JPS6381366A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS6381366A JPS6381366A JP22786086A JP22786086A JPS6381366A JP S6381366 A JPS6381366 A JP S6381366A JP 22786086 A JP22786086 A JP 22786086A JP 22786086 A JP22786086 A JP 22786086A JP S6381366 A JPS6381366 A JP S6381366A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は電子写真感光体に関し、詳しくは。
特定の表面保護層を設けたセレン系電子写真感光体に関
する。
する。
現在、最も高感度な電子写真感光体はＳｅ系特に５ｓ−
Ａｓ系（Ａｓ、Ｓｅ、）感光体であるが。
Ａｓ系（Ａｓ、Ｓｅ、）感光体であるが。
実使用時に次のような問題点例えば
ｉ）感光体表面のＳｅ層がむき出しになっているため、
実使用中ペーパージャム等で簡単にキズがつき耐久性に
乏しい上、コピー面に白スジが発生しやすい。
実使用中ペーパージャム等で簡単にキズがつき耐久性に
乏しい上、コピー面に白スジが発生しやすい。
ｉｔ） 複写材内（現像剤、クリーニング部材等）或
いは使用環境中に存在する特殊な化学物質等の吸着・汚
染により地汚れ１画像流れ等の異常画像を発生する。
いは使用環境中に存在する特殊な化学物質等の吸着・汚
染により地汚れ１画像流れ等の異常画像を発生する。
ｍ）同様に実使用中、転写紙、クリーニング部。
現像部等により摩擦を受けＳｅ層が摩耗し。
コピー上にＳｅが付着・排出されることにより公害が心
配される。
配される。
ｉｖ） 特に５ｅ−Ａｓ系感光体の場合、蒸着直後で
は表面抵抗が十分に大きくなく、そのままでは帯電電位
が不足する場合がある。
は表面抵抗が十分に大きくなく、そのままでは帯電電位
が不足する場合がある。
等が指摘されている。
もっとも、 Ｓｅ層上に樹脂保護層を設けるようにし
た電子写真感光体も知られてはいるが。
た電子写真感光体も知られてはいるが。
耐久性に難点があり、また感度を低下させたり、残留電
位を増加させたりして良好なものが得られていないのが
実情である。
位を増加させたりして良好なものが得られていないのが
実情である。
本発明の第１の目的は、 Ｓｅ系感光体の特性を生かし
つつ前記従来の欠点を解消し高感度、高帯電性でなおか
つ高耐久性のある（耐摩耗性に富んだ）電子写真感光体
を提供するものである０本発明の第２の目的は、耐環境
性に富み。
つつ前記従来の欠点を解消し高感度、高帯電性でなおか
つ高耐久性のある（耐摩耗性に富んだ）電子写真感光体
を提供するものである０本発明の第２の目的は、耐環境
性に富み。
更にはトナーフィルミング、材料汚染等の影響を受けに
くい電子写真感光体を提供するものである。本発明の第
３の目的は耐溶剤性にすぐれているとともに無公害の（
Ｓｅ等の排出のない）電子写真感光体を提供するもので
ある。本発明の第４の目的は、感光体作製後に、安定化
等の特別な後処理を施す必要のない電子写真感光体を提
供するものである。
くい電子写真感光体を提供するものである。本発明の第
３の目的は耐溶剤性にすぐれているとともに無公害の（
Ｓｅ等の排出のない）電子写真感光体を提供するもので
ある。本発明の第４の目的は、感光体作製後に、安定化
等の特別な後処理を施す必要のない電子写真感光体を提
供するものである。
本発明は導電性支持体上に少なくともＳｅを含む感光層
を設け、さらにその上に保護層を設けて電子写真感光体
において、該保護層が少なくともＳＬ及びＣを含む非晶
質材料で形成されていることを特徴としている。
を設け、さらにその上に保護層を設けて電子写真感光体
において、該保護層が少なくともＳＬ及びＣを含む非晶
質材料で形成されていることを特徴としている。
ちなみに５本発明者らはＳｉとＣとを含む非晶質体薄膜
を使用すれば、電気的特性及び耐久性が充分満足しうる
ものとなり、かつ、前記他の目的も達成しうろことを確
めた０本発明はそれらに基づいてなされたものである。
を使用すれば、電気的特性及び耐久性が充分満足しうる
ものとなり、かつ、前記他の目的も達成しうろことを確
めた０本発明はそれらに基づいてなされたものである。
以下に本発明を添付の図面に従がいながらさらに詳細に
説明する０図面（第１図）において。
説明する０図面（第１図）において。
１は導電性支持体、２は感光層、３は保護層（表面保護
層）である。なお、導電性支持体１と感光体２との間に
は、必要に応じて下引き層が設けられていてもよい。
層）である。なお、導電性支持体１と感光体２との間に
は、必要に応じて下引き層が設けられていてもよい。
本発明感光体の各層の素材、機能等については次のとお
りである。
りである。
イ）導電性支持体
通常、電子写真で用いられる支持体は全て使用でき、表
面を処理（酸化処理、エツチング等）したものも使用で
きる。
面を処理（酸化処理、エツチング等）したものも使用で
きる。
口）感光層
Ｓｅを含む感光層であれば単層でも積層であってもよい
、また、感光層の処方は特に限定されないが、保護膜の
積層方法によっては感光層を高温（１００℃以上）に保
たねばならない場合もあり、高温下でも変質を起こさな
いもの、即ち、ガラス転移点（Ｔｇ） １００℃以上の
ものが望ましい。例えばＡｓ、Ｓｅ、のＴｇは約１８０
℃であり、Ａｓ ５ｅＬ−（０，３＜ ｙ ＜０．５）
でｙｙ −一 あればＴ ｇ＞ １００℃となる。感、光層は通常は真
空蒸着法によって作製され、膜厚は１０〜１００μｍ好
ましくは３０〜７０μ腸である。
、また、感光層の処方は特に限定されないが、保護膜の
積層方法によっては感光層を高温（１００℃以上）に保
たねばならない場合もあり、高温下でも変質を起こさな
いもの、即ち、ガラス転移点（Ｔｇ） １００℃以上の
ものが望ましい。例えばＡｓ、Ｓｅ、のＴｇは約１８０
℃であり、Ａｓ ５ｅＬ−（０，３＜ ｙ ＜０．５）
でｙｙ −一 あればＴ ｇ＞ １００℃となる。感、光層は通常は真
空蒸着法によって作製され、膜厚は１０〜１００μｍ好
ましくは３０〜７０μ腸である。
ハ）表面保護層
表面保護層に要求される機能としては
■機械的強度（硬度、耐摩耗性）が高い。
■感光層との密着性が良い。
■耐環境、耐化学薬品性に富む。
■感光層有効波長域での光透過率が高い。好ましくは反
射防止効果がある。（空気の屈折率（ｎ、）＜保護層屈
折率（ｎ、）＜感光層の屈折率（ｎ２）の関係において
、Ｓｅ系感光材料の屈折率は２．５〜３程度であるから
、ｌくｎｌ＜２．５を満足するものが好ましい、）■残
留電位を増加させたり、蓄積させたりしない。
射防止効果がある。（空気の屈折率（ｎ、）＜保護層屈
折率（ｎ、）＜感光層の屈折率（ｎ２）の関係において
、Ｓｅ系感光材料の屈折率は２．５〜３程度であるから
、ｌくｎｌ＜２．５を満足するものが好ましい、）■残
留電位を増加させたり、蓄積させたりしない。
などがあげられる。
こうした条件を満足する材料として非晶質炭化シリコン
（ａ−８ｉ、、−Ｃ： Ｘ＝０．４〜０．９９）が
ｘ 選択される。第３添加物（Ｉ−（、Ｆ、Ｃ１ｌ、Ｂ、Ｐ
など）を含んでいてもよい。この表面保護層の硬度は、
ヴイッカス硬度で１０００〜３０００程度であり、５０
０〜８００ｎｍの波長域での分光透過率は８５％以上で
ある。積層方法は特に限定されないが、グロー放電分解
法、光ＣＶＤ法等が好適といえる。膜厚は５０人〜２μ
ｍ好ましくは２００人〜１μｍ、最適には５００〜５０
００人である。
（ａ−８ｉ、、−Ｃ： Ｘ＝０．４〜０．９９）が
ｘ 選択される。第３添加物（Ｉ−（、Ｆ、Ｃ１ｌ、Ｂ、Ｐ
など）を含んでいてもよい。この表面保護層の硬度は、
ヴイッカス硬度で１０００〜３０００程度であり、５０
０〜８００ｎｍの波長域での分光透過率は８５％以上で
ある。積層方法は特に限定されないが、グロー放電分解
法、光ＣＶＤ法等が好適といえる。膜厚は５０人〜２μ
ｍ好ましくは２００人〜１μｍ、最適には５００〜５０
００人である。
かくして製造された電子写真感光体は乾式及び湿式複写
機に使用できるだけでなく、ＮＩＰ法にも適用可能であ
る。
機に使用できるだけでなく、ＮＩＰ法にも適用可能であ
る。
次に実施例を示す。
実施例１
下記の手順に従ってＡＱ支持体上に真空蒸着法によりＡ
！ｌ、 Ｓ ８３感光層を蒸着し、その上にグロー放
電分解法によりアモルファス構造のａ−８ｉ０．５Ｇ０
．５：Ｈ膜を積層して電子写真感光体を作製した。
！ｌ、 Ｓ ８３感光層を蒸着し、その上にグロー放
電分解法によりアモルファス構造のａ−８ｉ０．５Ｇ０
．５：Ｈ膜を積層して電子写真感光体を作製した。
（手 順）
１） ８０ｍφ×（長さ） ３４０ｍのドラム状ＡＱ
支持体をパークレン（１２０℃）で２分間洗浄した。
支持体をパークレン（１２０℃）で２分間洗浄した。
２）次に、５重量％Ｎ ａｓ Ｐ Ｏ４水溶液（ａＯ℃
）中にて６０秒間アルカリエツチングし、その後水洗を
２度行った。
）中にて６０秒間アルカリエツチングし、その後水洗を
２度行った。
３）次いで、８０℃の温度により表面乾燥を行った後、
蒸着釜にセットし１Ｏ−５Ｔ ｏｒｒまで排気した。
蒸着釜にセットし１Ｏ−５Ｔ ｏｒｒまで排気した。
４）更に、蒸着源温度４００℃、支持体温度２００℃の
条件下で、Ａｓ、Ｓｅ、合金を３５分間支持体上に蒸着
して、膜厚約６０μｍの感光層を形成した。
条件下で、Ａｓ、Ｓｅ、合金を３５分間支持体上に蒸着
して、膜厚約６０μｍの感光層を形成した。
５） この支持体上に感光層の形成したものを同軸円筒
型のグロー放電分解装置内にセットし、下記条件にて表
面保護層を積層した。
型のグロー放電分解装置内にセットし、下記条件にて表
面保護層を積層した。
支持体温度・・・１５０℃
背 圧 −Ｉ Ｘ １０−’ ＴｏｒｒＣＨ４＝８
０ ＳＣＣＭ 反応圧−，０，２０Ｔｏｒｒ 放電電力 ＝ １３．５６ＭＨｚ ・２００Ｍ反応時間
・・・４０分 実施例２ 表面保護層の製膜条件を下記とした以外は実施例１とま
ったく同様にして１表面にａ−８ｉＯ，４Ｃ０，６：
Ｈ膜を有する電子写真感光体を作製した。
０ ＳＣＣＭ 反応圧−，０，２０Ｔｏｒｒ 放電電力 ＝ １３．５６ＭＨｚ ・２００Ｍ反応時間
・・・４０分 実施例２ 表面保護層の製膜条件を下記とした以外は実施例１とま
ったく同様にして１表面にａ−８ｉＯ，４Ｃ０，６：
Ｈ膜を有する電子写真感光体を作製した。
支持体温度・・・１５０℃
背 圧 −Ｉ Ｘｌ０−’ＴｏｒｒＣ，Ｈ４＝８０
ＳＣＣＭ 反応圧−０，４Ｔｏｒｒ 放電電力 ・”１３．５６ＭＨｚ ・２５０Ｍ反応時間
・・・３０分 このようにして得られた実施例１及び２の感光体の抵抗
は電子写真用として充分な値（１０”Ω・１以上）を示
し、帯電性能は極めて良好なものであった。また１表面
保護層は硬く摩耗しにくいため、これら感光体を複写機
に組み込んで１０万枚以上の連続コピーを行なった後も
感光体に何等のキズは認められず、極めて良好な画像品
質を維持した。更に、１０万枚コピー後の現像剤中のＡ
ｓ、Ｓｅの含有量を分析した結果、その存在は認められ
なかった。
ＳＣＣＭ 反応圧−０，４Ｔｏｒｒ 放電電力 ・”１３．５６ＭＨｚ ・２５０Ｍ反応時間
・・・３０分 このようにして得られた実施例１及び２の感光体の抵抗
は電子写真用として充分な値（１０”Ω・１以上）を示
し、帯電性能は極めて良好なものであった。また１表面
保護層は硬く摩耗しにくいため、これら感光体を複写機
に組み込んで１０万枚以上の連続コピーを行なった後も
感光体に何等のキズは認められず、極めて良好な画像品
質を維持した。更に、１０万枚コピー後の現像剤中のＡ
ｓ、Ｓｅの含有量を分析した結果、その存在は認められ
なかった。
〔効 果〕
本発明の特殊な表面保護層を設けたＳｅ系電子写真感光
体は耐久性及び耐候性に優れ、感光体作製直後から安定
した充分な表面抵抗を有する。そして、白スジ等のない
鮮明なコピーが得られ、コピー上にＳｅ等が付着するこ
ともない。
体は耐久性及び耐候性に優れ、感光体作製直後から安定
した充分な表面抵抗を有する。そして、白スジ等のない
鮮明なコピーが得られ、コピー上にＳｅ等が付着するこ
ともない。
更に、本発明感光体は直接手をふれてもＳｅ系感光層が
結晶化等により劣化することがないため、取扱い等が容
易である。
結晶化等により劣化することがないため、取扱い等が容
易である。
第１図は本発明に係る電子写真感光体の代表的な一例の
断面図である。 １・・・導電性支持体 ２・・・感光層３・・・保
護層（表面保護層）
断面図である。 １・・・導電性支持体 ２・・・感光層３・・・保
護層（表面保護層）
Claims (1)
- １、導電性支持体上に少なくともＳｅを含む感光層を設
け、さらにその上に保護層を設けた感光体において、該
保護層が少なくともＳｉ及びＣを含む非晶質材料で形成
されていることを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22786086A JPS6381366A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22786086A JPS6381366A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6381366A true JPS6381366A (ja) | 1988-04-12 |
Family
ID=16867496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22786086A Pending JPS6381366A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6381366A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5240802A (en) * | 1991-12-31 | 1993-08-31 | Eastman Kodak Company | Aggregate photoconductive element and method of making same |
| US5315569A (en) * | 1990-12-10 | 1994-05-24 | Olympus Optical Co., Ltd. | Apparatus for recording and/or reproducing information on/from optical card-like information recording medium |
| US6649314B1 (en) * | 2000-02-17 | 2003-11-18 | Nexpress Solutions Llc | Process for reducing image defects in an electrostatographic apparatus containing particulate contaminants |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP22786086A patent/JPS6381366A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5315569A (en) * | 1990-12-10 | 1994-05-24 | Olympus Optical Co., Ltd. | Apparatus for recording and/or reproducing information on/from optical card-like information recording medium |
| US5240802A (en) * | 1991-12-31 | 1993-08-31 | Eastman Kodak Company | Aggregate photoconductive element and method of making same |
| US6649314B1 (en) * | 2000-02-17 | 2003-11-18 | Nexpress Solutions Llc | Process for reducing image defects in an electrostatographic apparatus containing particulate contaminants |
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