JPS6381479A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する感光体に
関する。

従米技街 カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発さ
れ実用化されてきた。

従来用いられて来た電子写真感光体材料の主なものとし
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化ｇｌ鉛、アモルファスシリコン等の無
機物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン
、ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリ
フェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒ
ドラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、
オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有
機物質が挙げられる。また、その構成形態としては、こ
れらの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散
させて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と
電荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。

しかしながら、従来用いられて来た電子写真感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝された場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。

このような欠点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐
久性に富んだ材料として、グロー放電法により生成きれ
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しかし、アモルファスシリコンは、原料
としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガス
であることから、出来上がった電子写真感光体も従来の
感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、成膜速度
が遅く、成膜時間の増大に伴い爆発性を有するシラン未
分解生成物を粉塵状に発生する等、生産上の不都合も多
い。また、この粉塵が製造時に感光層中に混入した場合
には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。ざらに、アモ
ルファスシリコンは、元来、比Ｍ電率が高いため帯電性
能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電するために
は膜厚を厚くする必要があり、高価なアモルファスシリ
コン膜を長時間堆積させなくてはならない。

ところでアモルファスカーボンＨ自体は、プラズマ有機
重合膜として古くより知られており、例えばジエン（Ｍ
、５ｈｅｎ）及びベル（Δ、Ｔ。

Ｂｅ１ｌ）により、１９７３年発行ののジャーナル・オ
ブ・アプライド・ポリマー・サイエンス（Ｊｏｕｒｎａ
ｌ　　ｏｆ　　Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐ。

ｌｙｍｅｒ　　５ｃｉｅｎｃｅ）第１７巻の第８８５頁
乃至第８９２頁において、あらゆる有機化合物のガスか
ら作製され得る事が、また、同著者により、１９７９年
のアメリカンケミカルソサエティ　　（Ａｍｅｒｉｃａ
ｎ　　ＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ）発行によるプ
ラズマボリマライゼーション（Ｐｌａｓｍａ　　Ｐｏｌ
ｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）の中でもその成膜性が論じら
れている。

しかしながら従来の方法で作製したプラズマ有機重合膜
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの膜は通常のポリエチレン膜の如＜１０”Ωｃｍ程度
の比抵抗を有する絶縁膜と考えられ、或は、少なくとも
そのような膜であるとの認識のもとに用いられていた。

実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識から
、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁層に限
られており、所謂アンダーコート層もしくはオーバーコ
ート層としてしか用いられていなかった。

例えば、特開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５
９−３８７５３号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成される１０１３〜１０ＩｓΩＣｍの高抵抗のプラズマ
重合膜をｌｏλ〜１００人設けた上にアモルファスシリ
コン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５９−
１３６７４２号公報には、アルミ基板上に設けたアモル
ファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散する
のを防止するための保護層として１〜５μｍ程度の炭素
膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示されている。

特開昭６０−６３５４１号公報には、アルミ基板とその
上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改善す
るために、接着層として２００人〜２μｍのダイヤモン
ド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留電荷
の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされている。

これらの開示は、何れも基板とアモルファスシリコン層
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、ａ−Ｓｉ
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。

また、例えば、特開昭５０−２０７２８号公報には、ポ
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層
としてグミ−放電重合によるポリマー膜を０．１〜１μ
ｍ設けた感光体が開示されている。特開昭５９−２１４
８５９号公報には、アモルファスシリコン感光体の表面
に保護層としてスチレンやアセチレン等の有機炭化水素
モノマーをプラズマ重合させて５μｍ程度の膜を形成き
せる技術が開示きれている。特開昭６０−６１７６１号
公報には、表面保護層として、５ｏ○入〜２μｍのダイ
ヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示され、導光性
の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされてでいる。

特開昭６０−２４９１１５号公報には、０．０５〜５μ
ｍ程度の無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層とし
て用いる技術が開示され、膜厚が５μｍを越えると感光
体活性に悪影響が及ぶとされている。

これらの開示は、何れも感光体表面に所謂オーバーコー
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、ａ−５ｆの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。

また、特開昭５１−４６１３０号公報には、ポリビニル
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なって０．００１〜３μｍｄ’）ポリマー膜を形成
せしめた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送
性については全く言及きれていないし、ａ−ｓｉの持つ
前記した本質的問題を解決するものではない。

一方、アモルファスシリコン膜については、スピア（Ｗ
、Ｅ、５ｐｅａｒ）及びレコンパ（Ｐ。

Ｇ、ＬｅＣｏｍｂｅｒ）により１９７６年発行のフィロ
ソフィカル・・マガジン（Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ
　　Ｍａｇａｚｉｎｅ）第３３巻の第９３５頁乃至第９
４９頁において、極性刺部が可能な材料である事が報じ
られて以来、種々の充電デバイスへの応用が試みられて
来た。感光体への応用に関しては、例えば、特開昭５６
−６２２５４号公報、特開昭５７−１１９３５６号公報
、特開昭５７−１７７１４７号公報、特開昭５７−１１
９３５７号公報、特開昭５７−１７７１４９号公報、特
開昭５７−１１９３５７号公報、特開昭５７−１７７１
４６号公報、特開昭５７−１７７１４８号公報、特開昭
５７−１７４４４８号公報、特開昭５７−１７４４４９
号公報、特開昭５７−１７４４５０号公報、等に、炭素
原子を含有したアモルファスシリコン感光体が開示され
ているが、何れもアモルファスシリコンの光導電性を炭
素原子により調整する事を目的としたものであり、また
、アモルファスシリコン自体厚い膜を必要としている。

口がゝしようとす鼾ヒ、 以上のように、従来、電子写真感光体に用いられている
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用されていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚も高々５ａｍ程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中を通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上問題にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で使用され
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。

本発明者らは、アモルファスカーボン膜の電子写真感光
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水素化アモルファスカーボン膜がシリコ
ン原子及びゲルマニウム原子のうち少なくとも一方を含
有せしめる事により、水素化或は弗素化アモルファスシ
リコンゲルマニウム膜との積層においては電荷輸送性を
有し、容易に好適な電子写真特性を示し始める事を見出
した。その理論的解釈には本発明者においても不明確な
点が多く詳細に亙り言及はできないが、シリコン原子及
びゲルマニウム原子のうち少なくとも一方を含有せしめ
た水素化アモルファスカーボン膜中に捕捉されている比
較的不安定なエネルギー状態の電子、例えばπ電子、不
対電子、残存フリーラジカル等が形成するバンド構造が
、水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウム
が形成するバンド構造と電導帯もしくは荷電子量におい
て近似したエネルギー準位を有するため、水素化或は弗
素化アモルファスシリコンゲルマニウム膜中で発生した
キャリアが容易にシリコン原子及びゲルマニウム原子の
うち少なくとも一方を含有せしめた水素化アモルファス
カーボン膜中へ注入きれ、ざらに、このキャリアは前述
の比較的不安定なエネルギー状態の電子の作用によりシ
リコン原子及びゲルマニウム原子のうち少なくとも一方
を含有せしめた水素化アモルファスカーボン膜中を好適
に走行し得るためと推定される。

本発明はその新たな知見を利用することにより、アモル
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的間：ａ点
を全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異な
る、有機プラズマ重合膜、特にシリコン原子及びゲルマ
ニウム原子のうち少なくとも一方を含有してなる水素化
アモルファスカーボン膜を電荷輸送層として使用し、か
つ、水素化或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウ
ムの薄膜を電荷発生層として使用した感光体を提供する
事を目的とする。

間２点を解ｌするための 即ち、本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成されるシリコン原子及びゲルマニウム原子
のうち少なくとも一方を含有してなる水素化アモルファ
スカーボン膜であり、かつ、該電荷発生層が水素化或は
弗素化アモルファスシリコンゲルマニウム膜であること
を特徴とする感光体に関する（以下、本発明による電荷
輸送層をａ−Ｃ膜及び電荷発生層をａ−Ｓｉ！Ｉｆｆと
称する）。

本発明は、従来のアモルファスシリコン感光体において
は、電荷発生層として優れた機能を有するアモルファス
シリコンを、電荷発生能が無くても電荷輸送能きえあれ
ば済む電荷輸送層としても併用していたため発生してい
たこれらの間層点を解決ずべく成きれたものである。

即ち、本発明は、電荷輸送層としてグロー放電により生
成きれるシリコン原子及びゲルマニウム原子のうち少な
くとも一方を含有してなる水素化アモルファスカーボン
膜を設け、かつ、電荷発生層として同じくグロー放電に
より生成される水素化或は弗素化アモルファスシリコン
ゲルマニウム膜を設けた事を特徴とする機能分離型感光
体に関する。該電荷輸送層は、可視光もしくは半導体レ
ーザー光付近の波長の光に対しては明確なる光導電性は
有きないが、好適な輸送性を有し、ざらに、帯電能、耐
久性、耐候性、耐環境汚染性等の電子写真感光体性能に
優れ、しかも透光性にも優れるため、機能分離型感光体
としての８１ｆ層構造を形成する場合においても極めて
高い自由度が得られるものである。また、該電荷発生層
は、可視光もしくは半導体レーザー光付近の波長の光に
対して優れた光導電性を有し、しかも従来のアモルファ
スシリコン感光体に比べて極めて薄い膜厚で、その機能
を活かす事ができるものである。

本発明においては、ａ−Ｃ膜を形成するために有機化合
物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。

該炭化水素における相状態は常温常圧において必ずしも
気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。

使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカ
ン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オク
タコサン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコサン、
トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサン、
ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナコサ
ン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタトリア
コンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソブタン
、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネオヘ
キサン、２．３−ジメチルブタン、２−メチルヘキサン
、３−エチルペンタン、２．２−ジメチルペンタン、２
，４−ジメチルペンタン、３．３−ジメチルベンクン、
トリブタン、２−メチルへブタン、３−メチルへブタン
、２，２−ジメチルヘキサン、２，２．５−ジメチルヘ
キサン、２，２．３−トリメチルペンタン、２，２．４
−）ジメチルベンクン、２，３゜３−トリメチルペンタ
ン、２，３．４−）ジメチルベンクン、イソナノン、等
のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化水素と
しては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブチレン
、１−ブテン、２−ブテン、１−ペンテン、２−ペンテ
ン、２−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ブテン
、２−メチル−２−ブテン、１−ヘキセン、テトラメチ
ルエチレン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネン
、１−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン、メチ
ルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘキサジエン、
シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並びに、オシ
メン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、等の
トリオレフイン、並びに、アセチレン、ブタジイン、１
゜３−ペンタジイン、２．４−へキサジイン、メチルア
セチレン、１−ブチン、２−ブチン、１−ペンチン、１
−ヘキシン、１−ヘプチン、１−オクチン、１−ノニン
、１−デシン、等が用いられる。

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シク
ロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シクロ
プロペン、゛シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘ
キサン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネ
ン、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモ
ネン、テルピノレン、フエランドレン、シルベストレン
、ツエン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、
フエンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ビサ
ボレン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネ
ンセスキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタ
レン、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ボドカ
ルブレン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド等
が用いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベン
ゼン、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイドク
メン、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレ
ン、ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エ
チルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、
ビフェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフ
ェニルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナ
フタリン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン
、等が用いられる。

ざらに、炭化水素以外でも、例えば、アルコール類、ケ
トン類、エーテル類、エステル類、等炭素と成りうる化
合物であれば使用可能である。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
グロー放電を用いるというその製造面から必然的に定ま
るが、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね３０乃
至６０原子％含有される。ここで、炭素原子並びに水素
原子の膜中含有量は、有機元素分析の常法、例えばＯＮ
Ｈ分析を用いる事により知る事ができる。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが
、例えば、基板温度を高くする、圧力を低くする、原料
炭化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これらの
組合せ操作は、含有水素量を低くする効果を有する。

本発明における電荷輸送層としてのａ　−Ｃ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、５乃至５
０ｕｍ、特に７乃至２０ｕｍが適当であり、５μｍより
薄いと、ＷＩ電電位が低いため充分な複写画像濃度を得
る事ができない。また、５０Ｌ１ｍより厚いと、生産性
の面で好ましくない。

このａ−Ｃ膜は、高透光性、高暗抵抗を有するとともに
電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に５μｍ以上として
もキャリアはトラップきれる事無く輸送され明減衰に寄
与する事が可能である。

本発明における原料気体からａ　−Ｃ膜を形成する過程
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラズ
マ状態を経て形成される方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成されるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成きれる中
性粒子から形成されてもよいし、ざらには、これらの組
み合わせにより形成されてもよい。

本発明においては炭化水素の他に、ａ　−Ｃ膜中に少な
くともシリコン原子或はゲルマニウム原子を添加するた
めの原料として、シリコン化合物或はゲルマニウム化合
物が用いられる。該シリコン化合物或はゲルマニウム化
合物における相状態は常温常圧において必ずしも気相で
ある必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇
華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固相でも
使用可能である。シリコン化合物或はゲルマニウム化合
物としては、例えば、シラン、ジシラン、弗化シラン、
ゲルマン等の無機化合物、金属フタロシアニン、金属ア
ルコラード等の有機化合物が用いられる。

本発明において化学的修飾物質として含有されるシリコ
ン原子或はゲルマニウム原子の量は、全構成原子に対し
て１０原子％以下である。ここで、シリコン原子或はゲ
ルマニウム原子の膜中含有量は、元素分析の常法、例え
ばオージェ分析により知る事ができる。シリコン原子或
はゲルマニウム原子を含まない場合には、好適な輸送性
が確保されず、ざらに、成膜後の経時劣化を招きゃすく
なる。一方、シリコン原子の量が１０原子％を越える場
合には、少量の添加では好適な輸送性を保証していたシ
リコン原子が逆に膜の高抵抗化を招く作用を示し、感度
が低下してしまう。一方、ゲルマニウム原子の量が１０
原子％を越える場合には、少量の添加では好適な輸送性
を保証していたゲルマニウム原子が逆に膜の低抵抗化を
招く作用を示し、帯電能が低下してしまう。従って、本
発明におけるシリコン原子或はゲルマニウム原子の添加
量範囲は重要である。

本発明において化学的修飾物質として含有きれるシリコ
ン原子或はゲルマニウム原子の量は、主に、プラズマ反
応を行なう反応室への前述のシリコン化合物或はゲルマ
ニウム化合物の導入量を増減することにより制御するこ
とが可能である。シリコン化合物或はゲルマニウム化合
物の導入量を増大きせれば、本発明によるａ−Ｃ膜中へ
のシリコン原子或はゲルマニウム原子の添加量を高くす
ることが可能であり、逆にシリコン化合物或はゲルマニ
ウム化合物の導入量を減少させれば、本発明によるａ−
Ｃ膜中へのシリコン原子或はゲルマニウム原子の添加量
を低くすることが可能である。

本発明においては、ａ−３ｉ膜を形成するためにシラン
ガス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用いられ
る。また、ゲルマニウム原子を含有きせるために、ゲル
マンガスが用いられる。

本発明におけるａ−Ｓｉ膜中に含有されるゲルマニウム
原子の含有量は、シリコン原子とゲルマニウム原子との
総和に対して、３０原子％以下が好ましい。ここで、ゲ
ルマニウム原子及びシリコン原子の含有率は、元素分析
の常法、例えばオージェ分析により知る事ができる。ゲ
ルマニウム原子の含有量は、膜形成時に流入するゲルマ
ンガスの流量を増加する事により高くなる。ゲルマニウ
ム原子の含有量が高くなるにつれ本発明感光体の長波長
感度は向上し、短波長領域から長波長領域にまで幅広く
露光源が選択され得るようになり好ましいが、ゲルマニ
ウム原子が３０原子％より多く含有されると帯′ＩＩＸ
能の低下を招くため、過剰の添加は好ましくない。従っ
て、本発明におけるａ−Ｓｉ膜中に含有きれるゲルマニ
ウム原子の含有量は重要である。

本発明におけるａ−３ｉｌｌＪ中に含まれる水素原子或
は弗素原子の量はグロー放電を用いるというその製造面
から必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシ
リコン原子と弗素原子の総量に対して、概ね１０乃至３
５原子％含有される。ここで、水素原子或は弗素原子の
膜中含有量は、元素分析の常法、例えばＯＮＨ分析、オ
ージェ分析等を用いる事により知る事ができる。

本発明における電荷発生層としてのａ−３ｉ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、０．１乃
至５μｍが適当であり、０．１μｍより薄いと、光吸収
が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、感
度の低下を招く。また、５μｍより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このａ−Ｓｉ膜は電荷発生能に富み、
ざらに、本発明の最も特徴とするところのａ−Ｃ膜との
積層構成において効率よ＜ａ−Ｃ膜中に発生キャリアを
注入せしめ、好適な明減衰に寄与する事が可能である。

本発明における原料気体からａ−Ｓｉ膜を形成する過程
は、ａ−Ｃ膜を形成する場合と同様にして行なわれる。

本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
成る機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。

第１図は、その一形態として、導電性基板（１）上に電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）を順次積層してなる
構成を示したものである。第２図は、別の一形態として
、導電性基板（１）上に電荷発生層（３）と電荷輸送層
（２）を順次積層してなる構成を示したものである。第
３図は、別の一形態として、導電性基板（１）上に、電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。

感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第１図では
電荷発生層（３）で発生した正孔が電荷輸送層（２）中
を導電性基板（１）に向は走行し、第２図では電荷発生
ｒｌＪ（３）で発生した電子が電荷輸送層（２）中を感
光体表面に向は走行し、第３図では電荷発生ＭＪ（３）
で発生した正孔が導電性基板側の電荷輸送層（２）中を
導電性基板（１）に向は走行すると共に、同時に電荷発
生層（３）で発生した電子が表面側の電荷輸送層（２）
中を感光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証され
た静電潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負
帯電した後、画像露光して使用する場合においては、電
子と正孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解
すればよい。第２図及び第３図では、画像露光用の照射
光が電荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による
電荷輸送層は透光性に優れることから、好適な潜像形成
を行なうことが可能である。

第４図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と表面保護層（
４）を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第１図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第１図の形態では、最表面が耐湿性に乏しいａ−Ｓｉ膜
で有ることから、多くの場合実用上の対湿度安定性を確
保するために表面保護層を設けることが好ましい。第２
図及び第３図の構成の場合、最表面が耐久性に優れたａ
−Ｃ膜であるため表面保護層を設けなくてもよいが、例
えば現像剤の付着による感光体表面の汚れを防止するよ
うな、複写機内の各種エレメントに対する整合性を調整
する目的から、表面保護層を設けることもざらなる一形
態と成りうる。

第５図は、さらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第２
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第２図の
形態では、導電性基板との接合面がａ−３ｉ膜である事
から、多くの場合接着性及び注入阻止効果を確保するた
めに中間層を設ける事が好ましい。第１図及び第３図の
構成の場合、導電性基板との接合面が、接着性及び注入
阻止効果に優れた、本発明による電荷輸送層であるため
、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前
処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合
性を調整する目的から、中間層を設けることもざらなる
一形態と成りうる。

第６図は、さらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）
と表面保護層（４）を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第１図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。

中間層と表面保護層の設置理由は前述と同様であり、従
って第２図及び第３図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもさらなる一形態と成りうる。

本発明において中間層と表面保護層は、材料的にも、製
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるａ−Ｃ膜を用いてもよい。但し、用い
る材料が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材料である
場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は５ｕｍ以下
に留める必要がある。

本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再結合反
応により固相として堆！！Ｉさせる、所謂プラズマ重合
反応がら生成される事が好ましい。

第７図は本発明に係わる感光体の製造装置を示′し、図
中（７０１）〜（７０６）は常温において気相状態にあ
る原料化合物及びキャリアガスを密封した第１乃至第６
タンクで、各々のタンクは第１乃至第６調節弁（７０７
）〜（７１２）と第１乃至第６流量制御器（７１３）〜
（７１８）に接続きれている。図中（７１９）〜（７２
１）は常温において液相または同相状態にある原料化合
物を封入した第１乃至第３容器で、各々の容器は気化の
ため第１乃至第３温調器（７２２）〜（７２４）により
与熱可能であり、ざらに各々の容器は第７乃至第９調節
弁（７２５）〜（７２７）と第７乃至第９流旦制御器（
７２８）〜（７３０）に接続されている。これらのガス
は混合器（７３１）で混合された後、主管（７３２）を
介して反応室（７３３）に送り込まれる。途中の配管は
、常温において液相または固相状態にあった原料化合物
が気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置
された配管加熱器（７３４）により、与熱可能とされて
いる。反応室内には接地電極（７３５）と電力印加電極
（７３６）が対向して設置きれ、各々の電極は電極加熱
器（７３７）により与熱可能とされている。電力印加電
極（７３６）には、高周波電力用整合器（７３８）を介
して高周波電源（７３９）、低周波電力用整合器（７４
０）を介して低周波電源（７４１）、ローパスフィルタ
（７４２）を介して直流電源（７４３）が接続されてお
り、接続選択スイッチ（７４４）により周波数の異なる
電力が印加可能とされている。反応室（７３３）内の圧
力は圧力刺部弁（７４５）により調整可能であり、反応
室（７３３）内の減圧は、排気系選択弁（７４６）を介
して、拡散ポンプ（７４７）　、油回転ポンプ（７４８
）　、或は、冷却除外装置！　（７４９）　、メカニカ
ルブースターポンプ（７５０）、油回転ポンプ（７４８
）により行なわれる。排ガスについては、ざらに適当な
除外装置（７５３）により安全無害化した後、大気中に
排気される。これら排気系配管についても、常温におい
て液相または固相状態にあった原料化合物が気化したガ
スが、途中で凝結しないように、適宜配置された配管加
熱器（７３４）により、与熱可能とされている。反応室
（７３３）も同様の理由から反応室加熱器（７５１）に
より与熱可能とされ、内部に配された電極上に導電性基
板（７５２）が設置きれる。第７図において導電性基板
（７５２）は接地電極（７３５）に固定して配されてい
るが、電力印加電極（７３６）に固定して配されてもよ
く、ざらに双方に配きれてもよい。

第８図は本発明に係わる感光体の製造装置の別の一形態
を示し、反応室（８３３）内部の形態以外は、第７図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様であり、
付記された番号は、７００番台のものを８００番台に置
き換えて解すればよい。第８図において、反応室（８３
３）内部には、第７図における接地電極（７３５）を兼
ねた円筒形の導電性基板（８５２）が設置され、内側に
は電極加熱器（８３７）が配されている。導電性基板（
８５２）周囲には同じく円筒形状をした電力印加電極（
８３６）が配きれ、外側には電極加熱器（８３７）が配
きれている。導電性基板（８５２）は、外部より駆動モ
ータ（８５４）を用いて自転可能となっている。

感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め１
０−４乃至１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度にまで減圧し、真空度
の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、電極並びに’！極に固定して配さ
れた導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板
には、前述の如き感光体構成の中から所望の構成を得る
ために、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷
発生層を設けて惹いてもよい。アンダーコート層或は電
荷発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を
用いてもよい。次いで、第１乃至第６タンク及び第１乃
至第３容器から、原料ガスを適宜第１乃至第９１量制御
器を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調
節弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量
が安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば高周
波電源を選択し、電力印加電極に高周波電力を投入する
。両電極間には放電が開始され、時間と共に基板上に固
相の膜が形成きれる。ａ−Ｓｉ膜或はａ−Ｃ膜は、原料
ガスを代える事により任意に形成可能である。放電を一
旦停止し、原料ガス組成を変更した後、再び放電を再開
すれば異なる組成の膜を積層する事ができる。また、放
電を持続させながら原料ガス流量だけを徐々に代え、異
なる組成の膜を勾配を持たせながら積層する事も可能で
ある。

反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚並びに積層構
成に達したところで放電を停止し、本発明による感光体
を得る。次いで、第１乃至第９調節弁を閉じ、反応室内
を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得られる
場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明によ
る感光体を取り出す。更に所望の感光体構成において、
電荷発生層或はオーバーコート層が必要とされる場合に
は、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦真空を
破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け、本発
明による感光体を得る。

以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。

＾旅健１ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０”Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高真
空にした後、第１調節弁（７０７）、及び第４ｙＡ節弁
（７１０）を解放し、第１タンク（７０１）より水素ガ
ス、及び第４タンク（７０４）よりゲルマンガスを各々
出力圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第４流量制
御器（７１３、及び７１６）内へ流入させた。同時に、
第１容器（７１９）よりミルセンガスを第１温調器（７
２２）温度７０℃のもと第７流量制御器（７２８）内へ
流入させた。各流量制御器を用いて、水素ガスの流量を
２０ｓｅｃｍ、ゲルマンガスの流量を５ｓｅｃｍ、及び
ミルセンガスの流量を５ｓｅｃｍとなるように設定して
、途中混合！（７３１）を介して、主管（７３２）より
反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定した
後に、反応室（７３３）内の圧力が１．５Ｔｏｒｒとな
るように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、導電
性基板（７５２）としては、！５０Ｘ横５０Ｘ厚３ｍｍ
のアルミニウム基板を用いて、予め１５０℃に加熱して
おき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選
択スイッチ（７４４）により接続しておいた低周波電源
（７４１）を投入し、電力印加電極（７３６）に１１０
Ｗａｔｔの電力を周波数５００ＫＨｚの下で印加して約
３時間４０分プラズマ重合反応を行ない、導電性基板（
７５２）上に厚き１５μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層とし
て形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁
を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき有機元素分析
を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して４５原子％であった。また、
オージェ分析より含有されるゲルマニウム原子の量は全
構成原子に対して２゜８原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）、及び第６調節弁（７１２）を解
放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、第２タンク
（７０２）からゲルマンガス、及び第６タンク（７０６
）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１
、第２、及び第６流量制御器（７１３，７１４、及び７
１８）内へ流入させた。各流量制御器の目盛を調整して
水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍ１ゲルマンガスの流量
を６ｓｃｃｔｒ＋、及びシランガスの流量を１０１００
５ｅに設定し、反応室（７３３）内に流入ざせた。各々
の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が０
．９Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整
した。一方、ａ　−Ｃ膜が形成されている導電性基板（
７５２）は、２５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧
力が安定した状態で、高周波電源（７３９）より周波数
１３．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に４０
Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生させた。

この放電を５分間行ない、厚き０．３μｍの電荷発生層
を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中○ＮＨ分析（見場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）及び：ｔ−ジ工分析を行な
ったところ、含有される水素原子は全構成原子に対して
２０原子％、ゲルマニウム原子は１０原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一３４０Ｖ　（＋４３０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は２２Ｖ／μｍ　（２８Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれ
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１５秒（約１９
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯Ｔｉ電位の２０％の表面電位に
まで明減衰させたとこる必要とされた光量は１．１ルツ
クス・秒（１，５ルツクス・秒）であり、このことから
充分な光感度性能を有する事が理解された。また、最高
帯′ｇＸ電位に初期帯電した後、半導体レーザー光（発
光波長７８０ｎｒｒ＋）を用いて最高帯電電位の２０％
の表面電位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量
は？、２ｅｒｇ／ｃｍ２（８，３ｅｒｇ／ａｍ２）であ
り、このことから充分な長波長光感度性能を有する事が
理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

叉施健旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−’Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１調節弁（７０７）、第２調節弁（７
０８）、及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タン
ク（７０１）から水素ガス、第２タンク（７０２）から
ブタジェンガス、及び第６タンク（７０６）からシラン
ガスを、各々出力圧１．０Ｋｇ／ａｍ２の下で第１、第
２、及び第６流量制罪器（７１３，７１４、及び７１８
）内へ流入きせた。各流量制ｔｌＤ？Ｊを用いて、水素
ガスの流量を６０ｓｅｃｍｓブタジェンガスの流量を６
０ｓｅｃｍ、及びシランガスの流量を５ｓｅｃｍとなる
ように設定して、途中混合Ｍ（７３１）を介して、主管
（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。各々の
流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が１．
８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整し
た。一方、導電性基板（７５２）としては、樅５０Ｘ横
５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め２５
０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態
で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続してお
いた低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電極（７
３６）に１２０Ｗａｔｔの電力を周波数４００ＫＨｚの
下で印加して約４０分間プラズマ重合反応を行ない、導
電性基板（７５２）上に厚き１５μｍのａ−Ｃ膜を電荷
輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止
し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気し
た。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して５３原子％であった。また
、オージェ分析より含有きれるシリコン原子の量は全構
成原子に対して５゜２原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）、及び第６調節弁（７１２）を解
放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、第２タンク
（７０２）からゲルマンガス、及び第６タンク（７０６
）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１
、第２、及び第６流量制御器（７１３，７１４、及び７
１８）内へ流入させた。各流量制御器の目盛を調整して
水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍ、ゲルマンガスの流量
を２ｓｅｃｍｓ及びシランガスの流量を１１００５ＣＣ
に設定し、反応室（７３３）内に流入させた。各々の流
量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が０．８
Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した
。一方、ａ　−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５
２）は、２５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が
安定した状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３
．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に３５Ｗａ
ｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生させた。

この放電を５分間行ない、厚ざ０．３μｍの電荷発生層
を得た。

得られたａ−３ｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（見場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）及びオージェ分析を行なっ
たところ、含有される水素原子は全構成原子に対して２
ｏ原子％、ゲルマニウム原子は３原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一５８０Ｖ　（＋７２０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は３８Ｖ／μｍ　（４７Ｖ／μｍ）　とｆｉめ
Ｔ：高く、コノコとから充分な帯電性能を有する事が理
解された。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約２３秒（約２９
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は１．４ルツク
ス・秒（１，９ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。また、最高帯
電電位に初期帯電した後、半導体レーザー光（発光波長
７８０ｎｍ）を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位
にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は７−　Ｏ
ｅｒｇ／ｃｍ２（１１，４ｅｆ”ｇ／ｃｍりであり、こ
のことから充分な長波長光感度性能を有する事が理解き
れた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として渣れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

大旋鍔旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１調節弁（７０７）、第２調節弁（７０８
）、及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（
７０１）から水素ガス、第２タンク（７０２）からエチ
レンガス、及び第６タンク（７０６）からシランガスを
、各々出力圧１．０Ｋｇ／ａｍ２の下で第１、第２、及
び第６流量制御器（７１３，７１４、及び７１８）内へ
流入させた。各流量制御器を用いて、水素ガスの流ｆｆ
ｉ＠６０ｓｅｃｍ、エチレンガスの流量を６０ｓｃｃｍ
ｓ及びシランガスの流量を３ｓｅｃｍとなるように設定
して、途中混合蓋（７３１）を介して、主管（７３２）
より反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定
した後に、反応室（７３３）内の圧力が１．８Ｔｏｒｒ
となるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、
導電性基板（７５２）としては、縦５０Ｘ横５０Ｘ厚３
ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め２５０℃に加熱
しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接
続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた高周波
電源（７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）に１
８０Ｗａｔｔの電力を周波数１３．５６ＭＨｚの下で印
加して約１０時間プラズマ重合反応を行ない、導電性基
板（７５２）上に厚き１５μｍのａ　−Ｃ膜を電荷輸送
層として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、
調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−ＣＨにつき有機元素分析
を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して４５原子％であった。また、
オージェ分析より含有されるシリコン原子の量は全構成
原子に対して２原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１：Ａ油井（７０７）
、第２調節弁（７０８）、及び第６調節弁（７１２）を
解放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、第２タン
ク（７０２）からゲルマンガス、及び第６タンク（７０
６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第
１、第２、及び第６流量制御器（７１３，７１４、及び
７１８）内へ流入させた。各流量制陣器の目盛を調整し
て水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍ、ゲルマンガスの流
量を０．６ｓｅｃｍ、及びシランガスの流量を１０１０
０５ｅに設定し、反応室（７３３）内に流入させた。各
々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が
０．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調
整した。一方、ａ　−Ｃ膜が形成されている導電性基板
（７５２）は、２５０℃に加熱しておき、ガス流量及び
圧力が安定した状態で、高周波電源（７３９）より周波
数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に３
５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生きせた。

この放電を５分間行ない、厚さ０．３μｍの電荷発生層
を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（見場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）及びオージェ分析を行なっ
たところ、含有される水素原子は全構成原子に対して２
０原子％、ゲルマニウム原子は１原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一５３０Ｖ　（＋６５０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は３５Ｖ／μｍ（４２Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれた
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１３秒（約１６
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰きせたとこる必要とされた光量は１．３ルツク
ス・秒（１，フルックス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。また、最高帯
電電位に初期帯電した後、半導体レーザー光（発光波長
７８０ｎｒｎ）を用いて最高帯電電位の２０％の表面電
位にまで明減衰させたところ必要とされた光量は？、２
ｅｒｇ／ａｍ２（９，２ｅｒｇ／ａｍ２）であり、この
ことから充分な長波長光感度性能を有する事が理解され
た。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として侵れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

去旅拠丘 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１調節弁（７０７）、第２調節弁（７
０８）、及び第４調節弁（７１０）を解放し、第１タン
ク（７０１）から水素ガス、第２タンク（７０２）から
アセチレンガス、及び第４タンク（７０４）からゲルマ
ンガスを、各々出力圧１．０Ｋｇ／ａｍ２の下で第１、
第２、及び第６流量制譚器（７１３，７１４、及び７１
６）内へ流入させた。各流量制御器を用いて、水素ガス
の流量を１０５１０５ｓｅアセチレンガスの流量を４５
ｓｅｃｍ、及びゲルマンガスの流量を９５ＣＣｍとなる
ように設定して、途中混合器（７３１）を介して、主管
（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。各々の
流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が２．
０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整し
た。一方、導電性基板（７５２）としては、樅５０Ｘ横
５０×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め１９
０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態
で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続してお
いた高周波′ｒＬ源（７３９）を投入し、電力印加電極
（７３６）に９０Ｗａｔｔの電力を周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚの下で印加して約３時ｒｕＪ２０分プラズ７重合反
応を行ない、導電性基板（７５２）上に厚ざ１５μｍの
ａ−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、
電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内
を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して３４原子％であった。また
、オージェ分析より含有されるゲルマニウム原子の量は
全構成原子に対して７゜８原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調箇弁（７ｏ７）、
第２調節弁（７０８）、及び第６調節弁（７１２）を解
放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、第２タンク
（７０２）からゲルマンガス、及び第６タンク（７０６
）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ａｍ２の下で第１
、第２、及び第６流量制御Ｗ（７１３，７１４、及び７
１８）内へ流入させな。各流量制御器の目盛をＦＡ整し
て水素ガスの流量を２００ｓｅｃｍ、ゲルマンガスの流
量を２０ｓｅｃｍ、及びシランガスの流量を１０１００
５ｅに設定し、反応室（７３３）内に流入させた。各々
の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が１
．０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整
した。一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７
５２）は、２５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力
が安定した状態で、高周波電源（７３９）より周波数１
３゜５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に４５Ｗ
ａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生させた。この
放電を５分間行ない、厚さ０．３μｍの電荷発生層を得
た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（見場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）及びオージェ分析を行なっ
たところ、含有される水素原子は全構成原子に対して２
０原子％、ゲルマニウム原子は３０原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一５００Ｖ　（＋５９０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は３３Ｖ／μｍ　（３８Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａＸの９０％の表面電
位にまで暗′ｇ衷するのに要した時間は約２４秒（約２
８秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有す
る事が理解きれた。また、最高帯電電位に初期帯電した
後、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位に
まで明減衰させたところ必要ときれた光量は５．４ルツ
クス・秒（６，３ルツクス・秒）であり、このことから
充分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

実施例互 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層を′この順に設け
た本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１調節弁（７０７）、第２調節弁（７
０８）　、及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タ
ンク（７０１）から水素ガス、第２タンク（７０２）か
らブタジインガス、及び第６タンク（７０６）からシラ
ンガスを、各々出力圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、
第２、及び第６流量制御器（７１３，７１４、及び７１
８）内へ流入させた。各流量側（′ＭＪ器を用いて、水
素ガスの流量を６０ｓｅｃｍ、ブタジインガスの流量を
６０ｓｅｃｍ、及びシランガスの流量を１１０５Ｃａと
なるように設定して、途中混合器（７３１）を介して、
主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。各
々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が
２．０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調
整した。一方、導電性基板（７５２）“とじては、樅５
０Ｘ横５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予
め１３０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続
しておいた低周波電源（７４１）を投入し１、電力印加
電極（７３６）に１８０Ｗａｆｔの電力を周波数１００
ＫＨｚの下で印加して約３０分間プラズマ重合反応を行
ない、導電性基板（７５２）上に厚ざ１５μｍのａ−Ｃ
膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印
加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分
に排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有きれる水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して４０原子％であった。また
、オージェ分析より含有されるシリコン原子の量は全構
成原子に対して９．４原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、一部タンクを交換し、第１調節弁（７０７）、
第２調節弁（７０８）、第３調節弁（７０９）、及び第
６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７０１）か
ら水素ガス、第２タンク（７０２）から四弗化シランガ
ス、第３タンク（７０３）からゲルマンガス、及び第６
タンク（７０６）からシランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃ
ｍ２の下で第１、第２、第３、及び第６流量制御器（７
１３，７１４，７１５、及び７１８）内へ流入させた。

各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量を２００
ｓｅｃｍ、四弗化シランガスの流量を５０ｓｅｃｍ１ゲ
ルマンガスの流量を６ＳＣＣｍ　ｓ及びシランガスの流
量を５０　ｓ　ｅ　ｃｍに設定し、反応室（７３３）内
に流入させた。各々の流量が安定した後に、反応室（７
３３）内の圧力が０．９Ｔｏｒｒとなるように圧力調節
弁（７４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ膜が形成されて
いる導電性基板（７５２）は、２３０℃に加熱しておき
、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周波電源（７
３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力印加電極
（７３６）に３５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電
を発生させた。この放電を５分間行ない、厚ざ０．３μ
ｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−３ｉ膜につき、金属中ＯＮＨ分析（見場製
作所製ＥＭＧＡ−１３００）及びオージェ分析を行なっ
たところ、含有される水素原子は全構成原子に対して１
８原子％、弗素原子は５原子％、ゲルマニウム原子は１
１原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一７２０Ｖ　（＋９００■）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は４７Ｖ／μｍ　（４９Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解きれ
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約２８秒（約３５
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰させたとこる必要とされた光量は３．０ルツク
ス・秒（４，０ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は本発明感光体の構成を示す図面、第
７図乃至第８図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。 出願人　ミノルタカメラ株式会社 第１図 第２図 第４図 第６図 手続補正書 昭和６２年１０月２１日 昭和６１年特許願ｆ５ど／−２２？ＪＪｒ号２、発明の
名称 感光体 ３、補正をする者 事件との関係　　出願人 住所　大阪市東区安土町２丁目３０番地　大阪国際ビル
名称　（６０７）　　　ミ／ルタカメラ株式会社自発補
正 ５、補正の対象 図面 ６、補正の内容 図面第８図を「訂正！＠８図」の通り補正します。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型感光体に
   おいて、該電荷輸送層はシリコン原子及びゲルマニウム
   原子のうち少なくとも一方を含有してなる水素化アモル
   ファスカーボン膜であり、かつ、該電荷発生層は水素化
   或は弗素化アモルファスシリコンゲルマニウム膜である
   ことを特徴とする感光体。