JPS6382476A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
- Publication number
- JPS6382476A JPS6382476A JP22944886A JP22944886A JPS6382476A JP S6382476 A JPS6382476 A JP S6382476A JP 22944886 A JP22944886 A JP 22944886A JP 22944886 A JP22944886 A JP 22944886A JP S6382476 A JPS6382476 A JP S6382476A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- atoms
- gas
- film
- flow rate
- photoreceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 claims abstract description 42
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims abstract description 25
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 94
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 54
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 5
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 119
- 239000010408 film Substances 0.000 description 117
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 114
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 47
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 46
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 24
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- -1 hydrazone compounds Chemical class 0.000 description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 17
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 14
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 13
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 13
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 12
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical group [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 229910000078 germane Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 11
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 9
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- UAHWPYUMFXYFJY-UHFFFAOYSA-N beta-myrcene Chemical compound CC(C)=CCCC(=C)C=C UAHWPYUMFXYFJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 8
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 8
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 7
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 7
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 7
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 7
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 6
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 6
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 4
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYBREYKSZAROCT-UHFFFAOYSA-N alpha-myrcene Natural products CC(=C)CCCC(=C)C=C VYBREYKSZAROCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- HMSWAIKSFDFLKN-UHFFFAOYSA-N hexacosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC HMSWAIKSFDFLKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 4
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 4
- ZYURHZPYMFLWSH-UHFFFAOYSA-N octacosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC ZYURHZPYMFLWSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- FAMPSKZZVDUYOS-UHFFFAOYSA-N 2,6,6,9-tetramethylcycloundeca-1,4,8-triene Chemical compound CC1=CCC(C)(C)C=CCC(C)=CCC1 FAMPSKZZVDUYOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N Cyclopentane Chemical compound C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N dimethyl butane Natural products CCCC(C)C AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XNMQEEKYCVKGBD-UHFFFAOYSA-N dimethylacetylene Natural products CC#CC XNMQEEKYCVKGBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- BFIMMTCNYPIMRN-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,5-tetramethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=C(C)C(C)=C1 BFIMMTCNYPIMRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWHJZXXIDMPWGX-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C)=C1 GWHJZXXIDMPWGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZGEGCLOFRBLKSE-UHFFFAOYSA-N 1-Heptene Chemical compound CCCCCC=C ZGEGCLOFRBLKSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 1-decene Chemical compound CCCCCCCCC=C AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 1-nonene Chemical compound CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical compound CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HNRMPXKDFBEGFZ-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylbutane Chemical compound CCC(C)(C)C HNRMPXKDFBEGFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CXOWYJMDMMMMJO-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylpentane Chemical compound CCCC(C)(C)C CXOWYJMDMMMMJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLLSSPDPJPLOR-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylbut-2-ene Chemical group CC(C)=C(C)C WGLLSSPDPJPLOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZFFMLCVRJBZUDZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylbutane Chemical compound CC(C)C(C)C ZFFMLCVRJBZUDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BZHMBWZPUJHVEE-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylpentane Chemical compound CC(C)CC(C)C BZHMBWZPUJHVEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BKOOMYPCSUNDGP-UHFFFAOYSA-N 2-methylbut-2-ene Chemical compound CC=C(C)C BKOOMYPCSUNDGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GXDHCNNESPLIKD-UHFFFAOYSA-N 2-methylhexane Chemical compound CCCCC(C)C GXDHCNNESPLIKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AORMDLNPRGXHHL-UHFFFAOYSA-N 3-ethylpentane Chemical compound CCC(CC)CC AORMDLNPRGXHHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101150092843 SEC1 gene Proteins 0.000 description 2
- MOYAFQVGZZPNRA-UHFFFAOYSA-N Terpinolene Chemical compound CC(C)=C1CCC(C)=CC1 MOYAFQVGZZPNRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- KDKYADYSIPSCCQ-UHFFFAOYSA-N but-1-yne Chemical compound CCC#C KDKYADYSIPSCCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N but-2-ene Chemical compound CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N cumene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1 RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cyclohexene Chemical compound C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N cyclopentene Chemical compound C1CC=CC1 LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYTNZWVKKKJXFS-UHFFFAOYSA-N cycloundecane Chemical compound C1CCCCCCCCCC1 KYTNZWVKKKJXFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SQNZJJAZBFDUTD-UHFFFAOYSA-N durene Chemical compound CC1=CC(C)=C(C)C=C1C SQNZJJAZBFDUTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 2
- FNAZRRHPUDJQCJ-UHFFFAOYSA-N henicosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC FNAZRRHPUDJQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BJQWYEJQWHSSCJ-UHFFFAOYSA-N heptacosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC BJQWYEJQWHSSCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NDJKXXJCMXVBJW-UHFFFAOYSA-N heptadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCC NDJKXXJCMXVBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBFCDTFDPHXCNY-UHFFFAOYSA-N icosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCC CBFCDTFDPHXCNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N isobutane Chemical compound CC(C)C NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N isopentane Chemical compound CCC(C)C QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N limonene Chemical compound CC(=C)C1CCC(C)=CC1 XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JXTPJDDICSTXJX-UHFFFAOYSA-N n-Triacontane Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC JXTPJDDICSTXJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CRSOQBOWXPBRES-UHFFFAOYSA-N neopentane Chemical compound CC(C)(C)C CRSOQBOWXPBRES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- IGGUPRCHHJZPBS-UHFFFAOYSA-N nonacosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC IGGUPRCHHJZPBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LQERIDTXQFOHKA-UHFFFAOYSA-N nonadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCC LQERIDTXQFOHKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- YKNWIILGEFFOPE-UHFFFAOYSA-N pentacosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC YKNWIILGEFFOPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCOZIPAWZNQLMR-UHFFFAOYSA-N pentadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC YCOZIPAWZNQLMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHQQPFLOGSTQPC-UHFFFAOYSA-N pentatriacontane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC VHQQPFLOGSTQPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QMMOXUPEWRXHJS-UHFFFAOYSA-N pentene-2 Natural products CCC=CC QMMOXUPEWRXHJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N propylbenzene Chemical compound CCCC1=CC=CC=C1 ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- POOSGDOYLQNASK-UHFFFAOYSA-N tetracosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC POOSGDOYLQNASK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N tetradecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 2
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- FIGVVZUWCLSUEI-UHFFFAOYSA-N tricosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC FIGVVZUWCLSUEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IIYFAKIEWZDVMP-UHFFFAOYSA-N tridecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCC IIYFAKIEWZDVMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- NPNUFJAVOOONJE-ZIAGYGMSSA-N β-(E)-Caryophyllene Chemical compound C1CC(C)=CCCC(=C)[C@H]2CC(C)(C)[C@@H]21 NPNUFJAVOOONJE-ZIAGYGMSSA-N 0.000 description 2
- WGECXQBGLLYSFP-UHFFFAOYSA-N (+-)-2,3-dimethyl-pentane Natural products CCC(C)C(C)C WGECXQBGLLYSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQVMHMFBVWSSPF-SOYUKNQTSA-N (4E,6E)-2,6-dimethylocta-2,4,6-triene Chemical compound C\C=C(/C)\C=C\C=C(C)C GQVMHMFBVWSSPF-SOYUKNQTSA-N 0.000 description 1
- AFVDZBIIBXWASR-AATRIKPKSA-N (E)-1,3,5-hexatriene Chemical compound C=C\C=C\C=C AFVDZBIIBXWASR-AATRIKPKSA-N 0.000 description 1
- PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N (E)-1,3-pentadiene Chemical compound C\C=C\C=C PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N 0.000 description 1
- QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydrostilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1CCC1=CC=CC=C1 QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CGHIBGNXEGJPQZ-UHFFFAOYSA-N 1-hexyne Chemical compound CCCCC#C CGHIBGNXEGJPQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBGUIVFBMBVUEG-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-4-(1,5-dimethyl-4-hexenylidene)-1-cyclohexene Chemical compound CC(C)=CCCC(C)=C1CCC(C)=CC1 XBGUIVFBMBVUEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBXNCJKFFQIKKY-UHFFFAOYSA-N 1-pentyne Chemical compound CCCC#C IBXNCJKFFQIKKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHNNAWXXUZQSNM-UHFFFAOYSA-N 2-methylbut-1-ene Chemical compound CCC(C)=C MHNNAWXXUZQSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHQXBTXEYZIYOV-UHFFFAOYSA-N 3-methylbut-1-ene Chemical compound CC(C)C=C YHQXBTXEYZIYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUKRLSJNTMLPPK-UHFFFAOYSA-N 4,7,7-trimethylbicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical group C1CC2(C)C=CC1C2(C)C KUKRLSJNTMLPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVEQFIOZRFFVFW-UHFFFAOYSA-N 9-epi-beta-caryophyllene oxide Natural products C=C1CCC2OC2(C)CCC2C(C)(C)CC21 NVEQFIOZRFFVFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GLVKGYRREXOCIB-UHFFFAOYSA-N Bornylene Natural products CC1CCC(C(C)(C)C)C=C1 GLVKGYRREXOCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100264195 Caenorhabditis elegans app-1 gene Proteins 0.000 description 1
- TZNXGARVNMCICB-UHFFFAOYSA-N Camphen Natural products C1CC2C(C)(C)C(=C)C1C2(C)C TZNXGARVNMCICB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMYXUZSZMNBRCN-AWEZNQCLSA-N Curcumene Natural products CC(C)=CCC[C@H](C)C1=CC=C(C)C=C1 VMYXUZSZMNBRCN-AWEZNQCLSA-N 0.000 description 1
- PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N Cyclobutane Chemical compound C1CCC1 PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVZWSLJZHVFIQJ-UHFFFAOYSA-N Cyclopropane Chemical compound C1CC1 LVZWSLJZHVFIQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INFVPRZMZHEXLH-UHFFFAOYSA-N F.F.F.F.[SiH4] Chemical compound F.F.F.F.[SiH4] INFVPRZMZHEXLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- CBSRFDQDBGGSEA-UHFFFAOYSA-N Selinene Natural products CC(=C1CCC2(C)CCCC(=C)C2(C)C1)C CBSRFDQDBGGSEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWQKMEKSFPNAIB-UHFFFAOYSA-N Silvestrene Natural products CC(=C)C1CCC=C(C)C1 JWQKMEKSFPNAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001361 allenes Chemical class 0.000 description 1
- YHBUQBJHSRGZNF-HNNXBMFYSA-N alpha-bisabolene Natural products CC(C)=CCC=C(C)[C@@H]1CCC(C)=CC1 YHBUQBJHSRGZNF-HNNXBMFYSA-N 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPNUFJAVOOONJE-UHFFFAOYSA-N beta-cariophyllene Natural products C1CC(C)=CCCC(=C)C2CC(C)(C)C21 NPNUFJAVOOONJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229930003493 bisabolene Natural products 0.000 description 1
- LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diyne Chemical compound C#CC#C LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930006737 car-3-ene Natural products 0.000 description 1
- BQOFWKZOCNGFEC-UHFFFAOYSA-N carene Chemical compound C1C(C)=CCC2C(C)(C)C12 BQOFWKZOCNGFEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930007796 carene Natural products 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- NPNUFJAVOOONJE-UONOGXRCSA-N caryophyllene Natural products C1CC(C)=CCCC(=C)[C@@H]2CC(C)(C)[C@@H]21 NPNUFJAVOOONJE-UONOGXRCSA-N 0.000 description 1
- 229940117948 caryophyllene Drugs 0.000 description 1
- IRAQOCYXUMOFCW-CXTNEJHOSA-N cedrene Chemical compound C1[C@]23[C@H](C)CC[C@H]3C(C)(C)[C@H]1C(C)=CC2 IRAQOCYXUMOFCW-CXTNEJHOSA-N 0.000 description 1
- GQVMHMFBVWSSPF-UHFFFAOYSA-N cis-alloocimene Natural products CC=C(C)C=CC=C(C)C GQVMHMFBVWSSPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- CFBGXYDUODCMNS-UHFFFAOYSA-N cyclobutene Chemical compound C1CC=C1 CFBGXYDUODCMNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMGZGXSXHCMSAA-UHFFFAOYSA-N cyclodecane Chemical compound C1CCCCCCCCC1 LMGZGXSXHCMSAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCIYGNATMHQYCT-OWOJBTEDSA-N cyclodecene Chemical compound C1CCCC\C=C\CCC1 UCIYGNATMHQYCT-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 1
- DDTBPAQBQHZRDW-UHFFFAOYSA-N cyclododecane Chemical compound C1CCCCCCCCCCC1 DDTBPAQBQHZRDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXIJMRYMVAMXQP-UHFFFAOYSA-N cycloheptene Chemical compound C1CCC=CCC1 ZXIJMRYMVAMXQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJWIOXUMXIOXQN-UHFFFAOYSA-N cyclohexadecane Chemical compound C1CCCCCCCCCCCCCCC1 JJWIOXUMXIOXQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPTJTTCOVDDHER-UHFFFAOYSA-N cyclononane Chemical compound C1CCCCCCCC1 GPTJTTCOVDDHER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BESIOWGPXPAVOS-UPHRSURJSA-N cyclononene Chemical compound C1CCC\C=C/CCC1 BESIOWGPXPAVOS-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- WJTCGQSWYFHTAC-UHFFFAOYSA-N cyclooctane Chemical compound C1CCCCCCC1 WJTCGQSWYFHTAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004914 cyclooctane Substances 0.000 description 1
- URYYVOIYTNXXBN-UPHRSURJSA-N cyclooctene Chemical compound C1CCC\C=C/CC1 URYYVOIYTNXXBN-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000004913 cyclooctene Substances 0.000 description 1
- SRONXYPFSAKOGH-UHFFFAOYSA-N cyclopentadecane Chemical compound C1CCCCCCCCCCCCCC1 SRONXYPFSAKOGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOXWYYGXTJLWHA-UHFFFAOYSA-N cyclopropene Chemical compound C1C=C1 OOXWYYGXTJLWHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KATXJJSCAPBIOB-UHFFFAOYSA-N cyclotetradecane Chemical compound C1CCCCCCCCCCCCC1 KATXJJSCAPBIOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEVXKGPJXXDGCX-UHFFFAOYSA-N cyclotridecane Chemical compound C1CCCCCCCCCCCC1 UEVXKGPJXXDGCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILLHQJIJCRNRCJ-UHFFFAOYSA-N dec-1-yne Chemical compound CCCCCCCCC#C ILLHQJIJCRNRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- IRAQOCYXUMOFCW-UHFFFAOYSA-N di-epi-alpha-cedrene Natural products C1C23C(C)CCC3C(C)(C)C1C(C)=CC2 IRAQOCYXUMOFCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N diphenylmethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1CC1=CC=CC=C1 CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMBMDLOSPKIWAP-UHFFFAOYSA-N embutramide Chemical compound OCCCC(=O)NCC(CC)(CC)C1=CC=CC(OC)=C1 LMBMDLOSPKIWAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- BXWQUXUDAGDUOS-UHFFFAOYSA-N gamma-humulene Natural products CC1=CCCC(C)(C)C=CC(=C)CCC1 BXWQUXUDAGDUOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021385 hard carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- YVXHZKKCZYLQOP-UHFFFAOYSA-N hept-1-yne Chemical compound CCCCCC#C YVXHZKKCZYLQOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHAREKHAZNPPMI-UHFFFAOYSA-N hexa-1,3-diene Chemical compound CCC=CC=C AHAREKHAZNPPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUWFEBAXEOLKSG-UHFFFAOYSA-N hexamethylbenzene Chemical compound CC1=C(C)C(C)=C(C)C(C)=C1C YUWFEBAXEOLKSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBNFBHXQESNSNP-UHFFFAOYSA-N humulene Natural products CC1=CC=CC(C)(C)CC=C(/C)CCC1 QBNFBHXQESNSNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000001282 iso-butane Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 235000001510 limonene Nutrition 0.000 description 1
- 229940087305 limonene Drugs 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- YDLYQMBWCWFRAI-UHFFFAOYSA-N n-Hexatriacontane Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC YDLYQMBWCWFRAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- ZCYXXKJEDCHMGH-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical compound CCCC[CH]CCCC ZCYXXKJEDCHMGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N normal nonane Natural products CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007823 ocimene derivatives Chemical class 0.000 description 1
- UMIPWJGWASORKV-UHFFFAOYSA-N oct-1-yne Chemical compound CCCCCCC#C UMIPWJGWASORKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000002916 oxazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- BEZDDPMMPIDMGJ-UHFFFAOYSA-N pentamethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=C(C)C(C)=C1C BEZDDPMMPIDMGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N propyne Chemical group CC#C MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- KKOXKGNSUHTUBV-UHFFFAOYSA-N racemic zingiberene Natural products CC(C)=CCCC(C)C1CC=C(C)C=C1 KKOXKGNSUHTUBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- VPQBJIRQUUEAFC-UHFFFAOYSA-N selinene Natural products C1CC=C(C)C2CC(C(C)C)CCC21C VPQBJIRQUUEAFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003598 selinene derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
- 150000003431 steroids Chemical class 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N tetramethylbenzene Natural products CC1=CC=C(C)C(C)=C1C UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJPBRODHZKDRCB-UHFFFAOYSA-N trans-alpha-ocimene Natural products CC(=C)CCC=C(C)C=C XJPBRODHZKDRCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGWZGBCKVDSYPH-UHFFFAOYSA-N triacontane Chemical compound [CH2]CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC LGWZGBCKVDSYPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OLTHARGIAFTREU-UHFFFAOYSA-N triacontane Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(C)CCCCCCCC OLTHARGIAFTREU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N trichloroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)(Cl)Cl YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRBYUSWBLVXTQN-UHFFFAOYSA-N tricyclene Chemical compound C12CC3CC2C1(C)C3(C)C RRBYUSWBLVXTQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRBYUSWBLVXTQN-VZCHMASFSA-N tricyclene Natural products C([C@@H]12)C3C[C@H]1C2(C)C3(C)C RRBYUSWBLVXTQN-VZCHMASFSA-N 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004961 triphenylmethanes Chemical class 0.000 description 1
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- KKOXKGNSUHTUBV-LSDHHAIUSA-N zingiberene Chemical compound CC(C)=CCC[C@H](C)[C@H]1CC=C(C)C=C1 KKOXKGNSUHTUBV-LSDHHAIUSA-N 0.000 description 1
- 229930001895 zingiberene Natural products 0.000 description 1
- VMYXUZSZMNBRCN-UHFFFAOYSA-N α-curcumene Chemical compound CC(C)=CCCC(C)C1=CC=C(C)C=C1 VMYXUZSZMNBRCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IHPKGUQCSIINRJ-UHFFFAOYSA-N β-ocimene Natural products CC(C)=CCC=C(C)C=C IHPKGUQCSIINRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08285—Carbon-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する感光体に
関する。
関する。
従来技術
カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発さ
れ実用化されてさ・た。
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発さ
れ実用化されてさ・た。
従来用いられて来た電子写真感光体材料の主なものとし
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質が挙げられる。また、その構成形態としては、これ
らの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散さ
せて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電
荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質が挙げられる。また、その構成形態としては、これ
らの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散さ
せて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電
荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。
しかしながら、従来用いられて来た電子写真感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝された場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝された場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。
このような欠点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐
久性に富んだ材料として、グロー放電法により生成され
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原料
としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガス
であることから、出来上がった電子写真感光体も従来の
感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、成膜速度
が遅く、成膜時間の増大に伴い爆発性を有するシラン未
分解生成物を粉塵状に発生する等、生産ユ;の不都合も
多い。また、この粉塵が製造時に感光層中に混入した場
合には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。さらに、ア
モルファスシリコンは、元来、比誘電率が高いため帯電
性能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電するため
呻は膜厚を厚くする必要があり、高価なアモルファスシ
リコン膜を長時間堆積させなくてはならない。
久性に富んだ材料として、グロー放電法により生成され
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原料
としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガス
であることから、出来上がった電子写真感光体も従来の
感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、成膜速度
が遅く、成膜時間の増大に伴い爆発性を有するシラン未
分解生成物を粉塵状に発生する等、生産ユ;の不都合も
多い。また、この粉塵が製造時に感光層中に混入した場
合には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。さらに、ア
モルファスシリコンは、元来、比誘電率が高いため帯電
性能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電するため
呻は膜厚を厚くする必要があり、高価なアモルファスシ
リコン膜を長時間堆積させなくてはならない。
ところでアモルファスカーボン膜自体は、プラズマ有機
重合膜として古くより知られており、例えばジエン(M
、5hen)及びベル(A、T。
重合膜として古くより知られており、例えばジエン(M
、5hen)及びベル(A、T。
Be l l)により、1973年発行ののジャーナル
・オブ・アプライド・ポリマー・サイエンス(Jour
nal of App 1 ied P。
・オブ・アプライド・ポリマー・サイエンス(Jour
nal of App 1 ied P。
lymer 5cience)第17巻の第885頁
乃至第892頁において、あらゆる有機化合物のガスか
ら作製きれ得る事が、また、同著者により、1979年
のアメリカンケミカルソサエテ−r (Ameri
can ChemicalSociety)発行によ
るプラズマポリマライせ−ション(Plasma P
olymerization)の中でもその成膜性が論
じられている。
乃至第892頁において、あらゆる有機化合物のガスか
ら作製きれ得る事が、また、同著者により、1979年
のアメリカンケミカルソサエテ−r (Ameri
can ChemicalSociety)発行によ
るプラズマポリマライせ−ション(Plasma P
olymerization)の中でもその成膜性が論
じられている。
しかしながら従来の方法で作製したプラズマ有機重合膜
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの腋は通常のポリエチレン膜の如<1016Ωcm程
度の比抵抗を有する絶縁膜と考えられ、或は、少なくと
もそのような膜であるとの認識のもとに用いられていた
。実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識か
ら、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁層に
限られており、所謂アンダーコート層もしくはオーバー
コート層としてしか用いられていなかった。
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの腋は通常のポリエチレン膜の如<1016Ωcm程
度の比抵抗を有する絶縁膜と考えられ、或は、少なくと
もそのような膜であるとの認識のもとに用いられていた
。実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識か
ら、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁層に
限られており、所謂アンダーコート層もしくはオーバー
コート層としてしか用いられていなかった。
例えば、特開昭59−28161号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭5
9−38753号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成される10!3〜1015ΩCmの高抵抗のプラズマ
重合膜を1o人〜100人設けた上にアモルファスシリ
コン層を設けた感光体が開示されている。特開昭59−
13674.2号公報には、アルミ基板上に設けたアモ
ルファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散す
るのを防止するための保護層として1〜5μm程度の炭
素膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示きれている
。特開昭60−63541号公報には、アルミ基板とそ
の上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改善
するために、接着層として200人〜2μmのダイヤモ
ンド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示きれ、残留電
荷の面から膜厚は2μm以下が好ましいときれている。
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭5
9−38753号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成される10!3〜1015ΩCmの高抵抗のプラズマ
重合膜を1o人〜100人設けた上にアモルファスシリ
コン層を設けた感光体が開示されている。特開昭59−
13674.2号公報には、アルミ基板上に設けたアモ
ルファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散す
るのを防止するための保護層として1〜5μm程度の炭
素膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示きれている
。特開昭60−63541号公報には、アルミ基板とそ
の上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改善
するために、接着層として200人〜2μmのダイヤモ
ンド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示きれ、残留電
荷の面から膜厚は2μm以下が好ましいときれている。
これらの開示は、何れも基板とアモルファスシリコン層
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、a−3i
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、a−3i
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。
また、例えば、特開昭50−20728号公報には、ポ
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層
としてグロー放電重合によるポリマー膜を0.1〜1μ
m設けた感光体が開示されている。特開昭59−214
859号公報には、アモルファスシリコン感光体の表面
に保護層としてスチレンやアセチレン等の有機炭化水素
モノマーをプラズマ重合させて5μm程度の膜を形成さ
せる技術が開示されている。特開昭60−61761号
公報には、表面保護層として、500人〜2μmのダイ
ヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示され、透光性
の面から膜厚は211m以下が好ましいとされてている
。特開昭60−249115号公報には、0.05〜5
μm程度の無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層と
して用いる技術が開示され、膜厚が5μmを越えると感
光体活性に悪影響が及ぶときれている。
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層
としてグロー放電重合によるポリマー膜を0.1〜1μ
m設けた感光体が開示されている。特開昭59−214
859号公報には、アモルファスシリコン感光体の表面
に保護層としてスチレンやアセチレン等の有機炭化水素
モノマーをプラズマ重合させて5μm程度の膜を形成さ
せる技術が開示されている。特開昭60−61761号
公報には、表面保護層として、500人〜2μmのダイ
ヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示され、透光性
の面から膜厚は211m以下が好ましいとされてている
。特開昭60−249115号公報には、0.05〜5
μm程度の無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層と
して用いる技術が開示され、膜厚が5μmを越えると感
光体活性に悪影響が及ぶときれている。
これらの開示は、何れも感光体表面に所謂オーバーコー
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、a−Siの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、a−Siの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。
また、特開昭51−46130号公報には、ポリビニル
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なって0.001〜3μmのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性に
ついては全く言及されていないし、a−Siの持つ前記
した本質的問題を解決するものではない。
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なって0.001〜3μmのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性に
ついては全く言及されていないし、a−Siの持つ前記
した本質的問題を解決するものではない。
一方、アモルファスシリコン膜については、スピア(W
、E、5pear)及びレコンバ(P。
、E、5pear)及びレコンバ(P。
G、LeComber)により1976年発行のフィロ
ソフィカル・マガジン(Philosophical
Magazine)第33巻の第935頁乃至第94
9頁において、極性制罪が可能な材料である事が報じら
れて瓜来、種々の光電デー〒 バイスへの応用が試みられて来た。感光体への応用に関
しては、例えば、特開昭56−62254号公報、特開
昭57−119356号公報、特開昭57−17714
7号公報、特開昭57−119357号公報、特開昭5
7−177149号公報、特開昭57−119357号
公報、特開昭57−177146号公報、特開昭57−
177148号公報、特開昭57−174448号公報
、特開昭57−1744.49号公報、特開昭57−1
74450号公報、等に、炭素原子を含有したアモルフ
ァスシリコン感光体が開示されているが、何れもアモル
ファスシリコンの光導電性を炭素原子により調整する事
を目的としたものであり、また、アモルファスシリコン
自体厚い膜を必要としている。
ソフィカル・マガジン(Philosophical
Magazine)第33巻の第935頁乃至第94
9頁において、極性制罪が可能な材料である事が報じら
れて瓜来、種々の光電デー〒 バイスへの応用が試みられて来た。感光体への応用に関
しては、例えば、特開昭56−62254号公報、特開
昭57−119356号公報、特開昭57−17714
7号公報、特開昭57−119357号公報、特開昭5
7−177149号公報、特開昭57−119357号
公報、特開昭57−177146号公報、特開昭57−
177148号公報、特開昭57−174448号公報
、特開昭57−1744.49号公報、特開昭57−1
74450号公報、等に、炭素原子を含有したアモルフ
ァスシリコン感光体が開示されているが、何れもアモル
ファスシリコンの光導電性を炭素原子により調整する事
を目的としたものであり、また、アモルファスシリコン
自体厚い膜を必要としている。
が °′しようとする間哉
以上のように、従来、電子写真感光体に用いられている
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用されていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚し高々5μm程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上問題にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で使用きれ
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用されていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚し高々5μm程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上問題にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で使用きれ
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。
本発明者らは、アモルファスカーボン膜の電子写真感光
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水素化アモルファスカーボン膜が燐原子
及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有せしめる事に
より、燐原子及び硼素原子のうち少な(とも一方を含有
すると共に窒素原子を含有してなる水素化或は弗素化ア
モルファスシリコンゲルマニウムH簗との積層において
は電荷輸送性を有し、容易に好適な電子写真特性を示し
始める事を見出した。その理論的解釈には本発明者にお
いても不明確な点が多く詳細に亙り言及はできないが、
燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有せしめ
た水素化アモルファスカーボン膜中に捕捉きれている比
較的不安定なエネルギー状態の電子、例えばπ電子、不
対電子、残存フリーラジカル等が形成するバンド構造が
、燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有する
と共に窒素原子を含有してなる水素化或は弗素化アモル
ファスシリコンゲルマニウム膜が形成するバンド構造と
電導帯もしくは荷電子帯において近似したエネルギー準
位を有するため、燐原子及び硼素原子のうち少なくとも
一方を含有すると共に窒素原子を含有してなる水素化或
は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウム膜中で発生
したキャリアが容易に燐原子及び硼素原子のうち少なく
とも一方を含有せしめた水素化アモルファスカーボン膜
中へ注入され、ざらに、このキャリアは前述の比較的不
安定なエネルギー状態の電子の作用により燐原子及び硼
素原子のうち少なくとも一方を含有せしめた水素化アモ
ルファスカーボン膜中を好適に走行し得るためと推定さ
れる。
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水素化アモルファスカーボン膜が燐原子
及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有せしめる事に
より、燐原子及び硼素原子のうち少な(とも一方を含有
すると共に窒素原子を含有してなる水素化或は弗素化ア
モルファスシリコンゲルマニウムH簗との積層において
は電荷輸送性を有し、容易に好適な電子写真特性を示し
始める事を見出した。その理論的解釈には本発明者にお
いても不明確な点が多く詳細に亙り言及はできないが、
燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有せしめ
た水素化アモルファスカーボン膜中に捕捉きれている比
較的不安定なエネルギー状態の電子、例えばπ電子、不
対電子、残存フリーラジカル等が形成するバンド構造が
、燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有する
と共に窒素原子を含有してなる水素化或は弗素化アモル
ファスシリコンゲルマニウム膜が形成するバンド構造と
電導帯もしくは荷電子帯において近似したエネルギー準
位を有するため、燐原子及び硼素原子のうち少なくとも
一方を含有すると共に窒素原子を含有してなる水素化或
は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウム膜中で発生
したキャリアが容易に燐原子及び硼素原子のうち少なく
とも一方を含有せしめた水素化アモルファスカーボン膜
中へ注入され、ざらに、このキャリアは前述の比較的不
安定なエネルギー状態の電子の作用により燐原子及び硼
素原子のうち少なくとも一方を含有せしめた水素化アモ
ルファスカーボン膜中を好適に走行し得るためと推定さ
れる。
本発明はその新たな知見を利用することにより、アモル
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的問題点を
全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異なる
、有機プラズマ重合膜、特に燐原子及び硼素原子のうち
少なくとも一方を含有してなる水素化アモルファスカー
ボン膜を電荷輸送層として使用し、かつ、燐原子及び硼
素原子のうち少なくとも一方を含有すると共に窒素原子
を含有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン
ゲルマニウムの薄膜を電荷発生層として使用した感光体
を提供する事を目的とする。
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的問題点を
全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異なる
、有機プラズマ重合膜、特に燐原子及び硼素原子のうち
少なくとも一方を含有してなる水素化アモルファスカー
ボン膜を電荷輸送層として使用し、かつ、燐原子及び硼
素原子のうち少なくとも一方を含有すると共に窒素原子
を含有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコン
ゲルマニウムの薄膜を電荷発生層として使用した感光体
を提供する事を目的とする。
同屈涜13W妨雇υンへqモ戊
即ち、本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成される燐原子及び硼素原子のうち少なくと
も一方を含有してなる水素化アモルファスカーボン欣で
あり、かつ、該電荷発生層が燐原子及び硼素原子のうプ
う少なくとも一方を含有すると共に窒素原子を含有して
なる水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニ「
クム膜であることを特徴とする感光体に関する(以下、
本発明による電荷輸送層をa−C膜及び電荷発生層をa
−Si膜と称する)。 本発明は、従来のアモルファス
シリコン感光体においては、電荷発生層として優れた機
能を有するアモルファスシリコンを、電荷発生能が無(
でも電荷輸送能ざえあれば済む電荷輸送層としても併用
していたため発生していたこれらの問題点を解決すべく
成されたものである。
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成される燐原子及び硼素原子のうち少なくと
も一方を含有してなる水素化アモルファスカーボン欣で
あり、かつ、該電荷発生層が燐原子及び硼素原子のうプ
う少なくとも一方を含有すると共に窒素原子を含有して
なる水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニ「
クム膜であることを特徴とする感光体に関する(以下、
本発明による電荷輸送層をa−C膜及び電荷発生層をa
−Si膜と称する)。 本発明は、従来のアモルファス
シリコン感光体においては、電荷発生層として優れた機
能を有するアモルファスシリコンを、電荷発生能が無(
でも電荷輸送能ざえあれば済む電荷輸送層としても併用
していたため発生していたこれらの問題点を解決すべく
成されたものである。
即ち、本発明は、電荷輸送層としてグロー放電により生
成される燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含
有してなる水素化アモルファスカーボン膜を設け、かつ
、電荷発生層として同じくグロー放電により生成される
燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有すると
共に窒素原子を含有してなる水素化或は弗素化アモルフ
ァスシリコンゲルマニウム膜を設けた事を特徴とする機
能分離型感光体に関する。該電荷輸送層は、可視光もし
くは半導体レーザー光付近の波長の光に対しては明確な
る光導電性は有さないが、好適な輸送性を有し、さらに
、帯電能、耐久性、耐候性、耐環境汚染性等の電子写真
感光体性能に優れ、しかも透光性にも優れるため、機能
分離型感光体としての積層構造を形成する場合において
も極めて高い自由度が得られるものである。また、該電
荷発生層は、可視光もしくは半導体レーザー光付近の波
長の光に対して優れた光導電性を有し、しかも従来のア
モルファスシリコン感光体に比べて極めて薄い膜厚で、
その機能を活かす事ができるものである。
成される燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含
有してなる水素化アモルファスカーボン膜を設け、かつ
、電荷発生層として同じくグロー放電により生成される
燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有すると
共に窒素原子を含有してなる水素化或は弗素化アモルフ
ァスシリコンゲルマニウム膜を設けた事を特徴とする機
能分離型感光体に関する。該電荷輸送層は、可視光もし
くは半導体レーザー光付近の波長の光に対しては明確な
る光導電性は有さないが、好適な輸送性を有し、さらに
、帯電能、耐久性、耐候性、耐環境汚染性等の電子写真
感光体性能に優れ、しかも透光性にも優れるため、機能
分離型感光体としての積層構造を形成する場合において
も極めて高い自由度が得られるものである。また、該電
荷発生層は、可視光もしくは半導体レーザー光付近の波
長の光に対して優れた光導電性を有し、しかも従来のア
モルファスシリコン感光体に比べて極めて薄い膜厚で、
その機能を活かす事ができるものである。
本発明においては、a −C膜を形成するために有機化
合物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。
合物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。
該炭化水慕における相状態は常温常圧において必ずしも
気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。
気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。
使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、テ
°カン、ウンテ゛カン、ドデカン、トリデカン、テトラ
デカン、ペンタデカン、ヘキサコサン、ヘプタデカン、
オクタコサン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコサ
ン、トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサ
ン、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナ
コサン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタト
リアコンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソブ
タン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネ
オヘキサン、2,3−ジメチルブタン、2−メチルヘキ
サン、3−エチルペンタン、2.2−ジメチルペンタン
、2.4−ジメチルペンタン、3,3−ジメチルベンク
ン、トリブタン、2−メチルへブタン、3−メチルへブ
タン、2.2−ジメチルヘキサン、2.2.5−ジメチ
ルヘキサン、2,2.3−トリメデルペンタン、2.2
.4−トリメチルペンタン、2,3゜3−トリメチルペ
ンタン、2.’3.4−トリメチルペンタン、イソナノ
ン、等のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化
水素としては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブ
チレン、1−ブテン、2−ブテン、1−ペンテン、2−
ペンテン、2−メチル−1−ブテン、3−メチル−1−
ブテン、2−メチル−2−ブテン、■−ヘキセン、テト
ラメチルエチレン、1−ヘプテン、1−オクテン、1−
ノネン、1−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン
、メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘキサジ
エン、シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並びに
、オシメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエン
、等のトリオレフイン、並びに、アセチレン、ブタジイ
ン、1゜3−ペンタジイン、2.4−へキサジイン、メ
チルアセチレン、1−ブチン、2−ブチン、1−ペンチ
ン、1−ヘキシン、1−ヘプチン、1−オクチン、1−
ノニン、1−デシン、等が用いられる。
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、テ
°カン、ウンテ゛カン、ドデカン、トリデカン、テトラ
デカン、ペンタデカン、ヘキサコサン、ヘプタデカン、
オクタコサン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコサ
ン、トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサ
ン、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナ
コサン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタト
リアコンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソブ
タン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネ
オヘキサン、2,3−ジメチルブタン、2−メチルヘキ
サン、3−エチルペンタン、2.2−ジメチルペンタン
、2.4−ジメチルペンタン、3,3−ジメチルベンク
ン、トリブタン、2−メチルへブタン、3−メチルへブ
タン、2.2−ジメチルヘキサン、2.2.5−ジメチ
ルヘキサン、2,2.3−トリメデルペンタン、2.2
.4−トリメチルペンタン、2,3゜3−トリメチルペ
ンタン、2.’3.4−トリメチルペンタン、イソナノ
ン、等のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化
水素としては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブ
チレン、1−ブテン、2−ブテン、1−ペンテン、2−
ペンテン、2−メチル−1−ブテン、3−メチル−1−
ブテン、2−メチル−2−ブテン、■−ヘキセン、テト
ラメチルエチレン、1−ヘプテン、1−オクテン、1−
ノネン、1−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン
、メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘキサジ
エン、シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並びに
、オシメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエン
、等のトリオレフイン、並びに、アセチレン、ブタジイ
ン、1゜3−ペンタジイン、2.4−へキサジイン、メ
チルアセチレン、1−ブチン、2−ブチン、1−ペンチ
ン、1−ヘキシン、1−ヘプチン、1−オクチン、1−
ノニン、1−デシン、等が用いられる。
脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルピノレン、フエランドレン、シルベストレン、
ツエン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、フ
エンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ビサボ
レン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネン
セスキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレ
ン、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ボドカル
ブレン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド等が
用いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメ
ン、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン
、ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチ
ルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ピ
フェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェ
ニルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフ
タリン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン、
等が用いられる。
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルピノレン、フエランドレン、シルベストレン、
ツエン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、フ
エンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ビサボ
レン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネン
セスキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレ
ン、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ボドカル
ブレン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド等が
用いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメ
ン、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン
、ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチ
ルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ピ
フェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェ
ニルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフ
タリン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン、
等が用いられる。
ざらに、炭化水素以外でも、例えば、アルコール類、ケ
トン類、エーテル類、エステル類、等炭素と成りうる化
合物であれば使用可能である。
トン類、エーテル類、エステル類、等炭素と成りうる化
合物であれば使用可能である。
本発明におけるa −C膜中に含まれる水素原子の量は
グロー放電を用いるというその製造面から必然的に定ま
るが、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね30乃
至6o原子%含有される。ここで、炭素原子並びに水素
原子の膜中含有量は、有機元素分析の常法、例えばCN
H分析を用いる事により知る事ができる。
グロー放電を用いるというその製造面から必然的に定ま
るが、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね30乃
至6o原子%含有される。ここで、炭素原子並びに水素
原子の膜中含有量は、有機元素分析の常法、例えばCN
H分析を用いる事により知る事ができる。
本発明におけるa −C膜中に含チれる水素原子の量は
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが
、例えば、基板温度を高くする、圧力を低くする、原料
炭化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これらの
組合せ操作は、含有水素量を低くする効果を有する。
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが
、例えば、基板温度を高くする、圧力を低くする、原料
炭化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これらの
組合せ操作は、含有水素量を低くする効果を有する。
本発明における電荷輸送層としてのa −C膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、5乃至5
0μm、特に7乃至20μmが適当であり、5μmより
薄いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度を得る
事ができない。また、50μmより厚いと、生産性の面
で好ましくない。
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、5乃至5
0μm、特に7乃至20μmが適当であり、5μmより
薄いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度を得る
事ができない。また、50μmより厚いと、生産性の面
で好ましくない。
このa−C膜は、高透光性、高暗抵抗を有するとともに
電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に5μm以上として
もキャリアはトラップされる事無く輸送きれ明減衰に寄
与する事が可能である。
電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に5μm以上として
もキャリアはトラップされる事無く輸送きれ明減衰に寄
与する事が可能である。
本発明における原料気体からa −C膜を形成する過程
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラズ
マ状態を経て形成される方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成されるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される中
性粒子から形成されてもよいし、さらには、これらの組
み合わせにより形成されてもよい。
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラズ
マ状態を経て形成される方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成されるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される中
性粒子から形成されてもよいし、さらには、これらの組
み合わせにより形成されてもよい。
本発明においては炭化水素の他に、a −C膜中に少な
くとも硼素原子或は燐原子を添加するための原料として
、硼素化合物或は燐化合物が用いられる。該硼素化合物
或は燐化合物における相状態は常温常圧において必ずし
も気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、
蒸発、昇華等を経て気化しうるものであぢば、液相でも
固相でも使用可能である。硼素化合物或は燐化合物とし
ては、例えば、ジボラン、ホスフィン等が用いられ本発
明において化学的^を飾物質として含有される硼素原子
或は燐原子の量は、全構成原子に対して20000原子
ppm%以下である。ここで、硼素原子或は燐原子の膜
中含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或は
IMA分析により知る事が可能である。硼素原子或は燐
原子を含まない場合には、好適な輸送性が確保されず、
ざらに、成膜後の経時劣化を招きやすくなる。一方、硼
素原子或は燐原子の量が20000原子ppmを越える
場合には、少量の添加では好適な輸送性を保証していた
硼素原子或は燐原子が、逆に膜の低抵抗化を招く作用を
示し、帯電能が低下してしまう。従って、本発明におけ
る硼素原子或は燐原子の添加量範囲は重要である。
くとも硼素原子或は燐原子を添加するための原料として
、硼素化合物或は燐化合物が用いられる。該硼素化合物
或は燐化合物における相状態は常温常圧において必ずし
も気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、
蒸発、昇華等を経て気化しうるものであぢば、液相でも
固相でも使用可能である。硼素化合物或は燐化合物とし
ては、例えば、ジボラン、ホスフィン等が用いられ本発
明において化学的^を飾物質として含有される硼素原子
或は燐原子の量は、全構成原子に対して20000原子
ppm%以下である。ここで、硼素原子或は燐原子の膜
中含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或は
IMA分析により知る事が可能である。硼素原子或は燐
原子を含まない場合には、好適な輸送性が確保されず、
ざらに、成膜後の経時劣化を招きやすくなる。一方、硼
素原子或は燐原子の量が20000原子ppmを越える
場合には、少量の添加では好適な輸送性を保証していた
硼素原子或は燐原子が、逆に膜の低抵抗化を招く作用を
示し、帯電能が低下してしまう。従って、本発明におけ
る硼素原子或は燐原子の添加量範囲は重要である。
本発明において化学的修飾物質として含有される硼素原
子或は燐原子原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう
反応室への前述の硼素化合物或は燐化合物の導入量を増
減することにより制御することが可能である。硼素化合
物或は燐化合物の導入量を増大させれば、本発明による
a −C膜中への硼素原子或は燐原子の添加量を高くす
ることが可能であり、逆に硼素化合物或は燐化合物の導
入量を減少させれば、本発明によるa−C膜中への硼素
原子或は燐原子の添加量を低くすることが可能である。
子或は燐原子原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう
反応室への前述の硼素化合物或は燐化合物の導入量を増
減することにより制御することが可能である。硼素化合
物或は燐化合物の導入量を増大させれば、本発明による
a −C膜中への硼素原子或は燐原子の添加量を高くす
ることが可能であり、逆に硼素化合物或は燐化合物の導
入量を減少させれば、本発明によるa−C膜中への硼素
原子或は燐原子の添加量を低くすることが可能である。
本発明においては、a−3i膜を形成するためにシラン
ガス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用いられ
る。また、化学的修飾物質として燐原子或は硼素原子を
膜中に含有せしめるための原料ガスとして、ホスフィン
ガス或はジボランガス等が用いられる。ざらに、化学的
修飾物質として窒素原子を膜中に含有せしめるための原
料ガスとして、窒素ガス、アンモニアガス、亜酸化窒素
ガス、或は、二酸化窒素ガス、等の窒素化合物ガスが用
いられる。また、ゲルマニウム原子を含有きせるために
、ゲルマンガスが用いられる。
ガス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用いられ
る。また、化学的修飾物質として燐原子或は硼素原子を
膜中に含有せしめるための原料ガスとして、ホスフィン
ガス或はジボランガス等が用いられる。ざらに、化学的
修飾物質として窒素原子を膜中に含有せしめるための原
料ガスとして、窒素ガス、アンモニアガス、亜酸化窒素
ガス、或は、二酸化窒素ガス、等の窒素化合物ガスが用
いられる。また、ゲルマニウム原子を含有きせるために
、ゲルマンガスが用いられる。
本発明におけるasiM中に含有されるゲルマニウム原
子の含有量は、シリコン原子とゲルマニウム原子との総
和に対して、30原子%以下が好ましい。ここで、ゲル
マニウム原子及びシリコン原子の含有率は、元素分析の
常法、例えばオージェ分析により知る事ができる。ゲル
マニウム原子の含有量は、膜形成時に流入するゲルマン
ガスの流量を増加する事により高くなる。ゲルマニウム
原子の含有量が高くなるにつれ本発明感光体の長波長感
度は向上し、短波長領域から長波長領域にまで幅広く露
光源が選択され得るようになり好ましいが、ゲルマニウ
ム原子が30原子%より多く含有されると帯電能の低下
を招くため、過剰の添加は好ましくない。従って、本発
明におけるa−5i膜中に含有されるゲルマニウム原子
の含有量は重要である。
子の含有量は、シリコン原子とゲルマニウム原子との総
和に対して、30原子%以下が好ましい。ここで、ゲル
マニウム原子及びシリコン原子の含有率は、元素分析の
常法、例えばオージェ分析により知る事ができる。ゲル
マニウム原子の含有量は、膜形成時に流入するゲルマン
ガスの流量を増加する事により高くなる。ゲルマニウム
原子の含有量が高くなるにつれ本発明感光体の長波長感
度は向上し、短波長領域から長波長領域にまで幅広く露
光源が選択され得るようになり好ましいが、ゲルマニウ
ム原子が30原子%より多く含有されると帯電能の低下
を招くため、過剰の添加は好ましくない。従って、本発
明におけるa−5i膜中に含有されるゲルマニウム原子
の含有量は重要である。
本発明において化学的修飾物質として含有される燐原子
或は硼素原子の量は、全構成原子に対して20000原
子ppm以下である。ここで燐原子或は硼素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或はI
MA分析により知る事ができる。燐原子或は硼素原子の
膜中含有量が20000原子ppmより高い場合には、
少量の添加では好適な輸送性、或は、極性制唾効果を保
証していた燐原子或は硼素原子が、逆に膜の低抵抗化を
招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。従って、本発
明における燐原子或は硼素原子添加量の範囲は重要であ
る。
或は硼素原子の量は、全構成原子に対して20000原
子ppm以下である。ここで燐原子或は硼素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或はI
MA分析により知る事ができる。燐原子或は硼素原子の
膜中含有量が20000原子ppmより高い場合には、
少量の添加では好適な輸送性、或は、極性制唾効果を保
証していた燐原子或は硼素原子が、逆に膜の低抵抗化を
招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。従って、本発
明における燐原子或は硼素原子添加量の範囲は重要であ
る。
本発明において化学的修飾物質として含有される窒素原
子の量は、全構成原子に対して0,001乃至3原子%
である。ここで窒素原子の膜中含有量は、元素分析の常
法、例えばオージェ分析或はIMA分析により知る事が
できる。窒素原子の膜中含有量が0.001原子%より
低い場合には、a−3iPJの電気抵抗値が低くなる事
がらa−5i膜にコロナ帯電等による電界がかかりにく
くなり、光励起キャリアが必ずしも効率よ<a−C膜中
に注入されなくなり感度の低下を招く。また、帯電能も
低下する。窒素原子の膜中含有量が3原子%まり高い場
合には、微量の添加においては好適な帯電能を保証して
いた窒素原子が、過剰の添加ではa−Si膜を高抵抗化
し電荷の易動度を低下ならしめることから感度の低下を
招く。従って、本発明における窒素原子添加量の範囲は
重要である。
子の量は、全構成原子に対して0,001乃至3原子%
である。ここで窒素原子の膜中含有量は、元素分析の常
法、例えばオージェ分析或はIMA分析により知る事が
できる。窒素原子の膜中含有量が0.001原子%より
低い場合には、a−3iPJの電気抵抗値が低くなる事
がらa−5i膜にコロナ帯電等による電界がかかりにく
くなり、光励起キャリアが必ずしも効率よ<a−C膜中
に注入されなくなり感度の低下を招く。また、帯電能も
低下する。窒素原子の膜中含有量が3原子%まり高い場
合には、微量の添加においては好適な帯電能を保証して
いた窒素原子が、過剰の添加ではa−Si膜を高抵抗化
し電荷の易動度を低下ならしめることから感度の低下を
招く。従って、本発明における窒素原子添加量の範囲は
重要である。
本発明におけるa−Si膜中に含まれる水素原子或は弗
素原子の量はグロー放電を用いるというその製造面から
必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシリコ
ン原子と弗素原子の総量に対して、概ね10乃至35原
子%含有される。ここで、水素原子或は弗素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばONH分析、オージ
ェ分析等を用いる事により知る事ができる。
素原子の量はグロー放電を用いるというその製造面から
必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシリコ
ン原子と弗素原子の総量に対して、概ね10乃至35原
子%含有される。ここで、水素原子或は弗素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばONH分析、オージ
ェ分析等を用いる事により知る事ができる。
本発明における電荷発生層としてのa−3i膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、0.1乃
至5μmが適当であり、0.1μmより薄いと、光吸収
が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、感
度の低下を招く。また、5μmより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このa−Si膜は電荷発生能に富み、
ざらに、本発明の最も特徴とするところのa−CMとの
積層構成において効率よ<a−C膜中に発生キャリアを
注入せしめ、好適なFIA減衰に寄与する事が可能であ
る。
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、0.1乃
至5μmが適当であり、0.1μmより薄いと、光吸収
が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、感
度の低下を招く。また、5μmより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このa−Si膜は電荷発生能に富み、
ざらに、本発明の最も特徴とするところのa−CMとの
積層構成において効率よ<a−C膜中に発生キャリアを
注入せしめ、好適なFIA減衰に寄与する事が可能であ
る。
本発明における原料気体からa−Si膜を形成する過程
は、a CM7cを形成する場合と同様にして行なわ
れる。
は、a CM7cを形成する場合と同様にして行なわ
れる。
本発明において化学的修飾物質として含有きれる窒素原
子、燐原子、或は、W素原子の量は、主に、プラズマ反
応を行なう反応室への前述の窒素化合物ガス、ホスフィ
ンガス、或は、ジボランガスの導入量を増減することに
より制御することが可能である。窒素化合物ガス、ホス
フィンガス、或は、ジボランガスの導入量を増大させれ
ば、本発明によるa−Si膜中への窒素原子、燐原子、
或は、硼素原子の添加量を高くすることが可能であり、
逆に窒素化合物ガス、ホスフィンガス、或は、ジボラン
ガスの導入量を減少きせれば、本発明によるa−3i膜
中への窒素原子、燐原子、或は、硼素原子の添加量を低
くすることが可能である。
子、燐原子、或は、W素原子の量は、主に、プラズマ反
応を行なう反応室への前述の窒素化合物ガス、ホスフィ
ンガス、或は、ジボランガスの導入量を増減することに
より制御することが可能である。窒素化合物ガス、ホス
フィンガス、或は、ジボランガスの導入量を増大させれ
ば、本発明によるa−Si膜中への窒素原子、燐原子、
或は、硼素原子の添加量を高くすることが可能であり、
逆に窒素化合物ガス、ホスフィンガス、或は、ジボラン
ガスの導入量を減少きせれば、本発明によるa−3i膜
中への窒素原子、燐原子、或は、硼素原子の添加量を低
くすることが可能である。
本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
成る機能分#型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。
成る機能分#型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。
第1図は、その一形態として、導電性基板(1)上に電
荷輸送層(2)と電荷発生F!t (3)を順次積層し
てなる構成を示したものである。第2図は、別の一形態
として、導電性基板(1)上に電荷発生層(3)と電荷
輸送層(2)を順次積層してなる構成を示したものであ
る。第3図は、別の一形態として、導電性基板(1)上
に、電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と電荷輸送層
(2)を順次積層してなる構成を示したものである。
荷輸送層(2)と電荷発生F!t (3)を順次積層し
てなる構成を示したものである。第2図は、別の一形態
として、導電性基板(1)上に電荷発生層(3)と電荷
輸送層(2)を順次積層してなる構成を示したものであ
る。第3図は、別の一形態として、導電性基板(1)上
に、電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と電荷輸送層
(2)を順次積層してなる構成を示したものである。
感光体表面を、例えばコロナ帯電型等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第1図では
電荷発生/!! (3)で発生した正孔が電荷輸送層(
2)中を導電性基板(1)に向は走行し、第2図では電
荷発生層(3)で発生した電子が電荷輸送層(2)中を
感光体表面に向は走行し、第3図では電荷発生層(3)
で発生した正孔が導電性基板側の電荷輸送層(2)中を
導電性基板(1)に向は走行すると共に、同時に電荷発
止層(3)で発生した電子が表面側の電荷輸送層(2)
中を感光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証され
た静電潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負
帯電した後、画像露光して使用する場合においては、電
子と正孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解
すればよい。第2図及び第3図では、画像露光用の照射
光が電荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による
電荷輸送層は透光性に優れることから、好適な潜像形成
を行なうことが可能である。
後、画像露光して使用する場合においては、第1図では
電荷発生/!! (3)で発生した正孔が電荷輸送層(
2)中を導電性基板(1)に向は走行し、第2図では電
荷発生層(3)で発生した電子が電荷輸送層(2)中を
感光体表面に向は走行し、第3図では電荷発生層(3)
で発生した正孔が導電性基板側の電荷輸送層(2)中を
導電性基板(1)に向は走行すると共に、同時に電荷発
止層(3)で発生した電子が表面側の電荷輸送層(2)
中を感光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証され
た静電潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負
帯電した後、画像露光して使用する場合においては、電
子と正孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解
すればよい。第2図及び第3図では、画像露光用の照射
光が電荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による
電荷輸送層は透光性に優れることから、好適な潜像形成
を行なうことが可能である。
第4図は、ざらなる一形態として、導電性基板(1)上
に電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と表面保護層(
4)を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第1図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第1図の形態では、最表面が耐湿性に乏しいa−Si膜
で有ることから、多くの場合実用上の対湿度安定性を確
保するために表面保護層を設けることが好ましい。第2
図及び第3図の構成の場合、最表面が耐久性に優れたa
−C膜であるため表面保護層を設けなくてもよいが、例
えば現像剤の付着による感光体表面の汚れを防止するよ
うな、複写機内の各棚エレメントに対する整合性を調整
する目的から、表面保護層を設けることもさらなる一形
態と成りうる。
に電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と表面保護層(
4)を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第1図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第1図の形態では、最表面が耐湿性に乏しいa−Si膜
で有ることから、多くの場合実用上の対湿度安定性を確
保するために表面保護層を設けることが好ましい。第2
図及び第3図の構成の場合、最表面が耐久性に優れたa
−C膜であるため表面保護層を設けなくてもよいが、例
えば現像剤の付着による感光体表面の汚れを防止するよ
うな、複写機内の各棚エレメントに対する整合性を調整
する目的から、表面保護層を設けることもさらなる一形
態と成りうる。
第5図は、ざらなる一形態として、導電性基板(1)上
に中間層(5)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第2
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第2図の
形態では、導電性基板との接合面がa−3iNffであ
る事から、多くの場合接着性及び注入阻止効果を確保す
るために中間層を設ける事が好ましい。第1図及び第3
図の構成の場合、導電性基板との接合面が、接着性及び
注入阻止効果に擾れた、本発明による電荷輸送層である
ため、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板
の前処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との
整合性を調整する目的から、中間層を設けることもさら
なる一形態と成りうる。
に中間層(5)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第2
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第2図の
形態では、導電性基板との接合面がa−3iNffであ
る事から、多くの場合接着性及び注入阻止効果を確保す
るために中間層を設ける事が好ましい。第1図及び第3
図の構成の場合、導電性基板との接合面が、接着性及び
注入阻止効果に擾れた、本発明による電荷輸送層である
ため、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板
の前処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との
整合性を調整する目的から、中間層を設けることもさら
なる一形態と成りうる。
第6図は、ざらなる一形態として、導電性基板(1)上
に中間層(5)と電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)
と表面保護N(4)を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第1図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。
に中間層(5)と電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)
と表面保護N(4)を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第1図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。
中間層と表面保護層の設置理由は前述と同様であり、従
って第2図及び第3図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもざらなる一形態と成りうる。
って第2図及び第3図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもざらなる一形態と成りうる。
本発明において中間層と表面保護層は、材料的にも、製
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるa−C膜を用いてもよい。但し、用い
る材料が、例えば従来例で述べた如ぎ絶縁性材料である
場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は5μm以下
に留める必要がある。
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるa−C膜を用いてもよい。但し、用い
る材料が、例えば従来例で述べた如ぎ絶縁性材料である
場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は5μm以下
に留める必要がある。
本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電様を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再結合反
応により固相として堆積きせる、所謂プラズマ重合反応
から生成される事が好ましい。
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電様を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再結合反
応により固相として堆積きせる、所謂プラズマ重合反応
から生成される事が好ましい。
第7図は本発明に係わる感光体の製造装置を示し、図中
(701)〜(706)は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを!封した第1乃至第6タ
ンクで、各々のタンクは第1乃至第6調節弁(707)
〜(712)と第1乃至第6流量制御器(713)〜(
71”8)に接続きれている。図中(719)〜(72
1)は常温において液相または同相状態にある原料化合
物を封入した第1乃至第3容器で、各々の容器は気化の
ため第1乃至第3温調器(722)〜(724)により
与熱可能であり、ざらに各々の容器は第7乃至第9調節
弁(7,25)〜(727)と第7乃至第9流量制瀕器
(728)〜(730)に接続されている。これらのガ
スは混合器(731)で混合きれた後、主管(732)
を介して反応室(733)に送り込まれる。途中の配管
は、常温において液相または固相状態にあった原料化合
物が気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜装
置された配管加熱器(734)により、与熱可能ときれ
ている。反応室内には接地電極(735)と電力印加電
極(736)が対向して設置され、各々の電極は電極加
熱器(737)により与熱可能とされている。電力印加
電極(736)には、高周波電力用整合器(738)を
介して高周波電源(739)、低周波電力用整合器(7
40)を介して低周波N源(741)、ローパスフィル
タ(742)を介して直流電源(743)が接続されて
おり、接続選択スイッチ(74’4)により周波数の異
なる電力が印加可能とされている。反応室(733)内
の圧力は圧力制御弁(745)により調整可能であり、
反応室(733)内の減圧は、′排気系選択弁(746
)を介して、拡散ポンプ(747) 、油回転ポンプ(
748)、或は、冷却除外装置(749) 、メカニカ
ルブースターポンプ(750) 、油回転ポンプ(74
8)により行なわれる。排ガスについては、さらに適当
な除外装置(753)により安全無害化した後、大気中
に排気きれる。これら排気系配管についても、常温にお
いて液相または固相状態にあった原料化合物が気化した
ガスが、途中で凝結しないように、適宜配置された配管
加熱器(734)により、与熱可能ときれている。反応
室(733)も同様の理由から反応室加熱器(751)
により与熱可能とされ、内部に配された電極上に導電性
基板(752)が設置される。第7図において導電性基
板(752)は接地電極(735)に固定して配されて
いるが、電力印加電極(736)に固定して配されても
よく、ざらに双方に配されてもよい。
(701)〜(706)は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを!封した第1乃至第6タ
ンクで、各々のタンクは第1乃至第6調節弁(707)
〜(712)と第1乃至第6流量制御器(713)〜(
71”8)に接続きれている。図中(719)〜(72
1)は常温において液相または同相状態にある原料化合
物を封入した第1乃至第3容器で、各々の容器は気化の
ため第1乃至第3温調器(722)〜(724)により
与熱可能であり、ざらに各々の容器は第7乃至第9調節
弁(7,25)〜(727)と第7乃至第9流量制瀕器
(728)〜(730)に接続されている。これらのガ
スは混合器(731)で混合きれた後、主管(732)
を介して反応室(733)に送り込まれる。途中の配管
は、常温において液相または固相状態にあった原料化合
物が気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜装
置された配管加熱器(734)により、与熱可能ときれ
ている。反応室内には接地電極(735)と電力印加電
極(736)が対向して設置され、各々の電極は電極加
熱器(737)により与熱可能とされている。電力印加
電極(736)には、高周波電力用整合器(738)を
介して高周波電源(739)、低周波電力用整合器(7
40)を介して低周波N源(741)、ローパスフィル
タ(742)を介して直流電源(743)が接続されて
おり、接続選択スイッチ(74’4)により周波数の異
なる電力が印加可能とされている。反応室(733)内
の圧力は圧力制御弁(745)により調整可能であり、
反応室(733)内の減圧は、′排気系選択弁(746
)を介して、拡散ポンプ(747) 、油回転ポンプ(
748)、或は、冷却除外装置(749) 、メカニカ
ルブースターポンプ(750) 、油回転ポンプ(74
8)により行なわれる。排ガスについては、さらに適当
な除外装置(753)により安全無害化した後、大気中
に排気きれる。これら排気系配管についても、常温にお
いて液相または固相状態にあった原料化合物が気化した
ガスが、途中で凝結しないように、適宜配置された配管
加熱器(734)により、与熱可能ときれている。反応
室(733)も同様の理由から反応室加熱器(751)
により与熱可能とされ、内部に配された電極上に導電性
基板(752)が設置される。第7図において導電性基
板(752)は接地電極(735)に固定して配されて
いるが、電力印加電極(736)に固定して配されても
よく、ざらに双方に配されてもよい。
第8図は本発明に係わる感光体の製造装置の別の一形態
を示し、反応室(833)内部の形態以外は、第7図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様であり、
付記された番号は、700番台のものを800番台に置
き換えて解すればよい。第8図において、反応室(83
3)内部には、第7図における接地電極(7’35)を
兼ねた円筒形の導電性基板(852)が設置され、内側
にはM極論熱器(837)が配されている。導電性基板
(852)周囲には同じく円筒形状をした電力印加電極
(836)が配され、外側には電極加熱器(837)が
配されている。導電性基板(852)は、外部より駆動
モータ(854)を用いて自転可能となっている。
を示し、反応室(833)内部の形態以外は、第7図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様であり、
付記された番号は、700番台のものを800番台に置
き換えて解すればよい。第8図において、反応室(83
3)内部には、第7図における接地電極(7’35)を
兼ねた円筒形の導電性基板(852)が設置され、内側
にはM極論熱器(837)が配されている。導電性基板
(852)周囲には同じく円筒形状をした電力印加電極
(836)が配され、外側には電極加熱器(837)が
配されている。導電性基板(852)は、外部より駆動
モータ(854)を用いて自転可能となっている。
感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め1
0−4乃至1(16Torr程度にまで減圧し、真空度
の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配され
た導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板に
は、前述の如き感光体構成の中から所望の構成を得るた
めに、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷発
生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電荷
発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を用
いてもよい。次いで、第1乃至第6タンク及び第1乃至
第3容器から、原料ガスを適宜第1乃至第9流量制御器
を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節
弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が
安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば高周波
電源を選択し、電力印加電極に高周波電力を投入する。
0−4乃至1(16Torr程度にまで減圧し、真空度
の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配され
た導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板に
は、前述の如き感光体構成の中から所望の構成を得るた
めに、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷発
生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電荷
発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を用
いてもよい。次いで、第1乃至第6タンク及び第1乃至
第3容器から、原料ガスを適宜第1乃至第9流量制御器
を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節
弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が
安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば高周波
電源を選択し、電力印加電極に高周波電力を投入する。
両を極間には放電が開始され、時間と共に基板上に固相
の膜が形成される。a−3i膜或はa −C膜は、原料
ガスを代える事により任意に形成可能である。放電を一
旦停止し、原料ガス組成を変更した後、再び放電を再開
すれば異なる組成の膜を積層する事ができる。また、放
電を持続きせながら原料ガス流量だけを徐々に代え、異
なる組成の膜を勾配を持たせながら積層する事も可能で
ある。
の膜が形成される。a−3i膜或はa −C膜は、原料
ガスを代える事により任意に形成可能である。放電を一
旦停止し、原料ガス組成を変更した後、再び放電を再開
すれば異なる組成の膜を積層する事ができる。また、放
電を持続きせながら原料ガス流量だけを徐々に代え、異
なる組成の膜を勾配を持たせながら積層する事も可能で
ある。
反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚並びに積層構
成に達したところで放電を停止し、本発明による感光体
を得る。次いで、第1乃至第9調節弁を閉じ、反応室内
を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得られる
場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明によ
る感光体を取り出す。更に所望の感光体構成において、
電荷発生層或はオーバーコート層が必要とされる場合に
は、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦真空を
破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け、本発
明による感光体を得る。
成に達したところで放電を停止し、本発明による感光体
を得る。次いで、第1乃至第9調節弁を閉じ、反応室内
を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得られる
場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明によ
る感光体を取り出す。更に所望の感光体構成において、
電荷発生層或はオーバーコート層が必要とされる場合に
は、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦真空を
破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け、本発
明による感光体を得る。
以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。
大施泗上
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を1O−GTorr程度の高真空
にした後、第1FA節弁(707)、及び第4調節弁(
710)を解放し、第1タンク(701)より水素ガス
、及び第4タンク(704)より水素ガスで0.16%
に希釈したジボランガスを各々出力圧1.0Kg/cm
2の下で第1、及び第4流量制御器(713、及び71
6)内へ流入させた。同時に、第1容器(719)より
スチレンガスを第1温調器(722)温度35℃のもと
第7流量制纒器(728)内へ流入させた。
装置(733)の内部を1O−GTorr程度の高真空
にした後、第1FA節弁(707)、及び第4調節弁(
710)を解放し、第1タンク(701)より水素ガス
、及び第4タンク(704)より水素ガスで0.16%
に希釈したジボランガスを各々出力圧1.0Kg/cm
2の下で第1、及び第4流量制御器(713、及び71
6)内へ流入させた。同時に、第1容器(719)より
スチレンガスを第1温調器(722)温度35℃のもと
第7流量制纒器(728)内へ流入させた。
各流量制御器を用いて、水素ガスの流量を40secm
、水素ガスでQ、16%に希釈したジボランガスの流量
を10105e、及びスチレンガスの流量を40sec
mとなるように設定して、途中混合器(731)を介し
て、主管(732)より反応室(733)内へ流入した
。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧
力が2゜○Torrとなるように圧力調節弁(745)
を調整した。一方、導電性基板(752)としては、[
50X横50×厚3mmのアルミニウム基板を用いて、
予め200℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定
した状態で、予め接続遷択スイッチ(744)により接
続しておいた低周波電源(741)を投入し、電力印加
電極(736)に150Wattの電力を周波数30K
Hzの下で印加して約1時間30分プラズマ重合反応を
行ない、導電性基板(752)上に厚き15μmのa−
C膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力
印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充
分に排気した。
、水素ガスでQ、16%に希釈したジボランガスの流量
を10105e、及びスチレンガスの流量を40sec
mとなるように設定して、途中混合器(731)を介し
て、主管(732)より反応室(733)内へ流入した
。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧
力が2゜○Torrとなるように圧力調節弁(745)
を調整した。一方、導電性基板(752)としては、[
50X横50×厚3mmのアルミニウム基板を用いて、
予め200℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定
した状態で、予め接続遷択スイッチ(744)により接
続しておいた低周波電源(741)を投入し、電力印加
電極(736)に150Wattの電力を周波数30K
Hzの下で印加して約1時間30分プラズマ重合反応を
行ない、導電性基板(752)上に厚き15μmのa−
C膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力
印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充
分に排気した。
以上のようにして得られたa −C膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して47原子%であった。また
、IMA分析より含有される硼素原子の量は全構成原子
に対して98原子ppmであった。
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して47原子%であった。また
、IMA分析より含有される硼素原子の量は全構成原子
に対して98原子ppmであった。
電荷発生層形成工程:
次いで、一部タンクを交換し、第1調節弁(707)、
第2調節弁(708)、第3調節弁(709)、第5調
節弁(711)、及び第6調節弁(712)を解放し、
第1タンク(701)から水素ガス、第2タンク(70
2)からゲルマンガス、第3タンク(703)から四弗
化シランガス、第5タンク(705)から窒素ガス、及
び第6タンク(706)からシランガスを、出力圧IK
g/cm2の下で第1、第2、第3、第5、及び第6流
量制御器(713,714,715,717、及び71
8)内へ流入きせた。同時に、第4調節弁(710)を
解放し、第4タンク(704)よや水素ガスで1100
ppに希釈されたジボランガスを、出力圧1.5Kg/
am2の下で第4流量制御器(716)内へ、流入させ
た。各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を2
005CCmsゲルマンガスの流量を6secm、四弗
化シランガスの流量を50secms窒素ガスの流量を
lsccm、シランガスの流量を50secm1水素ガ
スで1100ppに希釈きれたジボランガスの流量を1
01005eとなるように設定し、反応室(733)内
に流入させな。各々の流量が安定した後に、反応室(7
33)内の圧力が0.9Torrとなるように圧力調節
弁(745)を調整した。一方、a−C膜が形成されて
いる導電性基板(752)は、250℃に加熱しておき
、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周波電源(7
39)より周波数13.56MHzの下で電力印加′R
極(736)に35Wattの電力を印加し、グロー放
電を発生させた。この放電を5分間行ない、厚き0.3
μmの電荷発生層を得た。
第2調節弁(708)、第3調節弁(709)、第5調
節弁(711)、及び第6調節弁(712)を解放し、
第1タンク(701)から水素ガス、第2タンク(70
2)からゲルマンガス、第3タンク(703)から四弗
化シランガス、第5タンク(705)から窒素ガス、及
び第6タンク(706)からシランガスを、出力圧IK
g/cm2の下で第1、第2、第3、第5、及び第6流
量制御器(713,714,715,717、及び71
8)内へ流入きせた。同時に、第4調節弁(710)を
解放し、第4タンク(704)よや水素ガスで1100
ppに希釈されたジボランガスを、出力圧1.5Kg/
am2の下で第4流量制御器(716)内へ、流入させ
た。各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を2
005CCmsゲルマンガスの流量を6secm、四弗
化シランガスの流量を50secms窒素ガスの流量を
lsccm、シランガスの流量を50secm1水素ガ
スで1100ppに希釈きれたジボランガスの流量を1
01005eとなるように設定し、反応室(733)内
に流入させな。各々の流量が安定した後に、反応室(7
33)内の圧力が0.9Torrとなるように圧力調節
弁(745)を調整した。一方、a−C膜が形成されて
いる導電性基板(752)は、250℃に加熱しておき
、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周波電源(7
39)より周波数13.56MHzの下で電力印加′R
極(736)に35Wattの電力を印加し、グロー放
電を発生させた。この放電を5分間行ない、厚き0.3
μmの電荷発生層を得た。
得られたa−Si膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所製EMGA−1300)、オージェ分析、及びIM
A分析を行なったところ、含有される水素原子は全構成
原子に対して22原子%、硼素原子は95原子ppm、
弗素原子は5原子%、窒素原子は0.1原子%、ゲルマ
ニウム原子は10.3原子%であった。
作所製EMGA−1300)、オージェ分析、及びIM
A分析を行なったところ、含有される水素原子は全構成
原子に対して22原子%、硼素原子は95原子ppm、
弗素原子は5原子%、窒素原子は0.1原子%、ゲルマ
ニウム原子は10.3原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一720V (+590V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は47V/μm(39V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一720V (+590V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は47V/μm(39V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約15秒(約10
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解ざちた。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要ときれた光量は1.8ルツク
ス・秒(1,3ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解きれた。また、最高帯
電電位に初期帯電した後、半導体レーザー光(発光波長
780nm)を用いて最高帯電電位の20%の表面電位
にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は11.6
erg/cm2(8,1erg/cm2)であり、この
ことから充分な長波長光感度性能を有する事が理解され
た。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約15秒(約10
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解ざちた。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要ときれた光量は1.8ルツク
ス・秒(1,3ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解きれた。また、最高帯
電電位に初期帯電した後、半導体レーザー光(発光波長
780nm)を用いて最高帯電電位の20%の表面電位
にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は11.6
erg/cm2(8,1erg/cm2)であり、この
ことから充分な長波長光感度性能を有する事が理解され
た。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
去施勇旦
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1調節弁(707)、第2調節弁(7
08) 、及び第4調節弁(710)を解放し、第1タ
ンク(701)より水素ガス、第2タンク(702)か
らエチレンガス、及び第4タンク(704)より水素ガ
スで60ppmに希釈したジボランガスを各々出力圧1
.0Kg/cm2の下で第1、第2、及び第4流量制都
器(713,714、及び716)内へ流入させな。各
流量制御式を用いて、水素ガスの流量を60secm、
水素ガスで60ppmに希釈したジボランガスの流量を
20secm、及びエチレンガスの流量を60secm
となるように設定して、途中混合器(731)を介して
、主管(732)より反応室(733)内へ流入した。
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1調節弁(707)、第2調節弁(7
08) 、及び第4調節弁(710)を解放し、第1タ
ンク(701)より水素ガス、第2タンク(702)か
らエチレンガス、及び第4タンク(704)より水素ガ
スで60ppmに希釈したジボランガスを各々出力圧1
.0Kg/cm2の下で第1、第2、及び第4流量制都
器(713,714、及び716)内へ流入させな。各
流量制御式を用いて、水素ガスの流量を60secm、
水素ガスで60ppmに希釈したジボランガスの流量を
20secm、及びエチレンガスの流量を60secm
となるように設定して、途中混合器(731)を介して
、主管(732)より反応室(733)内へ流入した。
各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力
が1.8Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、導電性基板(752)としては、!5
0X横50×厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予
め220℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ(744)により接続
しておいた高周波電源(739)を投入し、電力印加!
1f1(736)に150Wattの電力を周波数13
.56MHzの下で印加して約9時間プラズマ重合反応
を行ない、導電性基板(752)上に厚と15μmのa
−C膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電
力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を
充分に排気した。
が1.8Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、導電性基板(752)としては、!5
0X横50×厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予
め220℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ(744)により接続
しておいた高周波電源(739)を投入し、電力印加!
1f1(736)に150Wattの電力を周波数13
.56MHzの下で印加して約9時間プラズマ重合反応
を行ない、導電性基板(752)上に厚と15μmのa
−C膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電
力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を
充分に排気した。
以上のようにして得られたa −CM’Aにつき有機元
素分析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭
素原子と水素原子の総量に対して41原子%であった。
素分析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭
素原子と水素原子の総量に対して41原子%であった。
また、IMA分析より含有きれる硼素原子の量は全構成
原子に対して21原子ppmであった。
原子に対して21原子ppmであった。
電荷発生層形成工程:
次いで、一部タンクを交換し、第1調節弁(707)、
第2調節弁(708)、第5調節弁(711)、及び第
6調節弁(712)を解放し、第1タンク(701)か
ら水素ガス、第2タンク’(702)からゲルマンガス
、第5タンク(705)からアンモニアガス、及び第6
タンク(706)からシランガスを、出力圧IKg/a
m2の下で第1、第2、第5、及び第6′tC量制御器
(713,714,717、及び718)内へ流入させ
た。同時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タン
ク(704)より水素ガスで1100ppに希釈された
ジボランガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4
流量制御器(716)内へ、流入させた。各流量制御器
の目盛を調整して水素ガスの流量を180secm、ゲ
ルマンガスの流量を8secm、アンモニアガスの流量
を2secm1シランガスの流量を101005e、水
素ガスで1100ppに希釈されたジボランガスの流量
を10105eに設定し、反応室(733)内に流入さ
せた。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内
の圧力が0.9Torrとなるように圧力調節弁(74
5)を調整した。一方、a−C膜が形成されている導電
性基板(752)は、240℃に加熱しておき、ガス流
量及び圧力が安定した状態で、高周波電源(739)よ
り周波数13.56MHzの下で電力印加電極(736
)に45Wattの電力を印加し、グロー放電を発生さ
せた。この放電を5分間行ない、厚き0.3μmの電荷
発生層を得た。
第2調節弁(708)、第5調節弁(711)、及び第
6調節弁(712)を解放し、第1タンク(701)か
ら水素ガス、第2タンク’(702)からゲルマンガス
、第5タンク(705)からアンモニアガス、及び第6
タンク(706)からシランガスを、出力圧IKg/a
m2の下で第1、第2、第5、及び第6′tC量制御器
(713,714,717、及び718)内へ流入させ
た。同時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タン
ク(704)より水素ガスで1100ppに希釈された
ジボランガスを、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4
流量制御器(716)内へ、流入させた。各流量制御器
の目盛を調整して水素ガスの流量を180secm、ゲ
ルマンガスの流量を8secm、アンモニアガスの流量
を2secm1シランガスの流量を101005e、水
素ガスで1100ppに希釈されたジボランガスの流量
を10105eに設定し、反応室(733)内に流入さ
せた。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内
の圧力が0.9Torrとなるように圧力調節弁(74
5)を調整した。一方、a−C膜が形成されている導電
性基板(752)は、240℃に加熱しておき、ガス流
量及び圧力が安定した状態で、高周波電源(739)よ
り周波数13.56MHzの下で電力印加電極(736
)に45Wattの電力を印加し、グロー放電を発生さ
せた。この放電を5分間行ない、厚き0.3μmの電荷
発生層を得た。
得られたa−Si膜につき・、金属中ONH分析(板場
製作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及び
IMA分析を行なったところ、含有される水素原子は全
構成原子に対して21原子%、硼素原子は11原子pp
m、窒素原子は0.3原子%、ゲルマニウム原子は13
.2原子%であった。
製作所製EMGA−1300) 、オージェ分析、及び
IMA分析を行なったところ、含有される水素原子は全
構成原子に対して21原子%、硼素原子は11原子pp
m、窒素原子は0.3原子%、ゲルマニウム原子は13
.2原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一550V、(+530V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は36■/μm(35V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれた
。7また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表
面電位にまで暗減衰するのに要した時間は約14秒(約
13秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有
する事が理解された。また、最高帯′R電位に初期帯電
した後、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電
位にまで明減衰させたところ必要とされた光景は2.3
ルツクス・秒(1,2ルツクス・秒)であり、このこと
から充分な光感度性能を有する事が理解された。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一550V、(+530V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は36■/μm(35V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれた
。7また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表
面電位にまで暗減衰するのに要した時間は約14秒(約
13秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有
する事が理解された。また、最高帯′R電位に初期帯電
した後、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電
位にまで明減衰させたところ必要とされた光景は2.3
ルツクス・秒(1,2ルツクス・秒)であり、このこと
から充分な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
X旅桝旦
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、老ず、反応
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1調節弁(707)、及び第4調節弁
(710)を解放し、第1タンク(701)より水素ガ
ス、及び第4タンク(704)より水素ガスで2000
ppmに希釈したホスフィンガスを各々出力圧1.0K
g/am2の下で第1、及び第4流量制御器(713、
及び716)内へ流入させた。同時に、第1容器(71
9)よりミルセンガスを第1温調器(722)温度48
℃のもと第7流量制御器(728)内へ流入させた。各
流量制御器を用いて、水素ガスの流量を203 CCm
N水素ガスで2000ppmに希釈したホスフィンガ
スの流量を30sccrn、及びミルセンガスの流量を
20 s e cmとなるように設定して、途中混合器
(731)を介して、主管(732)より反応室(73
3)内へ流入した。
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1調節弁(707)、及び第4調節弁
(710)を解放し、第1タンク(701)より水素ガ
ス、及び第4タンク(704)より水素ガスで2000
ppmに希釈したホスフィンガスを各々出力圧1.0K
g/am2の下で第1、及び第4流量制御器(713、
及び716)内へ流入させた。同時に、第1容器(71
9)よりミルセンガスを第1温調器(722)温度48
℃のもと第7流量制御器(728)内へ流入させた。各
流量制御器を用いて、水素ガスの流量を203 CCm
N水素ガスで2000ppmに希釈したホスフィンガ
スの流量を30sccrn、及びミルセンガスの流量を
20 s e cmとなるように設定して、途中混合器
(731)を介して、主管(732)より反応室(73
3)内へ流入した。
各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力
が1.2Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、導電性基板(752)としては、樅5
0×横50X厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予
め200℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ(744)により接続
しておいた低周波電源(741)を投入し、電力印加電
極(736)に150Wattの電力を周波数40KH
zの下で印加して約3時間15分プラズマ重合反応を行
ない、導電性基板(752)上に厚さ15μmのa−C
膜を電荷輸送層として形成した。
が1.2Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、導電性基板(752)としては、樅5
0×横50X厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予
め200℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ(744)により接続
しておいた低周波電源(741)を投入し、電力印加電
極(736)に150Wattの電力を周波数40KH
zの下で印加して約3時間15分プラズマ重合反応を行
ない、導電性基板(752)上に厚さ15μmのa−C
膜を電荷輸送層として形成した。
成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応
室(733)内を充分に排気した。
室(733)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたa −C膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して43原子%であった。また
、IMA分析より含有きれる燐原子の量は全構成原子に
対して290原子ppmであった。
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して43原子%であった。また
、IMA分析より含有きれる燐原子の量は全構成原子に
対して290原子ppmであった。
電荷発生層形成工程:
次いで、一部タンクを交換し、第1調節弁(707)、
第2調節弁(708)、第5調節弁(711)、及び第
6調節弁(712)を解放し、第1タンク(701)か
ら水素ガス、第2タンク(702)からゲルマンガス、
第5タンク(705)から窒素ガス、及び第6タンク(
706)からシランガスを、出力圧IKg/cm2の下
で第1、第2、第5、及び第6流量制tall器(71
3,714,717、及び718)内べ流入させな。同
時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タンク(7
04)より水素ガスで1100ppに希釈されたジボラ
ンガスを、出力圧1.5Kg/am2の下で第4流量制
御器(716)内へ、流入させた。
第2調節弁(708)、第5調節弁(711)、及び第
6調節弁(712)を解放し、第1タンク(701)か
ら水素ガス、第2タンク(702)からゲルマンガス、
第5タンク(705)から窒素ガス、及び第6タンク(
706)からシランガスを、出力圧IKg/cm2の下
で第1、第2、第5、及び第6流量制tall器(71
3,714,717、及び718)内べ流入させな。同
時に、第4調節弁(710)を解放し、第4タンク(7
04)より水素ガスで1100ppに希釈されたジボラ
ンガスを、出力圧1.5Kg/am2の下で第4流量制
御器(716)内へ、流入させた。
各流量制御l器の目盛を調整して水素ガスの流量を20
0secm、窒素ガスの流量を10105e。
0secm、窒素ガスの流量を10105e。
ゲルマンガスの流量を10105e、シランガスの流量
を1003 CCm、水素ガスで1100ppに希釈さ
れたジボランガスの流量を50secmに設定し、反応
室(733)内に流入させた。
を1003 CCm、水素ガスで1100ppに希釈さ
れたジボランガスの流量を50secmに設定し、反応
室(733)内に流入させた。
各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力
が0.8Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、a −CIIJが形成きれている導電
性基板(752)は、250℃ニ加熱しておき、ガス流
量及び圧力が安定した状態で、高周波電源(739)よ
り周波数13.66MH2の下で電力印加型t!(73
6)に40Wattの電力を印加し、グロー放電を発生
させな。この放電を5分間行ない、厚ざ0.3μmの電
荷発生層を得た。
が0.8Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、a −CIIJが形成きれている導電
性基板(752)は、250℃ニ加熱しておき、ガス流
量及び圧力が安定した状態で、高周波電源(739)よ
り周波数13.66MH2の下で電力印加型t!(73
6)に40Wattの電力を印加し、グロー放電を発生
させな。この放電を5分間行ない、厚ざ0.3μmの電
荷発生層を得た。
得られたa−Si膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所製EMGA−1300)、オージェ分析、及びrM
A分析を行なったところ、含有される水素原子は全構成
原子に対して24原子%、硼素原子は30原子ppm、
窒素原子は1.0原子%、ゲルマニウム原子は15.8
原子%であった。
作所製EMGA−1300)、オージェ分析、及びrM
A分析を行なったところ、含有される水素原子は全構成
原子に対して24原子%、硼素原子は30原子ppm、
窒素原子は1.0原子%、ゲルマニウム原子は15.8
原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一540V (+680V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は35■/μm (44V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事か理解され
た。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一540V (+680V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は35■/μm (44V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事か理解され
た。
また、暗中にてVmaXからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約12秒(約17
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は4.0ルツク
ス・秒(1,2ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約12秒(約17
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は4.0ルツク
ス・秒(1,2ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
実施例4
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1調節弁(707)、第2調節弁(7
o8)、及び第4調節弁(710)を解放し、第1タン
ク(701)より水素ガス、第2タンク(702)から
エチレンガス、及び第4タンク(704)より水素ガス
で60ppmに希釈したジボランガスを各々出力圧1.
0Kg/cm2の下で第1、第2、及び第4流量制御器
(713,714、及び716)内へ流入とせな。各流
量制御器を用いて、水素ガスの流量を60scCm%水
素ガスで60ppmに希釈したジボランガスの流量を2
0secm、及びエチレンガスの流量を60secmと
なるように設定して、途中混合器(731)を介して、
主管(732)より反応室(733)内へ流入した。各
々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力が
1.8Torrとなるように圧力調節弁(745)を調
整した。一方、導電性基板(752)としては、w15
0X横50X厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予
め220℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ(744)により接続
しておいた高周波電源(739)を投入し、電力印加電
極(736)に150Wattの電力を周波803.5
6MHzの下で印加して約9時間プラズマ重合反応を行
ない、導電性基板(752)上に厚と15μmのa −
C膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力
印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充
分に排気した。
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1調節弁(707)、第2調節弁(7
o8)、及び第4調節弁(710)を解放し、第1タン
ク(701)より水素ガス、第2タンク(702)から
エチレンガス、及び第4タンク(704)より水素ガス
で60ppmに希釈したジボランガスを各々出力圧1.
0Kg/cm2の下で第1、第2、及び第4流量制御器
(713,714、及び716)内へ流入とせな。各流
量制御器を用いて、水素ガスの流量を60scCm%水
素ガスで60ppmに希釈したジボランガスの流量を2
0secm、及びエチレンガスの流量を60secmと
なるように設定して、途中混合器(731)を介して、
主管(732)より反応室(733)内へ流入した。各
々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力が
1.8Torrとなるように圧力調節弁(745)を調
整した。一方、導電性基板(752)としては、w15
0X横50X厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予
め220℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ(744)により接続
しておいた高周波電源(739)を投入し、電力印加電
極(736)に150Wattの電力を周波803.5
6MHzの下で印加して約9時間プラズマ重合反応を行
ない、導電性基板(752)上に厚と15μmのa −
C膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力
印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充
分に排気した。
以上のようにして得られたa CMにつき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して41原子%であった。また
、IMA分析より含有される硼素原子の量は全構成原子
に対して21原子ppmであった。
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して41原子%であった。また
、IMA分析より含有される硼素原子の量は全構成原子
に対して21原子ppmであった。
電荷発生層形成工程:
次いで、一部タンクを交換い第1調節弁(707)、第
2調節弁(708)、第5調節弁(711)、及び第6
調節弁(712)を解放し、第1タンク(701)から
水素ガス、第2タンク(702)からゲルマンガス、第
5タンク(705)から窒素ガス、及び第6タンク(7
06)からシランガスを、出力圧IKg/cm2の下で
第1、第2、第5、及び第6流量制御器(713,71
4,717、及び718)内へ流入させな。同時に、第
4調節弁(710)を解放し、第4タンク(704)よ
り水素ガスで1100ppに希釈されたジボランガスを
、出力圧1.5Kg/am2の下で第4流量制御器(7
16)内へ、流入させた。
2調節弁(708)、第5調節弁(711)、及び第6
調節弁(712)を解放し、第1タンク(701)から
水素ガス、第2タンク(702)からゲルマンガス、第
5タンク(705)から窒素ガス、及び第6タンク(7
06)からシランガスを、出力圧IKg/cm2の下で
第1、第2、第5、及び第6流量制御器(713,71
4,717、及び718)内へ流入させな。同時に、第
4調節弁(710)を解放し、第4タンク(704)よ
り水素ガスで1100ppに希釈されたジボランガスを
、出力圧1.5Kg/am2の下で第4流量制御器(7
16)内へ、流入させた。
各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を200
secm、ゲルマンガスの流量6sccm、を窒素ガス
の流量を0.01secm、シランガスの流量を101
005e、水素ガスでLooppmに希釈されたジボラ
ンガスの流量を1105cCとなるように設定し、反応
室(733)内に流入させた。各々の流量が安定した後
に、反応室(733)内の圧力が0.8Torrとなる
ように圧力調節弁(745)を調整した。一方、a−C
膜が形成されている導電性基板(752)は、250℃
に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、
高周波電源(739)より周波数13.56MHzの下
で電力印加型w1(736)に35Wattの電力を印
加し、グロー放電を発生させた。この放電を5分間行な
い、厚き0.3μmの電荷発生層を得た。
secm、ゲルマンガスの流量6sccm、を窒素ガス
の流量を0.01secm、シランガスの流量を101
005e、水素ガスでLooppmに希釈されたジボラ
ンガスの流量を1105cCとなるように設定し、反応
室(733)内に流入させた。各々の流量が安定した後
に、反応室(733)内の圧力が0.8Torrとなる
ように圧力調節弁(745)を調整した。一方、a−C
膜が形成されている導電性基板(752)は、250℃
に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、
高周波電源(739)より周波数13.56MHzの下
で電力印加型w1(736)に35Wattの電力を印
加し、グロー放電を発生させた。この放電を5分間行な
い、厚き0.3μmの電荷発生層を得た。
得られたa−3i膜につき、金属中○NH分析(板場製
作所製EMGA−1300)、オージェ分析、及びIM
A分析を行なったところ、含有きれる水素原子は全構成
原子に対して23原子%、硼素原子は1o原子ppm、
窒素原子は0.00゛1原子%、ゲルマニウム原子は1
1原子%であった。
作所製EMGA−1300)、オージェ分析、及びIM
A分析を行なったところ、含有きれる水素原子は全構成
原子に対して23原子%、硼素原子は1o原子ppm、
窒素原子は0.00゛1原子%、ゲルマニウム原子は1
1原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最窩
帯電電位は一520V (+480V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は34■/μm(31V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最窩
帯電電位は一520V (+480V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は34■/μm(31V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約13秒(約12
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高w74it位に初期帯電し
た後、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位
にまで明減衰させたところ必要ときれた光量は1.3ル
ツクス・秒(1,2ルツクス・秒)であり、このことか
ら充分な光感度性能を有する事が理解された。また、最
高帯電電位に初期帯電した後、半導体レーザー光(発光
波長780nm)を用いて最高帯it位の20%の表面
電位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は?、
lerg/am2(6,7erg/am2)であり、こ
のことから充分な長波長光感度性能を有する事が理解さ
れた。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約13秒(約12
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高w74it位に初期帯電し
た後、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位
にまで明減衰させたところ必要ときれた光量は1.3ル
ツクス・秒(1,2ルツクス・秒)であり、このことか
ら充分な光感度性能を有する事が理解された。また、最
高帯電電位に初期帯電した後、半導体レーザー光(発光
波長780nm)を用いて最高帯it位の20%の表面
電位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は?、
lerg/am2(6,7erg/am2)であり、こ
のことから充分な長波長光感度性能を有する事が理解さ
れた。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
去旅撚旦
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの頭に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの頭に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を10−’Torr程度の高真空
にした後、第1調節弁(70?)、第2調節弁(708
) 、及び第4調節弁(710)を解放し、第1タンク
(701)より水素ガス、第2タンク(702)からブ
タジインガス、及び第4タンク(704)より水素ガス
で12%に希釈したジボランガスを各々出力圧1.0K
g / cm2の下で第1、第2、及び第4流量制御
器(713,714、及び716)内へ流入させた。各
流量制御器を用いて、水素ガスの流量を60secm1
水素ガスで12%に希釈したジボランガスの流量を20
8 CCm %及びブタジインガスの流量を60sec
mとなるように設定して、途中混合!(731)を介し
て、主管(732)より反応室(733)内へ流入した
。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧
力が1.9T。
装置(733)の内部を10−’Torr程度の高真空
にした後、第1調節弁(70?)、第2調節弁(708
) 、及び第4調節弁(710)を解放し、第1タンク
(701)より水素ガス、第2タンク(702)からブ
タジインガス、及び第4タンク(704)より水素ガス
で12%に希釈したジボランガスを各々出力圧1.0K
g / cm2の下で第1、第2、及び第4流量制御
器(713,714、及び716)内へ流入させた。各
流量制御器を用いて、水素ガスの流量を60secm1
水素ガスで12%に希釈したジボランガスの流量を20
8 CCm %及びブタジインガスの流量を60sec
mとなるように設定して、途中混合!(731)を介し
て、主管(732)より反応室(733)内へ流入した
。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧
力が1.9T。
rrとなるように圧力調節弁(745)を:A整した。
一方、導電性基板(752)としては、樅50X41i
50X厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予め22
0℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態
で、予め接続選択スイッチ(744)により接続してお
いた低周波電源(741)を投入し、電力印加電極(7
36)に160Wattの電力を周波数400KHzの
下で印加して約45分間プラズマ重合反応を行ない、導
電性基板(752)上に厚さ15μmのa−C股を電荷
輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止
し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気し
た。
50X厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予め22
0℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態
で、予め接続選択スイッチ(744)により接続してお
いた低周波電源(741)を投入し、電力印加電極(7
36)に160Wattの電力を周波数400KHzの
下で印加して約45分間プラズマ重合反応を行ない、導
電性基板(752)上に厚さ15μmのa−C股を電荷
輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止
し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気し
た。
以上のようにして得られたa −CIJにつき有機元素
分析を行なフたところ、含有される水素原子の量は炭素
原子と水素原子の総量に対して40原子%であった。ま
た、IMA分析より含有される硼素原子の量は全構成原
子に対して2原子%であった。
分析を行なフたところ、含有される水素原子の量は炭素
原子と水素原子の総量に対して40原子%であった。ま
た、IMA分析より含有される硼素原子の量は全構成原
子に対して2原子%であった。
電荷発生層形成工程:
次いで、実施例2と同様にして本発明による感光体の電
荷発生層を形成した。
荷発生層を形成した。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一860V (+310V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3umであることから1μm当り
の帯電能は56■/μm (20V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一860V (+310V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3umであることから1μm当り
の帯電能は56■/μm (20V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。
また、暗中にてVmaxからVmaxの9o%の表面電
位にまで暗減衰するのに要しt:時間は約38秒(約9
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は5.2ルツク
ス・秒(1゜4ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
位にまで暗減衰するのに要しt:時間は約38秒(約9
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は5.2ルツク
ス・秒(1゜4ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
X施ガ旦
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1調節弁(707)、第2調節弁(7
08) 、及び第4調節弁(710)を解放し、第1タ
ンク(701)より水素ガス、第2タンク(702)か
らアセチレンガス、及び第4タンク(704)より水素
ガスで4500ppmに希釈したジボランガスを各々出
力圧1.0Kg/cm2の下で第1、第2、及び第4流
量制御器(713,714、及び716)内へ流入させ
た。各流量制御器を用いて、水素ガスの流量を1010
5se、水素ガスで4500ppmに希釈したジボラン
ガスの流量を803CCm%及びアセチレンガスの流量
を45secmとなるように設定して、途中混合器(7
31)を介して、主管(732)より反応室(733)
内へ流入した。
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1調節弁(707)、第2調節弁(7
08) 、及び第4調節弁(710)を解放し、第1タ
ンク(701)より水素ガス、第2タンク(702)か
らアセチレンガス、及び第4タンク(704)より水素
ガスで4500ppmに希釈したジボランガスを各々出
力圧1.0Kg/cm2の下で第1、第2、及び第4流
量制御器(713,714、及び716)内へ流入させ
た。各流量制御器を用いて、水素ガスの流量を1010
5se、水素ガスで4500ppmに希釈したジボラン
ガスの流量を803CCm%及びアセチレンガスの流量
を45secmとなるように設定して、途中混合器(7
31)を介して、主管(732)より反応室(733)
内へ流入した。
各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力
が2.○Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、導電性基板(752)としては、樅5
0×横50×厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予
め200℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ(744)により接続
しておいた高周波電源(739)を投入し、電力印加電
極(736)に150Wattの電力を周波数13゜5
6MHzの下で印加して約2時開平プラズマ重合反応を
行ない、導電性基板(752)上に厚ざ15μmのa−
C膜を電荷輸送層として形成した。
が2.○Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、導電性基板(752)としては、樅5
0×横50×厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予
め200℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ(744)により接続
しておいた高周波電源(739)を投入し、電力印加電
極(736)に150Wattの電力を周波数13゜5
6MHzの下で印加して約2時開平プラズマ重合反応を
行ない、導電性基板(752)上に厚ざ15μmのa−
C膜を電荷輸送層として形成した。
成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応
室(733)内を充分に排気した。
室(733)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたa CMにつき有機元素分
析を行なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して34原子%であった。また
、IMA分析より含有される硼素原子の量は全構成原子
に対して800o原子ppmであった。
析を行なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して34原子%であった。また
、IMA分析より含有される硼素原子の量は全構成原子
に対して800o原子ppmであった。
電荷発生層形成工程:
次いで、一部タンクを交換し、第1調節弁(707)、
第2調節弁(708)、第5調佃弁(711)、及び第
6調節弁(712)を解放し、第1タンク(701)か
ら水素ガス、第2タンク(702)からゲルマンガス、
第5タンク(705)から窒素ガス、及び第6タンク(
706)からシランガスを、出力圧IKg/cm2の下
で第1、第2、第5、及び第6流量制御!(713,7
14,717、及び718)内へ流入させな。同時に、
第4調節弁(710)を解放し、第4タンク(704)
より水素ガスで10ppmに希釈されたホスフィンガス
を、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4流量制御器(
716)内へ、流入させた。
第2調節弁(708)、第5調佃弁(711)、及び第
6調節弁(712)を解放し、第1タンク(701)か
ら水素ガス、第2タンク(702)からゲルマンガス、
第5タンク(705)から窒素ガス、及び第6タンク(
706)からシランガスを、出力圧IKg/cm2の下
で第1、第2、第5、及び第6流量制御!(713,7
14,717、及び718)内へ流入させな。同時に、
第4調節弁(710)を解放し、第4タンク(704)
より水素ガスで10ppmに希釈されたホスフィンガス
を、出力圧1.5Kg/cm2の下で第4流量制御器(
716)内へ、流入させた。
各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を200
secm、ゲルマンガスの流量を6secm1窒素ガス
の流量を3secm1シランガスの流量を200sec
m、水素ガスで1100ppに希釈されたホスフィンガ
スの流量を10105eに設定し、反応室(733)内
に流入させた。
secm、ゲルマンガスの流量を6secm1窒素ガス
の流量を3secm1シランガスの流量を200sec
m、水素ガスで1100ppに希釈されたホスフィンガ
スの流量を10105eに設定し、反応室(733)内
に流入させた。
各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力
が領9Torrとなるように圧力調節弁(745)を調
整した。一方、a −C膜が形成されている導電性基板
(752)は、250℃に加熱しておき、ガス流量及び
圧力が安定した状態で、高周波電源(739)より周波
数13.56MH2の下で電力印加電極(736)に3
5Wattの電力を印加し、グロー放電を発生させた。
が領9Torrとなるように圧力調節弁(745)を調
整した。一方、a −C膜が形成されている導電性基板
(752)は、250℃に加熱しておき、ガス流量及び
圧力が安定した状態で、高周波電源(739)より周波
数13.56MH2の下で電力印加電極(736)に3
5Wattの電力を印加し、グロー放電を発生させた。
この放電を5分間行ない、厚ざ領3μmの電荷発生層を
得た。
得た。
得られたa−3i膜につぎ、金属中ONH分析(板場製
作所製EMGA−1300)、オージェ分析、及びIM
A分析を行なったところ、含有される水素原子は全構成
原子に対して18原子%、燐原子は12原子ppm5窒
素原子は0.3原子%、ゲルマニウム原子は10.0原
子%であった。
作所製EMGA−1300)、オージェ分析、及びIM
A分析を行なったところ、含有される水素原子は全構成
原子に対して18原子%、燐原子は12原子ppm5窒
素原子は0.3原子%、ゲルマニウム原子は10.0原
子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
+y電電位は一670V (+570V)で有り、即ち
、全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当
りの帯電能は44V/μm(38V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
+y電電位は一670V (+570V)で有り、即ち
、全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当
りの帯電能は44V/μm(38V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約24秒(約11
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明′g衰させたとこる必要とされた光量は2.3ルツ
クス・秒(2,4ルツクス・秒)であり、このことから
充分な光感度性能を有する事が理解された。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約24秒(約11
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明′g衰させたとこる必要とされた光量は2.3ルツ
クス・秒(2,4ルツクス・秒)であり、このことから
充分な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
第1図乃至第6図は本発明感光体の構成を示す図面、第
7図乃至第8図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。 出願人 ミノルタカメラ株式会社 第1図 第3図 第5図 第2図 第4図 第6図 手続補正書 昭和62年10月21日
7図乃至第8図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。 出願人 ミノルタカメラ株式会社 第1図 第3図 第5図 第2図 第4図 第6図 手続補正書 昭和62年10月21日
Claims (1)
- 電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型感光体に
おいて、該電荷輸送層は燐原子及び硼素原子のうち少な
くとも一方を含有してなる水素化アモルファスカーボン
膜であり、かつ、該電荷発生層は窒素原子を含有すると
共に燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有し
てなる水素化アモルファスシリコンゲルマニウム膜或は
窒素原子を含有すると共に燐原子及び硼素原子のうち少
なくとも一方を含有してなる弗素化アモルファスシリコ
ンゲルマニウム膜であることを特徴とする感光体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22944886A JPS6382476A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 感光体 |
EP19870113879 EP0261651A1 (en) | 1986-09-26 | 1987-09-23 | Photosensitive member comprising charge generating layer and charge transporting layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22944886A JPS6382476A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6382476A true JPS6382476A (ja) | 1988-04-13 |
Family
ID=16892364
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22944886A Pending JPS6382476A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6382476A (ja) |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP22944886A patent/JPS6382476A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6381481A (ja) | 感光体 | |
JPS6382476A (ja) | 感光体 | |
JPS6381462A (ja) | 感光体 | |
JPS6382477A (ja) | 感光体 | |
JPS6382441A (ja) | 感光体 | |
JPS6381461A (ja) | 感光体 | |
JPS6381473A (ja) | 感光体 | |
JPS6382447A (ja) | 感光体 | |
JPS6382483A (ja) | 感光体 | |
JPS6381483A (ja) | 感光体 | |
JPS6381480A (ja) | 感光体 | |
JPS6381485A (ja) | 感光体 | |
JPS6382457A (ja) | 感光体 | |
JPS6382475A (ja) | 感光体 | |
JPS6381479A (ja) | 感光体 | |
JPS6381445A (ja) | 感光体 | |
JPS6382456A (ja) | 感光体 | |
JPS6382434A (ja) | 感光体 | |
JPS6382448A (ja) | 感光体 | |
JPS6382478A (ja) | 感光体 | |
JPS6381477A (ja) | 感光体 | |
JPS6381482A (ja) | 感光体 | |
JPS6381457A (ja) | 感光体 | |
JPS6382449A (ja) | 感光体 | |
JPS6382428A (ja) | 感光体 |