JPH08227260A

JPH08227260A - 電子写真装置の除湿装置

Info

Publication number: JPH08227260A
Application number: JP7034038A
Authority: JP
Inventors: Koji Yamazaki; 晃司山崎; Toshiyuki Ebara; 俊幸江原
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1995-02-22
Filing date: 1995-02-22
Publication date: 1996-09-03

Abstract

(57)【要約】【目的】感光体を摺擦加熱により効率よく除湿し、
夜間の通電をオフし、省エネルギーとすること。【構成】帯電能の温度依存性を低く押さえた新規な感
光体の画像形成直前に該感光体を回転研磨させながら外
部発熱体から加熱して除湿、高品質な画像を得られるよ
うになった。そればかりでなく、本発明組みあわせによ
って初めて、該感光体基体や周辺プロセスユニットを昇
温させずに除湿が可能となり、現像スリーブピッチむら
やクリーニング不良の低減が可能となった。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は円筒状感光体を用いこれ
を回転させて帯電・露光・現像・転写・クリーニングを
連続して行う工程とこれに連動して定着を行う工程を有
する電子写真装置の環境安定化装置としての除湿装置に
関する。

【０００２】より詳しくは電子写真感光体の外部に近接
させた指向性発熱体を用いることで高湿環境下での良好
な画質と、安定したクリーニング性を提供できる高品質
電子写真装置の環境安定化装置としての除湿装置に関す
る。

【０００３】

【従来の技術】以下、従来の技術として、特に、電子写
真装置とこれに装備される感光体について説明する。（Ａ）〔電子写真装置〕近年の情報処理量の増大にともない、複写機やレーザー
ビームプリンター等の電子写真装置の用途は多岐にわた
っている。

【０００４】こうした状況からこれらの電子写真装置に
対して、第１に、より環境変動の大きいフィールドでの
使用に堪えうる機能向上、具体的には高湿環境下や急激
な温度変動等で結露した場合等の、いわゆる「高湿画像
流れ」しにくい性能向上が求められている。第２に、エ
コロジーの観点から消費電力の低減が求められている。
具体的には、従来電子写真装置の感光体内部乃至近傍に
配設されている除湿ヒーターの撤去乃至消費電力低減で
ある。こうしたヒーターの容量は通常１５Ｗから８０Ｗ
程度と必ずしも大電力量といった印象を得ないが、夜間
も含め常時通電されているケースがほとんどであり、一
日あたりの消費電力量としては、電子写真装置全体の消
費電力量の５〜１５％にも達する。第３に、経済性の要
求であり、高品質・信頼性は維持しつつ電子写真装置自
体が低価格であり、生産性・稼働率が高い事が求められ
ている。具体的には、定期メンテナンスによる停止時間
が短い事、電源スイッチＯＮ後速やかに使用出来る事が
求められている。

【０００５】近年、電子写真装置に使用される電子写真
感光体は、耐刷枚数の増大をはかる為表面硬度が高くな
っており、繰り返し使用により帯電器からのコロナ生成
物の影響で感光体表面が湿度に敏感となり水分を吸着し
易くなり、これが感光体表面の電荷の横流れの原因とな
り、「画像流れ」といわれる画像品質低下を引き起こす
欠点を有している。

【０００６】この様な画像流れを防止する為に、実公平
１−３４２０５号公報に記載されている様なヒーターに
よる加熱や、特公平２−３８９５６号公報に記載されて
いる様なマグネットローラーと磁性トナーから形成され
たブラシにより感光体表面を摺擦しコロナ生成物を取り
除く方法、特開昭６１−１００７８０号公報に記載され
ている様な弾性ローラーによる感光体表面の摺擦でコロ
ナ生成物を取り除く方法等が用いられてきた。

【０００７】感光体表面を摺擦する方法は、極めて硬度
の高いアモルファスシリコン感光体を除き、耐刷枚数を
低下させ、ヒーターによる常時加熱は前述の様に消費電
力量の増大を招く。

【０００８】また、本発明に類似する形態での外部ヒー
タ加熱方式、すなわち、特開昭５９−１１１１７９号公
報や特開昭６２−２７８５７７号公報においても、感光
体の温度変動に伴う画像濃度不安定要素の改善について
はなんらの開示もない。

【０００９】こうした状況から、新たな電子写真装置の
環境安定化装置としての除湿装置、並びに電子写真画像
形成方法が求められている。

【００１０】図１は複写機の画像形成プロセスの一例を
示す概略図である。図において、矢印Ｘ方向に回転する
感光体１０１は面状内面ヒータ１２３によって温度コン
トロールされ、感光体１０１の周辺には、主帯電器１０
２、静電潜像形成部位１０３、現像器１０４、転写紙供
給系１０５、転写帯電器１０６（ａ）、分離帯電器１０
６（ｂ）、クリーナ１０７、搬送系１０８、除電光源１
０９などが配設されている。

【００１１】以下、さらに具体例を以て画像形成プロセ
スを説明する。まず、感光体１０１は＋６〜８ｋＶの高
電圧を印加した主帯電器１０２により一様に帯電され、
これに静電潜像形成部位１０３、すなわち光源ランプ１
１０から発した光が原稿台ガラス１１１上に置かれた原
稿１１２に反射し、ミラー１１３、１１４、１１５を経
由し、レンズユニット１１７のレンズ１１８によって結
像され、ミラー１１６を経由し、当該光が感光体１０１
上に導かれ投影されて静電潜像が形成される。この潜像
に現像器１０４からネガ極性トナーが供給されてナトー
像となる。

【００１２】一方、転写紙供給系１０５を通って、レジ
ストローラ１２２によって先端タイミングを調整され、
感光体１０１方向に供給される転写材Ｐは＋７〜８ｋＶ
の高電圧を印加した転写帯電器１０６（ａ）と感光体１
０１の間隙において背面から、トナーとは反対極性の正
電界を与えられ、これによって感光体１０１表面のネガ
極性トナー像は転写材Ｐに転移する。１２〜１４ｋＶｐ
−ｐ、３００〜６００Ｈｚの高圧ＡＣ電圧を印加した分
離帯電器１０６（ｂ）により転写材Ｐと感光体１０１と
を分離し、転写材Ｐは転写紙搬送系１０８を通って定着
装置（不図示）に至り、トナー像は定着されて装置外に
排出される。

【００１３】つぎに、感光体１０１上に残留するトナー
はクリーナーユニット１０７のクリーニングブレード１
２１によってかき落とされ、残留する静電潜像は除電光
源１０９によって消去される。（Ｂ）〔アモルファスシリコン系感光体（ａ−Ｓｉ）〕電子写真において、感光体における感光層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（Ｉｄ）〕が高く、照射する電磁波のスペクト
ル特性に適合した吸収スペクトルを有すること、光応答
性が早く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無害であること、等の特性が要求され
る。特に、事務機としてオフィスで使用される電子写真
装置内に組み込まれる電子写真用感光体の場合には、上
記の使用時における無公害性は重要な点である。

【００１４】この様な点に優れた性質を示す光導電材料
に水素化アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：
Ｈ」と表記する）があり、例えば、特公昭６０−３５０
５９号公報には電子写真用感光体としての応用が記載さ
れている。

【００１５】このような電子写真用感光体は、一般的に
は、導電性支持体を５０℃〜４００℃に加熱し、該支持
体上に真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーテ
ィング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法
等の成膜法によりａ−Ｓｉからなる光導電層を形成す
る。なかでもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを
直流または高周波あるいはマイクロ波によるグロー放電
によって分解し、支持体上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成する
方法が好適なものとして実用に付されている。

【００１６】また、特開昭５４−８３７４６号公報にお
いては、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素とし
て含むａ−Ｓｉ（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｘ」と表記する）
光導電層からなる電子写真用感光体が提案されている。
当該公報においては、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１乃至
４０原子％含有させることにより、耐熱性が高く、電子
写真用感光体の光導電層として良好な電気的、光学的特
性を得ることができるとしている。

【００１７】また、特開昭５７−１１５５６号公報に
は、ａ−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有する光導
電部材の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光
学的、光導電的特性及び耐湿性等の使用環境特性、さら
には経時的安定性について改善を図るため、シリコン原
子を母体としたアモルファス材料で構成された光導電層
上に、シリコン原子及び炭素原子を含む非光導電性のア
モルファス材料で構成された表面障壁層を設ける技術が
記載されている。

【００１８】更に、特開昭６０−６７９５１号公報に
は、アモルファスシリコン、炭素、酸素及び弗素を含有
してなる透光絶縁性オーバーコート層を積層する感光体
についての技術が記載され、特開昭６２−１６８１６１
号公報には、表面層として、シリコン原子と炭素原子と
４１〜７０原子％の水素原子を構成要素として含む非晶
質材料を用いる技術が記載されている。

【００１９】さらに、特開昭５７−１５８６５０号公報
には、水素を１０〜４０原子％含有し、赤外吸収スペク
トルの２１００ｃｍ^-1と２０００ｃｍ^-1の吸収ピークの
吸収係数比が０．２〜１．７であるａ−Ｓｉ：Ｈを光導
電層に用いることにより高感度で高抵抗な電子写真用感
光体が得られることが記載されている。

【００２０】一方、特開昭６０−９５５５１号公報に
は、アモルファスシリコン感光体の画像品質向上のため
に、感光体表面近傍の温度を３０乃至４０℃に維持して
帯電、露光、現像および転写といった画像形成行程を行
うことにより、感光体表面での水分の吸着による表面抵
抗の低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する技
術が開示されている。

【００２１】これらの技術により、電子写真用感光体の
電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特性が向上
し、それに伴って画像品質も向上してきた。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】以上述べてきたよう
に、いずれの光導電材料を用いても、感光体の寿命を伸
ばそうとすると、高湿環境下では感光体の加温が必要な
状況にある。

【００２３】しかし、加温に要する電力が資源保護・省
エネルギーの観点から、夜間のヒーター通電は安全性・
信頼性の基準強化から、感光体の除湿を高効率かつ迅速
に行わせる社会的要請が高まっている。

【００２４】従来は複写機を使用しない夜間でもドラム
ヒーターに通電して、帯電器のコロナ放電によって生成
されたオゾン生成物が夜間に感光体表面に吸着すること
によって発生する画像流れを防止するようにしていた。
しかし、単に省資源・省電力のために複写機の夜間通電
を極力行わないようにした場合、連続複写をすると複写
機内の感光体周囲温度が徐々に上昇し、それにつれて感
光体の有する帯電能の温度依存性から、帯電能すなわち
表面電位が変化して、複写中に画像濃度が変わってしま
うという問題が生じていた。

【００２５】したがって、電子写真装置、乃至電子写真
画像形成方法を設計する際に、上記したような問題が解
決されるように電子写真用感光体の電子写真物性、機械
的耐久性など総合的な観点からの改良を図ると同時に、
除湿装置、乃至除湿方式の一段の改良を図ることが必要
とされている。

【００２６】

【発明の目的】本発明は、上述のごとき非効率な熱源で
構成された従来の除湿装置を新規な構成の感光体と新規
な構成の熱源の組みあわせにより、効率よく除湿し、画
質に与えていた画像流れ等の諸問題を解決することを目
的とするものである。

【００２７】即ち、本発明の主たる目的は、新規な発熱
体からの伝熱構成と感光体の摺擦手段を組みあわせるこ
とにより極めて迅速に加熱、除湿を行う事により高湿時
や長時間休止後においても高品質な画像を得られるよう
にする。

【００２８】また、第２の目的は必要な熱収支制御を厳
密に行う事により、加熱される必要のなかった部分への
伝熱を抑え、従来からの、現像スリーブの熱偏心による
ピッチむらや、クリーナー中の廃トナーブロッキングに
ともなうクリーニング不良といった弊害を解消すること
を第２の目的にしている。

【００２９】第３の目的として、新規な発熱体からの伝
熱構成により必要部分のみ加熱、除湿を行うことにより
省エネルギー問題を解決することを目的とするものであ
る。

【００３０】第４の目的として、従来回転円筒状感光体
内面に熱源を配設する為に電源供給のスリップリング等
の給電機構が必要であり、電子写真装置本体のコストを
上昇させていた問題を解決することを目的とするもので
ある。

【００３１】

【課題を解決するための手段及び作用】上記課題を解決
するための手段として、本発明者らは数秒から十秒程度
で数百℃まで昇温するヒーターを用い、かつ温度依存性
が小さくかつ表面耐熱性に優れた感光体を用いるといっ
た、限られた条件で除湿を行う事により極めて好適な画
像安定化が達成されることを見いだした。

【００３２】具体的には、導電性基体上に感光層を積層
させた円筒状感光体を回転させ、帯電・露光・現像・転
写・クリーニングの各行程を繰り返し、転写紙上の現像
剤を加熱定着する電子写真装置の除湿装置において、帯
電・露光工程間に円筒状感光体を加熱する加熱手段を配
置し、円筒状感光体の２５℃から３５℃における受容電
位の温度依存性を｜０．５％／ｄｅｇ｜以下とし、クリ
ーニング用クリーナーに円筒状感光体表面を摺擦する摺
擦部材を配設したことを特徴とする。

【００３３】また、加熱手段が長尺状セラミック基板上
に発熱焼結体を設けたことを特徴とする。また、加熱手
段により円筒状感光体を加熱する際に、円筒状感光体の
表面温度上昇が円筒状感光体の裏面温度上昇より大きい
ことを特徴とする。さらに、加熱手段により円筒状感光
体を加熱する際に、円筒状感光体の表面温度上昇が円筒
状感光体近傍温度上昇より大きいことを特徴とする。ま
た、上記円筒状感光体が、導電性支持体と、シリコン原
子を母体として水素原子及び／またはハロゲン原子を含
有する非単結晶材料から成り光導電性を示す光導電層を
有する光受容層とから構成され、光導電層が１０〜３０
原子％の水素を含有し、少なくとも光の入射する部分に
おいて、サブバンドギャップ光吸収スペクトルから得ら
れる指数関数裾の特性エネルギーが５０〜６０ｍｅＶ
で、かつ光導電層の局在状態密度が１×１０¹⁴〜５×１
０¹⁶ｃｍ^-3であることを特徴とする。また、かかる構成
を有することから電子写真装置の電源投入後、円筒状感
光体は直ちに回転を開始し、加熱定着する加熱定着器が
定着可能温度に達するまで、加熱手段により加熱されな
がら回転することを特徴とする。

【００３４】以下、本発明に重要な構成について詳細に
説明する。（Ａ）〔加熱体及び電子写真装置〕本発明に用いる好適なヒーターは、第１に昇温速度が早
く、第２に大出力であり、第３に伝熱乃至放熱に指向性
を持ち、第４に小型、薄型で機械的精度が高く、第５に
安価なことが求められる。

【００３５】具体的には、アルミナセラミックス等から
なる細長い板状基体表面にニクロム線等の電気発熱体を
設けたもの、更に好適なヒーターは、アルミナセラミッ
クス等からなる細長い板状基体表面に金属、例えば銀・
パラジウム合金からなり、細長い発熱部の両端に幅広の
端子部を形成した電気発熱体を設け、かつ発熱部表面を
ガラス質の保護層で皮膜したものを用いるのが好まし
い。以下、このヒータをセラミックヒータと称する。

【００３６】図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）を用
いて、更に具体的に発熱体の説明を行う。

【００３７】図９（ａ）はセラミック発熱体（以下、外
面ヒータＡと称する）を上面から見た図、図９（ｂ）は
この外面ヒータＡの横断面図である。

【００３８】図において、９０１は外面ヒータＡの基
体、９０２はこの基体９０１上に設けられた電気発熱
体、９０３は保護膜である。上記基体９０１はムライト
セラミックスからなり、感光体の長さに相当する長さ３
６０ｍｍ、幅８ｍｍ、厚さ１〜２ｍｍの細長い平板をな
す。上記ムライトセラミックスはＡ１₂Ｏ₃・２ＳｉＯ₂
なる化学組成を有し、セラミックスとガラスとの中間的
性質を有し、熱伝導率がアルミナセラミックの約半分
で、加工が容易で機械的強度も充分である。

【００３９】上記電気発熱体９０２は例えば銀・パラジ
ウム合金粉末を基体９０１にプリントして焼きつけてな
るもので、中央部が細長い発熱部９０６で、この発熱部
９０６の両端に端子部９０４を形成し、更に銀等の導電
膜９０５を形成し、かつ発熱部９０６表面にガラス等の
保護膜９０３を形成してある。

【００４０】図９（ｃ）はニクロム線発熱体（以下外面
ヒータＢと称する）を上面から見た図、図９（ｄ）はこ
の外面ヒータＢの横断面図である。

【００４１】図において、９１１は外面ヒータＢの基
体、９１２はこの基体９１１上に設けられたニクロム電
気発熱体である。上記基体９１１はセラミックス等から
なり、長さ３６０ｍｍ、幅８ｍｍ、厚さ１〜２ｍｍの細
長い平板をなす。

【００４２】上記電気発熱体９１２は基体９１１に半分
程度埋めこんでなるもので、この発熱部の両端に端子部
９１４を形成し、必要に応じて発熱部９１６表面にガラ
ス等の保護膜を形成してある。

【００４３】図１０を用いて、本発明にとって重要な熱
源の昇温速度、及び出力特性を具体的に説明する。

【００４４】図１０において、横軸に経過時間を、縦軸
にヒータの表面温度を示し、従来例はポリエチレンテレ
フタレート樹脂等を基体としてニクロム線等の発熱体を
はさみ込んだ面状発熱体（以下内面ヒータと称する）で
あり、時間経過に対して温度の上昇率は極めて遅い。一
方、本発明に関する前述セラミックヒーター（外部ヒー
タＡ）は、数秒で数百℃まで上昇し、ヒータへの入力電
圧によりその上昇率を制御できる。

【００４５】図４は本発明にかかわるヒーター及び感光
体摺擦ローラーを配設した複写機の画像形成プロセスの
一例を示す概略図である。図において、感光体４０１は
矢印Ｘ方向に回転し、主帯電器４０２と露光部としての
静電潜像形成部位４０３の間に配置された本発明の特徴
であるヒータ４２３によって温度コントロールされる。
感光体４０１の周辺には、主帯電器４０２、静電潜像形
成部位４０３、現像器４０４、転写紙供給系４０５、転
写帯電器４０６（ａ）、分離帯電器４０６（ｂ）、クリ
ーナ４０７、このクリーナー中には本発明のもう一つの
特徴である感光体４０１表面を摺擦する部材４２４、搬
送系４０８、除電光源４０９などが配設されている。

【００４６】ヒーター４２３は、前述の様な構成からな
り、取付位置は感光体表面から０．１〜１０ｍｍ、好ま
しくは０．２〜１ｍｍの範囲で近接配設する。感光体対
向面以外は、ガラスファイバー、セラミックス等で断熱
し感光体対向方向のみに放熱が向くことが最も好まし
い。

【００４７】摺擦部材４２４は、感光体４０１表面を摺
擦することを目的とし、構成はウレタンゴムやシリコン
ゴムを軸周囲に巻いたエラステイックローラー、乃至磁
性ローラーに磁性トナーを穂立ちさせたもの等が用いら
れる。ここでは、後者のマグネットローラをもちいて説
明、実験を行う。

【００４８】以下、さらに具体例を以て画像形成プロセ
スを説明すると、感光体４０１は＋６〜８ｋＶの高電圧
を印加した主帯電器４０２により一様に帯電され、これ
に静電潜像形成部位４０３、すなわちランプ４１０から
発した光が原稿台ガラス４１１上に置かれた原稿４１２
に反射し、ミラー４１３、４１４、４１５を経由し、レ
ンズユニット４１７のレンズ４１８によって結像され、
ミラー４１６を経由し、導かれ投影された静電潜像が感
光体４０１に形成される。この潜像に現像器４０４から
ネガ極性トナーが供給されてトナー像となる。

【００４９】一方、転写紙供給系４０５を通って、レジ
ストローラ４２２によって先端タイミングを調整され、
感光体４０１方向に供給される転写材Ｐは＋７〜８ｋＶ
の高電圧を印加した転写帯電器４０６（ａ）と感光体４
０１の間隙において背面から、トナーとは反対極性の正
電界を与えられ、これによって感光体表面のネガ極性ト
ナー像は転写材Ｐに転移する。１２〜１４ｋＶｐ−ｐ、
３００〜６００Ｈｚの高圧ＡＣ電圧を印加した分離帯電
器４０６（ｂ）により分離し、転写材Ｐは転写紙搬送系
４０８を通って定着装置（不図示）に至り、トナー像は
定着されて装置外に排出される。

【００５０】感光体４０１上に残留するトナーはクリー
ナーユニット４０７のクリーニングローラー４２４によ
って感光体表面と摺擦されると共にほぐされ、次いでク
リーニングブレード４２１によってかき落とされ、残留
する静電潜像は除電光源４０９によって消去される。

【００５１】こうした、構成で感光体表面を急速加熱す
ることで、第１に、感光体表面は加熱され、まだ温度上
昇していない外部雰囲気との大きな相対湿度差により効
率よく除湿され画像流れを防止出来る。第２に、感光体
を除湿しながらも、電子写真装置内部、すなわち最も特
徴的な基体、ついで感光体近傍の温度上昇が、感光体表
面に比べて小さく、従来これによって引き起こされてい
た、現像器の熱的偏心による画像むら等が防止される。
第３に、感光体表面のみ主に加熱するため省エネルギー
が達成される。第４に、従来回転円筒状感光体内面に熱
源を配設する為にスリップリング等の給電機構が必要で
あり、電子写真装置本体のコストを上昇させていた問題
を解決出来る。（Ｂ）〔感光体〕上記問題を解決する為の、もう一つの要素として、本発
明者らは温度依存性が小さくかつ表面耐熱性に優れた感
光体を用い、限られた条件で急速除湿を行う事により極
めて好適な画像安定化が達成される事を見いだした。
〔アモルファスシリコン感光体〕本発明に用いた好適な
感光体の一形態であるアモルファスシリコン感光体につ
いて以下に述べる。

【００５２】アモルファスシリコン感光体の光導電層の
キャリアの挙動に着目し、バンドギャップ内の局在状態
分布と帯電能の温度依存性や光メモリーとの関係につい
て鋭意検討した結果、光導電層の少なくとも光の入射す
る部分において、特定のエネルギー範囲の局在状態密度
を一定範囲に制御することにより上記目的を達成できる
という知見を得た。すなわち、シリコン原子を母体と
し、水素原子及び／またはハロゲン原子を含有する非単
結晶材料で構成された光導電層を有する感光体におい
て、その層構造を特定化するように設計されて作成され
た感光体は、実用上著しく優れた特性を示すばかりでな
く、従来の感光体と比べてみてもあらゆる点において凌
駕していること、特に電子写真用の感光体として優れた
特性を有していることを見いだした。

【００５３】本発明の電子写真用感光体は、導電性支持
体と、シリコン原子を母体とする非単結晶材料から成る
光導電層を有する感光層とから構成され、光導電層は１
０〜３０原子％の水素を含み、光吸収スペクトルの指数
関数裾（アーバックテイル）の特性エネルギーが５０〜
６０ｍｅＶであって、かつ該光導電層における局在状態
密度が１×１０¹⁴〜５×１０¹⁶ｃｍ^-3であることを特徴
としている。

【００５４】さらに本発明の電子写真用感光体は、導電
性支持体と、シリコン原子を母体とする非単結晶材料か
ら成る光導電層を有する光受容層とから構成され、光導
電層は１０〜３０原子％の水素を含み、赤外吸収スペク
トルから得られるＳｉ−Ｈ₂結合とＳｉ−Ｈ結合の吸収
ピーク強度比が０．１〜０．５であって、サブバンドギ
ャップ光吸収スペクトルの指数関数裾（アーバックテイ
ル）の特性エネルギーが５０〜６０ｍｅＶ、かつ該導電
層における局在状態密度が１×１０¹⁴〜５×１０¹⁶ｃｍ
^-3であることを特徴としている。

【００５５】上記したような構成をとるように設計され
た本発明の電子写真用感光体は、前記した諸問題点の全
てを解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電的
特性、画像品質、耐久性及び使用環境特性を示す。

【００５６】一般的に、ａ−Ｓｉ：Ｈのバンドギャップ
内には、Ｓｉ−Ｓｉ結合の構造的な乱れにもとづくテイ
ル（裾）準位と、Ｓｉの未結合手（ダングリングボン
ド）等の構造欠陥に起因する深い準位が存在する。これ
らの準位は電子、正孔の捕獲、再結合中心として働き、
素子の特性を低下させる原因になることが知られてい
る。

【００５７】このようなバンドギャップ中の局在準位の
状態を測定する方法として、一般に深準位分光法、等温
容量過渡分光法、光熱偏向分光法、一定光電流法等が用
いられている。中でも一定光電流法〔Ｃｏｎｓｔａｎｔ
ＰｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔＭｅｔｈｏｄ：以後、「Ｃ
ＰＭ」と略記する〕は、ａ−Ｓｉ：Ｈの局在準位に基づ
くサブギャップ光吸収スペクトルを簡便に測定する方法
として有用である。

【００５８】本発明者らは、ＣＰＭによって測定された
光吸収スペクトルから求められる指数関数裾（アーバッ
クテイル）の特性エネルギー（以下、「Ｅｕ」と略記す
る）や局在状態密度（以下、「ＤＯＳ」と略記する）と
感光体特性との相関を種々の条件に渡って調べた結果、
ＥｕおよびＤＯＳがａ−Ｓｉ感光体の温度特性や光メモ
リーと密接な関係にあることを見いだし、本発明を完成
するに至った。

【００５９】ドラムヒーター等で感光体を加熱したとき
に帯電能が低下する原因として、熱励起されたキャリア
が帯電時の電界に引かれてバンド裾の局在準位やバンド
ギャップ内の深い局在準位への捕獲、放出を繰り返しな
がら表面に走行し、表面電荷を打ち消してしまうことが
挙げられる。この時、帯電器を通過する間に表面に到達
したキャリアについては帯電能の低下にはほとんど影響
がないが、深い準位に捕獲されたキャリアは、帯電器を
通過した後に表面へ到達して表面電荷を打ち消すために
温度特性として観測される。また、帯電器を通過した後
に熱励起されたキャリアも表面電荷を打ち消し帯電能の
低下を引き起こす。したがって、感光体の使用温度領域
における熱励起キャリアの生成を抑え、なおかつキャリ
アの走行性を向上させることが温度特性の向上のために
必要である。

【００６０】さらに、光メモリーはブランク露光や像露
光によって生じた光キャリアがバンドギャップ内の局在
準位に捕獲され、光導電層内にキャリアが残留すること
によって生じる。すなわち、ある複写行程において生じ
た光キャリアのうち光導電層内に残留したキャリアが、
次回の帯電時あるいはそれ以降に表面電荷による電界に
よって掃き出され、光の照射された部分の電位が他の部
分よりも低くなり、その結果画像上に濃淡が生じる。し
たがって、光キャリアが光導電層内に残留することな
く、１回の複写行程で走行するように、キャリアの走行
性を改善しなければならない。

【００６１】したがって、本発明のごとくＥｕおよび特
定のエネルギー範囲のＤＯＳを制御することにより、熱
励起キャリアの生成が抑えられ、なおかつ熱励起ャリア
や光キャリアが局在準位に捕獲される割合を小さくする
ことができるためにキャリアの走行性が著しく改善され
る。その結果、感光体の使用温度領域での温度特性が飛
躍的に改善され、同時に光メモリーの発生を抑制するこ
とができるために、感光体の使用環境に対する安定性が
向上し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の高い高
品質の画像を安定して得ることができる。

【００６２】以下、図面に従って本発明のアモルファス
シリコン光導電部材について詳細に説明する。

【００６３】図１１は、本発明の電子写真用感光体の層
構成を説明するための模式的構成図である。

【００６４】図１１（ａ）に示す電子写真用感光体１１
００は、感光体用としての支持体１１０１の上に、感光
層１１０２が設けられている。１１１０はその表面の自
由表面である。該感光層１１０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘか
らなり光導電性を有する光導電層１１０３で構成されて
いる。

【００６５】図１１（ｂ）は、本発明の電子写真用感光
体の他の層構成を説明するための模式的構成図である。
図１１（ｂ）に示す電子写真用感光体１１００は、感光
体用としての支持体１１０１の上に、感光層１１０２が
設けられている。該感光層１１０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘ
からなり光導電性を有する光導電層１１０３と、アモル
ファスシリコン系表面層１１０４とから構成されてい
る。

【００６６】図１１（ｃ）は、本発明の電子写真用感光
体の他の層構成を説明するための模式的構成図である。
図１１（ｃ）に示す電子写真用感光体１１００は、感光
体用としての支持体１１０１の上に、感光層１１０２が
設けられている。該感光層１１０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘ
からなり、光導電性を有する光導電層１１０３と、アモ
ルファスシリコン系表面層１１０４と、アモルファスシ
リコン系電荷注入阻止層１１０５とから構成されてい
る。

【００６７】図１１（ｄ）は、本発明の電子写真用感光
体のさらに他の層構成を説明するための模式的構成図で
ある。図１１（ｄ）に示す電子写真用感光体１１００
は、感光体用としての支持体１１０１の上に、感光層１
１０２が設けられている。該感光層１１０２は、光導電
層１１０３を構成するａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなる電荷発
生層１１０６ならびに電荷輸送層１１０７と、アモルフ
ァスシリコン系表面層１１０４とから構成されている。（Ｃ）〔支持体〕本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であってもよい。導電性支持体としては、Ａ
ｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、
Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、およびこれらの合金、例え
ばステンレス等が挙げられる。また、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、
ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシート、ガラ
ス、セラミック等の電気絶縁性支持体の少なくとも感光
層を形成する側の表面を導電性を有する処理をした支持
体も用いることができる本発明において使用される支持
体１１０１の形状は、平滑表面あるいは凹凸表面の円筒
状または板状無端ベルト状であることができ、その厚さ
は、所望通りの電子写真用感光体１１００を形成し得る
ように適宜決定するが、電子写真用感光体１１００とし
ての可撓性が要求される場合には、支持体１１０１とし
ての機能が充分発揮できる範囲内で可能な限り薄くする
ことができる。しかしながら、支持体１１０１は製造上
および取り扱い上、機械的強度等の点から通常は１０μ
ｍ以上とされる。

【００６８】特にレーザー光などの可干渉性光を用いて
像記録を行う場合には、可視画像において現われる、い
わゆる干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消す
るために、支持体１１０１の表面に画像解像力よりも小
さい凹凸を設けてもよい。支持体１１０１の表面に設け
られる凹凸は、特開昭６０−１６８１５６号公報、特開
昭６０−１７８４５７号公報、特開昭６０−２２５８５
４号公報等に記載された公知の方法により作成される。

【００６９】また、レーザー光などの可干渉光を用いた
場合の干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消す
る別の方法として、支持体１１０１の表面に複数の球状
痕跡窪みによる凹凸形状を設けてもよい。即ち、支持体
１１０１の表面が電子写真用感光体１１００に要求され
る解像力よりも微少な凹凸を有し、しかも該凹凸は、複
数の球状痕跡窪みによるものである。支持体１１０１の
表面に設けられる複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、特
開昭６１−２３１５６１号公報に記載された公知の方法
により作成される。（Ｄ）光導電層本発明において、その目的を効果的に達成するために支
持体１１０１上に形成され、感光層１１０２の一部を構
成する光導電層１１０３は真空堆積膜形成方法によっ
て、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの
数値条件が設定されて作成される。具体的には、例えば
グロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法または
マイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直
流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、
イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法など
の数々の薄膜堆積法によって形成することができる。こ
れらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷
程度、製造規模、作成される電子写真用感光体に所望さ
れる特性等の要因によって適宜選択されて採用される
が、所望の特性を有する電子写真用感光体を製造するに
当たっての条件の制御が比較的容易であることからグロ
ー放電法、特にＲＦ帯またはＶＨＦ帯の電源周波数を用
いた高周波グロー放電法が好適である。

【００７０】グロー放電法によって光導電層１１０３を
形成するには、例えば後述の図２に示す高周波ＣＶＤ装
置のように、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し
得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し
得るＨ供給用の原料ガスまたは／及びハロゲン原子
（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部が減圧
にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該反
応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位
置に設定されてある所定の支持体１１０１上にａ−Ｓ
ｉ：Ｈ，Ｘからなる層を形成すればよい。

【００７１】また、本発明において光導電層１１０３中
に、水素原子または／及びハロゲン原子が含有されるこ
とが必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補
償し、層品質の向上、特に光導電性および電荷保持特性
を向上させるために必須不可欠であるからである。よっ
て水素原子またはハロゲン原子の含有量、または水素原
子とハロゲン原子の和の量はシリコン原子と水素原子ま
たは／及びハロゲン原子の和に対して１０〜３０原子
％、より好ましくは１５〜２５原子％とされるのが望ま
しい。

【００７２】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ
₃Ｈ₈、Ｓｉ₄Ｈ₁₀等のガス状態の、またはガス化し得
る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効
率の良さ等の点でＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆が好ましいもの
として挙げられる。

【００７３】そして、形成される光導電層１１０３中に
水素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御
をいっそう容易になるように図り、本発明の目的を達成
する膜特性を得るために、これらのガスに更にＨ₂およ
び／またはＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物のガ
スも、所望量混合して層形成することが必要である。ま
た、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合しても差し支えないものである。

【００７４】また本発明において使用されるハロゲン原
子供給用の原料ガスとして有効なのは、たとえばハロゲ
ンガス、ハロゲン化物、ハロゲンをふくむハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状の
またはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構
成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原
子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げるこ
とができる。本発明において好適に使用し得るハロゲン
化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ₂）、Ｂｒ
Ｆ、ＣｌＦ、ＣｌＦ₃、ＢｒＦ₃、ＢｒＦ₅、ＩＦ₃、
ＩＦ₇等のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハ
ロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には、たとえ
ばＳｉＦ₄、Ｓｉ₂Ｆ₆等の弗化珪素が好ましいものと
して挙げることができる。

【００７５】光導電層１１０３中に含有される水素原子
または／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば
支持体１１０１の温度、水素原子または／及びハロゲン
原子を含有させるために使用される原料物質の反応容器
内へ導入する量、反応容器内圧、放電電力等を制御すれ
ばよい。

【００７６】本発明においては、光導電層１１０３には
必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが
好ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層１１０３
中に万偏なく均一に分布した状態で含有されても良い
し、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有して
いる部分があってもよい。

【００７７】前記伝導性を制御する原子としては、半導
体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、
ｐ型伝導特性を与える周期律表IIIｂ族に属する原子
（以後「第IIIｂ族原子」と略記する）またはｎ型伝導
特性を与える周期律表Ｖｂ族に属する原子（以後「第Ｖ
ｂ族原子」と略記する）を用いることができる。

【００７８】第IIIｂ族原子としては、具体的には、硼
素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、
インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。

【００７９】光導電層１１０３に含有される伝導性を制
御する原子の含有量としては、好ましくは１×１０^-2〜
１×１０⁴原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０^-2〜５
×１０³原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０³
原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

【００８０】伝導性を制御する原子、たとえば、第III
ｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するに
は、層形成の際に、第IIIｂ族原子導入用の原料物質あ
るいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応
容器中に、光導電層１０３を形成するための他のガスと
ともに導入してやればよい。第IIIｂ族原子導入用の原
料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得
るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なくと
も層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用される
のが望ましい。

【００８１】そのような第IIIｂ族原子導入用の原料物
質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ₂Ｈ
₆，Ｂ₄Ｈ₁₀，Ｂ₅Ｈ₉，Ｂ₅Ｈ₁₁，Ｂ₆Ｈ₁₀，Ｂ₆Ｈ
₁₂，Ｂ₆Ｈ₁₄等の水素化硼素、ＢＦ₃，ＢＣｌ₃，ＢＢ
ｒ₃等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａｌ
Ｃｌ₃，ＧａＣｌ₃，Ｇａ（ＣＨ₃）₃，ＩｎＣｌ₃，
ＴｌＣｌ₃等も挙げることができる。

【００８２】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として有効
に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ₃，Ｐ
₂Ｈ₄等の水素化燐、ＰＨ₄Ｉ，ＰＦ₃，ＰＦ₅，ＰＣ
ｌ₃，ＰＣｌ₅，ＰＢｒ₃，ＰＢｒ₅，ＰＩ₃等のハロ
ゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ₃，ＡｓＦ₃，
ＡｓＣｌ₃，ＡｓＢｒ₃，ＡｓＦ₅，ＳｂＨ₃，ＳｂＦ
₃，ＳｂＦ₅，ＳｂＣｌ₃，ＳｂＣｌ₅，ＢｉＨ₃，Ｂ
ｉＣｌ₃，ＢｉＢｒ₃等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物
質の有効なものとして挙げることができる。

【００８３】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ₂および／またはＨｅに
より希釈して使用してもよい。

【００８４】さらに本発明においては、光導電層１１０
３に炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原
子を含有させることが有効である。炭素原子及び／また
は酸素原子及び／または窒素原子の含有量はシリコン原
子、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の和に対して好ま
しくは１×１０^-5〜１０原子％、より好ましくは１×１
０^-4〜８原子％、最適には１×１０^-3〜５原子％が望ま
しい。炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素
原子は、光導電層１１０３中に万偏なく均一に含有され
ても良いし、光導電層１１０３の層厚方向に含有量が変
化するような不均一な分布をもたせた部分があっても良
い。

【００８５】本発明において、光導電層１１０３の層厚
は所望の電子写真特性が得られること及び経済的効果等
の点から適宜所望にしたがって決定され、好ましくは２
０〜５０μｍ、より好ましくは２３〜４５μｍ、最適に
は２５〜４０μｍとされるのが望ましい。

【００８６】本発明の目的を達成し、所望の膜特性を有
する光導電層１１０３を形成するには、Ｓｉ供給用のガ
スと希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電
力ならびに支持体温度を適宜設定することが必要であ
る。

【００８７】希釈ガスとして使用するＨ₂及び／または
Ｈｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択
されるが、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ₂および／またはＨ
ｅを、通常の場合３〜２０倍、好ましくは４〜１５倍、
最適には５〜１０倍の範囲に制御することが望ましい。

【００８８】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１
０^-4〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１０^-4〜５Ｔｏｒ
ｒ、最適には１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒとするのが好まし
い。

【００８９】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力を、通常の場合２〜７倍、好ましくは
２．５〜６倍、最適には３〜５倍の範囲に設定すること
が望ましい。

【００９０】さらに、支持体１１０１の温度は、層設計
にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場
合、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３
０〜３３０℃、最適には２５０〜３１０℃とするのが望
ましい。

【００９１】本発明においては、光導電層１１０３を形
成するための支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲と
して前記した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的
に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する
感光体１１００を形成すべく相互的且つ有機的関連性に
基づいて最適値を決めるのが望ましい。（Ｅ）表面層本発明においては、上述のようにして支持体１１０１上
に形成された光導電層１１０３の上に、更にアモルファ
スシリコン系の表面層１１０４を形成することが好まし
い。この表面層１１０４は自由表面１１１０を有し、主
に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使用
環境特性、機械的耐久性において本発明の目的を達成す
るために設けられる。

【００９２】又、本発明においては、感光層１１０２を
構成する光導電層１０３と表面層１１０４とを形成する
非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成要素
を有しているので、積層界面において化学的な安定性の
確保が十分成されている。

【００９３】表面層１１０４は、アモルファスシリコン
系の材料であればいずれの材質でも可能であるが、例え
ば、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を
含有し、更に炭素原子を含有するアモルファスシリコン
（以下、「ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原
子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更
に酸素原子を含有するアモルファスシリコン（以下、
「ａ−ＳｉＯ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）
及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に窒素原
子を含有するアモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ
Ｎ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／また
はハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に炭素原子、酸素原
子、窒素原子の少なくとも一つを含有するアモルファス
シリコン（以下、「ａ−ＳｉＣＯＮ：Ｈ，Ｘ」と表記す
る）等の材料が好適に用いられる。

【００９４】本発明において、その目的を効果的に達成
するために、表面層１１０４は真空堆積膜形成方法によ
って、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーター
の数値条件が設定されて作成される。具体的には、例え
ばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法また
はマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは
直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着
法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法
などの数々の薄膜堆積法によって形成することができ
る。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下
の負荷程度、製造規模、作成される電子写真用感光体に
所望される特性等の要因によって適宜選択されて採用さ
れるが、感光体の生産性から光導電層と同等の堆積法に
よることが好ましい。

【００９５】例えば、グロー放電法によってａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ，Ｘよりなる表面層１１０４を形成するには、基
本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用
の原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の
原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原
料ガスまたは／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ
供給用の原料ガスを、内部を減圧にし得る反応容器内に
所望のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電
を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置された光導電
層１１０３を形成した支持体１１０１上にａ−ＳｉＣ：
Ｈ，Ｘからなる層を形成すればよい。

【００９６】本発明において用いる表面層１１０４の材
質としてはシリコンを含有するアモルファス材料ならば
何れでも良いが、炭素、窒素、酸素より選ばれた元素を
少なくとも１つ含むシリコン原子との化合物が好まし
く、特にａ−ＳｉＣを主成分としたものが好ましい。

【００９７】表面層１１０４をａ−ＳｉＣを主成分とし
て構成する場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子の
和に対して３０％から９０％の範囲が好ましい。

【００９８】また、本発明において表面層１１０４中に
水素原子または／及びハロゲン原子が含有されることが
必要であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償
し、層品質の向上、特に光導電性特性および電荷保持特
性を向上させるために必須不可欠である。水素含有量
は、構成原子の総量に対して通常の場合３０〜７０原子
％、好適には３５〜６５原子％、最適には４０〜６０原
子％とするのが望ましい。また、弗素原子の含有量とし
て、通常の場合は０．０１〜１５原子％、好適には０．
１〜１０原子％、最適には０．６〜４原子％とされるの
が望ましい。

【００９９】これらの水素及び／または弗素含有量の範
囲内で形成される感光体は、実際面において、従来にな
い格段に優れたものとして充分適用させ得るものであ
る。すなわち、表面層１１０４内に存在する欠陥（主に
シリコン原子や炭素原子のダングリングボンド）は電子
写真用感光体としての特性に悪影響を及ぼすことが知ら
れている。例えば自由表面１１１０から電荷の注入によ
る帯電特性の劣化、使用環境、例えば高い湿度のもとで
表面構造が変化することによる帯電特性の変動、更にコ
ロナ帯電時や光照射時に光導電層１１０３により表面層
１１０４に電荷が注入され、前記表面層１１０４内の欠
陥に電荷がトラップされることにより繰り返し使用時の
残像現象の発生等がこの悪影響として挙げられる。

【０１００】しかしながら表面層１１０４内の水素含有
量を３０原子％以上に制御することで表面層１１０４内
の欠陥が大幅に減少し、その結果、従来に比べて電気的
特性面及び高速連続使用性において飛躍的な向上を図る
ことができる。

【０１０１】一方、前記表面層１１０４中の水素含有量
が７１原子％以上になると表面層１１０４の硬度が低下
するために、繰り返し使用に耐えられなくなる。従っ
て、表面層１１０４中の水素含有量を前記の範囲内に制
御することが格段に優れた所望の電子写真特性を得る上
で非常に重要な因子の１つである。表面層１１０４中の
水素含有量は、Ｈ₂ガスの流量、支持体１１０１の温
度、放電パワー、ガス圧等によって制御し得る。

【０１０２】また、表面層１１０４中の弗素含有量を
０．０１原子％以上の範囲に制御することで表面層内の
シリコン原子と炭素原子の結合の発生をより効果的に達
成することが可能となる。さらに、表面層中の弗素原子
の働きとして、コロナ等のダメージによるシリコン原子
と炭素原子の結合の切断を効果的に防止することができ
る。

【０１０３】一方、表面層１１０４中の弗素含有量が１
５原子％を超えると表面層内のシリコン原子と炭素原子
の結合の発生の効果およびコロナ等のダメージによるシ
リコン原子と炭素原子の結合の切断を防止する効果がほ
とんど認められなくなる。さらに、過剰の弗素原子が表
面層中のキャリアの走行性を阻害するため、残留電位や
画像メモリーが顕著に認められてくる。従って、表面層
中の弗素含有量を前記範囲内に制御することが所望の電
子写真特性を得る上で重要な因子の一つである。表面層
中の弗素含有量は、水素含有量と同様にＨ₂ガスの流
量、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御し
得る。

【０１０４】本発明の表面層１１０４の形成において使
用されるシリコン（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質と
しては、ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ₃Ｈ₈、Ｓｉ₄Ｈ
₁₀等のガス状態の、またはガス化し得る水素化珪素（シ
ラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、更に
層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点で
ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆が好ましいものとして挙げられ
る。また、これらのＳｉ供給用の原料ガスを必要に応じ
てＨ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用
してもよい。

【０１０５】炭素供給用ガスとなり得る物質としては、
ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、Ｃ₄Ｈ₁₀等のガス状態
の、またはガス化し得る炭化水素が有効に使用されるも
のとして挙げられ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓｉ
供給効率の良さ等の点でＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₆が好ましいも
のとして挙げられる。また、これらの炭素Ｃ供給用の原
料ガスを必要に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガス
により希釈して使用してもよい。

【０１０６】窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質
としては、ＮＨ₃、ＮＯ、Ｎ₂Ｏ、ＮＯ₂、Ｈ₂Ｏ、Ｏ
₂、ＣＯ、ＣＯ₂、Ｎ₂等のガス状態の、またはガス化
し得る化合物が有効に使用されるものとして挙げられ
る。また、これらの窒素、酸素供給用の原料ガスを必要
に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈し
て使用してもよい。

【０１０７】また、形成される表面層１１０４中に導入
される水素原子の導入割合の制御をいっそう容易になる
ように図るために、これらのガスに更に水素ガスまたは
水素原子を含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形
成することが好ましい。また、各ガスは単独種のみでな
く所定の混合比で複数種混合しても差し支えないもので
ある。

【０１０８】ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効
なのは、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲ
ンをふくむハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシ
ラン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化
合物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原
子とハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガ
ス化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有
効なものとして挙げることができる。本発明において好
適に使用し得るハロゲン化合物としては、具体的には弗
素ガス（Ｆ₂）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ₃、Ｂｒ
Ｆ₃、ＢｒＦ₅、ＩＦ₃、ＩＦ₇等のハロゲン間化合物
を挙げることができる。ハロゲン原子を含む珪素化合
物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導体と
しては、具体的には、たとえばＳｉＦ₄、Ｓｉ₂Ｆ₆等
の弗化珪素が好ましいものとして挙げることができる。

【０１０９】表面層１１０４中に含有される水素原子ま
たは／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支
持体１１０１の温度、水素原子または／及びハロゲン原
子を含有させるために使用される原料物質の反応容器内
へ導入する量、放電電力等を制御すればよい。

【０１１０】炭素原子及び／または酸素原子及び／また
は窒素原子は、表面層１１０４中に万偏なく均一に含有
されても良いし、表面層１１０４の層厚方向に含有量が
変化するような不均一な分布をもたせた部分があっても
良い。

【０１１１】さらに本発明においては、表面層１１０４
には必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させるこ
とが好ましい。伝導性を制御する原子は、表面層１１０
４中に万偏なく均一に分布した状態で含有されても良い
し、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有して
いる部分があってもよい。

【０１１２】前記の伝導性を制御する原子としては、半
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導特性を与える周期律表IIIｂ族に属する原
子（以後、「第IIIｂ族原子」と略記する）またはｎ型
伝導特性を与える周期律表Ｖｂ族に属する原子（以後、
「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることができる。

【０１１３】第IIIｂ族原子としては、具体的には、硼
素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、
インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ），ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。

【０１１４】表面層１１０４に含有される伝導性を制御
する原子の含有量としては、好ましくは１×１０^-3〜１
×１０³原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０^-2〜５×
１０ ²原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０²原
子ｐｐｍとされるのが望ましい。伝導性を制御する原
子、たとえば、第IIIｂ族原子あるいは第Ｖｂ族原子を
構造的に導入するには、層形成の際に、第IIIｂ族原子
導入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物
質をガス状態で反応容器中に、表面層１１０４を形成す
るための他のガスとともに導入してやればよい。第III
ｂ族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用
の原料物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状
のまたは、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得
るものが採用されるのが望ましい。そのような第IIIｂ
族原子導入用の原料物質として具体的には、硼素原子導
入用としては、Ｂ₂Ｈ₆、Ｂ₄Ｈ₁₀、Ｂ₅Ｈ₉、Ｂ₅Ｈ
₁₁、Ｂ₆Ｈ₁₀、Ｂ₆Ｈ₁₂、Ｂ₆Ｈ₁₄等の水素化硼素、Ｂ
Ｆ₃、ＢＣｌ₃、ＢＢｒ₃等のハロゲン化硼素等が挙げ
られる。この他、ＡｌＣｌ₃、ＧａＣｌ₃、Ｇａ（ＣＨ
₃）₃、ＩｎＣｌ₃、ＴｌＣｌ₃等も挙げることができ
る。

【０１１５】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として、有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ₃、
Ｐ₂Ｈ₄等の水素化燐、ＰＨ₄Ｉ、ＰＦ₃、ＰＦ₅、Ｐ
Ｃｌ ₃、ＰＣｌ₅、ＰＢｒ₃、ＰＢｒ₅、ＰＩ₃等のハ
ロゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ₃、Ａｓ
Ｆ₃、ＡｓＣｌ₃、ＡｓＢｒ₃、ＡｓＦ₅、ＳｂＨ₃、
ＳｂＦ₃、ＳｂＦ₅、ＳｂＣｌ₃、ＳｂＣｌ₅、ＢｉＨ
₃、ＢｉＣｌ₃、ＢｉＢｒ ₃等も第Ｖｂ族原子導入用の
出発物質の有効なものとして挙げることができる。

【０１１６】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ₂、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等
のガスにより希釈して使用してもよい。

【０１１７】本発明に於ける表面層１１０４の層厚とし
ては、通常０．０１〜３μｍ、好適には０．０５〜２μ
ｍ、最適には０．１〜１μｍとされるのが望ましいもの
である。層厚が０．０１μｍよりも薄いと感光体を使用
中に摩耗等の理由により表面層が失われてしまい、３μ
ｍを越えると残留電位の増加等の電子写真特性の低下が
みられる。

【０１１８】本発明による表面層１１０４は、その要求
される特性が所望通りに与えられるように注意深く形成
される。即ち、Ｓｉ、Ｃ及び／またはＮ及び／または
Ｏ、Ｈ及び／またはＸを構成要素とする物質はその形成
条件によって構造的には結晶からアモルファスまでの形
態を取り、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁性
までの間の性質を、又、光導電的性質から非光導電的性
質までの間の性質を各々示すので、本発明においては、
目的に応じた所望の特性を有する化合物が形成される様
に、所望に従ってその形成条件の選択が厳密になされ
る。

【０１１９】例えば、表面層１１０４を耐圧性の向上を
主な目的として設けるには、使用環境において、電気絶
縁性的挙動の顕著な非単結晶材料として作成される。

【０１２０】又、連続繰り返し使用特性や使用環境特性
の向上を主たる目的として表面層１１０４が設けられる
場合には、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和さ
れ、照射される光に対して、ある程度の感度を有する非
単結晶材料として形成される。

【０１２１】本発明の目的を達成し得る特性を有する表
面層１１０４を形成するには、支持体１１０１の温度、
反応容器内のガス圧を所望にしたがって、適宜設定する
必要がある。

【０１２２】支持体１１０１の温度（Ｔｓ）は、層設計
にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場
合、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３
０〜３３０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望
ましい。

【０１２３】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０^-4〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×
１０ ^-4〜５Ｔｏｒｒ、最適には１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒ
とするのが好ましい。

【０１２４】本発明においては、表面層１１０４を形成
するための支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲とし
て前記した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に
別々に決められるものではなく、所望の特性を有する感
光体を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最
適値を決めるのが望ましい。

【０１２５】さらに本発明においては、光導電層１１０
３と表面層１１０４の間に、炭素原子、酸素原子、窒素
原子の含有量を表面層１１０４より減らしたブロッキン
グ層（下部表面層）を設けることも帯電能等の特性を更
に向上させるためには有効である。

【０１２６】また表面層１１０４と光導電層１１０３と
の間に炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素
原子の含有量が光導電層１１０３に向かって減少するよ
うに変化する領域を設けても良い。これにより表面層１
１０４と光導電層１１０３の密着性を向上させ、界面で
の光の反射による干渉の影響をより少なくすることがで
きる。（Ｆ）電荷注入阻止層本発明の電子写真用感光体においては、導電性支持体１
１０１と光導電層１１０３との間に、導電性支持体側か
らの電荷の注入を阻止する働きのある電荷注入阻止層１
１０５を設けるのがいっそう効果的である。すなわち、
電荷注入阻止層１１０５は感光層１１０２が一定極性の
帯電処理をその自由表面１１１０に受けた際、支持体側
より光導電層側に電荷が注入されるのを阻止する機能を
有し、逆の極性の帯電処理を受けた際にはそのような機
能は発揮されない、いわゆる極性依存性を有している。
そのような機能を付与するために、電荷注入阻止層１１
０５には伝導性を制御する原子を光導電層１１０３に比
べ比較的多く含有させる。

【０１２７】該電荷注入阻止層１１０５に含有される伝
導性を制御する原子は、該層中に万偏なく均一に分布さ
れても良いし、あるいは層厚方向には万偏なく含有され
てはいるが、不均一に分布する状態で含有している部分
があってもよい。分布濃度が不均一な場合には、支持体
側に多く分布するように含有させるのが好適である。

【０１２８】しかしながら、いずれの場合にも支持体１
１０１の表面と平行面内方向においては、均一な分布で
万偏なく含有されることが面内方向における特性の均一
化を図る点からも必要である。

【０１２９】電荷注入阻止層１１０５に含有される伝導
性を制御する原子としては、半導体分野における、いわ
ゆる不純物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える
周期律表IIIｂ族に属する原子（以後、「第IIIｂ族原
子」と略記する）またはｎ型伝導特性を与える周期律表
Ｖｂ族に属する原子（以後、「第Ｖｂ族原子」と略記す
る）を用いることができる。

【０１３０】第IIIｂ族原子としては、具体的には、Ｂ
（ほう素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウ
ム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔａ（タリウム）等があ
り、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子と
しては、具体的にはＰ（リン）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ
（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ、
Ａｓが好適である。

【０１３１】本発明において電荷注入阻止層１１０５中
に含有される伝導性を制御する原子の含有量としては、
本発明の目的が効果的に達成できるように所望にしたが
って適宜決定されるが、好ましくは１０〜１×１０⁴原
子ｐｐｍ、より好適には５０〜５×１０³原子ｐｐｍ、
最適には１×１０²〜１×１０³原子ｐｐｍとされるの
が望ましい。

【０１３２】さらに、電荷注入阻止層１１０５には、炭
素原子、窒素原子及び酸素原子の少なくとも一種を含有
させることによって、該電荷注入阻止層１１０５に直接
接触して設けられる他の層との間の密着性の向上をより
いっそう図ることができる。

【０１３３】該層１１０５に含有される炭素原子または
窒素原子または酸素原子は該層中に万偏なく均一に分布
されても良いし、あるいは層厚方向には万偏なく含有さ
れてはいるが、不均一に分布する状態で含有している部
分があってもよい。しかしながら、いずれの場合にも支
持体１１０１の表面と平行面内方向においては、均一な
分布で万偏なく含有されることが面内方向における特性
の均一化をはかる点からも必要である。

【０１３４】本発明における電荷注入阻止層１１０５の
全層領域に含有される炭素原子及び／または窒素原子及
び／または酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果的
に達成されるように適宜決定されるが、一種の場合はそ
の量として、二種以上の場合はその総和として、好まし
くは１×１０^-3〜５０原子％、より好適には５×１０ ^-3
〜３０原子％、最適には１×１０^-2〜１０原子％とされ
るのが望ましい。

【０１３５】また、本発明における電荷注入阻止層１１
０５に含有される水素原子及び／またはハロゲン原子は
層内に存在する未結合手を補償し、膜質の向上に効果を
奏する。電荷注入阻止層１１０５中の水素原子またはハ
ロゲン原子あるいは水素原子とハロゲン原子の和の含有
量は、好適には１〜５０原子％、より好適には５〜４０
原子％、最適には１０〜３０原子％とするのが望まし
い。

【０１３６】本発明において、電荷注入阻止層１１０５
の層厚は所望の電子写真特性が得られること、及び経済
的効果等の点から、好ましくは０．１〜５μｍ、より好
ましくは０．３〜４μｍ、最適には０．５〜３μｍとさ
れるのが望ましい。

【０１３７】本発明において電荷注入阻止層１１０５を
形成するには、前述の光導電層１１０３を形成する方法
と同様の真空堆積法が採用される。

【０１３８】本発明の目的を達成し得る特性を有する電
荷注入阻止層１１０５を形成するには、光導電層１１０
３と同様に、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、
反応容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体１１０１
の温度を適宜設定することが必要である。

【０１３９】希釈ガスであるＨ₂及び／またはＨｅの流
量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択される
が、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ₂及び／またはＨｅを、通
常の場合１〜２０倍、好ましくは３〜１５倍、最適には
５〜１０倍の範囲に制御することが望ましい。

【０１４０】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１
０^-4〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１０^-4〜５Ｔｏｒ
ｒ、最適には１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒとするのが好まし
い。

【０１４１】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力を、通常の場合１〜７倍、好ましくは
２〜６倍、最適には３〜５倍の範囲に設定することが望
ましい。

【０１４２】さらに、支持体１１０１の温度は、層設計
にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場
合、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３
０〜３３０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望
ましい。

【０１４３】本発明においては、電荷注入阻止層１１０
５を形成するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電
力、支持体温度の望ましい数値範囲として前記した範囲
が挙げられるが、これらの層作成ファクターは通常は独
立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有
する電荷注入阻止層１１０５を形成すべく相互的且つ有
機的関連性に基づいて各層作成ファクターの最適値を決
めるのが望ましい。

【０１４４】このほかに、本発明の電子写真用感光体に
おいては、感光層１１０２の前記支持体１１０１側に、
少なくともアルミニウム原子、シリコン原子、水素原子
または／及びハロゲン原子が層厚方向に不均一な分布状
態で含有する層領域を有することが望ましい。

【０１４５】また、本発明の電子写真用感光体１１００
においては、支持体１１０１と光導電層１１０３あるい
は電荷注入阻止層１１０５との間の密着性の一層の向上
を図る目的で、例えば、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ₂、Ｓｉ
Ｏ、あるいはシリコン原子を母体とし、水素原子及び／
またはハロゲン原子と、炭素原子及び／または酸素原子
及び／または窒素原子とを含む非晶質材料等で構成され
る密着層を設けても良い。更に、支持体１１０１からの
反射光による干渉模様の発生を防止するための光吸収層
を設けても良い。（Ｇ）感光層形成装置１次に、感光層を形成するための装置及び膜形成方法につ
いて詳述する。

【０１４６】図２は電源周波数としてＲＦ帯を用いた高
周波プラズマＣＶＤ法（以後、「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と略
記する）による電子写真用感光体の製造装置の一例を示
す模式的な構成図である。図２に示す製造装置の構成は
以下の通りである。

【０１４７】この装置は大別すると、堆積装置２１０
０、原料ガスの供給装置２２００、反応容器２１１１内
を減圧にするための排気装置（図示せず）から構成され
ている。堆積装置２１００中の反応容器２１１１内には
円筒状支持体２１１２、支持体加熱用ヒーター２１１
３、原料ガス導入管２１１４が設置され、更に高周波マ
ッチングボックス２１１５が接続されている。

【０１４８】原料ガス供給装置２２００は、ＳｉＨ₄、
ＧｅＨ₄、Ｈ₂、ＣＨ₄、Ｂ₂Ｈ₆、ＰＨ₃等の原料ガス
のボンベ２２２１〜２２２６とバルブ２２３１〜２２３
６，２２４１〜２２４６，２２５１〜２２５６およびマ
スフローコントローラー２２１１〜２２１６から構成さ
れ、各原料ガスのボンベはバルブ２２６０を介して反応
容器２１１１内のガス導入管２１１４に接続されてい
る。

【０１４９】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行なうことができる。

【０１５０】まず、反応容器２１１１内に円筒状支持体
２１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器２１１１内を排気する。続いて、支
持体加熱用ヒーター２１１３により円筒状支持体２１１
２の温度を２００℃乃至３５０℃の所定の温度に制御す
る。

【０１５１】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器２１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ２２３１〜２
２３７、反応容器のリークバルブ２１１７が閉じられて
いることを確認し、叉、流入バルブ２２４１〜２２４
６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バルブ２２６
０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ２
１１８を開いて反応容器２１１１内およびガス配管内２
１１６を排気する。

【０１５２】次に、真空計２１１９の読みが約５×１０
^-6Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ２２６０、流出バ
ルブ２２５１〜２２５６を閉じる。

【０１５３】その後、ガスボンベ２２２１〜２２２６よ
り各ガスをバルブ２２３１〜２２３６を開いて導入し、
圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を２ｋｇ
／ｃｍ²に調整する。次に、流入バルブ２２４１〜２２
４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラ
ー２２１１〜２２１６内に導入する。

【０１５４】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。

【０１５５】円筒状支持体２１１２が所定の温度になっ
たところで流出バルブ２２５１〜２２５６のうちの必要
なもの及び補助バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボン
ベ２２２１〜２２２６から所定のガスをガス導入管２１
１４を介して反応容器２１１１内に導入する。次にマス
フローコントローラー２２１１〜２２１６によって各原
料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反
応容器２１１１内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力
になるように真空計２１１９を見ながらメインバルブ２
１１８の開口を調整する。内圧が安定したところで、周
波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源（不図示）を所望の電
力に設定して、高周波マッチングボックス２１１５を通
じて反応容器２１１１内のカソード電極にＲＦ電力を導
入し、グロー放電を生起させる。この放電エネルギーに
よって反応容器内に導入された原料ガスが分解され、円
筒状支持体２１１２上に所定のシリコンを主成分とする
堆積膜が形成されるところとなる。所望の膜厚の形成が
行われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じ
て反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終え
る。

【０１５６】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の感光層が形成される。

【０１５７】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器２１１１
内、流出バルブ２２５１〜２２５６から反応容器２１１
１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ２２５１〜２２５６を閉じ、補助バルブ２２６０を
開き、さらにメインバルブ２１１８を全開にして系内を
一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。

【０１５８】また、膜形成の均一化を図るために、層形
成を行なっている間は、支持体２１１２を駆動装置（不
図示）によって所定の速度で回転させることも有効であ
る。

【０１５９】さらに、上述のガス種及びバルブ操作は各
々の層の作成条件にしたがって変更が加えられることは
言うまでもない。（Ｈ）感光層形成装置２次に、電源にＶＨＦ帯の周波数を用いた高周波プラズマ
ＣＶＤ（以後、「ＶＨＦ−ＰＣＶＤ」と略記する）法に
よって形成される電子写真用感光体の製造方法について
説明する。

【０１６０】図３に示す堆積装置３１００は、図２に示
した製造装置におけるＲＦ−ＰＣＶＤ法による堆積装置
２１００と交換して、原料ガス供給装置２２００と接続
することにより、図３に示すＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による
以下の構成の電子写真用感光体製造装置を得ることがで
きる。

【０１６１】この装置は大別すると、真空気密化構造を
成した減圧にし得る反応容器３１１１、原料ガスの供給
装置２２００、及び反応容器内を減圧にするための排気
装置（不図示）から構成されている。反応容器３１１１
内には円筒状支持体３１１２、支持体加熱用ヒーター３
１１３、原料ガス導入管３１１４、電極３１１５が設置
され、電極３１１５には更に高周波マッチングボックス
３１１６が接続されている。また、電極３１１５を中心
としてその円周上に複数個の円筒状支持体３１１２が配
置され、量産に向いた構成とされ、反応容器３１１１内
は排気管３１２１を通じて不図示の拡散ポンプに接続さ
れている。

【０１６２】原料ガス供給装置２２００は、図２で示し
たように、ＳｉＨ₄、ＧｅＨ₄、Ｈ ₂、ＣＨ₄、Ｂ₂Ｈ
₆、ＰＨ₃等の原料ガスのボンベ２２２１〜２２２６と
バルブ２２３１〜２２３６，２２４１〜２２４６，２２
５１〜２２５６及びマスフローコントローラー２２１１
〜２２１６から構成され、各原料ガスのボンベは補助バ
ルブ２２６０を介して反応容器３１１１内のガス導入管
３１１４に接続されている。また、円筒状支持体３１１
２によって取り囲まれた空間３１３０が放電空間を形成
している。

【０１６３】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法によるこの装置での堆
積膜の形成は、以下のように行なうことができる。

【０１６４】まず、反応容器３１１１内に円筒状支持体
３１１２を設置し、駆動装置３１２０によって支持体３
１１２を回転し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器３１１１内を排気管３１２１を介し
て排気し、反応容器３１１１内の圧力を１×１０^-7Ｔｏ
ｒｒ以下に調整する。続いて、支持体加熱用ヒーター３
１１３により円筒状支持体３１１２の温度を２００℃乃
至３５０℃の所定の温度に加熱保持する。

【０１６５】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器３１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ２２３１〜２
２３６、反応容器のリークバルブ２１１７が閉じられて
いることを確認し、叉、流入バルブ２２４１〜２２４
６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バルブ２２６
０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ
（不図示）を開いて反応容器３１１１及びガス配管３１
２２内を排気する。

【０１６６】次に真空計（不図示）の読みが約５×１０
^-6Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ２２６０、流出バ
ルブ２２５１〜２２５６を閉じる。

【０１６７】その後、ガスボンベ２２２１〜２２２６よ
り各ガスをバルブ２２３１〜２２３６を開いて導入し、
圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を２ｋｇ
／ｃｍ²に調整する。次に、流入バルブ２２４１〜２２
４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラ
ー２２１１〜２２１６内に導入する。

【０１６８】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下のようにして円筒状支持体３１１２上に各層の
膜形成を行う。

【０１６９】円筒状支持体３１１２が所定の温度になっ
たところで流出バルブ２２５１〜２２５６のうちの必要
なもの及び補助バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボン
ベ２２２１〜２２２６から所定のガスをガス導入管３１
１４を介して反応容器３１１１内の放電空間３１３０に
導入する。次にマスフローコントローラー２２１１〜２
２１６によって各原料ガスが所定の流量になるように調
整する。その際、放電空間３１３０内の圧力が１Ｔｏｒ
ｒ以下の所定の圧力になるように真空計（不図示）を見
ながらメインバルブ（不図示）の開口を調整する。

【０１７０】圧力が安定したところで、例えば周波数５
００ＭＨｚのＶＨＦ電源（不図示）を所望の電力に設定
して、マッチングボックス３１１６を通じて電極３１１
５にＶＨＦ電力を導入し、放電空間３１３０にグロー放
電を生起させる。かくして支持体３１１２により取り囲
まれた放電空間３１３０において、導入された原料ガス
は、放電エネルギーにより励起されて解離し、円筒状支
持体３１１２上に所定の堆積膜が形成される。この時、
膜層形成の均一化を図るため支持体回転用モーター３１
２０によって、所望の回転速度で回転させる。

【０１７１】所望の膜厚の形成が行われた後、ＶＨＦ電
力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガス
の流入を止め、堆積膜の形成を終える。

【０１７２】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の感光層が形成される。

【０１７３】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器３１１１
内、流出バルブ２２５１〜２２５６から反応容器３１１
１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ２２５１〜２２５６を閉じ、補助バルブ２２６０を
開き、さらにメインバルブ（不図示）を全開にして系内
を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。

【０１７４】上述のガス種及びバルブ操作は各々の層の
作成条件にしたがって変更が加えられることは言うまで
もない。

【０１７５】いずれの方法においても、堆積膜形成時の
支持体温度は、特に２００℃以上３５０℃以下、好まし
くは２３０℃以上３３０℃以下、より好ましくは２５０
℃以上３００℃以下が好ましい。

【０１７６】支持体３１１２の加熱方法は、真空仕様で
ある発熱体であればよく、より具体的にはシース状ヒー
ターの巻き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒ
ーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ラ
ンプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし
熱交換手段により発熱体等が挙げられる。加熱手段の表
面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等
の金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用す
ることができる。

【０１７７】それ以外にも、反応容器以外に加熱専用の
容器を設け、加熱専用の容器で加熱した後、反応容器内
に真空中で支持体を搬送する等の方法が用いられる。

【０１７８】また、特にＶＨＦ−ＰＣＶＤ法において、
放電空間の圧力として、好ましくは１ｍＴｏｒｒ以上５
００ｍＴｏｒｒ以下、より好ましくは３ｍＴｏｒｒ以上
３００ｍＴｏｒｒ以下、最も好ましくは５ｍＴｏｒｒ以
上１００ｍＴｏｒｒ以下に設定することが望ましい。

【０１７９】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法において放電空間に設
けられる電極の大きさ及び形状は、放電を乱さないなら
ばいずれのものでも良いが、実用上は直径１ｍｍ以上１
０ｃｍ以下の円筒状が好ましい。この時、電極３１１５
の長さも、支持体に電界が均一にかかる長さであれば任
意に設定できる。

【０１８０】電極３１１５の材質としては、表面が導電
性となるものならばいずれのものでも良く、例えば、ス
テンレス、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔ
ｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｆｅ等の金属、これらの合
金または表面を導電処理したガラス、セラミック、プラ
スチック等が通常使用される。

【０１８１】以上説明したように、本発明は従来のなる
べく低電力で、感光体に長時間さらしても感光体を変質
させない比較的低い温度で除湿させるシステムから、改
良されたヒーターと改良された感光体と該感光体を回転
摺擦させる工程の組みあわせにより初めて可能となった
システム、すなわち極めて高い温度を短時間に感光体へ
与える電子写真装置の除湿システムへの移行により極め
て好適な画像安定化が達成される事を見いだした。

【０１８２】本発明の電子写真用感光体を前述のごとき
特定の構成としたことにより、ａ−Ｓｉで構成された従
来の電子写真用感光体における諸問題を解決することが
でき、特にきわめて優れた電気的特性、光学的特性、光
導電特性、画像特性、耐久性及び使用環境特性を引き出
す事を見いだした。

【０１８３】

【実施例】以下、各実施例により本発明の効果を具体的
に説明する。（Ａ）〔実施例１〕図２に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による電子写真用感光体の
製造装置を用い、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したア
ルミニウムシリンダー上に、表１に示す条件で電荷注入
阻止層、光導電層、表面層からなる感光体を作製した。
さらに光導電層のＳｉＨ₄とＨ₂との混合比ならびに放
電電力を変えることによって、種々の感光体を作製し
た。

【０１８４】

【表１】作製した感光体を電子写真装置（キャノン製ＮＰ６１５
０をテスト用に改造）にセットして、帯電能の温度依存
性（温度特性）、メモリーならびに画像欠陥を評価し
た。

【０１８５】温度特性は、感光体の温度を２５℃（室
温）から約４５℃まで変えて帯電能を測定し、このとき
の温度１℃当たりの帯電能の変化を測定して、受容電位
の｜０．５％／ｄｅｇ｜以下を合格と判定した。具体的
には暗部受容電位を４００Ｖとし、｜２Ｖ／ｄｅｇ｜以
下を合格と判定した。

【０１８６】また、メモリー、画像流れについては、画
像を目視により判定し、１：非常に良好、２：良好、
３：実用上問題なし、４：実用上やや難ありの４段階に
ランク分けした。一方、円筒形のサンプルホルダーに設
置したガラス基板（コーニング社７０５９）ならびに
Ｓｉウエハー上に、光導電層の作成条件で膜厚約１μｍ
のａ−Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡ
ｌの串型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾の特性
エネルギー（Ｅｕ）と局在準位密度（Ｄ．Ｏ．Ｓ）を測
定し、Ｓｉウエハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより含有水
素量を測定した。このときのＥｕと温度特性との関係を
図５に、Ｄ．Ｏ．Ｓとメモリー、画像流れとの関係を図
６、図７に示す。いずれのサンプルも水素含有量は１０
〜３０原子％の間であった。図５、図６ならびに図７か
ら明らかなように、Ｅｕ＝５０〜６０ｍｅＶ、Ｄ．Ｏ．
Ｓ＝１×１０¹⁴〜５×１０¹⁶ｃｍ^-3の範囲にすることが
良好な電子写真特性を得るために必要であることがわか
った。

【０１８７】こうして種々の電子写真特性を持った感光
体の温度特性が異なるものについて、さらに、前述電子
写真装置（キャノン製ＮＰ６１５０をテスト用に改造）
に、内面ヒータ、外部ヒータＡ、外部ヒータＢを用い
て、各ヒーター設定条件でドラム表面温度を４０℃に温
度調節し、かつクリーニングローラーを感光体を摺擦す
るように設置し、温度２４℃及び相対湿度５５％で通紙
２０万枚の耐久テストを行った。〔比較例１〕また、クリーニングローラーによる感光体
摺擦をさせない様にした以外は同様の構成で比較例とし
て同様の評価を行った。

【０１８８】さらに両者とも、耐久後３２℃及び相対湿
度８０％の高温高湿環境中に１晩放置した後に画像評価
を行った後、高湿画像流れの改善効果等について、表２
〜表７にまとめた。

【０１８９】表２、表３において、温度差Ａは、感光体
表面と基体裏面の温度を熱電対で測定し、加熱開始後感
光体表面が室温＋１０℃になった時点における（感光体表面温度℃）−（基体裏面温度℃）なる温度差で表現した。

【０１９０】表２、表３において、画像所見は、第１に
いわゆる高湿流れ、第２にヒーターからの熱による感光
体表面温度変動による電位変動、すなわち温度特性に起
因する画像濃度変動について評価した。

【０１９１】表２、表３において、消費電力は、加熱ヒ
ータに費やされる電力について評価した。

【０１９２】また、表２、表３において記号は、○：優
れている、△：実用上問題ない、×：劣るを意味する。

【０１９３】

【表２】

【０１９４】

【表３】その結果、感光体の２５℃から４５℃における受容電位
の温度依存性が｜０．５％／ｄｅｇ｜以下であって、具
体的には暗部受容電位を４００Ｖとし、｜２Ｖ／ｄｅｇ
｜以下であって、該感光体の表面に近接させた熱源によ
り該感光体表面と基体裏面温度との温度差を感光体表面
側が高く、かつ１ｄｅｇ以上、１００ｄｅｇ以下の温度
勾配をもたせ加熱させることで、高湿画像流れ並びに温
特濃度変動について良好な結果を得た。

【０１９５】殊に、熱源が長尺状セラミック基板上に発
熱焼結体を設けた、外部ヒータＡにおいてはそれが顕著
であった。

【０１９６】同様に、感光体表面と、基体裏面の温度上
昇差をつけ、高湿画像流れ及び画像濃度の現像スリーブ
周むらの改善効果について、表４，５にまとめた。

【０１９７】表４，５において、実施例１における条件
で、改造複写機〔商品名：ＮＰ６１５０（キャノン
製）〕の感光体裏面の温度を熱電対で測定し、感光体表
面温度上昇の方が大きくなる様な、加熱ヒータを通電さ
せ、クリーニングローラーを動作させる条件、及び比較
例としてクリーニングローラのみ除去した条件を比較例
とし、画像だしを行った。

【０１９８】表４，５において、温度差Ｂは、感光体表
面と感光体裏面の温度を熱電対で測定し、加熱開始後感
光体表面が室温＋１０℃になった時点における（感光体表面温度℃）−（基体裏面温度℃）なる温度差で表現した。

【０１９９】表４，５において、画像所見は、第１にい
わゆる高湿流れ、第２にドラムヒータから現像スリーブ
への伝熱によるスリーブ偏心に起因する画像濃度むらに
ついて評価した。

【０２００】表４，５において、消費電力は、加熱ヒー
タに費やされる電力について評価した。

【０２０１】表４，５において記号は、○：優れてい
る、△：実用上問題ない、×：劣るを意味する。

【０２０２】

【表４】

【０２０３】

【表５】その結果、感光体の２５℃から４５℃における受容電位
の温度依存性が｜０．５％／ｄｅｇ｜以下であって、表
面温度上昇が該基体裏面温度上昇より大きいように加熱
させ、クリーニングローラーによる感光体摺擦を行う事
で、高湿画像流れ並びに周むらについて良好な結果を得
た。

【０２０４】殊に、熱源が長尺状セラミック基板上に発
熱焼結体を設けた、外部ヒータＡにおいてはそれが顕著
であった。

【０２０５】同様に、感光体表面と、基体裏面の温度上
昇差をつけ、高湿画像流れ及びクリーナーブロッキング
の改善効果について、表６，７にまとめた。

【０２０６】表６，７において、温度差Ｃは、感光体表
面とクリーナー近傍の温度を熱電対で測定し、加熱開始
後感光体表面が室温＋１０℃になった時点における（感
光体表面温度上昇℃）−（感光体近傍温度上昇℃）なる
温度差で表現した。

【０２０７】表６，７において、画像所見は、第１にい
わゆる高湿流れ、第２にクリーナーブロッキング等に伴
うクリーニング不良による画像欠陥について評価した。

【０２０８】表６，７において、消費電力は、加熱ヒー
タに費やされる電力について評価した。

【０２０９】表６，７において記号は、○：優れてい
る、△：実用上問題ない、×：劣るを意味する。

【０２１０】

【表６】

【０２１１】

【表７】その結果、感光体の２５℃から４５℃における受容電位
の温度依存性が｜０．５％／ｄｅｇ｜以下であって、表
面温度上昇が該感光体近傍温度上昇より大きいように加
熱させる事で、高湿画像流れについて良好な結果を得
た。

【０２１２】殊に、熱源が長尺状セラミック基板上に発
熱焼結体を設けた、外部ヒータＡにおいてはそれが顕著
であった。（Ｃ）〔実施例３〕図２に示す電子写真用感光体の製造装置を用い、表８に
示す作製条件で電子写真用感光体を作製した。このとき
の光導電層のＥｕのＤ．Ｏ．Ｓは、それぞれ５５ｍｅ
Ｖ、２×１０¹⁵ｃｍ^-3、温度特性は１．１Ｖ／ｄｅｇで
あった。これにクリーニングローラ摺擦下、外部ヒータ
Ａにより感光体表面と基体裏面温度との温度差を感光体
表面側が高く、１．５ｄｅｇの温度勾配をもたせ加熱さ
せ、実施例１と同様の評価をしたところ実施例１と同様
に良好な電子写真特性が得られた。

【０２１３】

【表８】（Ｄ）〔実施例４〕図２に示す電子写真用感光体の製造装置を用い、表９に
示す作製条件で電子写真用感光体を作製した。このとき
の光導電層のＥｕとＤ．Ｏ．Ｓは、それぞれ５０ｍｅ
Ｖ、８×１０¹⁴ｃｍ^-3、温度特性は−０．５Ｖ／ｄｅｇ
であった。これにクリーニングローラ摺擦下、外部ヒー
タＡにより感光体表面と基体裏面温度との温度上昇差を
感光体表面が１．５℃高く加熱させ実施例１と同様の評
価をしたところ実施例１と同様に良好な電子写真特性が
得られた。

【０２１４】

【表９】（Ｅ）〔実施例５〕図２に示す電子写真用感光体の製造装置を用い、表１０
に示す作製条件で電子写真用感光体を作製した。このと
きの光導電層のＥｕとＤ．Ｏ．Ｓは、それぞれ６０ｍｅ
Ｖ、５×１０¹⁵ｃｍ^-3、温度特性は０．８Ｖ／ｄｅｇで
あった。これにクリーニングローラ摺擦下、外部ヒータ
Ａにより感光体表面と感光体近傍（クリーナー上部）温
度との温度上昇差を感光体表面が２℃高く加熱させ実施
例１と同様の評価をしたところ実施例１と同様に、廃ト
ナーのブロッキングもなく、良好な電子写真特性が得ら
れた。

【０２１５】

【表１０】

【０２１６】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明は従来の
なるべく低電力で、感光体に長時間さらしても感光体を
変質させない比較的低い温度で除湿させるシステムか
ら、改良されたヒーターと改良された感光体と該感光体
を回転摺擦させる工程の組みあわせにより初めて可能と
なったシステム、すなわち極めて高い温度を短時間に感
光体へ与えながらも感光体の温度上昇を抑える、といっ
た理想的電子写真装置の除湿システムへの移行により、
極めて好適な画像安定化が達成される事が可能となっ
た。

【０２１７】また、本発明の電子写真用感光体を前述の
ごとき特定の構成としたことにより、ａ−Ｓｉで構成さ
れた従来の電子写真用感光体における諸問題を解決する
ことができ、特にきわめて優れた電気的特性、光学的特
性、光導電特性、画像特性、耐久性及び使用環境特性を
引き出す事が可能となった。

【０２１８】特に本発明においては、光導電層をそのギ
ャップ内準位を格段に減少せしめたａ−Ｓｉで構成する
ことによって、周囲環境の変動に対する表面電位の変化
が抑制され、加えて光疲労や光メモリーの発生が実質的
に無視し得るほどになく、極めて優れた電位特性、画像
特性を有するという特徴を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の電子写真装置を説明するための模式的断
面図である。

【図２】本発明による電子写真用感光体の光受容層を形
成するための装置の一例で、ＲＦ帯の高周波を用いたグ
ロー放電法による電子写真用感光体の製造装置の模式的
説明図である。

【図３】本発明による電子写真用感光体の光受容層を形
成するための装置の一例で、ＶＨＦ帯の高周波を用いた
グロー放電法による電子写真用感光体の製造装置の模式
的説明図である。

【図４】本発明による一形態である電子写真装置を説明
するための模式的断面図である。

【図５】本発明による電子写真用感光体における光導電
層のアーバックテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温度
特性との関係を示す図である。

【図６】本発明による電子写真用感光体における光導電
層の局在状態密度（ＤＯＳ）と光メモリーとの関係を示
す図である。

【図７】本発明による電子写真用感光体における光導電
層の局在状態密度（ＤＯＳ）と画像流れとの関係を示す
図である。

【図８】本発明による電子写真用感光体における光導電
層のＳｉ−Ｈ₂結合とＳｉ−Ｈ結合の吸収ピーク強度比
とハーフトーン濃度ムラ（ガサツキ）との関係を示す図
である。

【図９】本発明による熱源の一形態である、セラミック
ヒータ、ニクロムヒータの模式図である。

【図１０】本発明による熱源の昇温速度を説明する図で
ある。

【図１１】本発明に用いられるアモルファスシリコン感
光体の層構成を説明する図である。

【符号の説明】

１０１，４０１感光体１０２，４０２主帯電器１０３，４０３静電潜像形成部位１０４，４０４現像器１０７，４０７クリーナー１２３熱源（内面ヒータ）４２３熱源（外部ヒータ）９０１セラミック基体９０２電気発熱体９０３保護膜９１１基体９１２ニクロム電気発熱体１１０１支持体１１０２感光層１１０３光導電層１１０４アモルファスシリコン系表面層１１０５アモルファスシリコン系電荷注入阻止層１１０６電荷発生層１１０７電荷輸送層２１００，３１００堆積装置２１１１，３１１１反応容器２１１２，３１１２円筒状支持体２１１３，３１１３支持体加熱用ヒーター２１１４，３１１４原料ガス導入管２１１５，３１１６マッチングボックス２１１６原料ガス配管２１１７反応容器リークバルブ２１１８メイン排気バルブ２１１９真空計２２００原料ガス供給装置２２１１〜２２１６マスフローコントローラー２２２１〜２２２６原料ガスボンベ２２３１〜２２３６原料ガスボンベバルブ２２４１〜２２４６ガス流入バルブ２２５１〜２２５６ガス流出バルブ２２６１〜２２６６圧力調整器

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性基体上に感光層を積層させた円筒
状感光体を回転させ、帯電・露光・現像・転写・クリー
ニングの各行程を繰り返し、転写紙上の現像剤を加熱定
着する電子写真装置の除湿装置において、前記帯電・露光工程間に前記円筒状感光体を加熱する加
熱手段を配置し、前記円筒状感光体の２５℃から３５℃
における受容電位の温度依存性を｜０．５％／ｄｅｇ｜
以下とし、前記クリーニング用クリーナーに前記円筒状
感光体表面を摺擦する摺擦部材を配設したことを特徴と
する電子写真装置の除湿装置。
【請求項２】前記加熱手段が長尺状セラミック基板上
に発熱焼結体を設けたことを特徴とする請求項１に記載
の電子写真装置の除湿装置。
【請求項３】前記加熱手段により前記円筒状感光体を
加熱する際に、前記円筒状感光体の表面温度上昇が前記
円筒状感光体の裏面温度上昇より大きいことを特徴とす
る請求項１又は２に記載の電子写真装置の除湿装置。
【請求項４】前記加熱手段により前記円筒状感光体を
加熱する際に、前記円筒状感光体の表面温度上昇が前記
円筒状感光体近傍温度上昇より大きいことを特徴とする
請求項１又は２に記載の電子写真装置の除湿装置。
【請求項５】前記円筒状感光体が、導電性支持体と、
シリコン原子を母体として水素原子及び／またはハロゲ
ン原子を含有する非単結晶材料から成り光導電性を示す
光導電層を有する光受容層とから構成され、前記光導電
層が１０〜３０原子％の水素を含有し、少なくとも光の
入射する部分において、サブバンドギャップ光吸収スペ
クトルから得られる指数関数裾の特性エネルギーが５０
〜６０ｍｅＶ、かつ光導電層の局在状態密度が１×１０
¹⁴〜５×１０¹⁶ｃｍ^-3であることを特徴とする請求項１
乃至４のいずれかに記載の電子写真装置の除湿装置。
【請求項６】前記電子写真装置の電源投入後、前記円
筒状感光体は直ちに回転を開始し、前記加熱定着する加
熱定着器が定着可能温度に達するまで、前記加熱手段に
より加熱されながら回転することを特徴とする請求項１
乃至５のいずれかに記載の電子写真装置の除湿装置。
【請求項７】導電性基体上に感光層を積層させた円筒
状感光体を回転させ、帯電・露光・現像・転写・クリー
ニングの各行程を繰り返し、転写紙上の現像剤を加熱定
着する電子写真装置の除湿装置において、前記帯電・露光工程間に前記円筒状感光体を加熱する加
熱手段を配置し、前記円筒状感光体の２５℃から４５℃
における暗部受容電位における温度依存性が±２Ｖ／ｄ
ｅｇ以下であり且つ前記クリーニング用クリーナ部に前
記円筒状感光体表面を摺擦する摺擦部材を配設したこと
を特徴とする電子写真装置の除湿装置。
【請求項８】前記加熱手段は、前記円筒状感光体の表
面と前記円筒状感光体の裏面との温度差を１ｄｅｇ以上
１００ｄｅｇ以下としたことを特徴とする請求項７に記
載の電子写真装置の除湿装置。