JP2761745B2 - 電子写真感光体の再利用方法 - Google Patents
電子写真感光体の再利用方法Info
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- JP2761745B2 JP2761745B2 JP30902788A JP30902788A JP2761745B2 JP 2761745 B2 JP2761745 B2 JP 2761745B2 JP 30902788 A JP30902788 A JP 30902788A JP 30902788 A JP30902788 A JP 30902788A JP 2761745 B2 JP2761745 B2 JP 2761745B2
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアモルファスシリコン光導電層と有機光半導
体層を積層して成る電子写真感光体の再利用方法に関す
るものである。
体層を積層して成る電子写真感光体の再利用方法に関す
るものである。
電子写真感光体の光導電材料には、Se,Se−Te,A
s2Se3,ZnO,CdS,アモルファスシリコンなどの無機材料と
各種有機材料がある。そのなかで最初に実用化されたも
のはSeであり、次いで、ZnO,CdS,アモルファスシリコン
も実用化された。また、有機材料ではPVK−TNFが最初に
実用化され、その後、電荷の発生並びに電荷の輸送とい
う機能を別々の有機光半導体層に分担させるという機能
分離型感光体が提案され、この感光体によって有機材料
の開発が飛躍的に発展している。
s2Se3,ZnO,CdS,アモルファスシリコンなどの無機材料と
各種有機材料がある。そのなかで最初に実用化されたも
のはSeであり、次いで、ZnO,CdS,アモルファスシリコン
も実用化された。また、有機材料ではPVK−TNFが最初に
実用化され、その後、電荷の発生並びに電荷の輸送とい
う機能を別々の有機光半導体層に分担させるという機能
分離型感光体が提案され、この感光体によって有機材料
の開発が飛躍的に発展している。
一方、無機光半導体層の上に有機光半導体層を積層し
た電子写真感光体も提案された。
た電子写真感光体も提案された。
例えば、アモルファスシリコン光導電層と有機光半導
体層から成る積層型感光体が提案されている（特開54−
116930号、特開54−143645号、特開56−1943号、特開56
−243452号等）。
体層から成る積層型感光体が提案されている（特開54−
116930号、特開54−143645号、特開56−1943号、特開56
−243452号等）。
しかし乍ら、上記感光体を長期間に亘って使用した場
合、画像濃度の低下、白地部のカブリ、解像力の低下、
画像ボケ、あるいは白抜け、黒ポチ、スジ等の種々の不
均一ノイズなどの画質の劣化が認められる。
合、画像濃度の低下、白地部のカブリ、解像力の低下、
画像ボケ、あるいは白抜け、黒ポチ、スジ等の種々の不
均一ノイズなどの画質の劣化が認められる。
この劣化原因は、感光体の一部に有機光半導体層を形
成しており、そのため、下記（１）〜（６）が生じるた
めである。
成しており、そのため、下記（１）〜（６）が生じるた
めである。
（１）・・・繰り返し使用による光、熱、電流、また、
コロナ放電により発生するオゾン、NOX等の活性物質な
どが原因となる有機光半導体組成物の劣化 （２）・・・温度、湿度などの環境条件や長期保存によ
る有機光半導体層の劣化や変質、ヒビ割れ等の物理的劣
化 （３）・・・現像、転写工程でのトナーフィルミングや
紙粉などの付着 （４）・・・空気中の汚染物質の付着 （５）・・・紙、クリーニングブレードなどとの摩擦に
よる感光体表面の摩耗や傷 （６）・・・コロナ放電による放電破壊 〔発明の目的〕 本発明者等は上記事情に鑑みて鋭意研究に努めた結
果、上記積層型感光体のアモルファスシリコン光導電層
（以下、アモルファスシリコンをａ−Siと略す）を、そ
のままに残し、そして、劣化した有機光半導体層を、新
たな有機光半導体層と取り替えることにより再利用がで
きることを見い出した。
コロナ放電により発生するオゾン、NOX等の活性物質な
どが原因となる有機光半導体組成物の劣化 （２）・・・温度、湿度などの環境条件や長期保存によ
る有機光半導体層の劣化や変質、ヒビ割れ等の物理的劣
化 （３）・・・現像、転写工程でのトナーフィルミングや
紙粉などの付着 （４）・・・空気中の汚染物質の付着 （５）・・・紙、クリーニングブレードなどとの摩擦に
よる感光体表面の摩耗や傷 （６）・・・コロナ放電による放電破壊 〔発明の目的〕 本発明者等は上記事情に鑑みて鋭意研究に努めた結
果、上記積層型感光体のアモルファスシリコン光導電層
（以下、アモルファスシリコンをａ−Siと略す）を、そ
のままに残し、そして、劣化した有機光半導体層を、新
たな有機光半導体層と取り替えることにより再利用がで
きることを見い出した。
従って、本発明は上記知見により完成されたものであ
り、その目的は劣化した電子写真感光体の一部を取り替
え、これにより、電子写真感光体を廃棄処分することな
く有効に利用し、製造コスト及び製造効率を改善するこ
とにある。
り、その目的は劣化した電子写真感光体の一部を取り替
え、これにより、電子写真感光体を廃棄処分することな
く有効に利用し、製造コスト及び製造効率を改善するこ
とにある。
本発明に係る電子写真感光体の再利用方法は、導電性
基板上にａ−Si光導電層と有機光半導体層が順次積層さ
れた電子写真感光体より有機溶剤を用いて上記有機光半
導体層を除去し、次いで、上記ａ−Si光導電層の上に再
度有機光半導体層を形成して電子写真感光体と成すこと
を特徴とする。
基板上にａ−Si光導電層と有機光半導体層が順次積層さ
れた電子写真感光体より有機溶剤を用いて上記有機光半
導体層を除去し、次いで、上記ａ−Si光導電層の上に再
度有機光半導体層を形成して電子写真感光体と成すこと
を特徴とする。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明においては、上記の通り、有機溶剤を用いて有
機光半導体層を溶解除去し、次いで、従来周知の方法に
より再度有機光半導体層を形成するという再利用方法が
特徴である。
機光半導体層を溶解除去し、次いで、従来周知の方法に
より再度有機光半導体層を形成するという再利用方法が
特徴である。
しかも、この再利用方法において、有機光半導体層の
下地層としてａ−Si光導電層を選んだ点も特徴である。
下地層としてａ−Si光導電層を選んだ点も特徴である。
即ち、高硬度な特性をもつａ−Si層を光導電層として
用いた場合、他の光導電材料に比べ、傷がつかず、その
ため、有機光半導体層の溶解除去並びに再形成のプロセ
スにおいて、そのａ−Si光導電層の表面平滑性が維持さ
れ、その結果、電子写真感光体の特性が劣化しない。
用いた場合、他の光導電材料に比べ、傷がつかず、その
ため、有機光半導体層の溶解除去並びに再形成のプロセ
スにおいて、そのａ−Si光導電層の表面平滑性が維持さ
れ、その結果、電子写真感光体の特性が劣化しない。
本発明に係る電子写真感光体の基本的層構成は添付図
面の通りである。
面の通りである。
同図によれば、導電性基板（１）の上にａ−Si光導電
層（２）及び有機光半導体層（３）が順次積層されてい
る。そして、ａ−Si光導電層（２）には電荷発生という
機能があり、他方の有機光半導体層（３）には電荷輸送
という機能がある。
層（２）及び有機光半導体層（３）が順次積層されてい
る。そして、ａ−Si光導電層（２）には電荷発生という
機能があり、他方の有機光半導体層（３）には電荷輸送
という機能がある。
上記ａ−Si光導電層（２）には水素（Ｈ）元素やハロ
ゲン元素がダングリングボンド終端用に含有されている
が、これらの元素のなかでＨ元素が終端部に取り込まれ
易く、これによってバンドギャップ中の局在準位密度が
低減化されるという点で望ましい。
ゲン元素がダングリングボンド終端用に含有されている
が、これらの元素のなかでＨ元素が終端部に取り込まれ
易く、これによってバンドギャップ中の局在準位密度が
低減化されるという点で望ましい。
ａ−Si光導電層（２）の厚みは0.05〜５μｍ、好適に
は0.1〜３μｍの範囲内に設定すればよく、この範囲内
であれば、光い光感度が得られ、残留電位が低くなる。
は0.1〜３μｍの範囲内に設定すればよく、この範囲内
であれば、光い光感度が得られ、残留電位が低くなる。
前記基板（１）には銅、黄銅、SUS、Al等の金属導電
体、或いはガラス、セラミックス等の絶縁体の表面に導
電体薄膜をコーティングしたものがあり、就中、Alがコ
スト面並びにａ−Si層との密着性という点で有利であ
る。
体、或いはガラス、セラミックス等の絶縁体の表面に導
電体薄膜をコーティングしたものがあり、就中、Alがコ
スト面並びにａ−Si層との密着性という点で有利であ
る。
また、本発明に係る電子写真感光体は有機光半導体層
（３）の材料選択により負帯電型又は正帯電型に設定す
ることができる。即ち、負帯電型電子写真感光体の場
合、有機光半導体層（３）に電子供与性化合物が選ば
れ、一方、正帯電型電子写真感光体の場合には有機光半
導体層（３）に電子吸引性化合物が選ばれる。
（３）の材料選択により負帯電型又は正帯電型に設定す
ることができる。即ち、負帯電型電子写真感光体の場
合、有機光半導体層（３）に電子供与性化合物が選ば
れ、一方、正帯電型電子写真感光体の場合には有機光半
導体層（３）に電子吸引性化合物が選ばれる。
電子供与性化合物には高分子量のものとして、ポリ−
Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニ
ルアントラセン、ピレン〜ホルムアルデヒド縮重合体な
どがあり、また、低分子量のものとしてオキサジアゾー
ル、オキサゾール、ピラゾリン、トリフェニルメタン、
ヒドラゾン、トリアリールアミン、Ｎ−フェニルカルバ
ゾール、スチルベンなどがあり、この低分子物質は、ポ
リカーボネート、ポリエステル、メタアクリル樹脂、ポ
リアミド、アクリルエポキシ、ポリエチレン、フェノー
ル、ポリウレタン、ブチラール樹脂、ポリ酢酸ビニル、
ユリア樹脂などのバインダに分散されて用いられる。
Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニ
ルアントラセン、ピレン〜ホルムアルデヒド縮重合体な
どがあり、また、低分子量のものとしてオキサジアゾー
ル、オキサゾール、ピラゾリン、トリフェニルメタン、
ヒドラゾン、トリアリールアミン、Ｎ−フェニルカルバ
ゾール、スチルベンなどがあり、この低分子物質は、ポ
リカーボネート、ポリエステル、メタアクリル樹脂、ポ
リアミド、アクリルエポキシ、ポリエチレン、フェノー
ル、ポリウレタン、ブチラール樹脂、ポリ酢酸ビニル、
ユリア樹脂などのバインダに分散されて用いられる。
電子吸引性化合物には、2.4.7−トリニトロフルオレ
ンなどがある。
ンなどがある。
次に本発明に係る電子写真感光体の製法を述べる。
ａ−Si層を形成するにはグロー放電分解法、イオンプ
レーティング法、反応性スパッタリング法、真空蒸着
法、CVD法などの薄膜形成方法がある。
レーティング法、反応性スパッタリング法、真空蒸着
法、CVD法などの薄膜形成方法がある。
グロー放電分解法を用いる場合、Si元素含有ガスをプ
ラズマ分解して成膜形成する。このSi元素含有ガスには
SiH4,Si2H6,Si3H8,SiF4,SiCl4,SiHCl3等々がある。
ラズマ分解して成膜形成する。このSi元素含有ガスには
SiH4,Si2H6,Si3H8,SiF4,SiCl4,SiHCl3等々がある。
上述した通りに薄膜形成方法を用いてａ−Si層を形成
すると、次に有機光半導体層を形成する。
すると、次に有機光半導体層を形成する。
有機光半導体層は浸漬塗工方法又はコーティング法に
より形成され、前者は感光材が溶媒中に分散された塗工
液の中に浸漬し、次いで、一定な速度で引上げ、そし
て、自然乾燥及び熱エージング（約150℃、約１時間）
を行うという方法であり、また、後者のコーティング法
によれば、コーター（塗機）を用いて、溶媒に分散され
た感光材を塗布し、次いで熱風乾燥を行う。
より形成され、前者は感光材が溶媒中に分散された塗工
液の中に浸漬し、次いで、一定な速度で引上げ、そし
て、自然乾燥及び熱エージング（約150℃、約１時間）
を行うという方法であり、また、後者のコーティング法
によれば、コーター（塗機）を用いて、溶媒に分散され
た感光材を塗布し、次いで熱風乾燥を行う。
かくして得られた電子写真感光体を使用した場合、有
機光半導体層（３）の劣化は避けられず、そのため、こ
の感光体を再利用するに当たって、その有機光半導体層
（３）を有機溶剤により除去する。
機光半導体層（３）の劣化は避けられず、そのため、こ
の感光体を再利用するに当たって、その有機光半導体層
（３）を有機溶剤により除去する。
この除去方法には浸漬、超音波洗浄、ブラッシング洗
浄などがある。
浄などがある。
この有機溶剤は、有機光半導体層を溶解できるもので
あればよく、例えばトリクロールエチレン、トリクロー
ルエタン、パークロルエチレン、メチレンクロライドな
どがある。
あればよく、例えばトリクロールエチレン、トリクロー
ルエタン、パークロルエチレン、メチレンクロライドな
どがある。
そして、有機光半導体層（３）を除去し、ａ−Si光導
電層（２）をそのままに残した感光体に対して、再度、
前記同じ方法により有機光半導体層（３）を形成する
と、所要通りの特性をもつ電子写真感光体が再び得られ
る。
電層（２）をそのままに残した感光体に対して、再度、
前記同じ方法により有機光半導体層（３）を形成する
と、所要通りの特性をもつ電子写真感光体が再び得られ
る。
以上の通り、本発明による電子写真感光体の再利用方
法によれば、廃棄処分すべき電子写真感光体を再び使用
することができ、しかも、もう一度初期の優れた電子写
真特性が得られ、これにより、省エネルギ化に適した電
子写真感光体が提供できる。
法によれば、廃棄処分すべき電子写真感光体を再び使用
することができ、しかも、もう一度初期の優れた電子写
真特性が得られ、これにより、省エネルギ化に適した電
子写真感光体が提供できる。
また、本発明に係る再利用方法によれば、有機光半導
体の溶解除去並びに再度の形成により容易に電子写真感
光体を製作することができ、これにより、製造コスト及
び製造効率を改善することができる。
体の溶解除去並びに再度の形成により容易に電子写真感
光体を製作することができ、これにより、製造コスト及
び製造効率を改善することができる。
添付図面は本発明に係る電子写真感光体の基本的層構成
を示す断面図である。 １……導電性基板 ２……アモルファスシリコン光導電層 ３……有機光半導体層
を示す断面図である。 １……導電性基板 ２……アモルファスシリコン光導電層 ３……有機光半導体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−205769（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−136739（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−209453（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−95544（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−261367（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−231558（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−2960（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−136740（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】導電性基板上にアモルファスシリコン光導
電層と有機光半導体層が順次積層された電子写真感光体
より有機溶剤を用いて上記有機光半導体層を除去し、次
いで、上記アモルファスシリコン光導電層の上に再度有
機光半導体層を形成して電子写真感光体と成すことを特
徴とする電子写真感光体の再利用方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30902788A JP2761745B2 (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | 電子写真感光体の再利用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30902788A JP2761745B2 (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | 電子写真感光体の再利用方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02154273A JPH02154273A (ja) | 1990-06-13 |
| JP2761745B2 true JP2761745B2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
ID=17987998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30902788A Expired - Fee Related JP2761745B2 (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | 電子写真感光体の再利用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2761745B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106527068A (zh) * | 2016-12-14 | 2017-03-22 | 苏州恒久光电科技股份有限公司 | 一种有机光导鼓的回收利用方法及基于其的复涂方法 |
-
1988
- 1988-12-07 JP JP30902788A patent/JP2761745B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02154273A (ja) | 1990-06-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |