JPH0511480A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】導電性支持体上に光導電層と表面層を順次積層
して成る非晶質の光受容層を有する光受容部材におい
て、光導電層はシリコン原子と水素原子とハロゲン原子
を構成要素とし、表面層がシリコン原子と水素原子を構
成要素として炭素原子と酸素原子と弗素原子および周期
律表第III 族元素を同時に含有する。 【効果】非単晶質シリコンを主体とする非単結晶材料で
構成される光受容部材の電気的特性、画像特性、耐久性
を向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光（ここでは広義の光で
あって、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線などを
意味する）のような電磁波に対して感受性のある光受容
部材に関する。

【０００２】

【従来の技術】像形成分野において、光受容部材におけ
る光受容層を形成する光導電材料としては、高感度で、
ＳＮ比［光電流（Ｉ_D）／暗電流（Ｉ_d）］が高く、照射
する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトル
を有すること、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有す
ること、使用時において人体に対して無害であること、
等の特性が要求される。特に、事務機としてオフィスで
使用される電子写真装置内に組み込まれる電子写真用光
受容部材の場合には、上記の使用時における無公害性は
重要な点である。

【０００３】このような点に立脚して最近注目されてい
る光導電材料にアモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓ
ｉ」と記す）があり、例えばドイツ国特許出願公開第２
７４６９６７号公報、同第２８５５７１８号公報等に
は、電子写真用光受容部材としての応用が記載されてい
る。

【０００４】図３は、従来の電子写真用光受容部材２０
０の層構成を模式的に示す断面図であって、２０１は導
電性支持体、２０２はａ−Ｓｉからなる光受容層であ
る。このような電子写真用光受容部材は、一般的には、
導電性支持体２０１を５０℃〜４００℃に加熱し、この
支持体上に真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶ
Ｄ法等の成膜法によりａ−Ｓｉからなる感光層２０２を
作製する。なかでもプラズマＣＶＤ法、すなわち原料ガ
スを直流または高周波あるいはマイクロ波グロー放電に
よって分解し、支持体上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成する方
法が好適なものとして実用に付されている。

【０００５】特開昭５６−８３７４６号公報において
は、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素として含
むａ−Ｓｉ（以下「ａ−Ｓｉ：Ｘ」と記す）光導電層か
らなる電子写真用光受容部材が提案されている。この公
報においては、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１乃至４０原
子％含有させることにより、ダングリングボンドを補償
してエネルギーギャップ内の局在準位密度を低減し、電
子写真用光受容部材の光導電層として好適な電気的、光
学的特性を得ることができるとされている。

【０００６】特開昭５８−１０８５４４号公報において
は、導電性支持体と、水素原子またはハロゲン原子およ
び構成要素とするａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘの光導電層性を示す
第１の層領域と、シリコン原子と炭素原子とハロゲン原
子および水素原子とを構成要素とする非晶質材料で構成
されている第２の層領域とからなる非晶質層を有する光
導電部材が提案されている。

【０００７】特開昭５８−２１９５６０号公報において
は、アモルファス水素化および／または弗素化炭化シリ
コン（以下「ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｆ」と記す）に周期律表
第III族Ａ元素を含有させた表面層を有する電子写真感
光体が提案されている。

【０００８】特開昭６０−６７９５０号公報および特開
昭６０−６７９９５１号公報においては、ａ−Ｓｉに炭
素と弗素と酸素を含有する透光絶縁性オーバーコート層
を有する感光体が提案されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ａ−Ｓｉ材料で構成された光導電層を有する電子写真用
光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気
的、光学的、光導電特性、および使用環境特性の点、さ
らには経時安定性および耐久性の点において、個々には
特性の向上が図られてはいるが、総合的な特性向上を図
る上でさらに改良される余地が存在するのが実情であ
る。

【００１０】特に現在、電子写真装置にはさらに高画
質、高速、高耐久性が望まれている。その結果、電子写
真用光受容部材においては、電気的特性や光導電特性の
更なる向上とともに、高帯電能、高感度を維持しつつ、
あらゆる環境下で大幅に耐久性を延ばすことが求められ
ている。

【００１１】たとえば、ａ−Ｓｉ材料を電子写真用光受
容部材に適用した場合に、高感度化、高暗抵抗化を同時
に図ろうとすると、従来においては、その使用時におい
て残留電位が残る場合が度々観測され、この種の光受容
部材は長期間使用し続けると、繰り返し使用による疲労
の蓄積が起こって残像、いわゆる「ゴースト」現象を生
ずるようになる等の不都合な点が少なくなかった。また
従来は、高帯電能と画像流れの防止とを高いレベルで両
立させることが難しかった。

【００１２】また近年、電子写真装置の画像特性向上の
ために電子写真装置内の光学露光系、現像装置、転写装
置等の改良がなされた結果、電子写真用光受容部材にお
いても、従来以上の画像特性の向上が求められるように
なった。特に、画像の解像力が向上した結果、一般に
「ポチ」と呼ばれる、黒点状または白点状の画像欠陥の
減少、特には従来はあまり問題にされなかった微少な大
きさの「ポチ」の減少が求められるようになってきた。
特に「ポチ」に関しては、その原因のほとんどが球状突
起と呼ばれる膜の異常成長であり、その発生数を減らす
と同時に球状突起が画像欠陥として発現しないようにす
ることが非常に重要である。また連続して画像形成を行
なった場合に、初期画像より「ポチ」が増加する現象が
みられることがあり、このような耐久時の「ポチ」の増
加も低減させることが求められている。この原因の一つ
として、連続して画像形成を行なうことによって転写紙
の紙粉が分離帯電器に堆積し、異常放電を誘発し、電子
写真用光受容部材の一部が絶縁破壊することによって発
生する、いわゆる「リークポチ」が挙げられる。「リー
クポチ」は、膜の異常成長である球状突起部に選択的に
発生し易いので、球状突起を減少させることと同時に、
光受容部材の電気的耐圧性を向上させて絶縁破壊を発生
し難くすることは、「リークポチ」の防止のために非常
に効果的である。

【００１３】また近年、地球環境の保護推進の一環とし
て、電子写真装置においても再生紙の使用が増加してい
るが、再生紙は製紙工程での添加物や紙粉の発塵が従来
の新紙に較べて多い。そのため例えば古新聞の再生紙の
漂白剤として使用されている白土等の添加剤によって電
子写真用光導電部材の表面が傷つけられたり、またサイ
ズ剤（表面処理剤）として使用されているロジン等が光
受容部材の表面に付着してトナーの融着画像流れを引き
起こす等の問題があり、再生紙の品質改善と同時に電子
写真用光導電部材表面のさらなる改良が求められるよう
になった。

【００１４】従って、画像欠陥の低減と耐久性の向上と
いう観点から、電子写真用光受容部材においては、電気
的特性や光導電特性を高い状態で維持しつつ、画像欠陥
の原因となる異常成長の発生を防止し、かつ電気的耐圧
性を向上させて、あらゆる環境下で大幅に耐久性能を延
ばすことが求められている。

【００１５】さらに近年、電子写真用光受容部材の製造
コストを低減するために、例えば、後述のマイクロ波プ
ラズマＣＶＤ法等の堆積膜作製方法によって堆積速度を
速くした状態で電子写真用光受容部材を形成すると、膜
質に不均一性が生じたり、膜内部の応力によってａ−Ｓ
ｉ膜に微少なクラックやはがれが生じ、また各層間の密
着性が低下して、生産性における歩留まりが減少すると
いう問題点があった。したがって、ａ−Ｓｉ材料そのも
のの特性改良が図られる一方で、電子写真用光受容部材
を設計する際に、上記のような問題の全てが解決される
ように電子写真用光受容部材の層構成、各層の化学的組
成、作成法などが総合的な観点から改良されることが必
要とされている。

【００１６】本発明は上記の点に鑑み成されたものであ
って、上述のようなシリコン原子を母体とする材料で構
成された従来の光受容層を有する電子写真用光受容部材
における諸問題を解決することを目的とするものであ
る。

【００１７】すなわち、本発明の主な目的は、電気的、
光学的、光電的特性が使用環境にほとんど依存すること
なく実質的に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰り
返し使用に際しても劣化現象を起こさず、特に非常に画
像特性、耐久性に優れ、残留電位が全くかまたはほとん
ど観測されない、シリコン原子を母体とする材料で構成
された光受容層を有する電子写真用光受容部材を提供す
ることにある。

【００１８】本発明の他の目的は、電子写真用光受容部
材として適用させた場合、静電像形成のための帯電処理
の際の電荷保持能力が充分であり、通常の電子写真法が
きわめて有効に適用され得る優れた電子写真特性を示
す、シリコン原子を母体とする材料で構成された光受容
層を有する電子写真用光受容部材を提供することにあ
る。

【００１９】本発明の別の目的は、長期の使用において
画像欠陥の増加や画像流れが全くなく、濃度が高く、ハ
ーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質画像
を容易に得ることができる、シリコン原子を母体とする
材料で構成された光受容層を有する電子写真用光受容部
材を提供することにある。

【００２０】本発明のさらに別の目的は、高感度性、高
Ｓ／Ｎ比特性および高電気的耐圧性を有するシリコン原
子を母体とする材料で構成された光受容層を有する電子
写真用光受容部材を提供することにある。

【００２１】

【課題を解決するため手段】本発明の光受容部材は、導
電性支持体上に、シリコン原子母体とする非単結晶材料
で構成された光導電層および表面層を順次積層せしめた
光受容部材において、前記光導電層はシリコン原子（Ｓ
ｉ）を母体とし、少なくとも水素原子（Ｈ）および／ま
たはハロゲン原子（Ｘ）を含有する非単結晶材料（以下
「ｎｏｎ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘ」と記す）で構成され、前記表
面層は少なくとも炭素原子、水素原子、ハロゲン原子、
周期律表第III族元素と、さらに酸素原子または窒素原
子を同時に含有することを特徴とする。

【００２２】また本発明の光導電部材のもう１つの特徴
は、導電性支持体上に、光導電層と表面層とからなる光
受容層を有する光受容部材において、前記光導電層はシ
リコン原子を母体とし、少なくとも水素原子および／ま
たはハロゲン原子を含有する非単結晶材料で構成され、
前記表面層はシリコン原子を母体とする非単結晶材料で
構成され、かつ表面層は少なくとも炭素原子、水素原
子、ハロゲン原子、周期律表第III族元素と、さらに酸
素原子および／または窒素原子を同時に含有し、その少
なくとも１つの含有量が層厚方向に分布しており、かつ
炭素原子の含有量がその最表面もしくは最表面近傍にお
いてシリコン原子と炭素原子の和に対して７０原子％以
上９０原子％以下であり、かつ酸素原子および／または
窒素原子の含有量が３０原子％以下であり、かつ水素原
子とハロゲン原子の含有量の和が８０原子％以下であ
り、かつ周期律表第III族元素の含有量が１×１０⁵原子
ｐｐｍ以下であることである。

【００２３】上記したような層構成をとるように設計さ
れた本発明の電子写真用光受容部材は、前記諸問題を解
決し、きわめて優れた電気的特性、光学的特性、光導電
特性、画像特性、耐久性および使用環境特性を示す。

【００２４】特に、連続して画像形成を行なう耐久時の
「リークポチ」の増加が極めて少なく、耐摩耗性、耐湿
性に優れ、その電気的特性が安定しており、高感度、高
ＳＮ比を有するものであって、繰り返し使用特性、電気
的耐圧性に長けるために、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安定し
て繰り返し得ることができる。また、デジタル信号に基
づく画像の形成にも適用することができる。

【００２５】すなわち、本発明においては、光導電層に
含有する水素原子および／またはハロゲン原子が、シリ
コン原子の未結合手を補償して、層品質の向上、特に光
導電特性の向上に効果を発揮する。

【００２６】また、前記表面層がシリコン原子を母体と
し、炭素原子と水素原子とハロゲン原子と周期律表第II
I族元素と、さらに酸素原子または窒素原子を同時に含
有することにより、これらの相乗効果によって電気的耐
圧性を飛躍的に向上することができる。その結果膜の異
常成長である球状突起がある程度存在しても、それが
「ポチ」等の画像欠陥として発現する事を非常に少なく
できる。また、耐久時において、電子写真プロセスの中
で分離帯電器が異常放電を起こしても光受容部材の一部
が絶縁破壊されることがなく「リークポチ」の発生を極
めて少なくすることができる。

【００２７】さらにまた、耐久時において再生紙を使用
する場合においても、シリコン原子を母体とする前記表
面層に、炭素原子と水素原子とハロゲン原子と周期律表
第III族元素とさらに酸素原子または窒素原子を同時に
含有させることにより、その相乗効果によって表面硬度
が向上して再生紙中の添加物による表面傷の発生を防止
することができる。さらに再生紙に多く含まれるロジン
等のサイズ剤の光受容部材の表面への付着を効果的に防
止し、長期使用時におけるトナーの融着および画像流れ
を極めて少なくすることができる。

【００２８】また、さらに前記表面層の含有原子で、酸
素原子と窒素原子はそのどちらを含有させた場合も同じ
効果が得られ、また両者を同時に含有させてもその効果
は変わらない。

【００２９】以下、図面にしたがって本発明の電子写真
用光受容部材について具体例を挙げて詳細に説明する。

【００３０】図１および図２は、本発明の電子写真用光
受容部材の好適な層構成を説明するために模式的に示し
た構成図である。

【００３１】図１に示す電子写真用光受容部材１１００
は、電子写真用光受容部材用としての導電性支持体１１
０１の上に、ｎｏｎ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘで構成される光導電
層１１０２と、ｎｏｎ−Ｓｉ：Ｈで構成され、少なくと
も炭素原子、ハロゲン原子、周期律表第III族元素と、
さらに酸素原子または窒素原子を含有する表面層１１０
３とからなる層構成を有する光受容層１１０４を有し、
光受容層１１０４は自由表面１１０５を有する構成のも
のである。

【００３２】また図２に示す電子写真用光受容部材１２
００は、Ｓｉ：Ｈ，Ｘで構成される光導電層１２０２と
導電性支持体１２０１との間に電荷注入阻止層１２０４
を有する以外は、構成上において図１に示される電子写
真用光受容部材１１００と本質的に同じものである。光
受容層２１０５は、自由表面２１０６を有する。支持体 本発明において使用される導電性支持体としては、例え
ば、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，
Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、およびこれらの合
金、例えばステンレス鋼等挙げられる。また、ポリエス
テル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチ
レン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシー
ト、ガラス、セラミック等の電気絶縁性支持体の、少な
くとも光受容層を形成する側の表面を導電処理した支持
体も用いることができる。

【００３３】さらに光受容層を形成する側とは反対側の
表面も導電処理する事がより好ましい。

【００３４】支持体の形状は、平滑表面あるいは凹凸表
面の円筒状または板状無端ベルト状であることができ、
その厚さは、所望通りの電子写真用光受容部材を形成し
得るように適宜決定するが、電子写真用光受容部材とし
ての可撓性が要求される場合には、支持体としての機能
が充分発揮できる範囲内で可能な限り薄くすることがで
きる。しかしながら、支持体の製造および取り扱い上、
機械的強度等の点から通常は１０μｍ以上とされる。

【００３５】特にレーザー光などの可干渉性光を用いて
像記録を行なう場合には、可視画像において現われる、
いわゆる干渉縞模様による画像不良を解消するために、
支持体表面に凹凸を設けてもよい。

【００３６】支持体表面に設けられる凹凸は、特開昭６
０−１６８１５６号公報、同６０−１７８４５７号公
報、同６０−２２５８５４号公報等に記載された公知の
方法により形成される。

【００３７】またレーザー光などの可干渉光を用いた場
合の干渉縞模様による画像不良を解消する別の方法とし
て、支持体表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を
設けてもよい。すなわち、支持体の表面が電子写真用光
受容部材に要求される解像力よりも微少な凹凸を有し、
しかもこの凹凸は、複数の球状痕跡窪みによるものであ
る。支持体表面に設けられる複数の球状痕跡窪みによる
凹凸は、特開昭６１−２３１５６１号公報に記載された
公知の方法により作成することができる。光導電層 本発明における光導電層は、シリコン原子を母体とし、
少なくとも水素原子および／またはハロゲン原子を含む
ｎｏｎ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘにより構成され、所望の光導電特
性を有する。

【００３８】光導電層に含有される水素原子および／ま
たはハロゲン原子は、シリコン原子の未結合手を補償
し、層品質の向上、特に光導電特性の向上に効果を発揮
する。水素原子またはハロゲン原子の含有量、もしくは
水素原子とハロゲン原子の含有量の和は、好適には１〜
４０原子％、より好ましくは５〜３５原子％、最適には
１０〜３０原子％とされる。

【００３９】光導電層に含有されるハロゲン原子（Ｘ）
として好適なのは弗素、塩素、臭素、ヨウ素であり、特
に弗素、塩素が望ましい。

【００４０】本発明において、光導電層は真空堆積膜形
成方法によって、所望特性が得られるように適宜成膜パ
ラメーターの数値条件が設定されて作成される。具体的
には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波Ｃ
ＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ
法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング
法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ
法、熱ＣＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成す
ることができる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設
備資本投資下の負荷程度、製造規模、作成される電子写
真用光受容部材に所望される特性等の要因によって適宜
選択されて採用されるが、所望の特性を有する電子写真
用光受容部材を製造するに当たっての条件の制御が比較
的容易であることから、グロー放電法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法が好適である。これらの方
法は同一装置系内で併用してもよい。たとえば、グロー
放電法によってｎｏｎ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘの光導電層を形成
するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得
るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得
るＨ供給用の原料ガスと、ハロゲン原子（Ｘ）を供給し
得るＸ供給用原料ガスとを、内部が減圧にし得る反応容
器内に所望のガス状態で導入して、この反応容器内にグ
ロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置され
てある所定の支持体表面上にｎｏｎ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘから
なる層を形成すればよい。

【００４１】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ₄，Ｓｉ₂Ｈ₆，Ｓｉ₃Ｈ
₈，Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状態の、またはガス化し得る水素
化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げ
られ、さらに層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の
良さ等の点でＳｉＨ₄，Ｓｉ₂Ｈ₆が好ましいものとして
挙げられる。また、これらのＳｉ供給用の原料ガスを必
要に応じてＨ₂，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈
して使用してもよい。

【００４２】本発明において使用されるハロゲン原子供
給用ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙
げられ、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化合物、ハロ
ゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等の
ガス状のまたはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく
挙げられる。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原
子とを構成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして
挙げることができる。

【００４３】本発明において好適に使用し得るハロゲン
化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ₂）、塩素ガ
ス（Ｃｌ₂）、臭素ガス（Ｂｒ₂）、ヨウ素ガス
（Ｉ₂）、ＢｒＦ，ＣｌＦ，ＣｌＦ₃，ＢｒＦ₃，Ｂｒ
Ｆ₅，ＩＦ₃，ＩＦ₇等のハロゲン間化合物を挙げること
ができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハ
ロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的
には、たとえばＳｉＦ₄，Ｓｉ₂Ｆ₆，ＳｉＣｌ₄，ＳｉＢ
ｒ₄等のハロゲン化珪素が好ましいものとして挙げるこ
とができる。

【００４４】このようなハロゲン原子を含む珪素化合物
を採用してグロー放電等によって本発明の特徴的な電子
写真用光受容部材を形成する場合には、Ｓｉ供給用ガス
としての水素化珪素ガスを使用しなくても、所定の支持
体上にハロゲン原子を含むｎｏｎ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからな
る光導電層を形成することができるが、形成される光導
電層中に導入される水素原子の導入割合の制御を一層容
易になるように図るために、これらのガスにさらに水素
ガスまたは水素原子を含む珪素化合物のガスを所望量混
合して層形成することが好ましい。また各ガスは単独種
のみでなく、所定の混合比で複数種混合しても差し支え
ない。

【００４５】本発明においては、ハロゲン原子供給用ガ
スとして上記されたハロゲン化物あるいはハロゲンを含
む珪素化合物が有効なものとして使用されるが、その他
に、ＨＦ，ＨＣｌ，ＨＢｒ，ＨＩ等のハロゲン化水素、
ＳｉＨ₃Ｆ，ＳｉＨ₂Ｆ₂，ＳｉＨＦ₃，ＳｉＨ₂Ｉ₂，Ｓｉ
Ｈ₂Ｃｌ₂，ＳｉＨＢｒ₂，ＳｉＨＢｒ₃等のハロゲン置換
水素化珪素、等のガス状の、あるいはガス化し得る物質
も有効な光導電層形成用の原料物質として挙げることが
できる。これらの物質の内、水素原子を含むハロゲン化
物は、光導電層形成の際に層中にハロゲン原子の導入と
同時に、電気的或は光電的特性の制御にきわめて有効な
水素原子も導入されるので、本発明においては好適なハ
ロゲン原子供給用ガスとして使用される。

【００４６】水素原子を光導電層中に構造的に導入する
には、上記の他にＨ₂、あるいはＳｉＨ₄，Ｓｉ₂Ｈ₆，Ｓ
ｉ₃Ｈ₈，Ｓｉ₄Ｈ₁₀等の水素化珪素とＳｉを供給するた
めのシリコンまたはシリコン化合物とを反応容器中に共
存させて放電を生起させることによっても行なうことが
できる。

【００４７】光導電層に含有される水素原子および／ま
たはハロゲン原子の量を制御するには、たとえば支持体
温度、水素原子あるいはハロゲン原子を含有させるため
に使用される原料物質の反応容器内へ導入する量、放電
電力等を制御すればよい。

【００４８】さらに本発明においては、光導電層に必要
に応じて伝導性を制御する原子（Ｍ）を含有させること
が好ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層中に万
遍なく均一に分布した状態で含有されていてもよいし、
あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している
部分があってもよい。

【００４９】前記の伝導性を制御する原子としては、半
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導特性を与える周期律表第III族に属する原
子（以下「第III族原子」と記す）またはｎ型伝導特性
を与える周期律表第Ｖ族に属する原子（以下「第Ｖ族原
子」と記す）を用いることができる。

【００５０】第III族原子としては、具体的には、Ｂ
（ほう素），Ａｌ（アルミニウム），Ｇａ（ガリウ
ム），Ｉｎ（インジウム），Ｔｌ（タリウム）等があ
り、特にＢ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖ族原子とし
ては、具体的にはＰ（リン），Ａｓ（砒素），Ｓｂ（ア
ンチモン），Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ，Ａｓ
が好適である。

【００５１】光導電層に含有される伝導性を制御する原
子（Ｍ）の含有量としては、好ましくは１×１０^-3〜５
×１０⁴原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０^-2〜１×
１０⁴原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜５×１０³原子
ｐｐｍとされる。

【００５２】光導電層に、伝導性を制御する原子、たと
えば、第III族原子あるいは第Ｖ族原子を構造的に導入
するには、層形成の際に、第III族原子導入用の原料物
質あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質をガス状態で反
応容器中に、光導電層を形成するための他のガスととも
に導入すればよい。第III族原子導入用の原料物質ある
いは第Ｖ族原子導入用の原料物質となり得るものとして
は、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形成条件
下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。そのような第III族原子導入用の原料物質として具
体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ₂Ｈ₆，Ｂ
₄Ｈ₁₀，Ｂ₅Ｈ₉，Ｂ₅Ｈ₁₁，Ｂ₆Ｈ₁₀，Ｂ₆Ｈ₁₂，Ｂ₆Ｈ₁₄
等の水素化硼素、ＢＦ₃，ＢＣｌ₃，ＢＢｒ₃等のハロゲ
ン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ₃，ＧａＣ
ｌ₃，Ｇａ（ＣＨ₃）₃，ＩｎＣｌ₃，ＴｌＣｌ₃等も挙げ
ることができる。

【００５３】第Ｖ族原子導入用の原料物質として本発明
において有効に使用されるのは、燐原子導入用として
は、ＰＨ₃，Ｐ₂Ｈ₄等の水素化燐、ＰＨ₄Ｉ，ＰＦ₃，Ｐ
Ｆ₅，ＰＣｌ₃，ＰＣｌ₅，ＰＢｒ₃，ＰＢｒ₅，ＰＩ₃等の
ハロゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ₃，Ａｓ
Ｆ₃，ＡｓＣｌ₃，ＡｓＢｒ₃，ＡｓＦ₅，ＳｂＨ₃，Ｓｂ
Ｆ₃，ＳｂＦ₅，ＳｂＣｌ₃，ＳｂＣｌ₅，ＢｉＨ₃，Ｂｉ
Ｃｌ₃，ＢｉＢｒ₃等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有
効なものとして挙げることができる。

【００５４】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質は、必要に応じてＨ₂，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ
等のガスにより希釈して使用してもよい。

【００５５】さらに本発明の光受容部材の光導電層に
は、周期律表第Ｉａ族、IIａ族、VIａ族、VIII族から選
ばれる少なくとも１種類の元素を０．１〜１００００原
子ｐｐｍ程度含有してもよい。前記元素は前記光導電層
中に万遍なく均一に分布されてもよいし、あるいはこの
光導電層中に万遍なく含有されてはいるが、膜厚方向に
対し不均一に分布する状態で含有する部分があってもよ
い。

【００５６】第Ｉａ族原子としては、具体的には、Ｌｉ
（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）を
挙げることができ、第IIａ族原子としては、Ｂｅ（ベリ
リウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシウ
ム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）等を
挙げることができる。

【００５７】また、第VIａ族原子としては、具体的に
は、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タング
ステン）等を挙げることができ、第VIII族原子として
は、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）
等を挙げることができる。

【００５８】本発明において、光導電層の層厚は所望の
電子写真特性が得られることおよび経済的効果等の点か
ら適宜所望にしたがって決定され、好ましくは５〜５０
μｍ、より好ましくは１０〜４０μｍ、最適には１５〜
３０μｍとされるのが望ましく、このような膜厚は照射
された光の強度に極めてよく対応したホトキャリアを発
生させるのに有利である。

【００５９】本発明の目的を達成し得る特性を有するｎ
ｏｎ−Ｓｉ：Ｈ，Ｆからなる光導電層を形成するには、
支持体の温度、反応容器内のガス圧を所望にしたがって
適宜設定する必要がある。

【００６０】支持体の温度（Ｔｓ）は、層設計にしたが
って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好まし
くは２０〜５００℃、より好ましくは５０〜４８０℃、
最適には１００〜４００℃である。

【００６１】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０^-5〜１００Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１
０^-5〜３０Ｔｏｒｒ、最適には１×１０^-4〜１０Ｔｏｒ
ｒとするのが好ましい。

【００６２】本発明においては、前記各層を作成するた
めの支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記
した範囲が挙げられるが、これらの層作成ファクターは
通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の
特性を有する光導電層を形成すべく相互的且つ有機的関
連性に基づいて、各層作成ファクターの最適値を決める
のが望ましい。

【００６３】さらに本発明においては、光導電層の前記
支持体側に、少なくともアルミニウム原子とシリコン原
子と水素原子が層厚方向に不均一な分布状態で含有する
層領域を有することが望ましい。表面層 本発明における表面層は、シリコン原子を母体とする非
単結晶材料で構成され、少なくとも炭素原子と水素原子
とハロゲン原子と周期律表第III族元素と、さらに酸素
原子または窒素原子を同時に含有する。

【００６４】この層に含有されるシリコン原子、水素原
子、炭素原子、ハロゲン原子、周期律表第III族元素
と、さらに酸素原子または窒素原子はこの層中に万遍な
く均一に分布されてもよいし、あるいは該表面層中には
万遍なく含有されてはいるが、層厚方向に不均一に分布
してもよい。

【００６５】この層に含有されるシリコン原子、水素原
子、炭素原子、ハロゲン原子および周期律表第III族元
素と、さらに酸素原子および窒素原子は、これらが同時
に含有されることにより、これらの相乗効果によって電
気的耐圧性が向上し、「ポチ」、「リークポチ」の低減
に効果を発揮する。

【００６６】また耐久時において再生紙を使用する場合
においても、シリコン原子を母体とする前記表面層に、
炭素原子と水素原子とハロゲン原子と周期律表第III族
元素と、さらに酸素原子または窒素原子を同時に含有さ
せることによって、表面硬度を向上し、再生紙のロジン
等のサイズ剤が光受容部材の表面に付着することを防止
し、長期の使用におけるトナーの融着や画像流れをなく
すことに効果を発揮する。

【００６７】炭素原子の含有量は、シリコン原子と炭素
原子の和に対して好適には７０〜９０原子％、さらに好
適には７０〜８６原子％、最適には７０〜８３原子％と
するのが望ましい。

【００６８】水素原子とハロゲン原子の含有量の和は、
好適には１×１０^-5〜８０原子％、さらに好適には５×
１０^-5〜７５原子％、最適には１×１０^-4〜７０原子％
とするのが望ましい。

【００６９】周期律表第III族元素としては、具体的に
は、Ｂ（ほう素），Ａｌ（アルミニウム），Ｇａ（ガリ
ウム），Ｉｎ（インジウム），Ｔｌ（タリウム）等があ
り、特にＢが好ましい。周期律表第III族元素の含有量
は、好適には１×１０^-5〜１×１０⁵原子ｐｐｍ、さら
に好適には５×１０^-5〜５×１０⁵原子ｐｐｍ、最適に
は１×１０^-4〜３×１０⁴原子ｐｐｍとするのが望まし
い。

【００７０】酸素原子の含有量は好適には１×１０^-4〜
３０原子％、最適には３×１０^-4〜２０原子％とするの
が望ましい。

【００７１】窒素原子の含有量は好適には１×１０^-4〜
３０原子％、最適には３×１０^-4〜２０原子％とするの
が望ましい。

【００７２】また酸素原子と窒素原子を同時に含有する
場合には、これらの含有量の和が好適には１×１０^-4〜
３０原子％、最適には３×１０^-4〜２０原子％とするの
が望ましい。

【００７３】本発明において、炭素原子導入用の原料物
質となり得るものとしては、常温常圧でガス状のまた
は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るもの
が望ましい。

【００７４】炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスになり得
るものとして有効に使用される出発物質は、ＣとＨとを
構成原子とする、たとえば炭素数１〜５の飽和炭化水
素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３
のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。

【００７５】具体的には、飽和炭化水素としては、メタ
ン（ＣＨ₄），エタン（Ｃ₂Ｈ₆），プロパン（Ｃ
₃Ｈ₈），ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ₄Ｈ₁₀），ペンタン（Ｃ₅Ｈ
₁₂），エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ
₂Ｈ₄），プロピレン（Ｃ₃Ｈ₆），ブテン−１（Ｃ
₄Ｈ₈），ブテン−２（Ｃ₄Ｈ₈），イソブチレン（Ｃ
₄Ｈ₈），ペンテン（Ｃ₅Ｈ₁₀），アセチレン系炭化水素
としては、アセチレン（Ｃ₂Ｈ₂），メチルアセチレン
（Ｃ₃Ｈ₄），ブチン（Ｃ₄Ｈ₆）等が挙げられる。

【００７６】また、ＳｉとＣとを構成原子とする原料ガ
スとしては、Ｓｉ（ＣＨ₃）₄，Ｓｉ（Ｃ₂Ｈ₅）₄等のケ
イ化アルキルを挙げることができる。

【００７７】この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加え
て、弗素原子の導入も行なえるという点から、ＣＦ₄，
ＣＦ₃，Ｃ₂Ｆ₆，Ｃ₃Ｆ₈，Ｃ₄Ｆ₈等のフッ化炭素化合物
を挙げることができる。

【００７８】本発明において、酸素原子（Ｏ）導入用の
ガスとなり得るものとして有効に使用される出発物質
は、たとえば、酸素（Ｏ₂），オゾン（Ｏ₃），等を挙げ
ることができる。

【００７９】本発明において、窒素原子（Ｎ）導入用の
ガスとなり得るものとして有効に使用される出発物質
は、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも前記表面層
形成条件下で容易にガス化し得るものが望ましい。例え
ば窒素（Ｎ₂），アンモニア等を挙げることができる。

【００８０】また酸素原子と窒素原子を同時に導入する
物質として一酸化窒素（ＮＯ），二酸化窒素（Ｎ
Ｏ₂），一二酸化窒素（Ｎ₂Ｏ），三二酸化窒素（Ｎ
₂Ｏ₃），四二酸化窒素（Ｎ₂Ｏ₄），五二酸化窒素（Ｎ₂
Ｏ₅）等を挙げることができる。

【００８１】この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加え
て、酸素原子の導入も行なえるという点から、ＣＯ，Ｃ
Ｏ₂等の化合物を挙げることができる。

【００８２】さらに本発明の光受容部材の表面層には、
周期律表第Ｉａ族、IIａ族、VIａ族、VIII族から選ばれ
る少なくとも１種類の元素を０．１〜１００００原子ｐ
ｐｍ程度含有してもよい。前記元素は前記光導電層中に
万遍なく均一に分布されてもよいし、あるいは該光導電
層中に万遍なく含有されてはいるが、膜厚方向に対し不
均一に分布する状態で含有する部分があってもよい。

【００８３】第Ｉａ族元素としては、具体的にはＬｉ
（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）を
挙げることができ、第IIａ族元素としては、Ｂｅ（ベリ
リウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシウ
ム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）等を
挙げることができる。

【００８４】また第VIａ族元素としては、具体的にはＣ
ｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（ダングステ
ン）等を挙げることができ、第VIII族元素としては、Ｆ
ｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）等を挙
げることができる。

【００８５】本発明において、表面層の層厚は所望の電
子写真特性が得られること、および経済的効果などの点
から好ましくは０．０１〜３０μｍ、より好ましくは
０．０５〜２０μｍ、最適には０．１〜１０μｍとされ
る。

【００８６】本発明においてｎｏｎ−ＳｉＣ：Ｈで構成
され水素原子、ハロゲン原子、周期律表第III族元素
と、さらに酸素原子および窒素原子を含有する表面層を
形成するには、前述の光導電層を形成する方法と同様の
真空堆積法が採用される。

【００８７】本発明の目的を達成し得る特性を有する表
面層を形成する場合には、支持体の温度、ガス圧が前記
表面層の特性を左右する重要な要因である。支持体温度
は適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２０〜５０
０℃、より好ましくは５０〜４８０℃、最適には１００
〜４５０℃とする。

【００８８】反応容器内のガス圧も適宜最適範囲が選択
されるが、好ましくは１×１０^-5〜１００Ｔｏｒｒ、よ
り好ましくは５×１０^-5〜３０Ｔｏｒｒ、最適には１×
１０^-4〜１０Ｔｏｒｒとする。

【００８９】本発明においては、表面層を形成するため
の支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記し
た範囲が挙げられるが、これらの層作成ファクターは通
常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特
性を有する表面層を形成するために、相互的且つ有機的
関連性に基づいて各層作成ファクターの最適値を決める
のが望ましい。電荷注入阻止層 本発明の電子写真用光受容部材においては、光導電層と
導電性支持体の間に、導電性支持体側からの電荷の注入
を阻止する働きのある電荷注入阻止層を設けてもよい。
すなわち、電荷注入阻止層は、光受容層が、ある極性の
帯電処理をその自由表面に受けた際、支持体側より光導
電層側に電荷が注入されるのを阻止する機能を有し、逆
の極性の帯電処理を受けた際にはそのような機能は発揮
されない、いわゆる極性依存性を有している。そのよう
な機能を付与するために、電荷注入阻止層には一方の伝
導型を与える伝導性を制御する物質を比較的多く含有さ
せる。

【００９０】この層に含有される伝導性を制御する物質
は、この層中に万遍なく均一に分布されてもよいし、あ
るいは層厚方向には万遍なく含有されてはいるが、不均
一に分布する状態が含有している部分があってもよい。
分布濃度が不均一な場合には、支持体側に多く分布する
ように含有させるのが好適である。

【００９１】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する物質としては、半導体分野における、いわゆる不純
物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律第
表III族に属する原子（以下「第III族原子」と記す）ま
たはｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖ族に属する原子
（以下「第Ｖ族原子」と記す）を用いることができる。

【００９２】第III族原子としては、具体的には、Ｂ
（ほう素），Ａｌ（アルミニウム），Ｇａ（ガリウ
ム），Ｉｎ（インジウム），Ｔｌ（タリウム）等があ
り、特にＢ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖ族原子とし
ては、具体的にはＰ（リン），Ａｓ（砒素），Ｓｂ（ア
ンチモン），Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ，Ａｓ
が好適である。

【００９３】本発明において、電荷注入阻止層中に含有
される伝導性を制御する物質（Ｍ）の含有量としては、
本発明の目的が効果的に達成できるように所望にしたが
って適宜決定されるが、好ましくは１〜５×１０⁵原子
ｐｐｍ、より好適には５〜１×１０⁵原子ｐｐｍ、最適
には１０〜５×１０⁴原子ｐｐｍとされる。

【００９４】さらに電荷注入阻止層には、炭素原子、窒
素原子および酸素原子の少なくとも一種を含有させるこ
とによって、この電荷注入阻止層に直接接触して設けら
れる他の層との間の密着性のより一層の向上を図ること
ができる。

【００９５】この層に含有される炭素原子または窒素原
子または酸素原子は、この層中に万遍なく均一に分布さ
れてもよいし、あるいは層厚方向には万遍なく含有され
てはいるが、不均一に分布する状態で含有している部分
があってもよい。

【００９６】しかしながら、いずれの場合にも支持体の
表面と平行面内方向においては、均一な分布で万遍なく
含有されることが、面内方向における特性の均一化をは
かる点からも重要である。

【００９７】本発明における電荷注入阻止層の全層領域
に含有される炭素原子および／または窒素原子および／
または酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達
成されるように適宜決定されるが、１種の場合はその量
として、２種以上の場合はその総和として、好ましくは
１×１０^-3〜９０原子％、より好ましくは５×１０^-3〜
８０原子％、最適には１×１０^-2〜５０原子％とされ
る。

【００９８】また、本発明における電荷注入阻止層に含
有される水素原子および／またはハロゲン原子は、層内
に存在する未結合手を補償して膜質の向上効果を奏す
る。電荷注入阻止層中の水素原子またはハロゲン原子ま
たは水素原子とハロゲン原子の和の含有量は好ましくは
１〜７０原子％、より好ましくは５〜６０原子％、最適
には１７〜５０原子％とするのが望ましい。

【００９９】さらに本発明の光受容部材の電荷注入阻止
層には、周期律表第Ｉａ族、IIａ族、VIａ族、VIII族か
ら選ばれる少なくとも１種の元素を０．１〜１００００
原子ｐｐｍ程度含有してもよい。これらの元素は、電荷
注入阻止層中に万遍なく均一に分布されてもよいし、あ
るいはこの電荷注入阻止層中に万遍なく含有されてはい
るが、膜厚方向に対し不均一に分布する状態で含有する
部分があってもよい。第Ｉａ族原子としては、具体的に
は、Ｌｉ（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリ
ウム）を挙げることができ、第IIａ族原子としては、Ｂ
ｅ（ベリリウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カル
シウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）
等を挙げることができる。

【０１００】また、第VIａ族原子としては、具体的に
は、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タング
ステン）等を挙げることができ、第VIII族原子として
は、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）
等を挙げることができる。

【０１０１】本発明において、電荷注入阻止層の層厚は
所望の電子写真特性が得られること、および経済的効果
等の点から、好ましくは０．０１〜２００μｍ、より好
ましくは０．０５〜１５μｍ、最適には０．１〜１０μ
ｍとされる。

【０１０２】本発明において、電荷注入阻止層を形成す
る方法としては、前述の光導電層を形成する方法と同様
の真空堆積法が採用される。

【０１０３】本発明の目的を達成し得る特性を有する電
荷注入阻止層を形成する場合には、支持体の温度、ガス
圧が前記表面層の特性を左右する重要な要因である。支
持体温度は適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは２
０〜５００℃、より好ましくは５０〜４８０℃、最適に
は１００〜４５０℃である。

【０１０４】反応容器内のガス圧も適宜最適範囲が選択
されるが、好ましくは１×１０^-5〜１００Ｔｏｒｒ、よ
り好ましくは５×１０^-5〜３０Ｔｏｒｒ、最適には１×
１０^-4〜１０Ｔｏｒｒである。

【０１０５】本発明においては、電荷注入阻止層を形成
するための支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲とし
て前記した範囲が挙げられるが、これらの層作成ファク
ターは通常は独立的に別々に決められるものではなく、
所望の特性を有する表面層を形成するために、相互的且
つ有機的関連性に基づいて各層作成ファクターの最適値
を決めるのが望ましい。

【０１０６】さらに本発明において、光導電層と導電性
支持体の間に前記電荷注入阻止層を設ける場合には、こ
の電荷注入阻止層の前記支持体側に、少なくともアルミ
ニウム原子とシリコン原子と水素原子が層厚方向に不均
一な分布状態で含有する層領域を有することが望まし
い。

【０１０７】以下、高周波プラズマＣＶＤ法およびマイ
クロ波プラズマＣＶＤ法によって堆積膜を形成するため
の装置および形成方法について詳述する。

【０１０８】図４は、高周波プラズマＣＶＤ（以下「Ｒ
Ｆ−ＰＣＶＤ」と表記する）法による電子写真用光受容
部材の製造装置の一例を示す模式的な構成図、図７は、
マイクロ波プラズマＣＶＤ（以下「μＷ−ＰＣＶＤ」と
表記する）法によって電子写真用光受容部材用の堆積膜
を形成するための堆積膜形成装置の一例を示す模式的な
構成図、図５および図６は、μＷ−ＰＣＶＤ法による電
子写真用光受容部材の製造装置の説明図である。この堆
積膜形成装置の反応炉の形状は円形であっても、四角
形、多角形であってもよい。

【０１０９】図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による堆積膜
の製造装置の構成は以下の通りである。この装置は、大
別すると堆積装置３１００、原料ガスの供給装置３２０
０、反応容器３１１１内を減圧にするための排気装置
（図示せず）から構成されている。堆積装置３１００中
の反応容器３１１１内には円筒状支持体３１１２、支持
体加熱用ヒーター３１１３、原料ガス導入管３１１４が
設置され、さらに高周波マッチングボックス３１１５が
接続されている。

【０１１０】原料ガス供給装置３２００は、ＳｉＨ₄，
ＳｉＦ₄，Ｈ₂，ＣＨ₄，Ｂ₂Ｈ₆およびＰＨ₃等の原料ガス
のボンベ３２２１〜３２２６とバルブ３２３１〜３２３
６，３２４１〜３２４６，３２５１〜３２５６およびマ
スフローコントローラー３２１１〜３２１６から構成さ
れ、各原料ガスのボンベはバルブ３２６０を介して反応
容器３１１１内のガス導入管３１１４に接続されてい
る。

【０１１１】この装置を用いた堆積膜の形成は、たとえ
ば以下のように行なうことができる。

【０１１２】まず、反応容器３１１１内に円筒状支持体
３１１２を設置し、不図示の排気装置（たとえば真空ポ
ンプ）により反応容器３１１１内を排気する。続いて、
支持体加熱用ヒーター３１１３により円筒状支持体３１
１２の温度を２０℃乃至５００℃の所定の温度に制御す
る。

【０１１３】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器３１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ３２３１〜３
２３６、反応容器のリークバルブ３１１７が閉じられて
いることを確認し、また流入バルブ３２４１〜３２４
６、流出バルブ３２５１〜３２５６、補助バルブ３２６
０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ３
１１８を開いて反応容器３１１１およびガス配管内３１
１６を排気する。

【０１１４】次に真空計３１１９の読みが約５×１０^-6
Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ３２６０、流出バル
ブ３２５１〜３２５６を閉じる。

【０１１５】その後、ガスボンベ３２２１〜３２２６よ
り各ガスをバルブ３２３１〜３２３６を開いて導入し、
圧力調整器３２６１〜３２６６により各ガス圧を２ｋｇ
／ｃｍ²に調整する。次に、流入バルブ３２４１〜３２
４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラ
ー３２１１〜３２１６内に導入する。

【０１１６】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、円筒状支持体３１１２上に光導電層、表面層の各層
の形成を行なう。

【０１１７】円筒状支持体３１１２が所定の温度になっ
たところで流出バルブ３２５１〜３２５６のうちの必要
なものおよび補助バルブ３２６０を徐々に開き、ガスボ
ンベ３２２１〜３２２６から所定のガスをガス導入管３
１１４を介して反応容器３１１１内に導入する。次にマ
スフローコントローラー３２１１〜３２１６によって各
原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、
反応容器３１１１内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧
力になるように真空計３１１９を見ながらメインバルブ
３１１８の開口を調整する。内圧が安定したところで、
ＲＦ電源（図示せず）を所望の電力に設定して、高周波
マッチングボックス３１１５を通じて反応容器３１１１
内にＲＦ電力を導入し、ＲＦグロー放電を生起させる。
この放電エネルギーによって反応容器内に導入された原
料ガスが分解され、円筒状支持体３１１２上に所定のシ
リコンを主成分とする堆積膜が形成されるところとな
る。所望の膜厚の形成が行なわれた後、ＲＦ電力の供給
を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を
止め、堆積膜の形成を終える。

【０１１８】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。

【０１１９】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器３１１１
内、流出バルブ３２５１〜３２５６から反応容器３１１
１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ３２５１〜３２５６を閉じ、補助バルブ３２６０を
開き、さらにメインバルブ３１１８を全開にして系内を
一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行なう。

【０１２０】また、膜形成の均一化を図る場合は、膜形
成を行なっている間は、円筒状支持体３１１２を駆動装
置（図示せず）によって所定の速度で回転させる。

【０１２１】上述のガス種およびバルブ操作は各々の層
の作成条件にしたがって変更が加えられることは言うま
でもない。

【０１２２】支持体の加熱方法は、真空仕様である発熱
体であればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻
き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等
の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の
熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒として熱交換
手段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質
は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属
類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用すること
ができる。

【０１２３】またそれ以外にも、反応容器以外に加熱専
用の容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で支
持体を搬送する等の方法が用いられる。

【０１２４】次に、マイクロ波プラズマＣＶＤ法によっ
て形成される電子写真用光受容部材の製造方法について
説明する。

【０１２５】図４に示した製造装置におけるＲＦ−ＰＣ
ＶＤ法による堆積装置３１００を、図７に示す堆積装置
４１００に交換して原料ガス供給装置３２００と接続す
ることにより、図５および図６に示すμＷプラズマＣＶ
Ｄ法による以下の構成の電子写真用光受容部材製造装置
を得ることができる。

【０１２６】この装置は、真空気密化構造を成した減圧
にし得る反応容器４１１１、原料ガスの供給装置３２０
０、および反応容器内を減圧にするための排気装置（図
示せず）から構成されている。反応容器４１１１内には
マイクロ波電力を反応容器内に効率よく透過し、かつ、
真空気密を保持し得るような材料（たとえば石英ガラ
ス、アルミナセラミックス等）で形成されたマイクロ波
導入窓４１１２、スタブチューナー（図示せず）および
アイソレーター（図示せず）を介してマイクロ波電源
（図示せず）に接続されているマイクロ波の導波管４１
１３、堆積膜を形成すべき円筒状支持体４１１５、支持
体加熱用ヒーター４１１６、原料ガス導入管４１１７、
プラズマ電位を制御するための外部電気バイアスを与え
るための電極４１１８が設置されており、反応容器４１
１１内は排気管４１２１を通じて不図示の拡散ポンプに
接続されている。原料ガス供給装置３２００は、ＳｉＨ
₄，ＳｉＦ₄，Ｈ₂，ＣＨ₄，Ｂ₂Ｈ₆およびＰＨ₃等の原料
ガスのボンベ３２２１〜３２２６とバルブ３２３１〜３
２３６，３２４１〜３２４６，３２５１〜３２５６およ
びマスフローコントローラー３２１１〜３２１６から構
成され、各原料ガスのボンベはバルブ３２６０を介して
反応容器内のガス導入管４１１７に接続されている。ま
た、円筒状支持体４１１５によって取り囲まれた空間４
１３０が放電空間を形成している。

【０１２７】μＷプラズマＣＶＤ法によるこの装置での
堆積膜の形成は、以下のように行なうことができる。

【０１２８】まず、反応容器４１１１内に円筒状支持体
４１１５を設置し、駆動装置４１２０によって支持体４
１１５を回転し、不図示の排気装置（たとえば真空ポン
プ）により反応容器４１１１内を排気管４１２１を介し
て排気し、反応容器４１１１内の圧力を１×１０^-7Ｔｏ
ｒｒ以下に調整する。続いて、支持体加熱用ヒーター４
１１６により円筒状支持体４１１５の温度を２０℃乃至
５００℃の所定の温度に加熱保持する。

【０１２９】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器４１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ３２３１〜３
２３６、反応容器のリークバルブ（図示せず）が閉じら
れていることを確認し、また流入バルブ３２４１〜３２
４６、流出バルブ３２５１〜３２５６、補助バルブ３２
６０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ
（図示せず）を開いて反応容器４１１１およびガス配管
４１２２内を排気する。

【０１３０】次に真空計（図示せず）の読みが約５×１
０^-6Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ３２６０、流出
バルブ３２５１〜３２５６を閉じる。

【０１３１】その後、ガスボンベ３２２１〜３２２６よ
り各ガスをバルブ３２３１〜３２３６を開いて導入し、
圧力調整器３２６１〜３２６６により各ガス圧を２ｋｇ
／ｃｍ²に調整する。次に、流入バルブ３２４１〜３２
４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラ
ー３２１１〜３２１６内に導入する。

【０１３２】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、円筒状支持体４１１５上に光導電層、表面層の各層
の形成を行なう。

【０１３３】円筒状支持体４１１５が所定の温度になっ
たところで流出バルブ３２５１〜３２５６のうちの必要
なものおよび補助バルブ３２６０を徐々に開き、ガスボ
ンベ３２２１〜３２２６から所定のガスをガス導入管４
１１７を介して反応容器４１１１内の放電空間４１３０
に導入する。次にマスフローコントローラー３２１１〜
３２１６によって各原料ガスが所定の流量になるように
調整する。その際、放電空間４１３０内の圧力が１Ｔｏ
ｒｒ以下の所定の圧力になるように真空計（図示せず）
を見ながらメインバルブ（図示せず）の開口を調整す
る。圧力が安定した後、マイクロ波電源（図示せず）に
より周波数５００ＭＨｚ以上の、好ましくは２．４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波を発生させ、マイクロ波電源（図示せ
ず）を所望の電力に設定し、導波管４１１３、マイクロ
波導入窓４１１２を介して放電空間４１３０にμＷエネ
ルギーを導入して、μＷグロー放電を生起させる。それ
と同時に、電源４１１９から電極４１１８にたとえば直
流等の電気バイアスを印加する。このようにして支持体
４１１５により取り囲まれた放電空間４１３０におい
て、導入された原料ガスは、マイクロ波のエネルギーに
より励起されて解離し、円筒状支持体４１１５上に所定
の堆積膜が形成される。この時、層形成の均一化を図る
ため支持体回転用モーター４１２０によって、所望の回
転速度で回転させる。

【０１３４】所望の膜厚の形成が行なわれた後、μＷ電
力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガス
の流入を止め、堆積膜の形成を終える。

【０１３５】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。

【０１３６】それぞれの層を形成する際には、必要なガ
ス以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言う
までもなく、またそれぞれのガスが反応容器４１１１
内、流出バルブ３２５１〜３２５６から反応容器４１１
１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ３２５１〜３２５６を閉じ、補助バルブ３２６０を
開き、さらにメインバルブ（図示せず）を全開にして系
内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行なう。

【０１３７】上述のガス種およびバルブ操作は各々の層
の作成条件にしたがって変更が加えられることは言うま
でもない。

【０１３８】支持体の加熱方法は、真空仕様である発熱
体であればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻
き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒータ等の
電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱
放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手段
による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質は、
ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、
セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用することがで
きる。

【０１３９】また、それ以外にも、反応容器以外に加熱
専用の容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で
支持体を搬送する等の方法が用いられる。

【０１４０】μＷ−ＰＣＶＤ法においては、放電空間内
の圧力としては、好ましくは１ｍＴｏｒｒ以上１００ｍ
Ｔｏｒｒ以下、より好ましくは３ｍＴｏｒｒ以上５０ｍ
Ｔｏｒｒ以下、最も好ましくは５ｍＴｏｒｒ以上３０ｍ
Ｔｏｒｒ以下に設定される。放電空間外の圧力は、放電
空間内の圧力よりも低ければよいが、放電空間内の圧力
が１００ｍＴｏｒｒ以下では、また、特に顕著には５０
ｍＴｏｒｒ以下では、放電空間内の圧力が放電空間外の
圧力の３倍以上の時、特に堆積膜特性向上の効果が大き
い。

【０１４１】マイクロ波の反応炉までの導入方法として
は導波管による方法が挙げられ、反応炉内への導入は、
１つまたは複数の誘電体窓から導入する方法が挙げられ
る。この時、炉内へのマイクロ波の導入窓の材質として
はアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）、窒化ボロン（ＢＮ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、炭化
珪素（ＳｉＣ）、酸化珪素（ＳｉＯ₂）、酸化ベリリウ
ム（ＢｅＯ）、テフロン、ポリスチレン等の、マイクロ
波の損失の少ない材料が通常使用される。

【０１４２】電極と支持体間に発生させる電界は直流電
界が好ましく、また電界の向きは電極から支持体に向け
るのがより好ましい。電界を発生させるために電極に印
加する直流電圧の平均の大きさは、１５Ｖ以上３００Ｖ
以下、好ましくは３０Ｖ以上２００Ｖ以下が適する。直
流電圧波形としては、とくに制限はなく、種々の波形の
ものが本発明では有効である。つまり、時間によって電
圧の向きが変化しなければいずれの場合でもよく、たと
えば時間に対して大きさの変化しない定電圧はもちろ
ん、パルス状の電圧、および整流機により整流された時
間によって大きさが変化する脈動電圧でも有効である。

【０１４３】また交流電圧を印加することも有効であ
る。交流の周波数は、いかなる周波数でも問題はなく、
実用的には低周波では５０Ｈｚまたは６０Ｈｚ、高周波
では１３．５６ＭＨｚが適する。交流の波形としてはサ
イン波でも矩形波でも、他のいずれの波形でもよいが、
実用的には、サイン波が適する。但し、この時電圧は、
いずれの場合も実効値を言う。

【０１４４】電極の大きさおよび形状は、放電を乱さな
いならばどのようなものでもよいが、実用上は直径１ｍ
ｍ以上５ｃｍ以下の円筒状の形状が好ましい。この時、
電極の長さも、支持体に電界が均一にかかる長さであれ
ば任意に設定できる。

【０１４５】電極の材質としては、表面が導電性となる
ものならばいかなるものでもよく、たとえばステンレ
ス，Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，
Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、これらの合金、また
は表面を導電処理したガラス、セラミック、プラスチッ
ク等が通常使用される。

【０１４６】以下、実施例により本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらによって何等限定されるも
のではない。実施例１ 図４に示すＲＦグロー放電法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、さきに詳述した手順にしたがっ
て、下記の表１に示す作製条件で、鏡面加工を施した直
径φ１０８ｍｍのアルミシリンダー上に電子写真用光受
容部材の光受容層を形成した。

【０１４７】

【表１】 比較例１ 表面層においてＣＯ₂を用いない以外は実施例１と同様
にして電子写真用光受容部材を作製した。比較例２ 表面層においてＳｉＦ₄を用いない以外は実施例１と同
様にして電子写真用光受容部材を作製した。比較例３ 表面層においてＢ₂Ｈ₆を用いない以外は実施例１と同様
にして電子写真用光受容部材を作製した。比較例４ 表面層においてＣＨ₄とＣＯ₂を用いず、Ｏ₂を加えた表
２の条件で実施例１と同様にして電子写真用光受容部材
を作製した。

【０１４８】

【表２】 比較例５ 表面層においてＣＯ₂とＳｉＦ₄を用いない以外は実施例
１と同様にして電子写真用光受容部材を作製した。比較例６ 表面層においてＣＯ₂とＢ₂Ｈ₆を用いない以外は実施例
１と同様にして電子写真用光受容部材を作製した。比較例７ 表面層においてＳｉＦ₄とＢ₂Ｈ₆を用いない以外は実施
例１と同様にして電子写真用光受容部材を作製した。比較例８ 表面層においてＣＯ₂とＳｉＦ₄とＢ₂Ｈ₆を用いない以外
は実施例１と同様にして電子写真用光受容部材を作製し
た。

【０１４９】実施例１、比較例１、比較例２、比較例
３、比較例４、比較例５、比較例６、比較例７および比
較例８において作製した電子写真用光受容部材を、キヤ
ノン製複写機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した電子写
真装置に設置して、初期画像における「白ポチ」、「キ
ズ」、「画像流れ」、「トナー融着による黒斑点」など
の電子写真特性を評価し、また、その後２５０万枚の耐
久試験を行ない「白ポチ」、「キズ」、「画像流れ」、
「トナー融着による黒斑点」について評価した。各項目
は、以下の方法で評価した。白ポチ キヤノン製全黒テストチャート（部品番号：ＦＹ９−９
０７３）を原稿台に置きコピーしたときに得られたコピ
ー画像の同一面積内にある直径０．２ｍｍ以上の白ポチ
について評価した。画像流れ 白地に全面文字よりなるキヤノン製テストチャート（部
品番号：ＦＹ９−９０５８）を原稿台に置き１．５ｌｕ
ｘ・ｓｅｃの光照射を行ない、コピーを取った。得られ
たコピー画像を観察し、画像上の細線が途切れずにつな
がっているか評価した。但しこの時画像上でむらがある
時は、全画像領域で評価し一番悪い部分の結果を示し
た。トナー融着による黒斑点 キヤノン製全白テストチャートを原稿台に置きコピーし
たときに得られたコピー画像の同一面積内にある幅０．
１ｍｍ×長さ０．５ｍｍ以上の黒斑点について評価し
た。キズ キヤノン製ハーフトーンテストチャートを原稿台に置き
コピーしたときに得られたコピー画像の横３４０ｍｍ
（電子写真用光受容部材１回転分）×縦２９７ｍｍの面
積内にある幅０．０５ｍｍ×長さ０．２ｍｍ以上のキズ
についてその個数を数えて評価した。

【０１５０】「白ポチ」、「キズ」、「画像流れ」、
「トナー融着による黒斑点」について耐久前の初期画像
の結果についてを表３に、２５０万枚の耐久試験後の結
果を表４に示す。

【０１５１】「白ポチ」、「画像流れ」、「トナー融着
による黒斑点」については、 ◎は「特に良好」 〇は「良好」 △は「実用上問題なし」 ×は「実用上問題あり」 をそれぞれ表わしている。

【０１５２】

【表３】

【０１５３】

【表４】 表３、表４から明らかなように表面層にシリコン原子、
水素原子、炭素原子、酸素原子、ハロゲン原子として弗
素原子、第III族原子としてホウ素原子を同時に含有す
ることによって、白ポチ、キズ、画像流れ、トナー融着
による黒斑点のいずれの評価においても良好な結果が得
られた。実施例２ 実施例１とまったく同様にして、電子写真用光受容部材
を作製した。比較例９ 比較例１とまったく同様にして、電子写真用光受容部材
を作製した。比較例１０ 比較例２とまったく同様にして、電子写真用光受容部材
を作製した。比較例１１ 比較例３とまったく同様にして、電子写真用光受容部材
を作製した。比較例１２ 比較例４とまったく同様にして、電子写真用光受容部材
を作製した。比較例１３ 比較例５とまったく同様にして、電子写真用光受容部材
を作製した。比較例１４ 比較例６とまったく同様にして、電子写真用光受容部材
を作製した。比較例１５ 比較例７とまったく同様にして、電子写真用光受容部材
を作製した。比較例１６ 較例８とまったく同様にして、電子写真用光受容部材を
作製した。

【０１５４】実施例２、比較例９、比較例１０、比較例
１１、比較例１２、比較例１３、比較例１４、比較例１
５および比較例１６において作製した電子写真用光受容
部材を、コピー用紙に再生紙（大昭和製紙製Ｅ−５０
０）を使用して、実施例１と同じ評価を行なった。

【０１５５】「白ポチ」、「キズ」、「画像流れ」、
「トナー融着による黒斑点」について耐久前の初期画像
の結果についてを表５に、２５０万枚耐久後の結果を表
６に示す。

【０１５６】

【表５】

【０１５７】

【表６】 表５、表６から明らかなように、再生紙を使用した場合
にも、表面層にシリコン原子、水素原子、炭素原子、酸
素原子、弗素原子、ホウ素原子を同時に含有した実施例
２は比較例９〜１６に比べて、特に耐久後の白ポチ、キ
ズ、画像流れ、トナー融着による黒斑点のいずれの評価
においても良好な結果が得られた。実施例３ 図４に示すＲＦグロー放電法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、表７に示す作製条件で実施例１と
同様に電子写真用光受容部材を作製し、同様の評価を行
なったところ、実施例１と同様に良好な結果であった。実施例４ 図４に示すＲＦグロー放電法による電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、表７に示す作製条件で実施例１と
同様に電子写真用光受容部材を作製し、実施例２と同様
の評価を行なったところ、実施例２と同様に良好な結果
であった。

【０１５８】

【表７】 実施例５ 図５および図６に示すμＷグロー放電法による電子写真
用光受容部材の製造装置を用い、さきに詳述した手順に
したがって表８の作製条件で、鏡面加工を施した直径φ
１０８ｍｍのアルミシリンダー上に光受容層を形成し、
電子写真用光受容部材を作製した。作製した電子写真用
光受容部材を実施例１と同様の評価を行なったところ良
好な結果が得られた。実施例 ６ 図５および図６に示すμＷグロー放電法による電子写真
用光受容部材の製造装置を用い、表８に示す作製条件で
実施例５と同様に電子写真用光受容部材を作製し、実施
例２と同様の評価を行なったところ良好な結果が得られ
た。

【０１５９】

【表８】 ［実施例７］図４に示したＲＦグロー放電法による製造
装置を用い、先に詳述した手順に従って表９の作成条件
で、鏡面加工を施した直径１０８ｍｍのアルミシリンダ
ー上に光受容層を形成し、電子写真用光受容部材１０を
作成した。本試作例では、表面層形成時に導入するパワ
ー、ＣＨ₄流量変えることによって、表面層の最表面近
傍の炭素原子含有量を、シリコン原子含有量と炭素原子
含有量との和に対して７０〜９０原子％の範囲で変化さ
せた。ただし、このとき、表面層の光導電層側の表面の
炭素原子含有量は、１０原子％となるようにした。

【０１６０】

【表９】 作成した電子写真用光受容部材を、キヤノン製複写機Ｎ
Ｐ−７５５０を実験用に改造した電子写真装置に設置し
て、画像流れ、白ポチ、トナー融着による黒斑点、キズ
などの画像特性についてそれぞれ評価を行った。また、
この電子写真用光受容部材について、再生紙を用いた２
５０万枚の連続通紙画像形成耐久試験後、上記項目につ
いて再び評価した。

【０１６１】［比較例１７］表面層の最表面近傍の炭素
原子含有量を、シリコン原子含有量と炭素原子含有量と
の和に対して２０〜６０原子％および９３〜９５原子％
以上にした以外は実施例７と同様にして、電子写真用光
受容部材をそれぞれ作成し、実施例７と同様に評価を行
った。表１０に、実施例７および比較例１７の耐久試験
前の評価結果を示す。また、表１１に、実施例７および
比較例１７の耐久試験後の評価結果を示す。

【０１６２】

【表１０】

【０１６３】

【表１１】 この評価結果より、表面層の最表面近傍の炭素原子含有
量を、シリコン原子含有量と炭素原子含有量との和に対
して７０〜９０原子％の範囲にした本発明による電子写
真用光受容部材では、良好な電子写真特性が得られるこ
とがわかった。 ［実施例８］図５，６に示したμＷグロー放電法による
製造装置を用い、先に詳述した手順に従って表１２に示
す作成条件で、鏡面加工を施した直径１０８ｍｍのアル
ミシリンダー上に光受容層を形成し、電子写真用光受容
部材を実施例７と同様にして作成した。

【０１６４】

【表１２】 作成した電子写真用光受容部材の評価は、実施例７と同
様に行った。その結果は、実施例７と同様であった。

【０１６５】［比較例１８］表面層の最表面近傍の炭素
原子含有量を、シリコン原子含有量と炭素原子含有量と
の和に対して２０〜６０原子％および９３〜９５原子％
以上にした以外は実施例８と同様にして、電子写真用光
受容部材をそれぞれ作成した。実施例８と同様に評価を
行った結果、特性の劣化が確認された。

【０１６６】［実施例９］図４に示したＲＦグロー放電
法による製造装置を用い、先に詳述した手順に従って表
１３の作成条件で、鏡面加工を施した直径１０８ｍｍの
アルミシリンダー上に光受容層を形成し、電子写真用光
受容部材を作成した。本実施例では、表面層形成時に導
入するＣＯ₂ 流量を変えることによって、表面層の酸素
原子含有量を１×１０^-4〜３０原子％の範囲で変化させ
た。

【０１６７】

【表１３】 作成した電子写真用光受容部材を、キヤノン製複写機Ｎ
Ｐ−７５５０を実験用に改造した電子写真装置に設置し
て、帯電能、感度、残留電位などの電子写真特性、およ
び画像流れ、白ポチ、トナー融着による黒斑点、キズな
どの画像特性について実施例７と同様にそれぞれ評価を
行った。また、この電子写真用光受容部材について、再
生紙を用いた２５０万枚の連続通紙画像形成耐久試験
後、上記項目について再び評価した。

【０１６８】［比較例１９］表面層の酸素原子含有量を
１×１０^-5原子％および４０〜５０原子％にした以外は
実施例９と同様にして、電子写真用光受容部材をそれぞ
れ作成し、実施例９と同様に評価を行った。表１４に、
実施例９および比較例１９の耐久試験前の評価結果を示
す。また、表１５に、実施例９および比較例１９の耐久
試験後の評価結果を示す。

【０１６９】

【表１４】

【０１７０】

【表１５】 この評価結果より、表面層の酸素原子含有量を１×１０
^-4〜３０原子％にした本発明の電子写真用光受容部材で
は、良好な電子写真特性が得られることがわかった。

【０１７１】［実施例１０］図５，６に示したμＷグロ
ー放電法による製造装置を用い、先に詳述した手順に従
って表１６に示す作成条件で、鏡面加工を施した直径１
０８ｍｍのアルミシリンダー上に光受容層を形成し、電
子写真用光受容部材を実施例９と同様にして作成した。

【０１７２】

【表１６】 作成した電子写真用光受容部材の評価は、実施例９と同
様に行った。その結果は、実施例９と同様であった。

【０１７３】［比較例１９］表面層の酸素原子含有量を
１×１０^-5原子％および４０〜５０原子％にした以外は
実施例１０と同様にして、電子写真用光受容部材をそれ
ぞれ作成した。実施例１０と同様に評価を行った結果、
特性の劣化が確認された。

【０１７４】［実施例１１］図４に示したＲＦグロー放
電法による製造装置を用い、先に詳述した手順に従って
表１７の作成条件で、鏡面加工を施した直径１０８ｍｍ
のアルミシリンダー上に光受容層を形成し、電子写真用
光受容部材を作成した。本試作例では、表面層形成時に
導入するＮ₂流量を変えることによって、表面層の窒素
原子含有量を１×１０^-4〜３０原子％の範囲で変化させ
た。

【０１７５】

【表１７】 作成した電子写真用光受容部材１０を、キヤノン製複写
機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した電子写真装置に設
置して、帯電能、感度、残留電位などの電子写真特性、
および画像流れ、白ポチ、トナー融着による黒斑点、キ
ズなどの画像特性について試作例９と同様にそれぞれ評
価を行った。また、この電子写真用光受容部材につい
て、再生紙を用いた２５０万枚の連続通紙画像形成耐久
試験後、上記項目について再び評価した。

【０１７６】［比較例２１］表面層の窒素原子含有量を
１×１０^-5原子％および４０〜５０原子％にした以外は
実施例１１と同様にして、電子写真用光受容部材をそれ
ぞれ作成し、実施例１１と同様に評価を行った。表１８
に、実施例１１および比較例２１の耐久試験前の評価結
果を示す。また、表１９に、実施例１１および比較例２
１の耐久試験後の評価結果を示す。

【０１７７】

【表１８】

【０１７８】

【表１９】 この評価結果より、表面層の窒素原子含有量を１×１０
^-4〜３０原子％にした本発明の電子写真用光受容部材で
は、良好な電子写真特性が得られることがわかった。

【０１７９】［実施例１２］図５，６に示したμＷグロ
ー放電法による製造装置を用い、先に詳述した手順に従
って表２０に示す作成条件で、鏡面加工を施した直径１
０８ｍｍのアルミシリンダー上に光受容層を形成し、電
子写真用光受容部材を実施例１１と同様にして作成し
た。

【０１８０】

【表２０】 作成した電子写真用光受容部材の評価は、実施例１１と
同様に行った。その結果は、実施例１１と同様であっ
た。

【０１８１】［比較例２２］表面層の窒素原子含有量を
１×１０^-5原子％および４０〜５０原子％にした以外は
実施例１２と同様にして、電子写真用光受容部材をそれ
ぞれ作成した。実施例１２と同様に評価を行った結果、
特性の劣化が確認された。

【０１８２】［実施例１３］図４に示したＲＦグロー放
電法による製造装置を用い、先に詳述した手順に従って
表２１の作成条件で、鏡面加工を施した直径１０８ｍｍ
のアルミシリンダー上に光受容層を形成し、電子写真用
光受容部材を作成した。本試作例では、表面層形成時に
導入するＢ₂Ｈ₆流量を変えることによって、表面層の第
III族元素として用いた硼素原子含有量を１×１０^-5〜
１×１０⁵原子ｐｐｍの範囲で変化させた。

【０１８３】

【表２１】 作成した電子写真用光受容部材を、キヤノン製複写機Ｎ
Ｐ−７５５０を実験用に改造した電子写真装置に設置し
て、帯電能、感度、残留電位などの電子写真特性、およ
び画像流れ、白ポチ、トナー融着による黒斑点、キズな
どの画像特性について実施例１１と同様にそれぞれ評価
を行った。また、この電子写真用光受容部材について、
再生紙を用いた２５０万枚の連続通紙画像形成耐久試験
後、上記項目について再び評価した。

【０１８４】［比較例２３］表面層の硼素原子含有量を
１×１０^-6原子ｐｐｍおよび１×１０⁶原子ｐｐｍにし
た以外は実施例１３と同様にして、電子写真用光受容部
材をそれぞれ作成し、実施例１３と同様に評価を行っ
た。表２２に、実施例１３および比較例２３の耐久試験
前の評価結果を示す。また、表２３に、実施例１３およ
び比較例２３の耐久試験後の評価結果を示す。

【０１８５】

【表２２】

【０１８６】

【表２３】 この評価結果より、表面層の硼素原子（第III族元素）
含有量を１×１０^-5〜１×１０⁵原子ｐｐｍの範囲にし
た本発明の電子写真用光受容部材では、良好な電子写真
特性が得られることがわかった。

【０１８７】［実施例１４］図５，６に示したμＷグロ
ー放電法による製造装置を用い、先に詳述した手順に従
って表２４に示す作成条件で、鏡面加工を施した直径１
０８ｍｍのアルミシリンダー上に光受容層を形成し、電
子写真用光受容部材を試作例１３と同様にして作成し
た。

【０１８８】

【表２４】 作成した電子写真用光受容部材の評価は、実施例１３と
同様に行った。その結果は、試作例１３と同様であっ
た。

【０１８９】［比較例２４］表面層の硼素原子含有量を
１×１０^-6原子ｐｐｍおよび１×１０⁶原子ｐｐｍにし
た以外は実施例１４と同様にして、電子写真用光受容部
材をそれぞれ作成した。実施例１４と同様に評価を行っ
た結果、特性の劣化が確認された。

【０１９０】［実施例１５］図４に示したＲＦグロー放
電法による製造装置を用い、先に詳述した手順に従って
表２５の作成条件で、鏡面加工を施した直径１０８ｍｍ
のアルミシリンダー上に光受容層を形成し、電子写真用
光受容部材を作成した。本試作例では、表面層形成時に
導入するパワーおよびＳｉＦ₄流量を変えることによっ
て、表面層の水素原子含有量と弗素原子（ハロゲン原子
として使用）含有量を変化させて、水素原子含有量と弗
素原子含有量との和が８０原子％以下となるようにし
た。

【０１９１】

【表２５】 作成した電子写真用光受容部材１０を、キヤノン製複写
機ＮＰ−７５５０を実験用に改造した電子写真装置に設
置して、帯電能、感度、残留電位などの電子写真特性、
および画像流れ、白ポチ、トナー融着による黒斑点、キ
ズなどの画像特性について実施例１３と同様にそれぞれ
評価を行った。また、この電子写真用光受容部材につい
て、再生紙を用いた２５０万枚の連続通紙画像形成耐久
試験後、上記項目について再び評価した。

【０１９２】［比較例２５］表面層形成時にＳｉＦ₄を
導入しなかった以外は実施例１５と同様にして、電子写
真用光受容部材をそれぞれ作成し、実施例１５と同様に
評価を行った。表２６に、実施例１５および比較例２５
の耐久試験前の評価結果を示す。また、表２７に、実施
例１５および比較例２５の耐久試験後の評価結果を示
す。

【０１９３】

【表２６】

【０１９４】

【表２７】 この評価結果より、表面層にハロゲン原子を含有し、か
つ、水素原子含有量と硼素原子（ハロゲン原子）含有量
との和が８０原子％以下の範囲にした本発明の電子写真
用光受容部材では、良好な電子写真特性が得られること
がわかった。

【０１９５】［実施例１６］図５，６に示したμＷグロ
ー放電法による製造装置を用い、先に詳述した手順に従
って表２８に示す作成条件で、鏡面加工を施した直径１
０８ｍｍのアルミシリンダー上に光受容層を形成し、電
子写真用光受容部材を実施例１５と同様にして作成し
た。

【０１９６】

【表２８】 作成した電子写真用光受容部材の評価は、実施例１５と
同様に行った。その結果は、実施例１５と同様であっ
た。

【０１９７】［比較例２６］表面層形成時にＳｉＦ₄を
導入しなかった以外は実施例１６と同様にして、電子写
真用光受容部材をそれぞれ作成した。実施例１６と同様
に評価を行った結果、特性の劣化が確認された。

【０１９８】［実施例１７］図４に示したＲＦグロー放
電法による製造装置を用い、先に詳述した手順に従って
表２９の作成条件で、鏡面加工を施した直径１０８ｍｍ
のアルミシリンダー上に光受容層を形成し、電子写真用
光受容部材を作成した。本試作例では、表面層形成時に
導入するＮＯ流量を変えることによって、表面層の酸素
原子含有量と窒素原子含有量との和を１×１０^-4〜３０
原子％の範囲で変化させた。

【０１９９】

【表２９】 作成した電子写真用光受容部材を、キヤノン製複写機Ｎ
Ｐ−７５５０を実験用に改造した電子写真装置に設置し
て、帯電能、感度、残留電位などの電子写真特性、およ
び画像流れ、白ポチ、トナー融着による黒斑点、キズな
どの画像特性について実施例１５と同様にそれぞれ評価
を行った。また、この電子写真用光受容部材について、
再生紙を用いた２５０万枚の連続通紙画像形成耐久試験
後、上記項目について再び評価した。

【０２００】［比較例２７］表面層の酸素原子含有量と
窒素原子含有量との和を１×１０^-5原子％および４０〜
５０原子％にした以外は実施例１７と同様にして、電子
写真用光受容部材をそれぞれ作成し、実施例１７と同様
に評価を行った。表３０に、実施例１７および比較例２
７の耐久試験前の評価結果を示す。また、表３１に、実
施例１７および比較例２７の耐久試験後の評価結果を示
す。

【０２０１】

【表３０】

【０２０２】

【表３１】 この評価結果より、表面層の酸素原子含有量と窒素原子
含有量との和を１×１０^-4〜３０原子％の範囲にした本
発明の電子写真用光受容部材１０では、良好な電子写真
特性が得られることがわかった。

【０２０３】［実施例１８］図５，６に示したμＷグロ
ー放電法による製造装置を用い、先に詳述した手順に従
って表３２に示す作成条件で、鏡面加工を施した直径１
０８ｍｍのアルミシリンダー上に光受容層を形成し、電
子写真用光受容部材を実施例１７と同様にして作成し
た。

【０２０４】

【表３２】 作成した電子写真用光受容部材の評価は、実施例１７と
同様に行った。その結果は、実施例１７と同様であっ
た。

【０２０５】［比較例２８］表面層の酸素原子含有量と
窒素原子含有量との和を１×１０^-5原子％および４０〜
５０原子％にした以外は試作例１８と同様にして、電子
写真用光受容部材をそれぞれ作成した。試作例１８と同
様に評価を行った結果、特性の劣化が確認された。

【０２０６】

【発明の効果】本発明の電子写真用光受容部材を前述の
ごとき層構成とし、表面層に少なくともシリコン原子、
水素原子、炭素原子、ハロゲン原子および周期律表第II
I族元素と、酸素原子または窒素原子を同時に含有する
ことにより、これらの相乗効果によって「ポチ」等の画
像欠陥の低減、とりわけ長期使用時の「リークポチ」の
低減に効果を発揮し、さらに再生紙使用時のキズの発生
防止、長期の使用におけるトナーの融着や画像流れをな
くして、極めて優れた画像特性、耐久性、および使用環
境特性を示す。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の電子写真用光受容部材の好適な実施
態様例の層構成を説明するための模式的層構成図。

【図２】 本発明の電子写真用光受容部材の好適な実施
態様例の層構成を説明するための模式的層構成図。

【図３】 従来の電子写真用光受容部材の層構成を説明
するための模式的層構成図。

【図４】 本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を
形成するための装置の一例で、高周波（ＲＦ）を用いた
グロー放電法による電子写真用光受容部材の製造装置の
模式的説明図。

【図５】 本発明の電子写真用光受容部材の光受容層を
形成するための装置の他の例で、マイクロ波（μＷ）を
用いたグロー放電法による電子写真用光受容部材の製造
装置の模式的説明図で、堆積膜形成装置の側断面図。

【図６】 図５の装置の上方からみた横断面図

【図７】 原料ガスの供給装置。

【符号の説明】

１１００，１２００，２００ 光受容部材 １１０１，１２０１，２０１ 導電性支持体 １１０２，１１０３，１２０２，１２０３，２０２
光導電層 １１０４，１２０４ 表面層 １２０５ 電荷注入阻止層 １１０５，１２０６ 光受容層 １１０６，１２０７，２０３ 自由表面 ３１００ 堆積装置 ３１１１ 反応容器 ３１１２ 円筒状支持体 ３１１３ 支持体加熱用ヒーター ３１１４ 原料ガス導入管 ３１１５ マッチングボックス ３１１６ 原料ガス配管 ３１１７ 反応容器リークバルブ ３１１８ メイン排気バルブ ３１１９ 真空計 ３２００ 原料ガス供給装置 ３２１１〜３２１６ マスフローコントローラー ３２２１〜３２２６ 原料ガスボンベ ３２３１〜３２３６ 原料ガスボンベバルブ ３２４１〜３２４６ ガス流入バルブ ３２５１〜３２５６ ガス流出バルブ ３２６１〜３２６６ 圧力調整器 ４１００ 堆積装置 ４１１１ 反応容器 ４１１２ マイクロ波導入窓 ４１１３ 導波管 ４１１４ 支持体ホルダー ４１１５ 円筒状支持体 ４１１６ 支持体加熱用ヒーター ４１１７ 原料ガス導入管 ４１１８ バイアス電極 ４１１９ バイアス電源 ４１２０ 支持体回転用モーター ４１２１ 排気管 ４１３０ 放電空間

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｇ 5/08 ３０６ 7144−2Ｈ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性支持体上に、シリコン原子を母体
   とする非単結晶材料で構成された光導電層および表面層
   を順次積層せしめた光受容部材において、前記光導電層
   は少なくとも水素原子および／またはハロゲン原子を含
   有し、前記表面層は少なくとも炭素原子、水素原子、ハ
   ロゲン原子、周期律表第III族元素と、さらに酸素原子
   または窒素原子を含有することを特徴とする光受容部
   材。
2. 【請求項２】 前記表面層において、炭素原子、水素原
   子、ハロゲン原子、 周期律表第III族元素、さらに酸素原子または窒素原子
   の少なくとも１つの含有量が層厚方向に分布しているこ
   とを特徴とする請求項１に記載の光受容部材。
3. 【請求項３】 前記表面層において少なくとも炭素原
   子、水素原子、ハロゲン原子、周期律表第III族元素、
   酸素原子および窒素原子を同時に含有することを特徴と
   する請求項１乃至２に記載の光受容部材。
4. 【請求項４】 前記表面層において、その最表面若しく
   は最表面近傍における炭素原子の含有量が、シリコン原
   子と炭素原子の和に対して７０原子％以上、 ９０原子％以下であることを特徴とする請求項１乃至３
   に記載の光受容部材。
5. 【請求項５】 前記表面層中の酸素原子および／または
   窒素原子の含有量が、３０原子％以下であることを特徴
   とする請求項１乃至３に記載の光受容部材。
6. 【請求項６】 前記表面層中の水素原子とハロゲン原子
   の含有量の和が、８０原子％以下であることを特徴とす
   る請求項１乃至３に記載の光受容部材。
7. 【請求項７】 前記表面層中の周期律表第III族元素の
   含有量が、１×１０⁵原子ｐｐｍ以下であることを特徴
   とする請求項１乃至３に記載の光受容部材。