JPS5974568A - 電子写真感光体およびその製造方法 - Google Patents
電子写真感光体およびその製造方法Info
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- JPS5974568A JPS5974568A JP57184189A JP18418982A JPS5974568A JP S5974568 A JPS5974568 A JP S5974568A JP 57184189 A JP57184189 A JP 57184189A JP 18418982 A JP18418982 A JP 18418982A JP S5974568 A JPS5974568 A JP S5974568A
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- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
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- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、静電電子写真複写機に用いる導電層１元導電
層、透明絶縁層から成る電子写真感光体およびその製造
法に関する。
層、透明絶縁層から成る電子写真感光体およびその製造
法に関する。
この種の感光体は、主として静電潜像形成プロセス中、
同時帯電光像露光を含む工程により静電潜像が形成され
る。丁なわち、特公昭４２−２８９１０号および特公昭
４８−２４７４’８号各公報に記載されているように、
−成帯［、ＡＣ・：帯電または一次帯電とは逆極性の帯
電による二次帯電と同時の光像露光、全面露光のプロセ
スで静電潜像が形成される。
同時帯電光像露光を含む工程により静電潜像が形成され
る。丁なわち、特公昭４２−２８９１０号および特公昭
４８−２４７４’８号各公報に記載されているように、
−成帯［、ＡＣ・：帯電または一次帯電とは逆極性の帯
電による二次帯電と同時の光像露光、全面露光のプロセ
スで静電潜像が形成される。
感光体として、導電層としてよく用いられるＡ４光導電
層としてＳｅ、絶縁層としてポリエチレンテレフタレー
ト（ＰＥＴ）よりなるものを用いた場合、Ｓｅ元導電層
がＰ型であるため、負の前記−成帯電、前記二次のＡＣ
または正のコロナ帯電同時光像ｙｔ光、全面露光を加え
るプロセスにおいて、−成帯電荷に、絶縁層の上下に電
荷対を形成するという効果が十分発揮されず、高い静電
コントラストをもった静電潜像が得難い難点がある。
層としてＳｅ、絶縁層としてポリエチレンテレフタレー
ト（ＰＥＴ）よりなるものを用いた場合、Ｓｅ元導電層
がＰ型であるため、負の前記−成帯電、前記二次のＡＣ
または正のコロナ帯電同時光像ｙｔ光、全面露光を加え
るプロセスにおいて、−成帯電荷に、絶縁層の上下に電
荷対を形成するという効果が十分発揮されず、高い静電
コントラストをもった静電潜像が得難い難点がある。
Ｔなわち、−成帯電荷において、Ｓｅ光導ｍＮの暗抵抗
が高いためと、導電層側からのキャリアの注入が少ない
ため、絶縁層の上下にのみに電荷対を形成した理想的状
態とは、はど遠い状態になっている。その結果、明部、
暗部のコントラストの決定は、−成帯電が増感帯電であ
るという効果を失い、単に二次帯電同時光像露光の工程
のみに依存し、二次帯電がＡＣの場合には殆んどコント
ラストがとれず、逆極性直流コｐすの場合であっても極
めて低いコントラストしか得られない欠点がある。
が高いためと、導電層側からのキャリアの注入が少ない
ため、絶縁層の上下にのみに電荷対を形成した理想的状
態とは、はど遠い状態になっている。その結果、明部、
暗部のコントラストの決定は、−成帯電が増感帯電であ
るという効果を失い、単に二次帯電同時光像露光の工程
のみに依存し、二次帯電がＡＣの場合には殆んどコント
ラストがとれず、逆極性直流コｐすの場合であっても極
めて低いコントラストしか得られない欠点がある。
また、それを補う補助的手段として、−成帯電荷全面露
光しながら、あるいは−成帯電後全面露光を入れた後、
二次帯電同時光像露光を行なう方法等があるが、これら
の補助的手段により若干コントラストはよくなるものの
、−成帯電後の全面露光用の全面露光ランプの挿入が必
要であり、これがため装置が複雑化するばかりでなく、
それでもなお実用に十分なコントラストが得られず、さ
らにプロセスが高速化するに伴ない、そのような補助的
手段では解決し得ないのが実情である。
光しながら、あるいは−成帯電後全面露光を入れた後、
二次帯電同時光像露光を行なう方法等があるが、これら
の補助的手段により若干コントラストはよくなるものの
、−成帯電後の全面露光用の全面露光ランプの挿入が必
要であり、これがため装置が複雑化するばかりでなく、
それでもなお実用に十分なコントラストが得られず、さ
らにプロセスが高速化するに伴ない、そのような補助的
手段では解決し得ないのが実情である。
一方、高コントラストを得るＳｅ以外の光導電層として
、粉末状のＺｎＯ、ＯｄＳ等をバインダーに、分散した
光導電層を用い、これと絶縁層よりなる感光体も開発さ
れているが、耐湿性の点で問題がある。
、粉末状のＺｎＯ、ＯｄＳ等をバインダーに、分散した
光導電層を用い、これと絶縁層よりなる感光体も開発さ
れているが、耐湿性の点で問題がある。
本発明者らは、上記の問題点を解決丁べく種々実験１検
削した結果、本発明をなＴにいたったものである。すな
わち、本発明の目的は、導電層。
削した結果、本発明をなＴにいたったものである。すな
わち、本発明の目的は、導電層。
光導電層および透明絶縁層よりなる電子写真感光体にお
ける上述の如き諸問題を解消するため、高コントラスト
、高耐湿性、高耐久性を有する電子写真感光体の構成お
よびその製造法を提供しようとするものである。
ける上述の如き諸問題を解消するため、高コントラスト
、高耐湿性、高耐久性を有する電子写真感光体の構成お
よびその製造法を提供しようとするものである。
本発明の電子写真感光体は、Ａｌ支持導電層。
Ｚｎ導電層またはｚｎ′＃１．電層およびＣｕ導電層、
Ｎ１導電１層、Ｓｅ系光導電層および透明絶縁層の順に
積層して成ることを特徴とするものである。
Ｎ１導電１層、Ｓｅ系光導電層および透明絶縁層の順に
積層して成ることを特徴とするものである。
また、本発明の電子写真ｒｒｘｙｒ、、体の製造方法は
、上記の本発明感光体を製造するにあたり％ Ａｌ支
持導電層上に置換法または電気メツキ法によりＺｎ□
導電層を形Ｊれた後、Ｃｕ導電層およびＡｇ ｌ電層も
しくはＮｉ導電層を順次電気メツキ法により形成し、次
いでそのＮ１導′Ｐｆ、層上に蒸着法によりＳｅ系光導
電層を形成した後、任意の適当な方法により透明絶縁層
を形成することを特徴とするものである０ 以下、本発明の電子写真感光体とその製造方法について
詳細に説明する。
、上記の本発明感光体を製造するにあたり％ Ａｌ支
持導電層上に置換法または電気メツキ法によりＺｎ□
導電層を形Ｊれた後、Ｃｕ導電層およびＡｇ ｌ電層も
しくはＮｉ導電層を順次電気メツキ法により形成し、次
いでそのＮ１導′Ｐｆ、層上に蒸着法によりＳｅ系光導
電層を形成した後、任意の適当な方法により透明絶縁層
を形成することを特徴とするものである０ 以下、本発明の電子写真感光体とその製造方法について
詳細に説明する。
第１図は、本発明の感光体の構成の一例を示す断面図で
ある。同図において、１はｌ支持導電層＋２はＺｎ導電
層、８はＣｕ導電層、４はＮｉ導電層、５はＳｅ系光導
電層および６は透明絶縁層であって、これらが図示のよ
うに積層された構成となっている。
ある。同図において、１はｌ支持導電層＋２はＺｎ導電
層、８はＣｕ導電層、４はＮｉ導電層、５はＳｅ系光導
電層および６は透明絶縁層であって、これらが図示のよ
うに積層された構成となっている。
Ａｌ支持導ｍＪ’＆１は、加工性、硬度、コスト。
表面性の点で、従来から感ｙＣ体の導電性支持体として
最も適切であることが知られているので、本発明におい
てもこれを利用した構成となっている。
最も適切であることが知られているので、本発明におい
てもこれを利用した構成となっている。
Ｎ１導電層４は、Ａ／支持導劃側に直接被着せしめれば
よいわけであるが、蒸着法では付着力が十分でなく、か
つ数μ以上の厚さに形成するには適さず、またメッキ法
でＮ１導電層４をＵ支持導電層１に直接被着させた場合
には、均一に被着せず１かつ付着力が弱く、光沢も悪く
、耐久性が劣るので、図示の実施例のものでは、Ｎｉ導
電ｗ１４とＡｌ支持導電層１との間にＺｎ導電層２とＯ
ｕ導ｍ層８を介挿した構成とし、それらを電気メツキ法
により形成している。なお、そのＺｎ導電層２は、厚み
が０．１〜１（］μ程度とし、好ましくは１μ程度とす
るのが適当である。また、そのｚｎ導電層は、ｚｎ置換
液への浸漬による置換法によって形成してもよい。この
実施例ではＮｉ導電Ｎ４を−そう効果的に付着させるた
め、ｚｎ導電層２上にまず゛Ｏｕ導ｍ層８を形成した構
成となっているが、その場合、Ｏｕ導電層３の厚さは、
１〜５０μ、好ましくは１０〜１５μとするのが適当で
あり、０ｕＯＮ液を用いて電気メツキ法によって形成し
２ている。
よいわけであるが、蒸着法では付着力が十分でなく、か
つ数μ以上の厚さに形成するには適さず、またメッキ法
でＮ１導電層４をＵ支持導電層１に直接被着させた場合
には、均一に被着せず１かつ付着力が弱く、光沢も悪く
、耐久性が劣るので、図示の実施例のものでは、Ｎｉ導
電ｗ１４とＡｌ支持導電層１との間にＺｎ導電層２とＯ
ｕ導ｍ層８を介挿した構成とし、それらを電気メツキ法
により形成している。なお、そのＺｎ導電層２は、厚み
が０．１〜１（］μ程度とし、好ましくは１μ程度とす
るのが適当である。また、そのｚｎ導電層は、ｚｎ置換
液への浸漬による置換法によって形成してもよい。この
実施例ではＮｉ導電Ｎ４を−そう効果的に付着させるた
め、ｚｎ導電層２上にまず゛Ｏｕ導ｍ層８を形成した構
成となっているが、その場合、Ｏｕ導電層３の厚さは、
１〜５０μ、好ましくは１０〜１５μとするのが適当で
あり、０ｕＯＮ液を用いて電気メツキ法によって形成し
２ている。
以上のように形成したＺｎ導電層２もしくはＱｕ導ｍ
Ｎ ａ上にＮｉを電気メツキ法により、ｏ、５〜５０μ
程度、好ましくは５μ前後の厚さにメッキしてＮｉ導１
１．Ｎｊ４を形成している。この場合１メッキ液組成と
しては、硫酸ニッケルを主成分とし〜・、電導度をよく
するため塩化ニッケル、塩化アンモン等を少量加えたも
のを用い、硼酸等でＰＨ変化を防ぎ、ＰＨ２〜６．５．
温度２（１〜７０“Ｃ１電流密度０．５〜５０ Ａｌｄ
ｍ”でメッキを実施すると良好なＮｉ導導電４を形成１
−るのができる。
Ｎ ａ上にＮｉを電気メツキ法により、ｏ、５〜５０μ
程度、好ましくは５μ前後の厚さにメッキしてＮｉ導１
１．Ｎｊ４を形成している。この場合１メッキ液組成と
しては、硫酸ニッケルを主成分とし〜・、電導度をよく
するため塩化ニッケル、塩化アンモン等を少量加えたも
のを用い、硼酸等でＰＨ変化を防ぎ、ＰＨ２〜６．５．
温度２（１〜７０“Ｃ１電流密度０．５〜５０ Ａｌｄ
ｍ”でメッキを実施すると良好なＮｉ導導電４を形成１
−るのができる。
このようにしてＡ／支持導ｍＷｊｌ上に形成したＺｎ
−Ｏｕ −Ｎｉの各層からなるメッキ導電層は、洗浄、
乾燥後、密着性が良好な導電層として本発明の感光体を
構成するツＣ導Ｔｌ１５に対し電荷の注入が容易な電極
に供せられる。この密着性が改良される理由は、主とし
て各導電層界面における材質間の相溶性に起因している
ものと考えられる。
−Ｏｕ −Ｎｉの各層からなるメッキ導電層は、洗浄、
乾燥後、密着性が良好な導電層として本発明の感光体を
構成するツＣ導Ｔｌ１５に対し電荷の注入が容易な電極
に供せられる。この密着性が改良される理由は、主とし
て各導電層界面における材質間の相溶性に起因している
ものと考えられる。
しかも、Ａｌ支持４１１１層１に直接Ｎｉ導電層を形成
したものに比べて、均一な光沢面をもったＮｉ導ＩＴ？
１層が得られるばかりでなく、Ｚｎ −Ｏｕ −Ｎｉ層
の全部をＮｉによって形成した場合に比べて、コスト、
加工性、硬度１表面性ともに優れている。
したものに比べて、均一な光沢面をもったＮｉ導ＩＴ？
１層が得られるばかりでなく、Ｚｎ −Ｏｕ −Ｎｉ層
の全部をＮｉによって形成した場合に比べて、コスト、
加工性、硬度１表面性ともに優れている。
透明絶縁層６は、可視光な透過し、体積固有抵抗の高い
（たとえば１０１４Ω・ｃｍ” 砒）たとえばポリエチ
レン中テレフタレート、バラキシリレンおよびその池の
アクリル、エポキシ、ウレタン。
（たとえば１０１４Ω・ｃｍ” 砒）たとえばポリエチ
レン中テレフタレート、バラキシリレンおよびその池の
アクリル、エポキシ、ウレタン。
フッ素、スヂレン、カーボネート樹脂等が適しており、
任意の適当な方法で厚さ５〜４０μ程度となるようにｙ
ｃ導電層５上に被着させている。
任意の適当な方法で厚さ５〜４０μ程度となるようにｙ
ｃ導電層５上に被着させている。
また、光導電層５は、Ｓｅ系のｙｒ：、 ｓ 屯利料た
とえばｓｅ、するいはＳｅを主成分とし、Ｔｅ 、 Ａ
ｓ 、 Ｇｅ。
とえばｓｅ、するいはＳｅを主成分とし、Ｔｅ 、 Ａ
ｓ 、 Ｇｅ。
ｓ、ｓｂ、ハロゲン等の副成分をドープしたものよりな
り、蒸着法によってＮｉ導電層４上に形成した構成とな
っている。
り、蒸着法によってＮｉ導電層４上に形成した構成とな
っている。
第１図の実施例では、そのｓｅ系光導電層５を単一層に
形成しである例を示しているが、好ましくは第２図に本
発明の感光体の池の実施例の構成図を示したように、Ｓ
ｅのみ、あるいはハロゲンをドープしたｓｅによって形
成した電荷輸送Ｎ５−１と、Ｓｅ −Ｔｅを主体とする
電荷発生層５−２の二層構成とすることである。なお、
同図において第１図と同一構成部分は、同一符号を付し
て示してあり、これらの部分については第１図により説
明済Ｔあるので、説明を省略する。
形成しである例を示しているが、好ましくは第２図に本
発明の感光体の池の実施例の構成図を示したように、Ｓ
ｅのみ、あるいはハロゲンをドープしたｓｅによって形
成した電荷輸送Ｎ５−１と、Ｓｅ −Ｔｅを主体とする
電荷発生層５−２の二層構成とすることである。なお、
同図において第１図と同一構成部分は、同一符号を付し
て示してあり、これらの部分については第１図により説
明済Ｔあるので、説明を省略する。
周知のように、静電潜像について高コントラストを得る
には、−成帯電荷に、注入された電荷は、光導電層の電
極を構成Ｔる導電層により阻害されることなく透明絶縁
層の下に十分捕獲されるよう、できるだけ丁みゃかに光
導電層を移動する必要がある。ところで、ｓｅ系感光体
については、ハロゲ・。
には、−成帯電荷に、注入された電荷は、光導電層の電
極を構成Ｔる導電層により阻害されることなく透明絶縁
層の下に十分捕獲されるよう、できるだけ丁みゃかに光
導電層を移動する必要がある。ところで、ｓｅ系感光体
については、ハロゲ・。
ンを除いて、一般に不純物が少しでもドープされると易
動度の低下があることが報告されており、たとえば不純
物としてＴｅが入ることはあまり好ましくない。一方、
二次帯電同時光像側ｙｃおよび最終工程である全面ジオ
ン０時に、光導電層が純粋のｓｅＩ・・のみによるもの
においては、光感度域が１可視元の短波域にしがないの
で効率が悪く、そ（７） タ？ｌ） ニＴ８．Ａｓ等の
ドープによって分光感度域の拡大して効率向上をはかる
必要がある。
動度の低下があることが報告されており、たとえば不純
物としてＴｅが入ることはあまり好ましくない。一方、
二次帯電同時光像側ｙｃおよび最終工程である全面ジオ
ン０時に、光導電層が純粋のｓｅＩ・・のみによるもの
においては、光感度域が１可視元の短波域にしがないの
で効率が悪く、そ（７） タ？ｌ） ニＴ８．Ａｓ等の
ドープによって分光感度域の拡大して効率向上をはかる
必要がある。
第２図に示した実施例のものは、上記の二つの１１要求
を同時に満たすため、ｊ方間絶縁層６の下にＳｅ −Ｔ
６を主体とＴる易動度を低下させない程度に薄く形成し
た電荷発生ＪｒＩ５−２を設けて、これにより光感度波
長域の拡大をはかるとともに、光感度を増大させ、もっ
て、同時帯電光像１４光時お一゛・・よび全面露光時の
効率を向上させ、またその′ｒ４Ｌ狗発生Ｒ５−１の下
に、Ｓｅのみ、あるいはハロゲンを＋ｌ ｙ ４ （１
（ｌ Ｏｐｐｍ含む以外には池の不純物を含まない大き
な易動度を有するＳｅによって形成した電荷輸送層５−
１を設けることにより、Ｎｉ導電層４より注入された電
荷の移動をすみやかにし、もって増感帯電効果を十分発
揮させるよう、光導電層５を二層構造に形成した例を示
している。
を同時に満たすため、ｊ方間絶縁層６の下にＳｅ −Ｔ
６を主体とＴる易動度を低下させない程度に薄く形成し
た電荷発生ＪｒＩ５−２を設けて、これにより光感度波
長域の拡大をはかるとともに、光感度を増大させ、もっ
て、同時帯電光像１４光時お一゛・・よび全面露光時の
効率を向上させ、またその′ｒ４Ｌ狗発生Ｒ５−１の下
に、Ｓｅのみ、あるいはハロゲンを＋ｌ ｙ ４ （１
（ｌ Ｏｐｐｍ含む以外には池の不純物を含まない大き
な易動度を有するＳｅによって形成した電荷輸送層５−
１を設けることにより、Ｎｉ導電層４より注入された電
荷の移動をすみやかにし、もって増感帯電効果を十分発
揮させるよう、光導電層５を二層構造に形成した例を示
している。
丁なわち、前記電荷発生層５−１は、０．０５〜５μの
厚さのＳｅ −Ｔｅ層であって、Ｔｅの含有率が５〜２
５％であり必要に応じて結晶化防止、感度向上、残留電
位除去等の目的で、Ａｓ、Ｇｅ。
厚さのＳｅ −Ｔｅ層であって、Ｔｅの含有率が５〜２
５％であり必要に応じて結晶化防止、感度向上、残留電
位除去等の目的で、Ａｓ、Ｇｅ。
Ｓｉ、Ｓｂ、ハロゲンな含有させてもよい。
また、前記電荷輸送層５−２は、５ナイン（ｌＪ９．９
９９ ％）以上の純度の純粋なＳｅか、あるいはクロル
等のハロゲンを（）〜４ （１００ｐＰｍ含有するＳｅ
を２０〜７０μ厚に真空蒸着により形成するのが適当で
ある。真空蒸着の基板温度は、５５０〜６５°Ｃが適し
ており、６５°Ｃ以下の場合には、残留電位が高くなる
とともに、プロセス応答速度が遅くなり、かつ十分なコ
ントラストがとれないものとなる恐れがある。一方、５
５°Ｃ以上の基板温度では、光導電層の抵抗が著しく低
下し、電圧印加時、光導電層に電位分配しなくなるため
、−成帯電荷におけるＮｉ導雷１層４からの電荷注入。
９９ ％）以上の純度の純粋なＳｅか、あるいはクロル
等のハロゲンを（）〜４ （１００ｐＰｍ含有するＳｅ
を２０〜７０μ厚に真空蒸着により形成するのが適当で
ある。真空蒸着の基板温度は、５５０〜６５°Ｃが適し
ており、６５°Ｃ以下の場合には、残留電位が高くなる
とともに、プロセス応答速度が遅くなり、かつ十分なコ
ントラストがとれないものとなる恐れがある。一方、５
５°Ｃ以上の基板温度では、光導電層の抵抗が著しく低
下し、電圧印加時、光導電層に電位分配しなくなるため
、−成帯電荷におけるＮｉ導雷１層４からの電荷注入。
移動効果についてすぐれた効果を呈するようになるが、
二次の同時帯電光像露光時においても、明部、暗部の区
別なく Ｎｉ導■層４側より電荷の注入。
二次の同時帯電光像露光時においても、明部、暗部の区
別なく Ｎｉ導■層４側より電荷の注入。
移動が行なわれるようになり、コントラストがとれなく
なることを確認している。
なることを確認している。
以上、Ｓｅ系光導電層５を電荷発生層５−２および電荷
輸送層５−１の二層構造に形成した実施例について、そ
れら各層５−１．５−２の高コントラストに対する役割
を説明したが、高コントラストに対するＡｌ−Ｚｎ −
Ｏｕ −Ｎｉからなる導電性の寄与について次に説明す
る。
輸送層５−１の二層構造に形成した実施例について、そ
れら各層５−１．５−２の高コントラストに対する役割
を説明したが、高コントラストに対するＡｌ−Ｚｎ −
Ｏｕ −Ｎｉからなる導電性の寄与について次に説明す
る。
導電層の要件としては、−成帯電荷に、できるだけ良好
な電荷の注入性を示し、二次帯電同時ｙＣ像露光時には
、明部、暗部のコントラストを得るため、導電層側から
電荷の注入がないことが必要である。丁なわち、プロセ
スに応じて光導電層と整合のとれた導電層の材質が要求
される。
な電荷の注入性を示し、二次帯電同時ｙＣ像露光時には
、明部、暗部のコントラストを得るため、導電層側から
電荷の注入がないことが必要である。丁なわち、プロセ
スに応じて光導電層と整合のとれた導電層の材質が要求
される。
本発明の感光体を構成するＡｌ−Ｚｎ −Ｏｕ −Ｎｉ
からなる導電層のコントラストに対する寄与は、次のよ
うな実験から明らかである。
からなる導電層のコントラストに対する寄与は、次のよ
うな実験から明らかである。
Ａｌを導電層とした電荷発生層と電荷輸送層からなるｓ
ｅ糸感光体と、本発明のｈｔ −ｚｎ −ａｕ −Ｎｉ
から ４１１層からなるそれと同一構成のｓｅ系感光体
に、それぞれ−２０００Ｖの暗中コロナ帯電をした後、
強い全面露光を行なった時の電位低下を測定じた結果、
Ａ／導亀止層ものでは、１００ＯＶ近く電位変化がある
のに対して、本発明のものでは２５０層程度とかなり小
さい値を示した。このことから、本発明のものでは、−
２０００Ｖの暗中帯電によりすでに−１７５０Ｖに相当
する電荷が、透明絶縁層の上下に形成されていることが
わかる。
ｅ糸感光体と、本発明のｈｔ −ｚｎ −ａｕ −Ｎｉ
から ４１１層からなるそれと同一構成のｓｅ系感光体
に、それぞれ−２０００Ｖの暗中コロナ帯電をした後、
強い全面露光を行なった時の電位低下を測定じた結果、
Ａ／導亀止層ものでは、１００ＯＶ近く電位変化がある
のに対して、本発明のものでは２５０層程度とかなり小
さい値を示した。このことから、本発明のものでは、−
２０００Ｖの暗中帯電によりすでに−１７５０Ｖに相当
する電荷が、透明絶縁層の上下に形成されていることが
わかる。
一方、前者のＡ！導電層のものでは、−１０００ｖ近く
の電位分配が光導電層にあり、せっかく−２０００Ｖを
印加しているにもかかわらず、−成帯電として有効に透
明絶縁層に電荷対を形成しているのは、その印加電圧の
半分の一１０００Ｖ程度であり、本発明のものに比べて
はるかに小びく、電荷の注入が悪いことがわかる。
の電位分配が光導電層にあり、せっかく−２０００Ｖを
印加しているにもかかわらず、−成帯電として有効に透
明絶縁層に電荷対を形成しているのは、その印加電圧の
半分の一１０００Ｖ程度であり、本発明のものに比べて
はるかに小びく、電荷の注入が悪いことがわかる。
つぎに、二次帯電時を想定して、暗中で＋２０００゜■
の正コロナ帯電を行ＩＬい、その時の本発明による感光
体の電位変化と、Ａ！導電層の感光体における電位変化
を調べた結果、ともに１１５０Ｖ程度であった。
の正コロナ帯電を行ＩＬい、その時の本発明による感光
体の電位変化と、Ａ！導電層の感光体における電位変化
を調べた結果、ともに１１５０Ｖ程度であった。
以上の実験結果から、本発明の感光体は、Ａｌ導導電の
みによる従来の感光体に比べて、−成帯時においては電
荷の注入性が良好であり、二次帯電時においては電荷阻
止性を示し、高コントラストの静電潜像が得られ易い特
性をもっていることがわかる。
みによる従来の感光体に比べて、−成帯時においては電
荷の注入性が良好であり、二次帯電時においては電荷阻
止性を示し、高コントラストの静電潜像が得られ易い特
性をもっていることがわかる。
なお、本発明の感光体におけるｌ −Ｚｎ −Ｏｕ −
Ｎｉからなる導電層とｓｅ系光導ｍ層界面での電荷の注
入を支配している機構は、つぎの三つの可能性が考えら
れるが、現在のところ明らかではない。
Ｎｉからなる導電層とｓｅ系光導ｍ層界面での電荷の注
入を支配している機構は、つぎの三つの可能性が考えら
れるが、現在のところ明らかではない。
したとえば光導電層と接触面積等、導電層の表面状態。
区界面でのＳｅ系光導電層の再結合センター密度の大小
。
。
＆ ８８と導ｗＬ層の仕事関数の差によるバリア形成の
ｌｉ！易。
ｌｉ！易。
４ Ａｌ＋ Ｚｎ ＋ Ｏｕ ｌ Ｎｉ、−の各層間の
仕事関数の差によるバリア形成の邦易等。
仕事関数の差によるバリア形成の邦易等。
以上説明した本発明の電子写真感光体について、その製
造方法を実施例に基づいて以下説明する。
造方法を実施例に基づいて以下説明する。
〔実施例１〕
脱脂、前処理したアルミニウムドラムをＮａＯＨ（５２
５ｇ／ｌ ） ＺｎＯ（１００＆／ｌ ） のアルカリ溶液に１分間浸漬し、酸化皮膜を表面から除
去し、約１μの密着性のＺｎ層で表面置換した。ついで
、 ０ｕＯＮ （４１，３１／ｌ ）ＮａＯＮ
（４８，８９／ｌ ）Ｎａｎｏ （８０，０１
／／ｌ ）８ ０ツシエル境 （ｅ、ｏ、ｏ ｇ／ｌ ）ＰＨ１
０，３ 温度 ４０°Ｃ の液で１５分間電気メツキし、前記ｚｎ層の表面に１０
μのＯｕ層を形成した。ここでＯｕメッキをほどこす理
由を説明すると、ＺｎＮの上に直接Ｎｉメッキする方法
では、管理上不安定であり常に良し 好な密着性を得難
いためである。
５ｇ／ｌ ） ＺｎＯ（１００＆／ｌ ） のアルカリ溶液に１分間浸漬し、酸化皮膜を表面から除
去し、約１μの密着性のＺｎ層で表面置換した。ついで
、 ０ｕＯＮ （４１，３１／ｌ ）ＮａＯＮ
（４８，８９／ｌ ）Ｎａｎｏ （８０，０１
／／ｌ ）８ ０ツシエル境 （ｅ、ｏ、ｏ ｇ／ｌ ）ＰＨ１
０，３ 温度 ４０°Ｃ の液で１５分間電気メツキし、前記ｚｎ層の表面に１０
μのＯｕ層を形成した。ここでＯｕメッキをほどこす理
由を説明すると、ＺｎＮの上に直接Ｎｉメッキする方法
では、管理上不安定であり常に良し 好な密着性を得難
いためである。
ついで、そのドラムを
Ｎ１５Ｏ（２２５ｇ／ｌ ）
ＮｉＣｌ２ （４８１！／ｌ）
硼酸 （８７，５９／ｌ ）
ＰＨ５，０
温度 ５７°Ｃ
の浴に入れ電流密度４５ Ａ／ｄｍ２にして２０分間電
気メツキし、約ｌＯμのＮｉ層を形成した。しかる後、
洗浄、乾燥した後、基板温度６０℃で、５０μの厚さに
５ナインのＳｅ層を真空蒸着法によって蒸着し、ついで
１０％のＴｅを含有するＳｅ −Ｔｅ層を（）、５μの
厚さに真空蒸着してＳｅ系光導電層を形成した。このＳ
ｅ系光導電層の上に透明絶縁層として厚さ２０μのＰＥ
Ｔフィルムをはりつけて、本発明の感光体を得た。
気メツキし、約ｌＯμのＮｉ層を形成した。しかる後、
洗浄、乾燥した後、基板温度６０℃で、５０μの厚さに
５ナインのＳｅ層を真空蒸着法によって蒸着し、ついで
１０％のＴｅを含有するＳｅ −Ｔｅ層を（）、５μの
厚さに真空蒸着してＳｅ系光導電層を形成した。このＳ
ｅ系光導電層の上に透明絶縁層として厚さ２０μのＰＥ
Ｔフィルムをはりつけて、本発明の感光体を得た。
以上のように製造した感光体に、まず−成帯電として、
スコロトロン帯電器により一２０００Ｖに帯電し、つい
で６．５ＫＶのＡＣコロナＷ［と同時に光像を露光し、
その後全面露光して静電潜像を得た。
スコロトロン帯電器により一２０００Ｖに帯電し、つい
で６．５ＫＶのＡＣコロナＷ［と同時に光像を露光し、
その後全面露光して静電潜像を得た。
また、同様にして一成帯１［後、＋６．５ＫＶの直流正
コロナ帯電と同時に光像を露光し、その後全面露光して
静電潜像を得た。
コロナ帯電と同時に光像を露光し、その後全面露光して
静電潜像を得た。
それら両方の方法によって得られたコントラスト電位は
、表１の実施例１のＡＣ，Ｄ（３の各欄に記載したよう
に、４５５ｖおよび５６５■とそれぞれ高い値を示した
。これらの静電潜像を磁気ブラシ現像し、転写紙に転写
したところ、予期したとおり高濃度のフントラストの良
好な画像を得ることができた。その後、除電クリーニン
グし、次の画像を繰り返しとったところ、残留電位、残
像等のない画質良好なＩｉ！ｉＩ像が得られた。また、
同様にし像ξ※陀て現像、転写の繰り返し５万枚後のコ
ントラス）ｉ位Ｖ。の保有率は、９０％程度と極めて優
れた耐久性゛を示した。
、表１の実施例１のＡＣ，Ｄ（３の各欄に記載したよう
に、４５５ｖおよび５６５■とそれぞれ高い値を示した
。これらの静電潜像を磁気ブラシ現像し、転写紙に転写
したところ、予期したとおり高濃度のフントラストの良
好な画像を得ることができた。その後、除電クリーニン
グし、次の画像を繰り返しとったところ、残留電位、残
像等のない画質良好なＩｉ！ｉＩ像が得られた。また、
同様にし像ξ※陀て現像、転写の繰り返し５万枚後のコ
ントラス）ｉ位Ｖ。の保有率は、９０％程度と極めて優
れた耐久性゛を示した。
さらに、温度特性として、上記のように製造した本発明
の感光体を８５％ＲＨの高湿下に８日ＩＩＩ］放置後、
再び上記と同じ方法で評１ｔｉ シたところ、コントラ
スト電位の変化はほとんどなかった０〔表１〕 〔実施例２〕 脱脂、前処理したアルミニウムドラム上に、Ｚｎ０Ｎ
（６０１／／ｌ ） ＮａＯＮ （４２ｇ／ｌ ） Ｍａｉｌ（（７Ｂ、８１／／ｌ） の亜鉛メッキ液により、ｚｎ層を２μの厚でに電気メッ
キした後、前記実施例１と同じ処決により、Ｃｕ層を５
μ厚にメッキし、Ｎｉ層を１５μの厚さに電気メッキし
てＡ４− Ｚｎ −Ｏｕ −Ｎｉの各潮力１らなる導電
層を形成した。この導電層のＮｉ導導層層上、基板温度
５７℃により、クロルを１５ ｐｐｍ含有するＳｅ層を
４５μの厚さに真空蒸着し・ついで２０％のＴｅと２
％ （７） ＡＪを＠有するＳｅ −Ｔｅ合金層を１μ
の厚さに真空蒸着して光導電層を形成した。この光導電
層上にノぐラキシリレン樹脂層を気相蒸着により２４μ
の）Ｖさに被着形成して本発明の感光体を得た。
の感光体を８５％ＲＨの高湿下に８日ＩＩＩ］放置後、
再び上記と同じ方法で評１ｔｉ シたところ、コントラ
スト電位の変化はほとんどなかった０〔表１〕 〔実施例２〕 脱脂、前処理したアルミニウムドラム上に、Ｚｎ０Ｎ
（６０１／／ｌ ） ＮａＯＮ （４２ｇ／ｌ ） Ｍａｉｌ（（７Ｂ、８１／／ｌ） の亜鉛メッキ液により、ｚｎ層を２μの厚でに電気メッ
キした後、前記実施例１と同じ処決により、Ｃｕ層を５
μ厚にメッキし、Ｎｉ層を１５μの厚さに電気メッキし
てＡ４− Ｚｎ −Ｏｕ −Ｎｉの各潮力１らなる導電
層を形成した。この導電層のＮｉ導導層層上、基板温度
５７℃により、クロルを１５ ｐｐｍ含有するＳｅ層を
４５μの厚さに真空蒸着し・ついで２０％のＴｅと２
％ （７） ＡＪを＠有するＳｅ −Ｔｅ合金層を１μ
の厚さに真空蒸着して光導電層を形成した。この光導電
層上にノぐラキシリレン樹脂層を気相蒸着により２４μ
の）Ｖさに被着形成して本発明の感光体を得た。
この感光体を前記実施例１の場合と同様の条件によって
評価したところ、上記表１の実施例２の欄に示した如く
良好なコントラストを示した。また、耐湿性、耐久性と
も実施例１によるものと同様に極めて良好であった。
評価したところ、上記表１の実施例２の欄に示した如く
良好なコントラストを示した。また、耐湿性、耐久性と
も実施例１によるものと同様に極めて良好であった。
〔実施例８〕
脱脂、前処理したアルミニウムドラム上に、実施例２の
場合と同じ処゛法の亜鉛メッキ液によりＺｎした。つい
で、５７℃の基板温度により４５μの厚さに、クロルを
１５ ｐｐｍ含有するＳｅ層を真空蒸着し、さらにその
Ｓｅ層上に２０％のＴｅと２％のＡＪを含有するＳｅ
−Ｔｅ合金層を１μの厚さに真空蒸着して光導電層を形
成した。この光導電層上にバラキシリレン層を２４μの
厚さに気相蒸着して本発明の感光体を得た。
場合と同じ処゛法の亜鉛メッキ液によりＺｎした。つい
で、５７℃の基板温度により４５μの厚さに、クロルを
１５ ｐｐｍ含有するＳｅ層を真空蒸着し、さらにその
Ｓｅ層上に２０％のＴｅと２％のＡＪを含有するＳｅ
−Ｔｅ合金層を１μの厚さに真空蒸着して光導電層を形
成した。この光導電層上にバラキシリレン層を２４μの
厚さに気相蒸着して本発明の感光体を得た。
この感光体を実施例１の場合と同一条件で評価したとこ
ろ、上記表１の実施例３の欄に示したように、良好なコ
ントラスト電位を示し、また耐湿性も実施例１によるも
のと同様に良好であった。
ろ、上記表１の実施例３の欄に示したように、良好なコ
ントラスト電位を示し、また耐湿性も実施例１によるも
のと同様に良好であった。
また耐久性は後記する本発明−の感光体によらないもの
についての参考例８に比べると、かなり良い保有率ＶＣ
を示した。
についての参考例８に比べると、かなり良い保有率ＶＣ
を示した。
（参考例］）
アルミニウムドラム上に直接、・５ナインのＳｅ層を５
０μの厚さに真空蒸着し、ついで１０％のＴｅを含有す
るＳｅ −Ｔｅ層を０．５μの厚さに真空蒸着して光導
電層を形成し、この光導電層上に２０μ厚のフィルムな
はりりけて得た感光体について、実施例１の場合と同様
に評価したところ、上記表１の参考例１の欄に示す如（
、ＡＣ・ＤＣの各帯電時におけるコントラスト電位ｔ位
は、非常（こ低い値しか示さなかった。
０μの厚さに真空蒸着し、ついで１０％のＴｅを含有す
るＳｅ −Ｔｅ層を０．５μの厚さに真空蒸着して光導
電層を形成し、この光導電層上に２０μ厚のフィルムな
はりりけて得た感光体について、実施例１の場合と同様
に評価したところ、上記表１の参考例１の欄に示す如（
、ＡＣ・ＤＣの各帯電時におけるコントラスト電位ｔ位
は、非常（こ低い値しか示さなかった。
（参考例２）
実施例１と同条件によって作製したＡＩ−Ｚｎ −Ｃｕ
−Ｎｉの各層からなる導電層上に、１０％のＴｅを含
有するＳｅ −Ｔｅ合金層を５０μの厚さに真空蒸着し
て光導電層を形成し、この光導電層の上（こ２０μの厚
さのＰＥＴフィルムをけりつけて本発明の感光体を得た
。
−Ｎｉの各層からなる導電層上に、１０％のＴｅを含
有するＳｅ −Ｔｅ合金層を５０μの厚さに真空蒸着し
て光導電層を形成し、この光導電層の上（こ２０μの厚
さのＰＥＴフィルムをけりつけて本発明の感光体を得た
。
この感光体について、実施例１と同様の条件で評価した
結果は、上記表１の参考例２のＩＦαに記したとおりで
あって、参考例１のものとしこ比べると優れたコントラ
スト電位を示すが、実施例１の場合のもののコントラス
ト電位レベルには達しなカ）つた。
結果は、上記表１の参考例２のＩＦαに記したとおりで
あって、参考例１のものとしこ比べると優れたコントラ
スト電位を示すが、実施例１の場合のもののコントラス
ト電位レベルには達しなカ）つた。
（参考例８）
アルミニウムドラム上に、Ｚｎ−０ｕｉを入れないで、
直接ＩＪｉ層を実施例におけるＮｉ層形成と同じ条件に
よって１０μ厚に形成し、以下実施例】と同様に光導電
層および透明導電層を形成して得た感光体について、実
施例１と同じ条件で評価した。
直接ＩＪｉ層を実施例におけるＮｉ層形成と同じ条件に
よって１０μ厚に形成し、以下実施例】と同様に光導電
層および透明導電層を形成して得た感光体について、実
施例１と同じ条件で評価した。
その結果は、上記表１の参考例８の欄に示したとおりで
ある。すなわち、初期のコントラス）ｉ位については、
ＡＯ，ＤＯ帯電とも実施例１のものとほぼ同じであった
が、画質の均一性に問題があり、部分的ＩＬ乱れがみら
れた。また、耐久性については、実施例１のものに比べ
るとコントラスト電位保有率ＶＣが７５％と低い値を示
しており、ＡＩ−Ｎｉからなる導電層と光導ＮＭの密着
性変化にともＩよう劣化が早くおきているものと考えら
れるＯ 以上は、本発明の感光体を同時帯電光像露光を利用した
作像プロセスに用いる場合について説明したが、本発明
の感光体は、いままで説明してきたようなプロセス用に
限定されるものではなく、たとえば特開昭４８−８９’
ＭＩ７号公報に記載されている如き、−次？ｆｔ ［と
して負コロナ帯電を加え、ついで正コロナ帯電を加えた
後、光像を露光するようにした電子写真法に用いること
もできることは勿論である。なお、その場合、前記特開
昭４８−８９７８７号公報に記載のものにおいては、全
面露光しながら一次帯電をしているが、■１１荷の注入
性が良好な本発明の感光体を用いれば、その−成帯電荷
に全面露光がなくても、透明絶縁層の上下に１じ荷対を
十分形成させることが可能〜富・本物であるばかりでは
すく、引続＜ｔ＃ｘ形成プロセスにより良好なフントラ
スト電位を得ることができる。
ある。すなわち、初期のコントラス）ｉ位については、
ＡＯ，ＤＯ帯電とも実施例１のものとほぼ同じであった
が、画質の均一性に問題があり、部分的ＩＬ乱れがみら
れた。また、耐久性については、実施例１のものに比べ
るとコントラスト電位保有率ＶＣが７５％と低い値を示
しており、ＡＩ−Ｎｉからなる導電層と光導ＮＭの密着
性変化にともＩよう劣化が早くおきているものと考えら
れるＯ 以上は、本発明の感光体を同時帯電光像露光を利用した
作像プロセスに用いる場合について説明したが、本発明
の感光体は、いままで説明してきたようなプロセス用に
限定されるものではなく、たとえば特開昭４８−８９’
ＭＩ７号公報に記載されている如き、−次？ｆｔ ［と
して負コロナ帯電を加え、ついで正コロナ帯電を加えた
後、光像を露光するようにした電子写真法に用いること
もできることは勿論である。なお、その場合、前記特開
昭４８−８９７８７号公報に記載のものにおいては、全
面露光しながら一次帯電をしているが、■１１荷の注入
性が良好な本発明の感光体を用いれば、その−成帯電荷
に全面露光がなくても、透明絶縁層の上下に１じ荷対を
十分形成させることが可能〜富・本物であるばかりでは
すく、引続＜ｔ＃ｘ形成プロセスにより良好なフントラ
スト電位を得ることができる。
以上の説明から明らかなように本発明の感光体によれば
、Ｓｅ系光導電層と導ｍ層の界面導電層としてＮｉを用
いたことにより、−成帯ｍ時の電荷注入性が改臂され、
かつ二次帯電同時ｙＣ像露光時の注入阻止性は維持され
た状態になるため、高コントラスト、高濃度の複オ画像
が得られる。また、前記のＮｉによる界面導電層は、Ｚ
ｎＪ電層もしくはそのＺｎｎ導層層上形成したＯｕ導電
層を介してＡｌ支持導電層と強く密着した構成であるか
ら、静電潜像画質の均一性、安定性がともに優れ、かつ
同−ｒｆＩＴｍ潜像の繰り返し使用時のコントラス）！
位の保有率が優れている等の効果がある。また、Ｓｅ系
光導電層を電荷発生層と電荷輸送層の２層に構成したも
のにおいては、光キャリアの発生は電荷発生層に、光キ
ャリアの輸送および注入キャリアの輸送は電荷輸送層に
、それぞれ機能公傷させるようにしているため光感度に
優れ、かつ残留電位、残像のない良好な画像特性を示す
等の効果をもあわせ有するほが、光導電層としてＳｅ系
の蒸着膜を用いているのでバインダー系感光体に比べて
耐湿性が非常に優れている等の効果をもあわせ有する。
、Ｓｅ系光導電層と導ｍ層の界面導電層としてＮｉを用
いたことにより、−成帯ｍ時の電荷注入性が改臂され、
かつ二次帯電同時ｙＣ像露光時の注入阻止性は維持され
た状態になるため、高コントラスト、高濃度の複オ画像
が得られる。また、前記のＮｉによる界面導電層は、Ｚ
ｎＪ電層もしくはそのＺｎｎ導層層上形成したＯｕ導電
層を介してＡｌ支持導電層と強く密着した構成であるか
ら、静電潜像画質の均一性、安定性がともに優れ、かつ
同−ｒｆＩＴｍ潜像の繰り返し使用時のコントラス）！
位の保有率が優れている等の効果がある。また、Ｓｅ系
光導電層を電荷発生層と電荷輸送層の２層に構成したも
のにおいては、光キャリアの発生は電荷発生層に、光キ
ャリアの輸送および注入キャリアの輸送は電荷輸送層に
、それぞれ機能公傷させるようにしているため光感度に
優れ、かつ残留電位、残像のない良好な画像特性を示す
等の効果をもあわせ有するほが、光導電層としてＳｅ系
の蒸着膜を用いているのでバインダー系感光体に比べて
耐湿性が非常に優れている等の効果をもあわせ有する。
さらに本発明の製造方法によれば、密着性の優れた導電
層が形成されるので、前記表１に示した如き高性能を有
する本発明の感光体を容易に製造しつる。
層が形成されるので、前記表１に示した如き高性能を有
する本発明の感光体を容易に製造しつる。
第１図および第２図は、本発明の電子写真感光体のそれ
ぞれ１４１する実施例の構成を示す断面図である。 】・・・Ａｌ支持導電層 ２・・・Ｚｎ導電層３
・・・ａＵ導電層 ４・・・Ｎｉ導電層５・
・・Ｓｅ系光導電層 ５−１・・・電荷輸送層５
−２・・・電荷発生層 ６・・・透明絶縁層特許出
願人 オリンパス光学工業株式会社第１図 第２図 昭和５８年８ 月利日 １、事件の表示 昭和５７年 特 許 願第１８４１８９ 号２、発明
の名称 電子写真感光体およびその製造方法 ３、補正をする者 事Ｍとの１ν１（系 特許出願人 （０３７）オリンパス光学工業株式会社電 話 （５８
１） ２２４１ 番（代表）５゜ ６、補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」 「発明
の詳細な説明」の欄１、明細書第１頁第４行〜第２頁第
１６行の特許請求の範囲をつぎのとおり訂正する０ ［２、特許請求の範囲 Ｌ ｌ支持導電層、Ｚｎ導電層またはｚｎ導電層およ
びＯｕ導導電、Ｎｉ導電層、Ｓｅ系光導電層および透明
絶縁層の順に積層して収ることを特徴とする電子写真感
光体。 λ 前記Ｓｅ系光導電層が、前記Ｎｉ導電層上に５５°
〜６５°Ｃの基板温度で蒸着された２５〜７５μ厚の５
ｅＷＬ荷輸送層と、５５°Ｃ〜６５°Ｃの基板温曳でそ
のＳｅ電荷輸送層上に蒸着された少なくともＴｅを５〜
２５％含有する０゜０５〜５μ厚のＳｅ −Ｔｅ 電荷
発生層の二層よりなることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の電子写真感光体。 ＆ 前記Ｓｅ系光導電層が、前記Ｎｉ導電層１に５５°
Ｃ〜６５°Ｃの基板温度で蒸着されたハロゲンを０〜４
０００ ｐｐｍ含有する２５〜７０μ厚のＳｅ ７１１
．荷輸送層と、Ｉその５ｅＴｉ荷輸送層上に５５°〜６
５°Ｃの基板温度で蒸着された少なくともＴｅを５〜２
５％含有するＳｅ −Ｔｅ ｍ荷発生層の二層よりなる
ことを特徴とする特ｉｆ′ｆ：請求の範囲第１項に記載
の電子写真感光体。 ４ Ａｔ支持導電層、ｚｎ導Ｎ ／ＷまたはＺｎ導電
層およびＱｕｌ電層、Ｎｉ導電層、Ｓｅ系光導電層およ
び透明絶縁層の順に積層して成る電子写真感光体を製造
するにあ１．。 たり、ｋｌｌ支持導層層上置換法または電気メツキ法に
よりＺｎ導電層を形成した後、尋 ＣＵ導亀止層よびＮｉ導電層もしくはＮｉ導導電Ｐ順次
屯気メッキ法により形成し、次いでそのＮｉ導電層上に
蒸着法により１Ｓｅ系光導電層を形成した後、透明絶縁
層を形成することを特徴とする電子写真感光体の製造方
法。」 ２、明ｌ１ＩＩ書第５頁第１９行中のｒＡｇ導１層」を
「Ｎｉ導電層」と訂正する。 ３、同＠９頁第４行中の「被着させている。」を「形成
される。」と訂正する。 盃同第１１頁＠２行中および第９行中にそれぞれ「５−
ＩＪとあるのを各１５−２Ｊと訂正し、同−第１４行
中の［５−２Ｊを［５−ＩＪと訂正する。 ５、同第１２頁第２行中の「５５°Ｃ以上」を１６５°
Ｃ以上」と訂正し、 同頁第１５行中の「導電性」紮「導電層」と訂正する。 ６同第１４頁第３行中の「から導電層からなる」を１か
らなる導電層を用いた」と訂正する。 ７、同第１５頁第１８行中の「三つＪを「四つ」と訂正
する。 ８同第２５頁第１０行中の「機能分１旦」を「機能分担
」と訂正する。
ぞれ１４１する実施例の構成を示す断面図である。 】・・・Ａｌ支持導電層 ２・・・Ｚｎ導電層３
・・・ａＵ導電層 ４・・・Ｎｉ導電層５・
・・Ｓｅ系光導電層 ５−１・・・電荷輸送層５
−２・・・電荷発生層 ６・・・透明絶縁層特許出
願人 オリンパス光学工業株式会社第１図 第２図 昭和５８年８ 月利日 １、事件の表示 昭和５７年 特 許 願第１８４１８９ 号２、発明
の名称 電子写真感光体およびその製造方法 ３、補正をする者 事Ｍとの１ν１（系 特許出願人 （０３７）オリンパス光学工業株式会社電 話 （５８
１） ２２４１ 番（代表）５゜ ６、補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」 「発明
の詳細な説明」の欄１、明細書第１頁第４行〜第２頁第
１６行の特許請求の範囲をつぎのとおり訂正する０ ［２、特許請求の範囲 Ｌ ｌ支持導電層、Ｚｎ導電層またはｚｎ導電層およ
びＯｕ導導電、Ｎｉ導電層、Ｓｅ系光導電層および透明
絶縁層の順に積層して収ることを特徴とする電子写真感
光体。 λ 前記Ｓｅ系光導電層が、前記Ｎｉ導電層上に５５°
〜６５°Ｃの基板温度で蒸着された２５〜７５μ厚の５
ｅＷＬ荷輸送層と、５５°Ｃ〜６５°Ｃの基板温曳でそ
のＳｅ電荷輸送層上に蒸着された少なくともＴｅを５〜
２５％含有する０゜０５〜５μ厚のＳｅ −Ｔｅ 電荷
発生層の二層よりなることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の電子写真感光体。 ＆ 前記Ｓｅ系光導電層が、前記Ｎｉ導電層１に５５°
Ｃ〜６５°Ｃの基板温度で蒸着されたハロゲンを０〜４
０００ ｐｐｍ含有する２５〜７０μ厚のＳｅ ７１１
．荷輸送層と、Ｉその５ｅＴｉ荷輸送層上に５５°〜６
５°Ｃの基板温度で蒸着された少なくともＴｅを５〜２
５％含有するＳｅ −Ｔｅ ｍ荷発生層の二層よりなる
ことを特徴とする特ｉｆ′ｆ：請求の範囲第１項に記載
の電子写真感光体。 ４ Ａｔ支持導電層、ｚｎ導Ｎ ／ＷまたはＺｎ導電
層およびＱｕｌ電層、Ｎｉ導電層、Ｓｅ系光導電層およ
び透明絶縁層の順に積層して成る電子写真感光体を製造
するにあ１．。 たり、ｋｌｌ支持導層層上置換法または電気メツキ法に
よりＺｎ導電層を形成した後、尋 ＣＵ導亀止層よびＮｉ導電層もしくはＮｉ導導電Ｐ順次
屯気メッキ法により形成し、次いでそのＮｉ導電層上に
蒸着法により１Ｓｅ系光導電層を形成した後、透明絶縁
層を形成することを特徴とする電子写真感光体の製造方
法。」 ２、明ｌ１ＩＩ書第５頁第１９行中のｒＡｇ導１層」を
「Ｎｉ導電層」と訂正する。 ３、同＠９頁第４行中の「被着させている。」を「形成
される。」と訂正する。 盃同第１１頁＠２行中および第９行中にそれぞれ「５−
ＩＪとあるのを各１５−２Ｊと訂正し、同−第１４行
中の［５−２Ｊを［５−ＩＪと訂正する。 ５、同第１２頁第２行中の「５５°Ｃ以上」を１６５°
Ｃ以上」と訂正し、 同頁第１５行中の「導電性」紮「導電層」と訂正する。 ６同第１４頁第３行中の「から導電層からなる」を１か
らなる導電層を用いた」と訂正する。 ７、同第１５頁第１８行中の「三つＪを「四つ」と訂正
する。 ８同第２５頁第１０行中の「機能分１旦」を「機能分担
」と訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌ Ｉｔ支持導電層、 Ｚｎ導電層またはＺｎ導電層
およびＣｕ導電層、Ｎｉ導電層、 Ｓｅ系光導電層およ
び透明絶縁層の順に積層して成ることを特徴とする電子
写真感光体。 ２ 前記Ｓｅ系光導電層が〜・前記Ｎｉ導電層上に５５
０〜６５００の基板温度で蒸着された２５〜７５μ厚の
Ｓｅ電荷輸送層と、Ｆ＋５°Ｃ〜６５°Ｃの基板温度で
そのＳｅ電荷輸送層上に蒸着された少なくともＴｅを６
〜２５％含有する１１．０５〜５μ厚のＳｅ −Ｔｅ電
荷発生層の二層よりなることを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載の電子写真感光体。 ＆ 前記Ｓｅ系光導電層が、前記Ｎｉ導電層上に６５°
Ｃ〜６５°Ｃの基板温度で蒸着されたハｐゲンを０〜４
０００ｐｐｌｎ含有する２５〜７０μ厚のｓｅ電荷輸送
層と、そのＳｅ電荷輸送層上に５５°〜６５°Ｃの基板
温度で蒸着された少なくとも’ｒｅ ｔｔ ５〜２５
％含有するＳＳ −Ｔｅ電荷発生層の二層よりなること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子写真感
光体。 ４ Ａｌ支持導電層、 Ｚｎ導電層またはＺｎ導電層
およびＯｕ＃１．電層、Ｎｉ導電層、 Ｓｅ系光導電層
および透明絶縁層の順に積層して成る電子写真感光体を
製造するにあたり、Ａｌ支持導電層上に置換法または電
気メツキ法によりＺｎ導電層を形成した後、Ｃｕ導電層
およびＡｇ導電層もしくはＮｉ導電層を順次電気メツキ
法により形成し、次いでそのＮｉ導ｍＮ上に蒸着法によ
りＳｅ系光導電層を形成した後、透明絶縁層を形成、す
ることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57184189A JPS5974568A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 電子写真感光体およびその製造方法 |
| DE3337755A DE3337755C2 (de) | 1982-10-20 | 1983-10-18 | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US06/543,385 US4537845A (en) | 1982-10-20 | 1983-10-19 | Multiconductive layer electrophotographic photosensitive device and method of manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57184189A JPS5974568A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 電子写真感光体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5974568A true JPS5974568A (ja) | 1984-04-27 |
Family
ID=16148912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57184189A Pending JPS5974568A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 電子写真感光体およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4537845A (ja) |
| JP (1) | JPS5974568A (ja) |
| DE (1) | DE3337755C2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62125363A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-06-06 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | 電子写真用光受容体のための改良された基板及びその製法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62127746A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-10 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体用電極 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4081273A (en) * | 1970-01-02 | 1978-03-28 | Xerox Corporation | Migration imaging method |
| SE342001B (ja) * | 1967-09-28 | 1972-01-24 | Kalle Ag | |
| DE2055269C3 (de) * | 1969-11-11 | 1982-07-15 | Canon K.K., Tokyo | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
| JPS5827496B2 (ja) * | 1976-07-23 | 1983-06-09 | 株式会社リコー | 電子写真用セレン感光体 |
-
1982
- 1982-10-20 JP JP57184189A patent/JPS5974568A/ja active Pending
-
1983
- 1983-10-18 DE DE3337755A patent/DE3337755C2/de not_active Expired
- 1983-10-19 US US06/543,385 patent/US4537845A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62125363A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-06-06 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | 電子写真用光受容体のための改良された基板及びその製法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3337755C2 (de) | 1986-04-03 |
| US4537845A (en) | 1985-08-27 |
| DE3337755A1 (de) | 1984-04-26 |
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