JPS6381462A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する感光体に
関する。

従来挟逝 カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発さ
れ実用化されてきた。

従来用いられて来た電子写真感光体材料の主なものとし
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スヂリル化合物、ピラゾリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質が挙げられる。また、その構成形態としては、これ
らの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散さ
せて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電
荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。

しかしながら、従来用いられて来た電子写真感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝きれた場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。

このような欠点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐
久性に富んだ材料として、グロー放電法により生成され
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原料
としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガス
であることから、出来上がった電子写真感光体も従来の
感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、成膜速度
が遅く、成膜時間の増大に伴い爆発性を有するシラン未
分解生成物を粉塵状に発生する等、生産上の不都合も多
い。また、この粉塵が製造時に感光層中に混入した場合
には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。さらに、アモ
ルファスシリコンは、元来、比誘電率が高いため帯電性
能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電するｔ：め
には膜厚を厚くする必要があり、高価なアモルファスシ
リコン膜を長時間堆積きせなくてはならない。

ところでアモルファスカーボン膜自イ本は、プラズマ有
機重合膜として古くより知られており、例えばジエン（
Ｍ、５ｈｅｎ）及びベル（Ａ、Ｔ。

Ｂｅ１ｌ）により、１９７３年発行ののジャーナル・オ
ブ・アプライド・ポリマー・サイエンス（Ｊｏｕｒｎａ
ｌ　　ｏｆ　　Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐ。

ｌ　ｙｍｅｒ　　Ｓｃ　１ｅｎｃｅ）第１７巻の第８８
５頁乃至第８９２頁において、あらゆる有機化合物のガ
スから作製きれ得る事が、また、同著者により、１９７
９年のアメリカンケミカルソサエティ　　（Ａｍｅｒｉ
ｃａｎ　　ＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ）発行によ
るプラズマボリマライゼーション（Ｐｌａｓｍａ　　Ｐ
ｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）の中でもその成膜性が論
じられている。

しかしながら従来の方法で作製したプラズマ有機重合膜
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの膜は通常のポリエチレン膜の如＜１０１６Ωｃｍ程
度の比抵抗を有する絶縁膜と考えられ、或は、少なくと
もそのような膜であるとの認識のもとに用いられていた
。実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識か
ら、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁層に
限られており、所謂アンダーコート層もしくはオーバー
コート層としてしか用いられていなかった。

例えば、特開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５
９−３８７！５３号公報には、基板上にブロッキング層
及び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから
生成される１０１３〜１０１５Ωｃｍの高抵抗のプラズ
マ重合膜をｌｏλ〜１００人設けた上にアモルファスシ
リコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５９
−１３６７４２号公報には、アルミ基板上に設けたアモ
ルファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散す
るのを防止するための保護層として１〜５μｍ程度の炭
素膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示されている
。特開昭６０−６３５４１号公報には、アルミ基板とそ
の上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改善
するために、接着層として２００人〜２μｍのダイヤモ
ンド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留電
荷の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされている。

これらの開示は、何れも基板とアモルファスシリコン層
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、ａ−Ｓｉ
の有する前記した本質的問題／ｆ！解決するものではな
い。

また、例えば、特開昭５０−２０７２８号公報には、ポ
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層
としてグロー放′Ｒ重合によるポリマー膜を０．１〜１
μｍ設けた感光体が開示されている。特開昭５９−２１
４８５９号公報には、アモルファスシリコン感光体の表
面に保護層としてスチレンやアセチレン等の有機炭化水
素モノマーをプラズマ重合させて５μｍ程度の膜を形成
させる技術が開示されている。特開昭６０−６１７６１
号公報には、表面保護層として、５００人〜２μｍのダ
イヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示され、透光
性の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされてている
。特開昭６０−２４９１１５号公報には、０．０５〜５
μｍ程度の無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層と
して用いる技術が開示きれ、膜厚が５μｍを越えると感
光体活性に悪影響が及ぶとされている。

これらの開示は、何れも感光体表面に所謂オーバーコー
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、ａ−５ｉの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。

また、特開昭５１−４６１３０号公報には、ポリビニル
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なって０．００１〜３μｍのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性に
ついては全ぐ言及されていないし、ａ−Ｓｉの持つ前記
した本質的問題を解決するものではない。

一方、アモルファスシリコン膜については、スピア（Ｗ
、Ｅ、５ｐｅａｒ）及びレコンバ（Ｐ。

Ｇ、ＬｅＣｏｍｂｅｒ）により１９７６年発行のフィロ
ソフィカル・マガジン（Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ　
　Ｍａｇａｚｉｎｅ）第３３巻の第９３５頁乃至第９４
９頁において、極性制御が可能な材料である事が報じら
れて以来、種々の光電デバイスへの応用が試みられて来
た。感光体への応用に関しては、例えば、特開昭５６−
６２２５４号公報、特開昭５７−１１９３５６号公報、
特開昭５７−１７７１４７号公報、特開昭５７−１１９
３５７号公報、特開昭５７−１７７１４９号公報、特開
昭５７−１１９３５７号公報、特開昭５７−１７７１４
６号公報、特開昭５７−１７７１４８号公報、特開昭５
７−１７４４４８号公報、特開昭５７−１７４４４９号
公報、特開昭５７−１７４４５０号公報、等に、炭素原
子を含有したアモルファスシリコン感光体が開示されて
いるが、何れもアモルファスシリコンの光導電性を炭素
原子により調整する事を目的としたものであり、また、
アモルファスシリコン自体厚い膜を必要としている。

発Ｉが解決しようとする１題点 以上のように、従来、電子写真感光体に用いられている
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用されていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚も高々５μｍ程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上問題にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で使用きれ
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。

本発明者らは、アモルファスカーボン膜の電子写真感光
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水素化アモルファスカーボン膜が膜中に
ハロゲン原子を含有せしめる事により、燐原子及び硼素
原子のうち少なくとも一方を含有すると共に窒素原子を
含有してなる′　水素化或は弗素化アモルファスシリコ
ン膜との積層においては電荷輸送性を有し、容易に好適
な電子写真特性を示し始める事を見出した。その理論的
解釈には本発明者においても不明確な点が多く詳細に亙
り言及はできないが、ハロゲン原子含有水素化アモルフ
ァスカーボン膜中に捕捉されている比較的不安定なエネ
ルギー状態の電子、例えばπ電子、不対電子、残存フリ
ーラジカル等が形成するバンド構造が、燐原子及び硼素
原子のうち少なくとも一方を含有すると共に窒素原子を
含有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜
が形成するバンド構造と電導帯もしくは荷電子帯におい
て近似したエネルギー準位を有するため、燐原子及び硼
素原子のうち少なくとも一方を含有すると共に窒素原子
を含有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン
膜中で発生したキャリアが容易にハロゲン原子含有水素
化アモルファスカーボン膜中へ注入すれ、ざらに、この
キャリアは前述の比較的不安定なエネルギー状態の電子
の作用によりハロゲン原子含有水素化アモルファスカー
ボン膜中を好適に走行し得るためと推定される。

本発明はその新たな知見を利用することにより、アモル
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的間層点を
全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異なる
、有機プラズマ重合膜、特に少なくともハロゲン原子を
含有してなる水素化アモルファスカーボン膜を電荷輸送
層として使用し、かつ、燐原子及び硼素原子のうち少な
くとも一方を含有すると共に窒素原子を含有してなる水
素化或は弗素化アモルファスシリコンの薄膜を電荷発生
層として使用した感光体を提供する事を目的とする。

、占　”ための 即ち、本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成きれる少なくともハロゲン原子を含有する
水素化アモルファスカーボン膜であり、かつ、該電荷発
生層が燐原子及び硼素原子のうち少なくとも°一方を含
有すると共に窒素原子を含有してなる水素化或は弗素化
アモルファスシリコン膜であることを特徴とする感光体
に関する（以下、本発明による電荷輸送層をａ−Ｃ膜及
び電荷発生層をａ−３ｉ膜と称する）。

本発明は、従来のアモルファスシリコン感光体において
は、電荷発生層として優れた機能を有するアモルファス
シリコンを、電荷発生能が無くても電荷輸送能ざえあれ
ば済む電荷輸送層としても併用していたため発生してい
たこれらの問題点を解決すべく成されたものである。

即ち、本発明は、電荷輸送層としてグロー放電により生
成される少なくともハロゲン原子を含有してなる水素化
アモルファスカーボン膜を設け、かつ、電荷発生層とし
て同じくグロー放電により生成される燐原子及び硼素原
子のうち少なくとも一方を含有すると共に窒素原子を含
有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜を
設けた事を特徴とする機能分離型感光体に関する。該電
荷輸送層は、可視光もしくは半導体レーザー光付近の波
長の光に対しては明確なる光導電性は有きないが、好適
な輸送性を有し、ざらに、帯電能、　゛耐久性、耐候性
、耐環境汚染性等の電子写真感光体性能に優れ、しかも
透光性にも優れるため、機能分離型感光体としての積層
構造を形成する場合においても極めて高い自由度が得ら
れるものである。また、該電荷発生層は、可視光もしく
は半導体レーザー光付近の波長の光に対して優れた光導
電性を有し、しかも従来のアモルファスシリコン感光体
に比べて極めて薄い膜厚で、その機能を活かす事ができ
るものである。

本発明においては、ａ−Ｃ膜を形成するために有機化合
物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。

該炭化水素における相状態は常温常圧において必ずしも
気相である必要はなく、加熱或哄減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるちのであれば、液相でも固
相でも使用可能である。

使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、テ
°カン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデ
カン、ペンタデカン、ヘキサコサン、ヘブタテ゛カン、
オクタコサン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコサ
ン、トコサン、トリコサン、テトラデカン、ペンタコサ
ン、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナ
コサン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタト
リアコンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソブ
タン、インペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネ
オノーキサン、２．３−ジメチルブタン、２−メチルヘ
キサン、３−エチルペンタン、２，２−ジメチルペンタ
ン、２，４−ジメチルペンタン、３．３−ジメチルペン
タン、トリブタン、２−メチルへブタン、３−メチルヘ
ブタン、２，２−ジメチルヘキサン、２．２．５−ジメ
チルヘキサン、２．２．３−トリメチルベンタン、２．
２．４−トリメチルペンタン、２，３゜３−トリメチル
ペンタン、２，３．４−トリメチルペンタン、イソナノ
ン、等のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化
水素としては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブ
チレン、１−ブテン、２−ブテン、１−ペンテン、２−
ペンテン、２−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−
ブテン、２−メチル−２−ブテン、１−ヘキセン、テト
ラメチルエチレン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−
ノネン、１−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン
、メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘキサジ
エン、シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並びに
、オシメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエン
、等のトリオレフイン、並びに、アセチレン、ブタジイ
ン、１゜３−ペンタジイン、２，４−へキサジイン、メ
チルアセチレン、１−ブチン、２−ブチン、１−ペンチ
ン、１−ヘキシン、１−ヘプチン、１−オクチン、１−
ノニン、１−デシン、等が用いられる。

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、りそネ
ン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、ツ
エン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、フエ
ンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ビサボレ
ン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネンセ
スキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレン
、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ポドカルブ
レン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド等が用
いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン
、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメン
、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、
ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチル
ベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビフ
ェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニ
ルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフタ
リン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン、等
が用いられる。

ざらに、炭化水素以外でも、例えば、アルコール類、ケ
トン類、エーテル類、エステル類、等炭素と成りうる化
合物であれば使用可能である。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
グロー放電を用いるというその製造面から必然的に定ま
るが、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね３０乃
至６０原子％含有きれる。ここで、炭素原子並びに水素
原子の膜中含有量は、有機元素分析の常法、例えばＯＮ
Ｈ分析を用いる事により知る事ができる。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが
、例えば、基板温度を高くする、圧力を低くする、原料
炭化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これらの
組合せ操作は、含有水素量を低くする効果を有する。

本発明における電荷輸送層としてのａ　−Ｃ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、５乃至５
０μｍ１特に７乃至２０μｍが適当であり、５μｍより
薄いと、苓電電位が低いため充分な複写画ｅ＊度を得る
事ができない。また、５０μｍより厚いと、生産性の面
で好ましくない。

このａ−Ｃ膜は、高透光性、高暗抵抗を有するとともに
電荷輸送性に富み、ｖ！、厚を上記の様に５μｍ以上と
してもキャリアはトラップきれる事無く輸送きれ明減衰
に寄与する事が可能である。

本発明における原料気体からａ　−Ｃ膜を形成する過程
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラズ
マ状態を経て形成される方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成きれるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成きれる中
性粒子から形成されてもよいし、ざらには、これらの組
み合わせにより形成されてもよい。

本発明においては炭化水素の他に、ａ−ＣＭ中に少なく
ともハロゲン原子を添加するためにハロゲン化合物が使
用きれる。ここでハロゲン原子とは、弗素原子、塩素原
子、臭素原子、及び沃素原子をいう。該ハロゲン化合物
における相状態は常温常圧において必ずしも気相である
必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇華等
を経て気化しうるものであれば、液相でも固相でも使用
可能である。ハロゲン化合物としては、例えば、弗素、
塩素、臭素、沃素、弗化水素、弗化塩素、弗化臭素、弗
化沃素、塩化水素、塩化臭素、塩化沃素、臭化水素、臭
化沃素、沃化水素、等の無機化合物、ハロゲン化アルキ
ル、ハロゲン化アリール、へ〇ゲ化スチレン、ハロゲン
化ポリメチレン、へロホルム、等の有機化合物が用いら
れる。ハロゲン化アルキルとしては、例えば、フッ化メ
チル、塩化メチル、臭化メチル、ヨウ化メチル、フッ化
エチル、塩化エチル、臭化エチル、ヨウ化エチル、フッ
化プロピル、塩化プロピル、臭化プロピル、ヨウ化プロ
ピル、フッ化ブチル、塩化ブチル、臭化ブチル、ヨウ化
ブチル、フッ化アミル、塩化アミル、臭化アミル、ヨウ
化アミル、フッ化ヘキシル、塩化ヘキシル、臭化ヘキシ
ル、ヨウ化ヘキシル、フッ化へブチル、塩化へブチル、
臭化へブチル、ヨウ化へブチル、フッ化オクチル、塩化
オクチル、臭化オクチル、ヨウ化オクチル、フッ化ノニ
ル、塩化ノニル、臭化ノニル、ヨウ化ノニル、フッ化デ
シル、塩化デシル、臭化デシル、ヨウ化デシル、躊が用
いられる。ハロゲン化アリールとしては、例えば、フル
オルベンゼン、クロルベンゼン、ブロムベンゼン、ヨー
ドベンゼン、クロルトルエン、ブロムトルエン、クロル
ナフタリン、ブロムナフタリン、等が用いられる。ハロ
ゲン化スチレンとしては、例えば、クロルスチレン、ブ
ロムスチレン、ヨードスチレン、フルオルスチレン、等
が用いられる。ハロゲン化ポリメチレンとしては、例え
ば、塩化スチレン、臭化メチレン、ヨウ化メチレン、塩
化エチレン、臭化エチレン、ヨウ化エヂレン、塩化トリ
メチレン、臭化トリメチレン、ヨウ化トリメチレン、ジ
塩化ブタン、ジ臭化ブタン、ショウ化ブタン、ジ塩化ペ
ンタン、ジ臭化ペンタン、ショウ化ペンタン、ジ塩化ヘ
キサン、ジ臭化ヘキサン、ジヨウ化ヘキサン、ジ塩化へ
ブタン、ジ臭化へブタン、ショウ化へブタン、ジ塩化オ
クタン、ジ臭化オクタン、ジヨウ化オクタン、ジ塩化ノ
ナン、ジ臭化ノナン、ジ塩化デカン、ジヨウ化デカン、
等が用いられる。へロホルムとしては、例えば、フルオ
ロホルム、クロロホルム、ブロモホルム、ヨードホルム
、等が用いられる。

本発明において化学的修飾物質として含有されるハロゲ
ン原子の量は、全構成原子に対して０゜１乃至２５原子
％である。ここで、膜中に含有されるハロゲン原子の量
は、元素分析の常法、例えばオージェ分析により知る事
ができる。ハロゲン原子の量が０．１原子％より低い場
合には、必ずしも好適な電荷輸送性が保証されず、感度
低下もしくは残留電位の発生等を生じ易くなり、また、
経時的感度安定性も保証されなくなる。ハロゲン原子の
量が２５原子％より高い場合には、適量の添加では好適
な電荷輸送性と残留電位発生防止を保証していたハロゲ
ン原子が、逆に、帯電能の低下、さらには経時後の暗抵
抗を低くする作用を示し、数カ月単位の保管中に電荷保
持能の低下を招く。また、必ずしも成膜性が保証されな
くなり、膜の剥離、油状化もしくは粉体化を招く。従っ
て、本発明におけるハロゲン原子添加量の範囲は重要で
ある。

本発明において化学的修飾物質として含有されるハロゲ
ン原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への
前述のハロゲン化合物の導入量を増減することにより制
御することが可能である。

ハロゲン化合物の導入量を増大させれば、本発明による
ａ−Ｃ膜中へのハロゲン原子の添加量を高くすることが
可能であり、逆にハロゲン化合物の導入量を減少きせれ
ば、本発明によるａ　−Ｃ膜中へのハロゲン原子の添加
量を低くすることが可能である。

本発明においては、ａ−ｓｉ膜を形成するためにシラン
ガス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用いられ
る。また、化学的修飾物質として燐原子或は硼素原子を
膜中に含有せしめるための原料ガスとして、ホスフィン
ガス或はジボランガ。

ス等が用いられる。ざらに、化学的修飾物質として窒素
原子を膜中に含有せしめるための原料ガスとして、窒素
ガス、アンモニアガス、亜酸化窒素ガス、或は、二酸化
窒素ガス、等の窒素化合物ガスが用いられる。

本発明において化学的修飾物質として含有きれる燐原子
或は−素原子の量は、全構成原子に対して２００ｏＯ原
子ｐｐｍ以下である。ここで燐原子或は硼素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或はＩ
ＭＡ分析により知る事ができる。燐原子或は硼素原子の
膜中含有量が２ｏｏｏｏ原子ｐｐｍより高い場合には、
少量の添加では好適な輸送性、或は、極性制御効果を保
証していた燐原子或は硼素原子が、逆に膜の低抵抗化を
招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。従って、本発
明における燐原子或は硼素原子添加量の範囲は重要であ
る。

本発明において化学的修飾物質として含有される窒素原
子の量は、全構成原子に対してｏ、Ｏ○１乃至３原子％
である。ここで窒素原子の膜中含有量は、元素分析の常
法、例えばオージェ分析或はＩＭＡ分析により知る事が
できる。窒素原子の膜中含有量が０．００１原子％より
低い場合には、ａ−３ｉ膜の電気抵抗値が低くなる事が
らａ−Ｓｉ膜にコロナ帯電等による電界がかかりにくく
なり、光励起キャリアが必ずしも効率よ＜ａ−Ｃ膜中に
注入されなくなり感度の低下を招く。また、帯電能も低
下する。窒素原子の膜中含有Ｉが３原子％より高い場合
には、ａ−ＳｉＭの電気抵抗値が高くなりすぎ、光励起
キャリ、アの発生効率の低下及びキャリアの易動速度の
低下により、感度低下を沼く。従って、本発明における
窒素原子添加量の範囲は重要である。

本発明におけるａ−５ｔ膜中に含まれる水素原子或は弗
素原子の量はグロー放電を用いるというその製造面から
必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシリコ
ン原子と弗素原子のｍｆｆ１に対して、概ね１０乃至３
５原子％含有される。ここで、水素原子或は弗素原子の
膜中含有量は、元素分析の常法、例えばＯＮＨ分析、オ
ージェ分析等を用いる事により知る事ができる。

本発明における電荷発生層としてのａ−Ｓｉ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、０．１乃
至５μｍが適当であり、０．１μｍより薄いと、光吸収
が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、感
度の低下を拓く。また、５μｍより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このａ−Ｓｉ膜は電荷発生能に富み、
ざらに、本発明の最も特徴とするところのａ−Ｃ膜との
積層構成において効率よ＜ａ−Ｃ膜中に発生キャリアを
注入せしめ、好適な明減衰に寄与する事が可能である。

本発明における原料気体からａ−Ｓｉ膜を形成する過程
は、ａ−Ｃ膜を形成する場合と同様にして行なわれる。

本発明において化学的修飾物質として含有される窒素原
子、燐原子、或は、硼素原子の量は、主に、プラズマ反
応を行なう反応室への前述の窒素化合物ガス、ホスフィ
ンガス、或は、ジボランガスの導入量を増減することに
より制御することが可能である。窒素化合物ガス、ホス
フィンガス、或は、ジボランガスの導入量を増大させれ
ば、本発明によるａ−３：膜中への窒素原子、燐原子、
或は、硼素原子の添加量を高くすることが可能であり、
逆に窒素化合物ガス、ホスフィンガス、或は、ジボラン
ガスの導入量を減少きせれば、本発明によるａ−Ｓｉ膜
中への窒素原子、燐原子、或は、硼素原子の添加量を低
くすることが可能である。

本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
成る機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の！ｌＩｗｉ購成は、必要に応じて適宜
選択することが可能である。

第１図は、その一形態として、導電性基板（１）上に電
荷輸送Ｉ’ｍ　（２）と電荷発生Ｊ’！ｉ　（３）を順
次積層してなる構成を示したものである。第２図は、別
の一形態として、導電性基板（１）上に電荷発生層（３
）と電荷輸送層（２）を順次積層してなる構成を示した
ものである。第３図は、別の一形態として、導電性基板
（１）上に、電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と電
荷輸送層（２）を順次積層してなる構成を示したもので
ある。

感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第１図では
電荷発生層（３）で発生した正孔が電荷輸送層（２）中
を導電性基板（１）に向は走行し、第２図では電荷発生
層（３）で発生した電子が電荷輸送層（２）中を感光体
表面に向は走行し、第３図では電荷発生層（３）で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送ＦＪ　（２）中を導
電性基板（１）に向は走行すると共に、同時に電荷発生
ｆｆｉ　（３）で発生した電子が表面側の電荷輸送層（
２）中を感光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証
された静電潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面
を負帯電した後、画像露光して使用する場合においては
、電子と正孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性
を解すればよい。第２図及び第３図では、画像露光用の
照射光が電荷輸送層中を通過する事になるが、本発明に
よる電荷輸送層は透光性に優れることから、好適な潜像
形成を行なうことが可能である。

第４図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と表面保護層（
４）を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第１図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第１図の形態では、最表面が＃４湿性に乏しいａ−Ｓｉ
膜で有ることから、多くの場合実用上の対湿度安定性を
確保するために表面保護層を設けることが好ましい。第
２図及び第３図の構成の場合、最表面が耐久性に優れた
ａ−Ｃ膜であるため表面保護層を設けなくてもよいが、
例えば現像剤の付着による感光体表面の汚れを防止する
ような、複写機内の各種エレメントに対する整合性を調
整する目的から、表面保護層を設けることもざらなる一
形態と成りうる。

第５図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第２
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第２図の
形態では、導電性基板との接合面がａ−Ｓｉ膜である事
から、多くの場合接着性及び注入阻止効果を確保するた
めに中間層を設ける事が好ましい。第１図及び第３図の
構成の場合、導電性基板との接合面が、接着性及び注入
阻止効果に優れた、本発明による電荷輸送層であるため
、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前
処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合
性を調整する目的から、中間層を設けることもさらなる
一形態と成りうる。

第６図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間１（５）と電荷輸送層（２）と電荷発生７！！　
（３）と表面保護１　（４）を順次８１Ｊ！ｉシてなる
構成を示したものである。即ち第１図の形態に中間層と
表面保護層を設けた形態に相当する。

中間層と表面保護層の設置理由は前述と同様であり、従
って第２図及び第３図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもざらなる一形態と成りうる。

本発明において中間層と表面保護層は、材料的にも、製
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるａ−Ｃ膜を用いてもよい。但し、用い
る材料が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材料である
場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は５μｍ以下
に留める必要がある。

本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再結合反
応により固相として堆積させる、所謂プラズマ重合反応
から生成きれる事が好ましい。

第７図は本発明に係わる感光体の製造装置を示し、図中
（７０１）〜（７０６）は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを密封した第１乃至第６タ
ンクで、各々のタンクは第１乃至第６調節弁（７０７）
〜（７１２）と第１乃至第６流量制御器（７１３）〜（
７１８）に接続きれている。図中（７１９）〜（７２１
）は常温において液相または同相状態にある原料化合物
を封入した第１乃至第３容器で、各々の容器は気化のた
め第１乃至第３温調器（７２２）〜（７２４）により与
熱可能であり、ざらに各々の容器は第７乃至第９調節弁
（７２５）〜（７２７）と第７乃至第９流量制ｉ卸器（
７２８）〜（７３０）に接続されている。これらのガス
は混合器（７３１）で混合された後、主管（７３２）を
介して反応室（７３３）に送り込まれる。途中の配管は
、常温において液相または固相状態にあった原料化合物
が気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置
された配管加熱器（７３４）により、与熱可能ときれて
いる。反応室内には接地電極（７３５）と電力印加電極
（７３６）が対向して設置され、各々の電極は電極加熱
器（７３７）により与熱可能とされている。電力印加ｍ
Ｊｋ（７３６）には、高周波電力用整合器（７３８）を
介して高周波電源（７３９）、低周波電力用整合器（７
４０）を介して低周波電！（７４１）、ローパスフィル
タ（７４２）を介して直流電源（７４３）が接続されて
おり、接続選択スイッチ（７４４）により周波数の異な
る電力が印加可能とされている。反応室（７３３）内の
圧力は圧力制譚弁（７４５）によりＦｌ整可能であり、
反応室（７３３）内の減圧は、排気系選択弁（７４６）
を介して、拡散ポンプ（７４７）　、油回転ポンプ（７
４８）　、或は、冷却除外装置（７４９）　、メカニカ
ルブースターポンプ（７５０）、油回転ポンプ（７４８
）により行なわれる。排ガスについては、ざらに適当な
除外装置１（７５３）により安全無害化した後、大気中
に排気される。これら排気系配管についても、常温にお
いて液相または固相状態にあった原料化金物が気化した
ガスが、途中で凝結しないように、適宜配置された配管
加熱器（７３４）により、与熱可能とされている。反応
室（７３３）も同様の理由から反応室加熱器（７５１）
により与熱可能とされ、内部に配された電極上に導電性
基板（７５２）が設置される。第７図において導電性基
板（７５２）は接地電極（７３５）に固定して配きれて
いるが、電力印加電極（７３６）に固定して配されても
よく、ざらに双方に配されてもよい。

第８図は本発明に係わる感光体の製造装置の別の一形態
を示し、反応室（８３３）内部の形態以外は、第７図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と開襟であり、
付記きれた番号は（７００番台のものを８００番台に置
き換えて解すればよい。第８図において、反応室（８３
３）内部には、第７図における接地電極（７３５）を兼
ねた円筒形の導電性基板（８５２）が設置され、内側に
は電極加熱器（８３７）が配されている。導電性基板（
８５２）周囲には同じく円筒形状をした電力印加電極（
８３６）が配され、外側には電極加熱器（８３７）が配
されている。導電性基板（８５２）は、外部より駆動モ
ータ（８５４）を用いて自転可能となっている。

感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め１
０−４乃至１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度にまで減圧し、真空度
の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配きれ
た導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板に
は、前述の如き感光体構成の中から所望の構成を得るた
めに、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷発
生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電荷
発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を用
いてもよい。次いで、第１乃至第６タンク及び第１乃至
第３容器から、原料ガスを適宜第１乃至第９流量制御器
を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節
弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が
安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば高周波
電源を選択し、電力印加７４極に高周波電力を投入する
。両電極間には放電が開始きれ、時間と共に基板上に固
相の膜が形成される。ａ−Ｓｉ膜或はａ−Ｃ膜は、原料
ガスを代える事により任意に形成可能である。放電を一
旦停止し、原料ガス組成を変更した後、再び放電を再開
すれば異なる組成の膜を積層する事ができる。また、放
電を持続させながら原料ガス流量だけを徐々に代え、異
なる組成の膜を勾配を持たせながら積層する事も可能で
ある。

反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚並びにＶ４層
構成に達したところで放電を停止し、本発明による感光
体を得る。次いで、第１乃至第９調節弁を閉じ、反応室
内を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得られ
る場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明に
よる感光体を取り出す。更に所望の感光体構成において
、電荷発生層或はオーバーコート層が必要ときれる場合
には、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦真空
を破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け、本
発明による感光体を得る。

以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。

実施伝上 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−’Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１、第２、及び第３調節弁（７０７，
７０８、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）
より水素ガス、第２タンク（７０２）よりブタジェンガ
ス、及び第３タンク（７０３）より四塩化炭素ガスを各
々出力圧１゜０Ｋｇ／ａｍ２の下で第１、第２、及び第
３流量制御器（７１３，７１４、及び７１５）内へ流入
させた。水素ガスの流量を６０ｓｅｃｍ、ブタジェンガ
スの流量を６０ｓｃｃｍ、及び四塩化炭素ガスの流量を
３０ｓｅｃｍとなるように設定して、途中混合器（７３
１）を介して、主管（７３２）より反応室（７３３）内
へ流入した。各々の流量が安定した後に、反応室（７３
３）内の圧力が２゜０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁
（７４５）を調整した。一方、導電性基板（７５２）と
しては、樅５０×横５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板
を用いて、予め１２０℃に加熱しておき、ガス流量及び
圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ（７４４
）により接続しておいた低周波電源（７４１）を投入し
、電力印加電極（７３６）に１２０Ｗａｔｔの電力を周
波数３００ＫＨｚの下で印加して約３０分間プラズマ重
合反応を行ない、導電性基板（７５２）上に厚さ１５μ
ｍのａ　−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了
後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３
３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ　　Ｃｕｆｆにつき有機元
素分析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭
素原子と水素原子の総量に対して５５原子％、また、オ
ージェ分析より含有されるハロゲン原子、即ち、塩素原
子の量は全構成原子に対して５．９原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、ボンベ交換の後、第１調節弁（７０７）、第５
調節弁（７１１）、及び第６調節弁（７１２）を解放し
、第１タンク（７０１）から水素ガス、第５タンク（７
０５）から窒素ガス、及び第６タンク（７０６）からシ
ランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、第５、
及び第６流量制御器（７１３，７１７、及び７１８）内
へ流入させた。同時に、第４調節弁（７１０）を解放し
、第４タンク（７０４）より水素ガスで１１００ｐｐに
希釈きれたジボランガスを、出力圧１゜５Ｋｇ／ａｍ２
の下で第４流量制御器（７１６）内へ、流入させた。各
流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を２００ｓ
ｅｃｍ、窒素ガスの流量を０．０１ｓｅｃｍ、シランガ
スの流量を１００　ｓ　ｅ　ｃ　ｍ　ｓ水素ガスで１１
００ｐｐに希釈きれたジボランガスの流量を１０ｓ　ｅ
　ｃｍとなるように設定し、反応室（７３３）内に流入
させた。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）
内の圧力が０．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７
４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導
電性基板（７５２）は、２５０℃に加熱しておき、ガス
流量及び圧力が安定した状態で、高周波電源（７３９）
より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３
６）に３５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生
させた。この放電を５分間行ない、厚き０．３μｍの電
荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ゛分析、及び
ＩＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全
構成原子に対して２５原子％、硼素原子は１０原子りＩ
）ｍ％窒素原了は０．００１原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一６００Ｖ　（＋６４０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は３９Ｖ／μｍ（４２Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａＸの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１５秒（約１４
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高ＷＩ電電位の２０％の表面電位に
まで明減衰させたところ必要とされた光量は１．５ルツ
クス・秒（１，３ルツクス・秒）であり、このことから
充分な光感度性能を有する事が理Ｎされた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

Ｘ施健旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０＝Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高真
空にした後、第１、第２、及び第３（７０７，７０８、
及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）より水素
ガス、第２タンク（７０２）よりエチレンガス、及び第
３タンク（７０３）より四弗化炭素ガスを各々出力圧１
．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第３流量制御
器（７１３，７１４、及び７１５）内へ流入させた。

そして各流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量
を６０ｓｅｃｍｓエチレンガスの流量を６０ｓｅｃｍ、
及び四弗化炭素ガスの流量を３０ｓＣＣｍとなるように
設定して、途中混合器（７３１）を介して、主管（７３
２）より反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が
安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が１．５Ｔｏ
ｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一
方、導電性基板（７５２）としては、樅５０Ｘ横５０×
厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め２５０℃に
加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予
め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた高
周波ｔｇ（７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）
に２００Ｗａｔｔの電力を周波数１３．５６ＭＨｚの下
で印加して約１０時間プラズマ重合反応を行ない、導電
性基板（７５２）上に厚き１５μｍのａ　−ＣＩＩＩを
電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を
停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排
気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して３９原子％、また、オージ
ェ分析より含有されるハロゲン原子、即ち、弗素原子の
量は全構成原子に対して１．８原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、ボンベ交換の後、第１調節弁（７０７）、第５
調節弁（７１１）、及び第６調節弁（７１２）を解放し
、第１タンク（７０１）から水素ガス、第５タンク（７
０５）からアンモニアガス、及び第６タンク（７０６）
からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ａｍ２の下で第１、
第５、及び第６流量制御器（７１３，７１７、及び７１
８）内へ流入きせた。同時に、第４調節弁（７１０）を
解放し、第４タンク（７０４）より水素ガスで１１００
ｐｐに希釈されたジポランガスを、出力圧１．５Ｋｇ／
ｃｍ２の下で第４流旦制御１１（７１６）内へ、流入き
せた。各流量制御Ａ？Ｘの目盛を調整して水素ガスの流
量を２００ｓｅｃｍ、アンモニアガスの流量を２ｓｃｃ
ｍｓシランガスの流量を１０１００５ｅ、水素ガスで１
１００ｐｐに希釈きれたジボランガスの流量をｌｏｓｃ
ｃｍに設定し、反応室（７３３）内に流入させた。各々
の流量が安定した後に、反応室（，７３３）内の圧力が
０．９Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調
整した。一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（
７５２）は、２４０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧
力が安定した状態で、高周波電源（７３９）より周波数
１３．５６ＭＨｚの下で電力印加量＋Ｎ（７３６）に４
５Ｗａｔｔｃ′）電力を印加し、グロー放電を発生きせ
た。この放電を５分間行ない、厚ざ０．３μｍの電荷発
生層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中○ＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して２１原子％、硼素原子は１１原子Ｐ　９
ｍ％窒素原子は０．３原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一８９０Ｖ　（＋９４０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
のｉｉ能は５８Ｖ／ａｍ　（６１Ｖ／ｕｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約３７秒（約４３
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は３．１ルツク
ス・秒（２，０ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解きれる。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したどころ、鮮明な画像が得られた
。

塞流凹旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１、第２、及び第３調節弁（７０７，
７０８、及び７ｏ９）を解放し、第１タンク（７０１）
より水素ガス、第２タンク（７０２）よりアセチレンガ
ス、及び第３タンク（７０３）より四弗化炭素ガスを各
々出力圧１゜０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第
３流量制御器（７１３，７１４、及び７１５）内へ流入
きせた。そして各流量制御器の目盛を調整して、水素ガ
スの流量を１２０５　ＣＣｍ　％アセチレンガスの流量
を３５ｓｅｃｍ、及び四弗化炭素ガスの流量が７ｓｅｃ
ｍとなるように設定して、途中混合器（７３１）を介し
て、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した
。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧
力が２　、　ＯＴ　。

ｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一
方、導電性基板（７５２）としては、ｔ１１５０　Ｘ横
５０　Ｘ４３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め２
００℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状
態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続して
おいた高周波電源（７３９）を投入し、電力印加ｉ極（
７３６）に２００Ｗａｔｔの電力を周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚの下で印加して約５時間プラズマ重合反応を行ない
、導電性基板（７５２）上に厚３１５μｍのａ　−Ｃ膜
を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加
を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に
排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき有機元素分析
を行なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して３０原子％、また、オージェ
分析より含有されるハロゲン原子、即ち、弗素原子の量
は全構成原子に対して０．９原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、ボンベ交換の後、弁（７０７）、第５調節弁（
７１１）、及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タ
ンク（７０１）から水素ガス、第５タンク（７０５）か
ら窒素ガス、及び第６タンク（７０６）からシランガス
を、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、第５、及び第６
流量制御！（７１３，７１７、及び７１８）内へ流入さ
せた。同時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４タ
ンク（７０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈され
たジボランガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ａｍ２の下で第
４流量制御諸（７１６）内へ、流入させた。各′ｔＣ！
ｌｋ制′ｎ器の目盛を調整して水素ガスの流量を２００
ｓｅｃｍ、窒素ガスの流量をＬｏｓｅｃｍ、シランガス
の流量を１００　ｓ　ｅ　ｃ　ｍ　％水素ガスで１００
　ｐ　ｐｍに希釈されたジボランガスの流量を１０１０
５ｅに設定し、反応室（７３３）内に流入させた。各々
の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が０
．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整
した。一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７
５２）は、２５０℃に加熱しておき、ガスＦｆ！ｋ及び
圧力が安定した状態で、高周波電源（７３９）より周。

波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加Ｔｉ極（７３６）
に４０Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生させ
た。この放電を５分間行ない、厚き０゜３μｍの電荷発
生層を得た。

得られたａ−５ｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して２４原子％、硼素原子は１０原子ｐｐｍ
５窒素原子は１．０原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一８６０Ｖ　（＋９６０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は５６■／μｍ　（６３Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約３４秒（約４２
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を月いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要ときれた光量は１０ルツクス
・秒（４゜３ルツクス・秒）であり、このことから充分
な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解きれる。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

Ｘ塵廻４ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー）ｋ電分解装置において、まず、反
応装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真
空にした後、第３調節弁（７０９）を解放し、第３タン
ク（７０３）よ四弗化炭素ガスを出力圧１．０Ｋｇ／ｃ
ｍ２の下で第３流量制御器（７１５）内へ流入させた。

同時に、第１容器（７１９）よりスチレンガスを第１温
調器（７２２）温度５２℃のもと第７流量制運器（７２
８）内へ流入きせた。四弗化炭素ガスの流量を２５ｓＣ
Ｃｍ　Ｎ及びスチレンガスの流量を３８ｓＣｃｍとなる
ように設定して、途中混合＃（７３１）を介して、主管
（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。各々の
流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が１．
２Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整し
た。一方、導電性基板（７５２）としては、！５０Ｘ横
５０×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め２ｏ
○℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態
で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続してお
いた低周波電源（７４１）を投入し、電力中加電ｔｉ　
（７３６）に１５０Ｗａｔｔの電力を周波数６０ＫＨｚ
の下で印加して約２時開平プラズマ重合反応を行ない、
導電性基板（７５２）上に厚き１５μｍのａ−Ｃ膜を電
荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停
止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気
した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４４原子％であった。また
、オージェ分析より含有されるハロゲン原子、即ち、弗
素原子の量は、全構成原子に対して、２１原子％であっ
た。

電荷発生層形成工程： 次いで、ボンベ交換の後、第１調節弁（７０７）、第５
調節弁（７１１Ｌ及び第６調節弁（７１２）を解放し、
第１タンク（７０１）から水素ガス、第５タンク（７０
５）から窒素ガス、及び第６タンク（７０６）からシラ
ンガスを、出力圧ＩＫｇ／ａｍ”の下で第１、第５、及
び第６流量制御器（７１３，７１７、及び７１８）内へ
流入させた。同時に、第４調節弁（７１０）を解放し、
第４タンク（７０４）より水素ガスで１０ｐｐｍに希釈
されたホスフィンガスを、出力圧１゜５Ｋｇ／ａｍ２の
下で第４流量制御器（７１６）内へ、流入きせた。各流
量制＠器の目盛を調整して水素ガスの流量を２００ｓｅ
ｃｍ、窒素ガスの流量を３５　ＣＣｍ　％シランガスの
流量を２００ｓｃＣｒｒｈ水素ガスで１００　ｐ　ｐｍ
に希釈されたホスフィンガスの流量を１０１０５ｅに設
定し、反応室（７３３）内に流入させな。各々の流量が
安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が０．９Ｔｏ
ｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一
方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）は
、２５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３．５６
ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に３５Ｗａｔｔの
電力を印加し、グロー放電を発生させな。この放電を５
分間行ない、厚さ０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−３ｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して１８原子％、燐原子は１２原子ｐｐｍ、
窒素原子は０．３原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一３３０Ｖ　（＋４９５　Ｖ）で有り、即ち
、全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当
りの帯電能は２２Ｖ／μｍ（３２Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理Ｍきれ
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約９秒（約１４秒
）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する事
が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した後、
白色光を用いて最高帯＄電位の２０％の表面電位にまで
明減衰させたとこる必要とされた光量は４．４ルツクス
・秒（１゜６ルツクス・秒）であり、このことから充分
な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解きれる。

また、この感光体に対して常用のカーシランプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

＾塵亘旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの項に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第３調節弁（７０９）を解放し、第３タ
ンク（７０３）より四塩化炭素ガスを出力圧１．０Ｋｇ
／ｃｍ２の下で第３流量制御器（７１５）内へ流入させ
た。同時に、第１容器（７１９）よりミルセンガスを第
１温調器（７２２）温度４５℃のもと第７流量制御器（
７２８）内へ流入させた。四塩化炭素ガスの流量を２５
ｓＣＣｍ、及びミルセンガスの流量を１５ｓｅｃｍとな
るように設定して、途中混合器（７３１）を介して、主
管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。各々
の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が１
．５Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整
した。一方、導電性基板（７５２）としては、樅５０Ｘ
１５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め２
００℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状
態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続して
おいた低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電極（
７３６）に１７０Ｗａｔｔの電力を周波数３５ＫＨｚの
下で印加して約１時間２０分プラズマ重合反応を行ない
、導電性基板（７５２）上に厚き１５μｍのａ−Ｃ膜を
電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を
停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排
気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４７原子％であった。また
、オージェ分析より含有されるハロゲン原子、即ち、塩
素原子の量は全構成原子に対して１３．４原子％であっ
た。

電荷発生層形成工程： 次いで、ボンベ交換の後、第１調節弁（７０７）、第３
調節弁（７０９）、第５調節弁（７１１）、及び第６調
節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０１）から水
素ガス、第３タンク（７０３）から四弗化シランガス、
第５タンク（７０５）から窒素ガス、及び第６タンク（
７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下
で第１、第３、第５、及び第６流量制扉器（７１３，７
１５，７１７、及び７１８）内へ流入させた。同時に、
第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク（７０４）
より水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジボランガス
を、出力圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流量制御器（
７１６）内へ、流入させた。

各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を２００
ｓｅｃｍ、四弗化シランガスの流量を５０５ＣＣｍ、窒
素ガスの流量をｌｓｃｃｍ、シランガスの流量を５０５
ＣＣｍ％水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジボラン
ガスの流量を１１００５ＣＣとなるように設定し、反応
室（７３３）内に流入させた。各々の流量が安定した後
に、反応室（７３３）内の圧力が０．９Ｔｏｒｒとなる
ように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ
膜が形成されている導電性基板（７５２）は、２５０℃
に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、
高周波電源（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの下
で電力印加電極（７３６）に３５Ｗａｔｔの電力を印加
し、グロー放電を発生させな。この放電を５分間行ない
、厚き０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−３ｉ膜につき、金属中○ＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）、オージェ分析、及びＩＭ
Ａ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構成
原子に対して２２原子％、―素原子は９５原子ｐｐｍ、
弗素原子は５原子％、窒素原子は０．１原子％であった
。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一５００Ｖ　（＋５１０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３ａｍであることから１μｍ当り
の帯電能は３３Ｖ／μｍ　（３４Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１２秒（約１４
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は５．１ルツク
ス・秒（４，３ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は本発明感光体の構成を示す図面、第
７図乃至第８図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。 出願人　ミノルタカメラ株式会社 第１図 第２　図 第４図 第６図 手＆２！１正書 昭和６２年１０月２１日

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型感光体に
   おいて、該電荷輸送層は少なくともハロゲン原子を含有
   してなる水素化アモルファスカーボン膜であり、かつ、
   該電荷発生層は窒素原子を含有すると共に燐原子及び硼
   素原子のうち少なくとも一方を含有してなる水素化アモ
   ルファスシリコン膜或は窒素原子を含有すると共に燐原
   子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有してなる弗
   素化アモルファスシリコン膜であることを特徴とする感
   光体。