JPS5915249A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS5915249A JPS5915249A JP12368882A JP12368882A JPS5915249A JP S5915249 A JPS5915249 A JP S5915249A JP 12368882 A JP12368882 A JP 12368882A JP 12368882 A JP12368882 A JP 12368882A JP S5915249 A JPS5915249 A JP S5915249A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoreceptor
- photosensitive layer
- selenium
- photosensitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0436—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure combining organic and inorganic layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
機あるいはレーザビームプリンタに用いられる感ガ一体
に関する。この種の感光体はトナーを電気的に吸引して
顕像するに充分なコロナ帯電に対する電位受容能と電位
保持能力を有し、かつ光源の光波長に関し受容電位を放
電させるのに充分な感度、すなわちギヤリア発生効率を
もつ感光層を有することが必要である。最近複写機の高
速化に伴ない、ハロゲン電球あるいは螢光灯に対しては
４５０〜６００ ｎｍで感度の目安となる半減ｇ電光傍
が２１ｘ・Ｓｅｅ以下、半導体レーザビームに対しては
実用上８００〜８５０ ｎｍでの半減衰露光量が１０ｅ
［１Ｍ 以下の高い感度を持つことが望ましい。また製
造上の立場からいつでも、複写機用、レーザビームプリ
ンタ用として同一感光層を適用できることが望ましい。
に関する。この種の感光体はトナーを電気的に吸引して
顕像するに充分なコロナ帯電に対する電位受容能と電位
保持能力を有し、かつ光源の光波長に関し受容電位を放
電させるのに充分な感度、すなわちギヤリア発生効率を
もつ感光層を有することが必要である。最近複写機の高
速化に伴ない、ハロゲン電球あるいは螢光灯に対しては
４５０〜６００ ｎｍで感度の目安となる半減ｇ電光傍
が２１ｘ・Ｓｅｅ以下、半導体レーザビームに対しては
実用上８００〜８５０ ｎｍでの半減衰露光量が１０ｅ
［１Ｍ 以下の高い感度を持つことが望ましい。また製
造上の立場からいつでも、複写機用、レーザビームプリ
ンタ用として同一感光層を適用できることが望ましい。
電子写真用感光体の感光層用光導電材料として従来、酸
化渾鉛（ｚｎｏ）、硫化カドミウム（ ＣａＳ ）、非
晶質セレン（Ｓｅ）およびセレン−テルル（ｓｅ−’ｒ
ｅ）合金、セレン−υ・素（ｓｅ Ａ３）合金、Ｓｅ
３Ａ４２ならびに一部有機半導体（ｏｐｃ）が用いられ
ており、一般静電複写機およびＨｅ−Ｃ（１＋Ｈｅ−Ｎ
６ レーザビームプリンタに対して量子効率０５程度
で実用上問題のない高感度の感光層が得られている。一
方４＋敗処理端末出力機ある℃・はワードブロセ、す出
力機と１．て半導体レー→ド光走査による低価格レー１
（゛ビーノ・）゛リンクの開発がすすめられ、さらＫこ
れにコビコ機能あるいはファ１．クス機能も合わせ持つ
インテリジェントプリンタが指向されている。しかしな
がら現在人用化されている半導体１ノーザの５１−１、
その発掘波長が最も短いと（・われでいろものでＧａＡ
、／ＦＡｓ系の７８０ｎｍであり、実際容易に入手でき
るものは８００〜８５０ ｎｍである。このような近赤
外領域の光に対して実用上充分な感度を有する感光層材
料として５ｅ−Ｔｅ系およびＯＰＣ系で二、三の発表が
みられる。こ第１らはいずれも導電支持体の上に’ＮＬ
Ｗｒｒ発生層（ＣＧＬ）と電荷移動層（ＣＴＬ）が積層
されたいわゆる機能分離型感光層を形成しており、ＣＧ
Ｌが光を受けて自由な電子および正孔を発生する機能を
持ち、ＣＴＬが発生した電子あるいは正孔のいずれかを
移動させる機能を持つ。例えば５ｅ−Ｔｅ系においては
、ＣＴＬは純Ｓｅ、５ｅ−（低濃度Ｔｅ）またはＳｅ
−（低濃度Ａｓ）で、ＣＧＬとして５ｅ−（高濃度Ｔｅ
）または５ｅ−（高濃度Ｔｅ）〜Ａｓを用いた構成をと
っている。半導体レーザな走査光源とする′場合にＴｅ
＠度は約３０係とされるが、この程度の高濃度の′ｒｅ
を添加しても半減衰露光量は７８０ ｎｍで６ｅｒｇ／
ｒｙｒｔｆ、８３０ｎｍで］、０ｅｒＶ／ｃ曾で使用限
界波長は８００ ｎｍである。−万〇ＰＣを用いて最も
長波長感度の高い感光体として知られているものは、導
電性支持体の上に０５〜１μｍのアルミフタロンアニン
を蒸着した膜をＣＧＬとし、その上にピエゾリン誘導体
を約１０μｍ塗布してホール移動層としてのＣＴＬとし
た構造のもので、第１図の曲線１１で示すような半減衰
露光量分光特性を持っている。このタイプの感光層は、
第１図に見られるように８００〜８５０ ｎｍで５５〜
７ｅｒｇ／ｄ の半減衰露光やを持つから、表面電位を
ゼロレーヘルまで中和するのに必要なフオトンエネｒレ
ギーは２０ｅｒｇ／ｄで充分である。従って５ ｍＷの
半導体レーザで走査し、光学行路ロスによりその光の１
０％しか利用できなかったとしてＡ４用紙（面ｙｔ６２
５０Ｔｆ）で１分間あたり のスピードで印側可卵である。しかしながら第１図より
分かるようにアルミフタロンアニン化合物なＣＧＬとし
た機能分離型ＯＰＣ感光層では波長５５０ｎｍより短波
長側での感度が急激に減少し１、螢光月力、るいは白色
電球を光源とする煩写機用感光体への適用は困難であ“
る。
化渾鉛（ｚｎｏ）、硫化カドミウム（ ＣａＳ ）、非
晶質セレン（Ｓｅ）およびセレン−テルル（ｓｅ−’ｒ
ｅ）合金、セレン−υ・素（ｓｅ Ａ３）合金、Ｓｅ
３Ａ４２ならびに一部有機半導体（ｏｐｃ）が用いられ
ており、一般静電複写機およびＨｅ−Ｃ（１＋Ｈｅ−Ｎ
６ レーザビームプリンタに対して量子効率０５程度
で実用上問題のない高感度の感光層が得られている。一
方４＋敗処理端末出力機ある℃・はワードブロセ、す出
力機と１．て半導体レー→ド光走査による低価格レー１
（゛ビーノ・）゛リンクの開発がすすめられ、さらＫこ
れにコビコ機能あるいはファ１．クス機能も合わせ持つ
インテリジェントプリンタが指向されている。しかしな
がら現在人用化されている半導体１ノーザの５１−１、
その発掘波長が最も短いと（・われでいろものでＧａＡ
、／ＦＡｓ系の７８０ｎｍであり、実際容易に入手でき
るものは８００〜８５０ ｎｍである。このような近赤
外領域の光に対して実用上充分な感度を有する感光層材
料として５ｅ−Ｔｅ系およびＯＰＣ系で二、三の発表が
みられる。こ第１らはいずれも導電支持体の上に’ＮＬ
Ｗｒｒ発生層（ＣＧＬ）と電荷移動層（ＣＴＬ）が積層
されたいわゆる機能分離型感光層を形成しており、ＣＧ
Ｌが光を受けて自由な電子および正孔を発生する機能を
持ち、ＣＴＬが発生した電子あるいは正孔のいずれかを
移動させる機能を持つ。例えば５ｅ−Ｔｅ系においては
、ＣＴＬは純Ｓｅ、５ｅ−（低濃度Ｔｅ）またはＳｅ
−（低濃度Ａｓ）で、ＣＧＬとして５ｅ−（高濃度Ｔｅ
）または５ｅ−（高濃度Ｔｅ）〜Ａｓを用いた構成をと
っている。半導体レーザな走査光源とする′場合にＴｅ
＠度は約３０係とされるが、この程度の高濃度の′ｒｅ
を添加しても半減衰露光量は７８０ ｎｍで６ｅｒｇ／
ｒｙｒｔｆ、８３０ｎｍで］、０ｅｒＶ／ｃ曾で使用限
界波長は８００ ｎｍである。−万〇ＰＣを用いて最も
長波長感度の高い感光体として知られているものは、導
電性支持体の上に０５〜１μｍのアルミフタロンアニン
を蒸着した膜をＣＧＬとし、その上にピエゾリン誘導体
を約１０μｍ塗布してホール移動層としてのＣＴＬとし
た構造のもので、第１図の曲線１１で示すような半減衰
露光量分光特性を持っている。このタイプの感光層は、
第１図に見られるように８００〜８５０ ｎｍで５５〜
７ｅｒｇ／ｄ の半減衰露光やを持つから、表面電位を
ゼロレーヘルまで中和するのに必要なフオトンエネｒレ
ギーは２０ｅｒｇ／ｄで充分である。従って５ ｍＷの
半導体レーザで走査し、光学行路ロスによりその光の１
０％しか利用できなかったとしてＡ４用紙（面ｙｔ６２
５０Ｔｆ）で１分間あたり のスピードで印側可卵である。しかしながら第１図より
分かるようにアルミフタロンアニン化合物なＣＧＬとし
た機能分離型ＯＰＣ感光層では波長５５０ｎｍより短波
長側での感度が急激に減少し１、螢光月力、るいは白色
電球を光源とする煩写機用感光体への適用は困難であ“
る。
本発明は、上記の欠ハを除去し、同一感光体で複写機お
よび半導体レーザプリンタの双方に適用可能な、具体的
には４５０〜８５０ｎｍの波長範囲の光に対して汎色性
２有する感光体を提供することを目的とする。
よび半導体レーザプリンタの双方に適用可能な、具体的
には４５０〜８５０ｎｍの波長範囲の光に対して汎色性
２有する感光体を提供することを目的とする。
この目的は、重子写真用感光体の一名光層に隣接して積
層されるフタロンアニン系有機光導電半導体よりなる層
とセレン系材料よりなる層とを備えることによっ゛（−
辺、第４（される。フクーンアニン系有機光導電半導体
としては、例えばアルミフタロシアニン、ガリウムフタ
ロン７ニンなどを用いろこトカでき、アルミ７りロンア
ニンは第２図に示す分子構造を有し、Ｘとして・・ロゲ
ン元素を有する。
層されるフタロンアニン系有機光導電半導体よりなる層
とセレン系材料よりなる層とを備えることによっ゛（−
辺、第４（される。フクーンアニン系有機光導電半導体
としては、例えばアルミフタロシアニン、ガリウムフタ
ロン７ニンなどを用いろこトカでき、アルミ７りロンア
ニンは第２図に示す分子構造を有し、Ｘとして・・ロゲ
ン元素を有する。
セレン系桐料としては純セレン、あるいはテルル。
ヒ素、アンチモンなどの元素との合金を用いることがで
きる。積層されまたｏｐｃｉとＳｅ系材料層とはＣＧＩ
ｖとしてさらＫＣＴＬと積層されてもよく、またｏｐｃ
層をＣＧＬ、Ｓｅ系材料層をＣＴＬとして構成して本よ
い。
きる。積層されまたｏｐｃｉとＳｅ系材料層とはＣＧＩ
ｖとしてさらＫＣＴＬと積層されてもよく、またｏｐｃ
層をＣＧＬ、Ｓｅ系材料層をＣＴＬとして構成して本よ
い。
以下図を引用して本発明の実施例について説明する。
実施例１
第３図において、例えばアルミニウムよりなる４１１ｆ
、性基板１の上にｔＪ２図のＸ原子として塩素を有し、
さらにベンゼン環に塩素のついたアルミ７りロンアニン
ＡｌＩＣ／ＰＣ（Ｃｌ ）からなるＯ、１５ｚ＋ｍの厚
さの層２を昇華蒸着し、その上ＫＯ，３μｍの厚さのセ
レン層３を蒸着したものをＣＧＬ、さらＫその上に塗布
された１５μｍ程度の厚さのピラゾリン誘導体よりなる
層４をＣＴＬとした積層感光層が設けられている。第４
図はこのような機能分離型感光層の半減衰露光量分光特
性であるｏｃＴＬ４の側から入射した光は短波長側で第
１図の曲線１２で示す分光特性をもつＳｅ層３で吸収さ
れ、発生した正孔はＣＴＬで表面まで輸送されて予ぬイ
）シミされた表面電荷を中和する。５００面の感度の落
ち込みは、入射した光子の一部はＢｅ層３に吸収される
が、’ Ｓｅ においてはこの付近の光に対して発生し
た正孔−電子は再結合して光伝導への寄与が少ないため
に生じたもので、大部分の光が５ｅｌｌｉ３を透過する
領域ではＡｌＣＪＰＣ（”ｃｇ層２での吸収による自由
正孔の発生により再び感度が上昇する。このような分光
感度をもつ感光層はレーザ光に対しても複写機領域にお
いても問題なく使用できる。
、性基板１の上にｔＪ２図のＸ原子として塩素を有し、
さらにベンゼン環に塩素のついたアルミ７りロンアニン
ＡｌＩＣ／ＰＣ（Ｃｌ ）からなるＯ、１５ｚ＋ｍの厚
さの層２を昇華蒸着し、その上ＫＯ，３μｍの厚さのセ
レン層３を蒸着したものをＣＧＬ、さらＫその上に塗布
された１５μｍ程度の厚さのピラゾリン誘導体よりなる
層４をＣＴＬとした積層感光層が設けられている。第４
図はこのような機能分離型感光層の半減衰露光量分光特
性であるｏｃＴＬ４の側から入射した光は短波長側で第
１図の曲線１２で示す分光特性をもつＳｅ層３で吸収さ
れ、発生した正孔はＣＴＬで表面まで輸送されて予ぬイ
）シミされた表面電荷を中和する。５００面の感度の落
ち込みは、入射した光子の一部はＢｅ層３に吸収される
が、’ Ｓｅ においてはこの付近の光に対して発生し
た正孔−電子は再結合して光伝導への寄与が少ないため
に生じたもので、大部分の光が５ｅｌｌｉ３を透過する
領域ではＡｌＣＪＰＣ（”ｃｇ層２での吸収による自由
正孔の発生により再び感度が上昇する。このような分光
感度をもつ感光層はレーザ光に対しても複写機領域にお
いても問題なく使用できる。
実施例
第５図においては導電性基板１の上の厚さ］、 ｌ１ｍ
の８ｅ Ｍ着層３と、さらにその上のＯ，］５ｚｊｍの
厚さのＡｌＩＣ／ＰＣ（ＣＩり〜昇華蒸着層２とからＣ
Ｇ Ｌを構成し、ＣＴＬ４は第３図と同様に設けられて
いる。第６図はこの場合の半減衰露光景分光特性を示し
、この場合はｋｌｃｌ ＰＣ（Ｃ／’ ）層２で発生す
る正孔−電。
の８ｅ Ｍ着層３と、さらにその上のＯ，］５ｚｊｍの
厚さのＡｌＩＣ／ＰＣ（ＣＩり〜昇華蒸着層２とからＣ
Ｇ Ｌを構成し、ＣＴＬ４は第３図と同様に設けられて
いる。第６図はこの場合の半減衰露光景分光特性を示し
、この場合はｋｌｃｌ ＰＣ（Ｃ／’ ）層２で発生す
る正孔−電。
子の分離係数がほとんど１に近いため、第４図の場合よ
り感度の落ち込みの度合が少ない。
り感度の落ち込みの度合が少ない。
実施例３
第７図において、導電性基板１に０．１５１ｚｍ の
厚さのｋｌｃｌ ｐｃ （ｃｌ ）層２を蒸着したもの
をＣＧＬとし、その上にＳｅの１５〜８０μｍの蒸着Ｎ
３がＣＴＬとして積層されている。この場合は８６層３
０表面を■帯電して用いる。第８図に示す分光特性にお
〜・ては、第４図の場合と同＊８ｅの正孔−電子分離係
数が小さくかつ厚さが大きいため、５００ｎｍ以上にお
ける −落ち込みが大きい。この場合はＳｅ層３は複写
機領域の光では通常のＳｅ感光層としての作用を持ち、
半導体レーザ７リンクではＡ７ＣＩ！ＰＣ（ＣＩり ！
２で発生した電子の輸送の役割をする。複写機領域で
の感度を向上するには純Ｓｅ −Ｔｅ 合金を用いる
万がよい。第１表は霜、子に対するドリフト移動度μｅ
および寿命Ｔｅを示す。
厚さのｋｌｃｌ ｐｃ （ｃｌ ）層２を蒸着したもの
をＣＧＬとし、その上にＳｅの１５〜８０μｍの蒸着Ｎ
３がＣＴＬとして積層されている。この場合は８６層３
０表面を■帯電して用いる。第８図に示す分光特性にお
〜・ては、第４図の場合と同＊８ｅの正孔−電子分離係
数が小さくかつ厚さが大きいため、５００ｎｍ以上にお
ける −落ち込みが大きい。この場合はＳｅ層３は複写
機領域の光では通常のＳｅ感光層としての作用を持ち、
半導体レーザ７リンクではＡ７ＣＩ！ＰＣ（ＣＩり ！
２で発生した電子の輸送の役割をする。複写機領域で
の感度を向上するには純Ｓｅ −Ｔｅ 合金を用いる
万がよい。第１表は霜、子に対するドリフト移動度μｅ
および寿命Ｔｅを示す。
第１表
光層厚み、ｖ二表面電位）はＶ ＝ ５００ Ｖ ”’
Ｃ’ Ｉ、＝ ３０／ｌ１ｍでは、Ｔ１はＴｅ ０％で
３ＪｌｓｓＴｅ１％で１５ｕｓｂ′Ｉ’Ｑ ３．２ ’
７５で３６／Ｉｇであるｏ Ｔｔ ＩＪ’ Ｔｅより小
さくなければならぬという狸論的根拠から１ ａ１％と
３２ａ（％どの中間迄は使用・可能であり、火際には３
ｍ１％迄はくり返してほぼ使用可能である。このときは
６００ｎｍの付近まで高感度化される。この型の感光層
は実施例１および２０タイプに比して耐刷性が向上でき
る。
Ｃ’ Ｉ、＝ ３０／ｌ１ｍでは、Ｔ１はＴｅ ０％で
３ＪｌｓｓＴｅ１％で１５ｕｓｂ′Ｉ’Ｑ ３．２ ’
７５で３６／Ｉｇであるｏ Ｔｔ ＩＪ’ Ｔｅより小
さくなければならぬという狸論的根拠から１ ａ１％と
３２ａ（％どの中間迄は使用・可能であり、火際には３
ｍ１％迄はくり返してほぼ使用可能である。このときは
６００ｎｍの付近まで高感度化される。この型の感光層
は実施例１および２０タイプに比して耐刷性が向上でき
る。
本発明による感光層の厚さは、感光層一般と同様帯電圧
により定まる厚さと誘電率の比から決定される。なお、
導電性基体としては、絶縁体上に導電性膜を被着したも
のを用いろこともできる。
により定まる厚さと誘電率の比から決定される。なお、
導電性基体としては、絶縁体上に導電性膜を被着したも
のを用いろこともできる。
以上述べたように、本発明はα子写真用感光本の感光層
あるいはそのＣＯＬを、フタロンアニン系ＯＰＣ蒸Ｍ瞭
とＳｅ蒸着膜の積層体により構成することにより、５５
０ｎｍより短波長側の光に対して高感度の汎色性を与え
るものである。これにより半導体レーザプリンタ、Ｈｅ
−Ｎｅレーザプリンタ用感光体の穏可能Ω岨型稍層感光
層のＣＧＬＩぼとし°Ｃ極めて１ぐれた電荷発生効果な
有するフタロシアニン系ＯＰＣの特長を損１ようことな
く、さらに複写機領域の感光体用Ｉ８九ル′、；として
その適用範囲を拡張した本のである。こｈＫより複写機
およびし・−ヅプリンタ用感光体に同一の感光層が使用
できるばかりでなく、インテリジェントプリンタ用感光
体の構成が極めて筒部になり、さらに従来の製版技術ニ
オケるマスターおよびレーザ製版にお（ツるマスターに
同月に使用可能であるなと本発明によって得られる効果
は極めて太きい。
あるいはそのＣＯＬを、フタロンアニン系ＯＰＣ蒸Ｍ瞭
とＳｅ蒸着膜の積層体により構成することにより、５５
０ｎｍより短波長側の光に対して高感度の汎色性を与え
るものである。これにより半導体レーザプリンタ、Ｈｅ
−Ｎｅレーザプリンタ用感光体の穏可能Ω岨型稍層感光
層のＣＧＬＩぼとし°Ｃ極めて１ぐれた電荷発生効果な
有するフタロシアニン系ＯＰＣの特長を損１ようことな
く、さらに複写機領域の感光体用Ｉ８九ル′、；として
その適用範囲を拡張した本のである。こｈＫより複写機
およびし・−ヅプリンタ用感光体に同一の感光層が使用
できるばかりでなく、インテリジェントプリンタ用感光
体の構成が極めて筒部になり、さらに従来の製版技術ニ
オケるマスターおよびレーザ製版にお（ツるマスターに
同月に使用可能であるなと本発明によって得られる効果
は極めて太きい。
第１図はＣＧＬとしてｈｔｃｔｐｃ（ｃｔ ）、ＣＴＬ
としてビエンリン誘導体を用いた感光層およびＳｅ感光
層の半減衰露光批分光特性を示す線図、第２図はアルミ
フタロン１ニンの分子構造図、第３図は本発明の一実施
例の感光体断面図、詑４図はその半減衰露光量分光特性
線図、第５図は他の実施例の感光体断面図、第６図はそ
の半減衰露光量分光特性線図、第７図はさらに別の実施
例の感光体断面図、紀８１図はその半減衰漏冗賞分元粘
性線図である。 １・・導電性基板、２・・・ツク「Ｊシア二・ン系有機
光導ｎ半導体層、３・・・セレン系拐刺層、・↓・・ピ
ラゾリンＵ導体層＜ＣＴＬ）。 ｆｌ冒 （７ｔフイノ Ｔ ｔ 口 才 ２ ｍ 才３ 口 璽 痺 β π３ 俊ρ 珈 ＃ Ｍ’ １ｍ ９１２ρｉ
吾（パ笈２ ’７４ 図 ｆ ５ 図 シρ長（〃ｆ９ 丁乙図 ｃ ７ 凹 仮丑（匁γ〕 Ｔβ ロ
としてビエンリン誘導体を用いた感光層およびＳｅ感光
層の半減衰露光批分光特性を示す線図、第２図はアルミ
フタロン１ニンの分子構造図、第３図は本発明の一実施
例の感光体断面図、詑４図はその半減衰露光量分光特性
線図、第５図は他の実施例の感光体断面図、第６図はそ
の半減衰露光量分光特性線図、第７図はさらに別の実施
例の感光体断面図、紀８１図はその半減衰漏冗賞分元粘
性線図である。 １・・導電性基板、２・・・ツク「Ｊシア二・ン系有機
光導ｎ半導体層、３・・・セレン系拐刺層、・↓・・ピ
ラゾリンＵ導体層＜ＣＴＬ）。 ｆｌ冒 （７ｔフイノ Ｔ ｔ 口 才 ２ ｍ 才３ 口 璽 痺 β π３ 俊ρ 珈 ＃ Ｍ’ １ｍ ９１２ρｉ
吾（パ笈２ ’７４ 図 ｆ ５ 図 シρ長（〃ｆ９ 丁乙図 ｃ ７ 凹 仮丑（匁γ〕 Ｔβ ロ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）感光層に、隣接して積層されるフタロシアニン系有
機光導電半導体よりなる層とセレン系材マーｉよりなろ
層どを備えたことを特徴とする電子写真用感光体。 ２）行詐端求の範囲第１項記載Ｊ）感光体において、稗
層さハ、た有機半導体層とセレン系材料層とが電荷発生
層を成すことな特徴とする電子写真用１ｆ菫休ゎ。 ３）特許請求の範囲第１項記載の感光体において、有機
半導体層が電、荷発生層、セレン系材料層が電荷移動層
をなすことを特徴とする電イー写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12368882A JPS5915249A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12368882A JPS5915249A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5915249A true JPS5915249A (ja) | 1984-01-26 |
Family
ID=14866859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12368882A Pending JPS5915249A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5915249A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6181112A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-24 | 長島 正彌 | ケ−ブル送出装置 |
| JPH01283569A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Stanley Electric Co Ltd | 感光体構造 |
-
1982
- 1982-07-15 JP JP12368882A patent/JPS5915249A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6181112A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-24 | 長島 正彌 | ケ−ブル送出装置 |
| JPH01283569A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Stanley Electric Co Ltd | 感光体構造 |
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