JPS6095551A - 電子写真方法 - Google Patents
電子写真方法Info
- Publication number
- JPS6095551A JPS6095551A JP20282583A JP20282583A JPS6095551A JP S6095551 A JPS6095551 A JP S6095551A JP 20282583 A JP20282583 A JP 20282583A JP 20282583 A JP20282583 A JP 20282583A JP S6095551 A JPS6095551 A JP S6095551A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image
- temp
- amorphous silicon
- photoreceptor
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/75—Details relating to xerographic drum, band or plate, e.g. replacing, testing
- G03G15/751—Details relating to xerographic drum, band or plate, e.g. replacing, testing relating to drum
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G21/00—Arrangements not provided for by groups G03G13/00 - G03G19/00, e.g. cleaning, elimination of residual charge
- G03G21/20—Humidity or temperature control also ozone evacuation; Internal apparatus environment control
- G03G21/203—Humidity
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Biodiversity & Conservation Biology (AREA)
- Ecology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Environmental Sciences (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Combination Of More Than One Step In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非晶質シリコン系光導電体を感光７４に使用し
て成る電子写真方法に関し、より峰細には、非晶質シリ
コン系光導電体の有する画像流れの問題が有効に防止さ
れた電子写真方法に関する。
て成る電子写真方法に関し、より峰細には、非晶質シリ
コン系光導電体の有する画像流れの問題が有効に防止さ
れた電子写真方法に関する。
非晶質シリコン系光導電体層は、表面硬度が高く、長波
長側の光に感度を有し、しかも感度そのものも良好であ
るので、電子写真用の感光体と１−て着目されている。
長側の光に感度を有し、しかも感度そのものも良好であ
るので、電子写真用の感光体と１−て着目されている。
然しながら、かかる非晶質シリコン系光導電体層を用い
た電子写真装置においては、繰り返えし使用により感光
体表面が湿度に敏感となり水分を吸着しやすくなり、そ
の結果として表面抵抗が下がり表面電荷が横方向に移動
１−１所謂画像流れを生ずるという欠点を有している。
た電子写真装置においては、繰り返えし使用により感光
体表面が湿度に敏感となり水分を吸着しやすくなり、そ
の結果として表面抵抗が下がり表面電荷が横方向に移動
１−１所謂画像流れを生ずるという欠点を有している。
この様な画像流れを防止するために、感光体表面にａ−
５ｉｘａＣ１−ｘ、ａ−３ｉＮｘ： 等のブロッキング
層を設けることが提案されているが、感光体表面にかか
る表面処理を行っても、画像流れを完全に防止するには
至っていないのが現状である。
５ｉｘａＣ１−ｘ、ａ−３ｉＮｘ： 等のブロッキング
層を設けることが提案されているが、感光体表面にかか
る表面処理を行っても、画像流れを完全に防止するには
至っていないのが現状である。
本発明者等は、非晶質シリコン系光導電体を電子写真感
光体として使用する電子写真方法にしいて、該感光体表
面、即ち非晶質シリコン系光導電体表面の温度を３０乃
至４０Ｃとして帯［、画像露光、現像及び転写の諸行程
を行なう場合には的述した画像流れが有効に防止される
ことを見出した０ 即ち本発明の目的は、感光体と１−て非晶質シリコン系
光導電体を用いた電子写真方法において、画像流れの問
題が有効に解消された電子写真方法を提供するにある。
光体として使用する電子写真方法にしいて、該感光体表
面、即ち非晶質シリコン系光導電体表面の温度を３０乃
至４０Ｃとして帯［、画像露光、現像及び転写の諸行程
を行なう場合には的述した画像流れが有効に防止される
ことを見出した０ 即ち本発明の目的は、感光体と１−て非晶質シリコン系
光導電体を用いた電子写真方法において、画像流れの問
題が有効に解消された電子写真方法を提供するにある。
本発明によれば、非晶質シ１１コン系光導電体層を導電
性基質上に有する電子写真感光体に、帯電、画像露光、
現像及び転写の行程を反復することによって画像形成を
行なう電子写真方法において、前記感光体表面近傍の温
度を６０乃至４ｏｃとして帯電、画像露光、現像及び転
写の諸行程を行なうことを特徴とする電子写真方法が提
供される。
性基質上に有する電子写真感光体に、帯電、画像露光、
現像及び転写の行程を反復することによって画像形成を
行なう電子写真方法において、前記感光体表面近傍の温
度を６０乃至４ｏｃとして帯電、画像露光、現像及び転
写の諸行程を行なうことを特徴とする電子写真方法が提
供される。
以下本発明について詳述する。
非晶質シリコン系光導電層は、前述１〜たよりに繰り返
し使用により感光体表面が湿度に敏感となり水分を吸着
し易くなって結果として表面電荷が横方向にリークして
静電荷潜を形成することができなくなり画像流れが発生
する。本発明者らはこの画像流れについて鋭意研究を行
った結果、この画像流れが繰り返し使用に際し、非晶質
シリコン感光層表面がコロナ放電の被爆によりシリコン
の分子間結合に変化が生じるために発生するととを推定
するに至った。
し使用により感光体表面が湿度に敏感となり水分を吸着
し易くなって結果として表面電荷が横方向にリークして
静電荷潜を形成することができなくなり画像流れが発生
する。本発明者らはこの画像流れについて鋭意研究を行
った結果、この画像流れが繰り返し使用に際し、非晶質
シリコン感光層表面がコロナ放電の被爆によりシリコン
の分子間結合に変化が生じるために発生するととを推定
するに至った。
即ち、通常静電複写装置に使用さ１１る非晶質シリコン
系感光体はグロー放電により基盤、］二に堆積された長
距離秩序（Ｌｏｎｑ ｒａｎｑｍ ｏｒｄｅｒ）が失わ
れて、短距離秩序（５ｈｏｒｔ ｒａｎｑａ ｏｒｄｅ
ｒ ）のみが存在するシリコンの原子間結合により構成
されていて、多くの未結合手（ダンク１１ング・ボンド
。
系感光体はグロー放電により基盤、］二に堆積された長
距離秩序（Ｌｏｎｑ ｒａｎｑｍ ｏｒｄｅｒ）が失わ
れて、短距離秩序（５ｈｏｒｔ ｒａｎｑａ ｏｒｄｅ
ｒ ）のみが存在するシリコンの原子間結合により構成
されていて、多くの未結合手（ダンク１１ング・ボンド
。
ｄａｎｑｌｉｎｇ ｈｏｎｄ ）が存在し、とのダング
リングボンドの存在のためエネルギーギャップ中の局在
準位密度が高くなるので、通常とのダングリングボンド
を水素原子で封鎖１７、非晶質水素化シリコン（α−５
ｉ：Ｈ）の形で存在させ、ホウ素、リン等のドーピング
によるドーピング効果を生じ易くしている。
リングボンドの存在のためエネルギーギャップ中の局在
準位密度が高くなるので、通常とのダングリングボンド
を水素原子で封鎖１７、非晶質水素化シリコン（α−５
ｉ：Ｈ）の形で存在させ、ホウ素、リン等のドーピング
によるドーピング効果を生じ易くしている。
この非晶質水素化シリコン感光層を既存の電子写＄７’
ロセスを用いて繰り返し使用する圧従い、帯電、転写等
の各行程でコロナ放電の被爆を受け、水素原子が取れ再
びダングリングボンドが生じる。
ロセスを用いて繰り返し使用する圧従い、帯電、転写等
の各行程でコロナ放電の被爆を受け、水素原子が取れ再
びダングリングボンドが生じる。
このシリコンのダングリングボンドに１コロナ放電によ
り発生１−たオゾンの攻撃を受けて、５ｉ−Ｈ結合より
も安定な５ｉ−ＯＨ或いけ５ｉ−０−５ｉのシリコン、
酸素結合を生ぜ１−める。この感光層表面に存在する酸
素原子はその性質において親水性であるために、コロナ
放電による被爆が進みシリコン、酸素結合濃度が増えて
くると感光層表面近傍の雰囲気中水分子を吸着し易くな
る結果として湿度に敏感な感光体となり、画像流れ現象
を誘起させるものと考えられる。
り発生１−たオゾンの攻撃を受けて、５ｉ−Ｈ結合より
も安定な５ｉ−ＯＨ或いけ５ｉ−０−５ｉのシリコン、
酸素結合を生ぜ１−める。この感光層表面に存在する酸
素原子はその性質において親水性であるために、コロナ
放電による被爆が進みシリコン、酸素結合濃度が増えて
くると感光層表面近傍の雰囲気中水分子を吸着し易くな
る結果として湿度に敏感な感光体となり、画像流れ現象
を誘起させるものと考えられる。
この事実は、画像流れが生じ出した感光層表面をＸ ｐ
Ｓ （Ｘｒａｙ ｐｈｏｔｏｅｌｅＣｔｒｏｎ ５ｐ
ｅｃｔｒｏｚｃｏｐｙ）を用いて表面分析を行っ尼場合
に５ｉ−０の結合が検出されることや、この画像流れが
生じた感光層をプラズマエツチング処理□にて５ｉ−０
の結合が生じた表層を薄く削り取ることで画像流れが生
じなくなることからも確認できる。
Ｓ （Ｘｒａｙ ｐｈｏｔｏｅｌｅＣｔｒｏｎ ５ｐ
ｅｃｔｒｏｚｃｏｐｙ）を用いて表面分析を行っ尼場合
に５ｉ−０の結合が検出されることや、この画像流れが
生じた感光層をプラズマエツチング処理□にて５ｉ−０
の結合が生じた表層を薄く削り取ることで画像流れが生
じなくなることからも確認できる。
また本発明者らは、前述した画像流れの原因と考えられ
る、シリコンと結合した酸素原子（以下水分子吸着媒体
と称すことがある）と雰囲気中の水分子との吸着現象は
、従来Ｓｓ系感光体を用い５− た場合に生じていた結霧現象とけ１″Ｊ、下の理由によ
り実質上相違するものと判断１．ている。即ち、結露現
象は、複写機の動作を停止させ放置させた場合に、機内
の温度が下がるＫっれて空気よりも比熱の小さい感光ド
ームが、ドラム近傍のＷ囲気よりもいち早く低い温度に
下がるため感光ドラム表面近傍の水蒸気圧が飽和蒸気圧
となること釦より露が生じる現象である。そのため、例
えば特開昭５５−５６５７６ 号に開示されているよう
に結露防止ヒーターを複写機に取り付けＳｔ系感光体が
結晶化しないような温度、例えば３［ＩＣ４での温度に
保持することにより感光体表面を露点に゛まで下げない
ようにすることでこれを防止（７ていた。
る、シリコンと結合した酸素原子（以下水分子吸着媒体
と称すことがある）と雰囲気中の水分子との吸着現象は
、従来Ｓｓ系感光体を用い５− た場合に生じていた結霧現象とけ１″Ｊ、下の理由によ
り実質上相違するものと判断１．ている。即ち、結露現
象は、複写機の動作を停止させ放置させた場合に、機内
の温度が下がるＫっれて空気よりも比熱の小さい感光ド
ームが、ドラム近傍のＷ囲気よりもいち早く低い温度に
下がるため感光ドラム表面近傍の水蒸気圧が飽和蒸気圧
となること釦より露が生じる現象である。そのため、例
えば特開昭５５−５６５７６ 号に開示されているよう
に結露防止ヒーターを複写機に取り付けＳｔ系感光体が
結晶化しないような温度、例えば３［ＩＣ４での温度に
保持することにより感光体表面を露点に゛まで下げない
ようにすることでこれを防止（７ていた。
それゆえ、この結霧現象は複写動作中に生じるものでは
なく、夜間複写機を使用することなく放置させた後、朝
一番の使用に際し発生するものなのである。
なく、夜間複写機を使用することなく放置させた後、朝
一番の使用に際し発生するものなのである。
これに対して画像流れ現象は、連続複写中によ？いても
発生するものである。とれｄ前述したようにコロナ放電
の被爆により感光層表面に生じた６− Ｓ ｉ−０結合を有する水分子吸着媒体と感光層表面近
傍の雰囲気中の水分子との吸着現象であって、水分子及
び水分子吸着媒体の密度との関係において、飽和水蒸気
圧以下の水蒸気圧であっても水分子の吸着現象が生じる
ために起るものだからであるＯ 以上説明したこの画像流れを防止するだめには、本発明
に従−非晶質シリコン系感光体表面を複写動作時、好し
くは常時６０乃至４０Ｃ５特に６５乃至４０′Ｃに保持
させることが重要である。即ち、前述した感光層表面の
水分子吸着媒体と雰囲気中の水分子との吸着現象は、温
度に依存した吸着・脱離現象であり、前述１−だ温度範
囲内において脱離状態を維持さぜることかできるためで
ある。これより低い温度においては、水分子吸着媒体と
水分子とは吸着状態になるため、画像流れが生じ、また
これより高い温度では、コロナ放電の被爆によりオゾン
の攻撃を即進させ、感光層表面のＳｉ −０結合の発生
を増進させるため、結果として水分子吸着媒体を増大さ
せることとなる点及び半導体の一般的性質と［−て高い
温度では、電荷の移動を増大させるため、帯電電荷の保
持が困難となる点において好しくない。
発生するものである。とれｄ前述したようにコロナ放電
の被爆により感光層表面に生じた６− Ｓ ｉ−０結合を有する水分子吸着媒体と感光層表面近
傍の雰囲気中の水分子との吸着現象であって、水分子及
び水分子吸着媒体の密度との関係において、飽和水蒸気
圧以下の水蒸気圧であっても水分子の吸着現象が生じる
ために起るものだからであるＯ 以上説明したこの画像流れを防止するだめには、本発明
に従−非晶質シリコン系感光体表面を複写動作時、好し
くは常時６０乃至４０Ｃ５特に６５乃至４０′Ｃに保持
させることが重要である。即ち、前述した感光層表面の
水分子吸着媒体と雰囲気中の水分子との吸着現象は、温
度に依存した吸着・脱離現象であり、前述１−だ温度範
囲内において脱離状態を維持さぜることかできるためで
ある。これより低い温度においては、水分子吸着媒体と
水分子とは吸着状態になるため、画像流れが生じ、また
これより高い温度では、コロナ放電の被爆によりオゾン
の攻撃を即進させ、感光層表面のＳｉ −０結合の発生
を増進させるため、結果として水分子吸着媒体を増大さ
せることとなる点及び半導体の一般的性質と［−て高い
温度では、電荷の移動を増大させるため、帯電電荷の保
持が困難となる点において好しくない。
本発明方法において感光体表面を加温する手段としては
その表面温度が前記範囲とする限り、任意の手段を採用
し得る。例えば感光体表面近傍乃至はその内部に熱源を
設ける方法や熱定着装置等から熱風を感光体表面に送風
する方法等を採用１゜得る。
その表面温度が前記範囲とする限り、任意の手段を採用
し得る。例えば感光体表面近傍乃至はその内部に熱源を
設ける方法や熱定着装置等から熱風を感光体表面に送風
する方法等を採用１゜得る。
表面温度の調節はザーモスタット等の公知の温度調節部
材を使用して行なえば」：い。
材を使用して行なえば」：い。
非晶質シリコン系光導電体層と１２では、そ）１．自体
公知の任意のものが使用され、例えばシランガスのプラ
ズマ分解等で基板上に析出される非晶質シリコンが使用
され、このものは、水素や・・ロゲン等でドーピングさ
れ、更にボロンやリン等の周期律表第■族または第■族
元素でドーピングされたものであってよい。
公知の任意のものが使用され、例えばシランガスのプラ
ズマ分解等で基板上に析出される非晶質シリコンが使用
され、このものは、水素や・・ロゲン等でドーピングさ
れ、更にボロンやリン等の周期律表第■族または第■族
元素でドーピングされたものであってよい。
代表的なアモルファスシリコン感光体の物性値は、暗導
電率が＜１０−＋１Ω−１・α−１、活性化エネルギ＜
０．８５ｇＶ、光導電率）１０−７Ω−” Ｃｍ’、光
学的バンドギャップ１．７〜ｌ、９ｇＦであり、まだ結
合水素量は１０〜２０原子チの量でその膜の誘電率は１
１．５〜１２．５の範囲にあるものである。
電率が＜１０−＋１Ω−１・α−１、活性化エネルギ＜
０．８５ｇＶ、光導電率）１０−７Ω−” Ｃｍ’、光
学的バンドギャップ１．７〜ｌ、９ｇＦであり、まだ結
合水素量は１０〜２０原子チの量でその膜の誘電率は１
１．５〜１２．５の範囲にあるものである。
この非晶質シリコン光導電層は、ドーピング種に応じて
プラス荷電やマイナス荷電も可能であゆ、コロナチャー
ジャへの印加電圧は５乃至８ＫＶの範囲が一般的である
。
プラス荷電やマイナス荷電も可能であゆ、コロナチャー
ジャへの印加電圧は５乃至８ＫＶの範囲が一般的である
。
また本発明方法において、帯電、画像露光、現像及び転
写等の行程は、静電写真の分野において公知の任意の手
段を採用（〜得る。
写等の行程は、静電写真の分野において公知の任意の手
段を採用（〜得る。
上述した様に本発明の電子写真方法においては、感光体
表面を表面処理する等の面倒な手段を用いずに、単に感
光体表面を加温するという非常に簡単な手段により、非
晶質シリコン系光導電性層の有する特有の欠点が解消さ
れるのである。
表面を表面処理する等の面倒な手段を用いずに、単に感
光体表面を加温するという非常に簡単な手段により、非
晶質シリコン系光導電性層の有する特有の欠点が解消さ
れるのである。
かかる本発明の電子写真方法は、複写機のみならず、Ｃ
ＲＴプリンタ、レーザプリンタ等のノンインパクトプリ
ンタやレーザファクシミリ等に適用される。
ＲＴプリンタ、レーザプリンタ等のノンインパクトプリ
ンタやレーザファクシミリ等に適用される。
一９＝
本発明を次の例で説明する。
実施例１゜
通常の複写機に感光体ドラムとして帯電（正チャージ）
、露光、除′ＷＬ（ＡＣチャージ）から成るプロセスを
連続６万回繰り返Ｌ、コロナ放電被爆により表面に５ｉ
−０結合を生じさせたσ−５ｉ：Ｈドラムを装着し、２
０枚の連続コピーをｌ〜た後、２５Ｃ７５％の雰囲気下
に１０時間放置した。尚、このドラムにはフィルムヒー
タをドラム内面に均一に張り付け、ドラムが回転してい
る場合でもフィルムヒータに電圧を印加できるようにブ
ラシ電極をドラム両端摺動端子に接触させた加温手段が
設けである。
、露光、除′ＷＬ（ＡＣチャージ）から成るプロセスを
連続６万回繰り返Ｌ、コロナ放電被爆により表面に５ｉ
−０結合を生じさせたσ−５ｉ：Ｈドラムを装着し、２
０枚の連続コピーをｌ〜た後、２５Ｃ７５％の雰囲気下
に１０時間放置した。尚、このドラムにはフィルムヒー
タをドラム内面に均一に張り付け、ドラムが回転してい
る場合でもフィルムヒータに電圧を印加できるようにブ
ラシ電極をドラム両端摺動端子に接触させた加温手段が
設けである。
第１表には、放置１〜た場合のドラム表面近傍温度と画
像流れについての関係を示す。
像流れについての関係を示す。
１０−
〔表 １〕
× １時間以内に発生
△ わずかに文字かにじむ
○ 文字のにじみ、画像流れなし
実施例２゜
実施例１と同様の方法で、ドラム周辺温度を変化させて
２５ｔ？７５％の雰囲気下にて、１００枚の連続コピー
を行なった。その結果、３００未満のドラム周辺温度で
はコピー数十枚位から画像流れが生じこの状態が続くが
、３０Ｕ以上のドラム周辺温度においては、連続コピー
中に画像流れが生じることは無かった。
２５ｔ？７５％の雰囲気下にて、１００枚の連続コピー
を行なった。その結果、３００未満のドラム周辺温度で
はコピー数十枚位から画像流れが生じこの状態が続くが
、３０Ｕ以上のドラム周辺温度においては、連続コピー
中に画像流れが生じることは無かった。
１１−
ドラム周辺温度が４０ｔＺ’を越えると、半導体の性質
上、暗抵抗が下がり、コピー物の画「象濃度が低下する
現象が起こる。ただ］７この場合も画像流れは生じなか
った。第１図にドラム周辺温度と画像濃度保持率の関係
を示す。尚、図中保持率は反射濃度計（東京電色製ｒｃ
−６ｏ型反射濃度計）で測定した画像部（２Ｘ２ｃｎ＋
黒ベタ部）の反射濃度１．３を１００チとして、百分率
で示１〜だ。
上、暗抵抗が下がり、コピー物の画「象濃度が低下する
現象が起こる。ただ］７この場合も画像流れは生じなか
った。第１図にドラム周辺温度と画像濃度保持率の関係
を示す。尚、図中保持率は反射濃度計（東京電色製ｒｃ
−６ｏ型反射濃度計）で測定した画像部（２Ｘ２ｃｎ＋
黒ベタ部）の反射濃度１．３を１００チとして、百分率
で示１〜だ。
以上の実施例１．２の結果から、感光体表面近傍の温度
を６０乃至４０ｔ？とすることで、画像流れが生じるこ
となく高濃度の安定した画像が得られ、特に６５乃至４
０″Ｃに保持した場合には８５チもの高湿度下において
も文字のにじみも全く生じない安定性を有ｌ〜でいた。
を６０乃至４０ｔ？とすることで、画像流れが生じるこ
となく高濃度の安定した画像が得られ、特に６５乃至４
０″Ｃに保持した場合には８５チもの高湿度下において
も文字のにじみも全く生じない安定性を有ｌ〜でいた。
第１図は、感光体表面近傍温度とその温度で得られた複
写物の画像濃度保持率との関係を示すグラフである。 特許出願人 三田工業株式会社 代 理 人 弁理士 鈴 木 郁 男で 。 −１２−”ご゛”・パ。 第１図 ド２ム局卸１１敲じＣ） 手続ネー■正書（自発） 閉和５９年 ７Ｊ’Ｊ ２１１ 特許庁長官 志 賀 ゛ 学 殿 １、事件の表示 特願昭５８−２０２０２５ Ｌ） ２、発明の名称 電子写真方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、代理人〒１０５ ５、補正命令の目付 な し ６、補正の対象 （１）明細書第７頁第７乃至１０行１１に、「 以」−
説明した・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・ことが重要である。１とあるのを、以下の通
り訂正する。 「 以上説明したこの画像流れを１ＨＩ自にするために
は、本発明に従い非晶質シリコン系感光体表面を複写動
作時、好にシ＜は常時３０乃至４０℃、特に３５乃至４
０℃に保持させることが重要である。ここで常時とは、
例えば夜間複写機のメインスイッチを切った状ｆハ１に
おいてもなお」二連した温度範囲に保持させることを意
味する。」 以−１−
写物の画像濃度保持率との関係を示すグラフである。 特許出願人 三田工業株式会社 代 理 人 弁理士 鈴 木 郁 男で 。 −１２−”ご゛”・パ。 第１図 ド２ム局卸１１敲じＣ） 手続ネー■正書（自発） 閉和５９年 ７Ｊ’Ｊ ２１１ 特許庁長官 志 賀 ゛ 学 殿 １、事件の表示 特願昭５８−２０２０２５ Ｌ） ２、発明の名称 電子写真方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、代理人〒１０５ ５、補正命令の目付 な し ６、補正の対象 （１）明細書第７頁第７乃至１０行１１に、「 以」−
説明した・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・ことが重要である。１とあるのを、以下の通
り訂正する。 「 以上説明したこの画像流れを１ＨＩ自にするために
は、本発明に従い非晶質シリコン系感光体表面を複写動
作時、好にシ＜は常時３０乃至４０℃、特に３５乃至４
０℃に保持させることが重要である。ここで常時とは、
例えば夜間複写機のメインスイッチを切った状ｆハ１に
おいてもなお」二連した温度範囲に保持させることを意
味する。」 以−１−
Claims (2)
- （１）非晶質シリコン系光導電体層を導電性基質上に有
する電子写真感光体に、帯電、画像露光、現像及び転写
の行程を反復することによって画像形成を行なう電子写
真方法において、前記感光体表面近傍の温度を３０乃至
４゜Ｃとして帯電、画像露光、ＪＪｉｌ、像及び転写の
諸行程を行なうことを特徴とする電子写真方法。 - （２）前記温度が３５乃至４０ｃである特許請求の範囲
第１項記載の電子写真方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20282583A JPS6095551A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 電子写真方法 |
| EP84306674A EP0136902B1 (en) | 1983-09-30 | 1984-09-28 | Electrophotographic apparatus comprising photosensitive layer of amorphous silicon type photoconductor |
| DE8484306674T DE3481225D1 (de) | 1983-09-30 | 1984-09-28 | Elektrophotographische einrichtung, eine lichtempfindliche schicht von amorphem silizium-lichtleiter enthaltend. |
| US06/655,533 US4607936A (en) | 1983-09-30 | 1984-09-28 | Electrophotographic apparatus comprising photosensitive layer of amorphous silicon type photoconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20282583A JPS6095551A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 電子写真方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6095551A true JPS6095551A (ja) | 1985-05-28 |
Family
ID=16463808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20282583A Pending JPS6095551A (ja) | 1983-09-30 | 1983-10-31 | 電子写真方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6095551A (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62106256U (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-07 | ||
| JPS62106257U (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-07 | ||
| EP0718723A2 (en) | 1994-12-07 | 1996-06-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographing apparatus |
| US5732313A (en) * | 1995-07-31 | 1998-03-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Charge apparatus and image forming apparatus |
| US5738963A (en) * | 1995-08-23 | 1998-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-receiving member for electrophotography having a photoconductive layer composed of a first layer region and a second layer region having different energy bandgaps and characteristic energies |
| US5797072A (en) * | 1995-08-21 | 1998-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for contact charging an amorphous silicon photoconductor via a mulipolar magnetic body having a magnetic brush layer |
| US5939230A (en) * | 1996-05-23 | 1999-08-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member |
| US5945241A (en) * | 1996-08-29 | 1999-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member for electrophotography and fabrication process thereof |
| US6240269B1 (en) | 1998-05-06 | 2001-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus having a photosensitive member of amorphous silicon base and system for exposing and charging the photosensitive member |
| US6272301B1 (en) | 1998-09-22 | 2001-08-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus featuring a rotatable electroconductive foam member |
| US6285385B1 (en) | 1998-12-25 | 2001-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic method and apparatus which employs light beam irradiation to form an electrostatic image on a surface of a photosensitive member |
| US6294299B2 (en) | 1997-08-22 | 2001-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic light-receiving member |
| US6333755B1 (en) | 1999-09-06 | 2001-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic apparatus |
| US6379852B2 (en) | 1996-09-11 | 2002-04-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic light-receiving member |
| US6435130B1 (en) | 1996-08-22 | 2002-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma CVD apparatus and plasma processing method |
| US6537714B2 (en) | 2000-07-07 | 2003-03-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Image-forming method and image-forming apparatus |
| US6556233B2 (en) | 1998-09-17 | 2003-04-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic apparatus and electrophotographic method featuring a photosensitive member having a linear EV characteristic |
| US6605405B2 (en) | 2000-07-26 | 2003-08-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic method and electrophotographic apparatus |
| US6632578B2 (en) | 1995-12-26 | 2003-10-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic light-receiving member and process for its production |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5823079A (ja) * | 1981-08-04 | 1983-02-10 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
| JPS5834473A (ja) * | 1981-08-24 | 1983-02-28 | Ricoh Co Ltd | 感光体ドラムの温度制御装置 |
| JPS5862665A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-14 | Ricoh Co Ltd | 複写機の温度制御装置 |
| JPS59166980A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-09-20 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 静電画像記録装置 |
| JPS6095467A (ja) * | 1983-07-06 | 1985-05-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子写真用感光体の劣化防止方法 |
-
1983
- 1983-10-31 JP JP20282583A patent/JPS6095551A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5823079A (ja) * | 1981-08-04 | 1983-02-10 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
| JPS5834473A (ja) * | 1981-08-24 | 1983-02-28 | Ricoh Co Ltd | 感光体ドラムの温度制御装置 |
| JPS5862665A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-14 | Ricoh Co Ltd | 複写機の温度制御装置 |
| JPS59166980A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-09-20 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 静電画像記録装置 |
| JPS6095467A (ja) * | 1983-07-06 | 1985-05-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子写真用感光体の劣化防止方法 |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62106257U (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-07 | ||
| JPS62106256U (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-07 | ||
| EP0718723A2 (en) | 1994-12-07 | 1996-06-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographing apparatus |
| US5732313A (en) * | 1995-07-31 | 1998-03-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Charge apparatus and image forming apparatus |
| US5797072A (en) * | 1995-08-21 | 1998-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for contact charging an amorphous silicon photoconductor via a mulipolar magnetic body having a magnetic brush layer |
| US5738963A (en) * | 1995-08-23 | 1998-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-receiving member for electrophotography having a photoconductive layer composed of a first layer region and a second layer region having different energy bandgaps and characteristic energies |
| US6632578B2 (en) | 1995-12-26 | 2003-10-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic light-receiving member and process for its production |
| US5939230A (en) * | 1996-05-23 | 1999-08-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member |
| US6435130B1 (en) | 1996-08-22 | 2002-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma CVD apparatus and plasma processing method |
| US5945241A (en) * | 1996-08-29 | 1999-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member for electrophotography and fabrication process thereof |
| US6379852B2 (en) | 1996-09-11 | 2002-04-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic light-receiving member |
| US6294299B2 (en) | 1997-08-22 | 2001-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic light-receiving member |
| US6240269B1 (en) | 1998-05-06 | 2001-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus having a photosensitive member of amorphous silicon base and system for exposing and charging the photosensitive member |
| US6556233B2 (en) | 1998-09-17 | 2003-04-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic apparatus and electrophotographic method featuring a photosensitive member having a linear EV characteristic |
| US6272301B1 (en) | 1998-09-22 | 2001-08-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus featuring a rotatable electroconductive foam member |
| US6285385B1 (en) | 1998-12-25 | 2001-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic method and apparatus which employs light beam irradiation to form an electrostatic image on a surface of a photosensitive member |
| US6333755B1 (en) | 1999-09-06 | 2001-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic apparatus |
| US6537714B2 (en) | 2000-07-07 | 2003-03-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Image-forming method and image-forming apparatus |
| US6605405B2 (en) | 2000-07-26 | 2003-08-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic method and electrophotographic apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6095551A (ja) | 電子写真方法 | |
| US4607936A (en) | Electrophotographic apparatus comprising photosensitive layer of amorphous silicon type photoconductor | |
| JP2001514763A (ja) | 液体トナーを用いた電子写真のための乾燥方法および装置 | |
| JPH0134205Y2 (ja) | ||
| JPH0134206Y2 (ja) | ||
| JPH0455309B2 (ja) | ||
| JPS6095467A (ja) | 電子写真用感光体の劣化防止方法 | |
| JP2587215B2 (ja) | 電子写真方法 | |
| JPH0450591B2 (ja) | ||
| JPS6119032B2 (ja) | ||
| JPH0121313Y2 (ja) | ||
| JPH0568702B2 (ja) | ||
| JP3330009B2 (ja) | 電子写真装置 | |
| JPH07111592B2 (ja) | 電子写真複写装置 | |
| JPS6015644A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH01321440A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| US3887367A (en) | Method for temperature stabilizing photoreceptors | |
| JP4231191B2 (ja) | 感光体および画像形成装置 | |
| JP4285865B2 (ja) | 電子写真方法および電子写真装置 | |
| JP3095505B2 (ja) | 画像形成装置 | |
| JP3234945B2 (ja) | 接触帯電装置部材 | |
| JPH0426466B2 (ja) | ||
| JP3714567B2 (ja) | 電子写真装置 | |
| JPS62295064A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS62262065A (ja) | 電子写真装置の感光体温調方式 |