JPS61204637A - 多層型像形成部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 又１至１景 本発明は一般に電子写真像形成装置に関し、さらに詳し
くは、２つのセレン含有層を含む電子写真像形成部材お
よびかかる部材を用いる方法に関する。

静電手段によって電子写真像形成部材の像形成表面上に
像を形成し現像することはよく知られている。最も広く
使用されている方法の１つは、例えば、チェスターカー
ルソン（Ｃｈｅｓｔｅｒ　Ｃａｒｌｓｏｎ　）に付与さ
れた米国特許第２，２９７，６９１号に記載されている
静電複写である。数多くの種々のタイプの感光体が電子
写真像形成方法に使用することができる。そのような電
子写真像形成部材には無機材料、有機材料およびそれら
の混合物があり得る。

電子写真像形成部材は１つの層が電荷発生機能を発揮し
他の１つの層が電荷移送機能を発揮する複数の接触層か
らなっていてもよく、あるいは電荷発生および移送機能
の２つを行う単一層であってもよい。

無定形セレン系の電子写真像形成部材は全整色（パンク
ロ）応答性を改良し、速度を増大させかつカラー複写性
を改良するために改ｉされている。

これらの装置は、典型的にはセレンとテルルの合金に基
づいている。セレン電子写真像形成部材は電荷発生機能
および電荷移送機能の両方を行うセレン−テルル合金層
からなる単一層装置として製造できる。セレン電子写真
像形成部材はまた例えばセレン合金移送層と隣接のセレ
ン−テルル合金型電荷発生層とのような多層も含み得る
。これらのセレン−テルル合金励起層を含む多層電子写
真像形成部材は繰返し操作中の電気的不安定性の程度を
変化させることに特徴がある。例えば、約１０重量％の
テルルを含むセレン−テルル合金励起体層およびセレン
−ひ素合金移送層とを含む多層型電子写真像形成部材は
有意な水準の残留サイクルアップ（ｃｙｃｌｅ−ｕｐ　
）を示し、このサイクルアップはさらに繰返し操作速度
、昇温下での加熱操作によりまた電子写真像形成部材に
隣接するランプおよびコロトロンとの望ましくない作用
によりさらに悪化し得る。セレン−テルルからなる電荷
発生層組成へのひ素の添加は感光体寿命をセレン−テル
ルのみを含む電荷発生層組成の約１．５〜約２倍増大さ
せ得る。ひ素をセレン−テルルの電荷発生層組成へ加え
たときは、電子写真像形成部材の結晶化抵抗性は増大す
る。これらの電子写真像形成部材は通常ひ素を含まない
セレン合金層の結晶化を促進する高湿度および／または
高温条件下で増大した寿命を示す。このような結晶化問
題はオフィスビルディングが空調されてないかあるいは
空調が夕方切られて熱気を帯びている熱帯地方のオフィ
スビルディングにおいて特に深刻である。

しかしながら、セレン−テルルを含む励起層へのひ素の
添加は一般に残留電位と残留サイクルアップの増大をも
たらす。残留サイクルアンプは繰返し操作により残留電
圧のレベルを徐々に高くしてしまう。残留電圧は消去操
作中高水準の光線露光により感光体の光放電後に感光体
の表面で測定した電位である。残留電圧は光導電性層の
本体中あるいは光導電性装置の層界面で捕捉された正電
荷（正電荷装置の場合）の存在によるものである。

残留サイクルアンプの速度およびその最終の飽和値は一
般に繰返し操作の増大につれ増大する。感光体貯蔵中あ
るいは機械操作中の室温以上の温度での感光体の平衡（
Ｅｑｕｉｌｉｂｒａｔｉｏｎ　）　　もまた一般に残留
サイクルアップ、その増大速度および飽和値の一時的促
進をもたらす。同様に、セレン−テルル合金電荷発生層
を含む電子写真像形成部材を複写機またはプリンター中
での像形成部材の取付中に６００〜７００ｎｍ範囲の放
射線例えばタングステンまたは螢光ルームライトへ露光
すること　　・は吸収した光によりその後の使用中にサ
イクルアップの著しい増大を引き起す。さらに詳しくは
、移送層と電荷発生層との両方にひ素を存在させること
は移送層と発生層間の境界にひ素の拡散的な移行をもた
らしその結果過度の電荷捕捉が行なわれ得る。そのよう
な捕捉は促進された電位暗減衰を含むことになり、この
暗減衰は正のゴースト像の形成により明らかなコピー品
質の劣下を誘起する。ゴースト像は前のコピーサイクル
からの像の残留である。

光所傅！豹 従って、本発明の目的は上記の欠点を克服する像形成装
置を提供することである。

本発明の別の目的は熱操作下でのサイクルアンプに耐え
る電子写真像形成部材を提供することである。

本発明のさらに別の目的は急速操作下でのサイクルアッ
プに耐える電子写真像形成部材を提供することである。

本発明のさらに別の目的は均一な照射露光したのちの繰
返し操作中にサイクルアップに耐える電子写真像形成部
材を提供することである。

本発明のさらに別の目的は低残留サイクルアップを示し
ながら繰返し操作中の背影電位中のサイクルダウンを最
小にする電子写真像形成部材を提供することである。

本発明のさらに別の目的は高温および／または高温の条
件下での結晶化に耐える電子写真像形成部材を提供する
ことである。

本発明のさらに別の目的は２つのセレン含有層のみを用
いる電子写真像形成部材を提供することである。

本発明のさらに別の目的は感光体表面摩耗および浸食を
低減する電子写真像形成部材を提供することである。

上記および他の目的は、基本的には支持基体と電荷移送
層と電荷発生層とから成る本発明の像形成部材により達
成できる。本発明において、電荷移送層は、約３５マイ
クロメーター〜約７５マイクロメーターの厚さを有し、
実質的にひ素とテルルを含まず、セレンとハロゲンとか
ら成り、ハロゲンは、約４重量ｐｐｍ〜約１３重量ｐｐ
ｆｆｌの塩素および約８重ｆｔｐｐｍ〜約２５重量ｐｐ
ｍの沃素とからな、？）群から選ばれる。また電荷発生
層は、約１マイクロメーター〜約２０マイクロメーター
の厚さを有し、約５〜約２０重量％のテルルと、約０．
１〜約４重量％のひ素と、約７０重量ｐｐｍまでの塩素
および約１４０重量ｐｐｍまでの沃素からなる群から選
ばれたハロゲンと、残りの量のセレンとからなる。そし
て電荷移送層の１つ表面は上記電荷移送層と電気的に接
触しており、上記電荷発生層の他の表面は大気に露出し
ている。この電子写真像形成部材は、その光導電性電荷
発生層の露出表面に実質的に均一な正の静電荷を発生し
、電子写真像形成部材をセレン−テルル−ひ素合金光導
電性が怒光性である電磁放射線の像形成パターンに露出
しそれによって静電潜像を電子写真像形成部材上に形成
させ、静電潜像を静電的に引きつけ得るトナー粒子で現
像して、像形状のトナー粒子沈着物を形成し、さらにこ
のトナー粒子沈着物を受は入れ部材に転写することを含
む方法で用いることができる。この方法は自動装置で多
数回繰返し実施することができる。

基体は不透明でも実質的に透明でもよく、また必要な機
械特性を有する多くの適当な材料からなり得る。基体全
体が電導性表面と同じ材料でもよくあるいは電導性表面
が基体上のコーティングであってもよい。任意の適当な
電導性材料を使用できる。代表的な電導性材料には、例
えば、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、黄銅
、ステンレススチール、銅、亜鉛、銀および錫等がある
。

電導性層は光導電性部材の所望する用途により実質的に
広範囲の厚さで変化し得る。従って、電導性層は一般に
約５０オングストローム単位から数ｃｍの厚さの範囲で
あり得る。基体は有機または無機物質を含む任意の通常
他の材料であってもよい。

典型的な基体材料には、本目的において公知の各種樹脂
例えばポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、
ポリウレタンおよびその他の如き絶縁性の非電導性材料
がある。コーティングあるいはコーティングしない基体
は軟質または硬質でもよく、また、例えば、プレート、
円筒状ドラム、スクロール、エンドレス可撓性ベルト等
のような任意の多くの形状を有し得る。電荷移送層に隣
接する支持基体の外表面は通常酸化アルミニウム、酸化
ニッケル、酸化チタン等の金属酸化物よりなる。

ある場合には、金属酸化物表面とそれに引き続き適用す
る層との間の中間の接着層が接着性を改善するために望
ましい。そのような接着層を用いる場合には、それらの
接着層は約０．１〜約５マイクロメーターの乾燥厚を有
することが好ましい。

代表的な接着層にはポリエステル、ポリビニルブチラー
ル、ポリビニルピロリドン、ポリウレタンポリメチルメ
ククリレートおよびこれらの混合物等のフィルム形成性
ポリマーがある。

電荷移送層はセレンとｐｎ界的量の塩素および沃素より
なる群から選ばれたハロゲンとからなる。

電荷移送層は実質的にひ素とテルルを含まずに高残留電
圧および高背影サイクルアップ挙動を最小にすべきであ
る。移送層でのひ素およびテルルの実質的削除はまた層
界面での蒸発性留分によるこれら元素の濃縮蓄積も低減
する。過度の留分は高電荷捕捉を誘起し得る。痕跡量の
ひ素およびテルルは精製後さえもセレン中に存在するの
で“ひ素およびテルルを実質的に含まず”なる表現は移
送層がセレンの重量基準で約５００重量ｐｐｍ以下のひ
素および約５００重量ｐｐｍのテルルを含むことを意味
する。ひ素およびテルルを実質的に含まない電荷移送層
は約４〜約１３重量ｐｐｍの塩素または約８〜約２５重
量ｐｐｍの沃素から選ばれたハロゲンを本質的に含み、
残りがセレンであるベキテある。塩素濃度が約４重量ｐ
ｐｍより低いときには、残留電圧および残留サイクルア
ンプが不当に高くなる。また、静電複写背影電位サイク
ルアップが過度になる。約１３重Ｊｊｔ　ｐ　ｐ　ｍを
越える塩素濃度は過度の暗減衰をもたらす。最適の結果
を得るには、移送層は約６〜約１０重量ｐｐｍの塩素ま
たは約１３〜約２０重量ｐｐｍの沃素を含むべきである
。

これらのハロゲン濃度は沈着後の移送層中の濃度である
。沈着させた移送層中のハロゲン濃度は蒸着前のるつぼ
中の合金のハロゲン濃度即ち“公称濃度”よりも低い。

沈着移送層中の塩素濃度は、通常、るつぼ中で蒸発させ
た合金中の塩素濃度よりも２５〜３５重量％低い。換言
すれば、沈着層中の塩素濃度は一般に蒸着前のるつぼ中
のハロゲン濃度の約６５〜７５％である。本明細書で用
いるときの“ハロゲン”なる表現は塩素および沃素を包
含することを意味する。塩素が取扱いの容易さおよびフ
ィルム中の塩素の安定性（拡散のないことによる見かけ
上）のために好ましい。電荷移送層の厚さは一般に約３
５マイクロメーター〜約７５マイクロメーターである。

電荷移送層の厚さが約３５マイクロメーターより小さい
ときには感光体の暗視像電位（νｄｄｐ）は小さくなり
貧弱な固形領域再現性がみられる。電荷移送層の厚さが
約７５マイクロメーターより厚いときには、キャリヤビ
ーズのキャリーオーバー、プリント欠落、および感光体
と他の機械成分に対する損傷が生し得る。

移送層は真空蒸着のような任意の適当な通常の方法によ
って沈着し得る。即ち、ハロゲンドープ化セレンから本
質的になる電荷移送層は通常の真空コーティング装置に
より蒸着させて所望厚さに形成できる。真空コーターの
蒸着ボート中で用いるハロゲンドープ化セレンの量は所
望の移送層厚さを得るのに変り得る特定のコーター形状
および他の方法に依存している。蒸発るつぼに装入する
ハロゲンドープ化セレンは通常約２ｍｍの平均粒度を有
する球状形である。蒸着中の室圧は約４×１０−’トー
ル以下のオーダーである。蒸着は、通常、約２５０°Ｃ
〜約３５０℃の範囲の溶融合金温度でもって約１５〜５
５分で終了する。これら範囲以外の時間および温度も当
業者にとって良く理解されているように使用できる。移
送層ハロゲンドープ化セレン物質は通常のプラネタリ−
コーティング装置において基体を取り外すことなくまた
プラネタリ−コーター中の真空を解除することなしに移
送層の沈着の後セレン合金励起層を沈着させることによ
って効果的に沈着し得る。セレン含有層の連続沈着は当
該技術において周知であり、必要ならば、ふた付き蒸発
るつぼの使用、第２のコーテイング物質をコーテイング
室に充填するための真空の解除等を用い得る。移送層の
鋼製のためのより詳細な説明はＨ，ヘライツト（Ｈ，Ｈ
ｅｗｉｔｔ）に付与された米国特許第４．２９７．４２
４号に記載されており、その記載はすべて参考として本
明細書に引用する。

電荷移送層は支持基体と電荷発生層としてのセレン−テ
ルル−ひ素光導電性合金層との間にある。

支持基体の表面は金属酸化物層が接着層であり得るので
、本明細書で用いる“支持基体°なる表現は金属酸化物
層上に接着層を含むあるいは含まない金属酸化物層を含
むものとする。

光導電性電荷発生セレン−テルル−ひ素合金層は約５〜
約２０重量％のテルル、約０．１〜約４重量％のひ素、
約７０重量ｐｐｍまでの塩素および約１４０重量ｐｐｍ
までの沃素からなる群から選ばれたハロゲンを含み、残
りがセレンであるべきである。“セレン−テルル−ひ素
合金”なる表現はハロゲンドープ化合金およびハロゲン
でドープ化してない合金を含むものとする。最適の結果
は約１０〜約１３重量％のテルル、約０．５〜約２重量
％のひ素および約１４０量ｐｐｍ以下の塩素を含み残り
がセレンである電荷発生層によって達成される。約２０
重量％を越えるテルル濃度は過度の感光体感光性および
高暗減衰性をもたらし、約５重量％より低いテルル濃度
は低感光性およびコピー品質の欠損をもたらす。ひ素１
度が約４重量％を越えるときには、感光体は過度の暗減
衰を示す。

加熱結晶化および表面摩耗に対する無定形セレン感光体
の抵抗性はひ素濃度が約０．１重量％より小さくなった
とき低下し始める。塩素含有量が約７０重ｌｐｐｍより
多くなったときには、感光体は過度の暗減衰を示し始め
る。

セレン−テルル−ひ素合金層は、１つの好ましい実施態
様においては、ハロゲンドープ化、ｉ−だあるいはしな
いセレン−テルル−ひ素合金球を粉砕し、この粉砕した
材料から約６關の平均径を存するベレットを鋼製し、こ
のペレットを蒸着中の合金の分留を最小にするように設
計された時間／温度るつぼを用いた真空コーター中のる
つぼで蒸着させることによって鋼製できる。代表的なる
つぼ蒸着プログラムにおいては、励起層はるつぼ温度を
約２０°Ｃから約３８５℃に上昇させる約１２〜約３０
分の間で形成される。励起層鋼製のより詳細な説明は例
えばＩｌ、ヘライツトに付与された米国特許第４，２９
７，４２４号にあり、その記載はすべて参考として本明
細書に引用する。

満足できる結果は約１マイクロメーター〜約２０マイク
ロメーターの厚さ゛を有するセレン−テルル−ひ素合金
光導電性電荷発生層によって達成し得る。本発明の感光
体のセレン−テルル−ひ素合金は必要な写真応答性およ
び延長した感光体寿命のすべてを提供する。約２０マイ
クロメーターより大きい厚さを有するセレン−テルル−
ひ素合金電荷発生層は一般に感光体作製中にひ素および
テルル留分の調整を過度に困難にする。約１マイクロメ
ーターより小さい厚さは自動電子写真複写機およびプリ
ンター中で急速に摩耗する。最適の結果は約３〜約７マ
イクロメーターの厚さを有する励起層によって得られる
。

以下、本発明の方法および装置をより完全に理解するた
めに、添付図面によって本発明を説明する。

第１図において、従来技術の電子写真像形成部材１０が
例示されており、基体１２、ハロゲンドープ化セレン−
ひ素合金層からなる移送層１４およびセレン合金からな
る励起層１６とからなっている。

基体１２は必要な機械特性を有する任意の適当な材料か
らなり得る。代表的な基体にはアルミニウム、ニッケル
等がある。基体層の厚さは経済性および電子写真像形成
部材を用いる装置のデザイン等の多くの要因に依存して
いる。即ち、例えば約５０００マイクロメーターまでの
実質的厚さでもよく約１００マイクロメーターのような
最小厚さでもよい。基体は軟質または硬質でもよく前述
したような種々の形状を有し得る。

移送層１４はハロゲンドープ化セレン−ひ素合金からな
っているが、ドープしてない合金でもよい。この合金に
存在するセレンの割合は約９９．５〜９９．９重量％の
範囲であり得、存在するひ素の割合は約０．１〜約０．
５重量％の範囲である。ドープ化合金層に存在する塩素
、フッ素、沃素または臭素のようなハロゲンの量は約２
０〜約１００重量ｐｐｍの範囲であり得るが、好ましい
範囲は約２０〜約１００重ｌｐｐｍである。好ましいハ
ロゲンは塩素である。この層は一般に約１５〜約７５マ
イクロメーターの厚さの範囲にあり、好ましいのは、静
電複写現像装置による制限およびキャリヤー移送限界に
よる制限のためまた経済的理由により約２５〜約５０マ
イクロメーターである。

電荷発生層１６はセレン−テルル合金、ハロゲンドープ
化セレン−テルル合金、セレン−テルル−ひ素合金、セ
レン−テルル−ひ素−ハロゲン合金等の電荷励起セレン
−テルル合金光導電性材料からなる。すぐれた結果はセ
レンとテルルの合金によって得られる。一般に、セレン
−テルル合金は合金の全重量基準で約５５〜約９５重量
％のセレンと約５〜約４５重量％のテルルからなり得る
。

電荷発生層の厚さはテルル含有量が約４０％であるとき
は一般に１マイクロメーター以下である。

セレン−テルル合金はまたセレンの結晶化を最小にする
ための約５重量％以下のひ素および約１００重１ｐｐｏ
＋以下のハロゲンのような他の成分も含み得る。

第２図では、電子写真像形成部材２０は電荷発生層２２
と電荷移送層２４とからなるように示されている。電荷
移送層２４は金属酸化物層２６上に支持されている。第
１図と第２図の電子写真像形成部材との主な差異はひ素
の不存在と第２図の移送層２４中の臨界的範囲のハロゲ
ンである。サイクル速度、昇温下での加熱繰返し操作、
および繰返しの均一荷電、像形成露光、現像、転写、消
去および清浄サイクルを行う電子写真像形成部材周辺の
ランプおよびコロトロンとの望ましくない作用に基づく
残留サイクルアップのような作用効果は、第１図で示す
電子写真像形成部材と第２図で示す電子写真像形成部材
との間では顕著な差がある。この差異を以下の実施例に
おいてより詳しく説明する。

任意の適当な現像方法を本発明の電子写真像形成部材上
の静電潜像の現像に用いることができる。

代表的な周知の電子写真現像方法は、例えば、カスケー
ド現像、磁性ブラシ現像、液体現像、粉末クラウド現像
等である。沈着したトナー像は受は入れ部材に任意の適
当な通常の転写法によって転写することができ、また任
意の周知の定着技術によって定着できる。静電潜像はト
ナー粒子で現像することが好ましいけれども、多くの他
の方法、例えば、静電潜像を静電走査装置で“読み取る
”のにも用いることができる。転写後に残る残留トナー
粒子を除去するための感光体の清浄化は任意の適当な通
常清浄法例えばブラシ清浄、ブレード清浄、ウェブ清浄
法等により行い得る。

静電潜像の消去は任意の適当な公知方法により行うこと
ができる。代表的な消去法にはＡＣコロナ放電、負コロ
ナ放電、光源からの照射、摩砕した電導性ブラシとの接
触およびこれら方法の組合せがある。しかしながら、本
発明の像形成部材は、像形成部材をその電荷発生層が感
応性である波長を有する光源（例えば、前転写光（ｐｒ
ｅｔｒａｎｓｆｅｒｌｉｇｈｔ　）　、潜像消去光、定
着機の照射光源）の漏れ等の像形成部材を各コピーサイ
クル毎に放電する光源に露出する像形成装置に特に適し
ている。

もし露光することによる残留電位への放電が各コピーサ
イクル中に生じるならば、残留サイクルアンプは第１図
に示した多層型セレン−テルル−ひ素像形成部材にあっ
ては著しく増大する。

繰返し操作速度、昇温下での熱的繰返し操作および電子
写真像形成部材周辺のランプおよび定着機との望ましく
ない反応に基づく残留サイクルアンプは精密な低および
高速複写機およびプリンターにおいで非常に望ましくな
い。そのようなサイクルアンプは最終的に原紙の背影領
域に相当するコピー領域でのトナー現像として現われ、
その結果“汚ない”コピーをもたらすからである。

以下、本発明を特定の好ましい実施態様に関連して詳細
に説明するが、これらの実施例は単に例示を目的とする
ものでありまた本発明を実施例中で示した材料、条件、
処理パラメーターに限定するものでないことを理解され
たい。すべての部およびパーセントは特に断わらない限
り重量による。

ス１Ｍ上 対照の電子写真像形成部材を、約０．５重量％のひ素、
約９９．５重量％のセレンおよび２０重量ｐｐｍの塩素
を含むハロゲンドープ化セレン−ひ素合金球を基体上に
蒸着させて塩素ドープ化セレン−ひ素電荷移送層を形成
することによって鋼製した。

この塩素ドープ化セレン−ひ素合金はステンレススチー
ルるつぼから約り８０℃〜約３３０℃の蒸着温度および
約４Ｘ１０−’〜２Ｘ１０−’）−ルの蒸着圧で蒸着さ
せた。用いた基体は予じめ熱酸化させて約５００〜約８
００オングストロームの厚さを有する外側酸化ニッケル
層を形成させたニッケルシリンダーであった。ニッケル
シリンダーの直径は約８．４　ａｍであった。基体温度
はこの蒸着コーティング操作巾約５０℃〜９５℃に維持
した。

得られたひ素ハロゲンドープ化セレン移送層は約５５マ
イクロメーター〜約６０マイクロメーターの厚さを有し
、約０．５重量％のひ素、約９９．５重量％のセレンお
よび約１４重量ｐｐｍの塩素とを含んでいた。このコー
ティングした基体をその後セレン−テルル−ひ素合金で
コーティングして約５マイクロメーターの厚さを有し、
約１２〜約１３重量％のテルル、約１重量％のひ素およ
び残りのセレンを含む電荷発生光導電性層を形成した。

この合金は約り００℃〜約３５０℃の温度でステンレス
スチールるつぼから約２×１Ｏ−Ｓトールの圧力で蒸着
させた。蒸着前のセレン−テルル−ひ素合金も沈着後の
セレン−テルル−ひ素合金もハロゲンを含んでいないの
で、百合金材料は同じ濃度の成分を含んでいた。得られ
た電子写真像形成部材を約１３．９ｃｍ／秒の表面速度
で繰返し操作する試験装置で試験した。像形成部材を最
初暗中で約９００へ１１００ボルトの正電位に荷電し、
可視スペクトルの青色領域（約４７０ｎｍ）のスペクト
ル出力を有する光源に露光して電位を約２００ボルトに
滅じた。帯電電流はこの試験前にセットしであるので、
正電位電圧アクセプタンス値は像形成部材の厚さに依存
していた。典型的な像形成部材の初期正電位アクセプタ
ンス電圧の変化は約２００ボルトへ変化し得る。約９０
０〜１１００ボルトの電荷アクセプタンス電圧範囲が自
動複写機において良好な性能を発揮する。この範囲の正
電位電圧はすぐれた固形領域コピー品質を与え、最初の
コピーにおいて像の密度に観察できる変化はない。次に
、像形成部材を可視スペクトルの緑色領域（約５２０ｎ
ｍ）にピークの出力を有する一連のネオンランプに均一
に露光することによって消去処理した。この方法等周囲
の室温環境で３３０回繰返し３３０回目のサイクル終了
時の残留電圧サイクルアップを静電電圧計で測定した。

この静電複写機においては、各仕上げコピーは円筒状感
光体の３．３回の周期即ちサイクルを必要とする。これ
ら対照像形成部材の平均残留電圧サイクルアップは１６
０ボルトであった。約１００ボルトを越える電圧サイク
ルアンプは自動電子写真複写機およびプリンターにおい
ては多くのサイクルに亘ってコピー均一性に過度の変化
を生じるので望ましくない。換言すれば、ｌＯＯ凹目の
コピーは第１００回目のコピーは第１回目のコピーと実
質的に同じ像品質を示さなければならない。

亥旌班１ 本発明の電子写真像形成部材を塩素ドープ化セレン物質
を蒸発させてステンレススチールるつぼから塩素ドープ
化移送層を形成することによって鋼製した。蒸着させた
移送層物質の組成を除いては、この実施例の移送層を沈
着させるのに用いた蒸着手順は実施例１で記載した手順
と同じであった。蒸着前の移送層材料は約１０重量ｐｐ
ｍの塩素、１１００ｐｐ以下のひ素および残りのセレン
とを含んでいた。得られた沈着ハロゲンドープ化電荷移
送層は、約５５〜約６０マイクロメーターの厚さを有し
、約７重量ｐｐ請の塩素、１００重量ｐｐｍ以下のひ素
および残りのセレンを含んでいた。その後、このコーテ
ィングした基体をセレン−テルル〜ひ素合金で実施例１
で記載した手順と同じ蒸着手順によってコーティングし
て約５マイクロメーターの厚さを有し約１２重量％およ
び約１３重量％のテルル、約１重量％のひ素および残り
のセレンとを含む光導電性電荷発生セレン−テルル−ひ
素層を形成した。次に、沈着した移送層に７重量ρｐｓ
＋の塩素を含むこれらの感光体を実施例１に記載したよ
うな３３０回像形成サイクルに供した。

３３０回目のサイクル後の残留電圧サイクルアップは本
実施例の感光体においては４０ボルトより小さかった。

即ち、実施例１の対照感光体の残留サイクルアンプは本
実施例２の感光体の残留電圧サイクルアンプよりも３０
０％大きかった。

！庭斑主 実施例２の手１１１１を繰返して追加の対照感光体を鋼
製した。ただし、約５　ｐｐｍの塩素および残りのセレ
ンとからなる塩素ドープ化セレン材料を蒸着物質として
用いて移送層を形成した。沈着した移送層は約５５マイ
クロメーター〜約６０マイクロメーターの厚さを有し、
約３　ｐｐｍの塩素と残りのセレンとを含んでいた。実
施例２で記載したのと同じ材料および手順を用いて約５
マイクロメーターの厚さを有し約１２重量％〜約１３重
量％のテルル、約１重量％のひ素および残りのセレンと
を含む光導電性電荷発生層を鋼製した。移送層中に３重
ｌｐｐｍの塩素を含むこれらの感光体を実施例１と２に
記載したのと同じ試験に供した。残留電位は最初移送層
が１０ｐｐｍの塩素を含む蒸着物質から鋼製した実施例
２の感光体よりもおよそ２５０％大きかった。残留電圧
およびサイクルアンプは平均残留サイクルアップが約１
５９ボルトである実施例１の感光体により示されたのと
同様であった。

去】ｌ生先 実施例２の手順を繰返して追加の感光体を鋼製した。た
だし、厚さ約５５〜約６０の厚さを有する塩素ドープ化
セレン移送層を２０重量ｐｐｍの塩素と残りのセレンと
からなる蒸着物質から鋼製した。沈着移送層は１４重ｌ
ｐｐｍの塩素と残りのセレンとを含んでいた。実施例２
で記載したのと同じ材料および手順を用いて約５ミクロ
ンの厚さを有し、約１２重量％〜約１３重量％のテルル
、約１重量％のひ素および残りのセレンとを含む光導電
性電荷発生層を鋼製した。この感光体を実施例１で記載
した試験に供した結果は３０ボルトより小さい極めて小
さい残留サイクルアップ値を示した。しかしながら、過
度の暗減衰と貧弱な電荷アクセプタンスが各サンプルに
おいて観察された。

沈着移送層が７重量ｐｐｍの塩素を含む実施例２の感光
体は約９００〜約１１００ボルトの初期正電倚を示した
が、１４重量ｐｐｍの塩素を含む沈着移送層を存する本
実施例４の感光体は平均約７３０ボルト以下の初期正電
荷を示した。この貧弱な電荷アクセプタンスはゼロック
ス２８３０またはゼロックス１０３５コピア−で貧弱な
固形領域密度再現性をもたらした。貧弱な固形領域密度
再現性は濃度計（マクベスＲＤ５１７デンシトメーター
（Ｍａｃｂｅｔｈ　ＲＤ　５１７　　Ｄｅｎｓｉｔｏｍ
ｅｔｅｒ　））で測定したとき１より小さい値を有する
即ち固形領域の貧弱な充填性を示す固形領域像として定
義される（例えば、１インチ直径の固形領域は暗縁部を
有するが中心に洗い落した外見を有する）。

大嵐史ｌ 実施例１に記載した手順を繰返したが、塩素ドープ化セ
レン−ひ素電荷移送層は約０．１　ｊ！に量％のひ素、
約９９８９重量％のセレンおよび約１０重量ｐｐａｔの
塩素とを含む蒸着物質から鋼製し、ものを用いて追加の
対照感光体を鋼製した。得られたハロゲンドープ化電荷
移送層は約５５マイクロメーター〜６０マイクロメータ
ーの厚さを有し約９９．９重量％のセレン、約０．１重
量％のひ素および約７重ｌｐｐｍの塩素を含んでいた。

実施例１で記載したのと同じ材料および手順を用いて約
５マイクロメーターの厚さを有し約１２〜約１３重量％
のテルル、約１重量％のひ素および残りのセレンとを含
む光導電性電荷発生層を鋼製した。実施例１で記載した
手順を用いた試験からの結果は１０重量ｐｐｍの塩素を
含みひ素を含まない蒸着物質から鋼製した７重量ｐｐｎ
＋の塩素を含みひ素を含まない沈着移送層を有する実施
例２の感光体の残留電位より約２５ボルト大きい高初期
残留電位を示した。

しかも、実施例２の感光体の残留電圧サイクルアップよ
りも約７０ボルトの残留電圧サイクルアップの増大が見
られた。

ス呈■工 本発明の電子写真像形成部材を、１４重ｌｐｐｍの塩素
と残りのセレンを含むセレン混合物を基体上に蒸着させ
てｌＯ重ｌｐｐｍの塩素と残りのセレンとを含む電荷移
送層を形成した。このハロゲンドープ化セレン材料はス
テンレススチールるつぼから約り８０℃〜約３３０℃の
蒸着温度および約４　Ｘ　１０−’トール−２ｘｌＯ−
’）−ルの蒸着圧で蒸着させた。使用した基体は熱酸化
させて約５００〜約８００オングストロームの厚さを有
する外部酸化ニッケル層を形成しているニッケルシリン
ダーであった。ニッケルシリンダーの直径は約８．４Ｃ
であった。基体温度はこの蒸着コーティング操作巾約５
５℃〜約９５℃に維持した。得られた沈着塩素ドープ化
セレン移送層は約５５マイクロメーターの厚さを有し約
１０重量ｐｐｍの塩素および残りのセレンとを含んでい
た。その後、このコーティングした基体をセレン−テル
ル−ひ素合金でコーティングして約５マイクロメーター
の厚さを有し約１１重量％のテルル、約１重量％のひ素
と残りのセレンとを含む電荷発生光導電性層を形成した
。この合金は約３００℃〜３５０℃の温度でステンレス
スチールるつぼから約２　Ｘ　１０−’）−ルの圧力で
蒸着させた。蒸着前のセレン−テルル−ひ素合金材料も
沈着後のセレン−テルル−ひ素合金材料もハロゲンを含
んでいないので、側合金材料は同じ濃度の成分を含んで
いた。得られた電子写真像形成部材を、該部材を約１３
．９Ｃｆｆｉ／秒の表面速度で繰返し操作する試験装置
で試験した。

像形成部材は最初暗中で荷電して約１０３５ボルトの正
電位とし可視スペクトルの青色領域中にスペクトル出力
を有する露光源に露光して電位を約２５０ボルトに減じ
た。次いで、像形成部材を可視スペクトルの緑色領域（
約５２０ｎｍ）中にピーク出力を有する一連のネオンラ
ンプに均一に露光することによって消去処理した。この
方法は周囲の室温環境で３３０回繰返し、３３０回目の
サイクル終了時での残留電圧サイクルアップを静電気電
圧計で測定した。本発明のこれら像形成部材の平均残留
電圧サイクルアップはわずかに１７ボルトであった。

本発明を特定の好ましい実施態様について説明して来た
けれども、本発明をこれらに限定する積りはない。むし
ろ、当業者ならば、本発明の精神および特許請求の範囲
において種々の変形および修正をなし得ることは理解さ
れるであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は電導性基体上に支持された電荷発生層および移
送層からなる代表的な多層型感光体を略図的に示す。 第２図は電導性基体上に支持された電荷励起層と正孔注
入層とからなる本発明の多層型感光体を略図的に示す。 １０・・・従来型像形成部材、 １２・・・基体、 １４・・・移送層、 １６・・・電荷発生層、 ２０・・・本発明の像形成部材、 ２２・・・電荷発生層、 ２４・・・電荷移送層、 ２６・・・金属酸化物層。 ＦＩＧ、　７ Ｆ／に、２

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持基体と、電荷移送層と、電荷発生層とから成
   り；電荷移送層は、約３５マイクロメーター〜約７５マ
   イクロメーターの厚さを有し、実質的にひ素およびテル
   ルを含まず、本質的にセレンとハロゲンとからなり、ハ
   ロゲンは約４重量ｐｐｍ〜約１３重量ｐｐｍの塩素およ
   び約８重量ｐｐｍ〜約２５重量ｐｐｍの沃素からなる群
   から選ばれ；電荷発生層は、約１マイクロメーター〜約
   ２０マイクロメーターの厚さを有し、セレンと、約５〜
   約２０重量％のテルルと、約０．１〜約４重量％のひ素
   と、ハロゲンとからなり、該ハロゲンは約７０重量ｐｐ
   ｍまでの塩素および約１４０重量ｐｐｍまでの沃素とか
   らなる群から選ばれ；上記電荷発生層の１表面は、上記
   電荷移送層と電気的に接触しており上記電荷発生層の他
   の表面は大気に露出している電子写真像形成部材。
2. （２）上記電荷移送層中のハロゲンが約６重量ｐｐｍ〜
   約１０重量ｐｐｍの塩素および約１３重量ｐｐｍ〜約２
   ０ｐｐｍの沃素とからなる群より選ばれる特許請求の範
   囲第（１）項記載の電子写真像形成部材。
3. （３）上記移送層中のハロゲンが塩素である特許請求の
   範囲第（２）項記載の電子写真像形成部材。
4. （４）上記電荷発生層が約１０〜約１３重量％のテルル
   、約０．５〜約２重量％のひ素、１４重量ｐｐｍ以下の
   塩素および残りのセレンとからなる特許請求の範囲第（
   １）項記載の電子写真像形成部材。
5. （５）支持基体が金属酸化物層からなる特許請求の範囲
   第（１）項記載の電子写真像形成部材。
6. （６）支持基体が金属層上の金属酸化物層からなる特許
   請求の範囲第（５）項記載の電子写真像形成部材。
7. （７）支持基体が金属酸化物層および該金属酸化物層と
   上記電荷発生層との間に挿入された接着層とを含む特許
   請求の範囲第（１）項記載の電子写真像形成部材。
8. （８）支持基体と、電荷移送層と、電荷発生層とから成
   り；電荷移送層は、約３５マイクロメーター〜約７５マ
   イクロメーターの厚さを有し、実質的にひ素およびテル
   ルを含まず、本質的にセレンとハロゲンとからなり、ハ
   ロゲンは約４重量ｐｐｍ〜約１３重量ｐｐｍの塩素およ
   び約８重量ｐｐｍ〜約２５重量ｐｐｍの沃素とからなる
   群から選ばれ；電荷発生層は、および約１マイクロメー
   ター〜約２０マイクロメーターの厚さを有し、セレンと
   、約５〜約２０重量％のテルルと、約０．１〜約４重量
   ％のひ素と、ハロゲンとからなり、ハロゲンは、約７０
   重量ｐｐｍまでの塩素および約１４０重量ｐｐｍまでの
   沃素とからなる群から選ばれ；上記電荷発生層の１表面
   が上記電荷移送層と電気的に接触しておりまた上記電荷
   発生層の他の表面が大気に露出している電子写真像形成
   部材を鋼製すること、 大気に露出している上記電荷発生層の表面上に実質的に
   均一な正の静電荷を付着させること、上記電子写真像形
   成部材を上記光導電性電荷発生層が感応し得る電磁放射
   線の像形成パターンに露出し、それによって静電潜像を
   上記電子写真像形成部材上に形成すること、 上記静電像を静電的に引きつけ得るトナー粒子で現像し
   て像形状のトナー粒子沈着物を形成すること、 および 上記トナー粒子沈着物を受像部材へ転写すること、 からなる電子写真像形成方法。
9. （９）上記電荷移送層中のハロゲンが約６重量ｐｐｍ〜
   約１０重量ｐｐｍの塩素および約１３重量ｐｐｍ〜約２
   ０重量ｐｐｍの沃素からなる群から選ばれる特許請求の
   範囲第（８）項記載の電子写真像形成方法。
10. （１０）上記電荷励起層が約１０〜約１３重量％のテル
    ル、約０．５〜約２重量％のひ素、約１４重量ｐｐｍ以
    下の塩素および残りのセレンとからなる特許請求の範囲
    第（８）項記載の電子写真像形成方法。