JPS6381454A - 感光体 - Google Patents
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- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims abstract description 29
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract description 27
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 claims abstract description 22
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 123
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 143
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 138
- 239000010408 film Substances 0.000 description 134
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 63
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 55
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 46
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 27
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 25
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 21
- -1 hydrazone compounds Chemical class 0.000 description 19
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 17
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 15
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 11
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 10
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 10
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 10
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 9
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 9
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 9
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 9
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 7
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 7
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UAHWPYUMFXYFJY-UHFFFAOYSA-N beta-myrcene Chemical compound CC(C)=CCCC(=C)C=C UAHWPYUMFXYFJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 6
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 6
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 6
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N but-2-ene Chemical compound CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- XNMQEEKYCVKGBD-UHFFFAOYSA-N dimethylacetylene Natural products CC#CC XNMQEEKYCVKGBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 4
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 4
- FAMPSKZZVDUYOS-UHFFFAOYSA-N 2,6,6,9-tetramethylcycloundeca-1,4,8-triene Chemical compound CC1=CCC(C)(C)C=CCC(C)=CCC1 FAMPSKZZVDUYOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N Cyclopentane Chemical compound C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYBREYKSZAROCT-UHFFFAOYSA-N alpha-myrcene Natural products CC(=C)CCCC(=C)C=C VYBREYKSZAROCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N dimethyl butane Natural products CCCC(C)C AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 3
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- OQYNFBPKTVQOKO-UHFFFAOYSA-N 1,1-dichlorooctane Chemical compound CCCCCCCC(Cl)Cl OQYNFBPKTVQOKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BFIMMTCNYPIMRN-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,5-tetramethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=C(C)C(C)=C1 BFIMMTCNYPIMRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWHJZXXIDMPWGX-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C)=C1 GWHJZXXIDMPWGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZGEGCLOFRBLKSE-UHFFFAOYSA-N 1-Heptene Chemical compound CCCCCC=C ZGEGCLOFRBLKSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 1-decene Chemical compound CCCCCCCCC=C AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 1-hexene Chemical compound CCCCC=C LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 1-nonene Chemical compound CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical compound CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HNRMPXKDFBEGFZ-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylbutane Chemical compound CCC(C)(C)C HNRMPXKDFBEGFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CXOWYJMDMMMMJO-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylpentane Chemical compound CCCC(C)(C)C CXOWYJMDMMMMJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLLSSPDPJPLOR-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylbut-2-ene Chemical group CC(C)=C(C)C WGLLSSPDPJPLOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZFFMLCVRJBZUDZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylbutane Chemical compound CC(C)C(C)C ZFFMLCVRJBZUDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GXDHCNNESPLIKD-UHFFFAOYSA-N 2-methylhexane Chemical compound CCCCC(C)C GXDHCNNESPLIKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AORMDLNPRGXHHL-UHFFFAOYSA-N 3-ethylpentane Chemical compound CCC(CC)CC AORMDLNPRGXHHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001350 alkyl halides Chemical class 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001502 aryl halides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- DIKBFYAXUHHXCS-UHFFFAOYSA-N bromoform Chemical compound BrC(Br)Br DIKBFYAXUHHXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GZUXJHMPEANEGY-UHFFFAOYSA-N bromomethane Chemical compound BrC GZUXJHMPEANEGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDKYADYSIPSCCQ-UHFFFAOYSA-N but-1-yne Chemical compound CCC#C KDKYADYSIPSCCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FGDLGJWCMASAHH-UHFFFAOYSA-N butane;dihydrobromide Chemical compound Br.Br.CCCC FGDLGJWCMASAHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N cumene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1 RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N cyclopentene Chemical compound C1CC=CC1 LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYTNZWVKKKJXFS-UHFFFAOYSA-N cycloundecane Chemical compound C1CCCCCCCCCC1 KYTNZWVKKKJXFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SQNZJJAZBFDUTD-UHFFFAOYSA-N durene Chemical compound CC1=CC(C)=C(C)C=C1C SQNZJJAZBFDUTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- FNAZRRHPUDJQCJ-UHFFFAOYSA-N henicosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC FNAZRRHPUDJQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BJQWYEJQWHSSCJ-UHFFFAOYSA-N heptacosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC BJQWYEJQWHSSCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NDJKXXJCMXVBJW-UHFFFAOYSA-N heptadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCC NDJKXXJCMXVBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HMSWAIKSFDFLKN-UHFFFAOYSA-N hexacosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC HMSWAIKSFDFLKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N hexadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBFCDTFDPHXCNY-UHFFFAOYSA-N icosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCC CBFCDTFDPHXCNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- OKJPEAGHQZHRQV-UHFFFAOYSA-N iodoform Chemical compound IC(I)I OKJPEAGHQZHRQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N isobutane Chemical compound CC(C)C NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N isopentane Chemical compound CCC(C)C QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N limonene Chemical compound CC(=C)C1CCC(C)=CC1 XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JXTPJDDICSTXJX-UHFFFAOYSA-N n-Triacontane Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC JXTPJDDICSTXJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SNMVRZFUUCLYTO-UHFFFAOYSA-N n-propyl chloride Chemical compound CCCCl SNMVRZFUUCLYTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CRSOQBOWXPBRES-UHFFFAOYSA-N neopentane Chemical compound CC(C)(C)C CRSOQBOWXPBRES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- IGGUPRCHHJZPBS-UHFFFAOYSA-N nonacosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC IGGUPRCHHJZPBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LQERIDTXQFOHKA-UHFFFAOYSA-N nonadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCC LQERIDTXQFOHKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZYURHZPYMFLWSH-UHFFFAOYSA-N octacosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC ZYURHZPYMFLWSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RZJRJXONCZWCBN-UHFFFAOYSA-N octadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC RZJRJXONCZWCBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- YKNWIILGEFFOPE-UHFFFAOYSA-N pentacosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC YKNWIILGEFFOPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCOZIPAWZNQLMR-UHFFFAOYSA-N pentadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC YCOZIPAWZNQLMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SHTYJBQEEQBWSX-UHFFFAOYSA-N pentane;dihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.CCCCC SHTYJBQEEQBWSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHQQPFLOGSTQPC-UHFFFAOYSA-N pentatriacontane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC VHQQPFLOGSTQPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QMMOXUPEWRXHJS-UHFFFAOYSA-N pentene-2 Natural products CCC=CC QMMOXUPEWRXHJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N propylbenzene Chemical compound CCCC1=CC=CC=C1 ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- POOSGDOYLQNASK-UHFFFAOYSA-N tetracosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC POOSGDOYLQNASK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N tetradecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 2
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 2
- FIGVVZUWCLSUEI-UHFFFAOYSA-N tricosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC FIGVVZUWCLSUEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IIYFAKIEWZDVMP-UHFFFAOYSA-N tridecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCC IIYFAKIEWZDVMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N undecane Chemical compound CCCCCCCCCCC RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NPNUFJAVOOONJE-ZIAGYGMSSA-N β-(E)-Caryophyllene Chemical compound C1CC(C)=CCCC(=C)[C@H]2CC(C)(C)[C@@H]21 NPNUFJAVOOONJE-ZIAGYGMSSA-N 0.000 description 2
- GQVMHMFBVWSSPF-SOYUKNQTSA-N (4E,6E)-2,6-dimethylocta-2,4,6-triene Chemical compound C\C=C(/C)\C=C\C=C(C)C GQVMHMFBVWSSPF-SOYUKNQTSA-N 0.000 description 1
- JWQKMEKSFPNAIB-SNVBAGLBSA-N (5r)-1-methyl-5-prop-1-en-2-ylcyclohexene Chemical compound CC(=C)[C@@H]1CCC=C(C)C1 JWQKMEKSFPNAIB-SNVBAGLBSA-N 0.000 description 1
- AFVDZBIIBXWASR-AATRIKPKSA-N (E)-1,3,5-hexatriene Chemical compound C=C\C=C\C=C AFVDZBIIBXWASR-AATRIKPKSA-N 0.000 description 1
- PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N (E)-1,3-pentadiene Chemical compound C\C=C\C=C PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N 0.000 description 1
- XZEDOJJUYAVDJB-UHFFFAOYSA-N 1,1-diiododecane Chemical compound CCCCCCCCCC(I)I XZEDOJJUYAVDJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAAZPARNPHGIKF-UHFFFAOYSA-N 1,2-dibromoethane Chemical compound BrCCBr PAAZPARNPHGIKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydrostilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1CCC1=CC=CC=C1 QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBBZLMLLFVFKJM-UHFFFAOYSA-N 1,2-diiodoethane Chemical compound ICCI GBBZLMLLFVFKJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEFLKXRACNJHOV-UHFFFAOYSA-N 1,3-dibromopropane Chemical compound BrCCCBr VEFLKXRACNJHOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHRUOJUYPBUZOS-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichloropropane Chemical compound ClCCCCl YHRUOJUYPBUZOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAAXMNYUNVCMCJ-UHFFFAOYSA-N 1,3-diiodopropane Chemical compound ICCCI AAAXMNYUNVCMCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSSXJPIWXQTSIX-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-2-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC=C1Br QSSXJPIWXQTSIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPPPKRYCTPRNTB-UHFFFAOYSA-N 1-bromobutane Chemical compound CCCCBr MPPPKRYCTPRNTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMSJFSOOQERIO-UHFFFAOYSA-N 1-bromodecane Chemical compound CCCCCCCCCCBr MYMSJFSOOQERIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNDIARAMWBIKFW-UHFFFAOYSA-N 1-bromohexane Chemical compound CCCCCCBr MNDIARAMWBIKFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYMUQTNXKPEMLM-UHFFFAOYSA-N 1-bromononane Chemical compound CCCCCCCCCBr AYMUQTNXKPEMLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMKOFRJSULQZRM-UHFFFAOYSA-N 1-bromooctane Chemical compound CCCCCCCCBr VMKOFRJSULQZRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZWKKMVJZFACSU-UHFFFAOYSA-N 1-bromopentane Chemical compound CCCCCBr YZWKKMVJZFACSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYNYIHKIEHGYOZ-UHFFFAOYSA-N 1-bromopropane Chemical compound CCCBr CYNYIHKIEHGYOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFWCMGCRMGJXDK-UHFFFAOYSA-N 1-chlorobutane Chemical compound CCCCCl VFWCMGCRMGJXDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZTEHOZMYMCEYRM-UHFFFAOYSA-N 1-chlorodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCl ZTEHOZMYMCEYRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MLRVZFYXUZQSRU-UHFFFAOYSA-N 1-chlorohexane Chemical compound CCCCCCCl MLRVZFYXUZQSRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTPNRXUCIXHOKM-UHFFFAOYSA-N 1-chloronaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(Cl)=CC=CC2=C1 JTPNRXUCIXHOKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKAMCQVGHFRILV-UHFFFAOYSA-N 1-chlorononane Chemical compound CCCCCCCCCCl RKAMCQVGHFRILV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNDHHGUSRIZDSL-UHFFFAOYSA-N 1-chlorooctane Chemical compound CCCCCCCCCl CNDHHGUSRIZDSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SQCZQTSHSZLZIQ-UHFFFAOYSA-N 1-chloropentane Chemical compound CCCCCCl SQCZQTSHSZLZIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCBJLBCGHCTPAQ-UHFFFAOYSA-N 1-fluorobutane Chemical compound CCCCF FCBJLBCGHCTPAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHLRHWJTTUCDQA-UHFFFAOYSA-N 1-fluorodecane Chemical compound CCCCCCCCCCF LHLRHWJTTUCDQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFERIJCSHDJMSA-UHFFFAOYSA-N 1-fluorohexane Chemical compound CCCCCCF OFERIJCSHDJMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITPAUTYYXIENLO-UHFFFAOYSA-N 1-fluorononane Chemical compound CCCCCCCCCF ITPAUTYYXIENLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHIVLKMGKIZOHF-UHFFFAOYSA-N 1-fluorooctane Chemical compound CCCCCCCCF DHIVLKMGKIZOHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEPRBXUJOQLYID-UHFFFAOYSA-N 1-fluoropentane Chemical compound CCCCCF OEPRBXUJOQLYID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRHNUZCXXOTJCA-UHFFFAOYSA-N 1-fluoropropane Chemical compound CCCF JRHNUZCXXOTJCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CGHIBGNXEGJPQZ-UHFFFAOYSA-N 1-hexyne Chemical compound CCCCC#C CGHIBGNXEGJPQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKIDNYUZJPMKFC-UHFFFAOYSA-N 1-iododecane Chemical compound CCCCCCCCCCI SKIDNYUZJPMKFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANOOTOPTCJRUPK-UHFFFAOYSA-N 1-iodohexane Chemical compound CCCCCCI ANOOTOPTCJRUPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGSJMFCWOUHXHN-UHFFFAOYSA-N 1-iodononane Chemical compound CCCCCCCCCI OGSJMFCWOUHXHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWLHSHAHTBJTBA-UHFFFAOYSA-N 1-iodooctane Chemical compound CCCCCCCCI UWLHSHAHTBJTBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLXSFCHWMBESKV-UHFFFAOYSA-N 1-iodopentane Chemical compound CCCCCI BLXSFCHWMBESKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBXNCJKFFQIKKY-UHFFFAOYSA-N 1-pentyne Chemical compound CCCC#C IBXNCJKFFQIKKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBYMUDUGTIKLCR-UHFFFAOYSA-N 2-chloroethenylbenzene Chemical compound ClC=CC1=CC=CC=C1 SBYMUDUGTIKLCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBKNKFIRGXQLDB-UHFFFAOYSA-N 2-fluoroethenylbenzene Chemical compound FC=CC1=CC=CC=C1 KBKNKFIRGXQLDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZPOYKXYJOHGCW-UHFFFAOYSA-N 2-iodoethenylbenzene Chemical compound IC=CC1=CC=CC=C1 OZPOYKXYJOHGCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHNNAWXXUZQSNM-UHFFFAOYSA-N 2-methylbut-1-ene Chemical compound CCC(C)=C MHNNAWXXUZQSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRNSSRODJSSVEJ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentacosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(C)C ZRNSSRODJSSVEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEXMKKGTQYQZCS-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethylpentane Chemical compound CCC(C)(C)CC AEXMKKGTQYQZCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHQXBTXEYZIYOV-UHFFFAOYSA-N 3-methylbut-1-ene Chemical compound CC(C)C=C YHQXBTXEYZIYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUKRLSJNTMLPPK-UHFFFAOYSA-N 4,7,7-trimethylbicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical group C1CC2(C)C=CC1C2(C)C KUKRLSJNTMLPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVEQFIOZRFFVFW-UHFFFAOYSA-N 9-epi-beta-caryophyllene oxide Natural products C=C1CCC2OC2(C)CCC2C(C)(C)CC21 NVEQFIOZRFFVFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GLVKGYRREXOCIB-UHFFFAOYSA-N Bornylene Natural products CC1CCC(C(C)(C)C)C=C1 GLVKGYRREXOCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMYXUZSZMNBRCN-AWEZNQCLSA-N Curcumene Natural products CC(C)=CCC[C@H](C)C1=CC=C(C)C=C1 VMYXUZSZMNBRCN-AWEZNQCLSA-N 0.000 description 1
- PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N Cyclobutane Chemical compound C1CCC1 PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVZWSLJZHVFIQJ-UHFFFAOYSA-N Cyclopropane Chemical compound C1CC1 LVZWSLJZHVFIQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150103729 H1-6 gene Proteins 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZRGKCOWNLSUDK-UHFFFAOYSA-N Iodochlorine Chemical compound ICl QZRGKCOWNLSUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100353042 Mycobacterium bovis (strain BCG / Pasteur 1173P2) lnt gene Proteins 0.000 description 1
- 102100026933 Myelin-associated neurite-outgrowth inhibitor Human genes 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- CBSRFDQDBGGSEA-UHFFFAOYSA-N Selinene Natural products CC(=C1CCC2(C)CCCC(=C)C2(C)C1)C CBSRFDQDBGGSEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- UXZIDIYMFIBDKT-UHFFFAOYSA-N Sylvestrene Natural products CC(=C)C1CCCC(C)=C1 UXZIDIYMFIBDKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001361 allenes Chemical class 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- YCOXTKKNXUZSKD-UHFFFAOYSA-N as-o-xylenol Natural products CC1=CC=C(O)C=C1C YCOXTKKNXUZSKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXMKQUNVWSEMD-UHFFFAOYSA-N benzyl chloride Chemical compound ClCC1=CC=CC=C1 KCXMKQUNVWSEMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPNUFJAVOOONJE-UHFFFAOYSA-N beta-cariophyllene Natural products C1CC(C)=CCCC(=C)C2CC(C)(C)C21 NPNUFJAVOOONJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZJUGRUTVANEDW-UHFFFAOYSA-N bromine fluoride Chemical compound BrF MZJUGRUTVANEDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CODNYICXDISAEA-UHFFFAOYSA-N bromine monochloride Chemical compound BrCl CODNYICXDISAEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N bromobenzene Chemical compound BrC1=CC=CC=C1 QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RDHPKYGYEGBMSE-UHFFFAOYSA-N bromoethane Chemical compound CCBr RDHPKYGYEGBMSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950005228 bromoform Drugs 0.000 description 1
- LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diyne Chemical compound C#CC#C LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- RERZISQGOCYBPU-UHFFFAOYSA-N butane;dihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.CCCC RERZISQGOCYBPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMGBZBJJOKUPIA-UHFFFAOYSA-N butyl iodide Chemical compound CCCCI KMGBZBJJOKUPIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930006737 car-3-ene Natural products 0.000 description 1
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- BQOFWKZOCNGFEC-UHFFFAOYSA-N carene Chemical compound C1C(C)=CCC2C(C)(C)C12 BQOFWKZOCNGFEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930007796 carene Natural products 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- NPNUFJAVOOONJE-UONOGXRCSA-N caryophyllene Natural products C1CC(C)=CCCC(=C)[C@@H]2CC(C)(C)[C@@H]21 NPNUFJAVOOONJE-UONOGXRCSA-N 0.000 description 1
- 229940117948 caryophyllene Drugs 0.000 description 1
- IRAQOCYXUMOFCW-CXTNEJHOSA-N cedrene Chemical compound C1[C@]23[C@H](C)CC[C@H]3C(C)(C)[C@H]1C(C)=CC2 IRAQOCYXUMOFCW-CXTNEJHOSA-N 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- NEHMKBQYUWJMIP-NJFSPNSNSA-N chloro(114C)methane Chemical compound [14CH3]Cl NEHMKBQYUWJMIP-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- HRYZWHHZPQKTII-UHFFFAOYSA-N chloroethane Chemical compound CCCl HRYZWHHZPQKTII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQVMHMFBVWSSPF-UHFFFAOYSA-N cis-alloocimene Natural products CC=C(C)C=CC=C(C)C GQVMHMFBVWSSPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- CFBGXYDUODCMNS-UHFFFAOYSA-N cyclobutene Chemical compound C1CC=C1 CFBGXYDUODCMNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMGZGXSXHCMSAA-UHFFFAOYSA-N cyclodecane Chemical compound C1CCCCCCCCC1 LMGZGXSXHCMSAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCIYGNATMHQYCT-OWOJBTEDSA-N cyclodecene Chemical compound C1CCCC\C=C\CCC1 UCIYGNATMHQYCT-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 1
- DDTBPAQBQHZRDW-UHFFFAOYSA-N cyclododecane Chemical compound C1CCCCCCCCCCC1 DDTBPAQBQHZRDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXIJMRYMVAMXQP-UHFFFAOYSA-N cycloheptene Chemical compound C1CCC=CCC1 ZXIJMRYMVAMXQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJWIOXUMXIOXQN-UHFFFAOYSA-N cyclohexadecane Chemical compound C1CCCCCCCCCCCCCCC1 JJWIOXUMXIOXQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPTJTTCOVDDHER-UHFFFAOYSA-N cyclononane Chemical compound C1CCCCCCCC1 GPTJTTCOVDDHER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BESIOWGPXPAVOS-UPHRSURJSA-N cyclononene Chemical compound C1CCC\C=C/CCC1 BESIOWGPXPAVOS-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- WJTCGQSWYFHTAC-UHFFFAOYSA-N cyclooctane Chemical compound C1CCCCCCC1 WJTCGQSWYFHTAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004914 cyclooctane Substances 0.000 description 1
- URYYVOIYTNXXBN-UPHRSURJSA-N cyclooctene Chemical compound C1CCC\C=C/CC1 URYYVOIYTNXXBN-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000004913 cyclooctene Substances 0.000 description 1
- SRONXYPFSAKOGH-UHFFFAOYSA-N cyclopentadecane Chemical compound C1CCCCCCCCCCCCCC1 SRONXYPFSAKOGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOXWYYGXTJLWHA-UHFFFAOYSA-N cyclopropene Chemical compound C1C=C1 OOXWYYGXTJLWHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KATXJJSCAPBIOB-UHFFFAOYSA-N cyclotetradecane Chemical compound C1CCCCCCCCCCCCC1 KATXJJSCAPBIOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEVXKGPJXXDGCX-UHFFFAOYSA-N cyclotridecane Chemical compound C1CCCCCCCCCCCC1 UEVXKGPJXXDGCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILLHQJIJCRNRCJ-UHFFFAOYSA-N dec-1-yne Chemical compound CCCCCCCCC#C ILLHQJIJCRNRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZDZEUWZYMEIGB-UHFFFAOYSA-N decane;dihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.CCCCCCCCCC SZDZEUWZYMEIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- IRAQOCYXUMOFCW-UHFFFAOYSA-N di-epi-alpha-cedrene Natural products C1C23C(C)CCC3C(C)(C)C1C(C)=CC2 IRAQOCYXUMOFCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- FJBFPHVGVWTDIP-UHFFFAOYSA-N dibromomethane Chemical compound BrCBr FJBFPHVGVWTDIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZZFYRREKKOMAT-UHFFFAOYSA-N diiodomethane Chemical compound ICI NZZFYRREKKOMAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N diphenylmethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1CC1=CC=CC=C1 CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMBMDLOSPKIWAP-UHFFFAOYSA-N embutramide Chemical compound OCCCC(=O)NCC(CC)(CC)C1=CC=CC(OC)=C1 LMBMDLOSPKIWAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 229960003750 ethyl chloride Drugs 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- OMRRUNXAWXNVFW-UHFFFAOYSA-N fluoridochlorine Chemical compound ClF OMRRUNXAWXNVFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- UHCBBWUQDAVSMS-UHFFFAOYSA-N fluoroethane Chemical compound CCF UHCBBWUQDAVSMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BXWQUXUDAGDUOS-UHFFFAOYSA-N gamma-humulene Natural products CC1=CCCC(C)(C)C=CC(=C)CCC1 BXWQUXUDAGDUOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021385 hard carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- YVXHZKKCZYLQOP-UHFFFAOYSA-N hept-1-yne Chemical compound CCCCCC#C YVXHZKKCZYLQOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHAREKHAZNPPMI-UHFFFAOYSA-N hexa-1,3-diene Chemical compound CCC=CC=C AHAREKHAZNPPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCTCNWZFDASPLA-UHFFFAOYSA-N hexa-2,4-diyne Chemical compound CC#CC#CC PCTCNWZFDASPLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUWFEBAXEOLKSG-UHFFFAOYSA-N hexamethylbenzene Chemical compound CC1=C(C)C(C)=C(C)C(C)=C1C YUWFEBAXEOLKSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRWOFKXTWURWPK-UHFFFAOYSA-N hexane dihydroiodide Chemical compound I.I.CCCCCC ZRWOFKXTWURWPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNQWVPAEZIKVLB-UHFFFAOYSA-N hexane;dihydrobromide Chemical compound Br.Br.CCCCCC RNQWVPAEZIKVLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWRQCVNFACGORI-UHFFFAOYSA-N hexane;dihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.CCCCCC TWRQCVNFACGORI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBNFBHXQESNSNP-UHFFFAOYSA-N humulene Natural products CC1=CC=CC(C)(C)CC=C(/C)CCC1 QBNFBHXQESNSNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000043 hydrogen iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- CBEQRNSPHCCXSH-UHFFFAOYSA-N iodine monobromide Chemical compound IBr CBEQRNSPHCCXSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDJAZCSYYQODQF-UHFFFAOYSA-N iodine monofluoride Chemical compound IF PDJAZCSYYQODQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNHMUERNLJLMHN-UHFFFAOYSA-N iodobenzene Chemical compound IC1=CC=CC=C1 SNHMUERNLJLMHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVTICUPFWKNHNG-UHFFFAOYSA-N iodoethane Chemical compound CCI HVTICUPFWKNHNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N iodomethane Chemical compound IC INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000001282 iso-butane Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 235000001510 limonene Nutrition 0.000 description 1
- 229940087305 limonene Drugs 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229940102396 methyl bromide Drugs 0.000 description 1
- PYLWMHQQBFSUBP-UHFFFAOYSA-N monofluorobenzene Chemical compound FC1=CC=CC=C1 PYLWMHQQBFSUBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N monofluoromethane Natural products FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- YDLYQMBWCWFRAI-UHFFFAOYSA-N n-Hexatriacontane Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC YDLYQMBWCWFRAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- ZCYXXKJEDCHMGH-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical compound CCCC[CH]CCCC ZCYXXKJEDCHMGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RDROXDSSVBXODB-UHFFFAOYSA-N nonane;dihydrobromide Chemical compound Br.Br.CCCCCCCCC RDROXDSSVBXODB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABOWRJQOEJPPFS-UHFFFAOYSA-N nonane;dihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.CCCCCCCCC ABOWRJQOEJPPFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N normal nonane Natural products CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007823 ocimene derivatives Chemical class 0.000 description 1
- UMIPWJGWASORKV-UHFFFAOYSA-N oct-1-yne Chemical compound CCCCCCC#C UMIPWJGWASORKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940038384 octadecane Drugs 0.000 description 1
- FQWWBSXIOLTRSN-UHFFFAOYSA-N octane;dihydrobromide Chemical compound Br.Br.CCCCCCCC FQWWBSXIOLTRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000002916 oxazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- BEZDDPMMPIDMGJ-UHFFFAOYSA-N pentamethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=C(C)C(C)=C1C BEZDDPMMPIDMGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AONJBLHYNHMPLA-UHFFFAOYSA-N pentane;dihydrobromide Chemical compound Br.Br.CCCCC AONJBLHYNHMPLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 101150028022 ppm1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N propyne Chemical group CC#C MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- KKOXKGNSUHTUBV-UHFFFAOYSA-N racemic zingiberene Natural products CC(C)=CCCC(C)C1CC=C(C)C=C1 KKOXKGNSUHTUBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- VPQBJIRQUUEAFC-UHFFFAOYSA-N selinene Natural products C1CC=C(C)C2CC(C(C)C)CCC21C VPQBJIRQUUEAFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003598 selinene derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 150000003431 steroids Chemical class 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N tetramethylbenzene Natural products CC1=CC=C(C)C(C)=C1C UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
- XJPBRODHZKDRCB-UHFFFAOYSA-N trans-alpha-ocimene Natural products CC(=C)CCC=C(C)C=C XJPBRODHZKDRCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- LGWZGBCKVDSYPH-UHFFFAOYSA-N triacontane Chemical compound [CH2]CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC LGWZGBCKVDSYPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OLTHARGIAFTREU-UHFFFAOYSA-N triacontane Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(C)CCCCCCCC OLTHARGIAFTREU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N trichloroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)(Cl)Cl YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRBYUSWBLVXTQN-UHFFFAOYSA-N tricyclene Chemical compound C12CC3CC2C1(C)C3(C)C RRBYUSWBLVXTQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRBYUSWBLVXTQN-VZCHMASFSA-N tricyclene Natural products C([C@@H]12)C3C[C@H]1C2(C)C3(C)C RRBYUSWBLVXTQN-VZCHMASFSA-N 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004961 triphenylmethanes Chemical class 0.000 description 1
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- KKOXKGNSUHTUBV-LSDHHAIUSA-N zingiberene Chemical compound CC(C)=CCC[C@H](C)[C@H]1CC=C(C)C=C1 KKOXKGNSUHTUBV-LSDHHAIUSA-N 0.000 description 1
- 229930001895 zingiberene Natural products 0.000 description 1
- VMYXUZSZMNBRCN-UHFFFAOYSA-N α-curcumene Chemical compound CC(C)=CCCC(C)C1=CC=C(C)C=C1 VMYXUZSZMNBRCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IHPKGUQCSIINRJ-UHFFFAOYSA-N β-ocimene Natural products CC(C)=CCC=C(C)C=C IHPKGUQCSIINRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
崖塞上Ω刊里分野
本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する感光体に
関する。
関する。
従米挾街
カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発さ
れ実用化きれてきた。
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発さ
れ実用化きれてきた。
従来用いられて来た電子写真感光体材料の主なものとし
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質が挙げられる。また、その構成形態としては、これ
らの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散さ
せて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電
荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質が挙げられる。また、その構成形態としては、これ
らの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散さ
せて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電
荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。
しかしながら、従来用いられて来た電子写真感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝きれた場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝きれた場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。
このような欠点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐
久性に富んだ材料として、グロー放電法″により生成き
れるアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が
進んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原
料としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガ
スであることから、出来上がった電子写真感光体も従来
の感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、成膜速
度が遅く、成膜時間の増大に伴い爆発性を有するシラン
未分解生成物を粉塵状に発生する等、生産上の不都合も
多い。また、この粉塵が製造時に感光層中に混入した場
合には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。ざらに、ア
モルファスシリコンは、元来、比誘電率が高いため帯電
性能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電するため
には膜厚を厚くず条必要があり、高価なアモルファスシ
リコン膜を長時間堆積させなくてはならない。
久性に富んだ材料として、グロー放電法″により生成き
れるアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が
進んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原
料としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガ
スであることから、出来上がった電子写真感光体も従来
の感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、成膜速
度が遅く、成膜時間の増大に伴い爆発性を有するシラン
未分解生成物を粉塵状に発生する等、生産上の不都合も
多い。また、この粉塵が製造時に感光層中に混入した場
合には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。ざらに、ア
モルファスシリコンは、元来、比誘電率が高いため帯電
性能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電するため
には膜厚を厚くず条必要があり、高価なアモルファスシ
リコン膜を長時間堆積させなくてはならない。
ところでアモルファスカーボン膜自体は、プラズマ有機
重合膜として古くより知られており、例えばジエン(M
、5hen)及びベル(A、T。
重合膜として古くより知られており、例えばジエン(M
、5hen)及びベル(A、T。
Be1l)により、1973年発行ののジャーナル・オ
ブ・アプライド・ポリマー・サイエンス(Journa
l of App l ied P。
ブ・アプライド・ポリマー・サイエンス(Journa
l of App l ied P。
lymer 5cience)第17巻の第885頁
乃至第892頁において、あらゆる有機化合物のガスか
ら作製きれ得る事が、また、同著者により、1979年
のアメリカンケミカルソサエティー(American
ChemicalSociety)発行によるプラ
ズマボリマライゼーション(Plasma Poly
merization)の中でもその成膜性が論じられ
ている。
乃至第892頁において、あらゆる有機化合物のガスか
ら作製きれ得る事が、また、同著者により、1979年
のアメリカンケミカルソサエティー(American
ChemicalSociety)発行によるプラ
ズマボリマライゼーション(Plasma Poly
merization)の中でもその成膜性が論じられ
ている。
しかしながら従来の方法で作製したプラズマ有機重合膜
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの膜は通常のポリエチレン膜の如く1016ΩCm程
度の比抵抗を有する絶縁膜と考えられ、或は、少なくと
もそのような膜であるとの認識のもとに用いられていた
。実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識か
ら、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁層に
限られており、所謂アンダーコート層もしくはオーバー
コート層としてしか用いられていなかった。
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの膜は通常のポリエチレン膜の如く1016ΩCm程
度の比抵抗を有する絶縁膜と考えられ、或は、少なくと
もそのような膜であるとの認識のもとに用いられていた
。実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識か
ら、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁層に
限られており、所謂アンダーコート層もしくはオーバー
コート層としてしか用いられていなかった。
例えば、特開昭59−28161号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭5
9−38753号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成される1013〜1015ΩCmの高抵抗のプラズマ
重合膜を10人〜100人設けた上にアモルファスシリ
コン層を設けた感光体が開示されている。特開昭59−
136742号公報には、アルミ基板上に設けたアモル
ファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散する
のを防止するための保護層として1〜5μm程度の炭素
膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示されている。
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭5
9−38753号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成される1013〜1015ΩCmの高抵抗のプラズマ
重合膜を10人〜100人設けた上にアモルファスシリ
コン層を設けた感光体が開示されている。特開昭59−
136742号公報には、アルミ基板上に設けたアモル
ファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散する
のを防止するための保護層として1〜5μm程度の炭素
膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示されている。
特開昭60−63541号公報には、アルミ基板とその
上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改善す
るために、接着層として200人〜2μmのダイヤモン
ド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留電荷
の面から膜厚は2μm以下が好ましいとされている。
上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改善す
るために、接着層として200人〜2μmのダイヤモン
ド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留電荷
の面から膜厚は2μm以下が好ましいとされている。
これらの開示は、何れも基板とアモルファスシリコン層
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、a−3i
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、a−3i
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。
また、例えば、特開昭50−20728号公報には、ポ
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層
としてグロー放電重合によるポリマー膜を0.1〜1μ
m設けた感光体が開示されている。特開昭59−214
859号公報には、アモルファスシリコン感光体の表面
に保護層としてスチレンやアセチレン等の有機炭化水素
モノマーをプラズマ重合させて5μm程度の膜を形成さ
せる技術が開示されている。特開昭60−61761号
公報には、表面保護層として、500人〜2μmのダイ
ヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示され、透光性
の面から膜厚は2μm以下が好ましいとされてている。
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層
としてグロー放電重合によるポリマー膜を0.1〜1μ
m設けた感光体が開示されている。特開昭59−214
859号公報には、アモルファスシリコン感光体の表面
に保護層としてスチレンやアセチレン等の有機炭化水素
モノマーをプラズマ重合させて5μm程度の膜を形成さ
せる技術が開示されている。特開昭60−61761号
公報には、表面保護層として、500人〜2μmのダイ
ヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示され、透光性
の面から膜厚は2μm以下が好ましいとされてている。
特開昭60−249115号公報には、0.05〜5μ
m程度の無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層とし
て用いる技術が開示され、膜厚が5μmを越えると感光
体活性に悪影響が及ぶとされている。
m程度の無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層とし
て用いる技術が開示され、膜厚が5μmを越えると感光
体活性に悪影響が及ぶとされている。
これらの開示は、何れも感光体表面に所謂オーバーコー
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、a−Siの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、a−Siの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。
まに1特開昭51−46130号公報には、ポリビニル
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なって0.001〜3μmのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性に
ついては全く言及されていないし、a−3iの持つ前記
しな本質的問題を解決するものではない。
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なって0.001〜3μmのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性に
ついては全く言及されていないし、a−3iの持つ前記
しな本質的問題を解決するものではない。
一方、アモルファスシリコン膜については、スピア(W
、E、5pear)及びレコンパ(P。
、E、5pear)及びレコンパ(P。
G、LeComber)により1976年発行のフィロ
ソフィカル・マガジン(Philosophical
Magazine)第33巻の第935頁乃至第94
9頁において、極性制御が可能な材料である事が報じら
れて以来、種々の光電デバイスへの応用が試みられて来
た。感光体への応用に関しては、例えば、特開昭56−
62254号公報、特開昭57−119356号公報、
特開昭57−177147号公報、特開昭57−119
357号公報、特開昭57−177149号公報、特開
昭57−119357号公報、特開昭57−17714
6号公報、特開昭57−177148号公報、特開昭5
7−174448号公報、特開昭57−174449号
公報、特開昭57−174450号公報、等に、炭素原
子を含有したアモルファスシリコン感光体が開示きれて
いるが、何れもアモルファスシリコンの光導電性を炭素
原子により調整する事を目的としたものであり、また、
アモルファスシリコン自体厚い膜を必要としている。
ソフィカル・マガジン(Philosophical
Magazine)第33巻の第935頁乃至第94
9頁において、極性制御が可能な材料である事が報じら
れて以来、種々の光電デバイスへの応用が試みられて来
た。感光体への応用に関しては、例えば、特開昭56−
62254号公報、特開昭57−119356号公報、
特開昭57−177147号公報、特開昭57−119
357号公報、特開昭57−177149号公報、特開
昭57−119357号公報、特開昭57−17714
6号公報、特開昭57−177148号公報、特開昭5
7−174448号公報、特開昭57−174449号
公報、特開昭57−174450号公報、等に、炭素原
子を含有したアモルファスシリコン感光体が開示きれて
いるが、何れもアモルファスシリコンの光導電性を炭素
原子により調整する事を目的としたものであり、また、
アモルファスシリコン自体厚い膜を必要としている。
日が解 しようとする問題点
以上のように、従来、電子写真感光体に用いられている
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用されていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚も高々5μm程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上問題にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で使用され
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用されていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚も高々5μm程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上問題にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で使用され
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。
本発明者らは、アモルファスカーボン膜の電子写真感光
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水素化アモルファスカーボン膜が膜中に
ハロゲン原子を含有せしめる事により、燐原子及び硼素
原子のうち少なくとも一方を含有すると共に酸素原子を
含有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜
との積層においては電荷輸送性を有し、容易に好適な電
子写真特性を示し始める事を見出した。その理論的解釈
には本発明者においても不明確な点が多く詳細に亙り言
及はできないが、ハロゲン原子含有水素化アモルファス
カーボン腹中に捕捉されている比較的不安定なエネルギ
ー状態の電子、例えばπ電子、不対電子、残存フリーラ
ジカル等が形成するバンド構造が、燐原子及び硼素原子
のうち少なくとも一方を含有すると共に酸素原子を含有
してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜が形
成するバンド構造と電導帯もしくは荷電子帯において近
似したエネルギー準位を有するため、燐原子及び硼素原
子のうち少なくとも一方を含有すると共に酸素原子を含
有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜中
で発生したキャリアが容易にハロゲン原子含有水素化ア
モルファスカーボン膜中へ注入され、ざらに、このキャ
リアは前述の比較的不安定なエネルギー状態の電子の作
用によりハロゲン原子含有水素化アモルファスカーボン
膜中を好適に走行し得るためと推定される。
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水素化アモルファスカーボン膜が膜中に
ハロゲン原子を含有せしめる事により、燐原子及び硼素
原子のうち少なくとも一方を含有すると共に酸素原子を
含有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜
との積層においては電荷輸送性を有し、容易に好適な電
子写真特性を示し始める事を見出した。その理論的解釈
には本発明者においても不明確な点が多く詳細に亙り言
及はできないが、ハロゲン原子含有水素化アモルファス
カーボン腹中に捕捉されている比較的不安定なエネルギ
ー状態の電子、例えばπ電子、不対電子、残存フリーラ
ジカル等が形成するバンド構造が、燐原子及び硼素原子
のうち少なくとも一方を含有すると共に酸素原子を含有
してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜が形
成するバンド構造と電導帯もしくは荷電子帯において近
似したエネルギー準位を有するため、燐原子及び硼素原
子のうち少なくとも一方を含有すると共に酸素原子を含
有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜中
で発生したキャリアが容易にハロゲン原子含有水素化ア
モルファスカーボン膜中へ注入され、ざらに、このキャ
リアは前述の比較的不安定なエネルギー状態の電子の作
用によりハロゲン原子含有水素化アモルファスカーボン
膜中を好適に走行し得るためと推定される。
本発明はその新たな知見を利用することにより、アモル
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的問題点を
全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異なる
、有機プラズマ重合膜、特に少なくともハロゲン原子を
含有してなる水素化アモルファスカーボン膜を電荷輸送
層として使用し、かつ、燐原子及び硼素原子のうち少な
くとも一方を含有すると共に酸素原子を含有してなる水
素化或は弗素化アモルファスシリコンの薄膜を電荷発生
層として使用した感光体を提供する事を目的とする。
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的問題点を
全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異なる
、有機プラズマ重合膜、特に少なくともハロゲン原子を
含有してなる水素化アモルファスカーボン膜を電荷輸送
層として使用し、かつ、燐原子及び硼素原子のうち少な
くとも一方を含有すると共に酸素原子を含有してなる水
素化或は弗素化アモルファスシリコンの薄膜を電荷発生
層として使用した感光体を提供する事を目的とする。
+1〜を するための
即ち、本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成きれる少なくともハロゲン原子を含有する
水素化アモルファスカーボン膜であり、かつ、該電荷発
生層が燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有
すると共に酸素原子を含有してなる水素化或は弗素化ア
モルファスシリコン膜であることを特徴とする感光体に
関する(以下、本発明による電荷輸送層をa−C膜及び
電荷発生層をa−Si膜と称する)。
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成きれる少なくともハロゲン原子を含有する
水素化アモルファスカーボン膜であり、かつ、該電荷発
生層が燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有
すると共に酸素原子を含有してなる水素化或は弗素化ア
モルファスシリコン膜であることを特徴とする感光体に
関する(以下、本発明による電荷輸送層をa−C膜及び
電荷発生層をa−Si膜と称する)。
本発明は、従来のアモルファスシリコン感光体において
は、電荷発生層として優れた機能を有するアモルファス
シリコンを、電荷発生能が無くても電荷輸送能ざえあれ
ば済む電荷輸送層としても併用していたため発生してい
たこれらの問題点を解決すべく成されたものである。
は、電荷発生層として優れた機能を有するアモルファス
シリコンを、電荷発生能が無くても電荷輸送能ざえあれ
ば済む電荷輸送層としても併用していたため発生してい
たこれらの問題点を解決すべく成されたものである。
即ち、本発明は、電荷輸送層としてグロー放電により生
成される少なくともハロゲン原子を含有してなる水素化
アモルファスカーボン膜を設け、かつ、電荷発生層とし
て同じくグロー放電により生成きれる燐原子及び硼素原
子のうち少なくとも一方を含有すると共に酸素原子を含
有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜を
設けた事を特徴とする機能分離型感光体に関する。該電
荷輸送層は、可視光もしくは半導体レーザー光付近の波
長の光に対しては明確なる光導電性は有きないが、好適
な輸送性を有し、ざらに、帯電能、耐久性、耐候性、耐
環境汚染性等の電子写真感光体性能に優れ、しかも透光
性にも優れるため、機能分離型感光体としての積層構造
を形成する場合においても極めて高い自由度が得られる
ものである。また、該電荷発生層は、可視光もしくは半
導体レーザー光付近の波長の光に対して優れた光導電性
を有し、しかも従来のアモルファスシリコン感光体に比
べて極めて薄い膜厚で、その機能を活かす事ができるも
のである。
成される少なくともハロゲン原子を含有してなる水素化
アモルファスカーボン膜を設け、かつ、電荷発生層とし
て同じくグロー放電により生成きれる燐原子及び硼素原
子のうち少なくとも一方を含有すると共に酸素原子を含
有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜を
設けた事を特徴とする機能分離型感光体に関する。該電
荷輸送層は、可視光もしくは半導体レーザー光付近の波
長の光に対しては明確なる光導電性は有きないが、好適
な輸送性を有し、ざらに、帯電能、耐久性、耐候性、耐
環境汚染性等の電子写真感光体性能に優れ、しかも透光
性にも優れるため、機能分離型感光体としての積層構造
を形成する場合においても極めて高い自由度が得られる
ものである。また、該電荷発生層は、可視光もしくは半
導体レーザー光付近の波長の光に対して優れた光導電性
を有し、しかも従来のアモルファスシリコン感光体に比
べて極めて薄い膜厚で、その機能を活かす事ができるも
のである。
本発明においては、a −C膜を形成するために有機化
合物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。
合物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。
該炭化水素における相状態は常温常圧において必ずしも
気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。
気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。
使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、テ
°カン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデ
カン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オ
クタデカン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコサン
、トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサン
、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナコ
サン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタトリ
アコンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソブタ
ン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネオ
ヘキサン、2,3−ジメチルブタン、2−メチルヘキサ
ン、3−エチルペンタン、2,2−ジメチルペンタン、
2.4−ジメチルペンタン、3.3−ジメチルペンタン
、トリブタン、2−メチルへブタン、3−メチルへブタ
ン、2.2−ジメチルヘキサン、2,2.5−ジメチル
ヘキサン、2,2.3−トリメチルベンタン、2.2.
4−トリメチルペンタン、2,3゜3−トリメチルペン
タン、2.3.4−トリメチルペンタン、イソナノン、
等のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化水素
としては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブチレ
ン、1−ブテン、2−ブテン、1−ペンテン、2−ペン
テン、2−メチル−1−ブテン、3−メチル−1−ブテ
ン、2−メチル−2−ブテン、1−ヘキセン、テトラメ
チルエチレン、1−ヘプテン、1−オクテン、1−ノネ
ン、1−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン、メ
チルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘキサジエン
、シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並びに、オ
シメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、等
のトリオレフイン、並びに、アセチレン、ブタジイン、
1゜3−ペンタジイン、2,4−へキサジイン、メチル
アセチレン、1−ブチン、2−ブチン、1−ペンチン、
1−ヘキシン、1−ヘプチン、1−オクチン、1−ノニ
ン、1−デシン、等が用いられる。
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、テ
°カン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデ
カン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オ
クタデカン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコサン
、トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサン
、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナコ
サン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタトリ
アコンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソブタ
ン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネオ
ヘキサン、2,3−ジメチルブタン、2−メチルヘキサ
ン、3−エチルペンタン、2,2−ジメチルペンタン、
2.4−ジメチルペンタン、3.3−ジメチルペンタン
、トリブタン、2−メチルへブタン、3−メチルへブタ
ン、2.2−ジメチルヘキサン、2,2.5−ジメチル
ヘキサン、2,2.3−トリメチルベンタン、2.2.
4−トリメチルペンタン、2,3゜3−トリメチルペン
タン、2.3.4−トリメチルペンタン、イソナノン、
等のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化水素
としては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブチレ
ン、1−ブテン、2−ブテン、1−ペンテン、2−ペン
テン、2−メチル−1−ブテン、3−メチル−1−ブテ
ン、2−メチル−2−ブテン、1−ヘキセン、テトラメ
チルエチレン、1−ヘプテン、1−オクテン、1−ノネ
ン、1−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン、メ
チルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘキサジエン
、シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並びに、オ
シメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、等
のトリオレフイン、並びに、アセチレン、ブタジイン、
1゜3−ペンタジイン、2,4−へキサジイン、メチル
アセチレン、1−ブチン、2−ブチン、1−ペンチン、
1−ヘキシン、1−ヘプチン、1−オクチン、1−ノニ
ン、1−デシン、等が用いられる。
脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
サン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、ツ
エン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、フエ
ンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ピサボレ
ン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネンセ
スキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレン
、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ボドカルブ
レン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド等が用
いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン
、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメン
、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、
ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチル
ベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビフ
ェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニ
ルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフタ
リン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン、等
が用いられる。
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
サン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、ツ
エン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、フエ
ンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ピサボレ
ン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネンセ
スキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレン
、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ボドカルブ
レン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド等が用
いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン
、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメン
、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、
ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチル
ベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビフ
ェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニ
ルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフタ
リン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン、等
が用いられる。
さらに、炭化水素以外でも、例えば、アルコール類、ケ
トン類、エーテル類、エステル類、等炭素と成りうる化
合物であれば使用可能である。
トン類、エーテル類、エステル類、等炭素と成りうる化
合物であれば使用可能である。
本発明におけるa −C膜中に含まれる水素原子の量は
グロー放電を用いるというその製造面から必然的に定ま
るが、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね30乃
至60原子%含有される。ここで、炭素原子並びに水素
原子の膜中含有量は、有機元素分析の常法、例えばON
H分析を用いる事により知る事ができる。
グロー放電を用いるというその製造面から必然的に定ま
るが、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね30乃
至60原子%含有される。ここで、炭素原子並びに水素
原子の膜中含有量は、有機元素分析の常法、例えばON
H分析を用いる事により知る事ができる。
本発明におけるa −C膜中に含まれる水素原子の量は
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが
、例えば、基板温度を高くする、圧力を低くする、原料
炭化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これらの
組合せ操作は、含有水素量を低くする効果を有する。
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが
、例えば、基板温度を高くする、圧力を低くする、原料
炭化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これらの
組合せ操作は、含有水素量を低くする効果を有する。
本発明における電荷輸送層としてのa −C膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、5乃至5
0μm、特に7乃至20μmが適当であり、5μmより
薄いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度を得る
事がで蕾ない。また、50μmより厚いと、生産性の面
で好ましくない。
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、5乃至5
0μm、特に7乃至20μmが適当であり、5μmより
薄いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度を得る
事がで蕾ない。また、50μmより厚いと、生産性の面
で好ましくない。
このa−C膜は、高透光性、高暗抵抗を有するとともに
電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に5μm以上として
もキャリアはトラップきれる事無く輸蓮され明減衰に寄
与する事が可能である。
電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に5μm以上として
もキャリアはトラップきれる事無く輸蓮され明減衰に寄
与する事が可能である。
本発明における原料気体からa −C膜を形成する過程
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラズ
マ状態を経て形成される方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成されるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される中
性粒子から形成きれてもよいし、ざらには、これらの組
み合わせにより形成されてもよい。
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラズ
マ状態を経て形成される方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成されるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される中
性粒子から形成きれてもよいし、ざらには、これらの組
み合わせにより形成されてもよい。
本発明においては炭化水素の他に、a −C膜中に少な
くともハロゲン原子を添加するためにハロゲン化合物が
使用きれる。ここでハロゲン原子とは、弗素原子、塩素
原子、臭素原子、及び沃素原子をいう。該ハロゲン化合
物における相状態は常温常圧において必ずしも気相であ
る必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇華
等を経て気化しうるものであれば、液相でも固相でも使
用可能である。ハロゲン化合物としては、例えば、弗素
、塩素、臭素、沃素、弗化水素、弗化塩素、弗化臭素、
弗化沃素、塩化水素、塩化臭素、塩化沃素、臭化水素、
臭化沃素、沃化水素、等の無機化合物、ハロゲン化アル
キル、ハロゲン化アリール、へ〇ゲ化スチレン、ハロゲ
ン化ポリメチレン、へロホルム、等の有機化合物が用い
られる。ハロゲン化アルキルとしては、例えば、フッ化
メチル、塩化メチル、臭化メチル、ヨウ化メチル、フッ
化エチル、塩化エチル、臭化エチル、ヨウ化エチル、フ
ッ化プロピル、塩化プロピル、臭化プロピル、ヨウ化プ
ロピル、フッ化ブチル、塩化ブチル、臭化ブチル、ヨウ
化ブチル、フッ化アミル、塩化アミル、臭化アミル、ヨ
ウ化アミル、フッ化ヘキシル、塩化ヘキシル、臭化ヘキ
シル、ヨウ化ヘキシル、フッ化へブチル、塩化へブチル
、臭化へブチル、ヨウ化へブチル、フッ化オクチル、塩
化オクチル、臭化オクチル、ヨウ化オクチル、フッ化ノ
ニル、塩化ノニル、臭化ノニル、ヨウ化ノニル、フッ化
デシル、塩化デシル、臭化デシル、ヨウ化デシル、等が
用いられる。ハロゲン化アリールとしては、例えば、フ
ルオルベンゼン、クロルベンゼン、ブロムベンゼン、ヨ
ードベンゼン、クロルトルエン、ブロムトルエン、クロ
ルナフタリン、ブロムナフタリン、等が用いられる。ハ
ロゲン化スチレンとしては、例えば、クロルスチレン、
ブロムスチレン、ヨードスチレン、フルオルスチレン、
等が用いられる。ハロゲン化ポリメチレンとしては、例
えば、塩化メチレン、臭化メチレン、ヨウ化メチレン、
塩化エチレン、臭化エチレン、ヨウ化エチレン、塩化ト
リメチレン、臭化トリメチレン、ヨウ化トリメチレン、
ジ塩化ブタン、ジ臭化ブタン、ショウ化ブタン、ジ塩化
ペンタン、ジ臭化ペンタン、ショウ化ペンタン、ジ塩化
ヘキサン、ジ臭化ヘキサン、ジヨウ化ヘキサン、ジ塩化
へブタン、ジ臭化へブタン、ショウ化へブタン、ジ塩化
オクタン、ジ臭化オクタン、ショウ化オクタン、ジ塩化
ノナン、ジ臭化ノナン、ジ塩化デカン、ジヨウ化デカン
、等が用いられる。へロホルムとしては、例えば、フル
オロホルム、クロロホルム、ブロモホルム、ヨードホル
ム、等が用いられる。
くともハロゲン原子を添加するためにハロゲン化合物が
使用きれる。ここでハロゲン原子とは、弗素原子、塩素
原子、臭素原子、及び沃素原子をいう。該ハロゲン化合
物における相状態は常温常圧において必ずしも気相であ
る必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇華
等を経て気化しうるものであれば、液相でも固相でも使
用可能である。ハロゲン化合物としては、例えば、弗素
、塩素、臭素、沃素、弗化水素、弗化塩素、弗化臭素、
弗化沃素、塩化水素、塩化臭素、塩化沃素、臭化水素、
臭化沃素、沃化水素、等の無機化合物、ハロゲン化アル
キル、ハロゲン化アリール、へ〇ゲ化スチレン、ハロゲ
ン化ポリメチレン、へロホルム、等の有機化合物が用い
られる。ハロゲン化アルキルとしては、例えば、フッ化
メチル、塩化メチル、臭化メチル、ヨウ化メチル、フッ
化エチル、塩化エチル、臭化エチル、ヨウ化エチル、フ
ッ化プロピル、塩化プロピル、臭化プロピル、ヨウ化プ
ロピル、フッ化ブチル、塩化ブチル、臭化ブチル、ヨウ
化ブチル、フッ化アミル、塩化アミル、臭化アミル、ヨ
ウ化アミル、フッ化ヘキシル、塩化ヘキシル、臭化ヘキ
シル、ヨウ化ヘキシル、フッ化へブチル、塩化へブチル
、臭化へブチル、ヨウ化へブチル、フッ化オクチル、塩
化オクチル、臭化オクチル、ヨウ化オクチル、フッ化ノ
ニル、塩化ノニル、臭化ノニル、ヨウ化ノニル、フッ化
デシル、塩化デシル、臭化デシル、ヨウ化デシル、等が
用いられる。ハロゲン化アリールとしては、例えば、フ
ルオルベンゼン、クロルベンゼン、ブロムベンゼン、ヨ
ードベンゼン、クロルトルエン、ブロムトルエン、クロ
ルナフタリン、ブロムナフタリン、等が用いられる。ハ
ロゲン化スチレンとしては、例えば、クロルスチレン、
ブロムスチレン、ヨードスチレン、フルオルスチレン、
等が用いられる。ハロゲン化ポリメチレンとしては、例
えば、塩化メチレン、臭化メチレン、ヨウ化メチレン、
塩化エチレン、臭化エチレン、ヨウ化エチレン、塩化ト
リメチレン、臭化トリメチレン、ヨウ化トリメチレン、
ジ塩化ブタン、ジ臭化ブタン、ショウ化ブタン、ジ塩化
ペンタン、ジ臭化ペンタン、ショウ化ペンタン、ジ塩化
ヘキサン、ジ臭化ヘキサン、ジヨウ化ヘキサン、ジ塩化
へブタン、ジ臭化へブタン、ショウ化へブタン、ジ塩化
オクタン、ジ臭化オクタン、ショウ化オクタン、ジ塩化
ノナン、ジ臭化ノナン、ジ塩化デカン、ジヨウ化デカン
、等が用いられる。へロホルムとしては、例えば、フル
オロホルム、クロロホルム、ブロモホルム、ヨードホル
ム、等が用いられる。
本発明において化学的修飾物質として含有きれるハロゲ
ン原子の量は、全構成原子に対して0゜1乃至25原子
%である。ここで、膜中に含有きれるハロゲン原子の量
は、元素分析の常法、例えばオージェ分析により知る事
ができる。ハロゲン原子の量が0.1原子%より低い場
合には、必ずしも好適な電荷輸送性が保証されず、感度
低下もしくは残留電位の発生等を生じ易くなり、また、
経時的感度安定性も保証されなくなる。ハロゲン原子の
量が25原子%より高い場合には、適量の添加では好適
な電荷輸送性と残留電位発生防止を保証していたハロゲ
ン原子が、逆に、帯電能の低下、さらには経時後の暗抵
抗を低くする作用を示し、数カ月単位の保管中に電荷保
持能の低下を招く。また、必ずしも成膜性が保証されな
くなり、膜の剥離、油状化もしくは粉体化を招く。従っ
て、本発明におけるハロゲン原子添加量の範囲は重要で
ある。
ン原子の量は、全構成原子に対して0゜1乃至25原子
%である。ここで、膜中に含有きれるハロゲン原子の量
は、元素分析の常法、例えばオージェ分析により知る事
ができる。ハロゲン原子の量が0.1原子%より低い場
合には、必ずしも好適な電荷輸送性が保証されず、感度
低下もしくは残留電位の発生等を生じ易くなり、また、
経時的感度安定性も保証されなくなる。ハロゲン原子の
量が25原子%より高い場合には、適量の添加では好適
な電荷輸送性と残留電位発生防止を保証していたハロゲ
ン原子が、逆に、帯電能の低下、さらには経時後の暗抵
抗を低くする作用を示し、数カ月単位の保管中に電荷保
持能の低下を招く。また、必ずしも成膜性が保証されな
くなり、膜の剥離、油状化もしくは粉体化を招く。従っ
て、本発明におけるハロゲン原子添加量の範囲は重要で
ある。
本発明において化学的修飾物質として含有されるハロゲ
ン原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への
前述のハロゲン化合物の導入量を増減することにより制
瀕することが可能である。
ン原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への
前述のハロゲン化合物の導入量を増減することにより制
瀕することが可能である。
ハロゲン化合物の導入量を増大きせれば、本発明による
a−C膜中へのハロゲン原子の添加量を高くすることが
可能であり、逆にハロゲン化合物の導入量を減少させれ
ば、本発明によるa −C膜中へのハロゲン原子の添加
量を低くすることが可能である。
a−C膜中へのハロゲン原子の添加量を高くすることが
可能であり、逆にハロゲン化合物の導入量を減少させれ
ば、本発明によるa −C膜中へのハロゲン原子の添加
量を低くすることが可能である。
本発明においては、a−3i膜を形成するためにシラン
ガス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用いられ
る。また、化学的修飾物質として燐原子或は硼素原子を
膜中に含有せしめるための原料ガスとして、ホスフィン
ガス或はジボランガス等が用いられる。ざらに、化学的
修飾物質として酸素原子を膜中に含有せしめるための原
料ガスとして、酸素ガス、亜酸化窒素ガス、オゾンガス
、或は、−酸化炭素ガス、等の酸素化合物ガスが用いら
れる。
ガス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用いられ
る。また、化学的修飾物質として燐原子或は硼素原子を
膜中に含有せしめるための原料ガスとして、ホスフィン
ガス或はジボランガス等が用いられる。ざらに、化学的
修飾物質として酸素原子を膜中に含有せしめるための原
料ガスとして、酸素ガス、亜酸化窒素ガス、オゾンガス
、或は、−酸化炭素ガス、等の酸素化合物ガスが用いら
れる。
本発明において化学的修飾物質として含有される燐原子
或は硼素原子の量は、全構成原子に対して20000原
子ppm以下である。ここで燐原子或は硼素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或はI
MA分析により知る事ができる。燐原子或は硼素原子の
膜中含有量が2oooo原子ppmより高い場合には、
少量の添加では好適な輸送性、或は、極性制御効果を保
証していた燐原子或は硼素原子が、逆に膜の低抵抗化を
招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。従って、本発
明における燐原子或は硼素原子添加量の範囲は重要であ
る。
或は硼素原子の量は、全構成原子に対して20000原
子ppm以下である。ここで燐原子或は硼素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或はI
MA分析により知る事ができる。燐原子或は硼素原子の
膜中含有量が2oooo原子ppmより高い場合には、
少量の添加では好適な輸送性、或は、極性制御効果を保
証していた燐原子或は硼素原子が、逆に膜の低抵抗化を
招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。従って、本発
明における燐原子或は硼素原子添加量の範囲は重要であ
る。
本発明において化学的修飾物質として含有される酸素原
子の量は、全構成原子に対してo、001乃至1原子%
である。ここで酸素原子の膜中含有量は、元素分析の常
法、例えばオージェ分析或はIMA分析により知る事が
できる。酸素原子の膜中含有量が0.001原子%より
低い場合には、a−3i膜の電気抵抗値が低くなる事が
らa−3i膜にコロナ帯電等による電界がかかりにくく
なり、光励起キャリアが必ずしも効率よ<a−C膜中に
注入されなくなり感度の低下を招く。また、帯電能も低
下する。酸素原子の膜中含有量が1原子%より高い場合
には、逆にa−Si膜の電気抵抗値が高くなりすぎる事
から、光励起キャリアの発生効率並びに易動速度が低下
し、感度の低下を招く。従って、本発明における酸素原
子添加量の範囲は重要である。
子の量は、全構成原子に対してo、001乃至1原子%
である。ここで酸素原子の膜中含有量は、元素分析の常
法、例えばオージェ分析或はIMA分析により知る事が
できる。酸素原子の膜中含有量が0.001原子%より
低い場合には、a−3i膜の電気抵抗値が低くなる事が
らa−3i膜にコロナ帯電等による電界がかかりにくく
なり、光励起キャリアが必ずしも効率よ<a−C膜中に
注入されなくなり感度の低下を招く。また、帯電能も低
下する。酸素原子の膜中含有量が1原子%より高い場合
には、逆にa−Si膜の電気抵抗値が高くなりすぎる事
から、光励起キャリアの発生効率並びに易動速度が低下
し、感度の低下を招く。従って、本発明における酸素原
子添加量の範囲は重要である。
本発明におけるa−Si膜中に含まれる水素原子或は弗
素原子の量はグロー放電を用いるというその製造面から
必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシリコ
ン原子と弗素原子の総量に対して、概ね10乃至35原
子%含有される。ここで、水素原子或は弗素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばONH分析、オージ
ェ分析等を用いる事により知る事ができる。
素原子の量はグロー放電を用いるというその製造面から
必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシリコ
ン原子と弗素原子の総量に対して、概ね10乃至35原
子%含有される。ここで、水素原子或は弗素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばONH分析、オージ
ェ分析等を用いる事により知る事ができる。
本発明における電荷発生層としてのa−Si膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、0.1乃
至5μmが適当であり、0.1μmより薄いと、光吸収
が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、感
度の低下を招く。また、5μmより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このa−Si膜は電荷発生能に富み、
ざらに、本発明の最も特徴とするところのa−C膜との
積層構成において効率よ<a−C膜中に発生キャリアを
注入せしめ、好適な明減衰に寄与する事が可能である。
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、0.1乃
至5μmが適当であり、0.1μmより薄いと、光吸収
が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、感
度の低下を招く。また、5μmより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このa−Si膜は電荷発生能に富み、
ざらに、本発明の最も特徴とするところのa−C膜との
積層構成において効率よ<a−C膜中に発生キャリアを
注入せしめ、好適な明減衰に寄与する事が可能である。
本発明における原料気体からa−Si膜を形成する過程
は、a−C膜を形成する場合と同様にして行なわれる。
は、a−C膜を形成する場合と同様にして行なわれる。
本発明において化学的修飾物質として含有きれる酸素原
子、燐原子、或は、硼素原子の量は、主に9.プラズマ
反応を行なう反応室への前述の酸素化合物ガス、ホスフ
ィンガス、或は、ジボランガスの導入量を増減すること
により制御することが可能である。酸素化合物ガス、ホ
スフィンガス、或は、ジボランガスの導入量を増大きせ
れば、本発明によるa−3i膜中への酸素原子、燐原子
、或は、硼素原子の添加量を高くすることが可能であり
、逆に酸素化合物ガス、ホスフィンガス、或は、ジボラ
ンガスの導入量を減少させれば、本発明によるa−3i
膜中への酸素原子、燐原子、或は、硼素原子の添加量を
低くすることが可能である。
子、燐原子、或は、硼素原子の量は、主に9.プラズマ
反応を行なう反応室への前述の酸素化合物ガス、ホスフ
ィンガス、或は、ジボランガスの導入量を増減すること
により制御することが可能である。酸素化合物ガス、ホ
スフィンガス、或は、ジボランガスの導入量を増大きせ
れば、本発明によるa−3i膜中への酸素原子、燐原子
、或は、硼素原子の添加量を高くすることが可能であり
、逆に酸素化合物ガス、ホスフィンガス、或は、ジボラ
ンガスの導入量を減少させれば、本発明によるa−3i
膜中への酸素原子、燐原子、或は、硼素原子の添加量を
低くすることが可能である。
本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
成る機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。
成る機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。
第1図は、その一形態として、導電性基板(1)上に電
荷輸送層(2)と電荷発生層(3)を順次積層してなる
構成を示したものである。第2図は、別の一形態として
、導電性基板(1)上に電荷発生層(3)と電荷輸送層
(2)を順次積層してなる構成を示したものである。第
3図は、別の一形態として、導電性基板(1)上に、電
荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。
荷輸送層(2)と電荷発生層(3)を順次積層してなる
構成を示したものである。第2図は、別の一形態として
、導電性基板(1)上に電荷発生層(3)と電荷輸送層
(2)を順次積層してなる構成を示したものである。第
3図は、別の一形態として、導電性基板(1)上に、電
荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。
感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第1図では
電荷発生層(3)で発生した正孔が電荷輸送層(2)中
を導電性基板(1)に向は走行し、第2図では電荷発生
層(3)で発生した電子が電荷輸送層(2)中を感光体
表面に向は走行し、第3図では電荷発生層(3)で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送層(2)中を導電性
基板(1)に向は走行すると共に、同時に電荷発生層(
3)で発生した電子が表面側の電荷輸送層(2)中を感
光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証された静電
潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電し
た後、画像露光して使用する場合においては、電子と正
孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれば
よい。第2図及び第3図では、画像露光用の照射光が電
荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による電荷輸
送層は透光性に優れることから、好適な潜像形成を行な
うことが可能である。
後、画像露光して使用する場合においては、第1図では
電荷発生層(3)で発生した正孔が電荷輸送層(2)中
を導電性基板(1)に向は走行し、第2図では電荷発生
層(3)で発生した電子が電荷輸送層(2)中を感光体
表面に向は走行し、第3図では電荷発生層(3)で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送層(2)中を導電性
基板(1)に向は走行すると共に、同時に電荷発生層(
3)で発生した電子が表面側の電荷輸送層(2)中を感
光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証された静電
潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電し
た後、画像露光して使用する場合においては、電子と正
孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれば
よい。第2図及び第3図では、画像露光用の照射光が電
荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による電荷輸
送層は透光性に優れることから、好適な潜像形成を行な
うことが可能である。
第4図は、ざらなる一形態として、導電性基板(1)上
に電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と表面保護層(
4)を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第1図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第1図の形態では、最表面が耐湿性に乏しいa−Si膜
で有ることから、多くの場合実用上の対湿度安定性を確
保するために表面保護層を設けることが好ましい。第2
図及び第3図の構成の場合、最表面が耐久性に優れたa
−C膜であるため表面保護層を設けなくてもよいが、例
えば現像剤の付着による感光体表面の汚れを防止するよ
うな、複写機内の各種エレメントに対する整合性を調整
する目的から、表面保護層を設けることもざらなる一形
態と成りうる。
に電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と表面保護層(
4)を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第1図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第1図の形態では、最表面が耐湿性に乏しいa−Si膜
で有ることから、多くの場合実用上の対湿度安定性を確
保するために表面保護層を設けることが好ましい。第2
図及び第3図の構成の場合、最表面が耐久性に優れたa
−C膜であるため表面保護層を設けなくてもよいが、例
えば現像剤の付着による感光体表面の汚れを防止するよ
うな、複写機内の各種エレメントに対する整合性を調整
する目的から、表面保護層を設けることもざらなる一形
態と成りうる。
第5図は、ざらなる一形態として、導電性基板(1)上
に中間層(5)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第2
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第2図の
形態では、導電性基板との接合面がa−Si膜である事
から、多くの場合接着性及び注入阻止効果を確保するた
めに中間層を設ける事が好ましい。第1図及び第3図の
構成の場合、導電性基板との接合面が、接着性及び注入
阻止効果に優れた、本発明による電荷輸送層であるため
、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前
処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合
性を調整する目的から、中間層を設けることもざらなる
一形態と成りうる。
に中間層(5)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第2
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第2図の
形態では、導電性基板との接合面がa−Si膜である事
から、多くの場合接着性及び注入阻止効果を確保するた
めに中間層を設ける事が好ましい。第1図及び第3図の
構成の場合、導電性基板との接合面が、接着性及び注入
阻止効果に優れた、本発明による電荷輸送層であるため
、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前
処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合
性を調整する目的から、中間層を設けることもざらなる
一形態と成りうる。
第6図は、ざらなる一形態として、導電性基板(1)上
に中間層(5)と電荷輸送7! (2)と電荷発生i
(3)と表面保護層(4)を順次積層してなる構成を示
したものである。即ち第1図の形態に中間層と表面保護
層を設けた形態に相当する。
に中間層(5)と電荷輸送7! (2)と電荷発生i
(3)と表面保護層(4)を順次積層してなる構成を示
したものである。即ち第1図の形態に中間層と表面保護
層を設けた形態に相当する。
中間層と表面保護層の設置理由は前述と同様であり、従
って第2図及び第3図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもざらなる一形態と成りうる。
って第2図及び第3図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもざらなる一形態と成りうる。
本発明において中間層と表面保護層は、材料的にも、製
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるa −CI!Aを用いてもよい。但し
、用いる材料が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材料
である場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は5μ
m以下に留める必要がある。
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるa −CI!Aを用いてもよい。但し
、用いる材料が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材料
である場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は5μ
m以下に留める必要がある。
本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再結合反
応により固相として堆積きせる、所謂プラズマ重合反応
から生成される事が好ましい。
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再結合反
応により固相として堆積きせる、所謂プラズマ重合反応
から生成される事が好ましい。
第7図は本発明に係わる感光体の製造装置を示し、図中
(701)〜(706)は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを密封した第1乃至第6タ
ンクで、各々のタンクは第1乃至第6調節弁(707)
〜(712)と第1乃至第6流量制御蕃(713)〜(
718)に接続されている。図中(719)〜(721
)は常温において液相または固相状態にある原料化合物
を封入した第1乃至第3容器で、各々の容器は気化のた
め第1乃至第3温調器(722)〜(724)により与
熱可能であり、ざらに各々の容器は第7乃至第9調節弁
(725)〜(727)と第7乃至第9流量制御器(7
28)〜(730)に接続きれている。これらのガスは
混合器(731)で混合された後、主! (732)を
介して反応室(733)に送り込まれる。途中の配管は
、常温において液相または固相状態にあった原料化合物
が気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置
された配管加熱! (734)により、与熱可能ときれ
ている。反応室内には接地電極(735)と電力印加電
極(736)が対向して設置きれ、各々の電極は電極加
熱器(737)により与熱可能とされている。電力中加
電ti (736)には、高周波電力用整合器(738
)を介して高周波電源(739)、低周波電力用整合M
(740)を介して低周波電源(741)、ローパス
フィルタ(742)を介して直流電源(743)が接続
されており、接続選択スイッチ(744)により周波数
の異なる電力が印加可能とされている。反応室(733
)内の圧力は圧力制御弁(745)により調整可能であ
り、反応室(733)内の減圧は、排気系選択弁(74
6)を介して、拡散ポンプ(747) 、油回転ポンプ
(748) 、或は、冷却除外装置(749) 、メカ
ニカルブースターポンプ(750)、油回転ポンプ(7
48)により行なわれる。排ガスについては、ざらに適
当な除外装置(753)により安全無害化した後、大気
中に排気される。これら排気系配管についても、常温に
おいて液相または固相状態にあった原料化金物が気化し
たガスが、途中で凝結しないように、適宜配置きれた配
管加熱器(734)により、与熱可能ときれている。反
応室(733)も同様の理由から反応室加熱器(751
)により与熱可能ときれ、内部に配されたs極上に導電
性基板(752)が設置きれる。第7図において導電性
基板(752)は接地電極(735)に固定して配きれ
ているが、電力中加電ti(736)に固定して配され
てもよく、ざらに双方に配されてもよい。
(701)〜(706)は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを密封した第1乃至第6タ
ンクで、各々のタンクは第1乃至第6調節弁(707)
〜(712)と第1乃至第6流量制御蕃(713)〜(
718)に接続されている。図中(719)〜(721
)は常温において液相または固相状態にある原料化合物
を封入した第1乃至第3容器で、各々の容器は気化のた
め第1乃至第3温調器(722)〜(724)により与
熱可能であり、ざらに各々の容器は第7乃至第9調節弁
(725)〜(727)と第7乃至第9流量制御器(7
28)〜(730)に接続きれている。これらのガスは
混合器(731)で混合された後、主! (732)を
介して反応室(733)に送り込まれる。途中の配管は
、常温において液相または固相状態にあった原料化合物
が気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置
された配管加熱! (734)により、与熱可能ときれ
ている。反応室内には接地電極(735)と電力印加電
極(736)が対向して設置きれ、各々の電極は電極加
熱器(737)により与熱可能とされている。電力中加
電ti (736)には、高周波電力用整合器(738
)を介して高周波電源(739)、低周波電力用整合M
(740)を介して低周波電源(741)、ローパス
フィルタ(742)を介して直流電源(743)が接続
されており、接続選択スイッチ(744)により周波数
の異なる電力が印加可能とされている。反応室(733
)内の圧力は圧力制御弁(745)により調整可能であ
り、反応室(733)内の減圧は、排気系選択弁(74
6)を介して、拡散ポンプ(747) 、油回転ポンプ
(748) 、或は、冷却除外装置(749) 、メカ
ニカルブースターポンプ(750)、油回転ポンプ(7
48)により行なわれる。排ガスについては、ざらに適
当な除外装置(753)により安全無害化した後、大気
中に排気される。これら排気系配管についても、常温に
おいて液相または固相状態にあった原料化金物が気化し
たガスが、途中で凝結しないように、適宜配置きれた配
管加熱器(734)により、与熱可能ときれている。反
応室(733)も同様の理由から反応室加熱器(751
)により与熱可能ときれ、内部に配されたs極上に導電
性基板(752)が設置きれる。第7図において導電性
基板(752)は接地電極(735)に固定して配きれ
ているが、電力中加電ti(736)に固定して配され
てもよく、ざらに双方に配されてもよい。
第8図は本発明に係わる感光体の製造装置の別の一形態
を示し、反応室(833)内部の形態以外は、第7図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様であり、
付記された番号は、700番台のものを800番台に置
き換えて解すればよい。第8図において、反応室(83
3)内部には、第7図における接地電極(735)を兼
ねた円筒形の導電性基板(852)が設置され、内側に
は電極加熱器(83?)が配されている。導電性基板<
852)周囲には同じく円筒形状をした電力印加電極(
836)が配され、外側には電極加熱器(83?)が配
されている。導電性基板(852)は、外部より駆動モ
ータ(854)を用いて自転可能となっている。
を示し、反応室(833)内部の形態以外は、第7図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様であり、
付記された番号は、700番台のものを800番台に置
き換えて解すればよい。第8図において、反応室(83
3)内部には、第7図における接地電極(735)を兼
ねた円筒形の導電性基板(852)が設置され、内側に
は電極加熱器(83?)が配されている。導電性基板<
852)周囲には同じく円筒形状をした電力印加電極(
836)が配され、外側には電極加熱器(83?)が配
されている。導電性基板(852)は、外部より駆動モ
ータ(854)を用いて自転可能となっている。
感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め1
0−4乃至1O−6Torr程度にまで減圧し、真空度
の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配され
た導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板に
は、前述の如き感光体構成の中から所望の構成を得るた
めに、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷発
生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電荷
発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を用
いてもよい。次いで、第1乃至第6タンク及び第1乃至
第3容器から、原料ガスを適宜第1乃至第9流量制御器
を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節
弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が
安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば高周波
電源を選択し、電力印加電極に高周波電力を投入する。
0−4乃至1O−6Torr程度にまで減圧し、真空度
の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配され
た導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板に
は、前述の如き感光体構成の中から所望の構成を得るた
めに、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷発
生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電荷
発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を用
いてもよい。次いで、第1乃至第6タンク及び第1乃至
第3容器から、原料ガスを適宜第1乃至第9流量制御器
を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節
弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が
安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば高周波
電源を選択し、電力印加電極に高周波電力を投入する。
両電極間には放電が開始され、時間と共に基板上に同相
の膜が形成される。a−Si膜或はa−C膜は、原料ガ
スを代える事により任意に形成可能である。放電を一旦
停止し、原料ガス組成を変更した後、再び放電を再開す
れば異なる組成の膜を積層する事ができる。また、放電
を持続させながら原料ガス流量だけを徐々に代え、異な
る組成の膜を勾配を持たせながら積層する事も可能であ
る。
の膜が形成される。a−Si膜或はa−C膜は、原料ガ
スを代える事により任意に形成可能である。放電を一旦
停止し、原料ガス組成を変更した後、再び放電を再開す
れば異なる組成の膜を積層する事ができる。また、放電
を持続させながら原料ガス流量だけを徐々に代え、異な
る組成の膜を勾配を持たせながら積層する事も可能であ
る。
反応時間により膜厚を刷部し、所定の膜厚並びに積層構
成に達したところで放電を停止し、本発明による感光体
を得る。次いで、第1乃至第9調節弁を閉じ、反応室内
を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得られる
場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明によ
る感光体を取り出す。更に所望の感光体構成において、
電荷発生層或はオーバーコート層が必要とされる場合に
は、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦真空を
破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け、本発
明による感光体を得る。
成に達したところで放電を停止し、本発明による感光体
を得る。次いで、第1乃至第9調節弁を閉じ、反応室内
を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得られる
場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明によ
る感光体を取り出す。更に所望の感光体構成において、
電荷発生層或はオーバーコート層が必要とされる場合に
は、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦真空を
破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け、本発
明による感光体を得る。
以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。
X旅グ1
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1、第2、及び第3調節弁(707,
708、及び709)を解放し、第1タンク(701)
より水素ガス、第2タンク(702)よりブタジェンガ
ス、及び第3タンク(703)より四塩化炭素ガスを各
々出力圧1゜0Kg/cm2の下で第1、第2、及び第
3流量制御器(713,714、及び715)内へ流入
させた。水素ガスの流量を60secm1ブタジェンガ
スの流量を60sccm、及び四塩化炭素ガスの流量を
30secmとなるように設定して、途中混合器(73
1)を介して、主管(732)より反応室(733)内
へ流入した。各々の流量が安定した後に、反応室(73
3)内の圧力が2゜0Torrとなるように圧力調節弁
(745)を調整した。一方、導電性基板(752)と
しては、樅50×横50×厚3mmのアルミニウム基板
を用いて、予め120℃に加熱しておき、ガス流量及び
圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッf (74
4)により接続しておいた低周波電源(741)を投入
し、電力印加電極(736)に120Wattの電力を
周波数300KHzの下で印加して約30分間プラズマ
重合反応を行ない、導電性基板(752)上に厚き15
μmのa −C膜を電荷輸送層として形成した。成膜完
了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(7
33)内を充分に排気した。
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1、第2、及び第3調節弁(707,
708、及び709)を解放し、第1タンク(701)
より水素ガス、第2タンク(702)よりブタジェンガ
ス、及び第3タンク(703)より四塩化炭素ガスを各
々出力圧1゜0Kg/cm2の下で第1、第2、及び第
3流量制御器(713,714、及び715)内へ流入
させた。水素ガスの流量を60secm1ブタジェンガ
スの流量を60sccm、及び四塩化炭素ガスの流量を
30secmとなるように設定して、途中混合器(73
1)を介して、主管(732)より反応室(733)内
へ流入した。各々の流量が安定した後に、反応室(73
3)内の圧力が2゜0Torrとなるように圧力調節弁
(745)を調整した。一方、導電性基板(752)と
しては、樅50×横50×厚3mmのアルミニウム基板
を用いて、予め120℃に加熱しておき、ガス流量及び
圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッf (74
4)により接続しておいた低周波電源(741)を投入
し、電力印加電極(736)に120Wattの電力を
周波数300KHzの下で印加して約30分間プラズマ
重合反応を行ない、導電性基板(752)上に厚き15
μmのa −C膜を電荷輸送層として形成した。成膜完
了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(7
33)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたa −C膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して55原子%、また、オージ
ェ分析より含有されるハロゲン原子、即ち、塩素原子の
量は全構成原子に対して5.9原子%であった。
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して55原子%、また、オージ
ェ分析より含有されるハロゲン原子、即ち、塩素原子の
量は全構成原子に対して5.9原子%であった。
電荷発生層形成工程:
次いで、第1調節弁(707)、第5調節弁(711)
、及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(7
01)から水素ガス、第5タンク(705)から酸素ガ
ス、及び第6タンク(706)からシランガスを、出力
圧IKg/cm2の下で第1、第5、及び第6流量制御
器(713,717、及び718)内へ流入させな。同
時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タンク(7
04)より水素ガスで1100ppに希釈されたジボラ
ンガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4流量制
都器(716)内へ、流入させた。各流量制御器の目盛
を調整して水素ガスの流量を200secm、酸素ガス
の流量を0.5secm。
、及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(7
01)から水素ガス、第5タンク(705)から酸素ガ
ス、及び第6タンク(706)からシランガスを、出力
圧IKg/cm2の下で第1、第5、及び第6流量制御
器(713,717、及び718)内へ流入させな。同
時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タンク(7
04)より水素ガスで1100ppに希釈されたジボラ
ンガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4流量制
都器(716)内へ、流入させた。各流量制御器の目盛
を調整して水素ガスの流量を200secm、酸素ガス
の流量を0.5secm。
シランガスの流量を101005e、水素ガスで110
0ppに希釈されたジボランガスの流量を10105e
に設定し、反応室(733)内に流入させた。各々の流
量が安定した後に、反応室(733)内の圧力が0.9
Torrとなるように圧力調節弁(745)を調整した
。一方、a−C膜が形成されている導電性基板(752
)は、230℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安
定した状態で、高周波電源(739)より周波数13.
56MHzの下で電力印加電極(736)に35Wat
tの電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放電
を5分間行ない、厚き0.3μmの電荷発生層を得た。
0ppに希釈されたジボランガスの流量を10105e
に設定し、反応室(733)内に流入させた。各々の流
量が安定した後に、反応室(733)内の圧力が0.9
Torrとなるように圧力調節弁(745)を調整した
。一方、a−C膜が形成されている導電性基板(752
)は、230℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安
定した状態で、高周波電源(739)より周波数13.
56MHzの下で電力印加電極(736)に35Wat
tの電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放電
を5分間行ない、厚き0.3μmの電荷発生層を得た。
得られたa−Si膜につき、金属中○NH分析(板場製
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して2o原子%、硼素原子は12原子りpm
%酸素原子は0.1原子%であった。
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して2o原子%、硼素原子は12原子りpm
%酸素原子は0.1原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如ぎ性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一660V (+660V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は43■/μm(43V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれた
。
電並びに正帯電で用いたところ次の如ぎ性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一660V (+660V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は43■/μm(43V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれた
。
また、暗中にてVmaXからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約16秒(約17
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰きせたとこる必要とされた光量は1,3ルツク
ス・秒(1,フルックス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約16秒(約17
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰きせたとこる必要とされた光量は1,3ルツク
ス・秒(1,フルックス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解きれる。
として優れた性能を有するものである事が理解きれる。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
去施釘旦
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を10−’To r r程度の高
真空にした後、第3調節弁(709)を解放し、第3タ
ンク(703)より四塩化炭素ガスを出力圧1.0Kg
/cm2の下で第3流量制御器(715)内へ流入きせ
た。同時に、第1容器(719)よりミルセンガスを第
1温調器(722)温度130℃のもと第7流量制御器
(728)内へ流入きせた。四塩化炭素ガスの流量を2
5sCCrn N及びミルセンガスの流量を153CC
mと替るように設定して、途中混合!(731)を介し
て、主管(732)より反応室(733)内へ流入した
。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧
力が1.5Torrとなるように圧力調節弁(745)
を調整した。一方、導電性基板(752)としては、R
150X横50X厚3mmのアルミニウム基板を用いて
、予め200℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安
定した状態で、予め接続選択スイッチ(744)により
接続しておいた低周波電源(741)を投入し、電力印
加電極(736)に170Wattの電力を周波数35
KHzの下で印加して約1時間20分プラズマ重合反応
を行ない、導電性基板(752)上に厚ざ15μmのa
−C膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電
力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を
充分に排気した。
装置(733)の内部を10−’To r r程度の高
真空にした後、第3調節弁(709)を解放し、第3タ
ンク(703)より四塩化炭素ガスを出力圧1.0Kg
/cm2の下で第3流量制御器(715)内へ流入きせ
た。同時に、第1容器(719)よりミルセンガスを第
1温調器(722)温度130℃のもと第7流量制御器
(728)内へ流入きせた。四塩化炭素ガスの流量を2
5sCCrn N及びミルセンガスの流量を153CC
mと替るように設定して、途中混合!(731)を介し
て、主管(732)より反応室(733)内へ流入した
。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧
力が1.5Torrとなるように圧力調節弁(745)
を調整した。一方、導電性基板(752)としては、R
150X横50X厚3mmのアルミニウム基板を用いて
、予め200℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安
定した状態で、予め接続選択スイッチ(744)により
接続しておいた低周波電源(741)を投入し、電力印
加電極(736)に170Wattの電力を周波数35
KHzの下で印加して約1時間20分プラズマ重合反応
を行ない、導電性基板(752)上に厚ざ15μmのa
−C膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電
力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を
充分に排気した。
以上のようにして得られたa−C膜につき有機元素分析
を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して47原子%であった。また、
オージェ分析より含有されるハロゲン原子、即ち、塩素
原子の量は全構成原子に対して13.4原子%であった
。
を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して47原子%であった。また、
オージェ分析より含有されるハロゲン原子、即ち、塩素
原子の量は全構成原子に対して13.4原子%であった
。
電荷発生層形成工程:
次いで、第1調節弁(707)、第5調節弁(711L
及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(70
1)から水素ガス、第5タンク(705)から亜酸化窒
素ガス、及び第6タンク(706)からシランガスを、
出力圧IKg/Cm2の下で第1、第5、及び第6流量
制御器(713.717、及び718)内へ流入きせた
。同時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タンク
(704)より水素ガスで10ppmに希釈されたホス
フィンガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4流
量制罪器(716)内へ、流入させた。
及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(70
1)から水素ガス、第5タンク(705)から亜酸化窒
素ガス、及び第6タンク(706)からシランガスを、
出力圧IKg/Cm2の下で第1、第5、及び第6流量
制御器(713.717、及び718)内へ流入きせた
。同時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タンク
(704)より水素ガスで10ppmに希釈されたホス
フィンガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4流
量制罪器(716)内へ、流入させた。
各流量fawI器の目盛を調整して水素ガスの流量を2
00secm、亜酸化窒素ガスの流量を10105e、
シランガスの流量を200secm、水素ガスで110
0ppに希釈されたホスフィンガスの流量を10105
eに設定し、反応室(733)内に流入させた。各々の
流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力が0.
8Torrとなるように圧力H1ft弁(745)を調
整した。一方、a−C膜が形成されている導電性基板(
752)は、230℃に加熱しておき、ガス流量及び圧
力が安定した状態で、高周波電源(739)より周波数
13.56MHzの下で電力印加電極(736)に35
Wattの電力を印加し、グロー放電を発生させた。こ
の放電を5分間行ない、厚ざ0゜3μmの電荷発生層を
得た。
00secm、亜酸化窒素ガスの流量を10105e、
シランガスの流量を200secm、水素ガスで110
0ppに希釈されたホスフィンガスの流量を10105
eに設定し、反応室(733)内に流入させた。各々の
流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力が0.
8Torrとなるように圧力H1ft弁(745)を調
整した。一方、a−C膜が形成されている導電性基板(
752)は、230℃に加熱しておき、ガス流量及び圧
力が安定した状態で、高周波電源(739)より周波数
13.56MHzの下で電力印加電極(736)に35
Wattの電力を印加し、グロー放電を発生させた。こ
の放電を5分間行ない、厚ざ0゜3μmの電荷発生層を
得た。
得られたa−St膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所l?EMGA−1300) 1.t−ジ工分析、及
びIMA分析を行なったところ、含有きれる水素原子は
全構成原子に対して22原子%、燐原子は10原子pp
m、酸素原子は1.0原子%であフた。
作所l?EMGA−1300) 1.t−ジ工分析、及
びIMA分析を行なったところ、含有きれる水素原子は
全構成原子に対して22原子%、燐原子は10原子pp
m、酸素原子は1.0原子%であフた。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如芳性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一460V (+630V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は30V/μm(41V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
電並びに正帯電で用いたところ次の如芳性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一460V (+630V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は30V/μm(41V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
また、暗中にてVmaxからVmaXの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約13秒(約18
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯at位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯int位の20%の表面電位に
まで明減衰させたとこる必要ときれた光量は4.3ルツ
クス・秒(14,0ルツクス・秒)であり、このことか
ら充分な光感度性能を有する事が理解きれた。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約13秒(約18
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯at位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯int位の20%の表面電位に
まで明減衰させたとこる必要ときれた光量は4.3ルツ
クス・秒(14,0ルツクス・秒)であり、このことか
ら充分な光感度性能を有する事が理解きれた。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
X施豊旦
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を10−8To r r程度の高
真空にした後、第1、第2、及び第3調節弁(707,
708、及び7o9)を解放し、第1タンク(701)
より水素ガス、第2タンク(702)よりアセチレンガ
ス、及び第3タンク(703)より四弗化炭素ガスを各
々出力圧1゜0Kg/cm2の下で第1、第2、及び第
3流量制罪器(713,714、及び715)内へ流入
きせた。そして各流量制卸器の目盛を調整して、水素ガ
スの流量を120secm、アセチレンガスの流量を3
5sccms及び四弗化炭素ガスの流量が7secmと
なるように設定して、途中混合器(731)を介して、
主管(732)より反応室(733)内へ流入した。各
々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力が
2.OT。
装置(733)の内部を10−8To r r程度の高
真空にした後、第1、第2、及び第3調節弁(707,
708、及び7o9)を解放し、第1タンク(701)
より水素ガス、第2タンク(702)よりアセチレンガ
ス、及び第3タンク(703)より四弗化炭素ガスを各
々出力圧1゜0Kg/cm2の下で第1、第2、及び第
3流量制罪器(713,714、及び715)内へ流入
きせた。そして各流量制卸器の目盛を調整して、水素ガ
スの流量を120secm、アセチレンガスの流量を3
5sccms及び四弗化炭素ガスの流量が7secmと
なるように設定して、途中混合器(731)を介して、
主管(732)より反応室(733)内へ流入した。各
々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力が
2.OT。
rrとなるように圧力調節弁(745)を調整した。一
方、導電性基板(752)としては、ル5o×横50X
厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予め200℃に
加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予
め接続選択スイッチ(744)により接続しておいた高
周波電源(739)を投入し、電力印加′Ijl極(7
36)に200Wattの電力を周波数13.56MH
zの下で印加して約5時間プラズマ重合反応を行ない、
導電性基板(752)上に厚き15μmのa −C膜を
電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を
停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排
気した。
方、導電性基板(752)としては、ル5o×横50X
厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予め200℃に
加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予
め接続選択スイッチ(744)により接続しておいた高
周波電源(739)を投入し、電力印加′Ijl極(7
36)に200Wattの電力を周波数13.56MH
zの下で印加して約5時間プラズマ重合反応を行ない、
導電性基板(752)上に厚き15μmのa −C膜を
電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を
停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排
気した。
以上のようにして得られたa −C膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して30原子%、また、オージ
ェ分析より含有されるハロゲン原子、即ち、弗素原子の
量は全構成原子に対して0.9原子%であった。
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して30原子%、また、オージ
ェ分析より含有されるハロゲン原子、即ち、弗素原子の
量は全構成原子に対して0.9原子%であった。
電荷発生層形成工程:
次いで、第1調節弁(707)、第5調節弁(711)
、及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(7
01)から水素ガス、第5タンク(705)から亜酸化
窒素ガス、及び第6タンク(706)からシランガスを
、出力圧IKg/cm2の下で第1、第5、及び第6流
量制陣器(713,717、及び718)内へ流入させ
た。同時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タン
ク(704)より水素ガスで10ppmに希釈されたホ
スフィンガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4
流量制御器(716)内へ、流入させた。
、及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(7
01)から水素ガス、第5タンク(705)から亜酸化
窒素ガス、及び第6タンク(706)からシランガスを
、出力圧IKg/cm2の下で第1、第5、及び第6流
量制陣器(713,717、及び718)内へ流入させ
た。同時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タン
ク(704)より水素ガスで10ppmに希釈されたホ
スフィンガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4
流量制御器(716)内へ、流入させた。
各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を200
secm、亜酸化窒素ガスの流量を0.Olsecm、
シランガスの流量を200secm。
secm、亜酸化窒素ガスの流量を0.Olsecm、
シランガスの流量を200secm。
水素ガスで1100ppに希釈されたホスフィンガスの
流量を10105eに設定し、反応室(733)内に流
入きせた。各々の流量が安定した後に、反応室(733
)内の圧力が0.8Torrとなるように圧力調節弁(
745)を調整した。
流量を10105eに設定し、反応室(733)内に流
入きせた。各々の流量が安定した後に、反応室(733
)内の圧力が0.8Torrとなるように圧力調節弁(
745)を調整した。
一方、a−C膜が形成されている導電性基板(752)
は、250℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定
した状態で、高周波電源(739)より周波数13.5
6MHzの下で電力印加電極(736)に40Whtt
の電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放電を
5分間行ない、厚き0.3μmの電荷発生層を得た。
は、250℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定
した状態で、高周波電源(739)より周波数13.5
6MHzの下で電力印加電極(736)に40Whtt
の電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放電を
5分間行ない、厚き0.3μmの電荷発生層を得た。
得られたa−Si膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所製、EMGA−1300) 、オージェ分析、及び
IMA分析を行なったところ、含有される水素原子は全
構成原子に対して20原子%、燐原子は10原子ppm
5酸素原子は0.001原子%であった。
作所製、EMGA−1300) 、オージェ分析、及び
IMA分析を行なったところ、含有される水素原子は全
構成原子に対して20原子%、燐原子は10原子ppm
5酸素原子は0.001原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は−5oov (+920V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は52■/μm (60V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれ
た。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は−5oov (+920V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は52■/μm (60V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれ
た。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約35秒(約47
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の2o%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は2.9ルツク
ス・秒(6,5ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約35秒(約47
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の2o%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は2.9ルツク
ス・秒(6,5ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解きれる。
として優れた性能を有するものである事が理解きれる。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
害塵倒4
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を10−’Torr程度の高真空
にした後、第1、第2、及び第3(707,708、及
び709)!解放し、第1タンク(701)より水素ガ
ス、第2タンク(702)よりエチレンガス、及び第3
タンク(703)より四弗化炭素ガスを各々出力圧1.
0Kg/cm2の下で第1、第2、及び第3流量制御器
(713,714、及び715)内へ流入させた。
装置(733)の内部を10−’Torr程度の高真空
にした後、第1、第2、及び第3(707,708、及
び709)!解放し、第1タンク(701)より水素ガ
ス、第2タンク(702)よりエチレンガス、及び第3
タンク(703)より四弗化炭素ガスを各々出力圧1.
0Kg/cm2の下で第1、第2、及び第3流量制御器
(713,714、及び715)内へ流入させた。
そして各流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量
を60secm、エチレンガスの流量を60secm、
及び四弗化炭素ガスの流量を30scamとなるように
設定して、途中混合M(731)を介して、主管(73
2)より反応室(733)内へ流入した。各々の流量が
安定した後に、反応室(733)内の圧力が1.5To
rrとなるように圧力調節弁(745)を調整した。一
方、導電性基板(752)としては、縮50X横50×
厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予め250℃に
加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予
め接続選択スイッチ(744)により接続しておいた高
周波電源(739)を投入し、電力印加電極(736)
に200Wattの電力を周波数13.56MHzの下
で印加して約10時間プラズマ重合反応を行ない、導電
性基板(752)上に厚さ15μmのa −C膜を電荷
輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止
し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気し
た。
を60secm、エチレンガスの流量を60secm、
及び四弗化炭素ガスの流量を30scamとなるように
設定して、途中混合M(731)を介して、主管(73
2)より反応室(733)内へ流入した。各々の流量が
安定した後に、反応室(733)内の圧力が1.5To
rrとなるように圧力調節弁(745)を調整した。一
方、導電性基板(752)としては、縮50X横50×
厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予め250℃に
加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予
め接続選択スイッチ(744)により接続しておいた高
周波電源(739)を投入し、電力印加電極(736)
に200Wattの電力を周波数13.56MHzの下
で印加して約10時間プラズマ重合反応を行ない、導電
性基板(752)上に厚さ15μmのa −C膜を電荷
輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止
し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気し
た。
以上のようにして得られたa −C膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して39原子%、また、オージ
ェ分析より含有されるハロゲン原子、即ち、弗素原子の
量は全構成原子に対して1.8原子%であった。
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して39原子%、また、オージ
ェ分析より含有されるハロゲン原子、即ち、弗素原子の
量は全構成原子に対して1.8原子%であった。
電荷発生層形成工程:
次いで、ボンベ交換を行なった後、第1調節弁(707
) 、第3調節弁(709)、第5調節弁(711)、
及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(70
1)から水素ガス、第3タンク(703)から四弗化シ
ランガス、第5タンク(705)から亜酸化窒素ガス、
及び第6タンク(706)からシランガスを、出力圧I
Kg/cm2の下で第1、第3、第5、及び第6流量制
御器(713,715,717、及び718)内へ流入
させた。同時に、第4調節弁(710)を解放し、第4
タンク(704)より水素ガスで1100ppに希釈さ
れたジボランガスを、出力圧1゜5Kg/am2の下で
第4流量制御器(716)内へ、流入させた。各流量制
卸器の目盛を調整して水素ガスの流量を200secm
、四弗化シランガスの流量を50secms亜酸化窒素
ガスの流量をlsecm1シランガスの流量を50se
cm1水素ガスで1100ppに希釈されたジボランガ
スの流量を10105eとなるように設定し、反応室(
733)内に流入させた。各々の流量が安定した後に、
反応室(733)内の圧力が0゜9Torrとなるよう
に圧力調節弁(745)を調整した。一方、a −C膜
が形成されている導電性基板(752)は、250℃に
加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高
周波電源(739)より周波数13.56MHzの下で
電力印加電極(736)に35Wattの電力を印加し
、グロー放電を発生きせた。この放電を5分間行ない、
厚き0.3μmの電荷発生層を得た。
) 、第3調節弁(709)、第5調節弁(711)、
及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(70
1)から水素ガス、第3タンク(703)から四弗化シ
ランガス、第5タンク(705)から亜酸化窒素ガス、
及び第6タンク(706)からシランガスを、出力圧I
Kg/cm2の下で第1、第3、第5、及び第6流量制
御器(713,715,717、及び718)内へ流入
させた。同時に、第4調節弁(710)を解放し、第4
タンク(704)より水素ガスで1100ppに希釈さ
れたジボランガスを、出力圧1゜5Kg/am2の下で
第4流量制御器(716)内へ、流入させた。各流量制
卸器の目盛を調整して水素ガスの流量を200secm
、四弗化シランガスの流量を50secms亜酸化窒素
ガスの流量をlsecm1シランガスの流量を50se
cm1水素ガスで1100ppに希釈されたジボランガ
スの流量を10105eとなるように設定し、反応室(
733)内に流入させた。各々の流量が安定した後に、
反応室(733)内の圧力が0゜9Torrとなるよう
に圧力調節弁(745)を調整した。一方、a −C膜
が形成されている導電性基板(752)は、250℃に
加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高
周波電源(739)より周波数13.56MHzの下で
電力印加電極(736)に35Wattの電力を印加し
、グロー放電を発生きせた。この放電を5分間行ない、
厚き0.3μmの電荷発生層を得た。
得られたa−Si膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所製EMGA−1300)、オージェ分析、及びIM
A分析を行なったところ、含有される水素原子は全構成
原子に対して22原子%、硼素原子は10原子ppm1
弗素原子は5原子%、酸素原子は0.1原子%であった
。
作所製EMGA−1300)、オージェ分析、及びIM
A分析を行なったところ、含有される水素原子は全構成
原子に対して22原子%、硼素原子は10原子ppm1
弗素原子は5原子%、酸素原子は0.1原子%であった
。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一970V (+930V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯;能は63V/μm(61V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一970V (+930V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯;能は63V/μm(61V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約34秒(約36
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要ときれた光量は2.1ルツク
ス・秒(2,5ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解きれた。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約34秒(約36
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要ときれた光量は2.1ルツク
ス・秒(2,5ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解きれた。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解きれる。
として優れた性能を有するものである事が理解きれる。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
去施然旦
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を1O−6Torr程度の高真空
にした後、第3調節弁(709)を解放し、第3タンク
(703)よ四弗化炭素ガスを出力圧1.0Kg/cm
2の下で第3流量制御器(715)内へ流入させた。同
時に、第1容器(719)よりスチレンガスを第1温調
藷(722)温度52℃のもと第7流量制御器(728
)内へ流入させた。四弗化炭素ガスの流量を25sca
m1及びスチレンガスの流量を38secmとなるよう
に設定して、途中混合器(731)を介して、主管(7
32)より反応室(733)内へ流入した。各々の流量
が安定した後に、反応室(733)内の圧力が1.2T
orrとなるように圧力調節弁(745)を調整した。
装置(733)の内部を1O−6Torr程度の高真空
にした後、第3調節弁(709)を解放し、第3タンク
(703)よ四弗化炭素ガスを出力圧1.0Kg/cm
2の下で第3流量制御器(715)内へ流入させた。同
時に、第1容器(719)よりスチレンガスを第1温調
藷(722)温度52℃のもと第7流量制御器(728
)内へ流入させた。四弗化炭素ガスの流量を25sca
m1及びスチレンガスの流量を38secmとなるよう
に設定して、途中混合器(731)を介して、主管(7
32)より反応室(733)内へ流入した。各々の流量
が安定した後に、反応室(733)内の圧力が1.2T
orrとなるように圧力調節弁(745)を調整した。
一方、導電性基板(752)としては、tt150X横
50X厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予め20
0℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態
で、予め接続習択スイッチ(744)により接続してお
いた低周波電源(741)を投入し、電力印加電極(7
36)に150Watこの電力を周波数60KHzの下
で印加して約2時開平プラズマ重合反応を行ない、導電
性基板(752)上に厚ざ15μmのa−C膜を電荷輸
送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し
、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気した
。
50X厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予め20
0℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態
で、予め接続習択スイッチ(744)により接続してお
いた低周波電源(741)を投入し、電力印加電極(7
36)に150Watこの電力を周波数60KHzの下
で印加して約2時開平プラズマ重合反応を行ない、導電
性基板(752)上に厚ざ15μmのa−C膜を電荷輸
送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し
、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気した
。
以上のようにして得られたa −C膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して44原子%であった。また
、オージェ分析より含有されるハロゲン原子、即ち、弗
素原子の量は、全構成原子に対して、21原子%であっ
た。
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して44原子%であった。また
、オージェ分析より含有されるハロゲン原子、即ち、弗
素原子の量は、全構成原子に対して、21原子%であっ
た。
電荷発生層形成工程:
次いで、第1調節弁(707) 、第5調節弁(711
)、及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(
701)から水素ガス、第5タンク(705)から酸素
ガス、及び第6タンク(706)からシランガスを、出
力圧IKg/am2の下で第1、第5、及び第6流量制
御器(713,717、及び718)内へ流入させた。
)、及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(
701)から水素ガス、第5タンク(705)から酸素
ガス、及び第6タンク(706)からシランガスを、出
力圧IKg/am2の下で第1、第5、及び第6流量制
御器(713,717、及び718)内へ流入させた。
同時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タンク(
704)より水素ガスで10ppmに希釈きれたホスフ
ィンガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4流量
制御器(716)内へ、流入させた。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を200sccmS酸素ガ
スの流量を0.5sccmsシランガスの流量を200
secm1水毒ガスで1100ppに希釈されたホスフ
ィンガスの流量を10105eに設定し、反応室(73
3)内に流入させた。各々の流量が安定した後に、反応
室(733)内の圧力が1.0Torrとなる゛ように
圧力調節弁(745)を調整した。一方、a −CPi
cが形成されている導電性基板(752)は、250℃
に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、
窩周波電源(739)より周波数13.56MHzの下
で電力印加電極(736)に40Wattの電力を印加
し、グロー放電を発生させた。この放電を5分間行ない
、厚き0.3μmの電荷発生層を得た。
704)より水素ガスで10ppmに希釈きれたホスフ
ィンガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4流量
制御器(716)内へ、流入させた。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を200sccmS酸素ガ
スの流量を0.5sccmsシランガスの流量を200
secm1水毒ガスで1100ppに希釈されたホスフ
ィンガスの流量を10105eに設定し、反応室(73
3)内に流入させた。各々の流量が安定した後に、反応
室(733)内の圧力が1.0Torrとなる゛ように
圧力調節弁(745)を調整した。一方、a −CPi
cが形成されている導電性基板(752)は、250℃
に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、
窩周波電源(739)より周波数13.56MHzの下
で電力印加電極(736)に40Wattの電力を印加
し、グロー放電を発生させた。この放電を5分間行ない
、厚き0.3μmの電荷発生層を得た。
得られたa−Si膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して23原子%、燐原子は13原子ppm、
酸素原子は0.1原子%であった。
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して23原子%、燐原子は13原子ppm、
酸素原子は0.1原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一300V (+430V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は19V/μm (28V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一300V (+430V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は19V/μm (28V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約8秒(約11秒
)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する事
が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後、
白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にまで
明減衰させたとこる必要とされた光量は3.9ルツクス
・秒(10,5ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約8秒(約11秒
)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する事
が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後、
白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にまで
明減衰させたとこる必要とされた光量は3.9ルツクス
・秒(10,5ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
害旋皿旦
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
実施例2と同様にして本発明による感光体の電荷輸送層
を形成した。
を形成した。
電荷発生層形成工程:
次いで、第1調節弁(707)、第5調節弁(711)
、及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(7
01)から水素ガス、第5タンク(705)から亜酸化
窒素ガス、及び第6タンク(706)からシランガスを
、出力圧IKg/cm2の下で第1、第5、及び第6流
量制御器(713,717、及び718)内へ流入させ
た。同時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タン
ク(704)より水素ガスで1100ppに希釈された
ジボランガスを、出力圧1.5Kg/am2の下で第4
流量制御器(716)内へ、流入させた。
、及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(7
01)から水素ガス、第5タンク(705)から亜酸化
窒素ガス、及び第6タンク(706)からシランガスを
、出力圧IKg/cm2の下で第1、第5、及び第6流
量制御器(713,717、及び718)内へ流入させ
た。同時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タン
ク(704)より水素ガスで1100ppに希釈された
ジボランガスを、出力圧1.5Kg/am2の下で第4
流量制御器(716)内へ、流入させた。
各流量制御語の目盛を調整して水素ガスの流量を200
8CCm1亜酸化窒素ガスの流量を0.O1secms
シランガスの流量を101005e。
8CCm1亜酸化窒素ガスの流量を0.O1secms
シランガスの流量を101005e。
水素ガスで1100ppに希釈されたジボランガスの流
量を10105eとなるように設定し、反応室(733
)内に流入させた。各々の流量が安定した後に、反応室
(733)内の圧力が0.8Torrとなるように圧力
調節弁(745)を調整した。一方、a −C膜が形成
されている導電性基板(752)は、250℃に加熱し
ておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周波電
源(739)より周波数13.56MHzの下で電力印
加電極(736)に35Wattの電力を印加し、グロ
ー放電を発生きせた。この放電を5分間行ない、厚き0
.3μmの電荷発生層を得た。
量を10105eとなるように設定し、反応室(733
)内に流入させた。各々の流量が安定した後に、反応室
(733)内の圧力が0.8Torrとなるように圧力
調節弁(745)を調整した。一方、a −C膜が形成
されている導電性基板(752)は、250℃に加熱し
ておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周波電
源(739)より周波数13.56MHzの下で電力印
加電極(736)に35Wattの電力を印加し、グロ
ー放電を発生きせた。この放電を5分間行ない、厚き0
.3μmの電荷発生層を得た。
得られたa−3i膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所要EMGA−1300)、オージェ分析、及びIM
A分析を行なったところ、含有きれる水素原子は全構成
原子に対して22原子%、硼素原子は10原子ppm%
酸素原子は0.001原子%であった。
作所要EMGA−1300)、オージェ分析、及びIM
A分析を行なったところ、含有きれる水素原子は全構成
原子に対して22原子%、硼素原子は10原子ppm%
酸素原子は0.001原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一420V (+420V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は27■/μm(27V/μm)と極めて高べ
〜このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一420V (+420V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は27■/μm(27V/μm)と極めて高べ
〜このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約12秒(約13
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要ときれた光量は3,9ルツク
ス・秒(3,フルックス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約12秒(約13
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要ときれた光量は3,9ルツク
ス・秒(3,フルックス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
X旅透ヱ
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
実施例4と同様にして本発明による感光体の電荷輸送層
を形成した。
を形成した。
電荷発生層形成工程:
次いで、第1調節弁(707)、第5調節弁(711)
、及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(7
01)から水素ガス、第5タンク(705)から酸素ガ
ス、及び第6タンク(706)からシランガスを、出力
圧IKg/cm2の下で第1、第5、及び第6流量制御
器(713,717、及び718)内へ流入させた。同
時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タンク(7
04)より水素ガスで1100ppに希釈されたジボラ
ンガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4流量制
御器(716)内へ、流入させた。各流量制御器の目盛
を調整して水素ガスの流量を20Osccm、酸素ガス
の流量を5 s e c m sシランガスの流量を1
01005e、水素ガスで1100ppに希釈されたジ
ボランガスの流量を10105eに設定し、反応室(7
33)内に流入させた。各々の流量が安定した後に、反
応室(733)内の圧力が0.8Torrとなるように
圧力調節弁(745)を調整した。一方、a −C膜が
形成されている導電性基板(752)は、250℃に加
熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周
波電源(739)より周波数13.56MHzの下で電
力印加電極(736)に40Wattの電力を印加し、
グロー放電を発生させた。
、及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(7
01)から水素ガス、第5タンク(705)から酸素ガ
ス、及び第6タンク(706)からシランガスを、出力
圧IKg/cm2の下で第1、第5、及び第6流量制御
器(713,717、及び718)内へ流入させた。同
時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タンク(7
04)より水素ガスで1100ppに希釈されたジボラ
ンガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4流量制
御器(716)内へ、流入させた。各流量制御器の目盛
を調整して水素ガスの流量を20Osccm、酸素ガス
の流量を5 s e c m sシランガスの流量を1
01005e、水素ガスで1100ppに希釈されたジ
ボランガスの流量を10105eに設定し、反応室(7
33)内に流入させた。各々の流量が安定した後に、反
応室(733)内の圧力が0.8Torrとなるように
圧力調節弁(745)を調整した。一方、a −C膜が
形成されている導電性基板(752)は、250℃に加
熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周
波電源(739)より周波数13.56MHzの下で電
力印加電極(736)に40Wattの電力を印加し、
グロー放電を発生させた。
この放電を5分間行ない、厚ざ0.3μmの電荷発生層
を得た。
を得た。
得られたa−3t膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有きれる水素原子は全構
成原子に対して24原子%、硼素原子は10原子ppm
5酸素原子は1原子%であった。
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有きれる水素原子は全構
成原子に対して24原子%、硼素原子は10原子ppm
5酸素原子は1原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一980V (+930V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は64V/μm(61V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一980V (+930V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は64V/μm(61V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約45秒(約43
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させた□とこる必要とされた光量は2.5ルツ
クス・秒(4,8ルツクス・秒)であり、このことから
充分な光感度性能を有する事が理解された。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約45秒(約43
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させた□とこる必要とされた光量は2.5ルツ
クス・秒(4,8ルツクス・秒)であり、このことから
充分な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
火旅備品
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
実施例3と同様にして本発明による感光体の電荷輸送層
を形成した。
を形成した。
電荷発生層形成工程:
次いで、ボンベ交換の後、第1調節弁(707)、第3
調節弁(709) 、第5調節弁(711)、及び第6
調節弁(712)を解放し、第1タンク(701)から
水素ガス、第3タンク(703)から四弗化シランガス
、第5タンク(705)から亜酸化窒素ガス、及び第6
タンク(706)からシランガスを、出力圧IKg/c
m2の下で第1、第3、第5、及び第6流量制御器(7
13,715,717、及び718)内へ流入きせた。
調節弁(709) 、第5調節弁(711)、及び第6
調節弁(712)を解放し、第1タンク(701)から
水素ガス、第3タンク(703)から四弗化シランガス
、第5タンク(705)から亜酸化窒素ガス、及び第6
タンク(706)からシランガスを、出力圧IKg/c
m2の下で第1、第3、第5、及び第6流量制御器(7
13,715,717、及び718)内へ流入きせた。
同時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タンク(
704)より水素ガスで10ppmに希釈されたホスフ
ィンガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4流量
制御器(716)内へ、流入させた。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を200secm、四弗化
シランガスの流量を50secms亜酸化窒素ガスの流
量をOolsccm、シランガスの流量を55secm
。
704)より水素ガスで10ppmに希釈されたホスフ
ィンガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4流量
制御器(716)内へ、流入させた。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を200secm、四弗化
シランガスの流量を50secms亜酸化窒素ガスの流
量をOolsccm、シランガスの流量を55secm
。
水素ガスで1100ppに希釈されたホスフィンガスの
流量を10105eに設定し、反応室(733)内に流
入させた。各々の流量が安定した後に、反応室(733
)内の圧力が0.8Torrとなるように圧力調節弁(
745)を調整した。
流量を10105eに設定し、反応室(733)内に流
入させた。各々の流量が安定した後に、反応室(733
)内の圧力が0.8Torrとなるように圧力調節弁(
745)を調整した。
一方、a−C膜が形成されている導電性基板(752)
は、240℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定
した状態で、高周波電源(739)より周波数13.5
6MHzの下で電力印加電極(736)に35Watt
の電力を印加し、グロー放電を発生きせた。この放電を
5分間行ない、厚き0.3μmの電荷発生層を得た。
は、240℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定
した状態で、高周波電源(739)より周波数13.5
6MHzの下で電力印加電極(736)に35Watt
の電力を印加し、グロー放電を発生きせた。この放電を
5分間行ない、厚き0.3μmの電荷発生層を得た。
得られたa−Silj(につき、金属中ONH分析(板
場製作所製EMGA−1300)、オージェ分析、及び
IMA分析を行なったところ、含有きれる水素原子は全
構成原子に対して20原子%、燐原子は10原子ppm
、酸素原子は0.1原子%、弗素原子は4.9原子%で
あった。
場製作所製EMGA−1300)、オージェ分析、及び
IMA分析を行なったところ、含有きれる水素原子は全
構成原子に対して20原子%、燐原子は10原子ppm
、酸素原子は0.1原子%、弗素原子は4.9原子%で
あった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の」り定値を括弧内に示すが、最
高帯電電位は一910V(+960V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は59V/μm(63V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の」り定値を括弧内に示すが、最
高帯電電位は一910V(+960V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は59V/μm(63V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約35秒(約45
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は3.2ルツク
ス・秒(8,3ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解きれた。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約35秒(約45
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は3.2ルツク
ス・秒(8,3ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解きれた。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
実施例2
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
実施例1と同様にして本発明による感光体の電荷輸送層
を形成した。
を形成した。
電荷発生層形成工程:
次いで、第1調節弁(707)、第5調節弁(711)
、及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(7
01)から水素ガス、第5タンク(705)から酸素ガ
ス、及び第6タンク(706)からシランガスを、出力
圧IKg/am2の下で第1、第5、及び第6流量制御
器(713,717、及び718)内へ流入させた。同
時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タンク(7
04)より水素ガスで10ppmに希釈きれたホスフィ
ンガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4流量制
御器(716)内へ、流入させた。各流量制御器の目盛
を調整して水素ガスの流量を200secm、酸素ガス
の流量を1.35CCJTl。
、及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(7
01)から水素ガス、第5タンク(705)から酸素ガ
ス、及び第6タンク(706)からシランガスを、出力
圧IKg/am2の下で第1、第5、及び第6流量制御
器(713,717、及び718)内へ流入させた。同
時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タンク(7
04)より水素ガスで10ppmに希釈きれたホスフィ
ンガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4流量制
御器(716)内へ、流入させた。各流量制御器の目盛
を調整して水素ガスの流量を200secm、酸素ガス
の流量を1.35CCJTl。
シランガスの流量を200secm、水素ガスで100
p pmに希釈きれたホスフィンガスの流量を101
05eに設定し、反応室(733)内に流入きせた。各
々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力が
0.9Torrとなるように圧力調節弁(745)を調
整した。一方、a −C膜が形成されている導電性基板
(752)は、250℃に加熱しておき、ガス流量及び
圧力が安定した状態で、高周波電源(739)より周波
数13.56MHzの下で電力印加量tEj (736
)に35Wattの電力を印加し、グロー放電を発生き
せた。この放電を5分間行ない、厚き0.3μmの電荷
発生層を得た。
p pmに希釈きれたホスフィンガスの流量を101
05eに設定し、反応室(733)内に流入きせた。各
々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力が
0.9Torrとなるように圧力調節弁(745)を調
整した。一方、a −C膜が形成されている導電性基板
(752)は、250℃に加熱しておき、ガス流量及び
圧力が安定した状態で、高周波電源(739)より周波
数13.56MHzの下で電力印加量tEj (736
)に35Wattの電力を印加し、グロー放電を発生き
せた。この放電を5分間行ない、厚き0.3μmの電荷
発生層を得た。
得られたa−3i膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びr
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して18原子%、燐原子は12原子P P
m %酸素原子は0.3原子%であった。
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びr
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して18原子%、燐原子は12原子P P
m %酸素原子は0.3原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一600V (+840V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は39V/μm (55V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一600V (+840V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は39V/μm (55V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで#減衰するのに要した時間は約15秒(約21
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は1.2ルツク
ス・秒(4,1ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解きれた。
位にまで#減衰するのに要した時間は約15秒(約21
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は1.2ルツク
ス・秒(4,1ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解きれた。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
X旋伝上り
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
実施例5と同様にして本発明による感光体の電荷輸送層
を形成した。
を形成した。
電荷発生層形成工程:
次いで、第1調節弁(707)、第5調節弁(711)
、及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(7
01)から水素ガス、第5タンク(705)から亜酸化
窒素ガス、及び第6タンク(706)からシランガスを
、出力圧IKg/cm2の下で第1、第5、及び第6流
量制御器(713,717、及び718)内へ流入させ
た。同時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タン
ク(704)より水素ガスで1100ppに希釈された
ジボランガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4
流量制御器(716)内へ、流入させた。
、及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(7
01)から水素ガス、第5タンク(705)から亜酸化
窒素ガス、及び第6タンク(706)からシランガスを
、出力圧IKg/cm2の下で第1、第5、及び第6流
量制御器(713,717、及び718)内へ流入させ
た。同時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タン
ク(704)より水素ガスで1100ppに希釈された
ジボランガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4
流量制御器(716)内へ、流入させた。
各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を200
secms亜酸化窒素ガスの流量を3scCm%シラン
ガスの流量を101005e、水素ガスで1100pp
に希釈きれたジボランガスの流量を10105eに設定
し、反応室(733)内に流入させた。各々の流量が安
定した後に、反応室(733)内の圧力が1.0Tor
rとなるように圧力調節弁(745)を調整した。一方
、a−C膜が形成きれている導電性基板(752)は、
240℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した
状態で、高周波電源(739)より周波数13.56M
Hzの下で電力印加電極(736)に45Wattの電
力を印加し、グロー放電を発生させた。この放電を5分
間行ない、厚き0゜3μmの電荷発生層を得た。
secms亜酸化窒素ガスの流量を3scCm%シラン
ガスの流量を101005e、水素ガスで1100pp
に希釈きれたジボランガスの流量を10105eに設定
し、反応室(733)内に流入させた。各々の流量が安
定した後に、反応室(733)内の圧力が1.0Tor
rとなるように圧力調節弁(745)を調整した。一方
、a−C膜が形成きれている導電性基板(752)は、
240℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した
状態で、高周波電源(739)より周波数13.56M
Hzの下で電力印加電極(736)に45Wattの電
力を印加し、グロー放電を発生させた。この放電を5分
間行ない、厚き0゜3μmの電荷発生層を得た。
得られたa−3i膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して21原子%、硼素原子は11原子ppm
N酸素原子は0.31原子%であった。
作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及びI
MA分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して21原子%、硼素原子は11原子ppm
N酸素原子は0.31原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一400V (+390V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は26■/μm(25V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれた
。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一400V (+390V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は26■/μm(25V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれた
。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約10秒(約11
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要ときれた光量は5.6ルツク
ス・秒(8,3ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約10秒(約11
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要ときれた光量は5.6ルツク
ス・秒(8,3ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
第1図乃至第6図は本発明感光体の構成を示す図面、第
7図乃至第8図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 手続補正書 昭和62年10月21日
7図乃至第8図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 手続補正書 昭和62年10月21日
Claims (1)
- 電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型感光体に
おいて、該電荷輸送層は少なくともハロゲン原子を含有
してなる水素化アモルファスカーボン膜であり、かつ、
該電荷発生層は酸素原子を含有すると共に燐原子及び硼
素原子のうち少なくとも一方を含有してなる水素化アモ
ルファスシリコン膜或は酸素原子を含有すると共に燐原
子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有してなる弗
素化アモルファスシリコン膜であることを特徴とする感
光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22936086A JPS6381454A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22936086A JPS6381454A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6381454A true JPS6381454A (ja) | 1988-04-12 |
Family
ID=16890946
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22936086A Pending JPS6381454A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6381454A (ja) |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP22936086A patent/JPS6381454A/ja active Pending
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