JPH07239565A

JPH07239565A - 電子写真複写方法

Info

Publication number: JPH07239565A
Application number: JP5269094A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Nagame; 宏永目; Shigeto Kojima; 成人小島; Hiroshi Ikuno; 弘生野
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1994-02-25
Filing date: 1994-02-25
Publication date: 1995-09-12

Abstract

(57)【要約】【目的】主帯電装置とクリーニング装置との間に主帯
電装置とは逆極性の電荷を感光体に与える帯電装置を配
した電子写真装置を用いて多数枚の複写を得る複写方法
において、ＤＬＣ膜を保護層とする有機感光体を繰返し
使用した際に発生する残留電位の蓄積と帯電電位の低下
を実用上問題のないレベルにする。【構成】有機系感光層の上にさらに炭素または炭素を
主成分として形成される薄膜（以下ＤＬＣ膜）を保護層
として有する電子写真感光体に、主帯電に先立って主帯
電とは逆極性の帯電および露光を行う電子写真複写方法
において、上記保護層が２層または２層以上からなり、
上記感光層と接する第一保護層が電荷注入阻止性のＤＬ
Ｃ膜（ブロッキング層）からなり、該第一保護層上に設
ける第二保護層または第二保護層以上の保護層が第一保
護層より電気抵抗が低く設定されている電子写真複写方
法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はＤＬＣ膜をオーバーコー
トした感光体を使用して画像形成する電子写真複写方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近多くの画像形成装置で使用されてい
る有機系電子写真感光体は帯電特性や感度といった電子
写真特性では従来のものを凌ぐ品質を有するが、機械的
特性は未だ十分でなく、大量複写を行う場合は早期に感
光体の交換を余儀なくされている。これは感光層に使用
される樹脂材料の機械的特性に起因するもので、例え
ば、ビッカース硬度が２０〜４０ｋｇ／ｍｍ²と小さく
脆いため画像形成装置内では現像剤やクリーニングブレ
ードによって感光層が削られるからである。

【０００３】この欠点を改良する方法として従来より感
光層の最表面に高硬度の保護層を形成する方法が知られ
ている。その好適な例は炭素または炭素を主成分として
構成される薄膜、中でもダイヤモンド、グラファイトお
よびポリマーの各構造が混在したダイヤモンド状カーボ
ン膜（ＤＬＣ膜）である。これはメタン、エタン、プロ
パン、ブタジエン等の炭化水素系のガス、必要に応じ水
素、フッ素（ＮＦ₃）、窒素（Ｎ₂）、硼素（ＢＦ₃）ガ
スなどを流入しつつ、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、
スパッタリング法などの真空製膜法で作製される。

【０００４】この膜は作製条件により物理特性が大きく
変化する性質を有する。例えばヌープ硬度は１０〜２０
００ｋｇ／ｍｍ²、電気抵抗が１０⁶〜１０¹⁶Ω・ｃｍ、
光透過率は不純物などで茶褐色に着色することもあり、
７８０ｎｍでは８０〜１００％であるが、短波長では数
％〜８０％と低くなる。

【０００５】感光体の保護層として満足する特性として
は、例えば、半導体レーザを光源とする複写機などで使
用する場合、ヌープ硬度で約３００ｋｇ／ｍｍ²以上、
電気抵抗で１０¹¹〜１０¹⁵Ω・ｃｍ、７８０ｎｍの光透
過率で８０％以上などである。ただ、これらの特性は複
写システムやプロセスで当然変える必要があり、その装
置に即した特性を選ぶことが重要であるが、上記特性は
製膜の際独立して変化するので総ての特性を最適設定す
ることは必ずしも容易なこととはいえない。

【０００６】また、保護層をオーバ−コートした感光体
を連続使用した場合、しばしば残留電位の蓄積が問題に
なる。残留電位が蓄積すると、画像形成に要する電位差
が小さくなるため、使用される複写プロセスによっては
画像濃度が低下したり、階調が損なわれたり、低コント
ラストの画像が消失したり、濃度センサーを用いて画像
濃度をコントロールしている複写機ではトナーの過剰補
給が行なわれ機内を汚す原因になる。したがって残留電
位の蓄積は極力抑える必要があるが、前記したように保
護層の特性は独立して動くので耐久性を上げようとする
とどうしても光透過性の低下や電気抵抗の上昇を招きや
すく、残留電位の原因になりやすい。そのため保護層を
単層でなく、それぞれ特性の異なった膜を多層（２層も
しくはそれ以上）に構成することにより一応目的を達成
することができるが、連続して多数枚複写する場合は残
留電位が問題になる。

【０００７】本発明者等はこの問題に関して検討し、残
留電位を低減する方法として、複写機のクリーニング装
置と主帯電装置との間に主帯電とは逆極性の電荷を与え
る帯電装置と露光装置を配し、主帯電に先立ち逆極性の
電荷を与えると同時もしくはその前後に露光を感光体に
与え、その後通常の複写プロセスを行う方法を提案した
（特願平４−３６１３３４、同５−２２１５４、同５−
１６９７６７、同５−２１１５９１）。この複写プロセ
スによれば、残留電位が多少高い感光体であっても使用
することができる。しかし、保護層の層構成によっては
逆極性の電荷を与えると同時に露光を与えることによる
繰返し帯電電位の低下問題が発生することがある。ま
た、感光体の残留電位は蓄積しても暗放置により自然回
復して元の電位レベルに戻る傾向があるが、逆電荷と露
光を与えるとさらに電位レベルが低下し、待機後１枚目
の残留電位が低くなり過ぎる傾向が認められる。この傾
向は特に逆電位が高いほど強い。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような点
に鑑みてなされたもので、主帯電装置とクリーニング装
置との間に主帯電装置とは逆極性の電荷を感光体に与え
る帯電装置（逆電荷付与装置）を配した電子写真装置を
用いて多数枚の複写を得る複写プロセスにおいて、ＤＬ
Ｃ膜を保護層とする有機電子写真感光体を繰り返し使用
した際に発生する残留電位の蓄積と帯電電位の低下を実
用上問題のないレベルにすることおよび複写第１枚目と
第２枚目の電位差を抑え、長期にわたって機械的耐久性
と画像品質を維持することができる電子写真方法を得る
ことを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、第一
に、有機系感光層の上にさらに炭素または炭素を主成分
として形成される薄膜（以下ＤＬＣ膜）を保護層として
有する電子写真感光体に、主帯電に先立って主帯電とは
逆極性の帯電および露光を行う電子写真複写方法におい
て、上記保護層が２層または２層以上からなり、上記感
光層と接する第一保護層が電荷注入阻止性のＤＬＣ膜
（ブロッキング層）からなり、該第一保護層上に設ける
第二保護層または第二保護層以上の保護層が第一保護層
より電気抵抗が低く設定されている電子写真複写方法が
提供される。

【００１０】第二に、上記第一に記載した電子写真複写
方法において、第一保護層の膜厚が１００〜１０００
Å、電気抵抗が１×１０¹⁴〜１×１０¹⁶Ω・ｃｍ、第二
保護層または第二保護層以上の保護層の総膜厚が０．５
〜５μｍ、電気抵抗が１×１０¹¹〜１×１０¹⁵Ω・ｃｍ
に設定されている電子写真複写方法が提供される。

【００１１】第三に、複写第２枚目より上記第一に記載
した電子写真複写方法を使用して複写を行う電子写真複
写方法が提供される。

【００１２】以下本発明の複写方法を図１および図２に
より詳細に説明する。図１に本発明で使用される画像形
成装置の概略を示す。図の如く逆電荷付与装置８と露光
装置９が主帯電装置２とクリーニング装置７の間に設置
されている。まず、保護層をオーバーコートした有機系
感光体１に逆電荷付与装置８によりプラス４００〜１２
００ボルト程度帯電すると同時もしくはこれと相前後し
て赤もしくは緑系のＬＥＤ等による露光装置９により露
光した後、主帯電装置２でマイナス６００〜９００ボル
トの帯電を施す。次に画像露光３で感光体１に潜像を形
成する。潜像が形成された感光体は現像装置４によりト
ナー像が形成され、次いで転写・分離装置５により被転
写体１１が分離され、感光体１より被転写体１１が分離
される。被転写体１１を分離後の感光体はトナーのクリ
ーニング性を上げるために除電装置６で表面電荷を０ボ
ルト近くまで除電された後、ゴムブレード方式のクリー
ニング装置７で感光体表面のトナーが除去される。一
方、被転写体１１上のコピー像は定着装置１０で熱定着
され、ハードコピーとなり、一連の複写プロセスは終了
する。

【００１３】図２（ａ）、（ｂ）は本発明で使用される
ＤＬＣ膜をオーバーコートした有機系感光体の構成を示
すもので、図２（ａ）は感光層上の保護層が２層タイプ
であり、図２（ｂ）は３層タイプを示す。

【００１４】ＤＬＣ膜の第１層目２５は主としてＣとＨ
で形成された薄膜であり、電気抵抗１０¹⁴〜１０¹⁶Ω・
ｃｍのオーダー、膜厚としては１００〜１０００Å程度
が好ましい。この層は長期にわたってコロナ放電の作用
を受けても特性劣化の少ない層であり、感光層上に直接
形成することにより感光層への電荷の注入およびコロナ
放電によるコロナ生成物の侵入を阻止し、また帯電電位
の安定に寄与するものである。特に通常のプロセスにさ
らに逆電荷および露光を与えることにより感光体は余計
に負荷がかかることになるため、ブロッキング層の役割
を持つ層（以下ブロッキング層）を挿入した方が長期に
わたって使用する場合、帯電電位の安定性の面で必要に
なって来る。この膜が薄過ぎると膜にピンホールが生じ
易くなり、画像品質上問題が出て来るが、厚い場合には
残留電位や感度劣化の一因となる。

【００１５】図２（ａ）の第２層目（保護層１）２４は
第１層目（ブロッキング層）２５より１〜２桁電気抵抗
を低下させたＤＬＣ膜で、膜厚は第１層も含めた膜厚で
約０．５〜５μｍ、単独での好適な範囲は１〜３μｍで
ある。電気抵抗を低下させる方法としては、Ｏ₂、Ｎ₂、
ＮＦ₃、ＢＦ₃等のガスを原料ガスとともに真空装置内に
流入することにより、保護層内に不純物元素として取り
込み、電気抵抗を変化させる。電気抵抗が低過ぎると解
像性の低下や低コントラスト画像の再現性の低下を来し
やすく、電気抵抗が高いと残留電位の増加を起こす。し
たがって電気抵抗は１０¹¹〜１０¹⁵Ω・ｃｍの範囲、好
ましくは１０¹³〜１０¹⁵Ω・ｃｍである。ヌープ硬度は
３００ｋｇ／ｍｍ²以上で数値が大きいほど機械的耐久
性は良好である。通常は３００〜８００ｋｇ／ｍｍ²程
度である。

【００１６】図２（ｂ）は第１層２５の上に第１層より
２〜３桁程度電気抵抗の低い膜（保護層１）２４−１を
形成し、さらにその上に第２層より１〜２桁高い電気抵
抗の膜（保護層２）２４−２を形成した場合を示す。こ
れは機能分離的な意味を持つもので、第２層（保護層
１）２４−１は機械的耐久性をもたすために少し厚目と
するが、厚くした分、残留電位が生じやすくなるので、
電気抵抗を低くする。第３層目（保護層２）２４−２は
帯電性維持のためと機械的耐久性をさらに高めるため
に、電気抵抗を高く設定してヌープ硬度を上げた膜とす
る。具体的には保護層１（２４−１）の電気抵抗の範囲
が１０¹¹〜１０¹⁴Ω・ｃｍ、ヌープ硬度が３００ｋｇ／
ｍｍ²以上、膜厚０．３〜３μｍ、保護層２（２４−
２）の電気抵抗の範囲が１０¹³〜１０¹⁵Ω・ｃｍ、ヌー
プ硬度が３５０ｋｇ／ｍｍ²以上、膜厚０．２〜２μｍ
である。保護層１（２４−１）、保護層２（２４−２）
は、感光体の長期使用の際、特性を左右するのでブロッ
キング層２５以上に重要である。保護層１と保護層２の
総膜厚は０．５〜５μｍで特に好適には１〜３μｍであ
る。厚さが薄いと耐久性の面で、また、厚さが厚いと残
留電位の面で問題が生じる。なお、残留電位の蓄積を抑
えるには各ＤＬＣ膜間には明確な界面を形成しない方が
得策である。

【００１７】ＤＬＣ膜の製膜は有機系感光層からなる感
光体にプラズマＣＶＤ装置等の真空製膜装置をセット
し、真空排気した後、その感光体にバイアス電圧を印加
し、メタン、エタン、エチレン、ブタン、ブタジエンな
どの炭化水素系のガスおよび水素ガスを流入し、反応
圧、ＲＦ電力、バイアス電圧等の製膜条件をコントロー
ルしＤＬＣ膜を形成する。さらにＤＬＣ膜を抵抗制御を
する場合にはその目的に応じてＯ₂、Ｎ₂、ＮＦ₃、ＢＦ₃
等のガスを要求する特性に応じて適性量、上記原料ガス
とともに流入し製膜する。

【００１８】図３は従来のＤＬＣ保護層を設けた感光体
の構成を示し、図２の感光体より第１層（ブロッキング
層）２５が省れた構成となっている。

【００１９】

【作用】上記第一、第二の複写方法においては、主帯電
に先立って主帯電とは逆極性の帯電および露光を行う電
子写真複写方法において、感光層上にＤＬＣからなるブ
ロッキング層とブロッキング層より電気抵抗の低い保護
層を設けた有機系感光体を用いることにより、残留電位
の蓄積と帯電電位の低下が低く押えられる。これはブロ
ッキング層を含む保護層において保護層の電気抵抗およ
び膜厚が適正化されたことにより、感光層と保護層間の
界面近傍に移動する正孔数が抑えられ、また、表面電荷
が滞留する時間が短くなること、および適正な静電容量
により残留電位の蓄積および繰返し使用による帯電電位
の低下が抑制されること、また、ブロッキング層を設け
たことにより長期にわたるコロナ放電等による保護層の
物理特性の変化による容易な電荷注入性が阻止され、帯
電特性等の劣化が防止されることによるものと思われ
る。

【００２０】また、上記第三の複写方法においては、複
写２枚目より上記第一、第二の複写方法で複写すること
により複写１枚目と複写２枚目以降の画像品質が是正さ
れる。これは感光体は使用することにより疲労し残留電
位の蓄積が生じても休息すると元のレベルに復帰する性
質を有する。そのため複写１枚目から逆電荷と露光を与
えると待機後１枚目の残留電位が低くなり過ぎ、それに
伴って画像部電位の低下も起きるため複写１枚目の画像
濃度が高くなり２枚目との差がでる。従って複写２枚目
から上記複写方法を使用すればその差が小さくなる。上
記「保護層の物理特性の変化」とは、コロナ放電による
コロナ生成物やコピー用紙の紙粉、さらには大気中の水
分に曝されると発生する保護層の物理特性の変化を意味
する。

【００２１】

【実施例】以下実施例および比較例により本発明をさら
に具体的に説明する。〔実施例１〕直径８０ｍｍ、長さ３４０ｍｍのアルミニ
ウムドラム２０の表面にＴｉＯ₂（石原産業社製）の超
微粒子を分散したポリアミド樹脂を約２μｍ塗工して下
引き層２１を、その上にトリスアゾ顔料をポリエステル
樹脂に分散して約０．１μｍの電荷発生層（ＣＧＬ）２
２、さらに、スチルベン系化合物をポリカーボネート樹
脂（帝人化成社製、パンライトＣ１４００）に分散して
約２８μｍの電荷輸送層（ＣＴＬ）２３を順次塗工し、
加熱乾燥して機能分離型の有機系感光体を作製した。こ
の有機系感光体をプラズマＣＶＤ装置にセットし原料ガ
スとしてＣ₂Ｈ₄／Ｈ₂の混合ガス、ＲＦ電力（１３．５
６ＭＨ₂）１００Ｗ、自己バイアス３０Ｗ、反応圧０．
０１Ｔｏｒｒ、製膜時間３分の成膜条件でＤＬＣ膜（約
２２０Å）からなるブロッキング層を形成した。ついで
原料ガスをＣ₂Ｈ₄／Ｈ₂／ＮＦ₃（流量比９０／２１０／
４０ｓｃｃｍ）とし、ＲＦ電力１００Ｗ、自己バイアス
電力５Ｗ、反応圧０．０２Ｔｏｒｒ、製膜時間８０分の
条件で保護層２４（厚さ約２．２μｍ）を製膜し、ＤＬ
Ｃ２層構成のサンプルとした。なお、ブロッキング層２
５の電気抵抗は約３×１０¹⁵Ω・ｃｍ、保護層は約２×
１０¹⁴Ω・ｃｍであった。また、ヌープ硬度は約５２０
ｋｇ／ｍｍ²である。効果確認用の装置として除電ラン
プの位置に逆電荷用の帯電装置と５６０ｎｍ（緑）のＬ
ＥＤアレイを取り付けた複写機（リコー社製イマジオ４
２０、現像バイアスを−６００ボルトに設定）を用意し
た。条件は露光量約１０μＷ／ｃｍ²、逆電荷付与後の
感光体表面電位＋８５０〜＋９００ボルト、主帯電後の
表面電位は−７３０〜−７５０ボルトとした。また、ス
タート１枚目には逆電荷付与装置は動作しないようにし
た。評価方法はＡ−３サイズのコピー用紙で１０００枚
終了後、５分放置を５回繰り返し、１日５０００枚を１
０日、計５万枚の通紙複写を行い、帯電電位および画像
部位の電位推移、標準原稿による画像品質評価を行っ
た。表面電位の推移を図４に示す。グラフ中の１つの実
線は１枚目と９９５〜１０００枚目の電位の変化を表
す。

【００２２】〔比較例１〕実施例１と同等の有機系感光
体をプラズマＣＶＤ装置にセットし、原料ガスとしてＣ
₂Ｈ₄／Ｈ₂／ＮＦ₃（流量比９０／２１０／３５ｓｃｃ
ｍ）を用い、ＲＦ出力１００Ｗ、反応圧０．０２Ｔｏｒ
ｒ、自己バイアス５Ｗ、製膜時間９２分にセットし、約
２μｍのＤＬＣ膜を形成した。ヌープ硬度は全層で約４
８０ｋｇ／ｍｍ²である。このサンプルを評価機にセッ
トし、実施例１と同様な評価を行った。表面電位の推移
を図４に示す。グラフ中の１つの点線の意味は上述と同
じである。ブロッキング層を形成した感光体（実施例
１）では帯電電位の推移が良好であるが比較例１のサン
プルでは帯電電位の低下傾向が少し大きい傾向がみられ
る。また、画像部電位の電位変動が比較例に比して抑え
られる傾向がある。画像品質はテスト範囲内ではいずれ
も良好であるが、比較例１の場合、さらに継続すると、
現像バイアス値との余裕が無くなり、ＳＮ比で問題が生
じる可能性がある。

【００２３】〔実施例２〕有機系感光体およびブロッキ
ング層２５を作製するところまでは実施例１と同じと
し、第２層以上を次の作製条件で製膜した。まず原料ガ
スにＣ₂Ｈ₄／Ｈ₂／ＮＦ₃（流量比９０／２１０／５０ｓ
ｃｃｍ）を用い、ＲＦ出力９０Ｗ、反応圧０．０４Ｔｏ
ｒｒ、自己バイアス５Ｗ、製膜時間５４分セットし、約
１．２μｍの保護層１（２４−１）を製膜した。次いで
材料ガス種は同じとし、流量比を９０／２１０／４０ｓ
ｃｃｍとしてＲＦ出力１００Ｗ、反応圧０．０１Ｔｏｒ
ｒ、自己バイアス５Ｗ、製膜時間４５分にセットし、約
０．９μｍの保護層２（２４−２）を製膜してサンプル
を完成した。保護層１（２４−１）の電気抵抗は約６×
１０¹¹Ω・ｃｍ、第３層（保護層２）の電気抵抗は約８
×１０¹³Ω・ｃｍ相当である。また、ヌープ硬度は全層
で約５６０ｋｇ／ｍｍ²である。評価法は実施例１と同
じである。結果を表１に示す。

【００２４】〔比較例２〕実施例２のサンプルより第１
のブロッキング層を省いたＤＬＣ膜をオーバーコートし
た感光体を作製しサンプルとした。結果を表１に示す。

【００２５】

【表１】（注）Ｖ₀：スタート電位Ｖ₁：１０００枚目電位Ｖ₂：１枚目と５枚目の電位差（−は低下を示す）判定：○は問題なし、×は問題ありを示す。

【００２６】〔実施例３、４、５、６〕実施例１と同等
の有機系感光体をプラズマＣＶＤ装置にセットし、第１
層のブロッキング層２５の原料ガスであるＣ₂Ｈ₄ガスと
Ｈ₂ガスの比率をＣ₂Ｈ₄／Ｃ₂Ｈ₄＋Ｈ₂＝０．２〜０．６
（Ｃ₂Ｈ₄ガスの流量１２０ｓｃｃｍ）、反応圧０．０１
〜０．０５Ｔｏｒｒの範囲で、ＲＦ電力（１３．５６Ｍ
Ｈ₂）１００Ｗ、自己バイアス３０Ｗ、製膜時間１〜５
分の条件でコントロールし、第１層２５を製膜した。次
いで原料ガスとしてＣ₂Ｈ₄／Ｈ₂／ＮＦ₃の流量比を９０
／２１０／３０〜５０ｓｃｃｍ、反応圧０．０１〜０．
０５、ＲＦ出力１００Ｗ、自己バイアス５Ｗ、製膜時間
７５〜１１２分の条件でコントロールし、保護層２４を
製膜し、感光体サンプルを作製した。表２に製膜したＤ
ＬＣ膜の電気抵抗と膜厚を示す。感光体の評価方法は実
施例１と同じであり、結果を表４に示す。

【００２７】

【表２】

【００２８】〔比較例３、４、５、６〕有機系感光体に
電気抵抗約１．６および４．２×１０¹⁶Ω・ｃｍのブロ
ッキング層（膜厚約７０Å、１５００Å）を成膜した
後、実施例３〜実施例６に示す条件のうち反応圧を０．
００５〜０．０５Ｔｏｒｒ、製膜時間を８０〜１５５分
にした以外は実施例３〜実施例６の条件でＤＬＣ膜を製
膜し感光体サンプルとした。表３に製膜したＤＬＣ膜の
電気抵抗と膜厚を示す。感光体の評価方法は実施例１と
同じであり、結果を表４に示す。

【００２９】

【表３】（以下余白）

【００３０】

【表４】

【００３１】表４から明らかなように、第１、第２の保
護層の電気抵抗および膜厚が適正ならば、電気特性、画
像品質も実用上問題の無い範囲で推移するが、どちらか
の特性が適正でないと電気特性あるいは画像品質が何ら
かの問題を生じ、数値上では現れていないが、感光体の
円周方向の電位の乱れや連続複写の途中で電位の上昇や
低下が起こりやすい。表中の記号は表１と同じである。

【００３２】〔比較例７〕実施例１および比較例１に記
載したものと同じ感光体および評価装置を用い、スター
ト１枚目より逆電荷付与装置が動作するようにして実施
例１と同様の評価を行った。結果を実施例１のものと併
せて表５に示す。

【００３３】

【表５】（注）表中、画像部電位のＶ₂は連続複写中の最大値を
示す。

【００３４】表５より１枚目より逆電荷を動作させる
と、どうしても１枚目の電位が低くなるので電位の変動
が大きくなり、画像品質、例えば濃度の変化に影響が出
て来るので２枚目より逆電荷を動作させた方が良いこと
がわかる。

【００３５】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、有機系
感光層上に電荷注入阻止性のブロッキング層と該ブロッ
キング層より電気抵抗の低い保護層を設けた感光体、ま
た、さらに該ブロッキング層および該保護層の電気抵抗
と厚さを特定した感光体を主帯電に先立って逆電荷と露
光を与える複写方法で使用することにより、従来問題で
あった残留電位の蓄積、繰返し電位の変化および帯電電
位の低下を問題のないレベルにすることができる。ま
た、複写第２枚目より上記複写方法を使用して複写する
ことにより、第１枚目と第２枚目の画像部電位の電位差
を抑え、長期にわたって機械的耐久性と画像品質の優れ
た複写物の得られる電子写真複写方法が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明において使用される画像形成装置の概略
図である。

【図２】本発明で使用される有機系光体の断面の模式図
である。

【図３】従来の有機系光体の断面の模式図である。

【図４】本法と従来法における機内電位の推移を比較し
て示す図である。

【符号の説明】

１有機系感光体２主帯電装置３画像露光４現像装置５転写・分離装置６除電装置７クリーニング装置８逆電荷付与装置９露光装置１０定着装置１１非転写体２０導電性支持体２１下引き層２２電荷発生層（ＣＧＬ）２３電荷輸送層（ＣＴＬ）２４ＤＬＣ膜保護層２４−１保護層１２４−２保護層２２５ブロッキング層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】有機系感光層の上にさらに炭素または炭
素を主成分として形成される薄膜（以下ＤＬＣ膜）を保
護層として有する電子写真感光体に、主帯電に先立って
主帯電とは逆極性の帯電および露光を行う電子写真複写
方法において、上記保護層が２層または２層以上からな
り、上記感光層と接する第一保護層が電荷注入阻止性の
ＤＬＣ膜（ブロッキング層）からなり、該第一保護層上
に設ける第二保護層または第二保護層以上の保護層が第
一保護層より電気抵抗が低く設定されている電子写真複
写方法。
【請求項２】上記請求項１において、第一保護層の膜
厚が１００〜１０００Å、電気抵抗が１×１０¹⁴〜１×
１０¹⁶Ω・ｃｍ、第二保護層または第二保護層以上の保
護層の総膜厚が０．５〜５μｍ、電気抵抗が１×１０¹¹
〜１×１０¹⁵Ω・ｃｍに設定されている電子写真複写方
法。
【請求項３】複写第２枚目より上記請求項１に記載の
電子写真複写方法を使用して複写を行う電子写真複写方
法。