にのせ、プラスのコロナ
放電により転写紙に転写したところ、極めて鮮明な高解
像力高濃度の画像が得られた。次いで、転写後の感光体
表面をクリーニングブレードで清掃を行なった後、温度
３０℃、相対湿度８５％の下で、次のようにしてコロナ
帯電劣化テストを行なった。
それぞれの感光体（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を回転式帯電
テスト装置に装着し、毎分４０回転で回転させながら３
０分間、印加電圧マイナス６ｋｖでコロナ帯電を行なっ
た後、同じ環境の下で上記の画像形成プロセスによりコ
ピー画像を形成し、その解像力（シャープネス）を調べ
た。更に、それぞれの感光体（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の
画像形成プロセスを連続１００回行なった後、画像上の
かぶりの程度を調べた。結果は表１に示す通りであり、
銅フタロシアニンを含む樹脂表面層を持つ感光体（Ａ）
は、耐コロナ性能も優秀でかぶりも少なかった。しかし
ながら、銅フタロシアニンを含まない樹脂表面層を持つ
感光体（Ｂ）は、耐コロナ性能は優秀であったが、１０
０枚の連続コピーによりかぶり濃度が著しく上昇した。
テスト装置に装着し、毎分４０回転で回転させながら３
０分間、印加電圧マイナス６ｋｖでコロナ帯電を行なっ
た後、同じ環境の下で上記の画像形成プロセスによりコ
ピー画像を形成し、その解像力（シャープネス）を調べ
た。更に、それぞれの感光体（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の
画像形成プロセスを連続１００回行なった後、画像上の
かぶりの程度を調べた。結果は表１に示す通りであり、
銅フタロシアニンを含む樹脂表面層を持つ感光体（Ａ）
は、耐コロナ性能も優秀でかぶりも少なかった。しかし
ながら、銅フタロシアニンを含まない樹脂表面層を持つ
感光体（Ｂ）は、耐コロナ性能は優秀であったが、１０
０枚の連続コピーによりかぶり濃度が著しく上昇した。
いずれの樹脂表面層をも有していない感光体（Ｃ）は、
連続コピーによるかぶりはなかったが、耐コロナ性能は
著しく悪く、画像ボケが発生した。
連続コピーによるかぶりはなかったが、耐コロナ性能は
著しく悪く、画像ボケが発生した。
表１゜
マイナスコロナ ５４！ｐ ５／ｐ Ｏｎ！ｐＢ？１．
の ″ １重 １璽 ｍｍ ｍ連続１註０ 実施例２。
の ″ １重 １璽 ｍｍ ｍ連続１註０ 実施例２。
実施例１の感光体（Ａ）の表面層に、β型銅フタロシア
ニンのかわりに次のものを添加した。
ニンのかわりに次のものを添加した。
以下余白
■ ２， ４． ７ −ｔｒｉｎｉｔｒｏ−９ −ｆｌ
ｕｏｒｅｎｏｎｅ■ ２．３−ジクロル−５，６−ジシ
アノ−ｐ−ベンゾキノン ■ ２，４−ジニトロ安息香酸 ■ ｐ−ブロムアニル ■ テトラシアノ−ｐ−キノジメタン いずれの場合も、感光体（Ａ）の場合と同様に良好であ
り、優れた耐コロナ性を持ち、残留電位も低くなること
が実証された。
ｕｏｒｅｎｏｎｅ■ ２．３−ジクロル−５，６−ジシ
アノ−ｐ−ベンゾキノン ■ ２，４−ジニトロ安息香酸 ■ ｐ−ブロムアニル ■ テトラシアノ−ｐ−キノジメタン いずれの場合も、感光体（Ａ）の場合と同様に良好であ
り、優れた耐コロナ性を持ち、残留電位も低くなること
が実証された。
特許出願人 富士写真フィルム株式会社代理人 弁理士
滝田清暉
滝田清暉
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ａ−３１半導体を光導電性層として利用した電子写
真用感光体の表面に、疎水性の有機高分子結合剤及び電
子伝導性物質からなる表面層を形成せしめたことを特徴
とする電子写真用感光体。 ２）ａ−３ｉ半導体を光導電性層として利用した電子写
真用感光体が、■導電性支持体、■少なくとも炭素原子
を不純物として含有するａ−３１層からなる障壁層及び
■該障壁層の上に設けられたａ−３ｔ半導体からなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子写真
用感光体。 ３）ａ−３１半導体を光導電性層として利用した電子写
真用感光体が、■導電性支持体、■少なくとも炭素原子
を不純物として含有するａ−３ｉ層からなる障壁層、■
該障壁層の上に設けられたａ−３ｉ半導体の光導電性層
及び■光導電性層の上に設けられた、少なくとも炭素原
子を含有するａ−３ｔ層からなることを特徴とする特許
請求の範囲第１項に記載の電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12339283A JPS6015644A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12339283A JPS6015644A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6015644A true JPS6015644A (ja) | 1985-01-26 |
Family
ID=14859426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12339283A Pending JPS6015644A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6015644A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS643672A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Mita Industrial Co Ltd | Electrophotographic sensitive body |
| JPH0488350A (ja) * | 1990-08-01 | 1992-03-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPH0572783A (ja) * | 1991-04-12 | 1993-03-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPH06202361A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体およびその製造方法 |
| EP1003197A2 (en) * | 1998-11-18 | 2000-05-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate for electron source, electron source and image forming apparatus, and manufacturing method thereof |
-
1983
- 1983-07-08 JP JP12339283A patent/JPS6015644A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS643672A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Mita Industrial Co Ltd | Electrophotographic sensitive body |
| JPH0488350A (ja) * | 1990-08-01 | 1992-03-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPH0572783A (ja) * | 1991-04-12 | 1993-03-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPH06202361A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体およびその製造方法 |
| EP1003197A2 (en) * | 1998-11-18 | 2000-05-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate for electron source, electron source and image forming apparatus, and manufacturing method thereof |
| EP1003197A3 (en) * | 1998-11-18 | 2001-04-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate for electron source, electron source and image forming apparatus, and manufacturing method thereof |
| US6849999B1 (en) | 1998-11-18 | 2005-02-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate for electron source, electron source and image forming apparatus, and manufacturing method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4559289A (en) | Electrophotographic light-sensitive material | |
| JP2509228B2 (ja) | 多層型無定形ケイ素像形成部材 | |
| US4555464A (en) | Amorphous silicon electrophotographic photosensitive materials | |
| JPS6015644A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS59184360A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS5859450A (ja) | 光導電アセンブリ | |
| JPS6095467A (ja) | 電子写真用感光体の劣化防止方法 | |
| US4698288A (en) | Electrophotographic imaging members having a ground plane of hydrogenated amorphous silicon | |
| JP2627427B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS6017750A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JP2020008688A (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 | |
| JP3994638B2 (ja) | 電子写真感光体、画像形成方法、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ | |
| JP5446659B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、および画像形成装置 | |
| JP5440068B2 (ja) | 画像形成装置 | |
| JP2562583B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP2566762B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP2761741B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS62156666A (ja) | 感光体 | |
| JP3466745B2 (ja) | 電子写真装置 | |
| JPS62156667A (ja) | 感光体 | |
| JPH0778637B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JP4127606B2 (ja) | 感光体および画像形成装置 | |
| JP2566762C (ja) | ||
| JPS63311259A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS62156664A (ja) | 感光体 |