JPS6382442A - 感光体 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08285—Carbon-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する感光体に
関する。
関する。
従来技術
カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発さ
れ実用化されてきた。
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発さ
れ実用化されてきた。
従来用いられて来た電子写真感光体材料の主なものとし
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質が挙げられる。また、その構成形態としては、−こ
れらの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散
させて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と
電荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質が挙げられる。また、その構成形態としては、−こ
れらの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散
させて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と
電荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。
しかしながら、従来用いられて来た電子写真感光体材料
にはそれぞれ欠点があフた。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝された場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。
にはそれぞれ欠点があフた。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝された場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。
このような欠点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐
久性に富んだ材料として、グロー放電法により生成され
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原料
としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガス
であることから、出来上がった電子写真感光体も従来の
感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、成膜速度
が遅く、成膜時間の増大に伴い爆発性を有するシラン未
分解生成物を粉塵状に発生する等、生産上の不都合も多
い。また、この粉塵が製造時に感光層中に混入した場合
には、画偉品質に著しく悪影響を及ぼす。ざらに、アモ
ルファスシリコンは、元来、比誘電率が高いため帯電性
能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電するために
は膜厚を厚くする必要があり、高価なアモルファスシリ
コン膜を長時間堆積させなくてζよならない。
久性に富んだ材料として、グロー放電法により生成され
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原料
としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガス
であることから、出来上がった電子写真感光体も従来の
感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、成膜速度
が遅く、成膜時間の増大に伴い爆発性を有するシラン未
分解生成物を粉塵状に発生する等、生産上の不都合も多
い。また、この粉塵が製造時に感光層中に混入した場合
には、画偉品質に著しく悪影響を及ぼす。ざらに、アモ
ルファスシリコンは、元来、比誘電率が高いため帯電性
能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電するために
は膜厚を厚くする必要があり、高価なアモルファスシリ
コン膜を長時間堆積させなくてζよならない。
ところでアモルファスカーボン膜自体は、プラズマ有機
重合膜として古くより知られており、例えばジエン(M
、5hen)及びベル(A、T。
重合膜として古くより知られており、例えばジエン(M
、5hen)及びベル(A、T。
Be1l)により、1973年発行ののジャーナル・オ
ブ◆アプライド・ポリマー・サイエンス(Journa
l of Applied P。
ブ◆アプライド・ポリマー・サイエンス(Journa
l of Applied P。
lymer Sc 1ence)第17巻の第885
頁乃至第892頁において、あらゆる有機化合物のガス
から作製され得る事が、また、同著者により、1979
年のアメリカンケミカルソサエティ (Americ
an ChemicalSociety)発行による
プラズマボリマライゼーション(Plasma Po
lymerization)の中でもその成膜性が論じ
られている。
頁乃至第892頁において、あらゆる有機化合物のガス
から作製され得る事が、また、同著者により、1979
年のアメリカンケミカルソサエティ (Americ
an ChemicalSociety)発行による
プラズマボリマライゼーション(Plasma Po
lymerization)の中でもその成膜性が論じ
られている。
しかしながら従来の方法で作製したプラズマ有機重合膜
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの膜は通常のポリエチレン膜の如<1016Ωcm程
度の比抵抗を有する絶aMと考えられ、或は、少なくと
もそのような膜であるとの認識のもとに用いられていた
。実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識か
ら、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁層に
限られており、所謂アンダーコート層もしくはオーバー
コート層としてしか用いられていなかった。
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの膜は通常のポリエチレン膜の如<1016Ωcm程
度の比抵抗を有する絶aMと考えられ、或は、少なくと
もそのような膜であるとの認識のもとに用いられていた
。実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識か
ら、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁層に
限られており、所謂アンダーコート層もしくはオーバー
コート層としてしか用いられていなかった。
例えば、特開昭59−28161号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接@層としてプラズマ重合された網
目構造を有する窩分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭5
9−38753号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成される1013〜1015ΩCmの高抵抗のプラズマ
重合膜を10人〜100人設けた上にアモルファスシリ
コン層を設けた感光体が開示されている。特開昭59−
136742号公報には、アルミ基板上に設けたアモル
ファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散する
のを防止するための保護層として1〜5μm程度の炭素
膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示されている。
ブロッキング層及び接@層としてプラズマ重合された網
目構造を有する窩分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭5
9−38753号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成される1013〜1015ΩCmの高抵抗のプラズマ
重合膜を10人〜100人設けた上にアモルファスシリ
コン層を設けた感光体が開示されている。特開昭59−
136742号公報には、アルミ基板上に設けたアモル
ファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散する
のを防止するための保護層として1〜5μm程度の炭素
膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示されている。
特開昭60−63541号公報には、アルミ基板とその
上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改善す
るために、接着層として200人〜2μmのダイヤモン
ド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留電荷
の面からM厚は2μm以下が好ましいとされている。
上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改善す
るために、接着層として200人〜2μmのダイヤモン
ド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留電荷
の面からM厚は2μm以下が好ましいとされている。
これらの開示は、何れも基板とアモルファスシリコン層
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、a−3i
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、a−3i
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。
また、例えば、特開昭50−20728号公報には、ポ
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層
としてグロー放電重合によるポリマー膜を0.1〜1μ
m設けた感光体が開示されている。特開昭59−214
859号公報には、アモルファスシリコン感光体の表面
に保護層としてスチレンやアセチレン等の有機炭化水素
モノマーをプラズマ重合させて5μm程度の膜を形成き
せる技術が開示されている。特開昭60−61761号
公報には、表面保護層として、500人〜2μmのダイ
ヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示され、透光性
の面から膜厚は2μm以下が好ましいとされてている。
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層
としてグロー放電重合によるポリマー膜を0.1〜1μ
m設けた感光体が開示されている。特開昭59−214
859号公報には、アモルファスシリコン感光体の表面
に保護層としてスチレンやアセチレン等の有機炭化水素
モノマーをプラズマ重合させて5μm程度の膜を形成き
せる技術が開示されている。特開昭60−61761号
公報には、表面保護層として、500人〜2μmのダイ
ヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示され、透光性
の面から膜厚は2μm以下が好ましいとされてている。
特開昭60−249115号公報には、0.05〜5μ
m程度の無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層とし
て用いる技術が開示され、膜厚が5μmを越えると感光
体活性に悪影響が及ぶとされている。
m程度の無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層とし
て用いる技術が開示され、膜厚が5μmを越えると感光
体活性に悪影響が及ぶとされている。
これらの開示は、何れも感光体表面に所謂オーバーコー
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、a−Sfの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、a−Sfの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。
また、特開昭51−46130号公報には、ポリビニル
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なって0.001〜3μmのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性に
ついては全く言及されていないし、a−stの持つ前記
した本質的問題を解決するものではない。
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なって0.001〜3μmのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性に
ついては全く言及されていないし、a−stの持つ前記
した本質的問題を解決するものではない。
一方、アモルファスシリコン膜については、スピア(W
、E、5pear)及びレコンパ(P。
、E、5pear)及びレコンパ(P。
G、LeComber)により1976年発行のフィロ
ソフィカル・マガジン(Philosophical
Magazine)第33巻の第935頁乃至第94
9頁において、極性制御が可能な材料である事が報じら
れて以来、種々の光電デバイスへの応用が試みられて来
た。感光体への応用に関しては、例えば、特開昭56−
62254号公報、特開昭57−119356号公報、
特開昭57−177147号公報、特開昭57−119
357号公報、特開昭57−177149号公報、特開
昭57−119357号公報、特開昭57−17714
6号公報、特開昭57−177148号公報、特開昭5
7−174448号公報、特開昭57−174449号
公報、特開昭57−174450号公報、等に、炭素原
子を含有したアモルファスシリコン感光体が開示されて
いるが、何れもアモルファスシリコンの光導電性を炭素
原子により調整する事を目的としたものであり、また、
アモルファスシリコン自体厚い膜を必要としている。
ソフィカル・マガジン(Philosophical
Magazine)第33巻の第935頁乃至第94
9頁において、極性制御が可能な材料である事が報じら
れて以来、種々の光電デバイスへの応用が試みられて来
た。感光体への応用に関しては、例えば、特開昭56−
62254号公報、特開昭57−119356号公報、
特開昭57−177147号公報、特開昭57−119
357号公報、特開昭57−177149号公報、特開
昭57−119357号公報、特開昭57−17714
6号公報、特開昭57−177148号公報、特開昭5
7−174448号公報、特開昭57−174449号
公報、特開昭57−174450号公報、等に、炭素原
子を含有したアモルファスシリコン感光体が開示されて
いるが、何れもアモルファスシリコンの光導電性を炭素
原子により調整する事を目的としたものであり、また、
アモルファスシリコン自体厚い膜を必要としている。
発明が解決しようとするゴ題点
以上のように、従来、電子写真感光体に用いられている
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用されていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚も高々5μm程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上開運にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で使用され
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用されていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚も高々5μm程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上開運にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で使用され
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。
本発明者らは、アモルファスカーボン膜の電子写真感光
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水素化アモルファスカーボン膜がアルカ
リ金属原子を含有せしめる事により、燐原子及び硼素原
子のうち少なくとも一方を含有すると共に酸素原子を含
有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜と
の積層においては電荷輸送性を有し、容易に好適な電子
写真特性を示し始める事を見出した。その理論的解釈に
は本発明者においても不明確な点が多く詳細に亙り言及
はできないが、アルカリ金属原子含有水素化アモルファ
スカーボン膜中に捕捉されている比較的不安定なエネル
ギー状態の電子、例えばπ電子、不対電子、残存フリー
ラジカル等が形成するバンド構造が、燐原子及び硼素原
子のうち少なくとも一方を含有すると共に酸素原子を含
有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜が
形成するバンド構造と電導帯もしくは荷電子帯において
近似したエネルギー準位を有するため、燐原子及び硼素
原子のうち少なくとも一方を含有すると共に酸素原子を
含有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜
中で発生したキャリアが容易にアルカリ金属原子含有水
素化アモルファスカーボン膜中へ注入され、ざらに、こ
のキャリアは前述の比較的不安定なエネルギー状態の電
子の作用によりアルカリ金属原子含有水素化アモルファ
スカーボン膜中を好適に走行し得るためと推定される。
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水素化アモルファスカーボン膜がアルカ
リ金属原子を含有せしめる事により、燐原子及び硼素原
子のうち少なくとも一方を含有すると共に酸素原子を含
有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜と
の積層においては電荷輸送性を有し、容易に好適な電子
写真特性を示し始める事を見出した。その理論的解釈に
は本発明者においても不明確な点が多く詳細に亙り言及
はできないが、アルカリ金属原子含有水素化アモルファ
スカーボン膜中に捕捉されている比較的不安定なエネル
ギー状態の電子、例えばπ電子、不対電子、残存フリー
ラジカル等が形成するバンド構造が、燐原子及び硼素原
子のうち少なくとも一方を含有すると共に酸素原子を含
有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜が
形成するバンド構造と電導帯もしくは荷電子帯において
近似したエネルギー準位を有するため、燐原子及び硼素
原子のうち少なくとも一方を含有すると共に酸素原子を
含有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜
中で発生したキャリアが容易にアルカリ金属原子含有水
素化アモルファスカーボン膜中へ注入され、ざらに、こ
のキャリアは前述の比較的不安定なエネルギー状態の電
子の作用によりアルカリ金属原子含有水素化アモルファ
スカーボン膜中を好適に走行し得るためと推定される。
本発明はその新たな知見を利用することにより、アモル
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的問題点を
全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異なる
、有機プラズマ重合膜、特に少なくともアルカリ金属原
子を含有してなる水素化アモルファスカーボン膜を電荷
輸送層として使用し、かつ、燐原子及び硼素原子のうち
少なくとも一方を含有すると共に酸素原子を含有してな
る水素化或は弗素化アモルファスシリコンの薄膜を電荷
発生層として使用した感光体を提供する事を目的とする
。
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的問題点を
全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異なる
、有機プラズマ重合膜、特に少なくともアルカリ金属原
子を含有してなる水素化アモルファスカーボン膜を電荷
輸送層として使用し、かつ、燐原子及び硼素原子のうち
少なくとも一方を含有すると共に酸素原子を含有してな
る水素化或は弗素化アモルファスシリコンの薄膜を電荷
発生層として使用した感光体を提供する事を目的とする
。
問題61、を するための 段
即ち、本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成される少なくともアルカリ金属原子を含有
してなる水素化アモルファスカーボン膜であり、かつ、
該電荷発生層が燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一
方を含有すると共に酸素原子を含有してなる水素化或は
弗素化アモルファスシリコン膜であることを特徴とする
感光体に関する(以下、本発明による電荷輸送層をa−
C膜及び電荷発生層をa−3i膜と称する)。
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成される少なくともアルカリ金属原子を含有
してなる水素化アモルファスカーボン膜であり、かつ、
該電荷発生層が燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一
方を含有すると共に酸素原子を含有してなる水素化或は
弗素化アモルファスシリコン膜であることを特徴とする
感光体に関する(以下、本発明による電荷輸送層をa−
C膜及び電荷発生層をa−3i膜と称する)。
本発明は、従来のアモルファスシリコン感光体において
は、電荷発生層として優れた機能を有するアモルファス
シリコンを、電荷発生能が無くても電荷輸送能ざえあれ
ば済む電荷輸送層としても併用していたため発生してい
たこれらの問題点を解決すべく成されたものである。
は、電荷発生層として優れた機能を有するアモルファス
シリコンを、電荷発生能が無くても電荷輸送能ざえあれ
ば済む電荷輸送層としても併用していたため発生してい
たこれらの問題点を解決すべく成されたものである。
即ち、本発明は、電荷輸送層としてグロー放電により生
成される少なくともアルカリ金属原子を含有してなる水
素化アモルファスカーボン膜を設け、かつ、電荷発生層
として同じくグロー放電により生成される燐原子及び硼
素原子のうち少なくとも一方を含有すると共に酸素原子
を含有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン
膜を設けた事を特徴とする機能分離型感光体に関する。
成される少なくともアルカリ金属原子を含有してなる水
素化アモルファスカーボン膜を設け、かつ、電荷発生層
として同じくグロー放電により生成される燐原子及び硼
素原子のうち少なくとも一方を含有すると共に酸素原子
を含有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン
膜を設けた事を特徴とする機能分離型感光体に関する。
該電荷輸送層は、可視光もしくは半導体レーザー光付近
の波長の光に対しては明確なる光導電性は有ざないが、
好適な輸送性を有し、ざらに、帯電能、耐久性、耐候性
、耐環境汚染性等の電子写真感光体性能に優れ、しかも
透光性にも優れるため、機能分離型感光体としての積層
構造を形成する場合においても極めて高い自由度が得ら
れるものである。また、該電荷発生層は、可視光もしく
は半導体レーザー光付近の波長の光に対して優れた光導
電性を有し、しかも従来のアモルファスシリコン感光体
に比べて極めて薄い膜厚で、その機能を活かす事ができ
るものである。
の波長の光に対しては明確なる光導電性は有ざないが、
好適な輸送性を有し、ざらに、帯電能、耐久性、耐候性
、耐環境汚染性等の電子写真感光体性能に優れ、しかも
透光性にも優れるため、機能分離型感光体としての積層
構造を形成する場合においても極めて高い自由度が得ら
れるものである。また、該電荷発生層は、可視光もしく
は半導体レーザー光付近の波長の光に対して優れた光導
電性を有し、しかも従来のアモルファスシリコン感光体
に比べて極めて薄い膜厚で、その機能を活かす事ができ
るものである。
本発明においては、a−C膜を形成するために有機化合
物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。
物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。
該炭化水素における相状態は常温常圧において必ずしも
気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。
気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。
使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンデカン、ドデカン、トリテ゛カン、テトラコ
サン、ベンタテ°カン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、
オクタデカン、ノナテ゛カン、エイコサン、ヘンエイコ
サン、トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコ
サン、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノ
ナコサン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタ
トリアコンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソ
ブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、
ネオヘキサン、2.3−ジメチルブタン、2−メチルヘ
キサン、3−エチルペンタン、2.2−ジメチルペンタ
ン、2,4−ジメチルペンタン、3.3−ジメチルペン
タン、トリブタン、2−メチルへブタン、3−メチルへ
ブタン、2.2−ジメチルヘキサン、2.2.5−ジメ
チルヘキサン、2,2.3−トリメチルペンタン、2.
2.4−トリメチルペンタン、2.3゜3−トリメチル
ペンタン、2,3.4−トリメチルペンタン、イソナノ
ン、等のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化
水素としては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブ
チレン、1−ブテン、2−ブテン、1−ペンテン、2−
ペンテン、2−メチル−1−ブテン、3−メチル−1−
ブテン、2−メチル−2−ブテン、1−ヘキセン、゛テ
トラメチルエチレン、1−ヘプテン、1−オクテン、1
−ノネン、1−デセン、等のオレフィン、並びに、アレ
ン、メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘキサ
ジエン、シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並び
に、オシメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエ
ン、等のトリオレフイン、並びに、アセチレン、ブタジ
イン、1゜3−ペンタジイン、2,4−へキサジイン、
メチルアセチレン、1−ブチン、2−ブチン、1−ペン
チン、1−ヘキシン、1−ヘプチン、1−オクチン、1
−ノニン、1−デシン、等が用いられる。
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンデカン、ドデカン、トリテ゛カン、テトラコ
サン、ベンタテ°カン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、
オクタデカン、ノナテ゛カン、エイコサン、ヘンエイコ
サン、トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコ
サン、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノ
ナコサン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタ
トリアコンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソ
ブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、
ネオヘキサン、2.3−ジメチルブタン、2−メチルヘ
キサン、3−エチルペンタン、2.2−ジメチルペンタ
ン、2,4−ジメチルペンタン、3.3−ジメチルペン
タン、トリブタン、2−メチルへブタン、3−メチルへ
ブタン、2.2−ジメチルヘキサン、2.2.5−ジメ
チルヘキサン、2,2.3−トリメチルペンタン、2.
2.4−トリメチルペンタン、2.3゜3−トリメチル
ペンタン、2,3.4−トリメチルペンタン、イソナノ
ン、等のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化
水素としては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブ
チレン、1−ブテン、2−ブテン、1−ペンテン、2−
ペンテン、2−メチル−1−ブテン、3−メチル−1−
ブテン、2−メチル−2−ブテン、1−ヘキセン、゛テ
トラメチルエチレン、1−ヘプテン、1−オクテン、1
−ノネン、1−デセン、等のオレフィン、並びに、アレ
ン、メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘキサ
ジエン、シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並び
に、オシメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエ
ン、等のトリオレフイン、並びに、アセチレン、ブタジ
イン、1゜3−ペンタジイン、2,4−へキサジイン、
メチルアセチレン、1−ブチン、2−ブチン、1−ペン
チン、1−ヘキシン、1−ヘプチン、1−オクチン、1
−ノニン、1−デシン、等が用いられる。
脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、ツ
エン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、フエ
ンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ビサボレ
ン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネンセ
スキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレン
、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ボドカルブ
レン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド等が用
いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン
、トルエン、キシレン、ヘミメンテン、プソイドクメン
、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、
ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチル
ベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビフ
ェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニ
ルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフタ
リン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン、等
が用いられる。
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、ツ
エン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、フエ
ンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ビサボレ
ン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネンセ
スキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレン
、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ボドカルブ
レン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド等が用
いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン
、トルエン、キシレン、ヘミメンテン、プソイドクメン
、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、
ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチル
ベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビフ
ェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニ
ルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフタ
リン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン、等
が用いられる。
さらに、炭化水素以外でも、例えば、アルコール類、ケ
トン類、エーテル類、エステル類、等炭素と成りうる化
合物であれば使用可能である。
トン類、エーテル類、エステル類、等炭素と成りうる化
合物であれば使用可能である。
本発明におけるa −C膜中に含まれる水素原子の量は
グロー放電を用いるというその製造面から必然的に定ま
るが、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね30乃
至60原子%含有きれる。ここで、炭素原子並びに水素
原子の膜中含有量は、有機元素分析の常法、例えば○N
H分析を用いる事により知る事ができる。
グロー放電を用いるというその製造面から必然的に定ま
るが、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね30乃
至60原子%含有きれる。ここで、炭素原子並びに水素
原子の膜中含有量は、有機元素分析の常法、例えば○N
H分析を用いる事により知る事ができる。
本発明におけるa −C膜中に含まれる水素原子の量は
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが
、例えば、基板温度を高くする、圧力を低くする、原料
炭化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これらの
組合せ操作は、含有水素量を低くする効果を有する。
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが
、例えば、基板温度を高くする、圧力を低くする、原料
炭化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これらの
組合せ操作は、含有水素量を低くする効果を有する。
本発明における電荷輸送層としてのa −C膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、5乃至5
0μm1特に7乃至20μmが適当であり、5μmより
薄いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度を得る
事ができない。また、50μmより厚いと、生産性の面
で好ましくない。
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、5乃至5
0μm1特に7乃至20μmが適当であり、5μmより
薄いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度を得る
事ができない。また、50μmより厚いと、生産性の面
で好ましくない。
このa−C膜は、高透光性、高暗抵抗を有するとともに
電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に5μm以上として
もキャリアはトラップされる事無く輸送きれ明減衰に寄
与する事が可能である。
電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に5μm以上として
もキャリアはトラップされる事無く輸送きれ明減衰に寄
与する事が可能である。
本発明における原料気体からa −C膜を形成する過程
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成きれるプラズ
マ状態を経て形成きれる方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成されるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される中
性粒子から形成されてもよいし、ざらには、これらの組
み合わせにより形成きれてもよい。
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成きれるプラズ
マ状態を経て形成きれる方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成されるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される中
性粒子から形成されてもよいし、ざらには、これらの組
み合わせにより形成きれてもよい。
本発明においては炭化水素の他に、a−0M中に少なく
ともアルカリ金属原子を添加するためにアルカリ金属化
合物が使用される。ここでアルカリ金属原子とは、リチ
ウム原子、ナトリウム原子、カリウム原子、ルビジウム
原子、及びセシウム原子を云う。該アルカリ金属化合物
ガスにおける相状態は常温常圧において必ずしも気相で
有る必要はなく、また、むしろ気相状態の化合物は少な
いため、加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇華等を経
て気化し得るものであれば、液相でも固相でも使用可能
である。アルカリ金属化合物としては、例えば、金属ア
ルコラード、金属アクリル酸、金属メタクリル酸、或は
、金属フタロシアニン等を用いる事ができる。
ともアルカリ金属原子を添加するためにアルカリ金属化
合物が使用される。ここでアルカリ金属原子とは、リチ
ウム原子、ナトリウム原子、カリウム原子、ルビジウム
原子、及びセシウム原子を云う。該アルカリ金属化合物
ガスにおける相状態は常温常圧において必ずしも気相で
有る必要はなく、また、むしろ気相状態の化合物は少な
いため、加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇華等を経
て気化し得るものであれば、液相でも固相でも使用可能
である。アルカリ金属化合物としては、例えば、金属ア
ルコラード、金属アクリル酸、金属メタクリル酸、或は
、金属フタロシアニン等を用いる事ができる。
本発明において化学的修飾物質として含有されるアルカ
リ金属原子の量は、全構成原子に対して0.1乃至10
原子%、好適には0.3乃至5原子%である。ここでア
ルカリ金属原子の膜中含有量は、元素分析の常法、例え
ばオージェ分析により知る事ができる。アルカリ金属原
子の量が0゜1原子%より低い場合には、必ずしも好適
な電荷輸送性が保証されず、感度低下もしくは残留電位
の発生等を生じ易くなり、また、経時的感度安定性も保
証されなくなる。アルカリ金属原子の量が10原子%よ
り高い場合には、適量の添加では好適な電荷輸送性と残
留電位発生防止を保証していたアルカリ金属原子が、逆
に、帯電能の低下を招く。また、必ずしも成膜性が保証
されなくなり、膜の剥離、油状化もしくは粉体化を招き
易くなる。
リ金属原子の量は、全構成原子に対して0.1乃至10
原子%、好適には0.3乃至5原子%である。ここでア
ルカリ金属原子の膜中含有量は、元素分析の常法、例え
ばオージェ分析により知る事ができる。アルカリ金属原
子の量が0゜1原子%より低い場合には、必ずしも好適
な電荷輸送性が保証されず、感度低下もしくは残留電位
の発生等を生じ易くなり、また、経時的感度安定性も保
証されなくなる。アルカリ金属原子の量が10原子%よ
り高い場合には、適量の添加では好適な電荷輸送性と残
留電位発生防止を保証していたアルカリ金属原子が、逆
に、帯電能の低下を招く。また、必ずしも成膜性が保証
されなくなり、膜の剥離、油状化もしくは粉体化を招き
易くなる。
従って、本発明におけるアルカリ金属原子の添加量範囲
は重要である。
は重要である。
本発明において化学的修飾物質として含有されるアルカ
リ金属原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室
への前述のアルカリ金属化合物の導入量を増減すること
により制御することが可能である。アルカリ金属化合物
の導入量を増大させれば、本発明によるa−C膜中への
アルカリ金属原子の添加量を高くすることが可能であり
、逆にアルカリ金属化合物の導入量を減少させれば、本
発明によるa−C膜中へのアルカリ金属原子の添加量を
低くすることが可能である。
リ金属原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室
への前述のアルカリ金属化合物の導入量を増減すること
により制御することが可能である。アルカリ金属化合物
の導入量を増大させれば、本発明によるa−C膜中への
アルカリ金属原子の添加量を高くすることが可能であり
、逆にアルカリ金属化合物の導入量を減少させれば、本
発明によるa−C膜中へのアルカリ金属原子の添加量を
低くすることが可能である。
本発明においては、a−Si膜を形成するためにシラン
ガス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用いられ
る。また、化学的修飾物質として燐原子或は−素原子を
膜中に含有せしめるための原料ガスとして、ホスフィン
ガス或はジボランガス等が用いられる。ざらに、化学的
修飾物質として酸素原子を膜中に含有せしめるための原
料ガスとして、酸素ガス、亜酸化窒素ガス、オゾンガス
、或は、−酸化炭素ガス、等の酸素化合物ガスが用いら
れる。
ガス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用いられ
る。また、化学的修飾物質として燐原子或は−素原子を
膜中に含有せしめるための原料ガスとして、ホスフィン
ガス或はジボランガス等が用いられる。ざらに、化学的
修飾物質として酸素原子を膜中に含有せしめるための原
料ガスとして、酸素ガス、亜酸化窒素ガス、オゾンガス
、或は、−酸化炭素ガス、等の酸素化合物ガスが用いら
れる。
本発明において化学的修飾物質として含有される燐原子
或は硼素原子の量は、全構成原子に対して20000原
子ppm以下である。ここで燐原子或は硼素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或はI
MA分析により知る事ができる。燐原子或は硼素原子の
膜中含有量が20000原子ppmより高い場合には、
少量の添加では好適な輸送性、或は、極性刷部効果を保
証していた燐原子或は硼素原子が、逆に膜の低抵抗化を
招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。従って、本発
明における燐原子或は硼素原子添加量の範囲は重要であ
る。
或は硼素原子の量は、全構成原子に対して20000原
子ppm以下である。ここで燐原子或は硼素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或はI
MA分析により知る事ができる。燐原子或は硼素原子の
膜中含有量が20000原子ppmより高い場合には、
少量の添加では好適な輸送性、或は、極性刷部効果を保
証していた燐原子或は硼素原子が、逆に膜の低抵抗化を
招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。従って、本発
明における燐原子或は硼素原子添加量の範囲は重要であ
る。
本発明において化学的修飾物質として含有される酸素原
子の量は、全構成原子に対して0.001乃至1原子%
である。ここで酸素原子の膜中含有量は、元素分析の常
法、例えばオージェ分析或はIMA分析により知る事が
できる。酸素原子の膜中含有量が0.001原子%より
低い場合には、a−Si膜の電気抵抗値が低くなる事が
らa−5i膜にコロナ帯電等による電界がかかりにくく
なり、光励起キャリアが必ずしも効率よ<a−C膜中に
注入されなくなり感度の低下を招く。また、帯電能も低
下する。酸素原子の膜中含有量が1原子%より高い場合
には、逆にa−Si膜の電気抵抗値が高くなりすぎる事
から、光励起キャリアの発生効率並びに易動速度が低下
し、感度の低下を招く。従って、本発明における酸素原
子添加量の範囲は重要である。
子の量は、全構成原子に対して0.001乃至1原子%
である。ここで酸素原子の膜中含有量は、元素分析の常
法、例えばオージェ分析或はIMA分析により知る事が
できる。酸素原子の膜中含有量が0.001原子%より
低い場合には、a−Si膜の電気抵抗値が低くなる事が
らa−5i膜にコロナ帯電等による電界がかかりにくく
なり、光励起キャリアが必ずしも効率よ<a−C膜中に
注入されなくなり感度の低下を招く。また、帯電能も低
下する。酸素原子の膜中含有量が1原子%より高い場合
には、逆にa−Si膜の電気抵抗値が高くなりすぎる事
から、光励起キャリアの発生効率並びに易動速度が低下
し、感度の低下を招く。従って、本発明における酸素原
子添加量の範囲は重要である。
本発明におけるa−3i膜中に含まれる水素原子或は弗
素原子の量はグロー放電を用いるというその製造面から
必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシリコ
ン原子と弗素原子の総量に対して、概ね10乃至35原
子%含有される。ここで、水素原子或は弗素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばONH分析、オージ
ェ分析等を用いる事により知る事ができる。
素原子の量はグロー放電を用いるというその製造面から
必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシリコ
ン原子と弗素原子の総量に対して、概ね10乃至35原
子%含有される。ここで、水素原子或は弗素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばONH分析、オージ
ェ分析等を用いる事により知る事ができる。
本発明における電荷発生層としてのa−Si膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、0.1乃
至5μmが適尚であり、0.1μmより薄いと、光吸収
が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、感
度の低下を招く。また、5μmより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このa−Si膜は電荷発生能に富み、
さらに、本発明の最も特徴とするところのa−C膜との
積層構成において効率よ<a−C膜中に発生キャリアを
注入せしめ、好適な明減衰に寄与する事が可能である。
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、0.1乃
至5μmが適尚であり、0.1μmより薄いと、光吸収
が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、感
度の低下を招く。また、5μmより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このa−Si膜は電荷発生能に富み、
さらに、本発明の最も特徴とするところのa−C膜との
積層構成において効率よ<a−C膜中に発生キャリアを
注入せしめ、好適な明減衰に寄与する事が可能である。
本発明における原料気体からa−3i膜を形成する過程
は、a−C膜を形成する場合と同様にして行なわれる。
は、a−C膜を形成する場合と同様にして行なわれる。
本発明において化学的修飾物質として含有される酸素原
子、燐原子、或は、硼素原子の量は、主に、プラズマ反
応を行なう反応室への前述の酸素化合物ガス、ホスフィ
ンガス、或は、ジボランガスの導入量を増減することに
より制弧することが可能である。酸素化合物ガス、ホス
フィンガス、或は、ジボランガスの導入量を増大させれ
ば、本発明によるa−Si膜中への酸素原子、燐原子、
或は、硼素原子の添加量を高くすることが可能であり、
逆に酸素化合物ガス、ホスフィンガス、或は、ジボラン
ガスの導入量を減少させれば、本発明によるa−3i膜
中への酸素原子、燐原子、或は、硼素原子の添加量を低
くすることが可能であ本発明における感光体は、電荷発
生層と電荷輸送層から成る機能分離型の構成とするのが
最適で、該電荷発生層と該電荷輸送層の積層構成は、必
要に応じて適宜選択することが可能である。
子、燐原子、或は、硼素原子の量は、主に、プラズマ反
応を行なう反応室への前述の酸素化合物ガス、ホスフィ
ンガス、或は、ジボランガスの導入量を増減することに
より制弧することが可能である。酸素化合物ガス、ホス
フィンガス、或は、ジボランガスの導入量を増大させれ
ば、本発明によるa−Si膜中への酸素原子、燐原子、
或は、硼素原子の添加量を高くすることが可能であり、
逆に酸素化合物ガス、ホスフィンガス、或は、ジボラン
ガスの導入量を減少させれば、本発明によるa−3i膜
中への酸素原子、燐原子、或は、硼素原子の添加量を低
くすることが可能であ本発明における感光体は、電荷発
生層と電荷輸送層から成る機能分離型の構成とするのが
最適で、該電荷発生層と該電荷輸送層の積層構成は、必
要に応じて適宜選択することが可能である。
第1図は、その一形態として、導電性基板(1)上に電
荷輸送層(2)と電荷発生層(3)を順次積層してなる
構成を示したものである。第2図は、別の一形態として
、導電性基板(1)上に電荷発生層(3)と電荷輸送層
(2)を順次積層してなる構成を示したものである。第
3図は、別の一形態として、導電性基板(1)上に、電
荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。
荷輸送層(2)と電荷発生層(3)を順次積層してなる
構成を示したものである。第2図は、別の一形態として
、導電性基板(1)上に電荷発生層(3)と電荷輸送層
(2)を順次積層してなる構成を示したものである。第
3図は、別の一形態として、導電性基板(1)上に、電
荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。
感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第1図では
電荷発生層(3)で発生した正孔が電荷輸送層(2)中
を導電性基板(1)に向は走行し、第2図では電荷発生
層(3)で発生した電子が電荷輸送層(2)中を感光体
表面に向は走行し、第3図では電荷発生M(3)で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送層(2)中を導電性
基板(1)に向は走行すると共に、同時に電荷発生層(
3)で発生した電子が表面側の電荷輸送層(2)中を感
光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証された静電
潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電し
た後、画像露光して使用する場合においては、電子と正
孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれば
よい。第2図及び第3@では、画像露光用の照射光が電
荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による電荷輸
送層は透光性に優れることから、好適な潜像形成を行な
うことが可能である。
後、画像露光して使用する場合においては、第1図では
電荷発生層(3)で発生した正孔が電荷輸送層(2)中
を導電性基板(1)に向は走行し、第2図では電荷発生
層(3)で発生した電子が電荷輸送層(2)中を感光体
表面に向は走行し、第3図では電荷発生M(3)で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送層(2)中を導電性
基板(1)に向は走行すると共に、同時に電荷発生層(
3)で発生した電子が表面側の電荷輸送層(2)中を感
光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証された静電
潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電し
た後、画像露光して使用する場合においては、電子と正
孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれば
よい。第2図及び第3@では、画像露光用の照射光が電
荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による電荷輸
送層は透光性に優れることから、好適な潜像形成を行な
うことが可能である。
第4図は、ざらなる一形態として、導電性基板(1)上
に電荷輸送層(2)と電荷発生N(3)と表面保護層(
4)を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第1図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第1図の形態では、最表面が#4湿性に乏しいa−Si
膜で有ることから、多くの場合実用上の対湿度安定性を
確保するために表面保護層を設けることが好ましい。第
2図及び第3図の構成の場合、最表面が耐久性に優れた
a−C膜であるため表面保護層を設けなくてもよいが、
例えば現像剤の付着による感光体表面の汚れを防止する
ような、複写機内の各種エレメントに対する整合性をH
整する目的から、表面保護層を設けることもざらなる一
形態と成りうる。
に電荷輸送層(2)と電荷発生N(3)と表面保護層(
4)を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第1図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第1図の形態では、最表面が#4湿性に乏しいa−Si
膜で有ることから、多くの場合実用上の対湿度安定性を
確保するために表面保護層を設けることが好ましい。第
2図及び第3図の構成の場合、最表面が耐久性に優れた
a−C膜であるため表面保護層を設けなくてもよいが、
例えば現像剤の付着による感光体表面の汚れを防止する
ような、複写機内の各種エレメントに対する整合性をH
整する目的から、表面保護層を設けることもざらなる一
形態と成りうる。
第5図は、さらなる一形態として、導電性基板(1)上
に中間層(5)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第2
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第2図の
形態では、導電性基板との接合面がa−Si膜である事
から、多くの場合接着性及び注入阻止効果を確保するた
めに中間層を設ける事が好ましい。第1図及び第3図の
構成の場合、導電性基板との接合面が、接着性及び注入
阻止効果に優れた、本発明による電荷輸送層であるため
、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前
処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合
性を調整する目的から、中間層を設けることもざらなる
一形態と成りうる。
に中間層(5)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第2
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第2図の
形態では、導電性基板との接合面がa−Si膜である事
から、多くの場合接着性及び注入阻止効果を確保するた
めに中間層を設ける事が好ましい。第1図及び第3図の
構成の場合、導電性基板との接合面が、接着性及び注入
阻止効果に優れた、本発明による電荷輸送層であるため
、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前
処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合
性を調整する目的から、中間層を設けることもざらなる
一形態と成りうる。
第6図は、さらなる一形態どして、導電性基板(1)上
に中間層(5)と電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)
と表面保護層(4)を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第1図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。
に中間層(5)と電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)
と表面保護層(4)を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第1図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。
中間層と表面保護層の設置理由は前述と同様であり、従
7て第2図及び第3図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもざらなる一形態と成りうる。
7て第2図及び第3図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもざらなる一形態と成りうる。
本発明において中間層と表面保護層は、材料的にも、製
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるa −C!Giを用いてもよい。但し
、用いる材料が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材料
である場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は5μ
m以下に留める必要がある。
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるa −C!Giを用いてもよい。但し
、用いる材料が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材料
である場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は5μ
m以下に留める必要がある。
本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で放電分解し、発生したプラズマfJff気中に
含まれる活性中性種あるいは荷電極を基板上に拡散、電
気力、あるいは磁気力等により訪導し、基板上での再結
合反応により固相として堆積きせる、所謂プラズマ重合
反応から生成される事が好ましい。
減圧下で放電分解し、発生したプラズマfJff気中に
含まれる活性中性種あるいは荷電極を基板上に拡散、電
気力、あるいは磁気力等により訪導し、基板上での再結
合反応により固相として堆積きせる、所謂プラズマ重合
反応から生成される事が好ましい。
第7図は本発明に係わる感光体の製造装置を示し、図中
(701)〜(706)は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを密封した第1乃至第6タ
ンクで、各々のタンクは第1乃至第6調節弁(707)
〜(712)と第1乃至第6流量制御器(713)〜(
718)に接続されている。図中(719)〜(721
)は常温において液相または固相状態にある原料化合物
を封入した第1乃至第3容器で、各々の容器は気化のた
め第1乃至第3温調M (722)〜(724)により
与熱可能であり、ざらに各々の容器は第7乃至第9調箇
弁(725)〜(727)と第7乃至第9流量制御器(
728)〜(730)に接続されている。これらのガス
は混合器(731)で混合された後、主管(732)を
介して反応室(733)に送り込まれる。途中の配管は
、常温において液相または固相状態にあった原料化合物
が気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置
された配管加熱器(734)により、与熱可能とされて
いる。反応室内には接地電極(735)と電力印加電極
(736)が対向して設置され、各々の電極は電極加熱
器(737)により与熱可能とされている。電力印加電
極(736)には、窩周波電力用整合器(738)を介
して高周波電源(739)、低周波電力用整合器(74
0)を介して低周波電源(741Lローパスフイルタ(
742)を介して直流電源(743)が接続されており
、接続選択スイッチ(744)により周波数の異なる電
力が印加可能とされている。反応室(733)内の圧力
は圧力制御弁(745)により調整可能であり、反応室
(733)内の減圧は、排気系選択弁(746)を介し
て、拡散ポンプ(747) 、油回転ポンプ(748)
、或は、冷却除外装! (749) 、メカニカルブ
ースターポンプ(750)、油回転ポンプ(748)に
より行なわれる。排ガスについては、さらに適当な除外
装置(753)により安全無害化した後、大気中に排気
きれる。これら排気系配管についても、常温において液
相または固相状態にあった原料化合物が気化したガスが
、途中で凝結しないように、適宜配Mされた配管加熱器
(734)により、与熱可能とされている。反応室(7
33)も同様の理由から反応室加熱器(751)により
与熱可能とされ、内部に配きれた電極上に導電性基板(
752)が設置される。第7図において導電性基板(7
52)は接地電極(735)に固定して配されているが
、電力印加電極(736)に固定して配されてもよく、
さらに双方に配されてもよい。
(701)〜(706)は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを密封した第1乃至第6タ
ンクで、各々のタンクは第1乃至第6調節弁(707)
〜(712)と第1乃至第6流量制御器(713)〜(
718)に接続されている。図中(719)〜(721
)は常温において液相または固相状態にある原料化合物
を封入した第1乃至第3容器で、各々の容器は気化のた
め第1乃至第3温調M (722)〜(724)により
与熱可能であり、ざらに各々の容器は第7乃至第9調箇
弁(725)〜(727)と第7乃至第9流量制御器(
728)〜(730)に接続されている。これらのガス
は混合器(731)で混合された後、主管(732)を
介して反応室(733)に送り込まれる。途中の配管は
、常温において液相または固相状態にあった原料化合物
が気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置
された配管加熱器(734)により、与熱可能とされて
いる。反応室内には接地電極(735)と電力印加電極
(736)が対向して設置され、各々の電極は電極加熱
器(737)により与熱可能とされている。電力印加電
極(736)には、窩周波電力用整合器(738)を介
して高周波電源(739)、低周波電力用整合器(74
0)を介して低周波電源(741Lローパスフイルタ(
742)を介して直流電源(743)が接続されており
、接続選択スイッチ(744)により周波数の異なる電
力が印加可能とされている。反応室(733)内の圧力
は圧力制御弁(745)により調整可能であり、反応室
(733)内の減圧は、排気系選択弁(746)を介し
て、拡散ポンプ(747) 、油回転ポンプ(748)
、或は、冷却除外装! (749) 、メカニカルブ
ースターポンプ(750)、油回転ポンプ(748)に
より行なわれる。排ガスについては、さらに適当な除外
装置(753)により安全無害化した後、大気中に排気
きれる。これら排気系配管についても、常温において液
相または固相状態にあった原料化合物が気化したガスが
、途中で凝結しないように、適宜配Mされた配管加熱器
(734)により、与熱可能とされている。反応室(7
33)も同様の理由から反応室加熱器(751)により
与熱可能とされ、内部に配きれた電極上に導電性基板(
752)が設置される。第7図において導電性基板(7
52)は接地電極(735)に固定して配されているが
、電力印加電極(736)に固定して配されてもよく、
さらに双方に配されてもよい。
第8図は本発明に係わる感光体の製造装置の別の一形態
を示し、反応室(833)内部の形態以外は、第7図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様であり、
付記された番号は、7oO番台のものを800番台に置
き換えて解すればよい。第8図において、反応室(83
3)内部には、第7図における接地電極(735)を兼
ねた円筒形の導電性基板(852)が設置され、内側に
は電極加熱器(837)が配されている。導電性基板(
852)周囲には同じく円筒形状をした電力印加電極(
836)が配され、外側には電極加熱器(837)が配
されている。導電性基板(852)は、外部より駆動モ
ータ(854)を用いて自転可能となっている。
を示し、反応室(833)内部の形態以外は、第7図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様であり、
付記された番号は、7oO番台のものを800番台に置
き換えて解すればよい。第8図において、反応室(83
3)内部には、第7図における接地電極(735)を兼
ねた円筒形の導電性基板(852)が設置され、内側に
は電極加熱器(837)が配されている。導電性基板(
852)周囲には同じく円筒形状をした電力印加電極(
836)が配され、外側には電極加熱器(837)が配
されている。導電性基板(852)は、外部より駆動モ
ータ(854)を用いて自転可能となっている。
感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め1
o−4乃至1O−6Torr程度にまで減圧し、真空度
の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配され
た導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板に
は、前述の如き感光体構成の中から所望の構成を得るた
めに、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷発
生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電荷
発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を用
いてもよい。次いで、第1乃至第6タンク及び第1乃至
第3容器から、原料ガスを適宜第1乃至第9流量制御器
を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節
弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が
安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば高周波
電源を選択し、電力印加電極に高周波電力を投入する。
o−4乃至1O−6Torr程度にまで減圧し、真空度
の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配され
た導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板に
は、前述の如き感光体構成の中から所望の構成を得るた
めに、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷発
生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電荷
発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を用
いてもよい。次いで、第1乃至第6タンク及び第1乃至
第3容器から、原料ガスを適宜第1乃至第9流量制御器
を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節
弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が
安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば高周波
電源を選択し、電力印加電極に高周波電力を投入する。
両1を極間には放電が開始きれ、時間と共に基板上に固
相の膜が形成される。a−Si膜或はa−Cj’Jは、
原料ガスを代える事により任意に形成可能である。放電
を一旦停止し、原料ガス組成を変更した後、再び放電を
再開すれば異なる組成の膜を積層する事ができる。また
、放電を持続させながら原料ガス流量だけを徐々に代え
、異なる組成の膜を勾配を持たせながら積層する事も可
能である。
相の膜が形成される。a−Si膜或はa−Cj’Jは、
原料ガスを代える事により任意に形成可能である。放電
を一旦停止し、原料ガス組成を変更した後、再び放電を
再開すれば異なる組成の膜を積層する事ができる。また
、放電を持続させながら原料ガス流量だけを徐々に代え
、異なる組成の膜を勾配を持たせながら積層する事も可
能である。
反応時間により膜厚を!118し、所定の膜厚並びに積
層構成に達したところで放電を停止し、本発明による感
光体を得る。次いで、第1乃至第9調節弁を閉じ、反応
室内を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得ら
れる場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明
による感光体を取り出す。更に所望の感光体構成におい
て、電荷発生層或はオーバーコート層が必要とされる場
合には、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦真
空を破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け、
本発明による感光体を得る。
層構成に達したところで放電を停止し、本発明による感
光体を得る。次いで、第1乃至第9調節弁を閉じ、反応
室内を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得ら
れる場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明
による感光体を取り出す。更に所望の感光体構成におい
て、電荷発生層或はオーバーコート層が必要とされる場
合には、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦真
空を破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け、
本発明による感光体を得る。
以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。
害施望1
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
H7図に示すグミ−放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を1O−6Torr程度の高真空
にした後、第1、及び第2調節弁(707、及び7o8
)を解放し、第1タンク(701)より水素ガス、及び
第2タンク(702)よりブタジインガスを各々出力圧
1.0Kg/cm2の下で第1、及び第2流量制御器(
713、及び714)内へ流入させた。同時に、第7調
節弁(725)を解放し、第1容器(719)よりリチ
ウムターシャリ−ブチラードガスを第1温調器(722
)温度180℃のもとで第7流量制御器(728)内へ
流入させた。水素ガスの流量を70secm、ブタジイ
ンガスの流量を40scCm%及びリチウムターシャリ
−ブチラードガスの流量を10105eとなるように設
定して、途中混合器(731)を介して、主管(732
)より反応室(733)内へ流入した。各々の流量が安
定した後に、反応室(733)内の圧力が1゜2Tor
rとなるように圧力調節弁(745)を調整した。一方
、導電性基板(752)としては、asox横50×厚
3mmのアルミニウム基板を用いて、予め150℃に加
熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め
接続選択スイッチ(744)により接続しておいた高周
波電源(739)を投入し、電力印加電極(736)に
120Wattの電力を周波数13.56MHzの下で
印加して約20分間プラズマ重合反応を行ない、導電性
基板(752)上に厚き15μmのa−C膜を電荷輸送
層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、
調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気した。
装置(733)の内部を1O−6Torr程度の高真空
にした後、第1、及び第2調節弁(707、及び7o8
)を解放し、第1タンク(701)より水素ガス、及び
第2タンク(702)よりブタジインガスを各々出力圧
1.0Kg/cm2の下で第1、及び第2流量制御器(
713、及び714)内へ流入させた。同時に、第7調
節弁(725)を解放し、第1容器(719)よりリチ
ウムターシャリ−ブチラードガスを第1温調器(722
)温度180℃のもとで第7流量制御器(728)内へ
流入させた。水素ガスの流量を70secm、ブタジイ
ンガスの流量を40scCm%及びリチウムターシャリ
−ブチラードガスの流量を10105eとなるように設
定して、途中混合器(731)を介して、主管(732
)より反応室(733)内へ流入した。各々の流量が安
定した後に、反応室(733)内の圧力が1゜2Tor
rとなるように圧力調節弁(745)を調整した。一方
、導電性基板(752)としては、asox横50×厚
3mmのアルミニウム基板を用いて、予め150℃に加
熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め
接続選択スイッチ(744)により接続しておいた高周
波電源(739)を投入し、電力印加電極(736)に
120Wattの電力を周波数13.56MHzの下で
印加して約20分間プラズマ重合反応を行ない、導電性
基板(752)上に厚き15μmのa−C膜を電荷輸送
層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、
調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたa −C膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総置に対して55原子%、また、オージ
ェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、リチウ
ム原子の量は全構成原子に対して1.9原子%であった
。
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総置に対して55原子%、また、オージ
ェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、リチウ
ム原子の量は全構成原子に対して1.9原子%であった
。
電荷発生層形成工程:
次いで、第1調節弁(707) 、第5調節弁(711
)、及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(
701)から水素ガス、第5タンク(705)から亜酸
化窒素ガス、及び第6タンク(706)からシランガス
を、出力圧IKg/cm2の下で第1、第5、及び第6
流量制扉器(713,717、及び718)内へ流入さ
せた。同時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タ
ンク(704)より水素ガスで1100ppに希釈され
たジボランガスを、出力圧1.5Kg/am2の下で第
4流量制御器(716)内へ、流入させた。
)、及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(
701)から水素ガス、第5タンク(705)から亜酸
化窒素ガス、及び第6タンク(706)からシランガス
を、出力圧IKg/cm2の下で第1、第5、及び第6
流量制扉器(713,717、及び718)内へ流入さ
せた。同時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タ
ンク(704)より水素ガスで1100ppに希釈され
たジボランガスを、出力圧1.5Kg/am2の下で第
4流量制御器(716)内へ、流入させた。
各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を200
secms亜酸化窒素ガスの流量を0.01secms
シランガスの流量を101005e。
secms亜酸化窒素ガスの流量を0.01secms
シランガスの流量を101005e。
水素ガスで1100ppに希釈されたジボランガスの流
量を10105eとなるように設定し、反応室(733
)内に流入させた。各々の流量が安定した後に、反応室
(733)内の圧力が0.8Torrとなるように圧力
調節弁(745)を調整した。一方、a−C膜が形成さ
れている導電性基板(752)は、250℃に加熱して
おき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周波電源
(739)より周波数13.56MHzの下で電力印加
電極(736)に35Wattの電力を印加し、グロー
放電を発生させた。この放電を5分間行ない、厚ざ0.
3μmの電荷発生層を得た。
量を10105eとなるように設定し、反応室(733
)内に流入させた。各々の流量が安定した後に、反応室
(733)内の圧力が0.8Torrとなるように圧力
調節弁(745)を調整した。一方、a−C膜が形成さ
れている導電性基板(752)は、250℃に加熱して
おき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周波電源
(739)より周波数13.56MHzの下で電力印加
電極(736)に35Wattの電力を印加し、グロー
放電を発生させた。この放電を5分間行ない、厚ざ0.
3μmの電荷発生層を得た。
得られたa−Si膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して22原子%、硼素原子は10原子ppm
、酸素原子は0.001原子%であった。
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して22原子%、硼素原子は10原子ppm
、酸素原子は0.001原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一600V (+580V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は39■/μm(38V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一600V (+580V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は39■/μm(38V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約15秒(約17
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は1.5ルツク
ス・秒(1,6ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約15秒(約17
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は1.5ルツク
ス・秒(1,6ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカーシランプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
実施例2
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの1@に設け
た本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの1@に設け
た本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を1O−6Torr程度の高真空
にした後、第1調節弁(707)を解放し、第1タンク
(701)より水素ガスを出力圧1.0Kg/am2の
下で第1流量制御器(713)内へ流入させた。同時に
、第1容器(719)よりミルセンガスを第1温調器(
722)温度150℃のもとで第7流量制御器(728
)内へ、及び第2容器(720)よりカリウムメタクリ
レート(K−MA)ガスを第2温調器(723)温度2
70℃のもとて第8流量制御器(729)内へ流入させ
た。水素ガスの流量を10105e。
装置(733)の内部を1O−6Torr程度の高真空
にした後、第1調節弁(707)を解放し、第1タンク
(701)より水素ガスを出力圧1.0Kg/am2の
下で第1流量制御器(713)内へ流入させた。同時に
、第1容器(719)よりミルセンガスを第1温調器(
722)温度150℃のもとで第7流量制御器(728
)内へ、及び第2容器(720)よりカリウムメタクリ
レート(K−MA)ガスを第2温調器(723)温度2
70℃のもとて第8流量制御器(729)内へ流入させ
た。水素ガスの流量を10105e。
ミルセンガスの流量を14secm、及びカリウムメタ
クリレートガスの流量を5 s c amとなるように
設定して、途中混合器(731)を介して、主管(73
2)より反応室(733)内へ流入した。各々の流量が
安定した後に、反応室(733)内の圧力が1.2To
rrとなるように圧力調節弁(745)を調整した。一
方、導電性基板(752)としては、樅50X横50X
厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予め170℃に
加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予
め接続選択スイッチ(744)により接続しておいた低
周波電源(741)を投入し、電力印加量tM(736
)に118Wattの電力を周波数50KHzの下で印
加して約2時間40分プラズマ重合反応を行ない、導電
性基板(752)上に厚ざ15μmのa−C膜を電荷輸
送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し
、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気した
。
クリレートガスの流量を5 s c amとなるように
設定して、途中混合器(731)を介して、主管(73
2)より反応室(733)内へ流入した。各々の流量が
安定した後に、反応室(733)内の圧力が1.2To
rrとなるように圧力調節弁(745)を調整した。一
方、導電性基板(752)としては、樅50X横50X
厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予め170℃に
加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予
め接続選択スイッチ(744)により接続しておいた低
周波電源(741)を投入し、電力印加量tM(736
)に118Wattの電力を周波数50KHzの下で印
加して約2時間40分プラズマ重合反応を行ない、導電
性基板(752)上に厚ざ15μmのa−C膜を電荷輸
送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し
、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気した
。
以上のようにして得られたa −C膜につき有機元素分
析行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して47原子%であった。また、
オージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、
カリウム原子の量は全構成原子に対して0.25原子%
であうな。
析行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して47原子%であった。また、
オージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、
カリウム原子の量は全構成原子に対して0.25原子%
であうな。
電荷発生層形成工程:
次いで、第1調節弁(707) 、第5調節弁(711
L及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(7
01)から水素ガス、第5タンク(705)から酸素ガ
ス、及び第6タンク(706)からシランガスを、出力
圧IKg/cm2の下で第1、第5、及び第6流量制御
器(713,717、及び718)内へ流入させた。同
時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タンク(7
04)より水素ガスで1100ppに希釈されたジボラ
ンガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4流量I
IJ御器(716)内へ、流入させた。各流量制郊器の
目盛を調整して水素ガスの流量を200secm、酸素
ガスの流量を0.5secmsシランガスの流量を10
1005e、水素ガスで1100ppに希釈されたジボ
ランガスの流量を10105eに設定し、反応室(73
3)内に流入させた。各々の流量が安定した後に、反応
室(733)内の圧力が0.9Torrとなるように圧
力調節弁(745)を調整した。一方、a −C膜が形
成されている導電性基板(752)は、230℃に加熱
しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周波
電源(739)より周波数13.56MHzの下で電力
印加量Pi1(736)に35Wattの電力を印加し
、グロー放電を発生させた。この放電を5分間行ない、
厚き0.3μmの電荷発生層を得た。
L及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(7
01)から水素ガス、第5タンク(705)から酸素ガ
ス、及び第6タンク(706)からシランガスを、出力
圧IKg/cm2の下で第1、第5、及び第6流量制御
器(713,717、及び718)内へ流入させた。同
時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タンク(7
04)より水素ガスで1100ppに希釈されたジボラ
ンガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4流量I
IJ御器(716)内へ、流入させた。各流量制郊器の
目盛を調整して水素ガスの流量を200secm、酸素
ガスの流量を0.5secmsシランガスの流量を10
1005e、水素ガスで1100ppに希釈されたジボ
ランガスの流量を10105eに設定し、反応室(73
3)内に流入させた。各々の流量が安定した後に、反応
室(733)内の圧力が0.9Torrとなるように圧
力調節弁(745)を調整した。一方、a −C膜が形
成されている導電性基板(752)は、230℃に加熱
しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周波
電源(739)より周波数13.56MHzの下で電力
印加量Pi1(736)に35Wattの電力を印加し
、グロー放電を発生させた。この放電を5分間行ない、
厚き0.3μmの電荷発生層を得た。
得られたa−Si膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して20原子%、硼素原子は12原子pPm
%酸素原子は0.1原子%であった。
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して20原子%、硼素原子は12原子pPm
%酸素原子は0.1原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一860V (+800V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は56V/μm (52V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一860V (+800V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は56V/μm (52V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約42秒(約32
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は3.6ルツク
ス・秒(4,4ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約42秒(約32
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は3.6ルツク
ス・秒(4,4ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
X旅伝旦
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を10=Torr程度の高真空に
した後、第1調節弁(701)を解放し、第1タンク(
701)より水素ガスを出力圧1.0Kg/crn2の
下で第1流量制都器(713)内へ流入させた。同時に
、第1容器(719)よりスチレンガスを第4温調器(
722)温度30℃のもと第7流量制御器(728)内
へ、第2容器(720)よりリチウムターシャリ−ブチ
ラードガスを第2温調器(723)温度260℃のもと
第8流量制!31I器(729)内へ流入させた。
装置(733)の内部を10=Torr程度の高真空に
した後、第1調節弁(701)を解放し、第1タンク(
701)より水素ガスを出力圧1.0Kg/crn2の
下で第1流量制都器(713)内へ流入させた。同時に
、第1容器(719)よりスチレンガスを第4温調器(
722)温度30℃のもと第7流量制御器(728)内
へ、第2容器(720)よりリチウムターシャリ−ブチ
ラードガスを第2温調器(723)温度260℃のもと
第8流量制!31I器(729)内へ流入させた。
水素ガスの流量を10105e、スチレンガスの流量を
36secms及びリチウムターシャリ−ブチラードガ
スの流量を22secmとなるように設定して、途中混
合器(731)を介して、主管(732)より反応室(
733)内へ流入した。
36secms及びリチウムターシャリ−ブチラードガ
スの流量を22secmとなるように設定して、途中混
合器(731)を介して、主管(732)より反応室(
733)内へ流入した。
各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力
が1.5Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、導電性基板(752)としてば、W5
0X横50X厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予
め100℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ(744)により接続
しておいた低周波電源(741)を投入し、電力印加電
極(736)に90Wattの電力を周波数20KHz
の下で印加して約1時間20分プラズマ重合反応を行な
い、導電性基板(752)上に厚き15μmのa−C膜
を電荷輸送層として形成した。
が1.5Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、導電性基板(752)としてば、W5
0X横50X厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予
め100℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ(744)により接続
しておいた低周波電源(741)を投入し、電力印加電
極(736)に90Wattの電力を周波数20KHz
の下で印加して約1時間20分プラズマ重合反応を行な
い、導電性基板(752)上に厚き15μmのa−C膜
を電荷輸送層として形成した。
成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応
室(733)内を充分に排気した。
室(733)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたa −C膜につぎ有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して44原子%であった。また
、オージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち
、リチウム原子の量は、全構成原子に対して、6,1原
子%であった。
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して44原子%であった。また
、オージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち
、リチウム原子の量は、全構成原子に対して、6,1原
子%であった。
電荷発生層形成工程:
次いで、第1調箇弁(707)、第5調節弁(711)
、及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(7
01)から水素ガス、第5タンク(705)から亜酸化
窒素ガス、及び第6タンク(706)からシランガスを
、出力圧IKg/cm2の下で第1、第5、及び第6流
量制瀕器(713,717、及び718)内へ流入きせ
た。同時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タン
ク(704)より水素ガスで1100ppに希釈された
ジボランガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4
流量制Ml(716)内へ、流入させた。
、及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(7
01)から水素ガス、第5タンク(705)から亜酸化
窒素ガス、及び第6タンク(706)からシランガスを
、出力圧IKg/cm2の下で第1、第5、及び第6流
量制瀕器(713,717、及び718)内へ流入きせ
た。同時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タン
ク(704)より水素ガスで1100ppに希釈された
ジボランガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4
流量制Ml(716)内へ、流入させた。
各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を200
sccmS亜酸化窒素ガスの流量を3scCm、シラン
ガスの流量を101005e、水素ガスで1100pp
に希釈されたジボランガスの流量を1105CCに設定
し、反応室(733)内に流入させた。各々の流量が安
定した後に、反応室(733)内の圧力が1.○Tor
rとなるように圧カニJFJm弁(745)を調整した
。一方、a−C膜が形成されている導電性基板(752
)は、240℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安
定した状態で、高周波電源(739)より周波数13.
56MHzの下で電力印加電極(736)に45Wat
tの電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放電
を5分間行ない、厚さ0゜3μmの電荷発生層を得た。
sccmS亜酸化窒素ガスの流量を3scCm、シラン
ガスの流量を101005e、水素ガスで1100pp
に希釈されたジボランガスの流量を1105CCに設定
し、反応室(733)内に流入させた。各々の流量が安
定した後に、反応室(733)内の圧力が1.○Tor
rとなるように圧カニJFJm弁(745)を調整した
。一方、a−C膜が形成されている導電性基板(752
)は、240℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安
定した状態で、高周波電源(739)より周波数13.
56MHzの下で電力印加電極(736)に45Wat
tの電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放電
を5分間行ない、厚さ0゜3μmの電荷発生層を得た。
得られたa−5i膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して21原子%、硼素原子は11原子ppm
N酸素原子は0.31原子%であった。
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して21原子%、硼素原子は11原子ppm
N酸素原子は0.31原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一400V (+420V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は26V/μm (27V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一400V (+420V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は26V/μm (27V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約5秒(約6秒)
であり、このことから充分な電荷保持性能を有する事が
理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後、白
色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にまで明
減衰させたところ必要とされた光量は4.8ルツクス・
秒(7゜2ルツクス・秒)であり、このことから充分な
光感度性能を有する事が理解された。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約5秒(約6秒)
であり、このことから充分な電荷保持性能を有する事が
理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後、白
色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にまで明
減衰させたところ必要とされた光量は4.8ルツクス・
秒(7゜2ルツクス・秒)であり、このことから充分な
光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
実施例4
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如ぎ、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1、及び第2gr1節弁(7o7、及
び708)を解放し、第1タンク(701)より水素ガ
ス、及び第2タンク(702)よりブタジェンガスを各
々出力圧1.0Kg/cm2の下で第1、及び第2流量
制郡器(713、及び714)内へ流入させた。同時に
、第7調節弁(725)を解放し、第1容器(719)
よりカリウムメタクリレート(K−MA)ガスを第1温
調器(722)温度300℃のもとで第7流量制御器(
728)内へ流入させた。水素ガスの流量を50sec
msブタジェンガスの流量を50SCCrf’h及びカ
リウムメタクリレートガスの流量を8secmとなるよ
うに設定して、途中混合器(731)を介して、主管(
732)より反応室(733)内へ流入した。各々の流
量が安定した後に、反応室(733)内の圧力が2.O
T。
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1、及び第2gr1節弁(7o7、及
び708)を解放し、第1タンク(701)より水素ガ
ス、及び第2タンク(702)よりブタジェンガスを各
々出力圧1.0Kg/cm2の下で第1、及び第2流量
制郡器(713、及び714)内へ流入させた。同時に
、第7調節弁(725)を解放し、第1容器(719)
よりカリウムメタクリレート(K−MA)ガスを第1温
調器(722)温度300℃のもとで第7流量制御器(
728)内へ流入させた。水素ガスの流量を50sec
msブタジェンガスの流量を50SCCrf’h及びカ
リウムメタクリレートガスの流量を8secmとなるよ
うに設定して、途中混合器(731)を介して、主管(
732)より反応室(733)内へ流入した。各々の流
量が安定した後に、反応室(733)内の圧力が2.O
T。
rrとなるように圧力調節弁(745)を調整した。一
方、導電性基板(752)としては、樅50X横50X
厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予め150℃に
加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予
め接続選択スイッチ(744)により接続しておいた低
周波電源(741)を投入し、電力印加電極(736)
に150Wattの電力を周波数500KHzの下で印
加して約25分間プラズマ重合反応を行ない、導電性基
板(752)上に厚き15μmのa−C膜を電荷輸送層
として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調
節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気した。
方、導電性基板(752)としては、樅50X横50X
厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予め150℃に
加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予
め接続選択スイッチ(744)により接続しておいた低
周波電源(741)を投入し、電力印加電極(736)
に150Wattの電力を周波数500KHzの下で印
加して約25分間プラズマ重合反応を行ない、導電性基
板(752)上に厚き15μmのa−C膜を電荷輸送層
として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調
節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたa −C膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して55原子%、また、オージ
ェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、カリウ
ム原子の量は全構成原子に対して3.2原子%であった
。
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して55原子%、また、オージ
ェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、カリウ
ム原子の量は全構成原子に対して3.2原子%であった
。
電荷発生層形成工程:
次いで、第1調節弁(707)、第3調節弁(709)
、第5調節弁(711)、及び第6調節弁(712)を
解放し、第1タンク(701)から水素ガス、第3タン
ク(703)から四弗化シランガス、第5タンク(70
5)から亜酸化窒素ガス、及び第6タンク(706)か
らシランガスを、出力圧IKg/cm2の下で第1、第
3、第5、及び第6流量制都器(713,715,71
7、及び718)内へ流入させた。同時に、第4調節弁
(710)を解放し、第4タンク(704)より水素ガ
スで1100ppに希釈されたジボランガスを、出力圧
1.5Kg/cm2の下で第4流量制御器(716)内
へ、流入させた。各流量制都藷の目盛を調整して水素ガ
スの流量を200sCCm%四弗化シランガスの流量を
50secm。
、第5調節弁(711)、及び第6調節弁(712)を
解放し、第1タンク(701)から水素ガス、第3タン
ク(703)から四弗化シランガス、第5タンク(70
5)から亜酸化窒素ガス、及び第6タンク(706)か
らシランガスを、出力圧IKg/cm2の下で第1、第
3、第5、及び第6流量制都器(713,715,71
7、及び718)内へ流入させた。同時に、第4調節弁
(710)を解放し、第4タンク(704)より水素ガ
スで1100ppに希釈されたジボランガスを、出力圧
1.5Kg/cm2の下で第4流量制御器(716)内
へ、流入させた。各流量制都藷の目盛を調整して水素ガ
スの流量を200sCCm%四弗化シランガスの流量を
50secm。
亜酸化窒素ガスの流量をlsccm、シランガスの流量
を50secm、水素ガスで1100ppに希釈された
ジボランガスの流量を10105eとなるように設定し
、反応室(733)内に流入させた。各々の流量が安定
した凌に、反応室(733)内の圧力が0.9Torr
となるように圧力調節弁(745)を調整した。一方、
a−C膜が形成されている導電性基板(752)は、2
50℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状
態で、高周波電源(739)より周波数13゜56MH
zの下で電力印加電極(736)に35Wattの電力
を印加し、グロー放電を発生させた。この放電を5分間
行ない、厚さ0.3μmの電荷発生層を得た。
を50secm、水素ガスで1100ppに希釈された
ジボランガスの流量を10105eとなるように設定し
、反応室(733)内に流入させた。各々の流量が安定
した凌に、反応室(733)内の圧力が0.9Torr
となるように圧力調節弁(745)を調整した。一方、
a−C膜が形成されている導電性基板(752)は、2
50℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状
態で、高周波電源(739)より周波数13゜56MH
zの下で電力印加電極(736)に35Wattの電力
を印加し、グロー放電を発生させた。この放電を5分間
行ない、厚さ0.3μmの電荷発生層を得た。
得られたa−St膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して22原子%、硼素原子は10原子ppm
、弗素原子は5原子%、酸素原子は0.1原子%であっ
た。
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して22原子%、硼素原子は10原子ppm
、弗素原子は5原子%、酸素原子は0.1原子%であっ
た。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如蓄性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一580V (+S70■)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は37■/μm (36V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。
電並びに正帯電で用いたところ次の如蓄性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一580V (+S70■)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は37■/μm (36V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約9秒(約10秒
)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する事
が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後、
白色光を用いてR高帯電電位の20%の表面電位にまで
明減衰させたところ必要とされた光量は2.4ルツクス
・秒(2゜9ルツクス・秒)であり、このことから充分
な光感度性能を有する事が理解された。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約9秒(約10秒
)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する事
が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後、
白色光を用いてR高帯電電位の20%の表面電位にまで
明減衰させたところ必要とされた光量は2.4ルツクス
・秒(2゜9ルツクス・秒)であり、このことから充分
な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
害旅鑓旦
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1、第2、及び第3(707,708
、及び709)を解放し、第1タンク(701)より水
素ガス、第2タンク(702)よりアセチレンガス、及
び第1容器(719)よりリチウムターシャリ−ブチラ
ードガスを、水素ガス及びアセチレンガスにおいては各
々出力圧1.0Kg/cm2の下で、リチウムターシャ
リ−ブチラードガスにおいては第1温調器(722)温
度150℃のもとで、それぞれ第1、第2、及び第7流
量制tn器(713,714、及び728)内へ流入さ
せた。そして各流量fa御器の目盛を調整して、水素ガ
スの流量を80secm、アセチレンガスの流量を40
secm、及びリチウムターシャリ−ブチラードガスの
流量を6secmとなるように設定して、途中混合器(
731)を介して、主管(732)より反応室(733
)内へ流入した。各々の流量が安定した後に、反応室(
733)内の圧力が1.3Torrとなるように圧力調
節弁(745)を調整した。一方、導電性基板(752
)としては、樅50X横50×厚3mmのアルミニウム
基板を用いて、予め190t:に加熱しておき、ガス流
量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ(
744)により接続しておいた高周波電源(739)を
投入し、電力印加電極(736)に210Wattの電
力を周波数13.56MHzの下で印加して約4時間3
0分プラズマ重合反応を行ない、導電性基板(752)
上に厚さ15μmのa−C膜を電荷輸送層として形成し
た。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、
反応室(733)内を充分に排気した。
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1、第2、及び第3(707,708
、及び709)を解放し、第1タンク(701)より水
素ガス、第2タンク(702)よりアセチレンガス、及
び第1容器(719)よりリチウムターシャリ−ブチラ
ードガスを、水素ガス及びアセチレンガスにおいては各
々出力圧1.0Kg/cm2の下で、リチウムターシャ
リ−ブチラードガスにおいては第1温調器(722)温
度150℃のもとで、それぞれ第1、第2、及び第7流
量制tn器(713,714、及び728)内へ流入さ
せた。そして各流量fa御器の目盛を調整して、水素ガ
スの流量を80secm、アセチレンガスの流量を40
secm、及びリチウムターシャリ−ブチラードガスの
流量を6secmとなるように設定して、途中混合器(
731)を介して、主管(732)より反応室(733
)内へ流入した。各々の流量が安定した後に、反応室(
733)内の圧力が1.3Torrとなるように圧力調
節弁(745)を調整した。一方、導電性基板(752
)としては、樅50X横50×厚3mmのアルミニウム
基板を用いて、予め190t:に加熱しておき、ガス流
量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ(
744)により接続しておいた高周波電源(739)を
投入し、電力印加電極(736)に210Wattの電
力を周波数13.56MHzの下で印加して約4時間3
0分プラズマ重合反応を行ない、導電性基板(752)
上に厚さ15μmのa−C膜を電荷輸送層として形成し
た。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、
反応室(733)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたa″−C膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して32原子%、また、オージ
ェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、リチウ
ム原子の量は全構成原子に対して1.2原子%であった
。
析を行なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して32原子%、また、オージ
ェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、リチウ
ム原子の量は全構成原子に対して1.2原子%であった
。
電荷発生層形成工程:
次いで、第1調節弁(707) 、第5調節弁(711
)、及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(
701)から水素ガス、第5タンク(705)から酸素
ガス、及び第6タンク(706)からシランガスを、出
力圧IKg/cm2の下で第1、第5、及び第6流量制
御器(713,717、及び718)内へ流入させた。
)、及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(
701)から水素ガス、第5タンク(705)から酸素
ガス、及び第6タンク(706)からシランガスを、出
力圧IKg/cm2の下で第1、第5、及び第6流量制
御器(713,717、及び718)内へ流入させた。
同時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タンク(
704)より水素ガスで10ppmに希釈されたホスフ
ィンガスを、出力圧1.5Kg/am2の下で第4流量
制御器(716)内へ、流入させた。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を200secm、酸素ガ
スの流量を0.5secm。
704)より水素ガスで10ppmに希釈されたホスフ
ィンガスを、出力圧1.5Kg/am2の下で第4流量
制御器(716)内へ、流入させた。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を200secm、酸素ガ
スの流量を0.5secm。
シランガスの流量を200secm、水素ガスで110
0ppに希釈されたホスフィンガスの流量を10105
eに設定し、反応室(733)内に流入させた。各々の
流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力が1.
0Torrとなるように圧力調節弁(745)を調整し
た。一方、a−C膜が形成されている導電性基板(75
2)は、250℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が
安定した状態で、高周波電源(739)より周波数13
.56MHzの下で電力印加電極(736)に40Wa
ttの電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放
電を5分間行ない、厚さ0.3μmの電荷発生層を得た
。
0ppに希釈されたホスフィンガスの流量を10105
eに設定し、反応室(733)内に流入させた。各々の
流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力が1.
0Torrとなるように圧力調節弁(745)を調整し
た。一方、a−C膜が形成されている導電性基板(75
2)は、250℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が
安定した状態で、高周波電源(739)より周波数13
.56MHzの下で電力印加電極(736)に40Wa
ttの電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放
電を5分間行ない、厚さ0.3μmの電荷発生層を得た
。
得られたa−Si膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して23原子%、燐原子は13原子ppm、
酸素原子はOo1原子%であった。
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して23原子%、燐原子は13原子ppm、
酸素原子はOo1原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一430V (+620V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は28V/μm (41V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一430V (+620V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は28V/μm (41V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約9秒(約14秒
)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する事
が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後、
白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にまで
明減衰させたとこる必要とされた光量は1.3ルツクス
・秒(3゜フルックス・秒)であり、このことから充分
な光感度性能を有する事が理解された。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約9秒(約14秒
)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する事
が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後、
白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にまで
明減衰させたとこる必要とされた光量は1.3ルツクス
・秒(3゜フルックス・秒)であり、このことから充分
な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
第1図乃至第6図は本発明感光体の構成を示す図面、第
7図乃至第8図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。 出願人 ミノルタカメラ株式会社 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 手続補正書 昭和62年10月21日
7図乃至第8図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。 出願人 ミノルタカメラ株式会社 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 手続補正書 昭和62年10月21日
Claims (1)
- 電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型感光体に
おいて、該電荷輸送層は少なくともアルカリ金属原子を
含有してなる水素化アモルファスカーボン膜であり、か
つ、該電荷発生層は酸素原子を含有すると共に燐原子及
び硼素原子のうち少なくとも一方を含有してなる水素化
アモルファスシリコン膜或は酸素原子を含有すると共に
燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有してな
る弗素化アモルファスシリコン膜であることを特徴とす
る感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22941486A JPS6382442A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22941486A JPS6382442A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6382442A true JPS6382442A (ja) | 1988-04-13 |
Family
ID=16891850
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22941486A Pending JPS6382442A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6382442A (ja) |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP22941486A patent/JPS6382442A/ja active Pending
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