JPS62265668A

JPS62265668A - 光受容部材

Info

Publication number: JPS62265668A
Application number: JP10852786A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Takei; 武井　哲也; Keishi Saito; 恵志斉藤; Tatsuyuki Aoike; 達行青池; Yasushi Fujioka; 靖藤岡
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1986-05-14
Filing date: 1986-05-14
Publication date: 1987-11-18
Anticipated expiration: 2010-05-17
Also published as: JPH0746232B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の属する技術分野〕本発明は、シリコン原子を母体とするアモルファスシリ
コンで構成された光導′ｒＦＬＦ！ｌを有する光受容部
材、特に優れた特性を有する表面保護層を前記先導ｍｌ
上に設けた電子写真用感光体に適した光受容部材に関す
る。

（従来技術の説明）従来、電子写真用感光体等に用いられる光受容部材とし
ては、その光感度領域の整合性が他の種類の光受容部材
と比べて優れているのに加えて、ビッカース硬度が高く
、公害の問題が少ない等の点から、例えば特開昭５４−
８６３４１号公報や特開昭５６−８３７４ｆｉ号公報に
みられるようなシリコン原子を母体とし水素原子又はハ
ロゲン原子のうちの少なくともいずれか一方を含有する
アモルファス材料（以後、　ｒａ−５ｉ（）Ｉ、Ｘ）Ｊ
と表記する）光受容部材が注目されている。

ところでこうした光受容部材は、支持体上に、ａ−５Ｉ
　（Ｉｔ　、　Ｘ）で構成される光導電層を有するもの
であるところ、該光導電層が帯Ｔｊ、処理を受けた際に
自由表面側から先導′ｒＦｉｓ中に電荷が注入されるの
を阻止するとともに、該光導電層の耐湿性、連続繰り返
し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性、および耐久
性等を向上せしめ、長期間安定した画像品質を得るため
に、該先導Ｉｔｉ店上に表面保護層を設けることが知ら
れている。

そして、前記表面保護層については、前述の各種機能を
効率的に発揮することが要求されるところ、種々の高抵
抗でかつ充分な光透過性を有する非単結晶質材料、即ち
、アモルファス材料又は／及び多結晶質材料が提案され
ており、それらの提案の１つとして窒化ホウ素を含有す
るアモルファス材料（以後’ａ−ＢＮ」と表記する。）
で構成された薄膜を用いることが知られている。（特開
昭５９−１２４４１１号公報、特開昭８０−６１７６０
号公報参照）しかし、前記ａ−ＢＮで構成された薄膜を
表面保護層として用いる場合、時として、該ａ−ＢＮｉ
ｌｌｉは、帯電処理におけるコロナ放電や、他の部材、
例えばクリーニングブレード等との接触をはじめとする
種々のｍ械的損傷による劣化が発生し、表面保護層に要
求される前述の種々の機能を長期間にわたって発押する
ことが不可能となるという問題がある。また、該ａ−Ｂ
Ｎ薄膜を用いた光受容部材は、ｆ？Ｉｔ能が不充分であ
って、こうした光受容部材を用いて一像形成を行なう場
合には画像上にゴーストが生じる等の画像品質の劣化と
なって現われる場合もあるという問題もある。

〔発明の目的〕

本発明は、電子写真用感光体等に用いられる光受容部材
における表面保護層に関わる上述の問題を解決して、長
期間にわたって所望の機能を奏するものとした改善され
た表面保護層を有する光受容部材を提供することを主た
る目的とするものである。

本発明の他の目的は、常時安定した帯電能を有し、長期
間にわたって優れた品質の画像が得られる電子写真用感
光体等に用いられる光受容部材を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、電子写真用感光体等に用いられる光受容
部材における表面保護層に関わる前述の諸問題を解決し
、上述の本発明の目的を達成すべく鋭意研究を重ねたと
ころ、表面保護層として用いるＢＮｆｉ！　Ｍの構造が
重要な要因となるという知見を得た。

即ち、窒化ホウ索車結晶においては、構成元素の配位数
が３である六方晶系と、構成元素の配位数が４である立
方晶系との二種類の構造が知られている。

本発明者らは、窒化ホウ素で構成された薄膜を電子写真
用感光体に用いられる光受容部材の表面保護層として用
いる場合、前記窒化ホウ素の構造がいかに影響するかに
ついて検討を続けたところ、どんな構造の窒化ホウ素で
も表面保護層として用いられるわけではなく、特定の配
位数を有する構造の窒化ホウ素が適しているという知見
を得た。

即ち、配位数が３である六方晶系のものは、グラファイ
トと同一の構造であって、非常に柔らかく、モース硬度
は２であるため、表面保護層として用ｔ＼た場合には、
コロナ放電により生じたイオン、オゾン、電子等の活性
な物質の衝撃に弱く、又、クリーニングブレード等の接
触をはじめとする種々の機械的損傷による劣化を生じる
ことが判明した。更に、六方晶系の構造を有するものは
抵抗値が比較的小さいために、これを表面保護層に用い
た光受容部材は、帯電能が小さく、形成された画像品質
の悪化をきたすところとなることも判明した。

一方、構成元素の配位数が４である立方晶系の構造を有
するものは、硬度が犬であって、コロナ放電や機械的衝
撃に対して充分な耐性を有しており、更に、抵抗値が犬
であるため、表面保護層を１、構成する材料として用い
た場合には、充分な帯電能を有し、良好な画像を形成し
つる光受容部材が得られることが判明した。

また、本発明者らは、前述の４配位構造と３配位構造と
を混在して含有する非単結晶質ＢＮ薄膜を表面保護層と
して用いた場合について更に検討を続けたところ、該Ｎ
ｏｎ−８Ｎ薄膜に価電子制御剤を含有せしめることによ
り、表面保護層中への画像露光後の電荷の蓄積を防止し
、画像流れ、残留電位のない光受容部材が得られること
が判明した。

即ち、電子写真用光受容部材として用いた場合、画像露
光後に、光受容部材の表面層に電荷が蓄積すると、蓄積
した電荷が表面層と先導Ｔｙ、層の界面近傍で水平方向
に８勤し、形成された画像には画像流れとなって現われ
るが、本発明の光受容部材においては、表面保護層中に
価電子制御剤を含有せしめることにより、画像露光後に
表面保護層中に移動してきた電荷を、表面保護層の自由
表面まで移動させることができるため、画像流れや残留
電位の発生を防止することができるものである。

本発明は、これらの知見に基づいて完成せしめたもので
あって、その骨子とするところは、支持体と、該支持体
上に、シリコン原子を母体とし、水素原子又は、ハロゲ
ン原子のうちの少なくともいずれか一方を含有するアモ
ルファス材料で構成された光導電層と、表面層５層とを
少なくとも有する光受容層とからなる光受容部材におい
て、前記表面保護層が、４配位構造の窒化ホウ素と３配
位構造の窒化ホウ素とを混在して含有する非単結晶質材
料で構成されており、かつ、価電子制御剤を含有してい
る光受容部材にある。

本発明により提供される光受容部材は、その表面保護層
に特徴を有するものであるところ、支持体はもとより、
光導電層を始めとする他の構成層は用途目的に応じて任
意に１択することができる。

したがって以下に本発明の光受容部材についてその層構
成の典型例を、電子写真用のものにする場合について説
明するが本発明の光受容部材はこれにより限定されるも
のではない。

第１（＾）乃至（１）図は、電子写真用のものにした本
発明の光受容部材の層構成の典型的な例を模式的に示す
図である。

第１（＾）図に示す例は、支持体１０１上に、光導Ｔｉ
［１０２及び表面保護１１０３をこの順に設けたもので
あり、表面保護ｉ１０：ｌは自由表面１０７を有してい
る。

第１　（Ｂ１図に示す例は、支持体上１０１に、電荷注
入阻止層１０４、光導電層１０２及び表面保護層１０３
をこの順に設けたものである。

第１（Ｃ）図に示す例は、支持体上ｌｏｔに、長波長光
吸収ｆｉ１０５、光導電層１０２及び表面保護層１０３
をこの順に設けたものである。

第１（Ｄ）図に示す例は、支持体上１０１に、密着層１
０６、光導電層１０２及び表面保護層１１１３をこの順
に設けたものである。

第１（Ｅ）図に示す例は、電荷注入阻止５ｔｏ４、密着
層１０６、光！４２電層１０２及び表面保護層中順に設
けたものであり、　ＴＳｔ　（Ｆｌ　に示す例は、長波
長光吸収層１０５、密着層１０６、先導電層１０２及び
表面保護層１０３をこの順に設けたものである。

ＴＳｌｆＧ１図に示す例は、支持体上１０１に、長波長
光吸収層１０５、電荷注入阻止層１０４、光導電層１０
２及び表面保護層１０３をこの順に設けたものであり、
語例においては長波長光吸収層１０５、及び電荷注入阻
止層１０４の順序を入れかえることもできる。

第１（１図に示す例は、支持体上１０１に、長波長光吸
収層！０５、電荷注入阻止層１０４、光導電層１０２及
び表面保護１１１０３をこの順に設けたものである。

第１（１）図に示す例は、支持体上＋０１　に、電荷注
入阻止層１０４、光導電層１０２、中間層１０８及び表
面保護層！０３をこの順に設けたものである。

本発明の光受容部材に用いる支持体１０１は、導電性の
ものであっても、また電気絶縁性のものであってもよい
、専一性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレ
ス、＾Ｑ、　Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ
、ｐｔ、ｐｂ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ボリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等の
電気絶縁支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層を設
けるのが望ましい。

例えばガラスであれば、その表面に、　ＮｉＣｒ、ＡＱ
％　Ｃｒ、Ｍｏ、＾ｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、
Ｐｔ％Ｐｄ％ＩｎＯｓ、１丁０（Ｉｎ、ｏｓ＋ｓｎ）等
から成る薄膜を設けることによって導電性を付与し、或
いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれ
ば、ＮｉＣｒ、ＡＱ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ、＾ｕ、
　Ｃｒ、　Ｍｏ、■「、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、ＴＱ、Ｐｔ等
の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリ
ング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラ
ミネート処理して、その表面に導電性を付与する。支持
体の形状は平滑表面或いは凹凸表面の板状無端ベルト状
又は円筒状等であることができ、その厚さは、所望通り
の光受容部材を形成しうる用に適宜決定するが、光受容
部材としての可撓性が要求される場合には、支持体とし
ての機能が充分発揮される範囲内で可能な限り薄くする
ことができる。しかしながら、支持体の製造上及び取り
扱い上、ｍ械的強度等の点から、通常は、１０μ以上と
される。

第１（Ｂ）図に示す本発明の光受容部材において、支持
体１０１と光導電ｒ！１１０２の間に設けられる電荷注
入阻止層１０４は、光導電層１０２が帯電処理を受けた
際に支持体側から先導ｉｉ層ＩＱ２中に電子が注入され
ることを阻止するために設けられる層であり、該電荷注
入阻止層１０４は、水素、又は多結晶シリコン（以後、
’ｐｏｉｙ−ｓｔ　（＋１．ｘ）、と呼称する。）、あ
るいは両者を含むいわゆる非単結晶シリコン（以後、’
Ｎｏｎ−５ｉ（Ｉｌ、Ｘ）」　と呼称する。）（なお、
微結晶質シリコンと通称されるものはａ−５ｉに分類さ
れる。］に、周期律表第■族に属する原子（以後、車に
「第１ＩＩ族原子」と称す、）または周期律表第Ｖ族に
居する原子（以後、車に「第Ｖ族原子」と称す、）を含
有せしめたもので構成されている。

該電荷注入阻止層１０４に含有せしめる第１ＩＩ族原子
としては、具体的には、Ｂ（ＩＩｍ素）、Ａｌｌ　＋ア
ルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）
、ＴＱ（タリウム）等を用いることがで台るが、特に好
ましいものは、Ｂ、　Ｇａである。また第Ｖ族原子とし
ては。

具体的には、Ｐ（燐）、＾Ｓ（砒素）、ｓｂ（アンチモ
ン）、Ｂｉ　　（ビスマス）等を用いることができるが
、特に好ましいものはＰ、　Ａｓである。そして電荷注
入阻止層１０４に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原
子の量は３〜５　Ｘ　ＩＯ’ａｔｏｓｉｃ　ｐｐｍ、好
ましくは５０〜１　ｘ　ｌｏ’ａｔｏＩｏｉｃ　ｐｐｍ
、　　１　ｘ　１０’　〜５　ｘ　１０３ａｔｏａｉｃ
ｐｐａ＋とすることが望ましい。

又、電荷注入阻止１１０４中に含有せしめるハロゲン原
子又は水素原子の量は、ｌＸｌ０’〜７×１０’　ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍとし、特にｐｏｌｙ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ
）で構成される場合には好ましくはｌＸｌＧ３〜２　Ｘ
　１Ｇ’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとし、　ａ−５ｉ（Ｈ，
Ｘ）で構成される場合には１　ｘ　１０’　〜６　ｘ　
１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとすることが望ましい、　
更に、本発明の光受容部材の電荷注入阻止Ｎ１０４の層
厚は０．０３〜１５μ、好ましくは０．０４〜ｌＯμ、
最適には０．０５〜８μとするのが望ましい。

第ｔ　（Ｃ）図に示す本発明の光受容部材において、支
持体１０１と光導電層１０２との間に設けられる長波長
光吸収ｆｆ１１０５は、ゲルマニウム原子（ｌｉｅ）又
はスズ原子（Ｓｎｌのうちの少なくとも一方を含有する
Ｎｏｎ−５Ｉ　（Ｉｔ　、　Ｘ）で構成される舟であり
、露光光源としてレーザー光等の長波長光を用いた際に
、光導電層１０２において吸収しきれなかった長波長光
を該長波長光吸収ＦＪ１０５が効率的に吸収することに
より、支持体１０１表面での長波長光の反射による干渉
現象の現出を顕著に防止する機能を有するものである。

そして該長波長光吸収心１θ５中に含有せしめるＧｅ原
子の量又はＳｎ原子の量あるいはそれらの和は、１〜Ｉ
Ｏ’ａｔｏａ＋ｉｃ　ｐｐｍ、好ましくはｌｘ　１０”
　〜９　Ｘ　Ｉｌｌ’　ａｔｏＩｌｉｃ　ｐｐｍ、より
好ましくは５ｘ　１Ｇ”　〜８　ｘ　１０’　ａｍａｍ
ｉｃ　ｐｐｍとすることが望ましい、また長波長光吸収
ＦＪ　１０５中に含有せしめる水素原子又はハロゲン原
子の量は、好ましくは１×１０’　〜３　ｘ　１０’ａ
ｔｏｍｌｃ　ｐｐｍとすることが望マシく、特にｐｏｌ
ｙ−５ｔ　（Ｇｅ、Ｓｎ）　（ＬＸ）の場合好マシくハ
１　ｘ　１０３〜２　ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ＋
ａ　とし、ａ−５ｉ（Ｇｅ。

Ｓｎ）　（Ｈ，Ｘ）の場合好ましくはＩ　ＸＩＯ’　〜
６Ｘ１Ｇ’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとすることが望ましい
。

更に本発明の光受容部材における長波長光吸収層１０５
の層厚は、０．０５〜２５μ、好ましくは０．０７〜２
０μ、最適には、０．１−１ｓμとするのが望ましい。

第１　（Ｄ）図に示す本発明の光受容部材において、支
持体１０１　と光導電層１０２どの間に設けられる密着
Ｎ１０６は、支持体１０１と光導′Ｍ、層１０２との密
着性を改善せしめる機能を奏する層であって、酸素原子
、炭素原子および窒素原子の中から選ばれる少なくとも
一種を含有するＮｏｎ−５ｉ　（ＩＩ　、　Ｘ）　（以
後、’Ｎｏｎ−５ｉ　（Ｑ、Ｃ，Ｎ）　（Ｈ９Ｘ）　Ｊ
と表記する。）で構成されている。そして該密着Ｆ１１
０６中に含有せしめる酸素原子炭素原子、窒素原子の量
、又はそれらの中の少なくとも２つ以上の和は、１００
〜９　ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ好ましくは　１
０（１〜４　ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐａ＋とす
ることが望ましい、また、該密着層１０６中に含有せし
める水素原子又はハロゲン原子の量あるいはそれらの和
は好ましくは１０〜）ｘ　ｌｏ’ａＬｏＩｌｌｉｃｐｐ
ｍとし、特にｐｏｌｙ−５ｉ　（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，
Ｘ）の場合にはｆＧ〜２　ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ、ａ−５ｉ（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）の場合には
１　ｘ　１０’　〜７　ｘ　ｌｏ’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍとすることが望ましい。

ところで、本発明の光受容部材における電荷注入阻止／
ｌ　１０４、長波長光吸収ＰＪｔＯＳ及び密着層１０６
は、これらを組み合わせて用いることが可能であり、そ
の典型的な例を示したものが第１　（Ｅ）図乃至（１１
）図である。

更に、本発明の光受容部材においては、電荷注入阻止層
１０４又は長波長光吸収ＦＩＩＯ５中に酸素原子、炭素
原子及び窒素原子の中から運ばれる少なくとも一種を含
有せしめることにより、これらの居に密着層としての機
能を兼ねそなえさせることも可能であり、また、長波長
光吸収Ｎ１０５中に第１ＩＩ族原子又は第ｖ族原子を含
有せしめるか、あるいは電荷注入阻止層１０４中にゲル
マニウム原子又はスズ原子を含有せしめることにより、
これら両層の機能を兼ねそなえた層とすることができる
。

ところで、本発明の光受容部材における電荷注入阻止層
１０４、長波長光吸収層１０５及び密着層１０６は、Ｎ
ｏｎ−５ｔ（Ｈ，Ｘ）を母体とする材料で構成されてい
るが、ｐｏｌｙ−５ｔ　（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形
成するについては種々の方法があり、例えば次のような
方法があげられる。

その１つの方法は、基体温度を高温、具体的には４００
〜４５０℃に設定し、該基体上にプラズマＣＶＤ法によ
り膜を堆積せしめる方法である。

他の方法は、基体表面に先ずアモルファス状の膜を形成
、即ち、基体温度を約２５０℃にした基体上にプラズマ
ＣＶＤ法により膜を形成し、該アモルファス状の膜をア
ニーリング処理することによりｐｏｌｙ化する方法であ
る。該アニーリング処理は、基体を４００〜４５０℃に
約２０分間加熱するか、あるいは、レーザー光を約２０
分間照射することにより行なわれる。

本発明の光受容部材の光導電層１０２は、ａ−５ｉ　（
Ｈ。

Ｘ）またはａ−５ｔ（Ｇｅ、Ｓｎ）　（Ｈ，Ｘ）で構成
され、光導仏性を有する層であって、該層にはさらに、
第１１１族原子又は第Ｖ族原子又は／及び酸素原子、炭
素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を
含有せしめることがで診る。

光導電［１０２中に含有せしめるハロゲン原子（Ｘ）と
しては、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げ
られ、特にフッ素、塩素を好適なものとして挙げること
ができる。そして光導′ＩＦ１ｑ１０２中に含有せしめ
る水素原子（１盲）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量、
あるいは水素原子とハロゲン原子の量の和（トｘ）は、
好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉｃ魁より好ましくは５〜
：ｌＯａｔｏｍｉｃ　ｋとするのが望ましい、　また、
光導電層１０２中に第１！！族原子原子又は第Ｖ族原子
を含有せしめる目的は、光導電層１０２の伝専性を制御
することにある。このような第■族原子及び第Ｖ族原子
としては、前述の電荷注入阻止層１０４中に含有せしめ
るものと同様のものを用いることかでざるが、光専ＴＬ
ＦＦＪ　ｌ　０２に含有せしめる場合には、電荷注入阻
止層１０４に含有せしめたものとは逆の極性のものを含
有せしめるか、あるいは電荷注入阻止ｊｌ　１０４に含
有せしめたものと同極性のものを該層１０４に含有され
る量より一段と少ない量にして含有せしめることができ
る。

光導電層１０２中に含有せしめる第１ＩＩ族原子又は第
Ｖ族原子の量は、好ましくはｔ　ｘ　ｔｏ−３〜１×１
０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好ましくは５　Ｘ　
１０−２〜５　ｘｌｏ”　ａｔｏａ＋ｉｃ　ｐｐｍ、最
適には１　ｘ　１０−’　〜２　ｘ　１０２ａｔｏａ＋
ｉｃ　ｐｐｍとすることが望ましい。

また光導電ｊ３１０２中に、酸素原子、炭素原子及び窒
素原子の中から選ばれる少なくとも一稲を含有せしめる
目的は、光導電５ｔｏ２の高暗抵抗化をはかるとともに
、光導電１５ＬＱ２の膜品質を向上せしめることにある
。そして、光導電Ｆ１１０２に含有せしめるこうした原
子の量は、好ましくは１×１０−’〜５０ａｔｏａ＋ｉ
ｃ％、より好ましくは２ＸＩＱ−３〜４０ａｔｏｍｉｃ
ｌ、最適には３　Ｘ　１Ｇ−３〜３０ａｔｏｍｉｃ％と
するのが望ましい。

更に、光導電層１０２中に、ゲルマニウム原子（Ｇｅｌ
又はスズ原子（Ｓｎ）のうちの少なくとも一方を含有せ
しめることができるが、こうした原子を含有せしめる目
的は、レーザー光などの長波長光に対する感度を向上せ
しめることにあり、この場合、光導電Ｆｌ１０２中に含
有せしめるこれらの原子の量は、好ましくは１〜９．５
　ｘ　１Ｇ’ａｔｏＩＩｌｉｃ　ｐｐｍとするのが望ま
しい。

また、本発明の光受容部材において、光導電層の層厚は
、本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因の１
つであって、光受容部材に所望の特性が与えられるよう
に、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要が
あり、通常は１〜１００μとするが、好ましくは３〜８
０μ、最適には５〜５０μとする。

本発明の光受容部材において特徴とするところの表面保
護ＪｔＵｔｏ３は、前述の光導電［１０２上に位買して
設けられ、自由表面１０７を有するものである。そして
該表面保護層１０３は、光受容部材に要求される諸特性
、即ち、耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性
、使用環境特性、および耐久性等を向上せしめると共に
、光受容層が帯電処理を受けた際に、自由表面１０７側
から光導電層１０２中に電荷を注入されるのを阻止する
機能を奏し、更に、画像露光後における電荷の蓄積を防
止して残留電位をや画像流れの発生を防止する機能を奏
するものである。

かくなる本発明の光受容部材の表面保護層１０３は、４
配位構造の窒化ホウ素を含有する非単結晶質材料〔以後
、　’Ｎｏｎ−ＢＮｊ　と表記する。〕、即ちアモルフ
ァス材料〔以後、’ａ−ＢＪ　と表記する。〕又は多結
晶質材料（以後、　’ｐｏｌｙ−ＢＮ」と表記する。〕
あるいは両者の混合物に価電子制御剤を含有せしめたも
ので構成されており、更に、水素原子又はハロゲン原子
のうちの少なくとも一方を含有せしめることもできる。

該表面保護！１０３を構成する４配位構造の非単結晶質
窒化ホウ素（以後ｒ　Ｎｏｎ−８Ｎ（ｉｌ、Ｘ）　Ｊと
表記する。）の各原子の割合については、Ｎｏｎ−ＢＮ
　ｆｔ１．Ｘ）の組成比を（ＢＩＮ＋−Ｊ＋−ｙ’０１．Ｘ）ｙで表わすと、次の条件を満足していることが望ましい。

Ｘについて：０．２５≦Ｘ≦０．７５、好ましくは０．３≦Ｘ≦０７
最適には０．４≦Ｘ≦０．６ｙについて；０．４≦ｙ≦４０、好ましくはＯ，Ｓ≦ｙ≦３０最適に
はｌ≦ｙ≦２０本発明の表面保護層１（１３中に含有せしめる価電子＄
り御剤としては、正帯電の場合には表面保護層１０３を
ｎ型とじつるｎ型ドーパントを用い、負帯電の場合には
、表面像ｆｆｆｆＦｉｔｏ３をｐ型とじつるｐ型ドーパ
ントを用いることができる具体的には、ｎ型ドーパント
としてケイ素原子（Ｓｉ）又はスズ原子（Ｓｎ）あるい
はそれらの混合物（Ｓｉ中Ｓｎ）があげられ、ｐ−゛Ｊ
不純物ドーパントとしてゲルマニウム原子（６ｅ）又は
亜Ｓｆ）原子（Ｚｎ）あるいはそれらの混合物（Ｇｅ÷
Ｚｎ’）があげられる６そして、該表面保護層中に含有
せしめる価電子ｉｔ制御剤の量は好ましくは、１００１
００Ｑａｔｏ　ｐｐｍ以下、より好ましくは７００　ａ
ｔｏｍｉｃｐｐｍ以下、最適にはＳＯＯａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍとすることが望ましい。

本発明の光受容部材においては、表面保護層１Ｇ３の層
厚も本発明の目的を効率的に達成するた本発明の光受容
部材においては、表面保護層１０３の層厚も本発明の目
的を効率的に達成するために重要な要因の１つであり、
所望の目的に応じて適宜決定されるものであるが、表面
保護層に含有せしめる構成原子の量、あるいは表面保ｊ
（ｆＦｊに要求される特性に応じて相互的かつ有機的関
連性の下に決定する必要がある。更に生産性やｆｆｉ産
性も加味した経済性の点においても考慮する必要もある
。

こうしたことから、本発明の光受容部材の表面保護層１
０３の層厚は、好ましくは０．００３〜３０μ、より好
ましくは０．００４〜２０μ、最適にはｏ、ｏｏｓ〜１
０μである。

更に本発明の光受容部材においては、前述の表面保護１
１０３と光導電層１０２との間に中間ＦＩＩ０８を形成
せしめてもよい、該中間層１０８は、炭素原子を含有す
るａ−５１０１，Ｘ）又はｐｏｌｙ−５ｔ　（Ｈ，Ｘ）
で構成されており、該中間層１０８中に含有せしめる炭
素原子の量は、好ましくは２０〜９０ａｔｏｍｉｃ％、
より好ましくは３（１〜８５ａｔｏｍｉｃ％、最適には
４１）〜８０ａｔｏｍｉｃ％とすることが望ましい、ま
た該中間Ｆ１１０ａ中に含有せしめる水素原子（Ｈ）の
量、ハロゲン原子（Ｘ）の量、及び水素原子＋ハロゲン
原子（ＩＤＸ）の量は、好ましくは１〜７０ａｔｏｎ＋
ｉｃ％、より好ましくは２〜８５ａｔｏｍｉｃ％、最適
には５〜８０ａｔｏｍｉｃ％とするのが望ましい、さら
に該中間Ｆ１１０８の層厚は、好ましくは０．００３〜
３０μｍ、より好ましくはＯ，００４〜２０μｍ％最適
にはｏ、ｏｏｓ〜１Ｑμｍとするのが望ましい。

次に、本発明の光受容部材の４１１成層の形成方法につ
いて説明する。

本発明の光受容部材を構成する非晶質材料は、いずれも
グロー放電法（低周波ＣＶＤ、高周波ＣＶ、Ｄ又はマイ
クロ波ＣＶＤ等の交流放電ＣＶＤ、あるいは直流放電Ｃ
ＶＤ等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンブレ
ーティング法、光ＣＶＯ法、熱ＣＶＤ法などの種々のｆ
ｉｔ膜堆膜性積法って成形することができる。これらの
薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製
造規模、作成される光受容部材に所望される特性等の要
因によって適宜選択されて採用されるが、所望の特性を
有する光受容部材を製造するに当っての条件の制御が比
較的容易であり、シリコン原子と共にハロゲン原子及び
水素原子の導入を容易に行い得る等のことからして、グ
ロー放電法或いはスパッタリング法が好適である。そし
て、グロー放電法とスパッタリング法とを同一装置系内
で併用して形成してもよい。

例えば、グロー放電法により、価電子制御剤を含有する
４配位橋造の窒化ホウ素で構成される表面保護層を形成
するには、基本的にはホウ素原子（Ｂ）を供給し得るＢ
供給用の原料ガスと、窒素原子（Ｎ）を供給し得るＮ供
給用の原料ガスと、ケイ素原子（Ｓｌ）又は／及びスズ
原子（Ｓｎ）導入用の原料ガスあるいはゲルマニウム原
子（Ｇｅ）又は／及び亜鉛原子（Ｚｎ）導入用の原料ガ
スと、必要に応じて水素原子（Ｈ）　導入用又は／及び
ハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとを、内部が減圧
にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放電
を生起させ、Ｎｏｎ−ａＮ　（ｌ（、Ｘ）から成る層を
形成する。

前記Ｂ供給用の原料ガスとしては、８．■８、ａ、Ｏ，
。

Ｂ　ｓ　ＩＩ　＊、ＢｓＨ＋＋、ＢＪ＋２、ＢＦｓ、ｌ
ＩＣｌ３等のガス状態の又はガス化し得る化合物があげ
られる。

また、前記Ｎ供給用の原料ガスとしては、Ｎ７、Ｎ１１
３．ＮＦ３、ＮＦ２Ｃ１，ＮＦＣｌ２．ＮＣｌ３．Ｎ２
Ｆ２．Ｎ２Ｆ４、ＮＨ２Ｃｌ、Ｎ　ＩＩ　Ｆ　２．　Ｎ
　１１２Ｆ等のガス状態の又はガス化し得る化合物があ
げられる。

前記Ｓｉ導入用の原料ガスとしては、ＳｉＨ４，５ｉ２
１１ａ、５ｉ３Ｈ６，５ｔｎｌｌ＋ｏ、　５ｊＦ４．５
ｉＣ１４、等のガス状態の文物があげられる。

はガス化し得るケイ素化合物があげられ、前記Ｓｎ専入
用の原料ガスとしては５ｎＨａや５ｎＦａ、５ｎＣ１４
等のガス状態の又はガス化し得るスズ化合物があげられ
る。

また、前記Ｇ　ｅ　ｊ９人用の原料ガスとしては、Ｇｅ
１１４、Ｇ　ｅ　２　ＩＩ　６、ＧｅＦ４、等のガス状
態の又はガス化し得るゲルマニラ化合物があげられ、前
記Ｚｎ導入用の原料ガスとしてはＺｎ　（ＣＨｓ）　ｘ
等のガス状態の又はガス化し得る亜鉛化合物があげられ
る。

更にハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、Ｆ２．　
Ｃ１ｉ、！２、Ｂｒ２、ＦＣｌ等のハロゲンガスが用い
られ、水素原子導入用の原料ガスとしては、水素ガスお
よびＨＦ、　ＨＣＩ、）ＩＢ「、Ｉｌｌ、［１，Ｈ，、
Ｂ４ＨＩＯ１ＮＨ５、Ｓ　ｉＨ４、Ｓｉ２■６、Ｓ　ｎ
　Ｈ４，Ｇ　ｅ　ｌｌ　、、Ｇｅ２）１．等の水素化合
物等のガス状態の又はガス化しつるものがあげられる。

また、スパッタリング法によって価電子制御剤を含有す
る４配位構造のＮｏｎ−ＢＮ（Ｈ，Ｘ）　Ｆｌを形成す
るには、ターゲットとしてＢＮターゲットを用い、前記
Ｂ供給用原料ガスと、ケイ素原子（Ｓｉ）又は／及びス
ズ原子（Ｓｎ）導入用の原料ガスあるいはゲルマニウム
原子（Ｇｅ）又は／及び亜鉛原子（Ｚｎ）導入用の原料
ガスとを＾「等の不活性ガスと共に堆積室内に導入して
プラズマ雰囲気を形成し、前記ＢＮターゲットをスパッ
タリングすることによって形成される。あるいは、ター
ゲットとしてＺｎターゲットを用い、前記Ｂ供給用の原
料ガスと、前記Ｎ供給用の原料ガスとをＡ「等の不活性
ガスと共に導入し、前記Ｇｅターゲットをスパッタする
ことにより形成される。

また、グロー放電法によって、ａ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ）で
構成される層を形成するには、基本的にはシリコン原子
（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと共に、水
素原子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導
入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入
して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位
置に設置した所定の支持体表図上にａ−５ｉ（ＩＩ、Ｘ
）から成る層を形成する。

前記Ｓｉ供給用のガスとしては、５ｉ１１．．５ｉ２Ｈ
，，５ｉｓＨａ、５ｉ４１１１ａ等のガス状態の又はガ
ス化し得る水素化硅素（シラン類）が挙げられ、特に、
層形成作業のし易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点で、５
ｉ８４、Ｓｔ、Ｉｌ、が好ましい。

また、前記ハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、多
くのハロゲン化合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、
ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンでＷｔ換さ
れたシラン話導体等のガス状態の又はガス化しつるハロ
ゲン化合物が好ましい、具体的にはフッ素、塩素、臭素
、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ、　ＣＩＦ、　ＣｌＦ
５．　ＢｒＦ５、ＢｒＦ、、ＩＦｔ、ＩＣＩ、ＩＢｒ等
のハロゲン間化合物、および５ｉＦａ、Ｓｉ２Ｆｇ、５
ｉＣ１４，５ｉＢｒ、等のハロゲン化硅素が挙げられる
。

上述のごときハロゲン化硅素のガス状態の又はガス化し
うるものを用いる場合には、Ｓｉ供給用の原料ガスを別
途使用することなくして、ハロゲン原子を含有するａ−
５ｉで構成された層が形成でとるので、特に有効である
。

また、前記水素原子供給用の原料ガスとしては、水素ガ
ス、ＩＦ、　ＨＣＩ　、　Ｈｅｒ　、旧等のハロゲン化
物、５ｉＨａ、５ｉＪ６．５ｉ３１１’ａ　、５ｆ４１
１＋ｏ等の水素化硅素、あるいは５ｔ）１．Ｆ２．５１
１ｈｈ、５ｉｌ１２Ｃ１２，５ｉＨＣｈ、５ｉＨ２Ｂｒ
２　、５ｉＨＢｒ、、等のハロゲン置換水素化硅素等の
ガス状態の又はガス化しつるものを用いることができ、
これらの原料ガスを用いた場合には、電気的あるいは充
電的特性の制御という点で極めて有効であるところの水
素原子（）Ｉ）の含有量の制御を容易に行うことができ
るため、有効である。

そして、前記ハロゲン化水素又は前記ハロゲン置換水素
化硅素を用いた場合にはハロゲン原子の導入と同時に水
素原子（）Ｉ）も導入されるので、特に有効である。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−５ｔ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成するには、
例えばスパッタリング法の場合には、ハロゲン原子を導
入するについては、前記のハロゲン化合物又は前記のハ
ロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に尋人し
て該ガスのプラズマ雲囲気を形成してやればよい。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、１１．或いは前記したシラン類等のガ
スをスパッタリング用の堆積室中に尋人して該ガスのプ
ラズマ；囲気を形成してやればよい。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓｉターゲ
ットを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及び■２ガス
を必要に応じてＨｅ、＾ｒ等の不活性ガスも含めて堆積
室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記ＳＩツタ
−ットをスパッタリングすることによって、支持体上に
ａ−５ｔ　（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。

グロー放電法によってａ−５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる層を形成するには、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し
うるＳｉ供給用の原料ガスと、ゲルマニウム原子（Ｇｅ
）を供給しうるＧｅ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ
）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給しつる水素原子
（ＩＩ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）供給用の原料ガ
スを内部を減圧にしつる堆積室内に所望のガス圧状態で
導入し、該堆積室内にグロー放電を生起せしめて、予め
所定位置に設置しである所定の支持体表面上に、ａ−５
ｉＧｅ（Ｉｔ、Ｘ）で構成される層を形成する。

Ｓｉ供給用の原料ガス、ハロゲン原子供給用の原料ガス
、及び水素原子供給用の原料ガスとなりつる物質として
は、前述のａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成す
る場合に用いた′ものがそのまま用いられる。

また、前記Ｇａ供給用の原料ガスとなりつる物質として
は、ＧｅＨ，、Ｇ６２Ｈｓ　、　Ｇ１１ｓ）１６　、　
Ｇｅ４１１ｔｏ、Ｇｅ５Ｈｔ２ｂ　Ｇｅ８Ｈ１４ｓ　Ｇ
ＩＨ＋ａｔ　ＧｅａＨｔａ％Ｇｅｄ２ｏ等のガス状態の
又はガス化しつる水素化ゲルマニウムを用いることがで
きる。特に、層作成作業時の取扱易さ、Ｇｅ供給効率の
良さ等の点から、Ｇ　ｅ　ｔＩ　、、Ｇｅ２１１６　、
およびＧｅｍ）１６が好ましい。

スパッタリング法によってａ−５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構
成される心を形成するには、シリコンから成るターゲッ
トと、ゲルマニウムから成るターゲットとの二枚を、あ
るいは、シリコンとゲルマニウムからなるターゲットを
用い、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッタリングす
ることによって行なう。

イオンブレーティングγ去を用いてａ−５ｉＧｅ　（Ｉ
ｌ、Ｘ）で構成される層を形成する場合には、例えば、
多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウ
ム又はまた単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸
上ボートに改善し、この蒸発源を抵抗加熱法あるいはエ
レクトロンビーム法（Ｅ、！１．法）等によって加熱蒸
発させ飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過
せしめることで行ない得る。

スパッタリング法およびイオンブレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中にハロゲン原子を含有せし
めるには、前述のハロゲン化物又はハロゲン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成すればよい、又、水素原子を導入する場
合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＨ２あるい
は前記した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマニウ
ム等のガス類をスパッタリング用の堆積室内に導入して
これ等のガス類のプラズマ；囲気を形成すればよい、さ
らにハロゲン原子供給用の原料ガスとしては、前記のハ
ロゲン化物或いはハロゲンを含む硅素化合物が有効なも
のとして挙げられるが、その他に、ＩＩＦ、　ＨＣＩ　
、１ｉａｒ　、Ｈｌ等のハロゲン化水素、５ｉ１１．Ｆ
、、５ｉ１ｈｈ、ＳｉＨ，ＣＩ、、５ｉｌＩＣｈ、５ｉ
ｌ１２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３、等のハロゲンｆｆ２換水
素化硅素、およびＧｅＨＦ３　、ＧｅＨＢｒ５、Ｇｅ１
１３Ｆ　、　Ｇｅ）ＩＣＩｓ、Ｇｅ２１１６、ＧｅＨＢ
ｒ５．　ＧｅＨＢｒ５、Ｇｅ２１１６　、ＧｅＨＢｒ５
ＧｅＨＢｒ５、Ｇｅｍ５　ｒ等の水素化ハロゲン化ゲル
マニウム等、ＧｅＦ４、ＧｅＣ１，、ＧｅＢｒａ　、Ｇ
ｅ１ａ、ＧｅＦ２、ＧｅＣｒ２．　Ｇｅａｒｓ、Ｇｅ１
２等のハロゲン化ゲルマニウム等々のガス状態の又はガ
ス化しつる物質も有効な出発物質として使用できる。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、スズ原子を含有するアモルファス
シリコン（以下、　’ａ−５ｉＳｎ　（Ｈ，Ｘ）　Ｊと
表記する。）で構成される光受容層を形成するには、上
述のａ−５ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）で構成される層の形成の
際に、ゲルマニウム原子供給用の出発物質を、スズ原子
（Ｓｎ）供給用の出発物質にかえて使用し、形成する居
中へのその量を制御しながら含有せしめることによって
行なう。

前記スズ原子（Ｓｎ）供給用の原料ガスとなりつる物質
としては、水素化スズ（Ｓｎｌ１４）やＳｎＦ２、Ｓｎ
Ｆ、、５ｎＣ１２，５ｎＣＩ４．５ｎＢｒ、、、　Ｓｎ
Ｂｒ４．　Ｓｎ１．．５ｎｌａ等のハロゲン化スズ等の
ガス状態の又はガス化しつるものを用いることができ、
ハロゲン化スズを用いる場合には、所定の支持体上にハ
ロゲン原子を含有するａ−５１で構成される層を形成す
ることができるので、特に有効である。なかでも、層作
成作業時の取り扱い易さ、Ｓｎ供給効率の良さ等の点か
ら、５ｎＣＩ４が好ましい。

そして、５ｎＣＩａをスズ原子（Ｓｎ）供給用の出発物
質として用いる場合、これをガス化するには、固体状の
５ｎＣ１４を加熱するとともに、＾ｒ、　Ｈｅ等の不活
性ガスを吹か込み、該不活性ガスを用いてバブリングす
るのが望ましく、こうして生成したガスを、内部を減圧
にした堆積室内に所望のガス圧状態で導入する。

グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、ａ−５ｉ（Ｉｌ、Ｘ）に第１Ｉ
Ｉ族原子又は第Ｖ族原子、窒素原子、酸素原子あるいは
炭素原子を含有せしめた非晶質材料で構成された層を形
成するには、ａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）の層の形成の際に、第
１夏Ｉ族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質、酸素原
子導入用の出発物質、窒素原子導入用の出発物質、ある
いは炭素原子導入用の出発物質を、前述したａ−５ｉ（
）１．Ｘ）形成用の出発物質と共に使用して、形成する
層中へのそれらの量を制御しながら含有せしめてやるこ
とによって行なう。

例えば、グロー放電法を用いて、原子（０，Ｃ，Ｎ）を
含有するａ−５ｔ（）Ｉ、Ｘ）で構成される層を形成す
るには、前述のａ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成される層を
形成する際に、原子（０，Ｃ，Ｎ）導入用の出発物質を
ａ−５ｉ（Ｉｌ、Ｘ）形成用の出発物質とともに使用し
て形成する層中へのそれらの量を制御しながら含有せし
めることによって行なう。

このような原子（０，Ｃ，Ｎ）導入用の出発物質として
は、少なくとも原子（０，Ｃ，Ｎ）を構成原子とするガ
ス状の物質又はガス化し得る物質であれば、はとんどの
ものが使用できる。

具体的には酸素原子（０）導入用の出発物質として、例
えば、酸素（０２）、オゾン（０，）、−酸化窒素（Ｎ
Ｏ）、−二酸化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０
ｓ）、四三酸化窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２
０Ｓ）、三酸化窒素（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓｉ）
と酸素原子（０）と水素原子（１１）とを構成原子とす
る例えばジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ５ｉＨｓ）、　トリ
シロキサン（ＨｓＳｉＯ５＋）１．０ＳＩＨｓ）等の低
級シロキサン等が挙げられ、炭素原子（Ｃ）導入用の出
発物質としては、例えば、メタン（ＣＨ４）　、エタン
（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（ＣＪａ）、ｎ−ブタン（ｎ−
ＣＪ＋ｏ）　、ペンタン（Ｃ８Ｈ１２）等の炭素数１〜
５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピレン
（Ｃ３Ｈ１１）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ５１１、ブテン−
２（Ｃ４）ＩＳ）、イソブチレン（Ｃ４１１８１、ペン
テン（ＣｓＨ＋。）等の炭素数２〜５のエチレン系炭化
水素、アセチレン（Ｃｚｔｈ）、メチルアセチレン（Ｃ
ｌ３）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等の、炭素数２〜４のアセ
チレン系炭化水素が挙げられ、窒素原子（Ｎ）導入用の
出発物質としては、例えば、窒素（Ｎ２）、アンモニア
（ＮＨ３）、ヒドラジン（８２ＮＮＨｚ）、アジ化水素
（ＩＩＮｓ）　、アジ化アそニウム（ＮＨ４Ｎ３）　、
三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）　、四三弗化窒素ＣＦ４Ｎ）が挙
げられる。

例えば酸素原子を含有する層又は層領域を形成するのに
グロー放電法を用いる場合には、前記した光受容部材層
形成用の出発物質の中から所望に従って選択されたもの
に酸素原子導入用の出発物質が加えられる。その様な酸
素原子導入用の出発物質としては、少なくとも酸素原子
を構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質で
あればほとんどのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（）Ｉ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ
）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子
とする原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子（１１
）を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合
比で混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｉ）を構成
原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、酸素原
子（０）及び水素原子（１１）の３つを構成原子とする
原料ガスとを混合して使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（１１）
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用してもよい。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（ｏ３）、−
酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（Ｎ（ｈ）、　−二酸化
窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０コ）、四三酸化
窒素（Ｎ２０４）三二酸化窒素（ＮｚＯｓ）、三酸化窒
素（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓｔ）と酸素原子（０）
　と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする例えばジシロキ
サン（）ＩｓＳｉＯ５ｉＨ１）　、トリシロキサン（）
ＩｓＳｉＯ５ｊ８２０Ｓｉ１１．）等の低級シロキサン
等が挙げられ、挙げることができる。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層また
は層領域を形成するには、単結晶又はＳｉウェーハ又は
５ｉ０２ウエーハ、又はＳｉと５ｉｎ２が混合されて含
有されているウェーハをターゲットとして、これ等を稲
々のガス雰囲気中でスパッタリングすることによって行
なえばよい。

例えば、Ｓｉウェーハをターゲットとして使用すれば、
酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを必要に応じて希釈ガスで希
釈して、スパッター用の堆積室内に導入し、これ等のガ
スのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハをスパッ
タリングすればよい。

又、別にはＳｉとＳｉｎ、とは別々のターゲットとして
、又はＳｉと５ｉ０２の混合した一枚のターゲットとを
使用することによって、スパッター用のとしての希釈ガ
スの；囲気中で又は少なくとも水素原子（１１）又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有するガス
雰囲気中でスパッタリングすることによって形成できる
。酸素原子導入用の原料ガスとしては、前述したグロー
放電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料
ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使
用できる。

また、例えば炭素原子を含有するアモルファスシリコン
で構成される層をグロー放電法により形成するには、シ
リコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと、炭素
原子（Ｃ１を構成原子とする原料ガスと、必要に応じて
水素原子（旧又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子
とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用するか
、又はシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ）を構成原子とす
る原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合して使用
するか、或いはシリコン原子（Ｓ　ｉ）を構成原子とす
る原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）、炭素原子（Ｃ）
及び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスを混合す
るか、更にまた、シリコン原子、水素原子を構成原子と
する原料ガスを混合して使用する。

このような原料ガスとして有効に使用されるのは、Ｓｉ
とＨとを構成原子とする５ｉｌ１４、Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ
３１１ａＳ　ｉ　４ＩＩ　、。等のシラン（Ｓｉｌａｎ
ｅ）類等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子とする
、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４の
エチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化
水素等が挙げられる。

具体的には飽和炭化水素としては、例えば、メタン（Ｃ
Ｄ４）　、　エタン（Ｃ２１１ｓ）、プロパン（ＣＳ＋
＋ａ）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ４１１＋ｏ）　、ペンタン
（Ｃ，１１，２）　、エチレン系炭化水素としては、エ
チレン（Ｃ２１＋６）　、プロピレン（ｃｓｕａ）、ブ
テン−１（Ｃ４）１ａ）、ブテン−２（（：Ｊｓ）、イ
ソブチレン（ｃ４ｏａ）、ペンテン（Ｃｓｌｌ＋ｏ）ア
セチレン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）
、メチルアセチレ：／（（：、１１４）、ブチン（Ｃ４
１１ａ）等が挙げられる。

ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、５
ｉ（Ｃ１ｌｔ）４、Ｓｉ　（ＣＪｓ）ａ等のケイ化アル
キルを挙げることができる。これ等の原料ガスの他、Ｈ
導入用の原料ガスとしては勿論Ｈ２も使用できる。

スパッタリング法によってａ−５ｉＣ（Ｉｆ、Ｘ）で４
み成される層を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉ
ウェーハ又はＣ（グラファイト）ウェーハ、又はＳｉと
Ｃが混合されているウェーハをターゲットとして、これ
等を所望のガス雰囲気中でスバッタリン例えば、Ｓｉウ
ェーハをターゲットとして使用する場合には、炭素原子
、および水素原子又は／及びハロゲン原子を導入する為
の原料ガスを、必要に応じて＾ｒ％Ｈｅ等の希釈ガスで
希釈して、スパッタリング用の堆積室内に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハを
スパッタリングすればよい。

又、別にはＳｉとＣは別々のターゲットとするか、ある
いはＳｉとＣの混合した一枚のターゲットととして使用
する場合には、スパッタリング用のガスとして水素原子
又は／及びハロゲン原子導入用の原料ガスを、必要に応
じて希釈ガスで希釈して、スパッタリング用の堆積室内
に導入し、ガスプラズマを形成してスパッタリングすれ
ばよい。

該スパッタリング法に用いる各原子の導入用の原料ガス
としては、前述のグロー放電法に用いる原料ガスがその
まま使用できる。

例えば窒素原子を含有する居又は層領域を形成するのに
グロー放電法を用いる場合には、前記した光受容層形成
用の出発物質の中から所望に従つて選択されたものに窒
素原子導入用の出発物質を加える。その様な窒素原子導
入用の出発物質としては、少なくとも窒素原子を構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質であればほ
とんどのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子と
する原料ガスと、窒素原子（Ｎ）及び水素原子（Ｈ）を
構成原子と原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合
するかして使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（ＩＩ）
とを構成原子とする原料ガスに窒素原子（Ｎ）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用してもよい。

窒素原子を含有する層または層領域を形成する際に使用
する窒素元素（Ｎ）導入用の原料ガスとして有効に使用
される出発物質は、Ｎを構成原子とするか或いはＮとＨ
とを構成原子とする例えば窒素（Ｎ、）、アンモニア（
ＮＨり　、ヒドラジン（）１．ＮＮＨ，）アジ化水素（
ＨＮｓ）　、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎり等のガス
状の又はガス化し得る窒素、窒化ホウ素物及びアジ化物
等の窒素化合物を挙げることができる。この他に、窒素
原子の導入に加えて、ハロゲン原子の導入も行なえると
いう点から、三弗化窒素（ＦｓＮ）　、四三弗化窒素（
Ｆ４Ｎ）等のハロゲン化窒素化合物を挙げられる。

スパッタリング法によって、窒素原子を含有する層また
は層領域を形成するには、単結晶又はＳｉウェーハ又は
多結晶のＳｉウェーハ、又は５ｒｓＮａ　ウェーハ、又
はＳｉとはＳｉ３Ｎ４が混合されて含有されているウェ
ーハをターゲットとして、これ等を種々のガス雰囲気中
でスパッタリングすることによって行なえばよい。

例えば、Ｓｉウェーハをターゲットとして使用すれば、
窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて希釈ガスで
希釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等の
ガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハをスパ
ッタリングすればよい。

又、別にはＳｉと５ｉＪ４とは別々のターゲットとして
、又はＳｉとＳＩ３Ｎｍの混合した一枚のターゲットを
使用することによって、スパッター用のガスとしての希
釈ガスの；囲気中で又は少なくとも水素原子（１１）又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有する
ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成で
きる。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグ
ロー放電の例で示した原料ガスの中の窒素原子導入用の
原料ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスとし
て使用で計る。

また、グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオ
ンブレーティング法を用いて、第■！族原子又は第■族
原子を含有するａ−５ｉ（）１．Ｘ）で構成される層の
形成の際に、第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物
質を、ａ−５ｉ　（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質と共に使
用して、形成する層中へのそれらの量を制御しながら含
有せしめてやることによって行なう。

第１ＩＩ族原子導入用の出発物質として具体的には硼素
原子導入用としては、Ｂ２Ｈ，、Ｂ、Ｈ，。、　ＢｓＴ
ｏ、ＢｓＨ＋＋　％　ＢｓＨ＋ｏ　、Ｂｅ）Ｉ＋２％　
８１１１１１４等の水素化硼素、ＢＦｓ　、ＢＣｌ３、
ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、
ＡＱ　Ｃｌ　ｓ、ＧａＣ１５、Ｇａ　（ＣＩ（３）　２
゜ＩｎＣ１５、ＴＱＣＩｓ等も挙げることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として具体的には燐原子導
入用としてはＰＨ，、Ｐ２Ｈ，等の水素化燐ＰＩ１．Ｉ
、ＰＦ、、ＰＦ、、ＰＣｌ３、ＰＣｌ５．　Ｐａｒｓ、
Ｐｅｒ、、ＰＩ。

等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、八ｓ１１．、
＾ｓＦ、、八ｓ（：１．、八ｓｉｒ、、＾ｓＦ５、Ｓｂ
Ｈ，、ＳｂＦ３、ＳｂＦ、、５ｂＣ１ｓ、５ｂＣ１ｓ、
　Ｂ１１１ｓ、８ｉＣ１ｓ、Ｂ１８ｒ５等も第Ｖ族原子
導入用の出発物質の有効なものとして挙げることができ
る。

以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、スパッタリング法等を用いて形成する
が、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及
びスズ原子、第１ＩＩ族原子又は第Ｖ族原子、酸素原子
、炭素原子又は、窒素原子、あるいは水素原子又は／及
びハロゲン原子の各々の含有量の制御は、堆積室内へ漬
人する、各々の原子供給用出発物置のガス流量あるいは
各々の原子供給用出発物質間のガス流量比を制御するこ
とにより行なわれる。

また、光導電層および表面保護層等の各構成層形成時の
支持体温度、堆積室内のガス、放電パワー等の条件は、
所望の特性を有する光受容部材を得るためには重要な要
因であり、形成する層の機能に考慮をはらって適宜選択
されるものである。

さらに、これらの層形成条件は、光導電層および表面保
護層等の各構成層に含有せしめる上記の各原子の独類及
び量によっても異なることもあることから、含有せしめ
る原子の種類あるいはその量等にも考１．３をはらって
決定する必要もある。

具体的には、価電子制御剤を含有する４ｉ位構造のＮｏ
ｎ−ＢＮ（Ｎ、Ｘ）かうなる表面保護層を高周波（１３
，５６ＭＨ２）プラズマＣＶＤ法により形成する場合、
堆積室内のガス圧は、通常１０−２〜１ＯＴｏｒｒとす
るが、より好ましくは５　Ｘ　１０２〜２　Ｔｏｒｒ、
最適には０．１〜Ｉ　Ｔｏｒｒとする。また、支持体温
度は４通常５０〜７００℃とするが、特にＮｏｎ−ＢＮ
（Ｎ、Ｘ）層とする場合には５０〜４００℃、ｐｏｌｙ
−ＢＮ（Ｈ，Ｘ１層とする場合には２００〜７００℃と
する。更に放電パワーは通常０．０１〜５　Ｗ　／　ｃ
ｍ２、より好ましくは０．０２〜２Ｗ／Ｃｌ１２とする
。更にまた、Ｂ供給用原料ガス、Ｎ供給用原料ガス及び
＾「ガスのガス流量比は、Ｂ／Ｎが１７５〜１００／１
、より好ましくは１／４〜８０／１となるようにし、＾
ｒ／Ｂ十Ｎが１／１０〜１００／１、より好ましくは１
／７〜８０／ｌとなるようにする。

また、価電子制御剤を含有する４ｉ位構造のＮｏｎ−１
１Ｎ（Ｈ，Ｘ）からなる表面保ＭＮ店をマイクロ波（２
，４５ＧＨｚ）　プラズマＣＶＤ法により形成する場合
、堆積室内のガス圧は通常１Ｇ−４〜２　Ｔｏｒｒ、よ
り好ましくは５　Ｘ　１０−４〜１．０　Ｔｏｒｒ、最
適には５×１０−’　〜０．７　Ｔｏｒｒとし、放電パ
ワーは通常０．１〜５０Ｗ／ｃｍ’、より好ましくは０
．２〜３０Ｗ／ｃｍ２　とする、支持体温度及び各原料
ガスのガス流量比は、いずれも前述の高周波プラズマＣ
ＶＤ法による場合と同じである。

更に、価電子制御剤を含有する４ｉ位構造のＮｏｎ−Ｂ
Ｎ（Ｈ，Ｘ）からなる表面保護層をスパッタリング法に
より形成する場合、堆積室内のガス圧は通常１Ｇ−４〜
Ｉ　Ｔｏｒｒ、より好ましくは５　Ｘ　１０−’　〜０
．７Ｔｏｒｒ、とし、放電パワーは０．０１〜ＩＯＷ　
／　ｃｔｎ２、より好ましくは０．０５〜８Ｗ／ｃＩＩ
＋２とする。支持体温度は前述の高周波プラズマＣＶＤ
法による場合と同じである。

また、窒素原子、酸素原子、炭素原子等を含有せしめた
ａ−５ｉ（）１．Ｘ）からなる店をグロー放電法により
形成する場合、支持体温度は、通常５０〜３５０℃とす
るが、特に好ましくは５０〜２５０℃とする。

堆積室内のガス圧は通常０．０１ｘ　Ｉ　Ｔｏｒｒとす
るが、特に好ましくは０．１〜Ｇ、５　Ｔｏｒｒとする
。放電パワーは０．００５〜５０Ｗ／ｃＩ１１２とする
のが通常であるが、より好ましくは０．０１〜３０Ｗ　
／　Ｃｆｆ１”　とする、特に好ましくは０．０１〜２
０Ｗ　／　ｃｍ”　とする。

ａ−５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）　Ｎをグロー放電法により形成
する場合、あるいは￥５ＩＩＩ族原子又は第Ｖ族原子を
含有せしめたａ−５ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）からなる層を形
成する場合については、支持体温度、通常５０〜３５０
℃とするが、より好ましくは５０〜３００℃とするが、
特に好ましくは１００〜３００℃とする。そして堆積室
内のガス圧は通常０．０１〜５　Ｔｏｒｒとするが、好
ましくは０．００１〜３　　Ｔｏｒｒとし、特に好まし
くは０．０１〜ＩＴｏｒｒとする。また、放電パワーは
ｏ、ｏｏｓ　〜ｓｏｗ／ｃｍ”　とするのが通常である
が、好ましくは０．０１〜３０Ｗ／ｃ１１２　とする、
特に好ましくは０．０１〜２０Ｗ／ｃｒａ２　とする。

しかし、これらの、層形成を行なうについての支持体温
度、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通
常には個々に独立しては容易には決め難いものである。

したがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、
相互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件
を決めるのが望ましい。

次に、グロー放電分解法によって形成される光導電部材
の製造方法について説明する。

第２図にグロー放電分解法による電子写真用光受容部材
の製造装置を示す。

図中の２０２．２０３．２０４．２０５．２０８．２４
１のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成するため
の原料ガスが密封されており、その１例として、たとえ
ば、２Ｇ２はＳｉＨ４ガス（純度９９．９９９％）ボン
ベ、２０３は１１２で希釈された８、Ｈ６ガス（純度９
９．９９９％、以下ａ、ｎ、、’ｕ、と略す）ボンベ、
２０４はＮＯガス（純度９９．５％）ボンベ、２０５は
＾「で希釈された８　、　１１　、ガス（純度９９．９
９９％、以下Ｂ　２１１　、　／＾「と略す）ボンベ、
２０６は＾「で希釈されたＳ　ｉＨａガス（純度９９．
９９９％、以下５ｉｎ４／＾ｒと略す）ボンベ、２４１
はＩＩＩ）＋３ガス（純度９９．９９９％）ボンベであ
る。

これらのガスを反応室２０１に流入させるにはガスボン
ベ２０２〜２０６，２４１のバルブ、リークバルブ２３
５が閉じられていることを確認し、又、流入バルブ２１
２〜２１６．２４３、流出バルブ２１７〜２２１．２４
４、補助バルブ２３２．２３３が開かれていることを確
認して先ずメインバルブ２３４を開いて反応室２０１、
ガス配管内を排気する１次に真空計２３６の読みが約５
　ｘ　１Ｇ−’Ｔｏｒｒになった時点で、補助バルブ２
３２．２３３、流出バルブ２１７〜２２１を閉じる。

基体シリンダー２３７上に第１の層を形成する場合の１
例をあげると、ガスボンベ２０２よりＳｉＨ４ガス、ガ
スボンベ、２０３よりＪＨ＠／　Ｈｚガス、ガスボンベ
、２０４よりＮＯガス、バルブ２２２　、２２３　、２
２４を開いて出口圧ゲージ２２７　、２２８　、２２９
の圧を１ｋｇ／ｃｍ”に調節し、流入バルブ２１２　、
２１３．２１４を徐々に開けて、マスフロコントローラ
２０７，２０８，２０９内に流入させる。引続いて流出
バルブ２１７　、２１８゜２１９、補助バルブ２３２を
徐々に開いて夫々のガスを反応室に流入させる。このと
きの５ｉ８４ガス流量、１１Ｊａ／Ｈｚガス流量、ＮＯ
ガス流愈の比が所望の値になるように流出バルブ２！１
，２１８，２１９を調整し、又、反応室内の圧力が所望
の値になるように真空計２３６の読みを見ながらメイン
バルブ２３４の開口を調整する。そして基体シリンダー
２３７の温度が加熱ヒーター２３８により５０〜３５０
℃の温度に設定されていることを確認された後、電＠ｉ
　２４０を所望の電力に設定して反応ｉ　２０１内にグ
ロー放電を生起させ基体シリンダー上に第１の層を形成
する。

第１の層にハロゲン原子を含有させる場合には、上記の
ガスに例えばＳｉＦ、ガスを更に付加して反応室２０１
に送り込む。

各層を形成する際ガス種の選択によっては、層形成速度
を更に高めることが出来る０例えばＳＩＨ。

ガスの代りに５ＩｚＨａガスを用いて層形成を行なえば
数倍高めることが出来、生産性が向上する。

上記の様にして作成された第１の層上に第２の層を形成
するには、流出バルブ２１７〜２２１．２４４を閉じ、
補助バルブ２３２〜２３３を開いてメインバルブ２３４
を全開して系内を一旦高真空に排気したのち、′ｆＳ！
の店の形成の際と同ＩＪなバルブ操作によって８２　！
Ｉ　６　／＾ｒガス、ＮＨ，ガス及び価電子制御成分を
含むガス、第２図の例でいえば、２０６のＳ＋Ｈ４／Ａ
ｒガスを所望の流量比で反応室１０１中に流し、所望の
条件に従ってグロー放電を生起させることによって成さ
れる。

′ｔＳ２の層中に含有される水素原子の量を変化させる
場合には、上記のガスに例えばＨ２ガスを付加して、■
、ガスの反応室１０１内に導入される流量を所望に従っ
て任意に変えることによフて所望に応じて制御すること
ができる。

Ｎ２の層にハロゲン原子を含有される場合には、上記の
ガスに例えばＮＦ、ガスを更に付加して反応室１０１内
に送り込む。

夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出は全て閉
じることは言うまでもなく、又、夫々の層を形成する際
、前層の形成に使用したガスが反応室１０１内、流出バ
ルブ２１７〜２２１．２４４から反応室１０１内に至る
配管内に残留することを避けるために、流出バルブ２１
７〜２２１．２４４を閉じ補助バルブ２３２．２３３を
開いてメインバルブ２３４を全開して系内を一旦高真空
に排気する操作を必要に応じて行なう。

又、層形成を行なっている間は層形成の均一化を図るた
め基体シリンダー２３７は、モータ２３９によって所望
される速度で一定に回転させる。

〔実施例〕

以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本
発明はこれらによって限定されるものではない。

〈実施例１〉第２図の製造装置を用い、第１表（ａ）　、　（ｂ）の
作成条件に従って鏡面加工を施したアルミシリンダー上
に電子写真用光受容部材を形成した。

又、別途、第２図を同型の装置を用い、シリンダー上の
サンプルホルダーにアルミ製基板及び単結晶Ｓｉウェハ
ーを設置し、同一仕様の表面層のみを形成したものを別
個に用意した。

光受容部材（以後ドラムと表現）の方は、電子写真装置
をセットして、種々の条件のもとに、初期の帯電能、残
留電位、ゴースト等の電子写真特性をチェックし、又、
１５０万枚実機耐久後の一１ＩＦ電能低下、表面削れ、
画像欠陥の増加等を調べた。

更に、３５℃、８５％の高温高温；囲気中でのドラムの
画像流れについても評価した。

また、ドラムに直流高圧電圧を加えることにより絶縁耐
圧を調べた。ざらに、先端が球形の針に一定の荷重をか
けて、ドラム表面にキズをつけることにより、耐キズ性
を調べた。上記の評価結果を第２表に示す。

第２表に見られる様に、特に初期帯電能、残留電位、ゴ
ースト、画像欠陥、表面削れ、絶縁耐圧、耐キズ性の各
項目について著しい優位性が認められた。

アルミ基板上と単結晶Ｓｉウェハー上に成膜した表面層
のみの方（以後サンプルと表現）を、それぞれＥＸＡＦ
ＳとＩＨにより配位数を調べたところ、４配位であるこ
とがわかった。

〈実施例２〉表面層の原料ガスに１１２ガスを付加して第３表（ａ）
、　（ｂｌ　に示す作成条件で、実施例１と同様に、ド
ラム及びサンプルを作成し、同様の評価を行った。

その結果をｙ、４表に示す。

第４表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得られ
た。

又、サンプルの測定の結果、４配位であることがわかっ
た。

〈実施例３〉表面層の作成時に、シリンダーのバイアス電圧が一１５
０ｖになるようにして第１表（ａ）、（ｂ）に示１−作
成条件で、実施例１と同様に、ドラム及びサンプルを作
成し、同様の評価を行った。

その結果を第５表に示す。

第５表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得られ
た。

〈実施例４〉電荷注入阻止層、光導電属、表面層をそれぞれ第６表（
ａ）、（ｂ）に示す作成条件で実施例１と同様にドラム
を作成し、同様の評価を行った。

その結果を第７表に示す。

第７表にみられる様に実施例１と同様の特性が得られた
。

〈実施例５〉アルミシリンダーに陽極酸化処理を行って、シリンダー
表面に酸化アルミニウムＦ！　（Ａｌｌ、Ｏ，）ヲ作成
して、これを、電荷注入阻止層とし、この層の上に光導
電層と表面層をそれぞれ第８表（ａ）、　（ｂ）に示す
作成条件で実施例１と同様にドラムを作成し、同様の評
価を行った。

その結果を第９表に示す。

第９表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得られ
た。

〈実施例６〉長波長光吸収ＮＪ（以後ｒＩＲ吸収層」と称す、）。

光導電層、表面層をそれぞれ、第１０表（ａ）　、　（
ｂ）に示す作成条件で、実施例１と同様にドラムを作成
し、同様の評価を行った。

さらに７８５ｒｖの波長を有する半導体レーザーを画像
露光の光源に用いる電子写真袋４にドラムをセットして
、画像上に干渉縞が現われるかチェックした。

その結果を第１１表に示す。

第１１表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得ら
れ、干渉縞も現われなかった。

〈実施例７〉密着層、先導？Ｉｉ層、表面層をそれぞれ、第１２表（
ａ）　、　（ｂ）に示す作成条件で、実施例１と同様に
ドラムを作成し、同様の評価を行った。

その結果を第１３表に示す。

第１３表にみられる柱に、実施例１と同様の特性が得ら
れた。

〈実施例８〉ＩＲ吸収層、電荷注入阻止層、光導電層、表面層を、そ
れぞれ、第１４表（ａ）、（ｂ）に示す作成条件で実施
例１と同様にドラムを作成し、実施例６と同様の評価を
行った。

その結果を第１５表に示す。

第１５表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得ら
れた。

〈実施例９〉密着層、電荷注入阻止層、光導電層、表面層をそれぞれ
、第１６表（ａ）、（ｂ）に示す作成条件で実施例１と
同様にドラムを作成し、同様の評価を行りた。

その結果を第１７表に示す。

第１７表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得ら
れた。

〈実施例１Ｇ＞密着層、ＩＲ吸収層、電荷注入阻止層、光導電層、表面
層を、それぞれ、第１８表（ａ）　、　（ｂ）　に示す
作成条件で、実施例１と同様にドラムを作成し、実施例
６と同様の評価を行った。

その結果を第１９表に示す。

第１９表にみられる様に、実施例１と同様の特性が得ら
れた。

〈実施例１１＞光導電層の作成条件を第２０表に示す数種の条件に変え
、それ以外は実施例１と同様の条件にて、複数のドラム
を用意した。

これらのドラムを実施例１と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例１と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１２〉光導電層の作成条件を第２１表に示す数種の条件に変え
、それ以外は実施例２と同様の条件にて、′ａ数のドラ
ムを用意した。

これらのドラムを実施例２と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例２と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１３〉先導Ｔｉ層の作成条件を第２２表に示す数種の条件に変
え、それ以外は実施例３と同様の条件にて、複数のドラ
ムを用意した。

これらのドラムを実施例３と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例３と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１４〉電荷注入阻止層の作成条件を第２３表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例４と同様の条件にて、複数の
ドラムを用意した。

これらのドラムを実施例４と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例４と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１５〉電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第２５表に示す数種の条
件に変え、それ以外は実施例４と同様の条件にて、第２
６表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例１６＞電荷注入阻止層の作成条件を６２４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の条
件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す条件にて
、第２９表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例１７〉電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を′ｒＳ２７表に示す数種
の条件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す条件
にて、第３１表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例１８〉光導＠、層の作成条件をｉ２５表に示す数種の条件に変
え、をれ以外は実施例５と同様の条件にて、第３２表に
示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例５と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例５と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例１９＞・表面層の作成条件をｉ２８表に示す条件に変え。

先導Ｔｒｉ層の作成条件を第２７表に示す数種の条件に
変え、それ以外は実施例５と同様の条件にて、第３３表
に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例２０〉表面層の作成条件を第３０表に示す条件に変え、光導電
層の作成条件を第２７表に示す数種の条件に変え、それ
以外は実施例５と同様の条件にて、第３４表に示すｒＩ
ｉ数のドラムを用意した。

〈実施例２１〉ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３６表に示す数種の条
件に変え、それ以外は実施例６と同様の条件にて、第３
７表に示す？！［数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例６と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例６と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２４〉！Ｒ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す数種の条
件に変え、光導Ｔｉ層の作成条件を第２５表に示す数種
の条件に変え、それ以外は実施例６と同様の条件にて、
第３９表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例２３〉ＩＲ吸収店の作成条件をＴ％３５．３８表に示す数種の
条件に変え、先導ｉ層の作成条件を第２７表に示す数種
の条件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す条件
にて、第４０表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例２４〉Ｉ１１吸収Ｈの作成条件を第３５．３８表に示す数種の
条件に変え、光導電層の作成条件を第２７表に示す数種
の条件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す条件
にて、第４１表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例２５〉ｇ着層の作成条件を第４２表に示す数種の条件に変え、
それ以外は実施例７と同様の条件にて、第４３表に示す
複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例７と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例７と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例２６〉密着層の作成条件を第４４表に示す数種の条件に変え、
先導Ｔｉ層の作成条件を７３２５表に示す数種の条件に
変え、それ以外は実施例７と同様の条件にて、第４５表
に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例２７〉密着層の作成条件を第４４表に示す数種の条件に変え、
光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の条件に変え
、表面層の作成条件を第２８表に示す条件にて、第４６
表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例２８〉密着層の作成条件を第４４表に示す数ｆｌの条件に変え
、光導電層の作成条件を第２７表に示す数種の条件に変
え、表面層の作成条件を第３０表に示す条件にて、第４
７表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例２９〉ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３６表に示す０！種の
条件に変え、それ以外は実施例８と同様の条件にて、第
４８表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３０〉電荷注入阻止層の作成条件を第４９表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、それ以外は実施例８と同様の条件に
て、第５０表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例３１〉電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収居の作成条件を第３５．３８表に示す
数ｆ重の条件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示
す条件にて、’ｆｓ　５２表に示す複数のドラムを用意
した。

く実ｂＮ例３２〉電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す
条件にて、第５３表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例３３〉密着層の作成条件を第４４．５４表に示す数種の条件に
変え、それ以外は実施例９と同様の条件にて、第５５表
に示す複数のドラムを用１色した。

これらのドラムを実施例９と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例９と同様に、電子写真特性を十分に満足
するドラムが得られた。

〈実施例３４〉電荷７１人阻止層の作成条件を第５６表に示す数種の条
件に変え、密着層の作成条件を第４４．５７表に示す数
種の条件に変え、それ以外は実施例９と同様の条件にて
、第５８表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例３５〉電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、密着層の作成条件を第４４．５７表に示す数種
の条件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す条件
にて、第５９表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例３６〉電荷注入阻止層の作成条件を第２４表に示す数種の条件
に変え、密着層の作成条件を第４４．５７表に示す数種
の条件に変え、表面層の作成条件を第３０表に示す条件
にて、第６０表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例３７〉電荷注入阻止層の作成条件を第６１表に示す数種の条件
に変え、それ以外は実施例１０と同様の条件にて、第６
２表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例１Ｏと同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１０と同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例３８〉電荷注入阻止層の作成条件を第６４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件をｉ６３表に示す数種の条
件に変え、それ以外は実施例１０と同様の条件にて、第
６５表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例１０と同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１０と同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例３９〉電荷注入阻止層の作成条件を第６４表に示す数種の条件
に変え、光導ｉ層の作成条件を第６６表に示す数種の条
件に変え、表面層の作成条件を第２８表に示す条件にて
、第６７表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例１０と同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１Ｏと同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例４０〉電荷注入阻止層の作成条件を第６４表に示す数種の条件
に変え、光導電層の作成条件を第６６表に示す数種の条
件に変え、表面層の作成条件をＴＳ：＋ｏ表に示す条件
にて、第６８表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例４１〉電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、！Ｒ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数！Ｉの条件に変え、光導電層の作成条件を第６９表に
示す条件にして、表面層の作成条件を第７０表に示す条
件にて、第７１表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例４２〉電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第７２表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第７０表に示す条件
にて、ｙ、７３表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例８と同様の評価にかけた結果、
いずれも実施例８と同様に、電子写真特性を十分に（１
′４足するドラムが得られた。

〈実施例４３〉電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第６９表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第２８表に示す条件
にて、第７４表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例４４〉電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第７２表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第２８表に示す条件
にて、第７５表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例４５〉電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導電層の作成条件を第６９表に示
す条件にして、表面層の作成条件を第３０表に示す条件
にて、第７６表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例４６〉電荷注入阻止層の作成条件を第５１表に示す数種の条件
に変え、ＩＲ吸収層の作成条件を第３５．３８表に示す
数種の条件に変え、光導Ｎ、層の作成条件を第７２表に
示す条件にして、表面層の作成条件を第３０表に示す条
件にて、第７７表に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例４７〉電荷注入阻止層、光導電層の作成条件を第７８表に示す
条件にして、表面層の作成条件を第７９表に示す複数の
ドラムを用意した。

〈実施例４８〉ＩＲ吸収層、電荷注入阻止層、光導電層の作成条件をｉ
ａｏ表に示す条件にして、表面層の作成条件を第８１表
に示す複数のドラムを用意した。

〈実施例４９〉密着層、ＩＲ吸収層、電荷注入阻止層、先導Ｍｉ層の作
成条件を３ｉ８２表に示す条件にして、表面層の作成条
件を第８３表に示す複数のドラムを用意した。

これらのドラムを実施例１Ｇと同様の評価にかけた結果
、いずれも実施例１０と同様に、電子写真特性を十分に
満足するドラムが得られた。

〈実施例５０〉電荷注入阻止層、光導電層、中間層、表面層をそれぞれ
ＴＳ８４表に示す作成条件で、実施例１と同様にドラム
を作成し、同様の評価をかけた結果、実施例１と同様に
、きわめてすぐれた電子写真特性のドラムが得られた。

〈実施例Ｓｔ＞鏡面加工を施したシリンダーを更に様々な角度を持つ剣
バイトによる旋盤加工に供し、第３図のような断面形状
で第８５表のような種々の断面パターンを持つシリンダ
ーを複数本用意した。該シリンダーを順次第２図の製造
装Ｕにセットし、実施例１と同様の作成条件の基にドラ
ム作成に供した０作成されたドラムを実施例１と同様の
評価を行つた結果、いずれも実施例１と同様に、電子写
真特性を十分に満足するドラムが得られた。

〈実施例５２〉鏡面加工を施したシリンダーの表面を、引続き多数のベ
アリング円球の落下の基にさらしてシリンダー表面に無
数の打痕を生じせしめる、所謂表面ディンプル化処理を
施し、第４図のような断面形状で、第８６表のような種
々の断面パターンを持つシリンダーを複数本用意した。

該シリンダーを順次ＴＳ２図の製造装ににセットし、実
施例１と同様の作成条件の基にドラム作成に供した６作
成されたドラムを実施例１と同様の評価を行った結果、
いずれも実施例１と同様に、電子写真特性を第２０表＊表面心はＴＳ１表（ｂ）に従う（無印は第１表（ａ）
に従う）第２１表＊表面帰は第３表（ｂ）に従う（無印は第３表（ａｌ　
に従う）第２２表＊表面層は第１表（ｂ）に従う（無印はＴＳ１表（ａ）
に従う）第２３表＊１赫財詣Ｗ）”ｕｋ’：“０第２４表第２５表第３２表＊表面居は第８表（ｂ）に従う。

無印は第８表（ａ）　　に従う。

第　　３３　　表＊表面ＰＪＢを使用。

無印は表面届Ａを使用。

第　　３４　　表＊表面ＦＩＢを使用。

無印は表面層Ａを使用。

￥Ｓ３５表第　３５　表（つづき）第３６表第　３６　表（つづき）第　　３７　　表＊表面居は第１０表（ｂ）　に従う無印はＴＳｌＯ表（ａ）　　に従う第３８表第　３８　表（つづき）第３９表＊表面層は第１０表（ｂ）　に従う　　無印は′Ｍｔｏ
表（ａ）　に従う第４０　　表無印は表面層Ａを使用。

第４１表無印は表面層Ａを使用。

第４３表＊表面層は第１２表（ｂ）　　に従う無印は第１２表（ａ）　　に従う第４５表ｊ所印は第１２表（ａｌ　　にイ疋つ第４６表無印は表面１曽八７１史川。

′Ｍ４７表第　　４８　　表＊電荷注入阻止瑠と表面層は第１４表（ｂ）に従う。

無印は第１４表（ａ）　　に従う。

′ｆ％４９表第　　５０　表第５１表第５２表無印は表面層Ａを便用。

第５３表第５５表＊電荷注入阻止層と表面層は第１６表（ｂ）　に従う無
印は第１６表（ａ）　に従う第５６表第６１表第６２表第６４表第６５表無印は第１８表Ｌａｌ　に便つ第６７表第６８表無印は表面層Ａを使用。

第７１表無印は表面１ツＡを使用。

第７３表ノ！！…ｊは汲［ｒＤ虐Ａを使用。

第７４表無印は表面層Ａを使用。

第７５表無印は表面心へそ＋２川。

第　７６表＊は表面層Ｂを使用、無印は表面層Ａを使用。

第７７表＊は表面ＦＩＢを使用、無印は表面ｑＡをイ史用。

第８５表第８６表（発明の効果の概略）本発明の光受容部材は、価電子制御剤を含有する４配位
構造のＮｏｎ−ＢＮで構成された表面保護層を設けたこ
とにより、特に優れた耐湿性、連続繰り返し使用特性、
電気的耐圧性、使用環境特性及び耐久性等を有するもの
であり、本発明の光受容部材を電子写真用像形成部材と
して適用させた場合には、残留電位の影ぴが全くなく、
その電気的特性が安定しており、それを用いて得られた
画像は、画像流れ、ゴーストの発生、画像欠陥等のない
すぐれたものとなる。

【図面の簡単な説明】

第１（Ａ）〜（１）図は本発明の光受容部材の層構造の
典型例のいくつかを模式的に示した図であり、第２図は
本発明の光受容部材を製造するための装はの一例で、グ
ロー放電法による製造装置の模式的説明図である。第３
図及び第４図は、本発明の光受容部材の支持体の断面形
状の例を示す図である。１００・・・光受容部材、１０１・・・支持体、１０２
・・・先導電層、１０３・・・表面保護層、１０４・・
・電荷注入阻止層、１０５・・・長波長光吸収層、１０
６・・・密着層、１０７・・・自由表面、ｔｅａ・・・
中間層、２０１・・・反応室、２０２〜２０６％２４１
・・・ガスボンベ、２０７〜２１＋、２４２・・・マス
フロコントローラ、２１２〜２１６．２４３・・・流入
バルブ２１７〜２２１．２４４・・・流出バルブ、２２
２〜２２６．２４５・・・バルブ、２２７〜２３１．２
４６・・・圧力調整器、２３２．２３３・・・補助バル
ブ、２３４・・・メインバルブ、２３５・・・リークバ
ルブ２３６・・・真空計、２３７−・・基体シリンダー
、２３８・・・加熱ヒーター、２３９・・・モーター、
２４０・・・高周波電源／’％

Claims

【特許請求の範囲】

（１）支持体と、該支持体上に、シリコン原子を母体と
し、水素原子又はハロゲン原子のうちの少なくともいず
れか一方を含有するアモルファス材料で構成された光導
電層と、表面保護層とを少なくとも有する光受容層とか
らなる光受容部材において、前記表面保護層が、４配位
構造の窒化ホウ素を含有する非単結晶質材料で構成され
ており、かつ価電子制御剤を含有していることを特徴と
する光受容部材。
（２）前記光受容層が、３層以上の多層構成である特許
請求の範囲第（１）項に記載された光受容部材。
（３）前記光受容層が、電荷注入阻止層を有する特許請
求の範囲第（２）項に記載された光受容部材。
（４）前記光受容層が、長波長光吸収層を有する特許請
求の範囲第（２）項に記載された光受容部材。
（５）前記光受容層が、接着性を改善する機能を備えた
接着層を有する特許請求の範囲第（２）項に記載された
光受容部材。
（６）前記光導電層と前記表面保護層との間に中間層を
有する特許請求の範囲第二項に記載された光受容部材。