JP3149075B2 - 電子写真装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、円筒状感光体を回転さ
せて帯電・露光・現像・転写・クリーニングを連続して
行う工程と、これに連動して現像剤が転写された後の感
光体をクリーニングして該感光体上の現像剤を回収し、
回収した現像剤を再使用する工程を経て画像を形成する
電子写真装置に関する。更に詳細には、電子写真感光体
の外部に近接させた指向性発熱体を用いることで高湿環
境下での良好な画質と安定したクリーニング性を得ると
ともに、現像剤の回収再使用を可能にする高品質電子写
真装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】

［電子写真装置］従来、電子写真法としては、米国特許
第２２９７６９２号明細書、特公昭４２−２３９１０号
公報及び特公昭４３−２４７４８号公報に記載されてい
るように、多数の方法が知られている。一般には光導電
性物質を利用し、種々の手段により感光体上に電気的潜
像を形成し、次いで該潜像をトナーを用いて現像してト
ナー画像として可視化し、必要に応じて紙等の転写材に
トナー画像を転写した後、加熱、加圧、加熱加圧或は溶
剤蒸気等によりトナー画像を転写材に定着して複写物を
得る。

【０００３】上記工程において、転写材にトナー画像を
転写した後においても、感光体上には未転写のトナーが
残るため、これまではクリーニング工程により未転写ト
ナーを回収し、これを所謂廃トナーとして系外に排出し
ていた。

【０００４】しかし、近年の情報処理量の増大に伴い、
コピーボリュームの大きな複写機やレーザービームプリ
ンター等の電子写真装置（即ち、大型の高速機）の需要
が更に大きくなりつつある。斯かる高速機においては、
廃トナーが大量に発生するため、最近、廃トナーを再使
用する検討が行われつつある。

【０００５】而して、廃トナーを再使用することが可能
になれば、トナーの有効利用ができるとともに、機内の
スペースを簡略化することができ、機械のコンパクト化
が可能になるというメリットも得られる。

【０００６】同時に、斯かる状況からこの種の電子写真
装置に対しては、より環境変動の大きなフィールドでの
使用に堪え得る機能向上、具体的には、高湿環境下や急
激な温度変動等で結露した場合等の所謂「高湿画像流
れ」が発生しにくい性能向上が求められている。これに
対し、従来、電子写真装置の感光体内部或は近傍には除
湿ヒーターが配設されており、感光体を４０℃前後に加
熱していた。

【０００７】しかし、再使用可能なトナーは、回収再使
用といったサイクル中で特性を一定に保つため、従来よ
り外添していた研磨材を外添していないため、感光体に
対する研磨能力が減少し、感光体に付着してしまったト
ナーを削り取る能力が低く、感光体にトナー融着を発生
させる確率が高くなってしまうため、感光体の温度をで
きるだけ下げてトナー融着の発生確率を低減させなけれ
ばならないといった現状にあった。

【０００８】更に、より精彩な画質を要求される昨今に
おいては、トナーの小粒径化が進められ、コールターカ
ウンター等による重量平均粒径が０．００４〜０．０１
１ｍｍであるトナーが多く使われているが、前記融着に
対してこのような粒径は更に不利な方向であった。

【０００９】又、エコロジーの観点から消費電力の低減
が求められている。具体的には、前記除湿ヒーターの撤
去或は消費電力低減が求められている。除湿ヒーターの
容量は通常１５Ｗ〜８０Ｗ程度と必ずしも大電力量の印
象を得ないが、夜間も含めて常時通電されているケース
が殆どであり、一日当りの消費電力量としては電子写真
装置全体の消費電力量の５〜１５％にも達する。

【００１０】更に、経済性の要求であり、高品質・信頼
性は維持しつつ、電子写真装置自体が低価格であり、生
産性・稼働率が高いことが求められている。具体的に
は、定期メンテナンスによる停止時間が短いこと、電源
スイッチＯＮ後に速やかに使用できることが求められて
いる。

【００１１】近年使用される電子写真感光体は、耐刷枚
数の増大を図るために表面硬度が高くなっており、繰り
返し使用により帯電器からのコロナ生成物の影響で感光
体表面が湿度に敏感となり、水分を吸着し易くなり、こ
れが感光体表面の電荷の横流れの原因となり、画像流れ
と称される画像品質低下を引き起こす欠点を有してい
る。

【００１２】このような画像流れを防止するために、実
公平１−３４２０５号公報に記載されているようなヒー
ターによる加熱や、特公平２−３８９５６号公報に記載
されているようなマグネットローラーと磁性トナーから
構成されたブラシにより感光体表面を摺擦してコロナ生
成物を取り除く方法、特開昭６１−１００７８０号公報
に記載されているような弾性ローラーによる感光体表面
の摺擦でコロナ生成物を取り除く方法等が用いられてき
た。

【００１３】感光体表面を摺擦する方法は、極めて硬度
の高いアルモファスシリコン感光体を除き耐刷枚数を低
下させ、ヒーターによる常時加熱は前述のように消費電
力量の増大を招く。

【００１４】ところで、本発明に類似する形態での外部
ヒーター加熱方式は知られていない。即ち、特開昭５９
−１１１１７９号公報や特開昭６２−２７８５７７号公
報においても、感光体の温度変動に伴う画像濃度不安定
要素の改善については何ら開示されていない。

【００１５】斯かる状況から、新たな電子写真装置の環
境安定化装置としての除湿装置並びに電子写真画像形成
方法が求められている。

【００１６】図１は複写機の画像形成プロセスの一例を
示す概略図であって、面状内面ヒーター１２３によって
温度コントロールされた矢印Ｘ方向に回転する感光体１
０１の周辺には、主帯電器１０２、静電潜像形成部位１
０３、現像器１０４、転写紙供給系１０５、転写帯電器
１０６ａ、分離帯電器１０６ｂ、クリーナー１０７、搬
送系１０８、除電光源１０９等が配設されている。

【００１７】ここで、具体例に沿って画像形成プロセス
を説明すると、感光体１０１は＋６〜８ＫＶの高電圧を
印加した主帯電器１０２により一様に帯電され、これに
静電潜像形成部位１０３、即ち、ランプ１１０から発せ
られた光が原稿台ガラス１１１上に置かれた原稿１１２
に反射し、ミラー１１３，１１４，１１５を経由して感
光体１０１に投影され、該感光体１０１には静電潜像が
形成される。この静電潜像に現像器１０４からネガ極性
トナーが供給され、該静電潜像はトナー像として顕画化
される。

【００１８】一方、転写紙供給系１０５を通って、レジ
ストローラ１２２によって先端タイミングを調整され、
感光体１０１方向に供給される転写材Ｐは、＋７〜８Ｋ
Ｖの高電圧を印加した転写帯電器１０６ａと感光体１０
１の間隙において背面から、トナーとは反対極性の正電
界を与えられ、これによって感光体１０１表面のネガ極
性トナー像は転写材Ｐに転移する。１２〜１４ＫＶｐ−
ｐ，３００〜６００Ｈｚの高圧ＡＣ電圧を印加した分離
帯電器１０６ｂにより、転写材Ｐは転写紙搬送系１０８
を通って不図示の定着装置に至り、トナー像は転写材Ｐ
に定着されて装置外に排出される。

【００１９】そして、感光体１０１上に残留するトナー
はクリーナー１０７のクリーニングブレード１２１によ
って掻き落とされ、感光体１０１上に残留する静電潜像
は除電光源１０９によって消去される。

【００２０】［有機光導電体（ＯＰＣ）］電子写真感光
体の光導電材料として、近年、種々の有機光導電材料の
開発が進み、特に電荷発生層と電荷輸送層を積層した分
離感光体は既に実用化され、複写機やレーザービームプ
リンターに搭載されている。

【００２１】しかしながら、これらの感光体は一般的に
耐久性が低いことが１つの大きな欠点であるとされてき
た。耐久性としては、感度、残留電位、帯電能、画像ぼ
け等の電子写真物性面の耐久性及び摺擦による感光体表
面の摩擦や引っ掻き傷等の機械的耐久性に大別され、何
れも感光体の寿命を決定する大きな要因となっている。
これらの内、電子写真物性面の耐久性、特に画像ぼけに
関しては、コロナ帯電器から発生するオゾン、ＮＯｘ等
の活性物質により感光体表面層に含有される電荷輸送物
質が劣化することが原因であることが知られている。

【００２２】又、機械的耐久性に関しては、感光層に対
して紙、ブレード／ローラー等のクリーニング部材、ト
ナー等が物理的に接触して摺擦することが原因であるこ
とが知られている。

【００２３】電子写真物性面の耐久性を向上させるため
には、オゾン、ＮＯｘ等の活性物質により劣化されにく
い電荷輸送物質を用いることが重要であり、酸化電位の
高い電荷輸送物質を選択することが知られている。又、
機械的耐久性を上げるためには、紙やクリーニング部材
による摺擦に耐えるために、表面の潤滑性を上げて摩擦
を小さくすること、トナーのフィルミング融着等を防止
するために表面の離型性を良くすることが重要であり、
フッ素系樹脂粉体、フッ化黒鉛、ポリオレフィン系樹脂
粉体等の滑材を表面層に配合することが知られている。

【００２４】しかしながら、摩耗が著しく小さくなると
オゾン、ＮＯｘ等の活性物質により生成した吸湿性物質
が感光体表面に堆積し、この結果として表面抵抗が下が
り、表面電荷が横方向に移動し、所謂画像流れが生じる
という問題があった。

【００２５】［アモルファスシリコン系感光体（ａ−Ｓ
ｉ）］電子写真において、感光体における感光層を形成
する光導電材料としては、高感度でＳＮ比［光電流（Ｉ
ｐ）／暗電流（Ｉｄ）］が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性に適合した吸収スペクトルを有すること、光
応答性が早く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時に
おいて人体に対して無害であること等の特性が要求され
る。特に、事務機としてオフィスで使用される電子写真
装置内に組み込まれる電子写真用感光体の場合には、使
用時における無公害性は重要な点である。

【００２６】このような点に優れた性質を示す光導電材
料に水素化アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：
Ｈ」と表記する）があり、例えば、特公昭６０−３５０
５９号公報には電子写真用感光体としての応用が記載さ
れている。

【００２７】このような電子写真用感光体は、一般的に
は導電性支持体を５０℃〜４００℃に加熱し、該支持体
上に真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティ
ング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等
の成膜法によりａ−Ｓｉから成る光導電層を形成する。
中でもプラズマＣＶＤ法、即ち、原料ガスを直流又は高
周波或はマイクロ波グロー放電によって分解し、支持体
上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成する方法が好適なものとして
実用に供されている。

【００２８】又、特開昭５４−８３７４６号公報におい
ては、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素として
含むａ−Ｓｉ（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｈ」と表記する）光
導電層から成る電子写真用感光体が提案されている。当
該公報においては、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１〜４０
原子％含有させることにより、耐熱性が高く、電子写真
用感光体の光導電層として良好な電気的、光学的特性を
得ることができるとしている。

【００２９】又、特開昭５７−１１５５６号公報には、
ａ−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有する光導電部
材の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光学
的、光導電的特性及び耐湿性等の使用環境特性、更には
経時的安定性について改善を図るため、シリコン原子を
母体としたアモルファス材料で構成された光導電層上
に、シリコン原子及び及び炭素原子を含む非光導電性の
アモルファス材料で構成された表面障壁層を設ける技術
が記載されている。

【００３０】更に、特開昭６０−６７９５１号公報に
は、アモルファスシリコン、炭素、酸素及びフッ素を含
有して成る透光絶縁性オーバーコート層を積層する感光
体についての技術が記載され、特開昭６２−１６８１６
１号公報には、表面層としてシリコン原子と炭素原子と
４１〜７０原子％の水素を構成要素として含む非晶質材
料を用いる技術が記載されている。

【００３１】又、特開昭５７−１５８６５０号公報に
は、水素を１０〜４０原子％含有し、赤外吸収スペクト
ルの２１００ｃｍ^-1と２０００ｃｍ^-1の吸収ピークの吸
収係数比が０．２〜１．７であるａ−Ｓｉ：Ｈを光導電
層に用いることにより高感度で高抵抗な電子写真用感光
体が得られることが記載されている。

【００３２】一方、特開昭６０−９５５５１号公報に
は、アモルファスシリコン感光体の画像品質向上のため
に、感光体表面近傍の温度を３０〜４０℃に維持して帯
電、露光、現像及び転写といった画像形成行程を行うこ
とにより、感光体表面での水分の吸着による表面抵抗の
低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する技術が
開示されている。

【００３３】これらの技術により、電子写真用感光体の
電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特性が向上
し、それに伴って画像品質も向上してきた。

【００３４】

【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、何
れの光導電材料を用いても、感光体の寿命を延ばそうと
すると、高湿環境下では感光体の加温が必要な状況にあ
る。

【００３５】一方では、廃トナーを再使用することは、
最早社会全体の動きとして受け入れざるを得ない状況に
ある。

【００３６】しかし、加温による感光体の昇温がトナー
再使用系のトナー融着の観点から、又、加温に要する電
力が資源保護・省エネルギーの観点から、そして、夜間
のヒーター通電は安全性・信頼性の基準強化から、感光
体の除湿を高効率且つ迅速に行わせる社会的要請が高ま
っている。

【００３７】従来は複写機を使用しない夜間でもドラム
ヒーターに通電して、帯電器のコロナ放電によって生成
されたオゾン生成物が夜間に感光体表面に吸着すること
によって発生する画像流れを防止するようにしていた。

【００３８】しかし、単に省資源・省電力のために複写
機の夜間通電を極力行わないようにした場合、連続複写
をすると複写機内の感光体周囲温度が徐々に上昇し、そ
れにつれて感光体の有する帯電能の温度依存性から、帯
電能、即ち、表面電位が変化して複写中に画像濃度が変
わってしまうという問題が生じていた。

【００３９】従って、トナー再使用系の電子写真装置及
び電子写真画像形成方法を設計する際に、前述の問題が
解決されれるように電子写真用感光体の電子写真物性、
機械的耐久性等の総合的な観点からの改良を図ると同時
に、除湿装置及び除湿方式の一段の改良を図ることが必
要とされている。

【００４０】従って、本発明の第１の目的は、感光体温
度を必要以上に上げることなく効率良く除湿し、感光体
表面への現像剤の融着を発生させることなく、画像流れ
等のない高品質な画像を得ることができる電子写真装置
を提供することにある。

【００４１】又、本発明の第２の目的は、必要な熱収支
制御を厳密に行うことにより、加熱される必要のなかっ
た部分への伝熱を抑え、従来からの現像スリーブの熱偏
心によるピッチむらやクリーニング中の廃トナーブロッ
キングに伴うクリーニング不良等の弊害を解消すること
ができる電子写真装置を提供することにある。

【００４２】更に、本発明の第３の目的は、新規な発熱
体からの伝熱構成により必要部分のみ加湿、除湿を行う
ことにより省エネルギー問題を解決することができる電
子写真装置を提供することにある。

【００４３】又、本発明の第４の目的は、感光体内面に
熱源を配設するために従来必要であったスリップリング
等の給電機構を廃することにより、コストダウンを図る
ことができる電子写真装置を提供することにある。

【００４４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、導電性基体上に感光層を積
層させて成る円筒状感光体を回転させ、帯電・露光・現
像・転写・クリーニングの各工程を繰り返し、感光体上
に形成された現像剤像を転写材へ転写した後に感光体上
に残留する現像剤をクリーニングして回収し、回収した
現像剤を現像手段に供給して現像工程で再使用する構成
を有し、現像剤の平均粒径が０．００４〜０．０１１ｍ
ｍである電子写真装置において、前記感光体の光導電層
の膜厚ｄ（ｍｍ）、感光体表面の移動速度ｖ（ｍｍ／ｓ
ｅｃ）との間に、 ｄ×ｖ≧９ｖ ≧３００ なる関係を成立せしめ、感光体表面の平均面に対する突
起部の高さを０．０１ｍｍ以下に設定するとともに、感
光体の帯電極性と逆極性の電圧を該感光体の表面に印加
した際の絶縁破壊電圧の絶対値を５００Ｖ以上に設定
し、クリーナーを磁性ローラーで構成し、該磁性ローラ
ーの感光体に対向する部位での表面移動方向を感光体の
それとは逆方向とし、同磁性ローラーの感光体の表面移
動速度に対する相対速度の比を１１０％以上に設定した
ことを特徴とする。

【００４５】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、前記感光体の２５℃〜４５℃における受容
電圧の温度依存性の絶対値を０．５％／ｄｅｇ以下に設
定し、該感光体の表面に近接させた熱源により感光体表
面温度が基体裏面温度よりも高く、且つ、感光体表面温
度と基体裏面温度との温度差が１ｄｅｇ以上１００ｄｅ
ｇ以下となるように感光体を加熱することを特徴とす
る。

【００４６】請求項３記載の発明は、請求項２記載の発
明において、前記熱源を長尺状セラミック基板上に発熱
焼結体を設けて構成したことことを特徴とする。

【００４７】請求項４記載の発明は、請求項２又は３記
載の発明において、前記感光体の表面温度上昇を基体裏
面温度上昇より大きくしたことを特徴とする。

【００４８】請求項５記載の発明は、請求項２又は３記
載の発明において、前記感光体の表面温度上昇を感光体
近傍の温度上昇より大きくしたことを特徴とする。

【００４９】請求項６記載の発明は、請求項２〜４又は
５記載の発明において、前記熱源を画像形成時のみ通電
加熱することを特徴とする。

【００５０】請求項７記載の発明は、請求項２〜５又は
６記載の発明において、前記感光体は、導電性支持体と
高融点ポリエステル樹脂及び硬化樹脂を含むものとした
ことを特徴とする。

【００５１】請求項８記載の発明は、請求項１〜５又は
６記載の発明において、前記感光体を、導電性支持体
と、シリコン原子を母体として水素原子及び／又はハロ
ゲン原子を含有する非単結晶材料から成り光導電性を示
す光導電層を有する光受容層とで構成し、前記光導電層
は１０〜３０電子％の水素を含有し、少なくとも光の入
射する部分においてサブバンドギャップ光吸収スペクト
ルから得られる指数関数裾の特性エネルギーが５０〜６
０ｍｅＶで、伝導帯端下０．４５〜０．９５ｅＶにおけ
る局材準位密度が１×１０¹⁴〜５×１０¹⁵ｃｍ^-3に設定
されるものとしたことを特徴とする。

【００５２】請求項９記載の発明は、請求項１〜６又は
８記載の発明において、前記感光体を製作後にその表面
を研磨してから使用するようにしたことを特徴とする。

【００５３】

【作用】本発明によれば、数秒〜数１０秒程度の時間で
数１００℃まで昇温するヒーターを用い、且つ、温度依
存性が小さくて表面耐熱性に優れた感光体を用いるとい
う限られた条件で除湿を行うことによって、感光体温度
を必要以上に上げることなく効率良く除湿し、感光体表
面への現像剤の融着を発生させることなく、画像流れ等
のない高品質な画像を得ることができる。

【００５４】

【実施例】以下、本発明の重要な構成について説明す
る。

【００５５】［加熱体及び電子写真装置］本発明に用い
る好適なヒーターに対しては、第１に昇温速度が速く、
第２に大出力であり、第３に伝熱及び放熱に指向性を持
ち、第４に小型、薄型で機械的精度が高く、第５に安価
なことが求められる。

【００５６】具体的には、アルミナセラミックス等から
成る細長い板状基体表面にニクロム線等の電気耐熱体を
設けたもの、更に好適なヒーターとしては、アルミナセ
ラミックス等から成る細長い板状基体表面に金属、例え
ば銀、パラジウム合金から成り、細長い発熱部の両端に
幅広の端子部を形成した電気発熱体を設け、且つ、発熱
部表面をガラス質の保護層で皮膜したものを用いるのが
好ましい。以下、このヒーターをセラミックヒーターと
称する。

【００５７】ここで、図９（ａ）〜（ｄ）を用いて更に
具体的に発熱体について説明する。

【００５８】図９（ａ）はセラミック発熱体（以下、外
面ヒーターＡと称する）を上面から見た図、図９（ｂ）
は横断面図である。

【００５９】９０１は基体、９０２はこの基体９０１上
に設けられた電気発熱体、９０３は保護膜である。上記
基体９０１はムライトセラミックスから成り、長さ３６
０ｍｍ、幅８ｍｍ、厚さ１〜２ｍｍの細長い平板を成
す。又、前記ムライトセラミックスはＡｌ₂ Ｏ₃ ・２Ｓ
ｉＯ₂ なる化学組成を有し、セラミックスとガラスとの
中間的性質を有し、熱伝導率がアルミナセラミックの約
半分で、加工が容易で機械的強度も十分である。

【００６０】前記電気的発熱体９０２は、例えば銀、パ
ラジウム合金粉末を基体９０１にプリントして焼き付け
て成るものであって、その中央部が細長い発熱部９０６
を構成し、この発熱部９０６の両端に端子部９０４を形
成し、更に銀等の導電膜９０５を形成し、且つ、発熱部
９０６の表面にガラス等の保護膜を形成してある。

【００６１】図９（ｃ）はニクロム線発熱体（以下、外
面ヒーターＢと称する）を上面から見た図、図９（ｄ）
は横断面図である。

【００６２】９１１は基体、９１２はこの基体９１１上
に設けられたニクロム電気発熱体である。上記基体９１
１はセラミックス等から成り、長さ３６０ｍｍ、幅８ｍ
ｍ、厚さ１〜２ｍｍの細長い平板を成す。

【００６３】前記ニクロム電気発熱体９１２は、基体９
１１に半分程度埋め込んで成るものであって、この発熱
部９１６の両端に端子部９１４を形成し、必要に応じ発
熱部９１６の表面にガラス等の保護膜を形成してある。

【００６４】次に、本発明において重要な熱源の昇温速
度及び出力特性を図１０に基づいて具体的に説明する。

【００６５】図１０において、従来例はポリエチレンテ
レフタレート樹脂等でニクロム線等の発熱体を挟み込ん
だ面状発熱体（以下、内面ヒーターと称する）であり、
時間経過に対して温度の上昇率は極めて遅い。一方、本
発明に係る前記セラミックヒーター（外部ヒーターＡ）
は、数秒で数１００℃まで昇温し、入力電圧によりその
上昇率を制御できる。

【００６６】図４は本発明に係るヒーターを配設したト
ナー再使用系の複写機の画像形成プロセスの一例を示す
概略図であって、矢印Ｘ方向に回転する感光体４０１の
周辺には、本発明の特徴であるヒーター４２３、主帯電
器４０２、静電潜像形成部位４０３、現像器４０４、転
写紙供給系４０５、転写帯電器４０６ａ、分離帯電器４
０６ｂ、クリーナー４０７、搬送系４０８、除電光源４
０９等が配設されている。

【００６７】前記ヒーター４２３は、前述のように構成
されており、その取付位置は感光体４０１の表面から
０．１〜１０ｍｍ、好ましくは０．２〜１ｍｍの範囲と
される。そして、該ヒーター４２３の感光体４０１との
対向面以外はガラスファイバー、セラミックス等で断熱
し、感光体４０１の対向方向のみに放熱が向くことが最
も好ましい。

【００６８】以下、更に具体的に画像形成プロセスを説
明する。

【００６９】感光体４０１は＋６〜８ＫＶの高電圧を印
加した主帯電器４０２により一様に帯電され、これに静
電潜像形成部位４０３、即ち、ランプ４１０から発せら
れた光が原稿台ガラス４１１上に置かれた原稿４１２に
反射し、ミラー４１３，４１４，４１５を経由し、レン
ズユニット４１７上のレンズ４１８によって結像され、
ミラー４１６を経由して感光体４０１に照射されること
によって該感光体４０１上に静電潜像が形成される。こ
の静電潜像に現像器４０４からネガ抑制トナーが供給さ
れ、静電潜像はこのトナーによって現像されてトナー像
として可視化される。

【００７０】一方、転写紙供給系４０５を通ってレジス
トローラ４２２によって先端タイミングを調整され、感
光体４０１方向に供給される転写材Ｐは、＋７〜８ＫＶ
の高電圧を印加した転写帯電器４０６ａと感光体４０１
の間隙において背面からトナーとは反対極性の正電界を
与えられ、これによって感光体４０１表面のネガ極性ト
ナー像は転写材Ｐに移転する。１２〜１４ＫＶｐ−ｐ、
３００〜６００Ｈｚの高圧ＡＣ電圧を印加した分離帯電
器４０６ｂにより、転写材Ｐは転写紙搬送系４０８を通
って不図示の定着装置に至り、トナー像は転写材Ｐに定
着されて転写材Ｐと共に装置外に排出される。

【００７１】そして、感光体４０１上に残留するトナー
は、クリーナー４０７の磁性体ローラー４２０によって
一部が磁気捕集された後、クリーニングブレード４２１
によって掻き落とされ、搬送スクリュー４３１を通って
ホッパー４３０に回収されて再利用される。一方、感光
体４０１は磁性体ローラー４２０の磁気ブラシによって
摺擦研磨され、該感光体４０１上の残留静電潜像は除電
光源４０９によって消去される。

【００７２】磁性体ローラー４２０は、感光体４０１に
対して対向部位の移動方向が逆になっており、感光体４
０１の表面移動速度に対する磁性体ローラー４２０の相
対速度の比（以下、スピード比と称し、スピード比が１
００％の場合には磁性体ローラー４２０は静止している
ことを示し、それ以下では対向部位の移動方向が同方向
であることを示している）を変化させた結果を図１６及
び図１７にそれぞれ示す。

【００７３】図１６はスピード比を変化させたときの融
着の発生状況をプロットしたものであり、数値が大きい
方が悪いことを示している。この結果が示すように、ス
ピード比を１１０％以上にすると融着に対して効果があ
ることが分かる。

【００７４】又、図１７はスピード比を変化させたとき
の画像欠陥の発生状況をプロットしたものであり、数値
が大きい方が悪いことを示している。この結果が示すよ
うに、スピード比を４００％以上にすると画像欠陥が発
生し始めるが、感光体の表面移動速度を３００ｍｍ／ｓ
ｅｃ以上にすることにより画像欠陥の発生は抑えられる
ことが分かる。

【００７５】図１３は感光体の表面移動速度を変化させ
たときの融着の発生状況をプロットしたものであり、数
値が大きい方が悪いことを示している。この結果が示す
ように、表面移動速度を３００ｍｍ／ｓｅｃ以上にする
ことにより画像欠陥の発生が抑えられることが分かる。

【００７６】ここで、回収再使用するためのトナーは、
トナー粒子に外添剤を外添していない。ここで言う外添
剤とは、例えば耐久濃度変動、カブリ等の弊害をなくす
ためにトナー自体のトリボを一定の範囲に保つ効果を有
するものであり、その一方では研磨効果を有し、感光体
表面を適度に研磨しているものである。

【００７７】しかし、外添剤を外添しているトナーは、
現像転写クリーニングといった工程を経るうちに、トナ
ー粒子と外添剤の比率が変化し、外添剤本来の外添効果
が得られる範囲から外れて、十分な現像特性を維持する
ことができなくなる。そのため、外添剤を外添しないで
前記弊害が発生しないようにトナー粒子の成分を設計
し、回収再使用を行っている。従って、再使用可能なト
ナーは、外添剤による研磨成分を期待できないため、感
光体に対する研磨能力が軽減し、感光体に付着してしま
ったトナーを削り取る能力が低く、感光体にトナー融着
を発生させる確率が高くなってしまうため、感光体の温
度を出来るだけ下げてトナー融着の発生確率を低減させ
なければならない。

【００７８】斯かる状況に対し、上記のような構成で感
光体表面を急速加熱することで、第１に感光体自体の温
度を上昇させないのでトナー融着の発生確率を低減する
ことができ、第２に感光体表面は瞬時に加熱されるため
に未だ温度上昇していない外部雰囲気との大きな相対湿
度差により効率良く除湿され、画像流れを防止できる。
第３に感光体を除湿しながらも電子写真装置内部、即
ち、最も特徴的な基体、次いで感光体近傍の温度上昇が
感光体表面に比べて小さく、従来これによって引き起こ
されていた現像器の熱的偏心による画像むら等が防止さ
れる。第４に感光体表面のみを主に加熱するため、省エ
ネルギーが達成される。第５に従来回転円筒状感光体内
面に熱源を配設するためにスリップリング等の給電機構
が必要であり、電子写真装置本体のコストを上昇させて
いた問題を解決できる。

【００７９】［感光体］上記問題を解決するための、も
う一つの要素として本発明者等は温度依存性が小さく、
且つ、表面耐熱性に優れた感光体を用い、限られた条件
で急速除湿を行なうことにより、極めて好適な画像安定
化が達成されることを見い出した。又、感光体の膜厚、
表面状態、絶縁破壊電圧に関しても有効な知見が得られ
たので、それを次に述べる。

【００８０】図１４は膜厚を変化させたときのトナー融
着の発生状況をプロットしたものであり、数値が大きい
方が悪いことを示している。この結果が示すように、膜
厚を０．０３ｍｍ以上にするとトナー融着に対して効果
があることが分かる。

【００８１】図１５は感光体の平均面に対する突起部の
高さ変化させたときのトナー融着の発生状況をプロット
したものであり、数値が大きい方が悪いことを示してい
る。この結果が示すように、突起部の高さを０．０１ｍ
ｍ以下にするとトナー融着に対して効果があることが分
かる。

【００８２】図１８は感光体の帯電極性と逆極性の電圧
に対する絶縁破壊電圧を変化させた場合の画像欠陥の発
生状況をプロットしたものであり、数値が大きい方が悪
いことを示している。この結果が示すように、逆極性の
電圧に対する絶縁破壊電圧を５００Ｖ以下にすると画像
欠陥が発生し始めるが、感光体の表面移動速度を３００
ｍｍ／ｓｅｃ以上にすることにより画像欠陥の発生が抑
えられることが分かる。

【００８３】［ＯＰＣ感光体］本発明に用いた好適な感
光体の一形態であるＯＰＣ感光体について以下に述べ
る。

【００８４】図１２は本発明に係る電子写真用感光体の
層構成を説明するための模式的構成図である。図１２に
示す電子写真用ＯＰＣ感光体は、感光体用としての支持
体１２０３の上に感光層１２０２が設けられている。該
感光層１２０２は電荷発生層１２０５、電荷輸送層１２
０４、保護層兼表面層１２０１から成り、必要に応じて
支持体１２０３と電荷発生層１２０５の間に中間層を設
けて構成されている。

【００８５】本発明に用いられるＯＰＣ感光体、即ち、
表面層、光導電層、必要に応じて設けられる中間層、特
にその表面層は前記ヒーターからの高温輻射熱に耐え、
且つ、軟化しないことが必要である。高融点ポリエステ
ル樹脂と硬化樹脂との混成がそれぞれの樹脂成分の特性
を相乗的に作用させ合い、こうした条件を満足すること
を見い出した。

【００８６】ここで、本発明に係る電子写真用感光体の
表面層、光導電層、電荷輸送層及び電荷発生層の形成に
用いる樹脂成分について説明する。

【００８７】ポリエステルとは酸成分とアルコール成分
との結合ポリマーであり、ジカルボン酸とグリコールと
の縮合或はヒドロキシ安息香酸のヒドロキシ基とカウボ
キシ基とを有する化合物の縮合によって得られる重合体
である。

【００８８】酸成分として、テレフタル酸、イソフタル
酸、ナフタレンジカルボン酸等の芳香族ジカルボン酸、
コハク酸、アジピン酸、セバチン酸等の脂肪族ジカルボ
ン酸、ヘキサヒドロテレフタル酸等の脂環族ジカルボン
酸、ヒドロキシエトキシ安息香酸のオキシカルボン酸等
を用いることができる。

【００８９】グリコール成分としては、エチレングリコ
ール、トリメチレングリコール、テトラメチレングリコ
ール、ヘキサメチレングリコール、シクロヘキサンジメ
チロール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレング
リコール等を使用することができる。

【００９０】尚、前記ポリエステル樹脂が実質的に線状
である範囲でペンタエリスリトール、ロリメチロールプ
ロパン、ピロメリット酸及びこれらのエステル形成誘導
体等の多官能化合物を共重合させても良い。

【００９１】本発明においては、ポリエステル樹脂とし
て高融点ポリエステル樹脂が用いられる。

【００９２】高融点ポリエステル樹脂としては、オルソ
クロロフェノール中３６℃で測定した極限粘度が０．４
ｄｌ／ｇ以上、好ましくは０．５ｄｌ／ｇ以上、更に好
ましくは０．６５ｄｌ／ｇ以上のものが用いられる。

【００９３】好ましい高融点ポリエステル樹脂として
は、ポリアルキレンテレフタレート系樹脂が挙げられ
る。ポリアルキレンテレフタレート系樹脂は、酸成分と
してテレフタール酸、グリコール成分としてアルキレン
グリコールから主として成るものである。

【００９４】その具体例としては、テレフタル酸成分と
エチレングリコール成分とから主として成るポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）、テレフタル酸成分と１、
４−テトラメチレングリコール（１、４−ブチレングリ
コール）成分とから主として成るポリブチレンテレフタ
レート（ＰＢＴ）、テレフタル酸成分とシクロヘキサン
ジメチロール成分トナーから主として成るポリシクロヘ
キシルジメチレンテレフタレート（ＰＣＴ）等を挙げる
ことができる。他の好ましい高分子量ポリエステル樹脂
としては、ポリアルキレンナフタレート系樹脂を例示で
きる。ポリアルキレンナフタレート系樹脂は、酸成分と
してナフタレンジカルボン酸成分とグリコール成分とし
てアルキレングリコール成分トナーから主として成るも
のであって、その具体例としては、ナフタレンジカルボ
ン酸成分とエチレングリコール成分とから主として成る
ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等を挙げることが
できる。

【００９５】高融点ポリエステル樹脂としては、その融
点が好ましくは１６０℃以上、特に好ましくは２００℃
以上のものである。

【００９６】高融点ポリエステル樹脂は、高融点である
が故に結晶性が高い。この結果、硬化樹脂ポリマー鎖と
高融点ポリマー鎖との相互の絡み合いが均一且つ密にな
って、高耐久性の表面層を形成できるものと考えられ
る。低融点ポリエステル樹脂の場合には、結晶性が低い
ため、硬化樹脂ポリマー鎖との絡み合いの程度が大きい
ところと小さいところが生じ、耐久性が劣るものと考え
られる。

【００９７】［アモルファスシリコン感光体］本発明に
用いた好適な感光体の一形態であるアモルファスシリコ
ン感光体について以下に述べる。

【００９８】アモルファスシリコン感光体の光導電層の
キャリアの挙動に着目し、バンドギャップ内の局在状態
分布と帯電能の温度依存性や光メモリーとの関係につい
て鋭意検討した結果、光導電層の少なくとも光の入射す
る部分において、特定のエネルギー範囲の局在状態密度
を一定範囲に制御することにより前記目的を達成できる
という知見を得た。即ち、シリコン原子を母体とし、水
素原子及び／又はハロゲン原子を含有する非単結晶材料
で構成された光導電層を有する感光体において、その層
構造を特定化するように設計されて作製された感光体
は、実用上著しく優れた特性を示すばかりでなく、従来
の感光体と比べてみてもあらゆる点において凌駕してい
ること、特に電子写真用の感光体として優れた特性を有
していることを見い出した。

【００９９】本発明に係る電子写真用感光体は、導電性
支持体と、シリコン原子を母体とする非単結晶材料から
成る光導電層を有する感光層とから構成され、光導電層
は１０〜３０原子％の水素を含み、光吸収スペクトルの
指数関数裾（アーバックテイル）の特性エネルギーが５
０〜６０ｍｅＶであって、且つ、伝導帯端下０．４５〜
０．９５ｅＶの局在状態密度が３×１０¹⁴〜３×１０¹⁵
ｃｍ^-3であることを特徴としている。

【０１００】更に、本発明に係る電子写真用感光体は、
導電性支持体と、シリコン原子を母体とする非単結晶材
料から成る光導電層を有する光受容層とから構成され、
光導電層は１０〜３０原子％の水素を含み、赤外吸収ス
ペクトルから得られるＳｉ−Ｈ₂ 結合とＳｉ−Ｈ結合の
吸収ピーク強度比が０．１〜０．５であって、サブバン
ドギャップ光吸収スペクトルの指数関数裾（アーバック
テイル）の特性エネルギーが５０〜６０ｍｅＶであっ
て、且つ、伝導帯端下０．４５〜０．９５ｅＶの局在状
態密度が３×１０¹⁴〜５×１０¹⁵ｃｍ^-3であることを特
徴としている。

【０１０１】上記構成を採るように設計された本発明に
係る電子写真用感光体は、前述の諸問題点の全てを解決
し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性、画
像品質、耐久性及び使用環境特性を示す。

【０１０２】一般的に、ａ−Ｓｉ：Ｈのバンドギャップ
内には、Ｓｉ−Ｓｉ結合の構造的な乱れに基づくテイル
（裾）順位と、Ｓｉの未結合手（ダングリングボンド）
等の構造欠陥に起因する深い準位が存在する。これらの
準位は、電子、正孔の捕獲、再結合中心として働き、素
子の特性を低下させる原因となることが知られている。

【０１０３】このようなバンドギャップ中の局在準位の
状態を測定する方法として、一般に深準位分光法、等温
容量過度分光法、光熱偏向分光法、一定光電流法等が用
いられている。中でも一定光電流法［Ｃｏｎｓｔａｎｔ
ＰｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔＭｅｔｈｏｄ：以後、「Ｃ
ＰＭ」と略記する］は、ａ−Ｓｉ：Ｈの局在準位に基づ
くサブギャップ光吸収スペクトルを簡便に測定する方法
として有用である。

【０１０４】本発明者等は、ＣＰＭによって測定された
光吸収スペクトルから求められる指数関数裾（アーバッ
クテイル）の特性エネルギー（以下、「Ｅｕ」と略記す
る）や局在状態密度（以下、「ＤＯＳ」と略記する）と
感光体特性との相関を種々の条件に亘って調べた結果、
Ｅｕ及びＤＯＳがａ−Ｓｉ感光体の温度特性や光メモリ
ーと密接な関係にあることを見い出し、本発明を完成す
るに至った。

【０１０５】ドラムヒーター等で感光体を加熱したとき
に帯電能が低下する原因として、熱励起されたキャリア
が帯電時の電界に引かれてバンド裾の局在準位やバンド
ギャップ内の深い局在準位への捕獲、放出を繰り返しな
がら表面に走行し、表面電荷を打ち消してしまうことが
挙げられる。このとき、帯電器を通過する間に表面に到
達したキャリアについては帯電能の低下には殆ど影響が
ないが、深い準位に捕獲されたキャリアは、帯電器を通
過した後に表面へ到達して表面電荷を打ち消すために温
度特性として観測される。又、帯電器を通過した後に熱
励起されたキャリアも表面電荷を打ち消して帯電能の低
下を引き起こす。従って、感光体の使用温度領域におけ
る熱励起キャリアの生成を抑え、尚且つ、キャリアの走
行性を向上させることが温度特性の向上のために必要で
ある。

【０１０６】更に、光メモリーはブランク露光や像露光
によって生じた光キャリアがバンドギャップ内の局在準
位に捕獲され、光導電層内にキャリアが残留することに
よって生じる。即ち、或る複写行程において生じた光キ
ャリアのうちの光導電層内に残留したキャリアが次回の
帯電時或はそれ以降に表面電荷による電界によって掃き
出され、光の照射された部分の電位が他の部分よりも低
くなり、その結果、画像上に濃淡が生じる。従って、光
キャリアが光導電層内に残留することなく、１回の複写
行程で走行するように、キャリアの走行性を改善しなけ
ればならない。

【０１０７】従って、本発明のようにＥｕ及び特定のエ
ネルギー範囲のＤＯＳを制御することにより、熱励起キ
ャリアの生成が抑えられ、尚且つ、熱励起キャリアや光
キャリアが局在準位に捕獲される割合を小さくすること
ができるため、キャリアの走行性が著しく改善される。
その結果、感光体の使用温度領域での温度特性が飛躍的
に改善され、同時に光メモリーの発生を抑制することが
できるため、感光体の使用環境に対する安定性が向上
し、ハーフトーンが鮮明に出て、解像力の高い高品質の
画像を安定して得ることができる。

【０１０８】以下、図面に従って本発明に係るアモルフ
ァスシリコン光導電部材について詳細に説明する。

【０１０９】図１１は本発明に係る電子写真用感光体の
層構成を説明するための模式的構成図である。

【０１１０】図１１（ａ）に示す電子写真用感光体１１
００は、感光体用としての支持体１１０１の上に感光層
１１０２を設けて構成されている。該感光層１１０２は
ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘから成り、光導電性を有する光導電層
１１０３で構成されている。

【０１１１】図１１（ｂ）は本発明に係る電子写真用感
光体の他の層構成を説明するための模式的構成図であ
る。図１１（ｂ）に示す電子写真用感光体１１００は、
感光体用としての支持体１１０１の上に、感光層１１０
２を設けて構成されている。該感光層１１０２はａ−Ｓ
ｉ：Ｈ，Ｘから成り、光導電性を有する光導電層１１０
３とアモルファスシリコン系表面層１１０４とから構成
されている。

【０１１２】図１１（ｃ）は本発明に係る電子写真用感
光体の他の層構成を説明するための模式的構成図であ
る。図１１（ｃ）に示す電子写真用感光体１１００は、
感光体用としての支持体１１０１の上に感光層１１０２
を形成して構成されている。該感光層１１０２はａ−Ｓ
ｉ：Ｈ，Ｘから成り、光導電性を有する光導電層１１０
３とアモルファスシリコン系表面層１１０４と及びアモ
ルファスシリコン系電荷注入素子層１１０５とから構成
されている。

【０１１３】図１１（ｄ）は本発明に係る電子写真用感
光体の他の層構成を説明するための模式的構成図であ
る。図１１（ｄ）に示す電子写真用感光体１１００は、
感光体用としての支持体１１０１の上に感光層１１０２
を形成して構成されている。該感光層１１０２は光導電
層１１０３を構成するａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘから成る電荷発
生層１１０６並びに電荷輸送層１１０７とアモルファス
シリコン系表面層１１０４とから構成されている。

【０１１４】［支持体］本発明において使用される支持
体１１０１としては、導電性でも電気絶縁性であっても
良い。導電性支持体１１０１としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、
Ｆｅ等の金属及びこれらの合金、例えばステンレス等が
挙げられる。又、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカ
ーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、
ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹
脂のフィルム又はシート、ガラス、セラミック等の電気
絶縁性支持体の少なくとも感光層１１０２を形成する側
の表面を導電処理した支持体も用いることができる。

【０１１５】本発明において使用される支持体１１０１
の形状は平滑表面或は凹凸表面の円筒状又は板状無端ベ
ルト状であることができ、その厚さは所望通りの電子写
真用感光体１１００を形成し得るように適宜決定する
が、電子写真用感光体１１００としての可撓性が要求さ
れる場合には、支持体１１０１としての機能が十分発揮
できる範囲内で可能な限り薄くすることができる。但
し、支持体１１０１の厚さは、製造上及び取り扱い上、
機械的強度等の点から、通常は１０μｍ以上とされる。

【０１１６】特にレーザー光等の可干渉性光を用いて像
記録を行う場合には、可視像において現れる所謂干渉縞
模様による画像不良をより効果的に解消するために、支
持体１１０１の表面に凹凸を設けても良い。支持体１１
０１の表面に設けられる凹凸は、特開昭６０−１６８１
５６号公報、同６０−１７８４５７号公報、同６０−２
２５８５４号公報等に記載された公知の方法により形成
される。

【０１１７】又、レーザー光等の可干渉光を用いた場合
の干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消する別
の方法として、支持体１１０１の表面に複数の球状痕跡
窪みなよる凹凸形状を設けても良い。即ち、支持体１１
０１の表面が電子写真用感光体１１００に要求される解
像力よりも微小な凹凸を有し、しかも、該凹凸は複数の
球状痕跡窪みによるものである。支持体１１０１の表面
に設けられる複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、特開昭
６１−２３１５６１号公報に記載された公知の方法によ
り形成される。

【０１１８】［光導電層］本発明において、その目的を
効果的に達成するために支持体１１０１上に形成され、
且つ、感光層１１０２の一部を構成する光導電層１１０
３は、真空堆積膜形成方法によって、所望特性が得られ
るように適宜成膜パラメータの数値条件が設定されて形
成される。具体的には、例えばグロー放電法（低周波Ｃ
ＶＤ法、高周波ＣＶＤ法又はマイクロ波ＣＶＤ法等の交
流放電ＣＶＤ法或は直流放電ＣＶＤ法等）スパッタリン
グ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ
法、熱ＣＶＤ法等の数々の薄膜堆積法によって形成する
ことができる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備
資本投資下の負荷程度、製造規模、作製される電子用感
光体に要求される特性等の要因によって適宜選択されて
採用されるが、所望の特性を有する電子写真用感光体を
製造するに当たっての条件の制御が比較的容易であるこ
とから、グロー放電法、特にＲＦ帯又はＶＨＦ帯の電源
周波数を用いた高周波グロー放電法が好適である。

【０１１９】グロー放電法によって光導電層１１０３を
形成するには、基本的にシリコン原子（Ｓｉ）を供給し
得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し
得るＨ供給用の原料がスリーブ又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部が減圧
し得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該反応
容器内にグロー放電を生起させ、予め所定の位置に設置
されてある所定の支持体の１０１上にａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘ
から成る層を形成すれば良い。

【０１２０】又、本発明においては、光導電層１１０３
中に水素原子又は／及びハロゲン原子が含有されること
が必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償
し、層品質の向上、特に光導電性及び電荷保持特性を向
上させるために必須不可欠であるからである。従って、
水素原子又はハロゲン原子の含有量、又は水素原子とハ
ロゲン原子の和の量はシリコン原子と水素原子又は／及
びハロゲン原子の和に対して１０〜３０原子％、より好
ましくは１５〜２５原子％とされるのが望ましい。

【０１２１】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
と成り得る物質としては、ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂ Ｈ₆ 、Ｓｉ₃
Ｈ₈ 、Ｓｉ₄ Ｈ₁₀等のガス状態の又はガス化し得る水
素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、更に、層形成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率
の良さ等の点でＳｉＨ₄ 、Ｓｉ₂ Ｈ₆ が好ましいものと
して挙げられる。

【０１２２】そして、形成される光導電層１１０３中に
水素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御
を一層容易になるように図り、本発明の目的を達成する
膜特性を得るために、これらのガスに更にＨ₂ 及び／又
はＨｅ或は水素原子を含む珪素化合物のガスも所望量混
合して層形成することが必要である。又、各ガスは単独
種のみでなく所定の混合比で複数種混合しても差し支え
ないものである。

【０１２３】又、本発明において使用されるハロゲン原
子供給用の原料ガスとして有効なものは、例えばハロゲ
ンガス、ハロゲン化物、ハロゲンを含むハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状の又
はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。
又、更にはシリコン原子とハロゲン原子とを構成要素と
するガス状の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含む水
素化珪素化合物も有効なものとして挙げることができ
る。本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物と
しては、具体的にフッ素ガス（Ｆ₂ ）、ＢｒＦ、Ｃｌ
Ｆ、ＣｌＦ₃ 、ＢｒＦ₃ 、ＢｒＦ₅ 、ＩＦ₃ 、ＩＦ₇ 等
のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハロゲン原
子を含む珪素化合物、所謂ハロゲン原子で置換されたシ
ラン誘導体としては、具体的には例えばＳｉＦ₄ 、Ｓｉ
₂ Ｆ₆ 等のフッ化珪素を好ましいものとして挙げること
ができる。

【０１２４】光導電層１１０３中に含有される水素原子
又は／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支
持体１１０１の温度、水素原子又は／及びハロゲン原子
を含有させるために使用される原料物質の反応容器内へ
の導入量、放電電力等を制御すれば良い。

【０１２５】本発明においては、光導電層１１０３には
必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが
好ましい。導電性を制御する原子は、光導電層１１０３
中に万偏なく均一に分布した状態で含有されても良い
し、或は層厚方向には不均一な分布状態で含有している
部分があっても良い。

【０１２６】前記伝導性を制御する原子としては、半導
体分野における所謂不純物を挙げることができ、ｐ型伝
導特性を与える周期律表III ｂ族に属する原子（以後
「第III ｂ族原子」と略記する）又はｎ型伝導特性を与
える周期律表Ｖｂ族に属する原子（以後「第Ｖｂ族原
子」と略記する）を用いることができる。

【０１２７】第III ｂ族原子としては、具体的には硼酸
（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、イ
ンジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。

【０１２８】光導電層１０３に含有される伝導性を制御
する原子の含有量としては、好ましくは１×１０^-2〜１
×１０⁴ 原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０^-2〜５×
１０³ 原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０³ 原
子ｐｐｍとされるのが望ましい。

【０１２９】伝導性を制御する原子、例えば第III ｂ族
原子或は第Ｖｂ族原子を構造的に導入するには、像形成
の際に第III ｂ族原子導入用の原料物質或は第Ｖｂ族原
子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中に光導電層
１１０３を形成するための他のガスと共に導入すれば良
い。第III ｂ族原子導入用の原料物質或は第Ｖｂ族原子
導入用の原料物質と成り得るものとしては、常温常圧で
ガス状の又は少なくとも層形成条件下で容易にガス化し
得るものが採用されるのが望ましい。

【０１３０】そのような第III ｂ族原子導入用の原料物
質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ₂ Ｈ
₆ 、Ｂ₄ Ｈ₁₀、Ｂ₅ Ｈ₉ 、Ｂ₅ Ｈ₁₁、Ｂ₆ Ｈ₁₀、Ｂ₆ Ｈ
₁₂、Ｂ₆ Ｈ₁₄等の水素化硼素、ＢＦ₃ 、ＢＣｌ₃ 、ＢＢ
ｒ₃ 等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａｌ
Ｃｌ₃ 、ＧａＣｌ₃ 、Ｇａ（ＣＨ₃ ）₃ 、ＩｎＣｌ
₃３，ＴｌＣｌ₃ 等も挙げることができる。

【０１３１】第Ｖｂ族原子導入用の原料物資として有効
に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ₃ 、Ｐ
₂ Ｈ₄ 等の水素化燐、ＰＨ₄ Ｉ、ＰＦ₃ 、ＰＦ₅ 、，Ｐ
Ｃｌ₃ 、ＰＣｌ₅ 、ＰＢｒ₃ 、ＰＢｒ₅ 、ＰＩ₃ 等のハ
ロゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ₃ 、ＡｓＦ
₃ 、ＡｓＣｌ₃ 、ＡｓＢｒ₃ 、ＡｓＦ₅ 、ＳｂＨ₃ 、Ｓ
ｂＦ₃ 、ＳｂＦ₅ 、ＳｂＣｌ₃ 、ＳｂＣｌ₅ 、ＢｉＨ
₃ 、ＢｉＣｌ₃ 、ＢｉＢｒ₃ 等も第Ｖｂ族原子導入用の
出発物質の有効なものとして挙げることができる。

【０１３２】又、これらの伝導性を制御する原子導入用
の原料物質を必要に応じてＨ₂ 及び／又はＨｅにより希
釈して使用しても良い。

【０１３３】更に、本発明においては、光導電層１１０
３に炭素原子及び／又は酸素原子及び／又は窒素原子を
含有させることも有効である。炭素原子及び／又は酸素
原子及び／又は窒素原子の含有量は、シリコン原子、炭
素原子、酸素原子及び窒素原子の和に対して好ましくは
１×１０^-5〜１０原子％、より好ましくは１×１０^-4〜
８原子％、最適には１×１０^-3〜５原子％が望ましい。
炭素原子及び／又は酸素原子及び／又は窒素原子は光導
電層中に万偏なく均一に含有されても良いし、光導電層
１１０３の層厚方向に含有量が変化するような不均一な
分布を持たせた部分があっても良い。

【０１３４】本発明において、光導電層１１０３の層厚
は所望の電子写真特性が得られること及び経済的効果等
の点から適宜所望に従って決定され、好ましくは２０〜
５０μｍ、より好ましくは２３〜４５μｍ、最適に２５
〜４０μｍとされるのが望ましい。

【０１３５】本発明の目的を達成し、所望の膜特性を有
する光導電層１１０３を形成するには、Ｓｉ供給用のガ
スと希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電
力並びに支持体温度を適宜設定することが必要である。

【０１３６】希釈ガスとして使用するＨ₂ 及び／又はＨ
ｅの流量は、層設計に従って適宜最適範囲が選択される
が、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ₂ 及び／又はＨｅを、通常
の場合３〜２０倍、好ましくは４〜１５倍、最適には５
〜１０倍の範囲に制御することが望ましい。

【０１３７】反応容器内のガス圧も同様に層設計に従っ
て最適範囲が選択されるが、通常の場合、１×１０^-4〜
１０Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１０^-4〜５Ｔｏｒｒ、最
適には１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒとするのが好ましい。

【０１３８】放電電力も又同様に層設計に従って適宜最
適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量に対す
る放電電力を、通常の場合２〜７倍、好ましくは２．５
〜６倍、最適には３〜５倍の範囲に設定するのが望まし
い。

【０１３９】更に、支持体１０１の温度は、層設計に従
って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好まし
くは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０
℃、最適には２５０〜３５０℃とするのが望ましい。

【０１４０】本発明においては、光導電層１１０３を形
成するための支持体１１０１の温度、ガス圧の望ましい
数値範囲として前記範囲が挙げられるが、条件は通常は
独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を
有する感光体１１００を形成すべく相互的且つ有機的関
連性に基づいて最適値を決めるのが望ましい。

【０１４１】［表面層］本発明においては、上述のよう
にして支持体１１０１上に形成された光導電層１１０３
の上に更にアモルファスシリコン系の表面層１１０４を
形成することが好ましい。この表面層１１０４は自由表
面１１０６を有し、主に耐湿性、連続繰り返し使用特
性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性において本発
明の目的を達成するために設けられる。

【０１４２】又、本発明においては、感光層１１０２を
構成する光導電層１１０３と表面層１１０４とを形成す
る非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の要素を
有しているため、積層界面において化学的な安定性の確
保が十分なされている。

【０１４３】表面層１１０４は、アモルファスシリコン
系の材料であれば何れの材質でも可能であるが、例え
ば、水素原子（Ｈ）及び／又はハロゲン原子（Ｘ）を含
有し、更に炭素原子（Ｃ）を含有するアモルファスシリ
コン（以下「ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素
原子（Ｈ）及び／又はハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更
に酸素原子（Ｏ）を含有するアモルファスシリコン（以
下「ａ−ＳｉＯ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子
（Ｈ）及び／又はハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に窒
素原子（Ｎ）を含有するアモルファスシリコン（以下
「ａ−ＳｉＮ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）
及び／又はハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に炭素原子
（Ｃ）、酸素原子（Ｏ）、窒素原子（Ｎ）の少なくとも
１つを含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ
ＣＯＮ：Ｈ，Ｘ」と表記する）等の材料が好適に用いら
れる。

【０１４４】本発明において、その目的を効果的に達成
するために、表面層１１０４は真空堆積膜形成方法によ
って、所望特性が得られるように適宜成膜パラメータの
数値条件が設定されて形成される。具体的には、グロー
放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法又はマイクロ
波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、或は直流放電ＣＶＤ
法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレー
ティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の数々の薄膜堆
積法によって形成することができる。これらの薄膜堆積
法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程度、製造規
模、作製される電子写真用感光体に所望される特性の要
因によって適宜選択されて採用されるが、感光体の生産
性から光導電層と同等の堆積法によることが好ましい。

【０１４５】例えば、グロー放電法によってａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ，Ｘより成る表面層１１０４を形成するには、基
本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用
の原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の
原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原
料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供
給用の原料ガスを、内部を減圧し得る反応容器内に所望
のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を生
起させ、予め所定の位置に設置された光導電層１１０３
を形成した支持体１１０１上にａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘから
成る層を形成すれば良い。

【０１４６】本発明において用いる表面層１１０４の材
質としては、シリコンを含有するアモルファス材料なら
ば何れでも良いが、炭素、窒素、酸素より選ばれた元素
を少なくとも１つ含むシリコン原子との化合物が好まし
く、特にａ−ＳｉＣを主成分としたものが好ましい。

【０１４７】表面層１１０４をａ−ＳｉＣを主成分とし
て構成する場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子の
和に対して３０％〜９０％の範囲が好ましい。

【０１４８】又、本発明においては、表面層１１０４中
に水素原子又は／及びハロゲン原子が含有されることが
必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償
し、層品質の向上、特に光導電性特性及び電荷保持特性
を向上させるために必須不可欠である。水素含有量は、
構成原子の総量に対して通常の場合３０〜７０原子％、
好適には３５〜６５原子％、最適には４０〜６０原子％
とするのが望ましい。又、フッ素原子の含有量として、
通常の場合は、０．０１〜１５原子％、好適には０．１
〜１０原子％、最適には０．６〜４原子％とされるのが
望ましい。

【０１４９】これらの水素及び／又はフッ素含有量の範
囲内で形成される感光体は、実際面において従来にない
格段に優れたものとして十分適用され得るものである。
即ち、表面層内に存在する欠陥（主にシリコン原子や炭
素原子のダングリングボンド）は電子写真用感光体とし
ての特性に悪影響を及ぼすことが知られている。例えば
自由表面から電荷の注入による帯電特性の劣化、使用環
境、例えば高い湿度の下で表面構造が変化することによ
る帯電特性の変動、更にコロナ帯電時や光照射時に光導
電層により表面層に電荷が注入され、前記表面層内の欠
陥に電荷がトラップされることにより繰り返し使用時の
残像現象の発生等がこの悪影響として挙げられる。

【０１５０】しかしながら、表面層内の水素含有量を３
０原子％以上に制御することで表面層内の欠陥が大幅に
減少し、その結果、従来に比べて電気的特性面及び高速
連続使用性において飛躍的な向上を図ることができる。

【０１５１】一方、前記表面層中の水素含有量が７１原
子％以上になると表面層の硬度が低下するために、繰り
返し使用に耐えられなくなる。従って、表面層中の水素
含有量を前記の範囲内に制御することが格段に優れた所
望の電子写真特性を得る上で非常に重要な因子の１つと
なる。表面層中の水素含有量は、Ｈ₂ ガスの流量、支持
体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御し得る。

【０１５２】又、表面層中のフッ素含有量を０．０１原
子％以上の範囲に制御することで、表面層内のシリコン
原子と炭素原子の結合の発生をより効果的に達成するこ
とが可能と成る。更に、表面層中のフッ素原子の働きと
して、コロナ等のダメージによるシリコン原子と炭素原
子の結合の切断を効果的に防止することができる。

【０１５３】一方、表面層中のフッ素含有量が１５原子
％を超えると、表面層内のシリコン原子と炭素原子の結
合の発生の効果及びコロナ等のダメージによるシリコン
原子と炭素原子の結合の切断を防止する効果が殆ど認め
られなくなる。更に、過剰なフッ素原子が表面層中のキ
ャリアの走行性を阻害するため、残留電位や画像メモリ
ーが顕著に認められてくる。従って、表面素中のフッ素
含有量を前記範囲内に制御することが所望の電子写真特
性を得る上で重要な因子の一つとなる。表面層中のフッ
素含有量は、水素含有量と同様にＨ₂ ガスの流量、支持
体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御し得る。

【０１５４】本発明の表面層１１０４の形成において使
用されるシリコン（Ｓｉ）供給用ガスと成り得る物質と
しては、ＳｉＨ₄ 、Ｓｉ₂ Ｈ₆ 、Ｓｉ₃ Ｈ₈ 、Ｓｉ₄ Ｈ
₁₀等のガス状態の又はガス化し得る水素化珪素（シラン
類）が有効に使用されるものとして挙げられ、更に、層
形成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳ
ｉＨ₄ 、Ｓｉ₂ Ｈ₆ が好ましいものとして挙げられる。
又、これらのＳｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ
₂ 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用して
も良い。

【０１５５】炭素供給用ガスと成り得る物質としては、
ＣＨ₄ 、Ｃ₂ Ｈ₆ 、Ｃ₃ Ｈ₈ 、Ｃ₄Ｈ₁₀等のガス状態の
又はガス化し得る炭化水素が有効に使用されるものとし
て挙げられ、更に層形成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効
率の良さ等の点からＣＨ₄ 、Ｃ₂ Ｈ₆ が好ましいものと
して挙げられる。又、これらのＳｉ供給用の原料ガスを
必要に応じてＨ₂ 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希
釈して使用しても良い。

【０１５６】窒素又は酸素供給用ガスと成り得る物質と
しては、ＮＨ₃ 、ＮＯ、Ｎ₂ Ｏ、ＮＯ₂ 、Ｈ₂ Ｏ、Ｏ
₂ 、ＣＯ、ＣＯ₂ 、Ｎ₂ 等のガス状態の又はガス化し得
る化合物が有効に使用されるものとして挙げられる。
又、これらの窒素、酸素供給用の原料ガスを必要に応じ
てＨ₂ 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用
しても良い。

【０１５７】又、形成される表面層１１０４中に導入さ
れる水素原子の導入割合の制御を一層容易になるように
図るために、これらのガスに更に水素ガス又は水素原子
を含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成するこ
とが好ましい。又、各ガスは単独種のみでなく所定の混
合比で複数種混合しても差し支えないものである。

【０１５８】ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効
なのは、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン
を含むハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン
誘導体等のガス状の又はガス化し得るハロゲン化合物が
好ましく挙げられる。又、更にはシリコン原子とハロゲ
ン原子とを構成要素とするガス状の又はガス化し得る、
ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効なものとし
て挙げることができる。

【０１５９】本発明において好適に使用し得るハロゲン
化合物としては、具体的にはフッ素ガス（Ｆ₂ ）、Ｂｒ
Ｆ、ＣｌＦ、ＣｌＦ₃ 、ＢｒＦ₃ 、ＢｒＦ₅ 、ＩＦ₃ 、
ＩＦ₇ 等のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハ
ロゲン原子を含む珪素化合物、所謂ハロゲン原子で置換
されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳｉＦ
₄ 、Ｓｉ₂ Ｆ₆ 等のフッ化珪素を好ましいものとして挙
げることができる。

【０１６０】表面層１１０４中に含有される水素原子又
は／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支持
体１１０１の温度、水素原子又は／及びハロゲン原子を
含有させるために使用される原料物質の反応容器内への
導入量、放電電力等を制御すれば良い。

【０１６１】炭素原子及び／又は水素原子及び／又は窒
素原子は、表面層１１０４中に万遍なく均一に含有され
ても良いし、或は表面層１１０４の層厚方向に含有量が
変化するような不均一な分布を持たせた部分があっても
良い。

【０１６２】更に本発明においては、表面層１１０４に
は必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させること
が好ましい。伝導性を制御する原子は、表面層１１０４
中に万偏なく均一に分布した状態で含有されても良い
し、或は層厚方向には不均一な分布状態で含有している
部分があっても良い。

【０１６３】前記伝導性を制御する原子としては、半導
体分野における所謂不純物を挙げることができ、ｐ型伝
導特性を与える周期律表III ｂ族に属する原子（以後
「第III ｂ族原子」と略記する）又はｎ型伝導特性を与
える周期律表Ｖｂ族に属する原子（以後「第Ｖｂ族原
子」と略記する）を用いることができる。

【０１６４】第III ｂ族原子としては、具体的には硼酸
（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、イ
ンジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ，Ａｓが好適
である。

【０１６５】表面層１１０４に含有される伝導性を制御
する原子の含有量としては、好ましくは１×１０^-3〜１
×１０³ 原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０^-2〜５×
１０² 原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０² 原
子ｐｐｍとされるのが望ましい。

【０１６６】伝導性を制御する原子、例えば第III ｂ族
原子或は第Ｖｂ族原子を構造的に導入するには、像形成
の際に第III ｂ族原子導入用の原料物質或は第Ｖｂ族原
子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中に、表面層
１１０４を形成するための他のガスと共に導入すれば良
い。第III ｂ族原子導入用の原料物質或は第Ｖｂ族原子
導入用の原料物質と成り得るものとしては、常温常圧で
ガス状の又は少なくとも層形成条件下で容易にガス化し
得るものが採用されるのが望ましい。

【０１６７】そのような第III ｂ族原子導入用の原料物
質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ₂ Ｈ
₆ 、Ｂ₄ Ｈ₁₀、Ｂ₅ Ｈ₉ 、Ｂ₅ Ｈ₁₁、Ｂ₆ Ｈ₁₀、Ｂ₆ Ｈ
₁₂、Ｂ₆ Ｈ₁₄等の水素化硼素、ＢＦ₃ 、ＢＣｌ₃ 、ＢＢ
ｒ₃ 等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａｌ
Ｃｌ₃ 、ＧａＣｌ₃ 、Ｇａ（ＣＨ₃ ）₃ 、ＩｎＣｌ₃、
ＴｌＣｌ₃ 等も挙げることができる。

【０１６８】第Ｖｂ族原子導入用の原料物資として有効
に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ₃ 、Ｐ
₂ Ｈ₄ 等の水素化燐、ＰＨ₄ Ｉ、ＰＦ₃ 、ＰＦ₅ 、ＰＣ
ｌ₃、ＰＣｌ₅ 、ＰＢｒ₃ 、ＰＢｒ₅ 、ＰＩ₃ 等のハロ
ゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ₃ 、ＡｓＦ₃ 、
ＡｓＣｌ₃ 、ＡｓＢｒ₃ 、ＡｓＦ₅ 、ＳｂＨ₃ 、ＳｂＦ
₃ 、ＳｂＦ₅ 、ＳｂＣｌ₃ 、ＳｂＣｌ₅ 、ＢｉＨ₃ 、Ｂ
ｉＣｌ₃ 、ＢｉＢｒ₃等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物
質の有効なものとして挙げることができる。

【０１６９】又、これらの伝導性を制御する原子導入用
の原料物質を必要に応じてＨ₂ 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等の
ガスにより希釈して使用しても良い。

【０１７０】本発明における表面層１０４の層厚として
は、０．０１〜３μｍ、好適には０．０５〜２μｍ、最
適には０．１〜１μｍとされるのが望ましい。層厚が
０．１１μｍよりも薄いと、感光体１１００を使用中に
摩耗等の理由により表面層１１０４が失われてしまい、
３μｍを超えると残留電位の増加等の電子写真特性の低
下が見られる。

【０１７１】本発明による表面層１１０４は、その要求
される特性が所望通りに与えられるように注意深く形成
される。即ち、Ｓｉ、Ｃ及び／又はＯ、Ｈ及び／又はＸ
を構成要素とする物質は、その形成条件によって構造的
には結晶からアモルファスまでの形態を取り、電気物性
的には導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、
又、光導電的性質から非光導電的性質までの間の性質を
各々示すため、本発明においては、目的に応じた所望の
特性を有する化合物が形成されるように、所望に従って
その形成条件の選択が厳密になされる。

【０１７２】例えば、表面層１１０４を耐圧性の向上を
主な目的として設けるには、使用環境において電気絶縁
性的挙動の非単結晶材料として作製される。

【０１７３】又、連続繰り返し使用特性や使用環境特性
の向上を主な目的として表面層１１０４が設けられる場
合には、上記の電気絶縁性の度合いは或る程度緩和さ
れ、照射される光に対して或る程度の感度を有する非単
結晶材料として形成される。

【０１７４】本発明の目的を達成し得る特性を有する表
面層１１０４を形成するには、支持体１１０１の温度、
反応容器内のガス圧を所望に従って適宜設定する必要が
ある。

【０１７５】支持体１１０１の温度（Ｔｓ）は、層設計
に従って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好
ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３
３０℃、最適には２５０〜３５０℃とするのが望まし
い。

【０１７６】反応容器内のガス圧も同様に層設計に従っ
て最適範囲が選択されるが、通常の場合、１×１０^-4〜
１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×１０^-4〜５Ｔｏｒ
ｒ、最適には１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒとするのが好まし
い。

【０１７７】本発明においては、表面層１１０４を形成
するための支持体１１０１の温度（Ｔｓ）、ガス圧の望
ましい数値範囲として前記範囲が挙げられるが、条件は
通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の
特性を有する感光体１１００を形成すべく、相互的且つ
有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望ましい。

【０１７８】更に本発明においては、光導電層１１０３
と表面層１１０４の間に炭素原子、酸素原子、窒素原子
の含有量を表面層１１０４より減らしたブロッキング層
（下部表面層）を設けることも帯電能等の特性を更に向
上させるためには有効である。

【０１７９】又、表面層１１０４と光導電層１１０３と
の間に、炭素原子及び／又は酸素原子及び／又は窒素原
子の含有量が光導電層１１０３に向かって減少するよう
変化する領域を設けても良い。これにより表面層１１０
４と光導電層１１０３の密着性を向上させ、界面での光
の反射による干渉の影響をより少なくすることができ
る。

【０１８０】［電荷注入阻止層］本発明の電子写真用感
光体１１００においては、導電性支持体１１０１と光導
電層１１０３との間に、導電性支持体１１０１側からの
電荷の注入を阻止する働きのある電荷注入阻止層１１０
５を設けるのが一層効果的である。即ち、電荷注入阻止
層１１０５は感光層１１０２が一定極性の帯電処理をそ
の自由表面に受けた際、支持体１１０１側より光導電層
１１０３側に電荷が注入されるのを阻止する機能を有
し、逆の極性の帯電処理を受けた際にはそのような機能
は発揮されない、所謂極性依存性を有している。そのよ
うな機能を付与するために、電荷注入阻止層１１０５に
は伝導性を制御する原子を光導電層１１０３に比べて比
較的多く含有させる。

【０１８１】光導電層１１０３に含有される伝導性を制
御する原子は、該光導電層１１０３中に万遍なく均一に
分布されても良いし、或は層厚方向には万遍なく含有さ
れているが、不均一に分布する状態で含有している部分
があっても良い。分布濃度が不均一な場合には、支持体
１１０１側に多く分布するように含有させるのが望まし
い。

【０１８２】しかしながら、何れの場合にも支持体１１
０１の表面と平行面内方向においては、均一な分布で万
遍なく含有されることが面内方向における特性の均一化
を図る点からも必要である。

【０１８３】電荷注入阻止層１１０５に含有される伝導
性を制御する原子としては、半導体分野における所謂不
純物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律
表III 族に属する原子（以後「第III ｂ族原子」と略記
する）又はｎ型伝導特性を与える周期律表Ｖｂ族に属す
る原子（以後「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用いるこ
とができる。

【０１８４】第III 族原子としては、具体的にはＢ（硼
酸）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ
（インジウム）、Ｔａ（タリウム）等があり、特にＢ、
Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、具体
的にはＰ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモン）、
Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ、Ａｓが好適であ
る。

【０１８５】本発明において電荷注入阻止層１１０５中
に含有される伝導性を制御する原子の含有量としては、
本発明の目的が効果的に達成できるように所望に従って
適宜決定されるが、好ましくは１０〜１×１０⁴ 原子ｐ
ｐｍ、より好ましくは５０〜５×１０³ 原子ｐｐｍ、最
適には１×１０² 〜１×１０³ 原子ｐｐｍとされるのが
望ましい。

【０１８６】更に、電荷注入阻止層１１０５には炭素原
子、窒素原子及び酸素原子の少なくとも一種を含有させ
ることによって、該電荷注入阻止層１１０５に直接接触
して設けられる他の層との間の密着性の向上をより一層
図ることができる。

【０１８７】電荷注入阻止層１１０５に含有される炭素
原子又は窒素原子或はは酸素原子は、該電荷注入阻止層
１１０５中に万遍なく均一に分布されても良いし、或は
層厚方向には万遍なく含有されているが、不均一に分布
する状態で含有している部分があっても良い。但し、何
れの場合にも支持体１１０１の表面と平行面内方向にお
いては、均一な分布で万遍なく含有されることが面内方
向における特性の均一化を図る点からも必要である。

【０１８８】本発明における電荷注入阻止層１１０５全
層領域に含有される炭素原子及び／又は窒素原子及び／
又は酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達成
されるように適宜決定されるが、一種の場合はその量と
して、二種以上の場合はその総和として、好ましく１×
１０^-3〜５０原子％、より好ましくは５×１０^-3〜３０
原子％、最適には１×１０^-2〜１０原子％とされるのが
望ましい。

【０１８９】又、本発明における電荷注入阻止層１１０
５に含有される水素原子及び／又はハロゲン原子は層内
に存在する未結合手を補償し、膜質の向上に効果を奏す
る。電荷注入阻止層１１０５中の水素原子又はハロゲン
原子或は水素原子とハロゲン原子の和の含有量は、好適
に１〜５０原子％、より好適には５〜４０原子％、最適
には１０〜３０原子％とするのが望ましい。

【０１９０】本発明において、電荷注入阻止層１１０５
の層厚は所望の電子写真特性が得られること及び経済的
効果等の点から、好ましくは０．１〜５μｍ、より好ま
しく０．３〜４μｍ、最適には０．５〜３μｍとされる
のが望ましい。

【０１９１】本発明において、電荷注入阻止層１１０５
を形成するには、前述の光導電層１１０３を形成する方
法と同様の真空堆積法が採用される。

【０１９２】本発明の目的を達成し得る特性を有する電
荷注入阻止層１１０５を形成するには、光導電層１１０
３と同様に、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、
反応容器内のガス圧、放電電力並びに支持体１１０１の
温度を適宜設定することが必要である。

【０１９３】希釈ガスであるＨ₂ 及び／又はＨｅの流量
は、層設計に従って適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ
供給用ガスに対しＨ₂ 及び／又はＨｅを、通常の場合１
〜２０倍、好ましくは３〜１５倍、最適には５〜１０倍
の範囲に制御することが望ましい。

【０１９４】反応容器内のガス圧も同様に層設計に従っ
て最適範囲が選択されるが、通常の場合、１×１０^-4〜
１０Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１０^-4〜５Ｔｏｒｒ、最
適には１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒとするのが好ましい。

【０１９５】放電電力も又同様に層設計に従って適宜最
適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用ガスの流量に対する
放電電力を、通常の場合１〜７倍、好ましくは２〜６
倍、最適には３〜５倍の範囲に設定することが望まし
い。

【０１９６】更に、支持体１１０１の温度は層設計に従
って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好まし
くは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０
℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望ましい。

【０１９７】本発明においては、電荷注入阻止層１１０
５を形成するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電
力、支持体１１０１の温度の望ましい数値範囲として前
記範囲が挙げられるが、これらの層形成ファクターは通
常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特
性を有する表面層１１０４を形成すべく相互的且つ有機
的関連性に基づいて各層形成ファクターの最適値を決め
るのが望ましい。

【０１９８】この他に、本発明の電子写真用感光体１１
００においては、感光層１１０２の前記支持体１１０１
側に少なくともアルミニウム原子、シリコン原子、水素
原子又は／及びハロゲン原子が層厚方向に不均一な分布
状態で含有する層領域を有することが望ましい。

【０１９９】又、本発明の電子写真用感光体１１００に
おいては、支持体１１０１と光導電層１１０３或は電荷
注入阻止層１１０５との間の密着性の一層の向上を図る
目的で、例えば、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 、，ＳｉＯ₂ 、ＳｉＯ或は
シリコン原子を母体とし、水素原子及び／又はハロゲン
原子と炭素原子及び／又は酸素原子及び／又は窒素原子
とを含む非晶質材料等で構成される密着層を設けても良
い。更に、支持体１１０１からの反射光による干渉模様
の発生を防止するための光吸収層を設けても良い。

【０２００】次に、感光層１１０２を形成するための装
置及び膜形成方法について詳述する。

【０２０１】図２は電源周波数としてＲＦ帯を用いた高
周波プラズマＣＶＤ法（以後「ＲＦ−ＣＶＤ」と略記す
る）による電子写真用感光体の製造装置の一例を示す模
式的な構成図である。図２に示す製造装置の構成は以下
の通りである。

【０２０２】この装置は大別すると、堆積装置２１０
０、原料ガスの供給装置２２００、反応装置２１１１内
を減圧するための不図示の排気装置から構成されてい
る。

【０２０３】上記堆積装置２１００中の反応容器２１１
１内には円筒状支持体２１１２、支持体加熱用ヒーター
２１１３、原料ガス導入管２１１４が設置され、更に高
周波マッチングボックス２１１５が接続されている。

【０２０４】原料ガス供給装置２２００は、ＳｉＨ₄ 、
ＧｅＨ₄ 、Ｈ₂ 、ＣＨ₄ 、Ｂ₂ Ｈ₆、ＰＨ₃ 等の原料ガ
スのボンベ２２２１〜２２２６とバルブ２２３１〜２２
３６，２２４１〜２２４６，２２５１〜２２５６及びマ
スフロ−コントローラー２２１１〜２２１６から構成さ
れ、各原料ガスのボンベ２２２１〜２２２６はバルブ２
２６０を介して反応容器２１１１内のガス導入管２１１
４に接続されている。

【０２０５】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行うことができる。

【０２０６】先ず、反応容器２１１１内に円筒状支持体
２１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば、真空ポ
ンプ）により反応容器２１１１内を排気する。続いて、
支持体加熱用ヒーター２１１３により円筒状支持体２１
１２の温度を２００℃〜３５０℃の所定の温度に制御す
る。

【０２０７】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器２１１
１に流入させるには、ガスボンベ２２２１〜２２２６の
バルブ２２３１〜２２３６、反応容器２１１１のリーク
バルブ２１１７が閉じられていることを確認し、又、流
入バルブ２２４１〜２２４６、流出バルブ２２５１〜２
２５６、補助バルブ２２６０が開れていることを確認し
て、先ず、メインバルブ２１１８を開いて反応容器２１
１１及びガス配管２１１６内を排気する。

【０２０８】次に、真空計２１１９の読みが約５×１０
^-6Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ２２６０、流出バ
ルブ２２５１〜２２５６を閉じる。

【０２０９】その後、ガスボンベ２２２１〜２２２６よ
り各ガスをバルブ２２３１〜２２３６を開いて導入し、
圧力調整器２２６１〜２２６６によって各ガス圧を２Ｋ
ｇ／ｃｍ² に調整する。次に、流入バルブ２２４１〜２
２４６を徐々に開けて各ガスをマスフローコントローラ
ー２２１１〜２２１６内に導入する。

【０２１０】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。

【０２１１】円筒状支持体２１１２が所定の温度になっ
たところで流出バルブ２２５１〜２２５６のうちの必要
なもの及び補助バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボン
ベ２２２１〜２２２６から所定のガスをガス導入管２１
１４を介して反応容器２１１１内に導入する。

【０２１２】次に、マスフローコントローラー２２１１
〜２２１６によって各原料ガスが所定の流量になるよう
に調整する。その際、反応容器２１１１内の圧力が１Ｔ
ｏｒｒ以下の所定の圧力になるように真空計２１１９を
見ながらメインバルブ２１１８の開口を調整する。内圧
が安定したところで、周波数１３．５６ＭＨｚの不図示
のＲＦ電源を所望の電力に設定して、高周波マッチング
ボックス２１１５を通じて反応容器２１１１内にＲＦ電
力を導入し、グロー放電を生起させる。この放電エネル
ギーによって反応容器２１１１内に導入された原料ガス
が分解され、円筒状支持体２１１上に所定のシリコンを
主成分とする堆積膜が形成される。所望の膜厚の形成が
行われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブ２２５
１〜２２５６を閉じて反応容器２１１１へのガスの流入
を止め、堆積膜の形成を終える。

【０２１３】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の感光層１１０２が形成される。そ
れぞれの層を形成する際には必要なガス以外の流出バル
ブは全て閉じられていることは言うまでもなく、又、そ
れぞれのガスが反応容器２１１１内、流出バルブ２２５
１〜２２５６から反応容器２１１１に至る配管内に残留
することを避けるために、流出バルブ２２５１〜２２５
６を閉じ、補助バルブ２２６０を開き、更にメインバル
ブ２１１８を全開にして系内を一旦高真空に排気する操
作を必要に応じて行う。

【０２１４】又、膜形成の均一化を図るために、層形成
を行っている間は、支持体２１１２を不図示の駆動装置
によって所定の速度で回転させることも有効である。更
に、上述のガス種及びバルブ操作は各々の層の形成条件
に従って変更が加えられることは言うまでもない。

【０２１５】次に、電源にＶＨＦ帯の周波数を用いた高
周波プラズマＣＶＤ（以下、「ＶＨＦ−ＰＣＶＤ」と称
す）法によって形成される電子写真感光体の製造方法に
ついて説明する。

【０２１６】図２に示した製造装置におけるＲＦ−ＰＣ
ＶＤ法による堆積装置２１００を図３に示す堆積装置３
１００に交換して原料ガス供給装置２２００と接続する
ことにより、図３に示すＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による以下
の構成の電子写真用感光体製造装置を得ることができ
る。

【０２１７】この装置は、大別すると、真空気密化構成
を成した減圧し得る反応容器３１１１、原料ガスの供給
装置２２００及び反応容器３１１１内を減圧するための
不図示の排気装置から構成されている。反応容器３１１
１内には円筒状支持体３１１２、支持体加熱用ヒーター
３１１３、原料ガス導入管３１１４、電極３１１５が設
置され、電極３１１５には更に高周波マッチングボック
ス３１１６が接続されている。又、反応容器３１１１内
は排気管３１２１を通じて不図示の拡散ポンプに接続さ
れている。

【０２１８】原料ガス供給装置２２００は、ＳｉＨ₄ 、
ＧｅＨ₄ 、Ｈ₂ 、ＣＨ₄ 、Ｂ₂ Ｈ₆、ＰＨ₃ 等の原料ガ
スのボンベ２２２１〜２２２６とバルブ２２３１〜２２
３６、２２４１〜２２４６、２２５１〜２２５６及びマ
スフローコントローラー２２１１〜２２１６から構成さ
れ、各原料ガスボンベ２２２１〜２２２６はバルブ２２
６０を介して反応容器３１１１内のガス導入管３１１４
に接続されている。又、円筒状支持体３１１２によって
取り囲まれた空間３１３０が放電空間を形成している。

【０２１９】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法によるこの装置での堆
積膜の形成は以下のように行うことができる。

【０２２０】先ず、反応容器３１１１内に円筒状支持体
３１１２を設置し、駆動装置３１２０によって支持体３
１１２を回転駆動し、不図示の排気装置（例えば、真空
ポンプ）により反応容器３１１１内を排気管３１２１を
介して排気し、反応容器３１１１内の圧力を１×１０^-7
Ｔｏｒｒ以下に調整する。続いて、支持体加熱用ヒータ
ー３１１６により円筒状支持体３１１２の温度を２００
℃〜３５０℃の所定の温度に加熱保持する。

【０２２１】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器３１１
１に流入させるには、ガスボンベ２２２１〜２２２６の
バルブ２２３１〜２２３６、反応容器３１１１の不図示
のリークバルブが閉じられていることを確認し、又、流
入バルブ２２４１〜２２４６、流出バルブ２２５１〜２
２５６、補助バルブ２２６０が開かれていることを確認
し、先ず、不図示のメインバルブを開いて反応容器３１
１１及びガス配管３１２２内を排気する。

【０２２２】次に、不図示の真空計の読みが約５×１０
^-6Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ２２６０、流出バ
ルブ２２５１〜２２５６を閉じる。

【０２２３】その後、ガスボンベ２２２１〜２２２６よ
り各ガスをバルブ２２３１〜２２３６を開いて導入し、
圧力調整器２２６１〜２２６６によって各ガス圧を２Ｋ
ｇ／ｃｍ² に調整する。次に、流入バルブ２２４１〜２
２４６を徐々に開けて各ガスをマスフローコントローラ
ー２２１１〜２２１６内に導入する。

【０２２４】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下のようにして円筒状支持体３１１２上に各層の
形成を行う。

【０２２５】円筒状支持体２１１２が所定の温度になっ
たところで流出バルブ２２５１〜２２５６のうちの必要
なもの及び補助バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボン
ベ２２２１〜２２２６から所定のガスをガス導入管３１
１７を介して反応容器３１１１内の放電空間３１３０に
導入する。

【０２２６】次に、マスフローコントローラー２２１１
〜２２１６によって各原料ガスが所定の流量になるよう
に調整する。その際、放電空間３１３０内の圧力が１Ｔ
ｏｒｒ以下の所定の圧力になるように不図示の真空計を
見ながら不図示のメインバルブの開口を調整する。内圧
が安定したところで、周波数５００ＭＨｚの不図示のＶ
ＨＦ電源を所望の電力に設定して、マッチングボックス
３１１６を通じて放電空間３１３０にＶＨＦ電力を導入
し、グロー放電を生起させる。

【０２２７】斯くして、支持体３１１２によって取り囲
まれた放電空間３１３０において、導入された原料ガス
は放電エネルギーによって励起されて解離し、円筒状支
持体３１１２上に所定の堆積膜が形成される。このと
き、層形成の均一化を図るために、支持体回転用モータ
ー３１２０によって所望の回転速度で回転させる。

【０２２８】所望の膜厚の形成が行われた後、ＶＨＦ電
力の供給を止め、流出バルブ２２５１〜２２５６を閉じ
て反応容器３１１１へのガスの流入を止め、堆積膜の形
成を終える。

【０２２９】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の感光層１１０２が形成される。そ
れぞれの層を形成する際には必要なガス以外の流出バル
ブは全て閉じられていることは言うまでもなく、又、そ
れぞれのガスが反応容器３１１１内、流出バルブ２２５
１〜２２５６から反応容器３１１１に至る配管内に残留
することを避けるために、流出バルブ２２５１〜２２５
６を閉じ、補助バルブ２２６０を開き、更に不図示のメ
インバルブを全開にして系内を一旦高真空に排気する操
作を必要に応じて行う。尚、上述のガス種及びバルブ操
作は各々の層の形成条件に従って変更が加えられること
は言うまでもない。

【０２３０】何れの方法においても、堆積膜形成時の支
持体２１１２温度は、特に２００℃以上３３０℃以下、
より好ましくは２５０℃以上３００℃以下に設定される
べきである。

【０２３１】支持体２１１２の加熱方法は、真空仕様で
ある発熱体であれば良く、より具体的には、シース状ヒ
ーターの巻き付けヒーター、板状ヒーター、セラミック
ヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線
ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒と
し熱交換手段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の
表面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅
等の金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用
することができる。

【０２３２】それ以外にも、反応容器以外に加熱専用の
容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で支持体
を搬送する等の方法が用いられる。

【０２３３】又、特にＶＨＦ−ＰＣＶＤにおいて、放電
空間の圧力として、好ましくは１ｍＴｏｒｒ以上５００
ｍＴｏｒｒ以下、より好ましくは３ｍＴｏｒｒ以上３０
０ｍＴｏｒｒ以下、最も好ましくは５ｍＴｏｒｒ以上１
００ｍＴｏｒｒ以下に設定することが望ましい。

【０２３４】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法において放電空間に設
けられる電極の大きさ及び形状は、放電を乱さないなら
ば何れの方法でも良いが、実用上は直径１ｍｍ以上１０
ｃｍ以下の円筒状が好ましい。このとき、電極の長さも
支持体に電界が均一に作用する長さであれば、任意に設
定することができる。

【０２３５】電極の材質としては、表面が導電性となる
ものならば何れでも良く、例えば、ステンレス、Ａｌ、
Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐ
ｔ、Ｐｂ、Ｆｅ等の金属、これらの合金又は表面を導電
処理したガラス、セラミック、プラスチック等が通常使
用される。

【０２３６】以上説明したように、本発明は従来のなる
べく低電力で、感光体に長時間晒しても感光体を変質さ
せない比較的低い温度で除湿させるシステムから、回収
再利用可能なトナーと改良されたヒーターと改良された
感光体との組み合わせによって初めて可能となったシス
テム、即ち、トナーを再利用する系において、極めて高
い温度を短時間に感光体へ与える電子写真装置の除湿シ
ステムを用いることにより、極めて好適な画像安定化が
達成されることを見出した。

【０２３７】本発明に係る電子写真感光体を前述のよう
な特定の構成としたことにより、ＯＰＣ、ａ−Ｓｉで構
成される従来の電子写真感光体における諸問題を解決す
ることができ、トナーを再利用する系において、特に極
めて優れた電気的特性、光学的特性、光導電特性、画像
特性、耐久性及び使用環境特性を引き出すことを見出し
た。

【０２３８】以下、実施例により本発明の効果を具体的
に説明する。

【０２３９】＜実施例１＞外径８０ｍｍ×長さ３５８ｍ
ｍのアルミニウムシリンダーを基体とし、これにアルコ
キシメチル化ナイロンの５％メタノール溶液を浸漬法で
塗布して膜厚１μｍ以下の下引き層（中間層）を設け
た。

【０２４０】次に、チタニルフタロシアニン顔料を１０
部（重量部、以下同様）、ポリビニルブチラール８部及
びシクロヘキサノン５０部を直径１ｍｍのガラスビーズ
１００部を用いたサンドミル装置で２０時間混合分散し
た。この分散液にメチルエチルケトン７０〜１２０（適
宜）部を加えて下引き層上に塗布し、１００℃で５分間
乾燥して０．２μｍの電荷発生層を形成した。

【０２４１】次に、この電荷発生層の上に下記構造式；

【０２４２】

【化１】 で表されるスチリル化合物１０部とビスフェノールＺ型
ポリカーボネート１０部をモノクロルベンゼン６５部に
溶解した。この溶液をディッピング法によって基体上に
塗布し、１２０℃で６０分間の熱風乾燥させて２０μｍ
厚の電荷輸送層を形成した。

【０２４３】次に、この電荷輸送層の上に以下の方法で
膜厚１．０μｍの保護層を形成した。

【０２４４】酸成分としてテレフタル酸を、又、グリコ
ール成分としてエチレングリコールを用いて得られた高
融点ポリエチレンテレフタレート（Ａ）［極限粘度０．
７０ｄｌ／ｇ、融点２５８℃（示差熱測定器を用いて１
０℃／ｍｉｎの昇温速度で測定した。又、測定サンプル
は５ｍｇで、測定しようとするポリエステル樹脂を２８
０℃で溶融後、０℃の氷水で急冷して作製した。以下の
実施例について同じ）、ガラス点移転温度７０℃］１０
０部とエポキシ樹脂（Ｂ）［エポキシ当量１６０；芳香
族エステルタイプ；商品名：エピコート１９０Ｐ（油化
シェルエポキシ社製）］３０部とをフェノールとテトラ
クロロエタン（１：１）混合液１００ｍｌに溶解させ
た。次いで、光重合開始剤としてトリフェニルスルフォ
ニウムヘキサフルオロアンチモネート（Ｃ）３部を添加
して樹脂組成物溶液を調製した。

【０２４５】光の照射条件としては、２ＫＷ高圧水銀灯
（３０Ｗ／ｃｍ）を２０ｃｍ離した位置から１３０℃で
８秒間照射して硬化させた。

【０２４６】このようにして作製した感光ドラムを外部
加熱ヒーター及び感光体内面ヒーターの増設改造、そし
て現像剤の回収再使用を行えるように改造を行った複写
機［商品名：ＮＰ−４０５０（キヤノン社製）］に装着
し、それぞれ表１〜表３に示したヒーター設定条件で温
度２４℃及び相対湿度５５％で通紙２０万枚の耐久テス
トを行った。更に、耐久後３２℃及び相対湿度８０％の
高温高湿環境中に１晩放置した後に画像評価を行った結
果を表１〜表３に示す。

【０２４７】

【表１】

【０２４８】

【表２】

【０２４９】

【表３】 表１〜表３において、温度依存性は、或る受容量を与え
た、より具体的には図１〜図４における主帯電器１０２
〜４０２に一定の高圧を供給したとき、感光体の温度を
２５℃（室温）〜４５℃まで変えてその電位を測定し、
そのときの温度１℃当たりの電位の変化を測定して受容
電位に対する変化率で表現した。より具体的には、０．
５％／ｄｅｇとは、暗部受容電位を６００Ｖとしたと
き、３Ｖ／ｄｅｇであったことによる。

【０２５０】表１において、温度差Ａは、感光体表面と
基体裏面の温度を熱電対で測定し、加熱開始後基体裏面
が室温＋１０℃になった時点における（感光体表面温度
℃）−（基体裏面温度℃）なる温度差で表現した。

【０２５１】表１において、基体裏面温度は４０℃に温
調し、感光体の表面温度上昇の方が大きくなるように、
加熱ヒーターに通電する条件で画像出しを行った。

【０２５２】表１において、画像所見は、第１に所謂高
湿流れ、第２にヒーターからの熱による感光体表面ダメ
ージによる傷や画像欠陥、第３に現像スリーブ偏心によ
る画像濃度むらについて評価した。

【０２５３】表１において、消費電力は、加熱ヒーター
に費やされる電力について評価した。総合判定は、以上
の結果から本発明の目的を達成しているか否かについて
判定した。表１において記号は、○：優れている、△：
実用上問題ない、×劣るを意味する。

【０２５４】その結果、感光体の表面に近接させた熱源
により該感光体表面の温度上昇を基体裏面の温度上昇よ
り大きくさせ、該感光体表面と基体裏面との間に温度勾
配を持たせることで感光体表面温度が基体裏面温度より
も高く、且つ、感光体表面温度と基体裏面温度との温度
差が１ｄｅｇ以上１００ｄｅｇ以下となるように加熱す
ることで、高湿画像流れ、現像器の温度偏心による画像
周むらのない良好な結果を得た。

【０２５５】特に、熱源が長尺状セラミック基板上に発
熱燒結体を設けた外部ヒーターＡにおいてはそれが顕著
であった。

【０２５６】表２において、感光体表面温度は４０℃に
温調し、改造複写機［商品名：ＮＰ−４０５０（キヤノ
ン社製）］のクリーナー近傍の温度を測定し、感光体の
表面温度上昇の方が大きくなるように、加熱ヒーターに
通電する条件で画像出しを行った。

【０２５７】表２において、温度差Ｃは、感光体表面と
クリーナー近傍の温度を熱電対で測定し、加熱開始後感
光体表面が室温＋１０℃になった時点における（感光体
表面温度上昇℃）−（感光体近傍温度上昇℃）なる温度
差で表現した。

【０２５８】表２において、画像所見は、第１に所謂高
湿流れ、第２に感光体表面ダメージによる傷、第３にト
ナー融着による画像欠陥について評価した。

【０２５９】表２において、消費電力は、加熱ヒーター
に費やされる電力について評価した。総合判定は、以上
の結果から本発明の目的を達成しているか否かについて
判定した。表２において記号は、○：優れている、△：
実用上問題ない、×劣るを意味する。

【０２６０】その結果、感光体の表面に近接させた熱源
により感光体表面の温度上昇の方が感光体近傍の温度上
昇より大きくなるように加熱したとき、高湿画像流れ、
融着のない良好な結果を得た。

【０２６１】特に、熱源が長尺状セラミック基板上に発
熱燒結体を設けた外部ヒーターＡにおいてはクリーナー
の温度上昇が有効に抑えられ、効果が顕著であった。

【０２６２】表３において、感光体温度の温調はせず、
改造複写機［商品名：ＮＰ−４０５０（キヤノン社
製）］のシングルコピー（１枚コピー）を前回転１０
秒、排出まで１５秒とし、この間のみ加熱ヒーターに通
電する条件で画像出しを行った。

【０２６３】表３において、画像所見は、第１に所謂高
湿流れ、第２に加熱ヒーターによる感光体表面ダメージ
による傷や画像欠陥、第３にトナー融着による画像欠陥
について評価した。

【０２６４】表３において、消費電力は、加熱ヒーター
に費やされる電力について評価した。総合判定は、以上
の結果から本発明の目的を達成しているか否かについて
判定した。表３において記号は、○：優れている、△：
実用上問題ない、×劣るを意味する。

【０２６５】その結果、感光体の表面に近接させた熱源
により感光体表面と基板裏面温度との温度差を感光体表
面側が高く、１ｄｅｇ以上１００ｄｅｇ以下の温度勾配
を持たせて加熱したとき、極めて僅かな時間にも拘ら
ず、高湿画像流れがなく、同時に極めて僅かな加熱時間
であるために融着のない良好な結果を得た。

【０２６６】特に、熱源が長尺状セラミック基板上に発
熱燒結体を設けた外部ヒーターＡにおいてはそれが顕著
であった。

【０２６７】（比較例１）実施例１で用いた保護層を用
いない以外には実施例１と同様の感光体を作製し、実施
例１と同様に耐久テストを行った。結果を表１〜表４に
示す。

【０２６８】

【表４】 （比較例２）実施例１で用いた保護層の代わりに電荷輸
送層を用いたものと同じバインダーとして、ビスフェノ
ールＺ型ポリカーボネート４部とモノクロルベンゼン７
０部、ＰＴＦＥ微粉末１部をサンドミルで１０時間混合
分散して塗工液を作製した。この塗工液をスプレー法で
電荷輸送層上に１．０μｍになるように塗布して保護層
とし、実施例１と同様に耐久テストを行った。結果を表
１〜表３に示す。

【０２６９】＜実施例２＞図２に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による電子写真用感光体の製造装置を用い、直径１０８
ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー上に、
表４に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層か
ら成る感光体を作製した。更に、光導電層のＳｉＨ₄ と
Ｈ₂ との混合比と放電電力を変えることによって、種々
の感光体を作製した。

【０２７０】作製した感光体を外部加熱ヒーター及び感
光体内面ヒーターの増設改造、そして、現像剤の回収再
利用を行えるように改造を行った電子写真装置（キヤノ
ン社製ＮＰ−６０６０をテスト用に改造）にセットし
て、帯電能の温度依存性（温度特性）、メモリー及び画
像欠陥を評価した。

【０２７１】温度特性は、感光体の温度を２５℃（室
温）〜約４５℃まで変えて帯電能を測定し、このときの
温度１℃当たりの帯電能の変化を測定して、受容電位の
｜０．５％／ｄｅｇ｜以下を合格と判定した。具体的に
は、暗部受容電位を４００Ｖとし、｜２Ｖ／ｄｅｇ｜以
下を合格と判定した。

【０２７２】又、メモリー、画像流れについては、画像
を目視により判定し、１：非常に良好、２：良好、３：
実用上問題なし、４：実用上やや難ありの４段階にラン
ク分けした。

【０２７３】一方、円筒形のサンプルホルダーに設置し
たガラス基板（コーニング社製７０５９）並びにＳｉウ
エハー上に、光導電層の作製条件で膜厚約１μｍのａ−
Ｓｉ幕を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌの櫛
型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エネル
ギー（Ｅｕ）と局部準位密度（Ｄ．Ｏ．Ｓ）を測定し、
Ｓｉウエハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより水素含有量を
測定した。このときのＥｕと温度特性との関係を図４
に、Ｄ．Ｏ．Ｓとメモリー、画像流れとの関係を図５及
び図６にそれぞれ示す。何れのサンプルも水素含有量は
１０〜３０原子％であった。図５〜図８から明らかなよ
うに、Ｅｕ＝５０〜６０ｍｅＶ、Ｄ．Ｏ．Ｓ＝１×１０
¹⁴〜５×１０¹⁵ｃｍ^-3の範囲にすることが良好な電子写
真特性を得るために必要であることが分かった。

【０２７４】こうして種々の電子写真特性を持った感光
体の温度特性が異なるものについて、更に、前記電子写
真装置（キヤノン社製ＮＰ−６０６０をテスト用に改
造）に、内面ヒーター、外部ヒーターＡ及び外部ヒータ
ーＢを用いて、各ヒーター設定条件で、温度２４℃及び
相対湿度５５％で通紙２０万枚の耐久テストを行った。
更に、耐久後３２℃及び相対湿度８０％の高温高湿環境
中に１晩放置した後に画像評価を行った後、高湿画像流
れの改善効果等について表５〜表１２にまとめた。

【０２７５】

【表５（ａ）】

【０２７６】

【表５（ｂ）】

【０２７７】

【表５（ｃ）】 表５において、温度差Ａは、感光体表面と基体裏面の温
度を熱電対で測定し、加熱開始後基体裏面が室温＋１０
℃になった時点における（感光体表面温度℃）−（基体
裏面温度℃）なる温度差で表現した。

【０２７８】表５において、基体裏面温度４０℃に温調
し、感光体表面温度上昇の方が大きくなるように、加熱
ヒーターに通電する条件で画像出しを行った。

【０２７９】表５において、画像所見は、第１に所謂高
湿流れ、第２にヒーターからの熱による感光体表面温度
変動による電位変動、即ち、温度特性に起因する画像濃
度変動、第３に現像スリーブ偏心による画像濃度むらに
ついて評価した。

【０２８０】表５において、消費電力は、加熱ヒーター
に費やされる電力について評価した。表５において記号
は、○：優れている、△：実用上問題ない、×劣るを意
味する。

【０２８１】その結果、感光体の２５℃〜４５℃におけ
る受容電位の温度依存性が｜０．５％／ｄｅｇ｜以下で
あって、該感光体の表面に近接させた熱源により感光体
表面の温度上昇の方が基体裏面の温度上昇より大きくな
るように加熱することで、感光体表面と基体裏面温度と
の温度差を感光体表面側が高く、且つ、１ｄｅｇ以上１
００ｄｅｇ以下の温度勾配を持たせて加熱することで、
高湿画像流れ、温特濃度変動及びスリーブ偏心に起因す
る濃度変動について良好な結果を得た。

【０２８２】特に、熱源が長尺状セラミック基板上に発
熱燒結体を設けた外部ヒーターＡにおいてはそれが顕著
であった。

【０２８３】同様に、感光体表面とクリーナー近傍の温
度上昇差を付け、高湿画像流れ及び融着の改善効果につ
いて表６（ａ），（ｂ）にまとめた。

【０２８４】

【表６（ａ）】

【０２８５】

【表６（ｂ）】 表６において、温度差Ｂは、感光体表面とクリーナー近
傍の温度を熱電対で測定し、加熱開始後感光体表面が室
温＋１０℃になった時点における（感光体表面温度上昇
℃）−（感光体近傍温度上昇℃）なる温度差で表現し
た。

【０２８６】表６において、画像所見は、第１に所謂高
湿流れ、第２にトナー融着による画像欠陥について評価
した。

【０２８７】表６において、消費電力は、加熱ヒーター
に費やされる電力について評価した。表６において記号
は、○：優れている、△：実用上問題ない、×劣るを意
味する。

【０２８８】その結果、感光体の２５℃〜４５℃におけ
る受容電位の温度依存性が｜０．５％／ｄｅｇ｜以下で
あって、表面温度上昇が感光体近傍温度上昇より大きく
なるように加熱することで、高湿画像流れ、融着につい
て良好な結果を得た。

【０２８９】特に、熱源が長尺状セラミック基板上に発
熱燒結体を設けた外部ヒーターＡにおいてはそれが顕著
であった。

【０２９０】同様に、実施例２における条件で、改造複
写機［商品名：ＮＰ−６０６０（キヤノン社製）］のシ
ングルコピー（１枚コピー）を前回転１０秒、排出まで
１５秒とし、この間のみ加熱ヒーターに通電する条件で
画像出しを行った。

【０２９１】

【表７（ａ）】

【０２９２】

【表７（ｂ）】 表７において、画像所見は、第１に所謂高湿流れ、第２
に感光体からの熱によるトナー融着による画像欠陥につ
いて評価した。

【０２９３】表７において、消費電力は、加熱ヒーター
に費やされる電力について評価した。表７において記号
は、○：優れている、△：実用上問題ない、×劣るを意
味する。

【０２９４】その結果、感光体の２５℃〜４５℃におけ
る受容電位の温度依存性が｜０．５％／ｄｅｇ｜以下で
あって、該感光体の表面に近接させた熱源により感光体
表面と基板裏面温度との温度差を感光体表面側が高く、
１ｄｅｇ以上１００ｄｅｇ以下の温度勾配を持たせ画像
形成時のみ通電加熱したとき、極めて僅かな時間にも拘
らず、高湿画像流れがなく、同時に極めて僅かな加熱時
間であるためにトナー融着のない良好な結果を得た。

【０２９５】特に、熱源が長尺状セラミック基板上に発
熱燒結体を設けた外部ヒーターＡにおいてはそれが顕著
であった。

【０２９６】同様に、実施例２における条件で表４の光
導電層の膜厚を変化させたものを作製し、それぞれの感
光体について改造複写機［商品名：ＮＰ−６０６０（キ
ヤノン社製）］の感光体表面移動速度（プロセススピー
ド）を変化させて画像出しを行い、電気特性評価を行っ
た。

【０２９７】

【表８（ａ）】

【０２９８】

【表８（ｂ）】

【０２９９】

【表９（ａ）】

【０３００】

【表９（ｂ）】 表８において、画像所見は、第１に所謂高湿流れ、第２
に融着による画像欠陥について評価した。

【０３０１】表９において、電気特性所見は、第１に所
謂帯電能（帯電のし易さ）、第２に感度（露光による電
位減衰のし易さ）について評価した。

【０３０２】表８及び表９において記号は、○：優れて
いる、△：実用上問題ない、×劣るを意味する。

【０３０３】その結果、感光体の２５℃〜４５℃におけ
る受容電位の温度依存性が｜０．５％／ｄｅｇ｜以下で
あって、該感光体の表面に近接させた熱源により感光体
表面と基板裏面温度との温度差を感光体表面側が高く、
且つ、１ｄｅｇ以上１００ｄｅｇ以下の温度勾配を持た
せ画像形成時のみ通電加熱したとき、極めて僅かな時間
にも拘らず、高湿画像流れがなく、同時に極めて僅かな
加熱時間であるために融着のない良好な結果を得た。

【０３０４】特に、熱源が長尺状セラミック基板上に発
熱燒結体を設けた外部ヒーターＡにおいてはそれが顕著
であった。

【０３０５】同様に、実施例２における条件で、改造複
写機［商品名：ＮＰ−６０６０（キヤノン社製）］の感
光体の表面移動速度（プロセススピード）に対するロー
ラーの相対速度の比（スピード比）を変化させて画像出
しを行った。

【０３０６】

【表１０（ａ）】

【０３０７】

【表１０（ｂ）】

【０３０８】

【表１０（ｃ）】 表１０において、画像所見は、第１に所謂高湿流れ、第
２にトナー融着による画像欠陥、第３にチャージアップ
トナーによる感光体の絶縁破壊といった画像欠陥につい
て評価した。

【０３０９】表１０において記号は、○：優れている、
△：実用上問題ない、×劣るを意味する。

【０３１０】その結果、感光体の２５℃〜４５℃におけ
る受容電位の温度依存性が｜０．５％／ｄｅｇ｜以下で
あって、該感光体の表面に近接させた熱源により感光体
表面と基板裏面温度との温度差を感光体表面側が高く、
且つ、１ｄｅｇ以上１００ｄｅｇ以下の温度勾配を持た
せ画像形成時のみ通電加熱したとき、高湿画像流れ、融
着及び絶縁破壊のない良好な結果を得た。

【０３１１】特に、熱源が長尺状セラミック基板上に発
熱燒結体を設けた外部ヒーターＡにおいてはそれが顕著
であった。

【０３１２】同様に、実施例２における条件で感光体の
平均面に対する突起部の高さを変化させたものを作製
し、それぞれの感光体について改造複写機［商品名：Ｎ
Ｐ−６０６０（キヤノン社製）］にて画像出しを行っ
た。

【０３１３】

【表１１（ａ）】

【０３１４】

【表１１（ｂ）】 表１１において、画像所見は、第１に所謂高湿流れ、第
２に融着による画像欠陥について評価した。

【０３１５】表１１において記号は、○：優れている、
△：実用上問題ない、×劣るを意味する。

【０３１６】その結果、感光体の２５℃〜４５℃におけ
る受容電位の温度依存性が｜０．５％／ｄｅｇ｜以下で
あって、該感光体の表面に近接させた熱源により感光体
表面と基板裏面温度との温度差を感光体表面側が高く、
且つ、１ｄｅｇ以上１００ｄｅｇ以下の温度勾配を持た
せ画像形成時のみ通電加熱したとき、高湿画像流れ及び
トナー融着のない良好な結果を得た。

【０３１７】特に、熱源が長尺状セラミック基板上に発
熱燒結体を設けた外部ヒーターＡにおいてはそれが顕著
であった。

【０３１８】同様に、実施例２における条件で感光体の
帯電極性と逆極性の電圧に対する絶縁破壊電圧を変化さ
せたものを作製し、それぞれの感光体について改造複写
機［商品名：ＮＰ−６０６０（キヤノン社製）］にて画
像出しを行った。

【０３１９】

【表１２（ａ）】

【０３２０】

【表１２（ｂ）】 表１２において、画像所見は、第１に所謂高湿流れ、第
２にチャージアップトナーによる感光体の絶縁破壊とい
った画像欠陥について評価した。

【０３２１】表１２において記号は、○：優れている、
△：実用上問題ない、×劣るを意味する。

【０３２２】その結果、感光体の２５℃〜４５℃におけ
る受容電位の温度依存性が｜０．５％／ｄｅｇ｜以下で
あって、該感光体の表面に近接させた熱源により感光体
表面と基板裏面温度との温度差を感光体表面側が高く、
且つ、１ｄｅｇ以上１００ｄｅｇ以下の温度勾配を持た
せ画像形成時のみ通電加熱したとき、高湿画像流れ及び
トナー融着のない良好な結果を得た。

【０３２３】特に、熱源が長尺状セラミック基板上に発
熱燒結体を設けた外部ヒーターＡにおいてはそれが顕著
であった。

【０３２４】＜実施例３＞図２に示す電子写真感光体の
製造装置を用い、表１３に示す作製条件で電子写真用感
光体を作製した。このときの光導電層のＥｕとＤ．Ｏ．
Ｓは、それぞれ５５ｍｅＶ、２×１０¹⁵ｃｍ^-3、温度特
性は１．１Ｖ／ｄｅｇであった。これに外部ヒーターＡ
により感光体表面と基体裏面温度との温度差を感光体表
面側が高く、１．５ｄｅｇの温度勾配を持たせて加熱
し、実施例２と同様に評価したところ、実施例２と同様
に良好な電子写真特性が得られた。

【０３２５】

【表１３】 ＜実施例４＞図２に示す電子写真感光体の製造装置を用
い、表１４に示す作製条件で電子写真用感光体を作製し
た。このときの光導電層のＥｕとＤ．Ｏ．Ｓは、それぞ
れ５０ｍｅＶ、８×１０¹⁴ｃｍ^-3、温度特性は−０．５
Ｖ／ｄｅｇであった。これに外部ヒーターＡにより感光
体表面と基体裏面温度との温度差を感光体表面が２℃高
く加熱し、実施例２と同様に評価したところ、実施例２
と同様に良好な電子写真特性が得られた。

【０３２６】

【表１４】 ＜実施例５＞図２に示す電子写真感光体の製造装置を用
い、表１５に示す作製条件で電子写真用感光体を作製し
た。このときの光導電層のＥｕとＤ．Ｏ．Ｓは、それぞ
れ６０ｍｅＶ、５×１０¹⁵ｃｍ^-3、温度特性は０．８Ｖ
／ｄｅｇであった。これに外部ヒーターＡにより感光体
表面と感光体近傍（クリーナー上部）温度との温度上昇
差を感光体表面が３℃高く加熱し、実施例２と同様に評
価したところ、実施例２と同様に廃トナーのブロッソキ
ングもなく、良好な電子写真特性が得られた。

【０３２７】

【表１５】

【０３２８】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、従来のなるべく低電力で、感光体に長時間晒し
ても感光体を変質させず、又、昇温させないで、比較的
低い温度で除湿させるシステムから、改良されたヒータ
ーと改良された感光体との組み合わせによって初めて可
能となったシステム、即ち、極めて高い温度を短時間に
感光体へ与える電子写真装置の除湿システムへの移行に
より、現像剤の回収再使用可能な系で極めて良好な画像
安定化が達成された。

【０３２９】又、本発明によれば、ＯＰＣ、ａ−Ｓｉで
構成された従来の電子写真感光体における諸問題を解決
することができ、特に極めて優れた電気的特性、光学的
特性、光導電特性、画像特性、耐久性及び使用環境特性
を引き出すことができた。

【０３３０】特に、本発明においては、光導電性をその
ギャップ内準位を格段に減少させたａ−Ｓｉで構成する
ことによって、周囲環境の変動に対する表面電位の変化
が抑制され、加えて光疲労や光メモリーの発生が実質的
に無視し得る程になく、極めて優れた電位特性と画像特
性を得ることができた。

【０３３１】更に、本発明によれば、膜厚を厚くしたａ
−Ｓｉで電子写真感光体を構成し、感光体表面の移動速
度を大きくすることによって、感光体の昇温が抑制さ
れ、加えて帯電能力や光感度の極めて優れた電位特性を
得ることができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の電子写真装置を説明するための模式的断
面図である。

【図２】ＲＦ帯の高周波を用いたグロー放電法による電
子写真用感光体の製造装置の模式的説明図である。

【図３】ＶＨＦ帯の高周波を用いたグロー放電法による
電子写真用感光体の製造装置の模式的説明図である。

【図４】本発明に係る電子写真装置の模式的断面図であ
る。

【図５】電子写真感光体における光導電層のアーバック
テイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温度特性との関係を
示す図である。

【図６】本発明に係る電子写真感光体における光導電層
の局在状態密度（ＤＯＳ）と光メモリーとの関係を示す
図である。

【図７】本発明に係る電子写真感光体における光導電層
の局在状態密度（ＤＯＳ）と画像流れとの関係を示す図
である。

【図８】本発明に係る電子写真感光体における光導電層
のＳｉ−Ｈ₂ 結合の吸収ピーク強度比とハーフトーン濃
度むら（ガサツキ）との関係を示す図である。

【図９】熱源であるセラミックヒーター、ニクロムヒー
ターの模式図である。

【図１０】熱源の昇温速度と出力特性を説明する図であ
る。

【図１１】本発明に係るアモルファスシリコン感光体の
層構成を説明する図である。

【図１２】本発明に係るＯＰＣ感光体の層構成を説明す
る図である。

【図１３】本発明に係る電子写真装置におけるプロセス
スピードとトナー融着との関係を示す図である。

【図１４】本発明に係る電子写真用感光体の膜厚とトナ
ー融着との関係を示す図である。

【図１５】本発明に係る電子写真用感光体の突起高さと
トナー融着との関係を示す図である。

【図１６】本発明に係る電子写真装置におけるスピード
比（ローラーと感光体の相対スピードと感光体のスピー
ドの比）とトナー融着との関係を示す図である。

【図１７】本発明に係る電子写真装置におけるスピード
比（ローラーと感光体の相対スピードと感光体のスピー
ドの比）と絶縁破壊による画像欠陥との関係を示す図で
ある。

【図１８】本発明に係る電子写真用感光体の絶縁破壊電
圧（帯電極性と逆極性）と絶縁破壊による画像欠陥との
関係を示す図である。

【符号の説明】

１０１ 感光体 １０２ 主帯電器 １０３ 静電潜像形成部 １０４ 現像器 １０７ クリーナー １２３ 熱源（内面ヒーター） ４０１ 感光体 ４０２ 主帯電器 ４０３ 静電潜像形成部 ４０４ 現像器 ４０７ クリーナー ４２０ 磁性ローラー ４２３ 熱源（外部ヒーター） ４３０ 現像器に現像剤を供給するためのホッパー ４３１ 再使用するために現像剤をホッパーに運ぶ
ための搬送路 ９０１ セラミック基体 ９０２ 電気発熱体 ９０３ 保護膜 ９１１ 基体 ９１２ ニクロム電気発熱体 １１００ 感光体 １１０１ 支持体 １１０２ 感光層 １１０３ 光導電層 １１０４ アモルファスシリコン系表面層 １１０５ アモルファスシリコン系電荷注入阻止層 １１０６ 電荷発生層 １１０７ 電荷輸送層 １２０１ 保護層、表面層 １２０２ 感光層 １２０３ 支持体 １２０４ 電荷輸送層 １２０５ 電荷発生層 ２１００ 堆積装置 ２１１１ 反応容器 ２１１２ 円筒状加熱用ヒーター ２１１３ 支持体加熱用ヒーター ２１１４ 原料ガス導入管 ２１１５ マッチングボックス ２１１６ 原料ガス配管 ２１１７ 反応容器リークバルブ ２１１８ メイン排気バルブ ２１１９ 真空計 ２２００ 原料ガス供給装置 ２２１１〜２２１６ マスフローコントローラー ２２２１〜２２２６ 原料ガスボンベ ２２３１〜２２３６ 原料ガスボンベバルブ ２２４１〜２２４６ ガス流入バルブ ２２５１〜２２５６ ガス流出バルブ ２２６１〜２２６６ 圧力調整器 ３１００ 堆積装置 ３１１１ 反応容器 ３１１２ 円筒状支持体 ３１１３ 支持体加熱用ヒーター ３１１４ 原料ガス配管 ３１１６ マッチングボックス

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｇ０３Ｇ 21/00 ５３４ (56)参考文献 特開 平４−134464（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−44685（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−94544（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03G 21/10 - 21/12 G03G 21/00 370 - 540 G03G 21/14 G03G 5/00 - 5/16

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性基体上に感光層を積層させて成る
   円筒状感光体を回転させ、帯電・露光・現像・転写・ク
   リーニングの各工程を繰り返し、感光体上に形成された
   現像剤像を転写材へ転写した後に感光体上に残留する現
   像剤をクリーニングして回収し、回収した現像剤を現像
   手段に供給して現像工程で再使用する構成を有し、現像
   剤の平均粒径が０．００４〜０．０１１ｍｍである電子
   写真装置において、 前記感光体の光導電層の膜厚ｄ（ｍｍ）、感光体表面の
   移動速度ｖ（ｍｍ／ｓｅｃ）との間に、 ｄ×ｖ≧９ｖ ≧３００ なる関係を成立せしめ、感光体表面の平均面に対する突
   起部の高さを０．０１ｍｍ以下に設定するとともに、感
   光体の帯電極性と逆極性の電圧を該感光体の表面に印加
   した際の絶縁破壊電圧の絶対値を５００Ｖ以上に設定
   し、クリーナーを磁性ローラーで構成し、該磁性ローラ
   ーの感光体に対向する部位での表面移動方向を感光体の
   それとは逆方向とし、同磁性ローラーの感光体の表面移
   動速度に対する相対速度の比を１１０％以上に設定した
   ことを特徴とする電子写真装置。
2. 【請求項２】 前記感光体の２５℃〜４５℃における受
   容電圧の温度依存性の絶対値を０．５％／ｄｅｇ以下に
   設定し、該感光体の表面に近接させた熱源により感光体
   表面温度が基体裏面温度よりも高く、且つ、感光体表面
   温度と基体裏面温度との温度差が１ｄｅｇ以上１００ｄ
   ｅｇ以下となるように感光体を加熱することを特徴とす
   る請求項１記載の電子写真装置。