JPS5958437A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS5958437A JPS5958437A JP17002182A JP17002182A JPS5958437A JP S5958437 A JPS5958437 A JP S5958437A JP 17002182 A JP17002182 A JP 17002182A JP 17002182 A JP17002182 A JP 17002182A JP S5958437 A JPS5958437 A JP S5958437A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photosensitive layer
- reaction tube
- photoreceptor
- photosensitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真用感光体に関する。
電子写真用感光体としては、アルミニウムなどの導Ｌｔ
性基体上にＳｅ系合金を真壁蒸漸して感光層を設けたも
のが従来から広く用いられていた。これはＳｅ系感光体
が十分な受容電位率さな暗減衰、比較的速い感度などで
総合的に優れた特性を有するからである。
性基体上にＳｅ系合金を真壁蒸漸して感光層を設けたも
のが従来から広く用いられていた。これはＳｅ系感光体
が十分な受容電位率さな暗減衰、比較的速い感度などで
総合的に優れた特性を有するからである。
しかしながら、従来のＳｅ系感光体は次のような欠点が
あった。
あった。
Ｉ）感光体表面のＳｅ層がむき出しになっているため、
来使用中ペーパージャム等で簡単にキズがつき耐久性に
乏しい上、コぎ一上に白スジが発生しやすい。
来使用中ペーパージャム等で簡単にキズがつき耐久性に
乏しい上、コぎ一上に白スジが発生しやすい。
１１）同様に実使用中、紙、クリーニング部、現像部等
により摩擦を受けＳｅ層が摩耗し、コｆ−上ζこＳｅが
付着・排出されることによる公害が心配される。
により摩擦を受けＳｅ層が摩耗し、コｆ−上ζこＳｅが
付着・排出されることによる公害が心配される。
１ｉｉ） ％に５ｅ−Ａｓ系感光体の場合、急着直後
では表面抵抗が十分に大きくなく、そのままでは帯電・
屯位が不足する場合がある。
では表面抵抗が十分に大きくなく、そのままでは帯電・
屯位が不足する場合がある。
本発明の目的は、Ｓｅ系感光体の特性を生かしつつ前記
欠点を解消したＳｅ系の電子写真用感光体を提供するこ
とにある。
欠点を解消したＳｅ系の電子写真用感光体を提供するこ
とにある。
本発明は第１図に示した如＜郭蛋性支持体１上にＳｅ糸
感光層２を設け、更に感光層２上に表面保膜層３を設け
た構造をなし、この保峻Ｊ１こは電気的特性及び耐久性
の両面を考慮してＳｉとＮ又はＳｉとＯとの化合物を使
用する。
感光層２を設け、更に感光層２上に表面保膜層３を設け
た構造をなし、この保峻Ｊ１こは電気的特性及び耐久性
の両面を考慮してＳｉとＮ又はＳｉとＯとの化合物を使
用する。
各層の素材、機能等については次の辿りである。
イ）導電性支持体
通常、電子写真で用いられる支持体は全て使用でき、表
面を処理（酸化処理、エツチング等）したものも使用で
きる。
面を処理（酸化処理、エツチング等）したものも使用で
きる。
口）感光層
Ｓｅを含む感光層であれば単層でも積層でも良い０又、
感光層の処方は特に限定されないが、保睦膜のオに暦法
ζこよっては感光層を高温（１０（１℃以上）に保たね
ばならない場合もあり、畠温下でも変質ヲ起こさないも
の、つまりガラス転移点（Ｔｇ）ｘｏｏ℃以上のものが
望ましい。例えばＡｓ１Ｓｅ、のＴｇは約１８０℃であ
り％ Ａｓ２５ｅ１−、 （０，３＜ Ｖ ＜０．５
）であればＴｇ＞１００℃となる。ｇ光層は通常の真空
蒸着法によって作製され、膜厚は１０〜１００μｍ好ま
しくは３０〜７ｏｐｍである。
感光層の処方は特に限定されないが、保睦膜のオに暦法
ζこよっては感光層を高温（１０（１℃以上）に保たね
ばならない場合もあり、畠温下でも変質ヲ起こさないも
の、つまりガラス転移点（Ｔｇ）ｘｏｏ℃以上のものが
望ましい。例えばＡｓ１Ｓｅ、のＴｇは約１８０℃であ
り％ Ａｓ２５ｅ１−、 （０，３＜ Ｖ ＜０．５
）であればＴｇ＞１００℃となる。ｇ光層は通常の真空
蒸着法によって作製され、膜厚は１０〜１００μｍ好ま
しくは３０〜７ｏｐｍである。
ノ１）表面保獲層（８４ｘＮ、−ｘ、 ５ｔＸｏ、−ｘ
（０＜ｘ＜１））Ｓ ｉ Ｘ Ｎ１−Ｘ又は５ｉｘ０１
−Ｘが母体となっていれば纂３添加物（Ｈ、Ｆ 、 Ｃ
１、Ｂ 、 Ｐ 、 Ｏ等）を含んでいてもよい。この
表面保循層の硬度は、ヴイツカス硬度で１０００〜３・
０００程度であり、Ｓｅ系感光層が５０〜６０程度であ
るのに比して硬く所期の目的が達成できる。積層方法は
特に限定されないが、グロー放電分解法、光ＣＶＤ法等
が好適といえる。特に低温での堆積反応が可能な光ＣＶ
Ｄ法が最適である。膜厚は５（）Ｘ〜２μｍ好談しくは
２００Ｘ〜１μｍである。
（０＜ｘ＜１））Ｓ ｉ Ｘ Ｎ１−Ｘ又は５ｉｘ０１
−Ｘが母体となっていれば纂３添加物（Ｈ、Ｆ 、 Ｃ
１、Ｂ 、 Ｐ 、 Ｏ等）を含んでいてもよい。この
表面保循層の硬度は、ヴイツカス硬度で１０００〜３・
０００程度であり、Ｓｅ系感光層が５０〜６０程度であ
るのに比して硬く所期の目的が達成できる。積層方法は
特に限定されないが、グロー放電分解法、光ＣＶＤ法等
が好適といえる。特に低温での堆積反応が可能な光ＣＶ
Ｄ法が最適である。膜厚は５（）Ｘ〜２μｍ好談しくは
２００Ｘ〜１μｍである。
このような表面保艙層を設けた本発明の感光体は、耐久
性、耐候性に優れ感光体作製直後から安定した充分な表
面抵抗を有する。そして、白スジ等のない鮮明なコピー
か得られ、コピー上にＳｅが付着することもない。
性、耐候性に優れ感光体作製直後から安定した充分な表
面抵抗を有する。そして、白スジ等のない鮮明なコピー
か得られ、コピー上にＳｅが付着することもない。
実施例１
以下の手順に従ってＡｔ支持体上に真空＃滑性によりＡ
ｓ１Ｓｅｌ感光ノ脅を蒸着し、その上に光ＣＶＤ法によ
りアモルファス構造の８ ｊ ３Ｎ４層を順次積層した
。
ｓ１Ｓｅｌ感光ノ脅を蒸着し、その上に光ＣＶＤ法によ
りアモルファス構造の８ ｊ ３Ｎ４層を順次積層した
。
（手 順）
１）１２０φｗｓ Ｘ ４００ ｍ Ｃ１）Ａｔ支持体
ドラムをノぞ−クレン（１２０℃）で２分間洗浄した。
ドラムをノぞ−クレン（１２０℃）で２分間洗浄した。
２）次に、５ｗｔ％Ｎａ１ＰＯ４水溶？［（８０℃）中
にて６０秒間アルカリエツチングし、その後水洗を２度
行った。
にて６０秒間アルカリエツチングし、その後水洗を２度
行った。
３）次いで、８０℃温水により表面乾燥を行った後、然
着釜にセットし１０４Ｔｏｒｒまで排気した。
着釜にセットし１０４Ｔｏｒｒまで排気した。
４） ｆに、蒸眉源温度４００℃、支持体温度２００
’Ｃの条件下で、Ａｓ２５ｅ１合金を３５分間支持体
上に蒸フｈして、膜厚約６０ｐｍσ）感−ｙ（Ｃ体を得
た。
’Ｃの条件下で、Ａｓ２５ｅ１合金を３５分間支持体
上に蒸フｈして、膜厚約６０ｐｍσ）感−ｙ（Ｃ体を得
た。
５）このようにして得られた感光体を第２図に示す光Ｃ
ｖＤ装置６の反応管４内に設置し、ガス引抜電５を介し
た真空ポンプ６により反応管４内をＩ Ｔ１−” Ｔｏ
ｒｒまで真空排気した。
ｖＤ装置６の反応管４内に設置し、ガス引抜電５を介し
た真空ポンプ６により反応管４内をＩ Ｔ１−” Ｔｏ
ｒｒまで真空排気した。
６）感光体ドラム８の表面温度を１５０±５℃に保持し
た。
た。
７）ガスボンベ９ ａ −ｄよりＳｉＨ４及びＮＨ，を
それぞれ流量５０８ＣＣＭ、 １２０８ＣＣＭでガス供
姑゛ｕ１０を介して反応管４内に導入するとともに、全
圧を１６ Ｔｏｒｒに調節した後Ｈｇ１１蒸気を導入し
ながら２５３７久の紫外光を光源１２からモーター１３
ｉこより巨１転する感光体ドラム８上に３１（射し、又
高ｊＮ波＝１イル１４によりエネルギーを日Ｊ力（１し
て＾＆光層表面上に次式 ％式％ に従いアモルファス構造の８＋３Ｎ４膜を４０分で約２
０００Ｘ績層した。（図中、７４ｉコールドトラツプ、
１５は高周波軍、源、１６は反射板、１７は赤外線ヒー
ター、１８番は熱電対を示す。） 実施例２ ８ｉ０２を保ｉｉ！！層とする感光体を、下記条件とし
た以外は実施例１と同様番こして、ｆｆ製した。
それぞれ流量５０８ＣＣＭ、 １２０８ＣＣＭでガス供
姑゛ｕ１０を介して反応管４内に導入するとともに、全
圧を１６ Ｔｏｒｒに調節した後Ｈｇ１１蒸気を導入し
ながら２５３７久の紫外光を光源１２からモーター１３
ｉこより巨１転する感光体ドラム８上に３１（射し、又
高ｊＮ波＝１イル１４によりエネルギーを日Ｊ力（１し
て＾＆光層表面上に次式 ％式％ に従いアモルファス構造の８＋３Ｎ４膜を４０分で約２
０００Ｘ績層した。（図中、７４ｉコールドトラツプ、
１５は高周波軍、源、１６は反射板、１７は赤外線ヒー
ター、１８番は熱電対を示す。） 実施例２ ８ｉ０２を保ｉｉ！！層とする感光体を、下記条件とし
た以外は実施例１と同様番こして、ｆｆ製した。
流星： ８ｉＨ４５０ＳＣＣＭ
Ｎ！０ １００８ＣＣＭ
全 圧： Ｌ ５ Ｔｏｒｒ
８４０１膜圧： 約４（ＨｌＯＸ（積層時間２０分）
本反応は次のようなメカニズムｔこよると思才つれる。
本反応は次のようなメカニズムｔこよると思才つれる。
Ｈｇ＋ｈν（２５３７Ｘ）→Ｈｇ ＊ （光励起）Ｈｇ
＋Ｎ２０ →Ｎ１＋０（’Ｐ）＋Ｈｇｆ９１Ｈ，＋
Ｏ（’Ｐ ）→５１０２＋Ｈｔ以上得られた実施例１及
び２の感光体の抵抗は１ハ、子写真用として充分（１０
１１Ω・備以上）な抵抗を示し、帯電性能は極めて良好
なものであった。又、表面も硬く摩耗しにくいため複写
機内で１１１万枚以上の連続コピー後もキズが認められ
ず、極めて良好な画像品質を維持した。更に１０万枚コ
ピー後の現像剤中のＡｓ 、 ８ｅの含有Ｍ、ヲ分析し
た結果、その存在は認められなかった。
＋Ｎ２０ →Ｎ１＋０（’Ｐ）＋Ｈｇｆ９１Ｈ，＋
Ｏ（’Ｐ ）→５１０２＋Ｈｔ以上得られた実施例１及
び２の感光体の抵抗は１ハ、子写真用として充分（１０
１１Ω・備以上）な抵抗を示し、帯電性能は極めて良好
なものであった。又、表面も硬く摩耗しにくいため複写
機内で１１１万枚以上の連続コピー後もキズが認められ
ず、極めて良好な画像品質を維持した。更に１０万枚コ
ピー後の現像剤中のＡｓ 、 ８ｅの含有Ｍ、ヲ分析し
た結果、その存在は認められなかった。
絹１図は本発明感光体の概略断面図であり、第２図は光
ＣＶＤ装置Ｋの一例を示す。
ＣＶＤ装置Ｋの一例を示す。
Claims (1)
- １、 導電性支持体上に少なくともＳｅを含む感光層を
設け、該感光層上に８１とＮ又はｓｉとＯとの化合物を
主体とする層を設けたことを特徴とする電子写真用感光
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17002182A JPS5958437A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17002182A JPS5958437A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5958437A true JPS5958437A (ja) | 1984-04-04 |
Family
ID=15897125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17002182A Pending JPS5958437A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5958437A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6315255A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-22 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体 |
| JPS6315257A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-22 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体 |
| JPS6315256A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-22 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体 |
| US4801515A (en) * | 1986-07-08 | 1989-01-31 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an overcoat layer |
| US4891291A (en) * | 1987-03-09 | 1990-01-02 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an amorphous carbon overcoat layer |
| US4994337A (en) * | 1987-06-17 | 1991-02-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an overcoat layer |
| US5000831A (en) * | 1987-03-09 | 1991-03-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Method of production of amorphous hydrogenated carbon layer |
| US5138381A (en) * | 1989-12-27 | 1992-08-11 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus equipped with separating pawl with specified surface roughness |
-
1982
- 1982-09-29 JP JP17002182A patent/JPS5958437A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6315255A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-22 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体 |
| JPS6315257A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-22 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体 |
| JPS6315256A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-22 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体 |
| US4801515A (en) * | 1986-07-08 | 1989-01-31 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an overcoat layer |
| US4891291A (en) * | 1987-03-09 | 1990-01-02 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an amorphous carbon overcoat layer |
| US5000831A (en) * | 1987-03-09 | 1991-03-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Method of production of amorphous hydrogenated carbon layer |
| US4994337A (en) * | 1987-06-17 | 1991-02-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member having an overcoat layer |
| US5138381A (en) * | 1989-12-27 | 1992-08-11 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus equipped with separating pawl with specified surface roughness |
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