JPH08234540A - 画像形成装置 - Google Patents
画像形成装置Info
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- JPH08234540A JPH08234540A JP3567595A JP3567595A JPH08234540A JP H08234540 A JPH08234540 A JP H08234540A JP 3567595 A JP3567595 A JP 3567595A JP 3567595 A JP3567595 A JP 3567595A JP H08234540 A JPH08234540 A JP H08234540A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】感光ドラムの被帯電面と近接帯電部材の帯電面
との間隙を長期にわたって精度よく保持して、良好な帯
電、画像形成を行う。 【構成】感光ドラム１０４の画像形成領域となる被帯電
面の両側に位置する非画像形成領域に段部１０３を形成
する。段部１０３は、ゾルゲル法による強固で、かつ均
一な金属酸化物皮膜によって形成し、さらに形成後に研
磨加工する。段部１０３に近接帯電部材１００を当接さ
せて、感光ドラム１０４表面と帯電部材１００の抵抗層
１０２との間隙を所定の値に維持する。段部１０３は固
く、また研磨によって精度よく仕上げられているので、
感光ドラム１０４が回転した場合でも、また長期にわた
って使用した場合でも、間隙は精度よく保持される。こ
れにより、長期にわたって良好な帯電、さらには画像形
成が可能となる。
との間隙を長期にわたって精度よく保持して、良好な帯
電、画像形成を行う。 【構成】感光ドラム１０４の画像形成領域となる被帯電
面の両側に位置する非画像形成領域に段部１０３を形成
する。段部１０３は、ゾルゲル法による強固で、かつ均
一な金属酸化物皮膜によって形成し、さらに形成後に研
磨加工する。段部１０３に近接帯電部材１００を当接さ
せて、感光ドラム１０４表面と帯電部材１００の抵抗層
１０２との間隙を所定の値に維持する。段部１０３は固
く、また研磨によって精度よく仕上げられているので、
感光ドラム１０４が回転した場合でも、また長期にわた
って使用した場合でも、間隙は精度よく保持される。こ
れにより、長期にわたって良好な帯電、さらには画像形
成が可能となる。
Description
【発明の詳細な説明】 【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、振動電圧（時間ととも
に電圧値が周期的に変化する電圧）を固定式の帯電部材
に印加することで被帯電面を帯電する帯電装置および画
像形成装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】 １．画像形成装置 画像形成装置は、従来の、原稿を複写するいわゆる複写
機のみらず、近年需要の伸びの著しいコンピュータ、ワ
ードプロセッサの出力手段としてのプリンタを加え広く
利用されている。こうしたプリンタについては、従来の
オフィスユースのみらず、パーソナルユースが増大した
ため、低コスト、メンテナンスフリーといった経済性が
重視される。 【０００３】さらに、エコロジーの観点から、両面コピ
ー、再生紙利用等の紙の消費量の低減、消費電力低減に
よる省エネルギー化、オゾン発生量低減による作業環境
改善などが、経済性と同様の重要度で求められている。 【０００４】従来の帯電方式の主流であったコロナ帯電
器は、５０〜１００μｍ程度の金属ワイヤに５〜１０ｋ
Ｖ程度の高電圧を印加し、雰囲気を電離し対向物に電荷
を付与する。その過程において、ワイヤ自身も汚れを吸
着するため、定期的な清掃、交換が必要となる。また、
コロナ放電に伴って、不要なオゾンが発生する。 【０００５】省エネルギーに関しては、感光体ヒータの
問題もある。近年使用される電子写真感光体は、耐刷枚
数の増大をはかるため表面硬度が高くなっており、繰り
返し使用に伴って、帯電器が発生するオゾンから派生さ
れたコロナ生成物の影響で感光体表面が湿度に敏感とな
り水分を吸着しやすくなる。この水分が感光体表面の電
化の横流れの原因となって、いわゆる画像流れといった
画像品質低下を引き起こす。 【０００６】このような画像流れを防止するために、実
公平１−３４２０５号公報に記載されているようなヒー
タによる加熱によって水分を除去する方法、特公平２−
３８９５６号公報に記載されているようなマグネットロ
ーラと磁性トナーとで形成されたブラシにより感光体表
面を摺察してコロナ生成物を取り除く方法、特開昭６１
−１００７８０号公報に記載されているような弾性ロー
ラによる感光体表面の摺察でコロナ生成物を取り除く方
法等が用いられてきた。しかしながら、感光体表面を摺
察する方法は、感光体が極めて硬度の高いアモルファス
シリコンで構成されている場合を除き耐刷枚数の低下を
招いてしまう。 【０００７】また、画像流れの原因となるオゾンは、画
像形成装置周囲で作業をする人にとって好ましいもので
はないため、従来からオゾン除去フィルタで分解して装
置本体外部に排出していた。特にパーソナルユースの場
合、排出オゾン量は極力低減しなければならない。この
ように経済面からも帯電時の発生オゾン量を大幅に低減
する方式が求められている。 【０００８】こうした状況から、新たな帯電部材、帯電
装置、画像形成装置としての発生オゾン発生量低減帯電
装置、除湿装置が求められている。 ２．帯電装置 前述の問題点を解決すべく、各種帯電装置が提案されて
いる。 【０００９】特開昭６３−２０８８７８号公報に記載さ
れているような、接触帯電は、電圧を印加した帯電部材
を被帯電体に当接させて被帯電面を所用の電位に帯電す
るもので、帯電装置として広く利用されているコロナ帯
電装置に比べ、第１に、被帯電面に所望の電位を得るの
に必要とされる印加電圧の低電圧化が図れること、第２
に、帯電過程で発生するオゾン量が極微量でありオゾン
除去フィルタの必要性がなくなること、そのため装置の
排気系の構成が簡素化されること、メンテナスフリーで
あること、第３に、帯電過程において発生したオゾンお
よびオゾン生成物が被帯電面である像担持体表面、例え
ば感光体表面に付着し、コロナ生成物の影響で感光体表
面が湿度に敏感となって水分を吸着し易くなり、表面の
低抵抗化による画像流れを防止するため、終日行われて
いる加熱ヒータによる除湿の必要性がなくなること、そ
のため夜間通電等の電力消費の大幅な低減が図れるこ
と、等の長所を有している。 【００１０】そこで例えば、電子記録装置（複写機、レ
ーザビームプリンタ）、静電記録装置等の画像形成装置
において、感光体、誘電体等の像担持体、その他の被帯
電体を帯電処理する手段としてコロナ放電装置に代わる
ものとして注目され、実用化もされている。 【００１１】従来、接触帯電手段としては、ブレード状
やシート状の固定式の帯電部材を被帯電体に当接させ、
これにバイアスを印加して帯電を行うものが周知であ
る。 【００１２】図８にその一実施態様を示す。８０１は像
担持体としての感光ドラムであり、矢印Ａの時計回りに
所定の周速度（プロセススピード）にて回転駆動される
ドラム型の電子写真感光体である。８０２は接触帯電部
材であり、電極８０２−１およびその帯電面に形成した
抵抗層８０２−２を備えている。 【００１３】電極８０２−１は、通常アルミニウム、ア
ルミニウム合金、真鍮、銅、鉄、ステンレス等の金属
や、樹脂、セラミック等の絶縁材料に導電処理、すなわ
ち、金属をコーティングしたり、導電性塗料を塗布した
りしたものを用いる。 【００１４】抵抗層８０２−２は、ポリプロピレン、ポ
リエチレン等の樹脂や、シリコンゴム、ウレタンゴム等
のエラストマーに、酸化チタン、炭素粉、金属粉等の導
電性フィラーを分散したものが一般的に用いられる。 【００１５】該抵抗層８０２−２の抵抗値は、ＨＩＯＫ
Ｉ社（メーカ−）製のＭΩテスターで０．２５〜１ｋＶ
の印加電圧における測定にて、１×１０3 〜１×１０12
Ω・cmとなる。 【００１６】８０３は帯電部材に対する電圧印加電源で
あり、この電源８０３によって重畳電圧、すなわち感光
ドラム８０１の帯電開始電圧の２倍以上のピーク間電圧
Ｖppを有する振動電圧Ｖacと直流電圧Ｖdcとを重畳した
重畳電圧（Ｖac＋Ｖdc）が帯電部材８０２の電極８０２
−１に印加されて、回転駆動されている感光ドラム８０
１の表面（外周面）が均一に帯電される。 【００１７】さらに、画像信号に応じて強度変調される
レーザビーム８０５が走査されることによって該感光ド
ラム８０１上に静電潜像が形成される。この静電潜像
は、現像剤が塗布された現像スリーブ８０６によって顕
画像化されてトナー画像となり、その後、転写材８０７
上に転写ローラ８０８を介して転写される。転写材８０
７に転写されないで、感光ドラム８０１表面に残った転
写残トナーは、クリーニングブレード８０９によって除
去される。一方、トナー画像転写後の転写材８０７は、
不図示の定着装置によって表面にトナー画像が定着され
た後、装置本体外部に出力される。 【００１８】しかしながらこの方式では、像担持体（感
光ドラム）と接触帯電部材とが直接に接触して、相互に
摩擦するため、長期の使用により接触帯電部材が摩耗
し、定期的な交換が必要となる。近年、画像形成装置に
広く用いられ始めたアモルファスシリコン感光体は半永
久的な寿命を有しており、接触帯電部材の交換は装置の
メンテナスフリーの障害となる問題であり、改善が強く
求められていた。 【００１９】その解決策として、接触帯電部材のさまざ
まな改善といった進み方の他に、近接帯電とも言うべ
き、像担持体と帯電部材が非接触で像担持体に電荷を付
与する方式が提案されている。 【００２０】図９にその一実施態様を示す。９０１は像
担持体である感光ドラムであり、矢印Ａの時計回りに所
定の周速度（プロセススピード）にて回転駆動されるド
ラム型の電子写真感光体である。９０２は近接帯電部材
であり、電極９０２−１およびその帯電面に形成した抵
抗層９０２−２とからなる。 【００２１】電極９０２−１は、通常アルミニウム、ア
ルミニウム合金、真鍮、銅、鉄、ステンレス等の金属
や、樹脂、セラミック等の絶縁材料に導電処理、すなわ
ち、金属をコーティングしたり、導電性塗料を塗布した
りしたものを用いる。 【００２２】抵抗層９０２−２は、ポリプロピレン、ポ
リエチレン等の樹脂や、シリコンゴム、ウレタンゴム等
のエラストマーに、酸化チタン、炭素粉、金属粉等の導
電性フィラーを分散したものが一般的に用いられる。 【００２３】該抵抗層９０２−２の抵抗値は、ＨＩＯＫ
Ｉ社（メーカー）製のＭΩテスターで０．２５〜１ｋＶ
の印加電圧における測定にて、１×１０3 〜１×１０12
Ω・cmとなる。 【００２４】感光ドラム９０１と接触帯電部材９０２と
の最近接間隙は５０〜５００μｍと極めて近い距離に安
定的に設定される必要がある。このため、感光ドラム９
０１の両端部にリング状のスペーサ９０４を介装し、こ
れに接触帯電部材９０２を当接させることにより、最近
接間隙を所定の値に設定するようにしている。 【００２５】９０３は帯電部材９０２に対する電圧印加
電源であり、この電源９０３により感光ドラム９０１の
帯電開始電圧の２倍以上のピーク間電圧Ｖppを有する振
動電圧Ｖacと直流電圧Ｖdcとを重畳した重畳電圧（Ｖac
＋Ｖdc）が帯電部材９０２の電極９０２−１に印加され
て、回転駆動されている感光ドラム９０１の表面が均一
に帯電される。 【００２６】さらに、画像信号に応じて強度変調される
レーザビーム９０５が走査されることによって該感光ド
ラム９０５上に静電潜像が形成される。この静電潜像
は、現像剤が塗布された現像スリーブ９０６によってト
ナー画像として顕像画化され、その後、トナー画像は、
転写材９０７上に転写ローラ９０８を介して転写され
る。転写残トナーは、クリーニングブレード９０９によ
って感光ドラム上から除去され、一方、転写材９０７
は、不図示の定着装置によってトナー画像が定着された
後、装置本体外部に排出される。 【００２７】前述方式により、像担持体と接触帯電部材
とが非接触となり機械的摩耗等の耐久劣化に対して格段
の向上が図られた。 ３．感光体 ［有機光導電体（ＯＰＣ）］電子写真感光体の光導電材
料として、近年種々の有機光導電材料の開発が進み、特
に電荷発生層と電荷輸送層を積層した機能分離型感光体
は既に実用化され複写機やレーザビームプリンタに搭載
されている。 【００２８】しかしながら、これらの感光体は一般的に
耐久性が低いことが１つの大きな欠点であるとされてき
た。耐久性としては、感度、残留電位、帯電能、画像ぼ
け等の電子写真物性面の耐久性及び摺察による感光体表
面の摩耗や引っ掻き傷等の機械的耐久性に大別され、い
ずれも感光体の寿命を決定する大きな要因となってい
る。 【００２９】このうち電子写真物性面の耐久性、特に画
像ぼけに関しては、コロナ帯電器から発生するオゾン、
ＮＯｘ等の活性物質によって、感光体表面層に含有され
る電荷輸送物質が劣化することが原因であることが知ら
れている。 【００３０】また、機械的耐久性に関しては、感光層に
対して紙、ブレードやローラ等のクリーニング部材、ト
ナー等が物理的に接触して摺察することが原因であるこ
とが知られている。 【００３１】電子写真物性面の耐久性を向上させるため
には、オゾン、ＯＮｘ等の活性物質によって劣化されに
くい電荷輸送物質を用いることが重要であり、酸化電位
の高い電荷輸送物質を選択することが知られている。ま
た、機械的耐久性を上げるためには、紙やクリーニング
部材による摺察に耐えるため、表面の潤滑性を上げ摩擦
を小さくすること、トナーのフィルミング融着等を防止
するために表面の離形成をよくすることが重要であり、
フッ素系樹脂粉体、フッ化黒鉛、ポリオレフィン系樹脂
粉体等の滑材を表面層に配合することが知られている。
しかしながら、摩耗が著しく小さくなるとオゾン、ＮＯ
ｘ等の活性物質により生成した吸湿性物質が感光体表面
に堆積し、その結果として表面抵抗が下がり、表面電荷
が横方向に移動し、いわゆる画像流れを生ずるという問
題があった。 ［アモルファスシリコン系感光体（ａ−Ｓｉ）］電子写
真において、感光体における感光層を形成する光導電材
料としては、高感度で、ＳＮ比［光電流（ＩP ）／暗電
流（Ｉd ）］が高く、照射する電磁波のスペクトル特性
に適合した吸収スペクトルを有すること、光応答性が早
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時において人体
に対して無害であること、等の特性が要求される。特
に、事務機としてオフィスで使用される画像形成装置内
に組み込まれる画像形成装置用感光体の場合には、上記
の、使用時における無公害性は重要な点である。 【００３２】このような点に優れた性質を示す光導電材
料に水素化アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：
Ｈ」という）があり、例えば、特公昭６０−３５０５９
号公報には画像形成装置用感光体としての応用が記載さ
れている。 【００３３】このような画像形成装置用感光体は、一般
的には、導電性支持体を５０℃〜４００℃に加熱し、該
支持体上に真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶ
Ｄ法等の成膜法によりａ−Ｓｉからなる光導電層を形成
する。なかでもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガス
を直流または高周波あるいはマイクロ波グロー放電によ
って分解し、支持体上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成する方法
が好適なものとして実用に付されている。 【００３４】また、特開昭５４−８３７４６号公報にお
いては、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素とし
て含むａ−Ｓｉ（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｘ」という）光導
電層からなる画像形成装置用感光体が提案されている。
当該公報においては、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１ない
し４０原子％含有させることにより、耐熱性が高く、画
像形成装置用感光体の光導電層として良好な電気的、光
学的特性を得ることができるとしている。 【００３５】また、特開昭５７−１１５５５６号公報に
は、ａ−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有する光導
電部材の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光
学的、光導電的特性および耐湿性等の使用環境特性、さ
らには経時的安定性について改善を図るため、シリコン
原子を母体としたアモルファス材料で構成された光導電
層上に、シリコン原子および炭素原子を含む非光導電性
のアモルファス材料で構成された表面障壁層を設ける技
術が記載されている。さらに、特開昭６０−６７９５１
号公報には、アモルファスシリコン、炭素、酸素および
フッ素を含有してなる透光絶縁性オーバーコート層を積
層する感光体についての技術が記載され、特開昭６２−
１６８１６１号公報には、表面層として、シリコン原子
と炭素原子と４１〜７０原子％の水素原子を構成要素と
して含む非晶質材料を用いる技術が記載されている。 【００３６】さらに、特開昭６０−６７９５１号公報に
は、アモルファスシリコン、炭素、酸素およびフッ素を
含有してなる透光絶縁性オーバーコート層を積層する感
光体についての技術が記載され、特開昭６２−１６８１
６１号公報には、表面層として、シリコン原子と炭素原
子と４１−７０原子％の水素原子を構成要素として含む
非晶質材料を用いる技術が記載されている。 【００３７】さらに、特開昭５７−１５８６５０号公報
には、水素を１０〜４０原子％含有し、赤外吸収スペク
トルの２１００cm-1と２０００cm-1の吸収ピークの吸収
係数比が０．２〜１．７であるａ−Ｓｉ：Ｈを光導電層
に用いることにより高感度で高抵抗な画像形成装置用感
光体が得られることが記載されている。 【００３８】一方、特開昭６０−９５５５１号公報に
は、アモルファスシリコン感光体の画像品質向上のため
に、感光体表面近傍の温度を３０〜４０℃に維持して帯
電、露光、現像および転写といった画像形成行程を行う
ことにより、感光体表面での水分の吸着による表面抵抗
の低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する技術
が開示されている。 【００３９】これらの技術により、画像形成装置用感光
体の電気的、光学的、光導電的特性および使用環境特性
が向上し、それに伴って画像品質も向上してきた。 ４．［環境対策ヒータ］前述感光体の高湿画像流れを防
止、除去するために、感光体内面に熱源を設けることが
周知であり、最も一般的なものは、面状ないし棒状の電
熱ヒータを円筒状感光体内面に配設している。 【００４０】 【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な電圧印加式の固定系近接帯電装置を像担持体の帯電手
段として利用した場合の問題点として、以下の点が挙げ
られる。 【００４１】像担持体と接触帯電部材の再近接間隙は５
０〜５００μｍと極めて近い距離に安定的に設定される
必要がある。像担持体は回転駆動しているのに対し、近
接帯電部材は固定系であるため、回転駆動に伴った間隔
の誤差が生じ易く、帯電むらの原因となっていた。この
帯電むらが、画像形成の際の画像濃度むらとして現われ
るという問題が生じる。 【００４２】このため、従来は固定系近接帯電部材の両
端に固定タイプのスペーサが用いられていた。このスペ
ーサは摺動性の良いＰＯＭ等の材料でできてはいるもの
の、数万枚の耐久を行うと像担持体との摺察で固定タイ
プのスペーサもしくは感光層そのものが摺減ってしまい
像担持体と帯電部材との距離が正確に保たれなくなって
しまうという問題を抱えていた。 【００４３】スペーサの耐久前後の様子を図１６
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す。同図（ａ）に耐久前の
スペーサの状態を、図１６（ｃ）には耐久後のスペーサ
の状態を示す。これらの図からも明らかなように、耐久
後ではスペーサは摺減ってしまい像担持体と帯電部材と
の間隔が正確に取れなくなくなることがわかる。 【００４４】さらに摺減が進行すると帯電部材が像担持
体表面に当たるようになり、像担持体表面に傷を発生さ
せた。 【００４５】像担持体が有機感光ドラム（ＯＰＣ）であ
る場合は感光ドラムそのものの摺減が、またアモルファ
スシリコン感光ドラム（ａ−Ｓｉ）の場合はスペーサ自
身の摺減が問題となり、有機感光ドラム（ＯＰＣ）より
耐久性のあるアモルファスシリコン感光ドラム（ａ−Ｓ
ｉ）では、この問題はさらに深刻なものになっていた。 【００４６】そこで、本発明は、上述の問題に鑑み、耐
久によっても、帯電部材と像担持体の間隔が変動しない
ようにした帯電装置および画像形成装置を提供すること
を目的とするものである。 【００４７】 【課題を解決するための手段】本発明は、上述事情に鑑
みてなされたものであって、像担持体の被帯電面に近接
させて配置した帯電部材に振動電圧を印加することによ
って前記被帯電面を帯電する帯電装置を備えた画像形成
装置において、前記像担持体は、画像形成領域である前
記被帯電面の両端部に位置する非画像形成領域に、肉盛
りによって形成した段部を有し、前記帯電部材は、前記
被帯電面に非接触状態で近接して対面する帯電面を有す
るとともに、該帯電面の両端部を前記段部に当接させる
ことによって、前記被帯電面との間の間隙を所定の値に
設定することを特徴とする。 【００４８】この場合、前記像担持体が、導電性支持体
と、シリコン原子を母体として水素原子とハロゲン原子
とのうちの少なくとも一方を含有する非結晶材料を含む
光導電層を有する光受容層とを備えた感光体であり、前
記光導電層が１０〜３０原子％の水素を含有し、少なく
とも光の入射する部分において、サブバンドギャップ光
吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギ
ーが５０〜６０ｍｅＶ、かつ局在状態密度が１×１０14
〜１×１０16cm-3であるようにしてもよい。 【００４９】また、前記像担持体を、導電性支持体と、
高融点ポリエステル樹脂、および硬化樹脂を含む電子写
真感光体とすることができる。 【００５０】さらに、前記像担持体の段部は、ゾルゲル
法により形成される金属酸化物を母体とするものであっ
てもよい。 【００５１】次に、前記像担持体の段部は、前記被帯電
面の移動方向に沿って形成された溝部を有するようにし
てもよい。 【００５２】次に、前記帯電部材は、前記帯電面に近接
する無機保護層を有し、該保護層がゾルゲル法により形
成される金属酸化物を母体とすることができる。 【００５３】次に、前記帯電部材は、前記帯電面に近接
する無機保護層を有し、該無機保護層が水素化アモルフ
ァスシリコンを母体とするものであってもよい。 【００５４】 【作用】以上構成に基づき、像担持体の被帯電面と帯電
部材の帯電面との間の間隙を設定する段部を、被帯電面
両端の非画像形成領域に肉盛りによって設けることによ
り、像担持体表面の移動に伴う間隔の変動が抑制され画
像濃度むらが解消される。 【００５５】被帯電面両端の段部は、具体的には、ゾル
ゲル法による強固で、かつ、均一な金属酸化物皮膜を構
成することができる。 【００５６】また、段差部分を金属酸化物を母体とする
材料で構成すると、熱変動による硬度の変化が少ない。
このため、押圧力に対する被帯電面−帯電面間の間隔の
変動が少なく像担持体に温度特性の良好なものの使用が
可能になり、さらなる高画質が望めるようになった。 【００５７】また、上述の段部に、被帯電面の移動方向
に沿った溝部を形成することにより、摺察性を向上させ
ることができる。 【００５８】さらに、帯電部材の無機保護層を、例えば
塗工、成膜、熔射等によって形成することにより、帯電
部材の耐久性の向上が図れ、帯電部材と像担持体との接
触による外傷も解消され、さらなる高耐久が実現でき
る。 【００５９】 【実施例】以下、図面に沿って、本発明の実施例につい
て説明する。 〈実施例１〉 ［像担持体の被帯電面両端の段部並びに帯電部材の抵抗
層の材料および塗工方法］図１（ａ）の帯電部材の側面
図、同図（ｂ）の同じく正面図において、１００は近接
帯電部材、１０１は近接帯電部材の支持体、１０２は近
接帯電部材の抵抗層、１０３は近接帯電部材と感光体と
の間隔を規制する段部、１０４は像担持体としての感光
体等の被帯電体である。 【００６０】近接帯電部材の支持体１０１は、通常、ア
ルミニウム、アルミニウム合金、真鍮、銅、鉄、ステン
レス等の金属や、樹脂、セラミック等の絶縁材料に導電
処理、すなわち、金属をコーティングしたり、導電性塗
料を塗布したりしたものを用いる。近接帯電部材１００
の抵抗層１０２は、無機抵抗層を塗工、成膜、または熔
射する。被帯電体（像担持体）１０４としては、従来の
ものと同じものでも良いが、必要に応じて後述する新規
な感光体を用いる。 ［ゾルゲル］前述の問題点を解決するための「ゾルゲル
法」により形成される有機金属化合物としては、「金属
アルコキシド」と「金属キレート」等を挙げることがで
き、さらに、金属キレートとしては、アセチルアセトナ
ートが好ましい。 【００６１】金属アルコキシドを含むゾル状高分子分散
液は、像担持体両端の画像形成に影響の無い部分（非画
像形成領域）、帯電部材の抵抗層に塗工され、次式、 Ｍ（ＯＲ）n ＋ｎＨ2 Ｏ→Ｍ（ＯＨ）n ＋ｎＲＯＨ （ＭはＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｂｅ等の金属、ＲはＣ
Ｈ3 、Ｃ2 Ｈ5 、Ｃ3 Ｈ7 等のアルキル基、ｎは金属の
酸化数）の反応によって加水分解し、さらに、次式 Ｍ（ＯＨ）n →ＭＯn ／２＋ｎ／２Ｈn Ｏ のごとく縮重合し、溶液中に−Ｍ−Ｏ−Ｍ−Ｏ−の結合
ができた骨格を持つ酸化物微粒子が生成しゲル化する。
これを加熱し、強固な金属酸化物皮膜を得る。 【００６２】一方、金属キレートを用いる方法として
は、アセチルアセトナート、水、アルコール、塩酸、お
よび導電材のゾル状高分子分散液混合液から金属酸化物
皮膜を得る方法があり、図１７に示す式で示される。 【００６３】ゾル状高分子分散液はスプレー塗工、ディ
ッピング塗工等、公知の塗工方法により、像担持体両端
の画像形成に影響の無い部分、帯電部材の抵抗層に塗工
される。さらに、均一な表面状態を形成させるのに有効
な手法として、ゾルゲル法において、チキソトロピーま
たはダイランシー等のレオロジー的性質を利用すること
が好ましい。 【００６４】本発明の図１３に示したようなディッピン
グ法においては前者のチキソトロピーを活用し、粘度の
低い状態でむらなく塗工した後、引き上げられ、溶液が
静止すると粘性が上昇し、今度は液ダレや凹部に入り込
んだ溶液がたれ落ちないような性質を利用する。 【００６５】図１２に、スプレー法による塗布手段を説
明する。 【００６６】同図において、１２０１は像担持体、１２
０２は塗布液ポット、１２０３は保持部材、１２０４は
スプレーノズル、１２０５はゾル状高分子分散液、１２
０６は攪拌モータ、１２０７は保持部材回転モータであ
る。 【００６７】同図において、攪拌モータ１２０６によ
り、塗布液ポット１２０２の中のゾル状高分子分散液１
２０５が攪拌されている。像担持体１２０１は保持部材
１２０３によりスプレーノズル１２０４の前に固定さ
れ、ゾル状高分子分散液１２０５が軸方向に往復動作す
るスプレーノズル１２０４から塗工され、像担持体１２
０１の両端部にゾル状高分子分散液塗布層を形成する。
これを加熱し、強固な金属酸化物皮膜を得る。 【００６８】図１３に、ディッピング法による塗布手段
を説明する。 【００６９】同図において、１３０１は像担持体、１３
０２は塗布ポット、１３０３は保持部材、１３０４は突
き上げシリンダ、１３０５はゾル状高分子分散液、１３
０６は攪拌機、１３０７は攪拌モータである。 【００７０】同図において、攪拌モータ１３０７により
攪拌機１３０６が回転し、塗布ポット１３０２の中のゾ
ル状高分子分散液１３０５が攪拌されている。像担持体
１３０１は保持部材１３０３により突き上げシリンダ１
３０４の上に固定され、ゾル状高分子分散液１３０５へ
端部を浸漬し、次に１０〜１０００ｍｍ／ｍｉｎの速度
で上昇させ像担持体１３０１の端部にゾル状高分子分散
液塗工層を形成する。これを加熱し、強固な金属酸化物
皮膜を得る。 【００７１】本発明の図１４に示したような紡糸巻き取
り法については後者のダイランシー特性を活用し、溶液
中に−Ｍ−Ｏ−Ｍ−Ｏ−の結合ができた骨格を持つ酸化
物微粒子が生成した粘度の高いゲル状紡糸を像担持体周
方向に配向させながら巻き付け、次いで静置することに
より粘度が低下し、膜厚むらの無い溶液膜が形成でき
る。 【００７２】図１４に、紡糸法による塗布手段を説明す
る。 【００７３】同図において、１４０１は像担持体、１４
０２は塗布液ポット、１４０３は像担持体１４０１の保
持部材、１４０４は紡糸ノズル、１４０５はゾル状高分
子分散液、１４０６は攪拌モータ、１４０７は回転モー
タである。 【００７４】同図において、攪拌モータ１４０６によ
り、塗布液ポット１４０２の中のゾル状高分子分散液１
４０５が攪拌されている。像担持体１４０１は保持部材
１４０３および回転モータ１４０７により紡糸ノゾル１
４０４の前で回転駆動され、ゾル状高分子分散液１４０
５が軸方向に所定の範囲だけ往復動作する紡糸ノゾル１
４０４から塗工され、像担持体１４０１の両端の表面に
ゾル状高分子分散液塗布層を形成する。これを加熱し、
強固な金属酸化物皮膜を得る。 【００７５】膜厚については、像担持体と接触帯電部材
の最近接間隙に対応するため５０〜５００μｍの範囲が
好ましく、さらには１００〜３００μｍが好ましい。 ［感光体」本発明に用いられる像担持体として、有機光
導電体（ＯＰＣ）とアモルファスシリコン系感光体（ａ
−Ｓｉ）があげられる。 ［有機光導電体（ＯＰＣ）］本発明に用いた好適な感光
体の一形態であるＯＰＣ感光体について以下に述べる。
図１１（ａ）〜（ｅ）は、本発明の画像形成装置用感光
体の層構成を説明するための模式的構成図である。 【００７６】同図（ｅ）に示す画像形成装置用ＯＰＣ感
光体１１００は、感光体用としての支持体１１０１の上
に、感光層（光導電層）１１０２が設けられている。該
感光層１１０２は電荷発生層１１０３、電荷輸送層１１
０４からなり、必要に応じて、保護層ないし表面層１１
０５、および支持体１１０１と電荷発生層１１０３の間
に中間層（不図示）を設けて構成されている。 【００７７】本発明に用いられるＯＰＣ感光体、すなわ
ち表面層、光導電層、必要に応じて設けられる中間層、
特にその表面層は、前述の塗工加工の熱硬化時のヒータ
からの高温輻射熱に耐え、かつ軟化しないことが必要で
ある。本出願人らは、高融点ポリエステル樹脂と硬化樹
脂との混成がそれぞれの樹脂成分の特性を相乗的に作用
させあい、こうした条件を満足することを見いだした。 【００７８】本発明の電子写真感光体の表面層、光導電
層、電荷輸送層および電荷発生層の形成に用いる樹脂成
分について説明する。 【００７９】上述のポリエステルとは酸成分とアルコー
ル成分との結合ポリマーであり、ジカルボン酸と、グリ
コールとの縮合あるいはヒドロキシ安息香酸のヒドロキ
シ基とカルボキシ基とを有する化合物の縮合によって得
られる重合体である。 【００８０】酸成分としてテレフタル酸、イソフタル
酸、ハンフタレンジカルホン酸等の芳香族ジカルボン
酸、コハク酸、アジピン酸、セバチン酸等の脂肪族ジカ
ルボン酸、ヘキサヒドロテレフタル酸等の脂環族ジカル
ボン酸、ヒドロキシエトキシ安息香酸等のオキシカルボ
ン酸等を用いることができる。 【００８１】グリコール成分としては、エチレングリコ
ール、トリメチレングリコール、テトラメチレングリコ
ール、ヘキサメチレングリコール、シクロヘキサンジメ
チロール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレング
リコール等を使用することができる。 【００８２】なお、前記ポリエステル樹脂が実質的に線
状である範囲でペンタエリスリトール、ロリメチロール
プロパン、ピロメリット酸およびこれらのエステル形成
誘導体等の多官能化合物を共重合させてもよい。 【００８３】本発明に用いるポリエステル樹脂として
は、高融点ポリエステル樹脂を用いる。 【００８４】高融点ポリエステル樹脂としては、オルソ
クロロフェノール中３６℃で測定した極限粘度が０．４
ｄ１／ｇ以上、好ましくは０．５ｄ１／ｇ以上、さらに
好ましくは０．６５ｄ１／ｇ以上のものが用いられる。 【００８５】好ましい高融点ポリエステル樹脂として
は、ポリアルキレンテレフタレート系樹脂が挙げられ
る。ポリアルキレンテレフタレート系樹脂は酸成分とし
て、テレフタール酸、グリコール成分として、アルキレ
ングリコールから主としてなるものである。 【００８６】その具体例としては、テレフタル酸成分と
エチレングリコール成分とから主としてなるポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）、テレフタル酸成分と１，
４−テトラメチレングリコール（１，４−ブチレングリ
コール）成分とから主としてなるポリブチレンテレフタ
レート（ＰＢＴ）、テフタル酸成分とシクロヘキサンジ
メチロール成分とから主としてなるポリシクロヘキシル
ジメチレンテレフタレート（ＰＣＴ）等をあげることが
できる。他の好ましい高分子量ポリエステル樹脂として
は、ポリアルキレンナフタレート系樹脂を例示できる。
ポリアルキレンナフタレート系樹脂は酸成分としてナフ
タレンジカルボン酸成分とグリコール成分としてアルキ
レングリコール成分とから主としてなるものであって、
その具体例としては、ナフタレンジカルボン酸成分とエ
チレングリコール成分とから主としてなるポリエチレン
ナフタレート（ＰＥＮ）等を挙げることができる。 【００８７】高融点ポリエステル樹脂としては、その融
点が好ましくは１６０℃以上、特に好ましくは２００℃
以上のものである。 【００８８】高融点ポリエステル樹脂は、高融点である
がゆえに結晶性が高い。 【００８９】この結果、硬化樹脂ポリマー鎖と高融点ポ
リマー鎖との相互の絡み合いが均一かつ密になって、高
耐久性の表面層を形成できるものと考えられる。低融点
ポリエステル樹脂の場合には、結晶性が低いので、硬化
樹脂ポリマー鎖との絡み合いの程度が大きいところと小
さいところとが生じ、耐久性が劣るものと考えられる。 ［アモルファスシリコン系感光体（ａ−Ｓｉ）］本発明
に用いた好適な感光体の一形態であるアモルファスシリ
コン感光体について以下に述べる。 【００９０】アモルファスシリコン感光体の光導電層の
キャリアの挙動に着目し、バンドギャップ内の局在状態
分布と帯電能の温度依存性や光メモリとの関係について
鋭意検討した結果、光導電層の少なくとも光の入射する
部分において、局在状態密度を一定範囲に制御すること
により上記目的を達成できるという知見を得た。すなわ
ち、シリコン原子を母体とし、水素原子および／または
ハロゲン原子（水素原子とハロゲン原子とのうちのうち
の少なくとも一方）を含有する非単結晶材料で構成され
た光導電層を有する感光体において、その層構造を特定
化するように設計されて作製された感光体は、実用上著
しく優れた特性を示すばかりでなく、従来の感光体と比
べてみてもあらゆる点において凌駕していること、特に
画像形成装置用の感光体として優れた特性を有している
ことを見出した。 【００９１】本発明の画像形成装置用感光体は、導電性
支持体と、シリコン原子を母体とする非単結晶材料から
なる光導電層を有する感光層とから構成され、光導電層
は１０〜３０原子％の水素を含み、光吸収スペクトルの
指数関数裾（アーバックテイル）の特性エネルギーが５
０〜６０ｍｅＶであって、かつ局在状態密度が１×１０
14〜１×１０16cm-3であることを特徴としている。 【００９２】上記したような構成をとるように設計され
た本発明の画像形成装置用感光体は、極めて優れた電気
的、光学的、光導電的特性、画像品質、耐久性および使
用環境特性を示す。 【００９３】一般的に、ａ−Ｓｉ：Ｈのバンドギャップ
内には、Ｓｉ−Ｓｉ結合の構造的な乱れに基づくテイル
（裾）準位と、Ｓｉの未結合手（ダングリングボンド）
等の構造欠陥に起因する深い準位が存在する。これらの
準位は電子、正孔の捕獲、再結合中心として働き素子の
特性を低下させる原因になることが知られている。 【００９４】このようなバンドギャップ中の局在準位の
状態を測定する方法として、一般に深準位分光法、等温
容量過渡分光法、光熱偏向分光法、一定光電流法等が用
いられている。中でも一定光電流法（Ｃｏｎｓｔａｎｔ
ＰｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔＭｅｔｈｏｄ、以下「ＣＰ
Ｍ」という）は、ａ−Ｓｉ：Ｈの局在準位に基づくサブ
ギャップ光吸収スペクトルを簡便に測定する方法として
有用である。 【００９５】本出願人らは、ＣＰＭによって測定された
光吸収スペクトルから求められる指数関数裾（アーバッ
クテイル）の特性エネルギ（以下「Ｅｕ」という）や局
在状態密度（以下「ＤＯＳ」という）と感光体特性との
相関を種々の条件にわって調べた結果、ＥｕおよびＤＯ
Ｓがａ−Ｓｉ感光体の温度特性や光メモリと密接な関係
にあることを見いだし、本発明を完成するに至った。 【００９６】ドラムヒータ等で感光体を加熱したときに
帯電能が低下する原因として、熱励起されたキャリアが
帯電時の電界に引かれてバンド裾の局在準位やバンドギ
ャップ内の深い局在準位への捕獲、放出を繰り返しなが
ら表面に走行し、表面電荷を打ち消してしまうことが挙
げられる。このとき、帯電器を通過する間に表面に到達
したキャリアについては帯電能の低下にはほとんど影響
がないが、深い準位に捕獲されたキャリアは、帯電器を
通過した後に表面へ到達して表面電荷を打ち消すために
温度特性として観測される。また、帯電器を通過した後
に熱励起されたキャリアも表面電荷を打ち消し帯電能の
低下を引き起こす。したがって、感光体の使用温度領域
における熱励起キャリアの生成を抑え、なおかつキャリ
アの走行性を向上させることが温度特性の向上のために
必要である。 【００９７】さらに、光メモリはブランク露光や像露光
によって生じた光キャリアがバンドギャップ内の局在準
位に捕獲され、光導電層内にキャリアが残留することに
よって生じる。すなわち、ある複写行程において生じた
光キャリアのうち光導電層内に残留したキャリアが、次
回の帯電時あるいはそれ以降に表面電荷による電界によ
って掃き出され、光の照射された部分の電位が他の部分
よりも低くなり、その結果画像上に濃淡が生じる。した
がって、光キャリアが光導電層内に残留することなく、
１回の複写行程で走行するように、キャリアの走行性を
改善しなければならない。 【００９８】したがって、本発明のごとくＥｕおよび特
定のエネルギ範囲のＤＯＳを制御することにより、熱励
起キャリアの生成が抑えられ、なおかつ熱励起キャリア
や光キャリアが局在準位に捕獲される割合を小さくする
ことができるために、キャリアの走行性が著しく改善さ
れる。その結果、感光体の使用温度領域での温度特性が
飛躍的に改善され、同時に光メモリの発生を抑制するこ
とができるために、感光体の使用環境に対する安定性が
向上し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の高い高
品質の画像を安定して得ることができる。 【００９９】以下、図面に従って本発明の光導電部材に
ついて詳細に説明する。 【０１００】図１１（ａ）〜（ｅ）は、本発明の画像形
成装置用感光体の層構成を説明するための模式的構成図
である。 【０１０１】図１１（ａ）に示す画像形成装置用感光体
１１００は、感光体用としての支持体１１０１の上に、
感光層１１０２が設けられている。該感光層１１０２は
ａ−Ｓｉ：Ｈ、Ｘからなり光導電性を有する光導電層１
１０３で構成されている。 【０１０２】図１１（ｂ）は、本発明の画像形成装置用
感光体の他の層構成を説明するための模式的構成図であ
る。同図に示す画像形成装置用感光体１１００は、感光
体用としての支持体１１０１の上に感光層１１０２が設
けられている。該感光層１１０２はａ−Ｓｉ：Ｈ、Ｘか
らなり光導電性を有する光導電層１１０３と、アモルフ
ァスシリコン系表面層１１０４とから構成されている。 【０１０３】図１１（ｃ）は、本発明の画像形成装置用
感光体の他の層構成を説明するための模式的構成図であ
る。同図に示す画像形成装置用感光体１１００は、感光
体用としての支持体１１０１の上に、感光層１１０２が
設けられている。該感光層１１０２は、ａ−Ｓｉ：Ｈ、
Ｘからなり光導電性を有する光導電層１１０３とアモル
ファスシリコン系表面層１１０４と、アモルファスシリ
コン系電荷注入阻止層１１０５から構成されている。 【０１０４】図１１（ｄ）は、本発明の画像形成装置用
感光体のさらに他の層構成を説明するための模式的構成
図である。同図に示す画像形成装置用感光体１１００
は、感光体用としての支持体１１０１の上に、感光層１
１０２が設けられている。該感光層１１０２は光導電層
１１０３を構成するａ−Ｓｉ：Ｈ、Ｘからなる電荷発生
層１１０６ならびに電荷輸送層１１０７と、アモルファ
スシリコン系表面層１１０４とから構成されている。 ［支持体］本発明において使用される支持体としては、
導電性でも電気絶縁性であってもよい。導電性支持体と
してはＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、
Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、およびこれらの
合金、例えば、ステンレス等が挙げられる。また、ポリ
エステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロー
スアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシ
ート、ガラス、セラミック等の電気絶縁性支持体の少な
くとも感光層を形成する側の表面を導電処理した支持体
も用いることができる。 【０１０５】本発明において使用される支持体１１０１
の形状は平滑表面あるいは凹凸表面の円筒状または板状
無端ベルト状であることができ、その厚さは、所望通り
の画像形成装置用感光体１１００を形成し得るように適
宜決定するが、画像形成装置用感光体１１００としての
可撓性が要求される場合には、支持体１１０１としての
機能が十分発揮できる範囲内で可能な限り薄くすること
ができる。しかしながら、支持体１１０１は製造上およ
び取り扱い上、機械的強度等の点から通常は１０μｍ以
上とされる。 【０１０６】特にレーザ光などの可干渉性光を用いて像
記録を行う場合には、可視画像において現われる、いわ
ゆる干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消する
ために、支持体１１０１の表面に凹凸を設けてもよい。
支持体１１０１の表面に設けられる凹凸は、特開昭６０
−１６９１５６号公報、同６０−１７８４５７号公報、
同６０−２２５８５４号公報等に記載された公知の方法
により形成される。 【０１０７】また、レーザ光などの可干渉光を用いた場
合の干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消する
別の方法として、支持体１１０１の表面に複数の球状痕
跡窪みによる凹凸形状を設けてもよい。すなわち、支持
体１１０１の表面が画像形成装置用感光体１１００に要
求される解像力よりも微小な凹凸を有し、しかも該凹凸
は、複数の球状痕跡窪みによるものである。支持体１１
０１の表面に設けられる複数の球状痕跡窪みによる凹凸
は、特開昭６１−２３１５６１号公報に記載された公知
の方法により形成される。 ［光導電層］本発明において、その目的を効果的に達成
するために支持体１１０１上に形成され、感光層１１０
２の一部を構成する光導電層１１０３は真空堆積膜形成
方法によって、所望特性が得られるように適宜成膜パラ
メータの数値条件が設定されて作成される。具体的に
は、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶ
Ｄ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、
あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真
空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱Ｃ
ＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成することが
できる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投
資下の負荷程度、製造規模、作製される画像形成装置用
感光体に所望される特性等の要因によって適宜選択され
て採用されるが、所望の特性を有する画像形成装置用感
光体を製造するに当たっての条件の制御が比較的容易で
あることからしてグロー放電法、特にＲＦ帯またはＶＨ
Ｆ帯の電源周波数を用いた高周波グロー放電法が好適で
ある。 【０１０８】グロー放電法によって光導電層１１０３を
形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給
し得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給
し得るＨ供給用の原料ガスまたは／およびハロゲン原子
（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部が減圧
にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該反
応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位
置に設置されてある所定の支持体１１０１上にａ−Ｓ
ｉ：Ｈ、Ｘからなる層を形成すればよい。 【０１０９】また、本発明において光導電層１１０３中
に水素原子または／およびハロゲン原子が含有されるこ
とが必要である。これはシリコン原子の未結合手を補償
し、層品質の向上、特に光導電性および電荷保持特性を
向上させるために必須不可欠であるからである。よっ
て、水素原子またはハロゲン電子の含有量、または水素
原子とハロゲン原子の和の量はシリコン原子と水素原子
または／およびハロゲン原子の和に対して１０〜３０原
子％、より好ましくは１５〜２５原子％とされるのが望
ましい。 【０１１０】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ4、Ｓｉ2 Ｈ6 、Ｓｉ3
Ｈ8 、Ｓｉ4 Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得
る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、さらに層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給
効率の良さ等の点でＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 が好ましいも
のとして挙げられる。 【０１１１】そして、形成される光導電層１１０３中に
水素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御
が一層容易になるように図り、本発明の目的を達成する
膜特性を得るために、これらのガスにさらにＨ2 および
／またはＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物のガス
も所望量混合して層形成することが必要である。また、
各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合し
ても差し支えないものである。 【０１１２】また、本発明において使用されるハロゲン
原子供給用の原料ガスとして有効なのは、例えばハロゲ
ンガス、ハロゲン化物、ハロゲンを含むハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状のま
たはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げれられ
る。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構
成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原
子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げるこ
とができる。本発明において好適に使用し得るセルハロ
ゲン化合物としては、具体的にはフッ素ガス（Ｆ2 ）、
ＢｒＦ、Ｃ１Ｆ、Ｃ１Ｆ3 、ＢｒＦ3 、ＢｒＦ5 、ＩＦ
3 、ＩＦ7 等のハロゲン間化合物を挙げることができ
る。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン
原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、
例えばＳｉＦ4 、Ｓｉ2 Ｆ6 等のフッ化珪素が好ましい
ものとして挙げることができる。 【０１１３】光導電層１１０３中に含有される水素原子
または／およびハロゲン原子の量を制御するには、例え
ば、支持体１１０１の温度、水素原子または／およびハ
ロゲン原子を含有させるために使用される原料物質の反
応容器内へ導入する量、放電電力等を制御すればよい。 【０１１４】本発明においては、光導電層１１０３には
必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが
好ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層１１０３
中に万遍なく均一に分布した状態で含有されてもよい
し、あるいは層厚方向に不均一な分布状態で含有してい
る部分があってもよい。 【０１１５】前記伝導性を制御する原子としては、半導
体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、
ｐ型伝導性を与える周期律表III ｂ族に属する原子（以
下「第III ｂ族原子」という）またはｎ型伝導性特性を
与える周期律表Ｖｂ族に属する原子（以下「第Ｖｂ族原
子」という）を用いることができる。 【０１１６】第III ｂ族原子としては、具体的には、硼
素（Ｂ）、アルミニウム（Ａ１）、ガリウム（Ｇａ）、
インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔ１）等があり、特に
Ｂ、Ａ１、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的に燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。 【０１１７】光導電層１１０３に含有される伝導性を制
御する原子の含有量としては、好ましくは１×１０-2〜
１×１０4 原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０-2〜５
×１０3 原子ｐｐｍ、最適には１×１０-1〜１×１０3
原子ｐｐｍとされるのが望ましい。 【０１１８】伝導性を制御する原子、例えば、第III ｂ
族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するには、
層形成の際に、第III ｂ族原子導入用の原料物質あるい
は第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器
中に、光導電層１１０３を形成するための他のガスとと
もに導入してやればよい。第III ｂ族原子導入用の原料
物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得る
ものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも
層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるの
が望ましい。 【０１１９】そのような第III ｂ族原子導入用の原料物
質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ2 Ｈ
6 、Ｂ4 Ｈ10、Ｂ5 Ｈ9 、Ｂ5 Ｈ11、Ｂ6 Ｈ10等の水素
化硼素、ＢＦ3 、ＢＣｌ3 、ＢＢｒ3 等のハロゲン化硼
素等が挙げられる。 【０１２０】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質としては有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ3 、
Ｐ2 Ｈ4 等の水素化燐、ＰＦ3 、ＰＦ5 、ＰＣｌ3 、Ｐ
Ｃｌ5 、ＰＢｒ3 等のハロゲン化燐が挙げられる。この
他、ＡｓＨ3 、ＡｓＦ3 、ＡｓＣｌ3 、ＡｓＦ5 、Ｓｂ
Ｈ3 、ＳｂＦ5 等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有
効なものとして挙げることができる。 【０１２１】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ2 および／またはＨｅに
より希釈して使用してもよい。 【０１２２】さらに本発明においては、光導電層１１０
３に炭素元素および／または酸素原子および／または窒
素原子を含有させることも有効である。炭素原子および
／または酸素原子および／または窒素原子の含有量はシ
リコン原子、炭素原子、酸素原子および窒素原子の和に
対して好ましくは１×１０-5〜１０原子％、より好まし
くは１×１０-4〜８原子％、最適には１×１０-3〜５原
子％が望ましい。炭素原子および／または酸素原子およ
び／または窒素原子は、光導電層中に万遍なく均一に含
有されてもよいし、光導電層の層厚方向に含有量が変化
するような不均一な分布をもたせた部分があってもよ
い。 【０１２３】本発明においては、光導電層１１０３の層
厚は所望の電子写真特性が得られることおよび経済的効
果等の点から適宜所望にしたがって決定され、好ましく
は２０〜５０μｍ、より好ましくは２３〜４５μｍ、最
適には２５〜４０μｍとされるのが望ましい。 【０１２４】本発明の目的を達成し、所望の膜特性を有
する光導電層１１０３を形成するにはＳｉ供給用のガス
と希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力
ならびに支持体温度を適宜設定することが必要である。 【０１２５】希釈ガスとして使用するＨ2 および／また
はＨｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選
択されるが、Ｓｉ供給用のガスに対しＨ2 および／また
はＨｅを、通常の場合３〜２０倍、好ましくは４〜１５
倍、最適には５〜１０倍の範囲に制御することが望まし
い。 【０１２６】反応容器内のガス圧も同様に層設定にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１
０-4〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１０-4〜５Ｔｏｒ
ｒ、最適には１×１０-3〜１Ｔｏｒｒとするのが好まし
い。 【０１２７】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力を、通常の場合２〜７倍、好ましくは
２．５〜６倍、最適には３〜５倍の範囲に設定すること
が望ましい。 【０１２８】さらに、支持体１１０１の温度は、層設計
にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場
合、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３
０〜３３０℃、最適には２５０〜３１０℃とするのが望
ましい。 【０１２９】本発明においては、光導電層を形成するた
めの支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記
した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に
決められるものではなく、所望の特性を有する感光体を
形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて最適値を
決めるのが望ましい。 ［表面層］本発明においては、上述のようにして支持体
１１０１上に形成された光導電層１１０３の上に、さら
にアモルファスシリコン系の表面層１１０４を形成する
ことが好ましい。この表面層１１０４は自由表面１１０
６ａ（図１１（ｂ）参照）を有し、主に耐湿性、連続繰
り返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性
において本発明の目的を達成するために設けられる。 【０１３０】また、本発明においては、感光層１１０２
を構成する光導電層１１０３と表面層１１０４とを形成
する非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成
要素を有しているので、積層界面において化学的な安定
性の確保が十分なされている。 【０１３１】表面層１１０４は、アモルファスシリコン
系の材料であればいずれの材質でも可能であるが、例え
ば、水素原子（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）
を含有し、さらに炭素原子を含有するアモルファスシリ
コン（以下「ａ−ＳｉＣ：Ｈ、Ｘ」をという）、水素原
子（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、
さらに酸素原子を含有するアモルファスシリコン（以下
「ａ−ＳｉＯ：Ｈ、Ｘ」という）、水素原子（Ｈ）およ
び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに窒素原
子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ
Ｎ：Ｈ、Ｘ」という）、水素原子（Ｈ）および／または
ハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに炭素原子、酸素原
子、窒素原子の少なくとも一つを含有するアモルファス
シリコン（以下「ａ−Ｓｉ（Ｃ、Ｏ、Ｎ）：Ｈ、Ｘ」と
いう）等の材料が好適に用いられる。 【０１３２】本発明において、その目的を効果的に達成
するために、表面層１１０４は真空堆積膜形成方法によ
って、所望特性が得られるように適宜成膜パラメータの
数値条件が設定されて作製される。具体的には、例えば
グロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法または
マイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直
流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、
イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法など
の数々の薄膜堆積法によって形成することができる。こ
れらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷
程度、製造規模、作製される画像形成装置用感光体に所
望される特性等の要因によって適宜選択されて採用され
るが、感光体の生産性から光導電層と同等の堆積法によ
ることが好ましい。 【０１３３】例えば、グロー放電法によってａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ、Ｘよりなる表面層１１０４を形成するには、基
本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用
の原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の
原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原
料ガスまたは／およびハロゲン原子（Ｘ）を供給し得る
Ｘ供給用の原料ガスを、内部を減圧し得る反応容器内に
所望のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電
を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置された光導電
層１１０３を形成した支持体１１０１上にａ−ＳｉＣ：
Ｈ、Ｘからなる層を形成すればよい。 【０１３４】本発明においては用いる表面層の材質とし
てはシリコンを含有するアモルファス材料ならばいずれ
でもよいが、炭素、窒素、酸素より選ばれた元素を少な
くとも１つ含むシリコン原子との化合物が好ましく、特
にａ−ＳｉＣを主成分としたものが好ましい。 【０１３５】表面層をａ−ＳｉＣを主成分として構成す
る場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子の和に対し
て３０％から９０％の範囲が好ましい。 【０１３６】また、本発明において表面層１１０４中に
水素原子または／ハロゲン原子が含有されることが必要
であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償し、層
品質の向上、特に光導電性特性および電荷保持特性を向
上させるために必須不可欠である。水素含有量は、構成
原子の総量に対して通常の場合３０〜７０原子％、好適
には３５〜６５原子％、最適には４０〜６０原子％とす
るのが望ましい。また、フッ素原子の含有量として、通
常の場合は０．０１〜１５原子％、好適には０．１〜１
０原子％、最適には０．６〜４原子％とされるのが望ま
しい。 【０１３７】これらの水素および／またはフッ素含有量
の範囲内で形成される感光体は、実際面において従来に
ない格段に優れたものとして充分適用され得るものであ
る。すなわち、表面層内に存在する欠陥（主にシリコン
原子や炭素原子のダングリングボンド）は画像形成装置
用感光体としての特性に悪影響を及ぼすことが知られて
いる。例えば、自由表面からの電荷の注入による帯電特
性の劣化、使用環境、例えば高い湿度のもとで表面構造
が変化することによる帯電特性の変動、さらにコロナ帯
電時や光照射時に光導電層により表面層に電荷が注入さ
れ、前記表面層内の欠陥に電荷がトラップされることに
より繰り返し使用時の残像現象の発生等がこの悪影響と
して挙げられる。 【０１３８】しかしながら、表面層内の水素含有量を３
０原子％以上に制御することで表面層内の欠陥が大幅に
減少し、その結果、従来に比べて電気的特性面および高
速連続使用性において飛躍的な向上を図ることができ
る。 【０１３９】一方、前記表面層中の水素含有量が７１原
子％以上になると表面層の硬度が低下するために、繰り
返し使用に耐えられなくなる。したがって、表面層中の
水素含有量を前記の範囲内に制御することが格段に優れ
た所望の電子特性を得る上で非常に重要な因子の一つで
ある。表面層中の水素現有量は、Ｈ2 ガスの流量、支持
体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御し得る。 【０１４０】また、表面層中のフッ素含有量を０．０１
原子％以上の範囲に制御することで表面層内のシリコン
原子と炭素原子との結合の発生をより効果的に達成する
ことが可能となる。さらに、表面層中のフッ素原子の働
きとして、コロナ等のダメージによるシリコン原子と炭
素原子との結合の切断を効果的に防止することができ
る。 【０１４１】一方、表面層中のフッ素含有量が１５原子
％を超えると表面層内のシリコン原子と炭素原子の結合
の発生の効果およびコロナ等のダメージによるシリコン
原子と炭素原子との結合の切断を防止する効果がほとん
ど認められなくなる。さらに、過剰のフッ素原子が表面
層中のキャリアの走行性を阻害するため、残留電位や画
像メモリが顕著に認められてくる。 【０１４２】したがって、表面層中のフッ素含有量を前
記範囲内に制御することが所望の電子写真特性を得る上
で重要な因子の一つである。表面層中のフッ素含有量
は、水素含有量と同様にＨ2 ガスの流量、支持体温度、
放電パワー、ガス圧等によって制御し得る。 【０１４３】本発明の表面層の形成において使用される
シリコン（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、
ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、Ｓｉ3 Ｈ8 、Ｓｉ4 Ｈ10等のガ
ス状態の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）
が有効に使用されるものとして挙げられ、さらに層作製
時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ
4 、Ｓｉ2 Ｈ6 が好ましいものとして挙げられる。ま
た、こられらのＳｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ
2 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用して
もよい。 【０１４４】炭素供給ガスとなり得る物質としてはＣＨ
4 、Ｃ2 Ｈ6 、Ｃ3 Ｈ8 、Ｃ4 Ｈ10等のガス状態の、ま
たはガス化し得る炭素水素が有効に使用されるものとし
て挙げられ、さらに層作成時の取り扱い易さ、Ｃ供給効
率の良さ等の点でＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ6 が好ましいものとし
て挙げられる。また、これらのＣ供給用の原料ガスを必
要に応じてＨ2 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈
して使用してもよい。 【０１４５】窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質
としては、ＮＨ3 、ＮＯ、Ｎ2 Ｏ、ＮＯ2 、Ｈ2 Ｏ、Ｏ
2 、ＣＯ、ＣＯ2 、Ｎ2 等のガス状態の、またはガス化
し得る化合物が有効に使用されるものとして挙げられ
る。また、これらの窒素、酸素供給用の原料ガスを必要
に応じてＨ2 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈し
て使用してもよい。 【０１４６】また、形成される表面層１１０４中に導入
される水素原子の導入割合の制御を一層容易になるよう
に図るために、これらのガスにさらに水素ガスまたは水
素原子を含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成
することが好ましい。また、各ガスは単独種のみでなく
所定の混合比で複数種混合しても差し支えないものであ
る。 【０１４７】ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効
なのは、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン
を含むハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン
誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化合物
が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原子と
ハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス化
し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効な
ものとして挙げることができる。本発明において好適に
使用し得るハロゲン化合物としては、具体的にはフッ素
ガス（Ｆ2 ）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ3 、ＢｒＦ3 、
ＢｒＦ5 、ＩＦ3 、ＩＦ7 等のハロゲン間化合物を挙げ
ることができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわ
ゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、
具体的には、例えば、ＳｉＦ4 、Ｓｉ2 Ｆ6 等のふっ化
珪素が好ましいものとして挙げることができる。 【０１４８】表面層１１０４中に含有される水素原子ま
たは／およびハロゲン原子の量を制御するには、例え
ば、支持体１１０１の温度、水素原子または／およびハ
ロゲン原子を含有させるために使用される原料物質の反
応容器内へ導入する量、放電電力等を制御すればよい。 【０１４９】炭素原子および／または酸素原子および／
または窒素原子は、表面層中に万遍なく均一に含有され
てもよいし、表面層の層厚方向に含有量が変化するよう
な不均一な分布をもたせた部分があっても良い。 【０１５０】さらに、本発明においては、表面層１１０
４には必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させる
ことが好ましい。伝導性を制御する原子は、表面層１１
０４中に万遍なく均一に分布した状態で含有されてもよ
いし、あるいは層厚方向に不均一な分布した状態で含有
している部分があってもよい。 【０１５１】前記の伝導性を制御する原子としては、前
述の半導体分野における、いわゆる不純物を挙げること
ができる。 【０１５２】表面層１０４に含有される伝導性を制御す
る原子の含有量としては、好ましくは１×１０-3〜１×
１０3 原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０-2〜５×１
０2原子ｐｐｍ、最適には１×１０-1〜１×１０2 原子
ｐｐｍとされるのが望ましい。 【０１５３】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ2 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等
のガスにより希釈して使用してもよい。 【０１５４】本発明における表面層１１０４の層厚とし
ては、通常０．０１〜３μｍ、好適には０．０５〜２μ
ｍ、最適には０．１〜１μｍとされるのが望ましいもの
である。層厚が０．０１μｍよりも薄いと感光体を使用
中に摩耗等の理由により表面層が失われてしまい、３μ
ｍを超えると残留電位の増加等の電子写真特性の低下が
みられる。 【０１５５】本発明による表面層１１０４は、その要求
される特性が所望通りに与えられるように注意深く形成
される。すなわち、Ｓｉ、Ｃおよび／またはＮおよび／
またはＯ、Ｈおよび／またはＸを構成要素とする物質は
その形成条件によって構造的には結晶からアモルファス
までの形態を取り、電気物性的には導電性から半導体
性、絶縁性までの間の性質を、また、光導電的性質から
非導電的性質までの間の性質を各々示すので、本発明に
おいては、目的に応じた所望の特性を有する化合物が形
成されるように、所望に従ってその形成条件の選択が厳
密になされる。 【０１５６】例えば、表面層１１０４を耐圧性の向上を
主な目的として設けるには、使用環境において電気絶縁
性的挙動の顕著な非単結晶材料として作製される。 【０１５７】また、連続繰り返し使用特性や使用環境特
性の向上を主たる目的として表面層１１０４が設けられ
る場合には、上記の電気絶縁性の度合いはある程度緩和
され、照射される光に対してある程度の感度を有する非
単結晶材料として形成される。 【０１５８】本発明の目的を達成し得る特性を有する表
面層１１０４を形成するには、支持体１１０１の温度、
反応容器内のガス圧を所望に従って、適宜設定する必要
がある。 【０１５９】支持体１１０１の温度（Ｔｓ）は、層設計
に従って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好
ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３
３０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望まし
い。 【０１６０】反応容器内のガス圧も同様に層設計に従っ
て適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ましく
は１×１０-4〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×１０
-4〜５Ｔｏｒｒ、最適には１×１０-3〜１Ｔｏｒｒとす
るのが好ましい。 【０１６１】本発明においては、表面層を形成するため
の支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記し
た範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に決
められるものではなく、所望の特性を有する感光体を形
成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて最適値を決
めるのが望ましい。 【０１６２】さらに、本発明においては、光導電層と表
面層の間に、炭素原子、酸素原子、窒素原子の含有量を
表面層より減らしたブロッキング層（下部表面層）を設
けることも帯電能等の特性をさらに向上させるためには
有効である。 【０１６３】また、表面層１１０４と光導電層１１０３
との間に炭素原子および／または酸素原子および／また
は窒素原子の含有量が光導電層１１０３に向かって減少
するように変化する領域を設けてもよい。これにより表
面層と光導電層の密着性を向上させ、界面での光の反射
による干渉の影響をより少なくすることができる。 ［電荷注入阻止層］本発明の画像形成装置用感光体にお
いては、導電性支持体と光導電層との間に、導電性支持
体側からの電荷の注入を阻止する働きのある電荷注入阻
止層を設けるのが一層効果的である。すなわち、電荷注
入阻止層は感光層が一定極性の帯電処理をその自由表面
に受けた際、支持体側より光導電層側に電荷が注入され
るのを阻止する機能を有し、逆の極性の帯電処理を受け
た際にはそのような機能は発揮されない、いわゆる極性
依存性を有している。そのような機能を付与するため
に、電荷注入阻止層には伝導性を制御する原子を光導電
層に比べ比較的多く含有させる。 【０１６４】該層に含有される伝導性を制御する原子
は、該層中に万遍なく均一に分布されてもよいし、ある
いは層厚方向に万遍なく含有されてはいるが、不均一に
分布する状態で含有している部分があってもよい。分布
濃度が不均一な場合には、支持体側に多く分布するよう
に含有させるのが好適である。 【０１６５】しかしながら、いずれの場合にも支持体の
表面と平行面内方向においては、均一な分布で万遍なく
含有されることが面内方向における特性の均一化を図る
点からも必要である。 【０１６６】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する原子としては、前述の半導体分野における、いわゆ
る不純物を挙げることができる。 【０１６７】本発明において電荷注入阻止層中に含有さ
れる伝導性を制御する原子の含有量としては、本発明の
目的が効果的に達成できるように所望のしたがって適宜
決定されるが、好ましくは１０〜１×１０4 原子ｐｐ
ｍ、より好適には５０〜５×１０3 原子ｐｐｍ、最適に
は１×１０2 〜１×１０3 原子ｐｐｍとされるのが望ま
しい。 【０１６８】さらに、電荷注入阻止層には、炭素原子、
窒素原子および酸素原子の少なくとも一種を含有させる
ことによって、該電荷注入阻止層に直接接触して設けら
れる他の層との間の密着性の向上をより一層図ることが
できる。 【０１６９】該層に含有される炭素原子または窒素原子
または酸素原子は該層中に万遍なく均一に分布されても
よいし、あるいは層厚方向には万遍なく含有されてはい
るが、不均一に分布する状態で含有している部分があっ
てもよい。しかしながら、いずれの場合にも支持体の表
面と平行面内方向においては、均一な分布で万遍なく含
有されることが面内方向における特性の均一化を図る点
からも必要である。 【０１７０】本発明における電荷注入阻止層の全層領域
に含有される炭素原子および／または窒素原子および／
または酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果的には
達成されるように適宜決定されるが、一種の場合はその
量として、二種以上の場合はその総和として、好ましく
は１×１０-3〜５０原子％、より好適には５×１０-3〜
３０原子％、最適には１×１０-2〜１０原子％とされる
のが望ましい。 【０１７１】また、本発明における電荷注入阻止層に含
有される水素原子および／またはハロゲン原子は層内に
存在する未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。
電荷注入阻止層中の水素原子またはハロゲン原子あるい
は水素原子とハロゲン原子の和の含有量は、好適には１
〜５０原子％、より好適には５〜４０原子％、最適には
１０〜３０原子％とするのが望ましい。 【０１７２】本発明においては、電荷注入阻止層の層厚
は所望の電子写真特性が得られること、および経済的効
果等の点から好ましくは０．１〜５μｍ、より好ましく
は０．３〜４μｍ、最適には０．５〜３μｍとされるの
が望ましい。 【０１７３】本発明においては電荷注入阻止層を形成す
るには、前述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆
積法が採用される。 【０１７４】本発明の目的を達成し得る特性を有する電
荷注入阻止層１１０５を形成するには、光導電層１１０
３と同様に、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、
反応容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体１１０１
の温度を適宜設定することが必要である。 【０１７５】希釈ガスであるＨ2 および／またはＨｅの
流量は、層設計に従って適宜最適範囲が選択されるが、
Ｓｉ供給用ガスに対しＨ2 および／またはＨｅを、通常
の場合１〜２０倍、好ましくは３〜１５倍、最適には５
〜１０倍の範囲に制御することが望ましい。 【０１７６】反応容器内のガス圧も同様に層設計に従っ
て適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１０-4
〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１０-4〜５Ｔｏｒｒ、
最適には１×１０-3〜１Ｔｏｒｒとするのが好ましい。 【０１７７】放電電力もまた同様に層設計に従って適宜
最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量に対
する放電電力を、通常の場合１〜７倍、好ましくは２〜
６倍、最適には３〜５倍の範囲に設定することが望まし
い。 【０１７８】さらに、支持体１１０１の温度は、層設計
に従って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好
ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３
３０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望まし
い。 【０１７９】本発明においては、電荷注入阻止層を形成
するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力、支持
体温度の望ましい数値範囲としては前記した範囲が挙げ
られるが、これらの層作製ファクターは通常は独立的に
別々に決められるものではなく、所望の特性を有する表
面層を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて各
層作製ファクターの最適値を決めるのが望ましい。 【０１８０】このほかに、本発明の画像形成装置用感光
体においては、感光層１１０２の前記支持体１１０１側
に、少なくともアルミニウム原子、シリコン原子、水素
原子または／およびハロゲン原子が層厚方向に不均一な
分布状態で含有される層領域を有することが望ましい。 【０１８１】また、本発明の画像形成装置用感光体にお
いては、支持体１１０１と光導電層１１０３あるいは電
荷注入阻止層１１０５との間の密着性の一層の向上を図
る目的で、例えば、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 、ＳｉＯ、あ
るいはシリコン原子を母体とし、水素原子および／また
はハロゲン原子と、炭素原子および／または酸素原子お
よび／または窒素原子とを含む非晶質材料等で構成され
る密着層を設けてもよい。さらに、支持体からの反射光
による干渉模様の発生を防止するための光吸収層を設け
てもよい。 【０１８２】次に、感光層を形成するための装置および
膜形成方法について詳述する。 【０１８３】図２は、電源周波数としてＲＦ帯を用いた
高周波プラズマＣＶＤ法（以後「ＲＦ−ＰＣＶＤ」とい
う）による画像形成装置用感光体の製造装置の一例を示
す模式的な構成図である。同図に示す製造装置の構成は
以下の通りである。 【０１８４】この装置は大別すると、堆積装置２１０
０、原料ガスの供給装置２２００、反応容器２１１１内
を減圧にするための排気装置（不図示）から構成されて
いる。堆積装置２１００中の反応容器２１１１内には円
筒状支持体２１１２、支持体加熱用ヒータ２１１３、原
料ガス導入管２１１４が設置され、さらに高周波マッチ
ングボックス２１１５が接続されている。 【０１８５】原料ガス供給装置２２００は、ＳｉＨ4 、
ＧｅＨ4 、Ｈ2 、ＣＨ4 、Ｂ2 Ｈ6、ＰＨ3 等の原料ガ
スのボンベ２２２１〜２２２６とバルブ２２３１〜２２
３６、２２４１〜２２４６、２２５１〜２２５６、およ
びマスフローコントローラ２２１１〜２２１６から構成
され、各原料ガスのボンベはバルブ２２６０を介して反
応容器２１１１内のガス導入管２１１４に接続されてい
る。 【０１８６】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行うことができる。 【０１８７】まず、反応容器２１１１内に円筒状支持体
２１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器２１１１内を排気する。続いて、支
持体加熱用ヒータ２１１３により円筒状支持体２１１２
の温度を２００℃ないし３５０℃の所定の温度に制御す
る。 【０１８８】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器２１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ２２３１〜２
２３６、反応容器のリークバルブ２１１７が閉じられて
いることを確認し、また、流入バルブ２２４１〜２２４
６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バルブ２２６
０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ２
１１８を開いて反応容器２１１１およびガス配管２１１
６内を排気する。 【０１８９】次に真空計２１１９の読みが約５×１０-6
Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ２２６０、流出バル
ブ２２５１〜２２５６を閉じる。 【０１９０】その後、ガスボンベ２２２１〜２２２６よ
り各ガスをバルブ２２３１〜２２３６を開いて導入し、
圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を２ｋｇ
／cm2 に調整する。次に、流入バルブ２２４１〜２２４
６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラ２
２１１〜２２１６内に導入する。 【０１９１】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。 【０１９２】円筒状支持体２１１２が所定の温度になっ
たところで流出バルブ２２５１〜２２５６のうちの必要
なものおよび補助バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボ
ンベ２２２１〜２２２６から所定のガスをガス導入管２
１１４を介して反応容器２１１１内に導入する。次にマ
スフローコントローラ２２１１〜２２１６によって各原
料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反
応容器２１１１内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力
になるように真空計２１１９を見ながらメインバルブ２
１１８の開口を調整する。内圧が安定したところで、周
波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源（不図示）を所望の電
力に設定して、高周波マッチングボックス２１１５を通
じて反応容器２１１１内にＲＦ電力を導入し、グロー放
電を生起させる。この放電エネルギによって反応容器内
に導入された原料ガスが分解され、円筒状支持体２１１
２上に所定のシリコンを主成分とする堆積膜が形成され
るところとなる。所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ
電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器２１１
１へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。 【０１９３】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の感光層が形成される。 【０１９４】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていることはいうま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器２１１１
内、流出バルブ２２５１〜２２５６から反応容器２１１
１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ２２５１〜２２５６を閉じ、補助バルブ２２６０を
開き、さらにメインバルブ２１１８を全開して系内を一
旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。 【０１９５】また、膜形成の均一化を図るために、層形
成を行っている間は、支持体２１１２を駆動装置（不図
示）によって所定の速度で回転させることも有効であ
る。 【０１９６】さらに、上述のガス種およびバルブ操作は
各々の層の作製条件にしたがって変更が加えられること
はいうまでもない。 【０１９７】次に、電源にＶＨＦ帯の周波数を用いた高
周波プラズマＣＶＤ（以下「ＶＨＦ−ＰＣＶＤ」とい
う）法によって形成される画像形成装置用感光体の製造
方法について説明する。 【０１９８】図２に示した製造装置におけるＲＦ−ＰＣ
ＶＤ法による堆積装置２１００を、図３に示す堆積装置
３１００に交換して原料ガス供給装置２２００と接続す
ることにより、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による以下の構成の
画像形成装置用感光体を得ることができる。 【０１９９】この装置は大別すると、真空気密化構造を
なした減圧にし得る反応容器３１１１内には円筒状支持
体３１１２、支持体加熱ヒータ３１１３、原料ガス導入
管３１１４、電極が設置され、電極にはさらに高周波の
マッチングボックス３１１６が接続されている。また、
反応容器３１１１内は排気管３１２１を通じて不図示の
拡散ポンプに接続されている。 【０２００】原料ガス供給装置２２００（図２参照）
は、ＳｉＨ4 、ＧｅＨ4 、Ｈ2 、ＣＨ4 、Ｂ2 Ｈ6 、Ｐ
Ｈ3 等の原料ガスのボンベ２２２１〜２２２６とバルブ
２２３１〜２２３６、２２４１〜２２４６、２２５１〜
２２５６およびマスフローコントローラ２２１１〜２２
１６から構成され、各原料ガスのボンベはバルブ２２６
０を介して反応容器３１１１内のガス導入管３１１４に
接続されている。また、円筒状支持体３１１２によって
取り囲まれた空間３１３０が放電空間を形成している。 【０２０１】ＶＨＦーＰＣＶＤ法によるこの装置での堆
積膜の形成は、以下のように行うことができる。 【０２０２】まず、反応容器３１１１内に円筒状支持体
３１１２を設置し、駆動装置３１２０によって支持体３
１１２を回転し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器３１１１内を排気管３１２１を介し
て排気し、反応容器３１１１内の圧力を１×１０-7Ｔｏ
ｒｒ以下に調整する。続いて、支持体加熱用ヒータ３１
１３により円筒状支持体３１１２の温度を２００℃ない
し３５０℃の所定の温度に加熱保持する。 【０２０３】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器３１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ２２３１〜２
２３６、反応容器のリークバルブ（不図示）が閉じられ
ていることを確認し、また、流入バルブ２２４１〜２２
４６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バルブ２２
６０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ
（不図示）を開いて反応容器３１１１およびガス排気管
３１２１内を排気する。 【０２０４】次に真空計（不図示）の読みが約５×１０
-6Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ２２６０、流出バ
ルブ２２５１〜２２５６を閉じる。 【０２０５】その後、ガスボンベ２２２１〜２２２６よ
り各ガスをバルブ２２３１〜２２３６を開いて導入し、
圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を２ｋｇ
／cm2 に調整する。次に、流入バルブ２２４１〜２２４
６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラ２
２１１〜２２１６内に導入する。 【０２０６】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下のようにして円筒状支持体３１１２上に各層の
形成を行う。 【０２０７】円筒状支持体３１１２が所定の温度になっ
たところで流出バルブ２２５１〜２２５６のうちの必要
なものおよび補助バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボ
ンベ２２２１〜２２２６から所定のガスをガス導入管３
１１４を介して反応容器３１１１内の放電空間３１３０
に導入する。次にマスフローコントローラ２２１１〜２
２１６によって各原料ガスが所定の流量になるように調
整する。その際、放電空間３１３０内の圧力が１Ｔｏｒ
ｒ以下の所定の圧力になるように真空計（不図示）を見
ながらメインバルブ（不図示）の開口を調整する。 【０２０８】圧力が安定したところで、周波数５００Ｍ
ＨｚのＶＨＦ電源（不図示）を所望の電力に設定して、
マッチングボックス３１１６を通じて放電空間３１３０
にＶＨＦ電力を導入し、グロー放電を生起させる。かく
して支持体３１１２により取り囲まれた放電空間３１３
０において、導入された原料ガスは、放電エネルギによ
り励起されて解離し、円筒状支持体３１１２上に所定の
堆積膜が形成される。このとき、層形成の均一化を図る
ため支持体回転用モータ３１２０によって、所望の回転
速度で回転させる。 【０２０９】所望の膜厚の形成が行われた後、ＶＨＦ電
力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器３１１１
へのガス流入を止め、堆積膜の形成を終える。 【０２１０】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の感光層が形成される。 【０２１１】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていることはいうま
でもなく、また、それぞれのガスを反応容器３１１１
内、流出バルブ２２５１〜２２５６から反応容器３１１
１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ２２５１〜２２５６を閉じ、補助バルブ２２６０を
開き、さらにメインバルブ（不図示）を全開にして系内
を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。 【０２１２】上述のガス種およびバルブ操作は各々の層
の作成条件にしたがって変更が加えられることはいうま
でもない。 【０２１３】いずれの方法においても、堆積膜形成時の
支持体温度は、特に２００℃以上３５０℃以下、好まし
くは２３０℃以上３３０℃以下、より好ましくは２５０
℃以上３００℃以下が好ましい。 【０２１４】支持体の加熱方法は、真空仕様である発熱
体であればよく、より具体的にはシース状ヒータの巻き
付けヒータ、板状ヒータ、セラミックヒータ等の電気抵
抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射ラ
ンプ発熱体、液体、気体等を温媒とする熱交換手段によ
る発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質は、ステ
ンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、セラ
ミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用することができ
る。 【０２１５】それ以外にも、反応容器以外に加熱専用の
容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で支持体
を搬送する等の方法が用いられる。 【０２１６】また、特にＶＨＦ−ＰＣＶＤ法において、
放電空間の圧力として、好ましくは１ｍＴｏｒｒ以上５
００ｍＴｏｒｒ以下、より好ましくは３ｍＴｏｒｒ以上
３００ｍＴｏｒｒ以下、最も好ましくは５ｍＴｏｒｒ以
上１００ｍＴｏｒｒ以下に設定することが望ましい。 【０２１７】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法において放電空間に設
けられる電極の大きさおよび形状は、放電を乱さないな
らばいずれのものでもよいが、実用上は直径１ｍｍ以上
１０cm以下の円筒状が好ましい。このとき、電極の長さ
も、支持体に電界が均一にかかる長さであれば任意に設
定できる。 【０２１８】電極の材質としては、表面が導電性となる
ものならばいずれのものでも良く、例えば、ステレス、
Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔ
ｉ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｆｅ等の金属、これらの合金または表
面を導電処理したガラス、セラミック、プラスチック等
が通常使用される。 【０２１９】以上述べてきた内容を実施することによ
り、優れた効果を引き出すことが可能である。 【０２２０】図１０にその一例を示す。１００１は像担
持体である感光ドラムであり、矢印Ａの時計回りに所定
の周速度（プロセススピード）にて回転駆動されるドラ
ム型の電子写真感光体である。１００２は近接帯電部材
であり、電極１００２−１およびその帯電面に形成した
抵抗層１００２−２とからなる。近接帯電部材１００２
には急速加熱可能なセラミックヒータ１０１０を一体化
して配置してある。該セラミックヒータ１０１０は必要
なときだけ、通電加熱し、１００〜３００℃の高温で一
気に像担持体である感光ドラム１００１表面上の水分を
除去する。この際、帯電部材にも熱伝導がなされ、抵抗
層１００２−２を一気に除湿する。抵抗層１００２−２
の耐熱性は前記いずれのケースにおいても３００℃まで
は、経時変化を含めて問題ない。 【０２２１】電極１００２−１は、通常アルミニウム、
アルミニウム合金、真鍮、銅、鉄、ステンレス等の金属
や、樹脂、セラミック等の絶縁材料に導電処理、すなわ
ち、金属をコーティングしたり、導電性塗料を塗布した
りしたものを用いる。 【０２２２】抵抗層１００２−２の抵抗値は、ＨＩＯＫ
Ｉ社（メーカー）製のＭΩテスターで０．２５〜１ｋＶ
の印加電圧における測定にて、１×１０3 〜１×１０12
Ω・cmである。 【０２２３】像担持体１００１と接触帯電部材１００２
の最近接間隙は、像担持体１００１の両端に設けられた
段部１００４の厚さに等しく好適には５０〜５００μ
ｍ、さらに好ましくは１００〜３００μｍと極めて近い
距離に安定的に設定される必要がある。 【０２２４】１００３は帯電部材に対する電圧印加電源
であり、この電源１００３により帯電開始電圧の２倍以
上のピーク間電圧Ｖppを有する振動電圧Ｖacと直流電圧
Ｖdcとを重畳した重畳電圧（Ｖac＋Ｖdc）が帯電部材１
００２の電極１００２−１に印加されて、回転駆動され
ている感光ドラム１００１の表面（外周面）が均一に帯
電される。 【０２２５】さらに、画像信号に応じて強度変調される
レーザビーム１００５が走査されることによって該感光
ドラム１００１上に静電潜像が形成される。この静電潜
像は、現像剤が塗布された現像スリーブ１００６によっ
てトナー画像として顕画像化された後、このトナー画像
は、転写材１００７上に転写ローラ１００８を介して転
写される。転写残トナーは、クリーニングブレード１０
０９によって感光ドラム１００１上から除去され、一
方、トナー画像転写後の転写材１００７は、不図示の定
着装置によってトナー画像が定着された後、装置本体外
部に排出される。 【０２２６】以下、さらに具体的に数値を上げて、本発
明に係る画像形成装置について詳述する。ただし、本発
明は、以下の実施例に限定されるものではない。 （請求項１、２、４、６に対応する実施例）図２に示す
ＲＦ−ＰＣＶＤ法による画像形成装置用感光体の製造装
置を用い、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニ
ウムシリンダ上に、図１８に示す条件で電荷注入阻止
層、光導電層、表面層からなる感光体を作製した。さら
に、光導電層のＳｉＨ4 とＨ2 との混合比ならびに放電
電力を変えることによって、種々の感光体を作製した。 【０２２７】作製した感光体を画像形成装置（キヤノン
製ＮＰ６１５０をテスト用に改造）にセットして、帯電
能の温度依存性（温度特性）、メモリ並びに画像欠陥を
評価した。 【０２２８】温度特性は、感光体の温度を室温から約４
５℃まで変えて帯電能を測定し、このときの温度１℃当
たりの帯電能の変化を測定して、２Ｖ／ｄｅｇ以下を合
格と判定した。 【０２２９】また、メモリ、画像流れについては、画像
を目視により判定し、１：非常に良好、２：良好、３：
実用上問題なし、４：実用上やや難ありの４段階にラン
ク分けした。 【０２３０】一方、円筒形のサンプルホルダーに設置し
たガラス基板（コーニング社 ７０５９）並びにＳｉウ
エハー上に、光導電層の作製条件で膜厚約１μｍのａ−
Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌの串
型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エネル
ギ（Ｅｕ）と局在準位（状態）密度（ＤＯＳ）を測定
し、Ｓｉウエハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより含有水素
量を測定した。 【０２３１】このときのＥｕと温度特性との関係を図４
に、ＤＯＳとメモリ、画像流れとの関係を図５、図６に
示す。いずれのサンプルも水素含有量は１０〜３０原子
％の間であった。 【０２３２】図４、図５、および図６から明らかなよう
に、Ｅｕ＝５０〜６０ｍｅＶ、ＤＯＳ＝１×１０14〜１
×１０1 6cm-3
の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために必
要であることがわかった。 【０２３３】前記感光体の中から下記ａからｃを用い、
続いて、感光体両端の段部を、以下の条件で製作した。 【０２３４】感光体両端の段部および帯電部材の抵抗層
は、図１２に示したようなスプレー塗工手段により、テ
トラエトキシランＳｉ（ＯＣ 2 Ｈ5 ）4 、水、アルコー
ル、塩酸、酸化チタン導電材の混合液を塗布し、次い
で、４０〜９０度に加熱乾燥させ乾燥ゲル体とした。硬
化後に段部の厚さを１００μｍまで研磨加工を施した。 【０２３５】作製した、両端に段部を持つ感光体を図１
０に示したような画像形成装置にセットして、温度２３
℃、湿度６０％ＲＨの環境で１０万枚の耐刷試験を行
い、帯電能力の周方向むらについて初期と耐刷試験後を
評価した。帯電部材への印加電圧条件は、１．０ｋ
Ｖdc、３ｋＶpp、１２ｋＨｚであり、また、プロセスス
ピードは３００ｍｍ／sec で行った。 【０２３６】感光体の条件は、 ａ：Ｅｕは５１ｍｅＶ、ＤＯＳは９×１０15cm-3 ｂ：Ｅｕは５５ｍｅＶ、ＤＯＳは６×１０14cm-3 ｃ：Ｅｕは５９ｍｅＶ、ＤＯＳは１×１０16cm-3 結果を図１５に示す。耐刷試験前後において帯電能力の
周方向むらが変化しておらず良好な再現性を示している
ことがわかる。 【０２３７】図１５の結果はａに示された感光体を用い
た場合の結果であるが、他の像担持体についても同様な
良好な特性を示した。 〈実施例２〉次に、請求項１、２、４、６に対応する実
施例２を示す。 【０２３８】前述の図１に示す作製条件で得られたａ−
Ｓｉ感光体ｄ、ｅ、ｆを用い、感光体両端の段部を実施
例１と同様にスプレー塗工手段により形成した。硬化後
に最初に厚さが１ｍｍとなるように研磨加工を施し、そ
の後７００μｍ、５００μｍ、３００μｍ、１００μ
ｍ、５０μｍ、１０μｍと研磨により段部の厚さを変化
させそれぞれの厚さにおいて帯電特性を調べた。 【０２３９】周方向の帯電むらを最大値と最小値の差で
比較した。 【０２４０】 ◎：非常に良好 ；２０Ｖ未満 〇：良好 ；２０Ｖ以上３０Ｖ未満 △：実用上問題無し ；３０Ｖ以上４０Ｖ未満 ×：実用上やや難あり ；４０Ｖ以上 結果を図１９に示す。 【０２４１】このときの感光体の条件は、 ｄ：Ｅｕは５０ｍｅＶ、ＤＯＳは２×１０14cm-3 ｅ：Ｅｕは５８ｍｅＶ、ＤＯＳは８×１０15cm-3 ｆ：Ｅｕは５２ｍｅＶ、ＤＯＳは２×１０15cm-3 この結果より、段部としては５０μｍから５００μｍが
適していることがわかり、さらに好ましくは１００μｍ
から３００μｍが望ましいことがわかった。また、段部
の厚さが大きくなるにつれてオゾンの発生量が多くな
り、その点においても１０００μｍは実用上やや難あり
と判断した。 〈実施例３〉次に、請求項１、２、４、７に対応する実
施例３を示す。 【０２４２】図２に示す製造装置を用い、図２０に示す
作製条件で画像形成装置用感光体を作製した。このとき
の光導電層のＥｕとＤＯＳは、それぞれ５５ｍｅＶ、２
×１０15cm-3であった。 【０２４３】これに図１３に示したようなディッピング
塗工手段により、テトラメトキシシランＳｉ（ＯＣＨ
3 ）4 、チタンイソプロポキシドＴｉ（ＯＣ3 Ｈ7 ）
4 、水、アルコール、塩素、導電材料の混合液を該感光
体の両端に塗布する。次いで、４０〜９０度に加熱乾燥
させ乾燥ゲル体とし、硬化後に２００μｍまで研磨加工
を施した。 【０２４４】また、図２に示す製造装置を用い、ａ−Ｓ
ｉＨ薄膜を近接帯電部材の抵抗層として作製した。抵抗
は５×１０9 Ω・cmであった。帯電部材への印加電圧条
件は、０．８ｋＶdc、２ｋＶpp、６ｋＨｚ、またプロセ
ススピードは２５０ｍｍ／sec で行った。実施例１と同
様の評価をしたところ耐刷試験前後において良好な帯電
特性が得られ、良好な画像が得られた。 〈実施例４〉次に、請求項１、２、４、６に対応する実
施例４を示す。 【０２４５】図２示す画像形成装置用感光体の製造装置
を用い、図２１に示す作製条件で画像形成装置用感光体
を作製した。このときの光導電層のＥｕとＤＯＳは、そ
れぞれ５０ｍｅＶ、８×１０14cm-3であった。 【０２４６】これに図１４に示したような紡糸塗工手段
により、Ｚｒ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 、水、アルコール、塩
酸、導電材料の混合液を塗布する。 【０２４７】次いで、４０〜９０度に加熱乾燥させ乾燥
ゲル体とし、硬化後に１５０μｍまで研磨加工を施し
た。 【０２４８】帯電部材への印加電圧条件は、０．５ｋＶ
dc、２ｋＶpp、３ｋＨｚ、またプロセススピードは１０
０ｍｍ／sec で行った。実施例１と同様の評価をしたと
ころ耐刷試験前後において良好な帯電特性が得られ、良
好な画像が得られた。 〈実施例５〉次に、請求項１、２、４、５に対応する実
施例５を示す。 【０２４９】図２示す画像形成装置用感光体の製造装置
を用い、図２２に示す作製条件で画像形成装置用感光体
を作製した。このときの光導電層のＥｕとＤＯＳは、そ
れぞれ６０ｍｅＶ、５×１０15cm-3であった。 【０２５０】この感光体両端の段部を実施例１と同様に
スプレー塗工手段により形成し、硬化後に２５０μｍま
で研磨加工を施し、図２８（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、さらに周方向（被帯電面の移動方向）に沿って５本
／cmの間隔で細溝（溝部）１０３ａを形成した。帯電部
材への印加電圧条件は、０．６ｋＶdc、１．４ｋＶpp、
４ｋＨｚ、またプロセススピードは２５０ｍｍ／sec で
行った。 【０２５１】これに実施例１と同様の評価をしたところ
耐刷試験前後において良好な帯電特性が得られた。 〈実施例６〉次に、請求項１、３、４、６に対応する実
施例６を示す。 【０２５２】外径８０ｍｍ×長さ３５８ｍｍのアルミニ
ウムシリンダを基体とし、これにアルコキシメチル化ナ
イロンの５％メタノール溶液を浸漬法で塗布して、膜厚
１μｍの下引き層（中間層）を設けた。 【０２５３】次に、チタニルフタロシアニン顔料を１０
倍（重量部、以下同様）、ポリビニルブチラール８部、
およびシクロヘキサノン５０部を直径１ｍｍのガラスビ
ーズ１００部を用いたサンドミル装置で２０時間混合分
散した。この分散液にメチルエチルケント７０〜１２０
（適宜）部を加えて下引き層上に塗布し、１００℃で５
分間乾燥して０．２μｍの電荷発生層を形成させた。 【０２５４】次にこの電荷発生層の上に図２３に示す構
造式のスチリル化合物１０部とビスフェノールＺ型ポリ
カーボネート１０部をモノクロベンゼン６５部に溶解し
た。この溶液をディッピング法によって基体上に塗布
し、１２０℃で６０分間の熱風乾燥させて、２０μｍ厚
の電荷輸送層を形成させた。 【０２５５】次に、この電荷輸送層の上に以下の方法で
膜厚１．０μｍの保護層を設けた。 【０２５６】酸成分としてテレフタル酸を、またグリコ
ール成分としてエチレングリコールを用いて得られた高
融点ポリエチレンフタレート（Ａ）（極限粘度０．７０
ｄｌ／ｇ、融点２５８℃（示差熱測定器を用いて１０℃
／ｍｉｎの昇温速度で測定した。また、測定サンプルは
５ｍｇで、測定しようとするポリエステル樹脂を２８０
℃で溶融後、０℃の氷水で急冷して作成した。以下の実
施例について同じ）、ガラス点移転温度７０℃）１００
部とエポキシ樹脂（Ｂ）（エポキシ当量１６０；芳香族
エステルタイプ；商品名：エピコート１９０Ｐ（油化シ
ェルエポキシ社製））３０部とをフェノールとテトラク
ロロエタン（１：１）混合液１００ｍｌに溶解させた。
次いで、光重合開始剤としてトリフェニルフォニウムヘ
キサフルオロアンチモネート（Ｃ）３部を添加して樹脂
組成物溶液を調整した。 【０２５７】光の照射条件としては、２ｋＷ高圧水銀灯
（３０Ｗ／cm）を２０cm離した位置から１３０℃で８秒
間照射して硬化させた。 【０２５８】このようにして作製した感光ドラムの両端
に、実施例１と同様にして図１２に示したようなスプレ
ー塗工手段により、１５０μｍの段部を形成した。 【０２５９】また帯電部材の抵抗層は、図１３に示した
ようなディッピング塗工手段により、テトラメトキシシ
ランＳｉ（ＯＣＨ3 ）4 、チタンイソプロポキシドＴｉ
（ＯＣ3 Ｈ7 ）4 、水、アルコール、塩酸、導電材料の
混合液を該感光体の両端に塗布する。次いで、４０〜９
０度に加熱乾燥させ乾燥ゲル体とした。 【０２６０】帯電部材への印加電圧条件は、１．０ｋＶ
dc、３ｋＶpp、１２ｋＨｚ、またプロセススピードは３
００ｍｍ／sec で行った。 【０２６１】これに実施例１と同様の評価をしたところ
耐刷試験前後において良好な帯電特性が得られた。 〈実施例７〉図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による画像形
成装置用感光体の製造装置を用い、実施例１と同様に直
径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダ
（支持体）上に、図２４に示す条件で電荷注入阻止層、
光導電層、表面層からなる感光体を作製した。 【０２６２】さらに、光導電層のＳｉＨ4 とＨ2 との混
合比、放電電力、支持体温度並びに内圧を変えることに
より、種々の感光体を作製した。作製した感光体を画像
形成装置（キヤノン製ＮＰ６１５０をテスト用に改造）
にセットして、帯電能の温度依存性（温度特性）、ブラ
ンク露光メモリ並びにゴーストメモリを評価した。温度
特性並びにメモリの評価は実施例１と同様にした。さら
にハーフトーン画像の濃度むら（ガサツキ）をメモリと
同様、４段階のランク分けを行って評価した。 【０２６３】一方、光導電層の作製条件で、円筒形のサ
ンプルホルアに設置したガラス基板（コーニング社 ７
０５９）並びにＳｉウエハー上に膜厚約１μｍのａ−Ｓ
ｉ膜を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌの串型
電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エネルギ
（Ｅｕ）と局在準位密度（ＤＯＳ）を測定し、Ｓｉウエ
ハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより含有水素量並びにＳｉ
−Ｈ2 結合とＳｉ−Ｈ結合の吸収ピーク強度比を測定し
た。Ｅｕ、ＤＯＳと温度特性、メモリ、画像流れとの関
係は実施例１と同様であり、良好な電子写真特性のため
にはＥｕ＝５０〜６０ｍｅＶ、ＤＯＳ＝１×１０14〜１
×１０16cm-3のであることが必要であることがわかっ
た。さらに、図７に示すＳｉ−Ｈ2 ／Ｓｉ−Ｈと感度と
の関係からＳｉ−Ｈ2 ／Ｓｉ−Ｈ＝０．２〜０．５の範
囲にすることが必要であることがわかった。 【０２６４】この感光体内、Ｅｕ、ＤＯＳおよびＳｉ−
Ｈ2 ／Ｓｉ−Ｈが、それぞれ５４ｍｅＶ、８×１０14cm
-3、０．２９の感光体について、実施例１と同様の評価
をしたところ耐刷試験前後において良好な帯電特性が得
られた。 〈実施例８〉図３に示す画像形成装置用感光体の製造装
置を用い、図２５に示す作製条件で画像形成装置用感光
体を作製した。このときの光導電層のＥｕ、ＤＯＳおよ
びＳｉ−Ｈ2 ／Ｓｉ−Ｈは、それぞれ５３ｍｅＶ、５×
１０14cm-3、０．２９であった。作製した画像形成装置
用感光体の両端の段部を実施例１と同様にして１５０μ
ｍ形成し、実施例１と同様の評価をしたところ耐刷試験
前後において良好な帯電特性が得られた。 〈実施例９〉図３に示す画像形成装置用感光体の製造装
置を用い、図２６に示す作製条件で画像形成装置用感光
体を作製した。このときの光導電層のＥｕ、ＤＯＳおよ
びＳｉ−Ｈ2 ／Ｓｉ−Ｈは、それぞれ５６ｍｅＶ、１．
３×１０15cm-3、０．３８であった。作製した画像形成
装置用感光体の両端の段部を実施例１と同様にして１５
０μｍ形成し、実施例１と同様の評価をしたところ耐刷
試験前後において良好な帯電特性が得られた。 〈実施例１０〉図３に示す画像形成装置用感光体の製造
装置を用い、図２７に示す作製条件で画像形成装置用感
光体を作製した。このときの光導電層のＥｕ、ＤＯＳお
よびＳｉ−Ｈ2 ／Ｓｉ−Ｈは、それぞれ５９ｍｅＶ、３
×１０15cm-3、０．４５であった。作製した画像形成装
置用感光体の両端の段部を実施例１と同様にして１００
μｍ形成し、実施例１と同様の評価をしたところ耐刷試
験前後において良好な帯電特性が得られた。 【０２６５】 【発明の効果】以上説明したように、本発明は近接帯電
装置を用いた画像形成装置における帯電部材と像担持体
の間隙を規制する段部を該像担持体両端の画像形成に影
響しない部分（画像形成領域である被帯電面の両端部に
位置する非画像形成領域）に肉盛りして設けることによ
り、被帯電面の移動に伴う間隙の変動を抑制することが
でき、帯電むらを防止して、画像の濃度むらを解消する
ことができる。 【０２６６】さらに、帯電部材の抵抗層に無機抵抗層を
塗工、成膜、ないし熔射することにより耐久性の向上が
図れ、帯電部材と像担持体の接触による外傷も解消さ
れ、さらなる高耐久が実現可能となった。これにより画
質が低下が防止され、メンテナンスフリー化をさらに促
進することができる。 【０２６７】像担持体両端の段部は具体的には、ゾルゲ
ル法による強固で、かつ均一な金属酸化物皮膜によって
形成することができ、さらに例えば、段部形成後に段部
を研磨加工することにより該帯電部材と像担持体の間隙
を精度よく一定に保つことが可能となる。 【０２６８】像担持体両端の段部に被帯電面の移動方向
に沿った溝部（細溝）を形成することにより、像担持体
と帯電部材との摺察性を向上させることも効果的であっ
た。 【０２６９】さらに、段部を金属酸化物を母体とする材
料で構成するため、熱変動による硬度の変化が少ない。
そのため押圧力に対する間隙の変動が少なく、像担持体
には温度特性の良好なものが使用可能になり、さらなる
高画質が望めるようになった。
に電圧値が周期的に変化する電圧）を固定式の帯電部材
に印加することで被帯電面を帯電する帯電装置および画
像形成装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】 １．画像形成装置 画像形成装置は、従来の、原稿を複写するいわゆる複写
機のみらず、近年需要の伸びの著しいコンピュータ、ワ
ードプロセッサの出力手段としてのプリンタを加え広く
利用されている。こうしたプリンタについては、従来の
オフィスユースのみらず、パーソナルユースが増大した
ため、低コスト、メンテナンスフリーといった経済性が
重視される。 【０００３】さらに、エコロジーの観点から、両面コピ
ー、再生紙利用等の紙の消費量の低減、消費電力低減に
よる省エネルギー化、オゾン発生量低減による作業環境
改善などが、経済性と同様の重要度で求められている。 【０００４】従来の帯電方式の主流であったコロナ帯電
器は、５０〜１００μｍ程度の金属ワイヤに５〜１０ｋ
Ｖ程度の高電圧を印加し、雰囲気を電離し対向物に電荷
を付与する。その過程において、ワイヤ自身も汚れを吸
着するため、定期的な清掃、交換が必要となる。また、
コロナ放電に伴って、不要なオゾンが発生する。 【０００５】省エネルギーに関しては、感光体ヒータの
問題もある。近年使用される電子写真感光体は、耐刷枚
数の増大をはかるため表面硬度が高くなっており、繰り
返し使用に伴って、帯電器が発生するオゾンから派生さ
れたコロナ生成物の影響で感光体表面が湿度に敏感とな
り水分を吸着しやすくなる。この水分が感光体表面の電
化の横流れの原因となって、いわゆる画像流れといった
画像品質低下を引き起こす。 【０００６】このような画像流れを防止するために、実
公平１−３４２０５号公報に記載されているようなヒー
タによる加熱によって水分を除去する方法、特公平２−
３８９５６号公報に記載されているようなマグネットロ
ーラと磁性トナーとで形成されたブラシにより感光体表
面を摺察してコロナ生成物を取り除く方法、特開昭６１
−１００７８０号公報に記載されているような弾性ロー
ラによる感光体表面の摺察でコロナ生成物を取り除く方
法等が用いられてきた。しかしながら、感光体表面を摺
察する方法は、感光体が極めて硬度の高いアモルファス
シリコンで構成されている場合を除き耐刷枚数の低下を
招いてしまう。 【０００７】また、画像流れの原因となるオゾンは、画
像形成装置周囲で作業をする人にとって好ましいもので
はないため、従来からオゾン除去フィルタで分解して装
置本体外部に排出していた。特にパーソナルユースの場
合、排出オゾン量は極力低減しなければならない。この
ように経済面からも帯電時の発生オゾン量を大幅に低減
する方式が求められている。 【０００８】こうした状況から、新たな帯電部材、帯電
装置、画像形成装置としての発生オゾン発生量低減帯電
装置、除湿装置が求められている。 ２．帯電装置 前述の問題点を解決すべく、各種帯電装置が提案されて
いる。 【０００９】特開昭６３−２０８８７８号公報に記載さ
れているような、接触帯電は、電圧を印加した帯電部材
を被帯電体に当接させて被帯電面を所用の電位に帯電す
るもので、帯電装置として広く利用されているコロナ帯
電装置に比べ、第１に、被帯電面に所望の電位を得るの
に必要とされる印加電圧の低電圧化が図れること、第２
に、帯電過程で発生するオゾン量が極微量でありオゾン
除去フィルタの必要性がなくなること、そのため装置の
排気系の構成が簡素化されること、メンテナスフリーで
あること、第３に、帯電過程において発生したオゾンお
よびオゾン生成物が被帯電面である像担持体表面、例え
ば感光体表面に付着し、コロナ生成物の影響で感光体表
面が湿度に敏感となって水分を吸着し易くなり、表面の
低抵抗化による画像流れを防止するため、終日行われて
いる加熱ヒータによる除湿の必要性がなくなること、そ
のため夜間通電等の電力消費の大幅な低減が図れるこ
と、等の長所を有している。 【００１０】そこで例えば、電子記録装置（複写機、レ
ーザビームプリンタ）、静電記録装置等の画像形成装置
において、感光体、誘電体等の像担持体、その他の被帯
電体を帯電処理する手段としてコロナ放電装置に代わる
ものとして注目され、実用化もされている。 【００１１】従来、接触帯電手段としては、ブレード状
やシート状の固定式の帯電部材を被帯電体に当接させ、
これにバイアスを印加して帯電を行うものが周知であ
る。 【００１２】図８にその一実施態様を示す。８０１は像
担持体としての感光ドラムであり、矢印Ａの時計回りに
所定の周速度（プロセススピード）にて回転駆動される
ドラム型の電子写真感光体である。８０２は接触帯電部
材であり、電極８０２−１およびその帯電面に形成した
抵抗層８０２−２を備えている。 【００１３】電極８０２−１は、通常アルミニウム、ア
ルミニウム合金、真鍮、銅、鉄、ステンレス等の金属
や、樹脂、セラミック等の絶縁材料に導電処理、すなわ
ち、金属をコーティングしたり、導電性塗料を塗布した
りしたものを用いる。 【００１４】抵抗層８０２−２は、ポリプロピレン、ポ
リエチレン等の樹脂や、シリコンゴム、ウレタンゴム等
のエラストマーに、酸化チタン、炭素粉、金属粉等の導
電性フィラーを分散したものが一般的に用いられる。 【００１５】該抵抗層８０２−２の抵抗値は、ＨＩＯＫ
Ｉ社（メーカ−）製のＭΩテスターで０．２５〜１ｋＶ
の印加電圧における測定にて、１×１０3 〜１×１０12
Ω・cmとなる。 【００１６】８０３は帯電部材に対する電圧印加電源で
あり、この電源８０３によって重畳電圧、すなわち感光
ドラム８０１の帯電開始電圧の２倍以上のピーク間電圧
Ｖppを有する振動電圧Ｖacと直流電圧Ｖdcとを重畳した
重畳電圧（Ｖac＋Ｖdc）が帯電部材８０２の電極８０２
−１に印加されて、回転駆動されている感光ドラム８０
１の表面（外周面）が均一に帯電される。 【００１７】さらに、画像信号に応じて強度変調される
レーザビーム８０５が走査されることによって該感光ド
ラム８０１上に静電潜像が形成される。この静電潜像
は、現像剤が塗布された現像スリーブ８０６によって顕
画像化されてトナー画像となり、その後、転写材８０７
上に転写ローラ８０８を介して転写される。転写材８０
７に転写されないで、感光ドラム８０１表面に残った転
写残トナーは、クリーニングブレード８０９によって除
去される。一方、トナー画像転写後の転写材８０７は、
不図示の定着装置によって表面にトナー画像が定着され
た後、装置本体外部に出力される。 【００１８】しかしながらこの方式では、像担持体（感
光ドラム）と接触帯電部材とが直接に接触して、相互に
摩擦するため、長期の使用により接触帯電部材が摩耗
し、定期的な交換が必要となる。近年、画像形成装置に
広く用いられ始めたアモルファスシリコン感光体は半永
久的な寿命を有しており、接触帯電部材の交換は装置の
メンテナスフリーの障害となる問題であり、改善が強く
求められていた。 【００１９】その解決策として、接触帯電部材のさまざ
まな改善といった進み方の他に、近接帯電とも言うべ
き、像担持体と帯電部材が非接触で像担持体に電荷を付
与する方式が提案されている。 【００２０】図９にその一実施態様を示す。９０１は像
担持体である感光ドラムであり、矢印Ａの時計回りに所
定の周速度（プロセススピード）にて回転駆動されるド
ラム型の電子写真感光体である。９０２は近接帯電部材
であり、電極９０２−１およびその帯電面に形成した抵
抗層９０２−２とからなる。 【００２１】電極９０２−１は、通常アルミニウム、ア
ルミニウム合金、真鍮、銅、鉄、ステンレス等の金属
や、樹脂、セラミック等の絶縁材料に導電処理、すなわ
ち、金属をコーティングしたり、導電性塗料を塗布した
りしたものを用いる。 【００２２】抵抗層９０２−２は、ポリプロピレン、ポ
リエチレン等の樹脂や、シリコンゴム、ウレタンゴム等
のエラストマーに、酸化チタン、炭素粉、金属粉等の導
電性フィラーを分散したものが一般的に用いられる。 【００２３】該抵抗層９０２−２の抵抗値は、ＨＩＯＫ
Ｉ社（メーカー）製のＭΩテスターで０．２５〜１ｋＶ
の印加電圧における測定にて、１×１０3 〜１×１０12
Ω・cmとなる。 【００２４】感光ドラム９０１と接触帯電部材９０２と
の最近接間隙は５０〜５００μｍと極めて近い距離に安
定的に設定される必要がある。このため、感光ドラム９
０１の両端部にリング状のスペーサ９０４を介装し、こ
れに接触帯電部材９０２を当接させることにより、最近
接間隙を所定の値に設定するようにしている。 【００２５】９０３は帯電部材９０２に対する電圧印加
電源であり、この電源９０３により感光ドラム９０１の
帯電開始電圧の２倍以上のピーク間電圧Ｖppを有する振
動電圧Ｖacと直流電圧Ｖdcとを重畳した重畳電圧（Ｖac
＋Ｖdc）が帯電部材９０２の電極９０２−１に印加され
て、回転駆動されている感光ドラム９０１の表面が均一
に帯電される。 【００２６】さらに、画像信号に応じて強度変調される
レーザビーム９０５が走査されることによって該感光ド
ラム９０５上に静電潜像が形成される。この静電潜像
は、現像剤が塗布された現像スリーブ９０６によってト
ナー画像として顕像画化され、その後、トナー画像は、
転写材９０７上に転写ローラ９０８を介して転写され
る。転写残トナーは、クリーニングブレード９０９によ
って感光ドラム上から除去され、一方、転写材９０７
は、不図示の定着装置によってトナー画像が定着された
後、装置本体外部に排出される。 【００２７】前述方式により、像担持体と接触帯電部材
とが非接触となり機械的摩耗等の耐久劣化に対して格段
の向上が図られた。 ３．感光体 ［有機光導電体（ＯＰＣ）］電子写真感光体の光導電材
料として、近年種々の有機光導電材料の開発が進み、特
に電荷発生層と電荷輸送層を積層した機能分離型感光体
は既に実用化され複写機やレーザビームプリンタに搭載
されている。 【００２８】しかしながら、これらの感光体は一般的に
耐久性が低いことが１つの大きな欠点であるとされてき
た。耐久性としては、感度、残留電位、帯電能、画像ぼ
け等の電子写真物性面の耐久性及び摺察による感光体表
面の摩耗や引っ掻き傷等の機械的耐久性に大別され、い
ずれも感光体の寿命を決定する大きな要因となってい
る。 【００２９】このうち電子写真物性面の耐久性、特に画
像ぼけに関しては、コロナ帯電器から発生するオゾン、
ＮＯｘ等の活性物質によって、感光体表面層に含有され
る電荷輸送物質が劣化することが原因であることが知ら
れている。 【００３０】また、機械的耐久性に関しては、感光層に
対して紙、ブレードやローラ等のクリーニング部材、ト
ナー等が物理的に接触して摺察することが原因であるこ
とが知られている。 【００３１】電子写真物性面の耐久性を向上させるため
には、オゾン、ＯＮｘ等の活性物質によって劣化されに
くい電荷輸送物質を用いることが重要であり、酸化電位
の高い電荷輸送物質を選択することが知られている。ま
た、機械的耐久性を上げるためには、紙やクリーニング
部材による摺察に耐えるため、表面の潤滑性を上げ摩擦
を小さくすること、トナーのフィルミング融着等を防止
するために表面の離形成をよくすることが重要であり、
フッ素系樹脂粉体、フッ化黒鉛、ポリオレフィン系樹脂
粉体等の滑材を表面層に配合することが知られている。
しかしながら、摩耗が著しく小さくなるとオゾン、ＮＯ
ｘ等の活性物質により生成した吸湿性物質が感光体表面
に堆積し、その結果として表面抵抗が下がり、表面電荷
が横方向に移動し、いわゆる画像流れを生ずるという問
題があった。 ［アモルファスシリコン系感光体（ａ−Ｓｉ）］電子写
真において、感光体における感光層を形成する光導電材
料としては、高感度で、ＳＮ比［光電流（ＩP ）／暗電
流（Ｉd ）］が高く、照射する電磁波のスペクトル特性
に適合した吸収スペクトルを有すること、光応答性が早
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時において人体
に対して無害であること、等の特性が要求される。特
に、事務機としてオフィスで使用される画像形成装置内
に組み込まれる画像形成装置用感光体の場合には、上記
の、使用時における無公害性は重要な点である。 【００３２】このような点に優れた性質を示す光導電材
料に水素化アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：
Ｈ」という）があり、例えば、特公昭６０−３５０５９
号公報には画像形成装置用感光体としての応用が記載さ
れている。 【００３３】このような画像形成装置用感光体は、一般
的には、導電性支持体を５０℃〜４００℃に加熱し、該
支持体上に真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶ
Ｄ法等の成膜法によりａ−Ｓｉからなる光導電層を形成
する。なかでもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガス
を直流または高周波あるいはマイクロ波グロー放電によ
って分解し、支持体上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成する方法
が好適なものとして実用に付されている。 【００３４】また、特開昭５４−８３７４６号公報にお
いては、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素とし
て含むａ−Ｓｉ（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｘ」という）光導
電層からなる画像形成装置用感光体が提案されている。
当該公報においては、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１ない
し４０原子％含有させることにより、耐熱性が高く、画
像形成装置用感光体の光導電層として良好な電気的、光
学的特性を得ることができるとしている。 【００３５】また、特開昭５７−１１５５５６号公報に
は、ａ−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有する光導
電部材の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光
学的、光導電的特性および耐湿性等の使用環境特性、さ
らには経時的安定性について改善を図るため、シリコン
原子を母体としたアモルファス材料で構成された光導電
層上に、シリコン原子および炭素原子を含む非光導電性
のアモルファス材料で構成された表面障壁層を設ける技
術が記載されている。さらに、特開昭６０−６７９５１
号公報には、アモルファスシリコン、炭素、酸素および
フッ素を含有してなる透光絶縁性オーバーコート層を積
層する感光体についての技術が記載され、特開昭６２−
１６８１６１号公報には、表面層として、シリコン原子
と炭素原子と４１〜７０原子％の水素原子を構成要素と
して含む非晶質材料を用いる技術が記載されている。 【００３６】さらに、特開昭６０−６７９５１号公報に
は、アモルファスシリコン、炭素、酸素およびフッ素を
含有してなる透光絶縁性オーバーコート層を積層する感
光体についての技術が記載され、特開昭６２−１６８１
６１号公報には、表面層として、シリコン原子と炭素原
子と４１−７０原子％の水素原子を構成要素として含む
非晶質材料を用いる技術が記載されている。 【００３７】さらに、特開昭５７−１５８６５０号公報
には、水素を１０〜４０原子％含有し、赤外吸収スペク
トルの２１００cm-1と２０００cm-1の吸収ピークの吸収
係数比が０．２〜１．７であるａ−Ｓｉ：Ｈを光導電層
に用いることにより高感度で高抵抗な画像形成装置用感
光体が得られることが記載されている。 【００３８】一方、特開昭６０−９５５５１号公報に
は、アモルファスシリコン感光体の画像品質向上のため
に、感光体表面近傍の温度を３０〜４０℃に維持して帯
電、露光、現像および転写といった画像形成行程を行う
ことにより、感光体表面での水分の吸着による表面抵抗
の低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する技術
が開示されている。 【００３９】これらの技術により、画像形成装置用感光
体の電気的、光学的、光導電的特性および使用環境特性
が向上し、それに伴って画像品質も向上してきた。 ４．［環境対策ヒータ］前述感光体の高湿画像流れを防
止、除去するために、感光体内面に熱源を設けることが
周知であり、最も一般的なものは、面状ないし棒状の電
熱ヒータを円筒状感光体内面に配設している。 【００４０】 【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な電圧印加式の固定系近接帯電装置を像担持体の帯電手
段として利用した場合の問題点として、以下の点が挙げ
られる。 【００４１】像担持体と接触帯電部材の再近接間隙は５
０〜５００μｍと極めて近い距離に安定的に設定される
必要がある。像担持体は回転駆動しているのに対し、近
接帯電部材は固定系であるため、回転駆動に伴った間隔
の誤差が生じ易く、帯電むらの原因となっていた。この
帯電むらが、画像形成の際の画像濃度むらとして現われ
るという問題が生じる。 【００４２】このため、従来は固定系近接帯電部材の両
端に固定タイプのスペーサが用いられていた。このスペ
ーサは摺動性の良いＰＯＭ等の材料でできてはいるもの
の、数万枚の耐久を行うと像担持体との摺察で固定タイ
プのスペーサもしくは感光層そのものが摺減ってしまい
像担持体と帯電部材との距離が正確に保たれなくなって
しまうという問題を抱えていた。 【００４３】スペーサの耐久前後の様子を図１６
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す。同図（ａ）に耐久前の
スペーサの状態を、図１６（ｃ）には耐久後のスペーサ
の状態を示す。これらの図からも明らかなように、耐久
後ではスペーサは摺減ってしまい像担持体と帯電部材と
の間隔が正確に取れなくなくなることがわかる。 【００４４】さらに摺減が進行すると帯電部材が像担持
体表面に当たるようになり、像担持体表面に傷を発生さ
せた。 【００４５】像担持体が有機感光ドラム（ＯＰＣ）であ
る場合は感光ドラムそのものの摺減が、またアモルファ
スシリコン感光ドラム（ａ−Ｓｉ）の場合はスペーサ自
身の摺減が問題となり、有機感光ドラム（ＯＰＣ）より
耐久性のあるアモルファスシリコン感光ドラム（ａ−Ｓ
ｉ）では、この問題はさらに深刻なものになっていた。 【００４６】そこで、本発明は、上述の問題に鑑み、耐
久によっても、帯電部材と像担持体の間隔が変動しない
ようにした帯電装置および画像形成装置を提供すること
を目的とするものである。 【００４７】 【課題を解決するための手段】本発明は、上述事情に鑑
みてなされたものであって、像担持体の被帯電面に近接
させて配置した帯電部材に振動電圧を印加することによ
って前記被帯電面を帯電する帯電装置を備えた画像形成
装置において、前記像担持体は、画像形成領域である前
記被帯電面の両端部に位置する非画像形成領域に、肉盛
りによって形成した段部を有し、前記帯電部材は、前記
被帯電面に非接触状態で近接して対面する帯電面を有す
るとともに、該帯電面の両端部を前記段部に当接させる
ことによって、前記被帯電面との間の間隙を所定の値に
設定することを特徴とする。 【００４８】この場合、前記像担持体が、導電性支持体
と、シリコン原子を母体として水素原子とハロゲン原子
とのうちの少なくとも一方を含有する非結晶材料を含む
光導電層を有する光受容層とを備えた感光体であり、前
記光導電層が１０〜３０原子％の水素を含有し、少なく
とも光の入射する部分において、サブバンドギャップ光
吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネルギ
ーが５０〜６０ｍｅＶ、かつ局在状態密度が１×１０14
〜１×１０16cm-3であるようにしてもよい。 【００４９】また、前記像担持体を、導電性支持体と、
高融点ポリエステル樹脂、および硬化樹脂を含む電子写
真感光体とすることができる。 【００５０】さらに、前記像担持体の段部は、ゾルゲル
法により形成される金属酸化物を母体とするものであっ
てもよい。 【００５１】次に、前記像担持体の段部は、前記被帯電
面の移動方向に沿って形成された溝部を有するようにし
てもよい。 【００５２】次に、前記帯電部材は、前記帯電面に近接
する無機保護層を有し、該保護層がゾルゲル法により形
成される金属酸化物を母体とすることができる。 【００５３】次に、前記帯電部材は、前記帯電面に近接
する無機保護層を有し、該無機保護層が水素化アモルフ
ァスシリコンを母体とするものであってもよい。 【００５４】 【作用】以上構成に基づき、像担持体の被帯電面と帯電
部材の帯電面との間の間隙を設定する段部を、被帯電面
両端の非画像形成領域に肉盛りによって設けることによ
り、像担持体表面の移動に伴う間隔の変動が抑制され画
像濃度むらが解消される。 【００５５】被帯電面両端の段部は、具体的には、ゾル
ゲル法による強固で、かつ、均一な金属酸化物皮膜を構
成することができる。 【００５６】また、段差部分を金属酸化物を母体とする
材料で構成すると、熱変動による硬度の変化が少ない。
このため、押圧力に対する被帯電面−帯電面間の間隔の
変動が少なく像担持体に温度特性の良好なものの使用が
可能になり、さらなる高画質が望めるようになった。 【００５７】また、上述の段部に、被帯電面の移動方向
に沿った溝部を形成することにより、摺察性を向上させ
ることができる。 【００５８】さらに、帯電部材の無機保護層を、例えば
塗工、成膜、熔射等によって形成することにより、帯電
部材の耐久性の向上が図れ、帯電部材と像担持体との接
触による外傷も解消され、さらなる高耐久が実現でき
る。 【００５９】 【実施例】以下、図面に沿って、本発明の実施例につい
て説明する。 〈実施例１〉 ［像担持体の被帯電面両端の段部並びに帯電部材の抵抗
層の材料および塗工方法］図１（ａ）の帯電部材の側面
図、同図（ｂ）の同じく正面図において、１００は近接
帯電部材、１０１は近接帯電部材の支持体、１０２は近
接帯電部材の抵抗層、１０３は近接帯電部材と感光体と
の間隔を規制する段部、１０４は像担持体としての感光
体等の被帯電体である。 【００６０】近接帯電部材の支持体１０１は、通常、ア
ルミニウム、アルミニウム合金、真鍮、銅、鉄、ステン
レス等の金属や、樹脂、セラミック等の絶縁材料に導電
処理、すなわち、金属をコーティングしたり、導電性塗
料を塗布したりしたものを用いる。近接帯電部材１００
の抵抗層１０２は、無機抵抗層を塗工、成膜、または熔
射する。被帯電体（像担持体）１０４としては、従来の
ものと同じものでも良いが、必要に応じて後述する新規
な感光体を用いる。 ［ゾルゲル］前述の問題点を解決するための「ゾルゲル
法」により形成される有機金属化合物としては、「金属
アルコキシド」と「金属キレート」等を挙げることがで
き、さらに、金属キレートとしては、アセチルアセトナ
ートが好ましい。 【００６１】金属アルコキシドを含むゾル状高分子分散
液は、像担持体両端の画像形成に影響の無い部分（非画
像形成領域）、帯電部材の抵抗層に塗工され、次式、 Ｍ（ＯＲ）n ＋ｎＨ2 Ｏ→Ｍ（ＯＨ）n ＋ｎＲＯＨ （ＭはＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｂｅ等の金属、ＲはＣ
Ｈ3 、Ｃ2 Ｈ5 、Ｃ3 Ｈ7 等のアルキル基、ｎは金属の
酸化数）の反応によって加水分解し、さらに、次式 Ｍ（ＯＨ）n →ＭＯn ／２＋ｎ／２Ｈn Ｏ のごとく縮重合し、溶液中に−Ｍ−Ｏ−Ｍ−Ｏ−の結合
ができた骨格を持つ酸化物微粒子が生成しゲル化する。
これを加熱し、強固な金属酸化物皮膜を得る。 【００６２】一方、金属キレートを用いる方法として
は、アセチルアセトナート、水、アルコール、塩酸、お
よび導電材のゾル状高分子分散液混合液から金属酸化物
皮膜を得る方法があり、図１７に示す式で示される。 【００６３】ゾル状高分子分散液はスプレー塗工、ディ
ッピング塗工等、公知の塗工方法により、像担持体両端
の画像形成に影響の無い部分、帯電部材の抵抗層に塗工
される。さらに、均一な表面状態を形成させるのに有効
な手法として、ゾルゲル法において、チキソトロピーま
たはダイランシー等のレオロジー的性質を利用すること
が好ましい。 【００６４】本発明の図１３に示したようなディッピン
グ法においては前者のチキソトロピーを活用し、粘度の
低い状態でむらなく塗工した後、引き上げられ、溶液が
静止すると粘性が上昇し、今度は液ダレや凹部に入り込
んだ溶液がたれ落ちないような性質を利用する。 【００６５】図１２に、スプレー法による塗布手段を説
明する。 【００６６】同図において、１２０１は像担持体、１２
０２は塗布液ポット、１２０３は保持部材、１２０４は
スプレーノズル、１２０５はゾル状高分子分散液、１２
０６は攪拌モータ、１２０７は保持部材回転モータであ
る。 【００６７】同図において、攪拌モータ１２０６によ
り、塗布液ポット１２０２の中のゾル状高分子分散液１
２０５が攪拌されている。像担持体１２０１は保持部材
１２０３によりスプレーノズル１２０４の前に固定さ
れ、ゾル状高分子分散液１２０５が軸方向に往復動作す
るスプレーノズル１２０４から塗工され、像担持体１２
０１の両端部にゾル状高分子分散液塗布層を形成する。
これを加熱し、強固な金属酸化物皮膜を得る。 【００６８】図１３に、ディッピング法による塗布手段
を説明する。 【００６９】同図において、１３０１は像担持体、１３
０２は塗布ポット、１３０３は保持部材、１３０４は突
き上げシリンダ、１３０５はゾル状高分子分散液、１３
０６は攪拌機、１３０７は攪拌モータである。 【００７０】同図において、攪拌モータ１３０７により
攪拌機１３０６が回転し、塗布ポット１３０２の中のゾ
ル状高分子分散液１３０５が攪拌されている。像担持体
１３０１は保持部材１３０３により突き上げシリンダ１
３０４の上に固定され、ゾル状高分子分散液１３０５へ
端部を浸漬し、次に１０〜１０００ｍｍ／ｍｉｎの速度
で上昇させ像担持体１３０１の端部にゾル状高分子分散
液塗工層を形成する。これを加熱し、強固な金属酸化物
皮膜を得る。 【００７１】本発明の図１４に示したような紡糸巻き取
り法については後者のダイランシー特性を活用し、溶液
中に−Ｍ−Ｏ−Ｍ−Ｏ−の結合ができた骨格を持つ酸化
物微粒子が生成した粘度の高いゲル状紡糸を像担持体周
方向に配向させながら巻き付け、次いで静置することに
より粘度が低下し、膜厚むらの無い溶液膜が形成でき
る。 【００７２】図１４に、紡糸法による塗布手段を説明す
る。 【００７３】同図において、１４０１は像担持体、１４
０２は塗布液ポット、１４０３は像担持体１４０１の保
持部材、１４０４は紡糸ノズル、１４０５はゾル状高分
子分散液、１４０６は攪拌モータ、１４０７は回転モー
タである。 【００７４】同図において、攪拌モータ１４０６によ
り、塗布液ポット１４０２の中のゾル状高分子分散液１
４０５が攪拌されている。像担持体１４０１は保持部材
１４０３および回転モータ１４０７により紡糸ノゾル１
４０４の前で回転駆動され、ゾル状高分子分散液１４０
５が軸方向に所定の範囲だけ往復動作する紡糸ノゾル１
４０４から塗工され、像担持体１４０１の両端の表面に
ゾル状高分子分散液塗布層を形成する。これを加熱し、
強固な金属酸化物皮膜を得る。 【００７５】膜厚については、像担持体と接触帯電部材
の最近接間隙に対応するため５０〜５００μｍの範囲が
好ましく、さらには１００〜３００μｍが好ましい。 ［感光体」本発明に用いられる像担持体として、有機光
導電体（ＯＰＣ）とアモルファスシリコン系感光体（ａ
−Ｓｉ）があげられる。 ［有機光導電体（ＯＰＣ）］本発明に用いた好適な感光
体の一形態であるＯＰＣ感光体について以下に述べる。
図１１（ａ）〜（ｅ）は、本発明の画像形成装置用感光
体の層構成を説明するための模式的構成図である。 【００７６】同図（ｅ）に示す画像形成装置用ＯＰＣ感
光体１１００は、感光体用としての支持体１１０１の上
に、感光層（光導電層）１１０２が設けられている。該
感光層１１０２は電荷発生層１１０３、電荷輸送層１１
０４からなり、必要に応じて、保護層ないし表面層１１
０５、および支持体１１０１と電荷発生層１１０３の間
に中間層（不図示）を設けて構成されている。 【００７７】本発明に用いられるＯＰＣ感光体、すなわ
ち表面層、光導電層、必要に応じて設けられる中間層、
特にその表面層は、前述の塗工加工の熱硬化時のヒータ
からの高温輻射熱に耐え、かつ軟化しないことが必要で
ある。本出願人らは、高融点ポリエステル樹脂と硬化樹
脂との混成がそれぞれの樹脂成分の特性を相乗的に作用
させあい、こうした条件を満足することを見いだした。 【００７８】本発明の電子写真感光体の表面層、光導電
層、電荷輸送層および電荷発生層の形成に用いる樹脂成
分について説明する。 【００７９】上述のポリエステルとは酸成分とアルコー
ル成分との結合ポリマーであり、ジカルボン酸と、グリ
コールとの縮合あるいはヒドロキシ安息香酸のヒドロキ
シ基とカルボキシ基とを有する化合物の縮合によって得
られる重合体である。 【００８０】酸成分としてテレフタル酸、イソフタル
酸、ハンフタレンジカルホン酸等の芳香族ジカルボン
酸、コハク酸、アジピン酸、セバチン酸等の脂肪族ジカ
ルボン酸、ヘキサヒドロテレフタル酸等の脂環族ジカル
ボン酸、ヒドロキシエトキシ安息香酸等のオキシカルボ
ン酸等を用いることができる。 【００８１】グリコール成分としては、エチレングリコ
ール、トリメチレングリコール、テトラメチレングリコ
ール、ヘキサメチレングリコール、シクロヘキサンジメ
チロール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレング
リコール等を使用することができる。 【００８２】なお、前記ポリエステル樹脂が実質的に線
状である範囲でペンタエリスリトール、ロリメチロール
プロパン、ピロメリット酸およびこれらのエステル形成
誘導体等の多官能化合物を共重合させてもよい。 【００８３】本発明に用いるポリエステル樹脂として
は、高融点ポリエステル樹脂を用いる。 【００８４】高融点ポリエステル樹脂としては、オルソ
クロロフェノール中３６℃で測定した極限粘度が０．４
ｄ１／ｇ以上、好ましくは０．５ｄ１／ｇ以上、さらに
好ましくは０．６５ｄ１／ｇ以上のものが用いられる。 【００８５】好ましい高融点ポリエステル樹脂として
は、ポリアルキレンテレフタレート系樹脂が挙げられ
る。ポリアルキレンテレフタレート系樹脂は酸成分とし
て、テレフタール酸、グリコール成分として、アルキレ
ングリコールから主としてなるものである。 【００８６】その具体例としては、テレフタル酸成分と
エチレングリコール成分とから主としてなるポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）、テレフタル酸成分と１，
４−テトラメチレングリコール（１，４−ブチレングリ
コール）成分とから主としてなるポリブチレンテレフタ
レート（ＰＢＴ）、テフタル酸成分とシクロヘキサンジ
メチロール成分とから主としてなるポリシクロヘキシル
ジメチレンテレフタレート（ＰＣＴ）等をあげることが
できる。他の好ましい高分子量ポリエステル樹脂として
は、ポリアルキレンナフタレート系樹脂を例示できる。
ポリアルキレンナフタレート系樹脂は酸成分としてナフ
タレンジカルボン酸成分とグリコール成分としてアルキ
レングリコール成分とから主としてなるものであって、
その具体例としては、ナフタレンジカルボン酸成分とエ
チレングリコール成分とから主としてなるポリエチレン
ナフタレート（ＰＥＮ）等を挙げることができる。 【００８７】高融点ポリエステル樹脂としては、その融
点が好ましくは１６０℃以上、特に好ましくは２００℃
以上のものである。 【００８８】高融点ポリエステル樹脂は、高融点である
がゆえに結晶性が高い。 【００８９】この結果、硬化樹脂ポリマー鎖と高融点ポ
リマー鎖との相互の絡み合いが均一かつ密になって、高
耐久性の表面層を形成できるものと考えられる。低融点
ポリエステル樹脂の場合には、結晶性が低いので、硬化
樹脂ポリマー鎖との絡み合いの程度が大きいところと小
さいところとが生じ、耐久性が劣るものと考えられる。 ［アモルファスシリコン系感光体（ａ−Ｓｉ）］本発明
に用いた好適な感光体の一形態であるアモルファスシリ
コン感光体について以下に述べる。 【００９０】アモルファスシリコン感光体の光導電層の
キャリアの挙動に着目し、バンドギャップ内の局在状態
分布と帯電能の温度依存性や光メモリとの関係について
鋭意検討した結果、光導電層の少なくとも光の入射する
部分において、局在状態密度を一定範囲に制御すること
により上記目的を達成できるという知見を得た。すなわ
ち、シリコン原子を母体とし、水素原子および／または
ハロゲン原子（水素原子とハロゲン原子とのうちのうち
の少なくとも一方）を含有する非単結晶材料で構成され
た光導電層を有する感光体において、その層構造を特定
化するように設計されて作製された感光体は、実用上著
しく優れた特性を示すばかりでなく、従来の感光体と比
べてみてもあらゆる点において凌駕していること、特に
画像形成装置用の感光体として優れた特性を有している
ことを見出した。 【００９１】本発明の画像形成装置用感光体は、導電性
支持体と、シリコン原子を母体とする非単結晶材料から
なる光導電層を有する感光層とから構成され、光導電層
は１０〜３０原子％の水素を含み、光吸収スペクトルの
指数関数裾（アーバックテイル）の特性エネルギーが５
０〜６０ｍｅＶであって、かつ局在状態密度が１×１０
14〜１×１０16cm-3であることを特徴としている。 【００９２】上記したような構成をとるように設計され
た本発明の画像形成装置用感光体は、極めて優れた電気
的、光学的、光導電的特性、画像品質、耐久性および使
用環境特性を示す。 【００９３】一般的に、ａ−Ｓｉ：Ｈのバンドギャップ
内には、Ｓｉ−Ｓｉ結合の構造的な乱れに基づくテイル
（裾）準位と、Ｓｉの未結合手（ダングリングボンド）
等の構造欠陥に起因する深い準位が存在する。これらの
準位は電子、正孔の捕獲、再結合中心として働き素子の
特性を低下させる原因になることが知られている。 【００９４】このようなバンドギャップ中の局在準位の
状態を測定する方法として、一般に深準位分光法、等温
容量過渡分光法、光熱偏向分光法、一定光電流法等が用
いられている。中でも一定光電流法（Ｃｏｎｓｔａｎｔ
ＰｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔＭｅｔｈｏｄ、以下「ＣＰ
Ｍ」という）は、ａ−Ｓｉ：Ｈの局在準位に基づくサブ
ギャップ光吸収スペクトルを簡便に測定する方法として
有用である。 【００９５】本出願人らは、ＣＰＭによって測定された
光吸収スペクトルから求められる指数関数裾（アーバッ
クテイル）の特性エネルギ（以下「Ｅｕ」という）や局
在状態密度（以下「ＤＯＳ」という）と感光体特性との
相関を種々の条件にわって調べた結果、ＥｕおよびＤＯ
Ｓがａ−Ｓｉ感光体の温度特性や光メモリと密接な関係
にあることを見いだし、本発明を完成するに至った。 【００９６】ドラムヒータ等で感光体を加熱したときに
帯電能が低下する原因として、熱励起されたキャリアが
帯電時の電界に引かれてバンド裾の局在準位やバンドギ
ャップ内の深い局在準位への捕獲、放出を繰り返しなが
ら表面に走行し、表面電荷を打ち消してしまうことが挙
げられる。このとき、帯電器を通過する間に表面に到達
したキャリアについては帯電能の低下にはほとんど影響
がないが、深い準位に捕獲されたキャリアは、帯電器を
通過した後に表面へ到達して表面電荷を打ち消すために
温度特性として観測される。また、帯電器を通過した後
に熱励起されたキャリアも表面電荷を打ち消し帯電能の
低下を引き起こす。したがって、感光体の使用温度領域
における熱励起キャリアの生成を抑え、なおかつキャリ
アの走行性を向上させることが温度特性の向上のために
必要である。 【００９７】さらに、光メモリはブランク露光や像露光
によって生じた光キャリアがバンドギャップ内の局在準
位に捕獲され、光導電層内にキャリアが残留することに
よって生じる。すなわち、ある複写行程において生じた
光キャリアのうち光導電層内に残留したキャリアが、次
回の帯電時あるいはそれ以降に表面電荷による電界によ
って掃き出され、光の照射された部分の電位が他の部分
よりも低くなり、その結果画像上に濃淡が生じる。した
がって、光キャリアが光導電層内に残留することなく、
１回の複写行程で走行するように、キャリアの走行性を
改善しなければならない。 【００９８】したがって、本発明のごとくＥｕおよび特
定のエネルギ範囲のＤＯＳを制御することにより、熱励
起キャリアの生成が抑えられ、なおかつ熱励起キャリア
や光キャリアが局在準位に捕獲される割合を小さくする
ことができるために、キャリアの走行性が著しく改善さ
れる。その結果、感光体の使用温度領域での温度特性が
飛躍的に改善され、同時に光メモリの発生を抑制するこ
とができるために、感光体の使用環境に対する安定性が
向上し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の高い高
品質の画像を安定して得ることができる。 【００９９】以下、図面に従って本発明の光導電部材に
ついて詳細に説明する。 【０１００】図１１（ａ）〜（ｅ）は、本発明の画像形
成装置用感光体の層構成を説明するための模式的構成図
である。 【０１０１】図１１（ａ）に示す画像形成装置用感光体
１１００は、感光体用としての支持体１１０１の上に、
感光層１１０２が設けられている。該感光層１１０２は
ａ−Ｓｉ：Ｈ、Ｘからなり光導電性を有する光導電層１
１０３で構成されている。 【０１０２】図１１（ｂ）は、本発明の画像形成装置用
感光体の他の層構成を説明するための模式的構成図であ
る。同図に示す画像形成装置用感光体１１００は、感光
体用としての支持体１１０１の上に感光層１１０２が設
けられている。該感光層１１０２はａ−Ｓｉ：Ｈ、Ｘか
らなり光導電性を有する光導電層１１０３と、アモルフ
ァスシリコン系表面層１１０４とから構成されている。 【０１０３】図１１（ｃ）は、本発明の画像形成装置用
感光体の他の層構成を説明するための模式的構成図であ
る。同図に示す画像形成装置用感光体１１００は、感光
体用としての支持体１１０１の上に、感光層１１０２が
設けられている。該感光層１１０２は、ａ−Ｓｉ：Ｈ、
Ｘからなり光導電性を有する光導電層１１０３とアモル
ファスシリコン系表面層１１０４と、アモルファスシリ
コン系電荷注入阻止層１１０５から構成されている。 【０１０４】図１１（ｄ）は、本発明の画像形成装置用
感光体のさらに他の層構成を説明するための模式的構成
図である。同図に示す画像形成装置用感光体１１００
は、感光体用としての支持体１１０１の上に、感光層１
１０２が設けられている。該感光層１１０２は光導電層
１１０３を構成するａ−Ｓｉ：Ｈ、Ｘからなる電荷発生
層１１０６ならびに電荷輸送層１１０７と、アモルファ
スシリコン系表面層１１０４とから構成されている。 ［支持体］本発明において使用される支持体としては、
導電性でも電気絶縁性であってもよい。導電性支持体と
してはＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、
Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、およびこれらの
合金、例えば、ステンレス等が挙げられる。また、ポリ
エステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロー
スアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシ
ート、ガラス、セラミック等の電気絶縁性支持体の少な
くとも感光層を形成する側の表面を導電処理した支持体
も用いることができる。 【０１０５】本発明において使用される支持体１１０１
の形状は平滑表面あるいは凹凸表面の円筒状または板状
無端ベルト状であることができ、その厚さは、所望通り
の画像形成装置用感光体１１００を形成し得るように適
宜決定するが、画像形成装置用感光体１１００としての
可撓性が要求される場合には、支持体１１０１としての
機能が十分発揮できる範囲内で可能な限り薄くすること
ができる。しかしながら、支持体１１０１は製造上およ
び取り扱い上、機械的強度等の点から通常は１０μｍ以
上とされる。 【０１０６】特にレーザ光などの可干渉性光を用いて像
記録を行う場合には、可視画像において現われる、いわ
ゆる干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消する
ために、支持体１１０１の表面に凹凸を設けてもよい。
支持体１１０１の表面に設けられる凹凸は、特開昭６０
−１６９１５６号公報、同６０−１７８４５７号公報、
同６０−２２５８５４号公報等に記載された公知の方法
により形成される。 【０１０７】また、レーザ光などの可干渉光を用いた場
合の干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消する
別の方法として、支持体１１０１の表面に複数の球状痕
跡窪みによる凹凸形状を設けてもよい。すなわち、支持
体１１０１の表面が画像形成装置用感光体１１００に要
求される解像力よりも微小な凹凸を有し、しかも該凹凸
は、複数の球状痕跡窪みによるものである。支持体１１
０１の表面に設けられる複数の球状痕跡窪みによる凹凸
は、特開昭６１−２３１５６１号公報に記載された公知
の方法により形成される。 ［光導電層］本発明において、その目的を効果的に達成
するために支持体１１０１上に形成され、感光層１１０
２の一部を構成する光導電層１１０３は真空堆積膜形成
方法によって、所望特性が得られるように適宜成膜パラ
メータの数値条件が設定されて作成される。具体的に
は、例えばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶ
Ｄ法またはマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、
あるいは直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真
空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱Ｃ
ＶＤ法などの数々の薄膜堆積法によって形成することが
できる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投
資下の負荷程度、製造規模、作製される画像形成装置用
感光体に所望される特性等の要因によって適宜選択され
て採用されるが、所望の特性を有する画像形成装置用感
光体を製造するに当たっての条件の制御が比較的容易で
あることからしてグロー放電法、特にＲＦ帯またはＶＨ
Ｆ帯の電源周波数を用いた高周波グロー放電法が好適で
ある。 【０１０８】グロー放電法によって光導電層１１０３を
形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給
し得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給
し得るＨ供給用の原料ガスまたは／およびハロゲン原子
（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部が減圧
にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該反
応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位
置に設置されてある所定の支持体１１０１上にａ−Ｓ
ｉ：Ｈ、Ｘからなる層を形成すればよい。 【０１０９】また、本発明において光導電層１１０３中
に水素原子または／およびハロゲン原子が含有されるこ
とが必要である。これはシリコン原子の未結合手を補償
し、層品質の向上、特に光導電性および電荷保持特性を
向上させるために必須不可欠であるからである。よっ
て、水素原子またはハロゲン電子の含有量、または水素
原子とハロゲン原子の和の量はシリコン原子と水素原子
または／およびハロゲン原子の和に対して１０〜３０原
子％、より好ましくは１５〜２５原子％とされるのが望
ましい。 【０１１０】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ4、Ｓｉ2 Ｈ6 、Ｓｉ3
Ｈ8 、Ｓｉ4 Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得
る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、さらに層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給
効率の良さ等の点でＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 が好ましいも
のとして挙げられる。 【０１１１】そして、形成される光導電層１１０３中に
水素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御
が一層容易になるように図り、本発明の目的を達成する
膜特性を得るために、これらのガスにさらにＨ2 および
／またはＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物のガス
も所望量混合して層形成することが必要である。また、
各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合し
ても差し支えないものである。 【０１１２】また、本発明において使用されるハロゲン
原子供給用の原料ガスとして有効なのは、例えばハロゲ
ンガス、ハロゲン化物、ハロゲンを含むハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状のま
たはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げれられ
る。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構
成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原
子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げるこ
とができる。本発明において好適に使用し得るセルハロ
ゲン化合物としては、具体的にはフッ素ガス（Ｆ2 ）、
ＢｒＦ、Ｃ１Ｆ、Ｃ１Ｆ3 、ＢｒＦ3 、ＢｒＦ5 、ＩＦ
3 、ＩＦ7 等のハロゲン間化合物を挙げることができ
る。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン
原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、
例えばＳｉＦ4 、Ｓｉ2 Ｆ6 等のフッ化珪素が好ましい
ものとして挙げることができる。 【０１１３】光導電層１１０３中に含有される水素原子
または／およびハロゲン原子の量を制御するには、例え
ば、支持体１１０１の温度、水素原子または／およびハ
ロゲン原子を含有させるために使用される原料物質の反
応容器内へ導入する量、放電電力等を制御すればよい。 【０１１４】本発明においては、光導電層１１０３には
必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが
好ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層１１０３
中に万遍なく均一に分布した状態で含有されてもよい
し、あるいは層厚方向に不均一な分布状態で含有してい
る部分があってもよい。 【０１１５】前記伝導性を制御する原子としては、半導
体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、
ｐ型伝導性を与える周期律表III ｂ族に属する原子（以
下「第III ｂ族原子」という）またはｎ型伝導性特性を
与える周期律表Ｖｂ族に属する原子（以下「第Ｖｂ族原
子」という）を用いることができる。 【０１１６】第III ｂ族原子としては、具体的には、硼
素（Ｂ）、アルミニウム（Ａ１）、ガリウム（Ｇａ）、
インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔ１）等があり、特に
Ｂ、Ａ１、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的に燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。 【０１１７】光導電層１１０３に含有される伝導性を制
御する原子の含有量としては、好ましくは１×１０-2〜
１×１０4 原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０-2〜５
×１０3 原子ｐｐｍ、最適には１×１０-1〜１×１０3
原子ｐｐｍとされるのが望ましい。 【０１１８】伝導性を制御する原子、例えば、第III ｂ
族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するには、
層形成の際に、第III ｂ族原子導入用の原料物質あるい
は第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器
中に、光導電層１１０３を形成するための他のガスとと
もに導入してやればよい。第III ｂ族原子導入用の原料
物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得る
ものとしては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも
層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるの
が望ましい。 【０１１９】そのような第III ｂ族原子導入用の原料物
質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ2 Ｈ
6 、Ｂ4 Ｈ10、Ｂ5 Ｈ9 、Ｂ5 Ｈ11、Ｂ6 Ｈ10等の水素
化硼素、ＢＦ3 、ＢＣｌ3 、ＢＢｒ3 等のハロゲン化硼
素等が挙げられる。 【０１２０】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質としては有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ3 、
Ｐ2 Ｈ4 等の水素化燐、ＰＦ3 、ＰＦ5 、ＰＣｌ3 、Ｐ
Ｃｌ5 、ＰＢｒ3 等のハロゲン化燐が挙げられる。この
他、ＡｓＨ3 、ＡｓＦ3 、ＡｓＣｌ3 、ＡｓＦ5 、Ｓｂ
Ｈ3 、ＳｂＦ5 等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有
効なものとして挙げることができる。 【０１２１】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ2 および／またはＨｅに
より希釈して使用してもよい。 【０１２２】さらに本発明においては、光導電層１１０
３に炭素元素および／または酸素原子および／または窒
素原子を含有させることも有効である。炭素原子および
／または酸素原子および／または窒素原子の含有量はシ
リコン原子、炭素原子、酸素原子および窒素原子の和に
対して好ましくは１×１０-5〜１０原子％、より好まし
くは１×１０-4〜８原子％、最適には１×１０-3〜５原
子％が望ましい。炭素原子および／または酸素原子およ
び／または窒素原子は、光導電層中に万遍なく均一に含
有されてもよいし、光導電層の層厚方向に含有量が変化
するような不均一な分布をもたせた部分があってもよ
い。 【０１２３】本発明においては、光導電層１１０３の層
厚は所望の電子写真特性が得られることおよび経済的効
果等の点から適宜所望にしたがって決定され、好ましく
は２０〜５０μｍ、より好ましくは２３〜４５μｍ、最
適には２５〜４０μｍとされるのが望ましい。 【０１２４】本発明の目的を達成し、所望の膜特性を有
する光導電層１１０３を形成するにはＳｉ供給用のガス
と希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力
ならびに支持体温度を適宜設定することが必要である。 【０１２５】希釈ガスとして使用するＨ2 および／また
はＨｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選
択されるが、Ｓｉ供給用のガスに対しＨ2 および／また
はＨｅを、通常の場合３〜２０倍、好ましくは４〜１５
倍、最適には５〜１０倍の範囲に制御することが望まし
い。 【０１２６】反応容器内のガス圧も同様に層設定にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１
０-4〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１０-4〜５Ｔｏｒ
ｒ、最適には１×１０-3〜１Ｔｏｒｒとするのが好まし
い。 【０１２７】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
に対する放電電力を、通常の場合２〜７倍、好ましくは
２．５〜６倍、最適には３〜５倍の範囲に設定すること
が望ましい。 【０１２８】さらに、支持体１１０１の温度は、層設計
にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場
合、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３
０〜３３０℃、最適には２５０〜３１０℃とするのが望
ましい。 【０１２９】本発明においては、光導電層を形成するた
めの支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記
した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に
決められるものではなく、所望の特性を有する感光体を
形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて最適値を
決めるのが望ましい。 ［表面層］本発明においては、上述のようにして支持体
１１０１上に形成された光導電層１１０３の上に、さら
にアモルファスシリコン系の表面層１１０４を形成する
ことが好ましい。この表面層１１０４は自由表面１１０
６ａ（図１１（ｂ）参照）を有し、主に耐湿性、連続繰
り返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性
において本発明の目的を達成するために設けられる。 【０１３０】また、本発明においては、感光層１１０２
を構成する光導電層１１０３と表面層１１０４とを形成
する非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成
要素を有しているので、積層界面において化学的な安定
性の確保が十分なされている。 【０１３１】表面層１１０４は、アモルファスシリコン
系の材料であればいずれの材質でも可能であるが、例え
ば、水素原子（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）
を含有し、さらに炭素原子を含有するアモルファスシリ
コン（以下「ａ−ＳｉＣ：Ｈ、Ｘ」をという）、水素原
子（Ｈ）および／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、
さらに酸素原子を含有するアモルファスシリコン（以下
「ａ−ＳｉＯ：Ｈ、Ｘ」という）、水素原子（Ｈ）およ
び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに窒素原
子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ
Ｎ：Ｈ、Ｘ」という）、水素原子（Ｈ）および／または
ハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに炭素原子、酸素原
子、窒素原子の少なくとも一つを含有するアモルファス
シリコン（以下「ａ−Ｓｉ（Ｃ、Ｏ、Ｎ）：Ｈ、Ｘ」と
いう）等の材料が好適に用いられる。 【０１３２】本発明において、その目的を効果的に達成
するために、表面層１１０４は真空堆積膜形成方法によ
って、所望特性が得られるように適宜成膜パラメータの
数値条件が設定されて作製される。具体的には、例えば
グロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法または
マイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直
流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、
イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法など
の数々の薄膜堆積法によって形成することができる。こ
れらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷
程度、製造規模、作製される画像形成装置用感光体に所
望される特性等の要因によって適宜選択されて採用され
るが、感光体の生産性から光導電層と同等の堆積法によ
ることが好ましい。 【０１３３】例えば、グロー放電法によってａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ、Ｘよりなる表面層１１０４を形成するには、基
本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用
の原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の
原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原
料ガスまたは／およびハロゲン原子（Ｘ）を供給し得る
Ｘ供給用の原料ガスを、内部を減圧し得る反応容器内に
所望のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電
を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置された光導電
層１１０３を形成した支持体１１０１上にａ−ＳｉＣ：
Ｈ、Ｘからなる層を形成すればよい。 【０１３４】本発明においては用いる表面層の材質とし
てはシリコンを含有するアモルファス材料ならばいずれ
でもよいが、炭素、窒素、酸素より選ばれた元素を少な
くとも１つ含むシリコン原子との化合物が好ましく、特
にａ−ＳｉＣを主成分としたものが好ましい。 【０１３５】表面層をａ−ＳｉＣを主成分として構成す
る場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子の和に対し
て３０％から９０％の範囲が好ましい。 【０１３６】また、本発明において表面層１１０４中に
水素原子または／ハロゲン原子が含有されることが必要
であるが、これはシリコン原子の未結合手を補償し、層
品質の向上、特に光導電性特性および電荷保持特性を向
上させるために必須不可欠である。水素含有量は、構成
原子の総量に対して通常の場合３０〜７０原子％、好適
には３５〜６５原子％、最適には４０〜６０原子％とす
るのが望ましい。また、フッ素原子の含有量として、通
常の場合は０．０１〜１５原子％、好適には０．１〜１
０原子％、最適には０．６〜４原子％とされるのが望ま
しい。 【０１３７】これらの水素および／またはフッ素含有量
の範囲内で形成される感光体は、実際面において従来に
ない格段に優れたものとして充分適用され得るものであ
る。すなわち、表面層内に存在する欠陥（主にシリコン
原子や炭素原子のダングリングボンド）は画像形成装置
用感光体としての特性に悪影響を及ぼすことが知られて
いる。例えば、自由表面からの電荷の注入による帯電特
性の劣化、使用環境、例えば高い湿度のもとで表面構造
が変化することによる帯電特性の変動、さらにコロナ帯
電時や光照射時に光導電層により表面層に電荷が注入さ
れ、前記表面層内の欠陥に電荷がトラップされることに
より繰り返し使用時の残像現象の発生等がこの悪影響と
して挙げられる。 【０１３８】しかしながら、表面層内の水素含有量を３
０原子％以上に制御することで表面層内の欠陥が大幅に
減少し、その結果、従来に比べて電気的特性面および高
速連続使用性において飛躍的な向上を図ることができ
る。 【０１３９】一方、前記表面層中の水素含有量が７１原
子％以上になると表面層の硬度が低下するために、繰り
返し使用に耐えられなくなる。したがって、表面層中の
水素含有量を前記の範囲内に制御することが格段に優れ
た所望の電子特性を得る上で非常に重要な因子の一つで
ある。表面層中の水素現有量は、Ｈ2 ガスの流量、支持
体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御し得る。 【０１４０】また、表面層中のフッ素含有量を０．０１
原子％以上の範囲に制御することで表面層内のシリコン
原子と炭素原子との結合の発生をより効果的に達成する
ことが可能となる。さらに、表面層中のフッ素原子の働
きとして、コロナ等のダメージによるシリコン原子と炭
素原子との結合の切断を効果的に防止することができ
る。 【０１４１】一方、表面層中のフッ素含有量が１５原子
％を超えると表面層内のシリコン原子と炭素原子の結合
の発生の効果およびコロナ等のダメージによるシリコン
原子と炭素原子との結合の切断を防止する効果がほとん
ど認められなくなる。さらに、過剰のフッ素原子が表面
層中のキャリアの走行性を阻害するため、残留電位や画
像メモリが顕著に認められてくる。 【０１４２】したがって、表面層中のフッ素含有量を前
記範囲内に制御することが所望の電子写真特性を得る上
で重要な因子の一つである。表面層中のフッ素含有量
は、水素含有量と同様にＨ2 ガスの流量、支持体温度、
放電パワー、ガス圧等によって制御し得る。 【０１４３】本発明の表面層の形成において使用される
シリコン（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、
ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、Ｓｉ3 Ｈ8 、Ｓｉ4 Ｈ10等のガ
ス状態の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）
が有効に使用されるものとして挙げられ、さらに層作製
時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ
4 、Ｓｉ2 Ｈ6 が好ましいものとして挙げられる。ま
た、こられらのＳｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ
2 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用して
もよい。 【０１４４】炭素供給ガスとなり得る物質としてはＣＨ
4 、Ｃ2 Ｈ6 、Ｃ3 Ｈ8 、Ｃ4 Ｈ10等のガス状態の、ま
たはガス化し得る炭素水素が有効に使用されるものとし
て挙げられ、さらに層作成時の取り扱い易さ、Ｃ供給効
率の良さ等の点でＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ6 が好ましいものとし
て挙げられる。また、これらのＣ供給用の原料ガスを必
要に応じてＨ2 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈
して使用してもよい。 【０１４５】窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質
としては、ＮＨ3 、ＮＯ、Ｎ2 Ｏ、ＮＯ2 、Ｈ2 Ｏ、Ｏ
2 、ＣＯ、ＣＯ2 、Ｎ2 等のガス状態の、またはガス化
し得る化合物が有効に使用されるものとして挙げられ
る。また、これらの窒素、酸素供給用の原料ガスを必要
に応じてＨ2 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈し
て使用してもよい。 【０１４６】また、形成される表面層１１０４中に導入
される水素原子の導入割合の制御を一層容易になるよう
に図るために、これらのガスにさらに水素ガスまたは水
素原子を含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成
することが好ましい。また、各ガスは単独種のみでなく
所定の混合比で複数種混合しても差し支えないものであ
る。 【０１４７】ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効
なのは、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン
を含むハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン
誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化合物
が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原子と
ハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス化
し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効な
ものとして挙げることができる。本発明において好適に
使用し得るハロゲン化合物としては、具体的にはフッ素
ガス（Ｆ2 ）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ3 、ＢｒＦ3 、
ＢｒＦ5 、ＩＦ3 、ＩＦ7 等のハロゲン間化合物を挙げ
ることができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわ
ゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、
具体的には、例えば、ＳｉＦ4 、Ｓｉ2 Ｆ6 等のふっ化
珪素が好ましいものとして挙げることができる。 【０１４８】表面層１１０４中に含有される水素原子ま
たは／およびハロゲン原子の量を制御するには、例え
ば、支持体１１０１の温度、水素原子または／およびハ
ロゲン原子を含有させるために使用される原料物質の反
応容器内へ導入する量、放電電力等を制御すればよい。 【０１４９】炭素原子および／または酸素原子および／
または窒素原子は、表面層中に万遍なく均一に含有され
てもよいし、表面層の層厚方向に含有量が変化するよう
な不均一な分布をもたせた部分があっても良い。 【０１５０】さらに、本発明においては、表面層１１０
４には必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させる
ことが好ましい。伝導性を制御する原子は、表面層１１
０４中に万遍なく均一に分布した状態で含有されてもよ
いし、あるいは層厚方向に不均一な分布した状態で含有
している部分があってもよい。 【０１５１】前記の伝導性を制御する原子としては、前
述の半導体分野における、いわゆる不純物を挙げること
ができる。 【０１５２】表面層１０４に含有される伝導性を制御す
る原子の含有量としては、好ましくは１×１０-3〜１×
１０3 原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０-2〜５×１
０2原子ｐｐｍ、最適には１×１０-1〜１×１０2 原子
ｐｐｍとされるのが望ましい。 【０１５３】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ2 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等
のガスにより希釈して使用してもよい。 【０１５４】本発明における表面層１１０４の層厚とし
ては、通常０．０１〜３μｍ、好適には０．０５〜２μ
ｍ、最適には０．１〜１μｍとされるのが望ましいもの
である。層厚が０．０１μｍよりも薄いと感光体を使用
中に摩耗等の理由により表面層が失われてしまい、３μ
ｍを超えると残留電位の増加等の電子写真特性の低下が
みられる。 【０１５５】本発明による表面層１１０４は、その要求
される特性が所望通りに与えられるように注意深く形成
される。すなわち、Ｓｉ、Ｃおよび／またはＮおよび／
またはＯ、Ｈおよび／またはＸを構成要素とする物質は
その形成条件によって構造的には結晶からアモルファス
までの形態を取り、電気物性的には導電性から半導体
性、絶縁性までの間の性質を、また、光導電的性質から
非導電的性質までの間の性質を各々示すので、本発明に
おいては、目的に応じた所望の特性を有する化合物が形
成されるように、所望に従ってその形成条件の選択が厳
密になされる。 【０１５６】例えば、表面層１１０４を耐圧性の向上を
主な目的として設けるには、使用環境において電気絶縁
性的挙動の顕著な非単結晶材料として作製される。 【０１５７】また、連続繰り返し使用特性や使用環境特
性の向上を主たる目的として表面層１１０４が設けられ
る場合には、上記の電気絶縁性の度合いはある程度緩和
され、照射される光に対してある程度の感度を有する非
単結晶材料として形成される。 【０１５８】本発明の目的を達成し得る特性を有する表
面層１１０４を形成するには、支持体１１０１の温度、
反応容器内のガス圧を所望に従って、適宜設定する必要
がある。 【０１５９】支持体１１０１の温度（Ｔｓ）は、層設計
に従って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好
ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３
３０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望まし
い。 【０１６０】反応容器内のガス圧も同様に層設計に従っ
て適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ましく
は１×１０-4〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×１０
-4〜５Ｔｏｒｒ、最適には１×１０-3〜１Ｔｏｒｒとす
るのが好ましい。 【０１６１】本発明においては、表面層を形成するため
の支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記し
た範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に決
められるものではなく、所望の特性を有する感光体を形
成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて最適値を決
めるのが望ましい。 【０１６２】さらに、本発明においては、光導電層と表
面層の間に、炭素原子、酸素原子、窒素原子の含有量を
表面層より減らしたブロッキング層（下部表面層）を設
けることも帯電能等の特性をさらに向上させるためには
有効である。 【０１６３】また、表面層１１０４と光導電層１１０３
との間に炭素原子および／または酸素原子および／また
は窒素原子の含有量が光導電層１１０３に向かって減少
するように変化する領域を設けてもよい。これにより表
面層と光導電層の密着性を向上させ、界面での光の反射
による干渉の影響をより少なくすることができる。 ［電荷注入阻止層］本発明の画像形成装置用感光体にお
いては、導電性支持体と光導電層との間に、導電性支持
体側からの電荷の注入を阻止する働きのある電荷注入阻
止層を設けるのが一層効果的である。すなわち、電荷注
入阻止層は感光層が一定極性の帯電処理をその自由表面
に受けた際、支持体側より光導電層側に電荷が注入され
るのを阻止する機能を有し、逆の極性の帯電処理を受け
た際にはそのような機能は発揮されない、いわゆる極性
依存性を有している。そのような機能を付与するため
に、電荷注入阻止層には伝導性を制御する原子を光導電
層に比べ比較的多く含有させる。 【０１６４】該層に含有される伝導性を制御する原子
は、該層中に万遍なく均一に分布されてもよいし、ある
いは層厚方向に万遍なく含有されてはいるが、不均一に
分布する状態で含有している部分があってもよい。分布
濃度が不均一な場合には、支持体側に多く分布するよう
に含有させるのが好適である。 【０１６５】しかしながら、いずれの場合にも支持体の
表面と平行面内方向においては、均一な分布で万遍なく
含有されることが面内方向における特性の均一化を図る
点からも必要である。 【０１６６】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する原子としては、前述の半導体分野における、いわゆ
る不純物を挙げることができる。 【０１６７】本発明において電荷注入阻止層中に含有さ
れる伝導性を制御する原子の含有量としては、本発明の
目的が効果的に達成できるように所望のしたがって適宜
決定されるが、好ましくは１０〜１×１０4 原子ｐｐ
ｍ、より好適には５０〜５×１０3 原子ｐｐｍ、最適に
は１×１０2 〜１×１０3 原子ｐｐｍとされるのが望ま
しい。 【０１６８】さらに、電荷注入阻止層には、炭素原子、
窒素原子および酸素原子の少なくとも一種を含有させる
ことによって、該電荷注入阻止層に直接接触して設けら
れる他の層との間の密着性の向上をより一層図ることが
できる。 【０１６９】該層に含有される炭素原子または窒素原子
または酸素原子は該層中に万遍なく均一に分布されても
よいし、あるいは層厚方向には万遍なく含有されてはい
るが、不均一に分布する状態で含有している部分があっ
てもよい。しかしながら、いずれの場合にも支持体の表
面と平行面内方向においては、均一な分布で万遍なく含
有されることが面内方向における特性の均一化を図る点
からも必要である。 【０１７０】本発明における電荷注入阻止層の全層領域
に含有される炭素原子および／または窒素原子および／
または酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果的には
達成されるように適宜決定されるが、一種の場合はその
量として、二種以上の場合はその総和として、好ましく
は１×１０-3〜５０原子％、より好適には５×１０-3〜
３０原子％、最適には１×１０-2〜１０原子％とされる
のが望ましい。 【０１７１】また、本発明における電荷注入阻止層に含
有される水素原子および／またはハロゲン原子は層内に
存在する未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。
電荷注入阻止層中の水素原子またはハロゲン原子あるい
は水素原子とハロゲン原子の和の含有量は、好適には１
〜５０原子％、より好適には５〜４０原子％、最適には
１０〜３０原子％とするのが望ましい。 【０１７２】本発明においては、電荷注入阻止層の層厚
は所望の電子写真特性が得られること、および経済的効
果等の点から好ましくは０．１〜５μｍ、より好ましく
は０．３〜４μｍ、最適には０．５〜３μｍとされるの
が望ましい。 【０１７３】本発明においては電荷注入阻止層を形成す
るには、前述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆
積法が採用される。 【０１７４】本発明の目的を達成し得る特性を有する電
荷注入阻止層１１０５を形成するには、光導電層１１０
３と同様に、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、
反応容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体１１０１
の温度を適宜設定することが必要である。 【０１７５】希釈ガスであるＨ2 および／またはＨｅの
流量は、層設計に従って適宜最適範囲が選択されるが、
Ｓｉ供給用ガスに対しＨ2 および／またはＨｅを、通常
の場合１〜２０倍、好ましくは３〜１５倍、最適には５
〜１０倍の範囲に制御することが望ましい。 【０１７６】反応容器内のガス圧も同様に層設計に従っ
て適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１０-4
〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１０-4〜５Ｔｏｒｒ、
最適には１×１０-3〜１Ｔｏｒｒとするのが好ましい。 【０１７７】放電電力もまた同様に層設計に従って適宜
最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量に対
する放電電力を、通常の場合１〜７倍、好ましくは２〜
６倍、最適には３〜５倍の範囲に設定することが望まし
い。 【０１７８】さらに、支持体１１０１の温度は、層設計
に従って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好
ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３
３０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望まし
い。 【０１７９】本発明においては、電荷注入阻止層を形成
するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力、支持
体温度の望ましい数値範囲としては前記した範囲が挙げ
られるが、これらの層作製ファクターは通常は独立的に
別々に決められるものではなく、所望の特性を有する表
面層を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて各
層作製ファクターの最適値を決めるのが望ましい。 【０１８０】このほかに、本発明の画像形成装置用感光
体においては、感光層１１０２の前記支持体１１０１側
に、少なくともアルミニウム原子、シリコン原子、水素
原子または／およびハロゲン原子が層厚方向に不均一な
分布状態で含有される層領域を有することが望ましい。 【０１８１】また、本発明の画像形成装置用感光体にお
いては、支持体１１０１と光導電層１１０３あるいは電
荷注入阻止層１１０５との間の密着性の一層の向上を図
る目的で、例えば、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 、ＳｉＯ、あ
るいはシリコン原子を母体とし、水素原子および／また
はハロゲン原子と、炭素原子および／または酸素原子お
よび／または窒素原子とを含む非晶質材料等で構成され
る密着層を設けてもよい。さらに、支持体からの反射光
による干渉模様の発生を防止するための光吸収層を設け
てもよい。 【０１８２】次に、感光層を形成するための装置および
膜形成方法について詳述する。 【０１８３】図２は、電源周波数としてＲＦ帯を用いた
高周波プラズマＣＶＤ法（以後「ＲＦ−ＰＣＶＤ」とい
う）による画像形成装置用感光体の製造装置の一例を示
す模式的な構成図である。同図に示す製造装置の構成は
以下の通りである。 【０１８４】この装置は大別すると、堆積装置２１０
０、原料ガスの供給装置２２００、反応容器２１１１内
を減圧にするための排気装置（不図示）から構成されて
いる。堆積装置２１００中の反応容器２１１１内には円
筒状支持体２１１２、支持体加熱用ヒータ２１１３、原
料ガス導入管２１１４が設置され、さらに高周波マッチ
ングボックス２１１５が接続されている。 【０１８５】原料ガス供給装置２２００は、ＳｉＨ4 、
ＧｅＨ4 、Ｈ2 、ＣＨ4 、Ｂ2 Ｈ6、ＰＨ3 等の原料ガ
スのボンベ２２２１〜２２２６とバルブ２２３１〜２２
３６、２２４１〜２２４６、２２５１〜２２５６、およ
びマスフローコントローラ２２１１〜２２１６から構成
され、各原料ガスのボンベはバルブ２２６０を介して反
応容器２１１１内のガス導入管２１１４に接続されてい
る。 【０１８６】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行うことができる。 【０１８７】まず、反応容器２１１１内に円筒状支持体
２１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器２１１１内を排気する。続いて、支
持体加熱用ヒータ２１１３により円筒状支持体２１１２
の温度を２００℃ないし３５０℃の所定の温度に制御す
る。 【０１８８】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器２１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ２２３１〜２
２３６、反応容器のリークバルブ２１１７が閉じられて
いることを確認し、また、流入バルブ２２４１〜２２４
６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バルブ２２６
０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ２
１１８を開いて反応容器２１１１およびガス配管２１１
６内を排気する。 【０１８９】次に真空計２１１９の読みが約５×１０-6
Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ２２６０、流出バル
ブ２２５１〜２２５６を閉じる。 【０１９０】その後、ガスボンベ２２２１〜２２２６よ
り各ガスをバルブ２２３１〜２２３６を開いて導入し、
圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を２ｋｇ
／cm2 に調整する。次に、流入バルブ２２４１〜２２４
６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラ２
２１１〜２２１６内に導入する。 【０１９１】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。 【０１９２】円筒状支持体２１１２が所定の温度になっ
たところで流出バルブ２２５１〜２２５６のうちの必要
なものおよび補助バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボ
ンベ２２２１〜２２２６から所定のガスをガス導入管２
１１４を介して反応容器２１１１内に導入する。次にマ
スフローコントローラ２２１１〜２２１６によって各原
料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反
応容器２１１１内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力
になるように真空計２１１９を見ながらメインバルブ２
１１８の開口を調整する。内圧が安定したところで、周
波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源（不図示）を所望の電
力に設定して、高周波マッチングボックス２１１５を通
じて反応容器２１１１内にＲＦ電力を導入し、グロー放
電を生起させる。この放電エネルギによって反応容器内
に導入された原料ガスが分解され、円筒状支持体２１１
２上に所定のシリコンを主成分とする堆積膜が形成され
るところとなる。所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ
電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器２１１
１へのガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。 【０１９３】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の感光層が形成される。 【０１９４】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていることはいうま
でもなく、また、それぞれのガスが反応容器２１１１
内、流出バルブ２２５１〜２２５６から反応容器２１１
１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ２２５１〜２２５６を閉じ、補助バルブ２２６０を
開き、さらにメインバルブ２１１８を全開して系内を一
旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。 【０１９５】また、膜形成の均一化を図るために、層形
成を行っている間は、支持体２１１２を駆動装置（不図
示）によって所定の速度で回転させることも有効であ
る。 【０１９６】さらに、上述のガス種およびバルブ操作は
各々の層の作製条件にしたがって変更が加えられること
はいうまでもない。 【０１９７】次に、電源にＶＨＦ帯の周波数を用いた高
周波プラズマＣＶＤ（以下「ＶＨＦ−ＰＣＶＤ」とい
う）法によって形成される画像形成装置用感光体の製造
方法について説明する。 【０１９８】図２に示した製造装置におけるＲＦ−ＰＣ
ＶＤ法による堆積装置２１００を、図３に示す堆積装置
３１００に交換して原料ガス供給装置２２００と接続す
ることにより、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による以下の構成の
画像形成装置用感光体を得ることができる。 【０１９９】この装置は大別すると、真空気密化構造を
なした減圧にし得る反応容器３１１１内には円筒状支持
体３１１２、支持体加熱ヒータ３１１３、原料ガス導入
管３１１４、電極が設置され、電極にはさらに高周波の
マッチングボックス３１１６が接続されている。また、
反応容器３１１１内は排気管３１２１を通じて不図示の
拡散ポンプに接続されている。 【０２００】原料ガス供給装置２２００（図２参照）
は、ＳｉＨ4 、ＧｅＨ4 、Ｈ2 、ＣＨ4 、Ｂ2 Ｈ6 、Ｐ
Ｈ3 等の原料ガスのボンベ２２２１〜２２２６とバルブ
２２３１〜２２３６、２２４１〜２２４６、２２５１〜
２２５６およびマスフローコントローラ２２１１〜２２
１６から構成され、各原料ガスのボンベはバルブ２２６
０を介して反応容器３１１１内のガス導入管３１１４に
接続されている。また、円筒状支持体３１１２によって
取り囲まれた空間３１３０が放電空間を形成している。 【０２０１】ＶＨＦーＰＣＶＤ法によるこの装置での堆
積膜の形成は、以下のように行うことができる。 【０２０２】まず、反応容器３１１１内に円筒状支持体
３１１２を設置し、駆動装置３１２０によって支持体３
１１２を回転し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器３１１１内を排気管３１２１を介し
て排気し、反応容器３１１１内の圧力を１×１０-7Ｔｏ
ｒｒ以下に調整する。続いて、支持体加熱用ヒータ３１
１３により円筒状支持体３１１２の温度を２００℃ない
し３５０℃の所定の温度に加熱保持する。 【０２０３】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器３１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ２２３１〜２
２３６、反応容器のリークバルブ（不図示）が閉じられ
ていることを確認し、また、流入バルブ２２４１〜２２
４６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バルブ２２
６０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ
（不図示）を開いて反応容器３１１１およびガス排気管
３１２１内を排気する。 【０２０４】次に真空計（不図示）の読みが約５×１０
-6Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ２２６０、流出バ
ルブ２２５１〜２２５６を閉じる。 【０２０５】その後、ガスボンベ２２２１〜２２２６よ
り各ガスをバルブ２２３１〜２２３６を開いて導入し、
圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を２ｋｇ
／cm2 に調整する。次に、流入バルブ２２４１〜２２４
６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラ２
２１１〜２２１６内に導入する。 【０２０６】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下のようにして円筒状支持体３１１２上に各層の
形成を行う。 【０２０７】円筒状支持体３１１２が所定の温度になっ
たところで流出バルブ２２５１〜２２５６のうちの必要
なものおよび補助バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボ
ンベ２２２１〜２２２６から所定のガスをガス導入管３
１１４を介して反応容器３１１１内の放電空間３１３０
に導入する。次にマスフローコントローラ２２１１〜２
２１６によって各原料ガスが所定の流量になるように調
整する。その際、放電空間３１３０内の圧力が１Ｔｏｒ
ｒ以下の所定の圧力になるように真空計（不図示）を見
ながらメインバルブ（不図示）の開口を調整する。 【０２０８】圧力が安定したところで、周波数５００Ｍ
ＨｚのＶＨＦ電源（不図示）を所望の電力に設定して、
マッチングボックス３１１６を通じて放電空間３１３０
にＶＨＦ電力を導入し、グロー放電を生起させる。かく
して支持体３１１２により取り囲まれた放電空間３１３
０において、導入された原料ガスは、放電エネルギによ
り励起されて解離し、円筒状支持体３１１２上に所定の
堆積膜が形成される。このとき、層形成の均一化を図る
ため支持体回転用モータ３１２０によって、所望の回転
速度で回転させる。 【０２０９】所望の膜厚の形成が行われた後、ＶＨＦ電
力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器３１１１
へのガス流入を止め、堆積膜の形成を終える。 【０２１０】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の感光層が形成される。 【０２１１】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブはすべて閉じられていることはいうま
でもなく、また、それぞれのガスを反応容器３１１１
内、流出バルブ２２５１〜２２５６から反応容器３１１
１に至る配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ２２５１〜２２５６を閉じ、補助バルブ２２６０を
開き、さらにメインバルブ（不図示）を全開にして系内
を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。 【０２１２】上述のガス種およびバルブ操作は各々の層
の作成条件にしたがって変更が加えられることはいうま
でもない。 【０２１３】いずれの方法においても、堆積膜形成時の
支持体温度は、特に２００℃以上３５０℃以下、好まし
くは２３０℃以上３３０℃以下、より好ましくは２５０
℃以上３００℃以下が好ましい。 【０２１４】支持体の加熱方法は、真空仕様である発熱
体であればよく、より具体的にはシース状ヒータの巻き
付けヒータ、板状ヒータ、セラミックヒータ等の電気抵
抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射ラ
ンプ発熱体、液体、気体等を温媒とする熱交換手段によ
る発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質は、ステ
ンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、セラ
ミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用することができ
る。 【０２１５】それ以外にも、反応容器以外に加熱専用の
容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で支持体
を搬送する等の方法が用いられる。 【０２１６】また、特にＶＨＦ−ＰＣＶＤ法において、
放電空間の圧力として、好ましくは１ｍＴｏｒｒ以上５
００ｍＴｏｒｒ以下、より好ましくは３ｍＴｏｒｒ以上
３００ｍＴｏｒｒ以下、最も好ましくは５ｍＴｏｒｒ以
上１００ｍＴｏｒｒ以下に設定することが望ましい。 【０２１７】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法において放電空間に設
けられる電極の大きさおよび形状は、放電を乱さないな
らばいずれのものでもよいが、実用上は直径１ｍｍ以上
１０cm以下の円筒状が好ましい。このとき、電極の長さ
も、支持体に電界が均一にかかる長さであれば任意に設
定できる。 【０２１８】電極の材質としては、表面が導電性となる
ものならばいずれのものでも良く、例えば、ステレス、
Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔ
ｉ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｆｅ等の金属、これらの合金または表
面を導電処理したガラス、セラミック、プラスチック等
が通常使用される。 【０２１９】以上述べてきた内容を実施することによ
り、優れた効果を引き出すことが可能である。 【０２２０】図１０にその一例を示す。１００１は像担
持体である感光ドラムであり、矢印Ａの時計回りに所定
の周速度（プロセススピード）にて回転駆動されるドラ
ム型の電子写真感光体である。１００２は近接帯電部材
であり、電極１００２−１およびその帯電面に形成した
抵抗層１００２−２とからなる。近接帯電部材１００２
には急速加熱可能なセラミックヒータ１０１０を一体化
して配置してある。該セラミックヒータ１０１０は必要
なときだけ、通電加熱し、１００〜３００℃の高温で一
気に像担持体である感光ドラム１００１表面上の水分を
除去する。この際、帯電部材にも熱伝導がなされ、抵抗
層１００２−２を一気に除湿する。抵抗層１００２−２
の耐熱性は前記いずれのケースにおいても３００℃まで
は、経時変化を含めて問題ない。 【０２２１】電極１００２−１は、通常アルミニウム、
アルミニウム合金、真鍮、銅、鉄、ステンレス等の金属
や、樹脂、セラミック等の絶縁材料に導電処理、すなわ
ち、金属をコーティングしたり、導電性塗料を塗布した
りしたものを用いる。 【０２２２】抵抗層１００２−２の抵抗値は、ＨＩＯＫ
Ｉ社（メーカー）製のＭΩテスターで０．２５〜１ｋＶ
の印加電圧における測定にて、１×１０3 〜１×１０12
Ω・cmである。 【０２２３】像担持体１００１と接触帯電部材１００２
の最近接間隙は、像担持体１００１の両端に設けられた
段部１００４の厚さに等しく好適には５０〜５００μ
ｍ、さらに好ましくは１００〜３００μｍと極めて近い
距離に安定的に設定される必要がある。 【０２２４】１００３は帯電部材に対する電圧印加電源
であり、この電源１００３により帯電開始電圧の２倍以
上のピーク間電圧Ｖppを有する振動電圧Ｖacと直流電圧
Ｖdcとを重畳した重畳電圧（Ｖac＋Ｖdc）が帯電部材１
００２の電極１００２−１に印加されて、回転駆動され
ている感光ドラム１００１の表面（外周面）が均一に帯
電される。 【０２２５】さらに、画像信号に応じて強度変調される
レーザビーム１００５が走査されることによって該感光
ドラム１００１上に静電潜像が形成される。この静電潜
像は、現像剤が塗布された現像スリーブ１００６によっ
てトナー画像として顕画像化された後、このトナー画像
は、転写材１００７上に転写ローラ１００８を介して転
写される。転写残トナーは、クリーニングブレード１０
０９によって感光ドラム１００１上から除去され、一
方、トナー画像転写後の転写材１００７は、不図示の定
着装置によってトナー画像が定着された後、装置本体外
部に排出される。 【０２２６】以下、さらに具体的に数値を上げて、本発
明に係る画像形成装置について詳述する。ただし、本発
明は、以下の実施例に限定されるものではない。 （請求項１、２、４、６に対応する実施例）図２に示す
ＲＦ−ＰＣＶＤ法による画像形成装置用感光体の製造装
置を用い、直径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニ
ウムシリンダ上に、図１８に示す条件で電荷注入阻止
層、光導電層、表面層からなる感光体を作製した。さら
に、光導電層のＳｉＨ4 とＨ2 との混合比ならびに放電
電力を変えることによって、種々の感光体を作製した。 【０２２７】作製した感光体を画像形成装置（キヤノン
製ＮＰ６１５０をテスト用に改造）にセットして、帯電
能の温度依存性（温度特性）、メモリ並びに画像欠陥を
評価した。 【０２２８】温度特性は、感光体の温度を室温から約４
５℃まで変えて帯電能を測定し、このときの温度１℃当
たりの帯電能の変化を測定して、２Ｖ／ｄｅｇ以下を合
格と判定した。 【０２２９】また、メモリ、画像流れについては、画像
を目視により判定し、１：非常に良好、２：良好、３：
実用上問題なし、４：実用上やや難ありの４段階にラン
ク分けした。 【０２３０】一方、円筒形のサンプルホルダーに設置し
たガラス基板（コーニング社 ７０５９）並びにＳｉウ
エハー上に、光導電層の作製条件で膜厚約１μｍのａ−
Ｓｉ膜を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌの串
型電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エネル
ギ（Ｅｕ）と局在準位（状態）密度（ＤＯＳ）を測定
し、Ｓｉウエハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより含有水素
量を測定した。 【０２３１】このときのＥｕと温度特性との関係を図４
に、ＤＯＳとメモリ、画像流れとの関係を図５、図６に
示す。いずれのサンプルも水素含有量は１０〜３０原子
％の間であった。 【０２３２】図４、図５、および図６から明らかなよう
に、Ｅｕ＝５０〜６０ｍｅＶ、ＤＯＳ＝１×１０14〜１
×１０1 6cm-3
の範囲にすることが良好な電子写真特性を得るために必
要であることがわかった。 【０２３３】前記感光体の中から下記ａからｃを用い、
続いて、感光体両端の段部を、以下の条件で製作した。 【０２３４】感光体両端の段部および帯電部材の抵抗層
は、図１２に示したようなスプレー塗工手段により、テ
トラエトキシランＳｉ（ＯＣ 2 Ｈ5 ）4 、水、アルコー
ル、塩酸、酸化チタン導電材の混合液を塗布し、次い
で、４０〜９０度に加熱乾燥させ乾燥ゲル体とした。硬
化後に段部の厚さを１００μｍまで研磨加工を施した。 【０２３５】作製した、両端に段部を持つ感光体を図１
０に示したような画像形成装置にセットして、温度２３
℃、湿度６０％ＲＨの環境で１０万枚の耐刷試験を行
い、帯電能力の周方向むらについて初期と耐刷試験後を
評価した。帯電部材への印加電圧条件は、１．０ｋ
Ｖdc、３ｋＶpp、１２ｋＨｚであり、また、プロセスス
ピードは３００ｍｍ／sec で行った。 【０２３６】感光体の条件は、 ａ：Ｅｕは５１ｍｅＶ、ＤＯＳは９×１０15cm-3 ｂ：Ｅｕは５５ｍｅＶ、ＤＯＳは６×１０14cm-3 ｃ：Ｅｕは５９ｍｅＶ、ＤＯＳは１×１０16cm-3 結果を図１５に示す。耐刷試験前後において帯電能力の
周方向むらが変化しておらず良好な再現性を示している
ことがわかる。 【０２３７】図１５の結果はａに示された感光体を用い
た場合の結果であるが、他の像担持体についても同様な
良好な特性を示した。 〈実施例２〉次に、請求項１、２、４、６に対応する実
施例２を示す。 【０２３８】前述の図１に示す作製条件で得られたａ−
Ｓｉ感光体ｄ、ｅ、ｆを用い、感光体両端の段部を実施
例１と同様にスプレー塗工手段により形成した。硬化後
に最初に厚さが１ｍｍとなるように研磨加工を施し、そ
の後７００μｍ、５００μｍ、３００μｍ、１００μ
ｍ、５０μｍ、１０μｍと研磨により段部の厚さを変化
させそれぞれの厚さにおいて帯電特性を調べた。 【０２３９】周方向の帯電むらを最大値と最小値の差で
比較した。 【０２４０】 ◎：非常に良好 ；２０Ｖ未満 〇：良好 ；２０Ｖ以上３０Ｖ未満 △：実用上問題無し ；３０Ｖ以上４０Ｖ未満 ×：実用上やや難あり ；４０Ｖ以上 結果を図１９に示す。 【０２４１】このときの感光体の条件は、 ｄ：Ｅｕは５０ｍｅＶ、ＤＯＳは２×１０14cm-3 ｅ：Ｅｕは５８ｍｅＶ、ＤＯＳは８×１０15cm-3 ｆ：Ｅｕは５２ｍｅＶ、ＤＯＳは２×１０15cm-3 この結果より、段部としては５０μｍから５００μｍが
適していることがわかり、さらに好ましくは１００μｍ
から３００μｍが望ましいことがわかった。また、段部
の厚さが大きくなるにつれてオゾンの発生量が多くな
り、その点においても１０００μｍは実用上やや難あり
と判断した。 〈実施例３〉次に、請求項１、２、４、７に対応する実
施例３を示す。 【０２４２】図２に示す製造装置を用い、図２０に示す
作製条件で画像形成装置用感光体を作製した。このとき
の光導電層のＥｕとＤＯＳは、それぞれ５５ｍｅＶ、２
×１０15cm-3であった。 【０２４３】これに図１３に示したようなディッピング
塗工手段により、テトラメトキシシランＳｉ（ＯＣＨ
3 ）4 、チタンイソプロポキシドＴｉ（ＯＣ3 Ｈ7 ）
4 、水、アルコール、塩素、導電材料の混合液を該感光
体の両端に塗布する。次いで、４０〜９０度に加熱乾燥
させ乾燥ゲル体とし、硬化後に２００μｍまで研磨加工
を施した。 【０２４４】また、図２に示す製造装置を用い、ａ−Ｓ
ｉＨ薄膜を近接帯電部材の抵抗層として作製した。抵抗
は５×１０9 Ω・cmであった。帯電部材への印加電圧条
件は、０．８ｋＶdc、２ｋＶpp、６ｋＨｚ、またプロセ
ススピードは２５０ｍｍ／sec で行った。実施例１と同
様の評価をしたところ耐刷試験前後において良好な帯電
特性が得られ、良好な画像が得られた。 〈実施例４〉次に、請求項１、２、４、６に対応する実
施例４を示す。 【０２４５】図２示す画像形成装置用感光体の製造装置
を用い、図２１に示す作製条件で画像形成装置用感光体
を作製した。このときの光導電層のＥｕとＤＯＳは、そ
れぞれ５０ｍｅＶ、８×１０14cm-3であった。 【０２４６】これに図１４に示したような紡糸塗工手段
により、Ｚｒ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 、水、アルコール、塩
酸、導電材料の混合液を塗布する。 【０２４７】次いで、４０〜９０度に加熱乾燥させ乾燥
ゲル体とし、硬化後に１５０μｍまで研磨加工を施し
た。 【０２４８】帯電部材への印加電圧条件は、０．５ｋＶ
dc、２ｋＶpp、３ｋＨｚ、またプロセススピードは１０
０ｍｍ／sec で行った。実施例１と同様の評価をしたと
ころ耐刷試験前後において良好な帯電特性が得られ、良
好な画像が得られた。 〈実施例５〉次に、請求項１、２、４、５に対応する実
施例５を示す。 【０２４９】図２示す画像形成装置用感光体の製造装置
を用い、図２２に示す作製条件で画像形成装置用感光体
を作製した。このときの光導電層のＥｕとＤＯＳは、そ
れぞれ６０ｍｅＶ、５×１０15cm-3であった。 【０２５０】この感光体両端の段部を実施例１と同様に
スプレー塗工手段により形成し、硬化後に２５０μｍま
で研磨加工を施し、図２８（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、さらに周方向（被帯電面の移動方向）に沿って５本
／cmの間隔で細溝（溝部）１０３ａを形成した。帯電部
材への印加電圧条件は、０．６ｋＶdc、１．４ｋＶpp、
４ｋＨｚ、またプロセススピードは２５０ｍｍ／sec で
行った。 【０２５１】これに実施例１と同様の評価をしたところ
耐刷試験前後において良好な帯電特性が得られた。 〈実施例６〉次に、請求項１、３、４、６に対応する実
施例６を示す。 【０２５２】外径８０ｍｍ×長さ３５８ｍｍのアルミニ
ウムシリンダを基体とし、これにアルコキシメチル化ナ
イロンの５％メタノール溶液を浸漬法で塗布して、膜厚
１μｍの下引き層（中間層）を設けた。 【０２５３】次に、チタニルフタロシアニン顔料を１０
倍（重量部、以下同様）、ポリビニルブチラール８部、
およびシクロヘキサノン５０部を直径１ｍｍのガラスビ
ーズ１００部を用いたサンドミル装置で２０時間混合分
散した。この分散液にメチルエチルケント７０〜１２０
（適宜）部を加えて下引き層上に塗布し、１００℃で５
分間乾燥して０．２μｍの電荷発生層を形成させた。 【０２５４】次にこの電荷発生層の上に図２３に示す構
造式のスチリル化合物１０部とビスフェノールＺ型ポリ
カーボネート１０部をモノクロベンゼン６５部に溶解し
た。この溶液をディッピング法によって基体上に塗布
し、１２０℃で６０分間の熱風乾燥させて、２０μｍ厚
の電荷輸送層を形成させた。 【０２５５】次に、この電荷輸送層の上に以下の方法で
膜厚１．０μｍの保護層を設けた。 【０２５６】酸成分としてテレフタル酸を、またグリコ
ール成分としてエチレングリコールを用いて得られた高
融点ポリエチレンフタレート（Ａ）（極限粘度０．７０
ｄｌ／ｇ、融点２５８℃（示差熱測定器を用いて１０℃
／ｍｉｎの昇温速度で測定した。また、測定サンプルは
５ｍｇで、測定しようとするポリエステル樹脂を２８０
℃で溶融後、０℃の氷水で急冷して作成した。以下の実
施例について同じ）、ガラス点移転温度７０℃）１００
部とエポキシ樹脂（Ｂ）（エポキシ当量１６０；芳香族
エステルタイプ；商品名：エピコート１９０Ｐ（油化シ
ェルエポキシ社製））３０部とをフェノールとテトラク
ロロエタン（１：１）混合液１００ｍｌに溶解させた。
次いで、光重合開始剤としてトリフェニルフォニウムヘ
キサフルオロアンチモネート（Ｃ）３部を添加して樹脂
組成物溶液を調整した。 【０２５７】光の照射条件としては、２ｋＷ高圧水銀灯
（３０Ｗ／cm）を２０cm離した位置から１３０℃で８秒
間照射して硬化させた。 【０２５８】このようにして作製した感光ドラムの両端
に、実施例１と同様にして図１２に示したようなスプレ
ー塗工手段により、１５０μｍの段部を形成した。 【０２５９】また帯電部材の抵抗層は、図１３に示した
ようなディッピング塗工手段により、テトラメトキシシ
ランＳｉ（ＯＣＨ3 ）4 、チタンイソプロポキシドＴｉ
（ＯＣ3 Ｈ7 ）4 、水、アルコール、塩酸、導電材料の
混合液を該感光体の両端に塗布する。次いで、４０〜９
０度に加熱乾燥させ乾燥ゲル体とした。 【０２６０】帯電部材への印加電圧条件は、１．０ｋＶ
dc、３ｋＶpp、１２ｋＨｚ、またプロセススピードは３
００ｍｍ／sec で行った。 【０２６１】これに実施例１と同様の評価をしたところ
耐刷試験前後において良好な帯電特性が得られた。 〈実施例７〉図３に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法による画像形
成装置用感光体の製造装置を用い、実施例１と同様に直
径１０８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダ
（支持体）上に、図２４に示す条件で電荷注入阻止層、
光導電層、表面層からなる感光体を作製した。 【０２６２】さらに、光導電層のＳｉＨ4 とＨ2 との混
合比、放電電力、支持体温度並びに内圧を変えることに
より、種々の感光体を作製した。作製した感光体を画像
形成装置（キヤノン製ＮＰ６１５０をテスト用に改造）
にセットして、帯電能の温度依存性（温度特性）、ブラ
ンク露光メモリ並びにゴーストメモリを評価した。温度
特性並びにメモリの評価は実施例１と同様にした。さら
にハーフトーン画像の濃度むら（ガサツキ）をメモリと
同様、４段階のランク分けを行って評価した。 【０２６３】一方、光導電層の作製条件で、円筒形のサ
ンプルホルアに設置したガラス基板（コーニング社 ７
０５９）並びにＳｉウエハー上に膜厚約１μｍのａ−Ｓ
ｉ膜を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌの串型
電極を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エネルギ
（Ｅｕ）と局在準位密度（ＤＯＳ）を測定し、Ｓｉウエ
ハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより含有水素量並びにＳｉ
−Ｈ2 結合とＳｉ−Ｈ結合の吸収ピーク強度比を測定し
た。Ｅｕ、ＤＯＳと温度特性、メモリ、画像流れとの関
係は実施例１と同様であり、良好な電子写真特性のため
にはＥｕ＝５０〜６０ｍｅＶ、ＤＯＳ＝１×１０14〜１
×１０16cm-3のであることが必要であることがわかっ
た。さらに、図７に示すＳｉ−Ｈ2 ／Ｓｉ−Ｈと感度と
の関係からＳｉ−Ｈ2 ／Ｓｉ−Ｈ＝０．２〜０．５の範
囲にすることが必要であることがわかった。 【０２６４】この感光体内、Ｅｕ、ＤＯＳおよびＳｉ−
Ｈ2 ／Ｓｉ−Ｈが、それぞれ５４ｍｅＶ、８×１０14cm
-3、０．２９の感光体について、実施例１と同様の評価
をしたところ耐刷試験前後において良好な帯電特性が得
られた。 〈実施例８〉図３に示す画像形成装置用感光体の製造装
置を用い、図２５に示す作製条件で画像形成装置用感光
体を作製した。このときの光導電層のＥｕ、ＤＯＳおよ
びＳｉ−Ｈ2 ／Ｓｉ−Ｈは、それぞれ５３ｍｅＶ、５×
１０14cm-3、０．２９であった。作製した画像形成装置
用感光体の両端の段部を実施例１と同様にして１５０μ
ｍ形成し、実施例１と同様の評価をしたところ耐刷試験
前後において良好な帯電特性が得られた。 〈実施例９〉図３に示す画像形成装置用感光体の製造装
置を用い、図２６に示す作製条件で画像形成装置用感光
体を作製した。このときの光導電層のＥｕ、ＤＯＳおよ
びＳｉ−Ｈ2 ／Ｓｉ−Ｈは、それぞれ５６ｍｅＶ、１．
３×１０15cm-3、０．３８であった。作製した画像形成
装置用感光体の両端の段部を実施例１と同様にして１５
０μｍ形成し、実施例１と同様の評価をしたところ耐刷
試験前後において良好な帯電特性が得られた。 〈実施例１０〉図３に示す画像形成装置用感光体の製造
装置を用い、図２７に示す作製条件で画像形成装置用感
光体を作製した。このときの光導電層のＥｕ、ＤＯＳお
よびＳｉ−Ｈ2 ／Ｓｉ−Ｈは、それぞれ５９ｍｅＶ、３
×１０15cm-3、０．４５であった。作製した画像形成装
置用感光体の両端の段部を実施例１と同様にして１００
μｍ形成し、実施例１と同様の評価をしたところ耐刷試
験前後において良好な帯電特性が得られた。 【０２６５】 【発明の効果】以上説明したように、本発明は近接帯電
装置を用いた画像形成装置における帯電部材と像担持体
の間隙を規制する段部を該像担持体両端の画像形成に影
響しない部分（画像形成領域である被帯電面の両端部に
位置する非画像形成領域）に肉盛りして設けることによ
り、被帯電面の移動に伴う間隙の変動を抑制することが
でき、帯電むらを防止して、画像の濃度むらを解消する
ことができる。 【０２６６】さらに、帯電部材の抵抗層に無機抵抗層を
塗工、成膜、ないし熔射することにより耐久性の向上が
図れ、帯電部材と像担持体の接触による外傷も解消さ
れ、さらなる高耐久が実現可能となった。これにより画
質が低下が防止され、メンテナンスフリー化をさらに促
進することができる。 【０２６７】像担持体両端の段部は具体的には、ゾルゲ
ル法による強固で、かつ均一な金属酸化物皮膜によって
形成することができ、さらに例えば、段部形成後に段部
を研磨加工することにより該帯電部材と像担持体の間隙
を精度よく一定に保つことが可能となる。 【０２６８】像担持体両端の段部に被帯電面の移動方向
に沿った溝部（細溝）を形成することにより、像担持体
と帯電部材との摺察性を向上させることも効果的であっ
た。 【０２６９】さらに、段部を金属酸化物を母体とする材
料で構成するため、熱変動による硬度の変化が少ない。
そのため押圧力に対する間隙の変動が少なく、像担持体
には温度特性の良好なものが使用可能になり、さらなる
高画質が望めるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は実施例１における帯電部材、感光ドラ
ムの側面図。（ｂ）は実施例１における帯電部材、感光
ドラムの正面図。
ムの側面図。（ｂ）は実施例１における帯電部材、感光
ドラムの正面図。
【図２】本発明の画像形成装置用感光体の光受容層を形
成するための装置の一例で、ＲＦ帯の高周波を用いたグ
ロー放電法による画像形成装置用感光体の製造装置の模
式的説明図。
成するための装置の一例で、ＲＦ帯の高周波を用いたグ
ロー放電法による画像形成装置用感光体の製造装置の模
式的説明図。
【図３】本発明の画像形成装置用感光体の光受容層を形
成するための装置の一例で、ＶＨＦ帯の高周波を用いた
グロー放電法による画像形成装置用感光体の製造装置の
模式的説明図。
成するための装置の一例で、ＶＨＦ帯の高周波を用いた
グロー放電法による画像形成装置用感光体の製造装置の
模式的説明図。
【図４】感光体における光導電層のアーバックテイルの
特性エネルギ（Ｅｕ）と温度特性との関係を示す図。
特性エネルギ（Ｅｕ）と温度特性との関係を示す図。
【図５】感光体における光導電層の局在状態密度（ＤＯ
Ｓ）と光メモリとの関係を示す図。
Ｓ）と光メモリとの関係を示す図。
【図６】感光体における光導電層の局在状態密度（ＤＯ
Ｓ）と画像流れとの関係を示す図。
Ｓ）と画像流れとの関係を示す図。
【図７】感光体における光導電層のＳｉ−Ｈ2 結合とＳ
ｉ−Ｈ結合の吸収ピーク強度比とハーフトーン濃度ムラ
（ガサツキ）との関係を示す図。
ｉ−Ｈ結合の吸収ピーク強度比とハーフトーン濃度ムラ
（ガサツキ）との関係を示す図。
【図８】従来の画像形成装置の要部の構成を示す模式
図。
図。
【図９】従来の他の画像形成装置の要部の構成を示す模
式図。
式図。
【図１０】実施例１の画像形成装置の要部の構成を示す
模式図。
模式図。
【図１１】（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ従来の感光体の構
成を模式的に示す部分断面図。
成を模式的に示す部分断面図。
【図１２】感光ドラムの段部を塗工する塗工手段の一例
を示す図。
を示す図。
【図１３】感光ドラムの段部を塗工する他の塗工手段の
一例を示す図。
一例を示す図。
【図１４】感光ドラムの段部を塗工する別の塗工手段の
一例を示す図。
一例を示す図。
【図１５】感光ドラムの周方向における帯電状態を示す
図。
図。
【図１６】（ａ）は従来の帯電部材の側面図。（ｂ）は
従来の帯電部材の正面図。（ｃ）は従来のラブの固定型
スペーサの摩耗の様子を示す側面図。
従来の帯電部材の正面図。（ｃ）は従来のラブの固定型
スペーサの摩耗の様子を示す側面図。
【図１７】金属酸化物被膜を得るための構造式を示す
図。
図。
【図１８】実施例１における感光体の作製条件を示す
図。
図。
【図１９】実施例２における感光体両端の段部の厚さと
帯電特性との関係を示す図。
帯電特性との関係を示す図。
【図２０】実施例３における感光体の作製条件を示す
図。
図。
【図２１】実施例４における感光体の作製条件を示す
図。
図。
【図２２】実施例５における感光体の作製条件を示す
図。
図。
【図２３】実施例６の感光体の電荷輸送層を形成するた
めのスチリル化合物の構造式を示す図。
めのスチリル化合物の構造式を示す図。
【図２４】実施例７における感光体の作製条件を示す
図。
図。
【図２５】実施例８における感光体の作製条件を示す
図。
図。
【図２６】実施例９における感光体の作製条件を示す
図。
図。
【図２７】実施例１０における感光体の作製条件を示す
図。
図。
【図２８】（ａ）は実施例５の帯電部材、感光ドラムの
構成を示す側面図。（ｂ）は実施例５の帯電部材、感光
ドラムの構成を示す正面図。
構成を示す側面図。（ｂ）は実施例５の帯電部材、感光
ドラムの構成を示す正面図。
１００ 近接帯電部材 １０１ 支持体 １０２ 抵抗層 １０３ 段部 １０４ 像担持体（被帯電体、感光体、感光ドラ
ム） １００１ 像担持体（被帯電体、感光体、感光ドラ
ム） １００２ 接触帯電部材 １００２−１支持体 １００２−２抵抗層 １００３ 高圧電源 １０１０ ヒータ １１００ 感光体 １１０１ 支持体 １１０２ 感光層 １１０３ 光導電層 １１０４ 表面層 １１０５ 電荷注入阻止層 １１０６ 電荷発生層 １１０６ａ 自由表面 １１０７ 電荷輸送層
ム） １００１ 像担持体（被帯電体、感光体、感光ドラ
ム） １００２ 接触帯電部材 １００２−１支持体 １００２−２抵抗層 １００３ 高圧電源 １０１０ ヒータ １１００ 感光体 １１０１ 支持体 １１０２ 感光層 １１０３ 光導電層 １１０４ 表面層 １１０５ 電荷注入阻止層 １１０６ 電荷発生層 １１０６ａ 自由表面 １１０７ 電荷輸送層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 酒井 清志 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 像担持体の被帯電面に近接させて配置し
た帯電部材に振動電圧を印加することによって前記被帯
電面を帯電する帯電装置を備えた画像形成装置におい
て、 前記像担持体は、画像形成領域である前記被帯電面の両
端部に位置する非画像形成領域に、肉盛りによって形成
した段部を有し、 前記帯電部材は、前記被帯電面に非接触状態で近接して
対面する帯電面を有するとともに、該帯電面の両端部を
前記段部に当接させることによって、前記被帯電面との
間の間隙を所定の値に設定する、 ことを特徴とする画像形成装置。 - 【請求項２】 前記像担持体が、 導電性支持体と、 シリコン原子を母体として水素原子とハロゲン原子との
うちの少なくとも一方を含有する非結晶材料を含む光導
電層を有する光受容層とを備えた感光体であり、 前記光導電層が１０〜３０原子％の水素を含有し、少な
くとも光の入射する部分において、サブバンドギャップ
光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特性エネル
ギーが５０〜６０ｍｅＶ、かつ局在状態密度が１×１０
14〜１×１０16cm-3である、 ことを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。 - 【請求項３】 前記像担持体が、導電性支持体と、高融
点ポリエステル樹脂、および硬化樹脂を含む電子写真感
光体である、 ことを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。 - 【請求項４】 前記像担持体の段部が、ゾルゲル法によ
り形成される金属酸化物を母体とする、 ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか記
載の画像形成装置。 - 【請求項５】 前記像担持体の段部は、前記被帯電面の
移動方向に沿って形成された溝部を有する、 ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか記
載の画像形成装置。 - 【請求項６】 前記帯電部材は、前記帯電面に近接する
無機保護層を有し、該保護層がゾルゲル法により形成さ
れる金属酸化物を母体とする、 ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか記
載の画像形成装置。 - 【請求項７】 前記帯電部材は、前記帯電面に近接する
無機保護層を有し、該無機保護層が水素化アモルファス
シリコンを母体とする、 ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか記
載の画像形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3567595A JPH08234540A (ja) | 1995-02-23 | 1995-02-23 | 画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3567595A JPH08234540A (ja) | 1995-02-23 | 1995-02-23 | 画像形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08234540A true JPH08234540A (ja) | 1996-09-13 |
Family
ID=12448464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3567595A Pending JPH08234540A (ja) | 1995-02-23 | 1995-02-23 | 画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08234540A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8057975B2 (en) | 2006-08-31 | 2011-11-15 | Kyocera Corporation | Electrophotographic photoreceptor and image forming apparatus having same |
-
1995
- 1995-02-23 JP JP3567595A patent/JPH08234540A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8057975B2 (en) | 2006-08-31 | 2011-11-15 | Kyocera Corporation | Electrophotographic photoreceptor and image forming apparatus having same |
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