JPS6028662A - 電子写真用アモルフアスシリコン感光体 - Google Patents
電子写真用アモルフアスシリコン感光体Info
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- JPS6028662A JPS6028662A JP58135957A JP13595783A JPS6028662A JP S6028662 A JPS6028662 A JP S6028662A JP 58135957 A JP58135957 A JP 58135957A JP 13595783 A JP13595783 A JP 13595783A JP S6028662 A JPS6028662 A JP S6028662A
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- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 43
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 18
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 5
- 229910018131 Al-Mn Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910018461 Al—Mn Inorganic materials 0.000 abstract 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 aluminum-manganese Chemical compound 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000037237 body shape Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
- G03G5/102—Bases for charge-receiving or other layers consisting of or comprising metals
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はいわゆる電子写真などに用いられる光導電性の
感光体に係り、特に無定形ケイ素を感光体層としかつ基
板としてアルミニウムーマンガン系合金を用いた光導電
性の感光体に関する。
感光体に係り、特に無定形ケイ素を感光体層としかつ基
板としてアルミニウムーマンガン系合金を用いた光導電
性の感光体に関する。
従来、電子写真印刷機である複写機、レーザープリンタ
などに用いられる光導電性の感光利料(すなわぢ感光体
)として、セレン(Se)、硫化カドミウム(CdS
) 、酸化亜鉛(zno)、有偽光導電材料などが一般
的であったが、最近これらに代えて無定形(非晶質)ケ
イ素(以下、a−8i 、L:略称する)を感光体とし
て用いる方法が開発された。この熱定形ケイ素の基本的
な(1゛4成等については本出願人による特開昭57−
37352号公報に、また製作条件等については同じく
本出願人による特開昭57−78546号公報にそれぞ
れ詳細に述べられている。
などに用いられる光導電性の感光利料(すなわぢ感光体
)として、セレン(Se)、硫化カドミウム(CdS
) 、酸化亜鉛(zno)、有偽光導電材料などが一般
的であったが、最近これらに代えて無定形(非晶質)ケ
イ素(以下、a−8i 、L:略称する)を感光体とし
て用いる方法が開発された。この熱定形ケイ素の基本的
な(1゛4成等については本出願人による特開昭57−
37352号公報に、また製作条件等については同じく
本出願人による特開昭57−78546号公報にそれぞ
れ詳細に述べられている。
a−8t感光体は従来の感光体に比べて、電荷保持能力
や光感度特性が良く画像が鮮明なこと、耐熱性、化学的
安定性、機械的強度に優れていること、さらに人体に安
全でかつ安価であることつηの利点を有する。
や光感度特性が良く画像が鮮明なこと、耐熱性、化学的
安定性、機械的強度に優れていること、さらに人体に安
全でかつ安価であることつηの利点を有する。
かかるa−8i感光体はa−3l)7をプラスT CV
I)法、スハッタリング法、蒸着法などにより導?i
j f1基板上に形成させることによって得られるが、
たとえはプラズマCVD法を用いて高周波によりシラン
ガスなどを含むガス内でグロー放電を行なってa−8i
膜を形成するとき、基板は一定時間の間200〜300
Cに保持し続けられねばならない。このようにして形成
されたa−8iJl内には通常、大きな歪が残存してお
り、たとえば基板が円筒形状のドラムである場合には残
留圧縮応力を生じ、この応力に起因して基板に外力とし
て作用することになる。
I)法、スハッタリング法、蒸着法などにより導?i
j f1基板上に形成させることによって得られるが、
たとえはプラズマCVD法を用いて高周波によりシラン
ガスなどを含むガス内でグロー放電を行なってa−8i
膜を形成するとき、基板は一定時間の間200〜300
Cに保持し続けられねばならない。このようにして形成
されたa−8iJl内には通常、大きな歪が残存してお
り、たとえば基板が円筒形状のドラムである場合には残
留圧縮応力を生じ、この応力に起因して基板に外力とし
て作用することになる。
また、上記の如くして形成したa−8i感光体を用いて
印刷するに当たっては、まずこの感光体に暗状態でコロ
ナ放電を行うことによって帯電さゼ、しかる後転写すべ
き画像、文字、記号などの被写体を設計された光学系を
用いてこの感光体に結像(すなわち露光)させる。感光
体は光導電性を有しているので、被写体からの光の明暗
に応じて帯電していた■L荷が放電し、感光体には被写
体の静電的潜佐が形成される。この静mmaに印刷用微
粒子を電気的に吸引させ、それを転写紙に付着固定させ
ることによって被写体の転写が行われるのであるが、こ
の静電潜像の形成過程においては、a−8t層と導電性
基板との間にヤーヤリ〜゛1′のP、動が生じ、そのた
めa−別層と基板とのj”25i4 ii・1σ)羽、
形や基板の材質などによって感光体としてのq、r性が
大きく影響され、左右されることにもなる。
印刷するに当たっては、まずこの感光体に暗状態でコロ
ナ放電を行うことによって帯電さゼ、しかる後転写すべ
き画像、文字、記号などの被写体を設計された光学系を
用いてこの感光体に結像(すなわち露光)させる。感光
体は光導電性を有しているので、被写体からの光の明暗
に応じて帯電していた■L荷が放電し、感光体には被写
体の静電的潜佐が形成される。この静mmaに印刷用微
粒子を電気的に吸引させ、それを転写紙に付着固定させ
ることによって被写体の転写が行われるのであるが、こ
の静電潜像の形成過程においては、a−8t層と導電性
基板との間にヤーヤリ〜゛1′のP、動が生じ、そのた
めa−別層と基板とのj”25i4 ii・1σ)羽、
形や基板の材質などによって感光体としてのq、r性が
大きく影響され、左右されることにもなる。
従って、a−s+e、光体用のノ1(板は感光体の特性
が劣化しないものを使用することが必要で、この際、n
−3t成膜時の温度条件から低融点の)1シ板は用いる
ことができず、またa−8t膜内のストレスによって変
形が生じるような強度の低い基板はil:’a用上好ま
しくないのである。
が劣化しないものを使用することが必要で、この際、n
−3t成膜時の温度条件から低融点の)1シ板は用いる
ことができず、またa−8t膜内のストレスによって変
形が生じるような強度の低い基板はil:’a用上好ま
しくないのである。
このように、導電性基板の選定に当たっては、熱的、機
械的強度ともに優れ、同時に耐久性をも満足させて、感
光体の特性を充分維持させることが要求されるのである
。
械的強度ともに優れ、同時に耐久性をも満足させて、感
光体の特性を充分維持させることが要求されるのである
。
しかしながら、感光体自体の研究開発は進展しているに
も拘らず、これを支持する導電性基板について特にその
材質の問題に関しては統一した兄解が未だ見出されてい
ない。
も拘らず、これを支持する導電性基板について特にその
材質の問題に関しては統一した兄解が未だ見出されてい
ない。
本発明はかかる実情を踏まえ、a−8l感光体用の基板
に要求される諸条件を考慮するとともに、感光体の特性
としての電荷保持特性や帯電電位の向上等をもたらしう
る導電性基板を提供することを目的とするものである。
に要求される諸条件を考慮するとともに、感光体の特性
としての電荷保持特性や帯電電位の向上等をもたらしう
る導電性基板を提供することを目的とするものである。
a−81感光体の静電特性は電子写真の画像の良否に密
接に関連し、その帯電電位は画像のコントラストに影響
して、これが低下すれば画像は白色がかり画質の低下を
招く原因となる。従って、感光体特性としての静電特性
、画質等を維持しっつa−8l感光体の製造条件に適合
する基板材料について、本発明者等は種々検討を重ねた
結果、アルミニウムーマンガン系合金を基板として用い
ることによって上記の全ての条件を満足しかつ感光体の
諸性性を飛躍的に増大しq9ることを見出して本発明に
到達した。
接に関連し、その帯電電位は画像のコントラストに影響
して、これが低下すれば画像は白色がかり画質の低下を
招く原因となる。従って、感光体特性としての静電特性
、画質等を維持しっつa−8l感光体の製造条件に適合
する基板材料について、本発明者等は種々検討を重ねた
結果、アルミニウムーマンガン系合金を基板として用い
ることによって上記の全ての条件を満足しかつ感光体の
諸性性を飛躍的に増大しq9ることを見出して本発明に
到達した。
以下、本発明に係るMn7=4アルミニウム基板の実施
例について、Mg系のアルミニウムを基板として用いた
場合と比較しつつ説明する。
例について、Mg系のアルミニウムを基板として用いた
場合と比較しつつ説明する。
ht −Mg 、1アルミニウム合金は純アルミニウム
に比して強度、耐蝕性に優れているという理由がら従来
より導電性基板として専ら使用されているものである。
に比して強度、耐蝕性に優れているという理由がら従来
より導電性基板として専ら使用されているものである。
下記表はMn系アルミニウムとP、ig系アルミニウム
との各化学成分を比較したものである。
との各化学成分を比較したものである。
芭
[:
(
Mn系のアルミニウムは、Mnを添加することによって
純アルミニウムの特質である加]−性、耐蝕性を維持し
つつ強度を向上させたものであるが、本発明は上記成分
を有するMn系アルミニウムをノ、を板としてそのまま
適用することによって後述するような好適なa−8t感
光体が形成されることが判明したのである。
純アルミニウムの特質である加]−性、耐蝕性を維持し
つつ強度を向上させたものであるが、本発明は上記成分
を有するMn系アルミニウムをノ、を板としてそのまま
適用することによって後述するような好適なa−8t感
光体が形成されることが判明したのである。
ここで、表から明らかなように、At−Mn合金のMn
含有量は1.0〜1.5%の範囲内であることが本発明
の適用上好ましい。前記したようにMnの添加によりA
t−Mn合金の機械的強度は増すが、含有量1.5%以
上では合金中のMnは夾雑物となって加工表面に現出す
るので加工性、アルマイト性の低下を招来し、基板に適
さない。また1、0%以下では加工性、耐蝕性は向上す
るが機械的強度の低下が著しい。従って、基板に作用す
るa−Si感光体層の圧縮応力による耐久力や複写機、
プリンタ等に組み込んだ際の部品としての信頼性を満足
し、感光体の静電特性の向上を図ることができる限度に
おいてMn含有量は1.0〜1.5%が適当である。
含有量は1.0〜1.5%の範囲内であることが本発明
の適用上好ましい。前記したようにMnの添加によりA
t−Mn合金の機械的強度は増すが、含有量1.5%以
上では合金中のMnは夾雑物となって加工表面に現出す
るので加工性、アルマイト性の低下を招来し、基板に適
さない。また1、0%以下では加工性、耐蝕性は向上す
るが機械的強度の低下が著しい。従って、基板に作用す
るa−Si感光体層の圧縮応力による耐久力や複写機、
プリンタ等に組み込んだ際の部品としての信頼性を満足
し、感光体の静電特性の向上を図ることができる限度に
おいてMn含有量は1.0〜1.5%が適当である。
次に、Mn系アルミニウムを基板として用いた本発明の
感光体と、従来のMg系アルミニウム基板を用いた場合
の効果の比較を第1図および第2図を参照して説明する
。これらの材質の基板としての適否を検討するため、同
一のデポジション条件でAZ Mn 系およびAt−M
g系の各a−5i e、光体形を成膜させて、それぞれ
のa−s+6光体を作成した。
感光体と、従来のMg系アルミニウム基板を用いた場合
の効果の比較を第1図および第2図を参照して説明する
。これらの材質の基板としての適否を検討するため、同
一のデポジション条件でAZ Mn 系およびAt−M
g系の各a−5i e、光体形を成膜させて、それぞれ
のa−s+6光体を作成した。
第1図は、かかる感光体の表面電荷保持特性について暗
減衰の様子を示すものである。ここで(Nは本発明で適
用されるMn系アルミニウムを基板としたa−8t感光
体の場合、(B)は従来のMF、糸アルミニウムを基板
としたa−8t感光体の各暗減衰を示す。この図から明
らかなように、帯11′l後10秒経過した時の初期電
位保持率は、A/!、−Mn系感光体(ト)がA4−
Mg系感光体(B)に比しほぼ30%も向上しており、
AtMn J (JIS 3003 )を基板としたも
のは暗中での表面電荷保持特性特性が極めて良好である
ことが判る。
減衰の様子を示すものである。ここで(Nは本発明で適
用されるMn系アルミニウムを基板としたa−8t感光
体の場合、(B)は従来のMF、糸アルミニウムを基板
としたa−8t感光体の各暗減衰を示す。この図から明
らかなように、帯11′l後10秒経過した時の初期電
位保持率は、A/!、−Mn系感光体(ト)がA4−
Mg系感光体(B)に比しほぼ30%も向上しており、
AtMn J (JIS 3003 )を基板としたも
のは暗中での表面電荷保持特性特性が極めて良好である
ことが判る。
第2図は上記各感光体(A) 、 (T3)のコロナ電
流7()μA1ドラム回転数120 rpmの条件下で
測定した各帯電速度の比較を示すグラフである。本発明
によるAt−Mn系基板を用いた感光体(5)は、?I
′i丁「を移10秒経過時において(B)の感光体に比
し409g以上の向上が見られる。
流7()μA1ドラム回転数120 rpmの条件下で
測定した各帯電速度の比較を示すグラフである。本発明
によるAt−Mn系基板を用いた感光体(5)は、?I
′i丁「を移10秒経過時において(B)の感光体に比
し409g以上の向上が見られる。
次に、両者の画像の比軟評価を行なった結果、従来のk
t−Mg系基板を使用した感光体による画像は同一のコ
ピープロセス中では表面電位が低いために黒濃度が低く
コントラストが悪いが、At−Mn系基板を使用した本
発明の感光体による画像は、黒濃度、コントラストも向
上し、極めて鮮明な画像を得ることができた。
t−Mg系基板を使用した感光体による画像は同一のコ
ピープロセス中では表面電位が低いために黒濃度が低く
コントラストが悪いが、At−Mn系基板を使用した本
発明の感光体による画像は、黒濃度、コントラストも向
上し、極めて鮮明な画像を得ることができた。
図面は従来の感光体(At−Mg系)と本発明の感光体
(At−Mn系)との各比較を示すものであり、第1図
は暗中での表面保持特性を示すグラフ、第2図は帯電速
度を示すグラフである。 囚・・・AA−Mn系感光体;(B)・・・人4−Mg
系感光体。 特r「出願人:スタンレー電気株式会社代 理 人:弁
理士 海 津 保 正 量 :弁理士 平 山 −幸 第1 目 許間(t+)
(At−Mn系)との各比較を示すものであり、第1図
は暗中での表面保持特性を示すグラフ、第2図は帯電速
度を示すグラフである。 囚・・・AA−Mn系感光体;(B)・・・人4−Mg
系感光体。 特r「出願人:スタンレー電気株式会社代 理 人:弁
理士 海 津 保 正 量 :弁理士 平 山 −幸 第1 目 許間(t+)
Claims (2)
- (1) 基板上にアモルファスシリコンを主体とする感
光体層を形成した電子写真用アモルファスシリコン感光
体であって、上記基板として7 y ミニラム−マンガ
ン系のアルミニウム合金を用いたことを特徴とする上記
電子写真用アモルファスシリコン感光体。 - (2) 前記アルミニウム合金のマンガン含有率が1.
0〜1.5%の範囲内である、特許請求の範囲第1項記
載の電子写真用アモルファスシリコン感光体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58135957A JPS6028662A (ja) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | 電子写真用アモルフアスシリコン感光体 |
DE19843427826 DE3427826A1 (de) | 1983-07-27 | 1984-07-27 | Substrat fuer einen photorezeptor aus amorphem silicium |
US06/815,775 US4689283A (en) | 1983-07-27 | 1986-01-02 | Amorphous silicon photoreceptor for electrophotography with Al-Mn alloy base |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58135957A JPS6028662A (ja) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | 電子写真用アモルフアスシリコン感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6028662A true JPS6028662A (ja) | 1985-02-13 |
JPH0426107B2 JPH0426107B2 (ja) | 1992-05-06 |
Family
ID=15163790
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58135957A Granted JPS6028662A (ja) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | 電子写真用アモルフアスシリコン感光体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4689283A (ja) |
JP (1) | JPS6028662A (ja) |
DE (1) | DE3427826A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0957404B1 (en) * | 1998-05-14 | 2006-01-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic image forming apparatus |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59212844A (ja) * | 1983-05-18 | 1984-12-01 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5313423A (en) * | 1976-07-23 | 1978-02-07 | Ricoh Co Ltd | Photosensitive element of selenium for electronic photography |
JPS5827496B2 (ja) * | 1976-07-23 | 1983-06-09 | 株式会社リコー | 電子写真用セレン感光体 |
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