JPS5944053A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS5944053A JPS5944053A JP15398182A JP15398182A JPS5944053A JP S5944053 A JPS5944053 A JP S5944053A JP 15398182 A JP15398182 A JP 15398182A JP 15398182 A JP15398182 A JP 15398182A JP S5944053 A JPS5944053 A JP S5944053A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- phthalocyanine
- chlorine
- gallium
- charge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真用感光体に関するものでめシ、特に物
理的特性に優れ、かつ８００ ＋１．ｍ前後の長波長光
に対し尚感度を有する感光体を提供しようとするもので
ある。
理的特性に優れ、かつ８００ ＋１．ｍ前後の長波長光
に対し尚感度を有する感光体を提供しようとするもので
ある。
従来の電子写真用感光体としては、セ１」えば第１図の
クロくアルミニウム等の導電性基板１１の上に５０μｍ
８度のセレンＳｅ膜１２を真空蒸着法によ多形成したも
のがある。しかしこの場合のアルミニウム蒸着は約１時
間を要すること及びこのＳｅ感光体は波長５００ ｎｍ
付近までしか感度を有していない等の問題がある。ｔｉ
この第２図に示すように、昇竜性基板２１の上に５０μ
ｍ程度のＳ。
クロくアルミニウム等の導電性基板１１の上に５０μｍ
８度のセレンＳｅ膜１２を真空蒸着法によ多形成したも
のがある。しかしこの場合のアルミニウム蒸着は約１時
間を要すること及びこのＳｅ感光体は波長５００ ｎｍ
付近までしか感度を有していない等の問題がある。ｔｉ
この第２図に示すように、昇竜性基板２１の上に５０μ
ｍ程度のＳ。
層２全形敗し、この上に更に数μｎ１のセレン−テルル
（Ｓｅ−Ｔｏ）合金層２３を形成した感光体がわるがこ
の＋ｉｌ＜光体は上記５ｅ−Ｔｅ合金のＴｅのゴ有率が
商い根分光感度が長波長に゛まで伸びる反曲、’ｌ’
ｅのη１５加計が増加するにつれて表ｍ電荷の抹持特性
が不良となり半天上感光体として使用できなくなる重大
な問題かりる。第６図には後記詳述する如く、アルミニ
ウム基板上に５０μｍ厚の５ｅＪｆＪ ｔ 形Ｍ’ Ｌ
、コノ上に、Ｓｅが８５ ｍｏｅ％、Ｔｅが１５ｍｏｅ
係の３μｍの５ｅ−Ｔｅ合金を形成した積層感光体の分
光感度全例示したが、この場合、Ｔｅ の添加量は１．
（ｌねこの程度の吊が県展であって、しかもこの感光体
は７００ｎｍｆ・Ｊ近までｔ７か感度をＭしていない（
曲線Ｃ’ ）。
（Ｓｅ−Ｔｏ）合金層２３を形成した感光体がわるがこ
の＋ｉｌ＜光体は上記５ｅ−Ｔｅ合金のＴｅのゴ有率が
商い根分光感度が長波長に゛まで伸びる反曲、’ｌ’
ｅのη１５加計が増加するにつれて表ｍ電荷の抹持特性
が不良となり半天上感光体として使用できなくなる重大
な問題かりる。第６図には後記詳述する如く、アルミニ
ウム基板上に５０μｍ厚の５ｅＪｆＪ ｔ 形Ｍ’ Ｌ
、コノ上に、Ｓｅが８５ ｍｏｅ％、Ｔｅが１５ｍｏｅ
係の３μｍの５ｅ−Ｔｅ合金を形成した積層感光体の分
光感度全例示したが、この場合、Ｔｅ の添加量は１．
（ｌねこの程度の吊が県展であって、しかもこの感光体
は７００ｎｍｆ・Ｊ近までｔ７か感度をＭしていない（
曲線Ｃ’ ）。
更に別に第３図に示すように、アルミニウム基板３１上
に１μｍ程反のクロロノアンプル−−またはスクウアリ
リウム酸誘導体をコーティングして電荷発生！−３２を
形成し、この上に絶縁抵抗の篩いポリビニル〃ルパゾー
ルまたはピラゾリン誘導体とポリ！ノー ７１？ネート
樹崩との７１４１合物金ｌθ〜２０μｍコーティングし
一〇電荷輸送層３３を形成した所開機能分１ｊ（１型の
ＩＲ元体もめる。しか（７かかる機能分離型感光体の分
光感度特性は、上配篭荷発生層のも性で決定されるが、
現在このｌ＋＆光体は７００ｎｍ以上の光に対して１盛
度を有していないのが実状である。
に１μｍ程反のクロロノアンプル−−またはスクウアリ
リウム酸誘導体をコーティングして電荷発生！−３２を
形成し、この上に絶縁抵抗の篩いポリビニル〃ルパゾー
ルまたはピラゾリン誘導体とポリ！ノー ７１？ネート
樹崩との７１４１合物金ｌθ〜２０μｍコーティングし
一〇電荷輸送層３３を形成した所開機能分１ｊ（１型の
ＩＲ元体もめる。しか（７かかる機能分離型感光体の分
光感度特性は、上配篭荷発生層のも性で決定されるが、
現在このｌ＋＆光体は７００ｎｍ以上の光に対して１盛
度を有していないのが実状である。
近年レーザー光を光源とし、−子写真用感光体ヲ用いた
レーデ−ビームプリンタ等では、半導体レーザーを光源
に用いることが種々試みられてお９、この場合該光源の
波長は８００ ｎ ｍ内＋Ｊ俵であることから８００
ｎ ｍ ｉｌ後の長波長光に対し筒感度な特性を有する
感光体が強く擬木されている。
レーデ−ビームプリンタ等では、半導体レーザーを光源
に用いることが種々試みられてお９、この場合該光源の
波長は８００ ｎ ｍ内＋Ｊ俵であることから８００
ｎ ｍ ｉｌ後の長波長光に対し筒感度な特性を有する
感光体が強く擬木されている。
ここに本発明者等は、上記の点に鑑み検討を重ねた結果
中心金ｔｔｇがガリウムで該ガリウムには塩素が結合し
史にフタロシア二〕猿の周囲のベンゼン携の水素の−ｔ
′１６分か塩素で１ｕ侠されているフタロ７アニンを電
荷発生体とした機能が、上述の波長８００ ｎ ｒｎ前
後の光に対して、１−１函度を有し、しかも該感光体が
安価に作成することが可能である等の知見を得、この発
明に到達したのである。
中心金ｔｔｇがガリウムで該ガリウムには塩素が結合し
史にフタロシア二〕猿の周囲のベンゼン携の水素の−ｔ
′１６分か塩素で１ｕ侠されているフタロ７アニンを電
荷発生体とした機能が、上述の波長８００ ｎ ｒｎ前
後の光に対して、１−１函度を有し、しかも該感光体が
安価に作成することが可能である等の知見を得、この発
明に到達したのである。
即ちこの発明は、導′成性支持体上に、・目゛機光尋′
ｔ４Ｌ性物質による電荷発生層及びこの上に電荷中１ｎ
送層を形ｈ１４Ｌ７こ機能分離！電子写真用／ｌ＆光体
において、前配有憎光導電性物質が、 一般式 で表わされるガリウムを中心金ｊｒｊ％と【７該びリウ
ムに塩素が結合したフタロシアニンで必ゐ基本構造ヲ持
チ、このフタロ７アニン猿の周囲のベンゼン環の水素の
一部分が塩素で置換された構造の７タロシアニンである
ことを％徴とする電子写真用感光体である。
ｔ４Ｌ性物質による電荷発生層及びこの上に電荷中１ｎ
送層を形ｈ１４Ｌ７こ機能分離！電子写真用／ｌ＆光体
において、前配有憎光導電性物質が、 一般式 で表わされるガリウムを中心金ｊｒｊ％と【７該びリウ
ムに塩素が結合したフタロシアニンで必ゐ基本構造ヲ持
チ、このフタロ７アニン猿の周囲のベンゼン環の水素の
一部分が塩素で置換された構造の７タロシアニンである
ことを％徴とする電子写真用感光体である。
以下本発ψ］を具体的な災旅例を示しつつ詳述する。
矢施例１
オルトフタロゾニトリル（東別化成社ｄ ＞ １２．８
２と純度９９．９９９ ％のハロ化ガリウム（フルウチ
化学社製）４．４ｒｋ３００℃のマントルヒーター中の
ビーカー中でかくはん混合しながら反応させフタロニト
リル法を用いてガリウムを中心金属とする上記一般式で
示されるフタロシアニン七合成した。かかる生成物は青
黒色の塊状として得られるので、これを微粉砕したのち
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）で洗浄し、Ｔ）ＩＦ町溶
物を除去し精製した。次に、得られたフタロシアニンの
含有塩素振全燃焼フラスコ法を用いて分析した結果、そ
の址はフタロシアニン１分子あたり２．２６個で必シ、
このうち１個は中心金属のガリウムと結合しているので
フタロシアニン猿の周囲のベンゼン環の水素と置換して
いる塩素は平均１．２６個でめった。
２と純度９９．９９９ ％のハロ化ガリウム（フルウチ
化学社製）４．４ｒｋ３００℃のマントルヒーター中の
ビーカー中でかくはん混合しながら反応させフタロニト
リル法を用いてガリウムを中心金属とする上記一般式で
示されるフタロシアニン七合成した。かかる生成物は青
黒色の塊状として得られるので、これを微粉砕したのち
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）で洗浄し、Ｔ）ＩＦ町溶
物を除去し精製した。次に、得られたフタロシアニンの
含有塩素振全燃焼フラスコ法を用いて分析した結果、そ
の址はフタロシアニン１分子あたり２．２６個で必シ、
このうち１個は中心金属のガリウムと結合しているので
フタロシアニン猿の周囲のベンゼン環の水素と置換して
いる塩素は平均１．２６個でめった。
次にこのフタロシアニンｔ％真空ＳＮ装置中のアルミす
るつぼに１０ｍｒ入れ、るつは温度５００℃で抵抗加熱
蒸層法によりガラス板上に０．０２μｍの薄膜を形成し
た。この薄膜の６００〜９００ｎｍの元に対する光吸収
スペクトルを自記分光光度計を用いて測定した結果を第
４図の曲線Ａで示した。
るつぼに１０ｍｒ入れ、るつは温度５００℃で抵抗加熱
蒸層法によりガラス板上に０．０２μｍの薄膜を形成し
た。この薄膜の６００〜９００ｎｍの元に対する光吸収
スペクトルを自記分光光度計を用いて測定した結果を第
４図の曲線Ａで示した。
同図の如くこの薄膜の吸収スペクトルは６７０ｎｍに肩
ビーク、７３０ｎｍに最大ピーク管示した。
ビーク、７３０ｎｍに最大ピーク管示した。
上記薄膜試料を、テトラヒドロフラン蒸気中にて２０時
間曝露し同様に光吸収スペクトルを調べたところ、同曲
線Ｂのように前記吸収ピークミニ長波長滅却ち最大ピー
クが７４５ｎｍｉＣＸ／′フトした。
間曝露し同様に光吸収スペクトルを調べたところ、同曲
線Ｂのように前記吸収ピークミニ長波長滅却ち最大ピー
クが７４５ｎｍｉＣＸ／′フトした。
次に、具体的に上記のようにして得られたフタロシアニ
ンをアルミするつぼ中に０．１ ｆ入れ、るつぼ温度５
００°０で抵抗加熱蒸着を約２０分間行い第５図に示す
構造の如く、アルミニウム基根５１上に、電荷発生層５
２ （０，２μｍ）を形成した。
ンをアルミするつぼ中に０．１ ｆ入れ、るつぼ温度５
００°０で抵抗加熱蒸着を約２０分間行い第５図に示す
構造の如く、アルミニウム基根５１上に、電荷発生層５
２ （０，２μｍ）を形成した。
これをテトラヒドロフラン蒸気中に２０時間曝露した後
、テトラヒドロフランに溶解したポリビニルカルバ／−
ル樹胆（東東化戚社製、特級）をコーティングし、テト
ラヒドロフランを充分乾燥させ電荷輸送層５３（６μｎ
ｌ厚さ）を形成し、感光体を得た。
、テトラヒドロフランに溶解したポリビニルカルバ／−
ル樹胆（東東化戚社製、特級）をコーティングし、テト
ラヒドロフランを充分乾燥させ電荷輸送層５３（６μｎ
ｌ厚さ）を形成し、感光体を得た。
得られ＊、感光体の電子写真的特性である分光感度を測
定した結果金弟６図中に曲ｉｆＭＣで示した。
定した結果金弟６図中に曲ｉｆＭＣで示した。
同図から明らかなように、この感光体は９００ｎｍにお
いても１♂／μＪ以上の非常に高い感度が認められ、８
００ｎｍにおいては２．５Ｃ♂／μＪの高感度を示した
。このように６００〜９００ｎｍの領域において、はぼ
フラットな特性を有する感光体は現在殆んど知られてい
ないのであυ、上述のレーザービームプリンター等の装
置に用いる場合極めて有利である。
いても１♂／μＪ以上の非常に高い感度が認められ、８
００ｎｍにおいては２．５Ｃ♂／μＪの高感度を示した
。このように６００〜９００ｎｍの領域において、はぼ
フラットな特性を有する感光体は現在殆んど知られてい
ないのであυ、上述のレーザービームプリンター等の装
置に用いる場合極めて有利である。
実施例２
アルミニウム基板上に実施例１によシ得たフタロシアニ
ンをＡ−空蒸着法により薄膜０．２μｎｌを形成しｆｃ
。得られたものをテトラヒドロフラン溶媒蒸気処理を行
わずにポリビニルカルバゾールのテトラヒドロフラン溶
液をコーティングし乾燥辱さ６μｍの電荷輸送層を形成
し感光体を作成した。
ンをＡ−空蒸着法により薄膜０．２μｎｌを形成しｆｃ
。得られたものをテトラヒドロフラン溶媒蒸気処理を行
わずにポリビニルカルバゾールのテトラヒドロフラン溶
液をコーティングし乾燥辱さ６μｍの電荷輸送層を形成
し感光体を作成した。
得られた感光体の分光感度を測定した結果を第７図に示
したが、同図によ′れは８５０ｎｍｔでは実施例１の感
光体とほぼ同等の１〜ｌ 、 ５ ｃｒｔ？／μＪの１
“Ｌ！Ｊ感度を示した。しかし本例の場合９００ｎｍ伺
近に至ってこれが約１／２に低下したが、このように９
００ ｎ ｍ刺近の１へ度が若干低いことを除き上記実
施例１の感光体とほぼ同等であり、このことは８００
ｎ ＋ｒ１前後の光源を用いる上記レーザービームノリ
／り用感光体として非常に優れていることが明らかで必
り、尚この実施例（２）による感光体は溶媒蒸気処理を
行わないことから、製作工程が簡略化できる利点がある
。
したが、同図によ′れは８５０ｎｍｔでは実施例１の感
光体とほぼ同等の１〜ｌ 、 ５ ｃｒｔ？／μＪの１
“Ｌ！Ｊ感度を示した。しかし本例の場合９００ｎｍ伺
近に至ってこれが約１／２に低下したが、このように９
００ ｎ ｍ刺近の１へ度が若干低いことを除き上記実
施例１の感光体とほぼ同等であり、このことは８００
ｎ ＋ｒ１前後の光源を用いる上記レーザービームノリ
／り用感光体として非常に優れていることが明らかで必
り、尚この実施例（２）による感光体は溶媒蒸気処理を
行わないことから、製作工程が簡略化できる利点がある
。
実施例３
実施例２と同様に電荷発生層としてフタロシアニンをア
ルミニウム基板上に真空蒸着法で０．２μｍ形成し、電
荷輸送層としてピラゾリン誘導体中１−フェニル−３−
（４’−ジエチルアミノスチリル）−５−（４’−ジエ
チルアミノフェニル）−・２−ピラゾリンと７エノキシ
樹脂（ユニオンカーバイド社製）とを重量比で１＝１を
テトラヒドロ７ラン溶液に溶解したものｔコーティング
（膜厚８μｍ）して形成した。なお、このピラゾリン誘
導体ハベンズアルデヒドとアセトンからペンタジエ／−
２−オンを作成し、これとフェニルヒドラジン管反応さ
せる方法で合成したものを用いた。
ルミニウム基板上に真空蒸着法で０．２μｍ形成し、電
荷輸送層としてピラゾリン誘導体中１−フェニル−３−
（４’−ジエチルアミノスチリル）−５−（４’−ジエ
チルアミノフェニル）−・２−ピラゾリンと７エノキシ
樹脂（ユニオンカーバイド社製）とを重量比で１＝１を
テトラヒドロ７ラン溶液に溶解したものｔコーティング
（膜厚８μｍ）して形成した。なお、このピラゾリン誘
導体ハベンズアルデヒドとアセトンからペンタジエ／−
２−オンを作成し、これとフェニルヒドラジン管反応さ
せる方法で合成したものを用いた。
得られた感光体の分光感度の測定結果金第８図に示すが
、同図のように概ね実施例２と同様の分光感度が得られ
、電荷輸送層としてピラゾリン誘導体でろってｔ高感度
の感光体が得られることが明らかであった。
、同図のように概ね実施例２と同様の分光感度が得られ
、電荷輸送層としてピラゾリン誘導体でろってｔ高感度
の感光体が得られることが明らかであった。
即ちこの感光体も８００ｎｍ前後の光源を用いるＶ−デ
ービームプリンタ用感光体として非常に優れ−Ｃいる。
ービームプリンタ用感光体として非常に優れ−Ｃいる。
以上説明したように本発明による感光体は、８００ｎｍ
前後の長波長域にて筒感ｔＷを示１％性をンＮ Ｌ上述
した特（ｌヒレーデービームを用いｆｃ感光体として優
れた効果全発揮し、又使用する電荷発生層は、ごく薄い
膜で十分で６９、真空装置を使用する時間が短時間でυ
１み感光体の作成が容易で安洒に量産が１］ｊ°能で必
る等の一４Ｊ米を奏する。−また本感元体は上述したＶ
−デービームプリンタのみで々く、フ１アツクスまたは
ＬＥＤを元保としたプリンタ、更には、半導体レータ′
−をｆｔ源としたその他の光記録ｒバイスにも適時応用
することかでさる。
前後の長波長域にて筒感ｔＷを示１％性をンＮ Ｌ上述
した特（ｌヒレーデービームを用いｆｃ感光体として優
れた効果全発揮し、又使用する電荷発生層は、ごく薄い
膜で十分で６９、真空装置を使用する時間が短時間でυ
１み感光体の作成が容易で安洒に量産が１］ｊ°能で必
る等の一４Ｊ米を奏する。−また本感元体は上述したＶ
−デービームプリンタのみで々く、フ１アツクスまたは
ＬＥＤを元保としたプリンタ、更には、半導体レータ′
−をｆｔ源としたその他の光記録ｒバイスにも適時応用
することかでさる。
ｇ１図は従来の電子写真用感光体の一列の断面図１．窮
２図は同地の５ｅ−（Ｓｅ−Ｔｏ）積層型電子写真用感
光体の断面図、第３図は同機１市分離型の電子写貞用感
光体の一例の断面図、第４図は本発明にて用いるフタロ
シアニンの一例の光吸収スペクトル図、第５図は本発明
による感光体の一例の断面図、第６図は実施例１による
感光体の分光感度曲線、第７図は実施例２による感光体
の分光感度曲線及び第８図は実施例３による感光体の分
光感度曲線を示す図である。 ５１・・・アルミニウム基板、５２・・・電荷発生層、
５３・・・電荷輸送層。 特許出願人 沖電気工業株式会社 手続補正書 昭和（７３年２月−７臭日 特許庁・艮官若杉和夫 殿 １９．事件の表示 昭和５７年 特許 願第 １．１５３９８１ 号２
、発明の名称 電子写真用感光体 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人（０２９）沖電
気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の１伺 昭和 年 月 １ヨ１（
自発的）６、補正の対象 発明の詳細な説明の欄 （１）明細ｖ４頁１２行「機能が、」を「機能分離型感
光体が、」と訂正する。 （２）同６頁１〜２行［フタロシアニンを合成した。」
を「フタロシアニンである基本構造を持ち、この基本構
造のフタロシアニンと該基本構造の７タロシアニン猿の
周囲のベンゼン環の水素の一部分が塩素で置換されたフ
タロシアニｙとＯ混合物を合成した。」と訂正する。 ＝３５
２図は同地の５ｅ−（Ｓｅ−Ｔｏ）積層型電子写真用感
光体の断面図、第３図は同機１市分離型の電子写貞用感
光体の一例の断面図、第４図は本発明にて用いるフタロ
シアニンの一例の光吸収スペクトル図、第５図は本発明
による感光体の一例の断面図、第６図は実施例１による
感光体の分光感度曲線、第７図は実施例２による感光体
の分光感度曲線及び第８図は実施例３による感光体の分
光感度曲線を示す図である。 ５１・・・アルミニウム基板、５２・・・電荷発生層、
５３・・・電荷輸送層。 特許出願人 沖電気工業株式会社 手続補正書 昭和（７３年２月−７臭日 特許庁・艮官若杉和夫 殿 １９．事件の表示 昭和５７年 特許 願第 １．１５３９８１ 号２
、発明の名称 電子写真用感光体 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人（０２９）沖電
気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の１伺 昭和 年 月 １ヨ１（
自発的）６、補正の対象 発明の詳細な説明の欄 （１）明細ｖ４頁１２行「機能が、」を「機能分離型感
光体が、」と訂正する。 （２）同６頁１〜２行［フタロシアニンを合成した。」
を「フタロシアニンである基本構造を持ち、この基本構
造のフタロシアニンと該基本構造の７タロシアニン猿の
周囲のベンゼン環の水素の一部分が塩素で置換されたフ
タロシアニｙとＯ混合物を合成した。」と訂正する。 ＝３５
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導電性支持体上ｙｃ、有機光４電性物質による電荷発生
層及びこの上にｔ荷軸送層を形成した機能分離型電子写
真用感光体において、前記有機光導電性９勿質が、 一般式 で表わされるガリウムを中心金屑とし該ガリウムに塩素
が結合し＆７タロシアニ／である基本構造を持ち、この
７タロシアニン環の周囲のベンゼン環の水素の一部分が
塩素で置換された構造のフタルシアニンでおることを特
徴とする′電子写真用感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15398182A JPS5944053A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 電子写真用感光体 |
| US06/528,122 US4587188A (en) | 1982-09-06 | 1983-08-31 | Phthalocyanine photoconductor for electrophotography |
| DE3332005A DE3332005C2 (de) | 1982-09-06 | 1983-09-05 | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15398182A JPS5944053A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5944053A true JPS5944053A (ja) | 1984-03-12 |
| JPH0330853B2 JPH0330853B2 (ja) | 1991-05-01 |
Family
ID=15574298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15398182A Granted JPS5944053A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5944053A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59155847A (ja) * | 1983-02-25 | 1984-09-05 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPH0611873A (ja) * | 1992-06-25 | 1994-01-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPH0643671A (ja) * | 1992-07-24 | 1994-02-18 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
| US5302479A (en) * | 1991-04-26 | 1994-04-12 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Crystals of hydroxygallium phthalocyanine, method of preparing the crystals, photoconductive material comprising the crystals, and electrophotographic photoreceptor comprising the material |
| US5358813A (en) * | 1902-01-13 | 1994-10-25 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Crystals of chlorogallium phthalocyanine and method of preparing them |
| US5393629A (en) * | 1991-04-26 | 1995-02-28 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor |
| US5588991A (en) * | 1994-08-31 | 1996-12-31 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Process for producing chlorogallium phthalocyanine crystal |
| EP2259143A1 (en) | 2009-06-05 | 2010-12-08 | Ricoh Company, Ltd | Electrophotographic photoreceptor, and image forming apparatus and process cartridge therefor using the photoreceptor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57148745A (en) * | 1981-03-11 | 1982-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Lamination type electrophotographic receptor |
-
1982
- 1982-09-06 JP JP15398182A patent/JPS5944053A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57148745A (en) * | 1981-03-11 | 1982-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Lamination type electrophotographic receptor |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5358813A (en) * | 1902-01-13 | 1994-10-25 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Crystals of chlorogallium phthalocyanine and method of preparing them |
| JPS59155847A (ja) * | 1983-02-25 | 1984-09-05 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 電子写真感光体 |
| US5302479A (en) * | 1991-04-26 | 1994-04-12 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Crystals of hydroxygallium phthalocyanine, method of preparing the crystals, photoconductive material comprising the crystals, and electrophotographic photoreceptor comprising the material |
| US5393629A (en) * | 1991-04-26 | 1995-02-28 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor |
| JPH0611873A (ja) * | 1992-06-25 | 1994-01-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPH0643671A (ja) * | 1992-07-24 | 1994-02-18 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
| US5588991A (en) * | 1994-08-31 | 1996-12-31 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Process for producing chlorogallium phthalocyanine crystal |
| US5688619A (en) * | 1994-08-31 | 1997-11-18 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Chlorogalium phthalocyanine crystal and electrophotographic photoreceptor containing same |
| EP2259143A1 (en) | 2009-06-05 | 2010-12-08 | Ricoh Company, Ltd | Electrophotographic photoreceptor, and image forming apparatus and process cartridge therefor using the photoreceptor |
| US8206880B2 (en) | 2009-06-05 | 2012-06-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor, and image forming apparatus and process cartridge therefor using the photoreceptor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0330853B2 (ja) | 1991-05-01 |
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