JPS6165253A - 電子写真用感光体 - Google Patents

電子写真用感光体

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JPS6165253A
JPS6165253A JP18739184A JP18739184A JPS6165253A JP S6165253 A JPS6165253 A JP S6165253A JP 18739184 A JP18739184 A JP 18739184A JP 18739184 A JP18739184 A JP 18739184A JP S6165253 A JPS6165253 A JP S6165253A
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JP
Japan
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layer
selenium
thallium
surface layer
light
Prior art date
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Pending
Application number
JP18739184A
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English (en)
Inventor
Susumu Honma
奨 本間
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
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Publication of JPS6165253A publication Critical patent/JPS6165253A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【発明の后1−る技術分野J 本発明は、ff通g;?J[写Vあるいは光源としてI
I@l−Noレーザ、発光ダイオード、半導体レーザを
使用する光プリンタのような電子写真装置に用いられる
機能分離型の高怒度電子写真用感光体に関する。 【従来技術とその問題点] 高感度感光体としては、例えば二に国特許第3655−
377号明細書あるいは通研実用化報告第31巻、第3
号、 597 貝などで公知の3WJ構造の感光層を有
す番感光体がある。このような感光体は、第1図に示す
ように、アルミニウム基体1の上にまず純セレンあるい
は低濃度セレン・テルル層からなるキャリア輸送12を
設け、その上に場合によっては砒素が添加される高濃度
セレン・テルル層をキャリア発生層3として設け、さら
にその上に表面保護層4として場合によっては砒素ある
いはテルルが添加されるセレン層を積層したものである
。この樟な機能分離型の構造をとることによって、キャ
リア発生1113のテルル濃度を高くして高感度化して
も表面電荷11のブロッキング性は表面WJ4が但うた
め、帯電時、性や暗減衰特性をmなうことなく高感度怒
光体を得ることができる。この感光体に表面層4の光学
吸収端の波長よりも短い波長の光12が入射すると、光
12は表面層4で吸収されて電子・正札対が形成され、
正孔13がキャリア輸送層2を経て基板1に至る。一方
、表面層4の光学吸収端の波長より長い波長の光15は
、表面層4をL1j門してキャリア発生層3中で電子・
正孔対が形成される。そ、二で発生した正孔13はキャ
リア輸送層2へ注入され、一方電子14は表面層4へ注
入される。この結果、この感光体は第2図に示すような
分光特性を有する。すなわち、領域Aでは表面層4で電
子・正孔対が発生し、il J!!c Bではキャリア
発生層3で電子・正孔対が発生する。しかし、キャリア
発生層3で形成された電子14がバンドギャップの1交
いキャリア発生層からより広い表面層4に注入される際
一部がブロックされ、キャリア発生層3と表面JFg4
の間に蓄積される。この様にして形成される電子の空間
電荷は、操り返しコピーあいは印字時において暗いMP
の増大を引き起こし、百像湾度の低下の原因となる。 【発明の目的】 本発明は、機能分離型の感光層借造を有する感光体にお
いて、630〜800nlI+の長波長光に対する高感
度を有しながら繰り返し画像形成時の帯電電位(現像部
暗部電位)の低下を抑制した電子写真用感光体を提供す
ることを目的とする。
【発明の要点】
本発明によれば、キャリア発生層の上に設けられる表面
層がタリウムを添加したセレン層よりなることによって
上記の目的が達成される0表面層にタリウムを添加する
ことにより、表面層の電子の深いトラップを減らすと同
時に正孔の深いトラップを増加させる。従ってタリウム
を添加した表面層は正孔の空間電荷を有しており、キャ
リア発生層で発生した電子が表面N側へ注入するのを電
界の力で助ける役割りを果たす、この結果繰り返し画像
形成時における電位低下が抑制される。
【発明の実施例】
第1図に示す構造をもつ機能分離型感光体として、12
0m+*の外径をもつアルミニウム素管を55℃に保ち
、この基体lの上に純セレンを55μ四の厚さに真空蒸
着してキャリア輸送層2とし、引続きセレン・テルル合
金を第3図の濃度分布を存する様にフラツンユ蒸着で形
成してキャリア発生層とした0次いで真空を破らずに以
下の4pHの原料を用いて2μmの厚さの表面層をフラ
ッシュ蒸着した。 (1)  純セレン(99,999%純度)12)タリ
ウム50ppmを添加したセレン・タリウム合金(3)
  タリウム500pplKを添加したセレン・タリウ
ム合金ス4)  々リウム5000ppmを添加したセ
レン・タリウム合金このようにして製作された感光体の
780nmの単色光に対する初期電位850vからの半
減衰露光量はすべて0.6〜0.9μJ/cdの範囲に
あり、中低速の半導体レーデプリンタに好】轟の感度を
有している0次にこの感光体を第41T!lに示すシー
ケンスで作りした。すなわち、初期から5回転(5サイ
クル)はレーザを消して帯電のみを操り返して現像部で
の暗部電位Vd、を測定し、その後帯電レーザn光を2
40サイクル繰り返してから再びレーザをγI’lす、
このときの247サイクルの際の暗い部電位をVd、と
して:;)電低下ΔVSを ΔV 3− Vd+  Vdt で定荀する。また244す・fクル時の明部電位を残留
電位V「とする。この精工をTY1表に示す。 第1表 この結果から、表面層4にタリウムを添加することによ
り操り返し画像形成時の電位変動を抑制できること、反
面残留電位の上昇が著しく、残留電位を低くかつ電位変
動を少なくするためには、タリウムを5〜500pp−
を添加することが有効であることが判かった。そのほか
この範囲のタリウムの添加により高温での電位変動を悪
くならないことも判かった。 なお、タリウムは表面層4の全体に添加してもよいが、
表面層の限定された部分、例えばキャリア発生層との界
面層にのみ添加しても良く、基本的には表面層のどこに
添加しても良い。
【発明の効果】
本発明に機能分離型の高温度セレン・テルル層からなる
キャリア発生層に到達する長波長sJ!域の光によって
形成さ11、る二T−正孔に1のうらの電子が表面層に
注入される「7ブr1ツクされて表面層との界面にゴミ
1されるのを防ぐために、表面層としてタリウノ、1添
加し/、:セレン欝を用いることにより表面−中への電
子の注入、柊勤を容易にするもので、1le−Neレー
ザ、発光ダイオード、半導体レーザのような長波長領域
の光を露光光源とする電子写真装置に用いられる高感度
盛光体の疲労による帯’i’i ’m、位の低下が防止
できるため得られる効果は極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施される機能分離型感光体の一例の
椿遣を示す断面図、第2UjJはその分光電子写真特性
図、第3図はキャリア発生層の一例の濃度分布図、第4
図は繰り返し疲労評価シーケンス図である。 1ニアルミニウム基体、2:キャリア輸送層、3:キャ
リア発生層、4:表面層。 第1因 第 2図    浪弄へ()7Xhχ)第3図 汽4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)機能分離型であって、高濃度セレン・テルル層より
    なるキャリア発生層を有するものにおいて、キャリア発
    生層の上に設けられる表面層がタリウムを添加したセレ
    ン層よりなることを特徴とする電子写真用感光体。 2)特許請求の範囲第1項記載の感光体において、キャ
    リア発生層が5〜50ppmのタリウムを含むことを特
    徴とする電子写真用感光体。
JP18739184A 1984-09-07 1984-09-07 電子写真用感光体 Pending JPS6165253A (ja)

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