JPS6315257A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、特にセレン砒素合金の単層構成乃至はセレン
とセレンテルル合金の積層構成において表面保護層を形
成しである感光体に関する。

従来の技術 カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発震を続け、感光体にも様々な材料が開発され実用（ヒ
ざｎてきた。

従来用いられて来た感光体材料の主なものとじては、セ
レン、セレン砒素、セレンテルル、硫化カドミウム、酸
化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機物質、ポリビニ
ルカルバゾール、金属フタロシアニン、ジスアゾ顔料、
トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフェニルメタン化
合物、トリフェニルアミン化合物、ヒドラゾン化合物、
スチリル化合物、ピラゾリン化合物、オキサゾール化合
物、オキサジアゾール化合物等の有機物質が挙げられる
。

一方、近年、各種分野に於ける情報量の増大傾向が著し
いが、短時間に多量の情Ｆ２複製を行なう為に、電子写
真に於てもシステムの高速化が必要とされている。その
様な高速複写システムに於ては感光体材料にも高感度並
びに高速応答性が要求され、前記物質の中ではセレン砒
素合金（以下、５ｅ−Ａｓと記す）感光体が比視感度域
に於て最も物性的に高感度で有り、且つ、高速応答性能
も高い為、多く実用化さｒ、ている。

他の物質に於ては、何れも感５文的並びに高速応答性に
不十分な面が多く、高速複写システＩえへの応用は成さ
れていない。

又、近年、デジタル画像処理技術の目覚ましい発展に伴
い、半導体レーザー光を光源としたレーザービームプリ
ンタの実用化が盛んであり、同様に高速化が必要ときれ
ている。半導体レーザーの発光波長に対し良好な感度を
有する感光体の一つとして、前記物質の中では、セレン
テルル合金層をセレン層上に積石して成る所謂セレンテ
ルル（以下、Ｓｅ／Ｔｅと記す）感光体が好適とされて
いる。

しかしながら、従来用いられて来た５ｅ−Ａｓ及びＳｅ
／Ｔｅ感光体には次の様な欠点があった。その一つとし
て人体への有害性が挙げられる。感光体が直接人体に接
触する機会は殆ど有り得ないが、感光体の複写機内での
実使用に於ては、転写紙、クリーニング部材、現像剤、
等との摩擦による表面摩耗により、その微粉が複写画像
上に付着し機外へ排出されて来る。従って、コピーを手
にする時、間接的にセレン、砒素、及びテルルの汚染を
受ける事になり、その有害性がｌｉ念される。もう一つ
には耐久性に乏しい事が挙げられる。５ｅ−Ａｓ及びＳ
　ｅ　／　Ｔ　ｅ感光体の表面硬度はＪＩＳ規格鉛筆硬
度にして凡そＨ程度以下にしか過ぎず、従って、前述の
如き実使用時の摩耗を受け、或は、ペーパージャム時及
びその復帰の際の人為的操作等により苛酷な表面接触を
しばしば受け、表面に傷を受は易い。この傷は複写画像
上に所謂白抜けとして現れ画像品位を著しく低減し、こ
れらの感光体材料の寿命を短かくする。この寿命は、搭
載される複写機の設計によっても変化するが、通常は高
々１０万枚の複写に耐え得る程度のものである。高速大
量複写に於ては、寿命が短かければ、感光体の交換、或
は、維持を頻繁に行う必要が生じ、結果、複写機の使用
効率を低減してしまう。

これらの欠点を解消する為には、Ｓｅ−ΔＳ或はＳｅ　
／　Ｔ　ｅ感光体の表面を保護層で被覆し、複写紙との
直接接触を避け、有害物の複写機外への排出を防止し、
更に、その保護層に硬膜を用いる事により耐摩耗性を改
善する方法が有効である。

しかしながら、５ｅ−Ａｓ［はＳｅ／Ｔｅ感光体の表面
を被覆するには、無作為な膜材料を用いる事はできず、
次の如き必要項目の全てを満足する膜を用いる必要があ
り、膜材料並びにその成膜手法には、創意工夫が必要と
きれる。

第一に、可視光透過率が高＜５ｅ−Ａｓ或はＳｅ／Ｔｅ
感光体への入射光量が充分に確保でき、これらの感光体
が本来有する高感度が活用できる膜である事が必要とさ
れる。第二に、複写機内での実使用に於て、表面に傷を
受けない硬膜である事が必要とされる。第三に、５ｅ−
Ａｓ或はＳｅ／Ｔｅ感光体との接着性に優れ、複写機内
での実使用に於て、機械的な力或は温湿度の変化により
剥離しない膜である事が必要とされる。第四に、無害で
ある事が必要とされる。第五に、５ｅ−Ａｓ或はＳｅ／
Ｔｅ感光体との電気的整合性に優れ、残留電位の発生、
或は、複数枚複写時に前の画像が次の画像にポジ又はネ
ガ像として現れる所謂メモリー現象の発生、更には、不
整合界面での電荷の横流れによる所謂画像流れの発生に
寄与しない膜である事が必要とされる。第六に、複写機
が実使用される環境下に於て、特に、高温高湿条件下に
於て、画像品位を損なわず、所謂画像流れを発生しない
事が必要とされる。

このような見地から、５ｅ−Ａｓ及びＳｅ／Ｔｅ感光体
に限らず、セレン系感光体の表面保護層に関しては幾つ
かの膜材料並びにその成膜手法が開示され、電子写真に
於ては一つの重要な技術分野となっている。

一つの手法に、塗布法がある。例えば、特開昭５０−３
０５２６号公報には、Ｃｄ５ＳｅとＺｎＯとの混合物に
よる感光層の表面に塗布或は噴霧によりポリウレタン被
覆層を０．５〜２．５μｍの厚きで設けた感光体が開示
されている。特開昭５３−２３６３６号公報、及び、特
開昭５３−１１１７３４号公報には、セレン、セレンテ
ルル合金、セレンカドミウム合金を初めとする光導電層
の上に特定の珪素化合物塗布し硬化させた絶縁層を設け
た感光体が開示されている。特開昭５４−１１５１３４
号公報には、支持体上の両端部以外にセレン光導電層を
設け、該セレン光導電層の上にのみ浸漬塗布と硬化によ
る樹脂層を設けた感光体が開示されている。

これらの開示は、セレン系感光体の表面に有機化合物を
塗布し硬化する事により前記問題点を解決しようとする
ものであり、これら以外にも、特開昭５７−６４２３９
、特開昭５８−１３９１５４、特開昭６０−１０１５４
１等に同様の開示が成きれている。

近年、別の手法として、グロー放電による真空成膜法を
応用する試みが盛んである。例えば、特開昭５９−５８
４３７号公報には、シランガスとアンモニアガス或はシ
ランガスと亜酸化窒素ガスを原料に用いて、セレン砒素
合金感光層上にグロー放電によるアモルファスＳｉ　：
Ｎ或はＳｉ：０を５０人〜２　ｔｔ　ｍ設けた感光体が
開示されている。特開昭６０−２４９１５５号公報には
、メタン或はアセチレンを原料に用いて、セレン、セレ
ンテルル合金等の感光層上にグロー放電による無定形炭
素又は硬質炭素からなる層を０゜０５〜５μｍ設けた感
光体が開示されている。

本発明は、これらの開示とは本質的に異なる材料組成に
より、前述の必要項目を全て満足しながら、前記問題点
を解決するものである。

本発明者らは、長年に亙り５ｅ−Ａｓ及びＳｅ／Ｔｅ感
光体の無害化と長寿命化を検討する中で、グロー放電法
により形成きれる非晶質炭化水素膜が硬度に優れ、表面
保護層として有効である事を見出した。更に、該非晶質
炭化水素膜に化学的修飾物質として少なくとも窒素原子
を添加する事が、該表面保護層の好適な接着性及び電気
的整合性を確保する効果を有する事を見出した。

本発明は、この新たなる知見を用いる事により、５ｅ−
Ａｓ及びＳｅ／Ｔｅ感光体に好適な表面保護層を提供す
るものである。

一日が解決しようとする問題点 本発明は、従来の５ｅ−Ａｓ及びＳｅ／Ｔｅ感光体が有
する本質的な問題点、即ち、有害性並びに低耐久性を解
決する為の表面保護層を有する感光体に関する。更に、
本発明は、無作為な保護膜の形成に於ては往々にして阻
害される、次の如き必要項目の充ヱを達成し得る表面保
護層を有する感光体に関する。

即ち、第一に、可視光透過率が高＜５ｅ−Ａｓ或はＳｅ
／Ｔｅ感光体への入射光量が充分に確保でき、これらの
感光体が本来有する高感度が活用できる膜である事。第
二に、複写機内での実使用に於て、表面に傷を受けない
硬膜である事。第三に、５ｅ−Ａｓ或はＳｅ　／　Ｔ　
ｅ感光体との接着性に優れ、複写機内での実使用に於て
、機械的な力或は温湿度の変化により剥離しない膜であ
る事。第四に、無害な膜である事。第五に、５ｅ−Ａｓ
或はＳｅ／Ｔｅ感光体との静電的整合性に優れ、残留電
位の発生、或は、複数枚複写時に前の画像が次の画像に
ポジ又はネガ像として現れる所謂メモリー現象の発生、
更には、不整合界面での電荷の横流れによる所謂画像流
れの発生に寄与しない膜である事。第六に、複写機が実
使用される環境下に於て、特に、高温高湿条件下に於て
、画像品位を損なわず、所謂画像流れを発生しない膜で
ある事。以上を解決し得る感光体を提供するものである
。

間１点を解決するための一段 即ち、本発明は５ｅ−Ａｓ或はＳ　ｅ　／　Ｔ　ｅ感光
体において、その表面に形成され低真空中でのグロー放
電により成膜された少なくとも窒素原子を含有する非晶
質炭化水素膜からなる表面保護層を有する感光体に関す
る（以下、本発明による少なくとも窒素原子を含有する
非晶質炭化水素膜をａ−Ｃ：Ｎ膜と称する）。

本発明に於ては、グロー放電法によりａ−Ｃ：Ｎ膜を形
成する為のガスとして、原料ガスとしては炭化水素ガス
及び窒素化合物ガスが用いられ、キャリアーガスとして
は一般に常用される水素ガス或はアルゴンガス等が用い
られる。

該炭化水素ガスの相状態は常温常圧に於て必ずしも気相
で有る必要は無く、加熱或は減圧等により溶融、蒸発、
昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも固相で
も使用可能である。該炭化水素としては、例えば、飽和
炭化水素、不飽和炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭
化水素等が用いられる。

使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、イソブタン
、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネオヘ
キサン、ジメチルブタン、メチルヘキサン、エチルペン
タン、ジメチルペンタン、トリブタン、メチルへブタン
、ジメチルヘキサン、トリメチルペンタン、イソナノン
等が用いられる。不飽和炭化水素としては、例えば、エ
チレン、プロピレン、イソブチレン、ブテン、ペンテン
、メチルブテン、ヘキセン、テトラメチルエチレン、ヘ
プテン、オクテン、アレン、メチルアレン、ブタジェン
、ペンタジェン、ヘキサジエン、シクロペンタジェン、
オシメン、アロシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、ア
セチレン、メチルアセチレン、ブチン、ペンチン、ヘキ
シン、ヘプチン、オクチン等が用いられる。脂環式炭化
水素としては、例えば、シクロプロパン、シクロブタン
、シクロベンクン、シクロヘキサン、シクロへブタン、
シクロオクタン、シクロプロペン、シクロブテン、シク
ロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロ
オクテン、リモネン、テルビルン、フエランドレン、シ
ルベストレン、ツエン、カレン、ピネン、ボルニレン、
カンフエン、フエンチェン、シクロブタンチエン、トリ
シクレン、ビサボレン、ジンギベレン、クルクメン、フ
ムレン、カジネンセスキベニヘン、セリネン、カリオフ
ィレン、サンタレン、セドレン、カンホレン、フィロク
ラテン、ボドカルブレン、ミレン等が用いられる。芳香
族炭化水素としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キ
シレン、ヘミメリテン、プソイドクメン、メシチレン、
プレニテン、イソジュレン、ジュレン、ペンタメチルベ
ンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチルベンゼン、プロ
ピルベンゼン、クメン、スチレン、ビフェニル、テルフ
ェニル、ジフェニルメタン、トリフェニルメタン、ジベ
ンジル、スチルベン、インデン、ナフタリン、テトラリ
ン、アントラセン、フェナントレン等が用いられる。

本発明に於けるａ−Ｃ：Ｎ膜中に含まれる水素原子の量
は、炭素原子と水素原子の総量に対して概ね３０乃至６
０原子％程度である。

本発明に於けるａ−Ｃ：Ｎ膜中に含まれる水素原子の量
は、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化し、
水素量が低くなる場合としては、例えば、基板温度を高
くする、圧力を低くする、原料炭化水素ガスの希釈率を
低くする、水素含有率の低い原料ガスを用いる、印加電
力を高くする、交番電界の周波数を低くする、交番電界
に重畳せしめた直流電界強度を高くする等の場合が挙げ
られる。

本発明に於ては炭化水素ガスの他に、ａ−Ｃ：Ｎ膜中に
少なくとも窒素原子を添加する為に窒素化合物ガスが使
用きれる。該窒素化合物ガスに於ける相状態は常温常圧
に於て必ずしも気相で有る必要は無く、加熱或は減圧等
により溶融、蒸発、昇華等を経て気化し得るものであれ
ば、液相でも固相でも使用可能である。

窒素化合物としては、例えば、窒素、アンモニア、−酸
化窒素、二酸化窒素、三酸化二窒素、五酸化二窒素、三
酸化窒素、等の無機化合物、アミノ基（ＮＨ２）、シア
ノ基（−ＣＮ）　、ニトロ基（−Ｎｏ２）、ニトロソ基
（−Ｎｏ）　、イソシアン酸エステル結合（−ＮＣＯ）
、イソチオシアン酸エステル結合（−ＮＣ３）、アゾチ
オエーテル結合（−Ｎ＝ＮＳ−）　、ペプチド結合（−
ＣＯＮＨ−）　、窒素を含む複素環等の官能基或は結合
を有する有機化合物が用いられる。アミノ基を有する有
機化合物としては、例えば、メチルアミン、エチルアミ
ン、プロピルアミン、ブチルアミン、アミルアミン、ヘ
キシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、セチ
ルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピ
ルアミン、ジブチルアミン、シアミルアミン、トリメチ
ルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、ト
リアミルアミン、トリアミルアミン、アリルアミン、ジ
アリルアミン、トリアリルアミン、シクロプロピルアミ
ン、シクロブチルアミン、シクロペンチルアミン、シク
ロヘキシルアミン、アニリン、メチルアニリン、ジメチ
ルアニリン、エチルアニリン、ジエチルアニリン、トル
イジン、ベンジルアミン、ジベンジルアミン、トリベン
ジルアミン、ジアリルアミン、トリフェニルアミン、ナ
フチルアミン、エチレンジアミン、トリメチレンジアミ
ン、テトラメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミン
、ヘキサメチレンジアミン、ジアミノへブタン、ジアミ
ノオクタン、フェニレンジアミン等が用いられる。シア
ノ基を有する有機化合物としては、例えば、アセトニト
リル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、バレロニト
リル、カプロニトリル、エナントニトリル、カプリロニ
トリル、フエラルゴンニトリル、カブリニトリル、ラウ
ロニトリル、パルミトニトリル、ステアロニトリル、ク
ロトンニトリル、マロンニトリル、ステアロニトリル、
ダルタルニトリル、アジポニトリル、ベンゾニトリル、
トルニトリル、シアン化ベンジルケイ皮酸ニトリル、ナ
フトニトリル、シアンピリジン等が用いられる。ニトロ
基を有する有機化合物としては、例えば、ニトロベンゼ
ン、ニトロトルエン、ニトロキシレンン、ニトロナフタ
リン等が用いられる。　ニトロソ基を有する有機化合物
としては、例えば、ニドＤソベンゼン、ニトロソトルエ
ン、ニトロソナフタリン、ニトロソクレゾール等が用い
られる。イソシアン酸エステル結合を有する有機化合物
としては、例えば、イソシアン酸メチル、イソシアン酸
エチル、イソシアン酸プロピル、イソシアン酸ブチル、
イソシアン酸フェニル、イソシアン酸ナフチル等が用い
られる。イソチオシアン酸エステル結合を有する有機化
合物としては、例えば、イソチオシアン酸メチル、イソ
チオシアン酸エチル、イソチオシアン酸プロピル、イソ
チオシアン酸ブチル、イソチオシアン酸アミル、イソチ
オシアン酸アリル、イソチオシアン酸フェニル、イソチ
オシアン酸ベンジル等が用いられる。アゾチオエーテル
結合を有する有機化合物としては、例えば、ベンゼンジ
アゾチオフェニルエーテル、クロルベンゼンジアゾチオ
フェニルエーテル、ブロムベンゼンジアゾチオフェニル
エーテル、ニトロベンゼンジアゾチオフェニルエーテル
、フェニルジアゾメルカプドナフタｒノン、メトキシフ
ェニルジアゾメルカプトナフタリン、ベンゼンジアゾチ
オグリコール酸、ブロムベンゼンジアゾチオグリコール
酸、ニトロベンゼンジアゾチオグリコール酸等が用いら
れる。ペプチド結合を有する有機化合物としては、例え
ば、グリセログロベブチド、グリセロイドペプチド等が
用いられる。複素環化合物としては、ビロール、ビロリ
ン、ピロリジン、オキサゾール、チアゾール、イミダゾ
ール、イミダシリン、イミダゾリジン、ピラゾール、ビ
ラプリン、ピラゾリジン、トリアゾール、テトラゾール
、ピリジン、ピペリジン、オキサジン、モルホリン、チ
アジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、ピペラジ
ン、トリアジン、インドール、インドリン、ベンゾオキ
サゾール、インダゾール、ベンゾイミダゾール、キノリ
ン、シンノリン、フタラジン、フタロシアニン、キナゾ
リン、キンキサリン、カルバゾール、アクリジン、フエ
ナントリジン、フェナジン、フェノキサジン、インドリ
ジン、キノリジン、キヌクリジン、ナフチリジン、プリ
ン、プテリジン、アジリジン、アゼピン、オキサジアジ
ン、ジチアジン、ベンゾキノリン、イミダゾチアゾール
等が用いられる。

本発明において、表面保護層中に、窒素原子が含まれな
い場合には、例えば、オージェ分析で窒素が検出されな
いような場合には、５ｅ−Ａｓ或はＳｅ／Ｔｅ感光体と
の電気的不整合性から、残留電位の発生、或は、複数枚
複写時に前の画像が次の画像にポジ又はネガ像として現
れる所謂メモリー現象の発生、更には、不整合界面での
電荷の横流れによる所謂画像流れの発生、等を誘発し易
い。又、５ｅ−Ａｓ或はＳ　ｅ　／　Ｔ　ｅ感光体との
接着性に乏しくなり、複写機内での実使用に於ける機械
的な力、或は、温湿度の変化により表面保護層の剥離が
発生し易くなる。前述の電気的不整合性は、この接着性
の乏しきに起因するものとも考えられる。

本発明に於いて表面保護層中に含有される窒素原子の量
は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への前述の窒素
化合物ガスの導入量を増減する事により制御する事が可
能である。窒素化合物ガスの導入量を増大させれば、本
発明によるａ−Ｃ：Ｎ膜中への窒素原子の添加量を高く
する事がある程度可能であり、逆に窒素化合物の導入量
を減少させれば、本発明によるａ−Ｃ：ＮＭ中への窒素
原子の添加量を低くする事が可能である。

本発明において、その酸素原子含有量４．１０．１％以
上であり、最大含有量は特に制限はないが表面保護層の
構造及びグロー放電という製造面から必然的に制約され
る。

本発明に於ける５ｅ−Ａｓ或はＳｅ／Ｔｅ感光体の表面
保護層としてのａ−Ｃ：Ｎ膜の膜厚は、概ね０゜２乃至
５μｍが好適である。膜厚が０．２ＬＬｍより薄い場合
には、表面硬度が下地であるこれらの感光体の低硬度の
影響を受は易くなり、好適な耐久性が確保できない。又
、表面保護層成膜後の膜中での原子の拡散により、有害
原子が感光体表面にまで析出して来る事もあり、有害性
防止の効果が必ずしも達成されなくなる。膜厚が５μｍ
より厚い場合には、必ずしも好適な可視光透過率が確保
できるとは限らず、５ｅ−Ａｓ或ばＳｅ／Ｔｅ感光体が
本来有する高感度性能を損なう。

本発明に於ける原料ガスからａ−Ｃ：Ｎ膜を形成する過
程としては、原料ガスが、直流、低周波、窩周波、或は
マイクロ波等を用いた所謂プラズマ法により生成される
プラズマ状態を用いて形成される。

本発明に用いられる５ｅ−Ａｓ及びＳｅ／Ｔｅ層は、抵
抗加熱法による真空蒸着により、常法に従って形成され
る。

第１図は、導電性基板（１）上に５ｅ−Ａｓ単層或はＳ
ｅとその上に５ｅ−Ｔｅ層を順次積層してなるＳｅ／Ｔ
ｅ感光層（２）及び表面保護層（３）、即ちａ−Ｃ：Ｎ
層、をこの頴に順次積層した、本発明による感光体の構
成を示したものである。

第２図は本発明に係わる感光体の表面保護層、即ち、ａ
−Ｃ：Ｎ膜を形成する為の製造装置を示し、図中（７０
１）〜（７０６）は常温に於て気相状態にある原料及び
キャリアガスを密封した第１乃至第６タンクで、各々の
タンクは第１乃至第６調節弁（７０７）〜（７１２）と
第１乃至第６流量制御器（７１３）〜（７１８）に接続
されている。図中（７１９）〜（７２１）は常温に於て
液相又は固相状態にある原料を封入した第１乃至第３容
器で、各々の容器は気化の為、第１乃至第３温調器（７
２２）〜（７２４）により与熱可能であり、更に各々の
容器は第７乃至第９調節弁（７２５）〜（７２７）と第
７乃至第９流量制御！　（７２８）〜（７３０）に接続
されている。これらのガスは混合器（７３１）で混合さ
れた後、主管（７３２）を介して反応室（７３３）に送
り込まれる。途中の配管は、常温において液相又は固相
状態にあった原料化合物が気化したガスが、途中で凝結
しないように、適宜配置された配管加熱器（７３４）に
より、与熱可能とされている。反応室内には接地１！１
極（７３５）と電力印加量ｐｉ（７３６）が対向して設
置きれ、各々の電極は電極加熱器（７３７）により与熱
可能とされている。電力印加電極（７３６）には、高周
波電力用整合器（７３８）を介して高周波電源（７３９
Ｌ低周波電力用整合器（７４０）を介して低周波電源（
７４１）、ローパスフィルタ（７４２）を介して直流電
源（７４３）が接続されており、接続選択スイッチ（７
４４）により周波数の異なる電力が印加可能とされてい
る。反応室（７３３）内の圧力は圧力制御弁（７４５）
により調整可能であり、反応室（７３３）内の減圧は、
排気系選択弁（７４６）を介して、拡散ポンプ（７４７
）　、油回転ポンプ（７４８）、或は、冷却除外装Ｈ（
７４９）　、メカニカルブースターポンプ（７５０）、
油回転ポンプ（７４８）により行なわれる。排ガスに就
いては、更に適当な除外装Ｍ　（７５３）により安全無
害化した後、大気中に排気される。これら排気系配管に
就いても、常温に於て液相又は固相状態にあった原料化
合物が気化したガスが、途中で凝結しない様に、適宜配
置された配管加熱器（７３４）により、与熱可能とされ
ている。

反応室（７３３）も同様の理由から反応室加熱器（７５
１）により与熱可能とされ、内部に配された電極上には
、別の真空蒸着装置により予め５ｅ−Ａｓ或はＳｅ／Ｔ
ｅ感光層が導電性基体上に形成された基板（７５２）が
、設置される。第２図に於て基板（７５２）は接地電極
（７３５）に固定して配されているが、電力印加量ｆｉ
　（７３６）に固定して配されても良く、更に双方に配
されても良い。

第３図は本発明に係わる感光体の表面保護層、即ち、ａ
−Ｃ：Ｎ膜を形成する為の製造装置の別の一形態を示し
、反応室（７３３）内部の形態以外は、第２図に示した
本発明に係わる製造装置と同様である。第３図に於て、
反応室（７３３）内部には、第２図に於ける接地電極（
７３５）を兼ねた、別の真空蒸着装置により予めセレン
系感光体層が導電性基体上に形成された円筒形の基板（
７５２）が設置され、内側には電極加熱器（７３７）が
配されている。基板（７５２）周囲には同じく円筒形状
をした電力印加電極（７３６）が配され、外側には電極
加熱器（７３７）が配されている。５ｅ−Ａｓ或はＳｅ
／Ｔｅ感光層が形成きれている基板（７５２）は、外部
より駆動モータ（７５４）を用いて自転可能となってい
る。

反応室は、拡散ポンプにより予め１０−４乃至１Ｏ−６
Ｔｏｒｒ程度にまで減圧し、真空度の確認と装置内部に
吸着したガスの脱着を行なう。同時に電極加熱器により
、電極並びに電極に固定して配された基板を所定の温度
まで昇温する。この時、５ｅ−Ａｓ及びＳｅ／Ｔｅ感光
層の熱変成を防止する為にセレン層を有する感光体層の
場合には、基板温度は概ね９０℃以下、セレン砒素合金
のみから成る感光体層の場合には概ね２５０℃以下の温
度設定が好ましく、昇温保持されている時間は３０分程
度以内、昇温・降温に要する時間は各々１時間程度以内
が好ましい。次いで、第１乃至第６タンク及び第１乃至
第３容器から適宜炭化水素並びに窒素化合物よりなる原
料ガスを第１乃至第９流量制葬器を用いて定′ｆＦＣ量
化しながら反応室内に導入し、圧力調節弁により反応室
内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が安定化した後、
接続選択スイッチにより、例えば高周波電源を選択し、
電力印加電極に高周波電力を投入する。両電極間には放
電が開始され、時間と共に基板上に固相の膜が形成され
る。反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚に達した
ところで放電を停止し、本発明によるａ−Ｃ：Ｎ膜を感
光体の表面保９τ層として得る。このａ−Ｃ：Ｎ膜は、
本発明により生成した窒素原子を含有する非晶質炭化水
素膜である。以上の過程により、本発明による表面保護
層を有する感光体を得る。

以下、実施例を挙げながら、本発明を説明する。

実施例１〜２ 第２図に示すグロー放電分解装置に於て、本発明による
感光体の表面保護層を作製した。

まず、反応装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程
度の高真空にした後、第１、第２、及び、第３調節弁（
７０７，７０８、及び７０９）を解放し、第１タンク（
７０１）より水素ガス、第２タンク（７０２）よりアセ
チレンガス、及び第３タンク（７０３）より窒素ガスを
各々出力圧１．０Ｋｇ／ａｍ２の下で第１、第２、及び
第３流量制瀕藷（７１３，７１４、及び７１５）内へ流
入させた。そして各流量制御器の呂盛を調整して、水素
ガスの流量を４０３ＣＣｍ、アセチレンガスの流量を４
０ＳＣＣｍ、及び窒素ガスの流量を４０ｓｅｃｍとなる
ように設定して、途中混合器（７３１）を介して、主管
（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。各々の
流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が１．
０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整し
た。一方、基板（７５２）としては、樅５０×横５０×
厚３ｍｍのアルミニウム基体に、予め別の真空蒸着装置
を用いて常法に従い、５ｅ−Ａｓ感光層（実施例１）及
びＳｅ／Ｔｅ感光層（実施例２）を約５０ｕｍの膜厚で
形成したものを用いた。基板（７５２）は、ガス導入前
に約１５分間をかけて常温より８０℃にまで昇温した。

ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択スイ
ッチ（７４４）により接続しておいた高周波電源（７３
９）を投入し、電力印加電極（７３６）に２００　Ｗ　
ａｌｌの電力を周波数１３．５６ＭＨｚの下で印加して
約１０分間プラズマ重合反応を行ない、基板（７５２）
上に厚き０．５μｍのａ−Ｃ：Ｎ膜を表面保護層として
形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、水素ガス
以外の調節弁を閉じ、反応室（７３３）内に水素ガスだ
けを２００ｓｅｃｍ流入し、圧力を１０Ｔｏｒｒに保持
し、約１５分間で５０℃まで降温した。

その後、水素ガスの調節弁を閉じ、反応室（７３３）内
を充分に排気し、基板温度が３０℃まで降温したところ
で、反応室（７３３）の真空を破り、本発明による表面
保護層を有する感光体を取り出した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ：Ｎ膜につｔｃＨＮ定
量分析を行なったところ、含有される水素原子の景は炭
素原子と水素原子の総量に対して４５原子％、ざらにオ
ージェ分析から、含有される窒素原子の量は全構成原子
に対し１．２原子％であった。

特性： 得られた感光体の表面について、鉛筆硬度をＪＩＳ−に
−５４００規格に基づいて測定したところ実施例１、及
び実施例２の何れも約７Ｈであり、本発明による感光体
の表面保護層により高硬度化される事が理解された。

又、通常のカールソン方式に於いて、実施例１で得られ
た感光体の白色光感度を測定したところ、半’ｆｔ’Ｒ
光量は約０．９２ルツクス・秒であり、表面保護層作製
前に測定したおいた値が約０．８８ルツクス・秒であっ
た事から、本発明による感光体の表面保護層は、５ｅ−
Ａｓ感光体が本来有する感度を損なわない事が理解され
た。又、通常のカールソン方式に於いて、実施例２で得
られた感光体の７８０ｎｍ光感度を測定したところ、半
ｘｉ光量は約５．７ｅｒｇ／ａｍ２であり、表面保護層
作製前に測定したおいた値が約５．７ｅｒｇ／ｃｍ２で
あった事から、本発明による感光体の表面保護層は、Ｓ
　ｅ　／　Ｔ　ｅ感光体が本来有する感度を損なわない
事が理解された。

又、実施例１及び実施例２で得られた感光体を、温度１
０℃相対湿度３０％の低温低湿雰囲気と温度５０℃相対
湿度９０％の高温高湿雰囲気とが３０分毎に交互に繰返
される環境下に６時間放置したところ、表面保護層の剥
離、或は、ひび割れ等は認められず、本発明による感光
体の表面保護層は、５ｅ−Ａｓ及びＳｅ／Ｔｅ感光体と
の接着性に優れた膜である事が理解された。

実施例３〜４ 第３区に示すグロー放電分解装置に於て、本発明による
感光体の表面保護層を作製した。

まず、反応装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程
度の高真空にした後、第１、第２、及び、第３調節弁（
７０７，７０８、及び７０９）を解放し、第１タンク（
７０１）より水素ガス、第２タンク（７０２）よりアセ
チレンガス、及び第３タンク（７０３）より窒素ガスを
各々出力圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び
第３流量制御器（７１３，７１４、及び７１５）内へ流
入させな。そして各流量制御器の目盛を調整して、水素
ガスの流量を２５０ｓｅｃｍ、アセチレンガスの流量を
２００ｓｃＣｍ％及び窒素ガスの流量を２００ｓｅｃｍ
となるように設定して、途中混合器（７３１）を介して
、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が１．○Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
調整した。一方、基板（７５２）としては、直径８０Ｘ
長さ３２９ｍｍのアルミニウム基体に、予め別の真空蒸
着装置を用いて常法に従い、５ｅ−Ａｓ感光層（実施例
３）及びＳｅ／　Ｔ　ｅ感光層（実施例４）を約５０μ
ｍの膜厚で形成したものを用いた。基板（７５２）は、
ガス導入前に約２０分間をかけて常温より８０℃にまで
昇温した。

ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択スイ
ッチ（７４４）により接続しておいた高周波電源（７３
９）を投入し、電力印加電極（７３６）に２５０Ｗａｔ
ｔの電力を周波数１３．５６ＭＨｚの下で印加して約１
５分間プラズマ重合反応を行ない、基板（７５２）上に
厚ｔｏ、７μｍのａ−Ｃ：　Ｎ膜を表面保護層として形
成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、水素ガス以
外の調節弁を閉じ、反応室（７３３）内に水素ガスだけ
を６００ｓｅｃｍ流入し、圧力を１０Ｔｏｒｒに保持し
、約２５分間で５０℃まで降温した。その後、水素ガス
の調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気し、
基板温度が３０℃まで降温したところで、反応室（７３
３）の真空を破り、本発明による表面保護層を有する感
光体を取り出した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ：Ｎ膜につきＣＨＮ定
量分析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭
素原子と水素原子の総量に対して４３原子％、ざらにオ
ージェ分析から、含有される窒素原子の量は全構成原子
に対し１．３原子％であった。

特性： 得られた感光体の表面について、鉛筆硬度をＪＩＳ−に
−５４００規格に基づいて測定したところ実施例３、及
び実施例４の何れも７Ｈ以上であり、本発明による感光
体の表面保護層により高硬度化される事が理解きれた。

又、通常のカールソン方式に於いて、実施例３で得られ
た感光体の白色光感度を測定したところ、半減露光量は
約１．１ルツクス・秒であり、表面保護層作製前に測定
したおいた値が約０．９６ルツクス・秒であった事から
、本発明による感光体の表面保護層は、５ｅ−Ａｓ感光
体が本来有する感度を損なわない事が理解きれた。又、
通常のカールソン方式に於いて、実施例４で得られた感
光体の７８０ｎｍ光感度を測定したところ、半減露光量
は約５．５ｅｒｇ／ａｍ２であり、表面保護層作製前に
ぶり定したおいた値が約５．３ｅｒｇ／ｃｍ２であった
事から、本発明による感光体の表面保護層は、Ｓｅ／Ｔ
ｅ感光体が本来有する感度を撰なわない事が理解きれた
。

又、実施例３及び実施例４で得られた感光体を、温度１
０℃相対湿度３０％の低温低湿雰囲気と温度５０℃相対
湿度９０％の高温高湿雰囲気とが３０分毎に交互に繰返
きれる環境下に６時間放置したところ、表面保護層の剥
離、或は、ひび割れ等は認められず、本発明による感光
体の表面保護層は、５ｅ−Ａｓ及びＳｅ／Ｔｅ感光体と
の接着性に優れた膜である事が理解された。

又、実施例３で得られた感光体をミノルタ製複写機ＥＰ
６５０Ｚに搭載し実写したところ、所謂メモリー画像の
無い鮮明な画像が得られ、更に、温度３５℃相対湿度８
０％の環境下で実写しても、所謂画像流れは認められな
かった。又、複写機内での現像剤、転写紙、並びに、清
掃部材との接触に於ても、表面保護層の剥離は認められ
なかった。又、通常の室内に於て、実写を２５万枚行な
ったところ、最後まで鮮明な画像が得られた。又、２５
万枚実写後、オージェ分析により表面の組成分析を行な
ったところ、セレン或は砒素等は検出されなかった。こ
れらの事から、本発明による感光体の表面保護層は、画
像品位を損なわずに、耐久性の向上と、有害性の改善を
達成するものである事が理解された。

又、実施例４で得られた感光体をミノルタ製複写機ＥＰ
４５０２に搭載し、光学系を半導体レーザ、ポリゴンミ
ラースキャナ、及び、駆動系等から成る、常用の半導体
レーザ露光系に変更して実写したところ、所謂メモリー
画像の無い鮮明な画像が得られ、更に、温度３５℃相対
湿度８０％の環境下で実写しても、所謂画像流れは認め
られなかった。又、複写機内での現像剤、転写紙、並び
に、清掃部材との接触に於ても、表面保護層の剥離は認
められなかった。又、通常の室内に於て、実写を２０万
枚行なったところ、最後まで鮮明な画像力ｑ専られた。

又、２０万枚実写後、オージェ分析により表面の組成分
析を行なったところ、七しン或ばテルル等【よ検出され
なかった。これらの事から、本発明による感光体の表面
保護層は、画像品（ケを損なわずに、耐久性の向上と、
有害性の改善を達成するものである事が理解きれた。

因旅力二二旦 第３図に示すグロー放電分解装置に於て、本発明による
感光体の表面保護層を作製した。

まず、反応装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｃｒｒ程
度の高真空にした後、第１、及び、第３調節弁（７０７
、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）よりア
ルゴンガス、及び第３タンク（７０３）よりエチレンガ
スを各々出力圧１．０Ｋｇ／ａｍ２の下で第１及び第３
流量制加器（７１３、及び７１５）内へ、同時に第７、
及び第８調節弁（７２５、及び７２６）を解放し、第１
容器（７１９）よりスチレンガスを第１温調器（７２２
）温度６０℃の下で、第２容器（７２０）よりアニリン
ガスを第２温調器（７２３Ｎｆｆ１度１２０℃の下で第
７及び第８流量制御器（７２８、及び７２９）内へ流入
させた。そして各流量側２ａ器の目盛を調整して、アル
ゴンガスの流量を２００ｓｅｃｍ。

エチレンガスの流量を１５０ｓｃａｍ、スチレンガスの
流量を１０１００５ｅ、及びアニリンガスの流量を６０
ｓｅｃｍとなるように設定して、途中混合器（７３１）
を介して、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流
入した。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）
内の圧力が１．０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７
４５）を調整した。一方、基板（７５２）としてば、直
径８０×長ざ３２９ｍｍのアルミニウム基体に、予め別
の東学蒸着装置を用いて常法に従い、Ｓ　ｅ　−Ａ　ｓ
　５．光層（実施例５）及びＳｅ／Ｔｅ感光層（実施例
６）を約５０ｕｍの膜厚で形成したものを用いた。基板
（７５２）は、ガス導入前に約２０分間をかけて常温よ
り８０℃にまで昇温した。ガス流量及び圧力が安定した
状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続し
ておいた低周波電源（７４１）を投入し、電力印加’１
ｉ（７３６）に１００Ｗａ１１の電力を周波数３０ＫＨ
ｚの下で印加して約１０分間プラズマ重合反応を行ない
、基板（７５２）上に厚き３．３μｍのａ−Ｃ：Ｎ膜を
表面保護層として形成した。成膜完了後は、電力印加を
停止し、アルゴンガス以外の調節弁を閉じ、反応室（７
３３）内にアルゴンガスだけを６００ｓｅｃｍ流入し、
圧力を１０Ｔｏｒｒに保持し、約１５分間で５０℃まで
降温した。

その後、水素ガスの諷茄弁を閉じ、反応室（７３３）内
を充分に排気し、基板温度が３０″Ｃまで降温したとこ
ろで、反応室（７３３）の真空を破り、本発明による表
面保護層を有する感光体を取り出した。

以上のようにして得られたａｃ：ＮＧにつきＣ）ｌＮ定
量分析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭
素原子と水素原子の総量に対して３７原子％、ざらにオ
ージェ分析から、含有される窒素原子の景は全構成原子
に対し６．８原子％であった。

特性： 得られた感光体の表面について、鉛筆硬度をＪ　ＩＳ−
に−５４００規格に基づいて」り定したところ実施例５
、及び実施例６の何れも７Ｈ以上であり、本発明による
感光体の表面保護層により高硬度化される事が理解され
た。

又、通常のカールソン方式に於いて、実施例５で得られ
た感光体の白色光感度を測定したところ、半減露光量は
約１．１５ルツクス・秒であり、表面保護層作製前に測
定したおいた値が約０．９６ルツクス・秒であった事か
ら、本発明による感光体の表面保Ｎ層は、５ｅ−Ａｓ感
光体が本来有する感度を損なわない事が理解された。又
、通常のカールソン方式に於いて、実施例６で得られた
感光体の７８０ｎｍ光感度を測定したところ、半減露光
量は約５．５ｅｒｇ／ｃｍ２であり、表面保護層作製前
に」り定したおいた値が約５．３ｅｒｇ／ａｍ２であっ
た事から、本発明による感光体の表面保護層は、Ｓ　ｅ
　／　Ｔ　ｅ感光体が本来有する感度を損なわない事が
理解された。

又、実施例５及び実施例６で得られた感光体を、温度１
０℃相対湿度３０％の低温低湿雰囲気と温度５０℃相対
湿度９０％の窩温高湿雰囲気とが３０分毎に交互に繰返
される環境下に６時間放置したところ、表面保護層の剥
離、或は、ひび割れ等は認められず、本発明による感光
体の表面保護層は、５ｅ−Ａｓ及びＳｅ　／’　Ｔ　ｅ
感光体との接着性に優れた段である事が理解された。

又、実施例５、及び実施例６で得られた感光体を実施例
３、及び実施例４と同様にして複写機内で実写したとこ
ろ、良好な画像、接着性、耐環境性、耐久性、並びに、
無公害性が確かめられた。

寡旅皿ヱ 第３図に示すグロー放電分解装置に於て、本発明による
感光体の表面保護層を作製した。

まず、反応装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程
度の高真空にした後、第１、及び、第３調節弁（７０７
、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）よりア
ルゴンガス、及び第３タンク（７０３）よりブタジェン
ガスを各々出力圧１．○Ｋｇ／ａｍ２の下で第１及び第
３流量制御器（７１３、及び７１５）内へ、同時に第７
調節弁（７２５）を解放し、第１容器（７１９）よりピ
リジンガスを第１温調器（７２２）温度４０℃の下で第
７流量制御器（７２８）内へ流入させな。そして各流量
制御器の目盛を調整して、アルゴンガスの流量を２００
ｓｅｃｍ、ブタジェンガスの流量を１５０ｓｅｃｍ、及
びピリジンガスの流量を１５０ＳＣＣｍとなるように設
定して、途中混合式（７３１）を介して、主管（７３２
）より反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安
定した後に、反応室（７３３）内の圧力が１．０Ｔｏｒ
ｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方
、基板（７５２）としては、直径８０×長さ３２９ｍｍ
のアルミニウム基体に、予め別の真空蒸着装置を月いて
常法に従い、５ｅ−Ａｓ感光体層を約５０μｍの膜厚で
形成したものを用いた。基板（７５２）は、ガス導入前
に約３０分間をかけて常温より１８０℃にまで昇温した
。

ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択スイ
ッチ（７４４）により接続しておいた低周波電源（７４
１）を投入し、電力印加電極（７３６）に１５０Ｗａｔ
ｔの電力を周波数３０ＫＨｚの下で印加して約１０分間
プラズマ重合反応を行ない、基板（７５２）上に厚さ２
．４μｍのａ−Ｃ：Ｎ膜を表面保護層として形成した。

成膜完了後は、電力印加を停止し、アルゴンガス以外の
調節弁を閉じ、反応室（７３３）内にアルゴンガスだけ
を６００ｓｅｃｍ流入し、圧力を１０Ｔｏ　ｒ　ｒに保
持し、約３０分間で５０℃まで降温した。その後、水素
ガスの調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気
し、基板温度が３０℃まで降温したところで、反応室（
７３３）の真空を破り、本発明による表面保護層を有す
る感光体を取り出した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ：Ｎ膜につキＣＨＮ定
量分析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭
素原子と水素原子の総量に対して５２原子％、ざらにオ
ージェ分析から、含有される窒素原子の量は全構成原子
に対し？原子％であった。

特性： 得られた感光体の表面について、鉛筆硬度をＪＩＳ−に
−５４００規格に基づいて測定したところ約７Ｈであり
、本発明による感光体の表面保護層により高硬度化され
る事が理解された。

又、通常のカールソン方式に於いて、白色光感度を測定
したところ、半減露光量は約１．１ルツクス・秒であり
、表面保護層作製前にタリ定したおいた値が約０．９２
ルツクス・秒であった事から、本発明による感光体の表
面保護層は、５ｅ−Ａｓ感光体が本来有する感度を損な
わない事が理解きれた。

又、温度１０℃相対湿度３ｏ％の低温低湿雰囲気と温度
５０℃相対湿度９０％の高温高湿雰囲気とが３０分毎に
交互に繰返きれる環境下に６時間放置したところ、表面
保護層の剥離、或は、ひび割れ等ｔよ認められず、本発
明による感光体の表面保護層は、５ｅ−Ａｓ感光体との
接着性に優れた膜である事が理解された。

又、実施例３と同様にして複写機内で実写したところ、
良好な画像、接着性、耐環境性、耐久性、並びに、無公
害性が確かめられた。

実施例８ 第３図に示すグロー放電分解装置に於て、本発明による
感光体の表面保護層を作製した。

まず、反応装置（７３３）の内部を１Ｏ−５Ｔｏｒｒ程
度の高真空にした後、第１、及び、第３調節弁（７０７
、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１’）より
水素ガス、及び第３タンク（７０３）よりアンモニアガ
スを各々出力圧１．○Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１及び第３
流量制御器（７１３、及び７１５）内へ、同時に第７調
節弁（７２５）を解放し、第１容器（７１９）よりミル
センガスを第１温調器（７２２）　’ｔＭ度８５℃の下
で第７流量制御器（７２８）内へ流入きせた。そして各
流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量を５０ｓ
ｅｃｍ、アンモニアガスの流量を１１０５ＣＣ，及びミ
ルセンガスの流量を１０１００５ｅとなるように設定し
て、途中混合器（７３１）を介して、主管（７３２）よ
り反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定し
た後に、反応室（７３３）内の圧力が１．０Ｔｏｒｒと
なるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、基
板（７５２）　　としては、直径８０×長き３２９ｍｍ
のアルミニウム基体に、予め別の真空蒸着装置を用いて
常法に従い、５ｅ−Ａｓ感光体層を約５０ＬＬｍの膜厚
で形成したものを用いた。基板（７５２）は、ガス導入
前に約３０分間をかけて常温より２００℃にまで昇温し
な。ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択
スイッチ（７４４）により接続しておいた低周′Ｊ！！
、電源（７４１，）を投入し、電力印加電極（７３６）
に１２０Ｗａ　ｔ　ｔ：の電力を周波数４５ＫＨｚの下
で印加して約１０分間プラズマ重合反応を行ない、基板
（７５２）Ｊ−に厚さ４゜１μｍのａ−Ｃ：Ｎ膜を表面
保護層として形成した。

成膜完了後は、電力印加を停止し、水素ガス以外の調節
弁を閉じ、反応室（７３３）内に水素ガスだけを６００
ｓｅｃｍ流入し、圧力を１０Ｔｏｒｒに保持し、約３０
分間で５０℃まで降温した。その後、水素ガスの調節弁
を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気し、基板温度
が３０℃まで降温したところで、反応室（７３３）の真
空を破り、本発明による表面保護層を有する感光体を取
り出した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ：Ｎ膜につきＣＨＮ定
量分析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭
素原子と水素原子の総量に対して３６原子％、ざらにオ
ージェ分析から、含有される窒素原子の量は全構成原子
に対し０．２原子％であった。

特性： 得られた感光体の表面について、鉛筆硬度をＪＩＳ−に
−５４００規格に基づいて測定したところ７Ｈ以上であ
り、本発明による感光体の表面保護層により高硬度化さ
れる事が理解された。

又、通常のカールソン方式に於いて、白色光感度を測定
したところ、半減露光量は約０．９１ルツクス・秒であ
り、表面保護層作製前に測定したおいた値が約０．９ル
ツクス・秒であった事から、本発明による感光体の表面
保護層は、５ｅ−Ａｓ感光体が本来有する感度を損なわ
ない事が理解された。

又、温度１０℃相対湿度３０％の低温低湿雰囲気と温度
５０℃相対湿度９０％の高温高湿雰囲気とが３０分毎に
交互に繰返される環境下に６時間放置したところ、表面
保護層の剥離、或は、ひび割れ等は認められず、本発明
による感光体の表面保護層は、５ｅ−Ａｓ感光体との接
着性に優れた膜である事が理解された。

又、実施例３と同様にして複写機内で実写したところ、
良好な画像、接着性、耐環境性、耐久性、並びに、無公
害性が確かめられた。

比較色に旦 窒素ガスを流入しない事以外は、実施例３及び実施例４
と同様にして５ｅ−Ａｓ（比較例１）並びにＳｅ／Ｔｅ
（比較例２）感光体上に表面層を形成した。

この表面層についてオージェ分析を行なったところ、窒
素原子は検出されず、たとえコンクミネーションにより
窒素原子が極く微量混入していたにせよ、その量はオー
ジェ分析の検出埋界である○、ｌａｔ％未満である事が
理解きれる。

緒特性は、実施例３及び実施例４と顕似した値を示した
が、実写を行なったところ、連続複写時に於て、前の画
像が次の画像上にネガ像として現れる、所謂メモリー現
象が発生し、実用上好適な画像は得られなかった。この
事から窒素原子添加による電気的整合性の向上、その結
果としての画質向上の効果が理解される。

又、実写後、比較例１及び比較例２て得られた感光体を
、温度１０℃相対湿度３０％の低温低湿雰囲気と温度５
０ｔ’相対湿度９０％の高温高湿雰囲気とが３０分毎に
交互に繰返きれる環境下に６時間放置したところ、ドラ
ム状感光体の端部より徐々に、そして最終的にはドラム
全面の表面保護層が剥離、もしくは、ひび割れを生じ、
本発明による感光体の表面保護層に於ける、窒素添加に
よる５ｅ−Ａｓ及びＳｅ／Ｔｅ感光体との接着性向上の
効果が理解された。

比較外旦二戟 アニリンガスを流入しない事以外は、実施例５及び実施
例６と同様にして５ｅ−Ａｓ（比較例３）並びにＳｅ／
Ｔｅ（比較例４）感光体上に表面層を形成した。

この表面層についてオージェ分析を行なったところ、窒
素原子は検出されず、たとえコンタミネーションにより
窒素原子が極く微量混入していたにせよ、その量はオー
ジェ分析の検出限界であるＯ、゛ｌａｔ％未満である事
が理解きれる。

緒特性は、実施例５及び実施例６と類似した値を示した
が、実写を行なったところ、連続複写時に於て、前の画
像が次の画像上にネガ像として現れる、所謂メモリー現
象が発生し、実用上好適な画像は得られなかった。この
事から窒素原子添加による画質向上の効果が理解される
。

又、実写後、比較例３及び比較例４で得られた感光体を
、温度１０℃相対湿度３０％の低温低湿雰囲気と温度５
０℃相対湿度９０％の高温高湿雰囲気とが３０分毎に交
互に繰返される環境下に６時間放置したところ、全面の
表面保護層が剥離し、本発明による感光体の表面保護層
に於ける、窒素添加による５ｅ−Ａｓ及びＳｅ／Ｔｅ感
光体との接着性向上の効果が理解された。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係わる感光体の構成を示す図、第２図
及び第３図は本発明に係わる感光体を製造するための製
造装置を示す図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 導電性基板上にセレン砒素合金単層構成乃至はセレンと
   セレンテルル合金をこの順に設けた積層構成より成る感
   光体において、表面保護層を設け、該表面保護層はグロ
   ー放電法により生成され少なくとも窒素原子を含む非晶
   質炭化水素膜であることを特徴とする感光体。