JPS6382433A - 感光体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産至上二狸里分野
本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する感光体に
関する。
関する。
従来技術
カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発さ
れ実用化されてきた。
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発さ
れ実用化されてきた。
従来用いられて来た電子写真感光体材料の主なものとし
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質が挙げられる。また、その構成形態としては、これ
らの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散さ
せて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電
荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質が挙げられる。また、その構成形態としては、これ
らの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散さ
せて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電
荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。
しかしながら、従来用いられて来た電子写真感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。またS電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝された場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。またS電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝された場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。
このような欠点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐
久性に富九だ材料として、グロー放電法により生成され
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原料
としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガス
であることから、出来上がった電子写真感光体も従来の
感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、成膜速度
が遅く、成膜時間の増大に伴い爆発性を有するシラン未
分解生成物を粉塵状に発生する等、生産上の不都合も多
い。また、この粉塵が製造時に感光層中に混入した場合
には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。ざらに、アモ
ルファスシリコンは、元来、比誘電率が高いため帯電性
能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電するために
は膜厚を厚くする必要があり、高価なアモルファスシリ
コン膜を長時間堆積きせなくてはならない。
久性に富九だ材料として、グロー放電法により生成され
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原料
としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガス
であることから、出来上がった電子写真感光体も従来の
感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、成膜速度
が遅く、成膜時間の増大に伴い爆発性を有するシラン未
分解生成物を粉塵状に発生する等、生産上の不都合も多
い。また、この粉塵が製造時に感光層中に混入した場合
には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。ざらに、アモ
ルファスシリコンは、元来、比誘電率が高いため帯電性
能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電するために
は膜厚を厚くする必要があり、高価なアモルファスシリ
コン膜を長時間堆積きせなくてはならない。
ところでアモルファスカーボン膜自体は、プラズマ有機
重合膜として古くより知られており、例えばジエン(M
、5hen)及びベル(A、T。
重合膜として古くより知られており、例えばジエン(M
、5hen)及びベル(A、T。
Be1l)により、1973年発行ののジャーナル・オ
ブ・アプライド・ポリマー・サイエンス(Journa
l of App l fed P。
ブ・アプライド・ポリマー・サイエンス(Journa
l of App l fed P。
lymer 5cience)第17巻の第885頁
乃至第892頁において、あらゆる有機化合物のガスか
ら作製され得る事が、また、同著者により、1979年
のアメリカンケミカルソサエティ (America
n ChemicalSociety)発行によるプ
ラズマボリマライゼーション(Plasma Pol
ymerization)の中でもその成膜性が論じら
れている。
乃至第892頁において、あらゆる有機化合物のガスか
ら作製され得る事が、また、同著者により、1979年
のアメリカンケミカルソサエティ (America
n ChemicalSociety)発行によるプ
ラズマボリマライゼーション(Plasma Pol
ymerization)の中でもその成膜性が論じら
れている。
しかしながら従来の方法で作製したプラズマ有機重合膜
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの膜は通常のポリエチレン膜の如<1016Ωcm程
度の比抵抗を有する絶lDA膜と考えられ、或は、少な
くともそのような膜であるとの認識のもとに用いられて
いた。実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認
識から、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁
層に限られており、所謂アンダーコート層もしくはオー
バーコート層としてしか用いられていなかった。
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの膜は通常のポリエチレン膜の如<1016Ωcm程
度の比抵抗を有する絶lDA膜と考えられ、或は、少な
くともそのような膜であるとの認識のもとに用いられて
いた。実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認
識から、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁
層に限られており、所謂アンダーコート層もしくはオー
バーコート層としてしか用いられていなかった。
例えば、特開昭59−28161号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭5
9−38753号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成される1013〜1015Ωcmの高抵抗のプラズマ
重合膜を10人〜100人設けた上にアモルファスシリ
コン層を設けた感光体が開示されている。特開昭59−
136742号公報には、アルミ基板上に設けたアモル
ファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散する
のを防止するための保護層として1〜5μm程度の炭素
膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示されている。
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭5
9−38753号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成される1013〜1015Ωcmの高抵抗のプラズマ
重合膜を10人〜100人設けた上にアモルファスシリ
コン層を設けた感光体が開示されている。特開昭59−
136742号公報には、アルミ基板上に設けたアモル
ファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散する
のを防止するための保護層として1〜5μm程度の炭素
膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示されている。
特開昭60−63541号公報には、アルミ基板とその
上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改善す
るために、接着層として200人〜2μmのダイヤモン
ド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留電荷
の面から膜厚は2μm以下が好ましいとされている。
上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改善す
るために、接着層として200人〜2μmのダイヤモン
ド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留電荷
の面から膜厚は2μm以下が好ましいとされている。
これらの開示は、何れも基板とアモルファスシリコン層
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、a−5i
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、a−5i
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。
また、例えば、特開昭50−20728号公報には、ポ
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層
としてグロー放電重合によるポリマー膜を0.1〜1μ
m設けた感光体が開示されている。特開昭59−214
859号公報には、アモルファスシリコン感光体の表面
に保護層としてスチレンやアセチレン等の有機炭化水素
モノマーをプラズマ重合させて5μm程度の膜を形成き
せる技術が開示されている。特開昭60−61761号
公報には、表面保護層として、500人〜2μmのダイ
ヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示され、透光性
の面から膜厚は2μm以下が好ましいとされてている。
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層
としてグロー放電重合によるポリマー膜を0.1〜1μ
m設けた感光体が開示されている。特開昭59−214
859号公報には、アモルファスシリコン感光体の表面
に保護層としてスチレンやアセチレン等の有機炭化水素
モノマーをプラズマ重合させて5μm程度の膜を形成き
せる技術が開示されている。特開昭60−61761号
公報には、表面保護層として、500人〜2μmのダイ
ヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示され、透光性
の面から膜厚は2μm以下が好ましいとされてている。
特開昭60−249115号公報には、0.05〜5μ
m程度の無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層とし
て用いる技術が開示され、膜厚が5μmを越えると感光
体活性に悪影響が及ぶとされている。
m程度の無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層とし
て用いる技術が開示され、膜厚が5μmを越えると感光
体活性に悪影響が及ぶとされている。
これらの開示は、何れも感光体表面に所謂オーバーコー
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、a−3iの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、a−3iの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。
また、特開昭51−46130号公報には、ポリビニル
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なって0.001〜3μmのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性に
ついては全く言及されていないし、a−Siの持つ前記
した本質的問題を解決するものではない。
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なって0.001〜3μmのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性に
ついては全く言及されていないし、a−Siの持つ前記
した本質的問題を解決するものではない。
一方、アモルファスシリコン膜については、スピア(W
、E、5pear)及びレコンパ(P。
、E、5pear)及びレコンパ(P。
G、LeComber)により1976年発行のフィロ
ソフイカル・マガジン(Philosophical
Magazine)第33巻の第935頁乃至第94
9頁において、極性制御が可能な材料である事が報じら
れて以来、種々の光電デバイスへの応用が試みられて来
た。感光体への応用に関しては、例えば、特開昭56−
62254号公報、特開昭57−119356号公報、
特開昭57−177147号公報、特開昭57−119
357号公報、特開昭57−177149号公報、特開
昭57−119357号公報、特開昭57−17714
6号公報、特開昭57−177148号公報、特開昭5
7−174448号公報、特開昭57−174449号
公報、特開昭57−174450号公報、等に、炭素原
子を含有したアモルファスシリコン感光体が開示されて
いるが、何れもアモルファスシリコンの光導電性を炭素
原子により調整する事を目的としたものであり、また、
アモルファスシリコン自体厚い膜を必要としている。
ソフイカル・マガジン(Philosophical
Magazine)第33巻の第935頁乃至第94
9頁において、極性制御が可能な材料である事が報じら
れて以来、種々の光電デバイスへの応用が試みられて来
た。感光体への応用に関しては、例えば、特開昭56−
62254号公報、特開昭57−119356号公報、
特開昭57−177147号公報、特開昭57−119
357号公報、特開昭57−177149号公報、特開
昭57−119357号公報、特開昭57−17714
6号公報、特開昭57−177148号公報、特開昭5
7−174448号公報、特開昭57−174449号
公報、特開昭57−174450号公報、等に、炭素原
子を含有したアモルファスシリコン感光体が開示されて
いるが、何れもアモルファスシリコンの光導電性を炭素
原子により調整する事を目的としたものであり、また、
アモルファスシリコン自体厚い膜を必要としている。
発明が “ しようとする 題、Φ
以上のように、従来、電子写真感光体に用いられている
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用されていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚も高々5μm程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上問題にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で使用され
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用されていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚も高々5μm程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上問題にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で使用され
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。
本発明者らは、アモルファスカーボン膜の電子写真感光
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水素化アモルファスカーボン膜が適量の
燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有せしめ
る事により、水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜
との積層においては電荷輸送性を有し、容易に好適な電
子写真特性を示し始める事を見出した。その理論的解釈
には本発明者においても不明確な点が多く詳細に亙り言
及はできないが、燐原子及び硼素原子のうち少なくとも
一方を含有せしめた水素化アモルファスカーボン膜中に
捕捉されている比較的不安定なエネルギー状態の電子、
例えばπ電子、不対電子、残存フリーラジカル等が形成
するバンド構造が、水素化或は弗素化アモルファスシリ
コンが形成するバンド構造と電導帯もしくは荷電子帯に
おいて近似したエネルギー準位を有するため、水素化或
は弗素化アモルファスシリコン膜中で発生したキャリア
が容易に燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含
有せしめた水素化アモルファスカーボン膜中へ注入され
、ざらに、このキャリアは前述の比較的不安定なエネル
ギー状態の電子の作用により燐原子及び硼素原子のうち
少なくとも一方を含有せしめた水素化アモルファスカー
ボン膜中を好適に走行し得るためと推定される。
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水素化アモルファスカーボン膜が適量の
燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含有せしめ
る事により、水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜
との積層においては電荷輸送性を有し、容易に好適な電
子写真特性を示し始める事を見出した。その理論的解釈
には本発明者においても不明確な点が多く詳細に亙り言
及はできないが、燐原子及び硼素原子のうち少なくとも
一方を含有せしめた水素化アモルファスカーボン膜中に
捕捉されている比較的不安定なエネルギー状態の電子、
例えばπ電子、不対電子、残存フリーラジカル等が形成
するバンド構造が、水素化或は弗素化アモルファスシリ
コンが形成するバンド構造と電導帯もしくは荷電子帯に
おいて近似したエネルギー準位を有するため、水素化或
は弗素化アモルファスシリコン膜中で発生したキャリア
が容易に燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含
有せしめた水素化アモルファスカーボン膜中へ注入され
、ざらに、このキャリアは前述の比較的不安定なエネル
ギー状態の電子の作用により燐原子及び硼素原子のうち
少なくとも一方を含有せしめた水素化アモルファスカー
ボン膜中を好適に走行し得るためと推定される。
本発明はその新たな知見を利用することにより、アモル
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的問題点を
全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異なる
、有機プラズマ重合膜、特に燐原子及び硼素原子のうち
少なくとも一方を含有してなる水素化アモルファスカー
ボン膜を電荷輸送層として使用し、かつ、水素化或は弗
素化アモルファスシリコンの薄膜を電荷発生層として使
用した感光体を提供する事を目的とする。
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的問題点を
全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異なる
、有機プラズマ重合膜、特に燐原子及び硼素原子のうち
少なくとも一方を含有してなる水素化アモルファスカー
ボン膜を電荷輸送層として使用し、かつ、水素化或は弗
素化アモルファスシリコンの薄膜を電荷発生層として使
用した感光体を提供する事を目的とする。
ゴ照点を するための
即ち、本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成きれる燐原子及び硼素原子のうち少なくと
も一方を含有してなる水素化アモルファスカーボン膜で
あり、かつ、該電荷発生層が水素化或は弗素化アモルフ
ァスシリコン膜であることを特徴とする感光体に関する
(以下、本発明による電荷輸送層をa−C膜及び電荷発
生層をa−3i膜と称する) 本発明は、従来のアモル
ファスシリコン感光体においては、電荷発生層として優
れた機能を有するアモルファスシリコンを、電荷発生能
が無くても電荷輸送能ざえあれば済む電荷輸送層として
も併用していたため発生していたこれらの問題点を解決
すべく成されたものである。
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成きれる燐原子及び硼素原子のうち少なくと
も一方を含有してなる水素化アモルファスカーボン膜で
あり、かつ、該電荷発生層が水素化或は弗素化アモルフ
ァスシリコン膜であることを特徴とする感光体に関する
(以下、本発明による電荷輸送層をa−C膜及び電荷発
生層をa−3i膜と称する) 本発明は、従来のアモル
ファスシリコン感光体においては、電荷発生層として優
れた機能を有するアモルファスシリコンを、電荷発生能
が無くても電荷輸送能ざえあれば済む電荷輸送層として
も併用していたため発生していたこれらの問題点を解決
すべく成されたものである。
即ち、本発明は、電荷輸送層としてグロー放電により生
成される燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含
有してなる水素化アモルファスカーボン膜を設け、かつ
、電荷発生層として同じくグロー放電により生成される
水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜を設けた事を
特徴とする機能分離型感光体に関する。該電荷輸送層は
、可視光もしくは半導体レーザー光付近の波長の光に対
しては明確なる光導電性は有さないが、好適な輸送性を
有し、ざらに、帯電能、耐久性、耐候性、耐環境汚染性
等の電子写真感光体性能に優れ、しかも透光性にも優れ
るため、機能分離型感光体としてのV1層構造を形成す
る場合においても極めて高い自由度が得られるものであ
る。また、該電荷発生層は、可視光もしくは半導体レー
ザー光付近の波長の光に対して優れた光導電性を有し、
しかも従来のアモルファスシリコン感光体に比べて極め
て薄い膜厚で、その機能を活かす事ができるものである
。
成される燐原子及び硼素原子のうち少なくとも一方を含
有してなる水素化アモルファスカーボン膜を設け、かつ
、電荷発生層として同じくグロー放電により生成される
水素化或は弗素化アモルファスシリコン膜を設けた事を
特徴とする機能分離型感光体に関する。該電荷輸送層は
、可視光もしくは半導体レーザー光付近の波長の光に対
しては明確なる光導電性は有さないが、好適な輸送性を
有し、ざらに、帯電能、耐久性、耐候性、耐環境汚染性
等の電子写真感光体性能に優れ、しかも透光性にも優れ
るため、機能分離型感光体としてのV1層構造を形成す
る場合においても極めて高い自由度が得られるものであ
る。また、該電荷発生層は、可視光もしくは半導体レー
ザー光付近の波長の光に対して優れた光導電性を有し、
しかも従来のアモルファスシリコン感光体に比べて極め
て薄い膜厚で、その機能を活かす事ができるものである
。
本発明においては、a−C膜を形成するために有機化合
物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。
物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。
該炭化水素における相状態は常温常圧において必ずしも
気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。
気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。
使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカ
ン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オク
タデカン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコサン、
トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサン、
ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナコサ
ン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタトリア
コンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソブタン
、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネオヘ
キサン、2.3−ジメチルブタン、2−メチルヘキサン
、3−エチルペンタン、2.2−ジメチルペンタン、2
,4−ジメチルペンタン、3,3−ジメチルペンタン、
トリブタン、2−メチルへブタン、3−メチルへブタン
、2.Z−ジメチルヘキサン、2.2.5−ジメチルヘ
キサン、2,2.3−トリメチルペンタン、2,2.4
−トリメチルペンタン、2.3゜3−トリメチルペンタ
ン、2,3.4−トリメチルペンタン、イソナノン、等
のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化水素と
しては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブチレン
、1−ブテン、2−ブテン、l−ペンテン、2−ペンテ
ン、2−メチル−1−ブテン、3−メチル−1−ブテン
、2−メチル−2−ブテン、1−ヘキセン、テトラメチ
ルエチレン、1−ヘプテン、1−オクテン、1−ノネン
、1−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン、メチ
ルアレン、ブタジェン、べンタジエン、ヘキサジエン、
シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並びに、オシ
メン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、等の
トリオレフイン、並びに、アセチレン、ブタジイン、1
゜3−ペンタジイン、2,4−へキサジイン、メチルア
セチレン、l−ブチン、2−ブチン、1−ペンチン、1
−ヘキシン、1−ヘプチン、1−オクチン、1−ノニン
、1−デシン、等が用いられる。
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカ
ン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オク
タデカン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコサン、
トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサン、
ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナコサ
ン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタトリア
コンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソブタン
、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネオヘ
キサン、2.3−ジメチルブタン、2−メチルヘキサン
、3−エチルペンタン、2.2−ジメチルペンタン、2
,4−ジメチルペンタン、3,3−ジメチルペンタン、
トリブタン、2−メチルへブタン、3−メチルへブタン
、2.Z−ジメチルヘキサン、2.2.5−ジメチルヘ
キサン、2,2.3−トリメチルペンタン、2,2.4
−トリメチルペンタン、2.3゜3−トリメチルペンタ
ン、2,3.4−トリメチルペンタン、イソナノン、等
のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化水素と
しては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブチレン
、1−ブテン、2−ブテン、l−ペンテン、2−ペンテ
ン、2−メチル−1−ブテン、3−メチル−1−ブテン
、2−メチル−2−ブテン、1−ヘキセン、テトラメチ
ルエチレン、1−ヘプテン、1−オクテン、1−ノネン
、1−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン、メチ
ルアレン、ブタジェン、べンタジエン、ヘキサジエン、
シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並びに、オシ
メン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、等の
トリオレフイン、並びに、アセチレン、ブタジイン、1
゜3−ペンタジイン、2,4−へキサジイン、メチルア
セチレン、l−ブチン、2−ブチン、1−ペンチン、1
−ヘキシン、1−ヘプチン、1−オクチン、1−ノニン
、1−デシン、等が用いられる。
脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルピノレン、フエランドレン、シルベストレン、
ツエン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、フ
エンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ピサボ
レン、シンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネン
セスキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレ
ン、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ボドカル
ブレン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド等が
用いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、ヘミメンテン、プソイドクメ
ン、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン
、ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチ
ルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビ
フェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェ
ニルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフ
タリン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン、
等が用いられる。
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルピノレン、フエランドレン、シルベストレン、
ツエン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、フ
エンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ピサボ
レン、シンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネン
セスキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレ
ン、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ボドカル
ブレン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド等が
用いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、ヘミメンテン、プソイドクメ
ン、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン
、ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチ
ルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビ
フェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェ
ニルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフ
タリン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン、
等が用いられる。
さらに、炭化水素以外でも、例えば、アルコール類、ケ
トン類、エーテル類、エステル類、等炭素と成りうる化
合物であれば使用可能である。
トン類、エーテル類、エステル類、等炭素と成りうる化
合物であれば使用可能である。
本発明におけるa −C膜中に含まれる水素原子の量は
グロー放電を用いるというその製造面から必然的に定ま
るが、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね30乃
至60原子%含有される。ここで、炭素原子並びに水素
原子の膜中含有量は、有機元素分析の常法、例えばON
H分析を用いる事により知る事ができる。
グロー放電を用いるというその製造面から必然的に定ま
るが、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね30乃
至60原子%含有される。ここで、炭素原子並びに水素
原子の膜中含有量は、有機元素分析の常法、例えばON
H分析を用いる事により知る事ができる。
本発明におけるa −C膜中に含まれる水素原子の量は
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが
、例えば、基板温度を高くする、圧力を低くする、原料
炭化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これらの
組合せ操作は、含有水素量を低くする効果を有する。
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが
、例えば、基板温度を高くする、圧力を低くする、原料
炭化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これらの
組合せ操作は、含有水素量を低くする効果を有する。
本発明における電荷輸送層としてのa −C膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、5乃至5
0um、特に7乃至20μmが適当であり、5μmより
薄いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度を得る
事ができない。また、50μmより厚いと、生産性の面
で好ましくない。
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、5乃至5
0um、特に7乃至20μmが適当であり、5μmより
薄いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度を得る
事ができない。また、50μmより厚いと、生産性の面
で好ましくない。
このa−C膜は、高透光性、高暗抵抗を有するとともに
電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に5μm以上として
もキャリアはトラップされる事無く輸送され明減衰に寄
与する事が可能である。
電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に5μm以上として
もキャリアはトラップされる事無く輸送され明減衰に寄
与する事が可能である。
本発明における原料気体からa −C膜を形成する過程
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成きれるプラズ
マ状態を経て形成きれる方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成きれるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される中
性粒子から形成されてもよいし、ざらには、これらの組
み合わせにより形成されてもよい。
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成きれるプラズ
マ状態を経て形成きれる方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成きれるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される中
性粒子から形成されてもよいし、ざらには、これらの組
み合わせにより形成されてもよい。
本発明においては炭化水素の他に、a −C1fJ中に
少なくとも硼素原子或は燐原子を添加するための原料と
して、硼素化合物或は燐化合物が用いられる。該硼素化
合物或は燐化合物における相状態は常温常圧において必
ずしも気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶
融、蒸発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相
でも固相でも使用可能である。硼素化合物或は燐化合物
としては、例えば、ジボラン、ホスフィンまたは硼素、
燐含有有機モノマー等が用いられる。
少なくとも硼素原子或は燐原子を添加するための原料と
して、硼素化合物或は燐化合物が用いられる。該硼素化
合物或は燐化合物における相状態は常温常圧において必
ずしも気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶
融、蒸発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相
でも固相でも使用可能である。硼素化合物或は燐化合物
としては、例えば、ジボラン、ホスフィンまたは硼素、
燐含有有機モノマー等が用いられる。
本発明において化学的修飾物質として含有される硼素原
子或は燐原子の量は、全構成原子に対して20000原
子ppm%以下である。ここで、硼素原子或は燐原子の
膜中含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或
はIMA分析により知る事が可能である。硼素原子或は
燐原子を含まない場合には、好適な輸送性が確保されず
、さらに、成膜後の経時劣化を招きやすくなる。一方、
硼素原子或は燐原子の量が20000原子ppmを越え
る場合には、少量の添加では好適な輸送性を保証してい
た硼素原子或は燐原子が、逆に膜の低抵抗化を招く作用
を示し、帯電能が低下してしまう。従って、本発明にお
ける硼素原子或は燐原子の添加量範囲は重要である。
子或は燐原子の量は、全構成原子に対して20000原
子ppm%以下である。ここで、硼素原子或は燐原子の
膜中含有量は、元素分析の常法、例えばオージェ分析或
はIMA分析により知る事が可能である。硼素原子或は
燐原子を含まない場合には、好適な輸送性が確保されず
、さらに、成膜後の経時劣化を招きやすくなる。一方、
硼素原子或は燐原子の量が20000原子ppmを越え
る場合には、少量の添加では好適な輸送性を保証してい
た硼素原子或は燐原子が、逆に膜の低抵抗化を招く作用
を示し、帯電能が低下してしまう。従って、本発明にお
ける硼素原子或は燐原子の添加量範囲は重要である。
本発明において化学的修飾物質として含有される■素原
子或は燐原子原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう
反応室への前述の硼素化合物或は燐化合物の導入量を増
減することにより制御することが可能である。硼素化合
物或は燐化合物の導入量を増大させれば、本発明による
a−C膜中への硼素原子或は燐原子の添加量を高くする
ことが可能であり、逆に硼素化合物或は燐化合物の導入
量を減少させれば、本発明によるa−C膜中への硼素原
子或は燐原子の添加量を低くすることが可能である。
子或は燐原子原子の量は、主に、プラズマ反応を行なう
反応室への前述の硼素化合物或は燐化合物の導入量を増
減することにより制御することが可能である。硼素化合
物或は燐化合物の導入量を増大させれば、本発明による
a−C膜中への硼素原子或は燐原子の添加量を高くする
ことが可能であり、逆に硼素化合物或は燐化合物の導入
量を減少させれば、本発明によるa−C膜中への硼素原
子或は燐原子の添加量を低くすることが可能である。
本発明においては、a−Si膜を形成するためにシラン
ガス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用いられ
る。
ガス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用いられ
る。
本発明におけるa−Si膜中に含まれる水素原子或は弗
素原子の量はグロー放電を用いるというその製造面から
必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシリコ
ン原子と弗素原子の総量に対して、概ね1o乃至35原
子%含有される。ここで、水素原子或は弗素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばONH分析、オージ
ェ分析等を用いる事により知る事ができる。
素原子の量はグロー放電を用いるというその製造面から
必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシリコ
ン原子と弗素原子の総量に対して、概ね1o乃至35原
子%含有される。ここで、水素原子或は弗素原子の膜中
含有量は、元素分析の常法、例えばONH分析、オージ
ェ分析等を用いる事により知る事ができる。
本発明における電荷発生層としてのa−Si膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、0.1乃
至5μmが適当であり、0.1μmより薄いと、光吸収
が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、感
度の低下を招く。また、5μmより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このa−3i膜は電荷発生能に富み、
ざらに、本発明の最も特徴とするところのa−C膜との
積層構成において効率よ<a−C膜中に発生キャリアを
注入せしめ、好適な明減衰に寄与する事が可能である。
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、0.1乃
至5μmが適当であり、0.1μmより薄いと、光吸収
が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、感
度の低下を招く。また、5μmより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このa−3i膜は電荷発生能に富み、
ざらに、本発明の最も特徴とするところのa−C膜との
積層構成において効率よ<a−C膜中に発生キャリアを
注入せしめ、好適な明減衰に寄与する事が可能である。
本発明における原料気体からa−3i膜を形成する過程
は、a−C膜を形成する場合と同様にして行なわれる。
は、a−C膜を形成する場合と同様にして行なわれる。
本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
成る機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。
成る機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。
第1図は、その一形態として、導電性基板(1)上に電
荷輸送R(2)と電荷発生層(3)を順次積層してなる
構成を示したものである。第2図は、別の一形態として
、導電性基板(1)上に電荷発生層(3)と電荷輸送層
(2)を順次積層してなる構成を示したものである。第
3図は、別の一形態として、導電性基板(1)上に、電
荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。
荷輸送R(2)と電荷発生層(3)を順次積層してなる
構成を示したものである。第2図は、別の一形態として
、導電性基板(1)上に電荷発生層(3)と電荷輸送層
(2)を順次積層してなる構成を示したものである。第
3図は、別の一形態として、導電性基板(1)上に、電
荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。
感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第1図では
電荷発生層(3)で発生した正孔が電荷輸送層(2)中
を導電性基板(1)に向は走行し、第2図では電荷発生
層(3)で発生した電子が電荷輸送層(2)中を感光体
表面に向は走行し、第3図では電荷発生層(3)で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送層(2)中を導電性
基板(1)に向は走行すると共に、同時に電荷発生層(
3)で発生した電子が表面側の電荷輸送層(2)中を感
光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証きれた静電
潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電し
た後、画像露光して使用する場合においては、電子と正
孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれば
よい。第2図及び第3図では、画像露光用の照射光が電
荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による電荷輸
送層は透光性に優れることから、好適な潜像形成を行な
うことが可能である。
後、画像露光して使用する場合においては、第1図では
電荷発生層(3)で発生した正孔が電荷輸送層(2)中
を導電性基板(1)に向は走行し、第2図では電荷発生
層(3)で発生した電子が電荷輸送層(2)中を感光体
表面に向は走行し、第3図では電荷発生層(3)で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送層(2)中を導電性
基板(1)に向は走行すると共に、同時に電荷発生層(
3)で発生した電子が表面側の電荷輸送層(2)中を感
光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証きれた静電
潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電し
た後、画像露光して使用する場合においては、電子と正
孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれば
よい。第2図及び第3図では、画像露光用の照射光が電
荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による電荷輸
送層は透光性に優れることから、好適な潜像形成を行な
うことが可能である。
第4図は、ざらなる一形態として、導電性基板(1)上
に電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と表面保護層(
4)を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第1図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第1図の形態では、最表面が耐湿性に乏しいa−3i膜
で有ることから、多くの場合実用上の対湿度安定性を確
保するために表面保護層を設けることが好ましい。第2
図及び第3図の構成の場合、最表面が耐久性に優れたa
−C膜であるため表面保護層を設けなくてもよいが、例
えば現像剤の付着による感光体表面の汚れを防止するよ
うな、複写機内の各種エレメントに対する整合性を調整
する目的から、表面保護層を設けることもざらなる一形
態と成りうる。
に電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と表面保護層(
4)を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第1図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第1図の形態では、最表面が耐湿性に乏しいa−3i膜
で有ることから、多くの場合実用上の対湿度安定性を確
保するために表面保護層を設けることが好ましい。第2
図及び第3図の構成の場合、最表面が耐久性に優れたa
−C膜であるため表面保護層を設けなくてもよいが、例
えば現像剤の付着による感光体表面の汚れを防止するよ
うな、複写機内の各種エレメントに対する整合性を調整
する目的から、表面保護層を設けることもざらなる一形
態と成りうる。
第5図は、ざらなる一形態として、導電性基板イ1)上
に中間層(5)と電荷発生層(3)と電荷輸送N(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第2
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第2図の
形態では、導電性基板との接合面がa−Si膜である事
から、多くの場合接着性及び注入阻止効果を確保するた
めに中間層を設ける事が好ましい。第1図及び第3図の
構成の場合、導電性基板との接合面が、接着性及び注入
阻止効果に優れた、本発明による電荷輸送層であるため
、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前
処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合
性を調整する目的から、中間層を設けることもざらなる
一形態と成りうる。
に中間層(5)と電荷発生層(3)と電荷輸送N(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第2
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第2図の
形態では、導電性基板との接合面がa−Si膜である事
から、多くの場合接着性及び注入阻止効果を確保するた
めに中間層を設ける事が好ましい。第1図及び第3図の
構成の場合、導電性基板との接合面が、接着性及び注入
阻止効果に優れた、本発明による電荷輸送層であるため
、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前
処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合
性を調整する目的から、中間層を設けることもざらなる
一形態と成りうる。
第6図は、ざらなる一形態として、導電性基板(1)上
に中間層(5)と電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)
と表面保護層(4)を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第1図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。
に中間層(5)と電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)
と表面保護層(4)を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第1図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。
中間層と表面保護層の設置理由は前述と同様であり、従
って第2図及び第3図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもざらなる一形態と成りうる。
って第2図及び第3図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもざらなる一形態と成りうる。
本発明において中間層と表面保護層は、材料的にも、製
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるa−C膜を用いてもよい。但し、用い
る材料が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材料である
場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は5μm以下
に留める必要がある。
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるa−C膜を用いてもよい。但し、用い
る材料が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材料である
場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は5μm以下
に留める必要がある。
本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再結合反
応により固相として堆Mさせる、所謂プラズマ重合反応
から生成される事が好ましい。
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再結合反
応により固相として堆Mさせる、所謂プラズマ重合反応
から生成される事が好ましい。
第7図は本発明に係わる感光体の製造装置を示し、図中
(701)〜(706)は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを密封した第1乃至第6タ
ンクで、各々のタンクは第1乃至第6調節弁(707)
〜(712)と第1乃至第6流量制御器(713)〜(
718)に接続されている。図中(719)〜(721
)は常温において液相または固相状態にある原料化合物
を封入した第1乃至第3容器で、各々の容器は気化のた
め第1乃至第3温調器(722)〜(724)により与
熱可能であり、ざらに各々の容器は第7乃至第9調節弁
(725)〜(727)と第7乃至第9流量制御器(7
28)〜(730)に接続されている。これらのガスは
混合器(731)で混合された後、主管(732)を介
して反応室(733)に送り込まれる。途中の配管は、
常温において液相または固相状態にあった原料化合物が
気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置さ
れた配管加熱器(734)により、与熱可能とされてい
る。反応室内には接地電極(735)と電力印加電極(
736)が対向して設置され、各々の電極は電極加熱器
(737)により与熱可能とされている。電力印加電極
(736)には、高周波電力用整合器(738ンを介し
て高層1flJ (739) 、(’[周M力用eiM
(740)を介して低周波電源(741)、ローパス
フィルタ(742)を介して直流電源(743)が接続
されており、接続選択スイッチ(744)により周波数
の異なる電力が印加可能ときれている。反応室(733
)内の圧力は圧力制御弁(745)により調整可能であ
り、反応室(733)内の減圧は、排気系選択弁(74
6)を介して、拡散ポンプ(747) 、油回転ポンプ
(748) 、或は、冷却除外装置(749) 、メカ
ニカルブースターポンプ(750)、油回転ポンプ(7
48)により行なわれる。排ガスについては、ざらに適
当な除外装置(753)により安全無害化した後、大気
中に排気される。これら排気系配管についても、常温に
おいて液相またば固相状態にあった原料化合物が気化し
たガスが、途中で凝結しないように、適宜配置された配
管加熱! (734)により、与熱可能とされている。
(701)〜(706)は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを密封した第1乃至第6タ
ンクで、各々のタンクは第1乃至第6調節弁(707)
〜(712)と第1乃至第6流量制御器(713)〜(
718)に接続されている。図中(719)〜(721
)は常温において液相または固相状態にある原料化合物
を封入した第1乃至第3容器で、各々の容器は気化のた
め第1乃至第3温調器(722)〜(724)により与
熱可能であり、ざらに各々の容器は第7乃至第9調節弁
(725)〜(727)と第7乃至第9流量制御器(7
28)〜(730)に接続されている。これらのガスは
混合器(731)で混合された後、主管(732)を介
して反応室(733)に送り込まれる。途中の配管は、
常温において液相または固相状態にあった原料化合物が
気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置さ
れた配管加熱器(734)により、与熱可能とされてい
る。反応室内には接地電極(735)と電力印加電極(
736)が対向して設置され、各々の電極は電極加熱器
(737)により与熱可能とされている。電力印加電極
(736)には、高周波電力用整合器(738ンを介し
て高層1flJ (739) 、(’[周M力用eiM
(740)を介して低周波電源(741)、ローパス
フィルタ(742)を介して直流電源(743)が接続
されており、接続選択スイッチ(744)により周波数
の異なる電力が印加可能ときれている。反応室(733
)内の圧力は圧力制御弁(745)により調整可能であ
り、反応室(733)内の減圧は、排気系選択弁(74
6)を介して、拡散ポンプ(747) 、油回転ポンプ
(748) 、或は、冷却除外装置(749) 、メカ
ニカルブースターポンプ(750)、油回転ポンプ(7
48)により行なわれる。排ガスについては、ざらに適
当な除外装置(753)により安全無害化した後、大気
中に排気される。これら排気系配管についても、常温に
おいて液相またば固相状態にあった原料化合物が気化し
たガスが、途中で凝結しないように、適宜配置された配
管加熱! (734)により、与熱可能とされている。
反応室(733)も同様の理由から反応室加熱器(75
1’)により与熱可能とされ、内部に配された電極上に
導電性基板(752)が設置される。第7図において導
電性基板(752)は接地電極(735)に固定して配
されているが、電力印加電極(736)に固定して配さ
れてもよく、ざらに双方に配きれてもよい。
1’)により与熱可能とされ、内部に配された電極上に
導電性基板(752)が設置される。第7図において導
電性基板(752)は接地電極(735)に固定して配
されているが、電力印加電極(736)に固定して配さ
れてもよく、ざらに双方に配きれてもよい。
第8図は本発明に係わる感光体の製造装置の別の一形態
を示し、反応室(833)内部の形態以外は、第7図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様であり、
付記された番号は、700番台のものを800番台に置
キ換えて解すればよい。第8図において、反応室(83
3)内部には、第7図における接地電極(735)を兼
ねた円筒形の導電性基板(852)が設置され、内側に
は電極加熱式(837)が配されている。導電性基板(
852)周囲には同じく円筒形状をした電力印加電極(
836)が配され、外側には電極加熱器(837)が配
されている。導電性基板(852)は、外部より駆動モ
ータ(854)を用いて自転可能となっている。
を示し、反応室(833)内部の形態以外は、第7図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様であり、
付記された番号は、700番台のものを800番台に置
キ換えて解すればよい。第8図において、反応室(83
3)内部には、第7図における接地電極(735)を兼
ねた円筒形の導電性基板(852)が設置され、内側に
は電極加熱式(837)が配されている。導電性基板(
852)周囲には同じく円筒形状をした電力印加電極(
836)が配され、外側には電極加熱器(837)が配
されている。導電性基板(852)は、外部より駆動モ
ータ(854)を用いて自転可能となっている。
感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め1
0−4乃至1O−6Torr程度にまで減圧し、真空度
の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配きれ
た導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板に
は、前述の如き感光体構成の中から所望の構成を得るた
めに、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷発
生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電荷
発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を用
いてもよい。次いで、第1乃至第6タンク及び第1乃至
第3容器から、原料ガスを適宜第1乃至第9流量制御器
を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調箇
弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流景が
安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば高周波
電源を選択し、電力印加電極に高周波電力を投入する。
0−4乃至1O−6Torr程度にまで減圧し、真空度
の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配きれ
た導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板に
は、前述の如き感光体構成の中から所望の構成を得るた
めに、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷発
生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電荷
発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を用
いてもよい。次いで、第1乃至第6タンク及び第1乃至
第3容器から、原料ガスを適宜第1乃至第9流量制御器
を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調箇
弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流景が
安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば高周波
電源を選択し、電力印加電極に高周波電力を投入する。
両電極間には放電が開始され、時間と共に基板上に固相
の膜が形成される。a−3i膜或はa−C膜は、原料ガ
スを代える事により任意に形成可能である。放電を一旦
停止し、原料ガス組成を変更した後、再び放電を再開す
れば異なる組成の膜を積層する事ができる。また、放電
を持続させながら原料ガス流量だけを徐々に代え、異な
る組成の膜を勾配を持たせながら積層する事も可能であ
る。
の膜が形成される。a−3i膜或はa−C膜は、原料ガ
スを代える事により任意に形成可能である。放電を一旦
停止し、原料ガス組成を変更した後、再び放電を再開す
れば異なる組成の膜を積層する事ができる。また、放電
を持続させながら原料ガス流量だけを徐々に代え、異な
る組成の膜を勾配を持たせながら積層する事も可能であ
る。
反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚並びに積層構
成に達したところで放電を停止し、本発明による感光体
を得る。次いで、第1乃至第9調節弁を閉じ、反応室内
を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得られる
場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明によ
る感光体を取り出す。更に所望の感光体構成において、
電荷発生層或はオーバーコート層が必要とされる場合に
は、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦真空を
破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け、本発
明による感光体を得る。
成に達したところで放電を停止し、本発明による感光体
を得る。次いで、第1乃至第9調節弁を閉じ、反応室内
を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得られる
場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明によ
る感光体を取り出す。更に所望の感光体構成において、
電荷発生層或はオーバーコート層が必要とされる場合に
は、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦真空を
破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け、本発
明による感光体を得る。
以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。
叉旋盟上
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を1O−6Torr程度の高真空
にした後、第1調節弁(707)、及び第4調節弁(7
10)を解放し、第1タンク(701)より水素ガス、
及び第4タンク(704)より水素ガスで1600pp
mに希釈したジボランガスを各々出力圧1.0Kg/c
m2の下で第1、及び第4流量制罪器(713、及び7
16)内へ流入させた。同時に、第1容器(719)よ
りスチレンガスを第1温調器(722)温度35℃のも
と第7流量制御II器(728)内へ流入させた。
装置(733)の内部を1O−6Torr程度の高真空
にした後、第1調節弁(707)、及び第4調節弁(7
10)を解放し、第1タンク(701)より水素ガス、
及び第4タンク(704)より水素ガスで1600pp
mに希釈したジボランガスを各々出力圧1.0Kg/c
m2の下で第1、及び第4流量制罪器(713、及び7
16)内へ流入させた。同時に、第1容器(719)よ
りスチレンガスを第1温調器(722)温度35℃のも
と第7流量制御II器(728)内へ流入させた。
各流量制御器を用いて、水素ガスの流量を40secm
、水素ガスで1600ppmに希釈したジボランガスの
流量を10105e、及びスチレンガスの流量を40s
ecmとなるように設定して、途中混合器(731)を
介して、主管(732)より反応室(733)内へ流入
した。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内
の圧力が2゜0Torrとなるように圧力調節弁(74
5)を調整した。一方、導電性基板(752)としては
、樅50X横50×厚3mmのアルミニウム基板を用い
て、予め200℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が
安定した状態で、予め接続選択スイッチ(744)によ
り接続しておいた低周波電源(741)を投入し、電力
印加電極(736)に150Wattの電力を周波数3
0KHzの下で印加して約1時間30分プラズマ重合反
応を行ない、導電性基板(752)上に厚き15μmの
a−C膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、
電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内
を充分に排気した。
、水素ガスで1600ppmに希釈したジボランガスの
流量を10105e、及びスチレンガスの流量を40s
ecmとなるように設定して、途中混合器(731)を
介して、主管(732)より反応室(733)内へ流入
した。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内
の圧力が2゜0Torrとなるように圧力調節弁(74
5)を調整した。一方、導電性基板(752)としては
、樅50X横50×厚3mmのアルミニウム基板を用い
て、予め200℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が
安定した状態で、予め接続選択スイッチ(744)によ
り接続しておいた低周波電源(741)を投入し、電力
印加電極(736)に150Wattの電力を周波数3
0KHzの下で印加して約1時間30分プラズマ重合反
応を行ない、導電性基板(752)上に厚き15μmの
a−C膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、
電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内
を充分に排気した。
以上のようにして得られたa −C膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して47原子%であった。また
、IMA分析より含有される硼素原子の量は全構成原子
に対して100原子ppmであった。
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して47原子%であった。また
、IMA分析より含有される硼素原子の量は全構成原子
に対して100原子ppmであった。
電荷発生層形成工程:
次いで、第1調節弁(707) 、第2調節弁(708
) 、及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク
(701)からアルゴンガス、第2タンク(702)か
ら四弗化シランガス、及び第6タンク(706)からシ
ランガスを、出力圧IKg / c m 2の下で第1
、第2、及び第6流量制御器(713,714、及び7
18)内へ流入させた。
) 、及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク
(701)からアルゴンガス、第2タンク(702)か
ら四弗化シランガス、及び第6タンク(706)からシ
ランガスを、出力圧IKg / c m 2の下で第1
、第2、及び第6流量制御器(713,714、及び7
18)内へ流入させた。
各流量制御器の目盛を調整してアルゴンガスの流量を1
50secm、四弗化シランガスの流量を50sccm
、及びシランガスの流量を50SCcmに設定し、反応
室(733)内に流入させた。
50secm、四弗化シランガスの流量を50sccm
、及びシランガスの流量を50SCcmに設定し、反応
室(733)内に流入させた。
各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力
が0.8Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、a −C膜が形成されている導電性基
板(752)は、250℃に加熱しておき、ガス流量及
び圧力が安定した状態で、高周波電源(739)より周
波数13.56MH2の下で電力印加電極(736)に
35Wattの電力を印加し、グロー放電を発生させた
。この放電を5分間行ない、厚さ0.3μmの電荷発生
層を得た。
が0.8Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、a −C膜が形成されている導電性基
板(752)は、250℃に加熱しておき、ガス流量及
び圧力が安定した状態で、高周波電源(739)より周
波数13.56MH2の下で電力印加電極(736)に
35Wattの電力を印加し、グロー放電を発生させた
。この放電を5分間行ない、厚さ0.3μmの電荷発生
層を得た。
得られたa−3t膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所製EMGA−1300)及びオージェ分析を行なっ
たところ、含有される水素原子は全構成原子に対して1
5原子%、並びに、含有される弗素原子は全構成原子に
対して5原子%であった。
作所製EMGA−1300)及びオージェ分析を行なっ
たところ、含有される水素原子は全構成原子に対して1
5原子%、並びに、含有される弗素原子は全構成原子に
対して5原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如伊性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一720V (+650V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は47V/μm (42V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。
電並びに正帯電で用いたところ次の如伊性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一720V (+650V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は47V/μm (42V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約14秒(約12
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は2.0ルツク
ス・秒(1,9ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約14秒(約12
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は2.0ルツク
ス・秒(1,9ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
去施男旦
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を1O−6Torr程度の高真空
にした後、第11節弁(707)、第2調節弁(708
)、及び第4調節弁(710)を解放し、第1タンク(
701)より水素ガス、第2タンク(702)からエチ
レンガス、及び第4タンク(704)より水素ガスで6
0ppmに希釈したジボランガスを各々出力圧1.0K
g/cm2の下で第11第2、及び第4流量制御器(7
13,714、及び716)内へ流入させた。各流量制
御器を用いて、水素ガスの流量を60secm、水素ガ
スで50ppmに希釈したジボランガスの流量を20s
ecm、及びエチレンガスの流量を60secmとなる
ように設定して、途中混合器(731)を介して、主管
(732)より反応室(733)内へ流入した。各々の
流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力が1.
8Torrとなるように圧力調節弁(745)を調整し
た。一方、導電性基板(752)としては、縦50×横
50×厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予め22
0℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態
で、予め接続選択スイッチ(744)により接続してお
いた高周波電源(739)を投入し、電力印加電極(7
36)に150Wattの電力を周波数13.56MH
zの下で印加して約9時間プラズマ重合反応を行ない、
導電性基板(752)上に厚さ15μmのa −〇Rを
電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を
停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排
気した。
装置(733)の内部を1O−6Torr程度の高真空
にした後、第11節弁(707)、第2調節弁(708
)、及び第4調節弁(710)を解放し、第1タンク(
701)より水素ガス、第2タンク(702)からエチ
レンガス、及び第4タンク(704)より水素ガスで6
0ppmに希釈したジボランガスを各々出力圧1.0K
g/cm2の下で第11第2、及び第4流量制御器(7
13,714、及び716)内へ流入させた。各流量制
御器を用いて、水素ガスの流量を60secm、水素ガ
スで50ppmに希釈したジボランガスの流量を20s
ecm、及びエチレンガスの流量を60secmとなる
ように設定して、途中混合器(731)を介して、主管
(732)より反応室(733)内へ流入した。各々の
流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力が1.
8Torrとなるように圧力調節弁(745)を調整し
た。一方、導電性基板(752)としては、縦50×横
50×厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予め22
0℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態
で、予め接続選択スイッチ(744)により接続してお
いた高周波電源(739)を投入し、電力印加電極(7
36)に150Wattの電力を周波数13.56MH
zの下で印加して約9時間プラズマ重合反応を行ない、
導電性基板(752)上に厚さ15μmのa −〇Rを
電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を
停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排
気した。
以上のようにして得られたa−C膜につき有機元素分析
を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して41原子%であった。また、
IMA分析より含有される硼素原子の量は全構成原子に
対して20原子ppmであった。
を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して41原子%であった。また、
IMA分析より含有される硼素原子の量は全構成原子に
対して20原子ppmであった。
電荷発生層形成工程:
次いで、第1調節弁(707) 、及び第6調節弁(7
12)を解放し、第1タンク(701)から水素ガス、
及び第6タンク(706)からシランガスを、出力圧I
Kg/cm2の下で第11及び第6′tC量制陣器(7
13、及び718)内へ流入させた。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を200secm、及びシ
ランガスの流量を101005eに設定し、反応室(7
33)内に流入させた。各々の流量が安定した後に、反
応室(733)内の圧力が0.8Torrとなるように
圧力調節弁(745)を調整した。一方、a−C膜が形
成されている導電性基板(752)は、250℃に加熱
しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周波
電源(739)より周波数13.56MHzの下で電力
印加電極(736)に35Wattの電力を印加し、グ
ロー放電を発生させた。この放電を5分間行ない、厚ざ
0.3μmの電荷発生層を得た。
12)を解放し、第1タンク(701)から水素ガス、
及び第6タンク(706)からシランガスを、出力圧I
Kg/cm2の下で第11及び第6′tC量制陣器(7
13、及び718)内へ流入させた。各流量制御器の目
盛を調整して水素ガスの流量を200secm、及びシ
ランガスの流量を101005eに設定し、反応室(7
33)内に流入させた。各々の流量が安定した後に、反
応室(733)内の圧力が0.8Torrとなるように
圧力調節弁(745)を調整した。一方、a−C膜が形
成されている導電性基板(752)は、250℃に加熱
しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周波
電源(739)より周波数13.56MHzの下で電力
印加電極(736)に35Wattの電力を印加し、グ
ロー放電を発生させた。この放電を5分間行ない、厚ざ
0.3μmの電荷発生層を得た。
得られたa−SiFAにつき、金属中ONH分析(板場
製作所製EMGA−1300)及びオージェ分析を行な
ったところ、含有される水素原子は全構成原子に対して
20原子%であった。
製作所製EMGA−1300)及びオージェ分析を行な
ったところ、含有される水素原子は全構成原子に対して
20原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一550V (+650■)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は36■/μm(43V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一550V (+650■)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は36■/μm(43V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約14秒(約16
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は1.3ルツク
ス・秒(1,フルックス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約14秒(約16
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたところ必要とされた光量は1.3ルツク
ス・秒(1,フルックス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
叉施伝旦
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を10−’Torr程度の高真空
にした後、第1調節弁(707)、第2調節弁(708
) 、及び第4調節弁(710)を解放し、第1タンク
(701)より水素ガス、第2タンク(702)からア
セチレンガス、及び第4タンク(704)より水素ガス
で4500ppmに希釈したジボランガスを各々出力圧
1.0Kg/cm2の下で第1、第2、及び第4流量制
都器(713,714、及び716)内へ流入させた。
装置(733)の内部を10−’Torr程度の高真空
にした後、第1調節弁(707)、第2調節弁(708
) 、及び第4調節弁(710)を解放し、第1タンク
(701)より水素ガス、第2タンク(702)からア
セチレンガス、及び第4タンク(704)より水素ガス
で4500ppmに希釈したジボランガスを各々出力圧
1.0Kg/cm2の下で第1、第2、及び第4流量制
都器(713,714、及び716)内へ流入させた。
各流量制御器を用いて、水素ガスの流量を105105
se水素ガスで4500ppmに希釈したジボランガス
の流量を80secm、及びアセチレンガスの流量を4
5secmとなるように設定して、途中混合!(731
)を介して、主管(732)より反応室(733)内へ
流入した。
se水素ガスで4500ppmに希釈したジボランガス
の流量を80secm、及びアセチレンガスの流量を4
5secmとなるように設定して、途中混合!(731
)を介して、主管(732)より反応室(733)内へ
流入した。
各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力
が2.0Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、導電性基板(752)としては、$i
!50X横50×厚3mmのアルミニウム基板を用いて
、予め200℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安
定した状態で、予め接続選択スイッチ(744)により
接続しておいた高周波電源(739)を投入し、電力印
加電極(736)に150Wattの電力を周波数13
゜56MHzの下で印加して約2時開平プラズマ重合反
応を行ない、導電性基板(752)上に厚き15μmの
a−σ膜を電荷輸送層として形成した。
が2.0Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、導電性基板(752)としては、$i
!50X横50×厚3mmのアルミニウム基板を用いて
、予め200℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安
定した状態で、予め接続選択スイッチ(744)により
接続しておいた高周波電源(739)を投入し、電力印
加電極(736)に150Wattの電力を周波数13
゜56MHzの下で印加して約2時開平プラズマ重合反
応を行ない、導電性基板(752)上に厚き15μmの
a−σ膜を電荷輸送層として形成した。
成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応
室(733)内を充分に排気した。
室(733)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたa −C膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して34原子%であった。また
、IMA分析より含有される硼素原子の量は全構成原子
に対して8o00原子ppmであった。
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して34原子%であった。また
、IMA分析より含有される硼素原子の量は全構成原子
に対して8o00原子ppmであった。
電荷発生層形成工程:
次イテ、第1FA節弁(707) 、第2g1iJ節弁
(708)、及び第6調節弁(712)を解放し、第1
タンク(701)から水素ガス、第2タンク(702)
から四弗化シランガス、及び第6タンク(706)から
シランガスを、出力圧IKg/cm2の下で第1、第2
、及び第6流量flJ御器(713,714、及び71
8)内へ流入させた。各流量制御器の目盛を調整して水
素ガスの流量を200secm、四弗化シランガスの流
量を25sCCmN及びシランガスの流量を75sec
mに設定し、反応室(733)内に流入させた。各々の
流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力が0.
8Torrとなるように圧力調節弁(745)を調整し
た。一方、a−C膜が形成されている導電性基板(75
2)は、250℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が
安定した状態で、高周波電源(739)より周波数13
.56MHzの下で電力印加電極(736)に35Wa
ttの電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放
電を5分間行ない、厚さ0.3μmの電荷発生層を得た
。
(708)、及び第6調節弁(712)を解放し、第1
タンク(701)から水素ガス、第2タンク(702)
から四弗化シランガス、及び第6タンク(706)から
シランガスを、出力圧IKg/cm2の下で第1、第2
、及び第6流量flJ御器(713,714、及び71
8)内へ流入させた。各流量制御器の目盛を調整して水
素ガスの流量を200secm、四弗化シランガスの流
量を25sCCmN及びシランガスの流量を75sec
mに設定し、反応室(733)内に流入させた。各々の
流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力が0.
8Torrとなるように圧力調節弁(745)を調整し
た。一方、a−C膜が形成されている導電性基板(75
2)は、250℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が
安定した状態で、高周波電源(739)より周波数13
.56MHzの下で電力印加電極(736)に35Wa
ttの電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放
電を5分間行ない、厚さ0.3μmの電荷発生層を得た
。
得られたa−3i膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所製EMGA−1300)及びオージェ分析を行なっ
たところ、含有される水素原子は全構成原子に対して1
8原子%、並びに、含有される弗素原子は全構成原子に
対して2原子%であった。
作所製EMGA−1300)及びオージェ分析を行なっ
たところ、含有される水素原子は全構成原子に対して1
8原子%、並びに、含有される弗素原子は全構成原子に
対して2原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一760V (+530V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は49V/μm(35V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一760V (+530V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は49V/μm(35V/μm)と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約27秒(約10
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は3.3ルツク
ス・秒(1,3ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約27秒(約10
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は3.3ルツク
ス・秒(1,3ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
去塵斑歪
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を1O−6Torr程度の高真空
にした後、第1調節弁(707)、第2調節弁(708
)、及び第4調節弁(710)を解放し、第1タンク(
701)より水素ガス、第2タンク(702)からブタ
ジェンガス、及び第4タンク(704)より水素ガスで
12%に希釈したジボランガスを各々出力圧1.0Kg
/cm2の下で第1、第2、及び第4流量制扉器(71
3,714、及び716)内へ流入させた。各流量制御
器を用いて、水素ガスの流量を60secm1水素ガス
で12%に希釈したジボランガスの流量を20SCCm
、及びブタジェンガスの流量を60secmとなるよう
に設定して、途中混合器(731)を介して、主管(7
32)より反応室(733)内へ流入した。各々の流量
が安定した後に、反応室(733)内の圧力が1.9T
。
装置(733)の内部を1O−6Torr程度の高真空
にした後、第1調節弁(707)、第2調節弁(708
)、及び第4調節弁(710)を解放し、第1タンク(
701)より水素ガス、第2タンク(702)からブタ
ジェンガス、及び第4タンク(704)より水素ガスで
12%に希釈したジボランガスを各々出力圧1.0Kg
/cm2の下で第1、第2、及び第4流量制扉器(71
3,714、及び716)内へ流入させた。各流量制御
器を用いて、水素ガスの流量を60secm1水素ガス
で12%に希釈したジボランガスの流量を20SCCm
、及びブタジェンガスの流量を60secmとなるよう
に設定して、途中混合器(731)を介して、主管(7
32)より反応室(733)内へ流入した。各々の流量
が安定した後に、反応室(733)内の圧力が1.9T
。
rrとなるように圧力調節弁(745)を調整した。一
方、導電性基板(752)としては、樅50X横50×
厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予め220t’
に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、
予め接続選択スイッチ(744)により接続しておいた
低周波電源(741)を投入し、電力印加電極(736
)に160Wattの電力を周波数400KHzの下で
印加して約45分間プラズマ重合反応を行ない、導電性
基板(752)上に厚さ15μmのa−C膜を電荷輸送
層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、
調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気した。
方、導電性基板(752)としては、樅50X横50×
厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予め220t’
に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、
予め接続選択スイッチ(744)により接続しておいた
低周波電源(741)を投入し、電力印加電極(736
)に160Wattの電力を周波数400KHzの下で
印加して約45分間プラズマ重合反応を行ない、導電性
基板(752)上に厚さ15μmのa−C膜を電荷輸送
層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、
調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたa−C膜につき有機元素分析
を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して40原子%であった。また、
IMA分析より含有される硼素原子の量は全構成原子に
対して20000原子ppmであった。
を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して40原子%であった。また、
IMA分析より含有される硼素原子の量は全構成原子に
対して20000原子ppmであった。
電荷発生層形成工程:
次いで、第1調節弁(707)、第2調節弁(708)
、及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(7
01)から水素ガス、第2タンク(702)から四弗化
シランガス、及び第6タンク(706)からシランガス
を、出力圧IKg/cm2の下で第1、第2、及び第6
流量制御器(713,714、及び718)内へ流入さ
せた。各流旦制罪器の目盛を調整して水素ガスの流量を
200secm、四弗化シランガスの流量を75sCC
In s及びシランガスの流量を25secmに設定し
、反応室(733)内に流入させた。各々の流量が安定
した後に、反応室(733)内の圧力が0.8Torr
となるように圧力調節弁(745)を調整した。一方、
a−C膜が形成されている導電性基板(752)は、2
50℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状
態で、高周波型1(739)より周波数13.56MH
zの下で電力印加電極(736)に35Wattの電力
を印加し、グロー放電を発生させた。この放電を5分間
行ない、厚き0.3μmの電荷発生層を得た。
、及び第6調節弁(712)を解放し、第1タンク(7
01)から水素ガス、第2タンク(702)から四弗化
シランガス、及び第6タンク(706)からシランガス
を、出力圧IKg/cm2の下で第1、第2、及び第6
流量制御器(713,714、及び718)内へ流入さ
せた。各流旦制罪器の目盛を調整して水素ガスの流量を
200secm、四弗化シランガスの流量を75sCC
In s及びシランガスの流量を25secmに設定し
、反応室(733)内に流入させた。各々の流量が安定
した後に、反応室(733)内の圧力が0.8Torr
となるように圧力調節弁(745)を調整した。一方、
a−C膜が形成されている導電性基板(752)は、2
50℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状
態で、高周波型1(739)より周波数13.56MH
zの下で電力印加電極(736)に35Wattの電力
を印加し、グロー放電を発生させた。この放電を5分間
行ない、厚き0.3μmの電荷発生層を得た。
得られたa−Sf膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所製EMGA−1300)及びオージェ分析を行なっ
たところ、含有される水素原子は全構成原子に対して1
3原子%、並びに、含有される弗素原子は全構成原子に
対して7原子%であフた。
作所製EMGA−1300)及びオージェ分析を行なっ
たところ、含有される水素原子は全構成原子に対して1
3原子%、並びに、含有される弗素原子は全構成原子に
対して7原子%であフた。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一960V C+410V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることからIttm当
りの帯電能は63■/μm(27V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれ
た。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一960V C+410V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることからIttm当
りの帯電能は63■/μm(27V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれ
た。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約33秒(約7秒
)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する事
が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後、
白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にまで
明減衰させたとこる必要とされた光量は7.1ルツクス
・秒(1゜3ルツクス・秒)であり、このことから充分
な光感度性能を有する事が理解された。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約33秒(約7秒
)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する事
が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後、
白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にまで
明減衰させたとこる必要とされた光量は7.1ルツクス
・秒(1゜3ルツクス・秒)であり、このことから充分
な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理Mきれる。
として優れた性能を有するものである事が理Mきれる。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
寒旅健旦
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1調節弁(707)、及び第4調節弁
(710)をM放し、第1タンク(701)より水素ガ
ス、及び第4タンク(704)より水素ガスで2000
ppmに希釈したホスフィンガスを各々出力圧1.0K
g/cm2の下で第1、及び第4流量制御器(713、
及び716)内へ流入させた。同時に、第1容器(71
9)よりミルセンガスを第1温m器(722)温度48
℃のもと第7流量制併器(728)内へ流入させた。各
流量制御器を用いて、水素ガスの流量を20secm、
水素ガスで2000ppmに希釈したホスフィンガスの
流量を30secms及びミルセンガスの流量を20s
ecmとなるように設定して、途中混合器(731)を
介して、主管(732)より反応室(733)内へ流入
した。
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1調節弁(707)、及び第4調節弁
(710)をM放し、第1タンク(701)より水素ガ
ス、及び第4タンク(704)より水素ガスで2000
ppmに希釈したホスフィンガスを各々出力圧1.0K
g/cm2の下で第1、及び第4流量制御器(713、
及び716)内へ流入させた。同時に、第1容器(71
9)よりミルセンガスを第1温m器(722)温度48
℃のもと第7流量制併器(728)内へ流入させた。各
流量制御器を用いて、水素ガスの流量を20secm、
水素ガスで2000ppmに希釈したホスフィンガスの
流量を30secms及びミルセンガスの流量を20s
ecmとなるように設定して、途中混合器(731)を
介して、主管(732)より反応室(733)内へ流入
した。
各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力
が1.2Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、導電性基板(752)としては、樅5
0X横50X厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予
め200℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接!3!選択スイッチ(744)により
接続しておいた低周波電源(741)を投入し、電力印
加電極(736)に150Wattの電力を周波数40
KHzの下で印加して約3時間15分プラズマ重合反応
を行ない、導電性基板(752)上に厚き15μmのa
−C膜を電荷輸送層として形成した。
が1.2Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、導電性基板(752)としては、樅5
0X横50X厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予
め200℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接!3!選択スイッチ(744)により
接続しておいた低周波電源(741)を投入し、電力印
加電極(736)に150Wattの電力を周波数40
KHzの下で印加して約3時間15分プラズマ重合反応
を行ない、導電性基板(752)上に厚き15μmのa
−C膜を電荷輸送層として形成した。
成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応
室(733)内を充分に排気した。
室(733)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたa −C膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して43原子%であった。また
、IMA分析より含有される燐原子の量は全構成原子に
対して300原子ppmであった。
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して43原子%であった。また
、IMA分析より含有される燐原子の量は全構成原子に
対して300原子ppmであった。
電荷発生層形成工程:
次いで、第1調節弁(707) 、及び第2調節弁(7
08)を解放し、第1タンク(701)から水素ガス、
第2タンク(702)から四弗化シランガスを、出力圧
IKg/cm2の下で第1、及び第2流量制御器(71
3、及び718)内へ流入させた。各流量制罪器の目盛
を調整して水素ガスの流量を101005e、及び四弗
化シランガスの流量を101005eに設定し、反応室
(733)内に流入させた。各々の流量が安定した後に
、反応室(733)内の圧力が0.8Torrとなるよ
うに圧力調節弁(745)を調整した。
08)を解放し、第1タンク(701)から水素ガス、
第2タンク(702)から四弗化シランガスを、出力圧
IKg/cm2の下で第1、及び第2流量制御器(71
3、及び718)内へ流入させた。各流量制罪器の目盛
を調整して水素ガスの流量を101005e、及び四弗
化シランガスの流量を101005eに設定し、反応室
(733)内に流入させた。各々の流量が安定した後に
、反応室(733)内の圧力が0.8Torrとなるよ
うに圧力調節弁(745)を調整した。
一方、a−C7’Jが形成されている導電性基板(75
2)は、250℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が
安定した状態で、高周波電源(739)より周波数13
.56MHzの下で電力印加電極(736)に35Wa
ttの電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放
電を5分間行ない、厚き0.3μmの電荷発生層を得た
。
2)は、250℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が
安定した状態で、高周波電源(739)より周波数13
.56MHzの下で電力印加電極(736)に35Wa
ttの電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放
電を5分間行ない、厚き0.3μmの電荷発生層を得た
。
得られたa−Si膜につき、金属中ONH分析(板場製
作所製EMGA−1300)及びオージェ分析を行なっ
たところ、含有される水素原子は全構成原子に対して1
0原子%、並びに、含有される弗素原子は全構成原子に
対して10原子%であった。
作所製EMGA−1300)及びオージェ分析を行なっ
たところ、含有される水素原子は全構成原子に対して1
0原子%、並びに、含有される弗素原子は全構成原子に
対して10原子%であった。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一590V (+880V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は39■/μm (58V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一590V (+880V)で有り、即ち、
全感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当り
の帯電能は39■/μm (58V/μm)と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約9秒(約16秒
)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する事
が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後、
白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にまで
明減衰させたところ必要とされた光量は1.フルックス
・秒(5゜6ルツクス・秒)であり、このことから充分
な光感度性能を有する事が理解された。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約9秒(約16秒
)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する事
が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後、
白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にまで
明減衰させたところ必要とされた光量は1.フルックス
・秒(5゜6ルツクス・秒)であり、このことから充分
な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
実施倒旦
本発明に係わる製造装置を用いて、第1図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第7図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1調節弁(707)、第2調節弁(7
08) 、及び第4調節弁(710)を解放し、第1タ
ンク(701)より水素ガス、第2タンク(702)か
らブタジェンガス、及び第4タンク(704)より水素
ガスで12000ppmに希釈したジボランガスを各々
出力圧1゜OKg/cm2の下で第1、第2、及び第4
流量制罪器(713,714、及び716)内へ流入さ
せた。各流量制御器を用いて、水素ガスの流量を60s
ecm、水素ガスで12000ppmに希釈したジボラ
ンガスの流量をesccm、及びブタジェンガスの流量
を60secmとなるように設定して、途中混合器(7
31)を介して、主管(732)より反応室(733)
内へ流入した。
装置(733)の内部を10−6To r r程度の高
真空にした後、第1調節弁(707)、第2調節弁(7
08) 、及び第4調節弁(710)を解放し、第1タ
ンク(701)より水素ガス、第2タンク(702)か
らブタジェンガス、及び第4タンク(704)より水素
ガスで12000ppmに希釈したジボランガスを各々
出力圧1゜OKg/cm2の下で第1、第2、及び第4
流量制罪器(713,714、及び716)内へ流入さ
せた。各流量制御器を用いて、水素ガスの流量を60s
ecm、水素ガスで12000ppmに希釈したジボラ
ンガスの流量をesccm、及びブタジェンガスの流量
を60secmとなるように設定して、途中混合器(7
31)を介して、主管(732)より反応室(733)
内へ流入した。
各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力
が2.ITorrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、導電性基板(752)としては、縦5
0×横50×厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予
め170℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ(744)により接続
しておいた低周波電源(741)を投入し、電力印加電
極(736)に130Wattの電力を周波数400K
Hzの下で印加して約40分間プラズマ重合反応を行な
い、導電性基板(752)上に厚ざ15μmのa−CP
Jを電荷輸送層として形成した。
が2.ITorrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、導電性基板(752)としては、縦5
0×横50×厚3mmのアルミニウム基板を用いて、予
め170℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ(744)により接続
しておいた低周波電源(741)を投入し、電力印加電
極(736)に130Wattの電力を周波数400K
Hzの下で印加して約40分間プラズマ重合反応を行な
い、導電性基板(752)上に厚ざ15μmのa−CP
Jを電荷輸送層として形成した。
成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応
室(733)内を充分に排気した。
室(733)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたa −C膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して56原子%であった。また
、IMA分析より含有される硼素原子の量は全構成原子
に対して900原子ppmであった。
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して56原子%であった。また
、IMA分析より含有される硼素原子の量は全構成原子
に対して900原子ppmであった。
電荷発生層形成工程:
実施例1と同様にして本発明による感光体の電荷発生層
を形成した。
を形成した。
特性:
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位ば一590V(+530V)で有り、即ち、全
感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当りの
帯電能は39V/μm(35V/μm)と極めて高く、
このことから充分な帯電性能を有する事が理解された。
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位ば一590V(+530V)で有り、即ち、全
感光体膜厚が15゜3μmであることから1μm当りの
帯電能は39V/μm(35V/μm)と極めて高く、
このことから充分な帯電性能を有する事が理解された。
また、暗中にてVmaxからVmaxの90%の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約20秒(約11
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は2.0ルツク
ス・秒(1,4ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
位にまで暗減衰するのに要した時間は約20秒(約11
秒)であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の20%の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は2.0ルツク
ス・秒(1,4ルツクス・秒)であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。
として優れた性能を有するものである事が理解される。
また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。
第1図乃至第6図は本発明感光体の構成を示す図面、第
7図乃至第8図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。 出願人 ミノルタカメラ株式会社 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 手続補正書 昭和62年10月21日 昭和61年特許WI第1;/−22?405号2、発明
の名称 感光体 3、補正をする者 事件との関係 出願人 住所 大阪市東区安土町2丁目30番地 大阪国際ビル
名称 (607) ミノルタカメラ株式会社6、補
正の内容 図面第8図を「訂正第8図」の通り補正します。
7図乃至第8図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。 出願人 ミノルタカメラ株式会社 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 手続補正書 昭和62年10月21日 昭和61年特許WI第1;/−22?405号2、発明
の名称 感光体 3、補正をする者 事件との関係 出願人 住所 大阪市東区安土町2丁目30番地 大阪国際ビル
名称 (607) ミノルタカメラ株式会社6、補
正の内容 図面第8図を「訂正第8図」の通り補正します。
Claims (1)
- 電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型感光体に
おいて、該電荷輸送層は燐原子及び硼素原子のうち少な
くとも一方を含有してなる水素化アモルファスカーボン
膜であり、かつ、該電荷発生層は水素化或は弗素化アモ
ルファスシリコン膜であることを特徴とする感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22940586A JPS6382433A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22940586A JPS6382433A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6382433A true JPS6382433A (ja) | 1988-04-13 |
Family
ID=16891695
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22940586A Pending JPS6382433A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6382433A (ja) |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP22940586A patent/JPS6382433A/ja active Pending
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