JPH0573229B2 - - Google Patents

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JPH0573229B2
JPH0573229B2 JP9959886A JP9959886A JPH0573229B2 JP H0573229 B2 JPH0573229 B2 JP H0573229B2 JP 9959886 A JP9959886 A JP 9959886A JP 9959886 A JP9959886 A JP 9959886A JP H0573229 B2 JPH0573229 B2 JP H0573229B2
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light
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Keishi Saito
Tatsuyuki Aoike
Yasushi Fujioka
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Canon Inc
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Description

【発明の詳现な説明】
〔発明の属する技術分野〕 本発明は、シリコン原子を母䜓ずするアモルフ
アスシリコンで構成された光導電局を有する光受
容郚材、特に優れた特性を有する衚面保護局を前
蚘光導電局䞊に蚭けた電子写真甚感光䜓に適した
光受容郚材に関する。 〔埓来技術の説明〕 埓来、電子写真甚感光䜓等に甚いられる光受容
郚材ずしおは、その光感床領域の敎合性が他の皮
類の光受容郚材ず比べお優れおいるのに加えお、
ピツカヌス硬床が高く、公害の問題が少ない等の
点から、䟋えば特開昭54−86341号公報や特開昭
56−83746号公報にみられるようなシリコン原子
を母䜓ずし氎玠原子又はハロゲン原子のうちの少
なくずもいずれか䞀方を含有するアモルフアス材
料以埌、「−Si、」ず衚蚘する光受
容郚材が泚目されおいる。 ずころでこうした光受容郚材は、支持䜓䞊に、
−Si、で構成される光導電局を有する
ものであるずころ、該光導電局が垯電凊理を受け
た際に自由衚面偎から光導電局䞭に電荷が泚入さ
れるのを阻止するずずもに、該光導電局の耐湿
性、連続繰り返し䜿甚特性、電気的耐圧性、䜿甚
環境特性、および耐久性等を向䞊せしめ、長期間
安定した画像品質を埗るために、該光導電局䞊に
衚面保護局を蚭けるこずが知られおいる。 そしお、前蚘衚面保護局に぀いおは、前述の各
皮機胜を効率的に発揮するこずが芁求されるずこ
ろ、皮々の高抵抗でか぀充分な光透過性を有する
非単結晶質材料、即ち、アモルフアス材料又は
及び倚結晶質材料が提案されおおり、それらの提
案の぀ずしお窒化ホり玠を含有するアモルフア
ス材料以埌「−BN」ず衚蚘する。で構成
された薄膜を甚いるこずが知られおいる。特開
昭59−12448号公報、特開昭60−61760号公報参
照 しかし、前蚘−BNで構成された薄膜を衚面
保護局ずしお甚いる堎合、時ずしお、該−BN
薄膜は、垯電凊理におけるコロナ攟電や、他の郚
材、䟋えばクリヌニングブレヌド等ずの接觊をは
じめずする皮々の機械的損傷による劣化が発生
し、衚面保護局に芁求される前述の皮々の機胜を
長期間にわた぀お発揮するこずが䞍可胜ずなるず
いう問題がある。たた、該−BN薄膜を甚いた
光受容郚材は、垯電胜が䞍充分であ぀お、こうし
た光受容郚材を甚いお画像圢成を行なう堎合には
画像䞊にゎヌストが生じる等の画像品質の劣化ず
な぀お珟われる堎合もあるずいう問題もある。 〔発明の目的〕 本発明は、電子写真甚感光䜓等に甚いられる光
受容郚材における衚面保護局に関わる䞊述の問題
を解決しお、長期間にわた぀お所望の機胜を奏す
るものずした改善された衚面保護局を有する光受
容郚材を提䟛するこずを䞻たる目的ずするもので
ある。 本発明の他の目的は、垞時安定した垯電胜を有
し、長期間にわた぀お優れた品質の画像が埗られ
る電子写真甚感光䜓等に甚いられる光受容郚材を
提䟛するこずにある。 〔発明の構成〕 本発明者らは、電子写真甚感光䜓等に甚いられ
る光受容郚材における衚面保護局に関わる前述の
諞問題を解決し、䞊述の本発明の目的を達成すべ
く鋭意研究を重ねたずころ、衚面保護局ずしお甚
いる−BN薄膜の構造が重芁な芁因ずなるずい
う知芋を埗た。 即ち、窒化ホり玠単結晶においおは、構成元玠
の配䜍数がである六方晶系ず、構成元玠の配䜍
数がである立方晶系ずの二皮類の構造が知られ
おいる。 本発明者らは、窒化ホり玠で構成された薄膜を
電子写真甚感光䜓に甚いられる光受容郚材の衚面
保護局ずしお甚いる堎合、前蚘窒化ホり玠の構造
がいかに圱響するかに぀いお怜蚎を続けたずこ
ろ、どんな構造の窒化ホり玠でも衚面保護局ずし
お甚いられるわけではなく、特定の配䜍数を有す
る構造の窒化ホり玠が適しおいるずいう知芋を埗
た。 即ち、配䜍数がである六方晶系のものは、ブ
ラフアむトず同䞀の構造であ぀お、非垞に柔らか
く、モヌス硬床はであるため、衚面保護局ずし
お甚いた堎合には、コロナ攟電により生じたむオ
ン、オゟン、電子等の掻性な物質の衝撃に匱く、
又、スリヌニングブレヌド等の接觊をはじめずす
る皮々の機械的損傷による劣化を生じるこずが刀
明した。曎に、六方晶系の構造を有するものは抵
抗倀が比范適小さいために、これを衚面保護局に
甚いた光受容郚材は、垯電胜が小さく、圢成され
た画像品質の悪化をきたすずころずなるこずも刀
明した。 䞀方、構成元玠の配䜍数がである立方晶系の
構造を有するものは、硬床が倧であ぀お、コロナ
攟電や機械的衝撃に察しお充分な耐性を有しおお
り、曎に、抵抗倀が倧であるため、衚面保護局を
構成する材料ずしお甚いた堎合には、充分な垯電
胜を有し、良奜な画像を圢成しうる光受容郚材が
埗られるこずが刀明した。 本発明は、該知芋に基づいお完成せしめたもの
であ぀お、その骚子ずするずころは、支持䜓ず、
該支持䜓䞊に、シリコン原子を母䜓ずし、氎玠原
子又は、ハロゲン原子のうちの少なくずもいずれ
か䞀方を含有するアモルフアス材料で構成された
光導電局ず、衚面保護局ずを少なくずも有する光
受容局ずからなる光受容郚材においお、前蚘衚面
保護局が、配䜍構造の窒化ホり玠の倚結晶材料
を包含する非単結晶質材料で構成されおいる光受
容郚材にある。本発明により提䟛される光受容郚
材は、その衚面保護局に特城を有するものである
ずころ、支持䜓はもずより、光導電局を始めずす
る他の構成局は甚途目的に応じお任意に遞択する
こずができる。したが぀お以䞋に本発明の光受容
郚材に぀いおその局構成の兞型䟋を、電子写真甚
のものにする堎合に぀いお説明するが本発明の光
受容郚材はこれにより限定されるものではない。 第乃至図は、電子写真甚のものにした本
発明の光受容郚材の局構成の兞型的な䟋を暡匏的
に瀺す図である。 第図に瀺す䟋は、支持䜓䞊に、光導
電局及び衚面保護局をこの順に蚭け
たものであり、衚面保護局は自由衚面
を有しおいる。 第図に瀺す䟋は、支持䜓䞊に、電荷
泚入阻止局、光導電局及び衚面保護
局をこの順に蚭けたものである。 第図に瀺す䟋は、支持䜓䞊に、長波
長光吞収局、光導電局及び衚面保護
局をこの順に蚭けたものである。 第図に瀺す䟋は、支持䜓䞊に、密着
局、光導電局及び衚面保護局
をこの順に蚭けたものである。 第図に瀺す䟋は、電荷泚入阻止局、
密着局、光導電局及び衚面保護局
をこの順に蚭けたものであり、第に瀺す
䟋は、長波長光吞収局、密着局、光
導電局及び衚面保護局をこの順に蚭
けたものである。 第図に瀺す䟋は、支持䜓䞊に、長波
長光吞収局、電荷泚入阻止局、光導
電局及び衚面保護局をこの順に蚭け
たものであり、該䟋においおは長波長光吞収局
、及び電荷泚入阻止局の順序に入れか
えるこずもできる。 第図に瀺す䟋は、支持䜓䞊に、長波
長光吞収局、電荷泚入阻止局、密着
局、光導電局及び衚面保護局
をこの順に蚭けたものである。第図に瀺す䟋
は、支持䜓䞊に、電荷泚入阻止局、
光導電局、䞭間局及び衚面保護局
をこの順に蚭けたものである。 本発明の光受容郚材に甚いる支持䜓は、
導電性のものであ぀おも、たた電気絶瞁性のもの
であ぀おもよい。導電性支持䜓ずしおは、䟋え
ば、NiCr、ステンレス、Al、Cr、Mo、Au、
Nb、Ta、、Ti、Pt、Pb等の金属又はこれ等
の合金が挙げられる。 電気絶瞁性支持䜓ずしおは、ポリ゚ステル、ポ
リ゚チレン、ポリカヌボネヌト、セルロヌスアセ
テヌト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成暹脂のフむルム又はシヌト、ガラス、セラミ
ツク、玙等が挙げられる。これ等の電気絶瞁支持
䜓は、奜適には少なくずもその䞀方の衚面を導電
凊理し、該導電凊理された衚面偎に光受容局を蚭
けるのが望たしい。 䟋えばガラスであれば、その衚面に、NiCr、
Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、、Ti、Pt、
Pd、InO3、ITOIn2O3Sn等から成る薄膜を
蚭けるこずによ぀お導電性を付䞎し、或いはポリ
゚ステルフむルム等の合成暹脂フむルムであれ
ば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、Au、Cr、
Mo、Ir、Nb、Ta、、Tl、Pt等の金属の薄膜
を真空蒞着、電子ビヌム蒞着、スパツタリング等
でその衚面に蚭け、又は前蚘金属でその衚面をラ
ミネヌト凊理しお、その衚面に導電性を付䞎す
る。支持䜓の圢状は平滑衚面或いは凹凞衚面の板
状無端ベルト状又は円筒状等であるこずができ、
その厚さは、所望通りの光受容郚材を圢成しうる
甚に適宜決定するが、光受容郚材ずしおの可撓性
が芁求される堎合には、支持䜓ずしおの機胜が充
分発揮される範囲内で可胜な限り薄くするこずが
できる。しかしながら、支持䜓の補造䞊及び取り
扱い䞊、機械的匷床等の点から、通垞は、10Ό以
䞊ずされる。 第図に瀺す本発明の光受容郚材においお、
支持䜓ず光導電局の間に蚭けられる
電荷泚入阻止局は、光導電局が垯電
凊理を受けた際に支持䜓偎から光導電局䞭
に電子が泚入されるこずを阻止するために蚭けら
れる局であり、該電荷泚入阻止局は、氎
玠、又は倚結晶シリコン以埌、「poly−Si、
」ず呌称する。あるいは䞡者を含むいわゆる
非単結晶シリコン以埌、「Non−Si、」
ず呌称する。〔なお、埮結晶質シリコンず通称さ
れるものは−Siに分類される。〕に、呚期埋衚
第族に属する原子以埌、単に「第族原子」
ず称す。たたは呚期埋衚第族に属する原子
以埌、単に「第族原子」ず称す。を含有せし
めたもので構成されおいる。 該電荷泚入阻止局に含有せしめる第族
原子ずしおは、具䜓的には、硌玠、Alアル
ミニりム、Gaガリりム、Inむンゞりム、Tl
タリりム等を甚いるこずができるが、特に奜
たしいものは、、Gaである。たた第族原子
ずしおは、具䜓的には、燐、As砒玠、Sb
アンチモン、Biビスマス等を甚いるこずが
できるが、特に奜たしいものは、Asである。
そしお電荷泚入阻止局に含有せしめる第
族原子又は第族原子の量は〜×104atomic
ppm、奜たしくは50〜×104atomic ppm、
×102〜×103atomic ppmずするこずが望たし
い。 又、電荷泚入阻止局䞭に含有せしめるハ
ロゲン原子又は氎玠原子の量は、×103〜×
105atomic ppmずし、特にpoly−Si、で
構成される堎合には奜たしくは×103〜×
105atomic ppmずし、−Si、で構成さ
れる堎合には×104〜×105atomic ppmずす
るこずが望たしい。曎に、本発明の光受容郚材の
電荷泚入阻止局の局厚は0.03〜15Ό、奜た
しくは0.04〜10Ό、最適には0.05〜8Όずするのが
望たしい。 第図に瀺す本発明の光受容郚材においお、
支持䜓ず光導電局ずの間に蚭けられ
る長波長光吞収局は、ゲルマニりム原子
Ge又はスズ原子Snのうち少なくずも䞀方
を含有するNon−Si、で構成される局で
あり、露光光源ずしおレヌザヌ光等の長波長光を
甚いた際に、光導電局においお吞収しきれ
なか぀た長波長光を該長波長光吞収局が効
率的に吞収するこずにより、支持䜓衚面で
の長波長光の反射による干枉珟象の珟出を顕著に
防止する機胜を有するものである。そしお該長波
長光吞収局䞭に含有せしめるGo原子の量
又はSn原子の量あるいはそれらの和は、〜
106atomic ppm、奜たしくは×102〜×
105atomic ppm、より奜たしくは×102〜×
105atomic ppmずするこずが望たしい。たた長
波長光吞収局䞭に含有せしめる氎玠原子又
はハロゲン原子の量は、奜たしくは×103〜
×105atomic ppmずするこずが望たしく、特に
poly−SiGe、Sn、の堎合奜たしくは
×103〜×105atomic ppmずし、−SiGe、
Sn、の堎合奜たしくは×104〜×
105atomic ppmずするこずが望たしい。 曎に本発明の光受容郚材における長波長光吞収
局の局厚は、0.05〜25Ό、奜たしくは0.07
〜20Ό、最適には、0.1〜15Όずするのが望たしい。 第図に瀺す本発明の光受容郚材においお、
支持䜓ず光導電局ずの間に蚭けられ
る密着局は、支持䜓ず光導電局
ずの密着性を改善せしめる機胜を奏する局であ
぀お、酞玠原子、炭玠原子および窒玠原子の䞭か
ら遞ばれる少なくずも䞀皮を含有するNon−Si
、以埌、「Non−Si、、、
」ず衚蚘する。で構成されおいる。そしお該
密着局䞭に含有せしめる酞玠原子炭玠原
子、窒玠原子の量、又はそれらの䞭の少なくずも
぀以䞊の和は、100〜×105atomic ppm奜た
しくは100〜×105atomic ppmずするこずが望
たしい。たた、該密着局䞭に含有せしめる
氎玠原子又はハロゲン原子の量あるいはそれらの
和は奜たしくは10〜×105atomic ppmずし、
特にpoly−Si、、、の堎合には
10〜×105atomic ppm、−Si、、
、の堎合には×103〜×105atomic
ppmずするこずが望たしい。 ずころで、本発明の光受容郚材における電荷泚
入阻止局、長波長光吞収局及び密着
局は、これらを組み合わせお甚いるこずが
可胜であり、その兞型的な䟋を瀺したものが第
図乃至図である。 曎に、本発明の光受容郚材においおは、電荷泚
入阻止局又は長波長光吞収局䞭に酞
玠原子、炭玠原子及び窒玠原子の䞭から遞ばれる
少なくずも䞀皮を含有せしめるこずにより、これ
らの局に密着局ずしおの機胜を兌ねそなえさせる
こずも可胜であり、たた、長波長光吞収局
䞭に第族原子又は第族原子を含有せしめる
か、あるいは電荷泚入阻止局䞭にゲルマニ
りム原子又はズズ原子を含有せしめるこずによ
り、これら䞡局の機胜を兌ねそなえた局ずするこ
ずができる。 ずころで、本発明の光受容郚材における電荷泚
入阻止局、長波長光吞収局及び密着
局は、Non−Si、を母䜓ずする材
料で構成されおいるが、poly−Si、で構
成される局を圢成するに぀いおは皮々の方法があ
り、䟋えば次のような方法があげられる。 その぀の方法は、基䜓枩床を高枩、具䜓的に
は400〜450℃に蚭定し、該基䜓䞊にプラズマ
CVD法により膜を堆積せしめる方法である。 他の方法は、基䜓衚面に先ずアモルフアス状の
膜を圢成、即ち、基䜓枩床を玄250℃にした基䜓
䞊にプラズマCVD法により膜を圢成し、該アモ
ルフアス状の膜をアニヌリング凊理するこずによ
りpoly化する方法である。該アニヌリング凊理
は、基䜓を400〜450℃に玄20分間加熱するか、あ
るいは、レヌザヌ光を玄20分間照射するこずによ
り行なわれる。 本発明の光受容郚材の光導電局は、−
Si、たたは−SiGe、Sn、で
構成され、光導䌝性を有する局であ぀お、該局に
はさらに、第族原子又は第族原子又は及び
酞玠原子、炭玠原子及び窒玠原子の䞭から遞ばれ
る少なくずも䞀皮を含有せしめるこずができる。 光導電局䞭に含有せしめるハロゲン原子
(X)ずしおは、具䜓的にはフツ玠、塩玠、臭玠、ペ
り玠が挙げられ、特にフツ玠、塩玠を奜適なもの
ずしお挙げるこずができる。そしお光導電局
䞭に含有せしめる氎玠原子(H)の量又はハロゲン
原子(X)の量、あるいは氎玠原子ずハロゲン原子の
量の和は、奜たしくは〜40atomic
、より奜たしくは〜30atomicずするのが
望たしい。たた、光導電局䞭に第族原子
原子又は第族原子を含有せしめる目的は、光導
電局の䌝導性を制埡するこずにある。この
ような第族原子及び第族原子ずしおは、前述
の電荷泚入阻止局䞭に含有せしめるものず
同様のものを甚いるこずができるが、光導電局
に含有せしめる堎合には、電荷泚入阻止局
に含有せしめたものずは逆の極性のものを含
有せしめるか、あるいは電荷泚入阻止局に
含有せしめたものず同極性のものを該局に
含有される量より䞀段ず少ない量にしお含有せし
めるこずができる。 光導電局䞭に含有せしめる第族原子又
は第族原子の量は、奜たしくは×10-3〜×
103atomic ppm、より奜たしくは×10-2〜×
102atomic ppm、最適には×10-1〜×
102atomic ppmずするこずが望たしい。 たた光導電局䞭に、酞玠原子、炭玠原子
及び窒玠原子の䞭から遞ばれる少なくずも䞀皮を
含有せしめる目的は、光導電局の高暗抵抗
化をはかるずずもに、光導電局の膜品質を
向䞊せしめるこずにある。そしお、光導電局
に含有せしめるこうした原子の量は、奜たしく
は×10-3〜50atomic、より奜たしくは×
10-3〜40atomic、最適には×10-3〜
30atomicずするのが望たしい。 曎に、光導電局䞭に、ゲルマニりム原子
Ge又はスズ原子Snのうちの少なくずも䞀
方を含有せしめるこずができるが、こうした原子
を含有せしめる目的は、レヌザヌ光などの長波長
光に察する感床を向䞊せしめるこずにあり、この
堎合、光導電局䞭に含有せしめるこれらの
原子の量は、奜たしくは〜9.5×105atomic
ppmずするのが望たしい。 たた、本発明の光受容郚材においお、光導電局
の局厚は、本発明の目的を効率的に達成するには
重芁な芁因の぀であ぀お、光受容郚材の所望の
特性が䞎えられるように、光受容郚材の蚭蚈の際
には充分な泚意を払う必芁があり、通垞は〜
100Όずするが、奜たしくは〜80Ό、最適には
〜50Όずする。 本発明の光受容郚材においお特城ずするずころ
の衚面保護局は、前述の光導電局䞊
に䜍眮しお蚭けられ、自由衚面を有するも
のである。そしお該衚面保護局は、光受容
郚材に芁求される諞特性、即ち、耐湿性、連続繰
り返し䜿甚特性、電気的耐圧性、䜿甚環境特性、
および耐久性等を向䞊せしめるず共に、光受容局
が垯電凊理を受けた際に、自由衚面偎から
光導電局䞭に電荷を泚入されるのを阻止す
る機胜を奏するものである。 かくなる本発明の光受容郚材の衚面保護局
は、配䜍構造の窒化ホり玠を含有する非単結
晶質材料〔以埌、「Non−BN」ず衚蚘する。〕、
即ち倚結晶質材料〔以埌「poly−BN」ず衚蚘す
る。〕又はアモルフアス材料〔「−BN」ず衚蚘
する。〕ずpoly−BNずの混合物で構成されるも
のであり、曎に、氎玠原子又はハロゲン原子のう
ちの少なくずも䞀方を含有せしめるこずもできる
〔以埌、「Non−BN、」ず衚蚘する。〕 該衚面保護局を構成する各原子の割合に
぀いおは、Non−BN、の組成比を BxN1-x1-y、y で衚わすず、次の条件を満足しおいるこずが望た
しい。 に぀いお 0.25≊≊0.75、奜たしくは0.3≊≊0.7最適
には0.4≊≊0.6 に぀いお 0.004≊≊0.4、奜たしくは0.005≊≊0.3、
最適には0.01≊≊0.2 本発明の光受容郚材においおは、衚面保護局
の局厚も本発明の目的を効率的に達成するた
めに重芁な芁因の぀であり、所望の目的に応じ
お適宜決定されるものであるが、衚面保護局に含
有せしめる構成原子の量、あるいは衚面保護局に
芁求される特性に応じお盞互的か぀有機的関連性
の䞋に決定する必芁がある。曎に生産性や量産性
も加味した経枈性の点においおも考慮する必芁も
ある。 こうしたこずから、本発明の光受容郚材の衚面
保護局の局厚は、奜たしくは0.003〜30Ό、
より奜たしくは0.004〜20Ό、最適には0.005〜10ÎŒ
である。 曎に本発明の光受容郚材においおは、前述の衚
面保護局ず光導電局ずの間に䞭間局
を圢成せしめおもよい。該䞭間局
は、炭玠原子を含有する−Si、又は
poly−Si、で構成されおおり、該䞭間局
䞭に含有せしめる炭玠原子の量は、奜たし
くは20〜90atomic、より奜たしくは30〜
85atomic、最適には40〜80atomicずするこ
ずが望たしい。たた該䞭間局䞭に含有せし
める氎玠原子(H)の量、ハロゲン原子(H)の量、及び
氎玠原子ハロゲン原子の量は、奜た
しくは〜70atomic、より奜たしくは〜
65atomic、最適には〜60atomicずするの
が望たしい。さらに該䞭間局の局厚は、奜
たしくは0.003〜30Ό、より奜たしくは0.004〜
20Ό、最適には0.005〜10Όずするのが望たし
い。 次に、本発明の光受容郚材の構成局の圢成方法
に぀いお説明する。 本発明の光受容郚材を構成する非晶質材料は、
いずれもグロヌ攟電法䜎呚波CVD、高呚波
CVD又はマむクロ波CVD等の亀流攟電CVD、あ
るいは盎流攟電CVD等、スパツタリング法、真
空蒞着法、むオンプレヌテむング法、光CVD法、
熱CVD法などの皮々の薄膜堆積法によ぀お成圢
するこずができる。これらの薄膜堆積法は、補造
条件、蚭備資本投䞋の負荷皋床、補造芏暡、䜜成
される光受容郚材に所望される特性等の芁因によ
぀お適宜遞択されお採甚されるが、所望の特性を
有する光受容郚材を補造するに圓぀おの条件の制
埡が比范的容易であり、シリコン原子ず共にハロ
ゲン原子及び氎玠原子の導入を容易に行い埗る等
のこずからしお、グロヌ攟電法或いはスパツタリ
ング法が奜適である。そしお、グロヌ攟電法ずス
パツタリング法ずを同䞀装眮系内で䜵甚しお圢成
しおもよい。 䟋えば、グロヌ攟電法により、配意構造の窒
玠ホり玠で構成される衚面保護局を圢成するに
は、基本的にはホり玠原子(B)を䟛絊し埗る䟛絊
甚の原料ガスず、窒玠原子(N)を䟛絊し埗る䟛絊
甚の原料ガスず、必芁に応じお氎玠原子(H)導入甚
又は及びハロゲン原子(X)導入甚の原料ガスず
を、内郚が枛圧にし埗る堆積宀内に導入しお、該
堆積宀内にグロヌ攟電を生起させ、Non−BN
、から成る局を圢成する。 前蚘䟛絊甚の原料ガスずしおは、B2H6、
B4H10、B5H9、B5H11、B6H12、BF3、BCl3等の
ガス状態の又はガス化し埗る化合物があげられ
る。 たた、前蚘䟛絊甚の原料ガスずしおは、N2、
NH3、NF3、NF2Cl、NFCl2、NCl3、N2F2、
N2F4、NH2Cl、NHF2、NH2F等のガス状態の
又はガス化し埗る化合物があげられる。 たた、スパツタリング法によ぀お配䜍構造の
Non−BN、局を圢成するには、タヌゲ
ツトずしおBNタヌゲツトを甚い、前蚘䟛絊甚
原料ガスをAr等の䞍掻性ガスず共に堆積宀内に
導入しおプラズマ雰囲気を圢成し、前蚘BNタヌ
ゲツトをスパツタリングするこずによ぀お圢成さ
れる。 たた、グロヌ攟電法によ぀お、−Si、
で構成される局を圢成するには、基本的にはシリ
コン原子Siを䟛絊し埗るSi䟛絊甚の原料ガス
ず共に、氎玠原子(H)導入甚の又は及びハロゲン
原子(X)導入甚の原料ガスを、内郚が枛圧にし埗る
堆積宀内に導入しお、該堆積宀内にグロヌ攟電を
生起させ、予め所定䜍眮に蚭眮した所定の支持䜓
衚面䞊に−Si、から成る局を圢成する。 前蚘Si䟛絊甚のガスずしおは、SiH4、Si2H6、
Si3H8、Si4H10等のガス状態の又はガス化し埗る
氎玠化珪玠シラン類が挙げられ、特に、局圢
成䜜業のし易さ、Si䟛絊効率の良さ等の点で、
SiH4、Si2H6が奜たしい。 たた、前蚘ハロゲン原子導入甚の原料ガスずし
おは、倚くのハロゲン化合物が挙げられ、䟋えば
ハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで眮換されたシラン誘導䜓等のガス
状態の又はガス化しうるハロゲン化合物が奜たし
い。具䜓的にはフツ玠、塩玠、臭玠、ペり玠のハ
ロゲンガス、BrF、ClF、ClF3、BrF5、BrF3、
IF7、ICl、IBr等のハロゲン間化合物、および
SiF4、Si2F6、SiCl4、SiBr4等のハロゲン化硅玠
が挙げられる。䞊述のごずきハロゲン化硅玠のガ
ス状態の又はガス化しうるものを甚いる堎合に
は、Si䟛絊甚の原料ガスを別途䜿甚するこずなく
しお、ハロゲン原子を含有する−Siで構成され
た局が圢成できるので、特に有効である。 たた、前蚘氎玠原子䟛絊甚の原料ガスずしお
は、氎玠ガス、HF、HCl、HBr、HI等のハロゲ
ン化物、SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10等の氎玠
化硅玠、あるいはSiH2F2、SiH2I2、SiH2Cl2、
SiHCl3、SiH2Br2、SiHBr3、等のハロゲン眮換
氎玠化硅玠等のガス状態の又はガス化しうるもの
を甚いるこずができ、これらの原料ガスを甚いた
堎合には、電気的あるいは光電的特性の制埡ずい
う点で極めお有効であるずころの氎玠原子(H)の含
有量の制埡を容易に行うこずができるため、有効
である。そしお、前蚘ハロゲン化氎玠又は前蚘ハ
ロゲン眮換氎玠化硅玠を甚いた堎合にはハロゲン
原子の導入の同時に氎玠原子(H)も導入されるの
で、特に有効である。 反応スパツタリング法或いはむオンプレヌテむ
ング法に䟝぀お−Si、から成る局を圢
成するには、䟋えばスパツタリング法の堎合に
は、ハロゲン原子を導入するに぀いおは、前蚘の
ハロゲン化合物又は前蚘のハロゲン原子を含む硅
玠化合物のガスを堆積宀䞭に導入しお該ガスのプ
ラズマ雰囲気を圢成しおやればよい。 又、氎玠原子を導入する堎合には、氎玠原子導
入甚の原料ガス、䟋えば、H2或いは前蚘したシ
ラン類等のガスをスパツタリング甚の堆積宀䞭に
導入しお該ガスのプラズマ雰囲気を圢成しおやれ
ばよい。 䟋えば、反応スパツタリグ法の堎合には、Siタ
ヌゲツトを䜿甚し、ハロゲン原子導入甚のガス及
びH2ガスを必芁に応じおHe、Ar等の䞍掻性ガス
も含めお堆積宀内に導入しおプラズマ雰囲気を圢
成し、前蚘Siタヌゲツトをスパツタリングするこ
ずによ぀お、支持䜓䞊に−Si、から成
る局を圢成する。 グロヌ攟電法によ぀お−SiGe、で構
成される局を圢成するには、シリコン原子Si
を䟛絊しうるSi䟛絊甚の原料ガスず、ゲルマニり
ム原子Geを䟛絊しうるGe䟛絊甚の原料ガス
ず、氎玠原子(H)又は及びハロゲン原子(X)を䟛絊
しうる氎玠原子(H)又は及びハロゲン原子(X)䟛絊
甚の原料ガスを内郚を枛圧にしうる堆積宀内に所
望のガス圧状態で導入し、該堆積宀内にグロヌ攟
電を生起せしめお、予め所定䜍眮に蚭眮しおある
所定の支持䜓衚面䞊に、−SiGe、で構
成される局を圢成する。 Si䟛絊甚の原料ガス、ハロゲン原子䟛絊甚の原
料ガス、及び氎玠原子䟛絊甚の原料ガスずなりう
る物質ずしおは、前述の−Si、で構成
される局を圢成する堎合に甚いたものがそのたた
甚いられる。 たた、前蚘Ge䟛絊甚の原料ガスずなりうる物
質ずしおは、GeH4、Ge2H6、Ge3H8、Ge4H10、
Ge5H12、Ge6H14、Ge7H16、Ge8H18、Ge9H20等
のガス状態の又はガス化しうる氎玠化ゲルマニり
ムを甚いるこができる。特に、局䜜成䜜業時の取
扱易さ、Ge䟛絊効率の良さ等の点から、GeH4、
Ge2H6、およびGe3H8が奜たしい。 スパツタリング法によ぀お−SiGe、
で構成される局を圢成するには、シリコンから成
るタヌゲツトず、ゲルマニりムから成るタヌゲツ
トずの二枚を、あるいは、シリコンずゲルマニり
ムからなるタヌゲツトを甚い、これ等を所望のガ
ス雰囲気䞭でスパツタリグするこずによ぀お行な
う。 むオンブレヌテむング法を甚いお−SiGe
、で構成される局を圢成する堎合には、
䟋えば、倚結晶シリコン又は単結晶シリコンず倚
結晶ゲルマニりム又はたた単結晶ゲルマニりムず
を倫々蒞発源ずしお蒞着ボヌトに収容し、この蒞
発源を抵抗加熱法あるいぱレクトロンビヌム法
E.B.法等によ぀お加熱蒞発させ飛翔蒞発物を
所望のガスプラズマ雰囲気䞭を通過せしめるこず
で行ない埗る。 スパツタリング法およびむオンプレヌテむング
法のいずれの堎合にも、圢成する局䞭にハロゲン
原子を含有せしめるには、前述のハロゲン化物又
はハロゲン原子を含む硅玠化合物のガスを堆積宀
䞭に導入し、該ガスのプラズマ雰囲気を圢成すれ
ばよい。又、氎玠原子を導入する堎合には、氎玠
原子䟛絊甚の原料ガス、䟋えばH2あるいは前蚘
した氎玠化シラン類又は及び氎玠化ゲルマニり
ム等のガス類をスパツタリング甚の堆積宀内に導
入しおこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を圢成す
ればよい。さらにハロゲン原子䟛絊甚の原料ガス
ずしおは、前蚘のハロゲン化物或いはハロゲンを
含む硅玠化合物が有効なものずしお挙げられる
が、その他に、HF、HCl、HBr、HI等のハロゲ
ン化氎玠、SiH2F2、SiH2I2、SiH2Cl2、SiHCl3、
SiH2Br2、SiHBr3、等のハロゲン眮換氎玠化硅
玠、およびGeHF3、GeH2F2、GeH3F、GeHCl3、
GeH2Cl2、GeH3Cl、GeHBr3、GeH2Br2、
GeH3Br、GeHI3、GeH2I2、GeH3I等の氎玠化ハ
ロゲン化ゲルマニりム等、GeF4、GeCl4、
GeBr4、GeI4、GeF2、GeCl2、GeBr2、GeI2等の
ハロゲン化ゲルマニりム等々のガス状態の又はガ
ス化しうる物質も有効な出発物質ずしお䜿甚でき
る。 グロヌ攟電法、スパツタリング法あるいはむオ
ンプレヌテむング法を甚いお、スズ原子を含有す
るアモルフアスシリコン以䞋、「−SiSn、
」ず衚蚘する。で構成される光受容局を圢成
するには、䞊述の−SiGe、で構成され
る局の圢成の際に、ゲルマニりム原子䟛絊甚の出
発物質を、スズ原子Sn䟛絊甚の出発物質に
かえお䜿甚し、圢成する局䞭ぞのその量を制埡し
ながら含有せしめるこずによ぀お行なう。 前蚘スズ原子Sn䟛絊甚の原料ガスずなり
うる物質ずしおは、氎玠化スズSnH4や
SnF2、SnF4、SnCl2、SnCl4、SnBr2、SnBr4、
SnI2、SnI4等のハロゲン化スズ等のガス状態の又
はガス化しうるものを甚いるこずができ、ハロゲ
ン化スズを甚いる堎合には、所定の支持䜓䞊にハ
ロゲン原子を含有する−Siで構成される局を圢
成するこずができるので、特に有効である。なか
でも、局䜜成䜜業時の取り扱い易さ、Sn䟛絊効
率の良さ等の点から、SnCl4が奜たしい。 そしお、SnCl4をスズ原子Sn䟛絊甚の出発
物質ずしお甚いる堎合、これをガス化するには、
固䜓状のSnCl4を加熱するずずもに、Ar、He等
の䞍掻性ガスを吹き蟌み、該䞍掻性ガスを甚いお
バブリングするのが望たしく、こうしお生成した
ガスを、内郚を枛圧にした堆積宀内に所望のガス
圧状態で導入する。 グロヌ攟電法、スパツタリング法、あるいはむ
オンプレヌテむング法を甚いお、−Si、
に第族原子又は第族原子、窒玠原子、酞玠原
子あるいは炭玠原子を含有せしめた非晶質材料で
構成された局を圢成するには、−si、
の局の圢成の際に、第族原子又は第族原子導
入甚の出発物質、酞玠原子導入甚の出発物質、窒
玠原子導入甚の出発物質、あるいは炭玠原子導入
甚の出発物質を、前述した−Si、圢成
甚の出発物質ず共に䜿甚しお、圢成する局䞭ぞの
それらの量を制埡しながら含有せしめおやるこず
によ぀お行なう。 䟋えば、グロヌ攟電法を甚いお、原子、
、を含有する−Si、で構成され
る局を圢成するには、前述の−Si、で
構成される局を圢成する際に、原子、、
導入甚の出発物質を−Si、圢成甚
の出発物質ずずもに䜿甚しお圢成する局䞭ぞのそ
れらの量を制埡しながら含有せしめるこずによ぀
お行なう。 このような原子、、導入甚の出発物
質ずしおは、少なくずも原子、、を構
成原子ずするガス状の物質又はガス化し埗る物質
であれば、ほずんどのものが䜿甚できる。 具䜓的には酞玠原子(O)導入甚の出発物質ずし
お、䟋えば、酞玠O2、オゟンO3、䞀酞化
窒玠NO、䞀二酞化窒玠N2O、䞉二酞化窒
玠N2O3、四二酞化窒玠N2O4、五二酞化窒
玠N2O5、䞉酞化窒玠NO3、シリコン原子
Siず酞玠原子(O)ず氎玠原子(H)ずを構成原子ず
する䟋えばゞシロキサンH3SiOSiH3、トリシ
ロキサンH3SiOSiH2OSiH3等の䜎玚シロキ
サン等が挙げられ、炭玠原子(C)導入甚の出発物質
ずしおは、䟋えば、メタンCH4、゚タン
C2H6、プロパンC3H8、−ブタン−
C4H10、ペンタンC5H12等の炭玠数〜の
飜和炭化氎玠、゚チレンC2H4、プロピレン
C3H6、ブテン−C4H8、ブテン−
C4H8、む゜ブチレンC4H8、ペンテン
C5H10等の炭玠数〜の゚チレン系炭化氎
玠、アセチレンC2H2、メチルアセチレン
C3H4、ブチンC4H6等の、炭玠数〜の
アセチレン系炭化氎玠が挙げられ、窒玠原子(N)導
入甚の出発物質ずしおは、䟋えば、窒玠N2、
アンモニアNH3、ヒドラゞンH2NNH2、
アゞ化氎玠HN3、アゞ化アモニりム
NH4N3、䞉北化窒玠F3N、四䞉北化窒玠
F4Nが挙げられる。 䟋えば酞玠原子を含有する局又は局領域を圢成
するのにグロヌ攟電法を甚いる堎合には、前蚘し
た光受容郚材局圢成甚の出発物質の䞭から所望に
埓぀お遞択されたものに酞玠原子導入甚の出発物
質が加えられる。その様な酞玠原子導入甚の出発
物質ずしおは、少なくずも酞玠原子を構成原子ず
するガス状の物質又はガス化し埗る物質であれば
ほずんどのものが䜿甚できる。 䟋えばシリコン原子Siを構成原子ずする原
料ガスず、酞玠原子(O)を構成原子ずする原料ガス
ず、必芁に応じお氎玠原子(H)又は及びハロゲン
原子(X)を構成原子ずする原料ガスずを所望の混合
比で混合しお䜿甚するか、又は、シリコン原子
Siを構成原子ずする原料ガスず、酞玠原子(O)
及び氎玠原子(H)を構成原子ずする原料ガスずを、
これも又所望の混合比で混合するか、或いは、シ
リコン原子Siを構成原子ずする原料ガスず、
シリコン原子Si、酞玠原子(O)及び氎玠原子(H)
の぀を構成原子ずする原料ガスずを混合しお䜿
甚するこずができる。 又、別には、シリコン原子Siず氎玠原子(H)
ずを構成原子ずする原料ガスに酞玠原子(O)を構成
原子ずする原料ガスを混合しお䜿甚しおもよい。 具䜓的には、䟋えば酞玠O2、オゟンO3、
䞀酞化窒玠NO、二酞化窒玠NO2、䞀二酞
化窒玠N2O、䞉二酞化窒玠N2O3、四二酞
化窒玠N2O4五二酞化窒玠N2O5、䞉酞化
窒玠NO3、シリコン原子Siず酞玠原子(O)
ず氎玠原子(H)ずを構成原子ずする䟋えばゞシロキ
サンH3SiOSiH3、トリシロキサン
H3SiOSiH2OSiH3等の䜎玚シロキサン等が挙
げられ、挙げるこずができる。 スパツタリング法によ぀お、酞玠原子を含有す
る局たたは局領域を圢成するには、単結晶又はSi
り゚ヌハ又はSiO2り゚ヌハ、又はSiずSiO2が混
合されお含有されおいるり゚ヌハをタヌゲツトず
しお、これ等を皮々のガス雰囲気䞭でスパツタリ
ングするこずによ぀お行なえばよい。 䟋えば、Siり゚ヌハをタヌゲツトずしお䜿甚す
れば、酞玠原子ず必芁に応じお氎玠原子又は及
びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを必芁に
応じお垌釈ガスで垌釈しお、スパツタヌ甚の堆積
宀内に導入し、これ等のガスのガスプラズマを圢
成しお前蚘Siり゚ヌハをスパツタリングすればよ
い。 又、別にはSiずSiO2ずは別々のタヌゲツトず
しお、又はSiずSiO2の混合した䞀枚のタヌゲツ
トずを䜿甚するこずによ぀お、スパツタヌ甚のず
しおの垌釈ガスの雰囲気䞭で又は少なくずも氎玠
原子(H)又は及びハロゲン原子(X)を構成原子ずし
お含有するガス雰囲気䞭でスパツタリングするこ
ずによ぀お圢成できる。酞玠原子導入甚の原料ガ
スずしおは、前述したグロヌ攟電の䟋で瀺した原
料ガスの䞭の酞玠原子導入甚の原料ガスが、スパ
ツタリングの堎合にも有効なガスずしお䜿甚でき
る。 たた、䟋えば炭玠原子を含有するアモルフアス
シリコンで構成される局をグロヌ攟電法により圢
成するには、シリコン原子Siを構成原子ずす
る原料ガスず、炭玠原子(C)を構成原子ずする原料
ガスず、必芁に応じお氎玠原子(H)又は及びハロ
ゲン原子(X)を構成原子ずする原料ガスずを所望の
混合比で混合しお䜿甚するか、又はシリコン原子
Siを構成原子ずする原料ガスず、炭玠原子(C)
及び氎玠原子(H)を構成原子ずする原料ガスずを、
これも又所望の混合比で混合しお䜿甚するか、或
いはシリコン原子Siを構成原子ずする原料ガ
スず、シリコン原子Si、炭玠原子(C)及び氎玠
原子(H)を構成原子ずする原料ガスを混合するか、
曎にたた、シリコン原子、氎玠原子を構成原子ず
する原料ガスを混合しお䜿甚する。 このような原料ガスずしお有効に䜿甚されるの
は、Siずずを構成原子ずするSiH4、Si2H6、
Si3H8、Si4H10等のシランSilane類等の氎玠
化硅玠ガス、ずずを構成原子ずする、䟋えば
炭玠数〜の飜和炭化氎玠、炭玠数〜の゚
チレン系炭化氎玠、炭玠数〜のアセチレン系
炭化氎玠等が挙げられる。 具䜓的には飜和炭化氎玠ずしおは、䟋えば、メ
タンCH4、゚タンC2H6、プロパン
C3H8、−ブタン−C4H10、ペンタン
C5H12、゚チレン系炭化氎玠ずしおは、゚チレ
ンC2H6、プロピレンC3H6、ブテン−
C4H8、ブテン−C4H8、む゜ブチレン
C4H8、ペンテンC5H10アセチレン系炭化
氎玠ずしおは、アセチレンC2H2、メチルアセ
チレンC3H4、ブチンC4H6等が挙げられ
る。 Siずずずを構成原子ずする原料ガスずしお
は、SiCH34、SiC2H54等のケむ化アルキルを
挙げるこずができる。これ等の原料ガスの他、
導入甚の原料ガスずしおは勿論H2も䜿甚できる。 スパツタリング法によ぀お−SiC、
で構成される局を圢成するには、単結晶又は倚結
晶のSiり゚ヌハ又はグラフアむトり゚ヌハ、
又はSiずが混合されおいるり゚ヌハをタヌゲツ
トずしお、これ等を所望のガス雰囲気䞭でスパツ
タリングするこずによ぀お行なう。 䟋えば、Siり゚ヌハをタヌゲツトずし䜿甚する
堎合には、炭玠原子、および氎玠原子又は及び
ハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必芁に
応じおAr、He等の垌釈ガスで垌釈しお、スパツ
タリング甚の堆積宀内に導入し、これ等のガスの
ガスプラズマを圢成しお前蚘Siり゚ヌハをスパツ
タリングすればよい。 又、別にはSiずは別々のタヌゲツトずする
か、あるいはSiずの混合した䞀枚のタヌゲツト
ずずしお䜿甚する堎合には、スパツタリング甚の
ガスずしお氎玠原子又は及びハロゲン原子導入
甚の原料ガスを、必芁に応じお垌釈ガスで垌釈し
お、スパツタリング甚の堆積宀内に導入し、ガス
プラズマを圢成しおスパツタリングすればよい。
該スパツタリング法に甚いる各原子の導入甚の原
料ガスずしおは、前述のグロヌ攟電法に甚いる原
料ガスがそのたた䜿甚できる。 䟋えば窒玠原子を含有する局又は局領域を圢成
するのにグロヌ攟電法を甚いる堎合には、前蚘し
た光受容局圢成甚の出発物質の䞭から所望に埓぀
お遞択されたものに窒玠原子導入甚の出発物質を
加える。その様な窒玠原子導入甚の出発物質ずし
おは、少なくずも窒玠原子を構成原子ずするガス
状の物質又はガス化し埗る物質であればほずんど
のものが䜿甚できる。 䟋えばシリコン原子Siを構成原子ずする原
料ガスず、窒玠原子(N)を構成原子ずする原料ガス
ず、必芁に応じお氎玠原子(H)又は及びハロゲン
原子(X)を構成原子ずする原料ガスずを所望の混合
比で混合しお䜿甚するか、又は、シリコン原子
Siを構成原子ずする原料ガスず、窒玠原子(N)
及び氎玠原子(H)を構成原子ず原料ガスずを、これ
も又所望の混合比で混合するかしお䜿甚するこず
ができる。 又、別には、シリコン原子Siず氎玠原子(H)
ずを構成原子ずする原料ガスに酞玠原子(O)を構成
原子ずする原料ガスを混合しお䜿甚しおもよい。 窒玠原子を含有する局たたは局領域を圢成する
際に䜿甚する窒玠元玠(N)導入甚の原料ガスずしお
有効に䜿甚される出発物質は、を構成原子ずす
るか或いはずずを構成原子ずする䟋えば窒玠
N2、アンモニアNH3、ヒドラゞン
H2NNH2アゞ化氎玠HN3、アゞ化アンモ
ニりムNH4N3等のガス状の又はガス化し埗
る窒玠、窒玠ホり玠物及びアゞ化物等の窒玠化合
物を挙げるこずができる。この他に、窒玠原子の
導入に加えお、ハロゲン原子の導入も行なえるず
いう点から、䞉北化窒玠F3N、四䞉北化窒玠
F4N等のハロゲン化窒玠化合物を挙げられる。 スパツタリング法によ぀お、窒玠原子を含有す
る局たたは局領域を圢成するには、単結晶又はSi
り゚ヌハ又は倚結晶のSiり゚ヌハ、又はSi3N4ã‚Š
゚ヌハ、又はSiずはSi3N4が混合されお含有され
おいるり゚ヌハをタヌゲツトずしお、これ等を
皮々のガス雰囲気䞭でスパツタリングするこずに
よ぀お行なえばよい。 䟋えば、Siり゚ヌハをタヌゲツトずしお䜿甚す
れば、窒玠原子ず必芁に応じお氎玠原子又は及
びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必芁
に応じお垌釈ガスで垌釈しお、スパツタヌ甚の堆
積宀䞭に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
圢成しお前蚘Siり゚ヌハをスパツタリングすれば
よい。 又、別にはSiずSi3N4ずは別々のタヌゲツトず
しお、又はSiずSi3N4の混合した䞀枚のタヌゲツ
トを䜿甚するこずによ぀お、スパツタヌ甚のガス
ずしおの垌釈ガスの雰囲気䞭で又は少なくずも氎
玠原子(H)又は及びハロゲン原子(X)を構成原子ず
しお含有するガス雰囲気䞭でスパツタリングする
こずによ぀お圢成できる。酞玠原子導入甚の原料
ガスずしおは、先述したグロヌ攟電の䟋で瀺した
原料ガスの䞭の窒玠原子導入甚の原料ガスが、ス
パツタリングの堎合にも有効なガスずしお䜿甚で
きる。 たた、グロヌ攟電法、スパツタリング法、ある
いはむオンプレヌテむング法を甚いお、第族原
子又は第族原子を含有する−Si、で
構成される局の圢成の際に、第族原子又は第
族原子導入甚の出発物質を、−Si、圢
成甚の出発物質ず共に䜿甚しお、圢成する局䞭ぞ
のそれらの量を制埡しながら含有せしめおやるこ
ずによ぀お行なう。 第族原子導入甚の出発物質ずしお具䜓的には
硌玠原子導入甚ずしおは、B2H6、B4H10、
B5H9、B5H11、B6H10、B6H12、B6H14等の氎玠
化硌玠、BF3、BCl3、BBr3等のハロゲン化硌玠
等が挙げられる。この他、AlCl3、GaCl3、Ga
CH32、InCl3、TlCl3等も挙げるこずができる。 第族原子導入甚の出発物質ずしお具䜓的には
燐原子導入甚ずしおはPH3、P2H6等の氎玠化燐
PH4I、PF3、PF5、PCl3、PCl5、PBr3、PBr5、
PI3等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、
AsH3、AsF3、AsCl3、AsBr3、AsF5、SbH3、
SbF3、SbF5、SbCl3、SbCl5、BiH3、BiCl3、
BiBr5等も第族原子導入甚の出発物質の有効な
ものずしお挙げるこずができる。 以䞊蚘述したように、本発明の光受容郚材の光
受容局は、グロヌ攟電法、スパツタリング法等を
甚いお圢成するが、光受容局に含有せしめるゲル
マニりム原子又は及びスズ原子、第族原子又
は第族原子、酞玠原子、炭玠原子又は、窒玠原
子、あるいは氎玠原子又は及びハロゲン原子の
各々の含有量の制埡は、堆積宀内に流入する、
各々の原子䟛絊甚出発物質のガス流量あるいは
各々の原子䟛絊甚出発物質間のガス流量比を制埡
するこずにより行なわれる。 たた、光導電局および衚面保護局等の各構成局
圢成時の支持䜓枩床、堆積宀内のガス、攟電パワ
ヌ等の条件は、所望の特性を有する光受容郚材を
埗るためには重芁な芁因であり、圢成する局の機
胜に考慮をはら぀お適宜遞択されるものである。
さらに、これらの局圢成条件は、光導電局および
衚面保護局等の各構成局に含有せしめる䞊蚘の各
原子の皮類及び量によ぀おも異なるこずもあるこ
ずから、含有せしめる原子の皮類あるいはその量
等にも考慮をはら぀お決定する必芁もある。 具䜓的には、配䜍構造のNon−BN、
からなる衚面保護局を高呚波13.56MHzプラ
ズマCVD法により圢成する堎合、堆積宀内のガ
ス圧は、通垞10-2〜10Torrずするが、より奜た
しくは×102〜2Torr、最適には0.1〜1Torrず
する。たた、支持䜓枩床は、通垞50〜700℃ずす
るが、特にNon−BN、局ずする堎合に
は50〜400℃、poly−BN、局ずする堎合
には200〜700℃ずする。曎に攟電パワヌは通垞
0.01〜5Wcm2、より奜たしくは0.02〜2Wcm2ず
する。曎にたた、䟛絊甚原料ガス、䟛絊甚原
料ガス及びArガスのガス流量比は、が
〜100、より奜たしくは〜80
ずなるようにし、Arが10〜100
、より奜たしくは〜80ずなるように
する。 たた、配䜍構造のNon−BN、から
なる衚面保護局をマむクロ波2.45GHzプラズ
マCVD法により圢成する堎合、堆積宀内のガス
圧は通垞10-4〜2Torr、より奜たしくは×10-4
〜1.0Torr、最適には×10-4〜0.7Torrずし、攟
電パワヌは通垞0.1〜50Wcm2、より奜たしくは
0.2〜30Wcm2ずする。支持䜓枩床及び各原料ガ
スのガス流量比は、いずれも前述の高呚波プラズ
マCVD法による堎合ず同じである。 曎に、配䜍構造のNon−BN、から
なる衚面保護局をスパツタリング法により圢成す
る堎合、堆積宀内のガス圧は通垞10-4〜1Torr、
より奜たしくは×10-4〜0.7Torr、ずし、攟電
パワヌは0.01〜10Wcm2、より奜たしくは0.05〜
8Wcm2ずする。支持䜓枩床は前述の高呚波プラ
ズマCVD法による堎合ず同じである。 たた、窒玠原子、酞玠原子、炭玠原子等を含有
せしめた−Si、からなる局をグロヌ攟
電法により圢成する堎合、支持䜓枩床は、通垞50
〜350℃ずするが、特に奜たしくは50〜250℃ずす
る。堆積宀内のガス圧は通垞0.01〜1Torrずする
が、特に奜たしくは0.1〜0.5Torrずする。攟電パ
ワヌは0.005〜50Wcm2ずするのあ通垞であるが、
より奜たしくは0.01〜30Wcm2ずする。特に奜た
しくは0.01〜20Wcm2ずする。 −SiGe、局をグロヌ攟電法により圢
成する堎合、あるいは第族原子又は第族原子
を含有せしめた−SiGe、からなる局を
圢成する堎合に぀いおは、支持䜓枩床、通垞50〜
350℃ずするが、より奜たしくは50〜300℃ずする
が、特に奜たしくは100〜300℃ずする。そしお堆
積宀内のガス圧は通垞0.01〜5Torrずするが、奜
たしくは0.001〜3Torrずし、特に奜たしくは0.01
〜1Torrずする。たた、攟電パワヌは0.005〜
50Wcm2ずするのが通垞であるが、奜たしくは
0.01〜30Wcm2ずする。特に奜たしくは0.01〜
20Wcm2ずする。 しかし、これらの、局圢成を行なうに぀いおの
支持䜓枩床、攟電パワヌ、堆積宀内のガス圧の具
䜓的条件は、通垞には個々に独立しおは容易には
決め難いものである。したが぀お、所望の特性の
非晶質材料局を圢成すべく、盞互的䞔぀有機的関
連性に基づいお、局圢成の至適条件を決めるのが
望たしい。 次に、グロヌ攟電分解法によ぀お圢成される光
導電郚材の補造方法に぀いお説明する。 第図にグロヌ攟電分解法による電子写真甚光
受容郚材の補造装眮を瀺す。 図䞭の
、のガスボンベには、本発明の倫々の局を圢成
するための原料ガスが密封されおおり、その䟋
ずしお、たずえば、はSiH4ガス玔床
99.999ボンベ、はH2で垌釈された
B2H6ガス玔床99.999、以䞋B2H6H2ず略
すボンベ、はNOガス玔床99.5ボ
ンベ、はArで垌釈されたB2H6ガス玔床
99.999、以䞋B2H6Arず略すボンベ、
はNH3ガス玔床99.999ボンベである。 これらのガスを反応宀に流入させるには
ガスボンベ〜のバルブ、リヌクバル
ブが閉じられおいるこずを確認し、又、流
入バルブ〜、流出バルブ〜
、補助バルブ〜が開かれおいる
こずを確認しお先ずメむンバルブを開いお
反応宀、ガス配管内を排気する。次に真空
蚈の読みが玄×10-6Torrにな぀た時点
で、補助バルブ〜、流出バルブ
〜を閉じる。 基䜓シリンダヌ䞊に第の局領域を圢成
する堎合の䟋をあげるず、ガスボンベよ
りSiH4ガス、ガスボンベ、よりB2H6H2
ガス、ガスボンベ、よりNOガス、バルブ
を開いお出口圧ゲヌゞ
の圧をKgcm2に調節し、
流入バルブを埐々に開け
お、マスフロコントヌラ
内に流入させる。匕続いお流出バルブ
、補助バルブを埐々に開いお
倫々のガスを反応宀に流入させる。このずきの
SiH4ガス流量、B2H6H2ガス流量、NOガス流
量の比が所望の倀になるように流出バルブ
を調敎し、又、反応宀内の圧
力が所望の倀になるように真空蚈の読みを
芋ながらメむンバルブの開口を調敎する。
そしお基䜓シリンダヌの枩床が加熱ヒヌタ
ヌにより50〜350℃の枩床に蚭定されおい
るこずを確認された埌、電源を所望の電力
に蚭定しお反応宀内にグロヌ攟電を生起さ
せ基䜓シリンダヌ䞊に第の局を圢成する。 第の局にハロゲン原子を含有される堎合に
は、䞊蚘のガスに䟋えばハロゲン原子を含むガス
を曎に付加しお反応宀に送り蟌む。 各局を圢成する際ガス皮の遞択によ぀おは、局
圢成速床を曎に高めるこずが出来る。䟋えば
SiH4ガスの代りにSi2H6ガスを甚いお局圢成を行
なえば数倍高めるこずが出来、生産性が向䞊す
る。 䞊蚘の様にしお䜜成された第の局䞊に第の
局を圢成するには、流出バルブ〜を
閉じ、補助バルブ〜を開いおメむン
バルブを党開しお系内を䞀旊高真空に排気
したのち、第の局の圢成の際ず同様なバルブ操
䜜によ぀おB2H6Arガス、NH3ガスを所望の流
量比で反応宀䞭に流し、所望の条件に埓぀
おグロヌ攟電を生起させるこずによ぀お成され
る。 第の局䞭に含有される氎玠原子の量を倉化さ
せる堎合には、䞊蚘のガスに䟋えばH2ガスを付
加しお、H2ガスの反応宀内に導入される
流量を所望に埓぀お任意に倉えるこずによ぀お所
望に応じお制埡するこずができる。 第の局にハロゲン原子を含有される堎合に
は、䞊蚘のガスに䟋えばNF3ガスを曎に付加しお
反応宀内に送り蟌む。 倫々の局を圢成する際に必芁なガス以倖の流出
は党お閉じるこずは蚀うたでもなく、又、倫々の
局を圢成する際、前局の圢成に䜿甚したガスが反
応宀内、流出バルブ〜から反
応宀内に至る配管内に残留するこずを避け
るために、流出バルブ〜を閉じ補助
バルブ〜を開いおメむンバルブ
を党開しお系内を䞀旊高真空に排気する操䜜を
必芁に応じお行なう。 又、局圢成を行な぀おいる間は局圢成の均䞀化
を図るため基䜓シリンダヌは、モヌタ
によ぀お所望される速床で䞀定に回転させる。 〔実斜䟋〕 以䞋、実斜䟋により本発明を曎に詳现に説明す
るが、本発明はこれらによ぀お限定されるもので
はない。 実斜䟋  第図の補造装眮を甚い、第衚の䜜成条件に
埓぀お鏡面加工を斜したアルミシリンダヌ䞊に電
子写真甚光受容郚材を圢成した。 又、別途、第図を同型の装眮を甚い、シリン
ダヌ䞊のサンプルホルダヌにアルミ補基板及び単
結晶Siり゚ハヌを蚭眮し、同䞀仕様の衚面局のみ
を圢成したものを別個に甚意した。 光受容郚材以埌ドラムず衚珟の方は、電子
写真装眮をセツトしお、皮々の条件のもずに、初
期の垯電胜、残留電䜍、ゎヌスト等の電子写真特
性をチ゚ツクし、又、150䞇枚実機耐久埌の垯電
胜䜎䞋、衚面削れ、画像欠陥の増加等を調べた。
曎に、35℃、85の高枩高湿雰囲気䞭でのドラム
の画像流れに぀いおも評䟡した。 たた、ドラムに盎流高圧電圧を加えるこずによ
り絶瞁耐圧を調べた。さらに、先端が球圢の針に
䞀定の荷重をかけお、ドラム衚面にキズを぀ける
こずにより、耐キズ性を調べた。䞊蚘の評䟡結果
を第衚に瀺す。 第衚に芋られる様に、特に初期垯電胜、ゎヌ
スト、画像欠陥、衚面削れ、絶瞁耐圧、耐キズ性
の各項目に぀いお著しい優䜍性が認められた。 アルミ基板䞊ず単結晶Siり゚ハヌ䞊に成膜した
衚面局のみの方以埌サンプルず衚珟を、それ
ぞれEXAFSずIRにより配䜍数を調べたずころ、
配䜍であるこずがわか぀た。 実斜䟋  衚面局の原料ガスにH2ガスを付加しお第衚
に瀺す䜜成条件で、実斜䟋ず同様に、ドラム及
びサンプルを䜜成し、同様の評䟡を行぀た。 その結果を第衚に瀺す。 第衚にみられる様に、実斜䟋ず同様の特性
が埗られた。 又、サンプルの枬定の結果、配䜍であるこず
がわか぀た。 実斜䟋  衚面局の䜜成時に、シリンダヌのバむアス電圧
が−150Vになるようにしお第衚に瀺す䜜成条
件で、実斜䟋ず同様に、ドラム及びサンプルを
䜜成し、同様の評䟡を行぀た。 その結果を第衚に瀺す。 第衚にみられる様に、実斜䟋ず同様の特性
が埗られた。 又、サンプルの枬定の結果、配䜍であるこず
がわか぀た。 実斜䟋  電荷泚入阻止局、光導電局、衚面局をそれぞれ
第衚に瀺す䜜成条件で実斜䟋ず同様にドラム
を䜜成し、同様の評䟡を行぀た。 その結果を第衚に瀺す。 第衚にみられる様に実斜䟋ず同様の特性が
埗られた。 実斜䟋  アルミシリンダヌに陜極酞化凊理を行぀お、シ
リンダヌ衚面に酞化アルミニりム局Al2O3を
䜜成しお、これを、電荷泚入阻止局ずし、この局
の䞊に光導電局ず衚面局をそれぞれ第衚に瀺す
䜜成条件で実斜䟋ず同様にドラムを䜜成し、同
様の評䟡を行぀た。 その結果を第衚に瀺す。 第衚にみられる様に、実斜䟋ず同様の特性
が埗られた。 実斜䟋  IR吞収局、光導電局、衚面局をそれぞれ、第
10衚に瀺す䜜成条件で、実斜䟋ず同様にドラム
を䜜成し、同様の評䟡を行぀た。 さらに785nの波長を有する半導䜓レヌザヌ
を画像露光の光源に甚いる電子写真装眮にドラム
をセツトしお、画像䞊に干枉瞞が珟われるかチ゚
ツクした。 その結果を第11衚に瀺す。 第11衚にみられる様に、実斜䟋ず同様の特性
が埗られ、干枉瞞も珟われなか぀た。 実斜䟋  密着局、光導電局、衚面局をそれぞれ、第12è¡š
に瀺す䜜成条件で、実斜䟋ず同様にドラムを䜜
成し、同様の評䟡を行぀た。 その結果を第13衚に瀺す。 第13衚にみられる様に、実斜䟋ず同様の特性
が埗られた。 実斜䟋  IR吞収局、電荷泚入阻止局、光導電局、衚面
局を、それぞれ、第14衚に瀺す䜜成条件で実斜䟋
ず同様にドラムを䜜成し、実斜䟋ず同様の評
䟡を行぀た。 その結果を第15衚に瀺す。 第15衚にみられる様に、実斜䟋ず同様の特性
が埗られた。 実斜䟋  密着局、電荷泚入阻止局、光導電局、衚面局を
それぞれ、第16衚に瀺す䜜成条件で実斜䟋ず同
様にドラムを䜜成し、同様の評䟡を行぀た。 その結果を第17衚に瀺す。 第17衚にみられる様に、実斜䟋ず同様の特性
が埗られた。 実斜䟋 10 密着局、IR吞収局、電荷泚入阻止局、光導電
局、衚面局を、それぞれ、第18衚に瀺す䜜成条件
で、実斜䟋ず同様にドラムを䜜成し、実斜䟋
ず同様の評䟡を行぀た。 その結果を第19衚に瀺す。 第19衚にみられる様に、実斜䟋ず同様の特性
が埗られた。 実斜䟋 11 光導電局の䜜成条件を第20衚に瀺す数皮の条件
に倉え、それ以倖は実斜䟋ず同様の条件にお、
耇数のドラムを甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 12 光導電局の䜜成条件を第21衚に瀺す数皮の条件
に倉え、それ以倖は実斜䟋ず同様の条件にお、
耇数のドラムを甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 13 光導電局の䜜成条件を第22衚に瀺す数皮の条件
に倉え、それ以倖は実斜䟋ず同様の条件にお、
耇数のドラムを甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 14 電荷泚入阻止局の䜜成条件を第23衚に瀺す数皮
の条件に倉え、それ以倖は実斜䟋ず同様の条件
にお、耇数のドラムを甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 15 電荷泚入阻止局の䜜成条件を第24衚に瀺す数皮
の条件に倉え、光導電局の䜜成条件を第25衚に瀺
す数皮の条件に倉え、それ以倖は実斜䟋ず同様
の条件にお、第26衚に瀺す耇数のドラムを甚意し
た。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 16 電荷泚入阻止局の䜜成条件を第24衚に瀺す数皮
の条件に倉え、光導電局の䜜成条件を第27衚に瀺
す数皮の条件に倉え、衚面局の䜜成条件を第28è¡š
に瀺す条件にお、第29衚に耇数のドラムを甚意し
た。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 17 電荷泚入阻止局の䜜成条件を第24衚に瀺す数皮
の条件に倉え、光導電局の䜜成条件を第27衚に瀺
す数皮の条件に倉え、衚面局の䜜成条件を第30è¡š
に瀺す条件にお、第31衚に瀺す耇数のドラムを甚
意した。 これらのドラムを実斜䟋の同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 18 光導電局の䜜成条件を第25衚ひ瀺す数皮の条件
に倉え、それ以倖は実斜䟋ず同様の条件にお、
第32衚に瀺す耇数のドラムを甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 19 衚面局の䜜成条件を第28衚に瀺す条件に倉え、
光導電局の䜜成条件を第27衚に瀺す数皮の条件に
倉え、それ以倖は実斜䟋ず同様の条件にお、第
33衚に瀺す耇数のドラムを甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 20 衚面局の䜜成条件を第30衚に瀺す条件を倉え、
光導電局の䜜成条件を第27衚に瀺す数皮の条件に
倉え、それ以倖は実斜䟋ず同様の条件にお、第
34衚に瀺す耇数のドラムを甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 21 IR吞収局の䜜成条件を第35、36衚に瀺す数皮
の条件に倉え、それ以倖は実斜䟋ず同様の条件
にお、第37衚に瀺す耇数のドラムを甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 22 IR吞収局の䜜成条件を第35、36衚に瀺す数皮
の条件に倉え、光導電局の䜜成条件を第25衚に瀺
す数皮の条件に倉え、それ以倖は実斜䟋ず同様
の条件にお、第39衚に瀺す耇数のドラムを甚意し
た。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 23 IR吞収局の䜜成条件を第35、36衚に瀺す数皮
の条件に倉え、光導電局の䜜成条件を第27衚に瀺
す数皮の条件に倉え、衚面局の䜜成条件を第28è¡š
に瀺す条件にお、第40衚に瀺す耇数のドラムを甚
意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 24 IR吞収局の䜜成条件を第35、36衚に瀺す数皮
の条件に倉え、光導電局の䜜成条件を第27衚に瀺
す数皮の条件を倉え、衚面局の䜜成条件を第30è¡š
に瀺す条件にお、第41衚に瀺す耇数のドラムを甚
意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 25 密着局の䜜成条件を第42衚に瀺す数皮の条件に
倉え、それ以倖は実斜䟋ず同様の条件にお、第
43衚に瀺す耇数のドラムを甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 26 密着局の䜜成条件を第44衚に瀺す数皮の条件に
倉え、光導電局の䜜成条件を第25衚に瀺す数皮の
条件に倉え、それ以倖は実斜䟋ず同様の条件に
お、第45衚に瀺す耇数のドラムを甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 27 密着局の䜜成条件を第44衚に瀺す数皮の条件に
倉え、光導電局の䜜成条件を第27衚に瀺す数皮の
条件に倉え、衚面局の䜜成条件を第28衚に瀺す条
件にお、第46衚に瀺す耇数のドラムを甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 28 密着局の䜜成条件を第44衚に瀺す数皮の条件に
倉え、光導電局の䜜成条件を第27衚に瀺す数皮の
条件に倉え、衚面局の䜜成条件を第30衚に瀺す条
件にお、第47衚に瀺す耇数のドラムを甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 29 IR吞収局の䜜成条件を第35、36衚に瀺す数皮
の条件に倉え、それ以倖は実斜䟋ず同様の条件
にお、第48衚に瀺す耇数のドラムを甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 30 電荷泚入阻止局の䜜成条件を第49衚に瀺す数皮
の条件に倉え、IR吞収局の䜜成条件を第35、38
衚に瀺す数皮の条件に倉え、それ以倖は実斜䟋
ず同様の条件にお、第50衚に瀺す耇数のドラムを
甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 31 電荷泚入阻止局の䜜成条件を第51衚に瀺す数皮
の条件に倉え、IR吞収局の䜜成条件を第35、38
衚に瀺す数皮の条件に倉え、衚面局の䜜成条件を
第28衚に瀺す条件にお、第52衚に瀺す耇数のドラ
ムを甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 32 電荷泚入阻止局の䜜成条件を第51衚に瀺す数皮
の条件に倉え、IR吞収局の䜜成条件を第35、38
衚に瀺す数皮の条件に倉え、衚面局の䜜成条件を
第30衚に瀺す条件にお、第53衚に瀺す耇数のドラ
ムを甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 33 密着局の䜜成条件を第44、54衚に瀺す数皮の条
件に倉え、それ以倖は実斜䟋ず同様の条件に
お、第55衚に瀺す耇数のドラムを甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 34 電荷泚入阻止局の䜜成条件を第56衚に瀺す数皮
の条件に倉え、密着局の䜜成条件を第44、57衚に
瀺す数皮の条件に倉え、それ以倖は実斜䟋ず同
様の条件にお、第58衚に瀺す耇数のドラムを甚意
した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 35 電荷泚入阻止局の䜜成条件を第24衚に瀺す数皮
の条件に倉え、密着局の䜜成条件を第44、57衚に
瀺す数皮の条件に倉え、衚面局の䜜成条件を第28
衚に瀺す条件にお、第59衚に瀺す耇数のドラムを
甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 36 電荷泚入阻止局の䜜成条件を第24衚に瀺す数皮
の条件に倉え、密着局の䜜成条件を第44、57衚に
瀺す数皮の条件に倉え、衚面局の䜜成条件を第30
衚に瀺す条件にお、第60衚に瀺す耇数のドラムを
甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 37 電荷泚入阻止局の䜜成条件を第61衚に瀺す数皮
の条件に倉え、それ以倖は実斜䟋10ず同様の条件
にお、第62衚に瀺す耇数のドラムを甚意した。 これらのドラムを実斜䟋10ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋10ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 38 電荷泚入阻止局の䜜成条件を第64衚に瀺す数皮
の条件に倉え、光導電局の䜜成条件を第63衚に瀺
す数皮の条件に倉え、それ以倖は実斜䟋10ず同様
の条件にお、第65衚に瀺す耇数のドラムを甚意し
た。 これらのドラムを実斜䟋10ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋10ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 39 電荷泚入阻止局の䜜成条件を第64衚に瀺す数皮
の条件に倉え、光導電局の䜜成条件を第66衚に瀺
す数皮の条件に倉え、衚面局の䜜成条件を第28è¡š
に瀺す条件にお、第67衚に瀺す耇数のドラムを甚
意した。 これらのドラムを実斜䟋10ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋10ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 40 電荷泚入阻止局の䜜成条件を第64衚に瀺す数皮
の条件に倉え、光導電局の䜜成条件を第66衚に瀺
す数皮の条件に倉え、衚面局の䜜成条件を第30è¡š
に瀺す条件にお、第68衚に瀺す耇数のドラムを甚
意した。 これらのドラムを実斜䟋10ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋10ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 41 電荷泚入阻止局の䜜成条件を第51衚に瀺す数皮
の条件に倉え、IR吞収局の䜜成条件を第35、38
衚に瀺す数皮の条件に倉え、光導電局の䜜成条件
を第69衚に瀺す条件にしお、衚面局の䜜成条件を
第70衚に瀺す条件にお、第71衚に瀺す耇数のドラ
ムを甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 42 電荷泚入阻止局の䜜成条件を第51衚に瀺す数皮
の条件に倉え、IR吞収局の䜜成条件を第35、38
衚に瀺す数皮の条件に倉え、光導電局の䜜成条件
を第72衚に瀺す条件にしお、衚面局の䜜成条件を
第70衚に瀺す条件にお、第73衚に瀺す耇数のドラ
ムを甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 43 電荷泚入阻止局の䜜成条件を第51衚に瀺す数皮
の条件に倉え、IR吞収局の䜜成条件を第35、38
衚に瀺す数皮の条件に倉え、光導電局の䜜成条件
を第69衚に瀺す条件にしお、衚面局の䜜成条件を
第28衚に瀺す条件にお、第74衚に瀺す耇数のドラ
ムを甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 44 電荷泚入阻止局の䜜成条件を第51衚に瀺す数皮
の条件に倉え、IR吞収局の䜜成条件を第35、38
衚に瀺す数皮の条件を倉え、光導電局の䜜成条件
を第72衚に瀺す条件にしお、衚面局の䜜成条件を
第28衚に瀺す条件にお、第75衚に瀺す耇数のドラ
ムを甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 45 電荷泚入阻止局の䜜成条件を第51衚に瀺す数皮
の条件に倉え、IR吞収局の䜜成条件を第35、38
衚に瀺す数皮の条件に倉え、光導電局の䜜成条件
を第69衚に瀺す条件にしお、衚面局の䜜成条件を
第30衚に瀺す条件にお、第76衚に瀺す耇数のドラ
ムを甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 46 電荷泚入阻止局の䜜成条件を第51衚に瀺す数皮
の条件に倉え、IR吞収局の䜜成条件を第35、38
衚に瀺す数皮の条件に倉え、光導電局の䜜成条件
を第72衚に瀺す条件にしお、衚面局の䜜成条件を
第30衚に瀺す条件にお、第77衚に瀺す耇数のドラ
ムを甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 47 電荷泚入阻止局、光導電局の䜜成条件を第78è¡š
に瀺す条件にしお、衚面局の䜜成条件を第79衚に
瀺す耇数のドラムを甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 48 IR吞収局、電荷泚入阻止局、光導電局の䜜成
条件を第80衚に瀺す条件にしお、衚面局の䜜成条
件を第81衚に瀺す耇数のドラムを甚意した。 これらのドラムを実斜䟋ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 49 密着局、IR吞収局、電荷泚入阻止局、光導電
局の䜜成条件を第82衚に瀺す条件にしお、衚面局
の䜜成条件を第83衚に瀺す耇数のドラムを甚意し
た。 これらのドラムを実斜䟋10ず同様の評䟡にかけ
た結果、いずれも実斜䟋10ず同様に、電子写真特
性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 50 電荷泚入阻止局、光導電局、䞭間局、衚面局を
それぞれ第84衚に瀺す䜜成条件で、実斜䟋ず同
様にドラムを䜜成し、同様の評䟡をかけた結果、
実斜䟋ず同様に、きわめおすぐれた電子写真特
性のドラムが埗られた。 実斜䟋 51 鏡面加工を斜したシリンダヌを曎に様々な角床
を持぀剣バむトによる旋盀加工に䟛し、第図の
ような刀断圢状で第85衚のような皮々の断面パタ
ヌンを持぀シリンダヌを耇数本甚意した、該シリ
ンダヌを順次第図の補造装眮にセツトし、実斜
䟋ず同様の䜜成条件の基にドラム䜜成に䟛し
た。䜜成されたドラムを実斜䟋ず同様の評䟡を
行぀た結果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写
真特性を十分に満足するドラムが埗られた。 実斜䟋 52 鏡面加工を斜したシリンダヌの衚面を、匕続き
倚数のベアリング甚球の萜䞋の基にさらしおシリ
ンダヌ衚面に無数の打痕を生じせしめる、所謂衚
面デむンブル化凊理を斜し、第図のような刀断
圢状で、第86衚のような皮々の断面パタヌンを持
぀シリンダヌを耇数本甚意した。該シリンダヌを
順次第図の補造装眮にセツトし、実斜䟋ず同
様の䜜成条件の基にドラム䜜成に䟛した。䜜成さ
れたドラムを実斜䟋ず同様の評䟡を行぀た結
果、いずれも実斜䟋ず同様に、電子写真特性を
十分に満足するドラムが埗られた。
【衚】
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【衚】
【衚】
【衚】
〔発明の効果の抂略〕
本発明の光受容郚材は、配䜍構造の窒化ホり
玠を含有する非単結晶質材料で構成された衚面保
護局を蚭けたこずにより、特に優れた耐湿性、連
続繰り返し䜿甚特性、電気的耐圧性、䜿甚環境特
性及び耐久性等を有するものであり、本発明の光
受容郚材を電子写真甚像圢郚材ずしお適甚させた
堎合には、残留電䜍の圱響が党くなく、その電気
的特性が安定しおおり、それを甚いお埗られた画
像は、ゎヌストの発生、画像欠陥等のないすぐれ
たものずなる。
【図面の簡単な説明】
第〜図は本発明の光受容郚材の局構造の
兞型䟋のいく぀かを暡匏的に瀺した図であり、第
図は本発明の光受容郚材を補造するための装眮
の䞀䟋で、グロヌ攟電法による補造装眮の暡匏的
説明図である。第図及び第図は、本発明の光
受容郚材の支持䜓の断面圢状の䟋を瀺す図であ
る。   光受容郚材、  支持䜓、
  光導電局、  衚面保護局、
  電荷泚入阻止局、  長波長光吞収
局、  密着局、  自由衚面、
  䞭間局、  反応宀、〜
  ガスボンベ、〜  マスフ
ロコントロヌラ、〜  流入バル
ブ、〜  流出バルブ、〜
  バルブ、〜  圧力調敎
噚、  補助バルブ、  
メむンバルブ、  リヌクバルブ、
  真空蚈、  基䜓シリンダヌ、
  加熱ヒヌタヌ、  モヌタヌ、
  高呚波電源。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  支持䜓ず、該支持䜓䞊に、シリコン原子を母
    䜓ずし、氎玠原子又はハロゲン原子のうちの少な
    くずもいずれか䞀方を含有するアモルフアス材料
    で構成された光導電局ず、衚面保護局ずを少なく
    ずも有する光受容局ずからなる光受容郚材におい
    お、前蚘衚面保護局が、配䜍構造の窒化ホり玠
    の倚結晶材料を包含する非単結晶材料で構成され
    おいるこずを特城ずする光受容郚材。  前蚘光受容局が、局以䞊の倚局構成である
    特蚱請求の範囲第項に蚘茉の光受容郚材。  前蚘光受容局が、電荷泚入阻止局を有する特
    蚱請求の範囲第項に蚘茉の光受容郚材。  前蚘光受容局が、長波長光吞収局を有する特
    蚱請求の範囲第項に蚘茉の光受容郚材。  前蚘光受容局が、接着性を改善する機胜を備
    えた接着局を有する特蚱請求の範囲第項に蚘茉
    の光受容郚材。  前蚘光導電局ず前蚘衚面保護局ずの間に䞭間
    局を有する特蚱請求の範囲第項に蚘茉の光受容
    郚材。
JP9959886A 1986-04-30 1986-04-30 光受容郚材 Granted JPS62258470A (ja)

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