JPS58189644A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS58189644A JPS58189644A JP7266382A JP7266382A JPS58189644A JP S58189644 A JPS58189644 A JP S58189644A JP 7266382 A JP7266382 A JP 7266382A JP 7266382 A JP7266382 A JP 7266382A JP S58189644 A JPS58189644 A JP S58189644A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- different element
- selenium
- surface layer
- conductive substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は特にレーザプリンタなどに用いられるセレン系
材料からなる感−Ｘ、層を有する電子写真用感光体に関
する。
材料からなる感−Ｘ、層を有する電子写真用感光体に関
する。
レーザプリンタ用の感光体は特に長波長元感襄が必要で
あり、そのような要求をセレン・テルル合金で満たすた
めには濃ｆ２５１＆前チ以上のＴｅの含有が必要である
。そのような、ＱＴｅ一度の８ｅ合金は晰抵抗が小さく
電荷保持此方η）らこの電荷発生層の厚さは約２μ諺以
下に制限される。しかしこのような薄層だけでは電子写
真プロセスに必要な暗電位１ｏｏｖ以上を得ることがで
きないので、電位保持のためにはよりＴｅ員直の低いｓ
ｏ−’ｒｅ合金、あるい６エ純８ｅからなる″Ｉ４ｃ＃
移動層を電荷発生層と導ｍ性基体との閾に設けている。
あり、そのような要求をセレン・テルル合金で満たすた
めには濃ｆ２５１＆前チ以上のＴｅの含有が必要である
。そのような、ＱＴｅ一度の８ｅ合金は晰抵抗が小さく
電荷保持此方η）らこの電荷発生層の厚さは約２μ諺以
下に制限される。しかしこのような薄層だけでは電子写
真プロセスに必要な暗電位１ｏｏｖ以上を得ることがで
きないので、電位保持のためにはよりＴｅ員直の低いｓ
ｏ−’ｒｅ合金、あるい６エ純８ｅからなる″Ｉ４ｃ＃
移動層を電荷発生層と導ｍ性基体との閾に設けている。
さらにこの電荷発生−の上に、その保腫と鴫荷保持困力
の向上のための８ｅ表面層を設けることが知られている
。この表向層は感光体の寿命を決定する。すなわち感光
体を長寿ｉｔこするには、耐熱性の向上と表面硬度の増
大、を図る必要がある。そのためにＴ＠ 、 ＡＩＢ
、 ８ｋ）などモａ・表面；−に添加することが行われ
るが、これらの元本の表ｌｌｌ１ｌｒノーへの添２Ｊｌ
は表面Ｉ−への電画（−子）の走行性を悪化させ、特に
長波長光に対するｗＬ荷発生層〃）ら表１層への電子の
注入効率が悪くなり、繰返し印刷時のＮ電電位変動が大
きくなる入点がある。
の向上のための８ｅ表面層を設けることが知られている
。この表向層は感光体の寿命を決定する。すなわち感光
体を長寿ｉｔこするには、耐熱性の向上と表面硬度の増
大、を図る必要がある。そのためにＴ＠ 、 ＡＩＢ
、 ８ｋ）などモａ・表面；−に添加することが行われ
るが、これらの元本の表ｌｌｌ１ｌｒノーへの添２Ｊｌ
は表面Ｉ−への電画（−子）の走行性を悪化させ、特に
長波長光に対するｗＬ荷発生層〃）ら表１層への電子の
注入効率が悪くなり、繰返し印刷時のＮ電電位変動が大
きくなる入点がある。
本発明はこの欠点を除去し、＋ＩＡ屁分離型感光層を舊
する感光体の寿命を長くするとともに、繰返しコピ一時
の帯域電位変動を少なくすることを目的とする。
する感光体の寿命を長くするとともに、繰返しコピ一時
の帯域電位変動を少なくすることを目的とする。
Ｃの目的は導電性基体上に臘久槓ｊ−されたともにセレ
ン系材料からなる電荷楢送層、電荷発生層の上に、さら
に純セレン層とＩＫ子−以上の異元素を含むセレンｊ−
とが順次積層されることによって連成される。
ン系材料からなる電荷楢送層、電荷発生層の上に、さら
に純セレン層とＩＫ子−以上の異元素を含むセレンｊ−
とが順次積層されることによって連成される。
以下図と比較試験結果とを引用して本発明の実施例につ
いて説明する。＠１図に示すように、本が順次積層され
ている。第二表面層４は場合によっては第一表面層に（
らべて微量の不純物が含まれることがある純セレン層で
あり、第−表面層５は耐熱性や硬度を同上させるための
元系をｌ原子チ以上添カロしたセレン合金ｊ４である。
いて説明する。＠１図に示すように、本が順次積層され
ている。第二表面層４は場合によっては第一表面層に（
らべて微量の不純物が含まれることがある純セレン層で
あり、第−表面層５は耐熱性や硬度を同上させるための
元系をｌ原子チ以上添カロしたセレン合金ｊ４である。
実施例１；
基体ｌとしての直径１２０■、長さ３４０−のアル１ニ
ウム円筒を６５℃に保持し、その上に純ｓｅを６０μ賜
の１嘆さに魚屑して電荷移動層２を形成した。
ウム円筒を６５℃に保持し、その上に純ｓｅを６０μ賜
の１嘆さに魚屑して電荷移動層２を形成した。
次いで２２．５ ｆｆｉ １％の’ｒｅを含むＳｅ合金
を３５０℃で蒸発させ、長波長兄に対する電荷発生ｆ＠
３ｆＯ，７，綿の厚さでｔＡ層した。この上ｌこ棉ｓｅ
をフラッシュ蒸屑して１．２μ鱒の厚さの第二−Ａ面層
４を、さらに５５凰電％Ｔｅ−Ｂｅ合金の７ラツシユ蒸
着して同じ＜１２μ郷の厚さの第一表面層５を順次形成
した。
を３５０℃で蒸発させ、長波長兄に対する電荷発生ｆ＠
３ｆＯ，７，綿の厚さでｔＡ層した。この上ｌこ棉ｓｅ
をフラッシュ蒸屑して１．２μ鱒の厚さの第二−Ａ面層
４を、さらに５５凰電％Ｔｅ−Ｂｅ合金の７ラツシユ蒸
着して同じ＜１２μ郷の厚さの第一表面層５を順次形成
した。
実施例２：
導電性基体１１域荷移動層２、電荷発生層３、第二表面
層４は夷−例と同一であり、第一表面層５として７ ｉ
１ｉ ％Ｔｅ−８ｅ＆金ｆ １．５７ｍの厚さニフツ
ツ７ユＡ層した。
層４は夷−例と同一であり、第一表面層５として７ ｉ
１ｉ ％Ｔｅ−８ｅ＆金ｆ １．５７ｍの厚さニフツ
ツ７ユＡ層した。
比ａｉｌ：
褐二表面層４を省略した以外は実施例１と同様に作成し
た。
た。
比較？１１ｚ：
第二表面層４を省略した以外は実施例２と同様に作成し
た。
た。
以上４橿の感光体を用い、１４ｒｐｍの回転数で一転さ
せながら、コロナ帝１し、コ冒す帯電器より３０°の位
１で７８０ｕｎの単色光により露光、コロナ帝電器より
１００ の位置で表面電位を検出した。除電は色濃［
２８００にの白色元を各感光体の半減衰−光量の１０倍
だけ露光することにより行った。最初の２５回転はｊ１
元をしないで暗部１位を測定し、次の２５回転は露光を
与え、再び２５回転は露光を止め、この様に２５回転後
に４元をオン、オフして合計２５０サイクルを繰り返し
、露光停止時の電位変ｍを室温で画定した。この結果を
第１表に示す。
せながら、コロナ帝１し、コ冒す帯電器より３０°の位
１で７８０ｕｎの単色光により露光、コロナ帝電器より
１００ の位置で表面電位を検出した。除電は色濃［
２８００にの白色元を各感光体の半減衰−光量の１０倍
だけ露光することにより行った。最初の２５回転はｊ１
元をしないで暗部１位を測定し、次の２５回転は露光を
与え、再び２５回転は露光を止め、この様に２５回転後
に４元をオン、オフして合計２５０サイクルを繰り返し
、露光停止時の電位変ｍを室温で画定した。この結果を
第１表に示す。
第 １ 表
実施例３：
実施例１と同様に・−荷移動層２８よび電荷発生層３を
準備し、その上に表向層を蒸着した。蒸発源として１原
子−のＧｅを含むＳｅ合金を用い、Ａ発源のボート温度
と魚４開始時で３８０℃としてｓｅだけを蒸発させ、原
料が約１／３Ｊｉまではこの状態でＧｅと８・を分留し
ながら蒸着した後、ボー°ト温度を５００ｃに上げて残
りの材料全部８７ラツシユ蒸膚した。表面層全体の厚さ
は１．１μ謂であった。
準備し、その上に表向層を蒸着した。蒸発源として１原
子−のＧｅを含むＳｅ合金を用い、Ａ発源のボート温度
と魚４開始時で３８０℃としてｓｅだけを蒸発させ、原
料が約１／３Ｊｉまではこの状態でＧｅと８・を分留し
ながら蒸着した後、ボー°ト温度を５００ｃに上げて残
りの材料全部８７ラツシユ蒸膚した。表面層全体の厚さ
は１．１μ謂であった。
比較例３：
実施料において、表面層形成時の１原子−Ｇｅ −８Ｃ
會金収容のボー）ｆｆｌｊ［を最初から５００℃にして
フラッシュ蒸着し、８ｅ−Ｇｅ合金表面層８１．２μ諷
の厚さに形成した。
會金収容のボー）ｆｆｌｊ［を最初から５００℃にして
フラッシュ蒸着し、８ｅ−Ｇｅ合金表面層８１．２μ諷
の厚さに形成した。
実ｊ１１１１３、比較例３の感光体を用い第１表の結果
を得た場合と同じ疲労量定を行った。得られた一釆ｆＩ
Ｎ２表に示す。
を得た場合と同じ疲労量定を行った。得られた一釆ｆＩ
Ｎ２表に示す。
第 ２ 表
なｉｄ実施例３、比軟例３の双方の表面には従来−−分
一形感光体の表面ノーに用い１られていなかつｚ Ｍ＠
−Ｇ＠合金層が存在しているが、この表面層によって
も純８ｅ表面層に比して耐熱性、耐刷性の向上が見られ
た。
一形感光体の表面ノーに用い１られていなかつｚ Ｍ＠
−Ｇ＠合金層が存在しているが、この表面層によって
も純８ｅ表面層に比して耐熱性、耐刷性の向上が見られ
た。
本発明により、表面層番こ感光体を長寿命化するために
Ｔｅ 、 Ｇｅ等の異元素を添加した場合の欠点である
（り返し疲労による帯電電位の変動が、第１表２よσ第
２表の結果が示すようにほとんど無視できるほどに少な
くなり、安定した画像が得られるようになった。特に数
百枚以上の連続コピ一時には本発明による感光体と従来
の表面ｊ−を有するＳ光体とでは画偉上に顕著な差がで
る。これは電荷発生層で発生した電子が表面層に注入さ
れる際、表面層への添加元素のために注入が不完全とな
り、このトラップされた電子が蓄積されて電位の低下を
来たすのに対し、本発明により備えられる中間の純セレ
ン層の存在によってこの注入性が改善さ在する添加元素
により、感光体の耐熱性、耐刷性が同上できるので本発
明の特に長波長感度を有する感光体へ与える効果は極め
て大である。
Ｔｅ 、 Ｇｅ等の異元素を添加した場合の欠点である
（り返し疲労による帯電電位の変動が、第１表２よσ第
２表の結果が示すようにほとんど無視できるほどに少な
くなり、安定した画像が得られるようになった。特に数
百枚以上の連続コピ一時には本発明による感光体と従来
の表面ｊ−を有するＳ光体とでは画偉上に顕著な差がで
る。これは電荷発生層で発生した電子が表面層に注入さ
れる際、表面層への添加元素のために注入が不完全とな
り、このトラップされた電子が蓄積されて電位の低下を
来たすのに対し、本発明により備えられる中間の純セレ
ン層の存在によってこの注入性が改善さ在する添加元素
により、感光体の耐熱性、耐刷性が同上できるので本発
明の特に長波長感度を有する感光体へ与える効果は極め
て大である。
第１図は本発明の一実施例を示す部分断面図である。
ｌ・・・導電性１渾、２・・・電荷輸送層、３・・・′
−電荷発生層４・・・第二表面層、５・・・第一表面層
。
−電荷発生層４・・・第二表面層、５・・・第一表面層
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）導電性基体上に順次積層されたともにセレン系材料
からなる電荷輸送層、１荷発生層の上に、ざらに純セレ
ン層と１ｇ子チ以上の異元素を含むセレン層とが１＠次
積層されたことを特徴とする電子写真用感光体。 ２、特許請求の範囲第１項記載の感光体に２いて、異元
素がゲルマニウムであり、純セレン層がセレン−ゲルマ
ニウム合金の分留、蒸着により形成されたことを特徴と
する電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7266382A JPS58189644A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7266382A JPS58189644A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58189644A true JPS58189644A (ja) | 1983-11-05 |
| JPH0157899B2 JPH0157899B2 (ja) | 1989-12-07 |
Family
ID=13495823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7266382A Granted JPS58189644A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58189644A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6165253A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-03 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1982
- 1982-04-30 JP JP7266382A patent/JPS58189644A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6165253A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-03 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0157899B2 (ja) | 1989-12-07 |
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