JPS63220256A

JPS63220256A - 感光体

Info

Publication number: JPS63220256A
Application number: JP5479887A
Authority: JP
Inventors: Kenji Masaki; 賢治正木; Mochikiyo Osawa; 大澤　以清; Masanori Fujiwara; 正典藤原
Original assignee: Minolta Co Ltd
Current assignee: Minolta Co Ltd
Priority date: 1987-03-10
Filing date: 1987-03-10
Publication date: 1988-09-13

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、表面保護膜を設けたセレン系感光体に関する
。

従来Ω技術電子写真感光体としてアモルファスセレン感光体はよく
知られており、その耐熱性、分光感度、暗減衰等におけ
る欠点については、セレン層に砒素を添加したり、また
セレン層の上にセレンテルル合金層を設けた積ＨＩＲ成
とすることにより改良がなされている。

そして通常の複写機で必要ときれる比視感度域において
はせレン砒素合金感光体が他の全ての感光体より高感度
であり、また半導体レーザー光を光源としたプリンタで
必要とされる長波長感度域においてはセレンとセレンテ
ルル合金をこの順に設けた積層構成よりなる感光体が最
も高感度な感光体の一つであることが知られている。

しかし、そのような感光体でも繰り返し使用すると画像
欠陥、白スジ等の問題が発生する。これは、セレン砒素
、セレンテルル合金がＪＩＳ−に−５４００規格鉛筆硬
度にしておよそＨ程度と柔らかいため、繰り返し使用に
おける転写紙、クリーニング部材、現像剤等との摩耗に
より感光体表面が削れたり、傷付いたりするためである
。また、ペーパージャム時およびその復帰の際の人為的
操作等による苛酷な表面接触もその一因となる。

また、セレン金属は有毒であるため、削り取られたセレ
ンあるいは砒素、また：よ複写機内の？、酊こより気化
したセレン、砒素等の金属が人体に与える影響も懸念さ
れる。

そこで、感光体の表面に保護層を設は上記問題点を解消
する試みが提案されている。

特開昭５３−２３６３６号公報および特開昭５３−１１
１７３４号公報に記載の技術はセレン系感光層上に、特
定の珪素化合物塗布し硬化きせた絶縁層を設けた感光体
を開示している。

特開昭５９−５８４３７号公報に記載の技術はセレンを
含む感光層上に、ＳｉとＮまたはＳｉと０との化合物を
主体とする保護層を設けた感光体を開示している。

特開昭６０−６１７６１号公報に記載の技術は感光活性
層の表面に、ダイヤモンド状炭素膜を被覆した感光体を
開示している。

Ｉが解ゝしようとする出題点しかしながら、上記特開昭５３−２３６３６号公報およ
び特開昭５３−１１１７３４号公報記載の感光体は表面
硬度が低いため感光体表面が傷付きやすいという欠点が
、上記特開昭５９−５８４３７号公報記載の感光体は耐
湿性が悪く、画像流れが発生しやすいという欠点が存在
する。また、上記特開昭６０−６１７６１号公報記載の
感光体も耐湿性が悪く、画像流れが発生しやすいという
欠点が存在する。ざらに、上記公報はアモルファスシリ
コンを感光活性層とする開示であり、セレン系感光層に
応用しようとすると帯電能の低下および接着性の低下を
招くという欠点が存在する。

すなわち、セレン砒素合金単層構成あるいはセレンとセ
レンテルル合金をこの順に設けた積層構成よりなる感光
体は、その表面が柔らかく傷が付きやすく、また、長期
間使用しても画像流れ等の発生しない有効な保護膜は存
在しない。

そこで、本発明の目的は、繰り返し使用しても感光体表
面に傷が付かず、かつ耐候性に優れた感光体を提供する
ことにある。

本発明のざらなる目的は、帯電能の低下および接着性の
低下を伴わない保護膜を有する感光体を提供することに
ある。

問題Φを解ｉξするｔ：めの手ｒすなわち本発明は、導電性基板上にセレン砒素合金単層
構成ないしはセレンとセレンテルル合金をこの順に設け
た積層構成よりなる感光体において、表面保護層を設け
、該表面保護層はグロー放電法により生成され、少なく
ともハロゲン原子と周期律表第■族原子とを含む非晶質
炭化水素膜であることを特徴とする感光体に関する。

本発明感光体の構成例を第１図に示す。アルミニウム等
の導電性基板（３）上に感光層（２）および非晶質炭化
水素膜よりなる表面保護層（１）が順次積層されている
。感光層（２）はそれ自体公知のせレン砒素単層または
セレン層とセレンテルル合金層を基板（３）上に順次積
層したものである。

本発明の特徴は、表面保護層（１）の非晶質炭化水素膜
中に少なくともハロゲン原子と周期律表第Ｖ族原子とを
含むことである。非晶質炭化水素膜はそれ自体４Ｈ程度
の硬い膜であるが、ハロゲン原子原子を含有させること
により、接着性、耐湿性ににれ、しかもより高硬度で傷
付き・にくい表面保護層（１）とすることができる。同
時に周期律表第■族原子を含有させることにより、好適
な帯電能を保証し、しかもより透光性に優れた表面保護
層（１）とすることができる。

非晶質炭化水素膜中に含有きれるハロゲン原子の量は、
全構成原子に対して０．１原子％以上、好ましくは０．
５原子％以上、より好ましくは１．０原子％以上である
。ハロゲン原子の量が全構成原子に対して０．１原子％
より少ない場合には、接着性、耐湿性の面で好ましくな
い。

非晶質炭化水素膜中に含有される周期律表第■族原子の
量は、全構成原子に対して０．１原子％以上、好ましく
は０．５原子％以上、より好ましくは１．０原子％以上
である。周期律表第■族原子の量が全構成原子に対して
０．１原子％より少ない場合には、帯電能の面で好まし
くない。

本発明において非晶質炭化水素膜中に含有されるハロゲ
ン原子および周期律表第Ｖ族原子の最大含有量は特に制
限はないが、表面保護層の構造およびグロー放電という
製造面から必然的に制約きれる。

本発明において表面保護層（１）に用いられる非晶質炭
化水素膜中に含有されるハロゲン原子および周期律表第
■族原子は表面保護層（１）の深き方向に対して均一に
分布してもよいし不均一に分布してもよい。

ハロゲン原子が表面保護層の深き方向に対して不均一に
分布するような場合には、セレン砒素合金単層構成の感
光体またはセレンとセレンテルル合金をこの順に設けた
積層構成よりなる感光体との接着性を確保する目的から
基板側に多く分布してもよい。また、感光体表面の滑性
を高くし、耐摩耗性を向上する目的から表面側に多く分
布してもよい。

周期律表第Ｖ族原子が表面保護層の深き方向に対して不
均一に分布するような場合には、表面からの電荷注入を
防止し帯電能を確保する目的から表面側に多く分布する
ことが好ましい。

非晶質炭化水素膜中に含有される水素原子の量は特に制
限はないが、表面保護層のも４造、ペテロ原子の含有量
およびグロー放電という製造面から必然的に制約され、
その量は概ね１０ないし６０原子％となる。

非晶質炭化水素膜中に含有される炭素原子、水素原子、
ハロゲン原子、周期律表第Ｖ族原子等の量は、有機元素
分析、オージェ分析等の手段により知ることができる。

本発明の表面保護層（１）は、０．０１ないし５μｍ１
好ましくは０．０５ないし２μｍ１より好ましくは０．
１ないしｌａｍの厚ざに形成する。０．０１μｍより薄
いと膜強度が低下し、傷が付きやすくなる。また、５μ
ｍより厚いと透光性が低下し、照射光をセレン系感光層
中に有効に導くことができなくなり感度低下を招く。

本発明の感光体の表面保護層（１）は、自体公知なセレ
ン砒素合金単層構成の感光体、またはセレンとセレンテ
ルル合金をこの順に設けた積層構成よりなる感光体の上
に形成すればよく、本発明の目的を有効に達成すること
ができる。

表面保護層（１）はグミ−放電法により形成する。表面
保護層（１）は気相状態の少なくとも炭素原子および水
素原子を含む分子を少なくともハロゲン原子原子を含む
分子と周期律表第■族原子を含む原子とともに減圧下で
放電し、発生したプラズマ雰囲気中に含まれる活性中性
種あるいは荷電極を基板上に拡散、電気力あるいは磁気
力等により誘導し、基板上での再結合反応により同相と
して堆積させる、いわゆるプラズマ反応（以下、Ｐ−Ｃ
ＶＤ反応という）することにより少なくとｔハロゲン原
子および周期律表第■族原子を含む非晶質炭化水素膜と
して調整することができる。

上記各分子は常温常圧において必ずしも気相で有る必要
はなく、加熱あるいは減圧等により溶融、蒸発、昇華等
を経て気化し得るものであれば、液相でも固相でも使用
可能である。

少なくとも炭素原子および水素原子を含む分子としては
炭化水素、例えば、飽和炭化水素、不飽和炭化水素、脂
環式炭化水素、芳香族炭化水素、等を用いることができ
る。

飽和炭化水素としては、例えば、メタン、エタン、プロ
パン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタ
ン、イソブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘ
キサン、ネオヘキサン、ジメチルブタン、メチルヘキサ
ン、エチルペンタン、ジメチルペンタン、トリブタン、
メチルへブタン、ジメチルヘキサン、トリメチルペンタ
ン、イソナノン、等を用いることができる。

不飽和炭化水素としては、例えば、エチレン、プロピレ
ン、イソブチレン、ブテン、ペンテン、メチルブテン、
ヘキセン、テトラメチルエチレン、ヘプテン、オクテン
、アレン、メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、
ヘキサジエン、シクロペンタジェン、オシメン、アロシ
メン、°ミルセン、ヘキサトリエン、アセチレン、メチ
ルアセチレン、ブチン、ペンチン、ヘキシン、ヘプチン
、オクチン、ブタジイン等を用いることができる。

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
ブテン、シクロオクタン、シクロプロペン、シクロブテ
ン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン
、シクロオクテン、リモネン、テルビルン、フエランド
レン、シルベストレン、ツエン、カレン、ピネン、ボル
ニレン、カンフエン、フエンチェン、シクロブテンチエ
ン、トリシクレン、ビサボレン、ジンギベレン、クルク
メン、フムレン、カジネンセスキベニヘン、セリネン、
カリオフィレン、サンタレン、セドレン、カンホレン、
フィロクラテ゛ン、ポドカルプレン、ミレン等を用いる
ことができる。

芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン、トルエン
、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメン、メシチレ
ン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、ペンタメチ
ルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチルベンゼン、
プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビフェニル、テ
ルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニルメタン、
ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフタリン、テト
ラリン、アントラセン、フェナントレン等を用いること
かできる。

非晶質炭化水素膜中に含まれる水素原子の量は、成膜装
置の形態並びに成膜時の条件により変化し水素量が低く
なる場合としては、例えば、基板温度を高くする、圧力
を低くする、原料炭化水素ガスの希釈率を低くする、水
素含有率の低い原料ガスを用いる、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の場合が挙げられる。

少なくともハロゲン原子を含む分子としては、例えば、
Ｆ２、ＨＦ、ＨＣＬ　ＣＦ４、ＣＣｌ　４、Ｃ３Ｆ８、
ＣＦ　２ＣＨ２、ＣＦＨＣＦＨ等を用いることができる
。

非晶質炭化水素膜中に含まれるハロゲン原子の量は、Ｐ
−ＣＶＤ反応に用いる少なくともハロゲン原子を含む分
子の量を増減することにより調整することができる。非
晶質炭化水素膜中に含まれるハロゲン原子の量を表面保
護層（１）の深と方向に対して不均一に分布させるには
、Ｐ−ＣＶＤ反応中にハロゲン原子を含む分子の量を増
減することにより調整すればよい。

少なくとも周期律表第■族原子を含む分子としては、例
えば、ＰＨ３、ＰＦ３、ＰＦ−、、ＰＣ１２Ｆ、ＰＣ１
２Ｆ３、ＰＣｌ３、ＰＢｒ３、ＰＯ（ＯＣＨ３）３、Ｐ
（Ｃ２Ｈ５）３、ＰＯＣｌ３、ＡｓＨ３、ＡｓＣｌ３、
Ａ　ｓ　Ｂ　ｒ　ａ、ＡｓＦ３、ＡｓＦ５、ＡｓＣｌ３
、ＳｂＨ３、ＳｂＦ３．５ｂＣ１３、Ｓ　ｂ　（ＯＣ２
Ｈ５）　３等を用いることができる。

非晶質炭化水素膜中に含まれる周期律表第■族原子の量
は、Ｐ−ＣＶＤ反応に用いる少なくとも周期律表第Ｖ族
原子を含む分子の量を増減することにより調整すること
ができる。非晶質炭化水素膜中に含まれる周期律表第■
族原子の量を表面保護層（１）の深さ方向に対して不均
一に分布きせるには、Ｐ−ＣＶＤ反応中に周期律表第■
族原子を含む分子の量を増減することにより調整すれば
よい。

第２図および第３図は本発明の表面保護膜を形成するた
めのグロー放電分解装置の一例を示す図である。第２図
は平行平板型Ｐ−ＣＶＤ装置、第３図は円筒型Ｐ−ＣＶ
Ｄ装置を示す。

まず、第２図を用いて説明する。

第２図中（７０１）〜（７０６）は常温において気相状
態にある原料化合物およびキャリアガスを密封した第１
ないし第６タンクで、各々のタンクは第１ないし第６調
節弁（７０７）〜（７１２）と第１ないし第６′ｔＣ量
制御器（７１３）〜（７１８）に接続きれている。

図中（７１９）〜（７２１）は常温において液相または
固相状態にある原料化合物を封入した第１ないし第３容
器で、各々の容器は気化のため、第１ないし第３加熱器
（７２２）〜（７２４）により与熱可能であり、ざらに
各々の容器は第７ないし第９調節弁（７２５）〜（７２
７）と第７ないし第９流量制御器（７２８）〜（７３０
）に接続されている。

これらのガスは混合器（７３１）で混合された後、主管
（７３２）を介して反応室（７３３）に送り込まれる。

途中の配管は、常温において液相または固相状態にあっ
ｔ：原ｒ↓化合物が気化しｔ：ガスが、途中で凝結しな
いように、適宜配置された配管加熱器（７３４）により
、与熱可能とされている。

反応室内には接地型ｔｌ（７３５）と電力印加電極（７
３６）が対向して設置され、各々の電極は電極加熱器（
７３７）により与熱可能ときれている。

電力印加電極（７３６）には、高周波電力用整合器（７
３８）を介して高周波電源（７３９）、低周波電力用整
合器（７４０）を介して低周波電源（７４１）、ローパ
スフィルタ（７４２）を介して直流電源（７４３）が接
続されており、接続選択スイッチ（７４４）により周波
数の異なる電力が印加可能とされている。

反応室（７３３）内の圧力は圧力制御弁（７４５）によ
り調整可能であり、反応室（７３３）内の減圧は、排気
系選択弁（７４６）を介して、拡散ポンプ（７４７）　
、油回転ポンプ（７４８）、あるいは、冷却除外装置（
７４９）　、メカニカルブースターポンプ（７５０）、
油回転ポンプ（７４８）により行なわれる。

排ガスについては、ざらに適当な除外装置（７５３）に
より安全無害化した後、大気中に排気される。

これら排気系配管についても、常温において液相または
同相状態にあった原料化合物が気化したガスが、途中で
凝結しないように、適宜配置きれた配管加熱器（７３４
）により、与熱可能ときれている。

反応室（７３３）も同様の理由から反応室加熱器（７５
１）により与熱可能とされ、内部に配された電極上に基
板（７５２）が設置される。

第２図において基板（７５２）は接地電極（７３５）に
固定して配されているが、電力印加電極（７３６）に固
定して配されても良く、ざらに双方に配されても良い。

第３図に示した装置も基本的には第２図に示した装置と
同様であり、反応室（７３３）内の形態が基板（７５２
）が円筒形であることに応じて変更されているものであ
る。基板（７５２）は接地型４ｋ（７３５）を兼ね、電
力印加電４１（７３６）および電極加熱器（７３７）共
に円筒形をなしている。また、導電性基板（７５２）は
、外部より駆動モータ（７５４）を用いて自転可能とな
っている。

以上の構成において、感光体製造に供する反応室は、拡
散ポンプにより予め１０−４ないし１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程
度にまで減圧し、真空度の確認と装置内部に吸着したガ
スの脱離を行なう。

同時に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配
された基板を所定の温度まで昇温する。

基板としては導電性基板上に自体公知のセレン砒素合金
の単層ないしはセレンとセレンテルル合金をこの順に設
けた積層構成よりなる感光体を用いる。

次いで、第１ないし第６タンクおよび第１ないし第３容
器から原料ガスを第１ないし第９流量制卸器を用いて定
流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節弁により反
応室内を一定の減圧状態に保つ。

ガス流星が安定化しｔ：後、接続選択スイッチにより、
例えば低周波電源を選択し、電力印加電極に低周波電力
を投入する。

両電極間には放電が開始きれ、時間と共に基板上に固相
の非晶質炭化水素膜が形成される。所定の膜厚に達した
ところで放電を停止し、本発明による感光体を得る。

本発明の非晶質炭化水素膜は作製時に混入（コンタミネ
ーション）した不可避不純物の量が全構成原子に対し５
原子％以下であることが好ましく、この範囲であれば本
発明におけるペテロ原子添加効果が有効に作用する。

以下、実施例を挙げながら本発明を説明する。

宜旅刀に旦第３図に示すグロー放電分解装置において、感光体の表
面保護層を作製した。

まず、反応装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔ。

ｒｒ程度の高真空にした後、第１、第２、第３および第
４調節弁（７０７，７０８，７０９および７１０）を解
放し、第１タンク（７０１）より水罰ガス、第２タンク
（７０２）よりブタジェンガス、第３タンク（７０３）
より四弗化炭素ガスおよび第４タンク（７０４）より水
素で１０％に希釈したホスフィンガスを各々出力圧１．
０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、第３および第４流量
制御器（７１３，７１４，７１５および７１６）内へ流
入させた。そして各流量制御器の目盛を調整して、水素
ガスの流量を１０１００５ｅ、ブタジェンガスの流量を
６０ｓｅｃｍ、四弗化炭素ガスの流量を１２０ｓｅｃｍ
および水素で１０％に希釈したホスフィンガスの流量を
１０１００５ｅとなるように設定して、途中混合器（７
３１）を介して、主管（７３２）より反応室（７３３）
内へ流入した。各々の流量が安定した後に、反応室（７
３３）内の圧力が０．５Ｔｏｒｒとなるように圧力調節
弁（７４５）を調整した。一方、基板（７５２）として
は、直径８０×長ざ３３０ｍｍのアルミニウム基体に、
予め別の真空蒸着装置を用いて常法に従い、セレン砒素
合金単層構成からなる感光層（実施例１）およびセレン
とセレンテルル合金をこの順に設けた偵層購成よりなる
感光層（実施例２）を約５０μｍの膜厚で形成したもの
ヲ用イた。基板（７５２）は、ガス導入前に約１５分間
をかけて常温より５０℃にまで昇温した。

ガス流量および圧力が安定した状態で、予め接続選択ス
イッチ（７４４）により接続しておいた低周波電源（７
４１）を投入し、電力印加電極（７３６）に１５０Ｗａ
ｔｔの電力を周波数ＬＯＯＫＨｚの下で印加して約２分
間プラズマ重合反応を行ない、基板（７５２）上に厚ざ
０．２５μｍの非晶質炭化水素膜を表面保護層として形
成した。

成膜完了後は電力印加を停止し、水素ガス以外の調節弁
を閉じ、反応室（７３３）内に水素ガスだけを２００ｓ
ｃａｍ流入し、圧力を１０Ｔｏｒｒに保持し、約１５分
間で３０ｔまで降温した。その後、水素ガスの調節弁を
閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気し、反応室（７
３３）の真空を破り、本発明による表面保護層を有する
感光体を取り出した。

以上のようにして得られた非晶質炭化水素膜につき有機
定量分析およびオージェ分析を行なったところ、含有さ
れる水素原子の量は全構成原子に対して３７原子％、ハ
ロゲン原子、即ち、弗素原子の量は全構成原子に対し５
．２原子％、周期律表第■族原子、即ち、燐原子の量は
全構成原子に対して３．０原子％であった。

特性：得られた感光体の表面について、鉛筆硬度をＪＩＳ−に
−５４００規格に基づいて測定したところ実施例１およ
び実施例２の何れも約６Ｈであり、表面保護層作製前に
測定しておいた値が約Ｈであったことから、本発明によ
る感光体の表面保護層により高硬度化されることが確認
された。

また、接着性をＪ　ＩＳ−に−５４００規格に基づいた
基盤目試験により判定したところ１０点であったことか
ら、本発明による感光体の表面保護層が接着性に優れる
ことが確認された。

また、通常のカールソン方式において帯電器出力＋５．
２ｋＶの下で得られた感光体を＋６００■に帯電し、実
施例１で得られた感光体の白色光感度を測定したところ
、半減露光量は約０．９９ルツグス・秒であり、表面保
護層作製前に測定しておいた値が約０．９３ルツクス・
秒であったことから、本発明による感光体の表面保護層
はセレン砒素合金単層構成からなる感光体が本来有する
感度を損なわないことが確認された。また、通常のカー
ルソン方式において上記と同様の帯電工程後、実施例２
で得られた感光体の７８０ｎｍ光感度を測定したところ
半減露光量は約５．２ｅｒｇ／ｃｍ２であり、表面保護
層作製前に測定しておいた値が約５．Ｏｅ？ｇ／ｃｍ２
であったことから、本発明による感光体の表面保護層は
せレンとセレンテルル合金をこの順に設けた積層構成よ
りなる感光体が本来有する感度を損なわないことが確認
された。

また、実施例１および実施例２で得られた感光体を、温
度１０℃相対湿度３０％の低温低湿雰囲気と温度５０℃
相対湿度９０％の高温高湿雰囲気とが３０分毎に交互に
繰返される環境下に６時間放置したところ、表面保護層
の剥離、あるいは、ひび割れ等は認められず、本発明に
よる感光体の表面保護層は、セレン砒素合金単層構成か
らなる感光体およびセレンとセレンテルル合金をこの順
に設けた積層構成よりなる感光体との実用的な接着性に
優れた膜であることが確認された。

また、実施例１で得られた感光体をミノルタカメラ（株
）製複写機ＥＰ８５０Ｚに搭載し実写したところ鮮明な
画像が得られ、ざらに、温度３５℃相対湿度８０％の環
境下で実写してもいわゆる画像流れは認められなかった
。また、複写機内での現像剤、転写紙、並びに、清掃部
材との接触においても表面保護層の剥離は認められなか
った。また、通常の室内において実写を２５万枚行なっ
たところ、最後まで鮮明な画像が得られた。

また、２５万枚実写後、オージェ分析により表面の組成
分析を行なったところセレンあるいは砒素等は検出され
なかった。これらのことから本発明による感光体の表面
保護層は、画像品位を損なわずに耐久性の向上と有害性
の改善を達成するものであることが確認された。

また、実施例２で得られた感光体をミノルタカメラ（株
）製複写機ＥＰ５５０Ｚに搭載し、光学系を半導体レー
ザ、ポリゴンミラースキャナおよび駆動系等から成る半
導体レーザ露光系に変更して実写したところ鮮明な画像
が得られ、ざらに、温度３５℃相対湿度８０％の環境下
で実写してもいわゆる画像流れは認められなかった。ま
た、複写機内での現像剤、転写紙、並びに、清掃部材と
の接触においても表面保護層の剥離は認められなかった
。また、通常の室内において、実写を２０万枚行なった
ところ、最後まで鮮明な画像が得らレタ。また、２０万
枚実写後、オージェ分析により表面の組成分析を行なっ
たところセレンあるいはテルル等は検出きれなかった。

これらのことがら本発明による感光体の表面保護層は、
画像品位を損なわずに耐久性の向上と有害性の改善を達
成するものであることが確認された。

比較泗に旦四弗化炭素ガスと水素で１０％に希釈されたホスフィン
ガスを流入せず、水素流量を３００ｓｃｃｍとすること
以外は、実施例１および実施例２と同様にしてセレン砒
素合金単層構成からなる感光層（比較例１）並びにセレ
ンとセレンテルル合金をこの順に設けた積層構成よりな
る感光層（比較例２）上に表面層を形成した。

得られた感光体の表面について鉛筆硬度をＪＩＳ−に−
５４００規格に基づいて測定したところ、比較例１およ
び比較例２の何れも約４Ｈであり、実施例１および実施
例２と比較して低硬度であることが確認された。このこ
とからハロゲン原子および周期律表第Ｖ族原子を添加す
ることにより高硬度化きれることが確認された。

また、接着性をＪＩＳ−に−５４００規格に基づいた基
盤目試験により判定したところ０点であったことから、
ハロゲン原子および周期律表第Ｖ族原子を添加すること
により接着性が向上することが確認された。

次いで、実施例１および実施例２と同様にして実際の複
写機に搭載して実写を試みたところ、表面電位が実施例
１および実施例２の感光体の半分にしか帯電されず、極
めて低濃度の画像しか得られなかった。このことからハ
ロゲン原子および周期律表第Ｖ族原子を添加することに
より帯電能が向上することが確認された。

また、温度３５℃相対湿度８０％の環境下で実写したと
ころいわゆる画像流れが発生した。このことからハロゲ
ン原子および周期律表第Ｖ族原子を添加することにより
耐湿性が向上することが確認された。

さらに、実写後、比較例１および比較例２で得られた感
光体を、温度１０℃相対湿度３０％の低温低湿雰囲気と
温度５０℃相対湿度９０％の高温高温雰囲気とが３０分
毎に交互に繰返される環境下に６時間放置したところ、
表面保護層が部分的に剥離し、このことからハロゲン原
子および周期律表第■族原子を添加することにより密着
性が向上することが確認された。

比較鍔旦二丘四弗化炭素ガスを流入しないこと以外は、実施例１およ
び実施例２と同様にしてセレン砒素合金単層構成からな
る感光層（比較例３）並びにセレンとセレンテルル合金
をこの順に設けた積層構成よりなる感光層（比較例４）
上に表面層を形成した。

得られた感光体の表面について接着性をＪＩＳ−に−５
４００規格に基づいた基盤目試験により判定したところ
２点であったことから、ハロゲン原子を添加することに
より接着性が向上することが確認された。

比較例旦二旦水素で１０％に希釈したホスフィンガスを流入しないこ
と以外は、実施例１および実施例２と同様にしてセレン
砒素合金単層構成からなる感光層（比較例５）並びにセ
レンとセレンテルル合金をこの順に設けた積層構成より
なる感光層（比較例６）上に表面層を形成した。

得られた感光体を通常のカールソン方式において＋６０
０Ｖに帯電したところ帯電器出力は＋６．８ｋＶ　（比
較例５）並びに＋７．３ｋＶ　（比較例６）を要し、こ
のことから周期律表第■族原子を添加することにより帯
電能が向上することが確認された。

大施健旦二丘第３図に示すグロー放電分解装置において、感光体の表
面保護層を作製した。

まず、反応装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔ。

ｒｒ程度の高真空にした後、第１、第２、第３おヨヒ第
４調節弁（７０７，７０８，７０９および７１０）を解
放し、第１タンク（７０１）より水素ガス、第２タンク
（７０２）よりプロピレンガス、第３タンク（７０３）
よりパーフロロプロパンガスおよび第４タンク（７０４
）より水素で１０％に希釈したアルシンガスを各々出力
圧１．０Ｋｇ／ａｍ２の下で第１、第２、第３および第
４流量制御器（７１３，７１４，７１５および７１６）
内へ流入させた。そして各流量制御器の目盛を調整して
、水素ガスの流量を２５０ｓｃａｍ。

プロピレンガスの流量を６０ｓｃｃｍ、パーフロロプロ
パンガスの流量を５ｓｅｃｍおよび水素で１０％に希釈
したアルシンガスの流量を５ｓｅｃｍとなるように設定
して、途中混合器（７３１）を介して、主管（７３２）
より反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定
した後に、反応室（７３３）内の圧力が２．０Ｔｏｒｒ
となるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、
基板（７５２）としては、直径８０×長さ３３０ｍｍの
アルミニウム基体に、予め別の真空蒸着装置を用いて常
法に従い、セレン砒素合金単層構成からなる感光層（実
施例３）およびセレンとセレンテルル合金をこの順に設
けた積層構成よりなる感光層（実施例４）を約５０μｍ
の膜厚で形成したものを用いた。基板（７５２）は、ガ
ス導入前に約１５分間をかけて常温より７０℃にまで昇
温した。ガス流量および圧力が安定した状態で、予め接
続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた低周波
電源（７４１）を投入し、電力印加電極（７３６）に１
００Ｗａｔｔの電力を周波数５０ＫＨｚの下で印加して
約２分間プラズマ重合反応を行ない、基板（７５２）上
に厚ざ０．３μｍの非晶質炭化水素膜を表面保護層とし
て形成した。

成膜中は流量制御器の目盛を徐ノ？に変更し成膜終了時
にはパーフロロプロパンガスの流量をＯｓｃａｍおよび
水素で１０％に希釈したアルシンガスの流量を５０ｓｅ
ｃｍとなるように操作し、非晶質炭化水素膜中に含有さ
れるペテロ原子を膜の深ざ方向に不均一に分布させた。

成膜完了後は電力印加を停止し、水素ガス以外の調節弁
を閉じ、反応室（７３３）内に水素ガスだけを２００ｓ
ｅｃｍ流入し、圧力を１０Ｔｏｒｒに保持し、約１５分
間で３０℃まで降温した。その後、水素ガスの調節弁を
閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気し、反応室（７
３３）の真空を破り、本発明による表面保護層を有する
感光体を取り出した。

以上のようにして得られた非晶質炭化水素膜につき有機
定量分析およびオージェ分析を行なったところ、含有さ
れる水素原子の量は全構成原子に対して膜中の深ざ方向
全域にわたって概ね２５ないし４１原子％、ハロゲン原
子、即ち、弗素原子の量は全構成原子に対し膜中の深き
方向における最大値で１．１原子％、周期律表第Ｖ族原
子、即ち、砒素原子の量は全構成原子に対し　膜中の深
さ方向における最大値で１．２原子％であった。

特性：得られた感光体は実施例１ないし実施例２と同等の特性
を有していた。また、耐刷試験中常時用いたクリーニン
グブレード並びに廃棄トナー等から表面保護層中に添加
したセレン、テルルおよび砒素は検出されなかった。こ
のことから本発明による感光体の表面保護層は、画像品
位を損なわずに耐久性の向上と有害性の改善を達成する
ものであることが確認きれた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明感光体の模式的断面図を示す。第２図および第３図は感光体製造用装置の一例を示す図
である。図中の記号は以下の通りである。（１）・・・表面保護層（２）・・・感光層（３）・・・導電性基板（７０１）〜（７０６）・・・タンク（７０７）〜（７１２）・・・調節弁（７２！５）〜（７２７）・・・調節弁（７１３）〜（
７１８）・・・流量制御器（７２８）〜（７３０）・・
・流量制御器（７１９）〜（７２１）・・・容器（７２２）〜（７２４）・・・加ｐＪ％器（７３１）・
・・混合器（７３２）・・・主管（７３３）・・・反応室（７３４）・・・配管加熱器（７３５）・・・接地電極（７３６）・・・電力印加電極（７３７）・・・電極加熱器（７３８）・・・高周波電力用整合器（７３９）・・・高周波電源（７４０）・・・低周波電力用整合器（７４１）・・・低周波電源（７４２）・・・ローパスフィルタ（７４３）・・・直流電源（７４４）・・・接続選択スイッチ（７４５）・・・圧力調節弁（７４６）・・・排気系選択弁（７４７）・・・拡散ポンプ（７４８）・・・油回転ポンプ（７４９）・・・冷却除外装置（７５０）−・・メカニカルブースターポンプ（７５１
）・・・反応室加熱器（７５２）・・・基板（７５３）・・・除外装置（７５４）・・・駆動モータ

Claims

【特許請求の範囲】

１、導電性基板上にセレン砒素合金の単層ないしはセレ
ンとセレンテルル合金をこの順に設けた積層構成よりな
る感光体において、表面保護層を設け、該表面保護層は
グロー放電法により生成され少なくともハロゲン原子と
周期律表第Ｖ族原子とを含む非晶質炭化水素膜であるこ
とを特徴とする感光体。