JPS6382447A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産塞よΩ利里分野 本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する感光体に
関する。

従来技術 カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発さ
れ実用化されてきた。

従来用いられて来た電子写真感光体材料の主なものとし
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質が挙げられる。また、その構成形Ｈとしては、これ
らの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散さ
せて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電
荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。

しかしながら、従来用いられて来た電子写真感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。その−っとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝きれた場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。

このような欠点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐
久性に富んだ材料として、グロー放電法により生成され
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原料
としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガス
であることから、出来上がった電子写真感光体も従来の
感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、成膜速度
が遅く、成膜時間の増大に伴い爆発性を有するシラン未
分解生成物を粉層状に発生する等、生産上の不都合も多
い。また、この粉塵が製造時に感光層中に混入した場合
には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。さらに、アモ
ルファスシリコンは、元来、比訪電率が高いため帯電性
能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電するために
は膜厚を厚＜スる必要があり、高価なアモルファスシリ
コン膜を長時間堆積させなくてはならない。

ところでアモルファスカーボン膜自体は、プラズマ有機
重合膜として古くより知られており、例えばジエン（Ｍ
、５ｈｅｎ）及びベル（Ａ、Ｔ。

Ｂｅ１ｌ）により、１９７３年発行ののジャーナル・オ
ブ・アプライド・ポリマー・サイエンス（Ｊｏｕｒｎａ
ｌ　　ｏｆ　　Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐ。

ｌｙｍｅｒ　　５ｃｉｅｎｃｅ）第１７巻の第８８５頁
乃至第８９２頁において、あらゆる有機化合物のガスか
ら作製され得る事が、また、同著者により、１９７９年
のアメリカンケミカルソサエティ　　（Ａｍｅｒｉｃａ
ｎ　　ＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ）発行によるプ
ラズマボリマライゼーション（Ｐｌａｓｍａ　　Ｐｏｌ
ｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）の中でもその成膜性が論じら
れている。

しかしながら従来の方法で作製したプラズマ有機重合膜
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの膜は通常のポリエチレン膜の如く１０Ｉ６Ωｃｍ程
度の比抵抗を有する絶縁膜と考えられ、或は、少なくと
もそのような膜であるとの認識のもとに用いられていた
。実際に電子写真感光体への用途にしても同様のＨＥＲ
から、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁層
に限られており、所謂アンダーコート層もしくはオーバ
ーコート層としてしか用いられていなかった。

例えば、特開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５
９−３８７５３号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成される１０１３〜１０１５Ωｃｍの高抵抗のプラズマ
重合膜を１０人〜１００人設けた上にアモルファスシリ
コン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５９−
１３６７４２号公報には、アルミ基板上に設けたアモル
ファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散する
のを防止するための保護層として１〜５μｍ程度の炭素
膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示されている。

特開昭６０−６３５４１号公報には、アルミ基板とその
上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改善す
るために、接着層として２００人〜２μｍのダイヤモン
ド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留電荷
の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされている。

これらの開示は、何れも基板とアモルファスシリコン層
との間に、所謂アンダーコード層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、ａ−３ｉ
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。

また、例えば、特開昭５０−２０７２８号公報には、ポ
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層
としてグロー放電重合によるポリマー膜を０．１〜１μ
ｍ設けた感光体が開示されている。特開昭５９−２１４
８５９号公報には、アモルファスシリコン感光体の表面
に保護層としてスチレンやアセチレン等の有機炭化水素
モノマーをプラズマ重合させて５μｍ程度の膜を形成き
せる技術が開示きれている。特開昭６０−６１７６１号
公報には、表面保護層として、５００人〜２μｍのダイ
ヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示きれ、透光性
の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされてている。

特開昭６０−２４９１１５号公報には、０．０５〜５μ
ｍ程度の無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層とし
て用いる技術が開示され、膜厚が５μｍを越えると感光
体活性に悪影響が及ぶとされている。

これらの開示は、何れも感光体表面に所謂オーバーコー
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、ａ−Ｓｉの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。

また、特開昭５１−４６１３０号公報には、ポリビニル
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なワて０．００１〜３μｍのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性に
ついては全く言及されていないし、ａｓｉの持つ前記し
た本質的問題を解決するものではない。

゛　一方、アモルファスシリコン膜については、スピア
（Ｗ、Ｅ、５ｐｅａｒ）及びレコンバ（Ｐ。

Ｇ、ＬｅＣｏｍｂｅｒ）により１９７６年発行のフィロ
ンフィカル・マガジン（Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ　
　Ｍａｇａｚｉｎｅ）第３３巻の第９３５頁乃至第９４
９頁において、極性ＩＩＩｍが可能な材料である事が報
じられて以来、種々の光電デバイスへの応用が試みられ
て来た。感光体への応用に関しては、例えば、特開昭５
６−６２２５４号公報、特開昭５７−１１９３５６号公
報、特開昭５７−１７７１４７号公報、特開昭５７−１
１９３５７号公報、特開昭５７−１７７１４９号公報、
特開昭５７−１１９３５７号公報、特開昭５７−１７７
１４６号公報、特開昭５７−１７７１４８号公報、特開
昭５７−１７４４４８号公報、特開昭５７−１７４４４
９号公報、特開昭５７−１７４４５０号公報、等に、炭
素原子を含有したアモルファスシリコン感光体が開示さ
れているが、何れもアモルファスシリコンの光導電性を
炭素原子により調整する事を目的としたものであり、ま
た、アモルファスシリコン自体厚い膜を必要としている
。

発明が解決しようとする問題点 以上のように、従来、電子写真感光体に用いられている
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用されていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚も高々５μｍ程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上問題にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で使用され
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。

本発明者らは、アモルファスカーボン膜の電子写真感光
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水素化アモルファスカーボン膜が燐原子
及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有せしめる事に
より、燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有
すると共に酸素原子を含有してなる水素化或は弗素化ア
モルファスシリコン膜との積層においては電荷輸送性を
有し、容易に好適な電子写真特性を示し始める事を見出
した。その理論的解釈には本発明者においても不明確な
点が多く詳細に亙り言及はできないが、燐原子及び硼素
原子のうち少なくとも一方を含有せしめた水素化アモル
ファスカーボン膜中に捕捉されている比較的不安定なエ
ネルギー状態の電子、例えばπ電子、不対電子、残存フ
リーラジカル等が形成するバンド構造が、燐原子及び硼
素原子のうち少なくとも一方を含有すると共に酸素原子
を含有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン
膜が形成するバンド構造と電導帯もしくは荷電子帯にお
いて近似したエネルギー準位を有するため、燐原子及び
硼素原子のうち少なくとも一方を含有すると共に酸素原
子を含有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコ
ン膜中で発生したキャリアが容易に燐原子及び硼素原子
のうち少なくとも一方を含有せしめた水素化アモルファ
スカーボン膜中へ注入され、ざらに、このキャリアは前
述の比較的不安定なエネルギー状態の電子の作用により
燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有せしめ
た水素化アモルファスカーボン膜中を好適に走行し得る
ためと推定される。

本発明はその新たな知見を利用することにより、アモル
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的問題点を
全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異なる
、有機プラズマ重合膜、特に燐原子及び硼素原子のうち
少なくとも一方を含有してなる水素化アモルファスカー
ボン膜を電荷輸送層として使用し、かつ、燐原子及び硼
素原子のうち少なくとも一方を含有すると共に酸素原子
を含有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン
の薄膜を電荷発生層として使用した感光体を提供する事
を目的とする。

問題点を解゛するための　段 即ち、本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成される燐原子及び硼素原子のうち少なくと
も一方を含有してなる水素化アモルファスカーボン膜で
あり、かつ、該電荷発生層が燐原子及び硼素原子のうち
少なくとも一方を含有すると共に酸素原子を含有してな
る水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜であること
を特徴とする感光体に関する（以下、本発明による電荷
輸送層をａ−Ｃ膜及び電荷発生層をａ−３ｉ膜と称する
）。

本発明は、従来のアモルファスシリコン感光体において
は、電荷発生層として優れた機能を有するアモルファス
シリコンを、電荷発生能が無くても電荷輸送能さえあれ
ば済む電荷輸送層としても併用していたため発生してい
たこれらの問題点を解決すべく成されたものである。

即ち、本発明は、電荷輸送層としてグロー放電により生
成される燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含
有してなる水素化アモルファスカーボン膜を設け、かつ
、電荷発生層として同じくグロー放電により生成される
燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有すると
共に酸素原子を含有してなる水素化或は弗素化アモルフ
ァスシリコン膜を設けた事を特徴とする機能分離型感光
体に関する。該電荷輸送層は、可視光もしくは半導体レ
ーザー光付近の波長の光に対しては明確なる光導電性は
有ざないが、好適な輸送性を有し、ざらに、帯電能、耐
久性、耐候性、耐環境汚染性等の電子写真感光体性能に
優れ、しかも透光性にも優れるため、機能分離型感光体
としての積層構造を形成する場合においても極めて高い
自由度が得られるものである。また、該電荷発生層は、
可視光もしくは半導体レーザー光付近の波長の光に対し
て優れた光導電性を有し、しかも従来のアモルファスシ
リコン感光体に比べて極めて薄い膜厚で、その機能を活
かす事ができるものである。

本発明においては、ａ　−Ｃ膜を形成するために有機化
合物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。

該炭化水素における相状態は常温常圧において必ずしも
気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。

使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンテ゛カン、ドデカン、トリデカン、テトラデ
カン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オ
クタデカン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコサン
、トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサン
、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナコ
サン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタトリ
アコンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソブタ
ン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネオ
ヘキサン、２，３−ジメチルブタン、２−メチルヘキサ
ン、３−エチルペンタン、２，２−ジメチルペンタン、
２．４−ジメチルペンタン、３．３−ジメチルペンタン
、トリブタン、２−メチルへブタン、３−メチルへブタ
ン、２．２−ジメチルヘキサン、２，２．５−ジメチル
ヘキサン、２．２．３−）リンチルベンタン、２，２．
４−トリメチルペンタン、２．３゜３−トリメチルペン
タン、２，３．４−トリメチルペンタン、イソナノン、
等のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化水素
としては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブチレ
ン、１−ブテン、２−ブテン、１−ペンテン、２−ペン
テン、２−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ブテ
ン、２−メチル−２−ブテン、１−ヘキセン、テトラメ
チルエチレン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネ
ン、１−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン、メ
チルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘキサジエン
、シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並びに、オ
シメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、等
のトリオレフイン、並びに、アセチレン、ブタジイン、
１゜３−ペンタジイン、２．４−へキサジイン、メチル
アセチレン、１−ブチン、２−ブチン、１−ペンチン、
１−ヘキシン、１−ヘプチン、１−オクテン、１−ノニ
ン、１−デシン、等が用いられる。

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルビルン、フエランドレン、シルベ　　　　　・
ストレン、ツエン、カレン、ピネン、ボルニレン、カン
フエン、フエンチェン、シクロウンデカン、トリシクレ
ン、ビサボレン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン
、カジネンセスキベニヘン、セリネン、カリオフィレン
、サンタレン、セドレン、カンホレン、フィロクラテン
、ボドカルブレン、ミレン、等のテルペン並びに、ステ
ロイド等が用いられる。芳香族炭化水素としては、例え
ば、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プ
ソイドクメン、メシチレン、プレニテン、イソジュレン
、ジュレン、ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベン
ゼン、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、ス
チレン、ピフェニル、チルフェニル、ジフェニルメタン
、トリフェニルメタン、ジベンジル、スチルベン、イン
デン、ナフタリン、テトラリン、アントラセン、フェナ
ントレン、等が用いられる。

ざらに、炭化水素以外でも、例えば、アルコール類、ケ
トン類、エーテル類、エステル類、等炭素と成りうる化
合物であれば使用可能である。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
グロー放電を用いるというその製造面から必然的に定ま
るが、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね３０乃
至６０原子％含有される。ここで、炭素原子並びに水素
原子の膜中含有量は、有機元素分析の常法、例えばＯＮ
Ｈ分析を用いる事により知る事ができる。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが
、例えば、基板温度を高くする、圧力を低くする、原料
炭化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これらの
組合せ操作は、含有水素量を低くする効果を有する。

本発明における電荷輸送層としてのａ−ＣＭの膜厚は、
通常の電子写真プロセスで用いるためにば、５乃至５０
μｍ１特に７乃至２０μｍが適当であり、５μｍより薄
いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度を得る事
ができない。また、５０μｍより厚いと、生産性の面で
好ましくない。

このａ−Ｃ膜は、高透光性、高暗抵抗を有するとともに
電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に５μｍ以上として
もキャリアはトラップされる事無く輸送され明減衰に寄
与する事が可能である。

本発明における原料気体からａ　−Ｃ膜を形成する過程
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラズ
マ状態を経て形成される方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成されるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される中
性粒子から形成されてもよいし、さらには、これらの組
み合わせにより形成されてもよい。

本発明においては炭化水素の他に、ａ　−Ｃ膜中に少な
くとも硼素原子或は燐原子を添加するための原料として
、硼素化合物或は燐化合物が用いられる。該硼素化合物
或は燐化合物における相状態は常温常圧において必ずし
も気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、
蒸発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも
固相でも使用可能である。硼素化合物或は燐化合物とし
ては、例えば、ジボラン、ホスフィン等が用いられる。

本発明において化学的修飾物質として含有される硼素原
子或は燐原子の量は、全構成原子に対して２００００原
子ｐｐｍ％以下である。ここで、硼素原子或は燐原子の
膜中含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或
はＩＭＡ分析により知る事が可能である。硼素原子或は
燐原子を含まない場合には、好適な輸送性が確保されず
、ざらに、成膜後の経時劣化を招きやすくなる。一方、
硼素原子或は燐原子の量が２００００原子ｐｐｍを越え
る場合には、少量の添加では好適な輸送性を保証してい
た硼素原子或は燐原子が、逆に膜の低抵抗化を招く作用
を示し、帯電能が低下してしまう。従フて、本発明にお
ける硼素原子或は燐原子の添加量範囲は重要である。

本発明において化学的修飾物質として含有される硼素原
子或は燐原子原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう
反応室への前述の硼素化合物或は燐化合物の導入量を増
減することにより制御することが可能である。硼素化合
物或は燐化合物の導入量を増大きせれば、本発明による
ａ　−Ｃ膜中への硼素原子或は燐原子の添加量を窩くす
ることが可能であり、逆に硼素化合物或は燐化合物の導
入量を減少させれば、本発明によるａ−Ｃ膜中への硼素
原子或は燐原子の添加量を低くすることが可能である。

本発明においては、ａ−３ｉ膜を形成するためにシラン
ガス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用いられ
る。また、化学的修飾物質として燐原子或は硼素原子を
膜中に含有せしめるための原料ガスとして、ホスフィン
ガス或はジボランガス等が用いられる。さらに、化学的
修飾物質として酸素原子を膜中に含有せしめるための原
料ガスとして、酸素ガス、亜酸化窒素ガス、オゾンガス
、或は、−酸化炭素ガス、等の酸素化合物ガスが用いら
れる。

本発明において化学的修飾物質として含有される燐原子
或は硼素原子の量は、全構成原子に対して２００００原
子ｐｐｍ以下である。ここで燐原子或は硼素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或はＩ
ＭＡ分析により知る事ができる。燐原子或は硼素原子の
膜中含有量が２ｏｏｏｏ原子ｐｐｍより高い場合には、
少量の添加では好適な輸送性、或は、極性制御効果を保
証していた燐原子或は硼素原子が、逆に膜の低抵抗化を
招く作用を示し、帯Ｎ能の低下を来たす。従って、本発
明における燐原子或は硼素原子添加量の範囲は重要であ
る。

本発明において化学的修飾物質として含有される酸素原
子の量は、全構成原子に対して○、ｏ。

１乃至１原子％である。ここで酸素原子の膜中含有量は
、元素分析の常法、例えばオージェ分析或はＩＭＡ分析
により知る事ができる。酸素原子の膜中含有量が０．０
０１原子％より低い場合には、ａ−Ｓｉ膜の電気抵抗値
が低くなる事がらａ−３ｉ膜にコロナ帯電等による電界
がかがりにくくなり、光励起キャリアが必ずしも効率よ
＜ａ−Ｃ膜中に注入されなくなり感度の低下を招く。ま
た、帯電能も低下する。酸素原子の膜中含有量が１原子
％より貰い場合には、逆にａ−３ｔ膜の電気抵抗値が寓
くなりすぎる事から、光励起キャリアの発生効率並びに
異動速度が低下し、感度の低下を招く。従って、本発明
における酸素原子添加量の範囲は重要である。

本発明におけるａ−Ｓｉ膜中に含まれる水素原子或は弗
素原子の量はグロー放電を用いるというその製造面から
必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシリコ
ン原子と弗素原子の総量に対して、概ね１０乃至３５原
子％含有される。ここで、水素原子或は弗素原子の膜中
含有量は、元素分析め常法、例えば○ＮＨ分析、オージ
ェ分析等を用いる事により知る事ができる。

本発明における電荷発生層としてのａ−Ｓｉ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、０．１乃
至５μｍが適当であり、０．１μｍより薄いと、光吸収
が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、感
度の低下を招く。また、５μｍより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このａ−Ｓｉ膜は電荷発生能に富み、
ざらに、本発明の最も特徴とするところのａ−Ｃ膜との
積層構成において効率よ＜ａ−Ｃ膜中に発生キャリアを
注入せしめ、好適な明減衰に寄与する事が可能である。

本発明における原料気体からａ−３ｉ膜を形成する過程
は、ａ−Ｃ膜を形成する場合と同様にして行なわれる。

本発明において化学的修飾物質として含有される酸素原
子、燐原子、或は、硼素原子の量は、主に、プラズマ反
応を行なう反応室への前述の酸素化合物ガス、ホスフィ
ンガス、或は、ジボランガスの導入量を増減することに
より制御することが可能である。酸素化合物ガス、ホス
フィンガス、或は、ジボランガスの導入量を増大させれ
ば、本発明によるａ−３ｉ膜中への酸素原子、燐原子、
或は、硼素原子の添加量を窩くすることが可能であり、
逆に酸素化合物ガス、ホスフィンガス、或は、ジボラン
ガスの導入量を減少させれば、本発明によるａ−Ｓｉ膜
中への酸素原子、燐原子、或は、硼素原子の添加量を低
くすることが可能である。

本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
成る機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。

第１図は、その一形態として、導電性基板（１）上に電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）を順次積層してなる
構成を示したものである。第２図は、別の一形態として
、導電性基板（１）上に電荷発生層（３）と電荷輸送層
（２）を順次積層してなる構成を示したものである。第
３図は、別の一形態として、導電性基板（１）上に、電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。

感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第１図では
電荷発生層（３）で発生した正孔が電荷輸送層（２）中
を導電性基板（１）に向は走行し、第２図では電荷発生
層（３）で発生した電子が電荷輸送層（２）中を感光体
表面に向は走行し、第３図では電荷発生層（３）で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送層（２）中を導電性
基板（１）に向は走行すると共に、同時に電荷発生層（
３）で発生した電子が表面側の電荷輸送層（２）中を感
光体表面は向は走行し、好適な明減衰に保証された静電
潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電し
た後、画像露光して使用する場合においては、電子と正
孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれば
よい。第２図及び第３図では、画像露光用の照射光が電
荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による電荷輸
送層は透光性に優れることから、好適な潜像形成を行な
うことが可能である。

第４図は、さらなる一形態として、導電性基板（１）上
に電荷輸送Ｎ（２）と電荷発生層（３）と表面保護層（
４）を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第１図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第１図の形態では、最表面が耐湿性に乏しいａ−Ｓｉ膜
で有ることから、多くの場合実用上の対湿度安定性を確
保するために表面保護層を設けることが好ましい。第２
図及び第３図の構成の場合、最表面が耐久性に優れたａ
−Ｃ膜であるため表面保護層を設けなくてもよいが、例
えば現像剤の付着による感光体表面の汚れを防止するよ
うな、複写機内の各種エレメントに対する整合性を調整
する目的から、表面保護層を設けることもざらなる一形
態と成りうる。

第５図は、さらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第２
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第２図の
形態では、導電性基板との接合面がａ−Ｓｉ膜である事
から、多くの場合接着性及び注入阻止効果を確保するた
めに中間層を設ける事が好ましい。第１図及び第３図の
構成の場合、導電性基板との接合面が、接着性及び注入
阻止効果に優れた、本発明による電荷輸送層であるため
、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前
処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合
性を調整する目的から、中間層を設けることもさらなる
一形態と成りうる。

第６図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）
と表面保護層（４）を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第１図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。

中間層と表面保護層の設置理由は前述と同様であり、従
って第２図及び第３図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもざらなる一形態と成りうる。

本発明において中間層と表面保護層は、材料的にも、製
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるａ−ＣＭを用いてもよい。但し、用い
る材料が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材料である
場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は５μｍ以下
に留める必要がある。

本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再結合反
応により固相として堆積きせる、所謂プラズマ重合反応
から生成される事が好ましい。

第７図は本発明に係わる感光体の製造装置を示し、図中
（７０１）〜（７０６）は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを密封した第１乃至第６タ
ンクで、各々のタンクは第１乃至第６調節弁（７０７）
〜（７１２）と第１乃至第６流量制御器（７１３）〜（
７１８）に接続されている。図中（７１９）〜（７２１
）は常温において液相または固相状態にある原料化合物
を封入した第１乃至第３容器で、各々の容器は気化のた
め第１乃至第３温調器（７２２）〜（７２４）により与
熱可能であり、ざらに各々の容器は第７乃至第９調節弁
（７２５）〜（７２７）と第７乃至第９流量制弧器（７
２８）〜（７３０）に接続されている。これらのガスは
混合器（７３１）で混合された後、主管（７３２）を介
して反応室（７３３）に送り込まれる。途中の配管は、
常温において液相または固相状態にあった原料化合物が
気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置さ
れた配管加熱器（７３４）により、与熱可能とされてい
る。反応室内には接地電極（７３５）と電力印加電極（
７３６）が対向して設置され、各々の電極は電極加熱器
（７３７）により与熱可能とされている。電力印加電極
（７３６）には、高周波電力用整合器（７３８）を介し
て高周波電源（７３９）、低周波電力用整合器（７４０
）を介して低周波電源（７４１）、ローパスフィルタ（
７４２）を介して直流電源（７４３）が接続されており
、接続選択スイッチ（７４４）により周波数の異なる電
力が印加可能とされている。反応室（７３３）内の圧力
は圧力制祁弁（７４５）により調整可能であり、反応室
（７３３）内の減圧は、排気系選択弁（７４６）を介し
て、拡散ポンプ（７４７）　、油回転ポンプ（７４８）
　、或は、冷却除外装置（７４９）　、メカニカルブー
スターポンプ（７５０）、油回転ポンプ（７４８）によ
り行なわれる。排ガスについては、ざらに適当な除外装
置（７５３）により安全無害化した後、大気中に排気さ
れる。これら排気系配管についても、常温において液相
または固相状態にあった原料化合物が気化したガスが、
途中で凝結しないように、適宜配置された配管加熱器（
７３４）により、与熱可能ときれている。反応室（７３
３）も同様の理由から反応室加熱器（７５１）により与
熱可能とされ、内部に配された電極上に導電性基板（７
５２）が設置される。第７図において導電性基板（７５
２）は接地Ｔｉ極（７３５）に固定して配されているが
、電力印加電極（７３６）に固定して配されてもよく、
ざらに双方に配されてもよい。

第８図は本発明に係わる感光体の製造装置の別の一形態
を示し、反応室（８３３）内部の形態以外は、第７図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様であり、
付記された番号は、７００番台のものを８００番台に置
き換えて解すればよい。第８図において、反応室（８３
３）内部には、第７図における接地電極（７３５）を兼
ねた円筒形の導電性基板（８５２）が設置され、内側に
は電極加熱器（８３７）が配されている。導電性基板（
８５２）周囲には同じく円筒形状をした電力印加量８ｉ
ｉ（８３６）が配され、外側には電極加熱器（８３７）
が配されている。導電性基板（８５２）は、外部より駆
動モータ（８５４）を用いて自転可能となっている。

感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め１
０−４乃至１０＝Ｔｏｒｒ程度にまで減圧し、真空度の
確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時に
電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配された
導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板には
、前述の如き感光体構成の中から所望の構成を得るため
に、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷発生
層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電荷発
生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を用い
てもよい。次いで、第１乃至第６タンク及び第１乃至第
３容器から、原料ガスを適宜第１乃至第９流量制御器を
用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節弁
により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が安
定化した後、接続選択スイッチにより、例えば高周波電
源を選択し、電力印加電極に高周波電力を投入する。両
電極間には放電が開始され、時間と共に基板上に固相の
膜が形成される。ａ−Ｓｉ膜或はａ　−Ｃ膜は、原料ガ
スを代える事により任意に形成可能である。放電を一旦
停止し、原料ガス組成を変更した後、再び放電を再開す
れば異なる組成の膜を積層する事ができる。また、放電
を持続させながら原料ガス流量だけを徐々に代え、異な
る組成の膜を勾配を持たせながら積層する事も可能であ
る。

反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚並びに積層構
成に達したところで放電を停止し、本発明による感光体
を得る。次いで、第１乃至第９調節弁を閉じ、反応室内
を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得られる
場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明によ
る感光体を取り出す。更に所望の感光体構成において、
電荷発生層或はオーバーコート層が必要とされる場合に
は、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦真空を
破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け、本発
明による感光体を得る。

以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。

実施例１ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０＝Ｔｏｒｒ程度の高真空に
した後、第１調節弁（７０７）、及び第４調節弁（７１
０）を解放し、第１タンク（７０１）より水素ガス、及
び第４タンク（７０４）より水素ガスで０．１６％に希
釈したジボランガスを各々出力圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２の
下で第１、及び第４流量制御器（７１３、及び７１６）
内へ流入させた。同時に、第１容器（７１９）よりスチ
レンガスを第１温調器（７２２）温度３５℃のもと第７
流量制御器（７２８）内へ流入させた。

各流量制御器を用いて、水素ガスの流量を４０ｓｅｃｍ
、水素ガスで０．１６％に希釈したジボランガスの流量
を１０１０５ｅ、及びスチレンガスの流量を４０　ｓ　
ｅ　ｃｍとなるように設定して、途中混合器（７３１）
を介して、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流
入した。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）
内の圧力が２゜０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７
４５）を調整した。一方、導電性基板（７５２）として
は、！５０Ｘｍ５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用
いて、予め２００℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力
が安定した状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）に
より接続しておいた低周波電源（７４１）を投入し、電
力印加電極（７３６）に１５０Ｗａｔｔの電力を周波数
３０ＫＨｚの下で印加して約１時間３０分プラズマ重合
反応を行ない、導電性基板（７５２）上に厚き１５μｍ
のａ−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は
、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）
内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき有機元素分析
を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して４７原子％であった。また、
ＩＭＡ分析より含有きれる硼素原子の景は全構成原子に
対して９８原子ｐｐｍであった。

電荷発生層形成工程： 次いで、第１調節弁（７０７）　、第３調節弁（７０９
）、第５調節弁（７１１）、及び第６調節弁（７１２）
を解放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、第３タ
ンク（７０３）から四弗化シランガス、第５タンク（７
０５）から亜酸化窒素ガス、及び第６タンク（７０６）
からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ａｍ２の下で第１、
第３、第５、及び第６流量制御器（７１３，７１５，７
１７、及び７１８）内へ流入させた。同時に、第４調節
弁（７１０）を解放し、第４タンク（７０４）より水素
ガスで１１００ｐｐに希釈されたジボランガスを、出力
圧１．５Ｋｇ／ａｍ２の下で第４流量制御器（７１６）
内へ、流入させた。各流量制御器の目盛を調整して水素
ガスの流量を２００ｓｃｃｍＳｌ！１ｇ弗化シランガス
の流量を５０ｓｅｃｍ。

亜酸化窒素ガスの流量をｌｓｃｃｍｓシランガスの流量
を５０ｓｅｃｍ、水素ガスで１１００ｐｐに希釈された
ジボランガスの流量を１０１０５ｅとなるように設定し
、反応室（７３３）内に流入させた。各々の流量が安定
した後に、反応室（７３３）内の圧力が０．９Ｔｏｒｒ
となるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、
ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）は、２
５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状
態で、高周波電源（７３９）より周波数１３゜５６ＭＨ
ｚの下で電力印加電極（７３６）に３５Ｗａｔｔの電力
を印加し、グロー放電を発生させた。この放電を５分間
行ない、厚ざ０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中○ＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）、オージェ分析、及びＩＭ
Ａ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構成
原子に対して２２原子％、硼素原子は１０原子ｐｐｍ、
弗素原子は５原子％、酸素原子は０．１原子％であった
。

特性： 得られた感光体を常爪のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一８６０Ｖ　（＋６５０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は５６Ｖ／μｍ　（４２Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａＸの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１８秒（約１２
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は２．０ルツク
ス・秒（１，８ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

因施グ旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１調節弁（７０７）、第２調節弁（７
０８）　、及び第４調節弁（７１０）を解放し、第１タ
ンク（７０１）より水素ガス、第２タンク（７０２）か
らエチレンガス、及び第４タンク（７０４）より水素ガ
スで６０ｐｐｍに希釈したジボランガスを各々出力圧１
．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第４流量制郊
器（７１３，７１４、及び７１６）内へ流入させた。各
流量制御器を用いて、水素ガスの流量を６０ｓｅｃｍ、
水素ガスで６０ｐｐｍに希釈したジボランガスの流量を
２０ｓｅｃｍ１及びエチレンガスの流量を６０ｓｅｃｍ
となるように設定して、途中混合器（７３１）を介して
、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が１．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
調整した。一方、導電性基板（７５２）としては、樅５
０×横５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予
め２２０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続
しておいた高周波電源（７３９）を投入し、電力印加電
極（７３６）に１５０Ｗａｔｔの電力を周波数１３．５
６ＭＨｚの下で印加して約９時間プラズマ重合反応を行
ない、導電性基板（７５２）上に厚き１５μｍのａ−Ｃ
膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印
加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分
に排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４１原子％であった。また
、ＩＭＡ分析より含有される硼素原子の量は全構成原子
に対して２１原子ｐｐｍであった。

電荷発生層形成工程： 次いで、第１調節弁（７０７）、第５調節弁（７１１）
、及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７
０１）から水素ガス、第５タンク（７０５）から亜酸化
窒素ガス、及び第６タンク（７０６）からシランガスを
、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、第５、及び第６流
量制罪器（７１３，７１７、及び７１８）内へ流入させ
た。同時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４タン
ク（７０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈された
ジボランガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４
流量制御器（７１６）内へ、流入きせた。

各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を２００
ｓｅｃｍ、■酸化窒素ガスの流量を０．０１　ｓ　ｅ　
ｃ　ｍ　Ｎシランガスの流量を１０１００５ｅ。

水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジボランガスの流
量を１０１０５ｅとなるように設定し、反応室（７３３
）内に流入させな。各々の流量が安定した後に、反応室
（７３３）内の圧力が０．８Ｔｏｒｒとなるように圧力
調節弁（７４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ膜が形成き
れている導電性基板（７５２）は、２５０℃に加熱して
おき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周波電源
（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加
電極（７３６）に３５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー
放電を発生させた。この放電を５分間行ない、厚き０．
３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して２２原子％、硼素原子は１０原子ｐｐｍ
、酸素原子は０．００１原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一６１０Ｖ（＋’　　５９０Ｖ）で有り、即
ち、全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ
当りの帯電能は４０Ｖ／μｍ（３９Ｖ／μｍ）と極めて
高く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解さ
れた。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１５秒（約１４
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は１．５ルツク
ス・秒（１，４ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理Ｎされた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

大旅鍔旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの顆に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１調節弁（７０７）、第２調節弁（７０８
）、及び第４調節弁（７１０）を解放し、第１タンク（
７０１）より水素ガス、第２タンク（７０２）からブタ
ジェンガス、及び第４タンク（７０４）より水素ガスで
１．２％に希釈したジボランガスを各々出力圧１．○Ｋ
ｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第４流量制葬器（７
１３，７１４、及び７１６）内へ流入させた。各流量制
御器を用いて、水素ガスのｉｌｉ？：量を６０ｓｅｃｍ
、水素ガスで１．２％に希釈したジボランガスの流量を
９ｓｅｃｍｓ及びブタジェンガスの流量を６０ｓｅｃｍ
となるように設定して、途中混合器（７３１）を介して
、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が２．１Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
調整した。一方、導電性基板（７５２）としては、樅５
０Ｘ櫂５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予
め１７０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続
しておいた低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電
極（７３６）に１３０Ｗａｔｔの電力を周波数４００Ｋ
Ｈｚの下で印加して約４０分間プラズマ重合反応を行な
い、導電性基板（７５２）上に厚き１５μｍのａ−Ｃ膜
を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加
を停止し、調節弁を閉Ｌ１反応室（７３３）内を充分に
排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して５６原子％であった。また
、ＩＭＡ分析より含有される硼素原子の量は全構成原子
に対して９００原子ｐｐｍであった。

電荷発生層形成工程： 次いで、第１調節弁（７０７）、第５調節弁（７１１）
、及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７
０１）から水素ガス、第５タンク（７０５）から酸素ガ
ス、及び第６タンク（７０６）からシランガスを、出力
圧ＩＫｇ／ａｍ２の下で第１、第５、及び第６流旦制御
器（７１３，７１７、及び７１８）内へ流入させた。同
時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク（７
０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジボラ
ンガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ａｍ２の下で第４流量＄
ＩＪ御器（７１６）内へ、”流入させた。各流量制御器
の目盛を調整して水素ガスの流量を２００ｓｃｃｒｒ＋
、酸素ガスの流量を０．５ｓｅｃｍ、シランガスの流量
を１０１００５ｅ、水素ガスで１００　ｐ　ｐｍに希釈
されたジボランガスの流量を１０１０５ｅに設定し、反
応室（７３３）内に流入させな。各々の流量が安定した
後に、反応室（７３３）内の圧力が０．９Ｔｏｒｒとな
るように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、ａ−
Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）は、２３０
℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で
、高周波電源（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの
下で電力印加電極（７３６）に３５Ｗａｔｔの電力を印
加し、グロー放電を発生させた。この放電を５分間行な
い、厚さ０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して２０原子％、硼素原子は１２原子ｐｐｍ
、酸素原子は０．１原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、韮帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一７３０Ｖ　（＋５３０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は４７Ｖ／μｍ　（３５Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約２５秒（約１２
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は２．０ルツク
ス・秒（１，３ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

大施透４ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０”６Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１調節弁（７０７）、第２調節弁（７０８
）　、及び第４調節弁（７１０）を解放し、第１タンク
（７０１）より水素ガス、第２タンク（７０２）からア
セチレンガス、及び第４タンク（７０４）より水素ガス
で４５００ｐｐｍに希釈したジボランガスを各々出力圧
１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第４流量制
都器（７１３，７１４、及び７１６）内へ流入させた。

各流量制御器を用いて、水素ガスの流量を１０１０５ｓ
ｅ、水素ガスで４５００ｐｐｍに希釈したジボランガス
の流量を８０ｓｅｃｍ、及びアセチレンガスの流量を４
５ｓｅｃｍとなるように設定して、途中混合器（７３１
）を介して、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ
流入した。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が２．０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
調整した。一方、導電性基板（７５２）としては、ｔａ
５０Ｘ横５０×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、
予め２００℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定
した状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接
続しておいた高周波電源（７３９）を投入し、電力印加
電極（７３６）に１５０Ｗａｔｔの電力を周波数１３゜
５６ＭＨｚの下で印加して約２時開平プラズマ重合反応
を行ない、導電性基板（７５２）上に厚さ１５μｍのａ
−ＣＩ！Ａを電荷輸送層として形成した。

成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応
室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき有機元素分析
を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して３４原子％であった。また、
ＩＭＡ分析より含有される硼素原子の量は全構成原子に
対して８０００原子ｐｐｍであった０ 電荷発生層形成工程： 淡いで、第１調節弁（７０７）、第５調節弁（７１１）
、及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７
０１）から水素ガス、第５タンク（７０５）から酸素ガ
ス、及び第６タンク（７０６）からシランガスを、出力
圧ＩＫｇ／ａｍ２の下で第１、第５、及び第６流量制罪
器（７１３，７１７、及び７１８）内へ流入させた。同
時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク（７
０４）より水素ガスで１０ｐｐｍに希釈きれたホスフィ
ンガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流量制
御器（７１６）内へ、流入させた。各流量制御器の目盛
を調整して水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍ、酸素ガス
の流量を０．５ｓｅｃｍ。

シランガスの流量を２００ｓｅｃｍ、水素ガスで１１０
０ｐｐに希釈されたホスフィンガスの流量を１０１０５
ｅに設定し、反応室（７３３）内に流入させた。各々の
流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が１．
０Ｔｏｒｒとなるように圧力調部弁（７４５）を調整し
た。一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７６
２）は、２５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が
安定した状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３
．５６ＭＨｚの下で電力印加層ｍ　（７３６）に４０Ｗ
ａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生させた。この
放電を５分間行ない、厚ざ０．３μｍの電荷発生層を得
た。

得られたａ−５ｉＪｆｆにつき、金属中ＯＮＨ分析（板
場製作断裂ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及
びＩＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は
全構成原子に対して２３原子％、燐原子は１３原子Ｐ　
ｐｍｓ酸素原子は０．１原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一７６０Ｖ　（＋６２０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は４９Ｖ／μｍ（４１Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで＃減衰するのに要した時間は約２７秒（約１２
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたところ必要ときれた光量は２．３ルツク
ス・秒（１，９ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

Ｘ旗盟塁 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１調節弁（７０７）、第２調節弁（７０８
）、及び第４調節弁（７１０）を解放し、第１タンク（
７０１）より水素ガス、第２タンク（７０２）からブタ
ジインガス、及び第４タンク（７０４）より水素ガスで
１２％に希釈したジボランガスを各々出力圧１．０Ｋ　
ｇ　／　ｃｍ２の下で第１、第２、及び第４流量制御器
（７１３，７１４、及び７１６）内へ流入させた。各流
量′ＤＪ御器を用いて、水素ガスの流量を６０ｓ　ｅ　
ｃｍ、水素ガスで１２％に希釈したジボランガスの流量
を２０ｓｅｃｍ、及びブタジインガスの流量を６０ｓｅ
ｃｍとなるように設定して、途中混合器（７３１）を介
して、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入し
た。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の
圧力が１．９Ｔ。

ｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一
方、導電性基板（７５２）としては、縦５０Ｘ横５０×
厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め２２０℃に
加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予
め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた低
周波電源（７４１）を投入し、電力印加電極（７３６）
に１６０Ｗａｔｔの電力を周波数４００ＫＨｚの下で印
加して約４５分間プラズマ重合反応を行ない、導電性基
板（７５２）上に厚き１５μｍのａ　−Ｃ膜を電荷輸送
層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、
調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４０原子％であった。また
、ＩＭＡ分析より含有される硼素原子の量は全構成原子
に対して２原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、第１調節弁（７０７）、第５調節弁（７１１Ｌ
及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０
１）から水素ガス、第５タンク（７０５）から亜酸化窒
素ガス、及び第６タンク（７０６）からシランガスを、
出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、第５、及び第６流量
制陣器（７１３，７１７、及び７１８）内へ流入させた
。同時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク
（７０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジ
ボランガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流
量制御器（７１６）内へ、流入させた。

各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を２００
Ｓ　ＣＣｍ　％亜酸化窒素ガスの流量を３ｓｅｃｍ、シ
ランガスの流量を１００１００５ｅ水素ガスで１１００
ｐｐに希釈されたジボランガスの流量を１０１０５ｅに
設定し、反応室（７３３）内に流入させた。各々の流量
が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が１．０Ｔ
ｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）をＦｌ整した
。一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２
）は、２４０℃に加熱しておぎ、ガス流量及び圧力が安
定した状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３．
５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に４５Ｗａｔ
ｔの電力を印加し、グロー放電を発生きせた。この放電
を５分間行ない、厚き０゜３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−３ｉ膜につ営、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所！！ＥＭＧＡ−１３００）　、オージｘ分析、及び
ＩＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全
構成原子に対して２１原子％、硼素原子は１１原子ｐｐ
ｍ、酸素原子は０．３１原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の側室値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一９８０Ｖ　（＋４１０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３Ｌ１ｍであることから１μｍ当
りの帯電能は６４Ｖ／μｍ（２７Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約２７秒（約５０
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理Ｍされた。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は６．５ルツク
ス・秒（１，２ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

叉施然旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１調節弁（７０７）、及び第４調節弁（７
１０）を解放し、第１タンク（７０１）より水素ガス、
及び第４タンク（７０４）より水素ガスで２０００ｐｐ
ｍに希釈したホスフィンガスを各々出力圧１．０Ｋｇ／
ｃｍ２の下で第１、及び第４流量制御器（７１３、及び
７１６）内へ流入させた。同時に、第１容器（７１９）
よりミルセンガスを第１ａ調器（７２２）温度４８℃の
もと第７流量制祁器（７２８）内へ流入させた。各流量
制御器を用いて、水素ガスの流量を２０ｓｅｃｍ、水素
ガスで２０００ｐｐｍに希釈したホスフィンガスの流量
を３０ｓｅｃｍ、及びミルセンガスの流量を２０ｓｅｃ
ｍとなるように設定して、途中混合器（７３１）を介し
て、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した
。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が１．２Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
調整した。一方、導電性基板（７５２）としては、縦５
０Ｘ横５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予
め２００℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続
しておいた低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電
極（７３６）に１５０Ｗａｔｔの電力を周波数４０ＫＨ
ｚの下で印加して約３時間１５分プラズマ重合反応を行
ない、導電性基板（７５２）上に厚き１５μｍのａ−Ｃ
膜を電荷輸送層として形成した。

成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応
室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４３原子％であった。また
、ＩＭＡ分析より含有される燐原子の量は全構成原子に
対して２９０原子ｐｐｍであった。

電荷発生層形成工程： 次いで、第１調節弁（７０７）、第５調節弁（７１１Ｌ
及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０
１）から水素ガス、第５タンク（７０５）から酸素ガス
、及び第６タンク（７０６）からシランガスを、出力圧
ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、第５、及び第６流量制御器
（７１３，７１７、及び７１８）内へ流入させた。同時
に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク（７０
４）より水素ガスで１０ｐｐｍに希釈されたホスフィン
ガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流量制御
器（７１６）内へ、流入させた。各流量制御器の目盛を
調整して水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍ、酸素ガスの
流量を１．３ｓｅｃｍ１シランガスの流量を２００ｓｅ
ｃｍ１水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたホスフィン
ガスの流量を１１０５ＣＣに設定し、反応室（７３３）
内に流入きせた。各々の流量が安定した後に、反応室（
７３３）内の圧力が０．９Ｔｏｒｒとなるように圧力調
節弁（７４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ膜が形成され
ている導電性基板（７５２）は、２５０℃に加熱してお
き、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周波電源（
７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加電
極（７３６）に３５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放
電を発生させた。この放電を５分間行ない、厚き０．３
μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（板場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して１８原子％、燐原子は１２原子ｐｐｍ、
酸素原子は０．３原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一５４０Ｖ　（＋９５０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は３５■／μｍ　（６２Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１３秒（約２５
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は１．０ルツク
ス・秒（８，９ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は本発明感光体の構成を示す図面、第
７図乃至第８図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。 出願人　ミノルタカメラ株式会社 第１図　第２図 第３図　　第４図 第５図　　第６図 手続補正書 昭和６２年１０月２１日 特許庁長官　小　川　邦　夫　殿 昭和６１年特許願第に／−λ２客／？号２、発明の名称 感光体 ３、補正をする者 事件との関係　　出願人 住所　大阪市東区安土町２丁目３０番地　大阪国際ビル
名称　（６０７）　　　ミ／ルタカメラ株式会社自発補
正 ５、　＠正の対象 図面 ６、補正の内容

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型感光体に
   おいて、該電荷輸送層は燐原子及び硼素原子のうち少な
   くとも一方を含有してなる水素化アモルファスカーボン
   膜であり、かつ、該電荷発生層は酸素原子を含有すると
   共に燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有し
   てなる水素化アモルファスシリコン膜或は酸素原子を含
   有すると共に燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方
   を含有してなる弗素化アモルファスシリコン膜であるこ
   とを特徴とする感光体。