DE3337795C2 - Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und Verfahren zu dessen Herstellung

Info

Publication number
DE3337795C2
DE3337795C2 DE3337795A DE3337795A DE3337795C2 DE 3337795 C2 DE3337795 C2 DE 3337795C2 DE 3337795 A DE3337795 A DE 3337795A DE 3337795 A DE3337795 A DE 3337795A DE 3337795 C2 DE3337795 C2 DE 3337795C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
conductive
recording material
selenium
charge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE3337795A
Other languages
English (en)
Other versions
DE3337795A1 (de
Inventor
Yoshiyuki Mimura
Takao Okada
Akitoshi Hachioji Tokio/Tokyo Toda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Olympus Optical Co Ltd filed Critical Olympus Optical Co Ltd
Publication of DE3337795A1 publication Critical patent/DE3337795A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3337795C2 publication Critical patent/DE3337795C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/043Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
    • G03G5/0433Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/10Bases for charge-receiving or other layers
    • G03G5/102Bases for charge-receiving or other layers consisting of or comprising metals
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

Bei einer elektrophotographischen, photoempfindlichen Anordnung mit einer leitenden Schicht, einer photoleitenden Schicht auf Selenbasis und einer transparenten Isolierschicht, welche Schichten nacheinander aufgebracht sind, wird die leitende Schicht gebildet durch: eine leitende Trägerschicht aus Aluminium, eine leitende Zinkschicht oder eine leitende Zink- und leitende Kupferschicht und eine leitende Silberschicht, die jeweils nacheinander aufgebracht werden. Auf diese Weise werden die Ladungsinjektionseigenschaften während der Primäraufladung verbessert und die Ladungsinjektionssperreigenschaften während der Sekundäraufladung und gleichzeitigen Bildbelichtung ausreichend aufrechterhalten. Die leitenden Schichten sind eng miteinander verbunden. Die Anordnung ist bei hoher Lebensdauer sehr feuchtigkeitsbeständig und erzielt einen hohen elektrostatischen Kontrast.

Description

dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungsinjektionsschicht aus
15
e) einer Zinkschicht (2) und einer Silberschicht (4) oder aus einer Zinkschicht (2), einer Kupferschicht (3) und einer Silberschicht (4) gebildet ist
20
2. Material nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitfähige Schicht aus einer auf der Silberschicht (4) angeordneten Ladungstransportschicht (5-1) aus Seien oder halogendotiertem Selen und einer darüber angeordneten Ladungserzeugungsschicht (5-2) aus einer Legierung basierend auf Selen und Tellur besteht
3. Material nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungstransportschicht (5-1) aus einer aufgedampften Selenschicht mit 0 bis 4000 ppm Halogen und einer Stärke von 25—70 μπι besteht und daß die Ladungserzcugungsschicht (5-2) aus einer aufgedampften Schicht aus einer Selen-Tellur-Legierung mit 5—25% TeKar und einer Stärke von 0,005—5 μπι besteht
4. Verfahren zur Herstellung eines Materials nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
Aufbringen der Zinkschicht (2) auf den Schichtträger (1) durch ein Substitutionsverfahren oder durch ein galvanisches Verfahren, Aufbringen der Silberschicht (4) auf die Zinkschicht (2) durch ein galvanisches Verfahren, Aufbringen der photoleitfähigen Schicht (5) auf die Silberschicht (4) durch Aufdampfen und Aufbringen der isolierenden Deckschicht (6) in bekannter Weise auf die photoleitfähige Schicht (5).
5. Verfahren nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch die folgenden zusätzlichen Schritte: Aufbringen der Kupferschicht (3) auf die Zinkschicht (2) durch ein galvanisches Verfahren und Aufbringen der Silberschicht (4) auf die Kupferschicht (3) durch ein galvanisches Verfahren.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Silberschicht (4) beim Aufdampfen der photoleitfähigen Schicht (5) auf einer Temperatur von 55° bis 65°C gehalten wird.
Die Erfindung betrifft ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Ein derartiges Aufzeichnungsmaterial ist aus der DE-PS 20 55 269 bekannt Mit der daraus bekannten metallischen Ladungsinjektionsschicht zwischen dem Schichtträger aus Aluminium und der photoleitfähigen Schicht kann die Ladungsinjektion und damit der Bildkontrast verbessert werden. Als metallische Ladungsinjektionsschichten sind Nickel, Germanium, Selen sowie Selenlegierungen genannt Weitere, für diese Zwecke geeignete Materialien sind nicht bekannt
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, über den bekannten Rahmen hinaus wenigstens ein weiteres, für die Zwecke einer Ladungsinjektionsschicht geeignetes Metall zu finden.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit den Merkmalen des Kennzeichnungsteiles des Anspruchs 1 genannt
Überraschend hat sich gezeigt, daß auch Silber als Metall für eine Ladungsinjektionsschicht eines Aufzeichnungsmaterials der eingangs genannten Art hervorragend geeignet ist Etwa auftretende Haftungsprobleme der Silberschicht auf dem Schichtträger aus Aluminium werden durch die Anordnung der Zinkschicht bzw. der Zinkschicht kombiniert mit einer Kupferschicht zwischen dem Schichtträger und der Silberschicht gelöst
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen, so insbesondere vorteilhafte Verfahrensschritte zur Herstellung des erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterials.
In der Zeichnung ist die Erfindung beispielsweise und schematisch dargestellt Die F i g. 1 und 2 zeigen Schritte durch ein erfindungsgemäßes Aufzeichnungsmaterial in zwei unterschiedlichen Ausführungsformen.
Das elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial nach F i g. 1 besteht aus einem leitenden Schichtträger 1 aus Aluminium, einer leitenden Zn-Schicht 2. einer leitenden Cu-Schicht 3, einer leitenden Ag-Schicht 4, einer photoleitfähigen Schicht 5 auf Se-Basis und einer transparenten isolierenden Deckschicht 6,i'-'obei die Schichten nacheinander aufgebracht werden.
Aluminium ist bekannt als das am besten geeignete leitende Material für Schichtträger solcher Aufzeichnungsmaterialien, und zwar wegen leichter Bearbeitbarkeit, wegen seiner Härte, Kosten und Oberflächeneigenschaften, so daß die Erfindung ebenfalls von einem solchen Schichtträger 1 Gebrauch macht.
Wird die photoleitfähige Schicht auf Selenbasis in bekannter Weise direkt auf das Aluminium aufgebracht, so sind die Ladungsinjektionseigenschaften von dem Aluminium zu der photoleitfähigen Schicht während des Primäraufladungsschrittes ungenügend. Um dieses Problem zu vermeiden, wird zwischen dem Aluminiumschichtträger 1 und der photoleitfähigen Schicht 5 eine leitende Ag-Schicht 4 angeordnet. Dies wird dadurch erreicht, daß die Ag-Schicht 4 direkt auf den Aluminiumschichtträger 1 aufgebracht wird. Wird die Ag-Schicht jedoch durch Aufdampfen aufgebracht, so sind die Kontaktkräfte zwischen den Materialien 4, 1 nicht ausreichend, und es ist schwierig, die Schicht dicker als einige wenige μπι zu machen. Wird die Ag-Schicht 4 direkt auf den Al-Schichtträger 1 durch ein galvanisches Verfahren aufgebracht, so kann das Silber nicht gleichmäßig aufgebracht werden und die Kontaktkräfte sind schwach, was einen ungenügenden Glanz und schlechtere Haltbarkeit zur Folge hat. Aus diesem Grunde wird gemäß der vorliegenden Erfindung mindestens eine leitende Zn-Schicht 2 zwischen der leitenden Ag-Schicht 4 und dem leitenden Aluminiumschichtträger 1 eingebracht. In der Ausführungsform nach Fig. 1 wird zur
besseren Haftung der leitenden Ag-Schicht 4 eine leitende Cu-Schicht 3 auf die leitende Zn-Schicht 2 aufgebracht, und die leitende Ag-Schicht 4 wird wiederum auf die leitende Cu-Schicht 3 aufgebracht
Im vorliegenden Fall beträgt die Dicke der als Zwischenschicht angebrachten leitenden Zn-Schicht 2 zwischen 0,1 — ΙΟμτϊ, vorzugsweise etwa 1 μητ. Die Zn-Schicht kann durch ein galvanisches Verfahren oder durch Eintauchen in eine Substitutionsflüssigkeit hergestellt werden. Die Stärke der leitenden Cu-Schicht 3 beträgt 1—50 um, vorzugsweise etwa 10—15 um Die Cu-Schicht kann durch ein galvanisches Verfahren mit einer CuCN-Lösung hergestellt werden.
Die Stärke der auf die leitende Ag-Schicht 2 oder auf die leitende Cu-Schicht 3 aufgebrachten leitenden Ag-Schicht beträgt 0,5—50 μπι, vorzugsweise etwa 5 μπι. Die Ag-Schicht kann durch ein galvanisches Verfahren gebildet werden. In diesem Fall bestehen bevorzugte Gaivanisieriösungen zum Erzeugen der leitenden Silberschicht 4 aus einer Lösung aus Silbercyarüi, Kalziumcyanid und Kaliumkarbonat und einer Lösung aus Kalziumsilbercyanid, Kalziumcyanid und Kalziumkarbonat Die Galvanisiertemperatur liegt vorzugsweise zwischen 10—300C, die Stromdichte zwischen 0,1 —2 A/ dm2 und der pH-Wert höher als 9.
Auf diese Weise bilden die aufgalvanisierten Zn-, Cu- und Ag-Schichten auf dem leitenden Aluminiumschichtträger 1 eine leitende Schicht mit engem Kontakt, so daß die Ladungsinjektion von dem Schichtträger zur photoleitfähigen Schicht 5 ausreichend ist. Der Grund für diese Verbesserung des engen Kontaktes zwischen den Schichten liegt in der Kompatibilität der aneinandergrenzenden Materialien an den Grenzflächen zwischen den leitenden Schichten.
Außerdem haben die leitenden Zn-, Cu- und Ag-Schichten glänzende Oberflächen im Gegensatz zu einer Ag-Schicht, die direkt auf den Schichtträger aufgebracht ist. Ebuiso haben die Zn-, Cu- und Ag-Schichten gemäß der vorliegenden Erfindung Vorteile in bezug auf Kosten, Bearbeitbarkeit, Härte und Oberflächenglätte gegenüber einer leitenden Ag-Schicht, die unmittelbar auf den Schichtträger aufgalvanisiert wurde und die in dem Fall die gleiche Stärke aufweist wie die drei Schichten.
Die transparente isolierte Deckschicht 6 wird mit einer Schichtdicke von 5—40 μπι auf der photoleitfähigen Schicht 5 durch ein geeignetes Verfahren aufgebracht. Die Deckschicht 6 wird aui. einem Material hergestellt, das für das sichtbare Licht transparent ist und einen hohen spezifischen Widerstand hat, z. B. von mehr als 1014 Ohm cm. Beispiele solchen Materials sind Polyäthy-Ienterephthalat, Paraxylol und Acryl-, Epoxyd-, Urethan-, Fluor-, Styrol sowie Carbonatharze.
Die photoleitfähige Schicht 5 wird auf die leitende Ag-Schicht 4 durch Aufdampfen aufgetragen und besteht aus Selen oder aus Selen, das mit Te, As, Ge, S, Sb oder einem Halogen dotiert wurde.
In der Ausführungsform nach F i g. 1 ist die photoleitfähige Schicht 5 auf Selenbasis als einzelne Schicht ausgebildet. In der Ausführungsform nach Fig.2 besteht die photoleitfähige Schicht 5 aus zwei Schichten, d. h. einer Ladungstransportschicht 5-1 auf Selenbasis, die aus reinem Selen oder halogendotiertem Selen besteht, und einer Ladungserzeugungsschicht 5-2 aus einer Se— Te-Legierung als Basismaterial. In F i g. 2 beziehen sich die gleichen Bezugszeichen auf gleiche oder ähnliche Teile der F ig. 1.
Wie allgemein bekannt, '.n es zum Erzeugen eines hohen Kontrastes des latenten elekrostatischen Bildes erforderlich, daß die von der Ladungsinjektionsschicht 4 injizierte Ladung während des Primäraufladungsschrittes schnell in die phololeitfähige Schicht transportiert wird, ohne blockiert zu werden, damit sie ausreichend unter der isolierenden Deckschicht 6 gehalten wird. Bei diesem Verfahren verliert die photoleitfähige Schicht ihre Mobilität, wenn sie auch nur in geringstem Maße mit etwas anderem als einem Halogen dotiert ist So ist z. B. Tellur als Unreinheit nicht geeignet Besieht die photoleitfähige Schicht jedoch nur aus Selen, so liegt während der Sekundäraufladung und gleichzeitigen Belichtung, und während der Gesamtflächenbelichtung im letzten Schritt der lichtempfindliche Bereich der Schicht nur innerhalb eines kurzen Wellenbereiches des sichtbaren Lichtes, so daß die effektive Lichtempfindlichkeit niedrig ist Um den lichtempfindlichen Bereich und die Gesamteffektivität zu verbes^ .„«-n, muß mit Tellur oder Arsen dotiert werden.
Die Ausführungsform nach F i g. 2 enthält einen Photoleiter aus zwei Schichten, um die oben genannten beiden Bedingungen gleichzeitig zu erfüllen. Insbesondere ist unter der transparenten Deckschicht 6 die Ladungserzeugungsschicht 5-2 vorgesehen, die im wesentlichen aus Selen und Tellur besteht und dünn genug ist, um die Mobilität nicht zu verringern. Diese Ladungserzeugungsschicht 5-2 ist vorgesehen, um den empfindlichen Wellenlängenbereich und die Lichtempfindlichkeit zu vergrößern, so daß die Effektivität während der Aufladung und gleichzeitigen Bildbelichtung und während des nachfolgenden Gesamtflächenbelichtungsschrittes erhöht wird. Außerdem befindet sich unter der Ladungserzeugungsschicht 5-2 die Ladungstransportschicht 5-1. die aus Seien allein oder aus mit 0—4000 ppm Halogenteilen dotiertem Selen besteht und eine große Mobilität zuläßt, wodurch der Tramport der von der leitenden Ag-Schicht 4 injizierten Ladung während des Primärladungsschrittes erleichtert und ein die Empfindlichkeit erhöhender Effekt durch die Primäraufladung erreicht wird.
Der Aufbau der photoleitfähigen Schicht 5 aus zwei Schichten wird jetzt im einzelnen beschrieben. Die Ladungstransportschicht 5-1 besteht aus halogendotiertem Selen, in dem das Halogen, z. B. Chlor, einen Anteil von 0 bis 4000 ppm und das Selen einen Reinheitsgrad von besser als 99,999% hat. Die Ladungstransportschicht 5-1 wird durch ein Aufdampfverfahren im Vakuum auf der leitenden Ag-Schicht 4 gebildet mit einer Stärke von 20— 70 μπι. Die Ladungserzeugungsschicht 5-2 besteht aus einer Selen-Tellur-Legierung mit einem Tdlurantril von 5—25% und wird auf der Ladungstransportschicht 5-1 durch Aufdampfen im Vakuum erzeugt mit einer Stärks von 0,05—5 μίτ. Die Selen-Tellur-Legierung kann dotiert werden mit Arsen, Silizium, Antimon oder einem Halogen, um Kristallisierung zu verhindern, die Empfindlichkeit zu steigern und Restladungen zu entferner..
Während der Aufdampfung im Vakuum wird der Schichtträger 1 mit den leitenden Schichten 2—4 auf einer Temperatur von 55—65°C gehalten. Liegt die Vakuum-Aufdampftemperatur niedriger als 550C, so ist das Restpotential hoch und die Entwicklungsgeschwindigkeit niedrig, so daii ein ausreichender Bildkontrast nicht erreicht wird. Liegt die Vakkum-Aufdampfuemperatur höher als 65°C, so wird der Widerstand der photoleitfähigen Schicht deutlich vermindert, so daß Ladungsinjektion und -transport von der leitenden Ag-Schichl 4 besonders gut sind. Ladungsinjektion und Ladungs-
transport von der leitenden Ag-Schicht 4 während des gleichzeitigen Ablaufes der Sekundäraufladung und Bildbelichtung sind jedoch unabhängig von den hellen und dunklen Bildteilen, so daß der gewünschte Bildkontrast nicht erreicht wird. Aus diesem Grunde soll während des Aufdampfvorganges die Temperatur der Trägerschicht die oben angegebenen Werte haben.
Die Ausführungsform nach Fig. 2, in der die photoleitfähige Schicht 5 auf Selenbasis aus zwei Schichten besteht, der Ladungserzeugungsschicht 5-2 und der Ladungstransportschicht 5-1, wurde im einzelnen beschrieben und die Funktionen der beiden Schichten in bezug auf den gewünschten hohen Kontrast erläutert. Nachfolgend soll die Funktion des Schichtträgers aus Al. Zn. Cu und Ag im Zusammenhang mit dem Erreichen eines hohen Bildkontrastes erläutert werden.
Ein wichtiges Erfordernis für den Schichtträger ist, dali eine ausreichend gute Ladungsinjektion während des Primäraufladungsschrittes erzielt wird, während bei der Sekundäraufladung und gleichzeitigen Bildbelichtung eine möglichst niedrige Ladungsinjektion vom Schichtträger erfolgen soll, damit der gewünschte Kontrast zwischen hellen und dunklen Bildteilen erreicht wird. Das heißt also, daß für den Entwicklungsprozeß das Material des Schichtträgers an das der photoleifähigen Schicht angepaßt sein muß.
Der aus Al. Zn. Cu und Ag bestehende Schichtträger der vorliegenden Erfindung wird mit konventionellen leitenden Aluminiumschichtträgern in den nachfolgend beschriebenen Versuchen verglichen.
Ein konventionelles Aufzeichnungsmaterial auf Se-Basis mit einem leitenden Aluminiumschichtträger und das Material mit einem Schichtträger aus Al, Zn. Cu und Ag gemäß der vorliegenden Erfindung werden vorbereitet und einer Koronaaufladung von — 2000 V in Dunkelheit ausgesetzt und danach einer stärken GeSärmfiächenbelichtung unterzogen. Der Potentialabfall wird gemessen; er betrug bei dem konventionellen Material etwa 1000 V und bei dem erfindungsgemäßen Material nur etwa 250 V.
Aus diesem Resultat geht hervor, daß bei dem Aufzeichnungsmaterial mit leitenden Schichten aus Al, Zn. Cu und Ag von dem Schichtträger duch die Aufladung mit — 2000 V im Dunkeln eine Ladung injiziert wird und sich effektive Ladungspaare entsprechend —1750 V über der Deckschicht 6 bilden, bevor die Gesamtflächenbelichtung begonnen wird. Bei dem konventionellen Aufzeichnungsmaterial mit einem Schichtträger aus Al wird ein Potential von etwa — 1000 V an die photoleitfähige Schicht verteilt, das etwa der Hälfte der
— 2000-V-Aufladung in Dunkelheit entspricht, so daß durch die Aufladung Ladungspaare entsprechend
— 1000 V über der Deckschicht gebildet werden. Dies zeigt, daß der konventionelle Al-Schichtträger im Vergleich mit dem Schichtaufbau gemäß der vorliegenden Erfindung sehr schlechte Ladungsinjektionseigenschaften hat
Als nächstes wird beiden Aufzeichnungsniaterialien eine Sekundäraufladung mit +2000 V von einer positiven Koronaladungsstation zugeführt und dabei der Potentialwechsel gemessen. Der gemessene Potentialwechsel betrug in beiden Fällen etwa Π 50 V.
Aus den oben beschriebenen Vesuchen ist ersichtlich, daß das Aufzeichnungsmaterial gemäß der vorliegenden Erfindung im Vergleich zu konventionellem Material wesentlich verbesserte Ladungsinjektionseigenschaften während des Primäraufladungsschrittes zeigt und bei einer Ladungssperreigenschaft während der Sekundäraufladung, die der von konventionellen Materialien ähnlich ist, so daß auf diese Weise ein latentes elektrostatisches Bild mit hohem Kontrast erzielt werden kann. Die physikalischen Faktoren, die in dem erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterial die Ladungsinjektion an den Grenzflächen zwischen den Trägerschichten aus Al, Zn. Cu und Ag und der auf Se basierenden photoleitfähigen Schicht bestimmen, können wie folgt angenommen werden, wobei die Ursache für diese physikalischen ίο Eigenschaften im einzelnen nicht klar sind:
(1) Physikalische und chemische Oberflächenbedingungen der Trägerschichten.
(2) Dichte des Rekombinationszentrums der auf Se bali sierenden photoleitfähigen Schicht an den Grenzflächen.
(3) Die Möglichkeit, eine Sperre zu bilden aufgrund der unterschiedlichen Austrittsarbeitswerte der auf Selen basierenden photoleifähigen Schicht und der Trägerschichten.
(4) Die Möglichkeit, eine Sperre zu bilden aufgrund der unterschiedlichen Austrittsarbeitswerte zwischen den Schichten aus Al, Zn1 Cu und Ag.
Ein Herstellverfahren für das erfindungsgemäße, oben beschriebene elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial wird in den nachfolgenden Beispielen beschrieben.
(I) Beispiel
Eine Aluminiumtrommel wurde, nachdem jegliches Fett entfernt worden war, 1 Minute lang in eine alkalisehe Lösung von NaOH: 525 g/l und ZnO: 100 g/I eingetaucht, uin die Oxidschicht zu entfernen. Mittels einer Substitutionsmethode wurde dann auf der Oberfläche eine Zn-Schicht von etwa 1 μηι gebildet. Auf diese Zn-Schicht wurde eine Cu-Schicht auf galvanischem Wege aufgebracht, und zwar durch fünfzehn Minuten langes Eintauchen in eine Lösung aus CuCN: 41,3 g/l, NaCN: 48,8 g/l, Na2CO3: 30,0 g/l, Rochellesalz: 60.0 g/l und einer Temperatur von 400C und einem pH-Wert von 103. Die Kupferschicht hatte dann eine Stärke von ΙΟμηι.
Der Kupferüberzug wurde angebracht, weil eine Ag-Schicht direkt auf der Zn-Schicht nicht stabil ist und kein ausreichender Kontakt gewährleistet ist.
Die mit einem Kupferüberzug versehene Trommel wurde in eine Lösung bestehend aus Silbercya »d:
so 26,25 g/l, Kalziumcyanid: 52,59 g/l. Kaliumkarbonat: 374 g/l mit einem pH-Wert von 10,5 und einer Temperatur von 200C getaucht Der Galvanisiervorgang wurde mit einer Stromdichte von 1,8 A/dm2 für die Dauer von 5 Minuten vorgenommen, um auf der Cu-Schicht eine etwa 5 μπι dicke Ag-Schicht zu bilden. DieAnordnung wurde gewaschen, getrocknet und auf 60° C erhitzt Auf die Ag-Schicht wurde im Vakuum eine Schicht aus Se mit einem Reinheitsgrad von 99399% bis zu einer Dicke von 50 μΐη aufgedampft, und eine Se-Te-Legierung mit einem Te-Anteil von 10% wurde im Vakuum bis zu einer Dicke von 0,5 μπι aufgedampft um die auf Selen basierende photoleitfähige Schicht zu bilden. Auf die photoleitfähige Schicht wurde ein Polyetnyienterephthaiat-Fiim mit einer Stärke von 20 μπι aufgebracht, um die transparente Deckschicht zu bilden. Auf diese Weise wurde das Aufzeichnungsmaterial nach einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung vervollständigt
Dieses so hergestellte elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial wurde über eine Scorotron-Ladevorrichtung auf — 2000 V als Primärladung aufgeladen, einer Wechselspannungskoronaladung von 6,5 kV und simulun dazu einer Bildbelichtung unterzogen, wonach eine Gp-amtflächenbelichtung durchgeführt wurde, um das laterne elekrostatische Bild zu erzielen.
Das zweite Muster des Aufzeichnungsniaterials wurde nach im wesentlichen gleicher Primäraufladung einer positiven Gleichspannungskoronaladung von +6,5 kV und simultan dazu ablaufender Bildbelichtung ausgesetzt, wonach eine Gesamtflächenbelichtung durchgeführt wurde, um das latente elektrostatische Bild zu erzielen.
Das Kontrastpoteniial Vc, das mit diesen beiden Veriahren erreicht wurde, wird in den Spalten Wechselspannung und Gleichspannung der Tabelle 1 angegeben und liegt für diese Beispiele bei 455 V bzw. 565 V. Das latente elektrostatische Bild wurde mit Hilfe einer Magnetbürstenentwicklungsstation entwickelt und auf ein Papier übertragen. Es wurde eine außergewöhnlich gute Kopie mit hohem Kontrastwert erzielt.
Danach wurden die Oberflächenladungen von dem Aufzeichnungsmaterial entfernt und ein nächster Kopiervorgang vorgenommen. Restpotential und Restbilder waren nicht vorhanden, es wurde eine außergewöhnlich gute Abbildung erzielt. Im Anschluß daran wurde der Kopiervorgang wiederholt, und nach 50 000 Arbei^zyklen betrug das Kontrastpotential noch etwa 95% des Ausgangswertes, bewies also eine verbesserte Lebensdauer.
Um die Haltbarkeit bei Feuchtigkeit zu untersuchen, wurde das Aufzeichnungsmateria! drei Tage lang bei einer relativen Feuchtigkeit von 85% gelagert, dann wurde der oben beschriebene Vesuch wiederholt. Das Kontrastpotentiai zeigte keine wesentliche Änderung.
(II) Beispiel 2
Eine Aluminiumtrommel wurde, nachdem sie von anhaftendem Fett befreit worden war, in eine Zink-Galvanisierlösung getaucht von ZnCN: 50 g/l, NaCN: 42 g/I, NaOH: 78,8 g/l, bis sich eine Zinkschicht von 2 μπι Stärke gebildet hatte. Dann wurde, ähnlich wie im Beispiel 1, eine Kupferschicht mit einer Stärke von 5 μίτι und eine Silberschicht mit einer Stärke von 5 μπι galvanisch aufgebracht, um die aus Al-, Zn-, Cu- und Ag-Schichten aufgebaute leitende Schicht zu bilden. Während die leitende Schicht auf einer Temperatur von 57° C gehalten wurde, wurde im Vakuum Selen mit einem Anteil von 15 ppm Chlor bis zu einer Dicke von 45 μπι auf die leitende Schicht aufgedampft Danach wurde, um die doppelschichtige photoleitfähige Schicht zu erzielen, eine Selen-Tellur-Legierung mit einem Te-Anteil von 15% und 1,5% As bis zu einer Dicke von 1 μπι im Vakuum aufgedampft Um die isolierende Deckschicht zu bilden, wurde auf die photoleitfähige Schicht Paraxylolharz im Vakuum bis zu einer Dicke von 24 μπι aufgedampft Auf diese Weise wurde das Aufzeichnungsmaterial nach der Erfindung hergestellt
Das Aufzeichnungsmaterial wurde unter im wesentlichen gleichen Bedingungen wie im Beispiel 1 beschrieben ausgewertet Die Kontrastpotentiale sind in der Tabelle 1 aufgeführt; sie reichen aus, um das gewünschte Bild zu erzielen. Die Werte für Feuchtigkeitsresistenz und Lebensdauer sind ausreichend.
8
(III) Beispiel 3
Eine Aliiminiumtrommel wurde nach einer Vorbehandlung, die auch anhaftendes Fett entfernte, in die im Beispiel 2 beschriebene Zinkgalvanisierlösung getaucht, um eine Zn-Schicht von 2 μΐη Stärke auf der Oberfläche zu bilden. Dann wurde auf die Zn-Schicht eine Ag-Schicht mit einer Stärke von 5 μπι wie im Beispiel I beschrieben aufgebracht. Die leitende Schicht wurde
ίο dann erhitzt und bei 57°C gehalten; dann wurde Selen mit einem Anteil von 15 ppm Chlor im Vakuum bis zu einer Schichtstärke von 45 μιη aufgedampft. Um die doppelschichtige photoleitfähige Schicht zu vervollständigen, wurde auf die Se-Schicht eine Se—Te-Legierung mit einem Te-Anteil von 15% und mit 1,5% As im Vakuum bis zu einer Schichtstärke von 1 μπι aufgedampft. Auf die photoleitfähige Schicht wurde eine Paraxylolschicht mit einer Stärke von 25 μπι im Vakuum aufgedampft. Auf diese Weise wurde das Aufzeichnungsmaterial gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellt.
Das Aufzeichnungsmaterial wurde unter den gleichen Bedingungen wie im Beispiel 1 ausgewertet. Die gemessenen Kontrastpotentiale sind in der Tabelle I angegeben und reichen aus, um das erwünschte Bild zu erzeugen. Die Feuchtigkeitsresisienz ist ebenfalls über dem Durchschnitt. Bezüglich der Lebensdauer wurde festgestellt, daß nach 50 000 Zyklen die Werte noch praktisch brauchbar waren und besser als jene des konventionellen Materials, das unter Referenz 2 in Tabelle 1 angegeben sind.
(IV) Referenz 1
Auf eine vorbehandelte Aluminiumtrommel wurde Selen mit einem Reinheitsgrad von 99,999% im Vakuum direkt bis zu einer Dicke von 50 μπι und eine Se—Te-Legierung mit einem Te-Anteil von 10% ebenfalls im Vakuum aufgedampft, um die doppelschichtige photoleitfähige Schicht zu bilden. Auf die photoleitfähige Schicht wurde ein transparenter Film mit einer Stärke von 20 μπι aufgebracht. Auf diese Weise wurde ein Referenzmuster geschaffen, um den Schichtträger auf seine Eigenschaften hin untersuchen zu können. Die doppelschichtige photoleitfähige Schicht im Referenzbeispiel 1 wurde gewählt, um den Einfluß der photoleitfähigen Schicht auszuschalten.
Das Aufzeichnungsmaterial wurde wie in Beispiel 1 beschrieben ausgewertet. Die gemessenen Kontrastpotentiale sind in der Tabelle 1 aufgeführt und sind im Vergleich zu denen aus den Beispielen 1 und 2 sehr niedrig. Dieses Ergebnis bedeutet, daß der gemäß der Erfindung aus Al-, Zn-, Cu- und Ag-Schichten gebildete Schichtträgeraufbau dem konventionellen Schichtträger aus Aluminium überlegen ist
(V) Beispiel 4
Auf dem Schichtträgeraufbau aus Al-, Zn-, Cu- und Ag-Schichten, auf im wesentlichen gleiche Weise wie im Beispiel 1 hergestellt, wurde im Vakuum eine Se—Te-Legierung mit einem Te-Anteil von 10% bis zu einer Dicke von 50 μπι aufgedampft um die photoleitfähige Schicht zu bilden, auf welche ein Polyethylenterephthalat-Film von 20 μπι aufgebracht wurde. Auf diese Weise wurde das Aufzeichnungsmaterial entsprechend der Grundform der vorliegenden Erfindung hergestellt
Das Aufzeichnungsmaterial wurde unter den gleichen
wie in Beispiel 1 beschriebenen Bedingungen ausgewertet.
Die gemessenen Kontrastpotentiale sind in Tabelle 1 aufgeführt und sind den Werten des Referenzbeispiels 1 überlegen. Die Werte erreichen jedoch nicht die Werte der Beispiele 1- 3, womit die Wirkung der doppelschichtigen photuieitfähigen Schicht aufgezeigt ist.
(Vl) Referenz 2
Auf eine vorbereitete Aluminiumtrommel wurde Silber auf die gleiche Weise wie in Beispiel 1 beschrieben direkt als Schicht aufgebracht, und zwar bis zu einer Dicke von 5 μπι und ohne Zn- und Cu-Schichten vorzusehen. Die photoleitfähige Schicht und die transparente isolierende Deckschicht wurden wie im Beispiel 1 gebildet. Das so fertiggestellte Aufzeichnungsmaterial wurde wie im Beispiel 1 ausgewertet. Die gemessenen Potentiale sind in der Tabelle 1 angegeben. Die Kontrastpotentiale sind im wesentlichen denen der Beispiele 1 und 2 gleich. Das Bild ist jedoch nicht ausreichend gleichmäßig ausgebildet, und stellenweise können Ungleichmäßigkeiten erkannt werden. Aus der Tabelle 1 wird erkennbar, daß die Lebensdauer geringer ist, was durch die Kontakteigenschaften zwischen den Schichten verursacht wird.
Tabelle 1
Kontrastpotential (Vc) Vc- Wert
Wechsel- Gieich- nach
spannung- spannung- 50 000
aufladung aufladung Kopien
420 V 540 V 95%
4Ί5 V 333 V
420 V 550 V 87%
70 V 170 V
330 V 380 V _
420 V 540 V 73%
der Ladungstransportschicht zugeordnet ist. Dadurch werden eine überdurchschnittliche Lichtempfindlichkeit und Bildwerte ohne Restpotential und Restbilder erzielt. Außerdem weist die photoleitfähige Schicht, die durch aufgedampftes Selen zu einem Film gebildet wird, im Vergleich zu konventionellen photoleitfähigen Schichten auf Binderbasis eine sehr hohe Feuchtigkeitsresistenz auf.
Es ist klar, daß das erfindungsgemäße Herstellverfahren die problemlose Herstellung von elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterialien hoher Qualität mit leitenden Schichten ermöglicht, die untereinander einen engen Kontakt haben.
In den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen umfaßt der Vorgang des Kopierens mit dem elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterial die Aufladung und simultan dazu stattfindende Bildbelichtung: das Aufzeichnungsmaterial entsprechend der vorliegenden Erfindung ist jedoch nicht auf einen solchen Kopier-Vorgang beschränkt. So kann beispielsweise der Kopiervorgang eine negative Koronaladung als Primäraufladungsschritt und damit gleichzeitig eine Gesamtflächenbelichtung, eine positive Koronaaufladung und Bildbelichtung mit dem erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterial durchgeführt werden. Auch enthält der Kopiervorgang einen Primäraufladungsschritt und eine simultan dazu ablaufende Gesamtflächenbelichtung; da das erfindungsgemäße Aufzeichnungsmaterial jedoch überdurchschnittlich gute Ladungsinjektionseigenschäften aufweist, können sich über der transparenten isolierenden Deckschicht Ladungspaare in ausreichender Menge bilden, ohne daß eine Gesamtbelichtung vorgenommen werden muß.
Beispiel 1 420 V 540 V 95%
Beispiel 2 Beispiel 3
Referenz 1
Beispiel 4
Referenz 2
Aus diesen Angaben geht hervor, daß das Aufzeichnungsmaterial entsprechend der Erfindung eine leitende Ag-Schicht als leitende Grenzschicht zur photoleitfähigen Schicht auf Selenbasis enthält und während der Primäraufladung verbesserte Ladungsinjektionseigenschaften aufweist sowie während der Sekundäraufladung und gleichzeitig ablaufenden Bildbelichtung Ladungsinjektionssperreigenschaften aufrecherhält, so daß eine Kopie mit großem Kontrast und hoher Dichte erzeugt werden kann.
Die Injektionsschicht aus Silber hat mit dem Al-Schichtträger über die zwischen beiden angeordnete leitende Zn-Schicht — oder leitende Cu-Schicht auf einer leitenden Zn-Schicht — engen Kontakt, so daß ein latentes elekrostatisches Bild Oberdurchschnittlicher Gleichmäßigkeit und Stabilität erzeugt wird und das Kontrastpotential nach wiederholten Kopiezyklen nicht abnimmt, das Aufzeichnungsmaterial also eine lange Lebensdauer aufweist ω
Das Aufzeichnungsmaterial mit der auf Selen basierenden photoleitfähigen Schicht, die gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung aus einer Ladungserzeugungsschicht und einer Ladungstransportschicht besteht, ist so ausgebildet, daß die Erzeugung von Trägern durch Belichtung der Ladungserzeugungsschicht und der Transport der erzeugten Träger sowie der Transport der injizierten Träger Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

Patentansprüche:
1. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit
a) einem Schichtträger aus Aluminium,
b) einer metallischen Ladungsinjektionsschicht
c) einer photoleitfähigen Schicht auf Selenbasis und ίο
d) einer transparenten, isolierenden Deckschicht,
DE3337795A 1982-10-20 1983-10-18 Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und Verfahren zu dessen Herstellung Expired DE3337795C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57184192A JPS5974569A (ja) 1982-10-20 1982-10-20 電子写真感光体およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3337795A1 DE3337795A1 (de) 1984-04-26
DE3337795C2 true DE3337795C2 (de) 1986-03-27

Family

ID=16148959

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3337795A Expired DE3337795C2 (de) 1982-10-20 1983-10-18 Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und Verfahren zu dessen Herstellung

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4537846A (de)
JP (1) JPS5974569A (de)
DE (1) DE3337795C2 (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4675272A (en) * 1985-11-01 1987-06-23 Energy Conversion Devices, Inc. Electrolevelled substrate for electrophotographic photoreceptors and method of fabricating same
JPS62127746A (ja) * 1985-11-28 1987-06-10 Ricoh Co Ltd 電子写真感光体用電極
US6100194A (en) 1998-06-22 2000-08-08 Stmicroelectronics, Inc. Silver metallization by damascene method
KR100960005B1 (ko) * 2008-02-28 2010-05-28 주식회사 에이스테크놀로지 알에프 장비의 도금 방법 및 이에 의해 제조된 알에프 장비

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4081273A (en) * 1970-01-02 1978-03-28 Xerox Corporation Migration imaging method
NL6813335A (de) * 1967-09-28 1969-04-01
DE2055269C3 (de) * 1969-11-11 1982-07-15 Canon K.K., Tokyo Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial
JPS5827496B2 (ja) * 1976-07-23 1983-06-09 株式会社リコー 電子写真用セレン感光体

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5974569A (ja) 1984-04-27
DE3337795A1 (de) 1984-04-26
US4537846A (en) 1985-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2144776A1 (de) Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial
DE2615624C2 (de) Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial
DE2551306C3 (de) Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial
DE2030378A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer foto leitfahigen Bildstoffschicht
DE2436676C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials
DE3337795C2 (de) Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19832082B4 (de) Aluminium-Substrat für ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial, das das Aluminimum-Substrat enthält
DE2166512A1 (de) Elektrophotographische platte und ihre verwendung in elektrophotographischen abbildungsverfahren
DE3337755C2 (de) Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und Verfahren zu dessen Herstellung
DE2030716A1 (de) Lichtempfindliche Bildstoffschicht
DE2242508C3 (de) Elektrophotographisches Verfahren zur Herstellung von Bildern
DE2400362A1 (de) Entfernbare ueberzuege fuer verbesserte xerographische platten
DE2655414C3 (de) Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial
DE2849573C2 (de)
DE2733052A1 (de) Lichtempfindliches element und dessen verwendung in einem elektrophotographischen verfahren
DE3337717A1 (de) Elektrophotographische, photoempfindliche anordnung
DE3337814C2 (de) Elektrophotographisches Aufzeichungsmaterial und Verfahren zu dessen Herstellung
DE3036946C2 (de)
DE2513933C3 (de) Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial
DE3640648C2 (de)
DE3342312C2 (de) Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und dessen Verwendung
DE2223820C3 (de) Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial
DE3925483A1 (de) Elektrofotografisches aufzeichnungsmaterial
DE2042592C3 (de) Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial
DE1926056A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer elektrofotografischen Bildplatte

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee