JPH07230177A

JPH07230177A - 電子写真感光体、その製造方法及び該電子写真感光体を有する電子写真装置

Info

Publication number: JPH07230177A
Application number: JP6311786A
Authority: JP
Inventors: Koji Yamazaki; 晃司山崎; Toshiyuki Ebara; 俊幸江原; Shigenori Ueda; 重教植田; Hiroaki Niino; 博明新納; Masaya Kawada; 将也河田
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1993-12-22
Filing date: 1994-12-15
Publication date: 1995-08-29
Also published as: US5561021A

Abstract

(57)【要約】【目的】フィルミングによる画像欠陥を防止し、高湿
環境下での安定したクリーニング性と良好な画質を提供
し、低コスト、高生産性で製造できる電子写真感光体を
提供する。【構成】導電性基体１０１上に光導電層１０３を有す
る感光体の表面に有機金属化合物に水、アルコール、又
は酸を混合したゾル状溶液を付与後、加熱して得られる
金属酸化物層を有する電子写真感光体、該感光体の製造
方法及び該感光体を有する電子写真装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子写真感光体、その
製造方法及び該電子写真感光体を有する電子写真装置に
関し、更に詳しくは、光（ここでは広義に使用され、紫
外線、可視光、赤外線、Ｘ線そしてガンマ線などを含
む）のような電磁波に感受性のある電子写真感光体、そ
の製造方法及び該電子写真感光体と帯電手段、露光手
段、現像手段、クリーニング手段を有する複写機、ＬＢ
Ｐなどの電子写真方式を利用して像形成する電子写真装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】

［関連技術］シリコンを母体とする非単結晶材料、例え
ばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）材料を有する電子
写真用の感光体は半導体レーザーなどからの長波長光
（例えば７７０ｎｍ〜８００ｎｍ）にも高い光感度を持
たせることができ、繰り返し使用による劣化もほとんど
認められない。また、それ等材料が表面に露出している
る場合は、感光体の表面硬度も高く、この点からも繰り
返し使用による劣化に極めて優れた特性を有しているこ
とが知られている。

【０００３】そこで上記した材料を有する感光体は特に
高速複写機やＬＢＰ（レーザービームプリンター）等の
電子写真技術を応用した記録用部材として賞用されてい
る。

【０００４】このような感光体に用いられるシリコンを
母体とする非単結晶材料はたとえばシリコンを含有する
シランガスと必要に応じて水素ガス、その他各種ドーピ
ングガスあるいはその他の原料ガスの混合した雰囲気中
でのプラズマ放電により導入されたガスを分解し、加熱
などにより所望の温度にされたＡｌ等の金属シリンダー
上に堆積される。このようなプラズマＣＶＤ法は大面積
の基本あるいはシリンダー状の基体に均一な膜厚と特性
で堆積膜を形成し易いことから好んで使用されている。

【０００５】ところで、シリコンを母体とする非単結晶
材料の一つであるａ−Ｓｉ系感光体は、高温環境下での
画像ぼけの防止などのために表面保護層を設けることが
望ましい。一般的に知られる表面保護層の材料として
は、前述したプラズマＣＶＤ法を利用して形成され得る
珪素を母体とし、炭素、窒素または酸素を含有するＳｉ
Ｃ系、ＳｉＮ系またはＳｉＯ系の各材料や、炭素を母体
とする非晶質炭素やダイヤモンド状炭素、ＢＮ系材料等
が知られている。具体的な例としては、ＳｉＣ系のもの
としてＵＳＰ４，７８６，５７４号、ＳｉＮ系のものと
してＵＳＰ４，９６５，１５４号、非晶質炭素のものと
してＵＳＰ４，９３２，８５９号に記載されている。

【０００６】また、その他の表面保護層としてはＵＳＰ
５，１５３，０８６号やＵＳＰ５，１８３，７１９号に
記載されるような金属酸化物層、ＵＳＰ５，３２４，６
０９号に記載されるような有機高分子材料の層が知られ
ている。

【０００７】ところで、近年のオフィスの生産性の向上
の要求は複写機などの電子写真装置のより一層の稼動率
の向上に向けられている。より具体的にはより一層の感
光体の長寿命化が求められている。ａ−Ｓｉ系感光体は
表面硬度も高く、実質的に半永久的な電気特性を有して
おり、通常の使用においてはいわゆる寿命が尽きること
はない。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ａ−Ｓ
ｉ系感光体は感光体表面に現像剤中に含まれる樹脂成分
がフィルミングすることがあり、この除去作業のために
稼動率が低下することすがある。つまり、フィルミング
した樹脂の除去作業を定期的に行なう結果、その作業中
電子写真装置の稼動ができず稼動率を低下させてしまう
場合がある。

【０００９】この作業を不要とする為には、感光体表面
におれる現像剤のクリーニング性を向上させることが考
えられる。その一つの方法としては、感光体表面と現像
剤との離型性を良くする、つまり表面に現像剤を付着し
づらくすることが有効である。これを達成するための具
体的方策の一つとしては、感光体表面と純水との接触角
を増大させることである。

【００１０】しかしながら、ａ−Ｓｉ系感光体の表面の
純水との接触角は一般的に２０度から１００度の範囲内
である。現在実用に共されているａ−Ｓｉ系感光体の表
面と純水との接触角はその表面を形状する材料によって
異なるものの、大抵の場合、５０度から７０度程度の範
囲で稼動している。それより高い撥水性を維持させるこ
とは難しい。

【００１１】表面保護層として有機高分子材料の１つで
ある有機樹脂を被覆する場合、例えば材料としてはフッ
素系材料を用いることによって接触角が１８０度近くな
る撥水性を有する樹脂はあっても、感光体の表面保護層
として充分な高い密着性を持たせることは難しかった。
特に、ブレードクリーニングを行なう高速複写機にあっ
ては表面保護層とそれが設けられる下地材料との密着性
の不充分さは、感光体としての実用に供さないかメンテ
ナンスのための稼動率の低下を逆に招く場合がある。

【００１２】無機材料のコーティング膜形成としては、
先述したようなプラズマＣＶＤ法以外にもスパッタリン
グ法など多くの技術がある。ゾルゲル化学を応用した方
法もそのようなコーティング膜を形成するための一つの
技術である。（化学と工業第４５巻第５号（１９９
２））。

【００１３】無機材料であるガラスの様なアモルファス
材料は通常は千数百度に達する高温雰囲気を経由してあ
るいは高価な気相成長装置を用いて作製される。

【００１４】電子写真感光体に無機材料のアモルファス
材料を形成する場合、感光体、特に光導電層の耐熱性か
ら先述したようなプラズマＣＶＤ法やスパッタリング法
で形成されている。しかしながら、これら方法でも基体
は真空雰囲気での１００〜３００℃程度の加熱に耐える
ことが要求される。従って、無機材料のアモルファス材
料はａ−Ｓｉ系感光体や高耐熱性バインダーを用いた一
部のＯＰＣ感光体にのみ適用されていた。

【００１５】ところが、上述のゾルゲル化学を応用した
ゾル−ゲル法（ｇｅｌ−ｓｏｌｍｅｔｈｏｄ）は今ま
でよりもはるかに低温で機能材料を作ることができる。
そこで電子写真感光体に応用することも考えられている
（例えばＵＳＰ５，１５３，０８６号、ＵＳＰ５，１８
３，７１９号）。

【００１６】例えば、アルコキシド、アセチルアトナー
トを水、アルコール溶液としてゾル化し、該溶液を感光
体基体や感光層上に塗布する。次いでこれを加熱し、溶
媒を除去してゲル化し、強靱な薄膜を形成することで電
子写真感光体に適用する。

【００１７】溶液の塗布は「スプレー塗布」や「ディッ
ピング塗布」などの塗布工程を用いることで、塗工膜の
均一性、すなわち膜厚のムラや塗布欠陥を少なく抑える
ことができる。

【００１８】しかしながら、このようにして形成される
薄膜も基体との密着性や表面離型性（いいかえれば撥水
性）等について改善すべき点を有しているのが実情であ
る。

【００１９】ゾルゲル法で形成される薄膜はこのように
均一性や生産性について優れるものの上述したフィルミ
ングの問題については改善する余地が残されている。

【００２０】ところで上述したようなフィルミングの発
生は、複写画像の画像欠陥を生じ、より高品位な画像形
成の要望に十分応えられない場合を生じる。

【００２１】更に、上述したようなフィルミングの発生
は転写工程において感光体表面の現像剤を充分に紙など
の被記録材上に転写することを妨げる場合がある。転写
しきれなかった現像剤はクリーニング工程でクリーナに
より感光体表面から除去されるものであるが、過剰な現
像剤の存在は益々フィルミングの発生を促し、上述した
ような問題点を助長する場合がある。

【００２２】現像剤の不充分な転写がハーフトーン部で
生じること転写画像にはムラが発生し画像品位を低下さ
せることがある。特に、高速複写機の場合は、感光体ド
ラムの回転速度あるいは感光ベルトの移動速度が速くな
るのでフィルミングが生じ易い。その結果、上述のごと
くの画像品位の低下が現われ易い。

【００２３】更に、画像形成に寄与する現像剤の量が低
下し、クリーナーで除去される現像剤の量が増加すると
いうことは、現像剤の利用効率の低下を招く。これは、
資源の有効利用、廃棄物の低減という点からみても解決
すべき点である。

【００２４】そして、このような問題を改善するために
行なわれるフィルミングの除去のメンテナンスは、上述
したごとく装置の稼動率を低下させるばかりでなく、感
光体の脱着時や清掃時に誤って感光体表面に傷をつける
機会を増加させる。このような傷は感光体を再使用しよ
うとする場合には非常に問題となる場合がある。

【００２５】［発明の目的］本発明は上記したような問
題点に鑑みなされたものであって、フィルミングの発生
を防ぎ、フィルミングによる画像欠陥の防止を行ない得
る電子写真感光体、その製造方法及びそれを有する電子
写真装置を提供することを目的とする。

【００２６】また本発明はハーフトーンにおいても画像
劣化を生じることのない電子写真感光体、その製造方法
及びそれを有する電子写真装置を提供することを目的と
する。

【００２７】更に本発明はより転写性能が向上し、現像
剤の利用効率を高めることが可能でフィルミングの生じ
にくい電子写真感光体、その製造方法及びそれを有する
電子写真装置を提供することを目的とする。

【００２８】加えて本発明は高速複写を行なってもフィ
ルミングが生じにくく、画像品位の低下を生じない電子
写真感光体、その製造方法及びそれを有する電子写真装
置を提供することを目的とする。

【００２９】又、本発明は資源の有効利用に寄与し、廃
棄物の低減を行なうことが可能で、電子写真感光体の再
利用を行なう場合も再利用が可能かつ容易な電子写真感
光体、その製造方法及びそれを有する電子写真装置を提
供することを目的とする。

【００３０】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、基板
と基板上にシリコンを母体とし、光導電性を有する非単
結晶材料の光導電層を有する感光層を備えた電子写真感
光体において、前記感光層上に感光層の表面の純水との
接触角を８０度以上にした後に有機金属化合物に水、ア
ルコール又は酸を混合したゾル状溶液を付与後、加熱し
て得られる金属酸化膜表面層を有する電子写真感光体を
提供する。

【００３１】また、本発明は基板と、該基板上にシリコ
ンを母体とし、光導電性を有する非単結晶材料の光導電
層を有する感光層を備えた電子写真感光体と、該感光体
表面を帯電する手段と、光照射により潜像を形成する光
照射手段と、潜像を現像剤により可視する現像手段と、
前記電子写真感光体表面に付着した不要な現像剤を除去
するクリーニング手段とを有する電子写真装置で、前記
感光層上に感光層の表面の純水との接触角を８０度以上
にした後に有機金属化合物に水、アルコール又は酸を混
合したゾル状溶液を付与後加熱して得られる金属酸化膜
表面層を有する電子写真感光体を有する電子写真装置を
提供する。

【００３２】加えて本発明は、シリコンを母体とし、光
導電性を有する非単結晶材料の光導電層を有する感光層
の表面をフッ素含有ガスを雰囲気中でプラズマ処理し
て、前記表面の純水との接触角を８０度以上とし、次い
で有機金属化合物を利用して得られるゾル状分散液を前
記プラズマ処理された表面に付与し、加熱して金属酸化
膜表面を形成してなる電子写真感光体の製造方法を提供
する。

【００３３】更に本発明は基板と、該基板上に設けられ
た感光層と、該感光層上に有機金属化合物を利用したゾ
ル状分散液を付与、加熱して得られる金属酸化膜を有す
る電子写真感光体及びそれを有する電子写真装置を提供
する。［実施態様例］以下、本発明を必要に応じて図面を参照
しながら説明する。

【００３４】図１（ａ）及び図１（ｂ）には夫々本発明
の電子写真感光体の代表的な構成の一例を説明するため
の模式的断面図が示されている。ここで図１（ａ）には
光導電層１０３が単層もしくは単一の機能を有する単層
型感光耐が、図１（ｂ）には光導電層１０３を複数の機
能を有する層、ここでは電荷発生層１０５と電荷輸送層
１０６との機能分離した層を有する機能分離型感光体か
示されている。

【００３５】図１（ａ）及び図１（ｂ）において、１０
１は基板、１０２は電荷注入阻止層、１０４は金属酸化
物層である。

【００３６】本発明においては光導電層１０３の表面側
をフッ素含有ガスを用いたプラズマ処理を施して、該光
導電層１０３の表面の純水との接触角を８０度以上にな
るように処理し、その後、金属酸化物層１０４を形成し
ている。

【００３７】これによって金属酸化物層１０４の密着性
を非常に強固なものとし、高速複写機への適用をはかる
ことができる。この金属酸化物中にフッ素原子を含有さ
せることは好ましく、これによって金属酸化物の純水と
の接触角をより大きくすることができる。接触角のより
一層の増大は、より一層の高速複写機への適用を容易に
するとともに、フィルミングの現象を抑えられるのでよ
り優れた画像形成を行なうことができる。

【００３８】図２（ａ）及び図２（ｂ）の模式的断面図
には図１（ａ）及び図１（ｂ）に示される金属酸化物層
１０４上に夫々フッ素含有樹脂層１０８を設けた感光体
の別の一例を示す。

【００３９】本発明においては金属酸化物層１０４上に
このように更にフッ素含有樹脂層１０８ほ設けることで
感光体表面の純水との接触角をより一層向上させ、より
一層上述のフィルミングの問題を解消し、優れた画像形
成性能を得ることができる。フッ素含有樹脂の詳細につ
いては後述する。

【００４０】図３（ａ）乃至図３（ｄ）に更に別の本発
明の好ましい電子写真感光体の模式的断面図を示す。

【００４１】図３（ａ）乃至図（ｄ）においては光導電
層１０３上にいわゆる表面層１０７を有する電子写真感
光体上に、先に説明したような金属酸化物層１０４とフ
ッ素含有樹脂層１０８とをこの順で設けた場合（図３
（ａ）及び図３（ｃ））と、金属酸化物層１０４のみを
設けた場合（図３（ｂ）及び図３（ｄ））の一例が示さ
れる。

【００４２】これらの場合も、表面層１０７の表面はフ
ッ素含有ガスを用いたプラズマ処理が施された後に金属
酸化物層が設けられる。

【００４３】図３（ａ）乃至図３（ｄ）に示されるよう
に表面層１０７を設けることによって、電子写真感光体
としての帯電能を向上させることができる。これによっ
て、より一層コントラストが高く、鮮明な画像形成を行
なうことができる。

【００４４】尚、上記説明に用いた各図中に記載される
電荷注入阻止層１０２は基板１０１から光導電層１０３
中への不要な電荷の注入を阻止するために設けられる。
この層は、感光体の帯電能などの電気的特性に寄与する
ものであるが、この層は必要に応じて設けられれば良
く、必須の層ではない。

【００４５】また、図示してはいないが、感光体の組成
を基板側から徐々に変化させるなどして電荷注入阻止層
と光導電層との間や光導電層と表面層との間に明確な界
面を設けずに形成しても良いものである。

【００４６】いずれの場合にあっても金属酸化物層はフ
ッ素含有ガスを用いてプラズマ処理された層上にゾルゲ
ル法を用いて形成される。

【００４７】又、更にその上にフッ素含有樹脂層を設け
る場合はフルオロエチレンとビニルモノマーの共重合体
である三フッ化塩化エチレンなどを過酸化物で架橋する
ことによって付着強度が強く密着性が良好で強靱な被覆
を行なうことができる。

【００４８】支持体本発明において使用される感光体の導電性支持体として
は、例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔ
ｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、およびこれ
らの合金、例えばステンレス等が挙げられる。また、ポ
リエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロ
ースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたは
シート、ガラス、セラミックス等の電気絶縁性支持体の
少なくとも光受容層を形成する側の表面を導電処理した
支持体も用いることができる。さらに、光導電層を形成
する側とは反対側の表面も導電処理することがより好ま
しい。

【００４９】支持体の形状は平滑表面あるいは凹凸表面
の円筒状または板状無端ベルト状であることができ、そ
の厚さは、所望通りの電子写真用感光体を形成し得るよ
うに適宜決定するが、電子写真用感光体としての可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充分発揮
できる範囲内で可能な限り薄くすることができる。しか
しながら、支持体に製造上および取り扱い上、機械的強
度等の点から通常は１０μｍ以上とされる。

【００５０】特にレーザー光などの可干渉性光を用いて
像記録を行う場合には、可視画像において現われる、い
わゆる干渉縞模様による画像不良を解消するために、支
持体表面に凹凸を設けてもよい。

【００５１】又、レーザー光などの可干渉光を用いた場
合の干渉縞模様による画像不良を解消する別の方法とし
て、支持体表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を
設けてもよい。即ち、支持体の表面が電子写真用感光体
に要求される解像力よりも微少に凹凸を有し、しかも該
凹凸は、複数の球状痕跡窪みによるものである。支持体
表面に設けられる複数の球場痕跡窪みによる凹凸は、公
知の方法により作成される。

【００５２】電荷注入阻止層本発明において電荷注入阻止層を形成する場合には前記
支持体上にシリコン原子を母体とし、伝導性を制御する
物質、すなわち周期律表第III 族または周期律表第Ｖ族
に属する原子を含有するアモルファスシリコンのような
非単結晶材料電荷注入阻止層を形成すればよい。

【００５３】また、支持体や他の層との密着層をより向
上させるために必要に応じて酸素、窒素及び炭素から選
択される少なくとも１種を更に含有させても良い。

【００５４】含有される伝導性を制御する物質や酸素、
窒素及び炭素から選択される少なくとも１種は層厚方向
に均一に含有させても良いし、層厚方向に不均一に分布
させても良い。

【００５５】不均一に分布させる場合は、伝導性を制御
する物質は基板側に多く含有されるような分布させるこ
とは好ましい。このように分布させることによって、効
果的に基板側からの不要な電荷注入の阻止を達成するこ
とができる。

【００５６】また、酸素、窒素及び炭素から選択される
少なくとも１種が層厚さ方向に不均一に分布される場合
は基板側又は電荷注入阻止層側にあるいはその両側に多
く含有されるように分布させることはこのましい。この
ように分布させることによって、電荷注入阻止層の電気
特性を悪化させることなく、基板又は層間の密着性を向
上させることができる。

【００５７】含有される伝導性を制御する物質の含有量
は要求される性能、特性によって適宜調整されるが、好
ましくは１×１０^-3〜５×１０⁴原子ｐｐｍ、より好ま
しくは１×１０^-2〜１×１０⁴原子ｐｐｍ、最適には１
×１０^-1〜５×１０³原子ｐｐｍとされるのが望まし
い。

【００５８】酸素、窒素及び炭素から選択される少なく
とも１種の含有量もまた適宜調整し得るものである。

【００５９】電荷注入阻止層の層厚は、好ましくは０．
３μｍ〜１０μｍ、より好ましくは０．５μｍ〜５μ
ｍ、最適には１μｍ〜３μｍとするのが望ましい。

【００６０】尚、電荷注入阻止層中には水素原子が含有
されることが望ましい。含有される水素原子の量は好ま
しくは０．１原子％〜４０原子％、より好ましくは１原
子％〜３０原子％とされる。また更に必要に応じてハロ
ゲン原子が含有されていても良いものである。

【００６１】光導電層本発明においてはシリコンを母体とするアモルファスシ
リコンのような非単結晶材料で光導電層を形成すること
が望ましい。

【００６２】光導電層は前述したごとく、単層構成でも
良いし機能分離型構成でもよい。機能分離型の場合は電
荷輸送層、電荷発生層を有するのが望ましい。

【００６３】電荷輸送層アルモファスシリコン系感光体の電荷輸送層は、たとえ
ば支持体側に設けられ、電荷発生層で発生したキャリア
を輸送するための層である。とはいうものの、電荷輸送
層は電荷保持特性、電荷発生特性がないわけではなく、
設計に応じて所望の諸特性を有するものである。

【００６４】電荷輸送層としてはたとえばシリコン原子
と炭素原子と水素原子及び必要に応じてフッ素原子を含
有するアモルファスシリコン（ａ−ＳｉＣ（Ｈ．Ｆ））
が好適に使用される。しかしながら炭素に代えて酸素や
窒素を含有させても良く、これらから２種以上が含有さ
れてよい。以下炭素を例にとって説明する。

【００６５】前記電荷輸送層に含有される炭素原子は層
厚方向に均一であっても良いが分布を成するのが望まし
く、その場合、炭素の分布は前記支持体の表面に各々平
行な面内では実質的に均一であり、層の厚み方向には不
均一である。含有される炭素原子の含有量としては、前
記支持体の設けてある側の表面又は表面近傍で０．５％
原子以下であれば前述の支持体又は他の層との密着性向
上及び、電荷の注入阻止の機能が悪化し、さらに静電容
量の減少による帯電能向上の効果が無くなる。また５０
原子％以上では残留電位が発生してしまう。但し、電荷
注入阻止層や密着層などを設けた場合はこの限りではな
い。しかしながら総合的な見地から好ましくは０．５〜
５０原子％、より好ましくは１〜４０原子％であり、最
適には１〜３０原子％とされるのが望ましい。

【００６６】また、本発明において電荷輸送層中に水素
原子が含有されることが必要であるが、これはシリコン
原子の未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性
および電荷保持特性を向上させるために必須不可欠であ
るからである。特に炭素原子が含有された場合、膜質を
維持するためにより多くの水素原子が必要となるため、
炭素含有量にしたがって含有される水素量が調整される
ことが望ましい。よって、支持体表面の水素原子の含有
量は好ましくは１〜４０原子％、より好ましくは５〜３
５原子％、最適には１０〜３０原子％とされるのが望ま
しい。

【００６７】電荷輸送層に含有される弗素原子について
は、電荷輸送層に含有される炭素原子、水素原子の凝集
を抑制し、バンドギャップ中の局在準位密度を低減させ
るため、ゴースト、ガサツキを改善し、層品質の均一性
の向上に効果を発揮する。弗素含有量が１原子ｐｐｍよ
り少ないと、弗素原子によるゴースト、ガサツキの改善
効果が充分発揮されない場合があり、また、９５原子ｐ
ｐｍを越えると逆に脂質が低下し、ゴースト現象を生じ
るようになってしまう場合がある。したがって、弗素原
子の含有量は好ましくは１〜９５原子ｐｐｍ、より好ま
しくは３〜８０原子ｐｐｍ、最適には５〜５０原子ｐｐ
ｍとされるのが望ましい。

【００６８】特に、電荷輸送層に前述のごとき範囲で炭
素原子を含有せしめかつ、弗素原子の含有量を上記した
範囲に設定することにより、光導電特性、画像特性およ
び耐久性が著しく向上する。

【００６９】さらに、前記電子輸送層に酸素原子を同時
に含有させるとその相乗効果によって、堆積膜のストレ
スをより効果的に緩和して膜の構造欠陥を抑制する。こ
のために、ａ−ＳｉＣ中でのキャリアの走行性が改善さ
れるため、特にａ−ＳｉＣ系の電荷輸送層で問題となる
電位シフトが現象する。さらに感度、残留電位の表面電
位特性も改善される。

【００７０】該酸素原子は、該電荷輸送層中に万偏なく
均一に分布した状態で含有されても良いし、あるいは層
厚方向には不均一な分布状態で含有している部分かあっ
てもよい。酸素含有量が６００原子ｐｐｍより少ない
と、さらなる膜の密着性の向上および異常成長の発生の
抑制を図ることが充分にはできず電位シフトも大きくな
る場合がある。１００００原子ｐｐｍを越えると電子写
真の高速化に対応するたの電気的特性が充分ではなくな
る場合がある。したがって、酸素原子の含有量としては
６００〜１０００原子ｐｐｍとするのが好ましい。

【００７１】特に、電荷輸送層に前述のごとき範囲で炭
素原子を含有せしめたときに、弗素原子及び酸素原子の
含有量を上記した範囲に設定することにより、光導電特
性、画像特性および耐久性が著しく向上する。

【００７２】本発明において、電荷輸送層は真空堆積膜
形成方法によって、所望特性が得られるように適宜成膜
パラメーターの数値条件が設定されて作成される。具体
的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波
ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ
法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング
法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ
法、熱ＣＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成す
ることができる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設
備資本投資下の負荷程度、製造模擬、作製される電子写
真用感光体に所望される特性等の要因によって適宜選択
されて採用されるが、所望の特性を有する電子写真用感
光体を製造するに当たっての条件の制御が比較的容易で
あることからしてグロー放電法、スパッタリング法、イ
オンプレーティング法が好適である。そしてこれらの方
法を同一装置系内で併用して形成してもよい。例えば、
グロー放電法によってａ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｆ，Ｏ）電荷輸
送層を形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）
を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、炭素原子（Ｃ）
を供給と得るＣ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を
供給し得るＨ供給用の原料ガスと、弗素原子（Ｆ）を供
給し得るＦ結晶用の原料ガスと、酸素原子（Ｏ）を供給
し得るＯ供給用の原料ガスとを、内部が減圧にし得る反
応容器内に所望のガス状態で導入して、該反応容器内に
グロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に接地さ
れてある所定の支持体表面上にａ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｆ，
Ｏ）からなる層を形成すればよい。

【００７３】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ
₃Ｈ₈、Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状態の、またはガス化し得
る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効
率の良さ等の点でＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆が好ましいもの
として挙げられる。

【００７４】また、これらのＳｉ供給用の原料ガスを必
要に応じてＨ₂、Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈
して使用してもよい。

【００７５】本発明において、炭素原子導入用の原料物
質となり得るものとしては、常温常圧でガス状のまた
は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るもの
が採用されるのが望ましい。

【００７６】炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスになり得
るものとして有効に使用される出発物質は、ＣとＨとを
構成原子とする、例えば炭素数１〜５の飽和炭化水素、
水素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のア
セチレン系炭化水素等が挙げられる。

【００７７】具体的には、飽和炭化水素としては、メタ
ン（ＣＨ₄）、エタン（Ｃ₂Ｈ₆）、プロパン（Ｃ₃Ｈ
₈）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ₄Ｈ₁₀）、ペンタン（Ｃ₅Ｈ
₁₂）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ₂Ｈ
₄）、プロピレン（Ｃ₃Ｈ₆）、ブテン−１（Ｃ
₄Ｈ₈）、ブテン−２（Ｃ₄Ｈ₈）、イソブチレン（Ｃ
₄Ｈ ₈）、ペンテン（Ｃ₅Ｈ₁₀）、アセチレン系炭化水
素としては、アセチレン（Ｃ ₂Ｈ₂）、メチルアセチレ
ン（Ｃ₃Ｈ₄）、ブチン（Ｃ₄Ｈ₆）等が挙げられる。

【００７８】また、ＳｉとＣとを構成原子とする原料ガ
スとしては、Ｓｉ（ＣＨ₃）₄、Ｓｉ（Ｃ₂Ｈ₅）₄等
のケイ化アルキルを挙げることができる。

【００７９】この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加え
て、弗素原子の導入も行えるという点から、ＣＦ₄、Ｃ
Ｆ₃、Ｃ₂Ｆ₆、Ｃ₃Ｆ₈、Ｃ₄Ｆ₈等のフッ化炭素化
合物を挙げることができる。

【００８０】本発明において酸素原子（Ｏ）導入用のガ
スとなり得るものとして有効に使用される出発物質は、
例えば、酸素（Ｏ₂）、オゾン（Ｏ₃）、一酸化窒素
（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ₂）、一二酸化窒素（Ｎ₂
Ｏ）、三二酸化窒素（Ｎ₂Ｏ₃）、四三酸化窒素（Ｎ₂
Ｏ₄）、五二酸化窒素（Ｎ₂Ｏ₅）等を挙げることがで
きる。

【００８１】この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加え
て、酸素原子の導入も行えるという点から、ＣＯ、ＣＯ
₂等の化合物を挙げることができる。

【００８２】本発明において使用される弗素供給用ガス
として有効なのは、たとえば弗素ガス、弗素化物、弗素
をふくむハロゲン環化合物、弗素で置換されたシラン誘
導体等のガス状のまたはガス化し得る弗素化合物が好ま
しく挙げられる。また、さらにはシリコン原子と弗素原
子とを構成要素とするガス状のまたはガス化し得る、弗
素原子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げ
ることができる。本発明に於て好適に使用し得る弗素化
合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ₂）、ＢｒＦ，
ＣｌＦ、ＣｌＦ₃、ＢｒＦ₃、ＢｒＦ₅、ＩＦ₃、ＩＦ
₇等のハロゲン環化合物を挙げることができる。

【００８３】弗素原子を含む珪素化合物、いわゆる弗素
原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、
たとえばＳｉＦ₄、Ｓｉ₂Ｆ₆等のフッ化珪素が好まし
いものとして挙げることができる。このような弗素原子
を含む珪素化合物を採用してグロー放電等によって本発
明の特徴的な電子写真用感光体を形成する場合には、Ｓ
ｉ供給用ガスとしての水素化珪素ガスを使用しなくて
も、所定の支持体上に弗素原子を含むａ−ＳｉＣ（Ｈ，
Ｆ）を有する電荷輸送層を形成することができるが、形
成される電荷輸送層中に導入される水素原子の導入割合
の制御を一層容易になるように図るために、これらのガ
スに更に水素ガスまたは水素原子を含む珪素化合物のガ
スも所望量混合して層形成することが好ましい。又、各
ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合して
も差し支えないものである。

【００８４】本発明においては、弗素原子供給用ガスと
して上記されたフッ化物あるいは弗素を含む珪素化合物
が有効なものとして使用されるものであるが、そのほか
に、ＨＦ、ＳｉＨ₃Ｆ、ＳｉＨ₂Ｆ₂，ＳｉＨＦ₃等の
弗素置換水素化珪素、等々のガス状態のあるいはガス化
し得る物質も有効な電荷輸送層形成用の原料物質として
挙げることができる。これらの物質の内、水素原子を含
む弗素化物は、電荷輸送層形成の際に層中に弗素原子の
導入と同時に、電気的あるいは光電的特性の制御にきわ
めて有効な水素原子も導入されるので、本発明において
は好適な弗素原子供給用ガスとして使用される。

【００８５】水素原子を電荷輸送層中に構造的に導入す
るには、上記の他にＨ₂、あるいはＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ
₆、Ｓｉ₃Ｈ₈、Ｓｉ₄Ｈ₁₀等の水素化珪素とＳｉを供
給するためのシリコンまたはシリコン化合物とを反応容
器中に共存させて放電を生起させることでも行うことが
できる。

【００８６】電荷輸送層中に含有される水素原子および
／または弗素原子の量を制御するには、例えば支持体温
度、水素原子あるいは弗素原子を含有させるために使用
される原料材料物質の反応容器内へ導入する量、放電電
力等を制御すればよい。

【００８７】さらに本発明においては、電荷輸送層には
必要に応じて伝導性を制御する原子（Ｍ）を含有させる
ことが好ましい。伝導性を制御する原子は、電荷輸送層
中に万偏なく均一に分布した状態で含有されても良い
し、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有して
いる部分があってもよい。

【００８８】前記の伝導性を制御する原子としては、半
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導特性を与える周期律表III 族に族する原子
（以後「第III 族原子」と略記する）またはｎ型伝導特
性を与える周期律表Ｖ族に属する原子（以後「第Ｖ族原
子」と略記する）を用いることができる。

【００８９】第III 族原子としては、具体的には、Ｂ
（硼素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、
Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ（タリウム）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖ族原子としては、具
体的にはＰ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモ
ン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。

【００９０】電荷輸送層に含有される伝導性を制御する
原子（Ｍ）の含有量としては、好ましくは１×１０^-3〜
５×１０⁴原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０^-2〜１
×１０⁴原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜５×１０³
原子ｐｐｍとされるのが望ましい。特に、電荷輸送層に
おいて炭素原子（Ｃ）の含有量が１×１０³原子ｐｐｍ
以下の場合は、電気輸送層に含有される原子（Ｍ）の含
有量としては好ましくは１×１０^-3〜１×１０³原子ｐ
ｐｍとされるのが望ましく、炭素原子（Ｃ）の含有量が
１×１０³原子ｐｐｍを越える場合は、原子（Ｍ）の含
有量としては、好ましくは１×１０^-1〜５×１０⁴原子
ｐｐｍとされるのが望ましい。

【００９１】電荷輸送層中に、伝導性を制御する原子、
たとえば、第III 族原子あるいは第Ｖ族原子を構造的に
導入するには、層形成の際に、第III 族原子導入用の原
料物質あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質をガス状態
で反応容器中に、電荷輸送層を形成するための他のガス
とともに導入してやればよい。第III 族原子導入用の原
料物質あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質となり得る
ものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも
層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるの
が望ましい。そのような第III 族原子導入用の原料物質
として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ
₂Ｈ₆、Ｂ₄Ｈ₁₀，Ｂ₅Ｈ₉，Ｂ₅Ｈ₁₁，Ｂ₆Ｈ₁₀，Ｂ
₆Ｈ₁₂，Ｂ₆Ｈ₁₄等の水素化硼素、ＢＦ₃、ＢＣｌ₃，
ＢＢｒ₃等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、
ＡｌＣｌ₃、ＧａＣｌ₃、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、ＩｎＣｌ
₃、ＴｌＣｌ₃等も挙げることができる。

【００９２】第Ｖ族原子導入用の原料物質として本発明
において、有効に使用されるのは、燐原子導入用として
は、ＰＨ₃、Ｐ₂Ｈ₄等の水素化燐、ＰＨ₄Ｉ、Ｐ
Ｆ₃，ＰＦ₅，ＰＣｌ₃、ＰＣｌ₅、ＰＢｒ₃、ＰＢｒ
₅、ＰＩ₃等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、Ａ
ｓＨ₃，ＡｓＦ₃，ＡｓＣｌ₃、ＡｓＢｒ₃、Ａｓ
Ｆ₅、ＳｂＨ₃、ＳｂＦ₃，ＳｂＦ₅、ＳｂＣｌ₃、Ｓ
ｂＣｌ₅、ＢｉＨ₃、ＢｉＣｌ ₃、ＢｉＢｒ₃等も第Ｖ
族原子導入用の電子写真感光体発物質の有効なものとし
て挙げることができる。

【００９３】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等
のガスにより希釈して使用してもよい。

【００９４】さらに本発明の感光体の電荷輸送層には、
周期律表第Ｉａ族、IIａ族、VIａ族、VIII族から選ばれ
る少なくとも１種の元素を含有してもよい。前記元素は
前記電荷輸送層中に万偏無く均一に分布されてもよい
し、あるいは該電荷輸送層中に万偏無く含有されてはい
るが、層厚方向に対し不均一に分布する状態で含有して
いる部分があってもよい。しかしながら、いずれの場合
においても支持体の表面と平行な面内方向においては、
均一な分布で万偏無く含有されていることが、面内方向
における特性の均一化を図る点からも必要である。第Ｉ
ａ族原子としては、具体的には、Ｌｉ（リチウム）、Ｎ
ａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）を挙げることがで
き、第IIａ族原子としては、Ｂｅ（ベリリウム）、Ｍｇ
（マグネシウム）、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロ
ンチウム）、Ｂａ（バリウム）等を挙げることができ
る。

【００９５】また、第VIa 族原子としては具体的には、
Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステ
ン）等を挙げることができ、第VIII族原子としては、Ｆ
ｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）等を挙
げることができる。

【００９６】本発明において、電荷輸送層の層厚は所望
の電子写真特性が得られること及び経済的効果等の点か
ら適宜所望にしたがって決定され、電荷輸送層について
は、好ましくは５〜５０μｍ、より好ましくは１０〜４
０μｍ、最適には２０〜３０μｍとされるのが望まし
い。

【００９７】ａ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｆ，Ｏ）を有する電荷輸
送層を形成するには、支持体の温度、反応容器内のガス
圧を所望にしたがって、適宜設定する必要がある。

【００９８】支持体の温度（Ｔｓ）は、層設計にしたが
って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好まし
くは２０〜５００℃、より好ましくは５０〜４８０℃、
最適には１００〜４５０℃とするのが望ましい。

【００９９】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０^-5〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×
１０ ^-5〜３Ｔｏｒｒ、最適には１×１０^-4〜１Ｔｏｒｒ
とするのが好ましい。

【０１００】本発明においては、前記各層を作成するた
めの支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記
した範囲が挙げられるが、これらの層作成ファクターは
通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の
特性を有する電荷輸送層を形成すべく相互的且つ有機的
関連性に基づいて、各層作成ファクターの最適値を決め
るのが望ましい。

【０１０１】本発明の感光体においては、電荷輸送層と
電荷発生層との間に、組成を連続的に変化させた層領域
を設けてもよい。該層領域を設けることにより各層間で
の密着性をより向上させることができる。

【０１０２】さらに本発明の感光体においては、電荷輸
送層が直接支持体上、特にＡｌ基板上に設けられる場
合、前記支持体側に、少なくともアルミニウム原子、シ
リコン原子、炭素原子および水素原子が含有されるこ
と、そしてアルミニウム原子が層厚方向に不均一な分布
状態で含有する層領域を有することは望ましい。

【０１０３】電荷発生層アモルファスシリコン系感光体の電荷発生層は、たとえ
ば電荷輸送層に設けられ、光入射によって電荷を発生す
る機能を主として持たせるべく設けられる。このような
層は少なくともシリコン原子と水素原子を含むａ−Ｓ
ｉ：Ｈを有し、所望の光導電特性、特に電荷発生特性、
電荷輸送特性を有する。

【０１０４】単層型感光体の場合、光導電層は、後述電
荷発生層を主体として構成されるが必要に応じて、電荷
輸送層の成分をも含み得る。

【０１０５】電荷発生層は、シリコン原子、水素原子を
有する非単結晶等であり、水素原子を好ましくは０．１
原子％〜４０原子％、より好ましくは１原子％〜４０原
子％含有している。この電荷発生層は光キャリアを効率
良く生成し、長波長の光の吸収を高めるため、感度の向
上のために設けられる。また、他の効果としては、帯電
極性と逆極性のキャリアの走行性が電荷輸送層より良い
ため、ゴーストが軽減されるという予期せぬ効果も得ら
れる。

【０１０６】本発明において、電荷発生層は真空堆積膜
形成方法によって、所望特性が得られるように適宜成膜
パラメーターの数値条件が設定されて作成される。具体
的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波
ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ
法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング
法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ
法、熱ＣＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成す
ることができる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設
備資本投資下の負荷程度、製造規模、作成される電子写
真用光受容部材に所望される特性等の要因によって適宜
選択されて採用されるが、所望の特性を有する電子写真
用光受容部材を製造するに当たっての条件の制御が比較
的容易であることからしてグロー放電法、スパッタリン
グ法、イオンプレーティング法が好適である。そしてこ
れらの方法を同一装置系内で併用して形成してもよい。
例えば、グロー放電法によってａ−Ｓｉ：Ｈ電荷発生層
を形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供
給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供
給し得るＨ供給用の原料ガスとを、内部が減圧にし得る
反応容器内に所望のガス状態で導入して、該反応容器内
にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に接地
されてある所定の支持体表面上にａ−Ｓｉ：Ｈからなる
層を形成すればよい。

【０１０７】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ
₃Ｈ₈、Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状態の、またはガス化し得
る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効
率の良さ等の点でＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆が好ましいもの
として挙げられる。また、これらのＳｉ供給用の原料ガ
スを必要に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスによ
り希釈して使用してもよい。

【０１０８】形成される電荷発生層中に導入される水素
原子の導入割合の制御を一層容易になるように図るため
に、これらのガスに更に水素ガスまたは水素原子を含む
珪素化合物のガスも所望量混合して層形成することが好
ましい。又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合しても差し支えないものである。

【０１０９】水素原子を電荷発生層中に構造的に導入す
るには、上記の他にＨ₂、あるいはＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ
₆、Ｓｉ₃Ｈ₈、Ｓｉ₄Ｈ₁₀等の水素化珪素とＳｉを供
給するためのシリコンまたはシリコン化合物とを反応容
器中に共存させて放電を生起させることでも行うことが
できる。

【０１１０】電荷発生層中に含有される水素原子の量を
制御するには、例えば支持体温度、水素原子を含有させ
るために使用される原料物質の反応容器内へ導入する
量、放電電力等を制御すればよい。

【０１１１】さらに本発明においては、電荷発生層には
必要に応じて伝導性を制御する原子（Ｍ）を含有させる
ことが好ましい。伝導性を制御する原子は、電荷輸送層
中に万偏なく均一に分布した状態で含有されていても良
いし、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有し
ている部分があってもよい。

【０１１２】前記の伝導性を制御する原子としては、前
記した電荷輸送層中に含有される伝導性を制御する原子
を適用することができるのでここでの説明は省略する。
またそれら原子導入用の原料物質も上述した如くのもの
が使用できる。また、同様に必要に応じてＨ₂，Ｈｅ、
Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈しても良い。

【０１１３】電荷発生層に含有される伝導性を制御する
原子（Ｍ）の含有量としては、好ましくは１×１０^-3〜
５〜１０⁴原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０^-2〜１
×１０⁴原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜５×１０³
原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

【０１１４】電荷発生層には、周期律表第Ｉａ族、IIａ
族、VIａ族、VIII族から選ばれる少なくとも１種の元素
を含有してもよい。前記元素は前記電荷発生層中に万偏
無く均一に分布されてもよいし、あるいは該電荷発生層
中に万偏無く含有されてはいるが、層厚方向に対し不均
一に分布する状態で含有している部分があってもよい。
しかしながら、いずれの場合においても支持体の表面と
平行な面内方向においては、均一な分布で万偏無く含有
されることが、面内方向における特性の均一化を図る点
からも必要である。

【０１１５】含有される具体的原子としては電荷輸送層
の説明において説明されるものが導入できる。

【０１１６】本発明において、電荷発生層の層厚は所望
の電子写真特性が得られること及び経済的効果等の点か
ら適宜所望にしたがって決定され、電荷発生層について
は、好ましくは０．５〜１５μｍ、より好ましくは１〜
１０μｍ、最適には１〜５μｍとされるのが望ましい。

【０１１７】本発明の目的を達成し得る特性を有するａ
−Ｓｉ：Ｈから成る電荷発生層を形成するには、支持体
の温度、反応容器内のガス圧を所望にしたがって、適宜
設定する必要がある。

【０１１８】支持体の温度（Ｔｓ）は、層設計にしたが
って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好まし
くは２０〜５００℃、より好ましくは５０〜４８０℃、
最適には１００〜４５０℃とするのが望ましい。

【０１１９】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０^-5〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×
１０ ^-5〜３Ｔｏｒｒ、最適には１×１０^-4〜１Ｔｏｒｒ
とするのが好ましい。

【０１２０】本発明においては、前記各層を作成するた
めの支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記
した範囲が挙げられるが、これらの層作成ファクターは
通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の
特性を有する電荷輸送層を形成すべく相互的且つ有機的
関連性に基づいて、各層作成ファクターの最適値を決め
るのが望ましい。

【０１２１】本発明に用いることができる感光体におい
ては、電荷発生層と表面層との間に、組成を連続的に変
化させた層領域を設けてもよい。該層領域を設けること
により各層間での密着性をより向上させることができ
る。

【０１２２】単層の光導電層の場合は上述の電荷発生層
の説明をそのまま適用可能である。ただし、電荷輸送
層、電荷発生層及び帯電特性を考慮して炭素、酸素及び
窒素から選ばれる少なくとも１種の原子を含有させるこ
とは好ましい。

【０１２３】また、単層の場合、それら３つの特性を考
慮するため、その層厚は好ましくは１μｍ〜１００μ
ｍ、より好ましくは１μｍ〜８０μｍ、最適には２μｍ
〜５０μｍとするのが望ましい。

【０１２４】表面層本発明における表面層は、構成要素としてシリコン原子
と炭素原子、窒素原子及び酸素原子から選択される少な
くとも１種を含有し、さらに水素原子および必要に応じ
てハロゲン原子とを含有する比単結晶材料で構成され
る。表面層には光導電層中に含有されるような伝導性を
制御する物質は実質的に含有されないが必要に応じて含
有しても良い。

【０１２５】尚、本発明においては、光導電層上に設け
られる層を便宜上表面層と称する。従って実際の感光体
の最表層とは必ずしも一致しないことに注意されたい。

【０１２６】該表面層に含有される炭素原子、窒素原子
及び酸素原子は該層中に万偏なく均一に分布されてもよ
いし、あるいは層厚方向には万偏なく含有されてはいる
が、不均一に分布する状態で含有している部分があって
もよい。しかしながら、いずれの場合にも支持体の表面
と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく含有
されることが面内方向における特性の均一化をはかる点
からも必要である。

【０１２７】本発明における表面層の全層領域に含有さ
れる炭素原子、窒素原子及び酸素原子は、高暗抵抗化、
高硬度化等を達成する。これら原子が同時に含有される
とより一層の効果を奏する。表面層中に含有される炭素
原子、窒素原子、酸素原子の含有量の和は、好適には４
０〜９０原子％、より好適には４５〜８５原子％最適に
は５０〜８０原子％とされるのが望ましい。本発明にお
いてそれら３つの原子が同時に含有される場合は、酸素
原子、窒素原子の含有量は共に１０原子％以下が好まし
い。

【０１２８】また、本発明における表面層に含有される
水素原子およびハロゲン原子はａ−ＳｉＣ、Ｏ、Ｎ
（Ｈ、Ｘ）内に存在する未結合手を補償し膜質の向上に
効果を奏し、電荷発生層と表面層と界面にトラップされ
るキャリアーを減少させるため、画像流れを改善する。

【０１２９】さらにハロゲン原子は表面層の撥水性を向
上させるので、水蒸気の吸着による高湿流れをも減少さ
せる。表面層中のハロゲン原子の含有量は２０原子％以
下とするのが好ましく、さらに水素原子とハロゲン原子
の含有量の和は好適には３０〜７０原子％、より好適に
は３５〜６５原子％、最適には４０〜６０原子％とする
のが望ましい。

【０１３０】さらに本発明において表面層にも周期律表
第Ｉａ族、IIａ族、VIａ族、VIII族から選ばれる少なく
とも１種の元素を含有してもよい。前記元素は表面層中
に万偏無く均一に分布されてもよいし、あるいは該表面
層中に万偏無く含有されてはいるが、層厚方向に対し不
均一に分布する状態で含有している部分があってもよ
い。しかしながら、いずれの場合においても支持体の表
面と平行な面内方向においては、均一な分布で万偏無く
含有されることが、面内方向における特性の均一化を図
る点からも必要である。

【０１３１】具体的に使用し得る元素は前述の層と同様
であるのでここでの説明は省略する。

【０１３２】本発明において、表面層の層厚は所望の電
子写真特性が得られること、及び経済的効果等の点から
好ましくは０．０１〜３０μｍ、より好ましくは０．０
５〜２０μｍ、最適には０．１〜１０μｍとされるのが
望ましい。

【０１３３】本発明においてａ−ＳｉＣ、Ｏ、Ｎ（Ｈ，
Ｘ）で構成される表面層を形成するには、前述の電荷輸
送層、電荷発生層を形成する方法と同様の真空堆積法が
採用される。

【０１３４】本発明の目的を達成し得る特性を有する表
面層を形成する場合には、支持体の温度、ガス圧が前記
表面層の特性を左右する重要な要因である。支持体温度
は適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２０〜５０
０℃、より好ましくは５０〜４８０℃、最適には１００
〜４５０℃とするのが望ましい。

【０１３５】反応容器内のガス圧も適宜最適範囲が選択
されるが、好ましくは１×１０^-5〜１０Ｔｏｒｒ、より
好ましくは５×１０^-5〜３Ｔｏｒｒ、最適には１×１０
^-4〜１Ｔｏｒｒとするのが好ましい。

【０１３６】本発明においては、表面層を形成するため
の支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記し
た範囲が挙げられるが、これらの層作成ファクターは通
常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特
性を有する表面層を形成すべく相互的且つ有機的関連性
に基づいて各層作成ファクターの最適値を決めるのが望
ましい。

【０１３７】以下、高周波（ＲＦ，ＶＨＦ）プラズマＣ
ＶＤ法およびマイクロ波プラズマＣＶＤ法によって堆積
膜を形成するための装置及び形成方法について詳述す
る。

【０１３８】図４は高周波プラズマＣＶＤ（以下「ＲＦ
／ＶＨＦ−ＰＣＶＤ」と表記する）法による電子写真用
感光体の製造装置の一例を示す模式的な構成図、図５、
図６、図７はマイクロ波プラズマＣＶＤ（以下「μＷ−
ＰＣＶＤ」と表記する）法によって電子写真用感光体用
の堆積膜を形成するための堆積膜形成用反応炉の一例を
示す説明図である。

【０１３９】図４に示すＲＦ／ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法によ
る堆積膜の製造装置の構成は以下の通りである。この装
置は大別すると、堆積装置４１００、原料ガスの供給装
置４２００、反応容器４１１１内を減圧にするための排
気装置（図示せず）から構成されている。堆積装置４１
００中の反応容器４１１１内には円筒状支持体４１１
２、支持体加熱用ヒーター４１１３、原料ガス導入管４
１１４が設置され、更に高周波マッチングボックス４１
１５が接続されている。

【０１４０】原料ガス供給装置４２００は、ＳｉＨ₄、
Ｈ₂，ＣＨ₄，ＮＯ、ＮＨ₃、ＳｉＦ₄等の原料ガスの
ボンベ４２２１〜４２２６とバルブ４２３１〜４２３
６、４２４１〜４２４６、４２５１〜４２５６およびマ
スフローコントローラー４２１１〜４２１６から構成さ
れ、各原料ガスのボンベはバルブ４２６０を介して反応
容器４１１１内のガス導入管４１１４に接続されてい
る。

【０１４１】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行なうことができる。まず、反応容器４１
１１内に円筒状支持体４１１２を設置し、不図示の排気
装置（例えば真空ポンプ）により反応容器４１１１内を
排気する。続いて、支持体加熱用ヒーター４１１３によ
り円筒状支持体４１１２の温度を２０℃〜５００℃の所
定の温度に制御する。

【０１４２】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器４１１
１に流入させるには、ガスポンベのバルブ４２３１〜４
２３６、反応容器のリークバルブ４１１７が閉じられて
いることを確認し、また、流入バルブ４２４１〜４２４
６、流出バルブ４２５１〜４２５６、補助バルブ４２６
０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ４
１１８を開いて反応容器４１１１およびガス配管内４１
１６を排気する。

【０１４３】次に真空計４１１９の読みが約５×１０^-6
Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ４２６０、流出バル
ブ４２５１〜４２５６を閉じる。その後、ガスボンベ４
２２１〜４２２６より各ガスをバルブ４２３１〜４２３
６を開いて導入し、圧力調整器４２６１〜４２６６によ
る各ガス圧を２ｋｇ／ｃｍ²に調整する。次に、流入バ
ルブ４２４１〜４２４６を徐々に開けて、各ガスをマス
フローコントローラー４２１１〜４２１６内に導入す
る。

【０１４４】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、円筒状支持体４１１２上に光導電装置、表面層の各
層の形成を行う。

【０１４５】円筒状支持体４１１２が所定の温度になっ
たところで流出バルブ４２５１〜４２５６のうちの必要
なものおよび補助バルブ４２６０を徐々に開き、ガスボ
ンベ４２２１〜４２２６から所定のガスをガス導入管４
１１４を介して反応容器４１１１内に導入する。次にマ
スフローコントローラー４２１１〜４２１６によって各
原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、
反応容器４１１１内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧
力になるように真空計４１１９を見ながらメインバルブ
４１１８の開口を調整する。内圧が安定したところで、
ＲＦ電源（不図示）を所望の電力に設定して、高周波マ
ッチングボックス４１１５を通じて反応容器４１１１内
にＲＦ／ＶＨＦ電力を導入し、ＲＦ／ＶＨＦグロー放電
を生起させる。この放電エネルギーによって反応容器内
に導入された原料ガスが分解され、円筒状支持体４１１
２上に所定のシリコンを主成分とする堆積膜が形成され
るところとなる。所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ
／ＶＨＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容
器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。同様
の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造
の光受容層が形成される。

【０１４６】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器４１１１
内、流出バルブ４２５１〜４２５６から反応容器４１１
１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ４２５１〜４２５６を閉じ、補助バルブ４２６０を
開き、さらにメインバルブ４１１８を全開にして系内を
一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。

【０１４７】また、膜形成の均一化を図る場合は、膜形
成を行なっている間は、円筒状支持体４１１２を駆動装
置（不図示）によって所定の速度で回転させる。

【０１４８】上述のガス種およびバルブ操作は各々の層
の作成条件にしたがって変更が加えられることは言うま
でもない。

【０１４９】支持体の加熱方法は、真空仕様である発熱
体であれぱよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻
き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等
の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の
熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手
段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質
は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属
類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用すること
ができる。また、それ以外にも、反応容器以外に加熱専
用の容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で支
持体を搬送する等の方法が用いられる。

【０１５０】次に、μＷ−ＰＣＶＤ法によって形成され
る電子写真用感光材の製造方法について説明する。

【０１５１】図４に示した製造装置におけるＲＦ−ＰＣ
ＶＤ法による堆積装置４１００を図５、図６、図７に示
す堆積装置５１００に交換して原料ガス供給装置４２０
０と接続することにより、μＷ−ＰＣＶＤ法による以下
の構成の電子写真用感光体製造装置を得ることができ
る。

【０１５２】この装置は、真空気密化構造を成した減圧
にし得る反応容器５１１１、原料ガスの供給装置４２０
０、および反応容器内を減圧にするための排気装置（不
図示）から構成されている。反応容器５１１１内にはマ
イクロ波電力を反応容器内に効率よく透過し、かつ、真
空気密を保持し得るような材料（例えば石英ガラス、ア
ルミナセラミックス等）で形成されたマイクロ波導入窓
５１１２、スタブチューナー（図示せず）およびアイソ
レーター（図示せず）を介してマイクロ波電源（図示せ
ず）に接続されているマイクロ波の導波管５１１３、堆
積膜を形成すべき円筒状支持体５１１５、支持体加熱用
ヒーター５１１６、原料ガス導入管５１１７、プラズマ
電位を制御するための外部電気バイアスを与えるための
電極５１１８が設置されており、反応容器５１１１内は
排気管５１２１を通じて不図示の拡散ポンプに接続され
ている。原料ガス供給装置４２００は、ＳｉＨ₄、
Ｈ₂、ＣＨ₄，ＮＯ，ＮＨ₃、ＳｉＦ₄等の原料ガスの
ボンベ４２２１〜４２２６とバルブ４２３１〜４２３
６、４２４１〜４２４６、４２５１〜４２５６およびマ
スフローコントローラー４２１１〜４２１６から構成さ
れ、各原料ガスのボンベはバルブ４２６０を介して反応
容器内のガス導入管５１１７に接続されている。また、
円筒状支持体５１１５によって取り囲まれた空間５１３
０が放電空間を形成している。

【０１５３】μＷ−ＰＣＶＤ法によるこの装置での堆積
膜の形成は、以下のように行なうことができる。

【０１５４】まず、反応容器５１１１内に円筒状支持体
５１１５を設置し、駆動装置５１２０によって支持体５
１１５を回転し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器５１１１内を排気管５１２１を介し
て排気し、反応容器５１１１内の圧力を１×１０^-6Ｔｏ
ｒｒ以下に調整する。続いて、支持体加熱用ヒーター５
１１６により円筒状支持体５１１５の温度を２０℃〜５
００℃の所定の温度に加熱保持する。

【０１５５】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器５１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ４２３１〜４
２３６、反応容器のリークバルブ（不図示）が閉じられ
ていることを確認し、また、流入バルブ４２４１〜４２
４６、流出バルブ４２５１〜４２５６、補助バルブ４２
６０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ
（不図示）を開いて反応容器５１１１およびガス配管５
１２２内を排気する。

【０１５６】次に真空計（不図示）の読みが約５×１０
^-6Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ４２６０、流出バ
ルブ４２５１〜４２５６を閉じる。その後、ガスボンベ
４２２１〜４２２６より各ガスをバルブ４２３１〜４２
３６を開いて購入し、圧力調整器４２６１〜４２６６に
より各ガス圧を２ｋｇ／ｃｍ²に調整する。次に、流入
バルブ４２４１〜４２４６を徐々に開けて、各ガスをマ
スフローコントローラー４２１１〜４２１６内に導入す
る。

【０１５７】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、円筒状支持体５１１５上に光導電層、表面層の各層
の形成を行う。

【０１５８】円筒状支持体５１１５が所定の温度になっ
たところで流出バルブ４２５１〜４２５６のうちの必要
なものおよび補助バルブ４２６０を徐々に開き、ガスボ
ンベ４２２１〜４２２６から所定のガスをガス導入管５
１１７を介して反応容器５１１１内の放電空間５１３０
に導入する。次にマスフローコントローラー４２１１〜
４２１６によって各原料ガスが所定の流量になるように
調整する。その際、放電空間５１３０内の圧力が１Ｔｏ
ｒｒ以下の所定の圧力になるように真空計（不図示）を
見ながらメインバルブ（不図示）の開口を調整する。圧
力が安定した後、マイクロ波電源（不図示）により周波
数５００ＭＨｚ以上の、好ましくは２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波を発生させ、マイクロ波電源（不図示）の所望
の電力に設定し、導波管５１１３、マイクロ波導入窓５
１１２を介して放電空間５１３０にμＷエネルギーを導
入して、μＷグロー放電を生起させる。それと同時併行
的に、電源５１１９から電極５１１８に例えば直流等の
電気バイアスを印加する。かくして支持体５１１５によ
り取り囲まれた放電空間５１３０において、導入された
原料ガスは、マイクロ波のエネルギーにより励起されて
解離し、円筒状支持体５１１５上に所定の堆積膜が形成
される。この時、層形成の均一化を図るため支持体回転
用モーター５１２０によって、所望の回転速度で回転さ
せる。

【０１５９】所望の膜厚の形成が行われた後、μＷ電力
の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの
流入を止め、堆積膜の形成を終える。

【０１６０】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。

【０１６１】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器５１１１
内、流出バルブ４２５１〜４２５６から反応容器５１１
１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ４２５１〜４２５６を閉じ、補助バルブ４２６０を
開き、さらにメインバルブ（不図示）を全開にして系内
を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。

【０１６２】上述のガス種およびバルブ操作は各々の層
の作成条件にしたがって変更が加えられることは言うま
でもない。

【０１６３】支持体の加熱方法は、真空仕様である発熱
体であればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻
き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等
の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の
熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手
段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質
は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属
類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用すること
ができる。また、それ以外にも、反応容器以外に加熱専
用の容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で支
持体を搬送する等の方法が用いられる。

【０１６４】μＷ−ＰＣＶＤ法においては、放電空間内
の圧力としては、好ましくは１×１０^-3Ｔｏｒｒ以上１
×１０^-1Ｔｏｒｒ以下、より好ましくは３×１０^-3Ｔｏ
ｒｒ以上５×１０^-2Ｔｏｒｒ以下、最も好ましくは５×
１０^-3Ｔｏｒｒ以上３×１０ ^-2Ｔｏｒｒ以下にすること
が望ましい。

【０１６５】放電空間外の圧力は、放電空間内の圧力よ
りも低ければよいが、放電空間内の圧力が１×１０^-1Ｔ
ｏｒｒ以下では、又、特に顕著には５×１０^-2Ｔｏｒｒ
以下では、放電空間内の圧力が放電空間外の圧力の３倍
以上の時、特に堆積膜特性向上の効果が大きい。

【０１６６】マイクロ波の反応炉までの導入方法として
は導波管による方法が挙げられ、反応炉内への導入は、
１つまたは複数の誘電体窓から導入する方法が挙げられ
る。この時、炉内へのマイクロ波の導入窓の材質として
はアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）、窒化ボロン（ＢＮ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、炭化
珪素（ＳｉＣ）、酸化珪素（ＳｉＯ₂）、酸化ペリリウ
ム（ＢｅＯ）、テフロン、ポリスチレン等のマイクロ波
の損失の少ない材料が通常使用される。

【０１６７】電極と支持体間に発生させる電界は直流電
界が好ましく、又、電界の向きは電極から支持体に向け
るのがより好ましい。電界を発生させるために電極に印
加する直流電圧の平均の大きさは、１５Ｖ以上３００Ｖ
以下、好ましくは３０Ｖ以上２００Ｖ以下が適する。直
流電圧波形としては、特に制限はなく、種々の波形のも
のが本発明では有効である。つまり、時間によって電圧
の向きが変化しなければいずれの場合でもよく、例え
ば、時間に対して大きさの変化しない定電圧はもちろ
ん、パルス状の電圧、及び整流機により整流された時間
によって大きさが変化する脈動電圧でも有効である。

【０１６８】また、交流電圧を印加することも有効であ
る。交流の周波数は、いずれの周波数でも問題はなく、
実用的には低周波では５０Ｈｚまたは６０Ｈｚ、高周波
では１０ｋＨｚ〜４５０ＭＨｚが適する。交流の波形と
してはサイン波でも矩形波でも、他のいずれの波形でも
よいが、実用的には、サイン波が適する。但し、この時
電圧はいずれの場合も実効値を言う。

【０１６９】電極の大きさ及び形状は、放電を乱さない
ならばいずれのものでも良いが、実用上は直径０．１ｃ
ｍ以上５ｃｍ以下の円筒状の形状が好ましい。この時、
電極の長さも、支持体に電界が均一にかかる長さであれ
ば任意に設定できる。

【０１７０】電極の材質としては、表面が導電性となる
ものならばいずれのものでも良く、例えば、ステンレ
ス、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、
Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、これらの合金または
表面を導電処理したガラス、セラミック、プラスチック
等が通常使用される。

【０１７１】絶縁性無機化合物層次に、本発明の絶縁性無機化合物層について、以下に説
明する。

【０１７２】用いられる有機金属化合物材料としては、
金属アルコキシド、金属キレートをあげることができ、
さらに、金属キレートとしては、アセチルアセトナート
が好ましい。

【０１７３】金属アルコキシドは、一般式で表すとＭ
（ＯＲ）_nとなり、ここでＭはＮａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｙ、Ｅｕ等で、Ｒ
はＣｎＨ _2n-1、Ｃ₆Ｈ₆等炭素を含む基である。（ｎは
１以上の整数）具体的に本発明においては、Ｓｉを含む
アルコキシド、例えばテトラメトキシシラン（ｔｅｔｒ
ａｍｅｃｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₄、
テトラエトキシシラン（ｔｅｔｒａｃｔｈｏｘｙｓｉｌ
ａｎｃ）Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄、ジフェニルメトキシシ
ラン（ｄｉｐｈｅｎｙｌｄｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎ
ｅ）（Ｐｈ）₂−Ｓｉ−（ＯＭｅ）、ジフェニルエトキ
シシラン（ｄｉｐｈｅｎｙｌｄｉｅｔｈｏｘｙｓｉｌａ
ｎｅ）（Ｐｈ）₂−Ｓｉ−（ＯＥｔ）、（３−ヘプタフ
ルオロイソプロポキシ）ポロピルメチルジクロロシラン
（（３−ｈｅｐｔａｆｌｕｏｒｏｉｓｏｐｒｏｐｏｘ
ｙ）Ｐｒｏｐｙｌｍｅｔｈｙｌｄｉｃｈｌｏｒｏｓｉｌ
ａｎｅ）Ｃ₇Ｈ₉ Ｃ₁₂Ｆ₇ＯＳｉ、（トリデカフルオロ
−１、１、２、２−テトラヒドロオクトル）トリエトキ
シシラン（（ｔｒｉｄｅｋａｆｌｕｏｒｏ−１、１、
２、２−ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｏｃｔｙｌ）ｔｒｉｅｔ
ｈｏｘｙｓｉｌａｎｅＣ₁₄Ｈ₁₉Ｆ₁₃Ｏ₃Ｓｉ、（３、
３、３−トリフルオロプロピル）メチルジメトキシシラ
ン（３、３、３−ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐｙｌ）ｍ
ｅｔｈｙｌｄｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌｑｎｅＣ₆Ｈ₁₃
Ｆ₃Ｏ₂Ｓｉ、（３、３、３−トリフルオロプロピル）
メチルシクロシロキサン類（ｎ＝３〜４）、（３、３、
３−ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐｙｌ）ｍｅｔｈｙｌｃ
ｙｃｌｏｓｉｌｏｘａｎｅｓ（Ｃ₄Ｈ₇Ｆ₃Ｏ₂Ｓｉ）
₃〜₄ と、Ａｌを含むアルコキシド、例えばＡｌ（ＯＣ
₂Ｈ₅）₄、Ｚｎを含むアルコキシド、例えば、Ｚｎ
（ＯＣ₂ Ｈ₅ ） ₄ 、Ｔｉを含むアルコキシド、例えば、
Ｔｉ（ＯＣ₃Ｈ₇）₄があげられる。

【０１７４】この金属アルコキシドをアルコールに溶解
し、加水分解したものを、たとえばディップ塗布し、溶
媒を除去した後に、加熱乾燥させる事で、緻密な金属酸
化膜を得ることができる。

【０１７５】金属アルコキシドにフッ素を含有するもの
を用いた場合、得られた金属酸化膜中にフッ素が残留す
る為、より高い純水の接触角を得る事が可能となる。

【０１７６】一方、金属キレートを用いる方法としてア
セチルアセトナート（ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔ
ｅ）、水、アルコール（ａｌｃｏｈｌ）及び塩酸のゾル
状分散液から金属酸化物皮膜を得る方法もある。ゾルゲ
ル状分散液はスプレー法、ディッピング法等公知の塗工
方法により塗工後に、溶媒を除去、加熱乾燥させる事
で、緻密な金属酸化膜を得る。

【０１７７】アセチルアセトナートとしては、鉄アセチ
ルアセトナート（ｉｒｏｎｔｒｉｓ（ａｃｅｔｙｌａｃ
ｅｔｏｎａｔｅ）、コバルトアセチルアセトナートｃｏ
ｂａｌｔｂｉｓ（ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）、
ニッケルアセチルアセトナートｎｉｃｋｅｌｂｉｓ（ａ
ｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）、銅アセチルアセトナ
ートｃｏｐｐｅｒｂｉｓ（ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｉｎ
ａｔｅ）等、及びそれぞれの側鎖にフッ素を含有するア
セチルアセトナートがあげられる。

【０１７８】金属酸化物層の厚さは、十分な表面保護硬
度及び十分な保護が可能な膜厚であって、感光層に入射
する光の不要な吸収による感度の低下や膜厚の増大によ
る残留電位の増大を考慮して決めるのが望ましい。

【０１７９】具体的に膜厚を示せば、好ましくは０．０
１μｍ〜５μｍ、より好ましくは０．１μｍ〜３μｍ、
更に好ましくは０．２μｍ〜１μｍとするのが望まし
い。しかしながら、これら膜厚の範囲は感光体が使用さ
れる電子写真装置の使用や感光体に要求される特性に鑑
みて決められてよい。ただし、一般的には均一な膜形成
の為にそして、金属酸化物層の効果が発揮されるために
は少なくとも０．０１μｍ程度は必要であり、たいてい
の電子写真装置での実使用において画像にかぶり等を生
じさせない残留電位とするためには５μｍ以下の厚さと
するのが良い。また、より均一な厚さと特性を有するた
めには０．１μｍ以上とするのが良く、感光体の表面層
や金属酸化物上に設けられるフッ素樹脂との積層を考慮
しても残留電位を生じにくくするという観点から３μｍ
以下とするのがよい。更に高い生産性と乾燥時間の短縮
までを鑑みれば０．２μｍ〜１μｍとするのが良い。

【０１８０】実際には、加熱後に形成される層厚が上記
範囲となるようにするためには、ゾル分散液はそれより
厚い層厚で感光層表面に付与される。層厚の減少量は使
用する材料や付与方法や塗布条件などの作製条件、分散
濃度などによって異なるが、一般にはゾル分散液塗布時
の膜厚の１／１００〜１／５００となる。したがって塗
布量は最終的な金属酸化物層の所望とする厚さを鑑みて
たとえば１００倍〜５００倍の厚さとなるよう適宜決め
ることが必要である。

【０１８１】形成される金属酸化物は電子写真感光体と
して使用し得るものであれば特に制限はないが、作製の
し易さ、コスト及び光透過特性（光の通過のし易さ）を
含む諸特性などを考慮するとＳｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃、Ｚ
ｎＯ、ＴｉＯ₂、Ｆｅ₃Ｏ₄、Ｃｏ₃Ｏ₄、ＮｉＯ、Ｃ
ｕＯなどが好ましい。又フッ素含有金属アルコキシドを
使用したような場合は金属酸化物層はたとえば上記した
ようなＳｉＯ₂、Ａｌ ₂Ｏ₃、ＺｎＯ、ＴｉＯなどの主
成分中にフッ素が含有されたものとなる。

【０１８２】フッ素樹脂層次に、本発明のフッ素樹脂層について説明する。

【０１８３】フッ素樹脂層を表面に設ける事によって、
表面離型性の優れた表面被覆がなされる。

【０１８４】上述したような方法によって形成される金
属酸化物層上にフッ素樹脂層を設ける場合は比較的優れ
た密着性を得ることができる。その理由は明確ではない
が、本発明者は現時点では以下の理由によるものと推測
している。

【０１８５】上記方法によって得られる金属酸化物層は
加熱によって、電子写真法で使用される現像剤（トナ
ー）の粒径よりは小さいがフッ素樹脂形成材料は入り込
めるような部分が溶媒の蒸発、揮発にともない形成さ
れ、ここに入り込んだフッ素樹脂形成材料が架橋重合に
より金属酸化物層との強い密着性を生むものであると推
測される。

【０１８６】本発明では特に、フルオロエチレンとビニ
ルモノマーの共重合体である三フッ素塩化エチレン等を
過酸化物で架橋する事によって、強靱な被覆を行える。
すなわち、被覆材が架橋物である為に、摩擦等によって
被覆材が軟化して、剥離するという様な問題は防止出来
る。

【０１８７】また、前記共重合体の酸価を２以上にする
事によって、接着性に優れた被覆を行える。すなわち、
高速のクリーニングブレードによる摺擦に対しても感光
体との界面での剥離が生じる事がない。

【０１８８】また、前記共重合体の未架橋での水酸基価
を５０以下にする事によって、耐湿性に優れた被覆を行
える。すなわち、水酸基を架橋点として利用しないで架
橋させる事で共重合体の架橋前の水酸基価を低くする事
が可能であり本質的に優れた耐湿性を有する。イソシア
ネートまたはメラミン等で架橋されるフッ素樹脂は一般
的であるが、イソシアネートまたはメラミンによって架
橋しても親水性のウレタン結合または尿素結合が最終的
には生成する為に本質的には耐湿性の優れた被覆材には
ならない場合がある。

【０１８９】本発明で用いられるフッ素樹脂は、具体的
には、フルオロエチレンとビニルモノマーの共重合体で
ある事が望ましく、次の様な一般式で表される三フッ素
化塩化エチレンとビニルモノマーの共重合体である事が
より望ましい。

【０１９０】

【化１】共重合モノマーであるビニルモノマーとしては、ビニル
エーテルモノマーとビニルエステルモノマーに大別され
る。ビニルエーテルモノマーの側鎖としてはメチル基、
エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、２−ブチル基、
ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基等が
あげられる。

【０１９１】次に、本発明のフッ素樹脂を架橋させる為
の有機過酸化物について説明する。

【０１９２】有機過酸化物による架橋は有機過酸化物か
ら発生する遊離ラジカルが樹脂中の水素を引き抜いてＣ
−Ｃ結合を形成する事によって行われる。架橋後の樹脂
の構造は次の様な一般式で示される。

【０１９３】

【化２】有機過酸化物の活性方法（ｔｏｇｅｎｅｒａｔｅｓ
ｕｃｈｔｒｅｅｒａｄｉｃａｌｓ）には、熱分解法
（ｔｈｅｒｍａｌｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｐｒ
ｏｃｅｓｓ）、レドックス分解法（ｒｅｄｏｘｄｅｃ
ｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｐｒｏｃｅｓｓ）及びイオン分
解法が知られている。一般に熱分解法が使用される事が
多い。

【０１９４】化学構造では、ヒドロペルオキシド（ｈｙ
ｄｒｏｐｅｒｏｘｉｄｅ）、ジアルキル（アリル）ペル
オキシド（ｄｉａｌｋｙｌ（ｄｉａｌｌｙｌ）ｐｅｒｏ
ｘｉｄｅ）、ジアシルペルオキシド（ｄｉａｃｙｌｐ
ｅｙｏｘｉｄｅ）、ペルオキシケタール（ｐｅｒｏｘｙ
ｋｅｔａｌ）、ペルオキシエステル（ｐｅｒｏｘｙｅｓ
ｔｅｒ）、ペルオキシカルボネート（ｐｅｒｏｘｙｃａ
ｒｂｏｎａｔｅ）及びケトンペルオキシド（ｋｅｔｏｎ
ｅｐｅｒｏｘｉｄｅ）に大別される。

【０１９５】ヒドロペルオキシドとしては、ｔ−ブチル
ヒドロペルオキシド、１，１，３，３−テトラメチルブ
チルヒドロペルオキシド、ｐ−メンタンヒドロペルオキ
シド（ｐ−ｍｅｎｔｈａｎｅ−）、クメンヒドロペルオ
キシド（ｃｕｍｅｎｅ−）モｐ−サイメンヒドロペルオ
キシド（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ−）、ジイソプロピルベンゼ
ンヒドロペルオキシド（ｄｉｉｓｏｐｒｏｐｙｌｂｅｎ
ｚｅｎｅ−）、２，５−ジメチルヘキサン−２，５−ジ
ヒドロペルオキシド（２，５−ｄｉｍｅｔｈｙｌｈｅｘ
ａｎｅ−）、シクロヘキサンヒドロペルオキシド、３，
３，５−トリメチルヘキサノンヒドロペルオキシド（−
ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｈｅｘａｎｏｎｅ−）などを挙げる
事が出来る。

【０１９６】ジアルキル（アリル）ペルオキシドとして
は、ジ−ｔ−ブチルペルオキシド、ジクミルペルオキシ
ド（ｄｉｃｕｍｙｌ−）、ｔ−ブチル−α−クミルペル
オキシドなどを挙げることが出来る。

【０１９７】ジアシルペルオキシドとしては、ジアセチ
ルペルオキシド（ｄｉａｃｅｔｙｌｐｅｒｏｘｉｄ
ｅ）、ジプロピオニルペルオキシド（ｄｉｐｒｏｐｙｏ
ｎｙｌ−）、ジイソブチリルペルオキシド（ｄｉｉｓｏ
ｂｕｔｙｒｙｌ−）、ジオクタノイルペルオキシド（ｄ
ｉｏｃｔａｎｏｙｌ−）、ジデカンオウルペルオキシド
（ｄｉｄｅｃａｎｏｙｌ−）、ジラウロイルペルオキシ
ド（ｄｉｌａｕｒｏｙｌ−）、ペルオキシドこはく酸な
どを挙げることが出来る。

【０１９８】ペルオキシケタール（ｐｅｒｏｘｙｋｅｔ
ａｌ）としては、２，２−ジ−ｔ−ブチルペルオキシブ
タン（２，２−ｄｉ−ｔ−ｂｕｔｙｌｐｅｒｏｘｙｂｕ
ｔａｎｅ）、１，１−ジ−ｔ−ブチルペルオキシシクロ
キサン（１，１−ｄｉ−ｔ−ｂｕｔｙｌｐｅｒｏｘｙｃ
ｙｃｌｏｈｅｘａｎｅ）、１，１−ジ−（ｔ−ブチルペ
ルオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン
（１，１−ｄｉ−（ｔ−ｂｕｔｙｌｐｅｒｏｘｙ）−
３，３，５−ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｈｅｘａｎ
ｅ）等を挙げることが出来る。

【０１９９】ペルオキシエステル（ｐｅｒｏｘｙｅｓｔ
ｅｒ）としては、ｔ−ブチルペルオキシアセテート（ｔ
−ｂｕｔｙｌｐｅｒｏｘｙａｃｅｔａｔｅ）、ｔ−ブ
チルペルオキシイソブチレート（ｔ−ｂｕｔｙｌｐｅｒ
ｏｘｙｉｓｏｂｕｔｙｌａｔｅ）、ｔ−ブチルペルオキ
シピパレート（ｔ−ｂｕｔｙｌｐｅｒｏｘｙｐｉｖａｌ
ａｔｅ）、ｔ−ブチルペロキシネオデカノエート（ｔ−
ｂｕｔｙｌｐｅｒｏｘｙｎｅｏｄｅｃａｎｏａｔｅ）等
を挙げることができる。

【０２００】ペルオキシカルボナート（ｐｅｒｏｘｙｃ
ａｒｂｏｎａｔｅ）としては、ｔ−ブチルペルオキシイ
ソプロピルカルボナート（ｔ−ｂｕｔｙｌｐｅｒｏｘｙ
ｉｓｏｐｒｏｐｙｌｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ジ−ｎ−プ
ロピルペルオキシジカルボナート（ｄｉ−ｎ−ｐｒｏｐ
ｙｌｐｅｒｏｘｙｄｉｃａｒｂｏｎｔｅ）、ジ−ｓｅｃ
−ブチルペロキシカルボナート（ｄｉ−ｓｅｃ−ｂｕｔ
ｙｌｐｅｒｏｘｙｄｉｃａｒｂｏｎａｔｅ）等を挙げる
ことが出来る。

【０２０１】ケトンペルオキシド（ｋｅｔｏｎｅｐｅ
ｒｏｘｙｄｅ）としては、アセチルアセトンペロキシド
（ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎｅｐｅｒｏｘｉｄｅ）、
メチルエチルケトンペロキシド（ｍｅｔｈｙｌｅｔｈ
ｙｌｋｅｔｏｎｅｐｅｒｏｘｉｄｅ）、メチルイソ
ブチルケトンペロキシド（ｍｅｔｈｙｌｉｓｏｂｕｔｙ
ｌｋｅｔｏｎｅｐｅｒｏｘｉｄｅ）などを挙げるこ
とが出来る。

【０２０２】上記有機過酸化物の添加量は共重合体に対
して０．５重量％ないし５重量％とするのが好ましく、
より好ましくは１重量％ないし３重量％、さらには１重
量％ないし２重量％とするのが望ましい。ここで、添加
量が０．５重量％未満であると架橋が十分に進行しない
ので、フッ素樹脂（有機高分子樹脂）が変形し所望の形
状を保てなくなる場合がある。一方、添加量が５重量％
を越えると有機過酸化物及び／あるいはその分解物がフ
ッ素樹脂（有機高分子樹脂）材中に残留し、フッ素樹脂
（有機高分子樹脂）の耐久性を損なう場合がある。した
がって、上記有機酸化物の添加量を上記範囲とする事が
望ましい。

【０２０３】フッ素樹脂を形成するための材料に酸成分
を導入することにより、金属酸化物層との接着力をさら
に向上させる事が可能である。酸成分を導入するには前
記三フッ化塩化エチレン共重合体に第３成分として共重
合させるのか別の酸含有の樹脂、オリゴマーを併用する
方法がある。

【０２０４】樹脂側鎖（ｓｉｄｅｃｈａｉｎ）に水酸
基が存在しない時は酸成分として（メタ）アクリル酸
（（ｍｅｔｈａ）ｓｃｒｙｌｉｃａｃｉｄ）、マレイ
ン酸（ｍａｌｅｉｃａｃｉｄ）、フマル酸（ｆｕｍａ
ｒｉｃａｃｉｄ）、オレイン酸（ｏｌｅｉｃａｃｉ
ｄ）等を共重合させる事が出来る。樹脂側鎖に水酸基が
存在する場合は上記酸含有のモノマーとはアセタール化
を起こすことがよく知られている。この不必要な反応を
避ける為に樹脂側鎖に存在する水酸基に対して二塩基酸
無水物を反応させ、酸成分を導入する方法が一般的であ
る。

【０２０５】二塩基酸（ｄｉｂａｓｉｃａｃｉｄａ
ｎｈｙｄｒｉｄｅ）としては、無水シユウ酸（ｏｘａｌ
ｉｃａｎｈｙｄｒｉｄｅ）、無水マロン酸（ｍａｌｏ
ｎｉｃａｎｈｙｄｒｉｄｅ）、無水コハク酸（ｓｕｃ
ｃｉｎｃａｎｈｙｄｒｉｄｅ）、無水グルタル酸（ｇ
ｌｕｔａｌｉｃａｎｈｙｄｒｉｄｅ）、無水アジピン
酸（ａｄｉｐｉｃａｎｈｙｄｒｉｄｅ）等が挙げられ
る。別の酸含有の樹脂としてはスチレン無水マレイン酸
共重合体、（メタ）アクリル酸が共重合された樹脂等公
知のものを併用する事が可能である。

【０２０６】また、表面被覆に用いるフッ素樹脂共重合
体は、水酸基価（ｈｙｄｒｏｘｙｌｖａｌｉｅ）が５０
を越えると、ウレタン結合が多くなるので吸湿性が大幅
に高くなる。そのために、架橋前の水酸基価が５０を越
える場合は防湿性不良で画像流れが発生しやすくなる。

【０２０７】尚、ここで酸価（ａｃｉｄｖａｌｕｅ）
は樹脂１ｇ中に含まれる酸残基を中和するのに必要な水
酸化カリウムのｍｇ数をＥ３８、試料油をベンゼン−エ
タノール混合溶媒、エーテル−エタノール混合溶媒等に
解かし、正確な力価（ｐｒｅｄｅｔｅｒｍｉｎｅｄａ
ｃｔｉｖｉｔｙ）のわかった水酸化カリウム溶液で滴定
してその中和量から算出した。

【０２０８】また、水酸基価は樹脂（ｓｐｅｃｉｍｅ
ｎ）１ｇから得られるアセチル化物（ａｃｅｔｙｌａｔ
ｅｄｐｒｏｄｕｃｔ）に結合している酢酸を中和する
のに必要な水酸化カリウム（ｐｏｔａｓｓｉｕｍｈｙｄ
ｒｏｘｉｄｅ）のｍｇ数をいい試料を過剰のアセチル化
剤、例えば無水酢酸と加熱してアセチル化を行い、生成
したアセチル化物の化価を測定した後、以下の式にした
がって計算した。

【０２０９】水酸基価（hydroxyl value）＝Ａ／（１−
０．０００７５Ａ）−Ｂ但し、Ａはアセチル化後のケン化価、Ｂはアセチル化前
のケン化価を表す。

【０２１０】更に、被覆材として使用される共重合体の
分子量としては５万〜３０万が好ましい。分子量が５万
より小さいと樹脂がもろくなり、３０万より多いと生産
性が低下する為である。

【０２１１】接着力をより向上させるには例えば、シラ
ンカップリング剤（ｓｉｉａｎｅｃｏｕｐｌｉｎｇａ
ｇｅｎｔ）を併用する事である。

【０２１２】具体的な材料としては、ビニルトリクロル
シラン（ｖｉｎｙｌｔｒｉｃｈｌｏｒｏｓｉｌａｎ
ｅ）、ビニルトリス（βメトキシエトキシ）シラン（ｖ
ｉｎｙｌｔｒｉｓ（β−ｍｅｔｈｏｘｙ）ｓｉｌａｎ
ｅ）、ビニルトリエトキシシラン（ｖｉｎｙｌｔｒｉｅ
ｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）、ビニルトリメトキシシラン
（ｖｉｎｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）等が
挙げられる。

【０２１３】フッ素樹脂層の厚さは各層の層厚や所望と
する電子写真特性に鑑みて適宜決められるものであるが
好ましくは０．０１μｍ〜５μｍ、より好ましくは０．
１μｍ〜３μｍ、更に好ましくは０．２μｍ〜１μｍと
するのが望ましい。

【０２１４】０．０１μｍより薄いと必要充分な膜が形
成されなくなる場合があり、５μｍより厚いと残留電位
によるかぶりが生じ易くなる。また、より均一な膜厚を
得るためには０．１μｍ以上とするのが良く、他の層と
の関係を鑑みてよりかぶりを生じさせないためには３μ
ｍ以下とするのがよい。そして、より高い生産性と低コ
スト及び架橋重合や塗布に必要な時間などを考慮すると
０．２μｍ以上１μｍ以下とするのが望ましい。

【０２１５】次に、前述した金属酸化物層と、フッ素樹
脂層の塗布方法の一例について説明する。ゾル状高分子
分散液は「スプレー塗布」と「ディッピング塗布」等公
知の塗布工程で塗工が可能である。

【０２１６】図８を用いるスプレー法による塗布の一例
を説明する。

【０２１７】図８はスプレー法を説明するための模式的
斜視構成図が示されている。

【０２１８】図８において、８０１はシリンダー状の感
光体、８０２は塗布液ポット、８０３はチャッキングフ
ラジ、８０４はスプレーノズル、８０５は樹脂塗料又は
ゾル溶液、８０６は攪拌モーター、８０７はシリンダー
状の感光体を回転するための動力源である回転モーター
である。

【０２１９】図８において、攪拌モーター８０６によ
り、塗布液ポット８０２の樹脂塗料又はゾル溶液８０５
が攪拌されている。シリンダー状の感光体８０１はチャ
ッキングフランジ８０３によりスプレーノズル８０４の
前に固定され、回転モーター８０７の回転がベルト・チ
ェーンあるいはギアなどの動力伝達手段８０８によって
チャッキングフランジ８０３に伝達され回転される。も
ちろん回転モーター８０７はチャッキングフランジ８０
３の軸に直接結合されていて良い。

【０２２０】樹脂塗料又はゾル溶液８０５軸方向に往復
動作するスプレーノズル８０４から吐出され、感光体８
０１の表面にゾル溶液（たとえばアルコキシド混合液）
ないし樹脂塗料が付与され、それらの層を形成する。

【０２２１】図９を用いてディッピング法による塗布の
一例を説明する。

【０２２２】画９にはディッピング法を説明するため模
式的断面図が示されている。

【０２２３】図９において、９０１はシリンダー状の感
光体、９０２は塗布ポット、９０３はチャッキングラン
プ、９０４は突き上げジリンダー、９０５は樹脂塗料又
はゾル溶液、９０６は攪拌機、９０７は攪拌モーターで
ある。

【０２２４】図９において、攪拌モーター９０７により
攪拌機９０６が回転し、塗布ポット９０２の中の樹脂塗
料又はゾル溶液９０５が攪拌されている。感光体９０１
はチャッキンゴクランプ９０３により突き上げシリンダ
ー９０４の上に固定され、樹脂塗料又はゾル溶液９０５
へ一担浸漬し次に１０ｍｍ／ｍｉｎ〜１０００ｍｍ／ｍ
ｉｎの速度で上昇させ感光体９０１の表面にゾル溶液
（たとえばアルコキシド混合液）ないし樹脂塗料を付与
し、それらの層を形成する。

【０２２５】浸漬速度や上昇速度は付与しようとするゾ
ル溶液や樹脂塗料の粘度や濃度形成しようとする層厚に
応じて適宜決められるものであり、上述の上昇温度は１
例てある。

【０２２６】層の形成は上述の２方法に限られるわけで
はなく、又、それぞれの方法で説明したものも、それに
限定されるわけではない。要は所望の膜厚に所望の時間
で均一に付与できればいかなる方法を用いても良いもの
である。しかしながら上述の方法、特にディッピング法
は多くの要望に応えるものであり好ましい。

【０２２７】金属酸化物層が形成される前にはフッ素含
有ガスを用いて光導電層や表面層の表面がプラズマ処理
される。このようなプラズマ処理は前述したような成膜
装置中にフッ素含有ガスを導入した後に高周波（ＲＦ
波）など）やマイクロ波を印加することによって行なう
ことがてきる。

【０２２８】本発明のプラズマ処理に用いるガスは、フ
ッ素を含み、かつ表面を緩やかにエッチングしながらも
フッ素に残留させ得るものが好ましい。一般にはフッ化
カーボン及びその誘導体が好ましい。例えば、ＣＣｌ₃
Ｆ、ＣＣｌ₂Ｆ₂，ＣＢｒＣｌＦ₂、ＣＣｌＦ₃、ＣＢ
ｒＦ₃、ＣＦ₄、ＣＨＣｌＦ₂、ＣＨＦ₃、Ｃ₂Ｃｌ ₄
Ｆ₂、Ｃ₂Ｃｌ₃Ｆ₃、Ｃ₂Ｃｌ₂Ｆ₄、Ｃ₂Ｃｌ
Ｆ₅、Ｃ₂Ｆ₆，Ｃ₂Ｈ₃ＣｌＦ₂，Ｃ₂Ｈ₄Ｆ₂、Ｃ
₂Ｈ₄Ｆ₂、Ｃ₃Ｆ₈等を挙げることができる。

【０２２９】これらのガスに不活性ガスやＨ₂を混合し
てプラズマ処理を行なっても良い、好適に使用され得る
不活性ガスとしては例えば、Ａｒ，Ｈｅ，Ｎ₂、及びＨ
₂が挙げられる。

【０２３０】更に好ましくは、高純度ガスの入手が容易
な、ＣＣｌＦ₃、ＣＦ₄、ＣＨＦ₃、Ｃ₂Ｆ₆、Ｃ₃Ｆ
₈に、必要に応じてＡｒ、Ｈｅ、及びＨ₂を混合したも
のを用いる。中でもＣＦ₄、Ｃ₂Ｆ₆のみの使用は好ま
しい。

【０２３１】プラズマ処理条件は表面を緩やかにエッチ
ングしながらもフッ素を表面に残留させることが望まし
く、室温（たとえば２０℃）から２００℃に加熱した被
処理体を真空装置に入れ、該装置にフッ化カーボン及び
その誘導体、例えばフッ化炭素（ＣＦ₄）ガスを５０−
１０００ｓｃｃｍ必要に応じてＡｒ、Ｈｅ、Ｎ₂、及び
Ｈ₂で希釈し、圧力を０．１−１．０Ｔｏｒｒにて導入
し、１３．５６ＭＨｚのＲＦパワーを１００−２０００
Ｗ投入し５−１２０分間プラズマ処理を行う。不活性ガ
スやＨ₂による希釈はプラズマ放電の安定化と処理後の
接触角を制御する目的で行われる。好ましい圧力、パワ
ー条件としては、処理時間の短縮と表面の粗面化を抑え
かつ所望の処理を行なえるという点から０．３〜０．７
Ｔｏｒｒ、３００〜１０００Ｗとすることが好ましい。
しかしながら、この圧力とパワーは装置の大きさや種
類、処理する基板の大きさなどを鑑みて決めることが望
ましい。

【０２３２】次に、本発明の感光体が適用される電子写
真装置の一例を説明する。

【０２３３】図１０はａ−Ｓｉ感光体を用いた複写機の
画像形成プロセスのクリーニング装置にカウンターブレ
ード１０２７を用いた一例を示す概略図であって、矢印
Ｘ方向に回転する、ヒータ１０２３によって温度コント
ロールされた、感光体１００１の周辺には、主帯電器１
００２、静電潜像形成部位１００３、現像器１００４、
転写紙供給系１００５、感光体表面に付与されたトナー
を転写するための転写帯電器１００６（ａ）、紙などの
被記録材を除電し、感光体の曲率によって分離し易くす
るための分離帯電器１００６（ｂ）クリーナ１００７、
搬送系１００８、除電光源１００９などが配設されてい
る。尚、図ではアナログ複写機の例が示されているが画
像情報はレーザー光源からの光によるいわゆるＬＢＰで
あってもよい。

【０２３４】以下、さらに具体例を以て画像形成プロセ
スを説明すると、感光体１００１は＋６〜８ｋＶの高電
圧を印加した主帯電器１００２により一様に帯電され、
これに静電潜像形成部位より導き投影された静電潜像が
形成され、この潜像に現像器１００４からネガ極性トナ
ーが供給されてトナー像となる。

【０２３５】一方、転写紙供給系１００５を通って感光
体方向に供給される転写材Ｐは＋７〜８ｋＶの高電圧を
印加した転写帯電器１００６（ａ）と感光体１００１の
間隙において背面から、トナーとは反対極性の正電界を
与えられ、これによって感光体表面のネガ極性トナー像
は転写材Ｐに転移する。１２〜１４ｋＶｐ−ｐ、３００
〜６００Ｈｚの高圧ＡＣ電圧を印加した分離帯電器１０
０６（ｂ）により、転写材Ｐは転写紙搬送系１００８を
通って定着装置（不図示）に至り、トナー像は定着され
て装置外に排出される。

【０２３６】図１１はａ−Ｓｉ感光体を用いた複写機の
画像形成プロセスのクリーニング装置にトレーリングプ
レート１１２１を用いた一例を示す概略図であって、矢
印Ｘ方向に回転する、ヒータ１１２３によって温度コン
トロールされた、感光体１１０１の周辺には、主帯電器
１１０２、静電潜像形部位１１０３、現像器１１０４、
転写紙供給系１１０５、転写帯電器１１０６（ａ）、分
離帯電器１１０６（ｂ）、クリーナ１１０７、搬送系１
１０８、除電光源１１０９などが配設されている。

【０２３７】以下、さらに具体例を以て画像形成プロセ
スを説明すると、感光体１１０１は６〜８ｋＶの電圧を
印加した主帯電器１１０２により一様に帯電され、これ
に静電潜像形成部位より導き投影された静電潜像が形成
され、この潜像に現像器１１０４からネガ極性トナーが
供給されてトナー像となる。

【０２３８】一方、転写紙供給系１１０５を通って感光
体方向に供給される転写材Ｐは７〜８ｋＶの高電圧を印
加した転写帯電器１１０６（ａ）と感光体１１０１の間
隙において背面から、トナーとは反対極性の正電界を与
えられ、これによって感光体表面のネガ極性トナー像は
転写材Ｐに転移する。転写材Ｐは転写紙搬送系３０８を
通って定着装置（不図示）に至り、トナー像は定着され
て装置外に排出される。

【０２３９】以下、実験例に基づき本発明を詳細な説明
する。

【０２４０】〔実験例１〕＜接触角と滑り性＞まず、アルミシリンダー上に表１に
示す様な表面層を図４で示したような、ＲＦ成膜法装置
により成膜しａ−Ｓｉ系感光体を２本作成した。得られ
たａ−Ｓｉ系感光体の一方をサンプルＡとし、図４に示
したような真空容器中に１０ＴｏｒｒのＡｔ雰囲気にて
保存し、もう一方をサンプルＢとし、図４に示したよう
な真空容器中にフッ化炭素（ＣＦ₄）ガスを５００ｓｃ
ｍ、０．６Ｔｏｒｒにて導入した後、１３．４５ＭＨｚ
のＲＦパワーを５００Ｗ投入し１０分間エッチング処理
した。

【０２４１】次いで、同様にアルミシリンダー上に、サ
ンプルＣとして図８に示したような塗工手段により、テ
トラエトキシシランＳｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）４、水、アルコ
ール、塩酸の混合液を塗布後、４０〜９０度に加熱乾燥
させ乾燥ゲル体とした。更に３００度に加熱しＳｉ−Ｏ
薄膜を、サンプルＤとしてＥＶＡ（エチレン−酢酸ビニ
ル共重合体／ｅｔｈｙｅｎｅ−ｖｉｎｙｌａｃｅｔａ
ｔｅｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）薄膜を、サンプルＥとして
ＰＶＦ（ポリフッ化ビニル／ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｆｌ
ｕｏｒｉｄｅ）薄膜を、サンプルＦとしてＥＴＴＥ（エ
チレン−テトラフルオロエチレン共重合体／ｅｔｈｙｌ
ｅｎｅ−ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅｃｏ
ｐｏｌｙｍｅｒ）の薄膜を作製した。

【０２４２】サンプルＡ〜Ｆを表面性試験機ヘイドン−
１４型（新東科学（株）製）にて検査片にシリコンゴム
ブレードを用い２０ｇ／ｃｍの荷重を加え、摩擦抵抗を
水平方向の引っ張り力にて測定した。その結果を図１２
に示す。（参考まで（ＨＥＩＤＯＮ−１４／Ｐｅｅｌｉ
ｎｇ／Ｓｌｉｐｐｉｎｇ／ＳｃｒａｔｃｈｉｎｇＴｅｓ
ｔｅｒ／ＳｈｉｎｔｏＫａｇａｋｕＣｏ．））図１
２に示されるように、引っ張り力が小さい程、滑り性は
良好であり、感光体表面に対する水の接触角が大きいほ
ど、滑り性が良好な事が判明した。

【０２４３】〔実験例２〕＜滑り性とフィルミング性＞実験例１で作製したサンプ
ルＡ〜Ｆを図１１に示したような電子写真装置に組み込
み、主帯電・露光を与えずに現像バイアスの印加のみに
よりサンプル上に現像剤を飛翔させ、１０万枚相当の回
転をさせた後、フィルミングの程度を評価した結果を図
１２に示す。

【０２４４】図１２に示すように、感光体表面に対する
水の接触角が大きいほど、フィルミングは発生しにくい
事が判明した。

【０２４５】〔実験例３〕＜接触角と密着性＞アルミシリンダー上に図４に示され
る装置を用いて表１に示す条件で電荷注入阻止層及び光
導電層を順次形成したサンプルを６つ作製した。作製さ
れたサンプルの表面の純水との接触角を測定したところ
７０度から８４度の範囲のものが得られた。これら６つ
のサンプルＧ〜Ｌを以下のように処理した。

【０２４６】サンプルＧの接触角は７２度であった、こ
れを未処理で真空保管した。

【０２４７】サンプルＨの接触角は８２度であった、こ
れを未処理で真空保管した。

【０２４８】サンプルＩの接触角は７３度であった、こ
れをＡｒでプラズマ処理し接触角は６０度になった。

【０２４９】サンプルＪの接触角は８４度であった、こ
れをＡｒでプラズマ処理し接触角は８０度になった。

【０２５０】サンプルＫの接触角は７０度であった、こ
れをＣＦ₄＋Ａｒでプラズマ処理し接触角は７０度にな
った。

【０２５１】サンプルＬの接触角は８３度であった、こ
れをＣＦ₄でプラズマ処理し接触角は９０度になった。

【０２５２】これに、テトラエトキシシランＳｉ（ＯＣ
₂Ｈ₅）₄のアルコール溶液からなるゾル状分散液をス
プレー法により塗布し、４０〜９０℃にて加熱乾燥さ
せ、更に３００℃に加熱して金属酸化物層を形成した。

【０２５３】次いで、図１１に示した様な複写機に設
置、１０万枚の画像出しを行い、金属酸化物層の剥がれ
具合を評価したところ図１３に示される結果を得た。

【０２５４】この結果から、導電性基板上に水素化アモ
ルファスシリコン系感光体を積層してなる感光体面に、
フッ素を含有する原料ガスを用いたエッチング処理を施
し、表面の純水の接触角が８０度以上とし、次いで有機
金属化合物を加水分解したゲル状高分子分散液を塗工
後、加熱し金属酸化膜表面層を形成させることにより、
金属酸化物層の密着性が良好となる事がわかる。

【０２５５】〔実験例４〕（フッ素含有金属アルコキシド、金属キレートを用いた
金属酸化物層の接触角）アルミシリンダー上に表２示す
条件で表面層を除くａ−Ｓｉ感光層を図５、図６で示さ
れた様なμＷ成膜素により−６本成膜した。

【０２５６】得られたａ−Ｓｉ感光体について、まず、
テトラメトキシシラン（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｏｘｙｓｉ
ｌａｎｅ）Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₄と水、エタノール混合溶
液を０．３ｍｍの厚さにデイップ塗布し、ついで５０℃
にて乾燥させ、更に２００℃に加熱し約１μｍの金属酸
化皮膜層を形成した。この皮膜の接触角は５５度であっ
た。

【０２５７】次いで、（トリデカフルオロ−１，１，
２，２−テトラヒドロオクトル）トリエトキシシラン
（（ｔｒｉｄｅｋａｆｌｕｏｒｏ−１，１，２，２−ｔ
ｅｔｒａｈｙｄｒｏｏｃｔｙ）ｔｒｉｅｔｈｏｘｙｓｉ
ｌａｎｅＣ₁₄Ｈ₁₉Ｆ₁₃Ｏ₃Ｓｉ、Ｃ₆Ｆ₁₃ＣＨ₂ＣＨ
₂Ｓｉ（ＯＥｔ）₃を用いて同様の金属酸化皮膜層を形
成したところ、接触角は８０度であった。

【０２５８】同様に（３，３，３−トリフロオロプロピ
ル）メチルジメトキシシラン（３，３，３−ｔｒｉｆｌ
ｕｏｒｏｐｒｏｐｙｌ）ｍｅｔｈｙｌｄｉｍｅｔｈｏｘ
ｙｓｉｌａｎｅＣ₆Ｈ₁₃ Ｆ₃Ｏ₂Ｓｉ

【０２５９】

【化３】を用いて同様の金属酸化膜層を形成したところ、接触角
は７５度であった。

【０２６０】以上から原料にフッ素を含有するものを用
いた場合、得られた金属酸化膜中にフッ素が残留する
為、より高い純水の接触角を得る事がわかった。

【０２６１】〔実験例５〕（フルオロエチレン共重合体の酸価と密着性）図１４
に、酸価とフッ素を含有する原料ガスを用いたエッチン
グ処理を施したａ−Ｓｉ感光体表面への接着性を説明す
る為の実験例である。

【０２６２】ここでは実験例４で説明したフッ素含有金
属酸化膜上にフッ素樹脂を設けた例で説明する。

【０２６３】図１４から表面被覆に用いるフッ素樹脂共
重合体は、酸価が２以上であるとフッ素を含有する原料
ガスを用いたエッチング処理を施したａ−Ｓｉ感光体表
面への接着性が大幅に向上している事が分かった。

【０２６４】〔実験例６〕（フルオロエチレン共重合体の水酸基価と耐湿性）図１
５に、フッ素を含有する原料ガスを用いたエッチング処
理を施したａ−Ｓｉ感光体表面への被覆に対する、吸湿
性と水酸基価の関係を説明する為の実験例である。

【０２６５】実験例６でも実験例５と同様に実験例４で
説明したフッ素含有金属酸化膜上にフッ素樹脂を設けた
例で説明する。

【０２６６】図１５から表面被覆に用いるフッ素樹脂共
重合体は、架橋前の水酸基価が５０を越えると、吸湿性
が大幅に高くなり、防湿性不良で画像流れが発生しやす
くなる事が分かった。

【０２６７】〔実験例７〕（ブレード圧、プロセススピードと密着性）アルミシリ
ンダー上に表１に示す条件で表面層を除くａ−Ｓｉ感光
層を図４で示した様なＳＦ成膜素により２本成膜した。

【０２６８】一方には、図４に示した様な真空容器にフ
ッ素化炭素（ＣＦ₄）ガスを５００ｓｃｃｍ、０．６Ｔ
ｏｒｒにて導入し、１３．６ＭＨｚのＲＦパワーを５０
０Ｗ投入し１０分間プラズマ処理した。ついで、下図に
示すようなアクチルアセトナート（ａｃｅｔｙｌａｃｅ
ｔｏｎａｔｅ）、水、アルコール（ａｌｃｏｈｌ）及び
塩酸のゾル状分散液をスプレー法にて塗工し、５０℃に
て緩やかに溶媒を除去後、２５０℃にて加熱させ金属酸
化膜皮膜を得た。これをサンプルＭとした。

【０２６９】

【化４】他方には、さらに三フッ化塩素エチレン−ビニル共重合
体樹脂（酸価２ｍｇＫＯＨ／ｇ、水酸基価４８ｍｇＫＯ
Ｈ／ｇ）、架橋剤としてトリアリルシアヌレート、キシ
レンを溶媒に用いて塗布し、６０℃で３０分間乾燥さ
せ、厚さ０．５μｍのフッ素樹脂層を得た。これをサン
プルＮとした。

【０２７０】サンプルＭ、Ｎを図１０に示した様なカウ
ンターブレードを設けた複写機に設置しまずプロセスス
ピードを変えながら１０万枚ずつ耐刷試験を行い、トナ
ーのフィルミングについて評価した。ついで図１１に示
した様なトレーリングブレードを設けた複写機に設置
し、同様の評価を行った。それぞれの結果を図１６
（Ａ）、図１６（Ｂ）に示す。

【０２７１】カウンターブレード方式によってはサンプ
ルＭ、Ｎのいずれも６００ｍｍ／ｓｅｃまで顕著なフィ
ルミングは認められなかった。トレーリングブレード方
式によってはサンプルＭ、Ｎのいずれも４５０ｍｍ／ｓ
ｅｃを越えるとフィルミングが認められた。

【０２７２】次に、プロセススピードを５００ｍｍ／ｓ
ｅｃとし、ブレード圧を変えながら同様の耐印試験を行
い、摩耗とクリーニング性（トナーのスクレープ性）に
ついても評価した。

【０２７３】それぞれの結果を図１６（Ｃ）、図１６
（Ｄ）に示す。

【０２７４】カウンターブレード方式によってはサンプ
ルＭ、Ｎのいずれもブレード圧が５−１５ｇ／ｃｍとい
った良好な範囲が存在した。しかし、トレーニングブレ
ード方式によってはサンプルＭ、Ｎのいずれも特に良好
と認められる範囲が存在しなかった。

【０２７５】以上の結果から、回転周速が４５０ｍｍ／
ｓｅｃ−６００ｍｍ／ｓｅｃといった高速複写領域にお
いてクリーニング手段としてカウンターブレードを用い
その当接線圧が５−１５ｇ／ｃｍの範囲で良好なクリー
ニング性が得られる事がわかった。

【０２７６】なお、線圧とはブレードの長さあたりに加
えられる荷重のことで、たとえば３０ｃｍの当接長さを
有するブレードに３００ｇの荷重を加えて感光耐に接触
させた場合、線圧は１０ｇ／ｃｍとなる。

【０２７７】またブレードの材料としては樹脂、金属な
どを用いることができる。

【０２７８】［実験例８〕（金属酸化物層、フッ素樹脂層と耐衝撃性）アルミシリ
ンダー上に表１に示す条件で表面層まで設けたあるい
は、表面層は形成しないａ−Ｓｉ感光層を図４で示した
様なＲＦ成膜装置により５本成膜した。

【０２７９】サンプルＯとして、表１に示す条件で表面
層まで設け、かつなんら追加加工しないものとした。

【０２８０】サンプルＰとして、表１に示す条件で表面
層を除き、プラズマ処理を施さずにテトラエトキシシラ
ンＳｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄のアルコール溶液からなるゾル
状分散液をディッピング法により塗布し、４０−９０℃
にて加熱乾燥させ、更に３００℃に加熱して金属酸化物
層を形成した。

【０２８１】サンプルＱとして、表１に示す条件で表面
層は設けず、図４に示した様な真空容器にフッ化炭素
（ＣＦ₄）ガスを５００ｓｃｃｍ、０．６Ｔｏｒｒにて
導入し、１３．５６ＭＨｚのＲＦパワーを５００Ｗ投入
し１０分間プラズマ処理した。ついで、テトラエトキシ
シランＳｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄のアルコール溶液からなる
ゾル状分散液をディッピング法により塗布し、４０−９
０℃にて加熱乾燥させ、更に３００℃に加熱して金属酸
化物層を形成した。

【０２８２】サンプルＲととして、表１に示す条件で表
面層まで設け、図４に示した様な真空容器にフッ化炭素
（ＣＦ₄）ガスを５００ｓｃｃｍ、０．６Ｔｏｒｒにて
導入し、１３．５６ＭＨｚのＲＦパワーを５００Ｗ投入
し１０分間プラズマ処理した。ついで、テトラエトキシ
シランＳｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄のアルコール溶液からなる
ゾル状分散液をディッピング法により塗布し、４０−９
０℃にて加熱乾燥させ、更に３００℃に加熱して金属酸
化物層を形成した。

【０２８３】サンプルＳとして、表１に示す条件で表面
層まで設け、図４に示した様な真空容器にフッ装置炭素
（ＣＦ₄）ガスを５００ｓｃｃｍ、０．６Ｔｏｒｒにて
導入し、１３．５６ＭＨｚのＲＦパワーを５００Ｗ投入
し１０′間プラズマ処理した。ついでテトラエトキシシ
ランＳｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄のアルコール溶液からなるゾ
ル状分散液をディッピング法により塗布し、４０−９０
℃にて加熱乾燥させ、更に３００℃に加熱して金属酸化
物層を形成し、さらに三フッ化塩化エチレン−ビニル共
重合体樹脂（酸価二ｍｇＫＯＨ／ｇ、水酸基価４８ｍｇ
ＫＯＨ／ｇ）（ｃｈｌｏｒｏｔｒｉｆｌｕｏｒｏｅｔｈ
ｙｌｅｎｅ−ｖｉｎｙｌｅｔｈｅｒｃｏｐｏｌｙｍｅ
ｒ）、架橋剤としてジクミルパーオキサイド（ｄｉｃｕ
ｍｉｎｙｌｐｅｒｏｘｉｄｅ）を３重量％、キシレン
（ｘｙｌｅｎｅ）を溶媒に用いて塗布し、６０℃で３０
分乾燥させ、厚さ０．５μｍのフッ素樹脂を形成した。

【０２８４】このサンプルＯ−Ｓを水平におき、直径
２．５ｍｍのステンレスボールを高さ１０ｃｍから落下
させた後、表面の割れ、剥れの発生率を評価した。その
結果を図１７に示す。

【０２８５】また、実験例１で使用したものと同じ表面
性試験機ヘイドン−１４型を用い、荷重５０ｇをかけた
ダイヤモンド針にて表面を引っ掻き、傷の発生率を評価
した。結果を図１７に示す。

【０２８６】以上の結果から、ａ−Ｓｉ感光体表面をフ
ッ素プラズマ処理した後に、金属酸化物膜を設ける事に
より、強度が高くなる事か判明した。更にａ−Ｓｉ系感
光体において表面層まで設ける事により更に強度がまし
た。加えて、フッ素被覆を設ける事で更に強度が向上す
る事がわかった。

【０２８７】本発明において表面硬度前述したようには
直径０．１ｍｍのダイヤモンド針に荷重を加え、感光体
表面を中心軸に沿って平行な方向に引っかいた時、目視
にて傷の発生が認められる荷重を測定する。

【０２８８】このような測定方法において、荷重４０ｇ
以上とするのが好ましく、より好ましくは５０ｇ以上、
更に好ましくは６０ｇ以上となるのが望ましい。しかし
ながら荷重が大きすぎると表面の傷か基板の変形かの区
別がつきづらくなるので、表面硬度は硬い方が良いが実
用的には上述の荷重に耐えれば問題はない。

【０２８９】剥れにくさは、ポリウレタンゴム板（ＪＩ
Ｓ硬度Ｈｓ７０、板厚３ｍｍ）で水平方向に１０ｇ／ｃ
ｍの荷重で４５０ｍｍ／ｓｅｃの移動速度で摩擦して表
面状態を観察する。

【０２９０】この試験で３００万回の摺擦に耐えること
は好ましく、より好ましくは４００万回、更に好ましく
は５００万回の摺擦に耐えれば感光体としての耐久性に
問題はないといえる。

【０２９１】また、ステンレスボールの落下による表面
の割れ剥れの発生は耐打撃性の評価であるが、この発生
率は、好ましくは５０％以下、より好ましくは２０％以
下、更に好ましくは１０％以下とするのが望ましい。ま
た耐打撃性の優れたものはメンテナス時などに傷が付き
にくいことになり再使用のしやすさの目安とすることも
できる。

【０２９２】〔実験例９〕（再生による機能回復）実験例８で用いたサンプルＳを図１１に示す様な電子写
真装置にて５００万枚耐刷を行ったところ、表面層の一
部に剥れが発生していた。該耐刷済サンプルＳのフッ素
樹脂表面層をワイヤーブラシにて剥離し、再度同条件に
て三フッ化塩化エチレン−ビニル共重合体樹脂（酸価２
ｍｇＫＯＨ／ｇ、水酸基価４８ｍｇＫＯＨ／ｇ（ｃｈｌ
ｏｒｏｔｒｉｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ−ｖｉｎｙ
ｌｅｔｈｅｒｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）、架橋剤として
ジクミルパーオキサイド（ｄｉｃｕｍｉｎｙｌｐｅｒ
ｏｘｉｄｅ）を３重量％、キシレン（ｘｙｌｅｎｅ）を
溶媒に用いて塗布し、６０℃で３０分乾燥させ、厚さ
０．５μｍのフッ素樹脂層を形成し、耐刷試験を行った
ところ初期と同じ画質が再生された。

【０２９３】

【実施例】以下、実施例に基づき、本発明を更に詳細に
説明する。尚、本発明はこれらの実施例に限定されるも
のではなく、本発明の範囲内で適宜変形、組合せが可能
である。

【０２９４】〔実施例１〕〈ａ−Ｓｉ感光体表面フッ素
プラズマ処理の効果〉まず、φ１０８のアルミシリンダー上に、表１に示す様
な、電荷注入阻止層、光導電層、表面層を図４で示した
様な、ＲＦ成膜装置により成膜しａ−Ｓｉ感光体を作成
した。得られたａ−Ｓｉ感光体の純水の接触角は６５度
であった。

【０２９５】該感光体に図４に示した様な真空容器にフ
ッ化炭素（ＣＨＦ₃ ）（ｔｒｉｆｌｕｒｏｍｅｔｈａｎ
ｃ）ガスを４００ｓｃｃｍ、０．６ｏｒｒにて導入し、
１３．５６ＭＨｚのＲＦパワーを５００Ｗ投入し１０分
間プラズマ処理した。得られたａ-Si 感光体の純水の接
触角は８１度であった。

【０２９６】ついで、テトラエトキシシランＳｉ（ＯＣ
₂ Ｈ₅ ）₄ のアルコール溶液からなるゾル状分散液をデ
ィッピング法により塗布し、４０〜９０℃にて加熱乾燥
させ、更に３００℃に加熱して金属酸化物層を形成し、
さらに三フッ化塩化エチレン−ビニル共重合体樹脂（酸
価２ｍｇＫＯＨ／ｇ、水酸基価４８ｍｇＫＯＨ／ｇ）、
架橋剤として２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブ
チルパーオキシ）ヘキサン（２，５−ｄｉｍｅｔｈｌ−
２，５−ｂｉｓ（ｔ−ｂｕｔｙｌｐｅｒｏｘｙ）ｈｅｘ
ｓａｎ）を３重量％、キシレンを溶媒に用いて塗布
し、６０℃で３０分乾燥させ、厚さ０．５μｍのフッ素
樹脂層を形成した。

【０２９７】次いで、図１０に示した様な複写機にて、
プロセススピード４６０ｍｍ／ｓｅｃ、ブレード圧１２
ｇ／ｃｍなる条件で、５０万枚の耐刷試験を行ったとこ
ろ良好な画像が維持された。

【０２９８】〔比較例１〕プラズマ処理を行わない以外
は実施例１と同様の感光体を作成し、同様の評価を行っ
たところ、ヒビ状の画像欠陥が認められた。

【０２９９】〔実施例２〕〈フッ素樹脂被膜の効果〉まず、φ１０８のアルミシリンダー上に、表１に示す様
な、電荷注入阻止層、光導電層、表面層を図４で示した
様な、ＲＦ成膜装置により成膜しａ−Ｓｉ感光体を作成
した。得られたａ−Ｓｉ感光体の純水の接触角は７０度
であった。

【０３００】該感光体に図４に示した様な真空容器にフ
ッ化炭素（Ｃ₂ Ｆ₆ ）（ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｅｔｈａ
ｎｅ）ガスを３００ｓｃｃｍ、０．６Ｔｏｒｒにて導
入し、１３．５６ＭＨｚのＲＦパワーを７００Ｗ投入
し１０分間プラズマ処理した。得られたａ−Ｓｉ感光体
の純水の接触角は８３度であった。

【０３０１】ついで、テトラメトキシシランＳｉ（ＯＣ
Ｈ₃ ）₄ のアルコール溶液からなるゾル状分散液をディ
ッピング法により塗布し、４０〜９０℃にて加熱乾燥さ
せ、更に３００℃に加熱して金属酸化物層を形成し、さ
らに三フッ化塩化エレチン−ビニル共重合体樹脂（酸化
３ｍｇＫＯＨ／ｇ、水酸基価４４ｍｇＫＯＨ／ｇ）、架
橋剤としてジクミルパーオキサイド（ｄｉｃｕｍｉｎｙ
ｌｐｅｒｏｘｉｄｅ）を３重量％、キシレンを溶媒に用
いて塗布し、６０℃で３０分乾燥させ、厚さ０．５μｍ
のフッ素樹脂層を形成した。

【０３０２】次いで、図１０に示した様な複写機にて、
プロセススピード６００ｍｍ／ｓｅｃ、ブレード圧１５
ｇ／ｃｍなる条件で、５０万枚の耐刷試験を行ったとこ
ろ良好な画像が維持された。

【０３０３】〔比較例２〕フッ素樹脂被覆を行わない以
外は実施例２と同様の感光体を作成し、同様の評価を行
ったところ、すじ状のフィルミングによる軽微な画像欠
陥が認められた。〔実施例３〕〈架橋剤の効果〉まず、φ１０８のアルミシリンダー上に、表１に示す様
な、電荷注入阻止層、光導電層、表面層を図４で示した
様な、ＲＦ成膜装置により成膜しａ−Ｓｉ感光体を作成
した。得られたａ−Ｓｉ感光体の純水の接触角は７５度
であった。

【０３０４】該感光体に図４に示した様な真空容器にフ
ッ化炭素（ＣＦ₄ ）ガスを５００ｓｃｃｍ、０．６Ｔｏ
ｒｒにて導入し、１３．５６ＭＨｚのＲＦパワーを５０
０Ｗ投入し１０分間プラズマ処理した。得られたａ−Ｓ
ｉ感光体の純水の接触角は８５度であった。

【０３０５】ついで、（トリデカフルオロ−１、１、
２、２−テトラヒドロオクチル）トリエトキシシラン
（（ｔｒｉｄｅｋａｆｌｕｏｒｏ−１，１，２，２−ｔ
ｅｔｒａｈｙｄｒｏｏｃｔｙｌ）ｔｒｉｅｔｈｏｘｙｓ
ｉｌａｎｅＣ₁₄Ｈ₁₉Ｆ₁₃Ｏ₃Ｓｉ、Ｃ₆Ｆ₁₃ＣＨ₂ＣＨ
₂Ｓｉ（ＯＥｔ）₃のアルコール溶液からなるゾル状分
散液をディピング法により塗布し、４０〜９０℃にて加
熱乾燥させ、更に３００℃に加熱して金属酸化物層を形
成し、さらに三フッ化塩化エチレン−ビニル共重合体樹
脂（酸価３ｍｇＫＯＨ／ｇ、水酸基価４４ｍｇＫＯＨ／
ｇ）、架橋剤としてジクミルパーオキサイド（ｄｉｃｕ
ｍｉｎｙｌｐｅｒｏｘｉｄｅ）を３重量％、キシレン
を溶媒に用いて塗布し、６０℃で３０分乾燥させ、厚さ
０．５μｍのフッ素樹脂層を形成した。

【０３０６】次いで、図１０に示した様な複写機にて、
プロセススピード５００ｍｍ／ｓｅｃ、ブレード圧１０
ｇ／ｃｍなる条件で、５０万枚の耐刷試験を行ったとこ
ろ良好な画像が維持された。

【０３０７】〔比較例３〕フッ素樹脂被覆時に添加する
架橋剤を過酸化物架橋剤を用いず、ブロックイソシアネ
ート（ｂｌｏｃｋｅｄｉｓｏｃｙａｎａｔｅ）に変更
した以外は実施例３と同様の感光体を作成し、同様の評
価を行ったところ、島状のフッ素樹脂層剥れによる画像
欠陥が認められた。

【０３０８】

【表１】

【０３０９】

【表２】

【０３１０】

【発明の効果】上記したように、本発明によればフィル
ミングの発生を防ぎ、フィルミングによる画像欠陥の防
止を行ない得る電子写真感光体、その製造方法及びそれ
を有する電子写真装置を提供することができる。

【０３１１】また本発明によればハーフトーンにおいて
も画像劣化を生じることのない電子写真感光体、その製
造方法及びそれを有する電子写真装置を提供することが
できる。

【０３１２】更に本発明によればより転写性能が向上
し、現像剤の利用効率を高めることが可能でフィルミン
グの生じにくい電子写真感光体、その製造方法及びそれ
を有する電子写真装置を提供することができる。

【０３１３】加えて本発明によれば、高速複写を行って
もフィルミングが生じにくく、画像品位の低下を生じな
い電子写真感光体、その製造方法及びそれを有する電子
写真装置を提供することができる。

【０３１４】導電性基板上の感光層表面に、フッ素を含
有する原料ガスを用いたエッチング処理を施し、表面平
滑性を表面の純水の接触角が８０度以上とし、次いで有
機金属化合物に水とアルコールと酸とを混合したゾル状
溶液を付与後、加熱することで密着性に優れ、かつ強靱
な金属酸化膜層を形成することができる。

【０３１５】また、導電性基板上の感光体上に形成され
る金属酸化層にフッ素を含有させる事により、更に密着
性に優れ、かつ強靱で撥水性の高い金属酸化膜表面層を
形成することができる。

【０３１６】また、導電性基板上感光体上に形成される
金属酸化膜層上に、酸価２以上、水酸基化５０以下の三
フッ化塩化エチレン共重合体を過酸化物で架橋されたフ
ッ素樹脂層を積層する事により、密着性に優れ、かつ強
靱で更に撥水性の高い表面を形成することができる。

【０３１７】導電性基板上の感光体表面に、フッ素を含
有する原料ガスを用いたエッチング処理を施し、表面平
滑性を表面の純水の接触角が８０度以上次いで有機金属
化合物に水とアルコールと酸とを混合し溶液を付与後、
加熱しすることで密着性に優れ、かつ強靱な金属酸化層
を形成させた電子写真感光体を用いた電子写真装置は稼
働率が高いものとなる。

【０３１８】また感光体は更にクリーニング手段として
たとえばカウンターブレードを用いその当接線圧が５ｇ
／ｃｍ１５ｇ／ｃｍとし、回転周速が４５０ｍｍ／ｓｅ
ｃ〜６００ｍｍ／ｓｅｃとして使用してもトナー融着に
よる画像劣化の少ない良好な画像を提供することが可能
となる。

【０３１９】また、金属酸化膜表面層上に更に酸価２以
上、水酸基化５０以下の三フッ化塩化エチレン共重合体
を過酸化物で架橋されたフッ素樹脂層を積層する事によ
り、高速でトナー融着による画像劣化の更に少ない良好
な画像を提供可能な電子写真装置を提供することが可能
となる。

【０３２０】又、本発明によれば電子写真感光体の打痕
傷等補修不可能なダメージを防止乃至「スプレー塗布」
と「ディッピング塗布」等公知の塗布工程で、高価な装
置、大量のエネルギーを用いることなく容易に張り替え
が可能となるばかりか、商品寿命に達した電子写真装置
からａ−Ｓｉ系感光体を回収し、再塗工と再検査を済ま
せた後該感光体を新型の電子写真装置に搭載して、販売
するといった資源を有効利用した、良好な商品サイクル
システムの確立が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真感光体の層構成の一例を説明
するための模式的断面図。

【図２】本発明の電子写真感光体の層構成の一例を説明
するための模式的断面図。

【図３】本発明の電子写真感光体の層構成の一例を説明
するための模式的断面図。

【図４】本発明の電子写真感光体の製造装置の一例を説
明するための模式的構成図。

【図５】本発明の電子写真感光体の製造装置の一例を説
明するための模式的構成図。

【図６】本発明の電子写真感光体の製造装置の一例を説
明するための模式的構成図。

【図７】本発明の電子写真感光体の製造装置の一例を説
明するための模式的構成図。

【図８】感光層表面にゾル溶液又は樹脂溶液の付与方法
を説明するための装置の模式的構成図。

【図９】感光層表面にゾル溶液又は樹脂溶液の付与方法
を説明するための装置の模式的構成図。

【図１０】電子写真装置の好適な一例を説明するための
概略的構成図。

【図１１】電子写真装置の好適な一例を説明するための
概略的構成図。

【図１２】接触角と滑り性・フィルミング性との関係を
示すグラフ。

【図１３】感光体表面の接触角と剥れ発生率との関係を
示すグラフ。

【図１４】酸価と金属酸化物層とフッ素樹脂の接着性を
説明するグラフ。

【図１５】水酸基価とフッ素樹脂の吸湿性を説明するグ
ラフ。

【図１６】ブレード圧（カウンター・トレーリング）と
クリーニング性との関係を示すグラフ。

【図１７】表面層による耐衝撃性の関係を示すグラフ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者新納博明東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者河田将也東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と基板上にシリコンを母体とし、光
導電性を有する非単結晶材料の光導電層を有する感光層
を備えた電子写真感光体において、前記感光層上に感光
層の表面の純水との接触角を８０度以上にした後に有機
金属化合物に水、アルコール又は酸を混合したゾル状溶
液を付与後、加熱して得られる金属酸化物層を有するこ
とを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】請求項１において、前記有機金属化合物
はＳｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕか
らなる群から選択される少なくとも１種の元素を有する
電子写真感光体。
【請求項３】請求項１において、前記金属酸化物層は
Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕから
なる群から選択される少なくとも１種の元素を有する電
子写真感光体。
【請求項４】請求項１において、前記金属酸化物層は
ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ ₃、ＺｎＯ、ＴｉＯ₂、Ｆｅ
₃Ｏ₄、ＣＯ₃Ｏ₄、ＮｉＯ、ＣｕＯからなる群から選
択される少なくとも１つを含む電子写真感光体。
【請求項５】請求項１において、前記金属酸化物はフ
ッ素原子を有する電子写真感光体。
【請求項６】請求項１において、前記金属酸化物層上
にフッ素含有樹脂層を有する電子写真感光体。
【請求項７】請求項１において、前記金属酸化物層の
層厚は０．０１μｍ〜５μｍである電子写真感光体。
【請求項８】請求項６において、前記フッ素含有樹脂
層の層厚は０．０１μｍ〜５μｍである電子写真感光
体。
【請求項９】請求項１において、前記基板と光導電層
との間に電荷注入阻止層を有する電子写真感光体。
【請求項１０】請求項１において、前記光導電層と前
記金属酸化物層との間にそれらの層とは異なる層を有す
る電子写真感光体。
【請求項１１】基板と、該基板上にシリコンを母体と
し、光導電性を有する非単結晶材料の光導電層を有する
感光層を備えた電子写真感光体と、該感光体表面を帯電
する手段と、光照射により潜像を形成する光照射手段
と、潜像を現像剤により可視可する現像手段と、前記電
子写真感光体表面に付着した不要な現像剤を除去するク
リーニング手段とを有する電子写真装置で、前記感光層
上に感光層の表面の純水との接触角を８０度以上にした
後に有機金属化合物に水、アルコール又は酸を混合した
ゾル状溶液を付与後加熱して得られる金属酸化膜表面層
を有する電子写真感光体を有することを特徴とする電子
写真装置。
【請求項１２】請求項１１において、前記有機金属化
合物はＳｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃ
ｕからなる群から選択される少なくとも１種の元素を有
する電子写真装置。
【請求項１３】請求項１１において、前記金属酸化物
層は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃ
ｕからなる群から選択される少なくとも１種の元素を有
する電子写真装置。
【請求項１４】請求項１１において、前記金属酸化物
層は、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｎＯ、ＴｉＯ₂、Ｆｅ
₃Ｏ₄、ＣＯ₃Ｏ₄、ＮｉＯ、ＣｕＯからなる群から選
択される少なくとも１つを含む電子写真装置。
【請求項１５】請求項１１において、前記金属酸化物
はフッ素原子を有する電子写真装置。
【請求項１６】請求項１１において、前記金属酸化物
層上にフッ素含有樹脂層を有する電子写真装置。
【請求項１７】請求項１１において、前記金属酸化物
層の層厚は０．０１μｍ〜５μｍである電子写真装置。
【請求項１８】請求項１６において、前記フッ素含有
樹脂層の層厚は０．０１μｍ〜５μｍである電子写真装
置。
【請求項１９】請求項１１において、前記基板と光導
電層との間に電荷注入阻止層を有する電子写真装置。
【請求項２０】請求項１１において、前記光導電層と
前記金属酸化物層との間にそれらの層とは異なる層を有
する電子写真装置。
【請求項２１】請求項１１において、前記クリーニン
グ手段はブレードを有する電子写真装置。
【請求項２２】請求項２１において、前記ブレードは
カウンターブレードである電子写真装置。
【請求項２３】請求項２１において、前記ブレードは
トレーリングブレードである電子写真装置。
【請求項２４】請求項２１において、前記ブレードの
線圧は５ｇ／ｃｍ〜１５ｇ／ｃｍである電子写真装置。
【請求項２５】請求項１１において、前記感光体の回
転周速は４５０ｍｍ／ｓｅｃ〜６００ｍｍ／ｓｅｃであ
る電子写真装置。
【請求項２６】請求項１１において、更に感光体表面
に付与されたトナーを転写するための転写帯電器を有す
る電子写真装置。
【請求項２７】請求項１１において、更に感光体の曲
率によって搬送された被記録材を分離し易くするため分
離帯電器を有する電子写真装置。
【請求項２８】請求項１１において、更に除電光源を
有する電子写真装置。
【請求項２９】請求項１１において、前記光照射手段
はレーザー光源である電子写真装置。
【請求項３０】シリコンを母体とし、光導電性を有す
る非単結晶材料の光導電層を有する感光層の表面をフッ
素含有ガス雰囲気中でプラズマ処理して、前記表面の純
水との接触角を８０度以上とし、次いで有機金属化合物
を利用して得られるゾル状分散液を前記プラズマ処理さ
れた表面に付与し、加熱して金属酸化物を形成してなる
ことを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項３１】請求項３０において、前記フッ素含有
ガスはフッ化カーボン及びその誘導体から選択される電
子写真感光体の製造方法。
【請求項３２】請求項３０において、前記フッ素含有
ガスはＣＣｌ₃Ｆ、ＣＣｌ₂Ｆ₂、ＣＢｒＣｌＦ₂、Ｃ
ＣｌＦ₃、ＣＢｒＦ₃、ＣＦ₄、ＣＨＣｌＦ ₂、ＣＨＦ
₃、Ｃ₂Ｃｌ₄Ｆ₂、Ｃ₂Ｃｌ₃Ｆ₃、Ｃ₂Ｃｌ
₂Ｆ₄、Ｃ₂ＣｌＦ ₅、Ｃ₂Ｆ₆、Ｃ₂Ｈ₃ＣｌＦ₂、
Ｃ₂Ｈ₄Ｆ₂、Ｃ₂Ｈ₄Ｆ₂、Ｃ₃Ｆ₈からなる群から
選択される少なくとも１種である電子写真感光体の製造
方法。
【請求項３３】請求項３０において、前記雰囲気中に
は更に不活性ガス及びＨ₂からなる群から選択された少
なくとも１種を有する電子写真感光体の製造方法。
【請求項３４】請求項３３において、前記不活性ガス
はＡｒ又はＨｅである電子写真感光体の製造方法。
【請求項３５】請求項３０において、前記プラズマ処
理は０．３Ｔｏｒｒ〜０．７Ｔｏｒｒの圧力下で行われ
る電子写真感光体の製造方法。
【請求項３６】請求項３０において、前記プラズマ処
理は室温から２００℃の温度下で行われる電子写真感光
体の製造方法。
【請求項３７】請求項３０において、前記ゾル状分散
液はディッピング法又はスプレー法によって付与される
電子写真感光体の製造方法。
【請求項３８】請求項３０において、前記有機金属化
合物は金属アルコキシドを有する電子写真感光体の製造
方法。
【請求項３９】請求項３０において、前記有機金属化
合物は金属キレートを有する電子写真感光体の製造方
法。
【請求項４０】請求項３８において、前記金属アルコ
キシドは一般式Ｍ（ＯＲ）ｎ（ｎは１以上の整数、Ｍは
金属原子、ＲはＣ_n Ｈ_2n-1又はＣ₆Ｈ₆）で表わされる
電子写真感光体の製造方法。
【請求項４１】請求項４０において、前記金属原子は
Ｎａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｚ
ｒ、Ｙ、Ｅｕから選択される電子写真感光体の製造方
法。
【請求項４２】請求項３８において、前記金属アルコ
キシドはアルコールに溶解し加水分解される電子写真感
光体の製造方法。
【請求項４３】請求項３９において、前記金属キレー
トはアセチルアセトナートを有する電子写真感光体の製
造方法。
【請求項４４】請求項３０において、前記表面に付与
されたゾル状分散液は得られる金属酸化物の厚さの１０
０〜５００倍の厚さとされる電子写真感光体の製造方
法。
【請求項４５】請求項３０において、前記金属酸化物
の層厚は０．０１〜５μｍ有する電子写真感光体の製造
方法。
【請求項４６】請求項３０において、前記金属酸化物
はＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｎＯ、ＴｉＯ₂、Ｆｅ₃Ｏ
₄、Ｃｏ₃Ｏ₄、ＮｉＯ、ＣｕＯから選択される電子写
真感光体の製造方法。
【請求項４７】請求項３０において、前記有機金属化
合物はフッ素を有する電子写真感光体の製造方法。
【請求項４８】請求項３０において、前記金属酸化物
上にフッ素含有樹脂層を形成する工程を有する電子写真
感光体の製造方法。
【請求項４９】請求項４８において、前記フッ素樹脂
はフルオロエチレンとビニルモノマーの共重合体から形
成される電子写真感光体の製造方法。
【請求項５０】請求項４９において、前記共重合体の
酸価は２以上である電子写真感光体の製造方法。
【請求項５１】請求項４９において、前記共重合体の
水酸基価は５０以下である電子写真感光体の製造方法。
【請求項５２】請求項４９において、前記共重合体は
過酸化物で架橋される電子写真感光体の製造方法。
【請求項５３】請求項４９において、前記共重合体は
三フッ化塩化エチレンとビニルモノマーとの共重合体で
ある電子写真感光体の製造方法。
【請求項５４】請求項５２において、前記過酸化物は
有機過酸化物である電子写真感光体の製造方法。
【請求項５５】請求項５２において、前記過酸化物は
前記共重合体に対して０．５重量％乃至５重量％添加さ
れる電子写真感光体の製造方法。
【請求項５６】請求項４９において、更に酸成分を有
する電子写真感光体の製造方法。
【請求項５７】請求項５６において、前記酸成分は
（メタ）アクリル酸、マレイン酸、フマル酸、オレイン
酸、二塩基酸から選択される電子写真感光体の製造方
法。
【請求項５８】請求項４８において、前記フッ素含有
樹脂の層厚は０．０１μｍ〜５μｍである電子写真感光
体の製造方法。
【請求項５９】請求項４８において、前記フッ素含有
樹脂はディッピング又はスプレー法により形成される電
子写真感光体の製造方法。
【請求項６０】請求項４３において、アセチルアセト
ナートは側鎖にフッ素を有する電子写真感光体の製造方
法。
【請求項６１】基板と、該基板上に設けられた感光層
と、該感光層上に有機金属化合物を利用したゾル状分散
液を付与、加熱して得られる金属酸化膜を有することを
特徴とする電子写真感光体。
【請求項６２】請求項６１において、前記有機金属化
合物はＳｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃ
ｕからなる群から選択される少なくとも１種の元素を有
する電子写真感光体。
【請求項６３】請求項６１において、前記金属酸化物
層はＳｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ
からなる群から選択される少なくとも１種の元素を有す
る電子写真感光体。
【請求項６４】請求項６１において、前記金属酸化物
層はＳｉＯ₂、Ａｌ ₂Ｏ₃、ＺｎＯ、ＴｉＯ₂、Ｆｅ₃
Ｏ₄、Ｃｏ₃Ｏ₄、ＮｉＯ、ＣｕＯからなる群から選択
される少なくとも１つを含む電子写真感光体。
【請求項６５】請求項６１において、前記金属酸化物
層はフッ素原子を有する電子写真感光体。
【請求項６６】請求項６１において、前記金属酸化物
層上にフッ素含有樹脂層を有する電子写真感光体。
【請求項６７】請求項６１において、前記金属酸化物
層の層厚は０．０１μｍ〜５μｍである電子写真感光
体。
【請求項６８】請求項６６において、前記フッ素含有
樹脂層の層厚は０．０１μｍ〜５μｍである電子写真感
光体。
【請求項６９】請求項６１において、前記基板と光導
電層との間に電荷注入阻止層を有する電子写真感光体。
【請求項７０】請求項６１において、前記光導電層と
前記金属酸化物層との間にそれらの層とは異なる層を有
する電子写真感光体。
【請求項７１】請求項６１の電子写真感光体が使用可
能な電子写真装置。