JPS6381450A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産呈上囚利里北野 本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する感光体に
関する。

従来技術 カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも゛様々な材料が開発
され実用化されてきた。

従来用いられて来た電子写真感光体材料の主なものとし
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質が挙げられる。また、その構成形態としては、これ
らの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散さ
せて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電
荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。

しかしながら、従来用いられて来た電子写真感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝された場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。

このような欠点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐
久性に富んだ材料として、グロー放電法により生成され
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原料
としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガス
であることから、出来上がった電子写真感光体も従来の
感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、成膜速度
が遅く、成膜時間の増大に伴い爆発性を有するシラン未
分解生成物を粉塵状に発生する等、生産上の不都合も多
い。また、この粉塵が製造時に感光層中に混入した場合
には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。さらに、アモ
ルファスシリコンは、元来、比誘電率が高いため帯電性
能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電するために
は膜厚を厚くする必要があり、高価なアモルファスシリ
コン膜を長時間堆積させなくてはならない。

ところでアモルファスカーボン膜自体は、プラズマ有機
重合膜として古くより知られており、例えばジエン（Ｍ
、５ｈｅｎ）及びベル（Ａ、Ｔ。

Ｂｅ１ｌ）により、１９７３年発行ののジャーナル・オ
ブ・アプライド・ポリマー・サイエンス（Ｊｏｕｒｎａ
　ｌ　　ｏｆ　　Ａｐｐ　Ｉ　ｉｅｄ　　Ｐ。

Ｉｙｍｅｒ　　５ｃｉｅｎｃｅ）第１７巻の第８８５頁
乃至第８９２頁において、あらゆる有機化合物のガスか
ら作製され得る事が、また、同著者により、１９７９年
のアメリカンケミカルソサエティ　　（Ａｍｅｒｉｃａ
、ｎ　　ＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ）発行による
プラズマボリマライゼーション（Ｐｌａｓｍａ　　Ｐｏ
ｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）の中でもその成膜性が論じ
られている。

しかしながら従来の方法で作製したプラズマ有機重合膜
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの膜は通常のポリエチレン膜の如＜１０１６ΩＣｍ程
度の比抵抗を有する絶縁膜と考えられ、或は、少なくと
もそのような膜であるとの認識のもとに用いられていた
。実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識か
ら、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁層に
限られており、所謂アンダーコート層もしくはオーバー
コート層としてしか用いられていなかった。

例えば、特開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合きれた網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５
９−３８７５３号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成される１０１３〜１０１５Ωｃｍの窩抵抗のプラズマ
重合膜を１０人〜１００人設けた上にアモルファスシリ
コン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５９−
１３６７４２号公報には、アルミ基板上に設けたアモル
ファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散する
のを防止するための保護層として１〜５μｍ程度の炭素
膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示きれている。

特開昭６０−６３５４１号公報には、アルミ基板とその
上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改善す
るために、接着層として２００人〜２μｍのダイヤモン
ド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留電荷
の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされている。

これらの開示は、何れも基板とアモルファスシリコン層
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、ａ−Ｓｉ
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。

また、例えば、特開昭５０−２０７２８号公報には、ポ
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層
としてグロー放電重合によるポリマー膜を０．１〜１μ
ｍ設けた感光体が開示されている。特開昭５９−２１４
８５９号公報には、アモルファスシリコン感光体の表面
に保護層としてスチレンやアセチレン等の有機炭化水素
モノマーをプラズマ重合させて５μｍ程度の膜を形成さ
せる技術が開示されている。特開昭６０−６１７６１号
公報には、表面保護層として、５００人〜２μｍのダイ
ヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示され、透光性
の面から膜厚ば２μｍ以下が好ましいときれてている。

特開昭６０−２４９１１５号公報には、ｏ、０５〜５μ
ｍ程度の無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層とし
て用いる技術が開示され、膜厚が５μｍを越えると感光
体活性に悪影響が及ぶときれている。

これらの開示は、何れも感光体表面に所謂オーバーコー
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、ａ−ｓｉの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。

また、特開昭５１−４６１３０号公報には、ポリビニル
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なって０．００１〜３μｍのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性に
ついては全く言及されていないし、ａ−３ｉの持つ前記
した本質的問題を解決するものではない。

一方、アモルファスシリコン膜については、スピア（Ｗ
、Ｅ、５ｐｅａｒ）及びレコンバ（Ｐ。

Ｇ、ＬｅＣｏｍｂｅｒ）により１９７６年発行のフィロ
ソフィカル・マガジン（Ｐｈｉｌ○５ｏｐｈｉｃａｌ　
　Ｍａｇａｚｉｎｅ）第３３巻の第９３５頁乃至第９４
９頁において、極性制御が可能な材料である事が報じら
れて以来、種々の光電デバイスへの応用が試みられて来
た。感光体への応用に関しては、例えば、特開昭５６−
６２２５４号公報、特開昭５７−１１９３５６号公報、
特開昭５７−１７７１４７号公報、特開昭５７−１１９
３５７号公報、特開昭５７−１７７１４９号公報、特開
昭５７−１１９３５７号公報、特開昭５７−１７７１４
６号公報、特開昭５７−１７７１４８号公報、特開昭５
７−１７４４４８号公報、特開昭５７−１７４４４９号
公報、特開昭５７−１７４４５０号公報、等に、炭素原
子を含有したアモルファスシリコン感光体が開示されて
いるが、何れもアモルファスシリコンの光導電性を炭素
原子により調整する事を目的としたものであり、また、
アモルファスシリコン自体厚い膜を必要としている。

発明が解決しようとする間”点 以上のように、従来、電子写真感光体に用いられている
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用きれていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚も高々５μｍ程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上問題にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で使用され
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。

本発明者らは、アモルファスカーボン膜の電子写真感光
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水素化アモルファスカーボン膜が膜中に
ハロゲン原子を含有せしめる事により、燐原子及び硼素
原子のうち少なくとも一方を含有してなる水素化或は弗
素化アモルファスシリコン膜との積層においては電荷輸
送性を有し、容易に好適な電子写真特性を示し始める事
を見出した。その理論的解釈には本発明者においても不
明確な点が多く詳細に亙り言及はできないが、ハロゲン
原子含有水素化アモルファスカーボン膜中に捕捉されて
いる比較的不安定なエネルギー状態の電子、例えばπ電
子、不対電子、残存フリーラジカル等が形成するバンド
構造が、燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含
有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜か
形成するバンド構造と電導帯もしくは荷電子帯において
近似したエネルギー準位を有するため、燐原子及び′＠
素原子のうち少なくとも一方を含有してなる水素化或は
弗素化アモルファスシリコン膜中で発生したキャリアが
容易にハロゲン原子含有水素化アモルファスカーボン膜
中へ注入され、さらに、このキャリアは前述の比較的不
安定なエネルギー状態の電子の作用によりハロゲン原子
含有水素化アモルファスカーボン膜中を好適に走行し得
るためと推定される。

本発明はその新たな知見を利用することにより、アモル
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的問題点を
全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異なる
、有機プラズマ重合膜、特に少なくともハロゲン原子を
含有してなる水素化アモルファスカーボン膜を電荷輸送
層として使用し、かつ、燐原子及び硼素原子のうち少な
くとも一方を含有してなる水素化或は弗素化アモルファ
スシリコンの薄膜を電荷発生層として使用した感光体を
提供する事を目的とする。

問題点を解′するための手段 即ち、本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成される少なくともハロゲン原子を含有する
水素化アモルファスカーボン膜であり、かつ、該電荷発
生層が燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有
してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜であ
ることを特徴とする感光体に関する（以下、本発明によ
る電荷輸送層をａ−Ｃ膜及び電荷発生層をａ−５ｉ膜と
称する）。

本発明は、従来のアモルファスシリコン感光体において
は、電荷発生層として優れた機能を有するアモルファス
シリコンを、電荷発生能が無くても電荷輸送能ざえあれ
ば済む電荷輸送層としても併用していたため発生してい
たこれらの問題点を解決すべく成されたものである。

即ち、本発明は、電荷輸送層としてグロー放電により生
成される少なくともハロゲン原子を含有してなる水素化
アモルファスカーボン膜を設け、かつ、電荷発生層とし
て同じくグロー放電により生成される燐原子及び＠素原
子のうち少なくとも一方を含有してなる水素化或は弗素
化アモルファスシリコン膜を設けた事を特徴とする機能
分離型感光体に関する。該電荷輸送層は、可視光もしく
は半導体レーザー光付近の波長の光に対しては明確なる
光導電性は有ざないが、好適な輸送性を有し、ざらに、
市電能、耐久性、耐候性、耐環境汚染性等の電子写真感
光体性能に優れ、しかも透光性にも優れるため、機能分
離型感光体としての積層構造を形成する場合においても
極めて高い自由度が得られるものである。また、該電荷
発生層は、可視光もしくは半導体レーザー光付近の波長
の光に対して優れた光導電性を有し、しかも従来のアモ
ルファスシリコン感光体に比べて極めて薄い膜厚で、そ
の機能を活かす事ができるものである。

本発明においては、ａ　−Ｃ膜を形成するために有機化
合物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。

該炭化水素における相状態は常温常圧において必ずしも
気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。

使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンデカン、ドデカン、トリテ゛カン、テトラデ
カン、ベンタテ゛カン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、
オクタデカン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコサ
ン、トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサ
ン、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナ
コサン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタト
リアコンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソブ
タン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネ
オヘキサン、２，３−ジメチルブタン、２−メチルヘキ
サン、３−エチルペンタン、２．２−ジメチルペンタン
、２．４−ジメチルペンタン、３．３−ジメチルペンタ
ン、トリブタン、２−メチルへブタン、３−メチルへブ
タン、２，２−ジメチルヘキサン、２．２．５−ジメチ
ルヘキサン、２．２．３−トリメチルペンタン、２，２
．４−トリメチルペンタン、２，３゜３−トリメチルペ
ンタン、２．３．４−トリメチルペンタン、イソナノン
、等のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化水
素としては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブチ
レン、１−ブテン、２−ブテン、１−ペンテン、２−ペ
ンテン、２−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ブ
テン、２−メチル−２−ブテン、１−ヘキセン、テトラ
メチルエチレン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノ
ネン、１−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン、
メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘキサジエ
ン、シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並びに、
オシメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、
等のトリオレフイン、並びに、アセチレン、ブタジイン
、１゜３−ペンタジイン、２．４−へキサジイン、メチ
ルアセチレン、１−ブチン、２−ブチン、１−ペンチン
、１−ヘキシン、１−ヘプチン、１−オクチン、１−ノ
ニン、１−デシン、等が用いられる。

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロベンクン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、ツ
エン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、フエ
ンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ビサボレ
ン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネンセ
スキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレン
、セドレン、カンホレン、フィロクラテ゛ン、ボドカル
ブレン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド等か
用いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメ
ン、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン
、ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチ
ルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビ
フェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェ
ニルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフ
タリン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン、
等が用いられる。

ざらに、炭化水素以外でも、例えば、アルコール類、ケ
トン類、エーテル類、エステル類、等炭素と成りうる化
合物であれば使用可能である。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
グロー放電を用いるというその製造面から必然的に定ま
るが、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね３０乃
至６ｏ原子％含有される。ここて、炭素原子並びに水素
原子の膜中含有量は、有機元素分析の常法、例えばｅＮ
Ｈ分析を用いる事により知る事ができる。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが
、例えば、基板温度を高くする、圧力を低（する、原料
炭化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これらの
組合せ操作は、含有水素量を低くする効果を有する。

本発明における電荷輸送層としてのａ　−Ｃ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、５乃至５
０ｕｍ、特に７乃至２０μｍが適当であり、５μｍより
薄いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度を得る
事ができない。また、５０Ｌ１ｍより厚いと、生産性の
面で好ましくない。

このａ−Ｃ膜は、高透光性、高暗抵抗を有するとともに
電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に５μｍ以上として
もキャリアはトラップされる事無く輸送され明減衰に寄
与する事が可能である。

本発明における原料気体からａ　−Ｃ膜を形成する過程
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ彼等を用いたプラズマ法により生成されるプラズ
マ状態を経て形成される方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成されるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される中
性粒子から形成されてもよいし、ざらには、これらの組
み合わせにより形成されてもよい。

本発明においては炭化水素の他に、ａ　−Ｃ膜中に少な
くともハロゲン原子を添加するためにハロゲン化合物が
使用される。ここでハロゲン原子とは、弗素原子、塩素
原子、臭素原子、及び沃素原子をいう。該ハロゲン化合
物における相状態は常温常圧において必ずしも気相であ
る必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇華
等を経て気化しうるものであれば、液相でも固相でも使
用。

可能である。ハロゲン化合物としては、例えば、弗素、
塩素、臭素、沃素、弗化水素、弗化塩素、弗化臭素、弗
化沃素、塩化水素、塩化臭素、塩化沃素、臭化水素、臭
化沃素、沃化水素、等の無機化合物、ハロゲン化アルキ
ル、ハロゲン化アリール、ハロゲ化スチレン、ハロゲン
化ポリメチレン、ハロホルム、等の有機化合物が用いら
れる。ハロゲン化アルキルとしては、例えば、フッ化メ
チル、塩化メチル、臭化メチル、ヨウ化メチル、フッ化
エチル、塩化エチル、臭化エチル、ヨウ化エチル、フッ
化プロピル、塩化プロピル、臭化プロピル、ヨウ化プロ
ピル、フッ化ブチル、塩化ブチル、臭化ブチル、ヨウ化
ブチル、フッ化アミル、塩化アミル、臭化アミル、ヨウ
化アミル、フッ化ヘキシル、塩化ヘキシル、臭化ヘキシ
ル、ヨウ化ヘキシル、フッ化へブチル、塩化へブチル、
臭化へブチル、ヨウ化へブチル、フッ化オクチル、塩化
オクチル、臭化オクチル、ヨウ化オクチル、フッ化ノニ
ル、塩化ノニル、臭化ノニル、ヨウ化ノニル、フッ化デ
シル、塩化デシル、臭化デシル、ヨウ化デシル、等が用
いられる。ハロゲン化アリールとしては、例えば、フル
オルベンゼン、クロルベンゼン、ブロムベンゼン、ヨー
ドベンゼン、クロルトルエン、ブロムトルエン、クロル
ナフタリン、ブロムナフタリン、等が用いられる。ハロ
ゲン化スチレンとしては、例えば、クロルスチレン、ブ
ロムスチレン、ヨードスチレン、フルオルスチレン、等
が用いられる。ハロゲン化ポリメチレンとしては、例え
ば、塩化メチレン、臭化メチレン、ヨウ化メチレン、塩
化エチレン、臭化エチレン、ヨウ化エチレン、塩化トリ
メチレン、臭化トリメチレン、ヨウ化トリメチレン、ジ
塩化ブタン、ジ臭化ブタン、ショウ化ブタン、ジ塩化ペ
ンタン、ジ臭化ペンタン、ショウ化ペンタン、ジ塩化ヘ
キサン、ジ臭化ヘキサン、ショウ化ヘキサン、ジ塩化へ
ブタン、ジ臭化へブタン、ショウ化へブタン、ジ塩化オ
クタン、ジ臭化オクタン、ショウ化オクタン、ジ塩化ノ
ナン、ジ臭化ノナン、ジ塩化デカン、ジヨウ化デカン、
等か用いられる。ハロホルムとしては、例えば、フルオ
ロホルム、クロロホルム、ブロモホルム、ヨードホルム
、等が用いられる。

本発明において化学的修飾物質として含有されるハロゲ
ン原子の量は、全構成原子に対して０゜１乃至２：、５
原子％である。ここで、膜中に含有されるハロゲン原子
の量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析により知
る事ができる。ハロゲン原子の量が０．１原子％より低
い場合には、必ずしも好適な電荷輸送性が保証されず、
感度低下もしくは残留電位の発生等を生じ易くなり、ま
た、経時的感度安定性も保証されなくなる。ハロゲン原
子の量が２５原子％より高い場合には、適量の添加では
好適な電荷輸送性と残留電位発生防止を保証していたハ
ロゲン原子が、逆に、帯電能の低下、ざらには経時後の
暗抵抗を低くする作用を示し、数カ月単位の保管中に電
荷保持能の低下を招く。また、必ずしも成膜性が保証さ
れなくなり、膜の剥離、油状化もしくは粉体化を招く。

従って、本発明におけるハロゲン原子添加量の範囲は重
要である。

本発明において化学的修飾物質として含有きれるハロゲ
ン原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への
前述のハロゲン化合物の導入量を増減することにより制
御することが可能である。

ハロゲン化合物の導入量を増大させれば、本発明による
ａ−Ｃ膜中へのハロゲン原子の添加量を高くすることが
可能であり、逆にハロゲン化合物の導入量を減少きせれ
ば、本発明によるａ　−Ｃ膜中へのハロゲン原子の添加
量を低くすることが可能である。

本発明においては、ａ−ｓｉｉを形成するためにシラン
ガス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用いられ
る。また、化学的修飾物質として燐原子或は硼素原子を
膜中に含有せしめるための原料ガスとして、ホスフィン
ガス或はジボランガスが用いられる。

本発明において化学的修飾物質として含有される燐原子
或は硼素原子の量は、全構成原子に対して２００００原
子ｐｐｍ以下である。ここで燐原子或は硼素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或はＩ
ＭＡ分析により知る事ができる。燐原子或は硼素原子の
膜中含有量が２ｏｏｏｏ原子ｐｐｍより高い場合には、
少量の添加では好適な輸送性、或は、極性制御効果を保
証していた燐原子或は硼素原子が、逆に膜の低抵抗化を
招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。従って、本発
明における燐原子或は硼素原子添加量の範囲は重要であ
る。

本発明におけるａ−Ｓｉ膜中に含まれる水素原子或は弗
素原子の量はグロー放電を用いるというその製造面から
必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシリコ
ン原子と弗素原子の総量に対して、概ね１０乃至３５原
子％含有される。ここで、水素原子或は弗素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えば金属中ＯＮＨ分析÷
恰１装、オージェ分析等を 用いる事により知る事ができる。

本発明における電荷発生層としてのａ−Ｓｉ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、０．１乃
至５μｍが適当であり、０．１μｍより薄いと、光吸収
が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、感
度の低下を招く。また、５μｍより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このａ−Ｓｉ膜は電荷発生能に富み、
ざらに、本発明の最も特徴とするところのａ−Ｃ膜との
積層構成において効率よ＜ａ−Ｃ膜中に発生キャリアを
注入せしめ、好適な明減衰に寄与する事が可能である。

本発明における原料気体からａ−３ｉ膜を形成する過程
は、ａ−Ｃ膜を形成する場合と同様にして行なわれる。

本発明において化学的修飾物質として含有される燐原子
或は硼素原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応
室への前述のホスフィンガス或はジボランガスの導入量
を増減することにより制御することが可能である。ホス
フィンガス或はジボランガスの導入量を増大させれば、
本発明によるａ−３ｉ膜中への燐原子或は硼素原子の添
加量を寓くすることが可能であり、逆にホスフィンガス
或はジボランガスの導入量を減少させれば、本発明によ
るａ−Ｓｉ膜中への燐原子或は硼素原子の添加量を低く
することが可能である。

本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
成る機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。

第１図は、その一形態として、導電性基板（１）上に電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）を順次積層してなる
構成を示したものである。第２図は、別の一形態として
、導電性基板（１）上に電荷発生層（３）と電荷輸送層
（２）を順次積層してなる構成を示したものである。第
３図は、別の一形態として、導電性基板（１）上に、電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。

感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正畢電した
後、画像露光して使用する場合においては、第１図では
電荷発生層（３）で発生した正孔が電荷輸送層（２）中
を導電性基板（１）に向は走行し、第２図では電荷発生
層（３）で発生した電子が電荷輸送層（２）中を感光体
表面に向は走行し、第３図では電荷発生層（３）で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送層（２）中を導電性
基板（１）に向は走行すると共に、同時に電荷発生層（
３）で発生した電子が表面側の電荷輸送層（２）中を感
光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証きれた静電
潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電し
た後、画像露光して使用する場合においては、電子と正
孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれば
よい。第２図及び第３国では、画像露光用の照射光が電
荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による電荷輸
送層は透光性に優れることから、好適な潜像形成を行な
うことが可能である。

第４図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と表面保護層（
４）を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第１図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第１図の形態では、最表面が＃４湿性に乏しいａ−３ｉ
膜で有ることから、多くの場合実用上の対湿度安定性を
確保する′ために表面保護層を設けることが好ましい。

第２図及び第３図の構成の場合、最表面が耐久性に優れ
たａ−Ｃ膜であるため表面保護層を設けなくてもよいが
、例えば現像剤の付着による感光体表面の汚れを防止す
るような、複写機内の各種エレメントに対する整合性を
調整する目的から、表面保護層を設けることもざらなる
一形態と成りうる。

第５図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第２
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第２図の
形態では、導電性基板との接合面がａ−３ｉ膜である事
から、多くの場合接着性及び注入阻止効果を確保するた
めに中間層を設ける事が好ましい。第１図及び第３図の
構成の場合、導電性基板との接合面が、接着性及び注入
阻止効果に優れた、本発明による電荷輸送層であるため
、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前
処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合
性を調整する目的から、中間層を設けることもざらなる
一形態と成りうる。

第６図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）
と表面保護層（４）を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第１図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。

中間層と表面保護層の設置理由は前述と同様であり、従
って第２図及び第３図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもざらなる一形態と成りうる。

本発明において中間層と表面保護層は、材料的にも、製
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるａ−Ｃ膜を用いてもよい。但し、用い
る材料が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材料である
場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は５μｍ以下
に留める必要がある。

本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で放電分解い発生したプラズマ雰囲気中に含まれ
る活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散、電気力、
あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再結合反応
により固相として堆積させる、所謂プラズマ重合反応か
ら生成される事が好ましい。

第７図は本発明に係わる感光体の製造装置を示し、図中
（７０１）〜（７０６）は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを密封した第１乃至第６タ
ンクで、各々のタンクは第１乃至第６調節弁（７０７）
〜（７１２）と第１乃至第６流量制御器（７１３）〜（
７１８）に接続されている。図中（７１９）〜（７２１
）は常温において液相または固相状態にある原料化合物
を封入した第１乃至第３容器で、各々の容器は気化のた
め第１乃至第３温調器（７２２）〜（７２４）により与
熱可能であり、ざらに各々の容器は第７乃至第９調節弁
（７２５）〜（７２７）と第７乃至第９流量制御器（７
２８）〜（７３０）に接続されている。これらのガスは
混合器（７３１）で混合された後、主管（７３２）を介
して反応室（７３３）に送り込まれる。途中の配管は、
常温において液相または固相状態にあった原料化合物が
気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置さ
れた配管加熱器（７３４）により、与熱可能とされてい
る。反応室内には接地電極（７３５）と電力印加電極（
７３６）が対向して設置され、各々の電極は電極加熱器
（７３７）により与熱可能とされている。電力印加電極
（７３６）には、高周波電力用整合器（７３８）を介し
て高周波電源（７３９）、低周波電力用整合器（７４０
）を介して低周波電源（７４１）、ローバスフィルタ（
７４２）を介して直流型！　（７４３）が接続されてお
り、接続選択スイッチ（７４４）により周波数の異なる
電力が印加可能とされている。反応室（７３３）内の圧
力は圧力制御弁（７４５）により調整可能であり、反応
室（７３３）内の減圧は、排気系選択弁（７４６）を介
して、拡散ポンプ（７４７）　、油回転ポンプ（７４８
）　、或は、冷却除外装置（７４９）　、メカニカルブ
ースター。

ポンプ（７５０）、油回転ポンプ（７４８）により行な
われる。排ガスについては、さらに適当な除外装置（７
５３）により安全無害化した後、大気中に排気される。

これら排気系配管についても、常温において液相または
固相状態にあった原料化合物が気化したガスが、途中で
凝結しないように、適宜配置された配管加熱器（７３４
）により、与熱可能とされている。反応室（７３３）も
同様の理由から反応室加熱器（７５１）により与熱可能
とされ、内部に配された電極上に導電性基板（７５２）
が設置される。第７図において導電性基板（７５２）は
接地電極（７３５）に固定して配きれているが、電力印
加電極（７３６）に固定して配されてもよく、ざらに双
方に配されてもよい。

第８図は本発明に係わる感光体の製造装置の別の一形態
を示し、反応室（８３３）内部の形態以外は、第７図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様であり、
付記された番号は、７００番台のものを８００番台に置
き換えて解すればよい。第８図において、反応室（８３
３）内部には、第７図における接地電極（７３５）を兼
ねた円筒形の導電性基板（８５２）が設置され、内側に
は電極加熱器（８３７）が配されている。導電性基板（
８５２）周囲には同じく円筒形状をした電力印加電極（
８３６）が配され、外側には電極加熱器（８３７）が配
されている。導電性基板（８５２）は、外部より駆動モ
ータ（８５４）を用いて自転可能となっている。

感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め１
０−４乃至１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度にまで減圧し、真空度
の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配され
た導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板に
は、前述の如き感光体構成の中から所望の構成を得るた
めに、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷発
生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電荷
発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を用
いてもよい。次いで、第１乃至第６タンク及び第１乃至
第３容器から、原料ガスを適宜第１乃至第９流量制御器
を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節
弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が
安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば高周波
電源を選択し、電力印加電極に高周波電力を投入する。

両電極間には放電が開始され、時間と共に基板上に固相
の膜が形成される。ａ−３ｉ膜或はａ−Ｃ膜は、原料ガ
スを代える事により任意に形成可能である。放電を一旦
停止し、原料ガス組成を変更した後、再び放電を再開す
れば異なる組成の膜を積層する事ができる。また、放電
を持続させながら原料ガス流量だけを徐々に代え、異な
る組成の膜を勾配を持たせながら積層する事も可能であ
る。

反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚並びに積層構
成に達したところで放電を停止し、本発明による感光体
を得る。次いで、第１乃至第９調節弁を閉じ、反応室内
を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得られる
場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明によ
る感光体を取り出す。更に所望の感光体構成において、
電荷発生層或はオーバーコート層が必要とされる場合に
は、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦真空を
破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け、本発
明による感光体を得る。

以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。

実施例１ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１、第２、及び第３調節弁（７０７，７０
８、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）より
水素ガス、第２タンク（７０２）よりブタジェンガス、
及び第３タンク（７０３）より四塩化炭素ガスを各々出
力圧１゜○Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第３流
量制御器（７１３，７１４、及び７１５）内へ流入させ
た。水素ガスの流量を６０ｓｅｃｍ、ブタジェンガスの
流量を６０ｓｃｃｍ、及び四塩化炭素ガスの流量を３０
ｓｅｃｍとなるように設定して、途中混合器（７３１）
を介して、主！（７３２）より反応室（７３３）内へ流
入した。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）
内の圧力が２゜○Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７
４５）を調整した。一方、導電性基板（７５２）として
は、樅５０×横５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用
いて、予め１２０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力
が安定した状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）に
より接続しておいた低周波電源（７４１）を投入し、電
力印加電極（７３６）に１２０Ｗａｔｔの電力を周波数
３００ＫＨｚの下で印加して約３０分間プラズマ重合反
応を行ない、導電性基板（７５２）上に厚き１５μｍの
ａ−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、
電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内
を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき金属中○ＮＨ
分析（板場製作所製ＥＭＧＡ−１３００）を行なったと
ころ、含有される水素原子の量は炭素原子と水素原子の
総量に対して５５原子％、また、オージェ分析より含有
されるハロゲン原子、即ち、塩素原子の量は全構成原子
に対して５．９原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、第１調節弁（７０７）　、及び第６調節弁（７
１２）を解放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、
及び第６タンク（７０６）からシランガスを、出力圧Ｉ
Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第６流量制御器（７１３
、及び７１８）内へ流入させな。同時に、第４調節弁（
７１０）を解放し、第４タンク（７０４）より水素ガス
で１１００ｐｐに希釈されたジポランガスを、出力圧１
．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流量制御器（７１６）内へ
、流入させな。各流量制御器の目盛を調整して水素ガス
の流量を２００ｓｃｃｒｒ＋、シランガスの流量を１０
１００５ｅ、水素ガスで１００　ｐ　ｐｍに希釈きれた
ジボランガスの流量を１０１０５ｅに設定し、反応室（
７３３）内に流入きせた。各々の流量が安定した後に、
反応室（７３３）内の圧力が０．８Ｔｏｒｒとなるよう
に圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ膜が
形成されている導電性基板（７５２）は、２５０℃に加
熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周
波電源（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電
力印加電極（７３６）に３５Ｗａｔｔの電力を印加し、
グロー放電を発生させた。この放電を５分間行ない、厚
ざ０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−３ｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して１８原子％、硼素原子は１０原子ｐｐｍ
であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一６００Ｖ　（＋５９０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は３９Ｖ／μｍ　（３９Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１５秒（約１６
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰きせたところ必要ときれた光量は１．４ルツク
ス・秒（１，５ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

Ｘ施週旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示。

す如き、導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順
に設けた本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置に８いて、まず、反応
装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第３調節弁（７０９）を解放し、第３タンク
（７０３）より四塩化炭素ガスを出力圧１．０Ｋｇ／ｃ
ｍ２の下で第３流量制御器（７１５）内へ流入させな。

同時に、第１容器（７１９）よりミルセンガスを第１温
調器（７２２）温度３０℃のもと第７流量制御器（７２
８）内へ流入させな。四塩化炭素ガスの流量を２５ｓｃ
ｃｍ、及びミルセンガスの流量を１５ｓｅｃｍとなるよ
うに設定して、途中混合器（７３１）を介して、主、’
！’（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。各
々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が
１．５Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調
整した。一方、導電性基板（７５２）としては、樅５０
×横５０×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め
２００℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した
状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）に↓り接続し
ておいた低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電極
（７３６）に１７０Ｗａｔｔの電力を周波数３５ＫＨｚ
の下で印加して約１時間２０分プラズマ重合反応を行な
い、導電性基板（７５２）上に厚ざ１５μｍのａ−Ｃ膜
を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加
を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に
排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき金属中ＯＮ
Ｈ分析（板場製作所製ＥＭＧＡ−１３００）を行なった
ところ、含有される水素原子の量は炭素原子と水素原子
の総量に対して４７原子％であった。また、オージェ分
析より含有されるハロゲン原子、即ち、塩素原子の量は
全構成原子に対して１３．４原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、第１調節弁（７０７）　、第２調節弁（７０８
）、及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（
７０１）から水素ガス、第２タンク（７０２）から四弗
化シランガス、及び第６タンク（７０６）からシランガ
スを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第
６流量制御器（７１３，７１４、及び７１８）内へ流入
きせな。同時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４
タンク（７０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈さ
れたジボランガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で
第４流量制御器（７１６）内へ、流入きせた。各流量制
御器の目盛を調整して水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍ
、四弗化シランガスの流量を５０ｓｅｃｍ、シランガス
の流量を５０ｓｅｃｍ。

水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジボランガスの流
量を１０１００５ｅに設定し、反応室（７３３）内に流
入させた。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３
）内の圧力が０．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（
７４５）を調整した。

一方、ａ−σ膜が形成きれている導電性基板（７５２）
は、２３０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定
した状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３．５
６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に３５Ｗａｔｔ
の電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放電を
５分間行ない、厚き０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して２１原子％、硼素原子は１００原子ｐｐ
ｍ、弗素原子は５原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一５５０Ｖ　（＋３８０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることがら°１μｍ当
りの帯電能は３６Ｖ／μｍ（２５Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１３秒（約８秒
）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する事
が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後、
白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にまで
明減衰させたところ必要とされた光景は１．２ルツクス
・秒（３゜９ルツクス・秒）であり、このことから充分
な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

Ｘ旅伝旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０”６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１、第２、及び第３調節弁（７０７，
７０８、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）
より水素ガス、第２タンク（７０２）よりアセチレンガ
ス、及び第３タンク（７０３）より四弗化炭素ガスを各
々出力圧１゜０Ｋｇ／ａｍ２の下で第１、第２、及び第
３流量制御器（７１３，７１４、及び７１５）内へ流入
させた。そして各流量制御器の目盛を調整して、水素ガ
スの流量を１２０ｓｅｃｍ、アセチレンガスの流量を３
５ｓｅｃｍ、及び四弗化炭素ガスの流量が７ｓｅｃｍと
なるように設定して、途中混合器（７３１）を介して、
主！（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。各
々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が
２．ＯＴ。

ｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一
方、導電性基板（７５２）としては、！５０×横５０Ｘ
厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め２００℃に
加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予
め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた高
周波電源（７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）
に２００Ｗａｔｔの電力を周波数１３．５６ＭＨｚの下
で印加して約５時間プラズマ重合反応を行ない、導電性
基板（７５２）上に厚き１５μｍのａ　−Ｃ膜を電荷輸
送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し
、ＦＡＷＪ弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気
した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき金属中○Ｎ
Ｈ分析（板場製作所製ＥＭＧＡ−１３００）を行なった
ところ、含有される水素原子の量は炭素原子と水素原子
の総量に対して３ｏ原子％、また、オージェ分析より含
有されるハロゲン原子、即ち、弗素原子の量は全構成原
子に対して０．９原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、第１調節弁（７０７）　、及び第６調節弁（７
１２）を解放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、
及び第６タンク（７０６）からシランガスを、出力圧Ｉ
Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第６流量制御器（７１３
、及び７１８）内へ流入させた。同時に、第４調節弁（
７１０）を解放し、第４タンク（７０４）より水素ガス
で１１００ｐ１１）に希釈きれたジボランガスを、出力
圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流量制御器（７１６）
内へ、流入させな。各流量制御器の目盛を調整して水素
ガスの流量を２００ｓｅｃｍ、シランガスの流量を１０
０１００５ｅ水素ガスで１００　ｐ　ｐｍに希釈された
ジボランガスの流量を１００　ｓ　ｃ　ａｍに設定し、
反応室（７３３）内に流入させた。各々の流量が安定し
た後に、反応室（７３３）内の圧力が０．８Ｔｏｒｒと
なるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、ａ
−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）は、２５
０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態
で、高周波電源（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚ
の下で電力印加型ｆｆ１ｉ＜７３６）に３５Ｗａｔｔの
電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放電を５
分間行ない、厚き０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−３ｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所袈ＥＭＧＡ−１３００）、オージェ分析、及びＩＭ
Ａ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構成
原子に対して１５原子％、硼素原子は１００原子ｐｐｍ
であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負棗
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一９５０Ｖ　（＋８７５Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は６２■／μｍ（５７Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれた
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約４０秒（約３５
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は１０．５ルツ
クス・秒（２，９ルツクス・秒）であり、このことから
充分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

去旅豊丘 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１、第２、及び第３（７０７，７０８
、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）より水
素ガス、第２タンク（７０２）よりエチレンガス、及び
第３タンク（７０３）より四弗化炭素ガスを各々出力圧
１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第３流量制
御器（７１３，７１４、及び７１５）内へ流入させた。

そして各流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量
を６０ｓｅｃｍ、エチレンガスの流量を６０ｓｅｃｍ、
及び四弗化炭素ガスの流量を３０ｓｅｃｍとなるように
設定して、途中混合器（７３１）を介して、主管（７３
２）より反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が
安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が１．５Ｔｏ
ｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一
方、導電性基板（７５２）としては、樅５０×横５０×
厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め２５０℃に
加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予
め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた高
周波電源（７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）
に２００Ｗａｔｔの電力を周波数１３．５６ＭＨｚの下
で印加して約１０時間プラズマ重合反応を行ない、導電
性基板（７５２）上に厚き１５μｍのａ　−Ｃ膜を電荷
輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止
し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気し
た。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき金属中ＯＮＨ
分析（板場製作所製ＥＭＧＡ−１３００）を行なったと
ころ、含有きれる水素原子の量は炭素原子と水素原子の
総量に対して３９原子％、また、オージェ分析より含有
されるハロゲン原子、即ち、弗素原子の量は全構成原子
に対して１．８原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、第１調節弁（７０７）、第２調節弁（７０８）
、及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７
０１）から水素ガス、第２タンク（７０２）から四弗化
シランガス、及び第６タンク（７０６）からシランガス
を、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第６
流量制瀕器（７１３，７１４、及び７１８）内へ流入さ
せな。同時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４タ
ンク（７０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈され
たホスフィンガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で
第４流量制御器（７１６）内へ、流入させた。各流量制
御器の目盛を調整して水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍ
、四弗化シランガスの流量を７０ｓｃｃｍｓシランガス
の流量を５０ＳＣＣｍ１水素ガスで１１００ｐｐに希釈
されたホスフィンガスの流量を１０１０５ｅに設定し、
反応室（７３３）内に流入させた。各々の流量が安定し
た後に、反応室（７３３）内の圧力が０．８Ｔ。

ｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一
方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）は
、２４０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３．５６
ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に４０Ｗａｔｔの
電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放電を５
分間行ない、厚き０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ　　１３００）　、オージェ分析、及び
ＩＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全
構成原子に対して２６原子％、燐原子は１５原子ｐｐｍ
、弗素原子は５．６原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一８６０Ｖ　（＋９５０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は５６Ｖ／μｍ　（６２Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約２６秒（約４１
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰きせたところ必要とされた光量は２．○ルック
ス・秒（４，５ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解きれた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

大旅例旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第３調節弁（７０９）を解放し、第３タ
ンク（７０３）よ四弗化炭素ガスを出力圧１．０Ｋｇ／
ｃｍ２の下で第３流量制御器（７１５）内へ流入させた
。同時に、第１容器（７１９）よりスチレンガスを第１
温調器（７２２）温度５２℃のもと第７流量制御器（７
２８）内へ流入させた。四弗化炭素ガスの流量を２５ｓ
ｅｃｍ、及びスチレンガスの流量を３８ｓｅｃｍとなる
ように設定して、途中混合器（７３１）を介して、主管
（７３２）より反応室（７３’３）内へ流入した。各々
の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が１
．２Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整
した。一方、導電性基板（７５２）としては、樅５０×
横５０×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め２
００℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状
態で、予め接続選択スイッチ（７４４，）により接続し
ておいた低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電極
（７３６）に１５０Ｗａｔｔの電力を周波数６０ＫＨｚ
の下で印加して約２時開平プラズマ重合反応を行ない、
導電性基板（７５２）上に厚ざ１５μｍのａ−Ｃ膜を電
荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停
止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気
した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき金属中ＯＮ
Ｈ分析（板場製作所製ＥＭＧＡ−１３００）を行なった
ところ、含有される水素原子の量は炭素原子と水素原子
の総量に対して４３原子％であった。また、オージェ分
析より含有されるハロゲン原子、即ち、弗素原子の量は
、全構成原子に対して、２１原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、第１調節弁（７０７）、第２調節弁（７０８）
、及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７
０１）から水素ガス、第２タンク（７０２）から四弗化
シランガス、及び第６タンク（７０６）からシランガス
を、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第６
流量ＩＩＪ御器（７１３，７１４、及び７１８）内へ流
入させた。同時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第
４タンク（７０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈
されたホスフィンガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２の
下で第４流量制御器（７’１６）内へ、流入きせた。各
流量制御語の目盛を調整して水素ガスの流量を２５０ｓ
ｅｃｍ、四弗化シランガスの流量を５０ｓｅｃｍ、シラ
ンガスの流量を５０ｓ　ｅ　ｃｍ１水素ガスで１１００
ｐｐに希釈されたホスフィンガスの流量を１０１００５
ｅに設定し、反応室（７３３）内に流入させた。各々の
流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が１．
ＯＴ。

ｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一
方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）は
、２３０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３．５６
ＭＨｚの下で電力印加型ｉ　（７３６）に４０Ｗａｔｔ
の電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放電を
５分間行ない、厚き０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−３ｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有されろ水素原子は全構
成原子に対して２２原子％、燐原子は１０８原子ｐｐｍ
、弗素原子は５原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一２６０Ｖ　（＋４６０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は１７Ｖ／μｍ　（３０Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれ
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約５秒（約１１秒
）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する事
が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した後、
白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にまで
明減衰きせたとこる必要とされた光量は５ルツクス・秒
（２０ルツクス・秒）であり、このことから実用上問題
のない光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

去施勇旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 実施例］と同様にして本発明による電荷輸送層を形成し
た。

電荷発生層形成工程； 次いで、第１調節弁（７０７）、第２調節弁（７０８）
、及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７
０１）から水素ガス、第２タンク（７０２）から四弗化
シランガス、及び第６タンク（７０６）からシランガス
を、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第６
流量制御器（７１３．７１４、及び７１８）内へ流入さ
せな。同時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４タ
ンク（７０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈され
たジポランガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第
４流量制御器（７１６）内へ、流入させた。各流量制御
器の目盛を調整して水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍ、
四弗化シランガスの流量を５０ｓｃｃｍ１シランガスの
流量を５０３ＣＣｍ。

水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジボランガスの流
量を１０１０５ｅに設定し、反応室（７３３）内に流入
させた。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）
内の圧力が０．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７
４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導
電性基板（７５２）は、２３０℃に加熱しておき、ガス
流量及び圧力が安定した状態で、高周波電源（７３９）
より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３
６）に３５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生
きせな。この放電を５分間行ない、厚ざ０゜３μｍの電
荷発生層を得た。

得られたａ−３ｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して２４原子％、硼素原子は１３原子ｐｐｍ
％弗素原子は５原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一６６０Ｖ　（＋６６０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は４３■／μｍ　（４３Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａＸからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１３秒（約１４
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。まＪこ、最高帯電電位に初期帯電した
後、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位に
まで明減衰させたとこる必要とされた光量は１．８ルツ
クス・秒（１，９ルツクス・秒）であり、このことがら
充分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

去光倒ユ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 実施例２と同様にして本発明による感光体の電荷輸送層
を形成した。

電荷発生層形成工程： 次いで、第１調節弁（７０７）　、及び第６調節弁（７
１２）を解放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、
及び第６タンク（７０６）からシランガスを、出力圧Ｉ
Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第６流量制御器（７１３
、及び７１８）内へ流入させた。同時に、第４調節弁（
７１０）を解放し、第４タンク（７０４）より水素ガス
で１１００ｐｐに希釈されたホスフィンガスを、出力圧
１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流量制御器（７１６）内
へ、流入させた。各流量制御器の目盛を調整して水素ガ
スの流量を２００ｓｅｃｍ、シランガスの流量を１０１
００５ｅ水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたホスフィ
ンガスの流量を１０１０５ｅに設定し、反応室（７３３
）内に流入させた。各々の流量が安定した後に、反応室
（７３３）内の圧力が０．８Ｔｏｒｒとなるように圧力
調節弁（７４５）を調整した。一方、ａ　−Ｃ膜が形成
されている導電性基板（７５２）は、２５０℃に加熱し
ておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周波電
源（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印
加電極（７３６）に４０Ｗａｔｔの電力を印加し、グロ
ー放電を発生させな。この放電を５分間行ない、厚き０
．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−３ｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　１．ｔ−ジ工分析、及び
ＩＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全
構成原子に対して１８原子％、燐原子は１２原子ｐｐｍ
であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの　。

中で負帯電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が
得られた。ここでは、正帯電時のｆｆ１ｌｌ定値を括弧
内に示すが、最高帯電電位は一３４０Ｖ　（＋５０５Ｖ
）で有り、即ち、全感光体膜厚が１５゜３μｍであるこ
とから１μｍ当りの帯電能は２２■／μｍ　（３３Ｖ／
μｍ）と極めて高く、このことから充分な帯電性能を有
する事が理解された。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１０秒（約１４
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は３．１ルツク
ス・秒（７，○ルックス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

去旅然旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 実施例４と同様にして本発明による感光体の電荷輸送層
を形成した。

電荷発生層形成工程： 次いで、第１調筋弁（７０７）、及び第６調節弁（７１
２）を解放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、及
び第６タンク（７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫ
ｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第６流量制御器（７１３、
及び７１８）内へ流入させた。同時に、第４調節弁（７
１０）を解放し、第４タンク（７０４）より水素ガスで
１１００ｐｐに希釈されたホスフィンガスを、出力圧１
．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流量制御器（７１６）内へ
、流入させな。各流量制瀕器の目盛を調整して水素ガス
の流量を２００ｓｅｃｍ、シランガスの流量を１０１０
０５ｅ、水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたホスフィ
ンガスの流量を１０１００５ｅに設定し、反応室（７３
３）内に流入させた。各々の流量が安定した後に、反応
室（７３３）内の圧力が０．８Ｔｏｒｒとなるように圧
力調節弁（７４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ膜が形成
されている導電性基板（７５２）は、２００℃に加熱し
ておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周波電
源（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印
加電極（７３６）に５５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロ
ー放電を発生きせた。この放電を５分間行ない、厚ざ０
．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）、オージェ分析、及びＩＭ
Ａ分析を行なったところ、含有きれる水素原子は全構成
原子に対して２０原子％、燐原子は１１５原子ｐｐｍで
あった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一６７０Ｖ　（＋９５５Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は４４Ｖ／μｍ（６２Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約２５秒（約４２
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事か理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は１．４ルツク
ス・秒（５，９ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解きれた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、。

鮮明な画像が得られた。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は本発明感光体の構成を示す図面、第
７図乃至第８図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。 出願人　ミノルタカメラ株式会社 第１図　　第２図 第３図　　第４図 第５図　　第６図 手続補正書 昭和６２年１０月２１日 昭和６１年特許願第６／−λ２’ｆ３５１．号２、発明
の名称 感光体 ３、　ｌ正をする者 事件との関係　　出願人 住所　大阪市東区安土町２丁目３０番地　大阪国際ビル
名称　（６０７）　　　ミノルタカメラ株式会社自発補
正 ５、補正の対象 図面 ６、補正の内容 図面第８図を「訂正第８図」の通り補正します。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型感光体に
   おいて、該電荷輸送層は少なくともハロゲン原子を含有
   してなる水素化アモルファスカーボン膜であり、かつ、
   該電荷発生層は燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一
   方を含有してなる水素化アモルファスシリコン膜或は燐
   原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有してなる
   弗素化アモルファスシリコン膜であることを特徴とする
   感光体。