JPS6382456A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する感光体に
関する。

従米技術 カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野ば著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発さ
れ実用化されてきた。

従来用いられて来た電子写真感光体材料の主なものとし
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化■鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質が挙げられる。また、その構成形態としては、これ
らの物質を単体で用いる単層型構成、結看材中に分散さ
せて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電
荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。

しかしながら、従来用いられて来た電子写真感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝された場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。

このような欠点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐
久性に富んだ材料として、グロー放電法により生成され
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原料
としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガス
であることから、出来上がった電子写真感光体も従来の
感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、成膜速度
が遅く、成膜時間の増大に伴い爆発性を有するシラン未
分解生成物を粉塵状に発生する等、生産上の不都合も多
い。また、この粉塵が製造時に感光層中に混入した場合
には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。ざらに、アモ
ルファスシリコンは、元来、比誘電率が高いため帯電性
能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電するために
は膜厚を厚くする必要があり、高価なアモルファスシリ
コン膜を長時間堆積させなくてはならない。

ところでアモルファスカーボン膜自体は、プラズマ有８
１重合膜として古くより知られており、例えばジエン（
Ｍ、５ｈｅｎ）及びベル（Ａ、Ｔ。

Ｂｅ１ｌ）により、１９７３年発行ののジャーナル・オ
ブφアプライド・ポリマー・サイエンス（Ｊｏｕｒｎａ
ｌ　　ｏｆ　　Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐ。

ｌｙｍｅｒ　　Ｓｃ　１ｅｎｃｅ）第１７巻の第８８５
頁乃至第８９２頁において、あらゆる有機化合物のガス
から作ｔ１２され得る事が、また、同著者により、１９
７９年のアメリカンケミカルソサエティ　　（Ａｍｅｒ
　１ｃａｎ　　Ｃｈｅｍｉｃａ　ｌ５ｏｃｉｅｔｙ）発
行によるプラズマボリマライゼーシコン（Ｐｌａｓｍａ
　　Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）の中でもその成膜
性が論じられている。

しかしながら従来の方法で作製したプラズマ有機重合膜
は絶縁性を前提とした用途に限フて用いられ、即ちそれ
らの膜は通常のポリエチレン膜の如＜１０１６Ωｃｍ程
度の比抵抗を有する絶Ｉ！膜と考えられ、或は、少なく
ともそのような膜であるとの認識のもとに用いられてい
た。実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識
から、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁層
に限られており、所謂アンダーコード層もしくはオーバ
ーコート層としてしか用いられていなかった。

例えば、特開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合きれた網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５
９−３８７５３号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成される１０１３〜１０１５Ωｃｍの高抵抗のプラズマ
重合膜を１０人〜１００人設けた上にアモルファスシリ
コン層を設けた感光体が開示きれている。特開昭５９−
１３６７４２号公報には、アルミ基板上に設けたアモル
ファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散する
のを防止するための保護層として１〜５μｍ程度の炭素
膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示されている。

特開昭６０−６３５４１号公報には、アルミ基板とその
上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改善す
るために、接着層として２００人〜２μｍのダイヤモン
ド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留電荷
の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされている。

これらの開示は、何れも基板とアモルファスシリコン層
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、ａ−３ｉ
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。

また、例えば、特開昭５０−２０７２８号公報には、ポ
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層
としてグロー放電重合によるポリマー膜を０．１〜１μ
ｍ設けた感光体が開示されている。特開昭５９−２１４
８５９号公報には、アモルファスシリコン感光体の表面
に保護層としてスチレンやアセチレン等の有機炭化水素
モノマーをプラズマ重合させて５μｍ程度の膜を形成き
せる技術が開示されている。特開昭６０−６１７６１号
公報には、表面保護層として、５００人〜２μｍのダイ
ヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示され、透光性
の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされてている。

特開昭６０−２４９１１５号公報には、０．０５〜５μ
ｍ程度の無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層とし
て用いる技術が開示され、膜厚が５μｍを越えると感光
体活性に悪影響が及ぶとされている。

これらの開示は、何れも感光体表面に所謂オーバーコー
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、ａ−Ｓｉの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。

また、特開昭５１−４６１３０号公報には、ポリビニル
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なって０．００１〜３μｍのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性に
ついては全く言及されていないし、ａ−Ｓｉの持つ前記
した本質的問題を解決するものではない。

一方、アモルファスシリコン膜については、スピア（Ｗ
、Ｅ、５ｐｅａｒ）及びレコンパ（Ｐ。

Ｇ、ＬｅＣｏｍｂｅｒ）により１９７６年発行のフィロ
ソフィカル・マガジン（Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ　
　Ｍａｇａｚｉｎｅ）第３３巻の第９３５頁乃至第９４
９頁において、極性制御が可能な材料である事が報じら
れて以来、種々の光電デバイスへの応用が試みられて来
た。感光体への応用に関しては、例えば、特開昭５６−
６２２５４号公報、特開昭５７−１１９３５６号公報、
特開昭５７−１７７１４７号公報、特開昭５７−１１９
３５７号公報、特開昭５７−１７７１４９号公報、特開
昭５７−１１９３５７号公報、特開昭５７−１７７１４
６号公報、特開昭５７−１７７１４８号公報、特開昭５
７−１７４４４８号公報、特開昭５７−１７４４４９号
公報、特開昭５７−１７４４５０号公報、等に、炭素原
子を含有したアモルファスシリコン感光体が開示されて
いるが、何れもアモルファスシリコンの光導電性を炭素
原子により調整する事を目的としたものであり、また、
アモルファスシリコン自体厚い膜を必要としている。

式が　′しようとする問題、Φ 以上のように、従来、電子写真感光体に用いられている
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用きれていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚も高々５μｍ程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上問題にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で使用され
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。

°本発明者らは、アモルファスカーボン膜の電子写真感
光体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性である
と考えられていた水素化アモルファスカーボン膜がアル
カリ金属原子を含有せしめる事により、燐原子及び硼素
原子のうち少なくとも一方を含有すると共に炭素原子を
含有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜
との積層においては電荷輸送性を有し、容易に好適な電
子写真特性を示し始める事を見出した。その理論的解釈
には本発明者においても不明確な点が多く詳細に亙り言
及はできないが、アルカリ金属原子含有水素化アモルフ
ァスカーボン膜中に捕捉きれている比較的不安定なエネ
ルギー状態の電子、例えばπ電子、不対電子、残存フリ
ーラジカル等が形成するバンド構造が、燐原子及び硼素
原子のうち少なくとも一方を含有すると共に炭素原子を
含有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜
が形成するバンド構造ど電導帯もしくは荷電子帯におい
て近似したエネルギー準位を有するため、燐原子及び硼
素原子のうち少なくとも一方を含有すると共に炭素原子
を含有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン
膜中で発生したキャリアが容易にアルカリ金属原子含有
水素化アモルファスカーボン膜中へ注入され、ざらに、
このキャリアは前述の比較的不安定なエネルギー状態の
電子の作用によりアルカリ金属原子含有水素化アモルフ
ァスカーボン膜中を好適に走行し得るためと推定される
。

本発明はその新たな知見を利用することにより、アモル
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的問題点を
全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異なる
、有機プラズマ重合膜、特に少なくともアルカリ金属原
子を含有してなる水素化アモルファスカーボン膜を電荷
輸送層として使用し、かつ、燐原子及び硼素原子のうち
少なくとも一方を含有すると共に炭素原子を含有してな
る水素化或は弗素化アモルファスシリコンの薄膜を電荷
発生層として使用した感光体を提供する事を目的とする
。

間改を解　するための 即ち、本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成される少なくともアルカリ金属原子を含有
してなる水素化アモルファスカーボン膜であり、かつ、
該電荷発生層が燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一
方を含有すると共に炭素原子を含有してなる水素化或は
弗素化アモルファスシリコン膜であることを特徴とする
感光体に関する（以下、本発明による電荷輸送層をａ−
Ｃ膜及び電荷発生層をａ−Ｓｔ膜と称する）。

本発明は、従来のアモルファスシリコン感光体において
は、電荷発生層として優れた機能を有するアモルファス
シリコンを、電荷発生能が無くても電荷輸送能さえあれ
ば済む電荷輸送層としても併用していたため発生してい
たこれらの問題点を解決すべく成されたものである。

即ち、本発明は、電荷輸送層としてグロー放電により生
成される少なくともアルカリ金属原子を含有してなる水
素化アモルファスカーボン膜を設け、かつ、電荷発生層
として同じくグロー放電により生成される燐原子及び硼
素原子のうち少なくとも一方を含有すると共に炭素原子
を含有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン
膜を設けた事を特徴とする機能分離型感光体に関する。

該電荷輸送層は、可視光もしくは半導体レーザー光付近
の波長の光に対しては明確なる光導電性は有きないが、
好適な輸送性を有し、ざらに、帯電能、耐久性、耐候性
、耐環境汚染性等の電子写真感光体性能に優れ、しかも
透光性にも優れるため、機能分離型感光体としての積層
構造を形成する場合においても極めて高い自由度が得ら
れるものである。また、該電荷発生層は、可視光もしく
は半導体レーザー光付近の波長の光に対して優れた光導
電性を有し、しかも従来のアモルファスシリコン感光体
に比べて極めて薄い膜厚で、その機能を活かす事ができ
るものである。

本発明においては、ａ−Ｃ膜を形成するために有機化合
物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。

該炭化水素における相状態は常温常圧において必ずしも
気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。

使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカ
ン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オク
タデカン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコサン、
トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサン、
ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナコサ
ン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタトリア
コンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソブタン
、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネオヘ
キサン、２．３−ジメチルブタン、２−メチルヘキサン
、３−エチルペンタン、２，２−ジメチルペンタン、２
．４−ジメチルペンタン、３．３−ジメチルペンタン、
トリブタン、２−メチルへブタン、３−メチルへブタン
、２．２−ジメチルヘキサン、２，２．５−ジメチルヘ
キサン、２，２．３−トリメチルペンタン、２，２．４
−トリメチルペンタン、２．３゜３−トリメチルペンタ
ン、２，３．４−トリメチルペンタン、イソナノン、等
のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化水素と
しては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブチレン
、１−ブテン、２−ブテン、１−ペンテン、２−ペンテ
ン、２−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ブテン
、２−メチル−２−ブテン、１−ヘキセン、テトラメチ
ルエチレン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネ゛
ン、１−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン、メ
チルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘキサジエン
、シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並びに、オ
シメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、等
のトリオレフイン、並びに、アセチレン、ブタジイン、
１゜３−ペンタジイン、２．４−ヘキサジイン、メチル
アセチレン、１−ブチン、２−ブチン、１−ペンチン、
１−ヘキシン、１−ヘプチン、１−オクチン、１−ノニ
ン、１−デシン、等が用いられる。

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、ツ
エン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、フエ
ンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ビサボレ
ン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネンセ
スキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレン
、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ボドカルブ
レン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド等が用
いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン
、トルエン、キシレン、ヘミメンテン、プソイドクメン
、メシチレン、プレニテン、インジュレン、ジュレン、
ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチル
ベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビフ
ェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニ
ルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフタ
リン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン、等
が用いられる。

ざらに、炭化水素以外でも、例えば、アルコール類、ケ
トン類、エーテル類、エステル類、等炭素と成りうる化
合物であれば使用可能である。

本発明におけるａ　−Ｃ］５ｉ中に含まれる水素原子の
量はグロー放電を用いるというその製造面から必然的に
定まるが、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね３
０乃至６ｏ原子％含有される。ここで、炭素原子並びに
水素原子の膜中含有量は、有機元素分析の常法、例えば
ＯＮＨ分析を用いる事により知る事ができる。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが
、例えば、基板温度を高くする、圧力を低くする、原料
炭化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高（する
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これらの
組合せ操作は、含有水素量を低くする効果を有する。

本発明における電荷輸送層としてのａ　−Ｃ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、５乃至５
０μｍ、特に７乃至２０μｍが適当であり、５μｍより
薄いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度を得る
事ができない。また、５０μｍより厚いと、生産性の面
で好ましくない。

このａ−Ｃ膜は、高透光性、高暗抵抗を有するとともに
電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に５μｍ以上として
もキャリアはトラップされる事無く輸送され明減衰に寄
与する事が可能である。

本発明における原料気体からａ−ＣＭを形成する過程と
しては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマイ
クロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラズマ
状態を経て形成される方法が最も好ましいが、その他に
も、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等により
生成されるイオン状態を経て形成されてもよいし、真空
蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される中性
粒子から形成されてもよいし、ざらには、これらの組み
合わせにより形成されてもよい。

本発明においては炭化水素の他に、ａ　−ＣＨＩ中に少
なくともアルカリ金属原子を添加するためにアルカリ金
属化合物が使用される。ここでアルカリ金属原子とは、
リチウム原子、ナトリウム原子、カリウム原子、ルビジ
ウム原子、及びセシウム原子を云う。該アルカリ金属化
合物ガスにおける相状態は常温常圧において必ずしも気
相で有る必要はすく、また、むしろ気相状態の化合物は
少ないため、加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇華等
を経て気化し得るものであれば、液相でも固相でも使用
可能である。アルカリ金属化合物としては、例えば、金
属アルコラード、金属アクリル酸、金属メタクリル酸、
或は、金属フタロシアニン等を用いる事ができる。

本発明において化学的修飾物質として含有されるアルカ
リ金属原子の量は、全構成原子に対して０．１乃至１０
原子％、好適には０．３乃至５原子％である。ここでア
ルカリ金属原子の膜中含有量は、元素分析の常法、例え
ばオージェ分析により知る事ができる。アルカリ金属原
子の量が０゜１原子％より低い場合には、必ずしも好適
な電荷輸送性が保証されず、感度低下もしくは残留電位
の発生等を生じ易くなり、また、経時的感度安定性も保
証されなくなる。アルカリ金属原子の量が１０原子％よ
り高い場合には、適量の添加では好適な電荷輸送性と残
留電位発生防止を保証していたアルカリ金属原子が、逆
に、帯電能の低下を招く。また、必ずしも成膜性が保証
されなくなり、膜の剥離、油状化もしくは粉体化を招き
易くなる。

従って、本発明におけるアルカリ金属原子の添加量範囲
は重要である。

本発明において化学的修飾物質として含有されるアルカ
リ金属原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室
への前述のアルカリ金属化合物の導入量を増減すること
により制御することが可能である。アルカリ金属化合物
の導入量を増大させれば、本発明によるａ−Ｃ膜中への
アルカリ金属原子の添加量を高くすることが可能であり
、逆にアルカリ金属化合物の導入量を減少させれば、本
発明によるａ−Ｃ１ｉｆｆ中へのアルカリ金属原子の添
加量を低くすることが可能である。

本発明においては、ａ−Ｓｉ膜を形成するためにシラン
ガス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用いられ
る。また、化学的修飾物質として燐原子或は硼素原子を
膜中に含有せしめるための原料ガスとして、ホスフィン
ガス或はジボランガス等が用いられる。さらに、化学的
修飾物質として炭素原子を膜中に含有せしめるための原
料ガスとして、メタン、エタン、エチレン、アセチレン
、プロパン、プロピレン、ブタン、ブタジェン、ブタジ
イン、ブテン、−酸化炭素、或は、二酸化炭素等の炭素
化合物ガスが用いられる。

本発明において化学的修飾物質として含有される燐原子
或は硼素原子の量は、全構成原子に対して２００００原
子ｐｐｍ以下である。ここで燐原子或は硼素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或はＩ
ＭＡ分析により知る事ができる。燐原子或は硼素原子の
膜中含有量が２ｏｏｏｏ原子ｐｐｍより高い場合には、
少量の添加では好適な輸送性、或は、極性制御効果を保
証していた燐原子或は硼素原子が、逆に膜の低抵抗化を
招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。従って、本発
明における燐原子或は硼素原子添加量の範囲は重要であ
る。

本発明において化学的修飾物質として含有される炭素原
子の量は、全構成原子に対して０．００１乃至５原子％
である。ここで炭素原子の膜中含有量は、元素分析の常
法、例えばオージェ分析或はＩＭＡ分析により知る事が
できる。炭素原子の膜中含有量が０．００１原子％より
低い場合には、ａ−Ｓｉ膜の電気抵抗値が低くなる事が
らａ−Ｓｉ膜にコロナ帯電等による電界がかかりにくく
なり、光励起キャリアが必ずしも効率よ＜ａ−Ｃ膜中に
注入されなくなり感度の低下を招く。また、帯電能も低
下する。炭素原子の膜中含有量が５原子％より高い場合
には、ａ−Ｓｉ膜の電気抵抗値が高くなり過ぎ、光励起
キャリアの発生効率の低下及びキャリアの易動速度の低
下により、感度低下を招く。従って、本発明における炭
素原子添加量の範囲は重要である。

本発明におけるａ−Ｓｉ膜中に含まれる水素原子或は弗
素原子の量はグロー放電を用いるというその製造面から
必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシリコ
ン原子と弗素原子の総量に対して、概ね１０乃至３５原
子％含有される。ここで、水素原子或は弗素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばＯＮＨ分析、オージ
ェ分析等を用いる事により知る事ができる。

本発明における電荷発生層としてのａ−Ｓｉ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、０．１乃
至５μｍが適当であり、０．１μｍより薄いと、光吸収
が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、感
度の低下を招く。また、５μｍより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このａ−３ｉ膜は電荷発生能に富み、
ざらに、本発明の最も特徴とするところのａ−Ｃ膜との
積層構成において効率よ＜ａ−Ｃ膜中に発生キャリアを
注入せしめ、好適な明減衰に寄与する事が可能である。

本発明における原料気体からａ−Ｓｉ膜を形成する過程
は、ａ　−Ｃ膜を形成する場合と同様にして行なわれる
。

本発明において化学的修飾物質として含有される炭素原
子、燐原子、或は、硼素原子の量は、主に、プラズマ反
応を行なう反応室への前述の炭素化合物ガス、ホスフィ
ンガス、或は、ジボランガスの導入量を増減することに
より制御することが可能である。炭素化合物ガス、ホス
フィンガス、或は、ジボランガスの導入量を増大させれ
ば、本発明によるａ−Ｓｉ膜中への炭素原子、燐原子、
或は、硼素原子の添加量を高くすることが可能であり、
逆に炭素化合物ガス、ホスフィンガス、或は、ジボラン
ガスの導入量を減少させれば、本発明によるａ−５ｉＨ
’Ａ中への炭素原子、燐原子、或は、硼素原子の添加量
を低くすることが可能である。

本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
成る機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。

第１図は、その一形態として、導電性基板（１）上に電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）を順次積層してなる
構成を示したものである。第２図は、別の一形態として
、導電性基板（１）上に電荷発生層（３）と電荷輸送層
（２）を順次積層してなる構成を示したものである。第
３図は、別の一形態として、導電性基板（１）上に、電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。

感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第１図では
電荷発生層（３）で発生した正孔が電荷輸送層（２）中
を導電性基板（１）に向は走行し、第２図では電荷発生
層（３）で発生した電子が電荷輸送層（２）中を感光体
表面に向は走行し、第３図では電荷発生層（３）で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送層（２）中を導電性
基板（１）に向は走行すると共に、同時に電荷発生層（
３）で発生した電子が表面側の電荷輸送層（２）中を感
光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証された静電
潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電し
た後、画像露光して使用する場合においては、電子と正
孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれば
よい。第２図及び第３図では、画像−光用の照射光が電
荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による電荷輸
送層は透光性に優れることから、好適な潜像形成を行な
うことが可能である。

第４図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と表面像ＩＪＦ
ｆ　（４）を順次積層してなる構成を示したものである
。即ち第１図の形態に表面保護層を設けた形態に相当す
るが、第１図の形態では、最表面が耐湿性に乏しいａ−
Ｓｉ膜で有ることから、多くの場合実用上の対湿度安定
性を確保するために表面保護層を設けることが好ましい
。第２図及び第３図の構成の場合、最表面が耐久性に優
れたａ−Ｃ膜であるため表面保護層を設けなくてもよい
が、例えば現像剤の付着による感光体表面の汚れを防止
するような、複写機内の各種エレメントに対する整合性
を調整する目的から、表面保護層を設けることもざらな
る一形態と成りうる。

第５図は、さらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を屓次積層してなる構成を示したものである。即ち第２
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第２図の
形態では、導電性基板との接合面がａ−Ｓｉ膜である事
から、多くの場合接着性及び注入阻止効果を確保するた
めに中間層を設ける事が好ましい。第１図及び第３図の
構成の場合、導電性基板との接合面が、接着性及び注入
阻止効果に優れた、本発明によるＮ荷輸送層であるため
、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前
処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合
性を調整する目的から、中間層を設けることもざらなる
一形態と成りうる。

第６図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）
と表面保護層（４）を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第１図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。

中間層と表面保護層の設置理由は前述と同様であり、従
って第２図及び第３図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもさらなる一形態と成りうる。

本発明において中間層と表面保護層は、材料的にも、製
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるａ−Ｃ膜を用いてもよい。但し、用い
る材料が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材料である
場合には、残留電位発生の防止のため膜厚ば５μｍ以下
に留める必要がある。

本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により翼溝し、基板上での再結合反
応により固相として堆積きせる、所謂プラズマ重合反応
から生成される事が好ましい。

第７図は本発明に係わる感光体の製造装置を示し、図中
（７０１）〜（７０６）は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを密封した第１乃至第６タ
ンクで、各々のタンクは第１乃至第６調節弁（７０７）
〜（７１２）と第１乃至第６流量制御器（７１３）〜（
７１８）に接続されている。図中（７１９）〜（７２１
）は常温において液相または固相状態にある原料化合物
を封入した第１乃至第３容器で、各々の容器は気化のた
め第１乃至第３温調器（７２２）〜（７２４）により与
熱可能であり、ざらに各々の容器は第７乃至第９調筋弁
（７２５）〜（７２７）と第７乃至第９流量制御器（７
２８）〜（７３０）に接続されている。これらのガスは
混合器（７３１）で混合された後、主管（７３２）を介
して反応室（７３３）に送り込まれる。途中の配管は、
常温において液相または固相状態にあった原料化合物が
気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置さ
れた配管加熱器（７３４）により、与熱可能とされてい
る。反応室内には接地電極（７３５）と電力印加電極（
７３６）が対向しで設置され、各々の電極は電極加熱器
（７３７）により与熱可能ときれている。電力印加電極
（７３６）には、高周波電力用整合器（７３８）を介し
て高周波電源（７３９）　、低周波電力用整合器（７４
０）を介して低周波電源（７４１）、ローパスフィルタ
（７４２）を介して直流電源（７４３）が接続されてお
り、接続選択スイッチ（７４４）により周波数の異なる
電力が印加可能とされている。反応室（７３３）内の圧
力は圧力制御弁（７４５）により調整可能であり、反応
室（７３３）内の減圧は、排気系選択弁（７４６）を介
して、拡散ポンプ（７４７）　、油回転ポンプ（７４８
）　、或は、冷却除外装置（７４９）　、メカニカルブ
ースターポンプ（７５０）、油回転ポンプ（７４８）に
より行なわれる。排ガスについては、さらに適当な除外
装置（７５３）により安全無害化した後、大気中に排気
される。これら排気系配管についても、常温において液
相または固相状態にあった原料化合物が気化したガスが
、途中で凝結しないように、適宜配置きれた配管加熱器
（７３４）により、与熱可能とされている。反応室（７
３３）も同様の理由から反応室加熱器（７５１）により
与熱可能とされ、内部に配された電極上に導電性基板（
７５２）が設置される。第７図において導電性基板（７
５２）は接地電極（７３５）に固定して配されているが
、電力印加電極（７３６）に固定して配きれてもよく、
ざらに双方に配されてもよい。

第８図は本発明に係わる感光体の製造装置の別の一形態
を示し、反応室（８３３）内部の形態以外は、第７図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様であり、
付記きれた番号は、７００番台のものを８００番台に置
き換えて解すればよい。第８図において、反応室（８３
３）内部には、第７図における接地電極（７３５）を兼
ねた円筒形の導電性基板（８５２）が設置され、内側に
は電極加熱器（８３７）が配されている。導電性基板（
８５２）周囲には同じく円筒形状をした電力印加電極（
８３６）が配され、外側には電極加熱器（８３７）が配
されている。導電性基板（８５２）は、外部より駆動モ
ータ（８５４）を用いて自転可能となっている。

感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め１
０”’乃至１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度にまで減圧し、真空度
の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配され
た導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板に
は、前述の如き感光体構成の中から所望の構成を得るた
めに、必要であれば、予めアンダーコード層或は電荷発
生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電荷
発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を用
いてもよい。次いで、第１乃至第６タンク及び第１乃至
第３容器から、原料ガスを適宜第１乃至第９流量制御器
を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節
弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が
安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば高周波
電源を選択し、電力印加電極に高周波電力を投入する。

両電極間には放電が開始され、時間と共に基板上に固相
の膜が形成される。ａ−３ｉ膜或はａ−Ｃ膜は、原料ガ
スを代える事により任意に形成可能である。放電を一旦
停止し、原料ガス組成を変更した後、再び放電を再開す
れば異なる組成の膜を積層する事ができる。また、放電
を持続させながら原料ガス流量だけを徐々に代え、異な
る組成のＩＩλを勾配を持たせながら積層する事も可能
である。

反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚並びに積層構
成に達したところで放電を停止し、本発明による感光体
を得る。次いで、第１乃至第９調節弁を閉じ、反応室内
を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得られる
場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明によ
る感光体を取り出す。更に所望の感光体構成において、
電荷発生層或はオーバーコート層が必要とされる場合に
は、その士ま本装置を用いるか、或は同様に一旦真空を
破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け、本発
明による感光体を得る。

以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。

Ｘ旋倒１ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１調節弁（７０７）を解放し、第１タ
ンク（７０１）より水素ガスを出力圧１．０Ｋｇ／ａｍ
２の下で第１流量制御器（７１３）内へ流入させな。同
時に、第１容器（７１９）よりミルセンガスを第１温調
器（７２２）温度１５０℃のもとで第７流量制御器（７
２８）内。

へ、及び第２容器（７２０）よりカリウムメタクリレー
ト　（Ｋ−ＭＡ）ガスを第２温調器（７２３）温度２７
０℃のもとて第８流量＠運器（７２９）内へ流入させた
。水素ガスの流量を１０１０５ｅ。

ミルセンガスの流量を１４ｓｅｃｍ、及びカリウムメタ
クリレートガスの流量を５ＳＣＣｍとなるように設定し
て、途中混合器（７３１）を介して、主管（７３２）よ
り反応室（？　３３）内へ流入した。各々の流量が安定
した後に、反応室（７３３）内の圧力が１．２Ｔｏｒｒ
となるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、
導電性基板（７５２）としては、樅５０×横５０×厚３
ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め１７０ｔに加熱
しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接
続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた低周波
電源（７４１）を投入し、電力印加電極（７３６）に１
１８Ｗａｔｔの電力を周波数５０ＫＨｚの下で印加して
約２時間４０分プラズマ重合反応を行ない、導電性基板
（７！５２）上に厚き１５μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層
として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調
節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ　−０１７につき有機元素
分析行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４７原子％であった。また
、オージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち
、カリウム原子の量は全構成原子に対して０．２５原子
％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、第１調箇弁（７０７）、第５調節弁（７１１）
、及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７
０１）から水素ガス、第５タンク（７０５）からメタン
ガス、及び第６タンク（７０６）からシランガスを、出
力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、第５、及び第６流量制
御器（７１３，７１７、及び７１８）内へ流入させた。

同時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク（
７０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈きれたジボ
ランガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ａｍ２の下で第４流量
制御器（７１６）内へ、流入させた。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を２００ｓｃｃｒｒ＋、メ
タンガスの流量を０．０１ｓｃｃｍ、シランガスの流量
を１１００５ＣＣ％水素ガスで１００　ｐ　ｐｍに希釈
されたジボランガスの流量を１０ｓ　ｅ　ｃｍとなるよ
うに設定し、反応室（７３３）内に流入きせた。各々の
流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が０．
８Ｔ。

ｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一
方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）は
、２５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、窩周波電源（７３９）より周波数１３．５６
ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に３５Ｗａｔｔの
電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放電を５
分間行ない、厚き０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−３ｉＨにつき、金属中○ＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して２０原子％、硼素原子は８原子１）ｐｍ
、炭素原子はＯ０○０１原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一７９０Ｖ　（＋７８０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は５２Ｖ／μｍ（５１Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれた
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約４１秒（約４５
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰きせたとこる必要とされた光量は４．１ルツク
ス・秒（４，０ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解きれる。

また、この感光体に対して常用のカーシランプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

実施例２ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１、及び第２調節弁（７０７、及び７
０８）を解放し、第１タンク（７０１）より水素ガス、
及び第２タンク（７０２）よりブタジェンガスを各々出
力圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第２流量制御
器（７１３、及び７１４）内へ流入させた。同時に、第
７調節弁（７２５）を解放し、第１容器（７１９）より
カリウムメタクリレート（Ｋ−ＭＡ）ガスを第１温調器
（７２２）温度３００℃のもとで第７流量制御器（７２
８）内へ流入させた。水素ガスの流量を５０ｓｅｃｍ、
ブタジェンガスの流量を５０Ｓ　ＣＣｍ　％及びカリウ
ムメタクリレートガスの流量をｅｓｃｃｍとなるように
設定して、途中混合器（７３１）を介して、主管（７３
２）より反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が
安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が２．○ＴＯ
ｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一
方、導電性基板（７５２）としては、樅５ＱＸ横５０×
厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め１５０℃に
加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予
め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた低
周波電源（７４１）を投入し、電力印加電極（７３６）
に１５０Ｗａｔｔの電力を周波数５００ＫＨｚの下で印
加して約２５分間プラズマ重合反応を行ない、導電性基
板（７５２）上に厚き１５μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層
として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調
節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して５５原子％、また、オージ
ェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、カリウ
ム原子の量は全構成原子に対して３．２原子％であった
。

電荷発生層形成工程： 次いで、第１調節弁（７０７）、第３調節弁（７０９）
、第５調節弁（７１１）、及び第６調節弁（７１２）を
解放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、第３タン
ク（７０３）から四弗化シランガス、第５タンク（７０
５）から四弗化炭素ガス、及び第６タンク（７０６）か
らシランガスを、出力圧ＩＫｇ／Ｃｍ２の下で第１、第
３、第５、及び第６流量制御器（７１３，７１５，７１
７、及び７１８）内へ流入させた。同時に、第４調節弁
（７１０）を解放し、第４タンク（７０４）より水素ガ
スで１１００ｐｐに希釈されたジボランガスを、出力圧
１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流量制１３ＩＩ器（７１
６）内へ、流入きせた。各流量制御器の目盛を調整して
水素ガスの流量を２００ｓＣＣｍ％四弗化シランガスの
流量を５０ｓｅｃｍ。

四弗化炭素ガスの流量を０．１ｓｅｃｍ、シランガスの
流量を５０ｓｅｃｍ１水素ガスでＬｏｏｐｐｍに希釈さ
れたジボランガスの流量を１０１０５ｅとなるように設
定し、反応室（７３３）内に流入させた。各々の流量が
安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が０．９Ｔｏ
ｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一
方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）は
、２５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３．５６
ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に３５Ｗａｔｔの
電力を印加し、グロー放電を発生きせた。この放電を５
分間行ない、厚き０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して２２原子％、硼素原子は１１原子ｐｐｍ
、弗素原子は４．８原子％、炭素原子は０．１原子％で
あった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一５８０Ｖ　（＋５８０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は３８■／μｍ（３８Ｖ／μｍ）と極めて窩く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約９秒（約９秒）
であり、このことから充分な電荷保持性能を有する事が
理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後、白
色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にまで明
減衰させたところ必要とされた光量は２．４ルツクス・
秒（２゜９ルツクス・秒）であり、このことから充分な
光感度性能を有する事が理解きれた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作イ９して転写したところ、鮮明な画像が得られ
た。

実施倒旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷発生層形成工程二 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１調節弁（７０１）を解放し、第１タンク
（７０１）より水素ガスを出力圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２の
下で第１流量制御器（７１３）内へ流入させな。同時に
、第１容器（７１９）よりスチレンガスを第１温調器（
７２２）温度３０℃のもと第７流量制陣器（７２８）内
へ、第２容器（７２０）よりリチウムターシャリ−ブチ
ラードガスを第２温調器（７２３）温度２６０℃のもと
第８流量制御器（７２９）内へ流入させた。

水素ガスの流量を１０１０５ｅ、スチレンガスの流量を
３６ｓｅｃｍ、及びリチウムターシャリ−ブチラードガ
スの流量を２２ｓｅｃｍとなるように設定して、途中混
合器（７３１）を介して、主管（７３２）より反応室（
７３３）内へ流入した。

各々の流量が安定した後ｑ１反応室（７３３）内の圧力
が１．５Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
調整した。一方、導電性基板（７５２）としては、縦５
０×横５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予
め１００℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続
しておいた低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電
極（７３６）に９０Ｗａｔｔの電力を周波数２０ＫＨｚ
の下で印加して約１時間２０分プラズマ重合反応を行な
い、導電性基板（７５２）上に厚さ１５μｍのａ−Ｃ膜
を電荷輸送層として形成した。

成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応
室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき有機元素分析
を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して４４原子％であった。また、
オージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、
リチウム原子の量は、全構成原子に対して、６．１原子
％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、第１調節弁（７０７）、第５調節弁（７１１Ｌ
及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０
１）から水素ガス、第５タンク（７０５）からメタンガ
ス、及び第６タンク（７０６）からシランガスを、出力
圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、第５、及び第６流量制御
器（７１３，７１７、及び７１８）内へ流入させた。同
時に、第４ＦＡｗＪ弁（７１０）を解放し、第４タンク
（７０４）より水素ガスで１０ｐｐｍに希釈されたホス
フィンガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ａｍ２の下で第４流
量制御器（７１６）内へ、流入させた。各流量制御器の
目盛を調整して水素ガスの流量を２００ｓｃｃｍｓメタ
ンガスの流量を３ｓｅｃｍ。

シランガスのｒＴＣ量を２００ｓｃｃｒｒ＋、水素ガス
で１００　ｐ　ｐｍに希釈されたホスフィンガスの流量
をｌｏｓｅｃｍに設定し、反応室（７３３）内に流入さ
せた。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内
の圧力が１．○Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４
５）を調整した。一方、ａ　−Ｃ膜が形成されている導
電性基板（７５２）は、２３０℃に加熱しておき、ガス
流量及び圧力が安定した状態で、高周波電源（７３９）
より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３
６）に３５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生
させた。この放電を５分間行ない、厚き０．３μｍの電
荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して１８原子％、燐原子は１２原子ｐｐｍ、
炭素原子は０．３原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一３３０Ｖ　（＋４３０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能２２Ｖ／μｍ　（２８Ｖ／μｍ）と高く、この
ことから充分な帯電性能を有する事が理解された。また
、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電位に
まで暗減衰するのに要した時間は約５秒（約６秒）であ
り、このことから充分な電荷保持性能を有する事が理解
された。また、最高帯電電位に初期帯電した後、白色光
を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にまで明減衰
させたとこる必要ときれた光量は３．８ルツクス・秒（
１２，５ルツクス・秒）であり、このことから充分な光
感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

実施例４ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 実施例１と間様にして本発明による感光体の電荷輸送層
を形成した。

電荷発生層形成工程： 次いで、第１調節弁（７０７）、第５調節弁（７１１）
、及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７
０１）から水素ガス、第５タンク（７０５）からプロパ
ンガス、及び第６タンク（７０６）からシランガスを、
出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、第５、及び第６流量
制御器（７１３，７１７、及び７１８）内へ流入させた
。同時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク
（７０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジ
ボランガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流
量制御器（７１６）内へ、流入させた。

各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を２００
ｓｅｃｍ、プロパンガスの流量を０．０５３　ＣＣｒｎ
　％シランガスの流量を１０１００５ｅ。

水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジボランガスの流
量を１０１０５ｅとなるように設定し、反応室（７３３
）内に流入させた。各々の流量が安定した後に、反応室
（７３３）内の圧力が０．８Ｔｏｒｒとなるように圧力
調節弁（７４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ膜が形成さ
れている導電性基板（７５２）は、２５０℃に加熱して
おき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周波電源
（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加
電極（７３６）に３５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー
放電を発生させた。この放電を５分間行ない、厚さ０．
３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｆ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して２５原子％、硼素原子は１０原子ｐｐｍ
、炭素原子は０．１原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一８６０Ｖ　（＋８４０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は５６Ｖ／μｍ（５５Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約３５秒（約３２
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は３．６ルツク
スφ秒（４，６ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

去塵倒旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１、第２、及び第３（７０７，７０８、及
び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）より水素ガ
ス、第２タンク（７０２）よりアセチレンガス、及び第
１容器（７１９）よりリチウムターシャリ−ブチラード
ガスを、水素ガス及びアセチレンガスにおいては各々出
力圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で、リチウムターシャリ−
ブチラードガスにおいては第１温調器（７２２）温度１
５０℃のもとで、それぞれ第１、第２、及び第７流量制
！ＩＩ器（７１３，７１４、及び７２８）内へ流入させ
た。そして各流量制譚器の目盛を調整して、水素ガスの
流量を８０ｓｅｃｍ１アセチレンガスの流量を４０ｓｅ
ｃｍ、及びリチウムターシャリ−ブチラードガスの流量
を６ｓｅｃｍとなるように設定して、途中混合器（７３
１）を介して、主管（７３２）より反応室（７３３）内
へ流入した。各々の流量が安定した後に、反応室（７３
３）内の圧力が１．３Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁
（７４５）を調整した。一方、導電性基板（７５２）と
しては、ｔＩＩ５０Ｘ横５０×厚３ｍｍのアルミニウム
基板を用いて、予め１９０℃に加熱しておき、ガス流量
及び圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ（７
４４）により接続しておいた高周波電源（７３９）を投
入し、電力印加電極（７３６）に２１０Ｗａｔｔの電力
を周波数１３．５６ＭＨｚの下で印加して約４時間３０
分プラズマ重合反応を行ない、導電性基板（７５２）上
に厚さ１５μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した
。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反
応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して３２原子％、また、オージ
ェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、リチウ
ム原子の量は全構成原子に対して１．２原子％であった
。

電荷発生層形成工程： 次いで、第１調節弁（７０７）、第５調節弁（７１１Ｌ
及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０
１）から水素ガス、第５タンク（７０５）からメタンガ
ス、及び第６タンク（７０６）からシランガスを、出力
圧ＩＫｇ／ａｍ２の下で第１、第５、及び第６流量制卯
器（７１３，７１７、及び７１８）内へ流入させた。同
時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク（７
０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジボラ
ンガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ａｍ２の下で第４流量制
御器（７１６）内へ、流入させな。各流量制御器の目盛
を調整して水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍｓメタンガ
スの流量を１０１０５ｃ。

シランガスの流量を１０１００５ｅ、水素ガスで１１０
０ｐｐに希釈されたジボランガスの流量を１０１００５
ｅに設定し、反応室（７３３）内に流入させな。各々の
流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が０．
８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整し
た。一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５
２）は、２５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が
安定した状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３
．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に４０Ｗａ
ｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放
電を５分間行ない、厚ざ０．３μｍの電荷発生層を得た
。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して２４原子％、硼素原子は９５原子ｐｐｍ
Ｎ炭素原子は１．０原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一５３０Ｖ　（＋５００Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は３５Ｖ／μｍ（３３Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれた
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１４秒（約１１
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は４．０ルツク
ス・秒（１，９ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理Ｍされた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

害施グ旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１、及び第２調節弁（７０７、及び７
０８）を解放し、第１タンク（７０１）より水素ガス、
及び第２タンク（７０２）よりブタジインガスを各々出
力圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第２流量制御
器（７１３、及び７１４）内へ流入きせた。同時に、第
７７Ａ節弁（７２５）を解放し、第１容器（７１９）よ
りリチウムターシャリ−ブチラードガスを第１温調器（
７２２）温度１８０℃のもとで第７流量制御器（７２８
）内へ流入させた。水素ガスの流量を７０ｓｅｃｍ、ブ
タジインガスの流量を４０ｓｃａｍ、及びリチウムター
シャリ−ブチラードガスの流量を１０１０５ｅとなるよ
うに設定して、途中混合器（７３１）を介して、主管（
７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。各々の流
量が安定した後に、反応ｖ（７３３）内の圧力が１゜２
Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）をＦＡ整し
た。一方、導電性基板（７５２）としては、ｗ１５０Ｘ
横５０×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め１
５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状
態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続して
おいた高周波電源（７３９）を投入し、電力印加電極（
７３６）に１２０Ｗａｔｔの電力を周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚの下で印加して約２０分間プラズマ重合反応を行な
い、導電性基板（７５２）上に厚さ１５μｍのａ−Ｃ膜
を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加
を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に
排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき有機元素分析
を行なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して５５原子％、また、オージェ
分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、リチウム
原子の量は全構成原子に対して１．９原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、第１調節弁（７０７）　、第５調節弁（７１１
）、及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（
７０１）から水素ガス、第５タンク（７０５）からエタ
ンガス、及び第６タンク（７０６）からシランガスを、
出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、第５、及び第６流量
制御器（７１３，７１７、及び７１８）内へ流入させな
。同時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク
（７０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジ
ボランガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流
量制陣器（７１６）内へ、流入させた。各流量制罪器の
目盛を調整して水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍ、エタ
ンガスの流量を３ｓｅｃｍ。

シランガスの流量を１００１００５ｅ水素ガスで１１０
０ｐｐに希釈されたジボランガスの流量を１０１０５ｅ
に設定し、反応室（７３３）内に流入させた。各々の流
量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が０．９
Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した
。一方、ａ　−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５
２）は、２４０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が
安定した状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３
．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に４５Ｗａ
ｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生させな。この放
電を５分間行ない、厚ざ０．３μｍの電荷発生層を得た
。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）、オージェ分析、及びＩＭ
Ａ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構成
原子に対して２１原子％、硼素原子は１１原子Ｐ　ｐｍ
ｓ炭素原子は０．３原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一７３０Ｖ　（＋７２０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は４８Ｖ／μｍ（４７Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９ｏ％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１８秒（約１６
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は１．６ルツク
ス・秒（２，２ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は本発明感光体の構成を示す図面、第
７図乃至第８図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。 出願人　ミノルタカメラ株式会社 第１図 第２図 第４図 第６図 手続補正書 昭和６２年１０月２１日

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型感光体に
   おいて、該電荷輸送層は少なくともアルカリ金属原子を
   含有してなる水素化アモルファスカーボン膜であり、か
   つ、該電荷発生層は炭素原子を含有すると共に燐原子及
   び硼素原子のうち少なくとも一方を含有してなる水素化
   アモルファスシリコン膜或は炭素原子を含有すると共に
   燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有してな
   る弗素化アモルファスシリコン膜であることを特徴とす
   る感光体。