JPS5915253A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS5915253A JPS5915253A JP12368782A JP12368782A JPS5915253A JP S5915253 A JPS5915253 A JP S5915253A JP 12368782 A JP12368782 A JP 12368782A JP 12368782 A JP12368782 A JP 12368782A JP S5915253 A JPS5915253 A JP S5915253A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoreceptor
- selenium
- photosensitive layer
- phthalocyanine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電、子写真装置、すなわち電子写真複写機ある
いはレーザピームフリンタに用いられる感光体に関する
。この種の感光体はドブ−を電気的に吸引して顕像する
に充分なコロナ帯Ｎに対する面位受容能と電位保持能力
を有し、かつ光源の光波長に関し受容電位を放電させる
の九光分な感度すなわちキャリア発生効率をもつ感光層
を有することが必要である。最近複写機の高速化に伴な
いハロゲン電球あるいは螢光灯に対しては４５０６００
）ｍで感度の目安となる半減衰露光量が２１ｆ・ｓｅｃ
以下、半導体レーザビームに対しては実用上８００−８
５０ ｎｍでの半減衰露光量が１ｏ ｅｒｇ ／ｌｘｆ
以下の高い感度を持つことが望ましい。また製造上の立
場からいつでも、複写機用、レーザビームプリンタ用と
して同一感光層を適用できることが望ま（−い。
いはレーザピームフリンタに用いられる感光体に関する
。この種の感光体はドブ−を電気的に吸引して顕像する
に充分なコロナ帯Ｎに対する面位受容能と電位保持能力
を有し、かつ光源の光波長に関し受容電位を放電させる
の九光分な感度すなわちキャリア発生効率をもつ感光層
を有することが必要である。最近複写機の高速化に伴な
いハロゲン電球あるいは螢光灯に対しては４５０６００
）ｍで感度の目安となる半減衰露光量が２１ｆ・ｓｅｃ
以下、半導体レーザビームに対しては実用上８００−８
５０ ｎｍでの半減衰露光量が１ｏ ｅｒｇ ／ｌｘｆ
以下の高い感度を持つことが望ましい。また製造上の立
場からいつでも、複写機用、レーザビームプリンタ用と
して同一感光層を適用できることが望ま（−い。
電子写真用感光体の感光層用光導電材料として従来、酸
化亜鉛（ＺｎＯ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ ）、非晶
質セレン（Ｓｓ）およびセレン−テルル（５ｅ−Ｔｅ）
合金、セレン−ひ素（Ｓｅ−Ａｓ）合金、８ｅ３ｋｍ２
ならびに一部有機半導体（ｏｐｃ）が用いられており、
一般静電複写機およびＨｅ−Ｃｄ 、Ｈｅ−Ｎｅレーザ
ビームプリンタに対して量子効率０５程度で実用上問題
のない高感度の感光層が得られている。−万分散処理端
末出力機あるいはワードズロセッザ出力機として半導体
レーザ光走査による低価格レーザビームグリンタの開発
がすすめられ、さらにこれにコピア機能あるいはファッ
クス機能も合わせ持つインテリジェントプリンタが指向
されている。
化亜鉛（ＺｎＯ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ ）、非晶
質セレン（Ｓｓ）およびセレン−テルル（５ｅ−Ｔｅ）
合金、セレン−ひ素（Ｓｅ−Ａｓ）合金、８ｅ３ｋｍ２
ならびに一部有機半導体（ｏｐｃ）が用いられており、
一般静電複写機およびＨｅ−Ｃｄ 、Ｈｅ−Ｎｅレーザ
ビームプリンタに対して量子効率０５程度で実用上問題
のない高感度の感光層が得られている。−万分散処理端
末出力機あるいはワードズロセッザ出力機として半導体
レーザ光走査による低価格レーザビームグリンタの開発
がすすめられ、さらにこれにコピア機能あるいはファッ
クス機能も合わせ持つインテリジェントプリンタが指向
されている。
しかしながら演１在実用ゴヒされている半導体レーザの
うち、その発振波長が最も短いといわれているものでＧ
ａＡＪＡｓ系の７８０ ｎｍであり、実際容易に入手で
きるものは８ｏｏ〜８５０ｎｍである。このような近赤
外領域の光に対して実用上充分な感度を有する感光ＮＩ
相料としてｓｅ −Ｔｅ系およびＯＰＣ系で二、三の発
表がみられる。これらはいずれも導電支持体の上１ｃｆ
ｆ荷発生層（ＣＧＬ）と電荷移動層（ＣＴＬ）が積層さ
れたいわゆる機能分離型感光層を形成しており、ＣＧＬ
が光を受けて自由な電子および正孔を発生する機能を持
ち、ＣＴＬが発生した電子あるいは正孔のいずれかを移
動させる機能を持つ。例えば５ｅ−Ｔｅ系忙おいては、
ＣＴＬは純Ｓｅ 、 ８ｅ−（低ＩＬＬＳ、１Ｔｅ）ま
り＋ｔ Ｓｅ −（低ｍ度Ａｓ）”’Ｃ−１ＣＧＬと１
−てＳｅ −（高濃度Ｔｅ）または８ｅ−（高濃度Ｔｅ
） −Ａｓを用いた構成をとっている。半導体レーザを
走査光源とする集合Ｋ Ｔｅ 、１１度は約３０％とさ
れるが、この程度の高濃度のＴｅを添加しても半減衰露
光量は７８０ ｎｍで６ ｅｒｇ／ｖｎ？、８３０ｎｍ
で＋００ ｅ ｒ ｇ １０ｉｒ？で使用限界波長は８
００ ｎｍである。−万〇ＰＣを用いて矛も長波長感度
の高い感光体として知られているものは、導電、性支持
体の上に０．５〜１μｍのアルミ７タロシアニンを蒸着
した膜をＣＧＬとし、その上にビニシリ／誘導体を約１
０ｔｉｍ塗布してホール移動層とし、てのＣＴ Ｌとし
た構造のもので、第１図の曲線１１で示すような半減衰
露光量分光特性を持っている。
うち、その発振波長が最も短いといわれているものでＧ
ａＡＪＡｓ系の７８０ ｎｍであり、実際容易に入手で
きるものは８ｏｏ〜８５０ｎｍである。このような近赤
外領域の光に対して実用上充分な感度を有する感光ＮＩ
相料としてｓｅ −Ｔｅ系およびＯＰＣ系で二、三の発
表がみられる。これらはいずれも導電支持体の上１ｃｆ
ｆ荷発生層（ＣＧＬ）と電荷移動層（ＣＴＬ）が積層さ
れたいわゆる機能分離型感光層を形成しており、ＣＧＬ
が光を受けて自由な電子および正孔を発生する機能を持
ち、ＣＴＬが発生した電子あるいは正孔のいずれかを移
動させる機能を持つ。例えば５ｅ−Ｔｅ系忙おいては、
ＣＴＬは純Ｓｅ 、 ８ｅ−（低ＩＬＬＳ、１Ｔｅ）ま
り＋ｔ Ｓｅ −（低ｍ度Ａｓ）”’Ｃ−１ＣＧＬと１
−てＳｅ −（高濃度Ｔｅ）または８ｅ−（高濃度Ｔｅ
） −Ａｓを用いた構成をとっている。半導体レーザを
走査光源とする集合Ｋ Ｔｅ 、１１度は約３０％とさ
れるが、この程度の高濃度のＴｅを添加しても半減衰露
光量は７８０ ｎｍで６ ｅｒｇ／ｖｎ？、８３０ｎｍ
で＋００ ｅ ｒ ｇ １０ｉｒ？で使用限界波長は８
００ ｎｍである。−万〇ＰＣを用いて矛も長波長感度
の高い感光体として知られているものは、導電、性支持
体の上に０．５〜１μｍのアルミ７タロシアニンを蒸着
した膜をＣＧＬとし、その上にビニシリ／誘導体を約１
０ｔｉｍ塗布してホール移動層とし、てのＣＴ Ｌとし
た構造のもので、第１図の曲線１１で示すような半減衰
露光量分光特性を持っている。
このタイプの感光層は、第１図に見られるように８００
〜８５０ ｎｍでｓ、５〜７ ｅｒＲ／ａｔの半減衰露
光量を持つから、表面電位をゼコレベルまで中和するの
に必要な７オトンエネルギーは２０ ｅｒｇ／〆で充分
である。従って５ｍＷの半導体レーザで走査１、光学行
路ロスによりその光の１ｏｅｉｂＬか利用できなかった
としてＡ４用紙（面＠６ｚ５ｏｔｌ＞で１分間あたりの
スピードで印刷可能である。しかしながら第１図′ｒ、
り分がろ１５にアルミフタロンアニン化合物なＣＯＬと
した機能分離型ｏＰｃ感光層では波長５５０ ｎｍより
短波長側での感度が急激に減少し、螢光灯あるいは白色
Ｗ球を光源とする複写機用感光体への適用は困難である
。
〜８５０ ｎｍでｓ、５〜７ ｅｒＲ／ａｔの半減衰露
光量を持つから、表面電位をゼコレベルまで中和するの
に必要な７オトンエネルギーは２０ ｅｒｇ／〆で充分
である。従って５ｍＷの半導体レーザで走査１、光学行
路ロスによりその光の１ｏｅｉｂＬか利用できなかった
としてＡ４用紙（面＠６ｚ５ｏｔｌ＞で１分間あたりの
スピードで印刷可能である。しかしながら第１図′ｒ、
り分がろ１５にアルミフタロンアニン化合物なＣＯＬと
した機能分離型ｏＰｃ感光層では波長５５０ ｎｍより
短波長側での感度が急激に減少し、螢光灯あるいは白色
Ｗ球を光源とする複写機用感光体への適用は困難である
。
本発明は、上記の欠点を除去し、同一感光体で複写接す
ｄよび半導体レーザプリンタの双万忙適用可能な、具体
的には４５０〜Ｒ５０ｎｍ （’）波長範囲の光に対し
て汎色性を有する感光体を桿イ１ｔすること？目的とす
る。
ｄよび半導体レーザプリンタの双万忙適用可能な、具体
的には４５０〜Ｒ５０ｎｍ （’）波長範囲の光に対し
て汎色性を有する感光体を桿イ１ｔすること？目的とす
る。
この目的は、電子写真用感光体の感光層が機能分離型積
層感光層であって、その電荷発生層がセレンを含むフタ
ロンアニン系有機光導電半導体よりなること忙よって達
成される。フタロシアニン系有機光導電半導体としては
、例えばフルミツタロシアニン、ガリウム７タロシアニ
ンなトラ用いることができ、アルミ７りσシアニンは第
２１ｍ１／（示ず分子構造を有し、Ｘとしてハロゲン元
素を有する。
層感光層であって、その電荷発生層がセレンを含むフタ
ロンアニン系有機光導電半導体よりなること忙よって達
成される。フタロシアニン系有機光導電半導体としては
、例えばフルミツタロシアニン、ガリウム７タロシアニ
ンなトラ用いることができ、アルミ７りσシアニンは第
２１ｍ１／（示ず分子構造を有し、Ｘとしてハロゲン元
素を有する。
腋下図および実験結果を引用して本発明の実施例）１て
ついて説明する。第３図において、例えば了？レミニウ
ムからなる導電性基体Ｊの上に、第２図のＸ原子として
塩素を有し、さらにベンゼン環＋（塩素のついたフル゛
フクロシアニンＡ／Ｃ／！Ｐｃ！（ＣＪ？）の昇華によ
り生ずる蒸気とセレンの蒸発により生ずる蒸気との混合
蒸気の蒸着により０．０５μｍ以上の厚さのＣＧＬ２を
形成し１さらに膜厚１０〜１５μｍのピラゾリン誘導体
を塗布してＣＴＬ３を形成している。
ついて説明する。第３図において、例えば了？レミニウ
ムからなる導電性基体Ｊの上に、第２図のＸ原子として
塩素を有し、さらにベンゼン環＋（塩素のついたフル゛
フクロシアニンＡ／Ｃ／！Ｐｃ！（ＣＪ？）の昇華によ
り生ずる蒸気とセレンの蒸発により生ずる蒸気との混合
蒸気の蒸着により０．０５μｍ以上の厚さのＣＧＬ２を
形成し１さらに膜厚１０〜１５μｍのピラゾリン誘導体
を塗布してＣＴＬ３を形成している。
実施例
第４図は第３図の構造をもつ感光体においてＣＧＬ ２
の中のＳｅのＡｊＩＣＪＰＣ（Ｃｌ）に対するｌｊｔ比
をほぼ５０チ、ＣＴＬニーの膜厚を１５１＋ｍとし、Ｃ
（ｌ ｒＪ２の管厚を変えた場合の半減衰露光量分光特
性で、曲線４１は膜厚０．ｉ−５μｍ１曲線４２はＷ
Ｎ 、０．０５ ｔｉｍである。Ｓｅの分光妓性は第１
図の曲＃ １２ ＩＣ示す通りであり、本発明による感
光層は第１図の曲線１１と曲線１２とが１浸された特性
を有することが分かる〇但し、４５０ｎｍより短波長側
ではピラゾリン誘導体の光の吸収により感度が減少して
いる。第１表け旬られた試別のη可子写Ｊ″を諸ａｓ性
を示し、受容電位は長さ３０ＱＩ１．の感光ドラムを周
速１５ ｍ／ ３ ｅ ｃ で回転させたときの値であ
る。また残留１１１位は叩減衰露光光のＩｔ１倍の先部
を与えた汗もの伯である。
の中のＳｅのＡｊＩＣＪＰＣ（Ｃｌ）に対するｌｊｔ比
をほぼ５０チ、ＣＴＬニーの膜厚を１５１＋ｍとし、Ｃ
（ｌ ｒＪ２の管厚を変えた場合の半減衰露光量分光特
性で、曲線４１は膜厚０．ｉ−５μｍ１曲線４２はＷ
Ｎ 、０．０５ ｔｉｍである。Ｓｅの分光妓性は第１
図の曲＃ １２ ＩＣ示す通りであり、本発明による感
光層は第１図の曲線１１と曲線１２とが１浸された特性
を有することが分かる〇但し、４５０ｎｍより短波長側
ではピラゾリン誘導体の光の吸収により感度が減少して
いる。第１表け旬られた試別のη可子写Ｊ″を諸ａｓ性
を示し、受容電位は長さ３０ＱＩ１．の感光ドラムを周
速１５ ｍ／ ３ ｅ ｃ で回転させたときの値であ
る。また残留１１１位は叩減衰露光光のＩｔ１倍の先部
を与えた汗もの伯である。
これらのうちＣＯＬ膜厚０．０５μ口１０謬合の半減衰
露光ｉ６７、ｚ−・５ｅｃＯ値は高速機には適しないが
低速機には使用できることを示し、そのほかのづべての
特性値はこｈらの感光層が実用できることを示している
。
露光ｉ６７、ｚ−・５ｅｃＯ値は高速機には適しないが
低速機には使用できることを示し、そのほかのづべての
特性値はこｈらの感光層が実用できることを示している
。
実施例
第５図はＣＧＬの１漢厚を０．１５ ｔｌｍＫ一定し、
Ｓｃ含有ｑを変えた機能分、離型感光層の半減衰πイ；
石分光特性である。曲ｌｖｉ！５１はＣＧＴ−，２中ｎ
Ａ／ＩＣＩ！Ｐ（ｃｇＫ対−するＳｅのＭ量化が１５
０ ｆｉ 、曲線５２は３゜チのときσ、）特（（ｉで
ある。第２表は第１表と［司−条件で得られた電子写真
緒特性である。
Ｓｃ含有ｑを変えた機能分、離型感光層の半減衰πイ；
石分光特性である。曲ｌｖｉ！５１はＣＧＴ−，２中ｎ
Ａ／ＩＣＩ！Ｐ（ｃｇＫ対−するＳｅのＭ量化が１５
０ ｆｉ 、曲線５２は３゜チのときσ、）特（（ｉで
ある。第２表は第１表と［司−条件で得られた電子写真
緒特性である。
第２表
なお実験例１および２ＶｃおけろＡｅｃｇｐａ（ｃｌ）
ノ代りにＣＧＬにベンゼン環ｖｃ ｃｚのつかないＡ
／Ｃ／’ＰＱを用いた場合、多少の感度が認められるが
、実用上の差はほとんどな℃・Ｏ ＣＧ’Ｌは、厚さが５μｍを超えると暗牛減期が短くな
りすぎ実用できないので、５ｔｒｍ以下にしなければな
らない。
ノ代りにＣＧＬにベンゼン環ｖｃ ｃｚのつかないＡ
／Ｃ／’ＰＱを用いた場合、多少の感度が認められるが
、実用上の差はほとんどな℃・Ｏ ＣＧ’Ｌは、厚さが５μｍを超えると暗牛減期が短くな
りすぎ実用できないので、５ｔｒｍ以下にしなければな
らない。
本発明によりＯＰ （”に１Ａ−よ）しＤｙ’ｅにさら
にＳｅ系感光層において公知の添加元素Ｔｅ ｓ Ａ、
、９ 、Ｓｂ などを加えることもできる。また上の
１■；［でばＣ（ＪＬの機械的保護のためＣＴ ＬをＣ
Ｇ Ｌの」二に被着したが、逆にＣ’［’Ｌを導■１け
キ体側に股げてもよい。導電性基体としｋも、絶縁体上
に導電性膜を被着したものを用いることもできる。
にＳｅ系感光層において公知の添加元素Ｔｅ ｓ Ａ、
、９ 、Ｓｂ などを加えることもできる。また上の
１■；［でばＣ（ＪＬの機械的保護のためＣＴ ＬをＣ
Ｇ Ｌの」二に被着したが、逆にＣ’［’Ｌを導■１け
キ体側に股げてもよい。導電性基体としｋも、絶縁体上
に導電性膜を被着したものを用いることもできる。
以上述べたように、本発明は電子写真用機ＨＦ分離型感
光層のＣＯＬとしてのフタσソアニン系ＯＰＣ蒸ＭＰｊ
ＡにＳ（を含有させることにより５５０ｎｍより短波長
側の光に対しても高感度の混色性を与えるものである。
光層のＣＯＬとしてのフタσソアニン系ＯＰＣ蒸ＭＰｊ
ＡにＳ（を含有させることにより５５０ｎｍより短波長
側の光に対しても高感度の混色性を与えるものである。
これにより半導体レーザプリン・２、）Ｊｅ −Ｎｅ
レーザプリンタ用感光体の機能分離型積層感光層のＣ
ＧＬ層として 凧めてずぐれた電荷発生効果をもつフタ
ＣＩ ７−ｔニン系ｏ ｒ’ ｃ：の惰尺をそこなうこ
となく、さらに腹写膿領１威θ）感光体用感光層として
その適用範囲を拡張したも０）で、１）る。このれ果、
複写機およびレーザプリンタ用感光体に同一の感光層が
使用できるばかりでなく、−ｒンテリジエントグリンタ
用感光体の構成が極めて簡単しこなり、さらに従来のゞ
り版１支体Ｊに１６ける一７スターおよびレーザ′ＩＩ
Ｉ版にお１するマスターに同時Ｃ・こ使用可も１′、で
あろｔ（ど本発明によって得らチ℃ろ効果はｊスめて大
きい。
レーザプリンタ用感光体の機能分離型積層感光層のＣ
ＧＬ層として 凧めてずぐれた電荷発生効果をもつフタ
ＣＩ ７−ｔニン系ｏ ｒ’ ｃ：の惰尺をそこなうこ
となく、さらに腹写膿領１威θ）感光体用感光層として
その適用範囲を拡張したも０）で、１）る。このれ果、
複写機およびレーザプリンタ用感光体に同一の感光層が
使用できるばかりでなく、−ｒンテリジエントグリンタ
用感光体の構成が極めて簡単しこなり、さらに従来のゞ
り版１支体Ｊに１６ける一７スターおよびレーザ′ＩＩ
Ｉ版にお１するマスターに同時Ｃ・こ使用可も１′、で
あろｔ（ど本発明によって得らチ℃ろ効果はｊスめて大
きい。
第１図けＣ（７ＬとしてＡ／？Ｃ／’Ｐｄ（ＣＪ） 、
Ｃ’ＴＩ、としてピコ−プリン誘導体を用いた感光層
およびＳｅ感光ｊ【の半減、衰ｙ光六分光特性を示す線
図、第２図（ファルミフタロシアニンの分子構造図、第
３図は本発明による感光層の構造を示す断面図、第４図
は本発明の一実施例においてＣＧＬ膜厚を変化さセたと
きの半減衰側光景分光特性を示す線図、第５図はＣＯＬ
ｃｒ）８ ｅの含有量を変化させたときの同仔の線図
である。
Ｃ’ＴＩ、としてピコ−プリン誘導体を用いた感光層
およびＳｅ感光ｊ【の半減、衰ｙ光六分光特性を示す線
図、第２図（ファルミフタロシアニンの分子構造図、第
３図は本発明による感光層の構造を示す断面図、第４図
は本発明の一実施例においてＣＧＬ膜厚を変化さセたと
きの半減衰側光景分光特性を示す線図、第５図はＣＯＬ
ｃｒ）８ ｅの含有量を変化させたときの同仔の線図
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）感光層が機能分離型積Ｍ感光層であって、その電荷
発生層がセレンを含むフタロ７アニン系有機光導電半導
体よりなることを特徴とする電子写真用感光体。 ２、特許請求の範囲第１ＪＡ紀載の感光体（でおいて有
機半導体がアルミフタロ／アニンでカ）って、セレンの
アルミフタロ／アニンに対するＮ Ｉｆ比が１０係以上
であることを特徴とする電、子写真用感光体。 ３）特許請求の範囲第１項せたけ第２項記載の感光体に
おいて、電荷発生層の厚さが００５〜５μｍであること
を特徴とする電子写な、用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12368782A JPS5915253A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12368782A JPS5915253A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5915253A true JPS5915253A (ja) | 1984-01-26 |
Family
ID=14866831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12368782A Pending JPS5915253A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5915253A (ja) |
-
1982
- 1982-07-15 JP JP12368782A patent/JPS5915253A/ja active Pending
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