JPS6381480A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する感光体に
関する。

従米役術 カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材ト１が開発
され実用化されてきた。

従来用いられて来た電子写真感光体材料の主なものとし
ては、非晶質セレン、セレン砒景、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スヂリル化合物、ピラゾリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質が挙げられる。また、その構成形態としては、これ
らの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散さ
せて用いるバインダー型購成、機能別に電荷発生層と電
荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。

しかしながら、従来用いられて来た電子写真感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝された場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。

このような欠点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐
久性に富んだ材料として、グロー放電法。

により生成されるアモルファスシリコンの電子写真感光
体への応用が進んで来ている。しかし、アモルファスシ
リコンは、原料としてシランガスを多量に必要とする反
面、高価なガスであることから、出来上がった電子写真
感光体も従来の感光体に比べ大幅に高価なものとなる。

また、成膜速度が遅く、成膜時間の増大に伴い爆発性を
有するシラン未分解生成物を粉塵状に発生する等、生産
上の不都合も多い。また、この粉塵が製造時に感光層中
に混入した場合には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす
。ざらに、アモルファスシリコンは、元来、比誘電率が
高いため帯電性能が低く、複写機内で所定の表面電位に
帯電するためには膜厚を厚くする必要があり、高価なア
モルファスシリコン膜を長時間堆積させなくてはならな
い。

ところでアモルファスカーボンＭｌ自イ本は、プラズマ
有機重合膜として古くより知られており、例えばジエン
（Ｍ、５ｈｅｎ）及びベル（Ａ、Ｔ。

Ｂｅ１ｌ）により、１９７３年発行ののジャーナル・オ
ブ・アプライド・ポリマー・サイエンス（Ｊｏｕｒｎａ
ｌ　　ｏｆ　　Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐ。

ｌｙｍｅｒ　　５ｃｉｅｎｃｅ）第１７巻の第８８５頁
乃至第８９２頁において、あらゆる有機化合物のガスか
ら作製され得る事が、また、同著者により、１９７９年
のアメリカンケミカルソサエティー（Ａｍｅｒｉｃａｎ
　　ＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ）発行によるプラ
ズマボリマライゼーション（Ｐｌａｓｍａ　　Ｐｏｌｙ
ｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）の中でもその成膜性が論じられ
ている。

しかしながら従来の方法で作製したプラズマ有機重合膜
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの膜は通常のポリエチレン膜の如＜１０”Ｑｃｍ程度
の比抵抗を有する絶縁膜と考えられ、或は、少なくとも
そのような膜であるとの認識のもとに用いられていた。

実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識から
、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁層に限
られており、所謂アンダーコード層もしくはオーバーコ
ート層としてしか用いられていなかった。

例えば、特開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５
９−３８７５３号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成きれる１０１３〜１０１５Ωｃｍの高抵抗のプラズマ
重合膜を１０人〜１００人設けた上にアモルファスシリ
コン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５９−
１３６７４２号公報には、アルミ基板上に設けたアモル
ファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散する
のを防止−ｒるための保護層として１〜５μｍ程度の炭
素膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示されている
。特開昭６〇−６３５４１号公報には、アルミ基板とそ
の上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改善
するために、接着層として２００人〜２μｍのダイヤモ
ンド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留電
荷の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされている。

これらの開示は、何れも基板とアモルファスシリコン層
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、ａ−Ｓｉ
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。

また、例えば、特開昭５０−２０７２８号公報には、ポ
リビニルカルバゾール−セレン系想光体の表面に保護層
としてグロー放電重合によるポリマー膜を０．１〜１μ
ｍ設けた感光体が開示きれている。特開昭５９−２１４
８５９号公報には、アモルファスシリコン感光体の表面
に保護層としてスチレンやアセチレン等の有機炭化水素
−〔ノマーをプラズマ重合させて５μｍ程度の膜を形成
させる技術が開示されている。特開昭６０−６１７６１
号公報には、表面保護層として、５００人〜２μｍのダ
イヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示され、透光
性の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされてている
。特開昭６０−２４９１１５号公報には、０．０５〜５
μｍ程度の無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層と
して用いる技術が開示され、膜厚が５μｍを越えると感
光体活性に悪影響が及ぶとされている。

これらの開示は、何れも感光体表面に所謂オーバーコー
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くな（、また、ａ−Ｓｉの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。

また、特開昭５１−４６１３０号公報には、ポリビニル
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なって０．００１〜３μｍのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性に
ついては全く言及されていないし、ａ−Ｓｔの持つ前記
した木質的問題を解決するものではない。

一方、アモルファスシリコン膜については、スピア（Ｗ
、Ｅ、５ｐｅａｒ）及びレコンバ（Ｐ。

Ｇ、ＬｅＣｏｍｂｅｒ）により１９７６年発行のフィロ
ソフイカル・マガジン（Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ　
　Ｍａｇａｚｉｎｅ）第３３巻の第９３５頁乃至第９４
９頁において、極性制御が可能な材料である事が報じら
れて以来、狸々の光電デバイスへの応用が試みられて来
た。感光体への応用に関しては、例えば、特開昭５６−
６２２６４号公報、特開昭５７−１１９３５６号公報、
特開昭５７−１７７１４７号公報、特開昭５７−１１９
３５７号公報、特開昭５７−１７７１４９号公報、特開
昭５７−１１９３５７号公報、特開昭５７−１７７１４
６号公報、特開昭５７−１７７１４８号公報、特開昭５
７−１７４４４８号公報、特開昭５７−１７４４４９号
公報、特開昭５７−１７４４５０号公報、等に、炭素原
子を含有したアモルファスシリコン感光体が開示されて
いるが、何れもアモルファスシリコンの光導電性を炭素
原子により調整する事を目的としたものであり、また、
アモルファスシリコン自体Ｊりい膜を必要としている。

σが”°　しようと　る　ｒり 以上のように、従来、電子写真感光体に用いられている
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用されていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚も高々５μｍ程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上問題にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で使用され
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。

本発明者らは、アモルファスカーボン膜の電子写真感光
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水毒化アモルファスカーボン秋がアルカ
リ金属原子を含有せしめる事により、燐原子及び硼素原
子のうち少なくとも一方を含有してなる水素化或は弗素
化アモルファスシリコンゲルマニウム膜との猜層におい
ては電荷輸送性を有し、容易に好適な電子写真特性を示
し始める事を見出した。その理論的解釈には本発明者に
おいても不明確な点が多く詳細に亙り言及はできないが
、アルカリ金属原子含有水素化アモルファスカーボン膜
中に捕捉されている比較的不安定なエネルギー状態の電
子、例えばπ電子、不対電子、残存フリーラジカル等が
形成するバンド構造が、燐原子及び硼素原子のうち少な
くとも一方を含有してなる水素化或は弗素化アモルファ
スシリコンゲルマニウム膜が形成するバンド構造と電導
帯もしくは荷電子帯において近似したエネルギー準位を
有するため、燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方
を含有してなる水素化或は弗景化アモルファスシリコン
ゲルマニウム膜中で発生したキャリアが容易にアルカリ
金腐原子含有水紫化アモルファスカーボン膜中へ注入さ
れ、ざらに、このキャリアは前述の比較的不安定なエネ
ルギー状態の電子の作用によりアルカリ金属原子含有水
素化アモルファスカーボン膜中を好適に走行し得るため
と打り定きれる。

本発明はその新たな知見を利用することにより、アモル
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的問題点を
全て解消し、また従来とは全く使用。

目的も特性も異なる、有機プラズマ重合膜、特に少なく
ともアルカリ金属原子を含有してなる水素化アモルファ
スカーボン膜を電荷輸送層として使用し、かつ、燐原子
及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有してなる水素
化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウムの薄膜
を電荷発生層として使用した感光体を提供する事を目的
とする。

間；点を解？！するための− 即ち、本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成される少なくともアルカリ金属原子を含有
してなる水素化アモルファスカーボン膜であり、かつ、
該電荷発生層が燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一
方を含有してなる水素化或は弗素化アモルファスシリコ
ンゲルマニウム膜であることを特徴とする感光体に関す
る（以下、本発明による電荷輸送層をａ　−Ｃ膜及び電
荷発生層をａ−３ｆＪＩ５１と称する）。

本発明は、従来のアモルファスシリコン感光体において
は、電荷発生層として優れた機能を有するアモルファス
シリコンを、電荷発生能が無くても電荷輸送能きえあれ
ば済む電荷輸送層としても併用していたため発生してい
たこれらの問題点を解決すべく成されたものである。

即ち、本発明は、電荷輸送層としてグロー放電により生
成される少なくともアルカリ金属原子を含有してなる水
素化アモルファスカーボン膜を設け、かつ、電荷発生層
として同じくグロー放電により生成きれる燐原子及び硼
素原子のうち少なくとも一方を含有してなる水素化或は
弗素化アモルファスシリコンゲルマニウム膜を設けた事
を特徴とする機能分離型感光体に関する。該電荷輸送層
は、可視光もしくは半導体レーザー光付近の波長の光に
対しては明確なる光導電性は有ざないが、好適な輸送性
を有し、さらに、帯電能、耐久性、耐候性、耐環境汚染
性等の電子写真感光体性能に優れ、しかも透光性にも優
れるため、機能分離型感光体としての猜層構造を形成す
る場合においても極めて高い自由度が得られるものであ
る。また、該電荷発生層は、可視光もしくは半導体レー
ザー光付近の波長の光に対して優れた光導電性を有し、
しかも従来のアモルファスシリコン感光体に比べて極め
て薄い膜厚で、その機能を活かす事ができるものである
。

本発明においては、ａ　−Ｃ膜を形成するために有機化
合物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。

該炭化水素における相状態は常温常圧において必ずしも
気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。

使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカ
ン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オク
タデカン、ノナテ゛カン、エイコサン、ヘンエイコサン
、トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサン
、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナコ
サン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタトリ
アコンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソブタ
ン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネオ
ヘキサン、２，３−ジメチルブタン、２−メチルヘキサ
ン、３−エチルペンタン、２，２−ジメチルペンタン、
２．４−ジメチルペンタン、３．３−ジメチルペンタン
、トリブタン、２−メチルへブタン、３−メチルへブタ
ン、２．２−ジメチルヘキサン、２，２．５−ジメチル
ヘキサン、２，２．３−トリメチルペンタン、２，２．
４−トリメチルペンタン、２，３゜３−トリメチルペン
タン、２，３．４−）ジメチルペンタン、イソプシン、
等のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化水素
としては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブチレ
ン、１−ブテン、２−ブテン、１−ペンテン、２−ペン
テン、２−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ブテ
ン、２−メチル−２−ブテン、１−ヘキセン、テトラメ
チルエチレン、ｌ−ヘプテン、ｌ−オクテン、１−ノネ
ン、１−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン、メ
チルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘキサジエン
、シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並びに、オ
シメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、等
のトリオレフイン、並びに、アセチレン、ブタジイン、
１゜３−ペンタジイン、２．４−へキサジイン、メチル
アセチレン、１−ブチン、２−ブチン、１−ペンチン、
１−ヘキシン、１−ヘプチン、１−オクチン、１−ノニ
ン、１−デシン、等が用いられる。

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロウンデカン、シクロウン
デカン、シクロテトラテ。

カン、シクロペンタジェン、シクロヘキサデカン、等の
シクロパラフィン並びに、シクロプロペン、シクロブテ
ン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン
、シクロオクテン、シクロノネン、シクロデセン、等の
シクロオレフィン並びに、リモネン、テルビルン、フエ
ランドレン、シルベストレン、ツエン、カレン、ピネン
、ボルニレン、カンフエン、フエンチェン、シクロウン
デカン、トリシクレン、ビサボレン、ジンギベレン、ク
ルクメン、フムレン、カジネンセスキベニヘン、セリネ
ン、カリオフィレン、サンタレン、セドレン、カンホレ
ン、フィロクラテン、ボドカルブレン、ミレン、等のテ
ルペン並びに、ステロイド等が用いられる。芳香族炭化
水素としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン
、ヘミメンテン、プソイドクメン、メシチレン、プレニ
テン、イソジュレン、ジュレン、ペンタメチルベンゼン
、ヘキサメチルベンゼン、エチルベンゼン、プロピルベ
ンゼン、クメン、スチレン、ビフェニル、テルフェニル
、ジフェニルメタン、トリフェニルメタン、ジベンジル
、メチルベン、インデン、ナフタリン、テトラリン、ア
ントラセン、フェナントレン、等が用いられる。

ざらに、炭化水素以外でも、例えば、アルコール類、ケ
トン類、エーテル類、エステル類、等炭票と成りうる化
合物であれば使用可能である。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
グロー放電を用いるというその製造面から必然的に定ま
るが、炭素原子と水素原子の！９ｆｆｉに対して、概ね
３０乃至６０原子％含有される。ここで、炭素原子並び
に水素原子の膜中含有量は、有機元素分析の常法、例え
ばＯＮＨ分析を用いる事により知る事ができる。

本発明におけるａ−ＣＭ中に含まれる水素原子の量は、
成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが、
例えば、基板温度を高くする、圧力を低くする、原料炭
化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高（する、
交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめた
直流電界強度を高ズする、等の手段、或は、これらの組
合せ操作は、含有水紮量を低くする効果を有する。

本発明における電荷輸送層としてのａ　−Ｃ膜の膜厚ば
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、５乃至５
０μｍ１特に７乃至２０μｍが適当であり、５μｍより
薄いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度を得る
事かで苦ない。また、５０μｍより厚いと、生産性の面
で好ましくない。

このａ−Ｃ膜は、高透光性、高暗抵抗を有するとともに
電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に５Ｌｉｍ以上とし
てもキャリアはトラップされる事無く輸送され明減衰に
寄与する事が可能である。

本発明における原料気体からａ　−Ｃ膜を形成する過程
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラズ
マ状態を経て形成される方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或番ｔイオンビーム蒸着法等に
より生成きれるイオン状態を経て形成きれてもよいし、
真空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される
中性粒子から形成されてもよいし、さらには、これらの
組み合わせにより形成されてもよい。

本発明においては炭化水素の他に、ａ　−Ｃ膜中に少な
くともアルカリ金属原子を添加するためにアルカリ金属
化合物が使用される。ここでアルカリ金属原子とは、リ
チウム原子、ナトリウム原子、カリウム原子、ルビジウ
ム原子、及びセシウム原子を云う。該アルカリ金属化合
物ガスにおける相状態は常温常圧において必ずしも気相
で有る必要はなく、また、むしろ気相状態の化合物は少
ないため、加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇華等を
経て気化し得るものであれば、液相でも固相でも使用可
能である。アルカリ金属化合物としては、例えば、金属
アルコラード、金属アクリル酸、金属メタクリル酸、或
は、金属フタロシアニン等を用いる事ができる。

本発明において化学的修飾物質として含有されるアルカ
リ金属原子の量は、全構成原子に対して０．１乃至１０
原子％、好適には０．３乃至５原子％である。ここでア
ルカリ金属原子の膜中含有量は、元素分析の常法、例え
ばオージェ分析により知る事かで伊る。アルカリ金属原
子の量が０゜１原子％より低い場合には、必ずしも好適
な電荷輸送性が保証されず、感度低下もしくは残留電位
の発生等を生じ易くなり、また、経時的感度安定性も保
証されなくなる。アルカリ金属原子の量が１０原子％よ
り高い場合には、適量の添加では好適な電荷輸送性と残
留電位発生防止を保証していたアルカリ金属原子が、逆
に、帯電能の低下を招く。また、必ずしも成膜性が保証
されなくなり、膜の剥離、油状化もしくは粉体化を招き
易くなる。

従って、本発明におけるアルカリ金属原子の添加量範囲
は重要である。

本発明において化学的修飾物質として含有されるアルカ
リ金属原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応室
への前述のアルカリ金属化合物の導入量を増減すること
により制御することが可能である。アルカリ金属化合物
の導入量を増大きせれば、本発明によるａ−ＣＴａ中へ
のアルカリ金属原子の添加量を高くすることが可能であ
り、逆にアルカリ金属化合物の導入量を減少させれば、
本発明によるａ−Ｃ膜中へのアルカリ金属原子の添加量
な低くすることが可能である。

本発明においては、ａ−３ｉ膜を形成するためにシラン
ガス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用いられ
る。また、化学的修飾物質として燐原子或は＠素原子を
膜中に含有せしめるための原料ガスとして、ホスフィン
ガス或はジボランガスが用いられる。また、ゲルマニウ
ム原子を含有きせるために、ゲルマンガスが用いられる
。

本発明におけるａ−３ｉｌｌ＊中に含有されるゲルマニ
ウム原子の含有量は、シリコン原子とゲルマニウム原子
との総和に対して、３０原子％以下が好ましい。ここで
、ゲルマニウム原子及びシリコン原子の含有率は、元素
分析の常法、例えばオージェ分析により知る事ができる
。ゲルマニウム原子の含有量は、膜形成時に流入するゲ
ルマンガスの流量を増加する事により高くなる。ゲルマ
ニウム原子の含有量が高くなるにつれ本発明感光体の長
波長感度は向上し、短波長領域から長波長領域にまで輻
広く露光源が選択され得るようになり好ましいが、ゲル
マニウム原子が３０Ｆｒ！子％より多く含有されると帯
電能の低下を招くため、過剰の添加は好ましくない。従
って、本発明におけるａ　−Ｓｉ膜中に含有されるゲル
マニウム原子の含有量は重要である。

本発明において化学的修飾物質として含有される燐原子
或は硼素原子の量は、全構成原子に対して２００００原
子ｐｐｍ以下である。ここで燐原子或は硼素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或はＩ
ＭＡ分析により知る事ができる。燐原子或は硼素原子の
膜中含有量が２ｏｏｏｏ原子ｐｐｍより高い場合には、
少量の添加では好適な輸送性、或は、極性制御効果を保
証していた燐原子或は−素原子が、逆に膜の低抵抗化を
招く作用を示し、帯電能の低下を来たす。従って、本発
明における燐原子或は硼素原子添加量の範囲は重要であ
る。

本発明におけるａ−Ｓｉ膜中に含まれる水素原子或は弗
Ｔ：原子の量はグロー放電を用いるというその製造面か
ら必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシリ
コン原子と弗素原子の総量に対して、概ね１０乃至３５
原子％含有される。ここで、水素原子或は弗素原子の膜
中含有量は、元素分析の常法、例えば○ＮＨ分析、オー
ジェ分析等を用いる事により知る事ができる。

本発明における電荷発生層としてのａ−Ｓｉ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、０．１乃
至５μｍが適当であり、０．１μｍより薄いと、光吸収
が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、感
度の低下を招く。また、５μｍより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このａ−Ｓｉｒ！、は電荷発生能に富
み、ざらに、本発明の最も特徴とするところのａ−Ｃ膜
との積層構成において効率よ＜ａ−Ｃ膜中に発生キャリ
アを注入せしめ、好適な明減衰に寄与する事が可能であ
る。

本発明における原料気体からａ−Ｓｉ膜を形成する過程
は、ａ　−Ｃ膜を形成する場合と同様にして行なわれる
。

本発明において化学的修飾物質として含有される燐原子
或は＠素原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう反応
室への前述のホスフィンガス或はジボランガスの導入量
を増減することにより制郡することが可能である。ホス
フィンガス或はジボランガスの導入量を増大きせれば、
本発明によるａ−Ｓｉ膜中への燐原子或は硼素原子の添
加量を高くすることが可能であり、逆にホスフィンガス
或はジボランガスの導入量を減少させれば、本発明によ
るａ−３ｉ膜中への燐原子或は硼素原子の添加量を低く
することが可能である。

本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
成る機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。

第１図は、その一形態として、導電性基板（１）上に電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）を順次Ｖｉ層してな
る構成を示したものである。第２図は、別の一形態とし
て、導電性基板（１）上に電荷発生Ｊ！１（３）と電荷
輸送層（２）を順次積層してなる構成を示したものであ
る。第３図は、別の一形態として、導電性基板（１）上
に、電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と電荷輸送層
（２）を順次積層してなる構成を示したものである。

感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第１図では
電荷発生層（３）で発生した正孔が電荷輸送層（２）中
を導電性基板（１）に向は走行し、第２図では電荷発生
層（３）で発生した電子が電荷輸送層（２）中を感光体
表面に向は走行し、第３図では電荷発生層（３）で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送Ｆ３（２）中を導電
性基板（１）に向は走行すると共に、同時に電荷発生層
（３）で発生した電子が表面像１の電荷輸送層（２）中
を感光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証きれた
静電旧作の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯
電した後、画像露光して使用する場合においては、電子
と正孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解す
ればよい。第２図及び第３図では、画像露光用の照射光
が電荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による電
荷輸送層は透光性に優れることから、好適な潜像形成を
行なうことが可能である。

第４図は、さらなる一形態として、導電性基板（１）上
に電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と表面保護層（
４）を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第１図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第１図の形態では、最表面が耐湿性に乏しいａ−３ｉ膜
で有ることから、多くの場合実用上の対湿度安定性を確
保するために表面保護層を設けることが好ましい。第２
図及び第３図の構成の場合、最表面が耐久性に優れたａ
−Ｃ膜であるため表面像り便層を設けなくてもよいが、
例えば現像剤の付着による感光体表面の汚ねを防止する
ような、複写機内の各種エレメントに対する整合性を調
整する目的から、表面保護層を設けることもざらなる一
形態と成りうる。

第５図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第２
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第２図の
形態では、導電性基板との接合面がａ−Ｓｉ膜である事
から、多くの場合接着性及び注入阻止効果を確保するた
めに中間層を設ける事が好ましい。第１図及び第３図の
構成の場合、導電性基板との接合面が、接着性及び注入
阻止効果に優れた、本発明による′Ｉｒｉ荷輸送層であ
るため、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基
板の前処理方法のような、感光層形成以前の製造工程と
の整合性を調整する目的から、中間層を設けることもざ
らなる一形態と成りうる。

第６図は、さらなる一形態として、導電性基板（１ン上
に中間Ｎ（５）と電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）
と表面保護層（４）を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第１図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。

中間層と表面保護層の設置理由は前述と同様であり、従
って第２図及び第３図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもざらなる一形態と成りうる。

本発明において中間層と表面保護層は、材［１的にも、
製法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的
が達せられるものであれば、適宜選択することが可能で
ある。本発明によるａ−Ｃ膜を用いてもよい。但し、用
いる材料が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材料であ
る場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は５μｍ以
下に留める必要がある。

本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷重側を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再結合反
応により固相として堆積きせる、所謂プラズマ重合反応
から生成きれる事が好ましい。

第７図は本発明に係わる感光体の製造装置を示し、図中
（７０１）〜（７０６）は常温において気４ｆｌ状態に
ある原料化合物及びキャリアガスを密封した第１乃至第
６タンクで、各々のタンクは第１乃至第６調節弁（７０
７）〜（７１２）と第１乃至第６流ｆｆ１ｊｌ、ＩＪ卯
器（７１３）〜（７１８）に接続されている。図中（７
１９）〜（７２１）は常温において液相または固相状態
にある原料化合物を封入した第１乃至第３容器で、各々
の容器は気化のため第１乃至第３温調器（７２２）〜（
７２４）により与熱可能であり、ざらに各々の容器は第
７乃至第９調節弁（７２！：５）〜（７２７）と第７乃
至第９流量制譚器（７２８）〜（７３０）に接続されて
いる。これらのガスは混合器（７３１）で混合された後
、主管（７３２）を介して反応室（７３３）に送り込ま
れる。途中の配管は、常温において液相または固相状態
にあった原料化合物が気化したガスが、途中で凝結しな
いように、適宜配置された配管加熱器（７３４）により
、与熱可能とされている。反応室内には接地電極（７３
５）と電力印加電極（７３６）が対向して設置され、各
々の電極は電極加熱器（７３７）により与熱可能ときれ
ている。電力印加電極’（７３６）には、高周波電力用
整合器（７３８）を介して高周波電源（７３９）、低周
波電力用整合器（７４，０）を介して低周波電源（７４
１）、ローパスフィルタ（７４２）を介して直流電源（
７４３）が接続されており、接続選択スイッチ（７４４
）により周波数の異なる電力が印加可能ときれている。

反応室（７３３）内の圧力は圧力制御用弁（７４５）に
より調整可能であり、反応室（７３３）内の減圧は、排
気系進択弁（７４６）を介して、拡散ポンプ（７４７）
　、油回転ポンプ（７４８）　、或は、冷却除外装置（
７４９）　、メカニカルブースターポンプ（７５０）、
油回転ポンプ（７４８）により行なわれる。排ガスにつ
いては、ざらに適当な除外装置（７５３）により安全無
害化した後、大気中に排気される。これら排気系配管に
ついても、常温において液相または両相状態にあった原
料化合物が気化したガスが、途中で凝結しないように、
適宜配置きれた配管加熱器（７３４）により、与熱可能
とされている。反応室（７３３）も同様の理由から反応
室加熱器（７５１）により与熱可能とされ、内部に配さ
れた電極上に導電性基板（７５２）が設置きれる。第７
図において導電性基板（７５２）は接地電極（７３５）
に固定して配されているが、電力中加電４１（７３６）
に固定して配されてもよく、ざらに双方に配されてもよ
い。

第８図は本発明に係わる感光体の製造装置の別の一形態
を示し、反応室（８３３）内部の形態以外は、第７図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様であり、
付記された番号は、７００番台のものを８００′ｆ＃台
に若き換えて屑すればよ。

い。第８図において、反応室（８３３）内部には、第７
図における接地電極（７３５）を兼ねた円筒形の導電性
基板（８５２）が設置きれ、内側にはＭ極論熱器（８３
７）が配されている。導電性基板（８５２）周囲には同
じく円筒形状をした電力印加電極（８３６）が配きれ、
外側には電極加熱１７（８３７）が配されている。導電
性基板（８５２）は、外部より駆動モータ（８５４）を
用いて自転可能となっている。

感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め１
０−４乃至１０＝Ｔｏｒｒ稈度にまで減圧し、真空度の
確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時に
電極加熱器により、ＴＬ極並びに電極に固定して配され
た導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板に
は、前述の如き感光体構成の中から所望の構成をｆ！ｌ
Ｊるために、必要であれば、予めアンダーコート層或は
電荷発生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或
は電荷発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装
置を用いてもよい。次いで、第１乃至第６タンク及び第
１乃至第３容器から、原料ガスを適宜第１乃至第９流量
制御器を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧
力調節弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス
流量が安定化した後、接続還択スイッチにより、例えば
高周波電源を遭択し、電力印加電極に高周波電力を投入
する。両電極間には放電が開始され、時間と共に基板上
に固相の膜が形成される。ａ−Ｓｉ膜或はａ−Ｃ膜は、
原料ガスを代える事により任意に形成可能である。放電
を一旦停止し、原料ガス組成を変更した後、再び放電を
再開すれば異なる組成の膜を積層する事ができる。また
、放電を持続ざすながら原料ガス流量だけを徐々に代え
、異なる組成のＩＩ々を勾配を持たせながら積層する事
も可能である。

反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚並びに積層構
成に達したところで放電を停止し、本発明による感光体
を得る。次いで、第１乃至第９ｉ７ＩＷＪ弁を閉じ、反
応室内を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得
られる場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発
明による感光体を取り出す。更に所望の感光体構成にお
いて、電荷発生層或はオーバーコート層が必要とされる
場合には、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦
真空を破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け
、本発明による感光体を得る。

以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。

大旋伝上 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順偵設けた
本発明感光体を作製した。

電荷すｎ送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０＝Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高真
空にした後、第１ｇｆＪ節弁（７０７）を解放し、第１
タンク（７０１）より水素ガスを出力圧１．０Ｋｇ／ａ
ｍ２の下で第１流量制御器（７１３）内へ流入させた。

同時に、第１容器（７１９）よりミルセンガスを第１温
調器（７２２）温度４８℃のもとて第７流量制御器（７
２８）内へ、及び第２容器（７２０）よりカリウムメタ
クリレート（Ｋ−ＭＡ）ガスを第２温調器（７２３）温
度２７０℃のもとて第８流量制御器（７２９）内へ流入
させた。水素ガスの流量を１０１０５ｅ、ミルセンガス
の流量を１４ｓｅｃｍ、及びカリウムメタクリレートガ
スの流量を５ｓｅｃｍとなるように設定して、途中混合
器（７３１）を介して、主ｆｆ　（７３２）より反応室
（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定した後に、
反応室（７３３）内の圧力が１．２Ｔｏｒｒとなるよう
に圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、導電性基板
（７５２）としては、樅５０ｘ１５０ｘ厚３ｍｍのアル
ミニウム基板を用いて、予め１７０℃に加熱しておさ、
ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択スイ
ッチ（７４４）により接続しておいた低周波電源（７４
１）を投入し、電力印加電極（７３６）に１１８Ｗａｔ
ｔの電力を周波数５０ＫＨｚの下で印加して約２時間４
０分プラズマ重合反応を行ない、導電性基板（７５２）
上に厚ざ１５μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層として形成し
た。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、
反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき有機元素分析
行なったところ、含有される水素原子の皿は炭素原子と
水素原子の総量に対して４７原子％であった。また、オ
ージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、カ
リウム原子の量は全構成原子に対して０．２５原子％で
あった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）、及び第６調節弁（７１２）を解
放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、第２タンク
（７０２）からゲルマンガス、及び第６タンク（７０６
）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１
、及び第６流量制御１１（７１３、及び７１８）内へ流
入させた。同時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第
４タンク（７０４，）より水素ガスで１１００ｐｐに希
釈されたホスフィンガスを、出力圧１．５Ｋｇ／ｃｍ２
の下で第４流量制御器（７１６）内へ、流入させな。各
流量制御Ｉ器の目盛を調整して水素ガスの流量を２００
ｓｅｃｍ１ゲルマンガスの流量を６３ＣＣｍ、シランガ
スの流量を１０１００５ｅ。

水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたホスフィンガスの
流量を１０１０５ｅに設定し、反応室（７３３）内に流
入とせな。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３
）内の圧力が０．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（
７４５）を調整した。

一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）
は、２５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定
した状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３．５
６ＭＨｚの下で電力印加１ｔｆｌ（？：３Ｇ）に４０Ｗ
ａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生させた。この
放電を５分間行ない、厚き０．３μｍの電荷発生層を得
た。

得られたａ−３ｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（見場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して２０原子％、燐原子は１１原子Ｉ’　９
ｍ％ゲルマニウム原子は１０原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一５１０Ｖ（＋７８０Ｖ）で有り、即ち、全
感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当りの
帯電能は３３Ｖ／μｍ　（５１Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約２１秒（約３８
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、ＲｇＲＦｆｆｌ電位に初期帯電
した後、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電
位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は２．８
ルツクス・秒（６，１ルツクス・秒）であり、このこと
から充分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

実施グ旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１、第２、及び第３（７０７，７０８、及
び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）より水素ガ
ス、第２タンク（７０２）よりアセチレンガス、及び第
１容器（７１９）よりリチウムターシャリ−ブチラード
ガスを、水素ガス及びアセチレンガスにおいては各々出
力圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で、リチウムターシャリ−
ブチラードガスにおいては第１温調器（７２２）温度１
５０℃のもとで、それぞれ第１、第２、及び第７流量制
御器（７１３，７１４、及び７２８）。

内へ流入させた。そして各流量制御器の目盛を調整して
、水素ガスの流量を８０ｓｅｃｍ、アセチレンガスの流
量を４０ｓｃｃｒｒｂ及びリチウムターシャリ−ブチラ
ードガスの流量を６ｓｅｃｍとなるように設定して、途
中混合器（７３１）を介して、主’ｆ（７３２）より反
応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定した後
に、反応室（７３３）内の圧力が１．３Ｔｏｒｒとなる
ように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、導電性
基板（７５２）としては、縦５０ｘｔａ５０Ｘ／￥３ｍ
ｍのアルミニウム基板を用いて、予め１９０℃に加熱し
ておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続
選択スイッチ（７４４）により接続しておいた高周波層
′ＦＡ（７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）に
２１０Ｗａｔｔの電力を周波数１３．５６ＭＨｚの下で
印加して約４時間３０分プラズマ重合反応を行ない、導
電性基板（７５２）上に厚き１５μｍのａ　−Ｃ膜を電
荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停
止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気
した。

以上のようにして得られたａ　−ＣＨ２につき有機元素
分析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭禦
原子と水素原子の総量に対して３２原子％、また、オー
ジェ分析より含有きれるアルカリ金属原子、即ち、リチ
ウム原子の量は全構成原子に対して１．２原子％であっ
た。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１Ｎ節弁（７ｏ７）、
第２調節弁（７０８）、及び第６調節弁（７１２）を解
放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、第２タンク
（７０２）がらゲルマンガス、及び第６タンク（７０６
）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ａｍ２の下で第１
、第２、及び第６流量制御器（７１３，７１４、及び７
１８）内へ流入させた。同時に、第４調節弁（７１０）
を解放し、第４タンク（７０４）より水素ガスで１゜○
ｐｐｍに希釈されたジボランガスを、出力圧１゜５Ｋｇ
／ｃｍ２の下で第４流量制御器（７１６）内へ、流入さ
せた。各流量制御器の目盛を３１！整して水素ガスの流
量を２００ｓｅｃｍ、ゲルマンガスの流量を６　ｓ　ｃ
　Ｃｍ　％シランガスの流量を１０１００５ｅ、水素ガ
スで１１００ｐｐに希釈きれたジボランガスの流量を１
０１０５ｅに設定し、反応室（７３３）内に流入させた
。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧
力が１．０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）
を調整した。一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基
板（７５２）は、２４０℃に加熱しておき、ガス流量及
び圧力が安定した状態で、高周波電源（７３９）より周
波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に
４０Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生させた
。この放電を５分間行ない、厚き０．３μｍの電荷発生
層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中○ＮＨ分析（見場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有きれる水素原子は全構
成原子に対して１８原子％、＠素原子は１０原子ｐｐｍ
、ゲルマニウム原子は９．７原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一３９０Ｖ　（＋３８０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は２６Ｖ／μｍ　（２５Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれ
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約８秒（約９秒）
であり、このことから充分な電荷保特性能を有する事が
理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後、白
色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にまで明
減衰させたとこる必要ときれた光量は１．フルックス・
秒（１゜６ルツクス・秒）であり、このことから充分な
光感度性能を有する事が理解された。また、最高帯電電
位に初期帯電した後、半導体レーザー光（発光波長７８
０ｎｍ）を用いて最高帯電電位の２０９６！の表面電位
にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は？、９ｅ
ｒｇ／ａｍ２（７，５ｅｒｇ／ｃｍりであり、このこと
から充分な長波長光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解きれる。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

Ｘ施ガ旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程； 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１、及び第２調節弁（７０７、及び７
０８）を解放し、第１タンク（７０１）より水素ガス、
及び第２タンク（７０２）よりブタジインガスを各々出
力圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第２流量制御
器（７１３、及び７１４）内へ流入させた。同時に、第
７調節弁（７２５）を解放し、第１容赫（７１９）より
リチウムターシャリ−ブチラードガスを第１温調器（７
２２）温度１８０℃のもとで第７流量制御器（７２８）
内へ流入させた。水素ガスの流量を７０ｓｅｃｍ、ブタ
ジインガスの流量を４０ｓｃＣｍ、及びリチウムターシ
ャリ−ブチラードガスの流量を１０１０５ｅとなるよう
に設定して、途中混合器（７３１）を介して、主管（７
３２）より反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量
が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が１゜２Ｔ
ｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。

一方、導電性基板（７５２）としては、樅５０ｘ横５０
×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め１５０℃
に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、
予め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた
高周波電源（７３９）を投入し、電力印加電極（７３６
）に１２０Ｗａｔｔの電力を周波数１３．５６ＭＨｚの
下で印加して約２０分間プラズマ重合反応を行ない、導
電性基板（７５２）上に厚ざ１５μｍのａ−Ｃ膜を電荷
輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止
し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気し
た。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なうたところ、含有きれる水素原子の量は炭素原
子と水素原子のＰ３量に対して５５原子％、また、オー
ジェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、リチ
ウム原子の量は全構成原子に対して１．９原子％であっ
た。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２Ｆ１節弁（７０８）、第３調節弁（７ｏ９）、及び
第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０１）
から水素ガス、第２タンク（７０２）から四弗化シラン
ガス、第３タンク（７０２）からゲルマンガス、及び第
６タンク（７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／
ｃｍ２の下で第１、第２、第３、及び第６流量制御器（
７１３，７１４，７１５、及び７１８）内へ流入きせな
。同時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク
（７０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈きれたジ
ボランガスを、出力圧１゜５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流
量制御器（７１６）内へ、流入きせた。各流量制御器の
目盛を調整して水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍ、四弗
化シランガスの流量を５０ｓｅｃｍ、ゲルマンガスの流
量を６ｓｅｃｍ、シランガスの流量を５０ｓｅｃｍ。

及び水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたジボランガス
の流量を１０１０５ｅとなるように設定し、反応室（７
３３）内に流入させた。各々の流量が安定した後に、反
応室（７３３）内の圧力が０゜９Ｔｏｒｒとなるように
圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ膜が形
成されている導電性基板（７５２）は、２３０℃に加熱
しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周波
電源（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力
印加電極（７３６）に３５Ｗａｔｔの電力を印加し、グ
ロー放電を発生させた。この放電を５分間行ない、厚ざ
０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中○ＮＨ分析（見場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有される水素原子は全構
成原子に対して２４原子％、硼素原子は１ｏ原子ｐｐｍ
、弗素原子は５原子％、ゲルマニウム原子は１０．５原
子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一５４０Ｖ　（＋５５０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は３５Ｖ／μｍ　（３６Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１３秒（約１４
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は１．５ルツク
ス・秒（１，４ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。また、最高帯
電電位に初期帯電した後、半導体レーザー光（発光波長
７８０　ｎｍ）を用いて最高帯電電位の２０％の表面電
位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は８．６
ｅｒｇ／ｃｍ２（７，９ｅｒｇ／ｃｍ２）であり、この
ことから充分な長波長光感度性能を有する事が理解され
た。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解きれる。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

害茹倒ユ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１、及び第２調節弁（７０７、及び７
０８）を解放し、第１タンク（７０１）より水素ガス、
及び第２タンク（７０２）よりブタジェンガスを各々出
力圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第２流量制御
器（７１３、及び７１４）内へ流入させた。同時に、第
７調節弁（７２５）を解放し、第１容器（７１９）より
カリウムメタクリレート（Ｋ−ＭＡ）ガスを第１温調！
　（７２２）温度３００℃のもとで第７流量制御器（７
２８）内へ流入させた。水素ガスの流量を５０ｓｅｃｍ
、ブタジェンガスの流量を５０５ＣＣｍ、及びカリウム
メタクリレートガスの流量を８ｓｅｃｍとなるように設
定して、途中混合器（７３１）を介して、主管（７３２
）より反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安
定した後に、反応室（７３３）内の圧力が２．ＯＴ。

ｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一
方、導電性基板（７５２）としては、樅５０　Ｘｉ５０
　Ｘ４３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め１５０
℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で
、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておい
た低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電極（７３
６）に１５０Ｗａｔｔの電力を周波数５００ＫＨｚの下
で印加して約２５分間プラズマ重合反応を行ない、導電
性基板（７５２）上に厚ざ１５μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸
送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し
、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した
。

以上のようにして得られたａ−（ＪＪにつき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して５５原子％、また、オージ
ェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち、カリウ
ム原子の量は全構成原子に対して３．２原子％であった
。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）、第３調節弁（７０９）、及び第
６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０１）か
ら水素ガス、第２タンク（７０２）から四弗化シランガ
ス、第３タンク（７０３）からゲルマンガス、及び第６
タンク（７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃ
ｍ２の下で第１、第２、第３、及び第６流量制湘器（７
１３，７１４，７１５、及び７１８）内へ流入させた。

同時に、第４調節弁（７１０）を解放し、第４タンク（
７０４）より水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたホス
フィンガスを、出力圧１゜５Ｋｇ／ｃｍ２の下で第４流
量制御器（７１６）内へ流入させた。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍ、ゲルマ
ンガスの流量を６ｓｅｃｍ、四弗化シランガスの流量を
５０ｓｃｃｒｒｂシランガスの流量を５０ｓｅｃｍ。

水素ガスで１１００ｐｐに希釈されたホスフィンガスの
流量を１０１０５ｅに設定し、反応室（７３３）内に流
入させた。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３
）内の圧力が０．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（
７４５）を調整した。

一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）
は、２４０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定
した状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３．５
６ＭＨｚの下で電力印加Ｔｉ極（７３６）に４０Ｗａｔ
ｔの電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放電
を５分間行ない、厚き０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金ヱ中ＯＮＨ分析（見場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）　、オージェ分析、及びＩ
ＭＡ分析を行なったところ、含有きれる水素原子は全構
成原子に対して２６原子％、燐原子は１３原子ｐｐｍ５
弗素原子は５．６原子％、ゲルマニウム原子は９．８原
子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一３６０Ｖ　（＋５３０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は２４■／μｍ（３５Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれた
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約６秒（約１０秒
）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する事
が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後、
白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にまで
明減衰きせたとこる必要とされた光量は１．８ルツクス
・秒（４゜１ルツクス・秒）であり、このことから充分
な光感度性能を有する事が理解きれた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解きれる。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

実施例５ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１調節弁（７０１）を解放し、第１タ
ンク（７０１）より水素ガスを出力圧１．０Ｋｇ／ｃｍ
２の下で第１流量制御器（７１３）内へ流入させた。同
時に、第１容器（７１９）よりスチレンガスを第１温調
器（７２２）温度３０℃のもと第７流量制御器（７２８
）内へ、第２容器（７２０）よりリチウムターシャリ−
ブチラードガスを第２温調器（７２３）温度２６０℃の
もと第８流量制卯器（７２９）内へ流入させた。

水素ガスの流量を１０ｓ　ｅ　ｃｍ、スチレンガスの流
量を３６ｓｅｃｍｓ及びリチウムターシャリ−ブチラー
ドガスの流量を２２ｓｅｃｍとなるように設定して、途
中混合器（７３１）を介して、主管（７３２）より反応
室（７３３）内へ流入した。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が１．５Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
調整した。一方、導電性基板（７５２）としては、樅５
０Ｘ横５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予
め１００℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続
しておいた低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電
極（７３６）に９０Ｗａｔｔの電力を周波数２０ＫＨｚ
の下で印加して約１時間２０分プラズマ重合反応を行な
い、導電性基板（７５２）上に厚き１５μｍのａ−ＣＭ
を電荷輸送層として形成した。

成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応
室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４４原子％であった。また
、オージェ分析より含有されるアルカリ金属原子、即ち
、リチウム原子の量は、全構成原子に対して、６．１原
子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、実施例３と同様にして本発明による感光体の電
荷発生層を形成した。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一３００Ｖ　（＋３１０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は１９Ｖ／μｍ　（２０Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまでＢｆｉ減哀するのに要した時間は約５秒（約４
秒）であり、このことから実用上問題のない電荷保持性
能を有する事が理解された。また、最高帯Ｎ電位に初ｌ
４ＪＪＷＩ電した後、白色光を用いて最高帯電電位の２
０％の表面電位にまで明減衰させたとこる必要とされた
光量は４．８ルツクス・秒（４，６ルツクス・秒）であ
り、このことから充分な光感度性能を有する事が理解さ
れた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られｔ
：。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は本発明感光体の構成を示す図面、第
７図乃至第８図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。 出願人　ミノルタカメラ株式会社 第１図　　第２図 第３図　　第４図 第５図　　第６図 手続補正書 昭和６２年１０月２１日 昭和６１年特許ＷＩ第１．／−２２７３３に号２、発明
の名称 感光体 ３、補正をする者 事件との関係　　出願人 住所　大阪市東区安土町２丁目３０番地　大阪国際ビル
名称　（６０７）　　　ミノルタカメラ株式会社自発補
正 ５、補正の対象 図面 ６、補正の内容 図面＃８図を「訂正第８図」の通り補正します。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型感光体に
   おいて、該電荷輸送層は少なくともアルカリ金属原子を
   含有してなる水素化アモルファスカーボン膜であり、か
   つ、該電荷発生層は燐原子及び硼素原子のうち少なくと
   も一方を含有してなる水素化アモルファスシリコンゲル
   マニウム膜或は燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一
   方を含有してなる弗素化アモルファスシリコンゲルマニ
   ウム膜であることを特徴とする感光体。