JPS5974567A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS5974567A JPS5974567A JP18385282A JP18385282A JPS5974567A JP S5974567 A JPS5974567 A JP S5974567A JP 18385282 A JP18385282 A JP 18385282A JP 18385282 A JP18385282 A JP 18385282A JP S5974567 A JPS5974567 A JP S5974567A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photosensitive layer
- latent image
- electrode
- photosensitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
- G03G5/102—Bases for charge-receiving or other layers consisting of or comprising metals
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は支持電極、感光層おべび表面絶縁層を有する
電子写真感光体に関する。
電子写真感光体に関する。
従来、この種感光体を用いてコピー・を作成する際適用
される作１象プロセスとして所謂ＮＰ方式のように前帯
戒を有する同時帯電ブＣ鐵露光潜像形式プロセスが知ら
れている。
される作１象プロセスとして所謂ＮＰ方式のように前帯
戒を有する同時帯電ブＣ鐵露光潜像形式プロセスが知ら
れている。
このようなＮＰ方式を採用する場汗、感光体の支持電極
および感光層に要求される性能として１水帯１時に支持
電極から感光層へのキャリアの注入性が良いということ
がある。
および感光層に要求される性能として１水帯１時に支持
電極から感光層へのキャリアの注入性が良いということ
がある。
ところが、かかるＮＰ方式のプロセスでは１次帯電後に
■と○の電荷がｒべて絶縁層の上下面にあるのが理想的
であるもののこの際のキャリアの注入性が多少でも悪化
すると上述の理想からかけ離れたものになってしまいこ
の結果最終的に形成される静’Ｉｔ潜像のコントラスト
電位が極めて小さく１両濃度も河く階調度のない画像に
なってしまう欠点があった。
■と○の電荷がｒべて絶縁層の上下面にあるのが理想的
であるもののこの際のキャリアの注入性が多少でも悪化
すると上述の理想からかけ離れたものになってしまいこ
の結果最終的に形成される静’Ｉｔ潜像のコントラスト
電位が極めて小さく１両濃度も河く階調度のない画像に
なってしまう欠点があった。
このことは特ｔこ感光体の感光層を非晶質８ｅを主体と
した物質で形成するとキャリア注入性の悪さのため極め
て顕著に現われ実用に耐えるものが得られなかった。
した物質で形成するとキャリア注入性の悪さのため極め
て顕著に現われ実用に耐えるものが得られなかった。
この発明は上記欠点を除去４−るためなされたもので、
静電潜像のコントラスト電位を充分高めることができ良
質の画像を期待し得る電子写真感光体を提供することを
目的とする。
静電潜像のコントラスト電位を充分高めることができ良
質の画像を期待し得る電子写真感光体を提供することを
目的とする。
以下、この発明の一実施例を図面に従い説明する。
図において、１は支持電極で、この電極１は表面を粗面
１１に形成している。そしてこの電極１の粗面１１上に
電荷輸送層２１および電荷発生層２ｉを有する非晶質Ｓ
ｅを主体とした光導電性物質の感光層２を形成し、この
感光層２上に表面絶縁層つまり表面被覆Ｎ３を形成して
いる。
１１に形成している。そしてこの電極１の粗面１１上に
電荷輸送層２１および電荷発生層２ｉを有する非晶質Ｓ
ｅを主体とした光導電性物質の感光層２を形成し、この
感光層２上に表面絶縁層つまり表面被覆Ｎ３を形成して
いる。
この場合、支持電極１はＡ／、 Ｎｉ、 Ｃｒ、 Ｍｏ
、Ａｕ 。
、Ａｕ 。
Ａｇ、 Ｐｔ 、Ｚｎ、 Ｎｂ、Ｔａ、 Ｖ、 Ｔｉ
、Ｔｅ、 Ｐｂ 、Ｆｅ、 Ｉｒ、 ステンレスなどの
金属や、これらで導電処理されたガラス、セラミック、
合成樹脂フィルムなどが使用され、また形状は複写装置
に組込むものとしてドラム状又はベルト状のものがある
。また感光層２ム はその層内に主体１するＳｅ以外に増感や耐久性耐熱性
の向上および残留電位低減などを目的とてＴｅ、 Ａｓ
、 ＣＩ！、Ｓｂ 、Ｇｅ、 ８ｉなどが含有されてい
る。
、Ｔｅ、 Ｐｂ 、Ｆｅ、 Ｉｒ、 ステンレスなどの
金属や、これらで導電処理されたガラス、セラミック、
合成樹脂フィルムなどが使用され、また形状は複写装置
に組込むものとしてドラム状又はベルト状のものがある
。また感光層２ム はその層内に主体１するＳｅ以外に増感や耐久性耐熱性
の向上および残留電位低減などを目的とてＴｅ、 Ａｓ
、 ＣＩ！、Ｓｂ 、Ｇｅ、 ８ｉなどが含有されてい
る。
さらに表１■複覆層３はポリエチレンテレフタレート、
ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポ
リウレタン、ポリプロピレン、ポルフッ化エチレン、ポ
リビニルブチラール、ポリアミドなどの合成樹脂が代表
例として用いられている。
ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポ
リウレタン、ポリプロピレン、ポルフッ化エチレン、ポ
リビニルブチラール、ポリアミドなどの合成樹脂が代表
例として用いられている。
しかして、このように溝成した電子写真感光体の具体例
として以下述べる実施態様１．２．３と従来例を比較し
たところ第１表のような結果が得られた。ここで。
として以下述べる実施態様１．２．３と従来例を比較し
たところ第１表のような結果が得られた。ここで。
実施例
表面あらさ０．ＩＳ以下に鏡面加工されたφ１２８×２
０４のＡＩ！ドラム表面をＮｏ１００のサンドペーパー
にて粗面に加工し、この上にＳｅを主体とする感光層を
真空蒸着する。この真空蒸着はまず真空蒸着装置面を１
０ ’ ｔｏｒｒ程度まで真空ｌこし、同時ＩどＡＩ！
ドラムを５５℃に加熱しておき温度が安定したところで
ボート加熱により９９．９９９％のＳｅを１７０分蒸着
し、その後Ｔｅを８チ含むＳｅ、Ｔｅを７分３０秒蒸着
して膜厚５０μｍの感光層を得、最後に感光層の上に１
６μｍの透明絶縁層を形成し感光ドラムのサンプルを得
た。
０４のＡＩ！ドラム表面をＮｏ１００のサンドペーパー
にて粗面に加工し、この上にＳｅを主体とする感光層を
真空蒸着する。この真空蒸着はまず真空蒸着装置面を１
０ ’ ｔｏｒｒ程度まで真空ｌこし、同時ＩどＡＩ！
ドラムを５５℃に加熱しておき温度が安定したところで
ボート加熱により９９．９９９％のＳｅを１７０分蒸着
し、その後Ｔｅを８チ含むＳｅ、Ｔｅを７分３０秒蒸着
して膜厚５０μｍの感光層を得、最後に感光層の上に１
６μｍの透明絶縁層を形成し感光ドラムのサンプルを得
た。
実施例
Ｎｏ ２４０のサンドペーパでドラム表面を加工し。
その他は実施態様１と全く同様にして感光ドラムのサン
プルを得た。
プルを得た。
実施例
ＮＯ６００のサンドペーパでドラム表面を加工し。
その他は実施態様１と全く同様にして感光ドラムのサン
プルを得た。
プルを得た。
これに対し、従来例のものはドラム表面を粗面に加工せ
ず鏡面状態を保ったままとし、この状態で実施態様１と
同様Ｓｅを主体とする感光層を真空蒸着により形成し感
光ドラムのサン−プルを得た。
ず鏡面状態を保ったままとし、この状態で実施態様１と
同様Ｓｅを主体とする感光層を真空蒸着により形成し感
光ドラムのサン−プルを得た。
そして、これら実施態様１〜３および従来例により得ら
れた感光ドラムについて光照射しながらスコロトロンコ
ロナ帯電器（ワイア電圧−７ｉｃｙ。
れた感光ドラムについて光照射しながらスコロトロンコ
ロナ帯電器（ワイア電圧−７ｉｃｙ。
グリッド電圧−２ＫＶ）によって負帯電を施して１次帯
電つまり表面電位を一１９００Ｖとし１次いで画像露光
（５Ｉ！ｕｘ ＊ ５ｅｃ） Ｌ、ながらＡＣ帯電（ワ
イア電圧６．５ＫＶ） によって２次帯電を行ない、
最後に再び全面露光をし、この状態でコントラスト電位
（ＶＣ）を測定したところ第１表に示す結果が得られた
。
電つまり表面電位を一１９００Ｖとし１次いで画像露光
（５Ｉ！ｕｘ ＊ ５ｅｃ） Ｌ、ながらＡＣ帯電（ワ
イア電圧６．５ＫＶ） によって２次帯電を行ない、
最後に再び全面露光をし、この状態でコントラスト電位
（ＶＣ）を測定したところ第１表に示す結果が得られた
。
第１表
この結果第１表からも明らかなようにＡＩ！ドラム表面
を粗面１こ加工Ｊ−るこさにより静電？Ｒ像のコントラ
スｌ−ｔ１位を充分大きく得られることが判明した。
を粗面１こ加工Ｊ−るこさにより静電？Ｒ像のコントラ
スｌ−ｔ１位を充分大きく得られることが判明した。
ここで、かかる結果の原因を調べる目的で次の実験を行
なったところ次のことを確認することもできた。この場
合上述の例えば実７Ｉ！ｉ態ａ！３により得た感光ドラ
ムと従来例にて得られた感光ドラムに特定の極性の帯電
を施し、その後十分強い光を照射しこのときの表面電位
の変化をみた。つまり１まずコロナ帯電４によって表面
電位が一１０００Ｖになるよう負帯電を行ない次いでハ
ロゲンランプに６０〜の電圧を印加して光照射を行なっ
たところ従来例のものでは表面電位が一６５０ｖに変化
したのに対し実施様態３のものでは一９２０Ｖ となり
明らかに両者のキャリアの注入性に差があり、これによ
りドラム表面を粗面にすることによりキャリア注入性が
良くなることが確認された。
なったところ次のことを確認することもできた。この場
合上述の例えば実７Ｉ！ｉ態ａ！３により得た感光ドラ
ムと従来例にて得られた感光ドラムに特定の極性の帯電
を施し、その後十分強い光を照射しこのときの表面電位
の変化をみた。つまり１まずコロナ帯電４によって表面
電位が一１０００Ｖになるよう負帯電を行ない次いでハ
ロゲンランプに６０〜の電圧を印加して光照射を行なっ
たところ従来例のものでは表面電位が一６５０ｖに変化
したのに対し実施様態３のものでは一９２０Ｖ となり
明らかに両者のキャリアの注入性に差があり、これによ
りドラム表面を粗面にすることによりキャリア注入性が
良くなることが確認された。
したがって、このような構成によれば支持電極の表面を
粗面に形成することによりキャリア注入性を良好にでき
るのでＮＰ方式のような前帯電を有する同時帯電光像露
光潜像形式プロセスを適用した場合も静電潜像のコント
ラスト電位を充分高めることができ、もって画濃度も充
分得られ良質の画質を期待することができる。
粗面に形成することによりキャリア注入性を良好にでき
るのでＮＰ方式のような前帯電を有する同時帯電光像露
光潜像形式プロセスを適用した場合も静電潜像のコント
ラスト電位を充分高めることができ、もって画濃度も充
分得られ良質の画質を期待することができる。
なお、この発明は上記実施例にのみ限定されず要旨を変
更しない範囲で適宜変形して実施できる例えば上述では
感光Ｍ２としてＳｅを主体とする光導電性物質に限って
説明したが他の光導電体物質にも同様の効果が期待でき
る。
更しない範囲で適宜変形して実施できる例えば上述では
感光Ｍ２としてＳｅを主体とする光導電性物質に限って
説明したが他の光導電体物質にも同様の効果が期待でき
る。
図面はこの発明の一実施例を示す概略的構成図である。
１・・・支持電極 １１・・・粗面２・・・感光
層 ２１・・・′電荷輸送層２２・・・電荷発
生Ｍ ３・・・表面被覆層ＩＦ１＋許庁長官庁長
官 杉 和 夫 殿１、事件の表示 特願昭５７−１８３８５２号 ２、発明の名称 電子写真感光体 ３、補正をする者 中性との関係特許出願人 （０３７）オリンパス光学工業株式会社４代理人 ５、自発補正 ７、補正の内容 （１）本願明細書の特許請求の範囲を別紙のように訂正
する。 （２） 四願明細書ｆＢ２頁第２行乃至第３行目、第
７頁第１２行目に記載の「同時帯電光像露光潜像形式プ
ロセス」を「同時帯電光像露光潜像形成プロセス」と訂
正する。 （３） 同順明細書中第７頁第２行乃至第ｊ行目に記
−載の「ハロゲンランプに６０Ｖの電圧を印加はて光照
射を・・・・・・」を［ハロゲンランプにて光照射を・
・・・・・」と訂正する。 ＋ｌ） 支持電極上に感光層および表面絶縁層を順に
形成してなるものにおいて、上記支持電極表面を粗面に
形成しｉ？？電潜像のコントラスト電位を高めたことを
特徴とする１ｕ子写真感光体。 （２１１記支持電極表面の粗面ばザンドペーパにて加工
されたものであることを特徴とする特許請求の範囲＠１
項記載の電子写真感光体。 （３）上記感光層は非晶質Ｓｅを主体とする物質よりな
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記
載の電子刃ｌ（感光体。 （４）上記感光層は電荷輸送層および電荷発生層を有す
るものであることを特徴とする特許請求の範囲第３項記
載の電子写真感体。
層 ２１・・・′電荷輸送層２２・・・電荷発
生Ｍ ３・・・表面被覆層ＩＦ１＋許庁長官庁長
官 杉 和 夫 殿１、事件の表示 特願昭５７−１８３８５２号 ２、発明の名称 電子写真感光体 ３、補正をする者 中性との関係特許出願人 （０３７）オリンパス光学工業株式会社４代理人 ５、自発補正 ７、補正の内容 （１）本願明細書の特許請求の範囲を別紙のように訂正
する。 （２） 四願明細書ｆＢ２頁第２行乃至第３行目、第
７頁第１２行目に記載の「同時帯電光像露光潜像形式プ
ロセス」を「同時帯電光像露光潜像形成プロセス」と訂
正する。 （３） 同順明細書中第７頁第２行乃至第ｊ行目に記
−載の「ハロゲンランプに６０Ｖの電圧を印加はて光照
射を・・・・・・」を［ハロゲンランプにて光照射を・
・・・・・」と訂正する。 ＋ｌ） 支持電極上に感光層および表面絶縁層を順に
形成してなるものにおいて、上記支持電極表面を粗面に
形成しｉ？？電潜像のコントラスト電位を高めたことを
特徴とする１ｕ子写真感光体。 （２１１記支持電極表面の粗面ばザンドペーパにて加工
されたものであることを特徴とする特許請求の範囲＠１
項記載の電子写真感光体。 （３）上記感光層は非晶質Ｓｅを主体とする物質よりな
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記
載の電子刃ｌ（感光体。 （４）上記感光層は電荷輸送層および電荷発生層を有す
るものであることを特徴とする特許請求の範囲第３項記
載の電子写真感体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｆｉｌ 支持電極上に感光層、および表面絶縁層を順
に形成しでなるものにおいて、上記支持電極表面を粗面
に形成し静′亀潜像のコントラスト電位を高めたことを
特徴とする電子写真感光体。 （２）上記支持電極表面の粗面はサンドペーパにて加工
されたものであることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の電子写真感光体。 （３）上記感光体は非晶質Ｓｅを主体とする物質よりな
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記
載の電子写真感光体。 （４） 上記感光層は電荷輸送層および電荷発生層を
有するものであることを特徴とする特許請求の範囲第３
項記載の電子写真感体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18385282A JPS5974567A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 電子写真感光体 |
| DE19833337717 DE3337717A1 (de) | 1982-10-20 | 1983-10-18 | Elektrophotographische, photoempfindliche anordnung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18385282A JPS5974567A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5974567A true JPS5974567A (ja) | 1984-04-27 |
Family
ID=16142952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18385282A Pending JPS5974567A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 電子写真感光体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5974567A (ja) |
| DE (1) | DE3337717A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61209457A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-17 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体の導電性基体表面の加工方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3580939D1 (de) * | 1984-06-05 | 1991-01-31 | Canon Kk | Lichtempfangselement. |
| DE3677709D1 (de) * | 1985-09-21 | 1991-04-04 | Canon Kk | Photorezeptorelemente. |
| US4808504A (en) * | 1985-09-25 | 1989-02-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving members with spherically dimpled support |
| US4762762A (en) * | 1985-10-24 | 1988-08-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic light receiving members comprising amorphous silicon and substrate having minute irregularities |
| US4834501A (en) * | 1985-10-28 | 1989-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member having a light receiving layer of a-Si(Ge,Sn)(H,X) and a-Si(H,X) layers on a support having spherical dimples with inside faces having minute irregularities |
| JPH01207756A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-21 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5827496B2 (ja) * | 1976-07-23 | 1983-06-09 | 株式会社リコー | 電子写真用セレン感光体 |
-
1982
- 1982-10-20 JP JP18385282A patent/JPS5974567A/ja active Pending
-
1983
- 1983-10-18 DE DE19833337717 patent/DE3337717A1/de not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61209457A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-17 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体の導電性基体表面の加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3337717A1 (de) | 1984-04-26 |
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