JPS6381445A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産塞上９刊里分野 本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する感光体に
関する。

従来挾街 カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、電子写真用感光体にも様々な材料が開発さ
れ実用化されてきた。

従来用いられて来た電子写真感光体材料の主なものとし
ては、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化並鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質、ポリビニルカルバゾール、金属フタロシアニン、
ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スチリル化合物、ビラプリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質が挙げられる。また、その構成形態としては、これ
らの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散き
せて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電
荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。

しかしながら、従来用いられて来た電子写真感光体材料
にはそれぞれ欠点があった。その一つとして人体への有
害性が挙げられるが、前述したアモルファスシリコンを
除く無機物質においては、何れも好ましくない性質を持
つものであった。また、電子写真感光体が実際に複写機
内で用いられるためには、帯電、露光、現像、転写、除
電、清掃等の苛酷な環境条件に曝された場合においても
、常に安定な性能を維持している必要があるが、前述し
た有機物質においては、何れも耐久性に乏しく、性能面
での不安定要素が多かった。

このような欠点を解消すべく、近年、有害性を改善し耐
久性に富んだ材料として、グロー放電法により生成され
るアモルファスシリコンの電子写真感光体への応用が進
んで来ている。しｈル、アモルファスシリコンは、原料
としてシランガスを多量に必要とする反面、高価なガス
であることから、出来上がった電子写真感光体も従来の
感光体に比べ大幅に高価なものとなる。また、成膜速度
が遅く、成膜時間の増大に伴い爆発性を有するシラン未
分解生成物を粉塵状に発生する等、生産上の不都合も多
い。また、この粉塵が製造時に感光層中に混入した場合
には、画像品質に著しく悪影響を及ぼす。さらに、アモ
ルファスシリコンは、元来、比誘電率が高いため帯電性
能が低く、複写機内で所定の表面電位に帯電するために
は膜厚を厚くする必要があり、高価なアモルファスシリ
コン膜を長時間堆積させなくてはならない。

ところでアモルファスカーボンＭ自体ｆよ、プラズマ有
機重合膜として古くより知られており、例えばジエン（
Ｍ、５ｈｅｎ）及びベル（Ａ、Ｔ。

Ｂｅ１ｌ）により、１９７３年発行ののジャーナル・オ
ブ・アプライド・ポリマー・サイエンス（Ｊｏｕｒｎａ
ｌ　　ｏｆ　　Ａｐｐｌ　ｉｅｄ　　Ｐ。

ｌｙｍｅｒ　　５ｃｉｅｎｃｅ）＠１７巻の第８８５頁
乃至第８９２頁において、あらゆる有機化合物のガスか
ら作製きれ得る事が、また、同著者により、１９７９年
のアメリカンケミカルソサエティー（Ａｍｅｒｉｃａｎ
　　ＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ）発行によるプラ
ズマボリマライゼーション（Ｐｌａｓｍａ　　Ｐｏｌｙ
ｍｅｒｉｚａｔｆｏｎ）の中でもその成膜性が論じられ
ている。

しかしながら従来の方法で作製したプラズマ有機重合膜
は絶縁性を前提とした用途に限って用いられ、即ちそれ
らの膜は通常のポリエチレン膜の如＜１０１６Ωｃｍ程
度の比抵抗を有する絶縁膜と考えられ、或は、少なくと
もそのような膜であるとの認識のもとに用いられていた
。実際に電子写真感光体への用途にしても同様の認識か
ら、保護層、接着層、ブロッキング層もしくは絶縁層に
限られており、所謂アンダーコート層もしくはオーバー
コート層としてしか用いられていなかった。

例えば、特開昭５９−２８１６１号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５
９−３８７５３号公報には、基板上にブロッキング層及
び接着層として酸素と窒素と炭化水素の混合ガスから生
成される１０１３〜１０１５Ωａｍの窩抵抗のプラズマ
重合膜を１０人〜１００人設けた上にアモルファスシリ
コン層を設けた感光体が開示されている。特開昭５９−
１３６７４２号公報には、アルミ基板上に設けたアモル
ファスシリコン層内へ光照射時にアルミ原子が拡散する
のを防止するための保護層として１〜５μｍ程度の炭素
膜を基板表面に形成せしめた感光体が開示されている。

特開昭６０−６３５４１号公報には、アルミ基板とその
上に設けたアモルファスシリコン層との接着性を改善す
るために、接着層として２００人〜２μｍのダイヤモン
ド状炭素膜を中間に設けた感光体が開示され、残留電荷
の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされている。

これらの開示は、何れも基板とアモルファスシリコン層
との間に、所謂アンダーコート層を設けた発明であり、
電荷輸送性についての開示は全くなく、また、ａ−Ｓｉ
の有する前記した本質的問題を解決するものではない。

また、例えば、特開昭５０−２０７２８号公報には、ポ
リビニルカルバゾール−セレン系感光体の表面に保護層
としてグロー放電重合によるポリマー膜を領　１〜１μ
ｍ設けた感光体が開示されている。特開昭５９−２１４
８５９号公報には、アモルファスシリコン感光体の表面
に保護層としてスチレンやアセチレン等の有機炭化水素
モノマーをプラズマ重合させて５μｍ程度の膜を形成き
せる技術が開示されている。特開昭６０−６１７６１号
公報には、表面保護層として、５００人〜２μｍのダイ
ヤモンド状炭素薄膜を設けた感光体が開示きれ、透光性
の面から膜厚は２μｍ以下が好ましいとされてている。

特開昭６０−２４９１１５号公報には、０．０５〜５μ
ｍ程度の無定形炭素または硬質炭素膜を表面保護層とし
て用いる技術が開示され、膜厚が５μｍを越えると感光
体活性に悪影響が及ぶときれている。

これらの開示は、何れも感光体表面に所謂オーバーコー
ト層を設けた発明であり、電荷輸送性についての開示は
全くなく、また、ａ−３ｉの有する前記した本質的問題
を解決するものではない。

また、特開昭５１−４６１３０号公報には、ポリビニル
カルバゾール系電子写真感光体の表面にグロー放電重合
を行なって０．００１〜３μｍのポリマー膜を形成せし
めた電子写真感光板が開示されているが、電荷輸送性に
ついては全く言及されていないし、ａ−３ｉの持つ前記
した本質的問題を解決するものではない。

一方、アモルファスシリコン膜については、スピア（Ｗ
、Ｅ、５ｐｅａｒ）及びレコンパ（Ｐ。

Ｇ、ＬｅＣｏｍｂｅｒ）により１９７６年発行のフィロ
ソフィカル・マガジン（Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ　
　Ｍａｇａｚｉｎｅ）第３３巻の第９３５頁乃至第９４
９頁において、極性制御が可能な材料である事が報じら
れて以来、種々の充電デバイスへの応用が試みられて来
た。感光体への応用に関しては、例えば、特開昭５６−
６２２５４号公報、特開昭５７−１１９３５６号公報、
特開昭５７−１７７１４７号公報、特開昭５７−１１９
３５７号公報、特開昭５７−１７７１４９号公報、特開
昭５７−１１９３５７号公報、特開昭５７−１７７１４
６号公報、特開昭５７−１７７１４８号公報、特開昭５
７−１７４４４８号公報、特開昭５７−１７４４４９号
公報、特開昭５７−１７４４５０豊公報、等に、炭素原
子を含有したアモルファスシリコン感光体が開示きれて
いるが、何れもアモルファスシリコンの光導電性を炭素
原子により調整する事を目的としたものであり、また、
アモルファスシリコン自体厚い膜を必要としている。

口が”しようとする間”壱 以上のように、従来、電子写真感光体に用いられている
プラズマ有機重合膜は所謂アンダーコート層もしくはオ
ーバーコート層として使用きれていたが、それらはキャ
リアの輸送機能を必要としない膜であって、有機重合膜
が絶縁性で有るとの判断にたって用いられている。従っ
てその膜厚も高々５μｍ程度の極めて薄い膜としてしか
用いられず、キャリアはトンネル効果で膜中な通過する
か、トンネル効果が期待できない場合には、残留電位の
発生に関して事実上問題にならずに済む程度の薄い膜で
しか用いられていない。また、従来、電子写真に用いら
れているアモルファスシリコン膜は所謂厚膜で使用され
ており、価格或は生産性等に、不都合な点が多い。

本発明者らは、アモルファスカーボン膜の電子写真感光
体への応用を検討しているうちに、本来絶縁性であると
考えられていた水素化アモルファスカーボン膜が、水素
化或は弗素化アモルファスシリコン膜との積層において
は電荷輸送性を有し、容易に好適な電子写真特性を示し
始める事を見出した。その理論的解釈には本発明者にお
いても不明確な点が多（詳細に亙り言及はできないが、
水素化アモルファスカーボン膜中に捕捉されている比較
的不安定なエネルギー状態の電子、例えばπ電子、不対
電子、残存フリーラジカル等が形成するバンド構造が、
水素化或は弗素化アモルファスシリコンが形成するバン
ド構造と電導帯もしくは荷電子帯において近似したエネ
ルギー準位を有するため、水素化或は弗素化アモルファ
スシリコン膜中で発生したキャリアが容易に水素化アモ
ルファスカーボン膜中へ注入きれ、ざらに、このキャリ
アは前述の比較的不安定なエネルギー状態の電子の作用
により水素化アモルファスカーボン膜中を好適に走行し
得るためと推定される。

本発明はその新たな知見を利用することにより、アモル
ファスシリコン感光体の持つ前述の如き本質的問題点を
全て解消し、また従来とは全く使用目的も特性も異なる
、有機プラズマ重合膜、特に水素化アモルファスカーボ
ン膜を電荷輸送層として使用し、かつ、水素化或は弗素
化アモルファスシリコンの薄膜を電荷発生層として使用
した感光体を提供する事を目的とする。

間”点を解決するための　段 即ち、本発明は、電荷発生層と電荷輸送層とを有する機
能分離型感光体において、該電荷輸送層がプラズマ重合
反応から生成される水素化アモルファスカーボン膜であ
り、かつ、該電荷発生層が水素化或は弗素化アモルファ
スシリコン膜であることを特徴とする感光体に関する（
以下、本発明による電荷輸送層をａ−Ｃ膜及び電荷発生
層をａ−Ｓｉ膜と称する）。

本発明は、従来のアモルファスシリコン感光体において
は、電荷発生層として置れた機能を有するアモルファス
シリコンを、電荷発生能が無くても電荷輸送能きえあれ
ば済む電荷輸送層としても併用していたため発生してい
たこれらの問題点を解決すべく成されたものである。

即ち、本発明は、電荷輸送層としてグロー放電により生
成される水素化アモルファスカーボン膜を設け、かつ、
電荷発生層として同じくグロー放電により生成される水
素化或は弗素化アモルファスシリコン膜を設けた事を特
徴とする機能分離型感光体に関する。該電荷輸送層は、
可視光もしくは半導体レーザー光付近の波長の光に対し
ては明確なる光導電性は有さないが、好適な輸送性を有
し、ざらに、帯電能、耐久性、耐候性、耐環境汚染性等
の電子写真感光体性能に優れ、しかも透光性にも優れる
ため、機能分離型感光体としての積層構造を形成する場
合においても極めて高い自由度が得られるものである。

また、該電荷発生層は、可視光もしくは半導体レーザー
光付近の波長の光に対して優れた光導電性を有し、しか
も従来のアモルファスシリコン感光体に比べて極めて薄
い膜厚で、その機能を活かす事ができるものである。

本発明においては、ａ−Ｃ膜を形成するために有機化合
物ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。

該炭化水素における相状態は常温常圧において必ずしも
気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸
発、昇華等を経て気化しうるものであれば、液相でも固
相でも使用可能である。

使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デ
カン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカ
ン、ペンタデカン、ヘキサコサン、ヘブタテ゛カン、オ
クタデカン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコサン
、トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコサン
、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナコ
サン、トリアコンタン、トドリアコンクン、ペンタトリ
アコンクン、等のノルマルパラフィン並びに、イソブタ
ン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネオ
ヘキサン、２．３−ジメチルブタン、２−メチルヘキサ
ン、３−エチルペンタン、２．２−ジメチルペンタン、
２，４−ジメチルペンタン、３，３−ジメチルペンクン
、トリブタン、２−メチルへブタン、３−メチルへブタ
ン、２．２−ジメチルヘキサン、２，２．５−ジメチル
ヘキサン、２．２．３−トリメチルペンタン、２．２．
４−）ジメチルペンクン、２，３゜３−トリメチルペン
タン、２，３．４−）ジメチルペンクン、イソナノン、
等のイソパラフィン、等が用いられる。不飽和炭化水素
としては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブチレ
ン、１−ブテン、２−ブテン、１−ペンテン、２−ペン
テン、２−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ブテ
ン、２−メチル−２−ブテン、１−ヘキセン、テトラメ
チルエチレン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネ
ン、１−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン、メ
チルアレジ、ブタジェン、ペンタジェン、ヘキサジエン
、シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並びに、オ
シメン、アロオシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、等
のトリオレフイン、並びに、アセチレン、ブタジイン、
１゜３−ペンタジイン、２．４−ヘキサジイン、メチル
アセチレン、１−ブチン、２−ブチン、１−ペンチン、
１−ヘキシン、１−ヘプチン、１−オクチン、１−ノニ
ン、１−デシン、等が用いられる。

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
ヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデセ
ン、シクロブンテ゛カン、シクロドデカン、シクロトリ
デカン、シクロテトラデカン、シクロペンタデカン、シ
クロヘキサデカン、等のシクロパラフィン並びに、シク
ロデセン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキ
セン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネン
、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモネ
ン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、ツ
エン、カレン、ピネン、ボルニレン、カンフエン、フエ
ンチェン、シクロデセンチエン、トリシクレン、ビサボ
レン、ジンギベレン、クルクメン、フムレン、カジネン
セスキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレ
ン、セドレン、カンホレン、フィロクラテン、ボドカル
プレン、ミレン、等のテルペン並びに、ステロイド等が
用いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメ
ン、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン
、ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチ
ルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ピ
フェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェ
ニルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフ
タリン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン、
等が用いられる。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
グロー放電を用いるというその製造面から必然的に定ま
るが、炭素原子と水素原子の総量に対して、概ね３０乃
至６０原子％含有される。こ事により知る事ができる。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化するが
、例えば、基板温度を高くする、圧力を低くする、原料
炭化水素ガスの希釈率を低くする、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の手段、或は、これらの
組合せ操作は、含有水素量を低くする効果を有する。

本発明における電荷輸送層としてのａ　−Ｃ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、５乃至５
０μｍ１特に７乃至２０μｍが適当であり、５μｍより
薄いと、帯電電位が低いため充分な複写画像濃度を得る
事ができない。また、５０１、Ｌｍより厚いと、生産性
の面で好ましくない。

このａ−Ｃ膜は、高透光性、高暗抵抗を有するとともに
電荷輸送性に富み、膜厚を上記の様に５μｍ以上として
もキャリアはトラップされる事無（輸送きれ明減衰に寄
与する事が可能である。

本発明における原料気体からａ　−Ｃ膜を形成する過程
としては、原料気体が、直流、低周波、高周波、或はマ
イクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラズ
マ状態を経て形成される方法が最も好ましいが、その他
にも、イオン化蒸着法、或はイオンビーム蒸着法等によ
り生成きれるイオン状態を経て形成されてもよいし、真
空蒸着法、或はスパッタリング法等により生成される中
性粒子から形成されてもよいし、ざらには、これらの組
み合わせにより形成されてもよい。

本発明においては、ａ−５ｉ膜を形成するためにシラン
ガス、ジシランガス、或は、弗化シランガスが用いられ
る。

本発明におけるａ−Ｓｉ膜中に含まれる水素原子或は弗
素原子の量は、グロー放電を用いるというその製造面か
ら必然的に定まるが、シリコン原子と水素原子或はシリ
コン原子と弗素原子の総量に対して、概ねｌＯ乃至３５
原子％含有される。

ここで、水素原子或は弗素原子の膜中含有量は、元素分
析の常法、例えば金属中０．Ｎ、Ｈ分析−、オー ジェ分析等を用いる事により知る事ができる。

本発明における電荷発生層としてのａ−Ｓｉ膜の膜厚は
、通常の電子写真プロセスで用いるためには、０．１乃
至５μｍが適当であり、０．１μｍより薄いと、光吸収
が不十分となり充分な電荷発生が行なわれなくなり、感
度の低下を招く。また、５μｍより厚いと、生産性の面
で好ましくない。このａ−Ｓｉ膜は電荷発生能に富み、
ざらに、本発明の最も特徴とするところのａ−Ｃ膜との
積層構成において効率よ＜ａ−Ｃ膜中に発生キャリアを
注入せしめ、好適な明減衰に寄与する事が可能である。

本発明における原料気体からａ−Ｓｉ膜を形成する過程
は、ａ−Ｃ膜を形成する場合と同様にして行なわれる。

本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
成る機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。

第１図は、その一形態として、導電性基板（１）上に電
荷輸送層（２）と電荷発生層（３）を順次積層してなる
構成を示したものである。第２図は、別の一形態として
、導電性基板（１）上に電荷発生Ｎ（３）と電荷輸送層
（２）を順次積層してなる構成を示したものである。第
３図は、別の一形態として、導電性基板（１）上に、電
荷輸送層（２）と電荷発生Ｎ（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。

感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第１図では
電荷発生層（３）で発生した正孔が電荷輸送層（２）中
を導電性基板（１）に向は走行し、第２図では電荷発生
層（３）で発生した電子が電荷輸送層（２）中を感光体
表面に向は走行し、第３図では電荷発生層（３）で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送層（２）中を導電性
基板（１）に向は走行すると共に、同時に電荷発生層（
３）で発生した電子が表面側の電荷輸送層（２）中を感
光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証された静電
潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電し
た後、画像露光して使用する場合においては、電子と正
孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれば
よい。第２図及び第３図では、画像露光用の照射光が電
荷輸送層中を通過する事になるが、本発明による電荷輸
送層は透光性に筐れることから、好適な潜像形成を行な
うことが可能である。

第４図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）と表面保護層（
４）を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第１図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第１図の形態では、最表面が耐湿性に乏しいａ−３ｉ膜
で有ることから、多くの場合実用上の対湿度安定性を確
保するために表面保護層を設けることが好ましい。第２
図及び第３図の構成の場合、最表面が耐久性に優れたａ
−Ｃ膜であるため表面保護層を設けなくてもよいが、例
えば現像剤の付着による感光体表面の汚れを防止するよ
うな、複写機内の各種エレメントに対する整合性を調整
する目的から、表面保護層を設けることもさらなる一形
態と成りうる。

第５図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷発生層（３）と電荷輸送層（２）
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第２
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第２図の
形態では、導電性基板との接合面がａ−Ｓｉ膜である事
から、多くの場合接着性及び注入阻止効果を確保するた
めに中間層を設ける事が好ましい。第１図及び第３図の
構成の場合、導電性基板との接合面が、接着性及び注入
阻止効果に優れた、本発明による電荷輸送層であるため
、中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前
処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合
性を調整する目的から、中間層を設けることもざらなる
一形態と成りうる。

第６図は、ざらなる一形態として、導電性基板（１）上
に中間層（５）と電荷輸送層（２）と電荷発生層（３）
と表面保護層（４）を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第１図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。

中間層と表面保護層の設置理由は前述と同様であり、従
って第２図及び第３図の構成において中間層と表面保護
層を設けることもざらなる一形態と成りうる。

本発明において中間層と表面保護層は、材料的にも、製
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。本発明によるａ　−Ｃ膜を用いてもよい。但し、用
いる材料が、例えば従来例で述べた如き絶縁性材料であ
る場合には、残留電位発生の防止のため膜厚は５μｍ以
下に留める必要がある。

本発明による感光体の電荷輸送層は、気相状態の分子を
減圧下で放電分解し、発生したプラズマ雰囲気中に含ま
れる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散、電気力
、あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再結合反
応により固相として堆積きせる、所謂プラズマ重合反応
から生成される事が好ましい。

第７図は本発明に係わる感光体の製造装置を示し、図中
（７０１）〜（７０６）は常温において気相状態にある
原料化合物及びキャリアガスを密封した第１乃至第６タ
ンクで、各々のタンクは第１乃至第６調節弁（７０７）
〜（７１２）と第１乃至第６流量制御器（７１３）〜（
７１８）に接続きれている。図中（７１９）〜（７２１
）は常温において液相または固相状態にある原料化合物
を封入した第１乃至第３容器で、各々の容器は気化のた
め第１乃至第３温調器（７２２）〜（７２４）により与
熱可能であり、ざらに各々の容器は第７乃至第９調節弁
（７２５）〜（７２７）と第７乃至第９流量制御器（７
２８）〜（７３０）に接続されている。これらのガスは
混合器（７３１）で混合された後、主管（７３２）を介
して反応室（７３３）に送り込まれる。途中の配管は、
常温において液相または固相状態にあった原料化合物が
気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置さ
れた配管加熱器（７３４）により、与熱可能とされてい
る。反応室内には接地電極（７３５）と電力印加電極（
７３６）が対向して設＠され、各々の′ｔ４極は電極加
熱器（７３７）により与熱可能とされている。電力印加
電極（７３６）には、高周波電力用整合器（７３８）を
介して高周波電源（７３９Ｌ低周波電力用整合器（７４
０）を介して低周波電源（７４１）、ローパスフィルタ
（７４２）を介して直流電源（７４３）が接続されてお
り、接続選択スイッチ（７４４）により周波数の異なる
電力が印加可能とされている。反応室（７３３）内の圧
力は圧力制御弁（７４５）により調整可能であり、反応
室（７３３）内の減圧は、排気系選択弁（７４６）を介
して、拡散ポンプ（７４７）　、油回転ポンプ（７４８
）　、或は、冷却除外装置（７４９）　、メカニカルブ
ースターポンプ（７５０）、油回転ポンプ（７４８）に
より行なわれる。排ガスについては、ざらに適当な除外
装ｆｆ１ｆｆｉ（７５３）により安全無害化した後、大
気中に排気される。これら排気系配管についても、常温
において液相または固相状態にあった原料化合物が気化
したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置された
配管加熱器（７３４）により、与熱可能とされている。

反応室（７３３）も同様の理由から反応室加熱器（７５
１）により与熱可能ときれ、内部に配された電極上に導
電性基板（７５２）が設置される。第７図において導電
性基板（７５２）は接地電極（７３５）に固定して配さ
れているが、電力印加電極（７３６）に固定して配きれ
てもよく、さらに双方に配されてもよい。

第８図は本発明に係わる感光体の製造装置の別の一形態
を示し、反応室（８３３）内部の形態以外は、第７図に
示した本発明に係わる感光体の製造装置と同様であり、
付記された番号は、７００番台のものを８００番台に置
き換えて解すればよい。第８図において、反応室（８３
３）内部には、第７図における接地電極（７３５）を兼
ねた円筒形の導電性基板（８５２）が設置され、内側に
は電極加熱器（８３７）が配されている。導電性基板（
８５２）周囲には同じく円筒形状をした電力印加電極（
８３６）が配され、外側には電極加熱器（８３７）が配
されている。導電性基板（８５２）は、外部より駆動モ
ータ（８５４）を用いて自転可能となっている。

感光体製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予め１
０−４乃至１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度にまで減圧し、真空度
の確認と装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。同時
に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配され
た導電性基板を所定の温度まで昇温する。導電性基板に
は、前述の如ぎ感光体構成の中から所望の構成を得るた
めに、必要であれば、予めアンダーコート層或は電荷発
生層を設けて置いてもよい。アンダーコート層或は電荷
発生層の設置には、本装置を用いてもよいし別装置を用
いてもよい。次いで、第１乃至第６タンク及び第１乃至
第３゛容器から、原料ガスを適宜第１乃至第９流量制御
器を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調
節弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量
が安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば高周
波電源を選択し、電力印加電極に高周波電力を投入する
。両電極間には放電が開始され、時間と共に基板上に固
相の膜が形成される。ａ−３ｉ膜或はａ−Ｃ膜は、原料
ガスを代える事により任意に形成可能である。放電を一
旦停止し、原料ガス組成を変更した後、再び放電を再開
すれば異なる組成の膜を積層する事ができる。また、放
電を持続させながら原料ガス流量だけを徐々に代え、異
なる組成の膜を勾配を持たせながら積層する事も可能で
ある。

反ルシ；時間により膜厚を制御し、所定の膜厚並びにａ
層構成に達したところで放電を停止し、本発明による感
光体を得る。次いで、第１乃至第９調節弁を閉じ、反応
室内を充分に排気する。ここで所望の感光体構成が得ら
れる場合には反応室内の真空を破り、反応室より本発明
による感光体を取り出す。更に所望の感光体構成におい
て、電荷発生層或はオーバーコート層が必要とされる場
合には、そのまま本装置を用いるか、或は同様に一旦真
空を破り取り出して別装置に移してこれらの層を設け、
本発明による感光体を得る。

以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。

叉施皿１ 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１、及び第２調節弁（７０７、及び７０８
）を解放し、第１タンク（７０１）より水素ガス、及び
第２タンク（７０２）よりブタジェンガスを各々出力圧
１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第２流量制御器（
７１３、及び７１４）内へ流入させた。水素ガスの流量
を６０Ｓ　ＣＣｍ　Ｎ及びブタジェンガスの流量を６０
ｓｅｃｍとなるように設定して、途中混合器（７３１）
を介して、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ流
入した。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）
内の圧力が２．０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７
４５）を調整した。一方、導電性基板（７５２）として
は、樅５０×横５０×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用
いて、予め１３０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力
が安定した状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）に
より接続しておいた低周波電源（７４１）を投入し、電
力印加電極（７３６）に１２０Ｗａｔｔの電力を周波数
４００ＫＨｚの下で印加して約３０分間プラズマ重合反
応を行ない、導電性基板（７５２）上に厚き１５μｍの
ａ−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、
電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内
を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき金属中０．
Ｎ、Ｈ分析（堀場製作所製ＥＭＧＡ−１３００）を行な
ったところ、含有される水素原子の量は炭素原子と水素
原子の総量に対して５５原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、第１調節弁（７０７）　、及び第６調節弁（７
１２）を解放し、第１タンク（７０１）から水素ガス、
及び第６タンク（７０６）からシランガスを、出力圧Ｉ
Ｋｇ／ａｍ２の下で第１、及び第６流量制御卸器（７１
３、及び７１８）内へ流入させた。各流量制御器の目盛
をＦＡ整して水素ガスの流量を２００５ＣＣｍ、及びシ
ランガスの流量を１０１００５ｅに設定し、反応室（７
３３）内に流入きせな。各々の流量が安定した後に、反
応室（７３３）内の圧力が０．８Ｔｏｒｒとなるように
圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、ａ−Ｃ膜が形
成されている導電性基板（７５２）は、２５０℃に加熱
しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、高周波
電源（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚの下で電力
印加電極（７３６）に３５Ｗａｔｔの電力を印加し、グ
ロー放電を発生させた。この放電を５分間行ない、１ｇ
と０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中○、Ｎ、Ｈ分析（板
場製作所製ＥＭＧＡ−１３００）及びオージェ分析を行
なったところ、含有される水素原子は全構成原子に対し
て２０原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一５４０Ｖ　（＋６６０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は３５゜３Ｖ／μｍ　（４３，１Ｖ／μｍ）　
と極めて高く、このことから充分な帯電性能を有する事
が理解きれた。また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの
９０％の表面電位にまで暗減衰するのに要した時間は約
１３秒（約１７秒）であり、このことから充分な電荷保
持性能を有する事が理解された。また、最高帯電電位に
初期帯電した後、白色光を用いて最高帯電電位の２０％
の表面電位にまで明減衰させたところ必要とされた光量
は１．３ルツクス・秒（１，６ルツクス・秒）であり、
このことから充分な光感度性能を有する事が理解された
。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

衷旅透旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１容器（７１９）よりスチレンガスを
第１温調器（７２２）温度２０℃のもとで、第７流量制
御器（７２８）内へ流入させな。流量制師器の目盛を調
整して、スチレンガスの流量を４０ｓｅｃｍとなるよう
に設定して、主管（７３２）より反応室（７３３）内へ
流入した。各々の流量が安定した後に、反応室（７３３
）内の圧力が０．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（
７４５）を調整した。一方、導電性基板（７５２）とし
ては、Ｍ５０Ｘ横５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基板を
用いて、予め１５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧
力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）
により接続しておいた低周波電源（７４１）を投入し、
電力印加電極（７３６）に１４０Ｗａｔｔの電力を周波
数１３．５６ＭＨｚの下で印加して約１時間半プラズマ
重合反応を行ない、導電性基板（７５２）上に厚ざ１５
μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了
後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３
３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき金属中０．Ｎ
、Ｈ分析（板場製作所製ＥＭＧＡ−１３００）を行なっ
たところ、含有される水素原子の量は炭素原子と水素原
子の総量に対して４３原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、第１調箇弁（７０７）　、及び第２調面弁（７
０８）を解放し、第１タンク（７ｏ１）から水素ガス、
第２タンク（７０２）から四弗化シランガスを、出力圧
ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第２流量制御器（７１
３、及び７１８）内へ流入させた。各流量制御器の目盛
を調整して水素ガスの流量を１０１００５ｅ、及び四弗
化シランガスの流量を１０１００５ｅに設定し、反応室
（７３３）内に流入きせた。各々の流Ｉが安定した後に
、反応室（７３３）内の圧力が０．８Ｔｏｒｒとなるよ
うに圧力調節弁（７４５）を調整した。

一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）
は、２５０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定
した状態で、貰周波電源（７３９）より周波ｖ１．１３
．５６ＭＨｚの下で電力印加電極（７３６）に３５Ｗａ
ｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生させた。この放
電を５分間行ない、厚き０．３μｍの電荷発生層を得た
。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中０．Ｎ、Ｈ分析（板
場製作所製ＥＭＧＡ−１３００＞及びオージェ分析を行
なったところ、含有される水素原子は全構成原子に対し
て１０原子％、並びに、含有される弗素原子は全構成原
子に対して１０原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一９９０Ｖ　（＋１１７０Ｖ）で有り、即ち
、全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当
りの帯電能は６４゜７Ｖ／μｍ　（７６，４Ｖ／μｍ）
　と極メチ高く、このことから充分な帯電性能を有する
事が理解きれた。また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘ
の９０％の表面電位にまで暗減衰するのに要した時間は
約４０秒（約５０秒）であり、このことから充分な電荷
保持性能を有する事が理解された。また、最高帯電電位
に初期帯電した後、白色光を用いて最高？ｆＦ電電位の
２Ｑ％の表面電位にまで明減衰させたところ必要とされ
た光量は４．９ルツクス・秒（６，４ルツクス・秒）で
あり、このことから実用上問題のない光感度性能を有す
る事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

衷施斑旦 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−’Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１、及び第２（７０７、及び７０８）
を解放し、第１タンク（７０１）より水素ガス、及び第
２タンク（７０２）よりエチレンを各々出力圧１．０Ｋ
ｇ／ａｍ２の下で第１、及び第２流量制御！（７１３、
及び７１４）内へ流入させた。そして各流量制御器の目
盛を調整して、水素ガスの流量を６０ｓＣｃｍ１及びエ
チレンガスの流量を６０ｓＣｃｍ、となるように設定し
て、途中混合器（７３１）を介して、主管（７３２）よ
り反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定し
た後に、反応室（７３３）内の圧力が１．ＩＴｏｒｒと
なるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、導
電性基板（７５２）としては、樅５０ＸＩ５０Ｘ厚３ｍ
ｍのアルミニウム基板を用いて、予め２５０℃に加熱し
ておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続
選択スイッチ（７４４）により接続しておいた高周波電
源（７３９）を投入し、電力印加電極（７３６）に２０
０Ｗａｔｔの電力を周波数１３．５６ＭＨｚの下で印加
して約１０時間プラズマ重合反応を行ない、導電性基板
（７５２）上に厚き１５μｍのａ−Ｃ膜を電荷輸送層と
して形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節
弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき金属中０．
Ｎ、Ｈ分析（板場製作所製ＥＭＧＡ−１３００）を行な
ったところ、含有される水素原子の量は炭素原子と水素
原子の総量に対して３９原子％であまた。

電荷発生層形成工程： 次いで、第１調節弁（７０７）、第２調節弁（７０８）
、及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（７
０１）から水素ガス、第２タンク（７０２）から四弗化
シランガス、及び第６タンク（７０６）からシランガス
を、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第６
流量制御器（７１３，７１４、及び７１８）内へ流入と
せな。各流量側扉器の目盛を調整して水素ガスの′ｆＣ
量を２００ｓｅｃｍ、四弗化シランガスの流量を７５ｓ
ＣＣｍ　％及びシランガスの流量を２５ｓＣｃｍに設定
し、反応室（７３３）内に流入させた。各々の流量が安
定した後に、反応室（７３３）内の圧力がＱ、８Ｔｏｒ
ｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方
、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）は、
２５０℃に加熱してお伊、ガス流量及び圧力が安定した
状態で、高周波電源（７３９）より周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚの下で電力印加電極（７３６）に３５Ｗａｔｔの電
力を印加し、グロー放電を発生させた。この放電を５分
間行ない、厚ざ０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−３ｉ膜につき、金属中０．Ｎ、Ｈ分析（板
場製作所製ＥＭＧＡ−１３００）及びオージェ分析を行
なったところ、含有される水素原子は全構成原子に対し
て１３原子％、並びに、含有される弗素原子は全構成原
子に対して７原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時のタリ定値を括弧内に示すが、最
高帯電電位は一５４０Ｖ　（＋６５０Ｖ）で有り、即ち
、全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当
りの帯電能は３５Ｖ／μｍ（４３Ｖ／μｍ）と極めて高
く、このことから充分な帯電性能を有する事が理解され
た。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗′ｇ衰するのに要した時間は約４０秒（約１
２秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有す
る事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した
後、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位に
まで明減衰させたとこる必要とされた光量は２．５ルツ
クス・秒（３，４ルツクス・秒）であり、このことから
充分な光感度性能を有する事が理解きれた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

宜施困侠 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１０−６Ｔｏ　ｒ　ｒ程度の高
真空にした後、第１容器（７１９）よりミルセンガスを
第１温調器（７２２）温度１３０℃のもとで、第７流量
制御器（７２８）内へ流入させた。流量制御器の目盛を
調整して、ミルセンガスの流量を１５ｓｅｃｍとなるよ
うに設定して、主管（７３２）より反応室（７３３）内
へ流入した。流量が安定した後に、反応室（７３３）内
の圧力が１．０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４
５）を調整した。一方、導電性基板（７５２）としては
、１ｆ５０Ｘ横５０×厚３ｍｍのアルミニウム基板を用
いて、予め１８０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力
が安定した状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）に
より接続しておいた低周波電源（７４１）を投入し、電
力印加電極（７３６）に１８０Ｗａｔｔの電力を周波数
４０ＫＨｚの下で印加して約３時間プラズマ重合反応を
行ない、導電性基板（７！５２）上に厚き１５μｍのａ
−Ｃ膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電
力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を
充分に排気した。

以上のようにして得られたａ　−Ｃ膜につき金属中○、
Ｎ、Ｈ分析（板場製作所製ＥＭＧＡ−１３００）を行な
ったところ、含有される水素原子の量は炭素原子と水素
原子の総量に対して４７原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、第１調節弁（７０７）、第２ＦＡ節弁（７０８
）　、及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク
（７０１）からアルゴンガス、第２タンク（７０２）か
ら四弗化シランガス、及び第６タンク（７０６）からシ
ランガスを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、
及び第６流量制御器（７１３，７１４、及び７１８）内
へ流入させた。

各流量制御器の目盛を調整してアルゴンガスの流量を１
５０５　ＣＣｍ　Ｎ四弗化シランガスの流量を５０ｓｃ
ｃｒｒ＋、及びシランガスの流量を５０ｓｃＣｍに設定
し、反応室（７３３）内に流入させた。

各々の流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力
が０．８Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を
調整した。一方、ａ−Ｃ膜が形成されている導電性基板
（７５２）は、２５０℃に加熱しておき、ガス流量及び
圧力が安定した状態で、高周波電源（７３９）より周波
数１３．５６ＭＨ２の下で電力印加１ｔｉ極（７３６）
に３５Ｗａｔｔの電力を印加し、グロー放電を発生させ
た。この放電を５分間行ない、厚さ０．３μｍの電荷発
生層を得た。

得られたａ−３ｉＨｐｃにつき、金属中○、Ｎ、Ｈ分析
（板場製作所製ＥＭＧＡ−１３００）及びオージェ分析
を行なったところ、含有される水素原子は全構成原子に
対して１５原子％、並びに、含有される弗素原子は全構
成原子に対して５原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一５９０Ｖ　（＋５８０Ｖ）で有り、即ち、
全感光体膜厚が１５゜３μｍであることから１μｍ当り
の帯電能は３９Ｖ／μｍ（３８Ｖ／μｍ）と極めて高く
、このことから充分な帯電性能を有する事が理解された
。

また、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電
位にまで暗減衰するのに要した時間は約１０秒（約１２
秒）であり、このことから充分な電荷保持性能を有する
事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した後
、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位にま
で明減衰きせたとこる必要ときれた光量は１．８ルツク
ス・秒（２，５ルツクス・秒）であり、このことから充
分な光感度性能を有する事が理解きれた。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

Ｘ旅剖互 本発明に係わる製造装置を用いて、第１図に示す如き、
導電性基板、電荷輸送層、電荷発生層をこの順に設けた
本発明感光体を作製した。

電荷輸送層形成工程： 第７図に示すグロー放電分解装置において、まず、反応
装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空
にした後、第１、及び第２調節弁（７０７、及び７０８
）を解放し、第１タンク（７０１）より水素ガス、及び
第２タンク（７０２）よりアセチレンガスを各々出力圧
１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、及び第２流量制卯器（
７１３、及び７１４）内へ流入させた。そして各流量制
御器の目盛を調整して、水素ガスの流量を１０１００５
ｅ、及びアセチレンガスの流量を３０ｓｅｃｍとなるよ
うに設定して、途中混合器（７３１）を介して、主管（
７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。各々の流
量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が１．５
Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した
。一方、導電性基板（７５２）としては、！５０Ｘ横Ｅ
）ＯＸ厚３ｍｍのアルミニウム基板を用いて、予め２゜
０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態
で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続してお
いた高周波電源（７３９）を投入し、電力印加電極（７
３６）に１７０Ｗａｔｔの電力を周波数１３．５６ＭＨ
ｚの下で印加して約５時間プラズマ重合反応を行ない、
導電性基板（７５２）上に厚さ１５μｍのａ　−Ｃ膜を
電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を
停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排
気した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ膜につき金属中０．Ｎ
、Ｈ分析（板場製作所製ＥＭＧＡ−１３００）を行なっ
たところ、含有きれる水素原子の量は炭素原子と水素原
子の総量に対して３０原子％であった。

電荷発生層形成工程： 次いで、第１調節弁（７０７）、第２調節弁（７０８）
　、及び第６調節弁（７１２）を解放し、第１タンク（
７０１）から水素ガス、第２タンク（７０２）から四弗
化シランガス、及び第６タンク（７０６）からシランガ
スを、出力圧ＩＫｇ／ｃｍ２の下で第１、第２、及び第
６流量制御器（７１３，７１４、及び７１８）内へ流入
させた。各流量制御器の目盛を調整して水素ガスの流量
を２００ｓｅｃｍ、四弗化シランガスの流量を２５ｓｃ
ｃｍ、及びシランガスの流量を７５ｓｅｃｍに設定し、
反応室（７３３）内に流入させた。各々の流量が安定し
た後に、反応室（７３３）内の圧力が０．８Ｔｏｒｒと
なるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、ａ
−Ｃ膜が形成されている導電性基板（７５２）は、２５
０℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態
で、高周波電源（７３９）より周波数１３．５６ＭＨｚ
の下で電力印加電極（７３６）に３５Ｗａｔｔの電力を
印加し、グロー放電を発生させた。この放電を５分間行
ない、厚き０．３μｍの電荷発生層を得た。

得られたａ−Ｓｉ膜につき、金属中０．Ｎ、Ｈ分析（板
場製作所製ＥＭＧＡ−１３００）及びオージェ分析を行
なったところ、含有される水素原子は全構成原子に対し
て１８原子％、並びに、含有される弗素原子は全構成原
子に対して２原子％であった。

特性： 得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中で負帯
電並びに正帯電で用いたところ次の如き性能が得られた
。ここでは、正帯電時の測定値を括弧内に示すが、最高
帯電電位は一３２０Ｖ　（＋４００Ｖ）で有り、即ち、
全感光体肢厚が１５゜３μｍであることからｌａｍ当り
の帯電能は２１■／μｍ（２６Ｖ／μｍ）と高く、この
ことから充分な帯電性能を有する事が理解きれた。また
、暗中にてＶｍａｘからＶｍａｘの９０％の表面電位に
まで暗減衰するのに要した時間は約７秒（約８秒）であ
り、このことから実用上間層のない電荷保持性能を有す
る事が理解された。また、最高帯電電位に初期帯電した
後、白色光を用いて最高帯電電位の２０％の表面電位に
まで明減衰させたとこる必要ときれた光量は３．０ルツ
クス・秒（３，９ルツクス・秒）であり、このことから
充分な光感度性能を有する事が理解された。

以上より、本例に示した本発明による感光体は、感光体
として優れた性能を有するものである事が理解される。

また、この感光体に対して常用のカールソンプロセスの
中で、作像して転写したところ、鮮明な画像が得られた
。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は本発明感光体の構成を示す図面、第
７図乃至第８図は本発明に係わる感光体の製造装置を示
す図面である。 出願人　ミノルタカメラ株式会社 第１図　　第２図 第３図　　第４図 第５図　　第６図 手続補正書 昭和６２年ｒＯ月２１日

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 電荷発生層と電荷輸送層とを有する機能分離型感光体に
   おいて、該電荷輸送層は水素化アモルファスカーボン膜
   であり、かつ、該電荷発生層は水素化アモルファスシリ
   コン膜或は弗素化アモルファスシリコン膜であることを
   特徴とする感光体。