JPS6381481A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 崖呈上Ｑ刊里分野 本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する感光体に
関する。

従米珠街 カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発さ
れ実用化きれてきた。

従来用いられて来た電子写真感光体材ｒ）の主なものと
しては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫
化カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無
機物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン
、ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリ
フェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒ
ドラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、
オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有
機物質が挙げられる。また、その構成形態どしては、こ
れらの物質を単体で用いる単層型構成、結若材中に分散
させて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と
電荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。

しかしながら、従来用いられて来た電子写真感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に＠きれた場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。

このような欠点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐
久性に富んだ材料として、グロー放電法゛により生成さ
れるアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が
進んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原
料としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガ
スであることから、出来上がった電子写真感光体も従来
の感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、成膜速
度が遅く、成膜時間の増大に伴い爆発性を有するシラン
未分解生成物を粉塵状に発生する等、生産上の不都合も
多い。また、この粉塵が製造時に感光層中に混入した場
合には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。ざらに、ア
モルファスシリコンは、元来、比誘電率が高いため帯電
性能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電するため
には膜厚を厚くする必要があり、高価なアモルファスシ
リコン膜を長時間堆積させなくてはならない。

ところでアモルファスカーボン膜自体は、プラズマ有機
重合膜として古くより知られており、例えばジエン（Ｍ
、５ｈｅｎ）及びベル（Ａ、Ｔ。

Ｂｅ１ｌ）により、１９７３年発行ののジャーナル・オ
ブ・アプライド・ポリマー・サイエンス（Ｊｏｕｒｎａ
　ｌ　　ｏｆ　　Ａｐｐ　ｌ　ｉｅｄ　　Ｐ。

ｌｙｍｅｒ　　Ｓｃ　１ｅｎｃｅ）第４７巻の第８８５
頁乃至第８９２頁において、あらゆる有機化合物のガス
から作製され得る事が、また、同著者により、１９７９
年のアメリカンケミカルソサエティー（Ａｍｅｒｉｃａ
ｎ　　ＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ）発行によるプ
ラズマボリマライゼーション（Ｐｌａｓｍａ　　Ｐｏｌ
ｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）の中でもその成膜性が論じら
れている。

しかしながら従来の方法で作製したプラズマ有機重合膜
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの膜は通常のポリエチレン膜の如＜１０１８Ωａｍ程
度の比抵抗を有する絶１ｉ膜と考えられ、或は、少なく
ともそのような膜であるとのｗＥＴＡのもとに用いられ
ていた。実際に電子写真感光体への用途にしても同様の
認識がら、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶
縁層に限られており、所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層としてしか用いられていなかった。

例えば、特開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５
９−３８７５３号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成きれる１０１３〜１０Ｉ５Ωｃｍの高抵抗のプラズマ
重合膜を１０人〜１００人設けた上にアモルファスシリ
コン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５９−
１３６７４２号公報には、アルミ基板上に設けたアモル
ファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散する
のを防止するための保護層として１〜５μｍ程度の炭素
膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示されている。

特開昭６０−６３５４１号公報には、アルミ基板とその
上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改善す
るために、接着層として２００人〜２μｍのダイヤモン
ド状炭素膜を中間に設けた感光体か開示され、残留電荷
の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされている。

これらの開示は、何れも基板とアモルファスシリコン層
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、ａ−Ｓｉ
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。

また、例えば、特開昭５０−２０７２８号公報には、ポ
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保ＡＩ
ｉとしてグロー放電重合によるポリマー膜を０．１〜１
μｍ設けた感光体が開示きれている。特開昭５９−２１
４８５９号公報には、アモルファスシリコン感光体の表
面に保護層としてスヂレンやアセチレン等の有機炭化水
素モノマーをプラズマ重合させて５μｍ程度の膜を形成
させる技術が開示きれている。特開昭６０−６１７６１
号公報には、表面保護層として、５００人〜２μｍのダ
イヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示され、透光
性の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされてている
。特開昭６０−２４９１１５号公報には、０．０５〜５
μｍ程度の無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層と
して用いる技術が開示され、膜厚が５μｍを越えると感
光体活性に悪影響が及ぶとされている。

これらの開示は、何れも感光体表面に所謂オーバーコー
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、ａ−Ｓｉの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。

また、特開昭５１−４６１３０号公報には、ポリビニル
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なって０．００１〜３μｍのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性に
ついては全く言及さ゛れていないし、ａ−Ｓｆの持つ前
記した本質的問題を解決するものではない。

一方、アモルファスシリマン膜については、スピア（Ｗ
、Ｅ、５ｐｅａｒ）及びレコンバ（Ｐ。

Ｇ、ＬｅＣｏｍｂｅｒ）により１９７６年発行のフィロ
ソフィカル・マガジン（Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ　
　Ｍａｇａｚｉｎｅ）第３３巻の第９３５頁乃至第９４
９頁において、極性制御が可能な材料である事が報じら
れて以来、種々の光電デバイスへの応用が試みられて来
た。感光体への応用に関しては、例えば、特開昭５６−
６２２５４号公報、特開昭５７−１１９３５６号公報、
特開昭５７−１７７１４７号公報、特開昭５７−１１９
３５７号公報、特開昭５７−１７７１４９号公報、特開
昭５７−１１９３５７号公報、特開昭５７−１７７１４
６号公報、特開昭５７−１７７１４８号公報、特開昭５
７−１７４４４８号公報、特開昭５７−１７４４４９号
公報、特開昭５７−１７４４５０号公報、等に、炭素原
子を含有したアモルファスシリコン感光体がσσ示され
ているが、何れもアモルファスシリコンの光導電性を炭
素原子により調整する事を目的としたものであり、また
、アモルファスシリコン自体厚い膜を必要としている。

明が解決しようとするシ″慨 以上のように、従来、電子写真感光体に用いられている
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用きれていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚も高々５μｍ程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上問題にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で使用され
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。

本発明者らは、アモルファスカーボン膜の電子写真感光
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水素化アモルファスカーボン膜が燐原子
及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有せしめる事に
より、燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有
してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマ
ニウム膜との積層においては電荷輸送性を有し、容易に
好適な電子写真特性を示し始める事を見出した。

その理論的解釈には本発明者においても不明確な点が多
く詳細に亙り言及はで沙ないが、燐原子及び硼素原子の
うち少なくとも一方を含有せしめた水素化アモルファス
カーボン膜中に捕捉されている比較的不安定なエネルギ
ー状態の電子、例えばπ電子、不対電子、残存フリーラ
ジカル等が形成するバンド構造が、燐原子及び硼素原子
のうち少なくとも一方を含有してなる水素化或は弗素化
アモルファスシリコンゲルマニウム膜が形成するバンド
構造と電導帯もしくは荷電子帯において近似したエネル
ギー準位を有するため、燐原子及び硼素原子のうち少な
くとも一方を含有してなる水素化或は弗素化アモルファ
スシリコンゲルマニウム膜中で発生したキャリアが容易
に燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有せし
めた水素化アモルファスカーボン膜中へ注入され、ざら
に、このキャリアは前述の比較的不安定なエネルギー状
態の電子の作用により燐原子及び硼素原子のうち少なく
とも一方を含有せしめた水素化アモルファスカーボン膜
中を好適に走行し得るためと推定される。

本発明はその新たな知見を利用することにより、アモル
ファスシリコン感光体の持つ前述の如ぎ本質的問題点を
全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異なる
、有機プラズマ重合膜、特に燐原子及び硼素原子のうち
少なくとも一方を含有してなる水素化アモルファスカー
ボン膜を電荷輸送層として使用し、かつ、燐原子及び硼
素原子のうち少なくとも一方を含有してなる水素化或は
弗素化アモルファスシリコンゲルマニウムのｒ４膜を電
荷発生層として使用した感光体を提供する事を目的とす
る。

１・ｌＩ＋！７を解ｉするための−ｐ 即ち、本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成される燐原子及び硼素原子のうち少なくと
も一方を含有してなる水素化アモルファスカーボン膜で
あり、かつ、燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方
を含有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン
ゲルマニウム膜であることを特徴とする感光体に関する
（以下、本発明による電荷輸送層をａ　−Ｃ膜及び電荷
発生層をａ−３ｉ膜と称する）。

本発明は、従来のアモルファスシリコン感光体において
は、電荷発生層として優れた機能を有するアモルファス
シリコンを、電荷発生能が無くても電荷輸送能ざえあれ
ば済む電荷輸送層としても併用していたため発生してい
たこれらの問題点を解決すべく成されたものである。

即ち、本発明は、電荷輸送層としてグロー放電により生
成される燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含
有してなる水素化アモルファスカーボン膜を設け、かつ
、電荷発生層として同じくグロー放電により生成される
燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有してな
る水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウム
膜を設けた事を特徴とする機能分離型感光体に関する。

該電荷輸送層は、可視光もしくは半導体レーザー光付近
の波長の光に対しては明確なる光導電性は有ざないが、
好適な輸送性を有し、ざらに、帯電能、耐久性、耐候性
、耐環境汚染性等の電子写真感光体性能に優れ、しかも
透光性にも優れるため、機能分離型感光体としての積層
ｎ造を形成する場合においても極めて高い自由度が得ら
れるものである。また、該電荷発生層は、可視光もしく
は半導体レーザー光付近の波長の光に対して優れた光導
電性を有し、しかも従来のアモルファスシリコン感光体
に比べて極めて薄い膜厚で、その機能を活かす事ができ
るものである。

本発明ニオいては、ａ−ｃ膜を形成するために有機化合
物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。

該炭化水素における相状態は常温常圧において必ずしも
気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。

使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンテ゛カン、トチ゛カン、トリテ゛カン、テト
ラコサン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘキサデカン
、オクタコサン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコ
サン、トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコ
サン、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノ
ナコサン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタ
トリアコンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソ
ブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、
ネオヘキサン、２，３−ジメチルブタン、２−メチルヘ
キサン、３−エチルペンタン、２，２−ジメチルペンタ
ン、２，４−ジメチルペンタン、３，３−ジメチルペン
タン、トリブタン、２−メチルへブタン、３−メチルヘ
ブタン、２．２−ジメチルヘキサン、２＋２．５−ジメ
チルヘキサン、２，２．３−トリメチルペンタン、２．
２．４−トリメチルペンタン、２，３゜３−トリメチル
ペンタン、２，３．４−トリメチルペンタン、イソナノ
ン、等のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化
水素としては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブ
チレン、１−ブテン、２−ブテン、１−ペンテン、２−
ペンテン、２−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−
ブテン、２−メチル−２−ブテン、１−ヘキセン、テト
ラメチルエチレン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−
ノネン、１−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン
、メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘキサジ
エン、シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並びに
、オシメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエン
、等のトリオレフイン、並びに、アセチレン、ブタジイ
ン、１゜３−ペンタジイン、２，４−へキサジイン、メ
チルアセチレン、１−ブチン、２−ブチン、１−ペンチ
ン、１−ヘキシン、１−ヘプチン、１−オクチン、１−
ノニン、１−デシン、等が用いられる。

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロブテン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロウンデカン、シクロウン
デカン、シクロパラフィン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン１、　等のシクロパラフィン並びに、シ
クロプロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロ
ヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノ
ネン、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、υ
モネン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン
、ツエン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、
フエンヂエン、シクロウンデカン、トリシクレン、ビサ
ボレン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネ
ンセスキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタ
レン、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ボドカ
ルプレン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド等
が用いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベン
ゼン、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイドク
メン、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレ
ン、ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エ
チルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、
ビフェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフ
ェニルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナ
フタリン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン
、等が用いられる。

ざらに、炭化水素以外でも、例えば、アルコール類、ケ
トン類、エーテル類、エステル類、等炭素と成りうる化
合物であれば使用可能である。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
グロー放電を用いるというその製造面がら必然的に定ま
るが、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね３０乃
至６０原子％含有される。ここで、炭素原子並びに水素
原子の膜中含有量は、有機元素分析の常法、例えばＯＮ
Ｈ分析を用いる事により知る事ができる。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが
、例えば、基板温度を高くする、圧力を低くする、原ｔ
Ｉ炭化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高くす
る、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せし
めた直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これら
の組合せ操作は、含有水素量を低くする効果を有する。

本発明における電荷輸送層としてのａ　−Ｃ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、５乃至５
０μｍ１特に？乃至２０μｍが適当であり、５μｍより
薄いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度を得る
事ができない。また、５０μｍより厚いと、生産性の面
で好ましくない。

このａ−Ｃ膜は、高透光性、高暗抵抗を有するとともに
電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に５μｍ以上として
もキャリアはトラップされる事無く輸送され明減衰に寄
与する事が可能である。

本発明における原料気体からａ　−Ｃ膜を形成する過程
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラズ
マ状態を経て形成される方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成されるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される中
性粒子から形成されてもよいし、ざらには、これらの組
み合わせにより形成されてもよい。

本発明においては炭化水素の他に、ａ　−Ｃ膜中に少な
くとも硼素原子或は燐原子を添加するための原料として
、硼素化合物或は燐化合物が用いられる。該硼素化合物
或は燐化合物における相状態は常温常圧において必ずし
も気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、
蒸発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも
固相でも使用可能である。−素化合物或は燐化合物とし
ては、例えば、ジボラン、ホスフィン等が用いられる。

本発明において化学的修飾物質として含有きれる硼素原
子或は燐原子の量は、全構成原子に対して２００００原
子ｐｐｍ％以下である。ここで、硼素原子或は燐原子の
膜中含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或
はＩＭＡ分析により知る事が可能である。硼素原子或は
燐原子を含まない場合には、好適な輸送性が確保されず
、ざらに、成膜後の経時劣化を招きやすくなる。一方、
硼素原子或は燐原子の量が２００００原子ｐｐｍを越え
る場合には、少量の添加では好適な輸送性を保証してい
た硼素原子或は燐原子が、逆に膜の低抵抗化を招く作用
を示し、帯電能が低下してしまう。従って、本発明にお
ける硼素原子或は燐原子の添加量範囲は重要である。

本発明において化学的修飾物質として含有きれる硼素原
子或は燐原子原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう
反応室への前述の硼素化合物或は燐化合物の導入量を増
減することにより制卸することが可能である。硼素化合
物或は燐化合物の導入量を増大させれば、本発明による
ａ　−Ｃ膜中への硼素原子或は燐原子の添加量を高くす
ることが可能であり、逆に硼素化合物或は燐化合物の導
入量を減少させれば、本発明によるａ−Ｃ膜中への硼素
原子或は燐原子の添加量を低くすることが可能である。

本発明においては、ａ−ｓｉ膜を形成するためにシラン
ガス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用いられ
る。また、化学的＾を飾物質として燐原子或は硼素原子
を膜中に含有せしめるための原料ガスとして、ホスフィ
ンガス或はジボランガスが用いられる。また、ゲルマニ
ウム原子を含有させるために、ゲルマンガスが用いられ
る。

本発明におけるａ−Ｓｉ膜中に含有されるゲルマニウム
原子の含有量は、シリコン原子とゲルマニウム原子との
総和に対して、３０原子％以下が好ましい。ここで、ゲ
ルマニウム原子及びシリコン原子の含有率は、元素分析
の常法、例えばオージェ分析により知る事ができる。ゲ
ルマニウム原子の含有量は、膜形成時に流入するゲルマ
ンガスの流量を増加する事により高くなる。ゲルマニウ
ム原子の含有量が高くなるにつれ本発明感光体の長波長
感度は向上し、短波長領域から長波長領域にまで幅広く
露光源が選択きれ得るようになり好ましいが、ゲルマニ
ウム原子が３０原子％より多く含有されると帯電能の低
下を招くため、過剰の添加は好ましくない。従って、本
発明におけるａ　−８１Ｍ’Ａ中に含有きれるゲルマニ
ウム原子の含有量は重要である。

本発明において化学的修飾物質として含有される燐原子
或は硼素原子の量は、全構成原子に対して２００００原
子ｐｐｍ以下である。ここで燐原子或は硼素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或はＩ
ＭＡ分析により知る事ができる。燐原子或は硼素原子の
膜中含有量が２００００原子ｐｐｍより高い場合には、
少量の添加では好適な輸送性、或は、極性制御効果を保
証していた燐原子或は硼素原子が、逆に膜の低抵抗化を
招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。従って、本発
明における燐原子或は硼素原子添加型の範囲は重要であ
る。

本発明におけるａ−Ｓｉ膜中に含まれる水素原子或は弗
素原子の量はグロー放電を用いるというその製造面から
必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシリコ
ン原子と弗素原子の総量に対して、概ね１０乃至３５原
子％含有される。ここで、水素原子或は弗素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばＯＮＨ分析、オージ
ェ分析等を用いる事により知る事ができる。

本発明における電荷発生層としてのａ−Ｓｉ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、０．１乃
至５μｍが適当であり、０．１μｍより薄いと、光吸収
が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、感
度の低下を招く。また、５μｍより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このａ−Ｓｉ膜は電荷発生能に富み、
ざらに、本発明の最も特徴とするところのａ−Ｃ膜との
積層構成において効率よ＜ａ−Ｃ膜中に発生キャリアを
注入せしめ、好適な明減衰に寄与する事が可能である。

本発明における原料気体からａ−Ｓｉ膜を形成する過程
は、ａ−Ｃ膜を形成する場合と同様にして行なわれる。

本発明において化学的修飾物質として含有される燐原子
或は硼素原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応
室への前述のホスフィンガス或はジボランガスの導入量
を増減することにより制御することが可能である。ホス
フィンガス或はジボランガスの導入量を増大きせれば、
本発明によるａ−Ｓｉ膜中への燐原子或は硼素原子の添
加量を高くすることが可能であり、逆にホスフィンガス
或はジボランガスの導入量を減少させれば、本発明によ
るａ−３ｉ膜中への燐原子或は硼素原子の添加量を低く
することが可能である。

本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
成る機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。

第１図は、その一形態として、導電性基板（１）上に電
荷輸送Ｎ（２）と電荷発生層（３）を順次積層してなる
構成を示したものである。第２図は、別の一形態として
、導電性基板（１）上に電荷発生層（３）と電荷輸送層
（２）を順次積層してなる構成を示したものである。第
３図は、別の一形態として、導電性基板（１）上に、電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。

感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第１図では
電荷発生層（３）で発生した正孔が電荷輸送層（２）中
を導電性基板（１）に向は走行し、第２図では電荷発生
層（３）で発生した電子が電荷輸送層（２）中を感光体
表面に向は走行し、第３図では電荷発生層（３）で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送層（２）中を導電性
基板（１）に向は走行すると共に、同時に電荷発生層（
３）で発生した電子が表面側の電荷輸送層（２）中を感
光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証された静電
潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電し
た後、画＠露光して使用する場合においては、電子と正
孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれば
よい。第２図及び第３図では、画像露光用の照射光が電
荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による電荷輸
送層は透光性に優れることから、好適な潜像形成を行な
うことが可能である。

第４図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に電荷輸送７！ｊ（２）と電荷発生層（３）と表面保護
層（４）を順次積層してなる構成を示したものである。

即ち第１図の形態に表面保護層を設けた形態に相当する
が、第１図の形態では、最表面が＃湿性に乏しいａ−５
ｉ膜で有ることから、多くの場合実用上の対湿度安定性
を確保するために表面保護層を設けることが好ましい。

第２図及び第３図の構成の場合、最表面が耐久性に優れ
たａ−Ｃ膜であるため表面保護層を設けなくてもよいが
、例えば現像剤の付着による感光体表面の汚れを防止す
るような、複写機内の各種エレメントに対する整合性を
調整する目的から、表面保護層を設けることもざらなる
一形態と成りうる。

第５図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷発生ＦＪ　（３）と電荷輸送Ｆ！
　（２）を順次積層してなる構成を示したものである。

即ち第２図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、
第２図の形態では、導電性基板との接合面がａ−３ｉｌ
ｌＩＡである事から、多くの場合接着性及び注入阻止効
果を確保するために中間層を設ける事が好ましい。第１
図及び第３図の構成の場合、導電性基板との接合面が、
接着性及び注入阻止効果に優れた、本発明による電荷輸
送層であるため、中間層を設けなくてもよいが、例えば
導電性基板の前処理方法のような、感光層形成以前の製
造工程との整合性を調整する目的から、中間層を設ける
こともざらなる一形態と成りうる。

・第６図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）
上に中間層（５）と電荷輸送層（２）と電荷発生層（３
）と表面保護Ｎ（４）を順次積層してなる構成を示した
ものである。即ち第１図の形態に中間層と表面保護層を
設けた形態に相当する。

中間層と表面保護層の設置理由は前述と同様であり、従
って第２図及び第３図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもざらなる一形態と成りうる。

本発明において中間層と表面保ＮＮは、材料的にも、製
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるａ−Ｃ膜を用いてもよい。但し、用い
る材料が、例えば従来例で述べた如之絶縁性材料である
場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は５μｍ以下
に留める必要がある。

本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再結合反
応により固相として堆積きせる、所謂プラズマ重合反応
から生成される事が好ましい。

第７図は本発明に係わる感光体の製造装置を示し、図中
（７０１）〜（７０６）は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを密封した第１乃至第６タ
ンクで、各々のタンクは第１乃至第６調節弁（７０７）
〜（７１２）と第１乃至第６流量制御器（７１３）〜（
７１８）に接続きれている。図中（７１９）〜（７２１
）Ｌｔ常温において液相または固相状態にある原料化合
物を封入した第１乃至第３容器で、各々の容器は気化の
ため第１乃至第３温調器（７２２）〜（７２４）により
与熱可能であり、さらに各々の容器は第７乃至第９調節
弁（７２５）〜（７２７）と第７乃至第９流量制御器（
７２８）〜（７３０）に接続されている。これらのガス
は混合器（７３１）で混合された後、主管（７３２）を
介して反応室（７３３）に送り込まれる。途中の配管は
、常温において液相または固相状態にあった原料化合物
が気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置
された配管加熱器（７３４）により、与熱可能とされて
いる。反応室内には接地電極（７３５）と電力印加電極
（７３６）が対向して設置され、各々の電極は電極加熱
Ｍ　（７３７）により与熱可能とされている。電力印加
電極（７３６）には、高周波電力用整合器（７３８）を
介して高周波電源（７３９）、低周波電力用整合器（７
４０）を介して低周波電源（７４１）、ローパスフィル
タ（７４２）を介して直流電源（７４３）が接続されて
おり、接続選択スイッチ（７４４）により周波数の異な
る電力が印加可能ときれている。反応室（７３３）内の
圧力は圧力制御弁（７４５）により調整可能であり、反
応室（７３３）内の減圧は、排気系選択弁（７４６）を
介して、拡散ポンプ（７４７）　、油回転ポンプ（７４
８）　、或は、冷却除外装置（７４９）　、メカニカル
ブースターポンプ（７５０）　、油回転ポンプ（７４８
）により行なわれる。排ガスについては、ざらに適当な
除外装置（７５３）により安全無害化した後、大気中に
排気される。）これら排気系配管についても、常温にお
いて液相または固相状態にあった原料化合物が気化した
ガスが、途中で凝結しないように、適宜配置きれた配管
加熱器（７３４）により、与熱可能ときれている。反応
室（７３３）も同様の理由から反応室加熱！（７５１）
により与熱可能とされ、内部に配された電極上に導電性
基板（７５２）が設置きれる。第７図において導電性基
板（７５２）は接地電極（７３５）に固定して配ざれて
いるが、電力印加電極（７３６）に固定して配されても
よく、ざらに双方に配されてもよい。

第８図は本発明に係わる感光体の製造装置の別の一形態
を示し、反応室（８３３）内部の形態以外は、第７図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様であり、
付記された番号は、７００番台のものを８００番台に置
き換えて解すればよい。第８図において、反応室（８３
３）内部には、第７図における接地電極（７３５）を兼
ねた円筒形の導電性基板（８５２）が設置され、内側に
は電極加熱器（８３７）が配されている。導電性基板（
８５２）周囲には同じく円筒形状をした電力印加′Ｒ極
（８３６）が配され、外側には電極加熱！（８３７）が
配されている。導電性基板（８５２）は、外部より駆動
モータ（８５４）を用いて自転可能となっている。

感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め１
０−４乃至１０”６Ｔｏｒｒ程度にまで減圧し、真空度
の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配され
た導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板に
は、前述の如き感光体構成の中から所望の構成を得るた
めに、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷発
生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電荷
発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を用
いてもよい。次いで、第１乃至第６タンク及び第１乃至
第３容器から、原料ガスを適宜第１乃至第９流量制御器
を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節
弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が
安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば高周波
電源を選択し、電力印加電極に高周波電力を投入する。

両電極間には放電が開始され、時間と共に基板上に固相
の膜が形成される。ａ−３ｉ膜或はａ−Ｃ膜は、原料ガ
スを代える事により任意に形成可能である。放電を一旦
停止し、原料ガス組成を変更した後、再び放電を再開す
れば異なる組成の膜を積層する事ができる。また、放電
を持続きせながら原料ガス流量だけを徐々に代え、異な
る組成の膜を勾配を持たせながら積層する事も可能であ
る。

反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚並びに積層構
成に達したところで放電を停止し、本発明による感光体
を得る。次いで、第１乃至第９調箇弁を閉じ、反応室内
を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得られる
場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明によ
る感光体を取り出す。更に所望の感光体構成において、
電荷発生層或はオーバーコート層が必要とされる場合に
は、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦真空を
破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け、本発
明による感光体を得る。

以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。

実施例１ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこのｊ頃に設け
た本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１調節弁（７０７）、及び第４調節弁
（７１０）を解放し、第１タンク（７０１）より水素ガ
ス、及び第４タンク（７０４）より水素ガスで０．１６
％に希釈したジボランガスを各々出力ｆｆ１．ＯＫｇ／
ａｍ２の下で第１、及び第４流量制御器（７１３、及び
７１６）内へ流入きせた。同時に、第１容！（７１９）
よりスチレンガスを第１温調器（７２２）　’ｔＨｈ度
３５℃のもと第７流量制御器（７２８）内へ流入させた
。

各流量制御器を用いて、水素ガスの流量を４０ｓＣＣｒ
ｎ　％水素ガスで０．１６％に希釈したジボランガスの
流量を１０１０５ｅ、及びスチレンガスの流量を４０ｓ
Ｃｃｍとなるように設定して、途中混合器（７３１）を
介して、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入
した。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内
の圧力が２゜○Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４
５）を調整した。一方、導電性基板（７５２）としては
、ｔａ５０×横５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用
いて、予め２００℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力
が安定した状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）に
より接続しておいた低周波電源（７４１）を投入し、電
力印加電極（７３６）に１５０Ｗａｔ　ｔの電力を周波
ａ３０ＫＨｚの下で印加して約１時間３０分プラズマ重
合反応を行ない、導電性基板（７５２）上に厚ざ１５μ
ｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後
は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３
）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機示素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４７原子％であった。また
、ＩＭＡ分析より含有される硼素原子の量は全構成原子
に対して９８原子ｐｐｍであった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調箇弁（７０８）、及び第６調節弁（７１２）を解
放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、第２タンク
（７０２）からゲルマンガス、及び第６タンク（７０６
）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１
、第２、及び第６流量制御器（７１３，７１４、及び７
１８）内へ流入させた。同時に、第４調節弁（７１０）
を解放し、第４タンク（７０４）より水素ガスで１１０
０ｐｐに希釈きれたジボランガスを、出力圧１゜５Ｋｇ
／ｃｍ２の下で第４流量制１ａｌＴ器（７１６）内へ、
流入させた。各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの
流量を２００ｓｅｃｍｓゲルマンガスの流量を６ｓｅｃ
ｍｓシランガスの流量を１００１００５ｅ水素ガスで１
１００ｐｐに希釈きれたジボランガスの流量を１０１０
５ｅに設定し、反応室（７３３）内に流入させた。各々
の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が１
．０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整
した。一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７
５２）は、２４０℃に加熱しておき、ガスｆ＝量及び圧
力が安定した状態で、高周波電源（７３９）より周波数
１３．５６ＭＨｚの下で電力印加電ｔ’！　（７３６）
に４０Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生させ
た。この放電を５分間行ない、厚さ０．３μｍの電荷発
生層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（見場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　１．ｔ−ジ工分析、及び
ＩＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全
構成原子に対して１８原子％、硼素原子は１０原子ｐｐ
ｍ、ゲルマニウム原子は９．７原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能か得られた
。ここでは、正帯電時のｄ！１１定値を括弧内に示すが
、最高帯電電位は一５９０Ｖ　（＋４３０Ｖ）で有り、
即ち、全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μ
ｍ当りの帯電能は３９Ｖ／μｍ　（２８Ｖ／μｍ）と極
めて高く、このことから充分な帯電性能を有する事が理
解された。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１５秒（約１０
秒）であり、このことがら充分な電荷保持性能を有する
事が理ｓ！！された。また、最高帯電電位に初期帯電し
た後、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位
にまで明減衰きせたとこる必要とされた光量は１．５ル
ツクス・秒（１，１ルツクス・秒）であり、このことか
ら充分な光感度性能を有する事が理解された。また、最
高帯電電位に初期帯電した後、半導体レーザー光（発光
波長７８０ｎｍ）を用いて最高帯電電位の２０％の表面
電位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は８．
２ｅｒｇ／ａｍ２（６，８ｅｒｇ／ｃｍ２）であり、こ
のことから充分な長波長光感度性能を有する事が理解さ
れた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
としてＩれた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

実施例２ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔ　ｏ　ｒ　ｒ程度の
高真空にし７た後、第１調節弁（７０７）、第２調節弁
（７０８）、及び第４調節弁（７１０）を解放し、第１
タンク（７０１）より水素ガス、第２タンク（７０２）
からエチレンガス、及び第４タンク（７０４）より水素
ガスで６０ｐｐｍに希釈したジボランガスを各々出力圧
１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第４流量制
御器（７１３，７１４、及び７１６）内へ流入させた。

各流量制御器を用いて、水素ガスの流量を６０ｓｅｃｍ
、水素ガスで６０ｐｐｍに希釈したジボランガスの流量
を２０ｓｅｃｍ、及びエチレンガスの流量を６０ｓｅｃ
ｍとなるように設定して、途中混合器（７３１）を介し
て、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した
。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧
力が１．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）
を調整した。一方、導電性基板（７５２）としては、！
５０Ｘ隣５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、
予め２２０℃に加熱してお汗、ガス流量及び圧力が安定
した状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接
続しておいた高周波電源（７３９）を投入し、電力印加
電極（７３６）に１５０Ｗａｔｔの電力を周波数１３．
５６ＭＨｚの下で印加して約９時間プラズマ重合反応を
行ない、導電性基板（７５２）上に厚ざ１５μｍのａ　
−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電
力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を
充分に排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４１原子％であった。また
、ＩＭＡ分析より含有きれる―素原子の量は全構成原子
に対して２１原子ｐｐｍであった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）、及び第６調節弁（７１２）を解
放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、第２タンク
（７０２）からゲルマンガス、及び第６タンク（７０６
）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１
、及び第６流量制御器（７１３、及び７１８）内へ流入
させた。同時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４
タンク（７０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈さ
れたホスフィンガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下
で第４流量制御器（７１６）内へ、流入させた。各流量
制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を２００ｓｅｃ
ｍ、ゲルマンガスの流量を６８　ＣＣｍ　％シランガス
の流量を１０１００５ｅ。

水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたホスフィンガスの
流量を１０１０５ｅに設定し、反応室（７３３）内に流
入きせた。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３
）内の圧力が０．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（
７４５）を調整した。

一方、ａ−Ｃ膜が形成きれている導電性基板（７５２）
は、２５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定
した状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３．５
６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に４０Ｗａｔｔ
の電力を印加し、グロー放電を発生きせた。この放電を
５分間行ない、厚き０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中○ＮＨ分析（見場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して２０原子％、燐原子は１１原子ｐｐｍ、
ゲルマニウム原子は１０原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一４００Ｖ　（＋５９０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は２６Ｖ／μｍ　（３９Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１０秒（約１５
秒）であり、このことがら充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は１．０ルツク
ス・秒（２，２ルツクス・秒）であり、このことがら充
分な光感度性能を有する事が理解きれた。また、最高帯
電電位に初期帯電した後、半導体レーザー光（発光波長
７８０ｎｍ）を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位
にまで明減衰きせたとこる必要とされた光量は６．５ｅ
ｒｇ／ｃｍ２（１６，３ｅｒｇ／ｃｍりであり、このこ
とから充分な長波長光感度性能を有する事が理解きれた
。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解きれる。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

害施豊旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１調節弁（７０７）、第２調節弁（７
０８）、及び第４調節弁（７１０）を解放し、第１タン
ク（７０１）より水素ガス、第２タンク（７０２）から
ブタジェンガス、及び第４タンク（７０４）より水素ガ
スで１．２％に希釈したジボランガスを各々出力圧１．
０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第４流量制御器
（７１３，７１４、及び７１６）内へ流入させた。各流
量利運器を用いて、水素ガスの流量を６０ｓｃＣｍ、水
素ガスで１．２％に希釈したジボランガスの流量をｅｓ
ｃｃｒｔ＋、及びブタジェンガスの流量を６０ｓｅｃｍ
となるように設定して、途中混合器（７３１）を介して
、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が２．１Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
調整した。一方、導電性基板（７５２）としては、縦５
０Ｘ構５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予
め１７０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続
しておいた低周波電源（７４１）を投入し、電力中加電
ｆｆ１（７３６）に１３０Ｗａｔｔの電力を周波数４０
０ＫＨｚの下で印加して約４０分間プラズマ重合反応を
行ない、導電性基板（７５２）上に厚ざ１５μｍのａ−
Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力
印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充
分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき有機元素分析
を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して５６原子％であった。また、
ＩＭＡ分析より含有される硼素原子の量は全構成原子に
対して９００原子ｐｐｍであった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）、第３調節弁（７ｏ９）、及び第
６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０１）か
ら水素ガス、第２タンク（７０２）から四弗化シランガ
ス、第３タンク（７０２）からゲルマンガス、及び第６
タンク（７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃ
ｍ２の下で第１、第２、第３、及び第６流量制御器（７
１３，７１４，７１５、及び７１８）内へ流入きせた。

同時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク（
７０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジボ
ランガスを、出力圧１゜５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流量
制御器（７１６）内へ、流入させた。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を２００　ｓ　ｃ　Ｃｆｆ
ｈｆｆ化シランガスの流量を５０ｓｅｃｍ、ゲルマンガ
スの流量を６ｓｃｃｍｓシランガスの流量を５０ｓｅｃ
ｍ１及び水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジボラン
ガスの流量を１０１０５ｅとなるように設定し、反応室
（７３３）内に流入させた。各々の流量が安定した後に
、反応室（７３３）内の圧力が０゜９Ｔｏｒｒとなるよ
うに圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ膜
が形成されている導電性基板（７５２）は、２３０℃に
加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高
周波電源（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの下で
電力印加電極（７３６）に３５Ｗａｔｔの電力を印加し
、グロー放電を発生させた。この放電を５分間行ない、
厚ざ０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（見場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）、オージェ分析、及びＩＭ
Ａ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構成
原子に対して２４原子％、硼素原子は１０原子ｐｐｍ５
弗素原子は５原子％、ゲルマニウム原子は１０．５原子
％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如伊性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一５９０Ｖ（、＋４４０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は３９Ｖ／μｍ　（２９Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約２９秒（約２０
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰きせたところ必要とされた光量は２．１ルツク
ス・秒（１，２ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。また、最高帯
電電位に初期帯電した後、半導体レーザー光（発光波長
７８０ｎｍ）を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位
にまで明減衰させたところ必要ときれた光量は１１０ｅ
ｒｇ／ｃｍ２（７，６ｅｒｇ／ｃｍりであり、このこと
から充分な長波長光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

害塵健丘 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
袋ｆｉｆｆ（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程
度の高真空にした後、第１調節弁（７０７）、第２調節
弁（７０８）、及び第４調節弁（７１０）を解放し、第
１タンク（７０１）より水素ガス、第２タンク（７０２
）からアセチレンガス、及び第４タンク（７０４）より
水素ガスで４５００ｐｐｍに希釈したジボランガスを各
々出力圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第
４流量制御器（７１３，７１４、及び７１６）内へ流入
させた。各流量制御器を用いて、水素ガスの流量を１０
１０５ｓｅ、水素ガスで４５００ｐｐｍに希釈したジボ
ランガスの流量を８０８　ＣＣｒｎｚ及びアセチレンガ
スの流量を４５ｓｅｃｍとなるように設定して、途中混
合！（７３１）を介して、主管（７３２）より反応室（
７３３）内へ流入した。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が２．０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
調整した。一方、導電性基板（７５２）としては、樅５
０Ｘ横５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予
め２００℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続
しておいた高周波電源（７３９）を投入し、電力印加電
極（７３６）に１５０Ｗａｔｔの電力を周波数１３゜５
６ＭＨｚの下で印加して約２時開平プラズマ重合反応を
行ない、導電性基板（７５２）上に厚き１５μｍのａ−
Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。

成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応
室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき有機元素分析
を行なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して３４原子％であった。また、
ＩＭＡ分析より含有される硼素原子の量は全構成原子に
対して８０００原子ｐｐｍであった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）、第３調節弁（７０９）、及び第
６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０１）か
ら水素ガス、第２タンク（７０２）から四弗化シランガ
ス、第３タンク（７０３）からゲルマンガス、及び第６
タンク（７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃ
ｍ２の下で第１、第２、第３、及び第６流量制御器（７
１３，７１４，７１５、及び７１８）内へ流入させた。

同時に、第４ＦＩ節弁（７１０）を解放し、第４タンク
（７０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたホ
スフィンガスを、出力圧１゜５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４
流量制御器（７１６）内へ流入させた。各流旦制ｙＩＪ
器の目盛を調整して水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍ、
ゲルマンガスの流量を６ｓｅｃｍ、四弗化シランガスの
流量を５０ｓｃｃｍ１シランガスの流量を５０ｓｅｃｍ
。

水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたホスフィンガスの
流量を１０１０５ｅに設定し、反応室（７３３）内に流
入させた。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３
）内の圧力が０．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（
７４５）を調整した。

一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）
は、２４０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定
した状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３．５
６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に４０Ｗａｔｔ
の電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放電を
５分間行ない、厚き０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−３ｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（見場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有きれろ水素原子は全構
成原子に対して２６原子％、燐原子は１３原子ｐｐｍ％
弗素原子は５．６原子％、ゲルマニウム原子は９．８原
子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一６３０Ｖ　（＋５３０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は４１Ｖ／μｍ（３５Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれた
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約２１秒（約１０
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰きせたところ必要とされた光量は１．８ルツク
ス・秒（２，６ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。また、最高帯
電電位に初期帯電した後、半導体レーザー光（発光波長
７８０ｎｍ）を用いて最高帯Ｔｉ電位の２Ｏ％の表面電
位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は１０．
３ｅｒｇ／ｃｍ２（１４゜ｌｅｒｇ／ｃｍ２）であり、
このことから充分な長波長光感度性能を有する事が理解
された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

衷施透旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１調節弁（７０７）、第２調節弁（７０８
）、及び第４調節弁（７１０）を解放し、第１タンク（
７０１）より水素ガス、第２タンク（７０２）からブタ
ジインガス、及び第４タンク（７０４）より水素ガスで
１２％に希釈したジボランガスを各々出力圧１．０Ｋｇ
／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第４流量制御器（７１
３，７１４、及び７１６）内へ流入させな。各流量制御
器を用いて、水素ガスの流量を６０ｓｅｃｍ１水素ガス
で１２％に希釈したジボランガスの流量を２０ｓｅｃｍ
ｓ及びブタジインガスの流量を６０ｓｅｃｍとなるよう
に設定して、途中混合器（７３１）を介して、主管（７
３２）より反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量
が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が１．９Ｔ
。

ｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一
方、導電性基板（７５２）としては、Ｎ５０Ｘ横５０×
厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め２２０℃に
加熱しておき、ガス’ｔＲ１！ｋ及び圧力が安定した状
態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続して
おいた低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電極（
７３６）に１６０Ｗａｔｔの電力を周波数４００ＫＨｚ
の下で印加して約４５分間プラズマ重合反応を行ない、
導電性基板（７５２）上に厚ざ１５μｍのａ−Ｃ膜を電
荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停
止し、ＵＦＪＷＪ弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分
に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき有機元素分析
を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して４０原子％であった。また、
ＩＭＡ分析より含有される＠素原子の量は全構成原子に
対して２原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、実施例３と同様にして本発明による感光体の電
荷発生層を形成した。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一８６０Ｖ　（＋３１０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は５６■／μｍ（２１Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約３５秒（約１０
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は８．２ルツク
ス・秒（１，４ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

Ｘ旅遡旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１Ｏ−６ＴＯｒｒ程度の高真空
にした後、第１調節弁（７０７）、及び第４調節弁（７
１０）を解放し、第１タンク（７０１）より水素ガス、
及び第４タンク（７０４）より水素ガスで２０００ｐｐ
ｍに希釈したホスフィンガスを各々出力圧１．０Ｋｇ／
ａｍ２の下で第１、及び第４流量制御器（７１３、及び
７１６）内へ流入させた。同時に、第１容器（７１９）
よりミルセンガスを第１温調器（７２２）温度４８℃の
もと第７流量制（用益（７２８）内へ流入きせた。各流
量制御器を用いて、水素ガスの流量を２０３ＣＣｍ、水
素ガスで２０００ｐｐｍに希釈したホスフィンガスの流
量を３０ｓｅｃｍｓ及びミルセンガスの流量を２０ｓｅ
ｃｍとなるように設定して、途中混合器（７３１）を介
して、主官（７３２）より反応室（７３３）内へ流入し
た。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が１．２Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
調整した。一方、導電性基板（７５２）としては、縦５
０×横５０×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予
め２００℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続
しておいた低周波Ｎ源（７４１）を投入し、電力印加電
極（７３６）に１５０Ｗａｔｔの電力を周波数４０ＫＨ
ｚの下で印加して約３時間１５分プラズマ重合反応を行
ない、導電性基板（７５２）上に厚き１５μｍのａ−Ｃ
ｍを電荷輸送層として形成した。

成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応
室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき有機元素分析
を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して４３原子％であった。また、
ＩＭＡ分析より含有される燐原子の量は全構成原子に対
して２９０原子ｐｐｍであった。

電荷発生層形成工程： 次いで、実施例１と同様にして本発明による感光体の電
荷発生層を形成した。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一４４０Ｖ　（＋５４０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は２９Ｖ／μｍ　（３５Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれ
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａＸの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１１秒（約１５
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は２．６ルツク
ス・秒（１，２ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。また、最高帯
電電位に初期帯電した後、半導体レーザー光（発光波長
７８０ｎｍ）を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位
にまで明減衰させたとこる必要ときれた光量は１３．２
ｅｒｇ／ｃｍ２（７，Ｏｅｒｇ／ｃｍ２）であり、この
ことから充分な長波長光感度性能を有する事が理解きれ
た。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は本発明感光体の構成を示す図面、第
７図乃至第８図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。 出願人　ミノルタカメラ株式会社 第１図　　第２図 第３図　　第４図 第５図　　第６図 手続補正書 昭和６２年１０月２１日

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型感光体に
   おいて、該電荷輸送層は燐原子及び硼素原子のうち少な
   くとも一方を含有してなる水素化アモルファスカーボン
   膜であり、かつ、該電荷発生層は燐原子及び硼素原子の
   うち少なくとも一方を含有してなる水素化アモルファス
   シリコンゲルマニウム膜或は燐原子及び硼素原子のうち
   少なくとも一方を含有してなる弗素化アモルファスシリ
   コンゲルマニウム膜であることを特徴とする感光体。