JPH0535424B2 - - Google Patents

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JPH0535424B2
JPH0535424B2 JP60098946A JP9894685A JPH0535424B2 JP H0535424 B2 JPH0535424 B2 JP H0535424B2 JP 60098946 A JP60098946 A JP 60098946A JP 9894685 A JP9894685 A JP 9894685A JP H0535424 B2 JPH0535424 B2 JP H0535424B2
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JP
Japan
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selenium
tellurium
photoreceptor
layer made
alloy
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP60098946A
Other languages
English (en)
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JPS61256353A (ja
Inventor
Susumu Honma
Kimio Kurosawa
Masahiko Kasahara
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP9894685A priority Critical patent/JPS61256353A/ja
Publication of JPS61256353A publication Critical patent/JPS61256353A/ja
Publication of JPH0535424B2 publication Critical patent/JPH0535424B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G03G5/082Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
    • G03G5/08207Selenium-based

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕 本発明は、電子写真方式の普通紙複写機および
光プリンタに用いられる電子写真用感光体に関す
る。 〔従来技術とその問題点〕 近年、オフイス・オートメーシヨンが急速に発
展し普及してきているが、それに伴い、それらの
出力機として各種プリンタの開発が活発にすすめ
られている。なかでも、その高速印字性、高画
質、高信頼性、低騒音などの点で、電子写真方式
の光プリンタが注目されている。レーザプリンタ
は数千行/分以上の高速プリンタの分野では主流
となつている。 最近、中速から低速(印刷速度で千行/分前
後)の小型光プリンタが相ついで開発されてい
る。これら小型光プリンタは主としてオフイス・
コンピユータに接続して使用される。また、日本
語ワードプロセツサ、光デイスク・フアイル・シ
ステムの出力機として使われ、高速フアクシミリ
に使用しようという動きもある。さらに、最近は
インテリジエンスな各種機能を持たせうるデジタ
ル普通紙複写機に対する要望が強いが、その出力
部としても使用される。 光プリンタの光源としては、レーザ光、発光ダ
イオードなどが用いられるが、その印刷速度の高
速性と高画質の点でレーザ光が多用される。レー
ザ光としてはHe−Neレーザ光が主として用いら
れてきたが、機器の小型化が要望され最近では半
導体レーザ光が使用されるようになつてきた。 光プリンタは、走査レーザ光または発光ダイオ
ード・アレイなどを印刷すべき画像に対応して
on、off制御する部分と、その制御光を受けて帯
電された感光体上に印刷画像に対応した静電潜像
を形成し、その潜像をトナー像として印刷する電
子写真部分とからなる。電子写真部分は従来の電
子写真方式の複写機と同じ構成であるが、こゝに
使用される感光体の性能がプリンタの印刷速度、
印刷画像の画質、安定性を左右する重要な因子と
なる。 光プリンタには、前述のように半導体レーザ光
や発光ダイオード・アレイが用いられるが、半導
体レーザ光の波長は790nm前後であり、発光ダイ
オードの波長は660〜680nm程度である。この様
な長波長光に対しては、従来の主として電子写真
式の複写機に適用されていた感光体は使用できな
い。従来の感光体は可視光の波長領域で高い光感
度を有するように光導電性材料を選び、感光層の
構成も工夫されており、そのままでは660nm以上
の長波長光に対しては光感度が非常に低いためで
ある。 このような長波長光に対して好適な感光体に用
いられうる光導電性材料および感光層の構成につ
いて種々検討が進められているが、電子写真特性
(帯電電位、光感度、残留電位など)、疲労特性、
耐環境性、耐刷性などの点でまだ問題が多い。 セレン感光体についても検討が進められてお
り、キヤリア輸送層としてセレン、キヤリア発生
層としてセレン・テルル合金、表面保護層として
ゲルマニウム、テルル、ひ素などとセレンとの合
金を用いた多層構造の機能分離型感光体が提案さ
れている。しかしながら、このような構成の感光
体は波長660nm以上の長波長光に対する電子写真
特性は優れているが疲労特性に問題があり、繰り
返し連続使用したときに帯電電位が低下してくる
欠点があつた。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、前述の欠点を除去して、
660nm〜800nm程度の長波長光領域において優れ
た電子写真特性を有し、かつ繰り返し連続使用時
にも帯電電位の低下のあらわれない電子写真用セ
レン感光体を提供することにある。 〔発明の要点) 本発明の目的は、導電性基体の上に、セレンま
たは10重量%以下のテルルを含有するセレン・テ
ルル合金からなるキヤリア輸送層、20〜50重量%
のテルルを含有するセレン・テルル合金からなる
キヤリア発生層、ゲルマニウム、テルルまたはひ
素とセレンとの合金からなる表面保護層とを順次
積層してなる感光体において、前記キヤリア発生
層と前記表面保護層との間に、ナトリウムを200
〜500重量ppm含有するセレン・ナトリウム合金
からなる中間層を形成し介在せしめることにより
達成される。 〔発明の実施例〕 以下、本発明を実施例により図を参照しながら
説明する。 第1図は本発明の感光体の概念的断面図であ
り、1は導電性基体、2はセレンまたはセレン・
テルル合金からなるキヤリア輸送層、3はセレ
ン・テルル合金からなるキヤリア発生層、4はセ
レン・ナトリウム合金からなる中間層、5はゲル
マニウム、テルルまたはひ素とセレンとの合金か
らなる表面保護層を示す。 導電性基体1しての外径120mmのアルミニウム
円筒の温度を約60℃に保持し、その外表面にセレ
ンを膜厚50μmに真空蒸着でつけてキヤリア輸送
層2とした。その上にテルルを44重量%含有する
セレン・テルル合金を膜厚0.3μmに真空中でフラ
ツシユ蒸着しキヤリア発生層3とした。さらにこ
の上に、第1表に示す材料組成および膜厚の組み
合せで中間層4、表面保護層5を順次真空中のフ
ラツシユ蒸着で形成し、10種類の感光体を作製し
た。また比較例として、中間層4を設けず、表面
保護層5を直接形成した感光体を作製した。
【表】 これらの感光体試料を850Vに帯電し、波長
780nmの単色光を照射して、帯電電位が1/2に減
衰するまでの半減衰露光量E1/2、および、さら
に露光量が5μJ/cm2になるまで照射したときの残
留電位Vrを測定した。 次に、感光体の繰り返し連続使用時の疲労特性
をみるために、感光体を円筒軸のまわりに周速
120mm/秒で回転させながら、感光体1回転中に、
帯電−波長780nmの単色光5μJ/cm2露光−青色光
除電を1サイクルとする負荷を1回与えるという
プロセスを、連続して250回繰り返し、初期帯電
電位と250サイクル負荷後の帯電電位との差△Vs
および250サイクル目の単色光露光後の電位Vw
(残留電位Vrに相当する)を測定した。これらの
測定結果を第2表に示す。△Vsの負号は帯電電
位の低下を意味している。
【表】
〔発明の効果〕
本発明によれば、導電性基体上に、セレンまた
は10重量%以下のテルルを含有するセレン・テル
ル合金からなるキヤリア輸送層、20〜50重量%の
テルルを含有するセレン・テル合金からなるキヤ
リア発生層、セレン・テルル合金またはセレン・
ゲルマニウム合金またはセレン・ひ素合金からな
る表面保護層を順次積層してなる電子写真用感光
体において、キヤリア発生層と表面保護層との間
にセレン・ナトリウム合金からなる中間層を形成
し介在せしめ、感光体露光時、キヤリア発生層内
に励起されたキヤリアのうち電子の表面保護層へ
の注入がスムーズに行われるようにし、感光体の
繰り返し使用時においても、キヤリア発生層と表
面保護層との界面での電子の蓄積をなくして、帯
電電位の変動が生じないようにする。かくして、
本発明の構成の感光体は、660〜800nm程度の長
波長光に対して、良好な電子写真特性を有し、か
つ、繰り返し連続使用しても帯電電位の低下、残
留電位の増大のみられない優れた感光体となる。 本発明による感光体は、最近急速に普及してい
るオフイス・オートメーシヨンの分野において、
出力機として急増している半導体レーザまたは発
光ダイオードを光源とする光プリンタに用いられ
る電子写真用感光体として好適であり、この分野
の発展に非常に貢献するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の感光体の概念的断面図、第2
図は中間層のナトリウム含有量、中間層の膜厚と
感光体の帯電電位の変動ΔVsとの関係を示す線
図である。 1……導電性基体、2……キヤリア輸送層、3
……キヤリア発生層、4……中間層、5……表面
保護層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 導電性基体上に、セレンまたは10重量%以下
    テルルを含有するセレン・テルル合金からなるキ
    ヤリア輸送層、20〜50重量%テルルを含有するセ
    レン・テルル合金からなるキヤリア発生層、ナト
    リウムを200〜500重量ppm含有するセレン・ナト
    リウム合金からなる中間層、セレンにテルル、ゲ
    ルマニウム、ひ素のいずれかを添加してなるセレ
    ン合金からなる表面保護層がこの順に積層されて
    いることを特徴とする電子写真用セレン感光体。
JP9894685A 1985-05-10 1985-05-10 電子写真用セレン感光体 Granted JPS61256353A (ja)

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JP9894685A JPS61256353A (ja) 1985-05-10 1985-05-10 電子写真用セレン感光体

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JPS61256353A JPS61256353A (ja) 1986-11-13
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63279258A (ja) * 1987-05-11 1988-11-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子写真感光体
JPH077215B2 (ja) * 1987-10-26 1995-01-30 富士電機株式会社 電子写真用感光体
JPH01219753A (ja) * 1988-02-26 1989-09-01 Fuji Electric Co Ltd 電子写真用セレン感光体

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JPS4853686A (ja) * 1971-11-08 1973-07-27
JPS58174952A (ja) * 1982-04-08 1983-10-14 Fuji Electric Co Ltd 電子写真用感光体
JPS6043662A (ja) * 1983-08-19 1985-03-08 Fuji Electric Co Ltd 電子写真用セレン感光体
JPS60252353A (ja) * 1984-05-29 1985-12-13 Nippon Mining Co Ltd 電子写真感光体用セレン,セレン感光膜およびそれらの製造方法

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