JPH06301225A - 光受容部材 - Google Patents
光受容部材Info
- Publication number
- JPH06301225A JPH06301225A JP10722893A JP10722893A JPH06301225A JP H06301225 A JPH06301225 A JP H06301225A JP 10722893 A JP10722893 A JP 10722893A JP 10722893 A JP10722893 A JP 10722893A JP H06301225 A JPH06301225 A JP H06301225A
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- Japan
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- charge injection
- atom
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 内部反射光を抑制し、電気的特性、画像特
性、耐久性の優れた光受容部材を提供する。 【構成】 導電性支持体１０１上に少なくとも電荷注入
阻止層１０２と感光層１０３を有する光受容部材におい
て、前記電荷注入阻止層１０２は、シリコン原子を母体
とし、伝導性を制御する原子と、水素原子及び／又はハ
ロゲン原子と、炭素原子及び／又は酸素原子及び／又は
窒素原子と、を有する非晶質材料で構成され、前記電荷
注入阻止層１０２と前記感光層１０３との界面におけ
る、前記電荷注入阻止層１０２の屈折率と前記感光層１
０３の屈折率が、画像形成処理上無視でき得る程度の差
を有し、前記界面において不連続的に変化することを特
徴とする光受容部材。
性、耐久性の優れた光受容部材を提供する。 【構成】 導電性支持体１０１上に少なくとも電荷注入
阻止層１０２と感光層１０３を有する光受容部材におい
て、前記電荷注入阻止層１０２は、シリコン原子を母体
とし、伝導性を制御する原子と、水素原子及び／又はハ
ロゲン原子と、炭素原子及び／又は酸素原子及び／又は
窒素原子と、を有する非晶質材料で構成され、前記電荷
注入阻止層１０２と前記感光層１０３との界面におけ
る、前記電荷注入阻止層１０２の屈折率と前記感光層１
０３の屈折率が、画像形成処理上無視でき得る程度の差
を有し、前記界面において不連続的に変化することを特
徴とする光受容部材。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高速の複写システム、
ファクシミリシステム、プリンターシステム等の高速画
像形成システムに適した光受容部材に関する。
ファクシミリシステム、プリンターシステム等の高速画
像形成システムに適した光受容部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子写真感光体等に用いられる光
受容部材として各種のものが提案されている。それらの
中でも、光感度領域が画像形成に使用する光源の発光波
長領域との整合性が優れていてビッカース硬度が高く、
公害の問題が実用上無い等の点から、例えば、特開昭５
４−８６３４１号公報や特開昭５６−８３７４６号公報
にみられるようなシリコン原子（Ｓｉ）を母体とする非
晶質材料、いわゆるアモルファスシリコン（以後、「ａ
−Ｓｉ」と表記する）からなる光受容部材が注目されて
いる。
受容部材として各種のものが提案されている。それらの
中でも、光感度領域が画像形成に使用する光源の発光波
長領域との整合性が優れていてビッカース硬度が高く、
公害の問題が実用上無い等の点から、例えば、特開昭５
４−８６３４１号公報や特開昭５６−８３７４６号公報
にみられるようなシリコン原子（Ｓｉ）を母体とする非
晶質材料、いわゆるアモルファスシリコン（以後、「ａ
−Ｓｉ」と表記する）からなる光受容部材が注目されて
いる。
【０００３】このような光受容部材は、支持体上にａ−
Ｓｉ、好ましい状態では水素原子（Ｈ）またはハロゲン
原子（Ｘ）の少なくともいずれか一方を含有するａ−Ｓ
ｉ（以後、「ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）」と表記する。）で構
成された光導電性の感光層を有する。
Ｓｉ、好ましい状態では水素原子（Ｈ）またはハロゲン
原子（Ｘ）の少なくともいずれか一方を含有するａ−Ｓ
ｉ（以後、「ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）」と表記する。）で構
成された光導電性の感光層を有する。
【０００４】また、設計上の許容範囲を拡大する目的
で、該感光層が帯電処理を受けた際に該感光層に電荷が
注入するのを効果的に阻止する層として、また、該感光
層の密着性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、耐
久性等を一層向上せしめて画像品質を向上させる層とし
て、前述の諸特性を有する非晶質材料で構成された電荷
注入阻止層を該感光層下に積層されて有する。
で、該感光層が帯電処理を受けた際に該感光層に電荷が
注入するのを効果的に阻止する層として、また、該感光
層の密着性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、耐
久性等を一層向上せしめて画像品質を向上させる層とし
て、前述の諸特性を有する非晶質材料で構成された電荷
注入阻止層を該感光層下に積層されて有する。
【０００５】この前記電荷注入阻止層は、上述のように
各種の機能を発揮するために、例えば特開昭６３−２０
６７号公報にみられるように、炭素原子（Ｃ）、酸素原
子（Ｏ）、および窒素原子（Ｎ）の中から選ばれる少な
くとも一種類を含有し、さらに伝導性を制御する物質を
含有するａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）（以後、「ａ−Ｓｉ（Ｃ，
Ｏ，Ｎ）（III,Ｖ）（Ｈ，Ｘ）」と表記する。）で構成
されたものが知られている。
各種の機能を発揮するために、例えば特開昭６３−２０
６７号公報にみられるように、炭素原子（Ｃ）、酸素原
子（Ｏ）、および窒素原子（Ｎ）の中から選ばれる少な
くとも一種類を含有し、さらに伝導性を制御する物質を
含有するａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）（以後、「ａ−Ｓｉ（Ｃ，
Ｏ，Ｎ）（III,Ｖ）（Ｈ，Ｘ）」と表記する。）で構成
されたものが知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たａ−Ｓｉ（Ｃ，Ｏ，Ｎ）（III ，Ｖ）（Ｈ，Ｘ）で構
成された電荷注入阻止層は、それが好ましいものとされ
ているものの、画像形成用光源の選択の自由度を増し、
より高速でより高品質の画像を得るためには、改善を要
する課題がいくつか存在する。
たａ−Ｓｉ（Ｃ，Ｏ，Ｎ）（III ，Ｖ）（Ｈ，Ｘ）で構
成された電荷注入阻止層は、それが好ましいものとされ
ているものの、画像形成用光源の選択の自由度を増し、
より高速でより高品質の画像を得るためには、改善を要
する課題がいくつか存在する。
【０００７】たとえば、上述の電荷注入阻止層を有する
光受容部材においては、それが好ましい形態のものであ
るにせよ、該電荷注入阻止層の支持体側の界面で反射光
が生じ、そしてまた該電荷注入阻止層とその上に位置す
る感光層との界面において反射光が生じる場合がある。
その場合、照射光の波長、電荷注入阻止層の層厚、電荷
注入阻止層の屈折率により反射光の反射率は大きく変化
する。
光受容部材においては、それが好ましい形態のものであ
るにせよ、該電荷注入阻止層の支持体側の界面で反射光
が生じ、そしてまた該電荷注入阻止層とその上に位置す
る感光層との界面において反射光が生じる場合がある。
その場合、照射光の波長、電荷注入阻止層の層厚、電荷
注入阻止層の屈折率により反射光の反射率は大きく変化
する。
【０００８】一方、該電荷注入阻止層の作製において全
域に亘って均一な層厚および屈折率の該電荷注入阻止層
を安定して形成するのは非常に困難であり、したがって
多くの場合不均一な層厚および屈折率のものとなってし
まう。
域に亘って均一な層厚および屈折率の該電荷注入阻止層
を安定して形成するのは非常に困難であり、したがって
多くの場合不均一な層厚および屈折率のものとなってし
まう。
【０００９】このような電荷注入阻止層の層厚の不均一
状態は、その光受容部材上の場所による反射率の不均一
化をもたらすところとなり、その結果、感度ムラが生
じ、得られる画像もそれに応じた画像濃度ムラのあるも
のになってしまうといった問題がある。
状態は、その光受容部材上の場所による反射率の不均一
化をもたらすところとなり、その結果、感度ムラが生
じ、得られる画像もそれに応じた画像濃度ムラのあるも
のになってしまうといった問題がある。
【００１０】こうした問題点は、従来のスピードの複写
システムにあっては必ずしも重大な問題では無く、場合
によっては無視することもできたが、レーザー等の可干
渉光光源を使用する高速の複写システム、ファクシミリ
システム、プリンターシステム等の高速連続画像形成シ
ステム、特にデジタル高速連続画像システム、さらには
近年普及してきたフルカラー画像システムにおいては、
視覚的に明らかなものとなるため、重大な問題であり、
解決の要求されるところのものである。
システムにあっては必ずしも重大な問題では無く、場合
によっては無視することもできたが、レーザー等の可干
渉光光源を使用する高速の複写システム、ファクシミリ
システム、プリンターシステム等の高速連続画像形成シ
ステム、特にデジタル高速連続画像システム、さらには
近年普及してきたフルカラー画像システムにおいては、
視覚的に明らかなものとなるため、重大な問題であり、
解決の要求されるところのものである。
【００１１】こうしたことから、上述の問題点を解決す
るについて、電荷注入阻止層と感光層との界面において
両層の屈折率を整合させて該界面での光の反射をなくす
観点に立って、該界面での電荷注入阻止層の組成を感光
層の組成に酷似〜一致させる手法を試みた。
るについて、電荷注入阻止層と感光層との界面において
両層の屈折率を整合させて該界面での光の反射をなくす
観点に立って、該界面での電荷注入阻止層の組成を感光
層の組成に酷似〜一致させる手法を試みた。
【００１２】しかしながらこれらの手法によっても、高
速連続画像システム、さらにはフルカラー画像システム
からする要求を充分に満足する至適な光受容部材を提供
するには不十分であり、解決すべき問題点が存在する。
即ち、主要な問題点として、繰り返し使用時に、特に高
速での繰り返し使用時に、残留電位を生じてしまう場合
があり、その場合残留電位が原因して繰り返しを重ねる
に従って画像メモリーが生じ画質の低下をもたらしてし
まうという問題がある。さらに、俗に「ポチ」と呼ばれ
る、黒点状または白点状の画像欠陥の増加といった問題
がある。
速連続画像システム、さらにはフルカラー画像システム
からする要求を充分に満足する至適な光受容部材を提供
するには不十分であり、解決すべき問題点が存在する。
即ち、主要な問題点として、繰り返し使用時に、特に高
速での繰り返し使用時に、残留電位を生じてしまう場合
があり、その場合残留電位が原因して繰り返しを重ねる
に従って画像メモリーが生じ画質の低下をもたらしてし
まうという問題がある。さらに、俗に「ポチ」と呼ばれ
る、黒点状または白点状の画像欠陥の増加といった問題
がある。
【００１３】特に近年、電子写真装置の画像特性向上の
ために電子写真装置内の光学露光系、現像装置、転写装
置等の改良がなされた結果、電子写真用光受容部材にお
いても、従来以上の画像特性の向上が求められるように
なった。特に画像の解像力が向上した結果、従来はあま
り問題にされなかった微少な大きさの「ポチ」の減少が
求められるようになってきた。そのため上述のように
「ポチ」の増加は、重大な問題となる。特に、「ポチ」
に関しては、その原因のほとんどが球状突起と呼ばれる
膜の異常成長であり、その発生数を減らすことが重要で
ある。
ために電子写真装置内の光学露光系、現像装置、転写装
置等の改良がなされた結果、電子写真用光受容部材にお
いても、従来以上の画像特性の向上が求められるように
なった。特に画像の解像力が向上した結果、従来はあま
り問題にされなかった微少な大きさの「ポチ」の減少が
求められるようになってきた。そのため上述のように
「ポチ」の増加は、重大な問題となる。特に、「ポチ」
に関しては、その原因のほとんどが球状突起と呼ばれる
膜の異常成長であり、その発生数を減らすことが重要で
ある。
【００１４】さらに、近年、光受容部材の製造コストを
低減するために、例えば、後述のマイクロ波プラズマＣ
ＶＤ法等の堆積膜作製方法によって堆積速度を速くした
状態で光受容部材を形成すると、膜質に不均一性が生じ
たり、膜内部の応力によって堆積膜に微少なクラックや
はがれが生じ、生産性における歩留まりが減少するとい
う問題点があった。
低減するために、例えば、後述のマイクロ波プラズマＣ
ＶＤ法等の堆積膜作製方法によって堆積速度を速くした
状態で光受容部材を形成すると、膜質に不均一性が生じ
たり、膜内部の応力によって堆積膜に微少なクラックや
はがれが生じ、生産性における歩留まりが減少するとい
う問題点があった。
【００１５】したがって、光受容部材そのものの特性改
良が図られる一方で、上記のような問題が解決されるよ
うに、層構成、各層の化学的組成および作製法など総合
的な観点からの改良を図ることが必要とされている。
良が図られる一方で、上記のような問題が解決されるよ
うに、層構成、各層の化学的組成および作製法など総合
的な観点からの改良を図ることが必要とされている。
【００１６】［発明の目的］すなわち、本発明の主たる
目的は、電気的、光学的特性が使用環境にほとんど依存
することなく実質的に常時安定しており、耐光疲労に優
れ、繰り返し使用に際しても劣化現象を起こさず、長期
の使用において画像品質の変化がなく、特に耐久性に優
れ、残留電位がほとんど観測されない、光受容部材を提
供することにある。
目的は、電気的、光学的特性が使用環境にほとんど依存
することなく実質的に常時安定しており、耐光疲労に優
れ、繰り返し使用に際しても劣化現象を起こさず、長期
の使用において画像品質の変化がなく、特に耐久性に優
れ、残留電位がほとんど観測されない、光受容部材を提
供することにある。
【００１７】本発明の他の目的は、各層間における密着
性に優れ、均一で層品質の高い光受容部材を提供するこ
とにある。
性に優れ、均一で層品質の高い光受容部材を提供するこ
とにある。
【００１８】本発明のさらに他の目的は、電子写真用光
受容部材として適用させた場合、静電像形成のための帯
電処理の際の電荷保持能力が充分であり、ハーフトーン
が鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質画像を容易に得
ることができ、通常の電子写真法がきわめて有効に適用
され得る優れた電子写真特性を示す、光受容部材を提供
することにある。
受容部材として適用させた場合、静電像形成のための帯
電処理の際の電荷保持能力が充分であり、ハーフトーン
が鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質画像を容易に得
ることができ、通常の電子写真法がきわめて有効に適用
され得る優れた電子写真特性を示す、光受容部材を提供
することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述した課題
を解決するための手段として、導電性支持体上に少なく
とも電荷注入阻止層と感光層を有する光受容部材におい
て、前記電荷注入阻止層は、シリコン原子を母体とし、
伝導性を制御する原子と、水素原子及び／又はハロゲン
原子と、炭素原子及び／又は酸素原子及び／又は窒素原
子と、を有する非晶質材料で構成され、前記電荷注入阻
止層と前記感光層との界面における、前記電荷注入阻止
層の屈折率と前記感光層の屈折率が、画像形成処理上無
視でき得る程度の差を有し、前記界面において不連続的
に変化することを特徴とする光受容部材を有する。
を解決するための手段として、導電性支持体上に少なく
とも電荷注入阻止層と感光層を有する光受容部材におい
て、前記電荷注入阻止層は、シリコン原子を母体とし、
伝導性を制御する原子と、水素原子及び／又はハロゲン
原子と、炭素原子及び／又は酸素原子及び／又は窒素原
子と、を有する非晶質材料で構成され、前記電荷注入阻
止層と前記感光層との界面における、前記電荷注入阻止
層の屈折率と前記感光層の屈折率が、画像形成処理上無
視でき得る程度の差を有し、前記界面において不連続的
に変化することを特徴とする光受容部材を有する。
【００２０】また、ここで前記画像形成処理上無視でき
得る程度の屈折率の差（Δｎ）が、０．０１≦Δｎ≦
０．４１でもよい。
得る程度の屈折率の差（Δｎ）が、０．０１≦Δｎ≦
０．４１でもよい。
【００２１】また、前記感光層上に、表面層を設けても
よい。
よい。
【００２２】また、前記電荷注入阻止層と前記導電性支
持体の間に長波長光吸収層を設けてもよい。
持体の間に長波長光吸収層を設けてもよい。
【００２３】また、前記炭素原子及び／又は酸素原子及
び／又は窒素原子が、前記電荷注入阻止層の導電性支持
体側に向けて濃度が滑らかに増大するように前記電荷注
入阻止層中に分布してもよい。
び／又は窒素原子が、前記電荷注入阻止層の導電性支持
体側に向けて濃度が滑らかに増大するように前記電荷注
入阻止層中に分布してもよい。
【００２４】
【作用】本発明の光受容部材は、電荷注入阻止層と前記
感光層との界面において、前記電荷注入阻止層の屈折率
と前記感光層の屈折率とを画像形成処理上無視でき得る
程度の差をつくり、不連続な屈折率とすることにより、
電荷注入阻止層と感光層の界面での光の反射の生起を極
端に減少することができ、画像濃度むらなどの画像特性
が改善される。
感光層との界面において、前記電荷注入阻止層の屈折率
と前記感光層の屈折率とを画像形成処理上無視でき得る
程度の差をつくり、不連続な屈折率とすることにより、
電荷注入阻止層と感光層の界面での光の反射の生起を極
端に減少することができ、画像濃度むらなどの画像特性
が改善される。
【００２５】さらに、炭素原子及び／又は酸素原子及び
／又は窒素原子が、電荷注入阻止層と感光層との界面に
おいて、電荷注入阻止層の屈折率と前記感光層の屈折率
との間に画像形成処理上無視でき得る程度の差を残すよ
う含有させることによって、電荷注入阻止層と感光層の
間の密着性が向上し、さらに内部応力が緩和される。そ
のため、球状突起の発生数が減少し、その結果、俗に
「ポチ」と呼ばれる、黒点状または白点状の画像欠陥が
大幅に減少した。さらに、高速での繰り返し使用時に、
発生する残留電位が大幅に低減される。その結果、画像
メモリーが低減し画質が向上する。さらに高画質を維持
しつつ、高速で繰り返し使用することが可能となった。
／又は窒素原子が、電荷注入阻止層と感光層との界面に
おいて、電荷注入阻止層の屈折率と前記感光層の屈折率
との間に画像形成処理上無視でき得る程度の差を残すよ
う含有させることによって、電荷注入阻止層と感光層の
間の密着性が向上し、さらに内部応力が緩和される。そ
のため、球状突起の発生数が減少し、その結果、俗に
「ポチ」と呼ばれる、黒点状または白点状の画像欠陥が
大幅に減少した。さらに、高速での繰り返し使用時に、
発生する残留電位が大幅に低減される。その結果、画像
メモリーが低減し画質が向上する。さらに高画質を維持
しつつ、高速で繰り返し使用することが可能となった。
【００２６】更に、炭素原子及び／又は酸素原子及び／
又は窒素原子を、電荷注入阻止層の導電性支持体側に向
けて濃度を滑らかに増大するように分布させることによ
って、より効果的に内部応力が緩和され、球状突起の発
生数がさらに減少させることが可能となった。
又は窒素原子を、電荷注入阻止層の導電性支持体側に向
けて濃度を滑らかに増大するように分布させることによ
って、より効果的に内部応力が緩和され、球状突起の発
生数がさらに減少させることが可能となった。
【００２７】また更に、感光層上に表面層を設けること
により、該感光層が帯電処理を受けた際に該感光層に電
荷が注入するのをより効果的に阻止し、また該感光層の
耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使用環
境特性及び耐久性等が一層向上する。
により、該感光層が帯電処理を受けた際に該感光層に電
荷が注入するのをより効果的に阻止し、また該感光層の
耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使用環
境特性及び耐久性等が一層向上する。
【００２８】更に、長波長光吸収層を導電性支持体と電
荷注入阻止層との間に設けることによって、電子写真装
置の露光光源として半導体レーザー等の長波長光を用い
ても、入射表面から導電性支持体までの間で吸収し切れ
ない分の長波長光も該長波長光吸収層で高効率で吸収さ
れるので、導電性支持体表面での長波長光の反射による
画像濃度むらが顕著に防止でき、画質がさらに向上す
る。
荷注入阻止層との間に設けることによって、電子写真装
置の露光光源として半導体レーザー等の長波長光を用い
ても、入射表面から導電性支持体までの間で吸収し切れ
ない分の長波長光も該長波長光吸収層で高効率で吸収さ
れるので、導電性支持体表面での長波長光の反射による
画像濃度むらが顕著に防止でき、画質がさらに向上す
る。
【００２９】このように、本発明の光受容部材を用いる
ことにより、優れた電気特性および優れた画像特性を維
持したまま耐久性を飛躍的に向上させることができる。
ことにより、優れた電気特性および優れた画像特性を維
持したまま耐久性を飛躍的に向上させることができる。
【００３０】すなわち、光受容部材における膜の密着性
が向上し、さらに球状突起も減少するため、連続して大
量に画像形成を行ってもクリーニングブレードや分離爪
へのダメージが少なく、クリーニング性および転写紙の
分離性も良好になる。従って、画像形成装置としての耐
久性を飛躍的に向上する事ができる。さらに、球状突起
の数が減少するため、転写紙やクリーニングブレードと
光受容部材が摺擦することにより発生する球状突起の欠
落が大幅に減少され、長期間の使用による「ポチ」の増
加を低減することができる。
が向上し、さらに球状突起も減少するため、連続して大
量に画像形成を行ってもクリーニングブレードや分離爪
へのダメージが少なく、クリーニング性および転写紙の
分離性も良好になる。従って、画像形成装置としての耐
久性を飛躍的に向上する事ができる。さらに、球状突起
の数が減少するため、転写紙やクリーニングブレードと
光受容部材が摺擦することにより発生する球状突起の欠
落が大幅に減少され、長期間の使用による「ポチ」の増
加を低減することができる。
【００３１】以上のような効果は、例えばマイクロ波Ｃ
ＶＤ法のように堆積速度を速くして層形成を行なったと
きに特に顕著に現われる。
ＶＤ法のように堆積速度を速くして層形成を行なったと
きに特に顕著に現われる。
【００３２】［実施態様例］以下、図面に従って本発明
の光受容部材について具体例を挙げて詳細に説明する。
の光受容部材について具体例を挙げて詳細に説明する。
【００３３】図１（Ａ），（Ｂ）は、本発明の光受容部
材を電子写真用光受容部材として用いた場合の層構成の
典型的な例を模式的に示した構成図である。
材を電子写真用光受容部材として用いた場合の層構成の
典型的な例を模式的に示した構成図である。
【００３４】図１（Ａ）に示す電子写真用光受容部材
は、導電性支持体１０１の上に、電荷注入阻止層１０
２、感光層１０３および表面層１０４をこの順に設けた
ものである。
は、導電性支持体１０１の上に、電荷注入阻止層１０
２、感光層１０３および表面層１０４をこの順に設けた
ものである。
【００３５】図１（Ｂ）に示す電子写真用光受容部材
は、導電性支持体１０１の上に、長波長光吸収層１０
５、電荷注入阻止層１０２、感光層１０３および表面層
１０４をこの順に設けたものである。
は、導電性支持体１０１の上に、長波長光吸収層１０
５、電荷注入阻止層１０２、感光層１０３および表面層
１０４をこの順に設けたものである。
【００３６】［導電性支持体］本発明において使用され
る導電性支持体としては、例えば、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，
Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ
等の金属、およびこれらの合金、例えばステンレス等が
挙げられる。また、ポリエステル、ポリエチレン、ポリ
カーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルムまたはシート、ガラス、セラミック等
の電気絶縁性支持体の少なくとも光受容層を形成する側
の表面を導電処理した支持体も用いることができる。さ
らに、光導電性を形成する側とは反対側の表面も導電処
理することがより好ましい。
る導電性支持体としては、例えば、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，
Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ
等の金属、およびこれらの合金、例えばステンレス等が
挙げられる。また、ポリエステル、ポリエチレン、ポリ
カーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルムまたはシート、ガラス、セラミック等
の電気絶縁性支持体の少なくとも光受容層を形成する側
の表面を導電処理した支持体も用いることができる。さ
らに、光導電性を形成する側とは反対側の表面も導電処
理することがより好ましい。
【００３７】支持体の形状は平滑表面あるいは凹凸表面
の円筒状または板状無端ベルト状であることができ、そ
の厚さは、所望通りの電子写真用光受容部材を形成し得
るように適宜決定するが、電子写真用光受容部材として
の可撓性が要求される場合には、支持体としての機能が
充分発揮できる範囲内で可能な限り薄くすることができ
る。しかしながら、支持体に製造上および取り扱い上、
機械的強度等の点から通常は１０μｍ以上とされる。
の円筒状または板状無端ベルト状であることができ、そ
の厚さは、所望通りの電子写真用光受容部材を形成し得
るように適宜決定するが、電子写真用光受容部材として
の可撓性が要求される場合には、支持体としての機能が
充分発揮できる範囲内で可能な限り薄くすることができ
る。しかしながら、支持体に製造上および取り扱い上、
機械的強度等の点から通常は１０μｍ以上とされる。
【００３８】特にレーザー光などの可干渉性光を用いて
像記録を行う場合には、可視画像において現われる、い
わゆる干渉縞模様による画像不良を解消するために、支
持体表面に凹凸を設けてもよい。
像記録を行う場合には、可視画像において現われる、い
わゆる干渉縞模様による画像不良を解消するために、支
持体表面に凹凸を設けてもよい。
【００３９】支持体表面に設けられる凹凸は、特開昭６
０−１６８１５６号公報、同６０−１７８４５７号公
報、同６０−２２５８５４号公報等に記載された公知の
方法により作成される。
０−１６８１５６号公報、同６０−１７８４５７号公
報、同６０−２２５８５４号公報等に記載された公知の
方法により作成される。
【００４０】又、レーザー光などの可干渉光を用いた場
合の干渉縞模様による画像不良を解消する別の方法とし
て、支持体表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を
設けてもよい。即ち、支持体の表面が電子写真用光受容
部材に要求される解像力よりも微少な凹凸を有し、しか
も該凹凸は、複数の球状痕跡窪みによるものである。支
持体表面に設けられる複数の球場痕跡窪みによる凹凸
は、特開昭６１−２３１５６１号公報に記載された公知
の方法により作成される。
合の干渉縞模様による画像不良を解消する別の方法とし
て、支持体表面に複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を
設けてもよい。即ち、支持体の表面が電子写真用光受容
部材に要求される解像力よりも微少な凹凸を有し、しか
も該凹凸は、複数の球状痕跡窪みによるものである。支
持体表面に設けられる複数の球場痕跡窪みによる凹凸
は、特開昭６１−２３１５６１号公報に記載された公知
の方法により作成される。
【００４１】［電荷注入阻止層］本発明の光受容部材の
電荷注入阻止層は、前述のごとく特定内容のものであっ
て、本発明の特徴点であるところ、感光層の下に位置し
て設けられるものである。
電荷注入阻止層は、前述のごとく特定内容のものであっ
て、本発明の特徴点であるところ、感光層の下に位置し
て設けられるものである。
【００４２】そして該電荷注入阻止層は、光受容部材に
ついて要求される諸特性、すなわち電気的、光学的特
性、連続繰り返し使用特性、および耐久性を向上せしめ
ると共に、該電荷注入阻止層と感光層との界面におけ
る、光の反射の生起を極端に減少することができる。加
えて該界面付近における内部応力を緩和し、さらに該界
面の密着性を向上させる機能を有するものである。
ついて要求される諸特性、すなわち電気的、光学的特
性、連続繰り返し使用特性、および耐久性を向上せしめ
ると共に、該電荷注入阻止層と感光層との界面におけ
る、光の反射の生起を極端に減少することができる。加
えて該界面付近における内部応力を緩和し、さらに該界
面の密着性を向上させる機能を有するものである。
【００４３】そして、該電荷注入阻止層は、本発明の光
受容部材が電子写真用光受容部材として適用される場
合、前述の機能を奏する他に、高速連続画像形成にあっ
ても残留電位の発生を防止し、高画質を維持しつつ大幅
に耐久性を向上させる機能を有するものである。
受容部材が電子写真用光受容部材として適用される場
合、前述の機能を奏する他に、高速連続画像形成にあっ
ても残留電位の発生を防止し、高画質を維持しつつ大幅
に耐久性を向上させる機能を有するものである。
【００４４】かくなる本発明の光受容部材の電荷注入阻
止層は、ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）に、伝導性を制御する原子
および、炭素原子及び／又は酸素原子及び／又は窒素原
子を含有したもので構成され、該炭素原子及び／又は酸
素原子及び／又は窒素原子が、電荷注入阻止層と感光層
との界面において、電荷注入阻止層の屈折率と前記感光
層の屈折率との間に画像形成処理上無視でき得る程度の
差を残すよう、含有している。
止層は、ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）に、伝導性を制御する原子
および、炭素原子及び／又は酸素原子及び／又は窒素原
子を含有したもので構成され、該炭素原子及び／又は酸
素原子及び／又は窒素原子が、電荷注入阻止層と感光層
との界面において、電荷注入阻止層の屈折率と前記感光
層の屈折率との間に画像形成処理上無視でき得る程度の
差を残すよう、含有している。
【００４５】図２に炭素原子及び／又は酸素原子及び／
又は窒素原子の電荷注入阻止層における分布状態を模式
的に示す。電荷注入阻止層２０２の感光層２０３との界
面２０８における、電荷注入阻止層２０２の屈折率
（ｎ）と感光層２０３の屈折率（ｎｐ）との間に画像形
成処理上無視でき得る程度の差（Δｎ）を残し、前記界
面２０８に始端したところ、前述の機能を有する光受容
部材が得られた。
又は窒素原子の電荷注入阻止層における分布状態を模式
的に示す。電荷注入阻止層２０２の感光層２０３との界
面２０８における、電荷注入阻止層２０２の屈折率
（ｎ）と感光層２０３の屈折率（ｎｐ）との間に画像形
成処理上無視でき得る程度の差（Δｎ）を残し、前記界
面２０８に始端したところ、前述の機能を有する光受容
部材が得られた。
【００４６】ここで前記屈折率の差（Δｎ）が、０．４
１より大きくなると電荷注入阻止層と感光層の界面での
光の反射を充分低減することができず、感度むら抑制の
効果がなくなり、画像濃度ムラが生じてくる。また、
０．０１より小さくなると球状突起が増加し、さらに高
速で繰り返し使用時に画像メモリーが生じてくる。よっ
て好ましくは０．０１≦Δｎ≦０．４１、より好ましく
は０．０２≦Δｎ≦０．２２とすることが望ましい。
１より大きくなると電荷注入阻止層と感光層の界面での
光の反射を充分低減することができず、感度むら抑制の
効果がなくなり、画像濃度ムラが生じてくる。また、
０．０１より小さくなると球状突起が増加し、さらに高
速で繰り返し使用時に画像メモリーが生じてくる。よっ
て好ましくは０．０１≦Δｎ≦０．４１、より好ましく
は０．０２≦Δｎ≦０．２２とすることが望ましい。
【００４７】電荷注入阻止層の全層領域に前述のように
特定の状態に分布して含有される、炭素原子及び／又は
酸素原子及び／又は窒素原子の含有量は、本発明の目的
が効果的に達成できるよう所望にしたがって適宜決定さ
れるが、一種類の場合はその含有量とし、二種類以上の
場合はその総和として、好ましくは１×１０-3〜５０原
子％、より好ましくは２×１０-3〜４０％、最適には３
×１０-3〜３０原子％とすることが望ましい。
特定の状態に分布して含有される、炭素原子及び／又は
酸素原子及び／又は窒素原子の含有量は、本発明の目的
が効果的に達成できるよう所望にしたがって適宜決定さ
れるが、一種類の場合はその含有量とし、二種類以上の
場合はその総和として、好ましくは１×１０-3〜５０原
子％、より好ましくは２×１０-3〜４０％、最適には３
×１０-3〜３０原子％とすることが望ましい。
【００４８】また、電荷注入阻止層に含有される炭素原
子及び／又は酸素原子及び／又は窒素原子を導電性支持
体側に向けて濃度が滑らかに増大するよう分布させるこ
とで支持体との密着性を維持し、かつ、濃度の変化によ
る内部応力を大巾に緩和することができるため特に球状
突起の発生数を、より低減することができる。
子及び／又は酸素原子及び／又は窒素原子を導電性支持
体側に向けて濃度が滑らかに増大するよう分布させるこ
とで支持体との密着性を維持し、かつ、濃度の変化によ
る内部応力を大巾に緩和することができるため特に球状
突起の発生数を、より低減することができる。
【００４９】電荷注入阻止層に伝導性を制御する物質を
含有せしめる目的は、電荷注入阻止層の伝導型を制御
し、導電性支持体側からの電荷の注入を阻止することに
ある。すなわち、光受容部材がある極性の帯電処理をそ
の自由表面に受けたとき、導電性支持体側より感光層側
に、電荷が注入されるのを阻止する機能を有し、逆の極
性の帯電処理を受けたときにはそのような機能は発揮さ
れないいわゆる極性依存性を有している。そのような機
能を付与するために、電荷注入阻止層には、一方の伝導
型を与える伝導性を制御する物質を比較的多く含有させ
る。
含有せしめる目的は、電荷注入阻止層の伝導型を制御
し、導電性支持体側からの電荷の注入を阻止することに
ある。すなわち、光受容部材がある極性の帯電処理をそ
の自由表面に受けたとき、導電性支持体側より感光層側
に、電荷が注入されるのを阻止する機能を有し、逆の極
性の帯電処理を受けたときにはそのような機能は発揮さ
れないいわゆる極性依存性を有している。そのような機
能を付与するために、電荷注入阻止層には、一方の伝導
型を与える伝導性を制御する物質を比較的多く含有させ
る。
【００５０】該電荷注入阻止層に含有される伝導性を制
御する物質は、該層中万遍なく均一に分布されてもよい
し、あるいは層厚方向には万遍なく含有されているが、
不均一に分布する状態で含有している部分があってもよ
い。分布が不均一の場合は、導電性支持体側に多く分布
するように含有させるのが好適である。
御する物質は、該層中万遍なく均一に分布されてもよい
し、あるいは層厚方向には万遍なく含有されているが、
不均一に分布する状態で含有している部分があってもよ
い。分布が不均一の場合は、導電性支持体側に多く分布
するように含有させるのが好適である。
【００５１】前記の伝導性を制御する原子としては、半
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導特性を与える周期律表III 族に属する原子
（以後「第III 族原子」と略記する）またはｎ型伝導特
性を与える周期律表Ｖ族に属する原子（以後「第Ｖ族原
子」と略記する）を用いることができる。
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導特性を与える周期律表III 族に属する原子
（以後「第III 族原子」と略記する）またはｎ型伝導特
性を与える周期律表Ｖ族に属する原子（以後「第Ｖ族原
子」と略記する）を用いることができる。
【００５２】第III 族原子としては、具体的には、Ｂ
（硼素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、
Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ（タリウム）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖ族原子としては、具
体的にはＰ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモ
ン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。
（硼素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、
Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ（タリウム）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖ族原子としては、具
体的にはＰ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモ
ン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。
【００５３】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する原子（Ｍ）の含有量としては、本発明の目的が効果
的に達成できるよう所望にしたがって適宜決定される
が、好ましくは３〜５×１０4 原子ｐｐｍ、より好まし
くは５０〜１×１０4 原子ｐｐｍ、最適には１×１０-2
〜５×１０3 原子ｐｐｍとされるのが望ましい。
する原子（Ｍ）の含有量としては、本発明の目的が効果
的に達成できるよう所望にしたがって適宜決定される
が、好ましくは３〜５×１０4 原子ｐｐｍ、より好まし
くは５０〜１×１０4 原子ｐｐｍ、最適には１×１０-2
〜５×１０3 原子ｐｐｍとされるのが望ましい。
【００５４】電荷注入阻止層中に含有せしめるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には弗素（Ｆ）、塩素（Ｃ
ｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）が挙げられ、特に弗
素、塩素を好適なものとして挙げることができる。そし
て電荷注入阻止層中に含有せしめる水素原子（Ｈ）の含
有量またはハロゲン原子（Ｘ）の含有量、あるいは水素
原子とハロゲン原子の含有量の和は、好ましくは１〜４
０原子％、より好ましくは５〜３０原子％とするのが望
ましい。
原子（Ｘ）としては、具体的には弗素（Ｆ）、塩素（Ｃ
ｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）が挙げられ、特に弗
素、塩素を好適なものとして挙げることができる。そし
て電荷注入阻止層中に含有せしめる水素原子（Ｈ）の含
有量またはハロゲン原子（Ｘ）の含有量、あるいは水素
原子とハロゲン原子の含有量の和は、好ましくは１〜４
０原子％、より好ましくは５〜３０原子％とするのが望
ましい。
【００５５】本発明において、電荷注入阻止層は真空堆
積膜形成方法によって、所望特性が得られるように適宜
成膜パラメーターの数値条件が設定されて作成される。
具体的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高
周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電Ｃ
ＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリン
グ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ
法、熱ＣＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成す
ることができる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設
備資本投資下の負荷程度、製造規模、作成される光受容
部材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて
採用されるが、所望の特性を有する光受容部材を製造す
るに当たっての条件の制御が比較的容易であることから
してグロー放電法、スパッタリング法、イオンプレーテ
ィング法が好適である。そしてこれらの方法を同一装置
系内で併用して形成してもよい。例えば、グロー放電法
によってａ−Ｓｉ（Ｃ，Ｎ，Ｏ）（III ，Ｖ）（Ｈ，
Ｘ）の電荷注入阻止層を形成するには、基本的にはシリ
コン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガス
と、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原料ガス及
び／または酸素原子（Ｏ）を供給し得るＯ供給用の原料
ガス及び／または窒素原子（Ｎ）を供給し得るＮ供給用
の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の
原料ガス及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を供給し得る
Ｘ供給用の原料ガスとを、内部が減圧にし得る反応容器
内に所望のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー
放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置されてあ
る所定の導電性支持体表面上にａ−Ｓｉ（Ｃ，Ｏ，Ｎ）
（III ，Ｖ）（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成すればよい。
積膜形成方法によって、所望特性が得られるように適宜
成膜パラメーターの数値条件が設定されて作成される。
具体的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高
周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電Ｃ
ＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリン
グ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ
法、熱ＣＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成す
ることができる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設
備資本投資下の負荷程度、製造規模、作成される光受容
部材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて
採用されるが、所望の特性を有する光受容部材を製造す
るに当たっての条件の制御が比較的容易であることから
してグロー放電法、スパッタリング法、イオンプレーテ
ィング法が好適である。そしてこれらの方法を同一装置
系内で併用して形成してもよい。例えば、グロー放電法
によってａ−Ｓｉ（Ｃ，Ｎ，Ｏ）（III ，Ｖ）（Ｈ，
Ｘ）の電荷注入阻止層を形成するには、基本的にはシリ
コン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガス
と、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原料ガス及
び／または酸素原子（Ｏ）を供給し得るＯ供給用の原料
ガス及び／または窒素原子（Ｎ）を供給し得るＮ供給用
の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の
原料ガス及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を供給し得る
Ｘ供給用の原料ガスとを、内部が減圧にし得る反応容器
内に所望のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー
放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置されてあ
る所定の導電性支持体表面上にａ−Ｓｉ（Ｃ，Ｏ，Ｎ）
（III ，Ｖ）（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成すればよい。
【００５６】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ4，Ｓｉ2 Ｈ6 ，Ｓｉ
3 Ｈ8 ，Ｓｉ4 Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得
る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効
率の良さ等の点でＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 が好ましいもの
として挙げられる。また、これらのＳｉ供給用の原料ガ
スを必要に応じてＨ2，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスによ
り希釈して使用してもよい。
となり得る物質としては、ＳｉＨ4，Ｓｉ2 Ｈ6 ，Ｓｉ
3 Ｈ8 ，Ｓｉ4 Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得
る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効
率の良さ等の点でＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 が好ましいもの
として挙げられる。また、これらのＳｉ供給用の原料ガ
スを必要に応じてＨ2，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスによ
り希釈して使用してもよい。
【００５７】本発明において、炭素原子導入用の原料物
質となり得るものとしては、常温常圧でガス状のまた
は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るもの
が採用されるのが望ましい。
質となり得るものとしては、常温常圧でガス状のまた
は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るもの
が採用されるのが望ましい。
【００５８】炭素原子（Ｃ）導入用の原料ガスになり得
るものとして有効に使用される出発物質は、ＣとＨとを
構成原子とする。例えば炭素数１〜５の飽和炭化水素、
炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のア
セチレン系炭化水素等が挙げられる。
るものとして有効に使用される出発物質は、ＣとＨとを
構成原子とする。例えば炭素数１〜５の飽和炭化水素、
炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のア
セチレン系炭化水素等が挙げられる。
【００５９】具体的には、飽和炭化水素としては、メタ
ン（ＣＨ4 ）、エタン（Ｃ2 Ｈ6 ）、プロパン（Ｃ3 Ｈ
8 ）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ4 Ｈ10）、ペンタン（Ｃ5 Ｈ
12）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ2 Ｈ
4 ）、プロピレン（Ｃ3 Ｈ6）、ブテン−１（Ｃ
4 Ｈ8 ）、ブテン−２（Ｃ4 Ｈ8 ）、イソブチレン（Ｃ
4 Ｈ8 ）、ペンテン（Ｃ5 Ｈ10）、アセチレン系炭化水
素としては、アセチレン（Ｃ2 Ｈ2 ）、メチルアセチレ
ン（Ｃ3 Ｈ4 ）、ブチン（Ｃ4 Ｈ6 ）等が挙げられる。
ン（ＣＨ4 ）、エタン（Ｃ2 Ｈ6 ）、プロパン（Ｃ3 Ｈ
8 ）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ4 Ｈ10）、ペンタン（Ｃ5 Ｈ
12）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ2 Ｈ
4 ）、プロピレン（Ｃ3 Ｈ6）、ブテン−１（Ｃ
4 Ｈ8 ）、ブテン−２（Ｃ4 Ｈ8 ）、イソブチレン（Ｃ
4 Ｈ8 ）、ペンテン（Ｃ5 Ｈ10）、アセチレン系炭化水
素としては、アセチレン（Ｃ2 Ｈ2 ）、メチルアセチレ
ン（Ｃ3 Ｈ4 ）、ブチン（Ｃ4 Ｈ6 ）等が挙げられる。
【００６０】また、ＳｉとＣとを構成原子とする原料ガ
スとしては、Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 、Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ5 ）4 等
のケイ化アルキルを挙げることができる。
スとしては、Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 、Ｓｉ（Ｃ2 Ｈ5 ）4 等
のケイ化アルキルを挙げることができる。
【００６１】この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加え
て、弗素原子の導入も行えるという点から、ＣＦ4 、Ｃ
2 Ｆ6 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ8 等のフッ化炭素化合物を挙
げることができる。
て、弗素原子の導入も行えるという点から、ＣＦ4 、Ｃ
2 Ｆ6 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ8 等のフッ化炭素化合物を挙
げることができる。
【００６２】本発明において酸素原子（Ｏ）および／ま
たは窒素原子（Ｎ）の導入用のガスとなり得るものとし
て有効に使用される出発物質は、例えば、酸素
（Ｏ2 ）、オゾン（Ｏ3 ）、窒素（Ｎ2 ）、一酸化窒素
（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ2 ）、一二酸化窒素（Ｎ2
Ｏ）、三二酸化窒素（Ｎ2 Ｏ3 ）、四三酸化窒素（Ｎ2
Ｏ4 ）、五二酸化窒素（Ｎ2 Ｏ5 ）、等を挙げることが
できる。
たは窒素原子（Ｎ）の導入用のガスとなり得るものとし
て有効に使用される出発物質は、例えば、酸素
（Ｏ2 ）、オゾン（Ｏ3 ）、窒素（Ｎ2 ）、一酸化窒素
（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ2 ）、一二酸化窒素（Ｎ2
Ｏ）、三二酸化窒素（Ｎ2 Ｏ3 ）、四三酸化窒素（Ｎ2
Ｏ4 ）、五二酸化窒素（Ｎ2 Ｏ5 ）、等を挙げることが
できる。
【００６３】この他に、炭素原子（Ｃ）の導入に加え
て、酸素原子の導入も行えるという点から、ＣＯ，ＣＯ
2 等の化合物を挙げることができる。
て、酸素原子の導入も行えるという点から、ＣＯ，ＣＯ
2 等の化合物を挙げることができる。
【００６４】ハロゲン原子供給用ガスとして有効なもの
は、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲンを含
むハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導
体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化合物が好
ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原子とハロ
ゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス化し得
るハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効な物とし
て挙げられる。
は、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲンを含
むハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導
体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化合物が好
ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原子とハロ
ゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス化し得
るハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効な物とし
て挙げられる。
【００６５】本発明において好適に使用し得るハロゲン
化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ2 ），Ｂｒ
Ｆ，ＣｌＦ，ＣｌＦ3 ，ＢｒＦ3 ，ＢｒＦ5 ，ＩＦ3 ，
ＩＦ7等のハロゲン間化合物を挙げることができる。
化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ2 ），Ｂｒ
Ｆ，ＣｌＦ，ＣｌＦ3 ，ＢｒＦ3 ，ＢｒＦ5 ，ＩＦ3 ，
ＩＦ7等のハロゲン間化合物を挙げることができる。
【００６６】ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆる
ハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には、例えばＳｉＦ4 ，Ｓｉ2 Ｆ6 等の弗化珪素が好
ましいものとして挙げることができる。このようなハロ
ゲン原子を含む珪素化合物を採用してグロー放電等によ
り本発明の特徴的な光受容部材を形成する場合には、Ｓ
ｉ供給用ガスとしての水素化珪素ガスを使用しなくて
も、ハロゲン原子を含む電荷注入阻止層を形成すること
ができるが、形成される電荷注入阻止層中に導入される
水素原子の導入割合の制御を一層容易になるように図る
ために、これらのガスに更に水素ガスまたは水素原子を
含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成すること
が好ましい。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混
合比で複数種混合しても差し支えないものである。
ハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には、例えばＳｉＦ4 ，Ｓｉ2 Ｆ6 等の弗化珪素が好
ましいものとして挙げることができる。このようなハロ
ゲン原子を含む珪素化合物を採用してグロー放電等によ
り本発明の特徴的な光受容部材を形成する場合には、Ｓ
ｉ供給用ガスとしての水素化珪素ガスを使用しなくて
も、ハロゲン原子を含む電荷注入阻止層を形成すること
ができるが、形成される電荷注入阻止層中に導入される
水素原子の導入割合の制御を一層容易になるように図る
ために、これらのガスに更に水素ガスまたは水素原子を
含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成すること
が好ましい。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混
合比で複数種混合しても差し支えないものである。
【００６７】本発明においては、ハロゲン原子供給用ガ
スとして上記弗化物あるいはハロゲンを含む珪素化合物
が有効な物として使用されるものであるが、その他に、
ＨＦ，ＳｉＨ3 Ｆ，ＳｉＨ2 Ｆ2 ，ＳｉＨＦ3 等のハロ
ゲン置換水素化珪素等のガス状態のあるいはガス化し得
る物質も有効な電荷注入阻止層形成用の原料物質として
挙げることができる。これらの物質の内、水素原子を含
むハロゲン化物は、電荷注入阻止層形成時に層中にハロ
ゲン原子の導入と同時に電気的あるいは光電的特性の制
御に極めて有効な水素原子も導入されるので、本発明に
おいては好適なハロゲン原子供給用ガスとして使用され
る。
スとして上記弗化物あるいはハロゲンを含む珪素化合物
が有効な物として使用されるものであるが、その他に、
ＨＦ，ＳｉＨ3 Ｆ，ＳｉＨ2 Ｆ2 ，ＳｉＨＦ3 等のハロ
ゲン置換水素化珪素等のガス状態のあるいはガス化し得
る物質も有効な電荷注入阻止層形成用の原料物質として
挙げることができる。これらの物質の内、水素原子を含
むハロゲン化物は、電荷注入阻止層形成時に層中にハロ
ゲン原子の導入と同時に電気的あるいは光電的特性の制
御に極めて有効な水素原子も導入されるので、本発明に
おいては好適なハロゲン原子供給用ガスとして使用され
る。
【００６８】水素原子を電荷注入阻止層中に構造的に導
入するには、上記の他にＨ2 、あるいはＳｉＨ4 ，Ｓｉ
2 Ｈ6 ，Ｓｉ3 Ｈ8 ，Ｓｉ4 Ｈ10等の水素化珪素とＳｉ
を供給するためのシリコンまたはシリコン化合物とを反
応容器中に共存させて放電を生起させることでも行うこ
とができる。
入するには、上記の他にＨ2 、あるいはＳｉＨ4 ，Ｓｉ
2 Ｈ6 ，Ｓｉ3 Ｈ8 ，Ｓｉ4 Ｈ10等の水素化珪素とＳｉ
を供給するためのシリコンまたはシリコン化合物とを反
応容器中に共存させて放電を生起させることでも行うこ
とができる。
【００６９】電荷注入阻止層中に含有される水素原子お
よび／またはハロゲン原子の量を制御するには、例えば
導電性支持体の温度、水素原子あるいはハロゲン原子を
含有させるために使用される原料物質の反応容器内へ導
入する量、放電電力等を制御すればよい。
よび／またはハロゲン原子の量を制御するには、例えば
導電性支持体の温度、水素原子あるいはハロゲン原子を
含有させるために使用される原料物質の反応容器内へ導
入する量、放電電力等を制御すればよい。
【００７０】電荷注入阻止層中に、伝導性を制御する原
子、たとえば、第III 族原子あるいは第Ｖ族原子を構造
的に導入するには、層形成の際に、第III 族原子導入用
の原料物質あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質をガス
状態で反応容器中に、電荷注入阻止層を形成するための
他のガスとともに導入してやればよい。第III 族原子導
入用の原料物質あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質と
なり得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少
なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用
されるのが望ましい。そのような第III 族原子導入用の
原料物質として具体的には、硼素原子導入用としては、
Ｂ2 Ｈ6 、Ｂ4 Ｈ10、Ｂ5 Ｈ9 、Ｂ5 Ｈ11、Ｂ6 Ｈ10、
Ｂ6 Ｈ12、Ｂ6 Ｈ14等の水素化硼素、ＢＦ3 ，ＢＣ
ｌ3 ，ＢＢｒ3 等のハロゲン化硼素等が挙げられる。こ
の他、ＡｌＣｌ3 ，ＧａＣｌ3 ，Ｇａ（ＣＨ3 ）3 、Ｉ
ｎＣｌ3 、ＴｌＣｌ3 等も挙げることができる。
子、たとえば、第III 族原子あるいは第Ｖ族原子を構造
的に導入するには、層形成の際に、第III 族原子導入用
の原料物質あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質をガス
状態で反応容器中に、電荷注入阻止層を形成するための
他のガスとともに導入してやればよい。第III 族原子導
入用の原料物質あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質と
なり得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少
なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用
されるのが望ましい。そのような第III 族原子導入用の
原料物質として具体的には、硼素原子導入用としては、
Ｂ2 Ｈ6 、Ｂ4 Ｈ10、Ｂ5 Ｈ9 、Ｂ5 Ｈ11、Ｂ6 Ｈ10、
Ｂ6 Ｈ12、Ｂ6 Ｈ14等の水素化硼素、ＢＦ3 ，ＢＣ
ｌ3 ，ＢＢｒ3 等のハロゲン化硼素等が挙げられる。こ
の他、ＡｌＣｌ3 ，ＧａＣｌ3 ，Ｇａ（ＣＨ3 ）3 、Ｉ
ｎＣｌ3 、ＴｌＣｌ3 等も挙げることができる。
【００７１】第Ｖ族原子導入用の原料物質として本発明
において、有効に使用されるのは、燐原子導入用として
は、ＰＨ3 ，Ｐ2 Ｈ4 等の水素化燐、ＰＨ4 Ｉ，Ｐ
Ｆ3 ，ＰＦ5 ，ＰＣｌ3 ，ＰＣｌ5 ，ＰＢｒ3 ，ＰＢｒ
5 ，ＰＩ3 等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、Ａ
ｓＨ3 ，ＡｓＦ3 ，ＡｓＣｌ3 ，ＡｓＢｒ3 ，Ａｓ
Ｆ5 ，ＳｂＨ3 ，ＳｂＦ3 ，ＳｂＦ5 ，ＳｂＣｌ3 ，Ｓ
ｂＣｌ5 ，ＢｉＨ3 ，ＢｉＣｌ3 ，ＢｉＢｒ3 等も第Ｖ
族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げること
ができる。
において、有効に使用されるのは、燐原子導入用として
は、ＰＨ3 ，Ｐ2 Ｈ4 等の水素化燐、ＰＨ4 Ｉ，Ｐ
Ｆ3 ，ＰＦ5 ，ＰＣｌ3 ，ＰＣｌ5 ，ＰＢｒ3 ，ＰＢｒ
5 ，ＰＩ3 等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、Ａ
ｓＨ3 ，ＡｓＦ3 ，ＡｓＣｌ3 ，ＡｓＢｒ3 ，Ａｓ
Ｆ5 ，ＳｂＨ3 ，ＳｂＦ3 ，ＳｂＦ5 ，ＳｂＣｌ3 ，Ｓ
ｂＣｌ5 ，ＢｉＨ3 ，ＢｉＣｌ3 ，ＢｉＢｒ3 等も第Ｖ
族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げること
ができる。
【００７２】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じて、Ｈ2，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ
等のガスにより希釈して使用してもよい。
用の原料物質を必要に応じて、Ｈ2，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ
等のガスにより希釈して使用してもよい。
【００７３】さらに本発明の光受容部材の電荷注入阻止
層には、周期律表第Ｉａ族、IIａ族、VIｂ族、VIII族か
ら選ばれる少なくとも１種の元素を０．１から１０００
０原子ｐｐｍ程度含有してもよい。前記元素は電荷注入
阻止層中に万遍無く均一に分布されてもよいし、あるい
は該電荷注入阻止層中に万遍無く含有されてはいるが、
層厚方向に対し不均一に分布する状態で含有している部
分があってもよい。
層には、周期律表第Ｉａ族、IIａ族、VIｂ族、VIII族か
ら選ばれる少なくとも１種の元素を０．１から１０００
０原子ｐｐｍ程度含有してもよい。前記元素は電荷注入
阻止層中に万遍無く均一に分布されてもよいし、あるい
は該電荷注入阻止層中に万遍無く含有されてはいるが、
層厚方向に対し不均一に分布する状態で含有している部
分があってもよい。
【００７４】第Ｉａ族原子としては、具体的には、Ｌｉ
（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）を
挙げることができ、第IIａ族原子としては、Ｂｅ（ベリ
リウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシウ
ム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）等を
挙げることができる。
（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）を
挙げることができ、第IIａ族原子としては、Ｂｅ（ベリ
リウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシウ
ム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）等を
挙げることができる。
【００７５】また、第VIｂ族原子としては、具体的に
は、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タング
ステン）等を挙げることができ、第VIII族原子として
は、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）
等を挙げることができる。
は、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タング
ステン）等を挙げることができ、第VIII族原子として
は、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）
等を挙げることができる。
【００７６】本発明において、電荷注入阻止層の層厚
は、本発明の目的が効果的に達成できるよう所望にした
がって適宜決定されるが、好ましくは０．００３〜１０
０μｍ、より好ましくは０．００４〜８μｍ、最適には
０．００５〜５μｍとされるのが望ましい。
は、本発明の目的が効果的に達成できるよう所望にした
がって適宜決定されるが、好ましくは０．００３〜１０
０μｍ、より好ましくは０．００４〜８μｍ、最適には
０．００５〜５μｍとされるのが望ましい。
【００７７】本発明の目的を達成し得る特性を有する電
荷注入阻止層を形成する場合には、導電性支持体の温
度、ガス圧が前記電荷注入阻止層の特性を左右する重要
な要因である。導電性支持体の温度は適宜最適範囲が選
択されるが、好ましくは２０〜５００℃、より好ましく
は５０〜４８０℃、最適には１００〜４５０℃とするの
が望ましい。
荷注入阻止層を形成する場合には、導電性支持体の温
度、ガス圧が前記電荷注入阻止層の特性を左右する重要
な要因である。導電性支持体の温度は適宜最適範囲が選
択されるが、好ましくは２０〜５００℃、より好ましく
は５０〜４８０℃、最適には１００〜４５０℃とするの
が望ましい。
【００７８】反応容器内のガス圧も適宜最適範囲が選択
されるが、好ましくは１×１０-5〜１０Ｔｏｒｒ、より
好ましくは５×１０-5〜３Ｔｏｒｒ、最適には１×１０
-4〜１Ｔｏｒｒとするのが望ましい。
されるが、好ましくは１×１０-5〜１０Ｔｏｒｒ、より
好ましくは５×１０-5〜３Ｔｏｒｒ、最適には１×１０
-4〜１Ｔｏｒｒとするのが望ましい。
【００７９】本発明においては、電荷注入阻止層を形成
するための導電性支持体の温度、ガス圧の望ましい数値
範囲として前記した範囲が挙げられるが、これらの層作
成ファクターは通常は独立的に別々に決められるもので
はなく、所望の特性を有する電荷注入阻止層を形成すべ
く相互的且つ有機的関連性に基づいて各層作成ファクタ
ーの最適値を決めるのが望ましい。
するための導電性支持体の温度、ガス圧の望ましい数値
範囲として前記した範囲が挙げられるが、これらの層作
成ファクターは通常は独立的に別々に決められるもので
はなく、所望の特性を有する電荷注入阻止層を形成すべ
く相互的且つ有機的関連性に基づいて各層作成ファクタ
ーの最適値を決めるのが望ましい。
【００８０】［感光層］本発明の光受容部材の感光層
は、ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）または、必要に応じてＧｅ，Ｓ
ｎを含むａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）〔以後、「ａ−Ｓｉ（Ｇ
ｅ，Ｓｎ）（Ｈ，Ｘ）と表記する。〕で構成され、光導
電性を有する層であって、該層はさらに、周期律表第II
I 族に属する原子または、周期律表第Ｖ族に属する原子
を含有してもよい。さらに、炭素原子及び／又は酸素原
子及び／又は窒素原子を含有してもよい。
は、ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）または、必要に応じてＧｅ，Ｓ
ｎを含むａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）〔以後、「ａ−Ｓｉ（Ｇ
ｅ，Ｓｎ）（Ｈ，Ｘ）と表記する。〕で構成され、光導
電性を有する層であって、該層はさらに、周期律表第II
I 族に属する原子または、周期律表第Ｖ族に属する原子
を含有してもよい。さらに、炭素原子及び／又は酸素原
子及び／又は窒素原子を含有してもよい。
【００８１】感光層中に含有せしめるハロゲン原子
（Ｘ）としては、具体的には弗素（Ｆ）、塩素（Ｃ
ｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）が挙げられ、特に弗
素、塩素を好適なものとして挙げることができる。そし
て感光層中に含有せしめる水素原子（Ｈ）の含有量また
はハロゲン原子（Ｘ）の含有量、あるいは水素原子とハ
ロゲン原子の含有量の和は、好ましくは１〜４０原子
％、より好ましくは５〜３０原子％とするのが望まし
い。
（Ｘ）としては、具体的には弗素（Ｆ）、塩素（Ｃ
ｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）が挙げられ、特に弗
素、塩素を好適なものとして挙げることができる。そし
て感光層中に含有せしめる水素原子（Ｈ）の含有量また
はハロゲン原子（Ｘ）の含有量、あるいは水素原子とハ
ロゲン原子の含有量の和は、好ましくは１〜４０原子
％、より好ましくは５〜３０原子％とするのが望まし
い。
【００８２】また、感光層中に周期律表第III 族に属す
る原子または、周期律表第Ｖ族に属する原子を含有せし
める目的は、感光層の伝導性あるいは伝導量を制御する
ことにある。このような周期律表第III 族に属する原子
および周期律表第Ｖ族に属する原子としては、前述の電
荷注入阻止層中に含有せしめるものと同様のものを用い
ることができるが、感光層に含有せしめる場合には、電
荷注入阻止層に含有せしめたものとは逆の極性のものを
含有せしめるか、あるいは、電荷注入阻止層に含有せし
めたものと同じ極性のものを電荷注入阻止層に含有され
る量より一段と少ない量にして含有せしめることができ
る。
る原子または、周期律表第Ｖ族に属する原子を含有せし
める目的は、感光層の伝導性あるいは伝導量を制御する
ことにある。このような周期律表第III 族に属する原子
および周期律表第Ｖ族に属する原子としては、前述の電
荷注入阻止層中に含有せしめるものと同様のものを用い
ることができるが、感光層に含有せしめる場合には、電
荷注入阻止層に含有せしめたものとは逆の極性のものを
含有せしめるか、あるいは、電荷注入阻止層に含有せし
めたものと同じ極性のものを電荷注入阻止層に含有され
る量より一段と少ない量にして含有せしめることができ
る。
【００８３】感光層に含有せしめる周期律表第III 族に
属する原子または、周期律表第Ｖ族に属する原子の含有
量は、好ましくは１×１０-3〜１×１０3 原子ｐｐｍ、
より好ましくは５×１０-2〜５×１０2 、最適には１×
１０-1〜２×１０2 原子ｐｐｍとすることが望ましい。
属する原子または、周期律表第Ｖ族に属する原子の含有
量は、好ましくは１×１０-3〜１×１０3 原子ｐｐｍ、
より好ましくは５×１０-2〜５×１０2 、最適には１×
１０-1〜２×１０2 原子ｐｐｍとすることが望ましい。
【００８４】また、感光層中に、炭素原子及び／又は酸
素原子及び／又は窒素原子を含有せしめる目的は、感光
層の高抵抗化をはかるとともに、感光層の膜質を向上せ
しめることにある。そして、感光層に含有せしめるこう
した原子の含有量は、好ましくは１×１０-4〜５０原子
％、より好ましくは２×１０-4〜４０％、最適には３×
１０-4〜３０原子％とすることが望ましい。
素原子及び／又は窒素原子を含有せしめる目的は、感光
層の高抵抗化をはかるとともに、感光層の膜質を向上せ
しめることにある。そして、感光層に含有せしめるこう
した原子の含有量は、好ましくは１×１０-4〜５０原子
％、より好ましくは２×１０-4〜４０％、最適には３×
１０-4〜３０原子％とすることが望ましい。
【００８５】本発明において、感光層は真空堆積膜形成
方法によって、所望特性が得られるように適宜成膜パラ
メーターの数値条件が設定されて作成される。具体的に
は、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶ
Ｄ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、
あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真
空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱Ｃ
ＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成することが
できる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投
資下の負荷程度、製造規模、作成される光受容部材に所
望される特性等の要因によって適宜選択されて採用され
るが、所望の特性を有する光受容部材を製造するに当た
っての条件の制御が比較的容易であることからしてグロ
ー放電法、スパッタリング法、イオンプレーティング法
が好適である。そしてこれらの方法を同一装置系内で併
用して形成してもよい。例えば、グロー放電法によって
ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）の感光層を形成するには、基本的に
はシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料
ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガ
ス及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給
用の原料ガスを、内部が減圧にし得る反応容器内に所望
のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を生
起させ、あらかじめ所定の位置に設置されてある所定の
支持体表面上にａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成す
ればよい。
方法によって、所望特性が得られるように適宜成膜パラ
メーターの数値条件が設定されて作成される。具体的に
は、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶ
Ｄ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、
あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真
空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱Ｃ
ＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成することが
できる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投
資下の負荷程度、製造規模、作成される光受容部材に所
望される特性等の要因によって適宜選択されて採用され
るが、所望の特性を有する光受容部材を製造するに当た
っての条件の制御が比較的容易であることからしてグロ
ー放電法、スパッタリング法、イオンプレーティング法
が好適である。そしてこれらの方法を同一装置系内で併
用して形成してもよい。例えば、グロー放電法によって
ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）の感光層を形成するには、基本的に
はシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料
ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガ
ス及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給
用の原料ガスを、内部が減圧にし得る反応容器内に所望
のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を生
起させ、あらかじめ所定の位置に設置されてある所定の
支持体表面上にａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成す
ればよい。
【００８６】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ4，Ｓｉ2 Ｈ6 ，Ｓｉ
3 Ｈ8 ，Ｓｉ4 Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得
る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効
率の良さ等の点でＳｉＨ，Ｓｉ2 Ｈ6 が好ましいものと
して挙げられる。また、これらのＳｉ供給用の原料ガス
を必要に応じてＨ2 ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより
希釈して使用してもよい。
となり得る物質としては、ＳｉＨ4，Ｓｉ2 Ｈ6 ，Ｓｉ
3 Ｈ8 ，Ｓｉ4 Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得
る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効
率の良さ等の点でＳｉＨ，Ｓｉ2 Ｈ6 が好ましいものと
して挙げられる。また、これらのＳｉ供給用の原料ガス
を必要に応じてＨ2 ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより
希釈して使用してもよい。
【００８７】形成される感光層中に導入される水素原子
の導入割合の制御を一層容易になるように図るために、
これらのガスに更に水素ガスまたは水素原子を含む珪素
化合物のガスも所望量混合して層形成することが好まし
い。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複
数種混合しても差し支えないものである。
の導入割合の制御を一層容易になるように図るために、
これらのガスに更に水素ガスまたは水素原子を含む珪素
化合物のガスも所望量混合して層形成することが好まし
い。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複
数種混合しても差し支えないものである。
【００８８】水素原子を感光層中に構造的に導入するに
は、上記の他にＨ2 、あるいはＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 ，
Ｓｉ3 Ｈ8 ，Ｓｉ4 Ｈ10等の水素化珪素とＳｉを供給す
るためのシリコンまたはシリコン化合物とを反応容器中
に共存させて放電を生起させることでも行うことができ
る。
は、上記の他にＨ2 、あるいはＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 ，
Ｓｉ3 Ｈ8 ，Ｓｉ4 Ｈ10等の水素化珪素とＳｉを供給す
るためのシリコンまたはシリコン化合物とを反応容器中
に共存させて放電を生起させることでも行うことができ
る。
【００８９】感光層中に含有される水素原子の量を制御
するには、例えば支持体温度、水素原子を含有させるた
めに使用される原料物質の反応容器内へ導入する量、放
電電力等を制御すればよい。
するには、例えば支持体温度、水素原子を含有させるた
めに使用される原料物質の反応容器内へ導入する量、放
電電力等を制御すればよい。
【００９０】感光層に含有せしめる周期律表第III 族に
属する原子としては、具体的には、Ｂ（硼素）、Ａｌ
（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウ
ム）、Ｔｌ（タリウム）等があり、特にＢ、Ａｌ、Ｇａ
が好適である。周期律表第Ｖ族に属する原子としては、
具体的にはＰ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモ
ン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。
属する原子としては、具体的には、Ｂ（硼素）、Ａｌ
（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウ
ム）、Ｔｌ（タリウム）等があり、特にＢ、Ａｌ、Ｇａ
が好適である。周期律表第Ｖ族に属する原子としては、
具体的にはＰ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモ
ン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。
【００９１】感光層中に、周期律表第III 族に属する原
子または、周期律表第Ｖ族に属する原子を構造的に導入
するには、層形成の際に、第III 族原子導入用の原料物
質あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質をガス状態で反
応容器中に、感光層を形成するための他のガスとともに
導入してやればよい。第III 族原子導入用の原料物質あ
るいは第Ｖ族原子導入用の原料物質となり得るものとし
ては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形成条
件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。そのような第III 族原子導入用の原料物質として具
体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ2 Ｈ6 、Ｂ4 Ｈ
10、Ｂ5 Ｈ9 、Ｂ5 Ｈ11、Ｂ6 Ｈ10、Ｂ6 Ｈ12、Ｂ6 Ｈ
14等の水素化硼素、ＢＦ3 ，ＢＣｌ3 ，ＢＢｒ3 等のハ
ロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ3 ，Ｇ
ａＣｌ3 ，Ｇａ（ＣＨ3 ）3 、ＩｎＣｌ3 、ＴｌＣｌ3
等も挙げることができる。
子または、周期律表第Ｖ族に属する原子を構造的に導入
するには、層形成の際に、第III 族原子導入用の原料物
質あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質をガス状態で反
応容器中に、感光層を形成するための他のガスとともに
導入してやればよい。第III 族原子導入用の原料物質あ
るいは第Ｖ族原子導入用の原料物質となり得るものとし
ては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形成条
件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。そのような第III 族原子導入用の原料物質として具
体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ2 Ｈ6 、Ｂ4 Ｈ
10、Ｂ5 Ｈ9 、Ｂ5 Ｈ11、Ｂ6 Ｈ10、Ｂ6 Ｈ12、Ｂ6 Ｈ
14等の水素化硼素、ＢＦ3 ，ＢＣｌ3 ，ＢＢｒ3 等のハ
ロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ3 ，Ｇ
ａＣｌ3 ，Ｇａ（ＣＨ3 ）3 、ＩｎＣｌ3 、ＴｌＣｌ3
等も挙げることができる。
【００９２】第Ｖ族原子導入用の原料物質として本発明
において、有効に使用されるのは、燐原子導入用として
は、ＰＨ3 ，Ｐ2 Ｈ4 等の水素化燐、ＰＨ4 Ｉ，Ｐ
Ｆ3 ，ＰＦ5 ，ＰＣｌ3 ，ＰＣｌ5 ，ＰＢｒ3 ，ＰＢｒ
5 ，ＰＩ3 等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、Ａ
ｓＨ3 ，ＡｓＦ3 ，ＡｓＣｌ3 ，ＡｓＢｒ3 ，Ａｓ
Ｆ5 ，ＳｂＨ3 ，ＳｂＦ3 ，ＳｂＦ5 ，ＳｂＣｌ3 ，Ｓ
ｂＣｌ5 ，ＢｉＨ3 ，ＢｉＣｌ3 ，ＢｉＢｒ3 等も第Ｖ
族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げること
ができる。
において、有効に使用されるのは、燐原子導入用として
は、ＰＨ3 ，Ｐ2 Ｈ4 等の水素化燐、ＰＨ4 Ｉ，Ｐ
Ｆ3 ，ＰＦ5 ，ＰＣｌ3 ，ＰＣｌ5 ，ＰＢｒ3 ，ＰＢｒ
5 ，ＰＩ3 等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、Ａ
ｓＨ3 ，ＡｓＦ3 ，ＡｓＣｌ3 ，ＡｓＢｒ3 ，Ａｓ
Ｆ5 ，ＳｂＨ3 ，ＳｂＦ3 ，ＳｂＦ5 ，ＳｂＣｌ3 ，Ｓ
ｂＣｌ5 ，ＢｉＨ3 ，ＢｉＣｌ3 ，ＢｉＢｒ3 等も第Ｖ
族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げること
ができる。
【００９３】また、これらの原料物質を必要に応じて、
Ｈ2 ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用し
てもよい。
Ｈ2 ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用し
てもよい。
【００９４】さらに感光層には、周期律表第Ｉａ族、II
ａ族、VIｂ族、VIII族から選ばれる少なくとも１種の元
素を０．１から１００００原子ｐｐｍ程度含有してもよ
い。前記元素は前記感光層中に万遍無く均一に分布され
てもよいし、あるいは該感光層中に万遍無く含有されて
はいるが、層厚方向に対し不均一に分布する状態で含有
している部分があってもよい。
ａ族、VIｂ族、VIII族から選ばれる少なくとも１種の元
素を０．１から１００００原子ｐｐｍ程度含有してもよ
い。前記元素は前記感光層中に万遍無く均一に分布され
てもよいし、あるいは該感光層中に万遍無く含有されて
はいるが、層厚方向に対し不均一に分布する状態で含有
している部分があってもよい。
【００９５】第Ｉａ族原子としては、具体的には、Ｌｉ
（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）を
挙げることができ、第IIａ族原子としては、Ｂｅ（ベリ
リウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシウ
ム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）等を
挙げることができる。
（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）を
挙げることができ、第IIａ族原子としては、Ｂｅ（ベリ
リウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシウ
ム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）等を
挙げることができる。
【００９６】また、第VIｂ族原子としては、具体的に
は、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タング
ステン）等を挙げることができ、第VIII族原子として
は、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）
等を挙げることができる。
は、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タング
ステン）等を挙げることができ、第VIII族原子として
は、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）
等を挙げることができる。
【００９７】本発明の光受容部材において、感光層の層
厚は、本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因
の一つであって、光受容部材に所望の特性が得られるよ
うに、光受容部材の設計の際には充分注意を払う必要が
あり、好ましくは３〜１００μｍ、より好ましくは５〜
８０μｍ、最適には７〜５０μｍとされるのが望まし
い。
厚は、本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因
の一つであって、光受容部材に所望の特性が得られるよ
うに、光受容部材の設計の際には充分注意を払う必要が
あり、好ましくは３〜１００μｍ、より好ましくは５〜
８０μｍ、最適には７〜５０μｍとされるのが望まし
い。
【００９８】本発明の目的を達成し得る特性を有するａ
−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）から成る感光層を形成するには、導電
性支持体の温度、反応容器内のガス圧を所望にしたがっ
て、適宜設定する必要がある。
−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）から成る感光層を形成するには、導電
性支持体の温度、反応容器内のガス圧を所望にしたがっ
て、適宜設定する必要がある。
【００９９】導電性支持体の温度（Ｔｓ）は、層設計に
したがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、
好ましくは２０〜５００℃、より好ましくは５０〜４８
０℃、最適には１００〜４５０℃とするのが望ましい。
したがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、
好ましくは２０〜５００℃、より好ましくは５０〜４８
０℃、最適には１００〜４５０℃とするのが望ましい。
【０１００】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０-5〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×
１０-5〜３Ｔｏｒｒ、最適には１×１０-4〜１Ｔｏｒｒ
とするのが好ましい。
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０-5〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×
１０-5〜３Ｔｏｒｒ、最適には１×１０-4〜１Ｔｏｒｒ
とするのが好ましい。
【０１０１】本発明においては、前記感光層を作成する
ための導電性支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲と
して前記した範囲が挙げられるが、これらの層作成ファ
クターは通常は独立的に別々に決められるものではな
く、所望の特性を有する感光層を形成すべく相互的且つ
有機的関連性に基づいて、各層作成ファクターの最適値
を決めるのが望ましい。
ための導電性支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲と
して前記した範囲が挙げられるが、これらの層作成ファ
クターは通常は独立的に別々に決められるものではな
く、所望の特性を有する感光層を形成すべく相互的且つ
有機的関連性に基づいて、各層作成ファクターの最適値
を決めるのが望ましい。
【０１０２】［表面層］本発明の光受容部材の表面層
は、構成要素としてシリコン原子と、炭素原子、窒素原
子および酸素原子のうち少なくとも一種と、水素原子お
よびハロゲン原子の少なくともいずれか一方を含有する
ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）〔以後、「ａ−Ｓｉ（Ｃ，Ｎ，Ｏ）
（Ｈ，Ｘ）と表記する。〕で構成される。
は、構成要素としてシリコン原子と、炭素原子、窒素原
子および酸素原子のうち少なくとも一種と、水素原子お
よびハロゲン原子の少なくともいずれか一方を含有する
ａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）〔以後、「ａ−Ｓｉ（Ｃ，Ｎ，Ｏ）
（Ｈ，Ｘ）と表記する。〕で構成される。
【０１０３】該層に含有される炭素原子及び／または窒
素原子及び／または酸素原子は、該層中に万遍なく均一
に分布されてもよいし、あるいは層厚方向には万遍なく
含有されているが、不均一に分布する状態で含有してい
る部分があっても良い。
素原子及び／または酸素原子は、該層中に万遍なく均一
に分布されてもよいし、あるいは層厚方向には万遍なく
含有されているが、不均一に分布する状態で含有してい
る部分があっても良い。
【０１０４】表面層の全層領域に含有される炭素原子及
び／または窒素原子及び／または酸素原子は、主に高暗
抵抗化、高硬度化等の効果を奏する。炭素原子及び／又
は酸素原子及び／又は窒素原子の含有量は、本発明の目
的が効果的に達成できるよう所望にしたがって適宜決定
されるが、一種類の場合はその含有量とし、二種類以上
の場合はその総和として、好ましくは１×１０-3〜９０
原子％、より好ましくは１×１０-1〜８５％、最適には
１〜８０原子％とすることが望ましい。
び／または窒素原子及び／または酸素原子は、主に高暗
抵抗化、高硬度化等の効果を奏する。炭素原子及び／又
は酸素原子及び／又は窒素原子の含有量は、本発明の目
的が効果的に達成できるよう所望にしたがって適宜決定
されるが、一種類の場合はその含有量とし、二種類以上
の場合はその総和として、好ましくは１×１０-3〜９０
原子％、より好ましくは１×１０-1〜８５％、最適には
１〜８０原子％とすることが望ましい。
【０１０５】また、本発明における表面層に含有される
水素原子及び／又はハロゲン原子はａ−Ｓｉ（Ｃ，Ｎ，
Ｏ）（Ｈ，Ｘ）内に存在する未結合手を補償し膜質の向
上に効果を奏する。
水素原子及び／又はハロゲン原子はａ−Ｓｉ（Ｃ，Ｎ，
Ｏ）（Ｈ，Ｘ）内に存在する未結合手を補償し膜質の向
上に効果を奏する。
【０１０６】表面層中の水素原子またはハロゲン原子ま
たは水素原子とハロゲン原子の和の含有量は好適には１
〜７０原子％、より好適には５〜５０原子％、最適には
１０〜３０原子％である。
たは水素原子とハロゲン原子の和の含有量は好適には１
〜７０原子％、より好適には５〜５０原子％、最適には
１０〜３０原子％である。
【０１０７】本発明において、表面層は真空堆積膜形成
方法によって、所望特性が得られるように適宜成膜パラ
メーターの数値条件が設定されて作成される。具体的に
は、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶ
Ｄ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、
あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真
空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱Ｃ
ＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成することが
できる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投
資下の負荷程度、製造規模、作成される光受容部材に所
望される特性等の要因によって適宜選択されて採用され
るが、所望の特性を有する光受容部材を製造するに当た
っての条件の制御が比較的容易であることからしてグロ
ー放電法、スパッタリング法、イオンプレーティング法
が好適である。そしてこれらの方法を同一装置系内で併
用して形成してもよい。例えば、グロー放電法によって
ａ−Ｓｉ（Ｃ，Ｎ，Ｏ）（Ｈ，Ｘ）の表面層を形成する
には、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳ
ｉ供給用の原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ
供給用の原料ガス及び／または窒素原子（Ｎ）を供給し
得るＮ供給用の原料ガス及び／または酸素原子（Ｏ）を
供給し得るＯ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供
給し得るＨ供給用の原料ガス及び／またはハロゲン原子
（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部が減圧
にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該反
応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位
置に設置されてある所定の支持体表面上にａ−Ｓｉ
（Ｃ，Ｎ，Ｏ）（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成すればよ
い。
方法によって、所望特性が得られるように適宜成膜パラ
メーターの数値条件が設定されて作成される。具体的に
は、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶ
Ｄ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、
あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真
空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱Ｃ
ＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成することが
できる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投
資下の負荷程度、製造規模、作成される光受容部材に所
望される特性等の要因によって適宜選択されて採用され
るが、所望の特性を有する光受容部材を製造するに当た
っての条件の制御が比較的容易であることからしてグロ
ー放電法、スパッタリング法、イオンプレーティング法
が好適である。そしてこれらの方法を同一装置系内で併
用して形成してもよい。例えば、グロー放電法によって
ａ−Ｓｉ（Ｃ，Ｎ，Ｏ）（Ｈ，Ｘ）の表面層を形成する
には、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳ
ｉ供給用の原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ
供給用の原料ガス及び／または窒素原子（Ｎ）を供給し
得るＮ供給用の原料ガス及び／または酸素原子（Ｏ）を
供給し得るＯ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供
給し得るＨ供給用の原料ガス及び／またはハロゲン原子
（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部が減圧
にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該反
応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位
置に設置されてある所定の支持体表面上にａ−Ｓｉ
（Ｃ，Ｎ，Ｏ）（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成すればよ
い。
【０１０８】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ4，Ｓｉ2 Ｈ6 ，Ｓｉ
3 Ｈ8 ，Ｓｉ4 Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得
る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効
率の良さ等の点でＳｉＨ，Ｓｉ2 Ｈ6 が好ましいものと
して挙げられる。また、これらのＳｉ供給用の原料ガス
を必要に応じてＨ2 ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより
希釈して使用してもよい。
となり得る物質としては、ＳｉＨ4，Ｓｉ2 Ｈ6 ，Ｓｉ
3 Ｈ8 ，Ｓｉ4 Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得
る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効
率の良さ等の点でＳｉＨ，Ｓｉ2 Ｈ6 が好ましいものと
して挙げられる。また、これらのＳｉ供給用の原料ガス
を必要に応じてＨ2 ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより
希釈して使用してもよい。
【０１０９】形成される表面層中に導入される水素原子
の導入割合の制御を一層容易になるように図るために、
これらのガスに更に水素ガスまたは水素原子を含む珪素
化合物のガスも所望量混合して層形成することが好まし
い。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複
数種混合しても差し支えないものである。
の導入割合の制御を一層容易になるように図るために、
これらのガスに更に水素ガスまたは水素原子を含む珪素
化合物のガスも所望量混合して層形成することが好まし
い。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複
数種混合しても差し支えないものである。
【０１１０】水素原子を表面層中に構造的に導入するに
は、上記の他にＨ2 、あるいはＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 ，
Ｓｉ3 Ｈ8 ，Ｓｉ4 Ｈ10等の水素化珪素とＳｉを供給す
るためのシリコンまたはシリコン化合物とを反応容器中
に共存させて放電を生起させることでも行うことができ
る。
は、上記の他にＨ2 、あるいはＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 ，
Ｓｉ3 Ｈ8 ，Ｓｉ4 Ｈ10等の水素化珪素とＳｉを供給す
るためのシリコンまたはシリコン化合物とを反応容器中
に共存させて放電を生起させることでも行うことができ
る。
【０１１１】表面層中に含有される水素原子の量を制御
するには、例えば支持体温度、水素原子を含有させるた
めに使用される原料物質の反応容器内へ導入する量、放
電電力等を制御すればよい。
するには、例えば支持体温度、水素原子を含有させるた
めに使用される原料物質の反応容器内へ導入する量、放
電電力等を制御すればよい。
【０１１２】さらに本発明の表面層には、周期律表第II
I 族に属する原子または周期律表第Ｖ族に属する原子を
０．０００１から１００００原子ｐｐｍ程度含有しても
よい。
I 族に属する原子または周期律表第Ｖ族に属する原子を
０．０００１から１００００原子ｐｐｍ程度含有しても
よい。
【０１１３】前記元素は前記表面層中に万遍無く均一に
分布されてもよいし、あるいは該表面層中に万遍無く含
有されてはいるが、層厚方向に対し不均一に分布する状
態で含有している部分があってもよい。
分布されてもよいし、あるいは該表面層中に万遍無く含
有されてはいるが、層厚方向に対し不均一に分布する状
態で含有している部分があってもよい。
【０１１４】周期律表第III 族に属する原子としては、
具体的には、Ｂ（硼素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ
（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ（タリウム）
等があり、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。周期律表
第Ｖ族に属する原子としては、具体的にはＰ（燐）、Ａ
ｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等
があり、特にＰ、Ａｓが好適である。
具体的には、Ｂ（硼素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ
（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ（タリウム）
等があり、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。周期律表
第Ｖ族に属する原子としては、具体的にはＰ（燐）、Ａ
ｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等
があり、特にＰ、Ａｓが好適である。
【０１１５】さらに表面層には、周期律表第Ｉａ族、II
ａ族、VIｂ族、VIII族から選ばれる少なくとも１種の元
素を０．１から１００００原子ｐｐｍ程度含有してもよ
い。前記元素は前記感光層中に万遍無く均一に分布され
てもよいし、あるいは該感光層中に万遍無く含有されて
はいるが、層厚方向に対し不均一に分布する状態で含有
している部分があってもよい。
ａ族、VIｂ族、VIII族から選ばれる少なくとも１種の元
素を０．１から１００００原子ｐｐｍ程度含有してもよ
い。前記元素は前記感光層中に万遍無く均一に分布され
てもよいし、あるいは該感光層中に万遍無く含有されて
はいるが、層厚方向に対し不均一に分布する状態で含有
している部分があってもよい。
【０１１６】第Ｉａ族原子としては、具体的には、Ｌｉ
（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）を
挙げることができ、第IIａ族原子としては、Ｂｅ（ベリ
リウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシウ
ム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）等を
挙げることができる。
（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）を
挙げることができ、第IIａ族原子としては、Ｂｅ（ベリ
リウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシウ
ム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）等を
挙げることができる。
【０１１７】また、第VIｂ族原子としては、具体的に
は、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タング
ステン）等を挙げることができ、第VIII族原子として
は、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）
等を挙げることができる。
は、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タング
ステン）等を挙げることができ、第VIII族原子として
は、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）
等を挙げることができる。
【０１１８】本発明の光受容部材において、表面層の層
厚は、本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因
の一つであって、光受容部材に所望の特性が得られるよ
うに、光受容部材の設計の際には充分注意を払う必要が
あり、好ましくは０．００３〜３００μｍ、より好まし
くは０．０１〜２０μｍ、最適には０．１〜１０μｍと
されるのが望ましい。
厚は、本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因
の一つであって、光受容部材に所望の特性が得られるよ
うに、光受容部材の設計の際には充分注意を払う必要が
あり、好ましくは０．００３〜３００μｍ、より好まし
くは０．０１〜２０μｍ、最適には０．１〜１０μｍと
されるのが望ましい。
【０１１９】本発明の目的を達成し得る特性を有するａ
−Ｓｉ（Ｃ，Ｎ，Ｏ）（Ｈ，Ｘ）から成る表面層を形成
するには、導電性支持体の温度、反応容器内のガス圧を
所望にしたがって、適宜設定する必要がある。
−Ｓｉ（Ｃ，Ｎ，Ｏ）（Ｈ，Ｘ）から成る表面層を形成
するには、導電性支持体の温度、反応容器内のガス圧を
所望にしたがって、適宜設定する必要がある。
【０１２０】導電性支持体の温度（Ｔｓ）は、層設計に
したがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、
好ましくは２０〜５００℃、より好ましくは５０〜４８
０℃、最適には１００〜４５０℃とするのが望ましい。
したがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、
好ましくは２０〜５００℃、より好ましくは５０〜４８
０℃、最適には１００〜４５０℃とするのが望ましい。
【０１２１】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０-5〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１０
-5〜３Ｔｏｒｒ、最適には１×１０-4〜１Ｔｏｒｒとす
るのが好ましい。
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０-5〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１０
-5〜３Ｔｏｒｒ、最適には１×１０-4〜１Ｔｏｒｒとす
るのが好ましい。
【０１２２】本発明においては、前記表面層を作成する
ための導電性支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲と
して前記した範囲が挙げられるが、これらの層作成ファ
クターは通常は独立的に別々に決められるものではな
く、所望の特性を有する表面層を形成すべく相互的且つ
有機的関連性に基づいて、各層作成ファクターの最適値
を決めるのが望ましい。
ための導電性支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲と
して前記した範囲が挙げられるが、これらの層作成ファ
クターは通常は独立的に別々に決められるものではな
く、所望の特性を有する表面層を形成すべく相互的且つ
有機的関連性に基づいて、各層作成ファクターの最適値
を決めるのが望ましい。
【０１２３】［長波長光吸収層］本発明の光受容部材の
長波長光吸収層は、構成要素としてシリコン原子とゲル
マニウム原子（Ｇｅ）およびスズ原子（Ｓｎ）のうち少
なくともいずれか一方と、水素原子（Ｈ）およびハロゲ
ン原子（Ｘ）のうち少なくとも一方を含有するａ−Ｓｉ
（Ｈ，Ｘ）〔以後、「ａ−Ｓｉ（Ｇｅ，Ｓｎ）（Ｈ，
Ｘ）と表記する。〕で構成される。
長波長光吸収層は、構成要素としてシリコン原子とゲル
マニウム原子（Ｇｅ）およびスズ原子（Ｓｎ）のうち少
なくともいずれか一方と、水素原子（Ｈ）およびハロゲ
ン原子（Ｘ）のうち少なくとも一方を含有するａ−Ｓｉ
（Ｈ，Ｘ）〔以後、「ａ−Ｓｉ（Ｇｅ，Ｓｎ）（Ｈ，
Ｘ）と表記する。〕で構成される。
【０１２４】該層に含有されるゲルマニウム原子及び／
またはスズ原子は、該層中に万遍なく均一に分布されて
もよいし、あるいは層厚方向には万遍なく含有されてい
るが、不均一に分布する状態で含有している部分があっ
ても良い。
またはスズ原子は、該層中に万遍なく均一に分布されて
もよいし、あるいは層厚方向には万遍なく含有されてい
るが、不均一に分布する状態で含有している部分があっ
ても良い。
【０１２５】本発明において、長波長光吸収層に含有さ
れるゲルマニウム原子及び／またはスズ原子の含有量
は、本発明の目的が効果的に達成できるよう所望にした
がって適宜決定されるが、一種類の場合はその含有量と
し、二種類以上の場合はその総和として、好ましくは１
〜１０×１０6 原子ｐｐｍ、より好ましくは１００〜
９．５×１０6 原子ｐｐｍ、最適には５００〜８×１０
6 原子ｐｐｍとすることが望ましい。
れるゲルマニウム原子及び／またはスズ原子の含有量
は、本発明の目的が効果的に達成できるよう所望にした
がって適宜決定されるが、一種類の場合はその含有量と
し、二種類以上の場合はその総和として、好ましくは１
〜１０×１０6 原子ｐｐｍ、より好ましくは１００〜
９．５×１０6 原子ｐｐｍ、最適には５００〜８×１０
6 原子ｐｐｍとすることが望ましい。
【０１２６】そして長波長光吸収層中に含有せしめる水
素原子（Ｈ）の含有量またはハロゲン原子（Ｘ）の含有
量、あるいは水素原子とハロゲン原子の含有量の和は、
好ましくは０．０１〜４０原子％、より好ましくは０．
０５〜３０原子％とするのが望ましい。
素原子（Ｈ）の含有量またはハロゲン原子（Ｘ）の含有
量、あるいは水素原子とハロゲン原子の含有量の和は、
好ましくは０．０１〜４０原子％、より好ましくは０．
０５〜３０原子％とするのが望ましい。
【０１２７】該長波長光吸収層はさらに伝導性を制御す
る物質、炭素原子（Ｃ）、窒素原子（Ｎ）、酸素原子
（Ｏ）のうち少なくとも一つを含有してもよい。
る物質、炭素原子（Ｃ）、窒素原子（Ｎ）、酸素原子
（Ｏ）のうち少なくとも一つを含有してもよい。
【０１２８】前記の伝導性を制御する原子としては、半
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導特性を与える周期律表III 族に属する原子
（以後「第III 族原子」と略記する）またはｎ型伝導特
性を与える周期律表Ｖ族に属する原子（以後「第Ｖ族原
子」と略記する）を用いることができる。
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導特性を与える周期律表III 族に属する原子
（以後「第III 族原子」と略記する）またはｎ型伝導特
性を与える周期律表Ｖ族に属する原子（以後「第Ｖ族原
子」と略記する）を用いることができる。
【０１２９】第III 族原子としては、具体的には、Ｂ
（硼素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、
Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ（タリウム）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖ族原子としては、具
体的にはＰ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモ
ン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。
（硼素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、
Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ（タリウム）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖ族原子としては、具
体的にはＰ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモ
ン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。
【０１３０】長波長光吸収層に含有される伝導性を制御
する原子（Ｍ）の含有量としては、好ましくは０．０１
〜５×１０5 原子ｐｐｍ、より好ましくは０．５〜１×
１０4 原子ｐｐｍ、最適には１〜５×１０3 原子ｐｐｍ
とされるのが望ましい。
する原子（Ｍ）の含有量としては、好ましくは０．０１
〜５×１０5 原子ｐｐｍ、より好ましくは０．５〜１×
１０4 原子ｐｐｍ、最適には１〜５×１０3 原子ｐｐｍ
とされるのが望ましい。
【０１３１】また、長波長光吸収層中に含有される、炭
素原子及び／又は酸素原子及び／又は窒素原子の含有量
は、一種類の場合はその含有量とし、二種類以上の場合
はその総和として、好ましくは０．０１〜４０原子％、
より好ましくは０．０５〜３０原子％、最適には０．１
〜２５原子％とすることが望ましい。
素原子及び／又は酸素原子及び／又は窒素原子の含有量
は、一種類の場合はその含有量とし、二種類以上の場合
はその総和として、好ましくは０．０１〜４０原子％、
より好ましくは０．０５〜３０原子％、最適には０．１
〜２５原子％とすることが望ましい。
【０１３２】本発明において、長波長光吸収層は真空堆
積膜形成方法によって、所望特性が得られるように適宜
成膜パラメーターの数値条件が設定されて作成される。
具体的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高
周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電Ｃ
ＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリン
グ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ
法、熱ＣＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成す
ることができる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設
備資本投資下の負荷程度、製造規模、作成される光受容
部材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて
採用されるが、所望の特性を有する光受容部材を製造す
るに当たっての条件の制御が比較的容易であることから
してグロー放電法、スパッタリング法、イオンプレーテ
ィング法が好適である。そしてこれらの方法を同一装置
系内で併用して形成してもよい。例えば、グロー放電法
によってａ−Ｓｉ（Ｇｅ，Ｓｎ）（Ｈ，Ｘ）の長波長吸
収層を形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）
を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、ゲルマニウム原
子（Ｇｅ）を供給し得るＧｅ供給用の原料ガス及び／ま
たはスズ原子（Ｓｎ）を供給し得るＳｎ供給用の原料ガ
スと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガス
及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る反応容器内に所望の
ガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を生起
させ、あらかじめ所定の位置に設置されてある所定の支
持体表面上にａ−Ｓｉ（Ｇｅ，Ｓｎ）（Ｈ，Ｘ）からな
る層を形成すればよい。
積膜形成方法によって、所望特性が得られるように適宜
成膜パラメーターの数値条件が設定されて作成される。
具体的には、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高
周波ＣＶＤ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電Ｃ
ＶＤ法、あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリン
グ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ
法、熱ＣＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成す
ることができる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設
備資本投資下の負荷程度、製造規模、作成される光受容
部材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて
採用されるが、所望の特性を有する光受容部材を製造す
るに当たっての条件の制御が比較的容易であることから
してグロー放電法、スパッタリング法、イオンプレーテ
ィング法が好適である。そしてこれらの方法を同一装置
系内で併用して形成してもよい。例えば、グロー放電法
によってａ−Ｓｉ（Ｇｅ，Ｓｎ）（Ｈ，Ｘ）の長波長吸
収層を形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）
を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、ゲルマニウム原
子（Ｇｅ）を供給し得るＧｅ供給用の原料ガス及び／ま
たはスズ原子（Ｓｎ）を供給し得るＳｎ供給用の原料ガ
スと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガス
及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る反応容器内に所望の
ガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を生起
させ、あらかじめ所定の位置に設置されてある所定の支
持体表面上にａ−Ｓｉ（Ｇｅ，Ｓｎ）（Ｈ，Ｘ）からな
る層を形成すればよい。
【０１３３】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ4，Ｓｉ2 Ｈ6 ，Ｓｉ
3 Ｈ8 ，Ｓｉ4 Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得
る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効
率の良さ等の点でＳｉＨ，Ｓｉ2 Ｈ6 が好ましいものと
して挙げられる。また、これらのＳｉ供給用の原料ガス
を必要に応じてＨ2 ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより
希釈して使用してもよい。
となり得る物質としては、ＳｉＨ4，Ｓｉ2 Ｈ6 ，Ｓｉ
3 Ｈ8 ，Ｓｉ4 Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得
る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効
率の良さ等の点でＳｉＨ，Ｓｉ2 Ｈ6 が好ましいものと
して挙げられる。また、これらのＳｉ供給用の原料ガス
を必要に応じてＨ2 ，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ等のガスにより
希釈して使用してもよい。
【０１３４】本発明において使用されるＧｅ供給用ガス
となり得る物質としては、ＧｅＨ4，Ｇｅ2 Ｈ6 ，Ｇｅ
3 Ｈ8 ，Ｇｅ4 Ｈ10，Ｇｅ5 Ｈ12，Ｇｅ6 Ｈ14，Ｇｅ7
Ｈ16，Ｇｅ8 Ｈ18，Ｇｅ9 Ｈ20などのガス状態のまたは
ガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるも
のとして挙げられ、特に層作製作業時の取扱い易さ、Ｇ
ｅ供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ4 ，Ｇｅ2 Ｈ6 ，Ｇ
ｅ3 Ｈ8 が好ましいものとして挙げられる。
となり得る物質としては、ＧｅＨ4，Ｇｅ2 Ｈ6 ，Ｇｅ
3 Ｈ8 ，Ｇｅ4 Ｈ10，Ｇｅ5 Ｈ12，Ｇｅ6 Ｈ14，Ｇｅ7
Ｈ16，Ｇｅ8 Ｈ18，Ｇｅ9 Ｈ20などのガス状態のまたは
ガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるも
のとして挙げられ、特に層作製作業時の取扱い易さ、Ｇ
ｅ供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ4 ，Ｇｅ2 Ｈ6 ，Ｇ
ｅ3 Ｈ8 が好ましいものとして挙げられる。
【０１３５】本発明において使用されるＳｎ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｎＨ4，Ｓｎ2 Ｈ6 ，Ｓｎ
3 Ｈ8 ，Ｓｎ4 Ｈ10，Ｓｎ5 Ｈ12，Ｓｎ6 Ｈ14，Ｓｎ7
Ｈ16，Ｓｎ8 Ｈ18，Ｓｎ9 Ｈ20などのガス状態のまたは
ガス化し得る水素化スズが有効に使用されるものとして
挙げられ、特に層作製作業時の取扱い易さ、Ｓｎ供給効
率の良さ等の点で、ＳｎＨ4 ，Ｓｎ2 Ｈ6 ，Ｓｎ3 Ｈ8
が好ましいものとして挙げられる。
となり得る物質としては、ＳｎＨ4，Ｓｎ2 Ｈ6 ，Ｓｎ
3 Ｈ8 ，Ｓｎ4 Ｈ10，Ｓｎ5 Ｈ12，Ｓｎ6 Ｈ14，Ｓｎ7
Ｈ16，Ｓｎ8 Ｈ18，Ｓｎ9 Ｈ20などのガス状態のまたは
ガス化し得る水素化スズが有効に使用されるものとして
挙げられ、特に層作製作業時の取扱い易さ、Ｓｎ供給効
率の良さ等の点で、ＳｎＨ4 ，Ｓｎ2 Ｈ6 ，Ｓｎ3 Ｈ8
が好ましいものとして挙げられる。
【０１３６】ハロゲン原子供給用ガスとして有効なもの
は、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲンを含
むハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導
体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化合物が好
ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原子とハロ
ゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス化し得
るハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効な物とし
て挙げられる。
は、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲンを含
むハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導
体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化合物が好
ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原子とハロ
ゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス化し得
るハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効な物とし
て挙げられる。
【０１３７】本発明において好適に使用し得るハロゲン
化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ2 ）、Ｂｒ
Ｆ，ＣｌＦ，ＣｌＦ3 ，ＢｒＦ3 ，ＢｒＦ5 ，ＩＦ3 ，
ＩＦ7等のハロゲン間化合物を挙げることができる。
化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ2 ）、Ｂｒ
Ｆ，ＣｌＦ，ＣｌＦ3 ，ＢｒＦ3 ，ＢｒＦ5 ，ＩＦ3 ，
ＩＦ7等のハロゲン間化合物を挙げることができる。
【０１３８】ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆる
ハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には、例えばＳｉＦ4 ，Ｓｉ2 Ｆ6 等の弗化珪素が好
ましいものとして挙げることができる。このようなハロ
ゲン原子を含む珪素化合物を採用してグロー放電等によ
り本発明の特徴的な光受容部材を形成する場合には、Ｓ
ｉ供給用ガスとしての水素化珪素ガスを使用しなくて
も、ハロゲン原子を含む長波長光吸収層を形成すること
ができるが、形成される長波長光吸収層中に導入される
水素原子の導入割合の制御を一層容易になるように図る
ために、これらのガスに更に水素ガスまたは水素原子を
含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成すること
が好ましい。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混
合比で複数種混合しても差し支えないものである。
ハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には、例えばＳｉＦ4 ，Ｓｉ2 Ｆ6 等の弗化珪素が好
ましいものとして挙げることができる。このようなハロ
ゲン原子を含む珪素化合物を採用してグロー放電等によ
り本発明の特徴的な光受容部材を形成する場合には、Ｓ
ｉ供給用ガスとしての水素化珪素ガスを使用しなくて
も、ハロゲン原子を含む長波長光吸収層を形成すること
ができるが、形成される長波長光吸収層中に導入される
水素原子の導入割合の制御を一層容易になるように図る
ために、これらのガスに更に水素ガスまたは水素原子を
含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成すること
が好ましい。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混
合比で複数種混合しても差し支えないものである。
【０１３９】本発明においては、ハロゲン原子供給用ガ
スとして上記弗化物あるいはハロゲンを含む珪素化合物
が有効な物として使用されるものであるが、その他に、
ＨＦ，ＨＣｌ，ＨＢｒ，ＨＩ等のハロゲン化水素、Ｓｉ
Ｈ3 Ｆ，ＳｉＨ2 Ｆ2 ，ＳｉＨＦ3 等のハロゲン置換水
素化珪素、およびＧｅＨＦ3 ，ＧｅＨ2 Ｆ2 ，ＧｅＨＦ
3 等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム、およびＧｅＦ4
等のハロゲン化ゲルマニウム及び／または、ＳｎＨ
Ｆ3 ，ＳｎＨ2 Ｆ2 ，ＳｎＨ3 Ｆ等の水素化ハロゲン化
スズ、およびＳｎＦ4 等のハロゲン化スズ等のガス状態
のあるいはガス化し得る物質も有効な長波長光吸収層形
成用の原料物質として挙げることができる。これらの物
質の内、水素原子を含むハロゲン化物は、長波長光吸収
層形成時に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気的あ
るいは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も導入
されるので、本発明においては好適なハロゲン原子供給
用ガスとして使用される。
スとして上記弗化物あるいはハロゲンを含む珪素化合物
が有効な物として使用されるものであるが、その他に、
ＨＦ，ＨＣｌ，ＨＢｒ，ＨＩ等のハロゲン化水素、Ｓｉ
Ｈ3 Ｆ，ＳｉＨ2 Ｆ2 ，ＳｉＨＦ3 等のハロゲン置換水
素化珪素、およびＧｅＨＦ3 ，ＧｅＨ2 Ｆ2 ，ＧｅＨＦ
3 等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム、およびＧｅＦ4
等のハロゲン化ゲルマニウム及び／または、ＳｎＨ
Ｆ3 ，ＳｎＨ2 Ｆ2 ，ＳｎＨ3 Ｆ等の水素化ハロゲン化
スズ、およびＳｎＦ4 等のハロゲン化スズ等のガス状態
のあるいはガス化し得る物質も有効な長波長光吸収層形
成用の原料物質として挙げることができる。これらの物
質の内、水素原子を含むハロゲン化物は、長波長光吸収
層形成時に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気的あ
るいは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も導入
されるので、本発明においては好適なハロゲン原子供給
用ガスとして使用される。
【０１４０】水素原子を長波長光吸収層中に構造的に導
入するには、上記の他にＨ2 、あるいはＳｉＨ4 ，Ｓｉ
2 Ｈ6 ，Ｓｉ3 Ｈ8 ，Ｓｉ4 Ｈ10等の水素化珪素をＧｅ
を供給するためのゲルマニウムまたはゲルマニウム化合
物と、あるいはＧｅＨ4 ，Ｇｅ2 Ｈ6 ，Ｇｅ3 Ｈ8 ，Ｇ
ｅ4 Ｈ10，Ｇｅ5 Ｈ12，Ｇｅ6 Ｈ14，Ｇｅ7 Ｈ16，Ｇｅ
8 Ｈ18，Ｇｅ9 Ｈ20などの水素化ゲルマニウム及び／ま
たはＳｎを供給するためのスズまたはスズ化合物と、あ
るいはＳｎＨ4 ，Ｓｎ2 Ｈ6 ，Ｓｎ3 Ｈ8 ，Ｓｎ
4 Ｈ10，Ｓｎ5 Ｈ12，Ｓｎ6 Ｈ14，Ｓｎ7 Ｈ16，Ｓｎ8
Ｈ18，Ｓｎ9 Ｈ20などの水素化スズとＳｉを供給するた
めのシリコンまたはシリコン化合物とを反応容器中に共
存させて放電を生起させることでも行うことができる。
入するには、上記の他にＨ2 、あるいはＳｉＨ4 ，Ｓｉ
2 Ｈ6 ，Ｓｉ3 Ｈ8 ，Ｓｉ4 Ｈ10等の水素化珪素をＧｅ
を供給するためのゲルマニウムまたはゲルマニウム化合
物と、あるいはＧｅＨ4 ，Ｇｅ2 Ｈ6 ，Ｇｅ3 Ｈ8 ，Ｇ
ｅ4 Ｈ10，Ｇｅ5 Ｈ12，Ｇｅ6 Ｈ14，Ｇｅ7 Ｈ16，Ｇｅ
8 Ｈ18，Ｇｅ9 Ｈ20などの水素化ゲルマニウム及び／ま
たはＳｎを供給するためのスズまたはスズ化合物と、あ
るいはＳｎＨ4 ，Ｓｎ2 Ｈ6 ，Ｓｎ3 Ｈ8 ，Ｓｎ
4 Ｈ10，Ｓｎ5 Ｈ12，Ｓｎ6 Ｈ14，Ｓｎ7 Ｈ16，Ｓｎ8
Ｈ18，Ｓｎ9 Ｈ20などの水素化スズとＳｉを供給するた
めのシリコンまたはシリコン化合物とを反応容器中に共
存させて放電を生起させることでも行うことができる。
【０１４１】長波長光吸収層中に含有される水素原子の
量を制御するには、例えば支持体温度、水素原子を含有
させるために使用される原料物質の反応容器内へ導入す
る量、放電電力等を制御すればよい。
量を制御するには、例えば支持体温度、水素原子を含有
させるために使用される原料物質の反応容器内へ導入す
る量、放電電力等を制御すればよい。
【０１４２】長波長光吸収層中に、周期律表第III 族に
属する原子または、周期律表第Ｖ族に属する原子を構造
的に導入するには、層形成の際に、第III 族原子導入用
の原料物質あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質をガス
状態で反応容器中に、長波長光吸収層を形成するための
他のガスとともに導入してやればよい。第III 族原子導
入用の原料物質あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質と
なり得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少
なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用
されるのが望ましい。そのような第III 族原子導入用の
原料物質として具体的には、硼素原子導入用としては、
Ｂ2 Ｈ6 ，Ｂ4 Ｈ10，Ｂ5 Ｈ9 ，Ｂ5 Ｈ11，Ｂ6 Ｈ10，
Ｂ6 Ｈ12，Ｂ6 Ｈ14等の水素化硼素、ＢＦ3 ，ＢＣ
ｌ3 ，ＢＢｒ3 等のハロゲン化硼素等が挙げられる。こ
の他、ＡｌＣｌ3 ，ＧａＣｌ3 ，Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ，Ｉ
ｎＣｌ3 ，ＴｌＣｌ3 等も挙げることができる。
属する原子または、周期律表第Ｖ族に属する原子を構造
的に導入するには、層形成の際に、第III 族原子導入用
の原料物質あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質をガス
状態で反応容器中に、長波長光吸収層を形成するための
他のガスとともに導入してやればよい。第III 族原子導
入用の原料物質あるいは第Ｖ族原子導入用の原料物質と
なり得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少
なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用
されるのが望ましい。そのような第III 族原子導入用の
原料物質として具体的には、硼素原子導入用としては、
Ｂ2 Ｈ6 ，Ｂ4 Ｈ10，Ｂ5 Ｈ9 ，Ｂ5 Ｈ11，Ｂ6 Ｈ10，
Ｂ6 Ｈ12，Ｂ6 Ｈ14等の水素化硼素、ＢＦ3 ，ＢＣ
ｌ3 ，ＢＢｒ3 等のハロゲン化硼素等が挙げられる。こ
の他、ＡｌＣｌ3 ，ＧａＣｌ3 ，Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ，Ｉ
ｎＣｌ3 ，ＴｌＣｌ3 等も挙げることができる。
【０１４３】第Ｖ族原子導入用の原料物質として本発明
において、有効に使用されるのは、燐原子導入用として
は、ＰＨ3 ，Ｐ2 Ｈ4 等の水素化燐、ＰＨ4 Ｉ，Ｐ
Ｆ3 ，ＰＦ5 ，ＰＣｌ3 ，ＰＣｌ5 ，ＰＢｒ3 ，ＰＢｒ
5 ，ＰＩ3 等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、Ａ
ｓＨ3 ，ＡｓＦ3 ，ＡｓＣｌ3 ，ＡｓＢｒ3 ，Ａｓ
Ｆ5 ，ＳｂＨ3 ，ＳｂＦ3 ，ＳｂＦ5 ，ＳｂＣｌ3 ，Ｓ
ｂＣｌ5 ，ＢｉＨ3 ，ＢｉＣｌ3 ，ＢｉＢｒ3 等も第Ｖ
族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げること
ができるる また、これらの原料物質を必要に応じてＨ2 ，Ｈｅ，Ａ
ｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
において、有効に使用されるのは、燐原子導入用として
は、ＰＨ3 ，Ｐ2 Ｈ4 等の水素化燐、ＰＨ4 Ｉ，Ｐ
Ｆ3 ，ＰＦ5 ，ＰＣｌ3 ，ＰＣｌ5 ，ＰＢｒ3 ，ＰＢｒ
5 ，ＰＩ3 等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、Ａ
ｓＨ3 ，ＡｓＦ3 ，ＡｓＣｌ3 ，ＡｓＢｒ3 ，Ａｓ
Ｆ5 ，ＳｂＨ3 ，ＳｂＦ3 ，ＳｂＦ5 ，ＳｂＣｌ3 ，Ｓ
ｂＣｌ5 ，ＢｉＨ3 ，ＢｉＣｌ3 ，ＢｉＢｒ3 等も第Ｖ
族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げること
ができるる また、これらの原料物質を必要に応じてＨ2 ，Ｈｅ，Ａ
ｒ，Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
【０１４４】さらに長波長光吸収層には、周期律表第Ｉ
ａ族、IIａ族、VIｂ族、VIII族から選ばれる少なくとも
１種の元素を０．１から１００００原子ｐｐｍ程度含有
してもよい。前記元素は前記長波長光吸収層に万遍無く
均一に分布されてもよいし、あるいは該長波長光吸収層
中に万遍無く含有されてはいるが、層厚方向に対し不均
一に分布する状態で含有している部分があってもよい。
ａ族、IIａ族、VIｂ族、VIII族から選ばれる少なくとも
１種の元素を０．１から１００００原子ｐｐｍ程度含有
してもよい。前記元素は前記長波長光吸収層に万遍無く
均一に分布されてもよいし、あるいは該長波長光吸収層
中に万遍無く含有されてはいるが、層厚方向に対し不均
一に分布する状態で含有している部分があってもよい。
【０１４５】第Ｉａ族原子としては、具体的には、Ｌｉ
（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）を
挙げることができ、第IIａ族原子としては、Ｂｅ（ベリ
リウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシウ
ム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）等を
挙げることができる。
（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）を
挙げることができ、第IIａ族原子としては、Ｂｅ（ベリ
リウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシウ
ム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）等を
挙げることができる。
【０１４６】また、第VIｂ族原子としては、具体的に
は、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タング
ステン）等を挙げることができ、第VIII族原子として
は、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）
等を挙げることができる。
は、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タング
ステン）等を挙げることができ、第VIII族原子として
は、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）
等を挙げることができる。
【０１４７】本発明の光受容部材において、長波長光吸
収層の層厚は、本発明の目的を効率的に達成するには重
要な要因の一つであって、光受容部材に所望の特性が得
られるように、光受容部材の設計の際には充分注意を払
う必要があり、好ましくは０．０５〜２５μｍ、より好
ましくは０．０７〜２０μｍ、最適には０．１〜１５μ
ｍとされるのが望ましい。
収層の層厚は、本発明の目的を効率的に達成するには重
要な要因の一つであって、光受容部材に所望の特性が得
られるように、光受容部材の設計の際には充分注意を払
う必要があり、好ましくは０．０５〜２５μｍ、より好
ましくは０．０７〜２０μｍ、最適には０．１〜１５μ
ｍとされるのが望ましい。
【０１４８】本発明の目的を達成し得る特性を有するａ
−Ｓｉ（Ｇｅ，Ｓｎ）（Ｈ，Ｘ）から成る長波長光吸収
層を形成するには、導電性支持体の温度、反応容器内の
ガス圧を所望にしたがって、適宜設定する必要がある。
−Ｓｉ（Ｇｅ，Ｓｎ）（Ｈ，Ｘ）から成る長波長光吸収
層を形成するには、導電性支持体の温度、反応容器内の
ガス圧を所望にしたがって、適宜設定する必要がある。
【０１４９】導電性支持体の温度（Ｔｓ）は、層設計に
したがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、
好ましくは２０〜５００℃、より好ましくは５０〜４８
０℃、最適には１００〜４５０℃とするのが望ましい。
したがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、
好ましくは２０〜５００℃、より好ましくは５０〜４８
０℃、最適には１００〜４５０℃とするのが望ましい。
【０１５０】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０-5〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×
１０-5〜３Ｔｏｒｒ、最適には１×１０-4〜１Ｔｏｒｒ
とするのが好ましい。
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０-5〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×
１０-5〜３Ｔｏｒｒ、最適には１×１０-4〜１Ｔｏｒｒ
とするのが好ましい。
【０１５１】本発明においては、前記長波長光吸収層を
作成するための導電性支持体温度、ガス圧の望ましい数
値範囲として前記した範囲が挙げられるが、これらの層
作成ファクターは通常は独立的に別々に決められるもの
ではなく、所望の特性を有する長波長光吸収層を形成す
べく相互的且つ有機的関連性に基づいて、各層作成ファ
クターの最適値を決めるのが望ましい。
作成するための導電性支持体温度、ガス圧の望ましい数
値範囲として前記した範囲が挙げられるが、これらの層
作成ファクターは通常は独立的に別々に決められるもの
ではなく、所望の特性を有する長波長光吸収層を形成す
べく相互的且つ有機的関連性に基づいて、各層作成ファ
クターの最適値を決めるのが望ましい。
【０１５２】以下、高周波プラズマＣＶＤ法およびマイ
クロ波プラズマＣＶＤ法によって堆積膜を形成するため
の装置及び形成方法について詳述する。
クロ波プラズマＣＶＤ法によって堆積膜を形成するため
の装置及び形成方法について詳述する。
【０１５３】図４は高周波プラズマＣＶＤ（以下「ＲＦ
−ＰＣＶＤ」と表記する）法による電子写真用光受容部
材の製造装置の一例を示す模式的な構成図である。
−ＰＣＶＤ」と表記する）法による電子写真用光受容部
材の製造装置の一例を示す模式的な構成図である。
【０１５４】図４に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による堆積膜
の製造装置の構成は以下の通りである。この装置は大別
すると、堆積装置４１００、原料ガスの供給装置４２０
０、反応容器４１１１内を減圧にするための排気装置
（図示せず）から構成されている。堆積装置４１００中
の反応容器４１１１内には導電性円筒状支持体４１１
２、支持体加熱用ヒーター４１１３、原料ガス導入管４
１１４が設置され、更に高周波マッチングボックス４１
１５が接続されている。
の製造装置の構成は以下の通りである。この装置は大別
すると、堆積装置４１００、原料ガスの供給装置４２０
０、反応容器４１１１内を減圧にするための排気装置
（図示せず）から構成されている。堆積装置４１００中
の反応容器４１１１内には導電性円筒状支持体４１１
２、支持体加熱用ヒーター４１１３、原料ガス導入管４
１１４が設置され、更に高周波マッチングボックス４１
１５が接続されている。
【０１５５】原料ガス供給装置４２００は、ＳｉＨ4 ，
Ｈ2 ，ＣＨ4 ，ＮＯ，Ｂ2 Ｈ6 ，ＳｉＦ4 等の原料ガス
のボンベ４２２１〜４２２６とバルブ４２３１〜４２３
６，４２４１〜４２４６，４２５１〜４２５６およびマ
スフローコントローラー４２１１〜４２１６から構成さ
れ、各原料ガスのボンベはバルブ４２６０を介して反応
容器４１１１内のガス導入管４１１４に接続されてい
る。
Ｈ2 ，ＣＨ4 ，ＮＯ，Ｂ2 Ｈ6 ，ＳｉＦ4 等の原料ガス
のボンベ４２２１〜４２２６とバルブ４２３１〜４２３
６，４２４１〜４２４６，４２５１〜４２５６およびマ
スフローコントローラー４２１１〜４２１６から構成さ
れ、各原料ガスのボンベはバルブ４２６０を介して反応
容器４１１１内のガス導入管４１１４に接続されてい
る。
【０１５６】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行なうこともできる。
以下のように行なうこともできる。
【０１５７】まず、反応容器４１１１内に円筒状支持体
４１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器４１１１内を排気する。続いて、支
持体加熱用ヒーター４１１３により円筒状支持体４１１
２の温度を２０℃〜５００℃の所定の温度に制御する。
４１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器４１１１内を排気する。続いて、支
持体加熱用ヒーター４１１３により円筒状支持体４１１
２の温度を２０℃〜５００℃の所定の温度に制御する。
【０１５８】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器４１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ４２３１〜４
２３６、反応容器のリークバルブ４１１７が閉じられて
いることを確認し、また、流入バルブ４２４１〜４２４
６、流出バルブ４２５１〜４２５６、補助バルブ４２６
０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ４
１１８を開いて反応容器４１１１およびガス配管内４１
１６を排気する。
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ４２３１〜４
２３６、反応容器のリークバルブ４１１７が閉じられて
いることを確認し、また、流入バルブ４２４１〜４２４
６、流出バルブ４２５１〜４２５６、補助バルブ４２６
０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ４
１１８を開いて反応容器４１１１およびガス配管内４１
１６を排気する。
【０１５９】次に真空計４１１９の読みが約５×１０-6
Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ４２６０、流出バル
ブ４２５１〜４２５６を閉じる。
Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ４２６０、流出バル
ブ４２５１〜４２５６を閉じる。
【０１６０】その後、ガスボンベ４２２１〜４２２６よ
り各ガスをバルブ４２３１〜４２３６を開いて導入し、
圧力調整器４２６１〜４２６６により各ガス圧を（例え
ば２Ｋｇ／ｃｍ2 ）調整する。次に、流入バルブ４２４
１〜４２４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコン
トローラー４２１１〜４２１６内に導入する。
り各ガスをバルブ４２３１〜４２３６を開いて導入し、
圧力調整器４２６１〜４２６６により各ガス圧を（例え
ば２Ｋｇ／ｃｍ2 ）調整する。次に、流入バルブ４２４
１〜４２４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコン
トローラー４２１１〜４２１６内に導入する。
【０１６１】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、円筒状支持体４１１２上に電荷注入阻止層、感光
層、表面層の各層の形成を行う。
後、円筒状支持体４１１２上に電荷注入阻止層、感光
層、表面層の各層の形成を行う。
【０１６２】円筒状支持体４１１２が所定の温度になっ
たところで流出バルブ４２５１〜４２５６のうちの必要
なものおよび補助バルブ４２６０を徐々に開き、ガスボ
ンベ４２２１〜４２２６から所定のガスをガス導入管４
１１４を介して反応容器４１１１内に導入する。次にマ
スフローコントローラー４２１１〜４２１６によって各
原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、
反応容器４１１１内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧
力になるように真空計４１１９を見ながらメインバルブ
４１１８の開口を調整する。内圧が安定したところで、
ＲＦ電源（不図示）を所望の電力に設定して、高周波マ
ッチングボックス４１１５を通じて反応容器４１１１内
にＲＦ電力を導入し、ＲＦグロー放電を生起させる。こ
の放電エネルギーによって反応容器内に導入された原料
ガスが分解され、円筒状支持体４１１２上に所定のシリ
コンを主成分とする堆積膜が形成されるところとなる。
所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の供給を止
め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止
め、堆積膜の形成を終える。
たところで流出バルブ４２５１〜４２５６のうちの必要
なものおよび補助バルブ４２６０を徐々に開き、ガスボ
ンベ４２２１〜４２２６から所定のガスをガス導入管４
１１４を介して反応容器４１１１内に導入する。次にマ
スフローコントローラー４２１１〜４２１６によって各
原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、
反応容器４１１１内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧
力になるように真空計４１１９を見ながらメインバルブ
４１１８の開口を調整する。内圧が安定したところで、
ＲＦ電源（不図示）を所望の電力に設定して、高周波マ
ッチングボックス４１１５を通じて反応容器４１１１内
にＲＦ電力を導入し、ＲＦグロー放電を生起させる。こ
の放電エネルギーによって反応容器内に導入された原料
ガスが分解され、円筒状支持体４１１２上に所定のシリ
コンを主成分とする堆積膜が形成されるところとなる。
所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の供給を止
め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止
め、堆積膜の形成を終える。
【０１６３】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【０１６４】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器４１１１
内、流出バルブ４２５１〜４２５６から反応容器４１１
１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ４２５１〜４２５６を閉じ、補助バルブ４２６０を
開き、さらにメインバルブ４１１８を全開にして系内を
一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。
以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器４１１１
内、流出バルブ４２５１〜４２５６から反応容器４１１
１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ４２５１〜４２５６を閉じ、補助バルブ４２６０を
開き、さらにメインバルブ４１１８を全開にして系内を
一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。
【０１６５】また、膜形成の均一化を図る場合は、膜形
成を行なっている間は、円筒状支持体４１１２を駆動装
置（不図示）によって所定の速度で回転させる。
成を行なっている間は、円筒状支持体４１１２を駆動装
置（不図示）によって所定の速度で回転させる。
【０１６６】上述のガス種およびバルブ操作は各々の層
の作成条件にしたがって変更が加えられることは言うま
でもない。
の作成条件にしたがって変更が加えられることは言うま
でもない。
【０１６７】円筒状支持体４１１２の加熱方法は、真空
仕様である発熱体であればよく、より具体的にはシース
状ヒーターの巻き付けヒーター、板状ヒーター、セラミ
ックヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤
外線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温
媒とし熱交換手段による発熱体等が挙げられる。加熱手
段の表面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミニウ
ム、銅等の金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等
を使用することができる。また、それ以外にも、反応容
器４１１１以外に加熱専用の容器を設け、円筒状支持体
４１１２を加熱した後、反応容器４１１１内に真空中で
円筒状支持体４１１２を搬送する等の方法が用いられ
る。
仕様である発熱体であればよく、より具体的にはシース
状ヒーターの巻き付けヒーター、板状ヒーター、セラミ
ックヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤
外線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温
媒とし熱交換手段による発熱体等が挙げられる。加熱手
段の表面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミニウ
ム、銅等の金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等
を使用することができる。また、それ以外にも、反応容
器４１１１以外に加熱専用の容器を設け、円筒状支持体
４１１２を加熱した後、反応容器４１１１内に真空中で
円筒状支持体４１１２を搬送する等の方法が用いられ
る。
【０１６８】次に、μＷ−ＰＣＶＤ法によって形成され
る電子写真用光受容部材の製造方法について説明する。
る電子写真用光受容部材の製造方法について説明する。
【０１６９】図５（Ａ）および（Ｂ）はマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ（以下「μＷ−ＰＣＶＤ」と表記する）法に
よって電子写真用光受容部材用の堆積膜を形成するため
の堆積膜形成装置の一例を示す模式的な構成図、図６は
μＷ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装
置の説明図である。
ズマＣＶＤ（以下「μＷ−ＰＣＶＤ」と表記する）法に
よって電子写真用光受容部材用の堆積膜を形成するため
の堆積膜形成装置の一例を示す模式的な構成図、図６は
μＷ−ＰＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装
置の説明図である。
【０１７０】図４に示した製造装置におけるＲＦ−ＰＣ
ＶＤ法による堆積装置４１００を図５に示す堆積装置５
１００に交換して原料ガス供給装置４２００と接続する
ことにより、図６に示すμＷ−ＰＣＶＤ法による以下の
構成の電子写真用光受容部材製造装置を得ることができ
る。
ＶＤ法による堆積装置４１００を図５に示す堆積装置５
１００に交換して原料ガス供給装置４２００と接続する
ことにより、図６に示すμＷ−ＰＣＶＤ法による以下の
構成の電子写真用光受容部材製造装置を得ることができ
る。
【０１７１】この装置は、真空気密化構造を成した減圧
にし得る反応容器５１１１、原料ガスの供給装置４２０
０、および反応容器内を減圧にするための排気装置（不
図示）から構成されている。反応容器５１１１内にはマ
イクロ波電力を反応容器内に効率よく透過し、かつ、真
空気密を保持し得るような材料（例えば石英ガラス、ア
ルミナセラミックス等）で形成されたマイクロ波導入窓
５１１２、スタブチューナー（図示せず）およびアイソ
レーター（図示せず）を介してマイクロ波電源（図示せ
ず）に接続されているマイクロ波の導波管５１１３、堆
積膜を形成すべき円筒状支持体５１１５、支持体加熱用
ヒーター５１１６、原料ガス導入管５１１７、プラズマ
電位を制御するための外部電気バイアスを与えるための
電極５１１８が設置されており、反応容器５１１１内は
排気管５１２１を通じて不図示の拡散ポンプに接続され
ている。原料ガス供給装置４２００は、ＳｉＨ4 ，
Ｈ2 ，ＣＨ4 ，ＮＯ，Ｂ2 Ｈ6 ，ＳｉＦ4 等の原料ガス
のボンベ４２２１〜４２２６とバルブ４２３１〜４２３
６，４２４１〜４２４６，４２５１〜４２５６およびマ
スフローコントローラー４２１１〜４２１６から構成さ
れ、各原料ガスのボンベはバルブ４２６０を介して反応
容器内のガス導入管５１１７に接続されている。また、
円筒状支持体５１１５によって取り囲まれた空間５１３
０が放電空間を形成している。
にし得る反応容器５１１１、原料ガスの供給装置４２０
０、および反応容器内を減圧にするための排気装置（不
図示）から構成されている。反応容器５１１１内にはマ
イクロ波電力を反応容器内に効率よく透過し、かつ、真
空気密を保持し得るような材料（例えば石英ガラス、ア
ルミナセラミックス等）で形成されたマイクロ波導入窓
５１１２、スタブチューナー（図示せず）およびアイソ
レーター（図示せず）を介してマイクロ波電源（図示せ
ず）に接続されているマイクロ波の導波管５１１３、堆
積膜を形成すべき円筒状支持体５１１５、支持体加熱用
ヒーター５１１６、原料ガス導入管５１１７、プラズマ
電位を制御するための外部電気バイアスを与えるための
電極５１１８が設置されており、反応容器５１１１内は
排気管５１２１を通じて不図示の拡散ポンプに接続され
ている。原料ガス供給装置４２００は、ＳｉＨ4 ，
Ｈ2 ，ＣＨ4 ，ＮＯ，Ｂ2 Ｈ6 ，ＳｉＦ4 等の原料ガス
のボンベ４２２１〜４２２６とバルブ４２３１〜４２３
６，４２４１〜４２４６，４２５１〜４２５６およびマ
スフローコントローラー４２１１〜４２１６から構成さ
れ、各原料ガスのボンベはバルブ４２６０を介して反応
容器内のガス導入管５１１７に接続されている。また、
円筒状支持体５１１５によって取り囲まれた空間５１３
０が放電空間を形成している。
【０１７２】μＷ−ＰＣＶＤ法によるこの装置での堆積
膜の形成は、以下のように行なうことができる。
膜の形成は、以下のように行なうことができる。
【０１７３】まず、反応容器５１１１内に円筒状支持体
５１１５を設置し、駆動装置５１２０によって支持体５
１１５を回転し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器５１１１内を排気管５１２１を介し
て排気し、反応容器５１１１内の圧力を１×１０-6Ｔｏ
ｒｒ以下に調整する。続いて、支持体加熱用ヒーター５
１１６により円筒状支持体５１１５の温度を２０℃〜５
００℃の所定の温度に加熱保持する。
５１１５を設置し、駆動装置５１２０によって支持体５
１１５を回転し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器５１１１内を排気管５１２１を介し
て排気し、反応容器５１１１内の圧力を１×１０-6Ｔｏ
ｒｒ以下に調整する。続いて、支持体加熱用ヒーター５
１１６により円筒状支持体５１１５の温度を２０℃〜５
００℃の所定の温度に加熱保持する。
【０１７４】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器５１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ４２３１〜４
２３６、反応容器のリークバルブ（不図示）が閉じられ
ていることを確認し、また、流入バルブ４２４１〜４２
４６、流出バルブ４２５１〜４２５６、補助バルブ４２
６０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ
（不図示）を開いて反応容器５１１１およびガス配管５
１２２内を排気する。
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ４２３１〜４
２３６、反応容器のリークバルブ（不図示）が閉じられ
ていることを確認し、また、流入バルブ４２４１〜４２
４６、流出バルブ４２５１〜４２５６、補助バルブ４２
６０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ
（不図示）を開いて反応容器５１１１およびガス配管５
１２２内を排気する。
【０１７５】次に真空計（不図示）の読みが約５×１０
-6Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ４２６０、流出バ
ルブ４２５１〜４２５６を閉じる。
-6Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ４２６０、流出バ
ルブ４２５１〜４２５６を閉じる。
【０１７６】その後、ガスボンベ４２２１〜４２２６よ
り各ガスをバルブ４２３１〜４２３６を開いて導入し、
圧力調整器４２６１〜４２６６により各ガス圧を（例え
ば２ｋｇ／ｃｍ2 ）調整する。次に、流入バルブ４２４
１〜４２４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコン
トローラー４２１１〜４２１６内に導入する。
り各ガスをバルブ４２３１〜４２３６を開いて導入し、
圧力調整器４２６１〜４２６６により各ガス圧を（例え
ば２ｋｇ／ｃｍ2 ）調整する。次に、流入バルブ４２４
１〜４２４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコン
トローラー４２１１〜４２１６内に導入する。
【０１７７】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、円筒状支持体５１１５上に電荷注入阻止層、感光
層、表面層の各層の形成を行う。
後、円筒状支持体５１１５上に電荷注入阻止層、感光
層、表面層の各層の形成を行う。
【０１７８】円筒状支持体５１１５が所定の温度になっ
たところで流出バルブ４２５１〜４２５６のうちの必要
なものおよび補助バルブ４２６０を徐々に開き、ガスボ
ンベ４２２１〜４２２６から所定のガスをガス導入管５
１１７を介して反応容器５１１１内の放電空間５１３０
に導入する。次にマスフローコントローラー４２１１〜
４２１６によって各原料ガスが所定の流量になるように
調整する。その際、放電空間５１３０内の圧力が１Ｔｏ
ｒｒ以下の所定の圧力になるように真空計（不図示）を
見ながらメインバルブ（不図示）の開口を調整する。圧
力が安定した後、マイクロ波電源（不図示）により周波
数５００ＭＨｚ以上の、好ましくは２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波を発生させ、マイクロ波電源（不図示）を所望
の電力に設定し、導波管５１１３、マイクロ波導入窓５
１１２を介して放電空間５１３０にμＷエネルギーを導
入して、μＷグロー放電を生起させる。それと同時併行
的に、電源５１１９から電極５１１８に例えば直流等の
電気バイアスを印加する。かくして支持体５１１５によ
り取り囲まれた放電空間５１３０において、導入された
原料ガスは、マイクロ波のエネルギーにより励起されて
解離し、円筒状支持体５１１５上に所定の堆積膜が形成
される。この時、層形成の均一化を図るため支持体回転
用モーター５１２０によって、所望の回転速度で回転さ
せる。
たところで流出バルブ４２５１〜４２５６のうちの必要
なものおよび補助バルブ４２６０を徐々に開き、ガスボ
ンベ４２２１〜４２２６から所定のガスをガス導入管５
１１７を介して反応容器５１１１内の放電空間５１３０
に導入する。次にマスフローコントローラー４２１１〜
４２１６によって各原料ガスが所定の流量になるように
調整する。その際、放電空間５１３０内の圧力が１Ｔｏ
ｒｒ以下の所定の圧力になるように真空計（不図示）を
見ながらメインバルブ（不図示）の開口を調整する。圧
力が安定した後、マイクロ波電源（不図示）により周波
数５００ＭＨｚ以上の、好ましくは２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波を発生させ、マイクロ波電源（不図示）を所望
の電力に設定し、導波管５１１３、マイクロ波導入窓５
１１２を介して放電空間５１３０にμＷエネルギーを導
入して、μＷグロー放電を生起させる。それと同時併行
的に、電源５１１９から電極５１１８に例えば直流等の
電気バイアスを印加する。かくして支持体５１１５によ
り取り囲まれた放電空間５１３０において、導入された
原料ガスは、マイクロ波のエネルギーにより励起されて
解離し、円筒状支持体５１１５上に所定の堆積膜が形成
される。この時、層形成の均一化を図るため支持体回転
用モーター５１２０によって、所望の回転速度で回転さ
せる。
【０１７９】所望の膜厚の形成が行われた後、μＷ電力
の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの
流入を止め、堆積膜の形成を終える。
の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの
流入を止め、堆積膜の形成を終える。
【０１８０】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【０１８１】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器５１１１
内、流出バルブ４２５１〜４２５６から反応容器５１１
１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ４２５１〜４２５６を閉じ、補助バルブ４２６０を
開き、さらにメインバルブ（不図示）を全開にして系内
を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。
以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器５１１１
内、流出バルブ４２５１〜４２５６から反応容器５１１
１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ４２５１〜４２５６を閉じ、補助バルブ４２６０を
開き、さらにメインバルブ（不図示）を全開にして系内
を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。
【０１８２】上述のガス種およびバルブ操作は各々の層
の作成条件にしたがって変更が加えられることは言うま
でもない。
の作成条件にしたがって変更が加えられることは言うま
でもない。
【０１８３】円筒支持体５１１５の加熱方法は、真空仕
様である発熱体であればよく、より具体的にはシース状
ヒーターの巻き付けヒーター、板状ヒーター、セラミッ
クヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外
線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒
とし熱交換手段による発熱体等が挙げられる。加熱手段
の表面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、
銅等の金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使
用することができる。また、それ以外にも、反応器５１
１１以外に加熱専用の容器を設け、円筒状支持体５１１
５を加熱した後、反応容器５１１１内に真空中で円筒状
支持体５１１５を搬送する等の方法が用いられる。
様である発熱体であればよく、より具体的にはシース状
ヒーターの巻き付けヒーター、板状ヒーター、セラミッ
クヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外
線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒
とし熱交換手段による発熱体等が挙げられる。加熱手段
の表面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、
銅等の金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使
用することができる。また、それ以外にも、反応器５１
１１以外に加熱専用の容器を設け、円筒状支持体５１１
５を加熱した後、反応容器５１１１内に真空中で円筒状
支持体５１１５を搬送する等の方法が用いられる。
【０１８４】μＷ−ＰＣＶＤ法においては、放電空間内
の圧力としては、好ましくは１×１０-3Ｔｏｒｒ以上１
×１０-1Ｔｏｒｒ以下、より好ましくは３×１０-3Ｔｏ
ｒｒ以上５×１０-2Ｔｏｒｒ以下、最も好ましくは５×
１０-3Ｔｏｒｒ以上３×１０-2Ｔｏｒｒ以下に設定する
ことが望ましい。
の圧力としては、好ましくは１×１０-3Ｔｏｒｒ以上１
×１０-1Ｔｏｒｒ以下、より好ましくは３×１０-3Ｔｏ
ｒｒ以上５×１０-2Ｔｏｒｒ以下、最も好ましくは５×
１０-3Ｔｏｒｒ以上３×１０-2Ｔｏｒｒ以下に設定する
ことが望ましい。
【０１８５】放電空間外の圧力は、放電空間内の圧力よ
りも低ければよいが、放電空間内の圧力が１×１０-1Ｔ
ｏｒｒ以下では、又、特に顕著には５×１０-2Ｔｏｒｒ
以下では、放電空間内の圧力が放電空間外の圧力の３倍
以上の時、特に堆積膜特性向上の効果が大きい。
りも低ければよいが、放電空間内の圧力が１×１０-1Ｔ
ｏｒｒ以下では、又、特に顕著には５×１０-2Ｔｏｒｒ
以下では、放電空間内の圧力が放電空間外の圧力の３倍
以上の時、特に堆積膜特性向上の効果が大きい。
【０１８６】マイクロ波の反応炉までの導入方法として
は導波管による方法が挙げられ、反応炉内への導入は、
１つまたは複数の誘電体窓から導入する方法が挙げられ
る。この時、炉内へのマイクロ波の導入窓の材質として
はアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）、窒化ボロン（ＢＮ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、炭化
珪素（ＳｉＣ）、酸化珪素（ＳｉＯ2 ）、酸化ベリリウ
ム（ＢｅＯ）、テフロン、ポリスチレン等マイクロ波の
損失の少ない材料が通常使用される。
は導波管による方法が挙げられ、反応炉内への導入は、
１つまたは複数の誘電体窓から導入する方法が挙げられ
る。この時、炉内へのマイクロ波の導入窓の材質として
はアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）、窒化ボロン（ＢＮ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、炭化
珪素（ＳｉＣ）、酸化珪素（ＳｉＯ2 ）、酸化ベリリウ
ム（ＢｅＯ）、テフロン、ポリスチレン等マイクロ波の
損失の少ない材料が通常使用される。
【０１８７】電極５１１８と円筒状支持体５１１５間に
発生させる電界は直流電界が好ましく、又、電界の向き
は電極５１１８から円筒状支持体５１１５に向けるのが
より好ましい。電界を発生させるために電極５１１８に
印加する直流電圧の平均の大きさは、１５Ｖ以上３００
Ｖ以下、好ましくは３０Ｖ以上２００Ｖ以下が適する。
直流電圧波形としては、特に制限はなく、種々の波形の
ものが本発明では有効である。つまり、時間によって電
圧の向きが変化しなければいずれの場合でもよく、例え
ば、時間に対して大きさの変化しない定電圧はもちろ
ん、パルス状の電圧、及び整流機により整流された時間
によって大きさが変化する脈動電圧でも有効である。
発生させる電界は直流電界が好ましく、又、電界の向き
は電極５１１８から円筒状支持体５１１５に向けるのが
より好ましい。電界を発生させるために電極５１１８に
印加する直流電圧の平均の大きさは、１５Ｖ以上３００
Ｖ以下、好ましくは３０Ｖ以上２００Ｖ以下が適する。
直流電圧波形としては、特に制限はなく、種々の波形の
ものが本発明では有効である。つまり、時間によって電
圧の向きが変化しなければいずれの場合でもよく、例え
ば、時間に対して大きさの変化しない定電圧はもちろ
ん、パルス状の電圧、及び整流機により整流された時間
によって大きさが変化する脈動電圧でも有効である。
【０１８８】また、交流電圧を印加することも有効であ
る。交流の周波数は、いずれの周波数でも問題はなく、
実用的には低周波では５０Ｈｚまたは６０Ｈｚ、高周波
では１３．５６ＭＨｚが適する。交流の波形としてはサ
イン波でも矩形波でも、他のいずれの波形でもよいが、
実用的には、サイン波が適する。但し、この時電圧はい
ずれの場合も実効値を言う。
る。交流の周波数は、いずれの周波数でも問題はなく、
実用的には低周波では５０Ｈｚまたは６０Ｈｚ、高周波
では１３．５６ＭＨｚが適する。交流の波形としてはサ
イン波でも矩形波でも、他のいずれの波形でもよいが、
実用的には、サイン波が適する。但し、この時電圧はい
ずれの場合も実効値を言う。
【０１８９】電極５１１８の大きさ及び形状は、放電を
乱さないならばいずれのものでも良いが、実用上は直径
０．１ｃｍ以上５ｃｍ以下の円筒状の形状が好ましい。
この時、電極５１１８の長さも、支持体に電界が均一に
かかる長さであれば任意に設定できる。
乱さないならばいずれのものでも良いが、実用上は直径
０．１ｃｍ以上５ｃｍ以下の円筒状の形状が好ましい。
この時、電極５１１８の長さも、支持体に電界が均一に
かかる長さであれば任意に設定できる。
【０１９０】電極５１１８の材質としては、表面が導電
性となるものならばいずれのものでも良く、例えば、ス
テンレス，Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔ
ｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、これらの合
金または表面を導電処理したガラス、セラミック、プラ
スチック等が通常使用される。
性となるものならばいずれのものでも良く、例えば、ス
テンレス，Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔ
ｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、これらの合
金または表面を導電処理したガラス、セラミック、プラ
スチック等が通常使用される。
【０１９１】［実験］以下実験により、本発明の効果を
具体的に説明する。
具体的に説明する。
【０１９２】［実験１］図４に示す電子写真用光受容部
材の製造装置を用い、アルミニウムよりなる直径１０８
ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状導電性支持
体上に、さきに詳述した手順にしたがって、ＲＦグロー
放電法により第１表に示す作製条件で電子写真用光受容
部材を１０種類（試料番号１乃至１０）作製した。
材の製造装置を用い、アルミニウムよりなる直径１０８
ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状導電性支持
体上に、さきに詳述した手順にしたがって、ＲＦグロー
放電法により第１表に示す作製条件で電子写真用光受容
部材を１０種類（試料番号１乃至１０）作製した。
【０１９３】本実験では、感光層と電荷注入阻止層の界
面での屈折率の差（Δｎ）を変化させるように、電荷注
入阻止層の形成時に導入するＮＯの流量を変化させた。
このとき、電荷注入阻止層内の酸素原子および窒素原子
の含有量が図７（Ａ）に示す分布となるようにした。
面での屈折率の差（Δｎ）を変化させるように、電荷注
入阻止層の形成時に導入するＮＯの流量を変化させた。
このとき、電荷注入阻止層内の酸素原子および窒素原子
の含有量が図７（Ａ）に示す分布となるようにした。
【０１９４】なお、屈折率の測定は上記電子写真用光受
容部材の作製とは別にサンプルを１１種類（試料番号１
乃至１０の電子写真用光受容部材の電荷注入阻止層の感
光層との界面、および感光層に対応）作製し以下の方法
で行った。 （ａ）サンプルの作製 図４に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、ま
ずガラス基板（商品名：コーニング７０５９）を製造装
置内に搬入し、保持手段上に載置固定し、基板加熱ヒー
ターによりガラス基板を所定温度に加熱する。ガラス基
板の温度が一定になったところで、所定の堆積膜作製条
件（試料番号１乃至１０の電子写真用光受容部材の電荷
注入阻止層の感光層との界面作製時の条件、および感光
層作製時の条件）で堆積膜を作製した。堆積膜の成膜時
間については、形成される堆積膜が、該膜の光吸収によ
る誤差が生じたり、基板の材質の影響が出たりしないよ
う、また光吸収係数の波長依存性が測定できるようにそ
れぞれ１μｍの厚さになるよう調整した。以上のように
して必要な条件での堆積膜が形成された後、真空中で基
板を冷却し、基板温度が室温まで下がったところで、形
成された堆積膜を有する基板を保持手段から外し系外に
搬出した。 （ｂ）測定 前記（ａ）においてガラス基板上に堆積されたサンプル
（試料番号１乃至１０，および感光層）についてそれぞ
れ下記の屈折率の測定を行った。
容部材の作製とは別にサンプルを１１種類（試料番号１
乃至１０の電子写真用光受容部材の電荷注入阻止層の感
光層との界面、および感光層に対応）作製し以下の方法
で行った。 （ａ）サンプルの作製 図４に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用い、ま
ずガラス基板（商品名：コーニング７０５９）を製造装
置内に搬入し、保持手段上に載置固定し、基板加熱ヒー
ターによりガラス基板を所定温度に加熱する。ガラス基
板の温度が一定になったところで、所定の堆積膜作製条
件（試料番号１乃至１０の電子写真用光受容部材の電荷
注入阻止層の感光層との界面作製時の条件、および感光
層作製時の条件）で堆積膜を作製した。堆積膜の成膜時
間については、形成される堆積膜が、該膜の光吸収によ
る誤差が生じたり、基板の材質の影響が出たりしないよ
う、また光吸収係数の波長依存性が測定できるようにそ
れぞれ１μｍの厚さになるよう調整した。以上のように
して必要な条件での堆積膜が形成された後、真空中で基
板を冷却し、基板温度が室温まで下がったところで、形
成された堆積膜を有する基板を保持手段から外し系外に
搬出した。 （ｂ）測定 前記（ａ）においてガラス基板上に堆積されたサンプル
（試料番号１乃至１０，および感光層）についてそれぞ
れ下記の屈折率の測定を行った。
【０１９５】サンプルを分光光度計（日立製作所製３３
０型）にセットし、各波長（４００ｎｍ〜２６００ｎ
ｍ）に対する透過率を測定した。その結果を模式的に図
３に示す。透過率は、干渉により周期的に変化する。
０型）にセットし、各波長（４００ｎｍ〜２６００ｎ
ｍ）に対する透過率を測定した。その結果を模式的に図
３に示す。透過率は、干渉により周期的に変化する。
【０１９６】屈折率は、図３で透過率が１００％となっ
ている２点（ＢとＣ）の間の極小点（Ａ）で決定する。
ている２点（ＢとＣ）の間の極小点（Ａ）で決定する。
【０１９７】極小点（Ａ）の透過率をＴ％とすると、屈
折率との間には下記の（１）式の関係が成り立つ。そし
て（１）式より屈折率ｎを計算する。
折率との間には下記の（１）式の関係が成り立つ。そし
て（１）式より屈折率ｎを計算する。
【０１９８】
【数１】 ｎ：サンプルの屈折率、ｎｇ：７０５９ガラスの屈折率
（１．５３０） （Ｉ）作製した電子写真用光受容部材をキヤノン製複写
機ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写真装置に設
置し、画像濃度むら、白ポチ、残留電位等の電子写真特
性および、電子写真用光受容部材表面の球状突起の発生
数について評価を行なった。
（１．５３０） （Ｉ）作製した電子写真用光受容部材をキヤノン製複写
機ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写真装置に設
置し、画像濃度むら、白ポチ、残留電位等の電子写真特
性および、電子写真用光受容部材表面の球状突起の発生
数について評価を行なった。
【０１９９】各項目は、以下の方法で評価した。 画像濃度むら キヤノン製中間調チャート（部品番号：ＦＹ９−９０４
２）を原稿台に置きコピーしたときに得られたコピー画
像上で直径０．０５ｍｍの円形の領域を１単位として１
００点の画像濃度を測定し、その画像濃度のばらつきを
評価した。 白ポチ キヤノン製全面黒チャート（部品番号：ＦＹ９−９０７
３）を原稿台に置きコピーしたときに得られたコピー画
像の同一面積内にある直径０．２ｍｍ以下の白ポチにつ
いて、評価した。 残留電位 電子写真用光受容部材を、一定の暗部表面電位に帯電さ
せる。そして直ちに一定光量の比較的強い光を照射す
る。光像はキセノンランプ光源を用い、フィルターを用
いて５５０ｎｍ以下の波長域の光を除いた光を照射し
た。この時表面電位計により電子写真用光受容部材の明
部表面電位を測定する。
２）を原稿台に置きコピーしたときに得られたコピー画
像上で直径０．０５ｍｍの円形の領域を１単位として１
００点の画像濃度を測定し、その画像濃度のばらつきを
評価した。 白ポチ キヤノン製全面黒チャート（部品番号：ＦＹ９−９０７
３）を原稿台に置きコピーしたときに得られたコピー画
像の同一面積内にある直径０．２ｍｍ以下の白ポチにつ
いて、評価した。 残留電位 電子写真用光受容部材を、一定の暗部表面電位に帯電さ
せる。そして直ちに一定光量の比較的強い光を照射す
る。光像はキセノンランプ光源を用い、フィルターを用
いて５５０ｎｍ以下の波長域の光を除いた光を照射し
た。この時表面電位計により電子写真用光受容部材の明
部表面電位を測定する。
【０２００】それぞれについて、 ◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題無し」 ×は「実用上問題有り」 を表している。 球状突起の発生数 電子写真用光受容部材の表面全域を光学顕微鏡で観察
し、１００ｃｍ2 の面積内での直径２０μｍ以上の球状
突起の個数を調べた。そしてΔｎ＝０の電子写真用光受
容部材の表面の球状突起の個数を１００とした相対評価
を行い、その結果を以下のように分類した。
し、１００ｃｍ2 の面積内での直径２０μｍ以上の球状
突起の個数を調べた。そしてΔｎ＝０の電子写真用光受
容部材の表面の球状突起の個数を１００とした相対評価
を行い、その結果を以下のように分類した。
【０２０１】◎ ６０（％）未満 ○ ８０〜６０（％） △ １００〜８０（％） （II）次に、作製した電子写真用光受容部材をキヤノン
製複写機ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写真装
置に設置し、２５０万枚相当の加速耐久試験を行った。
そして画像濃度むら、白ポチ、残留電位等の電子写真特
性について（Ｉ）と同様に評価を行なった。
製複写機ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写真装
置に設置し、２５０万枚相当の加速耐久試験を行った。
そして画像濃度むら、白ポチ、残留電位等の電子写真特
性について（Ｉ）と同様に評価を行なった。
【０２０２】このようにして試料番号１〜１０について
それぞれ得られた結果を、第２表に示す。また表には、
試料番号１〜１０についてそれぞれ、電荷注入阻止層の
感光層との界面におけるΔｎおよび、酸素原子および窒
素原子の含有量（Ｎ＋Ｏ／Ｓｉ＋Ｎ＋Ｏ）（ａｔｍ％）
を示す。尚、電荷注入阻止層中の酸素原子および窒素原
子の含有量は、ＳＩＭＳ（ＣＡＭＥＣＡ、ＩＭＳ−３
Ｆ）による元素分析にて行った。
それぞれ得られた結果を、第２表に示す。また表には、
試料番号１〜１０についてそれぞれ、電荷注入阻止層の
感光層との界面におけるΔｎおよび、酸素原子および窒
素原子の含有量（Ｎ＋Ｏ／Ｓｉ＋Ｎ＋Ｏ）（ａｔｍ％）
を示す。尚、電荷注入阻止層中の酸素原子および窒素原
子の含有量は、ＳＩＭＳ（ＣＡＭＥＣＡ、ＩＭＳ−３
Ｆ）による元素分析にて行った。
【０２０３】第２表の結果から、感光層と電荷注入阻止
層との界面における、電荷注入阻止層の屈折率と感光層
の屈折率との差（Δｎ）を０．４１以下に設定する事で
電気的特性、画像特性および耐久性に関して非常に効果
的であることが実験的に明らかになった。さらにΔｎを
０．０２以上０．２２以下に設定する事で、さらに効果
的であることが明らかになった。
層との界面における、電荷注入阻止層の屈折率と感光層
の屈折率との差（Δｎ）を０．４１以下に設定する事で
電気的特性、画像特性および耐久性に関して非常に効果
的であることが実験的に明らかになった。さらにΔｎを
０．０２以上０．２２以下に設定する事で、さらに効果
的であることが明らかになった。
【０２０４】さらに、クリーニングブレードおよび分離
爪を、加速耐久中２０万枚毎にそれぞれ顕微鏡観察した
ところ、本発明の電子写真用光受容部材においては、ク
リーニングブレードへのダメージが極めて少なく、分離
爪の摩耗は非常に少ないということがわかった。
爪を、加速耐久中２０万枚毎にそれぞれ顕微鏡観察した
ところ、本発明の電子写真用光受容部材においては、ク
リーニングブレードへのダメージが極めて少なく、分離
爪の摩耗は非常に少ないということがわかった。
【０２０５】また、耐久後にポチが増加したものについ
てその原因を調べたところ、クリーニングブレード、転
写紙等との摺擦によって球状突起が欠落することが原因
の一つであることがわかった。しかしながら、本発明の
電子写真用光受容部材においては、上記の現象はまった
く発生していなかった。
てその原因を調べたところ、クリーニングブレード、転
写紙等との摺擦によって球状突起が欠落することが原因
の一つであることがわかった。しかしながら、本発明の
電子写真用光受容部材においては、上記の現象はまった
く発生していなかった。
【０２０６】
【表１】
【０２０７】
【表２】
【０２０８】
【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明の内容を更に
詳細に説明するが、本発明はそれらの実施例により何等
限定されるものではない。
詳細に説明するが、本発明はそれらの実施例により何等
限定されるものではない。
【０２０９】［実施例１］図４に示す電子写真用光受容
部材の製造装置を用い、アルミニウムよりなる直径１０
８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状導電性支
持体上に、さきに詳述した手順にしたがって、電荷注入
阻止層、感光層および表面層よりなる電子写真用光受容
部材をＲＦグロー放電法により第３表に示す作製条件で
作製した。この時、感光層と電荷注入阻止層との界面に
おける、電荷注入阻止層の屈折率と感光層の屈折率との
差（Δｎ）は、０．０６とした。
部材の製造装置を用い、アルミニウムよりなる直径１０
８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状導電性支
持体上に、さきに詳述した手順にしたがって、電荷注入
阻止層、感光層および表面層よりなる電子写真用光受容
部材をＲＦグロー放電法により第３表に示す作製条件で
作製した。この時、感光層と電荷注入阻止層との界面に
おける、電荷注入阻止層の屈折率と感光層の屈折率との
差（Δｎ）は、０．０６とした。
【０２１０】本実施例では電荷注入阻止層内の酸素原子
および窒素原子の含有量が図７（Ａ）乃至図７（Ｃ）に
示す分布となるように、電荷注入阻止層形成時に使用す
るＮＯガスの流量を変化させて電子写真用光受容部材を
３種類作製した。 （Ｉ）作製した電子写真用光受容部材をキャノン製複写
機ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写真装置に設
置し、画像濃度むら、白ポチ、画像メモリーおよび残留
電位等の電子写真特性について評価を行なった。
および窒素原子の含有量が図７（Ａ）乃至図７（Ｃ）に
示す分布となるように、電荷注入阻止層形成時に使用す
るＮＯガスの流量を変化させて電子写真用光受容部材を
３種類作製した。 （Ｉ）作製した電子写真用光受容部材をキャノン製複写
機ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写真装置に設
置し、画像濃度むら、白ポチ、画像メモリーおよび残留
電位等の電子写真特性について評価を行なった。
【０２１１】各項目は、以下の方法で評価を行った。 画像濃度むら，白ポチ，残留電位 実験１と同様に評価を行った。 画像メモリー キャノン製ゴーストチャート（部品番号：ＦＹ９−９０
４０）に反射濃度１．１、φ５ｍｍの黒丸を張り付けた
ものを原稿台の画像先端部に置き、その上に、キャノン
製中間調チャートを重ねて置いた際のコピー画像におい
て中間調コピー上に認められるゴーストチャートのφ５
ｍｍの反射濃度と中間調部分の反射濃度との差を測定し
た。その結果を、以下のように分類した。
４０）に反射濃度１．１、φ５ｍｍの黒丸を張り付けた
ものを原稿台の画像先端部に置き、その上に、キャノン
製中間調チャートを重ねて置いた際のコピー画像におい
て中間調コピー上に認められるゴーストチャートのφ５
ｍｍの反射濃度と中間調部分の反射濃度との差を測定し
た。その結果を、以下のように分類した。
【０２１２】◎は「特に良好」 ○は「良好」 △は「実用上問題無し」 ×は「実用上問題有り」 を表している。 （II）次に、作製した電子写真用光受容部材をキャノン
製複写機ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写真装
置に設置し、２５０万枚相当の加速耐久試験を行った。
そして画像濃度むら、白ポチ、画像メモリーおよび残留
電位等の電子写真特性について（Ｉ）と同様に評価を行
なった。
製複写機ＮＰ−６６５０を実験用に改造した電子写真装
置に設置し、２５０万枚相当の加速耐久試験を行った。
そして画像濃度むら、白ポチ、画像メモリーおよび残留
電位等の電子写真特性について（Ｉ）と同様に評価を行
なった。
【０２１３】このようにして得られた結果を、第４表に
示す。
示す。
【０２１４】第４表の結果から、本発明の光受容部材を
用いる事で電気的特性、画像特性および耐久性に関して
非常に効果的であることが明らかになった。
用いる事で電気的特性、画像特性および耐久性に関して
非常に効果的であることが明らかになった。
【０２１５】さらに、クリーニングブレードおよび分離
爪を、加速耐久中２０万枚毎にそれぞれ顕微鏡観察した
ところ、本発明の電子写真用光受容部材においては、ク
リーニングブレードへのダメージが極めて少なく、分離
爪の摩耗は非常に少ないということがわかった。
爪を、加速耐久中２０万枚毎にそれぞれ顕微鏡観察した
ところ、本発明の電子写真用光受容部材においては、ク
リーニングブレードへのダメージが極めて少なく、分離
爪の摩耗は非常に少ないということがわかった。
【０２１６】
【表３】
【０２１７】
【表４】 ［実施例２］図５に示す電子写真用光受容部材の製造装
置を用い、アルミニウムよりなる直径１０８ｍｍ、長さ
３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状導電性支持体上に、さ
きに詳述した手順にしたがって、電荷注入阻止層、感光
および表面層よりなる電子写真用光受容部材をμＷグロ
ー放電法により第５表に示す作製条件で作製した。本実
施例では電荷注入阻止層内の酸素原子および窒素原子の
含有量が図７（Ａ）乃至図７（Ｃ）に示す分布となるよ
うに、電荷注入阻止層形成時に使用するＮＯガスの流量
を変化させて電子写真用光受容部材を３種類作製した。
置を用い、アルミニウムよりなる直径１０８ｍｍ、長さ
３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状導電性支持体上に、さ
きに詳述した手順にしたがって、電荷注入阻止層、感光
および表面層よりなる電子写真用光受容部材をμＷグロ
ー放電法により第５表に示す作製条件で作製した。本実
施例では電荷注入阻止層内の酸素原子および窒素原子の
含有量が図７（Ａ）乃至図７（Ｃ）に示す分布となるよ
うに、電荷注入阻止層形成時に使用するＮＯガスの流量
を変化させて電子写真用光受容部材を３種類作製した。
【０２１８】この時、感光層と電荷注入阻止層との界面
における、電荷注入阻止層の屈折率と感光層の屈折率と
の差（Δｎ）は、０．１０とした。
における、電荷注入阻止層の屈折率と感光層の屈折率と
の差（Δｎ）は、０．１０とした。
【０２１９】作製した各電子写真用光受容部材につい
て、実施例１と同様の方法で評価を行ったところ、いず
れも実施例１と同様良好な結果が得られた。
て、実施例１と同様の方法で評価を行ったところ、いず
れも実施例１と同様良好な結果が得られた。
【０２２０】
【表５】 ［実施例３］ （ａ）図４に示す電子写真用光受容部材の製造装置を用
い、アルミニウムよりなる直径１０８ｍｍ、長さ３５８
ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状導電性支持体上に、さきに詳
述した手順にしたがって、電荷注入阻止層、感光層およ
び表面層よりなる電子写真用光受容部材をＲＦグロー放
電法により第６表に示す作製条件で作製した。この時、
電荷注入阻止層内の炭素原子の含有量が図７（Ａ）に示
す分布とし、感光層と電荷注入阻止層との界面におけ
る、電荷注入阻止層の屈折率と感光層の屈折率との差
（Δｎ）は、０．１４とした。 （ｂ）第６表において電荷注入阻止層形成時に使用した
ＣＨ4 ガスをＣＯ2 ガスとした以外は（ａ）と同様にし
て電子写真用光受容部材を作製した。この時、電荷注入
阻止層内の炭素原子および酸素原子の含有量が図７
（Ａ）に示す分布とし、感光層と電荷注入阻止層との界
面における、電荷注入阻止層の屈折率と感光層の屈折率
との差（Δｎ）は、０．１４とした。 （ｃ）第６表において電荷注入阻止層形成時に使用した
ＣＨ4 ガスをＮ2 ガスとした以外は（ａ）と同様にして
電子写真用光受容部材を作製した。この時、電荷注入阻
止層内の窒素原子の含有量が図７（Ａ）に示す分布と
し、感光層と電荷注入阻止層との界面における、電荷注
入阻止層の屈折率と感光層の屈折率との差（Δｎ）は、
０．１４とした。 （ｄ）第６表において電荷注入阻止層形成時に使用した
ＣＨ4 ガスをＣＯ2 ガスとＮ2 ガスとした以外は（ａ）
と同様にして電子写真用光受容部材を作製した。この
時、電荷注入阻止層内の炭素原子および窒素原子および
酸素原子の含有量が図７（Ａ）に示す分布とし、感光層
と電荷注入阻止層との界面における、電荷注入阻止層の
屈折率と感光層の屈折率との差（Δｎ）は、０．１４と
した。 （ｅ）第６表において電荷注入阻止層形成時に使用した
ＣＨ4 ガスをＣＨ2 ガスとＮ2 ガスとした以外は（ａ）
と同様にして電子写真用光受容部材を作製した。この
時、電荷注入阻止層内の炭素原子および窒素原子および
酸素原子の含有量が図７（Ａ）に示す分布とし、感光層
と電荷注入阻止層との界面における、電荷注入阻止層の
屈折率と感光層の屈折率との差（Δｎ）は、０．１４と
した。
い、アルミニウムよりなる直径１０８ｍｍ、長さ３５８
ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状導電性支持体上に、さきに詳
述した手順にしたがって、電荷注入阻止層、感光層およ
び表面層よりなる電子写真用光受容部材をＲＦグロー放
電法により第６表に示す作製条件で作製した。この時、
電荷注入阻止層内の炭素原子の含有量が図７（Ａ）に示
す分布とし、感光層と電荷注入阻止層との界面におけ
る、電荷注入阻止層の屈折率と感光層の屈折率との差
（Δｎ）は、０．１４とした。 （ｂ）第６表において電荷注入阻止層形成時に使用した
ＣＨ4 ガスをＣＯ2 ガスとした以外は（ａ）と同様にし
て電子写真用光受容部材を作製した。この時、電荷注入
阻止層内の炭素原子および酸素原子の含有量が図７
（Ａ）に示す分布とし、感光層と電荷注入阻止層との界
面における、電荷注入阻止層の屈折率と感光層の屈折率
との差（Δｎ）は、０．１４とした。 （ｃ）第６表において電荷注入阻止層形成時に使用した
ＣＨ4 ガスをＮ2 ガスとした以外は（ａ）と同様にして
電子写真用光受容部材を作製した。この時、電荷注入阻
止層内の窒素原子の含有量が図７（Ａ）に示す分布と
し、感光層と電荷注入阻止層との界面における、電荷注
入阻止層の屈折率と感光層の屈折率との差（Δｎ）は、
０．１４とした。 （ｄ）第６表において電荷注入阻止層形成時に使用した
ＣＨ4 ガスをＣＯ2 ガスとＮ2 ガスとした以外は（ａ）
と同様にして電子写真用光受容部材を作製した。この
時、電荷注入阻止層内の炭素原子および窒素原子および
酸素原子の含有量が図７（Ａ）に示す分布とし、感光層
と電荷注入阻止層との界面における、電荷注入阻止層の
屈折率と感光層の屈折率との差（Δｎ）は、０．１４と
した。 （ｅ）第６表において電荷注入阻止層形成時に使用した
ＣＨ4 ガスをＣＨ2 ガスとＮ2 ガスとした以外は（ａ）
と同様にして電子写真用光受容部材を作製した。この
時、電荷注入阻止層内の炭素原子および窒素原子および
酸素原子の含有量が図７（Ａ）に示す分布とし、感光層
と電荷注入阻止層との界面における、電荷注入阻止層の
屈折率と感光層の屈折率との差（Δｎ）は、０．１４と
した。
【０２２１】作製した（ａ）〜（ｅ）の５種類の電子写
真用光受容部材について、実施例１と同様の方法で評価
を行ったところ、いずれも実施例１と同様良好な結果が
得られた。
真用光受容部材について、実施例１と同様の方法で評価
を行ったところ、いずれも実施例１と同様良好な結果が
得られた。
【０２２２】
【表６】 ［実施例４］図４に示す電子写真用光受容部材の製造装
置を用い、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３
５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状導電性支持体上に、さき
に詳述した手順にしたがって、長波長光吸収層、電荷注
入阻止層、感光層および表面層よりなる電子写真用光受
容部材をＲＦグロー放電法により第７表に示す作製条件
で作製した。本実施例では電荷注入阻止層内の酸素原子
および窒素原子の含有量が図７（Ａ）乃至図７（Ｃ）に
示す分布となるように、電荷注入阻止層形成時に使用す
るＮＯガスの流量を変化させて電子写真用光受容部材を
３種類作製した。
置を用い、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３
５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状導電性支持体上に、さき
に詳述した手順にしたがって、長波長光吸収層、電荷注
入阻止層、感光層および表面層よりなる電子写真用光受
容部材をＲＦグロー放電法により第７表に示す作製条件
で作製した。本実施例では電荷注入阻止層内の酸素原子
および窒素原子の含有量が図７（Ａ）乃至図７（Ｃ）に
示す分布となるように、電荷注入阻止層形成時に使用す
るＮＯガスの流量を変化させて電子写真用光受容部材を
３種類作製した。
【０２２３】この時、感光層と電荷注入阻止層との界面
における、電荷注入阻止層の屈折率と感光層の屈折率と
の差（Δｎ）は、０．０６とした。
における、電荷注入阻止層の屈折率と感光層の屈折率と
の差（Δｎ）は、０．０６とした。
【０２２４】作製した電子写真用光受容部材をキャノン
製複写機ＮＰ−９３３０を実験用に改造した電子写真装
置に設置し、画像濃度むら、黒ポチ、画像メモリーおよ
び残留電位等の電子写真特性について評価を行なった。
製複写機ＮＰ−９３３０を実験用に改造した電子写真装
置に設置し、画像濃度むら、黒ポチ、画像メモリーおよ
び残留電位等の電子写真特性について評価を行なった。
【０２２５】各項目は、以下の方法で評価を行った。 画像濃度むら、黒ポチ、画像メモリー 実験１と同様に評価を行った。 残留電位 電子写真用光受容部材を、一定の暗部表面電位に帯電さ
せる。そして直ちに一定光量の比較的強い光を照射す
る。光源にはスポット系８０μｍの半導体レーザー（波
長７８０ｎｍ）を使用した。この時表面電位計により電
子写真用光受容部材の明部表面電位を測定する。
せる。そして直ちに一定光量の比較的強い光を照射す
る。光源にはスポット系８０μｍの半導体レーザー（波
長７８０ｎｍ）を使用した。この時表面電位計により電
子写真用光受容部材の明部表面電位を測定する。
【０２２６】上記のように各項目を評価したところ、各
項目とも非常に良好な結果が得られた。
項目とも非常に良好な結果が得られた。
【０２２７】さらに、２５０万枚相当の加速耐久試験を
行ったところ、画像濃度むら、黒ポチ、画像メモリー
等、初期特性同様非常に良好な結果が得られた。
行ったところ、画像濃度むら、黒ポチ、画像メモリー
等、初期特性同様非常に良好な結果が得られた。
【０２２８】
【表７】 ［実施例５］図５に示す電子写真用光受容部材の製造装
置を用い、アルミニウムよりなる直径１０８ｍｍ、長さ
３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状導電性支持体上に、さ
きに詳述した手順にしたがって、電荷注入阻止層、感光
層および表面層よりなる電子写真用光受容部材をμＷグ
ロー放電法により第８表に示す作製条件で作製した。本
実施例では電荷注入阻止層内の酸素原子および窒素原子
の含有量が図７（Ａ）乃至図７（Ｃ）に示す分布となる
ように、電荷注入阻止層形成時に使用するＣＨ4 ガスの
流量を変化させて電子写真用光受容部材を３種類作製し
た。
置を用い、アルミニウムよりなる直径１０８ｍｍ、長さ
３５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状導電性支持体上に、さ
きに詳述した手順にしたがって、電荷注入阻止層、感光
層および表面層よりなる電子写真用光受容部材をμＷグ
ロー放電法により第８表に示す作製条件で作製した。本
実施例では電荷注入阻止層内の酸素原子および窒素原子
の含有量が図７（Ａ）乃至図７（Ｃ）に示す分布となる
ように、電荷注入阻止層形成時に使用するＣＨ4 ガスの
流量を変化させて電子写真用光受容部材を３種類作製し
た。
【０２２９】この時、感光層と電荷注入阻止層との界面
における、電荷注入阻止層の屈折率と感光層の屈折率と
の差（Δｎ）は、０．２６とした。
における、電荷注入阻止層の屈折率と感光層の屈折率と
の差（Δｎ）は、０．２６とした。
【０２３０】作製した各電子写真用光受容部材につい
て、実施例１と同様の方法で評価を行ったところ、いず
れも実施例１と同様良好な結果が得られた。
て、実施例１と同様の方法で評価を行ったところ、いず
れも実施例１と同様良好な結果が得られた。
【０２３１】
【表８】 ［実施例６］図４に示す電子写真用光受容部材の製造装
置を用い、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３
５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状導電性支持体上に、さき
に詳述した手順にしたがって、長波長光吸収層、電荷注
入阻止層、感光層および表面層よりなる電子写真用光受
容部材をＲＦグロー放電法により第９表に示す作製条件
で作製した。本実施例では電荷注入阻止層内の酸素原子
および窒素原子の含有量が図８（Ｄ）乃至図８（Ｆ）に
示すように導電性支持体側に向かって滑らかに増加する
ように、電荷注入阻止層形成時に使用するＮＯガスの流
量を変化させて電子写真用光受容部材を３種類作製し
た。
置を用い、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３
５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状導電性支持体上に、さき
に詳述した手順にしたがって、長波長光吸収層、電荷注
入阻止層、感光層および表面層よりなる電子写真用光受
容部材をＲＦグロー放電法により第９表に示す作製条件
で作製した。本実施例では電荷注入阻止層内の酸素原子
および窒素原子の含有量が図８（Ｄ）乃至図８（Ｆ）に
示すように導電性支持体側に向かって滑らかに増加する
ように、電荷注入阻止層形成時に使用するＮＯガスの流
量を変化させて電子写真用光受容部材を３種類作製し
た。
【０２３２】この時、感光層と電荷注入阻止層との界面
における、電荷注入阻止層の屈折率と感光層の屈折率と
の差（Δｎ）は、０．０６とした。
における、電荷注入阻止層の屈折率と感光層の屈折率と
の差（Δｎ）は、０．０６とした。
【０２３３】作製した各電子写真用光受容部材につい
て、実施例４と同様の方法で評価を行ったところ、実施
例４と同様良好な結果が得られた。更に、球状突起の発
生数について評価したところ、各電子写真用光受容部材
とも、実施例４よりも、発生数が少ないという結果が得
られた。
て、実施例４と同様の方法で評価を行ったところ、実施
例４と同様良好な結果が得られた。更に、球状突起の発
生数について評価したところ、各電子写真用光受容部材
とも、実施例４よりも、発生数が少ないという結果が得
られた。
【０２３４】
【表９】 ［実施例７］図４に示す電子写真用光受容部材の製造装
置を用い、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３
５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状導電性支持体上に、さき
に詳述した手順にしたがって、長波長光吸収層、電荷注
入阻止層、感光層および表面層よりなる電子写真用光受
容部材をＲＦグロー放電法により第１０表に示す作製条
件で作製した。本実施例では電荷注入阻止層内の酸素原
子および窒素原子の含有量が図７（Ａ）乃至図７（Ｃ）
及び図８（Ｄ）乃至図８（Ｆ）に示す分布となるよう
に、電荷注入阻止層形成時に使用するＮＯガスの流量を
変化させて電子写真用光受容部材を６種類作製した。
置を用い、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３
５８ｍｍ、肉厚５ｍｍの円筒状導電性支持体上に、さき
に詳述した手順にしたがって、長波長光吸収層、電荷注
入阻止層、感光層および表面層よりなる電子写真用光受
容部材をＲＦグロー放電法により第１０表に示す作製条
件で作製した。本実施例では電荷注入阻止層内の酸素原
子および窒素原子の含有量が図７（Ａ）乃至図７（Ｃ）
及び図８（Ｄ）乃至図８（Ｆ）に示す分布となるよう
に、電荷注入阻止層形成時に使用するＮＯガスの流量を
変化させて電子写真用光受容部材を６種類作製した。
【０２３５】この時、感光層と電荷注入阻止層との界面
における、電荷注入阻止層の屈折率と感光層の屈折率と
の差（Δｎ）は、０．０６とした。
における、電荷注入阻止層の屈折率と感光層の屈折率と
の差（Δｎ）は、０．０６とした。
【０２３６】また、本実施例においては、表面層作製時
のＣＨ4 の流量を変化させることにより、表面層中の炭
素原子含有量を自由表面側に向かって増大するようにし
た。この時、表面層の感光層との界面域の炭素含有量
は、表面層の感光層との界面域の屈折率と感光層の屈折
率との差が、０．４０となるよう、調整した。
のＣＨ4 の流量を変化させることにより、表面層中の炭
素原子含有量を自由表面側に向かって増大するようにし
た。この時、表面層の感光層との界面域の炭素含有量
は、表面層の感光層との界面域の屈折率と感光層の屈折
率との差が、０．４０となるよう、調整した。
【０２３７】作製した各電子写真用光受容部材につい
て、実施例４と同様の方法で評価を行ったところ、実施
例４と同様良好な結果が得られた。特に、画像濃度むら
に関しては、各電子写真用光受容部材とも、実施例４よ
り、さらに良好な結果が得られた。
て、実施例４と同様の方法で評価を行ったところ、実施
例４と同様良好な結果が得られた。特に、画像濃度むら
に関しては、各電子写真用光受容部材とも、実施例４よ
り、さらに良好な結果が得られた。
【０２３８】
【表１０】
【０２３９】
【発明の効果】本発明の方法によれば、Ａ−Ｓｉで構成
された従来の光受容部材における諸問題を解決すること
ができ、特にきわめて優れた電気的特性、光学的特性、
光導電特性、画像特性、耐久性および使用環境特性を示
す光受容部材を形成することができる。
された従来の光受容部材における諸問題を解決すること
ができ、特にきわめて優れた電気的特性、光学的特性、
光導電特性、画像特性、耐久性および使用環境特性を示
す光受容部材を形成することができる。
【０２４０】特に本発明の光受容部材は、電荷注入阻止
層と前記感光層との界面において、前記電荷注入阻止層
の屈折率と前記感光層の屈折率とを画像形成処理上無視
でき得る程度の差とすることにより、電荷注入阻止層と
感光層の界面での光の反射の生起を極端に減少すること
ができ、画像濃度むらなどの画像特性が改善される。
層と前記感光層との界面において、前記電荷注入阻止層
の屈折率と前記感光層の屈折率とを画像形成処理上無視
でき得る程度の差とすることにより、電荷注入阻止層と
感光層の界面での光の反射の生起を極端に減少すること
ができ、画像濃度むらなどの画像特性が改善される。
【０２４１】さらに、炭素原子及び／又は酸素原子及び
／又は窒素原子が、電荷注入阻止層と感光層との界面に
おいて、電荷注入阻止層の屈折率と前記感光層の屈折率
との間に画像形成処理上無視でき得る程度の差を残すよ
う含有させることによって、電荷注入阻止層と感光層の
間の密着性が向上し、さらに内部応力が緩和される。そ
のため、球状突起の発生数が減少し、その結果、俗に
「ポチ」と呼ばれる、黒点状または白点状の画像欠陥が
大幅に減少した。さらに、高速での繰り返し使用時に、
発生する残留電位が大幅に低減される。その結果、画像
メモリーが低減し画質が向上する。さらに高画質を維持
しつつ、高速で繰り返し使用することが可能となった。
／又は窒素原子が、電荷注入阻止層と感光層との界面に
おいて、電荷注入阻止層の屈折率と前記感光層の屈折率
との間に画像形成処理上無視でき得る程度の差を残すよ
う含有させることによって、電荷注入阻止層と感光層の
間の密着性が向上し、さらに内部応力が緩和される。そ
のため、球状突起の発生数が減少し、その結果、俗に
「ポチ」と呼ばれる、黒点状または白点状の画像欠陥が
大幅に減少した。さらに、高速での繰り返し使用時に、
発生する残留電位が大幅に低減される。その結果、画像
メモリーが低減し画質が向上する。さらに高画質を維持
しつつ、高速で繰り返し使用することが可能となった。
【図１】（Ａ），（Ｂ）は本発明による光受容部材の好
適な実施態様例の層構成を説明するための模式的構成図
である。
適な実施態様例の層構成を説明するための模式的構成図
である。
【図２】炭素原子及び／又は酸素原子及び／又は窒素原
子の、光受容部材の電荷注入阻止層における分布状態を
説明するための模式的図である。
子の、光受容部材の電荷注入阻止層における分布状態を
説明するための模式的図である。
【図３】実験１における、ガラス基板上に堆積させたサ
ンプルの屈折率測定についての説明図である。
ンプルの屈折率測定についての説明図である。
【図４】ＲＦグロー放電法による本発明の電子写真用光
受容部材の製造装置の模式的説明図である。
受容部材の製造装置の模式的説明図である。
【図５】μＷグロー放電法による本発明の電子写真用光
受容部材の製造装置の模式的説明図であり、（Ａ）は、
装置の側断面図であり、（Ｂ）は、Ｘ−Ｘ′における横
断面図である。
受容部材の製造装置の模式的説明図であり、（Ａ）は、
装置の側断面図であり、（Ｂ）は、Ｘ−Ｘ′における横
断面図である。
【図６】本発明における電子写真用光受容部材を形成す
るための装置の一例を示すものであり、図４のＲＦグロ
ー放電法による電子写真用光受容部材の製造装置を図５
の堆積装置に代えた模式的説明図である。
るための装置の一例を示すものであり、図４のＲＦグロ
ー放電法による電子写真用光受容部材の製造装置を図５
の堆積装置に代えた模式的説明図である。
【図７】（Ａ）乃至（Ｃ）は、本発明の実施例の電荷注
入阻止層中の炭素原子及び／又は酸素原子及び／又は窒
素原子の分布状態を示す説明図である。
入阻止層中の炭素原子及び／又は酸素原子及び／又は窒
素原子の分布状態を示す説明図である。
【図８】（Ｄ）乃至（Ｆ）は、本発明の実施例の電荷注
入阻止層中の炭素原子及び／又は酸素原子及び／又は窒
素原子の分布状態を示す説明図である。
入阻止層中の炭素原子及び／又は酸素原子及び／又は窒
素原子の分布状態を示す説明図である。
１０１，２０１ 支持体 １０２，２０２ 電荷注入阻止層 １０３，２０３ 感光層 １０４ 表面層 １０５ 長波長光吸収層 ２０８ 界面 ４１００ ＲＦグロー放電法による堆積膜形成装置 ４１１１ 反応容器 ４１１２ 円筒状支持体 ４１１３ 支持体加熱用ヒーター ４１１４ 原料ガス導入管 ４１１５ マッチングボックス ４１１６ 原料ガス配管 ４１１７ 反応容器リークバルブ ４１１８ メイン排気バルブ ４１１９ 真空計 ４２００ 原料ガス供給装置 ４２１１〜４２１６ マスフローコントローラー ４２２１〜４２２６ 原料ガスボンベ ４２４１〜４２４６ ガス流入バルブ ４２５１〜４２５６ ガス流出バルブ ４２６１〜４２６６ 圧力調整器 ５１００ μＷグロー放電法による堆積膜形成装置 ５１１１ 反応容器 ５１１２ マイクロ波導入窓 ５１１３ 導波管 ５１１４ 支持体ホルダー ５１１５ 円筒状支持体 ５１１６ 支持体加熱用ヒーター ５１１７ 原料ガス導入管 ５１１８ バイアス電極 ５１１９ バイアス電源 ５１２０ 支持体回転用モーター ５１２１ 排気管 ５１３０ 放電空間
Claims (5)
- 【請求項１】 導電性支持体上に少なくとも電荷注入阻
止層と感光層を有する光受容部材において、 前記電荷注入阻止層は、シリコン原子を母体とし、伝導
性を制御する原子と、水素原子及び／又はハロゲン原子
と、炭素原子及び／又は酸素原子及び／又は窒素原子
と、を有する非晶質材料で構成され、 前記電荷注入阻止層と前記感光層との界面における、前
記電荷注入阻止層の屈折率と前記感光層の屈折率が、画
像形成処理上無視でき得る程度の差を有し、前記界面に
おいて不連続的に変化することを特徴とする光受容部
材。 - 【請求項２】 前記画像形成処理上無視でき得る程度の
屈折率の差（Δｎ）が、０．０１≦Δｎ≦０．４１であ
る請求項１に記載の光受容部材。 - 【請求項３】 前記感光層上に表面層を設けることを特
徴とする請求項１又は２に記載の光受容部材。 - 【請求項４】 前記電荷注入阻止層と前記導電性支持体
の間に長波長光吸収層を設けることを特徴とする請求項
１〜３のいずれか１項に記載の光受容部材。 - 【請求項５】 前記炭素原子及び／又は酸素原子及び／
又は窒素原子が、前記電荷注入阻止層の導電性支持体側
に向けて濃度が滑らかに増大するように前記電荷注入阻
止層中に分布していることを特徴とする請求項１〜４の
いずれか１項に記載の光受容部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10722893A JPH06301225A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 光受容部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10722893A JPH06301225A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 光受容部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06301225A true JPH06301225A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=14453742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10722893A Pending JPH06301225A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 光受容部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06301225A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10444675B2 (en) | 2017-11-14 | 2019-10-15 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus |
-
1993
- 1993-04-12 JP JP10722893A patent/JPH06301225A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10444675B2 (en) | 2017-11-14 | 2019-10-15 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus |
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