JPS6017750A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS6017750A JPS6017750A JP12717683A JP12717683A JPS6017750A JP S6017750 A JPS6017750 A JP S6017750A JP 12717683 A JP12717683 A JP 12717683A JP 12717683 A JP12717683 A JP 12717683A JP S6017750 A JPS6017750 A JP S6017750A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- layer
- barrier layer
- silane coupling
- coupling agent
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真用感光体に関する。更に詳しくは、本
発明は非晶質シリコンを光導電性材料として利用した電
子写真用感光体の改良に関する。
発明は非晶質シリコンを光導電性材料として利用した電
子写真用感光体の改良に関する。
従来、電子写真用感光体の光導電性層にはＳｅ、ＣｄＳ
、ＺｎＯ等の無機光導電性材料を初め、ポリビニルカル
バゾール等の有機半導体を使用する単層型、又は積層型
の有機光導電性材料が広く使“用されている。しかしな
がら、近年、アモルファスシリコン半導体を光導電性材
料として使用した場合には、上記の如き、従来汎用され
ていた光導電性材料を使用した場合に比し、機械的耐久
性、耐熱性、耐湿性、耐コロナイオン性等において優れ
た性能を有する可能性が大きく、又、毒性が全くないこ
とから、電子写真用感光体へ応用するための活発な開発
がなされてきた（例えば、特開昭５５−８７１５４．５
６−８３７４８．５７−１１５５５９）。
、ＺｎＯ等の無機光導電性材料を初め、ポリビニルカル
バゾール等の有機半導体を使用する単層型、又は積層型
の有機光導電性材料が広く使“用されている。しかしな
がら、近年、アモルファスシリコン半導体を光導電性材
料として使用した場合には、上記の如き、従来汎用され
ていた光導電性材料を使用した場合に比し、機械的耐久
性、耐熱性、耐湿性、耐コロナイオン性等において優れ
た性能を有する可能性が大きく、又、毒性が全くないこ
とから、電子写真用感光体へ応用するための活発な開発
がなされてきた（例えば、特開昭５５−８７１５４．５
６−８３７４８．５７−１１５５５９）。
これらの開発研究の結果、はぼａ−３ｉ半導体を電子写
真用感光体の光導電層として使用し得ることが可能にな
ったが、尚、耐コロナ性が十分でなく、我国の夏期に相
当する環境、即ち気温的３０℃、相対温度約８５％で連
続複写を行なった場・合には画像ボケが生じ、特にこの
傾向は負のコロナ放電を用いる場合に顕著となるという
欠点があった。
真用感光体の光導電層として使用し得ることが可能にな
ったが、尚、耐コロナ性が十分でなく、我国の夏期に相
当する環境、即ち気温的３０℃、相対温度約８５％で連
続複写を行なった場・合には画像ボケが生じ、特にこの
傾向は負のコロナ放電を用いる場合に顕著となるという
欠点があった。
従って、本発明の第１の目的は、高温多湿下における連
続複写によっても、コピーの画像ボケを生ずることのな
い、ａ−３ｉ半導体を光導電層として利用した電子写真
用感光体を提供することである。
続複写によっても、コピーの画像ボケを生ずることのな
い、ａ−３ｉ半導体を光導電層として利用した電子写真
用感光体を提供することである。
本発明の第２の目的は、高温多湿下における長時間の使
用に耐え得る、ａ−３ｉ半導体を光導電層として利用し
た電子写真用感光体を提供することである。
用に耐え得る、ａ−３ｉ半導体を光導電層として利用し
た電子写真用感光体を提供することである。
本発明の第３の目的は、ａ−３ｉ半導体を光導電層とし
て利用した電子写真用感光体の耐久性を向上せしめるた
めの、簡易な方法を提供することにある。
て利用した電子写真用感光体の耐久性を向上せしめるた
めの、簡易な方法を提供することにある。
本発明のかかる諸口的は、ａ−３Ｌ半導体を光導電層と
して利用した電子写真用感光体の表面を、シランカップ
リング剤を用いて処理することにより容易に達成された
。
して利用した電子写真用感光体の表面を、シランカップ
リング剤を用いて処理することにより容易に達成された
。
本発明で使用するａ−３ｉ半導体とは、一つのＳｔ原子
に着目した場合、その原子の近傍では原子が一定の秩序
を有して配列しているが、長距離秩序は有しない、所謂
非晶質シリコン半導体を意味する。このようなａ−３ｔ
半導体の薄膜は一般に、グロー放電法、スパッタリング
法、ＣＶＤ法、イオンブレーティング法等の公知の方法
により容易に得ることができる。
に着目した場合、その原子の近傍では原子が一定の秩序
を有して配列しているが、長距離秩序は有しない、所謂
非晶質シリコン半導体を意味する。このようなａ−３ｔ
半導体の薄膜は一般に、グロー放電法、スパッタリング
法、ＣＶＤ法、イオンブレーティング法等の公知の方法
により容易に得ることができる。
本発明においては、これらの方法の内、特にグロー放電
法又はＣＶＤ法を用いることが便利であるが、この場合
に使用するシラン及び／又はシラン誘導体として、例え
ば、シラン、ジシラン、トリシラン、テトラシラン、シ
リコエチレン、シリコアセチレン、ジシロキサン、シリ
ルアミン、モノクロルシラン、ジクロルシラン、トリク
ロルシラン、テトラクロルシラン、ヘキサクロルジシラ
ン、オクタクロルトリシラン、デカクロルテトラシラン
、ドデカクロルペンタシラン、モノフルオルシラン、ジ
ブロムシラン、トリフルオルシラン、テトラフルオルシ
ラン、ヘキサフルオルジシラン、オクタフルオルトリシ
ラン、モノブロムシラン、ジブロムシラン、トリブロム
シラン、テトラブロムシラン、ヘキサブロムジシラン、
オクタブロムトリシラン、モノヨードシラン、ショート
シラン、トリヨードシラン、テトラヨードシラン、ヘキ
サヨードジシラン、オクタヨードトリシラン、及び−分
子中に珪素原子と二辺上のハロゲン原子を含む化合物（
例えば５ｉＢｒＣ４３，５ｉＣｊ２２Ｆ２）などを挙げ
ることができる。これらの化合物は単独もしくは混合し
て用いることができ、又、更に必要により水素ガスなど
を併用することもできる。
法又はＣＶＤ法を用いることが便利であるが、この場合
に使用するシラン及び／又はシラン誘導体として、例え
ば、シラン、ジシラン、トリシラン、テトラシラン、シ
リコエチレン、シリコアセチレン、ジシロキサン、シリ
ルアミン、モノクロルシラン、ジクロルシラン、トリク
ロルシラン、テトラクロルシラン、ヘキサクロルジシラ
ン、オクタクロルトリシラン、デカクロルテトラシラン
、ドデカクロルペンタシラン、モノフルオルシラン、ジ
ブロムシラン、トリフルオルシラン、テトラフルオルシ
ラン、ヘキサフルオルジシラン、オクタフルオルトリシ
ラン、モノブロムシラン、ジブロムシラン、トリブロム
シラン、テトラブロムシラン、ヘキサブロムジシラン、
オクタブロムトリシラン、モノヨードシラン、ショート
シラン、トリヨードシラン、テトラヨードシラン、ヘキ
サヨードジシラン、オクタヨードトリシラン、及び−分
子中に珪素原子と二辺上のハロゲン原子を含む化合物（
例えば５ｉＢｒＣ４３，５ｉＣｊ２２Ｆ２）などを挙げ
ることができる。これらの化合物は単独もしくは混合し
て用いることができ、又、更に必要により水素ガスなど
を併用することもできる。
本発明で使用するａ−３１層には、電子写真用感光体と
しての性能を十分にするために不純物をドーピングする
ことが好ましい。このような不純物として、例えばＨ，
Ｆ、Ｃ，Ｎ、０及び元素周期率表第Ｖ族Ｂの元素、並び
に元素周期率表第Ｖ族Ｂの元素等を使用することができ
、これらは公知の方法でａ−３１層に導入することがで
きる。
しての性能を十分にするために不純物をドーピングする
ことが好ましい。このような不純物として、例えばＨ，
Ｆ、Ｃ，Ｎ、０及び元素周期率表第Ｖ族Ｂの元素、並び
に元素周期率表第Ｖ族Ｂの元素等を使用することができ
、これらは公知の方法でａ−３１層に導入することがで
きる。
本発明において、ｒａ−３ｌ半導体を光導電層として利
用する」とは、ａ−３１層を単一の層として利用する場
合のみならず、特開昭５４−７８１３５号公報に記載さ
れている如＜ＰＮ接合を形成する場合、或いは特開昭５
４−１１６９３０の如（ａ−３ｉｉｉの上に有機又は無
機の電荷担体輸送層を設ける場合をも包含する。
用する」とは、ａ−３１層を単一の層として利用する場
合のみならず、特開昭５４−７８１３５号公報に記載さ
れている如＜ＰＮ接合を形成する場合、或いは特開昭５
４−１１６９３０の如（ａ−３ｉｉｉの上に有機又は無
機の電荷担体輸送層を設ける場合をも包含する。
又、本発明のｒａ−３１半導体を光導電層として利用し
た電子写真用感光体」は、単に導電性支持体の上に光導
電層を設ける場合のみならず、光導電層と導電性支持体
の間及び／又はこれと反対側の光導電層の表面に、電荷
の流れを防止したり、帯電を良好なものとするための障
壁層を設けている場合、或いは感光体の摩耗を防ぐため
の保護層、−その他光反射防止層等を設ける感光体であ
る場合をも包含する。
た電子写真用感光体」は、単に導電性支持体の上に光導
電層を設ける場合のみならず、光導電層と導電性支持体
の間及び／又はこれと反対側の光導電層の表面に、電荷
の流れを防止したり、帯電を良好なものとするための障
壁層を設けている場合、或いは感光体の摩耗を防ぐため
の保護層、−その他光反射防止層等を設ける感光体であ
る場合をも包含する。
これら障壁層や保ＮＮ等として作用する絶縁層に関して
は、例えば、米国特許第２，８６０，０４８号公報、特
公昭４１−１６，４２９号公報、同３Ｂ−１５，４４６
号公報、同４６−３，７１３号公報、同４２−２３，９
１０号公報、同４３−２４．７４８号公報、同４２−１
９，７４７号公報、同３６−４．１２１号公報、特開昭
５５−８７１５４号公報、同５６−８３７４８号公報及
び同５７−１１５５５９号公報等に記載されている。
は、例えば、米国特許第２，８６０，０４８号公報、特
公昭４１−１６，４２９号公報、同３Ｂ−１５，４４６
号公報、同４６−３，７１３号公報、同４２−２３，９
１０号公報、同４３−２４．７４８号公報、同４２−１
９，７４７号公報、同３６−４．１２１号公報、特開昭
５５−８７１５４号公報、同５６−８３７４８号公報及
び同５７−１１５５５９号公報等に記載されている。
本発明で用いられる導電性支持体は、例えば、ガラス、
セラミック、プラスチックスの如き絶縁性材料の板又は
フィルム等の表面に、例えばＮｌ。
セラミック、プラスチックスの如き絶縁性材料の板又は
フィルム等の表面に、例えばＮｌ。
ＡＪなどの金属、ニクロム等の合金又は酸化錫等、電導
性を有する無機酸化物等の導電層を形成せしめた支持体
、或いは導電性物質のみからなる板、フィルムもしくは
ホイル等の中から任意に選ぶことができる。
性を有する無機酸化物等の導電層を形成せしめた支持体
、或いは導電性物質のみからなる板、フィルムもしくは
ホイル等の中から任意に選ぶことができる。
これらの種々の材料からなる電子写真用感光体の中でも
、耐刷性の観点から特に導電性支持体上に順次、障壁層
として炭素、窒素及び酸素の中から選ばれた、少なくと
も１種を不純物として含有するアモルファスシリコンｉ
ｉ （ａ−３ｉ ： Ｃ。
、耐刷性の観点から特に導電性支持体上に順次、障壁層
として炭素、窒素及び酸素の中から選ばれた、少なくと
も１種を不純物として含有するアモルファスシリコンｉ
ｉ （ａ−３ｉ ： Ｃ。
ａ−３１：Ｎ、ａ−３ｉ ：Ｏ等と略記する）、光導電
層としてのａ−５１層、更にａ−３ｉ層の保護層を兼ね
た表面障壁層として、炭素、窒素及び酸素から選ばれた
、少なくとも１種を不純物として含有するａ−５ｉ層を
設ける構成を有する感光体が好ましく、更に上記障壁層
及び／又は表面障壁Ｍ（以下単に障壁層と略す）には、
１〜５０原子％のハロゲン原子を含有せしめる（これを
ａ−３ｉ ：Ｃ：Ｘ５ａ−３１：Ｎ：Ｘ、ａ−３ｌ ：
０：Ｘ等と略記する。但し、Ｘはハロゲン原子を表し、
原子％は、１００ｘＸ／（Ｓｌ＋全不純物原子量）を意
味する）ことが好ましい。上記障壁層に含有される炭素
原子は約５〜約９０原子％であることが好ましく、更に
好ましくは約４０〜約６０原子％（この場合の原子％は
他の不純物の有無にかかわらず１００ ＸＣ／ （Ｓ
ｉ ＋Ｃ）を意味する。）である。又ハロゲン原子を含
有せしめる場合には特に弗素原子を含有せしめることが
好ましい。
層としてのａ−５１層、更にａ−３ｉ層の保護層を兼ね
た表面障壁層として、炭素、窒素及び酸素から選ばれた
、少なくとも１種を不純物として含有するａ−５ｉ層を
設ける構成を有する感光体が好ましく、更に上記障壁層
及び／又は表面障壁Ｍ（以下単に障壁層と略す）には、
１〜５０原子％のハロゲン原子を含有せしめる（これを
ａ−３ｉ ：Ｃ：Ｘ５ａ−３１：Ｎ：Ｘ、ａ−３ｌ ：
０：Ｘ等と略記する。但し、Ｘはハロゲン原子を表し、
原子％は、１００ｘＸ／（Ｓｌ＋全不純物原子量）を意
味する）ことが好ましい。上記障壁層に含有される炭素
原子は約５〜約９０原子％であることが好ましく、更に
好ましくは約４０〜約６０原子％（この場合の原子％は
他の不純物の有無にかかわらず１００ ＸＣ／ （Ｓ
ｉ ＋Ｃ）を意味する。）である。又ハロゲン原子を含
有せしめる場合には特に弗素原子を含有せしめることが
好ましい。
このような障壁層として、例えば炭素原子を不純物とし
て含有せしめた障壁層を形成せしめる場合には、真空容
器内に前述したような珪素原子を含有する化合物と共に
、炭素原子を含有する化合物（同時にハロゲン原子、特
に弗素原子も有していることが好ましい）の一定量を導
入してグロー放電を行うことにより容易に形成せしめる
ことが出来る。この場合に使用される炭素原子を含有す
る化合物としては、例えば、メタン、エタン、プロパン
、ｎ−ブタン、イソブタン、ｎ−ペンタン、イソペンタ
ン、エチレン、プロピレン、ｌ−ブテン、イソブチレン
、１−ペンテン、２−ペンテン、アセチレン、メチルア
セチレン、ブチンなどの炭素数１〜５の炭化水素及び弗
化メチル、弗化エチル、弗化プロピル、塩化メチル、塩
化エチル、臭化メチル、臭化エチル、沃化メチル、弗化
メチレン、塩化メチレン、ヘキサフルオルエタンなどの
ハロゲン化アルキル等を挙げることが出来るが、これら
の中でも特に弗化メチレン、ヘキサフルオロエタン等の
弗化アルキルが好ましい。これらの化合物は、単独で用
いることも任意に混合して用いることも出来る。この場
合、珪素含有化合物と炭素含有化合物の混合比率によっ
てａ−３ｉ層中に含有される炭素原子の比率（ハロゲン
原子を有する化合物を使用する場合には、ハロゲン原子
の比率も）が決定される。
て含有せしめた障壁層を形成せしめる場合には、真空容
器内に前述したような珪素原子を含有する化合物と共に
、炭素原子を含有する化合物（同時にハロゲン原子、特
に弗素原子も有していることが好ましい）の一定量を導
入してグロー放電を行うことにより容易に形成せしめる
ことが出来る。この場合に使用される炭素原子を含有す
る化合物としては、例えば、メタン、エタン、プロパン
、ｎ−ブタン、イソブタン、ｎ−ペンタン、イソペンタ
ン、エチレン、プロピレン、ｌ−ブテン、イソブチレン
、１−ペンテン、２−ペンテン、アセチレン、メチルア
セチレン、ブチンなどの炭素数１〜５の炭化水素及び弗
化メチル、弗化エチル、弗化プロピル、塩化メチル、塩
化エチル、臭化メチル、臭化エチル、沃化メチル、弗化
メチレン、塩化メチレン、ヘキサフルオルエタンなどの
ハロゲン化アルキル等を挙げることが出来るが、これら
の中でも特に弗化メチレン、ヘキサフルオロエタン等の
弗化アルキルが好ましい。これらの化合物は、単独で用
いることも任意に混合して用いることも出来る。この場
合、珪素含有化合物と炭素含有化合物の混合比率によっ
てａ−３ｉ層中に含有される炭素原子の比率（ハロゲン
原子を有する化合物を使用する場合には、ハロゲン原子
の比率も）が決定される。
窒素原子を不純物として含有する障壁Ｎ＜ａ−３ｌ ｎ
Ｎ層）の場合には、窒素原子の量は２５〜５５原子％で
あることが好ましく、更に好ましくは３５〜５５原子％
である（この場合の原子％は、他の不純物の有無にかか
わらず１００ｘＮ／（Ｓ１＋Ｎ）を意味する）。このよ
うな障壁層は、例えば、ａ−３ｉｓＣ層を製造する場合
に使用した上記の炭素原子含有化合物のかわりに、窒素
原子含有化合物（例えば、窒素（Ｎ２）、アンモニア（
ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素（
ＨＮ３）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）等）を使
用することにより容易に製造することが出来る。このよ
うな製造方法の詳細については、例えば特開昭５７−５
８１６０号公報に記載されている。
Ｎ層）の場合には、窒素原子の量は２５〜５５原子％で
あることが好ましく、更に好ましくは３５〜５５原子％
である（この場合の原子％は、他の不純物の有無にかか
わらず１００ｘＮ／（Ｓ１＋Ｎ）を意味する）。このよ
うな障壁層は、例えば、ａ−３ｉｓＣ層を製造する場合
に使用した上記の炭素原子含有化合物のかわりに、窒素
原子含有化合物（例えば、窒素（Ｎ２）、アンモニア（
ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素（
ＨＮ３）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）等）を使
用することにより容易に製造することが出来る。このよ
うな製造方法の詳細については、例えば特開昭５７−５
８１６０号公報に記載されている。
酸素原子を不純物として含有する障壁ｆｉ（ａ−３ｉ：
Ｏ）については、酸素原子の量は４０〜６５原子％であ
ることが好ましい（この場合の原子％は、他の不純物の
有無にかかわらず１００ＸＯ／ （Ｓ ｌ＋０）を意味
する。但し、Ｏは酸素原子である。）。このような障壁
層は、ａ−Ｓｔ：Ｃ層又はａ−３ｔ：Ｎ層に準じて容易
に製造することが出来る。即ち、例えば、ジシロキサン
（Ｈ３ＳＩＯ３ｉＨ３）やトリシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ
ＳｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級炭化シロキサン及び／又
はＳｉＨ４，５１２Ｈ５，５１３Ｈ１３，５ｉ４ＨＩＯ
等のシラン類と酸素（０２）、オゾン（０３）等の混合
物を原料ガスとしてグロー放電を行うことによる等、特
開昭５７−６３５４６号公報に記載されているような種
々の方法を使用することが出来る。
Ｏ）については、酸素原子の量は４０〜６５原子％であ
ることが好ましい（この場合の原子％は、他の不純物の
有無にかかわらず１００ＸＯ／ （Ｓ ｌ＋０）を意味
する。但し、Ｏは酸素原子である。）。このような障壁
層は、ａ−Ｓｔ：Ｃ層又はａ−３ｔ：Ｎ層に準じて容易
に製造することが出来る。即ち、例えば、ジシロキサン
（Ｈ３ＳＩＯ３ｉＨ３）やトリシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ
ＳｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級炭化シロキサン及び／又
はＳｉＨ４，５１２Ｈ５，５１３Ｈ１３，５ｉ４ＨＩＯ
等のシラン類と酸素（０２）、オゾン（０３）等の混合
物を原料ガスとしてグロー放電を行うことによる等、特
開昭５７−６３５４６号公報に記載されているような種
々の方法を使用することが出来る。
本発明における障壁層として、炭素原子、窒素原子及び
酸素原子の内の２種以上を、同時にａ−５ｉ層中に不純
物として含有せしめる場合には、原料ガスの中に炭素原
子含有化合物、窒素原子含有化合物及び酸素原子含有化
合物の中から選んだ２種以上の混合物を含有せしめグロ
ー放電を行うことにより、容易に所望−の障壁層を設け
ることが出来る。
酸素原子の内の２種以上を、同時にａ−５ｉ層中に不純
物として含有せしめる場合には、原料ガスの中に炭素原
子含有化合物、窒素原子含有化合物及び酸素原子含有化
合物の中から選んだ２種以上の混合物を含有せしめグロ
ー放電を行うことにより、容易に所望−の障壁層を設け
ることが出来る。
本発明においては、特に上記障壁層の厚さは約０．００
５／Ｊ〜約０．３μが好ましく、ａ−３ｉ屑の厚さは約
５〜約１００μの範囲から任意に選択される。
５／Ｊ〜約０．３μが好ましく、ａ−３ｉ屑の厚さは約
５〜約１００μの範囲から任意に選択される。
しかしながら本発明においては、感光体の表面をシラン
カップリング剤により直接改質し疎水化するために、ａ
−３ｌ光導電層の表面に上記表面障壁層をさらに設ける
ことのない感光体を使用した場合であっても、高温多湿
下における連続複写に十分耐えるものとすることができ
るので、感光体の構成を単純にし製造コストを下げるこ
とができる点で、この場合も本発明の好ましい態様であ
る。
カップリング剤により直接改質し疎水化するために、ａ
−３ｌ光導電層の表面に上記表面障壁層をさらに設ける
ことのない感光体を使用した場合であっても、高温多湿
下における連続複写に十分耐えるものとすることができ
るので、感光体の構成を単純にし製造コストを下げるこ
とができる点で、この場合も本発明の好ましい態様であ
る。
本発明において、表面改質剤として使用されるシランカ
ップリング剤は有機シラン化合物であり、その代表的な
化合物は（ＲｎＳ Ｉ Ｘ４−ｎ）の一般式で表わされ
る。ここで、Ｒは有機置換基、Ｘは加水分解性の置換基
であり、ｎは１〜３の整数であ葛。
ップリング剤は有機シラン化合物であり、その代表的な
化合物は（ＲｎＳ Ｉ Ｘ４−ｎ）の一般式で表わされ
る。ここで、Ｒは有機置換基、Ｘは加水分解性の置換基
であり、ｎは１〜３の整数であ葛。
置換基Ｒは脂肪族、環状脂肪族、芳香族、ヘテロ芳香族
等、炭素数１〜２０の任意の有機置換基であるが、この
うち少なくとも一つは活性な基、例えば、その中のアル
キル基がオレフィン性基、グリシジル基、メルカプト基
、アミノ基、又はエポキシ基を有する炭素数１〜１０の
アルキル基であるか、若しくはアルカリール基であるこ
とが好ましい。
等、炭素数１〜２０の任意の有機置換基であるが、この
うち少なくとも一つは活性な基、例えば、その中のアル
キル基がオレフィン性基、グリシジル基、メルカプト基
、アミノ基、又はエポキシ基を有する炭素数１〜１０の
アルキル基であるか、若しくはアルカリール基であるこ
とが好ましい。
一方、加水分解性の置換基Ｘは、例えば、ハロゲン原子
、アミン基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アセトキシ
基、アルキルアミノ基又はプロペノキシ基等である。
、アミン基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アセトキシ
基、アルキルアミノ基又はプロペノキシ基等である。
一般式（ＲｎＳＩＸ４−ｎ）で表わされる化合物の具体
例は、例えば次のものである。
例は、例えば次のものである。
以下余白
１）ＣＨ２−ＣＨ３ｉ （ＯＣ２Ｈ５）３２）ＣＨ２＝
ＣＨ５ｌ （ＯＣ２ＨＪＯＣＨ３）３２ ４）ＣＨ＝ＣＨ２Ｈ２０（ＣＨ２） ３Ｓｉ （ＯＣＨ
３） ３＼１ ７）（Ｊ （ＣＨ２）３Ｓｉ （ＯＣＨ３） ３８）Ｈ
３（ＣＨ２）３３１ （ＯＣＨ３）３９）（Ｃ２Ｈ５０
）３ｓｉ （Ｃ：Ｈ２）３ＮＨ２１２）（ｔ−Ｃ４Ｈ９
００）３ＳＩＣＨ＝ＣＨ２１３）（ＣＨ３０） ３Ｓｉ
（ＣＨ２）３ＮＨＣＨ２ＣＨ−Ｃ−Ｈ２１４）（Ｃ２
Ｈ５０） ３ｓｉ （ＣＨ２）３ＮＨＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ
２：ＨＣｌ１５）（ＣＨ３０） ３ｓｉ （ＣＨ２）３
ＮＨＣＨ２ＣＨ２ＮＨＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２１６）（ＣＨ
３０） ３ｓｉ （ＣＨ２）３ＮＨＣＨ２ＣＨ２ＮＨＣ
Ｈ２ＣＯＯＨ１７）（Ｃ２Ｈ５０）３Ｓｉ （ＣＨ２）
３ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨＣＯＯＨ１８）（ＣＨ３０）
３３１ （ＣＨ２）３ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＨ１９）
（ＣＨ３０） ３ Ｓ ｉ ＣＨ３２０）（ＣＨ３０）
３Ｓｉ （ＣＨ２）１７ｃＨ３２１）（Ｃ１７Ｈ３３
ＣＯＯ）３ＳｉＣ３Ｈ５０ＣＯＣ１７Ｈ３３２４）（Ｃ
Ｈ３０） ３ｓｉｃＨｚｃＨ２（ＣＦ２）７ＣＦ３ρＣ
Ｆ３ＣＨ２ＣＨ２５ｌ （ＯＣＨ３）３２６）ＣＦ３（
ＣＦ２） ３ＣＨ２ＧＨｚＳｉ （ＯＣＨ３）３２７）
ＣＦ３ （ＣＦ２） ７ＣＨ２ＣＨ２Ｓｌ （ＯＣＨ
３＞ ３２９）ＣＦ３ （ＣＦ２）５ＣＯＯ（ＣＨ２）
３Ｓｉ （ＯＣＨ３）３３０）ＣＦ３ （ＣＦ２）５
ＣＯ３（Ｃ）（２）３Ｓｉ （ＯＣＨ３）３３１）ＣＦ
３ （ＣＦ２）５ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３５１ （ＯＣ２
Ｈ５）３３２） ＣＦ３ （ＣＦ、） ７ＳＯ２ＮＨ（
ＣＨ２） ３ｓｉ （ＯＣ２Ｈ５） ３３３） ＣＦ３
（ＣＦ、） ７ＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２Ｓｌ （
ＯＣＨ３） ３３４） ＣＦ３ （ＣＦ２） ９ ＣＨ
２ＣＨ２５ＣＨ２ＣＨ２Ｓ ｌ （ＯＣＨ３） ３３７
） （ＣＨ３Ｃｏｏ） ３ Ｓ ｉ ＣＨ＝ＣＨ２＋Ｃ
Ｚ− ”）（ＨＯ） ３ＳＬ （ＣＨ２） Ｓ （ＮＯ３）
２３９） （ＣＨ３０）３ Ｓ Ｉ ＣＨ−ＣＨ２４０
） ＣＪ３ Ｓ ｉ ＣＨ−ＣＨ２４４）（ＣＨ３０）
３ｓｔ （ＣＨ２）３ＳＨθ （ＣＨ３ＣＯＯ）３Ｓｉ
ＣＨ＝ＣＨ２４６）（ＣＨ３０） ３Ｓｉ （ＣＨ２）
３ＣＪ！４７） （ＣＨ３０） ３Ｓ Ｉ ＣＨ−ＣＨ
２１１８） ＣＨ２＝ＣＨ３ｉＣＪ３ ４９）（ＣＨ３ＣＨ２０）３ＳｉＣＨ＝ＣＨ２５０）（
ＣＨ３０ＣＨ２ＣＨ２０）３ＳｉＣＨ＝ＣＨ２本発明に
おいては、このようなシランカップリング剤の中でも特
に、ビニルトリクロルシラン、ジビニルテトラメチルジ
シラザン、フェニルトリエトキシシラン、メタクリロキ
シプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロ
ピルトリメトキシシラン、フェニルジメチルクロルシラ
ン、Ｃｌ８Ｈ３７トリメトキシシラン、メチルトリメト
キシシラン、及びヘキサメチルジシラザンが好ましい。
ＣＨ５ｌ （ＯＣ２ＨＪＯＣＨ３）３２ ４）ＣＨ＝ＣＨ２Ｈ２０（ＣＨ２） ３Ｓｉ （ＯＣＨ
３） ３＼１ ７）（Ｊ （ＣＨ２）３Ｓｉ （ＯＣＨ３） ３８）Ｈ
３（ＣＨ２）３３１ （ＯＣＨ３）３９）（Ｃ２Ｈ５０
）３ｓｉ （Ｃ：Ｈ２）３ＮＨ２１２）（ｔ−Ｃ４Ｈ９
００）３ＳＩＣＨ＝ＣＨ２１３）（ＣＨ３０） ３Ｓｉ
（ＣＨ２）３ＮＨＣＨ２ＣＨ−Ｃ−Ｈ２１４）（Ｃ２
Ｈ５０） ３ｓｉ （ＣＨ２）３ＮＨＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ
２：ＨＣｌ１５）（ＣＨ３０） ３ｓｉ （ＣＨ２）３
ＮＨＣＨ２ＣＨ２ＮＨＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２１６）（ＣＨ
３０） ３ｓｉ （ＣＨ２）３ＮＨＣＨ２ＣＨ２ＮＨＣ
Ｈ２ＣＯＯＨ１７）（Ｃ２Ｈ５０）３Ｓｉ （ＣＨ２）
３ＮＨＣＯＣＨ＝ＣＨＣＯＯＨ１８）（ＣＨ３０）
３３１ （ＣＨ２）３ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＯＯＨ１９）
（ＣＨ３０） ３ Ｓ ｉ ＣＨ３２０）（ＣＨ３０）
３Ｓｉ （ＣＨ２）１７ｃＨ３２１）（Ｃ１７Ｈ３３
ＣＯＯ）３ＳｉＣ３Ｈ５０ＣＯＣ１７Ｈ３３２４）（Ｃ
Ｈ３０） ３ｓｉｃＨｚｃＨ２（ＣＦ２）７ＣＦ３ρＣ
Ｆ３ＣＨ２ＣＨ２５ｌ （ＯＣＨ３）３２６）ＣＦ３（
ＣＦ２） ３ＣＨ２ＧＨｚＳｉ （ＯＣＨ３）３２７）
ＣＦ３ （ＣＦ２） ７ＣＨ２ＣＨ２Ｓｌ （ＯＣＨ
３＞ ３２９）ＣＦ３ （ＣＦ２）５ＣＯＯ（ＣＨ２）
３Ｓｉ （ＯＣＨ３）３３０）ＣＦ３ （ＣＦ２）５
ＣＯ３（Ｃ）（２）３Ｓｉ （ＯＣＨ３）３３１）ＣＦ
３ （ＣＦ２）５ＣＯＮＨ（ＣＨ２）３５１ （ＯＣ２
Ｈ５）３３２） ＣＦ３ （ＣＦ、） ７ＳＯ２ＮＨ（
ＣＨ２） ３ｓｉ （ＯＣ２Ｈ５） ３３３） ＣＦ３
（ＣＦ、） ７ＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２Ｓｌ （
ＯＣＨ３） ３３４） ＣＦ３ （ＣＦ２） ９ ＣＨ
２ＣＨ２５ＣＨ２ＣＨ２Ｓ ｌ （ＯＣＨ３） ３３７
） （ＣＨ３Ｃｏｏ） ３ Ｓ ｉ ＣＨ＝ＣＨ２＋Ｃ
Ｚ− ”）（ＨＯ） ３ＳＬ （ＣＨ２） Ｓ （ＮＯ３）
２３９） （ＣＨ３０）３ Ｓ Ｉ ＣＨ−ＣＨ２４０
） ＣＪ３ Ｓ ｉ ＣＨ−ＣＨ２４４）（ＣＨ３０）
３ｓｔ （ＣＨ２）３ＳＨθ （ＣＨ３ＣＯＯ）３Ｓｉ
ＣＨ＝ＣＨ２４６）（ＣＨ３０） ３Ｓｉ （ＣＨ２）
３ＣＪ！４７） （ＣＨ３０） ３Ｓ Ｉ ＣＨ−ＣＨ
２１１８） ＣＨ２＝ＣＨ３ｉＣＪ３ ４９）（ＣＨ３ＣＨ２０）３ＳｉＣＨ＝ＣＨ２５０）（
ＣＨ３０ＣＨ２ＣＨ２０）３ＳｉＣＨ＝ＣＨ２本発明に
おいては、このようなシランカップリング剤の中でも特
に、ビニルトリクロルシラン、ジビニルテトラメチルジ
シラザン、フェニルトリエトキシシラン、メタクリロキ
シプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロ
ピルトリメトキシシラン、フェニルジメチルクロルシラ
ン、Ｃｌ８Ｈ３７トリメトキシシラン、メチルトリメト
キシシラン、及びヘキサメチルジシラザンが好ましい。
本発明において、シランカップリング剤によって感光体
の表面を改質する具体的な方法としては、第１に感光体
の表面をシランカップリング剤の蒸気にさらす方法、第
２にシランカップリング剤を感光体の表面に塗布する方
法、第３に感光体をシランカップリング剤中に浸漬する
方法、等の通密の方法を挙げることができる。第２、第
３の方法を採用するにあたっては、シランカンブリング
剤の希釈剤として有機溶剤を併用することができる。
の表面を改質する具体的な方法としては、第１に感光体
の表面をシランカップリング剤の蒸気にさらす方法、第
２にシランカップリング剤を感光体の表面に塗布する方
法、第３に感光体をシランカップリング剤中に浸漬する
方法、等の通密の方法を挙げることができる。第２、第
３の方法を採用するにあたっては、シランカンブリング
剤の希釈剤として有機溶剤を併用することができる。
本発明の感光体はａ−３Ｌを光導電層として利用してい
るために、全く毒性がない。又、その作用機構は必ずし
も明確でないが、感光体の表面がシランカップリング剤
処理により疎水化されているので、高温多湿という悪環
境の下で連続複写を行なっても解像力の低下や画像ボケ
を生ずることがなく、従っていかなる条件下においても
従来以上に耐久性を有する。特に、導電性支持体の上に
順次、炭素、窒素及び酸素の少なくとも１種を不純物原
子として含有するａ−３ｔ障壁層、光導電性層としての
ａ−３Ｌ層、更に炭素、窒素及び酸素の少なくとも１種
を不純物原子として含有するａ−３１表面障壁層を積層
した場合の本発明の感光体の耐久性は抜群である。
るために、全く毒性がない。又、その作用機構は必ずし
も明確でないが、感光体の表面がシランカップリング剤
処理により疎水化されているので、高温多湿という悪環
境の下で連続複写を行なっても解像力の低下や画像ボケ
を生ずることがなく、従っていかなる条件下においても
従来以上に耐久性を有する。特に、導電性支持体の上に
順次、炭素、窒素及び酸素の少なくとも１種を不純物原
子として含有するａ−３ｔ障壁層、光導電性層としての
ａ−３Ｌ層、更に炭素、窒素及び酸素の少なくとも１種
を不純物原子として含有するａ−３１表面障壁層を積層
した場合の本発明の感光体の耐久性は抜群である。
以下、本発明を実施例により更に詳述するが、本発明は
これに限定されるものではない。
これに限定されるものではない。
実施例１゜
真空系、ガス供給配管系、ガスリーク系、ヒーター、グ
ロー放電装置等を備えたペルジャー型の非晶質シリコン
製造用グロー放電装置を用い、以下のようにして導電性
支持体上に順次、光導電性層のａ−３Ｌ層及びａ−３ｌ
：Ｃの表面障壁層を形成した。
ロー放電装置等を備えたペルジャー型の非晶質シリコン
製造用グロー放電装置を用い、以下のようにして導電性
支持体上に順次、光導電性層のａ−３Ｌ層及びａ−３ｌ
：Ｃの表面障壁層を形成した。
表面を研磨したアルミニウム製ドラム（支持体：外径１
２０ｍｍ、長さ４１０ｍｍ）をペルジャー内の回転支持
台上の石英板にセットしたのち、ペルジャーの内部を排
気し、又ペルジャーに備えられたガス配管系内も排気し
て、これらの系内の真空度を約３Ｘ１０ ５Ｔｏｒｒ（
ｍｍＨＨ）とした。
２０ｍｍ、長さ４１０ｍｍ）をペルジャー内の回転支持
台上の石英板にセットしたのち、ペルジャーの内部を排
気し、又ペルジャーに備えられたガス配管系内も排気し
て、これらの系内の真空度を約３Ｘ１０ ５Ｔｏｒｒ（
ｍｍＨＨ）とした。
次に、アルミニウム製ドラムをペルジャー内に備えられ
たヒーターにより温度を２５０℃に制御しながら加熱し
た。尚、温度の制御はアルメルクロメル熱電対によって
ドラムの温度を測定しながら行なった。
たヒーターにより温度を２５０℃に制御しながら加熱し
た。尚、温度の制御はアルメルクロメル熱電対によって
ドラムの温度を測定しながら行なった。
次に、リークパルプを僅かに開き、ペルジャー内の真空
度を約０．３Ｔｏｒｒになるように開塾し、負の脈流高
圧電源（以後、高圧電源と略記する）によりアルミニウ
ム製ドラムとガス吹き出し板との間で３０Ｗのグロー放
電を５分間行ない、ドラムの表面に吸着されているガス
を除去した。
度を約０．３Ｔｏｒｒになるように開塾し、負の脈流高
圧電源（以後、高圧電源と略記する）によりアルミニウ
ム製ドラムとガス吹き出し板との間で３０Ｗのグロー放
電を５分間行ない、ドラムの表面に吸着されているガス
を除去した。
高圧電源を切って、リークバルブを閉じた後、再びペル
ジャー内を約ｌＸｌ０ ５Ｔｏｒｒの真空度とした。
ジャー内を約ｌＸｌ０ ５Ｔｏｒｒの真空度とした。
次いで、２９０容積ｐｐｍ水素希釈の８２Ｆ？５／Ｉ１
２ （以後、Ｂ２Ｈ５／Ｈ２と略記する）をガス供給配
管系から、マスフローメーターで流量を調節しながら４
ｃｃ／分（ＳＣＣＭ）の流量にて供給した。又ＳｉＨ４
ガス供給配管系のバルブを徐々に開き、マスフローメー
ターで流量を調節しながら１５０ｃｃ／分の流量にて供
給した。尚、この操作においてペルジャー内圧力をバイ
パスバルブの調整により４．５Ｘ１０ ’Ｔｏｒｒにし
た。供給ガスの流量が一定になったところで、回転して
いるドラムとガス吹き出し板との間で、入力電力１００
Ｗでグロー放電を５時間行ない、非晶質シリコン光導電
性層の形成を行なった。
２ （以後、Ｂ２Ｈ５／Ｈ２と略記する）をガス供給配
管系から、マスフローメーターで流量を調節しながら４
ｃｃ／分（ＳＣＣＭ）の流量にて供給した。又ＳｉＨ４
ガス供給配管系のバルブを徐々に開き、マスフローメー
ターで流量を調節しながら１５０ｃｃ／分の流量にて供
給した。尚、この操作においてペルジャー内圧力をバイ
パスバルブの調整により４．５Ｘ１０ ’Ｔｏｒｒにし
た。供給ガスの流量が一定になったところで、回転して
いるドラムとガス吹き出し板との間で、入力電力１００
Ｗでグロー放電を５時間行ない、非晶質シリコン光導電
性層の形成を行なった。
次に、表面障壁層の形成を開始する前にガス供給配管系
を閉じペルジャー内の真空度を１×１０５Ｔｏ ｒ ｒ
にした。ペルジャー内の真空度がｌＸｌ０ ５Ｔｏｒｒ
になったところで、５ＩＨ４ガス供給配管系のマスフロ
ーメーターを３０ｃｃ／分、又Ｃ２Ｆ５ガス供給配管系
のマスフローメーターを８ｃｃ／分に調整し、ペルジャ
ー内にこれらのガスを供給した。次にペルジャー内の真
空度が５ＸｌＯ−３Ｔｏｒｒになった時点で、５ｔＨ４
ガス供給配管系のマスフローメーターを１５０ｃｃ／分
に、又Ｃ２Ｆ５ガス供給配管系のマスフローメーターを
３２ｃｃ／分に調整した。それらのガスの流量が設定値
になったところでバイパスバルブを利用してペルジャー
内の圧力を４．５ＸＩＯ””Ｔｏｒｒにした。
を閉じペルジャー内の真空度を１×１０５Ｔｏ ｒ ｒ
にした。ペルジャー内の真空度がｌＸｌ０ ５Ｔｏｒｒ
になったところで、５ＩＨ４ガス供給配管系のマスフロ
ーメーターを３０ｃｃ／分、又Ｃ２Ｆ５ガス供給配管系
のマスフローメーターを８ｃｃ／分に調整し、ペルジャ
ー内にこれらのガスを供給した。次にペルジャー内の真
空度が５ＸｌＯ−３Ｔｏｒｒになった時点で、５ｔＨ４
ガス供給配管系のマスフローメーターを１５０ｃｃ／分
に、又Ｃ２Ｆ５ガス供給配管系のマスフローメーターを
３２ｃｃ／分に調整した。それらのガスの流量が設定値
になったところでバイパスバルブを利用してペルジャー
内の圧力を４．５ＸＩＯ””Ｔｏｒｒにした。
次に、高圧電源を用いて入力電力１００Ｗでグロー放電
を６分間実施し、表面障壁層（ａ−３ｉ：Ｃ）の形成を
行なった。高圧電源を切って、グロー放電を終了させた
後、ペルジャー内の圧力が５Ｘ１０−２Ｔｏｒｒになっ
た時点で、更に真空度をｌＸｌ０−５Ｔｏｒｒとして１
ｏ分間排気を行なった。次いでヒーターを切り、ドラム
の温度が１００℃になるのを持ってドラムをペルジャー
内から取り出した。
を６分間実施し、表面障壁層（ａ−３ｉ：Ｃ）の形成を
行なった。高圧電源を切って、グロー放電を終了させた
後、ペルジャー内の圧力が５Ｘ１０−２Ｔｏｒｒになっ
た時点で、更に真空度をｌＸｌ０−５Ｔｏｒｒとして１
ｏ分間排気を行なった。次いでヒーターを切り、ドラム
の温度が１００℃になるのを持ってドラムをペルジャー
内から取り出した。
ドラム上に形成された非晶質シリコン層の厚さは全体と
して３７μｍであり、このうち、表面障壁層は約０．２
１μｍであった。この表面障壁層における炭素原子比率
は約３０原子パーセントであった。このようにして製造
した感光体を（Ｃ）とする。
して３７μｍであり、このうち、表面障壁層は約０．２
１μｍであった。この表面障壁層における炭素原子比率
は約３０原子パーセントであった。このようにして製造
した感光体を（Ｃ）とする。
次に、感光体（Ｃ）を回転塗布機に装着し１３５ｒｐｍ
で回転している感光体（ｃ）の表面に、Ｎ−β−（アミ
ノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン（
東し・シリコン株式会社製、商品名５Ｈ６０２０）１．
０ｇをメチルエチルヶトン：トルエン−１＝１の混合溶
媒２００ｒｒ＋ｊ！に熔解させた塗布液を塗布し、雰囲
気温度ｉｏｏ’ｃの空気中で２分間加熱乾燥した。この
ようにしてｇＪられた感光体を（Ａ）とする。
で回転している感光体（ｃ）の表面に、Ｎ−β−（アミ
ノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン（
東し・シリコン株式会社製、商品名５Ｈ６０２０）１．
０ｇをメチルエチルヶトン：トルエン−１＝１の混合溶
媒２００ｒｒ＋ｊ！に熔解させた塗布液を塗布し、雰囲
気温度ｉｏｏ’ｃの空気中で２分間加熱乾燥した。この
ようにしてｇＪられた感光体を（Ａ）とする。
一方、感光体＜Ｃ＞の表面障壁層を形成していない感光
Ｎ（従って、導電性支持体の上に光導電性屑としてのａ
−３ｉ層を形成せしめたのみの感光体となっている）上
にシランカップリング剤を塗布した感光体を（Ｂ）とす
る。
Ｎ（従って、導電性支持体の上に光導電性屑としてのａ
−３ｉ層を形成せしめたのみの感光体となっている）上
にシランカップリング剤を塗布した感光体を（Ｂ）とす
る。
更に、感光体（Ｃ）の場合と同様にして非晶質シリコン
光導電性層を設けた後、ペルジャー内の真空度をｌＸｌ
０−５Ｔｏｒｒにした後、水素で１０容量％に希釈され
たＳｉＨ４ガス（ＳｉＨ４ガス２）とＮ２ガスを流量比
がｌ：１０になるようにして、ペルジャー内の圧力がｌ
Ｘｌ０−２Ｔｏｒｒになるまで流入させた。内圧が安定
したところで流入管のビラニーゲージが０．５Ｔｏｒｒ
になるように流入管のバルブを調節し、グロー放電を１
分間行い、表面障壁層（ａ−３１：Ｎ）を設けた。この
表面障壁層の表面を感光体（Ａ）の場合と同様にして改
質し、得られた感光体を（Ｄ）とした。
光導電性層を設けた後、ペルジャー内の真空度をｌＸｌ
０−５Ｔｏｒｒにした後、水素で１０容量％に希釈され
たＳｉＨ４ガス（ＳｉＨ４ガス２）とＮ２ガスを流量比
がｌ：１０になるようにして、ペルジャー内の圧力がｌ
Ｘｌ０−２Ｔｏｒｒになるまで流入させた。内圧が安定
したところで流入管のビラニーゲージが０．５Ｔｏｒｒ
になるように流入管のバルブを調節し、グロー放電を１
分間行い、表面障壁層（ａ−３１：Ｎ）を設けた。この
表面障壁層の表面を感光体（Ａ）の場合と同様にして改
質し、得られた感光体を（Ｄ）とした。
それぞれの感光体（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）に
ついて、温度３０℃、相対湿度８５％の下で印加電圧プ
ラス６ｋｖ、帯電時間０．０８秒のコロナ放電を行ない
、直ちに画像露光を１． ５ルツクス・砂丘なった。次
に、マイナス電荷性のトナーとキャリヤーとからなる乾
式現像剤を磁気ブラシ法によって感光体のドラム表面に
乗せ、プラスのコロナ放電により転写紙上に転写したと
ころ、いずれの場合も極めて鮮明で高解像力高濃度の画
像が得られた。
ついて、温度３０℃、相対湿度８５％の下で印加電圧プ
ラス６ｋｖ、帯電時間０．０８秒のコロナ放電を行ない
、直ちに画像露光を１． ５ルツクス・砂丘なった。次
に、マイナス電荷性のトナーとキャリヤーとからなる乾
式現像剤を磁気ブラシ法によって感光体のドラム表面に
乗せ、プラスのコロナ放電により転写紙上に転写したと
ころ、いずれの場合も極めて鮮明で高解像力高濃度の画
像が得られた。
次に、温度３０℃、相対湿度８５％の下で次のようにし
てコロナ帯電劣化テスト４を行なった。
てコロナ帯電劣化テスト４を行なった。
それぞれの感光体（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）を
回転式帯電テスト装置に装着し、毎分４０回転で回転さ
せながら１０〜６０分間、印加電圧マイナス５ｋｖでコ
ロナ帯電を行なった後、同じ環境の下で上記の画像形成
プロセスによりコピー画像を作成し、その解像力（シャ
ープネス）を調べた。その結果は表１のようであった。
回転式帯電テスト装置に装着し、毎分４０回転で回転さ
せながら１０〜６０分間、印加電圧マイナス５ｋｖでコ
ロナ帯電を行なった後、同じ環境の下で上記の画像形成
プロセスによりコピー画像を作成し、その解像力（シャ
ープネス）を調べた。その結果は表１のようであった。
表１．マイナスコロナ帯電後の解像力
感光体（Ａ） ６１１７ｍｍ ６ Ｊ ｐ／ｍｍ感光体
（Ｂ） ６＃ｐ／ｍｍ ５ｎｐ／ｍｍ感光体（Ｃ） Ｏ
Ｉ！、１７ｍｍ Ｏｊ！ｐ／ｍｍ感光体（Ｄ） ６ＩＡ
Ｉ）／ｍｍ ６６ｐ／ｍｍ（ｉｐはラインペアを意味す
る） 表１に示す如く、シランカップリング剤を塗布した感光
体（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｄ）は、マイナスコロナ帯電３
０分後においても十分な解像力を示したが、シランカッ
プリング剤を塗布していない感光体（Ｃ）は、マイナス
コロナ帯電を１０分間行なうことにより解像力が著しく
劣化した。
（Ｂ） ６＃ｐ／ｍｍ ５ｎｐ／ｍｍ感光体（Ｃ） Ｏ
Ｉ！、１７ｍｍ Ｏｊ！ｐ／ｍｍ感光体（Ｄ） ６ＩＡ
Ｉ）／ｍｍ ６６ｐ／ｍｍ（ｉｐはラインペアを意味す
る） 表１に示す如く、シランカップリング剤を塗布した感光
体（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｄ）は、マイナスコロナ帯電３
０分後においても十分な解像力を示したが、シランカッ
プリング剤を塗布していない感光体（Ｃ）は、マイナス
コロナ帯電を１０分間行なうことにより解像力が著しく
劣化した。
同様に、回転式帯電装置により印加電圧プラス５ｋｖと
してコロナ帯電による劣化テストを行なった結果を表２
に示す。
してコロナ帯電による劣化テストを行なった結果を表２
に示す。
感光体（Ａ） ６ ｊ！ １７ｍｍ ６ Ｉｔ １７ｍ
ｍ ６１ ｐ／ｍｒｇ感光体（Ｂ） ６１ ｐ／ｆｆ１
ｏ＋ ６１１７ｍｍ ６１！ ｐ７ａｍ感光体（Ｃ）
２ ｊ２ ｐ／ａｍ Ｏｊ！ １７ｍｍ ０１１ ｐ／
ａｍ感光体（Ｄ） ６ Ｉｌｐ／１１ｗ６１！ １７ｍ
ｍ ６１！ ｐ ／＃ｍ（ｉｐはラインベアを意味する
） 表２に示す如く、プラスコロナ帯電においてもシランカ
ップリング剤を塗布していない感光体（Ｃ）はプラス５
ｋｖコロナ帯電を１０分間行なっただけで解像力が著し
く劣化したが、感光体（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｄ）は当初
の解像力を維持した。
ｍ ６１ ｐ／ｍｒｇ感光体（Ｂ） ６１ ｐ／ｆｆ１
ｏ＋ ６１１７ｍｍ ６１！ ｐ７ａｍ感光体（Ｃ）
２ ｊ２ ｐ／ａｍ Ｏｊ！ １７ｍｍ ０１１ ｐ／
ａｍ感光体（Ｄ） ６ Ｉｌｐ／１１ｗ６１！ １７ｍ
ｍ ６１！ ｐ ／＃ｍ（ｉｐはラインベアを意味する
） 表２に示す如く、プラスコロナ帯電においてもシランカ
ップリング剤を塗布していない感光体（Ｃ）はプラス５
ｋｖコロナ帯電を１０分間行なっただけで解像力が著し
く劣化したが、感光体（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｄ）は当初
の解像力を維持した。
これらの結果から本発明のシランカップリング剤による
表面改質が極めて良好な結果をもたらすことが実証され
た。
表面改質が極めて良好な結果をもたらすことが実証され
た。
実施例２゜
実施例１の感光体（Ａ）を製造する場合に、シランカッ
プリング剤として、それぞれ下記の化合物を用いた他は
実施例１と全く同様にして得た感光体は、いずれの場合
も感光体（Ａ）と同様に良好な耐コロナ性を有すること
が確認された。
プリング剤として、それぞれ下記の化合物を用いた他は
実施例１と全く同様にして得た感光体は、いずれの場合
も感光体（Ａ）と同様に良好な耐コロナ性を有すること
が確認された。
■ヘキサメチルジシラザン
（ＣＨ３） ３ＳｉＮＨ３ｉ （ＣＨ３） ３（東京応
化工業株式会社製） ■Ｔ−グリシドキシプロビルトリメトキシシランυ （商品名 ＳＩ＋６０４０） ■γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（ＣＨ３
０） ３５ｒ （Ｃ１１２） ３ＳＨ（商品名 ５ｏ６
０６２） ■ビニルアセトキシシラン （Ｃ１１３ＣＯＯ） ３５ｉＣＨ＝ＣＨ２（商品名 ５
１１６０７５） ■γ−クロロプロピルトリメトキシシラン（ＣＩ＋３０
） ３ｓｔ （ＣＨ２） ３ Ｃｉ！（商品名 ５Ｈ
６０７６） ■ビニルトリメトキシシラン （ＣＩＩ３０ ） ３ＳｉＣＨ＝ＣＨ２（商品名 Ｘｌ
−６０００） （以上、東し・シリコン株式会社商品名）■ビニルトリ
クロロシラン ＣＩ＋２ ＝ＣＨ３ｉ Ｃｊ！ ３ （商品名 Ａ −１５０） ■ビニルトリエトキシシラン （ＣＨ３Ｃ１１２０） ３ ｈｃＩＩ ＝ Ｃ１ｌ ２
（商品名 Ａ −１５１） ■ビニルートリス（β−メトキシエトキシ）シラン（Ｃ
Ｈ３０Ｃ１１２Ｃ）１２０ ） ３ＳｉＣＩｌ＝ＣＨ２
（商品名 Ａ〜１７２） ［相］Ｔ−メタアクリロキシプロピルトリメトキシシラ
ン （ＰＪ品名 Ａ −１７４） ０γ−メタアクリロキシプロピルトリス（β−メトキシ
エトキシ）シラン ＩＪ３ （商品名 Ａ１７５） （以上、日本ユニカー株式会社商品名）比較例 実施例１の感光体（Ａ）を製造する場合において、感光
層の表面にシランカップリング剤を塗布する際、以下の
ように有機ポリマー中にシランカップリング剤を混入さ
せた例について述べる。
化工業株式会社製） ■Ｔ−グリシドキシプロビルトリメトキシシランυ （商品名 ＳＩ＋６０４０） ■γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（ＣＨ３
０） ３５ｒ （Ｃ１１２） ３ＳＨ（商品名 ５ｏ６
０６２） ■ビニルアセトキシシラン （Ｃ１１３ＣＯＯ） ３５ｉＣＨ＝ＣＨ２（商品名 ５
１１６０７５） ■γ−クロロプロピルトリメトキシシラン（ＣＩ＋３０
） ３ｓｔ （ＣＨ２） ３ Ｃｉ！（商品名 ５Ｈ
６０７６） ■ビニルトリメトキシシラン （ＣＩＩ３０ ） ３ＳｉＣＨ＝ＣＨ２（商品名 Ｘｌ
−６０００） （以上、東し・シリコン株式会社商品名）■ビニルトリ
クロロシラン ＣＩ＋２ ＝ＣＨ３ｉ Ｃｊ！ ３ （商品名 Ａ −１５０） ■ビニルトリエトキシシラン （ＣＨ３Ｃ１１２０） ３ ｈｃＩＩ ＝ Ｃ１ｌ ２
（商品名 Ａ −１５１） ■ビニルートリス（β−メトキシエトキシ）シラン（Ｃ
Ｈ３０Ｃ１１２Ｃ）１２０ ） ３ＳｉＣＩｌ＝ＣＨ２
（商品名 Ａ〜１７２） ［相］Ｔ−メタアクリロキシプロピルトリメトキシシラ
ン （ＰＪ品名 Ａ −１７４） ０γ−メタアクリロキシプロピルトリス（β−メトキシ
エトキシ）シラン ＩＪ３ （商品名 Ａ１７５） （以上、日本ユニカー株式会社商品名）比較例 実施例１の感光体（Ａ）を製造する場合において、感光
層の表面にシランカップリング剤を塗布する際、以下の
ように有機ポリマー中にシランカップリング剤を混入さ
せた例について述べる。
ポリエステル樹脂（東洋紡績株式会社製、商品名バイロ
ン２００）５ｇ及びＮ−β−（アミノエチル）−γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン（東し・シリコン株式
会社製、商品名５Ｈ６０２０）１．０ｇを、メチルエチ
ルケトン：トルエン＝１＝１の混合溶媒２００ｍｋに熔
解させ、これを実施例１で作製した感光体（Ｃ）の表面
障壁層の上に回転塗布法によって塗布し、１００℃の空
気中で乾燥した。このようにして得られた感光体を（Ｅ
）とする。
ン２００）５ｇ及びＮ−β−（アミノエチル）−γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン（東し・シリコン株式
会社製、商品名５Ｈ６０２０）１．０ｇを、メチルエチ
ルケトン：トルエン＝１＝１の混合溶媒２００ｍｋに熔
解させ、これを実施例１で作製した感光体（Ｃ）の表面
障壁層の上に回転塗布法によって塗布し、１００℃の空
気中で乾燥した。このようにして得られた感光体を（Ｅ
）とする。
このようにして得られた感光体（Ｅ）について、温度３
０℃、相対湿度８５％の下で印加電圧プラス６ｋｖ、帯
電時間０．０８秒のコロナ放電を行なった後直ちに画像
露光を１．５ルックス秒行なった。次に、マイナス荷電
性のトナーとキャリヤーとからなる乾式現像剤を磁気ブ
ラシ法によって感光体のドラム表面にのせ、プラスのコ
ロナ放電により転写紙上に転写したところ、極めて鮮明
で高解像力高濃度の画像が得られた。次いで、転写後の
感光体表面をクリーニングブレードで清浄した後、温度
３０℃、相対湿度８５％の下でコロナ帯電劣化テストを
次のようにして行なった。
０℃、相対湿度８５％の下で印加電圧プラス６ｋｖ、帯
電時間０．０８秒のコロナ放電を行なった後直ちに画像
露光を１．５ルックス秒行なった。次に、マイナス荷電
性のトナーとキャリヤーとからなる乾式現像剤を磁気ブ
ラシ法によって感光体のドラム表面にのせ、プラスのコ
ロナ放電により転写紙上に転写したところ、極めて鮮明
で高解像力高濃度の画像が得られた。次いで、転写後の
感光体表面をクリーニングブレードで清浄した後、温度
３０℃、相対湿度８５％の下でコロナ帯電劣化テストを
次のようにして行なった。
感光体（Ｅ）を回転式帯電テスト装置に装着し、毎分４
０回転で回転させなから工０〜３０分間、印加電圧マイ
ナス６ｋｖでコロナ帯電を行なった後、同じ環境の下で
上記の画像形成プロセスによりコピー画像を作成し、そ
の解像力（シャープネスンを調べた。結果を感光体（Ａ
）と比較し、表３に示した。
０回転で回転させなから工０〜３０分間、印加電圧マイ
ナス６ｋｖでコロナ帯電を行なった後、同じ環境の下で
上記の画像形成プロセスによりコピー画像を作成し、そ
の解像力（シャープネスンを調べた。結果を感光体（Ａ
）と比較し、表３に示した。
表３゜
感光体（Ｅ） （Ｂ！ｐ／ｍｍ ６ｊ！ｐ／ｍｍ（ｊ！
ｐはラインペアを意味する） 表３から、感光体（Ｆ、）は感光体（Ａ）と同様の耐コ
ロナ性能を有することが確認された。
ｐはラインペアを意味する） 表３から、感光体（Ｆ、）は感光体（Ａ）と同様の耐コ
ロナ性能を有することが確認された。
次に感光体（Ａ）と（Ｅ）について上記画像形成プロセ
スを７万回繰り返し行ない、感光体（Ａ）及び（Ｅ）に
ついて初期の状態と比較することによって耐刷性能をテ
ストした。その結果、感光体（Ａ）については７万回使
用後においても感光体に変化はなく、鮮明な画像が得ら
れたが、感光体（Ｅ）については感光体表面に刷り傷の
発生が著しく、画像上にかぶり、汚れとして現れた。こ
の結果から、ａ−３ｉ光導電性層の上に少なくとも炭素
原子を含有するａ−３１層を障壁層として有する感光体
の表面を直接シランカップリング剤で処理した場合は、
特に良好な結果を与えることが実証された。
スを７万回繰り返し行ない、感光体（Ａ）及び（Ｅ）に
ついて初期の状態と比較することによって耐刷性能をテ
ストした。その結果、感光体（Ａ）については７万回使
用後においても感光体に変化はなく、鮮明な画像が得ら
れたが、感光体（Ｅ）については感光体表面に刷り傷の
発生が著しく、画像上にかぶり、汚れとして現れた。こ
の結果から、ａ−３ｉ光導電性層の上に少なくとも炭素
原子を含有するａ−３１層を障壁層として有する感光体
の表面を直接シランカップリング剤で処理した場合は、
特に良好な結果を与えることが実証された。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ａ−３ｔ半導体を光導電性層として利用する電子写
真用感光体であって、該感光体の表面がシランカップリ
ング剤を用いた処理によって疎水化されていることを特
徴とする電子写真用感光体。 ２）ａ−３ｉ半導体を光導電性層として利用する電子写
真用感光体の構成が、■導電性支持体と、■導電性支持
体上に設けられた電荷の移動を制御するための障壁層及
び■障壁層の上に設けられたａ−５ｉ光導電性層とから
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電
子写真用感光体。 ３）ａ−３ｌ半導体を光導電性層として利用する電子写
真用感光体の構成が、■導電性支持体と、■導電性支持
体上に設けられた電荷の移動を制御するための障壁層、
■障壁層の上に設けられたａ−３ｉ光導電性層及び■ａ
−３ｉ上に障壁層として、炭素、窒素及び酸素の中から
選ばれた少なくとも１種の不純物を含有するアモルファ
スシリコンの層からなることを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載の電子写真用感光体。 ４）導電性支持体上に設けられた障壁層が、炭素、窒素
及び酸素の中から選ばれた、少なくともｉａｉの不純物
を含有するアモルファスシリコンの層であることを特徴
とする特許請求の範囲第２項又は第３項に記載の電子写
真用感光体。 ５）ａ−３ｉ半導体を光導電性層として利用する電子写
真用感光体の構成が、■導電性支持体と、■導電性支持
体上に設けられたａ−３ｉ光導電性層及び■ａ−３ｉ上
に障壁層として、炭素、窒素及び酸素の中から選ばれた
、少なくとも１種の不純物を含有するアモルファスシリ
コンの層からなることを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12717683A JPS6017750A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12717683A JPS6017750A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6017750A true JPS6017750A (ja) | 1985-01-29 |
Family
ID=14953548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12717683A Pending JPS6017750A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6017750A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437563A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Ricoh Kk | Method for stabilizing characteristic of electrophotographic sensitive body |
-
1983
- 1983-07-12 JP JP12717683A patent/JPS6017750A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437563A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Ricoh Kk | Method for stabilizing characteristic of electrophotographic sensitive body |
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