JPS6022132A - 積層感光体およびその製造方法 - Google Patents
積層感光体およびその製造方法Info
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- JPS6022132A JPS6022132A JP12940283A JP12940283A JPS6022132A JP S6022132 A JPS6022132 A JP S6022132A JP 12940283 A JP12940283 A JP 12940283A JP 12940283 A JP12940283 A JP 12940283A JP S6022132 A JPS6022132 A JP S6022132A
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- hydrogen
- amorphous silicon
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- laminated photoreceptor
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14704—Cover layers comprising inorganic material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は複写機、Ｖ−ザプリンタ等に用いられる感光体
に係り、特に耐環境性を改良した長寿命の非晶質シリコ
ン感光体に関する。
に係り、特に耐環境性を改良した長寿命の非晶質シリコ
ン感光体に関する。
従来、電子写真感光体として用いられる光導電性材料は
ｓｅ、ｃａｓ、ｚｎｏなどの無機物やポリビニールカル
バゾール系の有機物である。これらの材料は感度は良好
であるが表面硬度が十分でないため使用中に表面に傷が
つき印刷物の画像を悪化させるという欠点がある。この
欠点を改良するために極めて硬い、水素を含む非晶質シ
リコンを感光体として用いることが提案された（清水：
２７回応用物理連合会講演予稿集Ｐ４０９（１９７９）
）。この感光体は４００〜７ＱＱｍｍに感度を有するた
め、複写機又はＨｅ−Ｃｄ。
ｓｅ、ｃａｓ、ｚｎｏなどの無機物やポリビニールカル
バゾール系の有機物である。これらの材料は感度は良好
であるが表面硬度が十分でないため使用中に表面に傷が
つき印刷物の画像を悪化させるという欠点がある。この
欠点を改良するために極めて硬い、水素を含む非晶質シ
リコンを感光体として用いることが提案された（清水：
２７回応用物理連合会講演予稿集Ｐ４０９（１９７９）
）。この感光体は４００〜７ＱＱｍｍに感度を有するた
め、複写機又はＨｅ−Ｃｄ。
１（ｅ −Ｎ ｅ等のレーザを光源とする光７ヤンタゾ
リンタ（例えば液晶シャッタ、薄膜磁性ガーネツトシャ
ツタ）等に用いられている。
リンタ（例えば液晶シャッタ、薄膜磁性ガーネツトシャ
ツタ）等に用いられている。
プリンタ用感光体として使用する場合、帯電の際表面に
所望の電、Ｍｔ−帯電させる電荷搬送層と基板からの電
荷の注入を阻止し、表面電荷の減衰を防ぐ電荷注入阻止
層および露光の際光照射で効率よく正孔、電子を生成さ
せる電荷発生階から構成される。水素を含む非晶質シリ
コンは電荷発生層および電荷搬送層に用いられるがそれ
ぞれの目的に応じてその特性も異なる。即ち電荷発生層
は高感度膜でなけれはならないし、電荷搬送層は高抵抗
膜でなけれはならない。そのため非晶質シリコン中の水
素量を変えることが必要でめった。しかし、必要な特性
をえるための水素量は明確でなかった。
所望の電、Ｍｔ−帯電させる電荷搬送層と基板からの電
荷の注入を阻止し、表面電荷の減衰を防ぐ電荷注入阻止
層および露光の際光照射で効率よく正孔、電子を生成さ
せる電荷発生階から構成される。水素を含む非晶質シリ
コンは電荷発生層および電荷搬送層に用いられるがそれ
ぞれの目的に応じてその特性も異なる。即ち電荷発生層
は高感度膜でなけれはならないし、電荷搬送層は高抵抗
膜でなけれはならない。そのため非晶質シリコン中の水
素量を変えることが必要でめった。しかし、必要な特性
をえるための水素量は明確でなかった。
又これらのプリンタは従来９調された部屋で使用される
のが常であったが、顧客の多様化に伴い一般の空調され
ない部屋でも使用されるようになってきた。従って、プ
リンタには幅広い環境下での使用に耐えられることが要
請される。このことを感光体にあてはめると高温、高湿
という悪条件でも十分機能することが必要となってきた
。ところで高硬度であるため長寿命と考えられている非
晶質シリコン感光体も高湿下では必ずしも十分機能する
とは言えない（例えは、清水、工業材料３０．５ （１
９８２）Ｐ２４１゜従りて、上記感光体を真に長寿命感
光体とするためには耐湿性を改良しなければならない。
のが常であったが、顧客の多様化に伴い一般の空調され
ない部屋でも使用されるようになってきた。従って、プ
リンタには幅広い環境下での使用に耐えられることが要
請される。このことを感光体にあてはめると高温、高湿
という悪条件でも十分機能することが必要となってきた
。ところで高硬度であるため長寿命と考えられている非
晶質シリコン感光体も高湿下では必ずしも十分機能する
とは言えない（例えは、清水、工業材料３０．５ （１
９８２）Ｐ２４１゜従りて、上記感光体を真に長寿命感
光体とするためには耐湿性を改良しなければならない。
本改良方法として、有機物をシーバーコードする方法が
あるが、オーバーコートと水素を含んだ非晶質シリコン
との密着性の問題および水素を含んだ非晶質シリコンが
本来もっている高硬度という最大のメリツ）１−低減さ
せる欠点があった。
あるが、オーバーコートと水素を含んだ非晶質シリコン
との密着性の問題および水素を含んだ非晶質シリコンが
本来もっている高硬度という最大のメリツ）１−低減さ
せる欠点があった。
従って本発明の目的は膜中のシリコンと水素の組成比を
制御した非晶質シリコン感光層上に無機絶縁物層を積層
して針術性を改良し、長寿命化を計った機能分離型のプ
リンタ用積層感光体を提供することにある。
制御した非晶質シリコン感光層上に無機絶縁物層を積層
して針術性を改良し、長寿命化を計った機能分離型のプ
リンタ用積層感光体を提供することにある。
従来、非晶質シリコンはＳｉＨ４ガスの分解によるグロ
ー放°鴫法、水素を含む雰囲気中におけるシリコンのス
パッタ法或いはイオンブレーティング法により作製され
ている。上記方法で作製された膜の共通する特徴はいず
れも多量の水素を含んでいることである。この膜中の水
素がシリコンの未結合ボンドを終端し、シリコンのバン
ドギャップ内の局在準位数を低減させ、光導電性を良好
にしている。前述したように、プリンタ用感光体として
使用する場合、光導電性の優れた非晶質シリコンだけで
は適用しきれない。そのため機能分離型の４層構造の積
層感光体が必要となる。即ち、先ず金属電極上に厚さ０
．１μｍ程度の電荷注入阻止層を設けることにより金属
電極から感光層への電子流入を防ぐ。第２層としてコピ
ーに使う場合、第３図で印字濃度１．１以上必要である
。そのため３００ボルト以上の表［１電位を得るために
第４図より１０１″Ωｃｍ以上の萬暗抵抗を有する水素
を含んだ非晶質シリコン層が電荷搬送層として必要とな
る。そこで、第５図、第７図から判るように膜中の水素
量ｔ−１０ｍ以上としなければならないことが判る。又
、上記水素を含む非晶質シリコン層は厚さ１μｍ当たり
３０から６０Ｖの帯電性があるので電荷搬送層の厚さは
１０μｍ以上としなけれはならない。第３層には、電荷
搬送層の水素量とは異なる非晶質シリコン層を設け、１
０１丁当たり０．４ｍ” の高感度を有する電荷発生層
を設ける。高感度特性金有するためには、第６．７図よ
り膜中の水素量を６から９−の範囲内としなければなら
ないことが判る。又、゛１衝発生層の厚さとしては、プ
リンタに使用するＶ−ザ光の吸収係数が１０５から１０
’ｃｍ−１であるので吸収深さよりまり、０．４から１
μｍとしなけれはならない。
ー放°鴫法、水素を含む雰囲気中におけるシリコンのス
パッタ法或いはイオンブレーティング法により作製され
ている。上記方法で作製された膜の共通する特徴はいず
れも多量の水素を含んでいることである。この膜中の水
素がシリコンの未結合ボンドを終端し、シリコンのバン
ドギャップ内の局在準位数を低減させ、光導電性を良好
にしている。前述したように、プリンタ用感光体として
使用する場合、光導電性の優れた非晶質シリコンだけで
は適用しきれない。そのため機能分離型の４層構造の積
層感光体が必要となる。即ち、先ず金属電極上に厚さ０
．１μｍ程度の電荷注入阻止層を設けることにより金属
電極から感光層への電子流入を防ぐ。第２層としてコピ
ーに使う場合、第３図で印字濃度１．１以上必要である
。そのため３００ボルト以上の表［１電位を得るために
第４図より１０１″Ωｃｍ以上の萬暗抵抗を有する水素
を含んだ非晶質シリコン層が電荷搬送層として必要とな
る。そこで、第５図、第７図から判るように膜中の水素
量ｔ−１０ｍ以上としなければならないことが判る。又
、上記水素を含む非晶質シリコン層は厚さ１μｍ当たり
３０から６０Ｖの帯電性があるので電荷搬送層の厚さは
１０μｍ以上としなけれはならない。第３層には、電荷
搬送層の水素量とは異なる非晶質シリコン層を設け、１
０１丁当たり０．４ｍ” の高感度を有する電荷発生層
を設ける。高感度特性金有するためには、第６．７図よ
り膜中の水素量を６から９−の範囲内としなければなら
ないことが判る。又、゛１衝発生層の厚さとしては、プ
リンタに使用するＶ−ザ光の吸収係数が１０５から１０
’ｃｍ−１であるので吸収深さよりまり、０．４から１
μｍとしなけれはならない。
第４鳩としては、表面′電荷の横流れおよび下層への電
荷流入を防止するため比抵抗値が１０Ｉ３０−〇ｌｒ１
以上の特性を有する保護層が必要である。さらに保護層
としては別の機能もなければならない。
荷流入を防止するため比抵抗値が１０Ｉ３０−〇ｌｒ１
以上の特性を有する保護層が必要である。さらに保護層
としては別の機能もなければならない。
保護層のない水素を含んだ非晶質シリコンを感光体とし
て常温、低湿（例えば２０Ｃ，６０％ＲＨ）で印写を行
なうと高品質の画質が得られるが、高温、高湿（例えは
３５℃、８０１ＲＨ）で冥験丁ると解像度が極度に低下
する。これは、高湿下では水素を含む非晶質シリコン表
面上に水分が吸着し、表面抵抗が低下し、表面に蓄えら
れたコロナ帯電電荷が沿面上に流れるためと考えられる
。水との飾れ性を表わす水との接触角を他の感光体と比
較すると以下のようになる。即ち、高湿下でも解像度が
低下しないＢｅ感光体は６９°ｌ Ａ ８９ Ｓ ｅ
ｌは７３°、有機光導゛電体は７８°である。他方、水
素を含む非晶質シリコン感光体は４２° と前記感光体
に比べ低く、水に非常に滴れ易い。そのためにも感光体
六面に水との接触角が４５°以上の大きい材料を被覆し
て耐湿性の改善を計った。
て常温、低湿（例えば２０Ｃ，６０％ＲＨ）で印写を行
なうと高品質の画質が得られるが、高温、高湿（例えは
３５℃、８０１ＲＨ）で冥験丁ると解像度が極度に低下
する。これは、高湿下では水素を含む非晶質シリコン表
面上に水分が吸着し、表面抵抗が低下し、表面に蓄えら
れたコロナ帯電電荷が沿面上に流れるためと考えられる
。水との飾れ性を表わす水との接触角を他の感光体と比
較すると以下のようになる。即ち、高湿下でも解像度が
低下しないＢｅ感光体は６９°ｌ Ａ ８９ Ｓ ｅ
ｌは７３°、有機光導゛電体は７８°である。他方、水
素を含む非晶質シリコン感光体は４２° と前記感光体
に比べ低く、水に非常に滴れ易い。そのためにも感光体
六面に水との接触角が４５°以上の大きい材料を被覆し
て耐湿性の改善を計った。
第１図は、本発明の製造に用いるスパッタ装置の構成の
一例を示す。真空槽内に二つのスパッタ源、即ちイオン
源１と高速スパッタ源２を有する。
一例を示す。真空槽内に二つのスパッタ源、即ちイオン
源１と高速スパッタ源２を有する。
膜厚の薄い電荷注入阻止層、電荷発生層および保護層は
イオン源により、又膜の厚い電荷搬送層は高速スパッタ
源により感光体音簡単に製造できる。
イオン源により、又膜の厚い電荷搬送層は高速スパッタ
源により感光体音簡単に製造できる。
イオン源によりスパッタリングではターゲットを４種類
とりつけられ、回転によりターゲット交換が可能となる
。従って真！２を破らずに、積層感光体の製造が簡単に
できる。又、躾への水素のドーピングはスパッタ源１．
２にマス・フローコントローラ３．４を通し１混合ガス
によるスパッタリングにより、又イオン源５より水素ガ
スｔＳ人しでイオンビームを発生させることにより行な
う。
とりつけられ、回転によりターゲット交換が可能となる
。従って真！２を破らずに、積層感光体の製造が簡単に
できる。又、躾への水素のドーピングはスパッタ源１．
２にマス・フローコントローラ３．４を通し１混合ガス
によるスパッタリングにより、又イオン源５より水素ガ
スｔＳ人しでイオンビームを発生させることにより行な
う。
実施例
第１図における基板８にはヒータ９により最大８００℃
まで基板を加熱できる。
まで基板を加熱できる。
第４．５，６，８．９図は下ｌビスバッタリング条件下
で膜形成した厚さ５μｍの水素を含んだ非晶質シリコン
膜の緒特性を示す。
で膜形成した厚さ５μｍの水素を含んだ非晶質シリコン
膜の緒特性を示す。
１葡注入阻止１−１亀荷発生層および保賎層は第１図の
スパッタリンク用イオン源１により膜作製した。ターゲ
ット７はそれぞれの目的に応じ４９類つけている。
スパッタリンク用イオン源１により膜作製した。ターゲ
ット７はそれぞれの目的に応じ４９類つけている。
ターゲット ｓｉｏ□Ｓｒ、ｈｔ、ｏ、、ｓＮ到達Ｘ窒
度 ５ｘｘｏ−”ｒａｒｒ 以下基板 Ａｔ板、鏡面仕
上は 加速゛電圧 ６００ボルト 基板温度 ２００℃ 基板−ターゲント間距離 ５ＱＩｎｍ 基板ホルダー回転 ５ＰＰＭ プレスパツタ時間 ３０分 シリコン膜への水素のドーピングＬ混合ガスにより膜作
製中に行なったり、ドーピング用イオン詠２を使用して
行なっている。この時の加速電圧は６００Ｖである。又
、電荷搬送層の場合膜が厚いので高速スパッタ源２によ
り膜作製した。
度 ５ｘｘｏ−”ｒａｒｒ 以下基板 Ａｔ板、鏡面仕
上は 加速゛電圧 ６００ボルト 基板温度 ２００℃ 基板−ターゲント間距離 ５ＱＩｎｍ 基板ホルダー回転 ５ＰＰＭ プレスパツタ時間 ３０分 シリコン膜への水素のドーピングＬ混合ガスにより膜作
製中に行なったり、ドーピング用イオン詠２を使用して
行なっている。この時の加速電圧は６００Ｖである。又
、電荷搬送層の場合膜が厚いので高速スパッタ源２によ
り膜作製した。
ターゲット シリコン
入力パワー ５００Ｗ
プレスパツタ時間 １時間
この時も膜への水素のドーピングは前記手段で行なった
。
。
又、第７図には水嵩ｍ度とＡｒガスと水素ガス比との関
係を示す。第６．７図の結果より、水素濃度が７ｓの時
光導電率は最も大きくｉｏ−’Ω−１ｃｍ”となり電荷
発生層に適することが判る。この際、水素は非晶質シリ
コンの構造で未結合のシリコンと結合し、５ｉ−Ｈ結合
を作っていることは別途確認してめる゛。そのことより
光導電率が大きくなるのは未結合のシリコンが５ｉ−Ｈ
結合に置換されているものと予想される。
係を示す。第６．７図の結果より、水素濃度が７ｓの時
光導電率は最も大きくｉｏ−’Ω−１ｃｍ”となり電荷
発生層に適することが判る。この際、水素は非晶質シリ
コンの構造で未結合のシリコンと結合し、５ｉ−Ｈ結合
を作っていることは別途確認してめる゛。そのことより
光導電率が大きくなるのは未結合のシリコンが５ｉ−Ｈ
結合に置換されているものと予想される。
ところが、電荷発生層を犀くしていくと感度が低下し、
正孔、 ’に子の生成が劣化する。それを調べたのが第
８図である。ここで、Ａｒガスと水素ガス比ｆｔ０．２
とし、水素濃度は７チになるようにした。感度として、
高ければ＾い程良好である。
正孔、 ’に子の生成が劣化する。それを調べたのが第
８図である。ここで、Ａｒガスと水素ガス比ｆｔ０．２
とし、水素濃度は７チになるようにした。感度として、
高ければ＾い程良好である。
この結果より、電荷発生層の厚さは最大感度の９０−以
上である０、４から１．０ミクロンの範囲が適している
ことが判る。
上である０、４から１．０ミクロンの範囲が適している
ことが判る。
次に電荷搬送層について検討した。前記スパッタリング
条件下でＡｔガスと水素ガス比を０．４即ち水素濃匿會
１２１として堆積させた膜について表面電位と厚さとの
関係を調べたのが第９図である。ここで、水素は非晶質
シリコンで未結合のシリコンと結合し５ｉ−Ｈ，結合を
作り高暗抵抗となっていると思われる。この結果より、
コピーするのに必要な３００ボルト以上の表面電位を得
るには１０ミクロン以上の厚さを要する。
条件下でＡｔガスと水素ガス比を０．４即ち水素濃匿會
１２１として堆積させた膜について表面電位と厚さとの
関係を調べたのが第９図である。ここで、水素は非晶質
シリコンで未結合のシリコンと結合し５ｉ−Ｈ，結合を
作り高暗抵抗となっていると思われる。この結果より、
コピーするのに必要な３００ボルト以上の表面電位を得
るには１０ミクロン以上の厚さを要する。
次に、保護層の有無による印字実験をした。印字実験は
コロナ電圧−５，５ＫＶｔ”かけてコロナ帯電させ白色
光による露光により行なった。又、保護層の有無に関係
のある環境条件として２０℃。
コロナ電圧−５，５ＫＶｔ”かけてコロナ帯電させ白色
光による露光により行なった。又、保護層の有無に関係
のある環境条件として２０℃。
５０チＲＨおよび３５０℃、８０チ几Ｈ金用いた。
水素を含んだ非晶質シリコン層では３５０℃。
８０チ几Ｈの高湿下で解像度の低下が著しかった。
そのため、保護層として種々の酸化物、電化物。
炭化物を検討した。予備検討として、ガラス基板上に上
記絶縁物全堆積し、水との接触角をめた。
記絶縁物全堆積し、水との接触角をめた。
その結果を表１に示す。この結果より非晶質シリコンよ
り水との接触角の大きい材料であるＡ４０ｓ 。
り水との接触角の大きい材料であるＡ４０ｓ 。
５ｉ３Ｎ、、ＢＮ、ｓ ｉｃを選択し、保護層として上
記絶縁膜を０．１μｍ積層し印字実験を行なった。
記絶縁膜を０．１μｍ積層し印字実験を行なった。
保護層を設けた感光体では、電荷発生層の感度がいく分
低下するため白地がかぶるが、高湿度下での解像度の低
下は防止できた。
低下するため白地がかぶるが、高湿度下での解像度の低
下は防止できた。
表１
〔発明の効果〕
本発明によれば、水素とシリコンの組成比を制御した非
晶質シリコンの高密度膜を堆積でき、さらに保護層によ
り耐湿性に優れた感光体を作製できるので超高速でしか
も環境を選ばないプリンタに対処できる。
晶質シリコンの高密度膜を堆積でき、さらに保護層によ
り耐湿性に優れた感光体を作製できるので超高速でしか
も環境を選ばないプリンタに対処できる。
第１図は本発明の製造方法に使用されるスパッタリング
装置の一例を示す構成図、第２図は機能分離型積層感光
体の断面図、第３図はコピーの印字濃度と表面電位との
関係を示す線図、第４図は膜抵抗とその膜が厚さ１０μ
ｍ時での表面電位との関係を示す線図、第５図は水素を
含んだ非晶質シリコンの抵抗と水素濃度との関係を示す
線図、第６図は水素を含んだ非晶質シリコンの光導電率
と膜作製時のＡｒガスと水素ガス比との関係を示す線図
、第７図は水素濃度とＡｒガスと水素ガス比との関係を
示す線図、第８図は感度と水素７係を含んだ非晶質シリ
コン層の犀さとの関係を示す線図、第９図は表面電位と
水素１２チを含んた非晶質シリコン層の厚さとの関係を
示す線図である。 １・・・スパッタリング用イオン源、２・・・高速スパ
ッタ源、３・・・マスフローを通してのＡｔガスと水素
ガスの混合ガス、４・・・基板を回転するモータ、５・
・・ドーピング用イオン源、６・・・ターゲットホルダ
、７・・・ターゲット、８・・・基板、９・・・ヒータ
、１０・・・基板ホルダ、２０・・・感光ドラム、２１
・・・金属電極、２２・・・電荷注入阻止層、２３・・
・電荷搬送層、２４・・・電荷発生層、２５・・・保護
層。 代理人 弁理士 尚橋明夫 拓２０ 姪 旨 第３０ 表面室イＬ（ｖ ’） 第４０ 心ｌｏｐ重峙つ表面電値（Ｖ） 裾５０ Ａｒ力パスヒ７に素力゛′ス七巳 第６０ ＡＹがχと７に素力゛ス［ヒ Ｈｘ／（Ａ台ｔ％）拓ｑ
国 Ａｙガ又と氷、ｆがス比 ＨシぐＡ、＋Ｈ２）第８０ 電荷発生層の４さ （Ｐ′Ｉｎ） 垢ｑ口 電荷撤１層の４発 （声１） 日立市幸町３丁目１番１号株式 ％式％ 日立市幸町３丁目１番１号株式 会社日立製作所日立研究所内 ０発 明 者 華園雅信 日立市幸町３丁目１番１号株式 ％式％
装置の一例を示す構成図、第２図は機能分離型積層感光
体の断面図、第３図はコピーの印字濃度と表面電位との
関係を示す線図、第４図は膜抵抗とその膜が厚さ１０μ
ｍ時での表面電位との関係を示す線図、第５図は水素を
含んだ非晶質シリコンの抵抗と水素濃度との関係を示す
線図、第６図は水素を含んだ非晶質シリコンの光導電率
と膜作製時のＡｒガスと水素ガス比との関係を示す線図
、第７図は水素濃度とＡｒガスと水素ガス比との関係を
示す線図、第８図は感度と水素７係を含んだ非晶質シリ
コン層の犀さとの関係を示す線図、第９図は表面電位と
水素１２チを含んた非晶質シリコン層の厚さとの関係を
示す線図である。 １・・・スパッタリング用イオン源、２・・・高速スパ
ッタ源、３・・・マスフローを通してのＡｔガスと水素
ガスの混合ガス、４・・・基板を回転するモータ、５・
・・ドーピング用イオン源、６・・・ターゲットホルダ
、７・・・ターゲット、８・・・基板、９・・・ヒータ
、１０・・・基板ホルダ、２０・・・感光ドラム、２１
・・・金属電極、２２・・・電荷注入阻止層、２３・・
・電荷搬送層、２４・・・電荷発生層、２５・・・保護
層。 代理人 弁理士 尚橋明夫 拓２０ 姪 旨 第３０ 表面室イＬ（ｖ ’） 第４０ 心ｌｏｐ重峙つ表面電値（Ｖ） 裾５０ Ａｒ力パスヒ７に素力゛′ス七巳 第６０ ＡＹがχと７に素力゛ス［ヒ Ｈｘ／（Ａ台ｔ％）拓ｑ
国 Ａｙガ又と氷、ｆがス比 ＨシぐＡ、＋Ｈ２）第８０ 電荷発生層の４さ （Ｐ′Ｉｎ） 垢ｑ口 電荷撤１層の４発 （声１） 日立市幸町３丁目１番１号株式 ％式％ 日立市幸町３丁目１番１号株式 会社日立製作所日立研究所内 ０発 明 者 華園雅信 日立市幸町３丁目１番１号株式 ％式％
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、スパッタリング法による積層感光体の製造方法にお
いて、水素を含む非晶質シリコン感光層全形成する工程
と同−Ｊｌ真空槽内で無機絶縁物層を形成する工程と全
含み、金属電極上に電荷注入阻止層、電荷搬送層、電荷
発生層および保護層よりなることを特徴とする積層感光
体の製造方法。 ２、水素を含む非晶質シリコン感光層において、ドーピ
ング水素量が６から９％の範囲内で厚さが０．４から１
ミクロンの電荷発生層とドーピング水素量が１０係以上
の範囲で厚さが１０ミクロン以上の電荷搬送層からなる
こと全特徴とする積層感光体。 ３、無機絶縁物層において水との接触角が４５゜以上の
保護層であること金％徴とする特許請求の範囲第２項記
載の積層感光体。− ４、保護層はＡ−Ｌ＊Ｏｓ ＋ ５ｊＢＮ４ 、 ＢＮ
およびＳｉＣのうち少なくとも一つよりなることを特徴
とする特許請求の範囲第３項記載の積層感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12940283A JPS6022132A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | 積層感光体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12940283A JPS6022132A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | 積層感光体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6022132A true JPS6022132A (ja) | 1985-02-04 |
Family
ID=15008667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12940283A Pending JPS6022132A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | 積層感光体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6022132A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6187159A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-02 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| EP0226207A2 (en) * | 1985-12-20 | 1987-06-24 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Photosensitive member for use in electrophotography |
| JPS62265669A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-18 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JPS62265668A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-18 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JPS62267760A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-20 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JPS63210313A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-09-01 | Nippon Kensetsu Kikaika Kyokai | ニユ−マチツクケ−ソンの刃口下掘削機 |
| JPH01156756A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPH01243067A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-27 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| US6171742B1 (en) | 1998-04-30 | 2001-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Photosensitive member to be used for image-forming apparatus and image-forming apparatus comprising such photosensitive member |
-
1983
- 1983-07-18 JP JP12940283A patent/JPS6022132A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6187159A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-02 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH0462579B2 (ja) * | 1984-10-05 | 1992-10-06 | Fuji Electric Co Ltd | |
| EP0226207A2 (en) * | 1985-12-20 | 1987-06-24 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Photosensitive member for use in electrophotography |
| JPS62265669A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-18 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JPS62265668A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-18 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JPS62267760A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-20 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JPS63210313A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-09-01 | Nippon Kensetsu Kikaika Kyokai | ニユ−マチツクケ−ソンの刃口下掘削機 |
| JPH0477766B2 (ja) * | 1987-02-26 | 1992-12-09 | Nippon Kensetsu Kikaika Kyokai | |
| JPH01156756A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPH01243067A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-27 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| US6171742B1 (en) | 1998-04-30 | 2001-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Photosensitive member to be used for image-forming apparatus and image-forming apparatus comprising such photosensitive member |
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