JPH02154273A - 電子写真感光体の再利用方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアモルファスシリコン光導電層と有機光半導体
層を積層して成る電子写真感光体の再利用方法に関する
ものである。

〔従来技術及びその問題点〕

電子写真感光体の光導電材料には、Ｓｓ、　５ｅ−Ｔｅ
＋ＡよｚＳ　ａｉ＋Ｚｎｏ＋ｃｄｓ＋　アモルファスシ
リコンなどの無機材料と各種有機材料がある。そのなか
で最初に実用化されたものはＳｅであり、次いで、Ｚｎ
Ｏ，ＣｄＳ、アモルファスシリコンも実用化された。ま
た、有機材料ではＰＶ）［−ＴＮＦが最初に実用化され
、その後、電荷の発生並びに電荷の輸送という機能を別
々の有機光半導体層に分担させるという機能分離型感光
体が提案され、この感光体によって有機材料の開発が飛
躍的に発展している。

一方、無機光半導体屡の上に有機光半導体層を積層した
電子写真感光体も提案された。

例えば、アモルファスシリコン光導電層と有機光半導体
層から成る積層型感光体が提案されている（時開５４−
１１６９３０号、時開５４−１４３６４５号、特開５６
−１９４３号、時開５６−２４３５２号等）。

しかし乍ら、上記感光体を長期間に亘って使用した場合
、画像濃度の低下、白地部のカプリ、解像力の低下、画
像ボケ、あるいは白抜け、黒ポチ、スジ等の種々の不均
一ノイズなどの画質の劣化が認められる。

この劣化原因は、感光体の一部に有機光半導体層を形成
しており、そのため、下記（１）〜（６）が生じるため
である。

（１）　　・・・繰り返し使用による光、熱、電流、ま
た、コロナ放電により発生するオゾン 、ＮＯｘ等の活性物質などが原因となる有機光半導体組
成物の劣化 （２）・・・温度、湿度などの環境条件や長期保存によ
る有機光半導体層の劣化や変質、 ヒビ割れ等の物理的劣化 （３）・・・現像、転写工程でのトナーフィルミングや
紙粉などの付着 （４）・・・空気中の汚染物質の付着 （５）・・・紙、クリーニングブレードなどとの摩擦に
よる感光体表面の摩耗や傷 （６）・・・コロナ放電による放電破壊〔発明の目的〕 本発明者等は上記事情に漏みて鋭意研究に努めた結果、
上記積層型感光体のアモルファスシリコン光導電層（以
下、アモルファスシリコンをａ−５ｉと略す）を、その
ままに残し、そして、劣化したを機先半導体層を、新た
な有機光半導体層と取り替えることにより再利用ができ
ること゛を見い出した。

従って、本発明は上記知見により完成されたものであり
、その目的は劣化した電子写真感光体の一部を取り替え
、これにより、電子写真感光体を廃棄処分することなく
有効に利用し、製造コスト及び製造効率を改善すること
にある。

〔問題点を解決するための手段］ 本発明に係る電子写真感光体の再利用方法は、導電性基
板上にａ−３ｉ光導電層と有機光半導体層が順次積層さ
れた電子写真感光体より有機溶剤を用いて上記有機光半
導体層を除去し、次いで、上記ａ−５ｉ−５ｉ光導電に
再度有機光半導体層を形成して電子写真感光体と成すこ
とを特徴とする。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明においては、上記の通り、有機溶剤を用いてを機
先半導体層を溶解除去し、次いで、従来周知の方法によ
り再度有機元手４体層を形成するという再利用方法が特
徴である。

しかも、この再利用方法において、有機光半導体層の下
地層としてａ−３ｉ光導電層を選んだ点も特徴である。

即ち、高硬度な特性をもつａ−ＳｉＪｉｉを光導電層と
して用いた場合、他の光導電材料に比べ、傷がつかず、
そのため、有機光半導体層の溶解除去並びに再形成のプ
ロセスにおいて、そのａ−Ｓｉ光導電層の表面平滑性が
維持され、その結果、電子写真感光体の特性が劣化しな
い。

本発明に係る電子写真感光体の基本的層構成は添付図面
の通りである。

同図によれば、導電性基板（１）の上にａ−Ｓｉ光導電
層（２）及び有機光半導体層（３）が順次積層されてい
る。そして、ａ−Ｓｉ光導電Ｎ（２）には電荷発生とい
う機能があり、他方の有機光半導体層（３）には電荷輸
送という機能がある。

上記ａ−５ｉ光導電Ｎ（２）には水素（！１）元素やハ
ロゲン元素がダングリングボンド終端用に含をされてい
るが、これらの元素のなかでＩＩ元素が終端部に取り込
まれ易く、これによってバンドギャップ中の局在準位密
度が低減化されるという点で望ましい。

ａ−Ｓ＋光導電Ｎ（２）の厚みは０．０５〜５　μ＋１
１　、好適には０．１〜３μ慣の範囲内に設定すればよ
く、この範囲内であれば、高い光感度が得られ、残留電
位が低くなる。

前記基板（１）には銅、黄銅、ＳＵＳ　、　ＡＩ等の金
属導電体、或いはガラス、セラミックス等の絶縁体の表
面に導電体薄膜をコーティングしたものがあり、就中、
Ａｌがコスト面並びにａ−Ｓｉ層との密着性という点で
有利である。

また、本発明に係る電子写真感光体はｆｆｆｌ光半導体
層（３）の材料選択により負帯電型又は正帯電型に設定
することができる。即ち、負帯電型電子写真感光体の場
合、有機光半導体層（３）に電子供与性化合物が選ばれ
、一方、正帯電型電子写真感光体の場合には有機光半導
体１　（３）に電子吸引性化合物が選ばれる。

電子供与性化合物には貰分子量のものとして、ポリ−Ｎ
−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニル
アントラセン、ピレン〜ホルムアルデヒド縮重合体など
があり、また、低分子量のものとしてオキサジアゾール
、オギサゾール、ビラプリン、トリフェニルメタン、ヒ
ドラゾン、トノアリールアミン、Ｎ−フェニルカルバゾ
ール、スチルベンなどがあり、この低分子物質は、ポリ
カーボネート、ポリエステル、メタアクリル樹脂、ポリ
アミド、アクリルエポキシ、ポリエチレン、フェノール
、ポリウレタン、ブチラール樹脂、ポリ酢酸ビニル、ユ
リア樹脂などのバインダに分散されて用いられる。

電子吸引性化合物には、２．４．７−　）リニトロフル
オレンなどがある。

次に本発明に係る電子写真感光体の製法を述べる。

ａ−５ｉｉを形成するにはグロー放電分解法、イオンブ
レーティング法、反応性スパッタリング法、真空蒸着法
、ＣＶＯ法などの薄膜形成方法がある。

グロー放電分解法を用いる場合、Ｓｉ元素含有ガスをプ
ラズマ分解して成膜形成する。このＳｉ元素含有ガスに
は５ｉＨａ、・Ｓ　ｉ　ｚ　Ｈｂ　＋　Ｓ　ｌ　ｆｆｔ
ｌ　ａ　＋　Ｓ　ｉ　Ｐ　ａ　＋　Ｓ　Ｉ　Ｃ１４１Ｓ
ｉｌＣｈ等々がある。

上述した通りに薄膜形成方法を用いてａ−５ｉ層を形成
すると、次に有機光半導体層を形成する。

有機光半導体層は浸漬塗工方法又はコーティング法によ
り形成され、前者は感光材が溶媒中に分散された塗工液
の中に浸漬し、次いで、一定な速度で引上げ、そして、
自然乾燥及び熱エージング（約１５０°Ｃ１約１時間）
を行うという方法であり、また、後者のコーティング法
によれば、コーター（塗機）を用いて、溶媒に分散され
た感光材を塗布し、次いで熱風乾燥を行う。

かくして得られた電子写真感光体を使用した場合、有機
光半導体層（３）の劣化は避けられず、そのため、この
感光体を再利用するに当たって、その有機光半導体層（
３）を有機溶剤により除去する。

この除去方法には浸漬、超音波洗浄、ブラッシング洗浄
などがある。

この有機溶剤は、有機光半導体層を溶解できるものであ
ればよく、例えばトリクロールエチレントリクロールエ
タン、パークロルエチレン、メチレンクロライドなどが
ある。

そして、有機光半導体層（３）を除去し、ａ−Ｓｉ光導
電層（２）をそのままに残した感光体に対して、再度、
前記同じ方法により有機光半導体層（３）を形成すると
、所要通りの特性をもつ電子写真感光体が再び得られる
。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明による電子写真感光体の再利用方法
によれば、廃棄処分すべき電子写真感光体を再び使用す
ることができ、しかも、もう−度初期の優れた電子写真
特性が得られ、これにより、省エネルギ化に通した電子
写真感光体が提供できる。

また、本発明に係る再利用方法によれば、有機光半導体
の溶解除去並びに再度の形成により容易に電子写真感光
体を製作することができ、これにより、製造コスト及び
製造効率を改善することができる。

【図面の簡単な説明】

添付図面は本発明に係る電子写真感光体の基本的層構成
を示す断面図である。 ■・・導電性基板 ２・・アモルファスシリコン光導’Ｋ　ｉｆ３・・有機
光半導体層 特許出願人　（６６３）京セラ株式会社代表者　安城　
欽寿

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 導電性基板上にアモルファスシリコン光導電層と有機光
   半導体層が順次積層された電子写真感光体より有機溶剤
   を用いて上記有機光半導体層を除去し、次いで、上記ア
   モルファスシリコン光導電層の上に再度有機光半導体層
   を形成して電子写真感光体と成すことを特徴とする電子
   写真感光体の再利用方法。