JPS5974569A - 電子写真感光体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、静電電子写真複写機に用いる導電層、光導電
層、透明絶縁層から成る電子写真感光体およびその製造
法に関する。

この種の感光体は、主として静電潜像形成プ［］セス中
、同時帯電光像露光を含む工程により静電潜像が形成さ
れる。１なわち、特公昭４２−２３９１０号および特公
昭４３−２４７４８号各公報に記′載されているように
、一時帯電、ＡＣ帯電または一次帯電とは逆極性の帯電
による二次帯電と同時の光像露光、全面露光のプロレス
で静電潜像が形成される。

感光体として、導電層によく用いられる八ρ、光導電層
としてＳｅ、絶縁層としてポリエチレン・テレフタレー
ト（ＰＥＴ）よりなるものを用いた場合、Ｓｅ光導電層
がＰ型であるため、負の前記−成帯電、前記二次のＡＣ
または正のコロナ帯電同時光像露光、全面露光を加える
プロセスにおい゛Ｃ１−次帯電に絶縁層の上下に電荷対
を形成するという効果が十分発揮されず、高い静電コン
トラストをもった静電潜像が得難いｖ１貞がある。

すなわち、−数帯電荷において、Ｓｅ光導電層の暗抵抗
が高いためと、導電層側からのキャリアの注入が少ない
ため、絶縁層の」−下にのみに電荷対を形成した理想的
状態とは、はど遠い状態になっている。その結果、明部
、暗部のコン１−ラス１への決定は、−成帯電が増感帯
電であるという効果を失い、単に二次帯電同時光像露光
の工程のみＣご依存し、二次帯電がＡＣの場合には殆ん
どコントラス［・がとれず、逆極性直流コロナの場合で
あっても極めて低いコンミルラスｌ−ｔ、か冑られない
欠点がある。

また、それを補う補助的手段として、−成帯電全面露光
しながら、あるいは−成帯電全面露光を入れた後、二次
帯電同時光像露光を行なう方法等があるが、これらの補
助的手段により若干コントラストはＪ：くなるものの、
−成帯電後の全面露光用の全面露光ランプの挿入が必要
であり、これがため装置が複雑化するばかり′Ｃなく、
それでもなお実用に十分なコントラス１へが得られず、
さらにプロセスが高速化するに伴ない、そのような補助
的手段では解決しえないのが実情である。

一方、高コントラストを得る３ｅ以外の光導電層として
、粉末状のＺｎＯ，Ｃｄ’Ｓ等をバインダーに分散した
光導電層を用い、これど絶縁層よりなる感光体も開発さ
れているが、耐湿性の点で問題がある。

本発明者らは１．Ｆ記の問題点を解決づべく種々実験、
検討した結果、本発明をなすにいたったものである。り
なわら、本発明の目的は、導電層、光導電層および透明
絶縁層よりなる電子写真感光体における」ニ述の如き諸
問題を解８！ｌ″ｇるため、高コン１−ラスト、高耐湿
性、高耐久性を有する電子写真感光体の構成およびその
製造法を提供しようとするものＣある。

本発明の電子写真感光体は、△（支持導電層、ｌｎ導電
層およびＣｕ導電層、Ａｇ導電層、Ｓｅ系光導電層およ
び透明絶縁層の順に積層して成ることを特徴とするもの
である。

また、本発明の電子写真感光体の製造方法は、上記の本
発明感光体を製造するにあたり、ＡＡ支持導電層上に置
換法または電気メツキ法によりｌｎ導電層を形成した後
、Ｃｕ導電層おＪ：びＡｇ導電層もしくはＡｇ導電層を
順次電気メツキ法により形成し、次いでイのＡｇ導電層
上に蒸着法によりｓｅ系光導電層を形成した後、任意の
適当な方法により透明絶縁層を形成づ−ることを特徴と
覆るものである。

以下、本発明の電子写真感光体とその製造方法について
詳細に説明する。

第２図は、本発明の感光体の構成の一例を示１断面図で
ある。同図において、１はΔ℃支持導電層、２はＺｎｌ
電層、３はＣｕ導電層、４はＡｑ導電層、５はＳｅ系光
導電層、および６は透明絶縁層であって、これらが図示
のように積層された構成となっている。

Ａβ支持導電層１は、加工性、硬度、コスｈ、表面性の
点で従来がら感光体の導電性支持体として最も適切であ
ることが知られＣいるので、本発明においてもこれを利
用した構成となっている。

前記ＡＣ＋導電層４は、へβ支持導電Ｐ１に直接被着さ
せればよいわけであるが、蒸着法では付着力が十分でな
く、かつ数μ以上の厚さに形成づるには適さず、またメ
ッキ法でΔｇ導電層４をＡＪ２支持導電層１に直接被着
させた場合には、均一に被着せず、かつ付着力が弱く、
光沢も悪く、耐久性が劣るのＣ１図示の実施例のもので
は、Ａ（＋導電層４と八（支持導電層１との間に７ｎ導
電層２とＣｕ導電層３を介挿した構成とし、それらを電
気メツキ法ににり形成している。なお、そのＺｎ導電層
２は、厚みが０．１〜１０μ程磨とし、好ましくは１μ
程度とするのが適当である。また、そのＺｎ導電層は、
／ｎ置換液への浸漬による置換法によって形成してもよ
い。この実施例でＡ（１導電層４を−そう効果的に付着
させるため、７　ｎ導電層２上にまずＣ１導電層３を形
成した構成となっているが、その場合、Ｃｕ導電層３の
厚さは、１〜５０μ、好ましくは１０〜１５μとするの
が適当であり、Ｃｕ　ＣＮ液を用いて電気メツキ法によ
って形成しでいる。

以上のように形成した／１１尋電導電もしくはＣＵ導電
層３上にＡｇを電気メツキ法により、０．５〜５０μ程
度、好ましくは５μ前後の厚さにメッキしてＡ（］導電
層４を形成しくいる。この場合のメッキ液組成どし−Ｃ
は、シアン化銀、シアン化カルシウムおよび炭酸ノＪリ
ウムからなる液か、銀シアン化カリ・クム、シアン化カ
リウｌ＼および炭酸カリウムからなる液が適しでいる。

なお、メッキ湿度は１０〜３０′Ｃ１電流密度は０．１
〜２△／（１ｍ、Ｐ　Ｈ９以上の条（’ｔによっＵＡＣ
Ｉ導電層４を形成するのがｊ内当である。

このようにして／ｌ支持導電層１上に形成した７　ＩＴ
　−ＧＯ−八〇の各層からなるメッキ導電層は、洗浄、
乾燥後、密着性が良好な導電層として本発明の感光体を
構成する光導電層５に対し電荷の注入が容易な電極に供
せられる。この密着性が改良される理由は、主どして各
導電層界面にお（Ｊる材質間の相溶性に起因しているも
のと考えられる。

しかも、八ぶ支持導電層１に直接Ａ（］導電層を形成し
たものに比べて、きんいつな光沢面をも５つたΔｇ導電
層が得られるばがりＣ゛なく、Ｚｌｌ　〜ＣＩＪ−１８
の全部をＡＵによって形成した場合に比べて、コスト、
加工性、硬度、表面性ども優れている。

透明絶縁層６は、可視光を透過し、体梢固右抵抗の高い
（たとえば１０１４（’）・ｃｍ以上）たとえばポリエ
チレン・テレフタレ−１−、バラキシリレンおよびその
他のアクリル、エポキシ、ウレタン、フッ素、スチレン
、カーボネー１〜樹脂等が適しており、任意の適当な方
法で厚さ５〜４０μ程度となるように光導電層５上に被
着させＣいる。

また、光導電層５は、Ｓｅ系の光導電材料たとえばＳｅ
、あるいはＳｅを主成分とし、１−ｅ。

△Ｓ、Ｇｅ、Ｓ、Ｓｂ、ハロゲン等の副成分をドープし
たものよりなり、蒸着法によってへ１９電層４上に形成
した構成となっている。

第１図の実施例では、ぞのｓｅ系先光導電層５単一層に
形成しＣある例を示しているが、好ましくは第２図の本
発明の感光体の実施例の構成図に示したように、Ｓｅの
み、あるいはハロゲンをドープしたＳｃによって形成し
た電荷輸送層５−１と、５ｅ−Ｔ’ｅを主体とする電荷
発生層５−２の二層構成とすることである。なａ３、同
図において第１図と同一構成部分は、同一符号を付して
示してあり、これらの部分については第１図により説明
済みであるので゛、説明を省略する。

周知のように、静電潜像につぃＣ８二１ンｔ−ラスＩ−
を得るには、−広帯電荷に注入された電荷は、光導電層
の電極を構成づる導電層にまり用害されることなく、透
明絶縁層のＦに十分捕獲されるよう、できるだ（プづみ
ゃかに光導電層を移動層る必要がある。ところで、ｓｅ
ｅ感光体については、ハロゲンを除いて、一般に不純物
が少しでもドープされると易動度の低下があることが報
告されており、たどえば不純物どしＵ　’ｌ−ａが入る
ことはあまりりｒましくない。一方、二次帯電同時光像
露光おＪ：び最終■程Ｃ′ある全面露光部に、光導電層
が純粋のＳｅのみによるものにｄ３いては、光感度域が
、可視光の短波域にしがないので効率が悪く、そのため
にＴｅ、Ａｓ等のドープによって分光感度域を拡大し効
率向上をはかる必要がある。

第２図に示した実施例のものは、上記の二つの要求を同
時に満たまため、透明絶縁層６の下に３ｅ−１−ｅを主
体とする易動度を低下させない程度に薄く形成した電荷
発生層５−２を設（プて、これにより光感度波長域の拡
大をはかるどともに、光感度を増大さぜ、もって、同時
帯電光像露光時および全面露光時の効率を向上さけ、ま
たその電荷発生ＦＦｌ５−１の下に、Ｓｅのみ、あるい
はハロゲンをＯ〜４０００　ｐｐｍ含む以外には他の不
純物を含まない大きな易動度を有りるＳｅによって形成
した電荷輸送層５−１を設けることにより、Ａ（］導電
層４より注入された電荷の移動をすみやかにし、もって
増感帯電効果を十分発揮させ７よう、光導電Ｒ５を二層
構造に形成した例を示している。

すなわち、前記電荷発生層５−１は、０．０５〜５μの
厚さの５ｅ−Ｔｅ層であって、ｌ−ｅの含有率が５〜２
５％であり必要に応じて結晶化防止、感度向上、残留電
位除去等の目的で、Ａｓ　、　Ｑｅ　。

３ｉ、３１）、ハロゲンを含有させてもよい。

また、前記電荷輸送層５−２は、５ナイン（９９，，９
９９％＞Ｕ上の］Ｋ＋　１．Ｗの純粋なＳｅか、あるい
はり［１ル等のハロゲンをＯ〜４０００１）０ｍ含有づ
るＳｅを２０−７０μ厚に真空蒸着により形成するのが
適当Ｃある。真空蒸着の基板温度は、５５°〜６５℃が
適しており、５５℃以下の場合には、残留電位が高くな
るとともに、プロセス応答速度が遅くなり、かつ十分な
コン１〜ラストがとれないものとなる恐れがある。一方
、５５°Ｃ以上の基板温度で゛は、光導電層の抵抗が著
しく低下し、電圧印加時、光導電層に電位分配しなくな
るため、−次帯電時にお（）るΔｇ導電層４からの電荷
法人、移動効果についてすぐれた効果を呈するようにな
シが、二次の同時帯電光像露光時においても、明部、暗
部の区別なくＡ（Ｉ導電層４側にり電荷の注入、移動が
行なわれるようになり、コン１〜ラストがとれなくなる
ことを確認している。

以上、Ｓｅ系光導電層５を電荷発生層５−２および電荷
輸送層５−１の二層構造に形成した実施例について、そ
れら各層５−１．５−２の高コントラス］−に対する役
割を説明したが、高コン１〜ラストに対するＡＪ２−Ｚ
ｎ−Ｃｕ−ＡＱからなる導電層の寄与について次に説明
する。

導電層の習性としては、−次帯電時に、できるだけ良好
な電荷の注入性を示し、二次帯電同時光像露光時には、
明部、暗部のコントラストを得るため、導電層側から電
荷の注入がないことが必要である。すなわち、プロセス
に応じて光導電層と整合のとれた導電層の材質が要求さ
れる。

本発明の感光体を構成づるＡＡ−７ｎ−Ｃｕ−Ａ（Ｉか
らなる導電層のコントラストに対重る寄与は、次のよう
な実験から明らかである。

八ぶを導電層とした電荷発生層と電荷輸送層からなるＳ
ｅ感光体ど、本発明のＡＪ２−Ｚｎ−Ｃｕ−ＡＱからな
る導電層からなるそれと同一構成のＳｅ系感光体に、そ
れぞれ−２０００Ｖの暗中コロナ帯電をした後、強い全
面露光を行なった時の電位低下を測定した結果、Ａ１．
導電層のものでは、１０００Ｖ近く電位変化があるのに
対して、本発明のものでは２５０　Ｖ　Ｐｉｉ度とがな
り小さい値を示した。このことから、本発明のものＣは
、−２０００Ｖ暗中帯電ニ、、Ｌ　リ’ｌ　Ｆ　ニー　
１７５０　Ｖに相当する電荷が、透明絶縁層の１Ｆに形
成されていることがわかる。

一方、前者のＡＪ２導電層のものでは、−１ｏｏｏｖ近
くの電位分配が光導電層にあり、せっか＜−２０００Ｖ
を印加しているにもががねらず、−次帯電どし゛Ｃ有効
に透明絶縁層に電荷対を形成しているのは、その印加電
圧の半分の−１０００Ｖ程度であり、本発明のものに比
べＣはるかに小さく、電荷の注入が悪いことがわかる。

つぎに、二次帯電時を想定して、Ｉｌｆ’を中で＋２０
００Ｖの正コロナ帯電を行ない、その時の本発明による
感光体の電位変化ど、Δ℃導電層の感光体における電位
変化を調べた結果、ともに１１５０Ｖ程度であった。

以上の実験結果から、本発明の感光体は、Δ℃導電層の
みによる従来の感光体に比べて、−次帯電においては電
荷の注入性が良好Ｃあり、二次帯電荷においては電荷阻
止性を示し、高コントラストの静電潜像が得られ易い特
性をもっていることがわかる。

なお、本発明の感光体におけるΔｚ’−ｚｎ−Ｃｕ−Ａ
（＋からなる導電層とＳｅ系導電層界面での電荷の注入
を支配しＣいる機構はつぎの三つの可能性が考えられる
が、現在のところ明らかではない。

１、　たとえば光導電層との接触面積等、導電層の表面
状態。

２、　界面での３ｅ系導電囮の再結合レンター密度の大
小。

３、３ｅど導電層の仕事関数の差にＪ、るバリア形成の
難易。

４、　Δ１．　Ｚｎ　、　Ｃ’、ｕ　、　Ａ（］の各層
間の（１事関数の差によるバリア形成の難易等。

以上説明した本発明の電子写真感光体についてその製造
方法を実施例に基づいて以下説明する。

〔実施例１〕 脱脂、前処理したアルミニウムドラムをＮａ　０１−１
　　　（５２５（＋　／１）ＺｎＯ（１００ａ／ρ） のアルカリ溶液に１分間浸）きし、酸化皮膜を表面から
除去し、約１μの密着性の７ｑ層で表面置換した。つい
で、 Ｃｕ　、ＣＮ　　　　（４１，３ａ　／β）Ｎａ　ＣＮ
　　　　（４８，８ｇ／Ｊ２＞ＮａｚＣＯ３（３０，０
（！／Ｊ２） ロッシェル塩　（６０，０（１／β） Ｐｌ−１１０，３ 温　　度　　　　　　　　　４０　　℃の１１１ｉＦ１
５分間電気メッキし、前記７［１層の表面に１０μのＣ
ｕ層を形成した。ここでＱＬＩメッキをほどこす理由を
説明りると、７−ｎ層の上に直接へ〇メッキする方法で
は、管理上不安定であり常に良好４に密着性を冑Ｉ１１
いためである。

ついで、そのドラムを シアン化銀　　　　（２６，２５Ｍ　Ｊ２）シアン化カ
ルシウム（５２，５９（１／β）炭酸カリウム　　（３
７，５（１／ぶ）ＰＩ−１、１０，５ 温　　度　　　　　　　　　　　２０　　℃の浴に入れ
−Ｃ電流密度１．８Ａ／ｄｍ　　にして５分間電気メツ
キし、約５μのＡ（ｌｌｉを形成した。これを洗浄、乾
燥した後、基板温度６０℃で、５０μの厚さに５ナイン
のＳｅ層を真空蒸着法によって蒸着し、ついで１０％の
Ｔｅを含有する５ｅ−Ｔｅ層を０．５μの厚さに真空蒸
着してＳｅ系光導電層を形成した。この　Ｓｅ系光導電
層の上に透明絶縁層として厚さ２０μのＰＥＴフィルム
をはりつけて、本発明の感光体を得た。

以上のように製造した感光体にまず一次帯電として、ス
コロトロン帯電器により 一２０００Ｖに帯電し、ついで６．５ＫＶのＡＣコロナ
帯電と同時に光像を露光し、その後、全面露光し−Ｃ静
電潜像をｌｒ／た。

また、同様にして一次帯電後、４−６．５ＫＶの直流性
］ロナ帯電と同時に光像を露光し、その後全面露光し℃
静電潜像を１ｑた。

それら両りの方法によつ（得られたコントラス１〜電位
は、表１の実施例１のＡＣ，ｌ）Ｃの各欄に記載したよ
うに、４２０ＶＪ３よび５４０ｖとそれぞれ高い値を示
した。これらの静電潜像を磁気ブラシ現像し、転写紙に
転写したところ、予期したとおり高濃度のコン１−ラス
トの良好な画像を得ることができた。

その後、除電、クリーニングし、次の画像を繰り返しと
ったところ、残留電位、残像等のない画質良好な画像が
得られた。また、同様にして現像、転写の練り十し、５
万枚後の］ン１〜ラスト電位保有率は、９０％以上と極
めて優れた耐久性を示した。

さらに、温度特性として、上記のように製造した本発明
の感光体を、８５％ＲＩ−１の高湿化に３日間放置後、
再び上記と同じ方法で評とんとなかった。

（実施例２〕 脱脂、前処理したアルミニウムドラム上に、１ｎＧＮ　
　（６０（１／ρ） ＮａＣＮ　　（４２ｇ／ｊ２） Ｎａ　０Ｈ（７８，８（１／Ｊ２　＞ の亜鉛メッキ液により、Ｚ　ｎ層を２μの厚さに電気メ
ッキした後、前記実施例１と同じ処理により、Ｃｕ層お
よびΔｇ層を順次各５μ厚に電気メッキしてＡＪ２−Ｚ
ｎ　−Ｃｕ　−Ａ（＋の各層からなるｇ電層を形成した
。この導電層のＡ（］導電層上に、基板温度５７°Ｃに
より、りＵルを１５ｐ１）ｍ含有する３ｅ層を４５μの
厚さに真空蒸着し、ついで１５％の１ｅと１．５％のＡ
Ｓを含有づる３ｅ−’１−ｃ重金属を１μの厚さに真空
蒸着して光導電層を形成した。この光導電層上にバラキ
シリレン樹脂層を気相蒸着により２５μの厚さに被着形
成して本発明の感光体を得た。

この感光体を前記実施例１の場Ｃと同様の条件にＪ：っ
て評価したどころ、上記表１の実施例２の欄に示した如
き良好なコントラストを示した。また、耐湿性、耐久性
ども実施例１によるものと同様に極めて良好であった。

〔実施例３〕 脱脂、前処理したアルミニウムドラム上に実施例２の場
合と同じ処方の亜鉛メツ４：液により７０層２μ厚に電
気メッキした後、実施例１の場合と同じ手法により、そ
の７−ｎ層上にＡ（１層を５μ厚に形成した。ついで、
５７℃の基板温度により４５μの厚さに、クロルを１５
１）Ｉ）Ｉｌｌ含有りるＳｅ層を真空蒸着し、さらにそ
のＳｅ層上に１５％のＴｅと１．５％のＡＳを含有する
３ｅ−Ｔｅ合金層を１μの厚さに真空蒸着して光導電層
を形成した。この光導電層上にハラキシリレン層を２５
μの厚さに気相蒸着して本発明の感光体を得た。

この感光体を実施例１の場合と同一条件で評価したとこ
ろ、上記表１の実施例３の欄に示したように、良好なコ
ントラスト電位を示し、また耐湿性も実施例１にＪ、る
ものと同様に良好であった。また、耐久性は、後記りる
本発明の感光体にＪ、らないものについての参考例３に
比べると、かなり良い保有率Ｖｃを示した。

（参考例１） ノ１ルミニウムドラム」−に直接、５ナインのＳｅ層を
５０μの厚さに真空蒸着し、ついで１０％のＴｅを含有
づる３ｅ−’ｌ’ｅＨを０．５μの厚さに真空蒸着して
光導電層を形成し、この光導電層上に２０μ厚のフィル
ムをはりつけて得た感光体について、実施例１の場合と
同様に評価したどころ、上記表１の参考例１の欄に示す
如く、ＡＣ，ＯＣの各帯電時にｄ３りるコントラスト電
位は、非常に低い値しか示さなかった。

〔参考例２〕 実施例１と同条１′１によって作製したΔρ−７ｎ　−
Ｃｕ−Ａ（ｌの各層からなる導電層上に、１０％のＴｅ
を含有づる５ｅ−Ｔｏ合金層を５０μの厚さに真空蒸着
して光導電層を形成し、この光導電層の上に２０μの厚
さの（）Ｆ［フィルムをはりつ（〕て本発明の感光体を
得た。

この感光体について、実施例１ど同様の条件で評価した
結果は、上記表１の参考例２の欄に記したとａ３りであ
って、参考例１のものに比べると優れたコントラスト電
位を示り−が、実施例１の場合のもののコントラス１〜
電位レベルには達しなかった。

（参考例３〕 アルミニウムドラム上に、Ｚｎ−ＣＵｆｆｌを入れない
で、直接Ａｇ層を実施例におりるＡｔ１層形成と同じ条
件にＪ、って５μ厚に形成し、以下実施例１と同様に光
導電層および透明絶縁層を形成して得た感光体について
、実施例１と同じ条件で評価した。

その結果は、上記表１の参考例３の欄に示したとおりで
ある。すなわち、初期のコントラス１〜電位については
、ＡＣ，’ＤＣ帯電ども実施例１のものとほぼ同じであ
ったが、画質の均一性に問題があり、部分的な乱れがみ
られた。また、耐久性につい（は、実施例１のものに比
べるとコントラス１−電位保有率Ｖｃが７５％と低い値
を示しており、Δ℃−八りからなる導電層と光導電層の
密着性変化にともなう劣化が、早くおきているものと元
えられる。

以上は、本発明の感光体を同時帯電光像露光を利用した
作像ブ１」セスに用いる場合について説明したが、本発
明の感光体は、いままで説明しＣきたようなプロレス用
に限定されるものではなく、たとえば特開昭４８−８９
７３７号公報に記載されている如き、−数帯電とし′Ｃ
Ｃココ１す帯電を加え、ついで、正コロナ帯電を加えた
後、光像を露光するようにした電子写真法に用いること
もできることは勿論である。なお、その場合、前記特開
昭４８−８９７３７号公報に記載のものにＪ３いては、
全面露光しながら一次帯電をしているが、電荷の注入性
が良好な本発明の感光体を用いれば、その−広帯電荷に
全面露光がなくても透明絶縁層の上下に電荷対を十分形
成させることが可能であるばかりではなく、引続く静電
形成プロセスにより良好なコン１−ラスト電位を得るこ
とができる。

以」ニの説明から明らかなように本発明の感光体によれ
ば、３ｅ系先光導電と導電層の界面導電層どし’ｌ’　
Ａ　ＬＪを用いたことにより、−広帯電荷の電荷注入性
が改善され、かつ二次帯電同時光像露光時の注入阻止性
は維持された状態になるため、高］ン１〜ラス１〜、高
温度の複写画像が育られる。また、前記の八〇による界
面導電層は、／１１導電囮もしくはそのＺＯ導電層上に
形成したＣｕ導電層を介して△β支持導電層と強く密着
した構成であるから、静電潜像画質の均一性、安定性が
ともに優れ、かつ同一静電潜像の繰り返し使用時のコン
トラスト電位の保有率が優れている等の効果がある。ま
た、Ｓｅ系光導電層を電荷発生層と電荷輸送層の２層に
構成したものにおいては、光キャリアの発生は電荷発生
層に、光キャリアの輸送および注入キャリアの輸送は電
荷輸送層に、それぞれ機能分担させるようにしているた
め光感度に擾れ、かつ残留電位、残像のない良好な画像
特性を示す等の効果をもあわけ有づるはか、光導電層ど
じＣ８ｅ系の蒸＠膜を用いているので、バインダー系感
光体に比べて耐湿性が非常に優れている等の効果をもあ
わせ有づる。

さらに本発明の製造方法によれば、密着性の浸れた導電
層が形成されるのＣ゛、前記表１に示した如き高性能を
右ηる本発明の感光体を容易に製造しつる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、本発明の電子写真感光体のそれ
ぞれ異なる実施例の構成を示′ＩＩｆｌｉ面図Ｃある。 １・・・Ａββ支持導電層２・・・／１１導電層３・・
・Ｃｕ導電層　　　４・・・Ａｇ）ｇ電層５・・・Ｓｅ
系光導電層　５−１・・・電荷輸送層５−２・・・電荷
発生層　　６・・・透明絶縁層第１図 第２図 手続補正書 昭和５８年８月２５日 １、事件の表示 昭和５７年　特　許　願第１８４１９２号２、発明の名
称 電子写真感光体およびその製造方法 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 （０３７）　　オリンパス光学工業株式会社電話（５８
１）　２２４１番（代表） ５゜ ６、補正の対象　　明細書の「発明の詳細な説明」の欄
７°補’ｉＥ　Ｃｒ）　ｌ＊Ｉ＠　（別０°１°’　　
　　　　　　　方、＊　　／ｉｉ’１、明細書第４頁第
１４行の「全面露光しながら、・・・全面露光を」を「
同時全面露光後、あるいは−数帯電後全面露光を」と訂
正し、 同頁第第１７行の「−数帯電後の」を「−成帯電荷、ま
たは帯電後の」と訂正する。 ２、同第６頁第１１行の「第２図は、」を「第１図は、
」と訂正する。 ３、同第８頁第２０行の「きんいつな」を「均一な」と
訂正する。 ４、同第１１頁第９行のｌ’−５−ＩＪを［５−２４と
訂正し、 同頁第１７行のｌ’−５−１」をｌ’−５−２ｊと訂正
する。 ５、同第１２頁第２行のｌ”５−２」を「５−１」と訂
正する。 ６、同第１５頁第６行の「三つの」を「四つの」と訂正
する。 ７、同第２１頁第１６行の「ハラキシリレン層」を「バ
ラキシリレン層」と訂正する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　　ＡＪ２支持導電層、７−ｎ導電層または７ｎ導
   電層およびＣｕ導電層、Ａ（＋導電層、Ｓｅ系光導電層
   および透明絶縁層の順に積層しで成ることを特徴とする
   電子写真感光体。 ２、　前記Ｓｅ系導電層が前記ＡＱ導電層上に、５５℃
   〜６５℃の基板温度で蒸着された２５〜７０μ厚のＳｅ
   電荷輸送層と、５５℃〜６５℃の基板温度でそのＳｅ電
   荷輸送層上に蒸着された少なくとも丁ｅを５〜２５％含
   有する０、０５〜５μ厚の３ｅ　−Ｔｅ電荷発生層の二
   層よりなることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
   載の電子写真感光体。 ３、　前記Ｓｅ系光導電層が、前記Ａｇ導電層上に、５
   ５℃〜６５℃の基板温度で蒸着されたハロゲンを０〜４
   ０００　Ｄｐｍ含有する２５〜７０μ厚のＳｅ電荷輸送
   層と、そのＳｅ電荷輸送層上に、５５°〜６５℃の基板
   温度で蒸着された少なくとも丁ｅを５〜２５％含有する
   ３ｅ−−ｊｅ電荷発生層の二層よりなることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項に記載の電子写真感光体。 ４、　　／ｌ支持導電層、７１１導電層または７ｎ導電
   層おＪ、びＣｕ１ｊ電層、Ａｇ導電層、Ｓｅ系光導電層
   および透明絶縁層の順に積層して成る電子写真感光体を
   製造りるにあたり、Δ℃支持導電層上に直換法または電
   気メツキ法により７ｎ導電層を形成した後、ＣｕＳ電層
   およびＡｇ導電層もしくはへ〇導電層を順次電気メツキ
   法により形成し、次いでそのＡ（ｌ導電層上に蒸着法に
   よりＳｅ系光導電層を形成した後、透明絶縁層を形成す
   ることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。