JPS60172045A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は感光体に関し、特にキャリア発生相とキャリア
輸送層とからなる感光層を有する感光体（例えば電子写
真感光体）に関するものである。

２、従来技術 従来から知られている電子写真感光体によれば、可視光
を吸収して荷電キャリア（以下、単に「キャリア」とい
う。）を発生するキャリア発生物質（以下、「ＣＧＭｊ
ということがある。）を含有して成るキャリア発生層（
以下、「ＣＧＬ」ということがある。）と、このＣＧＬ
において発生した正又は負のキャリアの何れか一方又は
両方を輸送するキャリア輸送物質（以下、「ＣＴＭＪと
いうことがある。）を含有して成るキャリア輸送層（以
下、［ｃ　Ｔ　ＬＪということがある。、）とを組合せ
ることにより感光層を構成せしめている。このように、
キャリアの発生と、その輸送という必要な２つの基礎的
機能を、感光層を構成する別個の層に夫々分担せしめる
ことにより、感光層の構成に用い得る物質の選択範囲が
広範となる上、各機能を最適に果す物質又は物質系を独
立に選定することが可能となる。又、これにより、電子
写真プロセスにおいて要求される諸物件、例えば帯電せ
しめたときの表面電位が高く、電荷保持能が太きく、光
感度が高く、しかも反復使用における安定性が大きい等
の優れた特性を有する電子写真感光体を得ることが可能
となる。

上記のような感光層としては、例えば次のようなものが
知られている。

（１）、無定形セレン又は硫化カドミウムより成るＣＧ
Ｌと、ポージ−Ｎ−ビニルカルバゾール、１成るＣＴＬ
とを積層せしめた構成。

（２）、無定形セレン又は硫化カドミウムより成るＣＧ
Ｌと２．４．７−　）ジニトロ−９−フルオレノンを含
有するＣＴＬとを積層せしめた構成。

（３）、ペリレン誘導体より成るＣＧＬと、オキサジア
ゾール誘導体を含有するＣＴＬとを積層せしめた構成（
米国特許第３８７１８８２号明細書参照）。

（４）、クロルダイヤンブルー又はメチルスカリリウム
より成るＣＧＬと、ピラゾリン誘導体を含有するＣＴＬ
とを積層せしめた構成（特開昭５１−９０８２７号公報
参照）。

（５）、無定形セレン又はその合金より成るＣＧＬとポ
リアリールアルカン系芳香族アミン化合物を含有するＣ
ＴＬとを積層せしめた構成（特願昭５２−１４７２５１
号明細書）。

（６）、ペリレン誘導体を含有するＣＧＬと、ポリアリ
ールアルカン系芳香族アミン化合物を含有するＣＴＬと
を積層せしめた構成（特願昭５３−１９９０７号明細書
）。

電荷輸送物質として低分子量の有機化合物を用い、任意
の電荷を発生する物質と高分子バインダーとを併用する
ことにより、すぐれた電子写真特性と被膜強度とを有す
る電子写真感光体を得るための努力がなされている。

上記高分子バインダーとしては、帯電特性、繰返し特性
等の面でポリカーボネートが優れている。

例えば下記構造単位のポリカーボネートが挙げられる。

このポリカーボネートは、ビスフェノ−ｐＡの中心炭素
原子に２つのメチル基が対称的に結合した構造を有して
いる。しかし、本発明者が検討を加えた結果、上記ポリ
カーボネートヲ用いて膜形成を行なうと、塗膜形成時に
膜表面に結晶性ポリカーボネートが析出し工凸部が生じ
易く、このために塗膜の尾引きが生じて収率が低下した
り、或いは感光体としての使用時に表面の凸部にトナー
が付着してクリーニングされずに残り、いわゆるトナー
フィルミングによる画像欠陥が生じ易いことが判明した
。この原因は、上記ポリカーボネートにおいて、中心炭
素原子に結合している基が最も低級のメチル基からなっ
ており、これが高閲の分子鎖配列を生せしめるからであ
ると考えられる。

３、発明の目的 本発明の目的は、帯電性能、繰返し特性、耐刷性等に優
れる上に、表面に異常な凸部がなく、トナーフィルミン
グ等の特性不良のない感光体を提供することにある。

４、発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、下記一般式（Ａ）で表わされるポリカ
ーボネートこ、下記一般式ＣＢ）で表わされるポリカー
ボネートとのいずれが一方を主成分とするバインダーが
感光層に含有されていることを特徴とする感光体に係る
ものである。

（但、この一般式中、 Ｒ１、Ｒ２：水素原子、置換若しくは未置換の脂肪族基
、置換若しくは未置換の 炭素環基、又は置換若しくは装置 換の芳香族基であって、Ｒ１及びＷ の少なくとも一方がかさ高い基、 ＲミＲ４，吠ａ６．　Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９，ａｌ＋１　＝
水素原子、ハロゲン原子、置換若 しくは未置換の脂肪族基又は置換 若しくは未置換の炭素環基、 ｎ：１０〜１０００雇練終である。） 一般式〔Ｂ〕： （但、この一般式中、 Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、ＦＬ６．ＩＣ，Ｒ８、Ｒ９、式。：
前記したものと同じ、 Ｚ：置換若しくは未置換の炭素環又は 置換若しくは未置換の複素環を形 成するのに必要な原子群 である。） 本発明によれば、感光層のバインダーの主成分として上
記一般式（Ａ）又は（Ｂ）のポリカーボネートヲ使用し
ているが、これらのポリカーボネートのビスフェノール
Ａ部分の中心炭素原子には、少なくとも一方がかさ高い
（バルキーな）几、Ｒが結合しているか、或いは上記Ｚ
による環が形成されているので、これらのＷ及び／又は
Ｗ或いはＺによってポリカーボネートの分子鎖が特定方
向に配列することが効果的に阻止される。このため、感
光層の形成時にポリカーボネートが結晶化して膜表面に
析出することがなく、異常な凸部による収率の低下、及
びトナーフィルミングによる画像欠陥等の如き特性劣化
を防ぐことができる。こうした顕著な効果は、上記一般
式（Ａ）においてＷと♂が互いに異なるか或いは非対称
に結合していれば、更に充分に発揮される。上記一般式
ＣＢ）では、上記２による猿が上記の顕著な効果に直接
寄与している。

また、本発明で使用するバインダーはポリカーボネート
系のものであるから、ポリカーボネートが本来奏する優
れた帯電性能、繰返し特性、耐刷性等の特性を感光体に
付与することができる。

本発明で使用する上記ポリカーボネートのうち、一般式
（Ａ）で表わされるものにおいては、Ｗ、Ｒ２の少なく
とも一方がかさ高い基であることが必須不可欠であるが
、こうしたかさ高い基は炭素原子数が３以上であること
が望ましく、分子鎖配列を妨げるが如き立体障害作用を
なすものである。

このようなかさ高い基としては、次のものが例示される
。

（但、Ｒ５水素原子、メチル基等のアルキル基、（−Ｃ
Ｈ２）　−ＣＯＯＲ（Ｒはアルキル基、ｍ≧１）で表わ
されるアルキルエステル基）（３）、−ＣｍＨｚｍ　＋
　１で表わされるアルキル基（但、ｍ≧４） （４）、（−ＣＨ２）　ｍｃｏｏｌ（，１２Ｙ：表わさ
れるアルキルエステル基 （但、ｌで牡アルキル基、ｍ≧２） また、Ｒ，Ｒの一方がかさ高い基である場合、他方は水
素原子、メチル基等のアルキル基であってよい。

次に、上記一般式（Ａ〕、ＣＢ）におけるＲ〜Ｒち基は
、水素原子をはじめ、ＣＩ！、１３ｒ、Ｆ　等のハロゲ
ン原子、メチル基等のアルキル基、シクロヘキシル基等
の炭素環基であってよい。

線 また、上記−砿式（Ｂ）のポリカーボネートにおいては
、上記Ｚは５員又は６員の炭素環又は複素環を形成する
ものであってよく、こうした環としてはシクロヘキシル
環、シクロペンチル環等が挙げられ、環の一部にアセチ
ル基、アセチルアミノ基等の置換基が導入されていてよ
い。

本発明で使用するポリカーボネートとしては具体的には
次のものが挙げられる。

しＨ３にＨ３ しＭ３ ■ Ｈ３ （Ａ−１２） （Ａ−１４） ＣＪ　ＣＪ なお、本発明で使用するポリカーボネートはバインダー
の主成分を占めるが、他に併用されてもよいバインダー
成分としては既述した如き通常のポリカーボネート、上
記のＲ１几、Ｚを有しないポリカーボネート、或いはポ
リエステル、スチレン−アクリル系樹脂等が挙げられる
。

上記ポリカーボネートは、感光層←特に後述の機能分離
型感光体の電荷輸送層、或いは電荷輸送層及び電荷発生
層の双方）のバインダーとして使用される。

ここで、電荷輸送層（ＣＴＬ）の電荷輸送物質（ＣＴＭ
）としては、下記一般式（Ｉ）のガルバゾール誘導体、
下記一般式（Ｉ［）のヒドラゾン化金物が挙げられる。

一般式〔■〕： １３ （但、この一般式中、 Ｒ１３：置換若しくは未置換のアリール基、 Ｒ１４：水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは未置換
のアルキル基、 アルコキシ基、アミン基、水酸 基、置換アミン基、 Ｒ１５：置換若しくは未置換のアリール基、置換若しく
は未置換の複素 環泰を表わす。） 一般式（ＩＩ）： ■、１ｔ：それぞれ、水素原子又はハロゲン原子、 Ｉ、Ｉｌｌ　Ｗ９：それぞれ、置換若しくは未置換のア
リール基、 Ａｒ：置換若しくは未置換のアリーレン基を表わす。） 刃 前記一般式ＣＩ）で示されるガルバゾール誘導体の具体
例としては、例えば次の構造式を有するものを挙げるこ
とができるが、これらに限定されるものではない。

（Ｉ−１） （Ｉ−２） （Ｉ−３） （Ｉ−４） （Ｉ−６） （Ｉ−７） Ｉ＋＋１１ （Ｉ−８） （Ｉ−１１） （１，−１２） （Ｉ−１３） （Ｉ　−１４） ＨＳＣ（ゝＣ２１１５ （Ｉ−１８） （Ｉ−１９） Ｈ３６そＨ３ （Ｉ−２２） （Ｉ−２３’） （Ｉ−２６） （Ｉ−２９） （Ｉ−３０） （Ｉ−３１） （Ｉ−３２） 前記一般式〔■〕で示されるヒドラゾン化合物の具体例
としては、例えば次の構造式を有するものを挙げること
ができるが、これらに限定されるものではない。

（］、１−１） （ＩＩ−２） （ＩＩ−３） （ＴＩ−４） （■−ら） （ＩＩ−６） （ＩＩ−８＞ （ＩＩ−９） （ＩＩ−１０） （ｎ−１２） （ＩＩ−１３） （ＴＩ−１４） 使用可能な他のＣＴＭとしては、下記一般式〔■〕、（
ｔＶ　）、（Ｖ）、（ＶＩ）又は〔■〕で表わされる化
合物がある。

一般式〔１■〕： （但、この一般式中、 Ｒ２０：置換若しくは未置換のアリール基または置換若
しくは未置換の複素 環基、 １１２１：水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基
または、置換若しくは 未置換のアリール基、 Ｑ：水素原子、ハロゲン原子、アルキ ル基、置換アミノ基、アルコキシ 基またはシアノ基、 ｐ：０または１の整数を表わす。） 一般式（ＩＶ）： （但、この一般式中、 Ｒ２２：置換若しくは未置換のアリール基または置換若
しくは未置換の複素 環基、 ｆ：水素原子、置換若しくは未置換の アルキル基または置換若しくは未 置換のアリール基、 Ｘ′：水素原子、ハロゲン原子、アルキ／１４、置換ア
ミノ基、アルコキシ 基またはシアノ基、 ｑ：０または１の整数を表わす。） ・一般式〔Ｖ〕： ＨＲ２７ （但、この一般式中、 ｌ：０又は１の整数、 ｎ”：　吠ｒ：置換若しくは未置換のアリール基、Ｒ”
　ｌ♂：水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基、又
は置換若しくは未置換 のアリール基若しくはアラルキル 基、（但、Ｗ笈びＷ旨共に水素原 子であることはなく、ｌが０のと きはＲは水素原子ではない。）で ある。） 一般式〔■〕： （但、この一般式中、 Ｂ２，９　Ｒ３０：置換若しくは未置換のアルキル基、
フェニル基を表わし、置換基とし てはアルキル基、アルコキシ基、 フェニル基を用いる。

Ｒｐｌ　：置換若しくは未置換のフェニル基、ナフチル
基、アントリル基、フル オレニル基または複素環基を表わ し、置換基としてはアルキル基、 アルコキシ基、ハロゲン原子、水 酸基、フェニル基を用いる。

ばＲ’？　Ｒ’、’　ｉｆ５： 水素原子、ハロゲン原子、アルキ ル基、アルコキシ基またはアルキ ルアミノ基を表わす。） 一般式〔■〕： （但、この一般式中、 Ａ　ｒ、！Ａ　ｒ　３：置換若しくは未置換のフェニル
基を表わし、置換基としては）・ロゲ ン原子、アルキル基、ニトロ基、 アルコキシ基を用いる。

Ａｒ’：置換若しくは未置換のフェニル基、ナフチル基
、アントリル基、フル オレニル基、複素環基を表わし、 置換基としてはアルキル基、アル コキシ基、ハロゲン原子、水酸基、 アリールオキシ基、アリール基、 アミノ基、ニトロ基、ピペリジノ 基、モルホリノ基、ナフチル基、 アンスリル基及び置換アミン基を 用いる。但し、置換アミン基の置 換基としてアシル基、アルキル基、 アリール基、アラルキル基−ｔ−用イ る。） 前記一般式（ＩＩ）で示されるヒドラゾン誘導体の具体
例としては、例えば次の構造式を有するものを挙げるこ
とができるが、これらに限定されるものではない。

（ＩＩＩ−１） （Ｉｌｌ、−２） （ＩＩＩ−３） （Ｉｌｌ−５） （ＩＩＩ−８） （ＩＩＩ−９） （Ｉｌｌ７−１０） （ＩＩｌ、　−１３） （ＩＩＩ−１５） （ＩＩＩ−１６） （ＩＩＩ−１７） （１１１１−ｔｓ） ＣＨ３ （ｌ１ｌ−１９） ２Ｈ５ （ＩＩｋ　−２１） （［１−２３） （ＩＩＩ−２５） （ＩＩＩ−２６） （ＪＨ−２７） ＣＨ３ （１−■−２８） （ｌｌｌ−２９）　’　ＣＨ３ ２Ｈ５ （Ｉｌｌ−３０） （ＩＩｌ、　−３１） （ＩＩＩ−３２） （Ｉｌｌ−３５＞ ２Ｈ５ （ＩＩＩ−３７） Ｈ３ （１１１−３８） （ｌｌｌ−３９） （ＩＩＩ　−４０） Ｈ３ （ＩＩＩ−４１） （ＪＪＪ　−４２） （Ｉｎ　−４３） （ｌ１ｌ−４４） （ＩＩＩ　−４５） （ＩＩＩ　−４６） 前記一般式（ＩＶ　）で示されるヒドラゾン化合物の具
体し１としては、例えば次の構造式を有するものを挙げ
ることができるが、これらに限定されるものではない。

（ＩＶ−１） （ＩＶ−２） （ＩＶ−ｓ） （ＩＶ−６） （ＩＶ−７） （ＩＶ−８） （ＩＶ７９） （ＩＶ−１０） （ＩＶ−１１） （ＩＶ−１４） ＣＩ。

（ＩＶ−１５） （ＩＶ−１６） （ＩＶ−１７） Ｈ３ （ＩＶ−１８） （ＩＶ−１９） （ＩＶ−２１） （ＩＶ−２２） （ＩＶ−２３） Ｈ３ （ＩＶ−２４） Ｈ３ （ＩＶ−２５） （ＩＶ−２６） （ＩＶ−２８） （ＩＶ−３０） （ＩＶ−３１） （ＩＶ−３２） （ｖ−３３） （ＩＶ−３４） （■−あ） Ｎ ＜■−３６） （、ｉＶ　−３７） （ＩＶ−３８） （ＩＶ−３９） （ｉＶ−４０） 前記一般式〔ｖ〕で示されるピラゾリン化合物をして、
例えば次の構造式を有するものが誉げられる。

（Ｖ−１） （Ｖ−５） （Ｖ−７） （Ｖ−８） （Ｖ−９）（’ （ （ （Ｖ−１２） １−１３） Ｖ−１４） Ｖ−１５） （Ｖ−１，７） （Ｖ−１９） 前記した本発明において用いられるピラゾリン化合物は
公知の方法、たとえばα、β−不飽和ケトンとフェニル
ヒドラジンとを酸触媒存在下で脱水縮合することによっ
て合成される。

前記一般式〔Ｖ■〕で示されるスチリル化合物の具体例
としては、例えば次の構造式を有するものを挙げること
ができるが、これらに限定されるものではない。

（ＶＩ−１） （ＶＩ−２） （ＶＩ−３） （Ｖｌ−４） （Ｖｌ−５） （Ｖｌ−６） （Ｖｌ−７） （Ｖｌ−８） （■−９） （ＶＩ−ｔｏ） （ＶＩ−１１） （Ｖｌ−１２） （ＶＩ−１３） （ＶＩ−１４） （ＶＩ−１５） （Ｖｌ−１７） （Ｖｌ’−１８） （ＶＩ−１９） （ＶＩ−’２Ｄ’） （Ｖｌ−２１） （ＶＩ−２２） （Ｖｌ−２３） （Ｖｌ−２４） （ＩＶ−２５） （ＩＶ−２６） （、ＶＩ−２７） （ＩＶ−２８） ２　Ｈ５ （Ｖｌ−２９） （ＶＩ−３１） （Ｖｌ−３２） （ＶＩ−３３） （’ＶＩ　−３４） 前記一般式（Ｖｌｌ）で示されるアミン誘導体の具体例
としては、例えば次の構造式を有するものを挙げること
ができるが、これらに限定されるものではない。

（■−１） （■−２） （Ｖｌｌ−３） （ＶＪ［−４） （■−５） （ＶＩＩ−６） （ＶＩＩ＝７） （ＶＪＩ−８） （Ｖｌｌ−９） （■−１０） （Ｖｊｆ−１１） （■−１２） （Ｖｌｌ−１３） （シ１ｔ−１４） （ＶＪＩ−１５） （■ｌ−１７） （■−１ｓ） （ＶＪＩ−１９） （Ｖｌｌ−２０） （■−２１） （■−２４） （■−２７） （Ｖｌｌ−２８） （■−２９） （Ｖｌｌ−３０） （■−３２） （■−３３） 次に電荷発生層（ＣＧＬ）の電荷発生物質（Ｃ０石）と
しては、下記一般式〔■〕、（ＩＸ）、〔Ｘ〕の多環キ
ノン顔料が挙げられる。

一般式〔■田〕ニ 一般式〔■〕ニ 一般式〔Ｘ〕： （但、上記各式中、Ｘはハロゲン原子、ニトロ基、シア
ノ基、アシル基又はカルボキシル基金表わし、ｎは０〜
４の整数、ｍはＯ〜６の整数を表わす。） 光導電性粒子として上記の多環キノン顔料を用へれば、
従来の無機系粒子やペリレン系顔料の場合に比べて高感
度となり、均一でスクラッチ性の良い感光層を得ること
ができる。また、多環キノン顔料として昇華精製法で作
製したものを用いると、未精製の有機顔料を用いた感光
体に比して感度が高く、しかも反復して多数回の複写を
行なつ、を場合にも蓄積された残留電位が小さくて画像
地肌部の電位上昇が少ないため、カプリのない鮮明な複
写画像を得ることができる。但、昇華精製しｔ顔料は粒
径が太きいために翻蝕纜喰瞳問題が生じ易い。ここで−
　゛　′”　、昇華精４して得られた多環キノン顔料を
平均粒径２μｍるめ１１１７い・ λ下として感光層に含有せしめ　。

ＩＪち、上記顔料の平均粒径（多環キノン顔料は針犬結
晶であるのでその長軸長さを以って平均粒径とする。）
を２μｍ以下と微細化することによってβ４ｌ、感光体
表面に対するその粒径の影響を防止でき、感光体表面を
平滑にできると共に、顔料分散液を安定化できることが
見出された。多環キノン顔料の平均粒径が２μＩｎを越
えると、凸部ｌが表面に生じ易いが、２μｍ以下ではそ
うした凸部を実質的になくし平担な表面を実現できる上
に、分散液中の粒子の沈降を少なくして液の安定化を図
れるのである。この結果、放電破壊やトナーフィルミン
グの生じない感光体１’ｌることが可但、平均粒径があ
まりに小さいと、却って結晶欠軸 簡が増えて感度及び繰返し特性が低下し、また微細化す
る上で限界があるので平均粒径の下限ｔ０．０１μｍと
するのが望ましい。

こうした平均粒径の多環キノン顔料を得るには、昇華精
製法で結晶成長せしめた後、粒子を粉砕装置により積極
的かつ充分に粉砕するのが望ましい。

粉砕装置としては、例えばボールミル、ノヘンマーート
ー′ ミル、サンドグフィダー、遠心ミル、コロイドミノペジ
ェットミル、ターボミル等が挙げられる。

本発明における感光層を形成するのに使用する液は、上
記の多環キノン顔料からなる平均粒径２μｍ以下の光導
電性粒子を適当な有機溶剤中（これにはバインダー樹脂
を含有せしめてもよい。）に分散させることによって得
ることができる。また、この分散工程の前及び／又は後
で、目的に応じてキャリア輸送物質を添加し、これによ
って光キヤリア発生層自体の電荷輸送機能を向上させる
こともできる。なお、分散方法としては、例えばボール
ミル、ホモジナイザー、サンドグラインダー、コロイド
ミル、超音波等を用いる方法が適用可能である。

上記一般式（ｖｍ　）で示されるアントアントロン系顔
料の具体的化合物例を挙げると次の通りである。

（以下余白、次頁へ） （ＩＩＩ−１） （Ｖｊｉｔ−２） （■−４） （■−５）　。

（ｖｌｌＩ−６） （■−７） Ｏ （Ｗｉｔ−８） （■−９） （■−１０） （Ｖｌｌｌ−１１） 一般式〔■〕で示されるジベンズピレンキノン系顔料の
具体的化合物例を挙げると次のｉ’ｒＪｘｆ）である。

（ＩＸ−１） （ＩＸ−２）　。

（ＩＸ−３） （’ｌＸ−４） （ＩＸ−５） （ＩＸ−６） （ＩＸ−７） （ＩＸ−８） ０ （ＩＸ−９） 〇 一般式〔Ｘ〕で示されるビラントロン系顔料の具体的化
合物例を挙げると次の通りである。

（Ｘ−２）　。

（Ｘ−３） （Ｘ−５） （Ｘ−６） （Ｘ−７） （Ｘ−８） （Ｘ−９＞ また、使用可能な他のＣＧＭとしては、下記一般式（Ｘ
Ｉ）のビスアゾ化合物が挙げられる。

一般式〔Ｍ〕： ｎ−Ｒ′＋１ （但、この一般式中、 Ａｒ’：Ａｒ’：それぞれ置換若しくは未置換の炭素環
式芳香族環基、または置換若 しくは未置換の複素環式芳香族環 基、 几３６Ｒ″：それぞれ電子吸引性基または水素原子（但
、Ｒ閂　Ｂ３７の少なくとも１つは一〇Ｎ、−Ｃλ等の
ハロゲン、 −ＮＯ２等の電子吸引性基）、 または−ＮＨ８Ｏ２−畝１ く但、ピ９およびＲ４０はそれ ぞれ、水素原子、１＊−換若 しくは未置換のアルキル 基、ＦＬ４１は置換若しくは未 置換のアルキル基又は置 換若しくは未置換のアリ ール基〉 １、−１２、水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは未
置換のアル キル基、アルコキシ基、カ ルボキシル基、スルホ基、 置換若しくは未置換のカル バモイル基又は置換若しく は未置換のスルファモイル 基（但、ｍが２以上のとき は、互いに異なる基であっ てもよい。） Ｚは、置換若しくは未置換の炭 素環式芳香族環又は置換若 しくは未置換の複素環式芳 香族環を構成するに必要な 原子群、 Ｒは、水素原子、置換若しくは未 置換のアミノ基、置換若し くは未置換のカルバモイル 基、カルボキシル基又はそ のエステル基、 Ｒは、置換若しくは未置換のアリ ール基、 ｎは、１又は２の整数、 ｍは、０〜４の整数である。） 一般式〔■・〕の化合物金具体的に例示する。

前記一般式で示されるビスアゾ化合物のうち、好ましい
のは、次の一般式（ＸＩａ）で示されるものである。

一般式ＣＸ１ａ）： Ｎ １ Ａ　−Ｎ　＝Ｎ−Ａｒ−Ｃ＝ＣＨ−Ａｒ　−Ｎ＝Ｎ　−
Ａ史１１）ましいものは、鵠（ミー値：（ＸＴａｌ（：
ｚおけるＡｒ、Ａｒが次のものからなる化合物である。

Ａ　ｒ’、　Ａ　ｒ６：置換若しくは未置換のフェニル
基を表わし、置換基としては、 メチル基、エチル基等のアルキ ル基、メトキシ基、エトキシ基等 のアルコキシ基、塩素原子、臭 素原子などのハロゲン原子、水 酸基及びシアノ基から選択され たもの。

前記一般式（ＸＩ）で示されるビスアゾ化合物の具体例
としては、例えば次の構造式を有するもの金婚げること
ができるが、これらに限定されるものではない。

（ＸＩ−１） （Ｘ （ＸＩ−３） （ＸＩ−４） Ｎ ＜ＸＪ−７） （ＸＩ−８） ＜１−１１） （ＸＩ−１３） （ＸＩ−１４） （ＸＩ−１５） （Ｘｉ−１６） （ＸＩ−１７） （ＸＩ−１９） （ＸＩ−２１） （ＸＩ−２２） （ＸＩ−２３） （ＸＩ−２４） （ＸＩ−２５） （ＸＩ−２６） （ＸＩ−２７） （ＸＩ−２８） （ＸＩ　−２９） 一’Ｍ１１８０２Ｃ１１３ （ＸＩ−３１） （ＸＩ−３４） Ｎ （ＸＩ−３５） Ｎ （ＸＩ−３６） Ｎ Ｎ（ＣＨ３）２ （ＸＩ−３７） Ｎ （ＸＩ−３９） （ＸＩ−４０） （ＸＩ−４１） （ＸＩ−４３） （ＸＩ−４４） （ＸＩ−４５） （ＸＩ　−４６） ＃−４７） （ＸＩ−４８） （Ｘｌ−４９） ＯＣＲ３ （ＸＩ−５０） （ＸＩ−５１） （ＸＩ−５２） （Ｘｌ−５３） （ＸＩ−５４） １ （ＸＩ−５５） （Ｘ１５６） （ＸＩ−５７） （ＸＩ−５８） （ＸＩ−５９） （ＸＩ−６０） （ＸＩ−６１） （ＸＩ−６２） （ＸＩ−６３） （ＸＩ　−６４） （ＸＩ−６５） （ＸＩ−６６） （ＸＩ−６７） （ＸＩ−６８） （ＸＩ−６９） （ＸＩ−７０） （ＸＩ−７１） （ＸＩ−７２） （ＸＩ−７３） （Ｘ、ｌ−７４） Ｈ３ （ＸＩ−７６） （ＸＩ−７７） （ＸＪ−７８） Ｎ （ＸＪ　−７９） Ｎ （ＸＩ−８０） Ｎ ＬＪ　Ｃ／ （ＸＩ−８１） （Ｘ［−８２） −また。ＣＧＭとしては、下記一般式〔■〕のビスアゾ
化合物も使用可能である。

一般式（Ｘ［Ｉ）： （但、この一般式中、Ａ”は Ｚ：置換若しくは未置換の芳香族炭素環又は置換若しく
は未置換の芳香族複素環 を構成するに必要な原子群、 Ｙｌ素原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基若しくは
そのエステル基、スル ルフ了モイル基、 Ｒ４２：水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基、
置換若しくは未置換のアミノ 基、置換若しくは未置換のカルバモイ ル基、カルボキシル基若しくはそのエ ステル基、またはシアノ基、 Ａｒ７：置換若しくは未置換のアリール基、Ｒ４３：置
換若しくは未置換のアルキル基、置換若しくは未置換の
アラルキル基、又 は置換若しくは未置換のアリール基 を表わす。） 上記一般式〔Ｘ「〕のビスアゾ化合物のうち、下記一般
式（Ｘｌｌ’　）で表わされるカルノ（ゾール基含有ビ
スアゾ化合物が有効である。

（但、この一般式中、 １１＋’ｊ　Ｒ４５：アルキル基、アルコキシ基又はア
リール基、 几４ご　Ｒ４′、几で　Ｒ４ご　Ｒ１”Ｒ１”：水素原
子、ハロゲン原子、アルキ ル基、アルコキシ基、アミン基、 水酸基、アリール基である。） この一般式〔■′〕のビスアゾ化合物は、分子内に有す
るカルバゾール基が増感作用に寄与しているものと考え
られ、特に長波長域でも優れた感度を付与し、１町分子
内のカルバモイル基部分との組合せでカプラーとして有
効に作用して広い波長範囲に亘って良好な感度特性を示
し、半導体レーザ−用感光体として優れた特性を示す。

前記一般式ＣＸｌｌ　）で示される本発明に有効なビス
アゾ化合物の具体例としては、例えば次の構造式で示さ
れるものを挙げることができるが、これらに限定される
ものではない。

（Ｘｌｆ−１） （Ｘｌｌ−２） （■−３） （■−４） （Ｘｌｌ−５） （Ｘ１１−６） Ｃｌｌ３ （月１−７） （Ｘｌｌｓ） ０ＣＨ３ （Ｘｌｆ−９） （ＸＩ−１０） ＯＣＩ＋５ （λ１ｉ−１１） （Ｘ１１．−１２） （Ｘ１ｌ−１３） （入１１−１４） （Ｘ１ｌ−１６） （λ１ｌ−１７） （Ｘｌｌ−１８） （Ｘ１１．−１９　） （λｌｌ−２０） （ＸＩＩ−２１） （Ｘ１１−２２） （Ａｌｌ−２３） （λｕ−２４） （ａ−２５） （ＸＩＩ”２６） （Ｘｌｌ　−３３） （Ｘｌｌ−３４） （λ１ｌ−３６） １ ３Ｈ６０Ｈ （■−３８） （Ｘｌｌ　−３９） （Ｘｌｌ　−４０） （Ｘｌｌ−４１） （Ｘ１１−４２　） （λｌｌ−４３） （Ｘｌｌ−４４） 次に、図面によって、本発明を具体的に説明する。

本発明の感光体は例えば第１図に示すように構成される
。即ち、導電性支持体１上に既述したＣＧＭを主成分と
して含有するキャリア発生層２を形成せしめ、このキャ
リア発生層２上に前述のＣＴＭを主成分として含有する
キャリア輸送層３を積層し、キャリア発生層２とキャリ
ア輸送層３とにより感光層４を構成する。

ここで、導電性支持体１の材質としては、例えばアルミ
ニウム、ニッケル、銅、亜鉛、パラジウム、銀、インジ
ウム、錫、白金、金、ステンレス鋼、真鍮等の金属シー
トを用いることができるが、これ等に限定されるもので
はなく、例えば第２図に示すように絶縁性基体ＩＡ上に
導電層ＩＢを設けて導電性支持体１を構成せしめること
もできる。

この場合において、基体ＩＡとしては紙、グラスチック
シート等の可撓性を有し、しかも曲げ、引張り等の応力
に対しても十分な強度を有するものが適当である。又、
導電層ＩＢは、金属シートをラミネートし或いは金属を
真空蒸着せしめることにより、又はその他の方法によっ
て設けることができる。

キャリア発生層２は、ＣＧＭ羊独Ｋ１り、又はこれに適
当なバインダー樹脂を加えたものにより、或いは更に特
定及全非特定の極性のキャリアに対する移動度の大きい
物質（即ちキャリア輸送物質）を添加したものにより形
成することができる。

具体的な形成方法としては、前記支持体上にＣＧＭｉ真
空蒸着せしめる方法、ＣＧＭｉ適当な溶剤に単独で若し
くは適当なバインダー樹脂と共に溶解若しくは分散せし
めたものを塗布（若しくは浸漬塗布）して乾燥せしめる
方法を挙げることができる。

この後者の方法においては、バインダー樹脂若しくはキ
ャリア輸送物質を添加してもよく、その場合における、
キャリア発生物質：バインダー樹脂：キャリア輸送物質
の割合は、重量比で１＝（０〜１００　）　：　（０〜
５００）、特に１：（０〜１０）＝（０〜５０）である
ことが好ましい。

上記方法で使用する溶媒或いは分散媒としては例えばｎ
−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン、
イソプロパツールアミン、モノエタノールアミン、トリ
エタノールアミン、トリエチレンジアミン、Ｎ、Ｎ−ジ
メチルホルムアミド、アセトン、メチルエチルケトン、
シクロヘキサノン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ク
ロロホルム、１，２−ジクロロエタン、ジクロロメタン
、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メタノール、エタ
ノール、イソプロパツール、酢酸エチル、酢酸ブチル、
ジメチルスルホキシド、その他を用いることができる。

１だ、バインダー樹脂としては、上述した一般式（Ａ）
又は〔Ｂ〕のポリカーボネートかよいが、この他にも例
えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、メ
タクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエ
ステル樹脂、アルキッド樹脂、一般式（Ａ）又はＣＢ〕
以外のポリカーボネート樹脂、シリコン樹脂、メラミン
樹脂等の付加重合型樹脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂
、並びにこれらの樹脂の繰り返し単位のうちの２つ以上
を含む共重合体樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共
重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸
共重合体樹脂等の絶縁性樹脂の他、ボＩＪ　Ｎ−ビニル
カルバんし等の高分子有機半導体を挙げることができる
。そして、このバインダー樹脂のＣＧＭに対する割合は
、ＣＧＭ／バインダー樹脂−（０，１〜１０）／１（重
量比）であるのがよい。

更に、このキャリア発生層には感度の向上、残留電位乃
至反復使用時の疲労低減等を目的として、−柚又は二種
以上の電子受容性物質を含有せしめることができる。こ
こに用いることのできる′電子受容性物質としては、例
えば、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マ
レイン酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタルＭ１
テトラブロム無水フタル酸、３−ニトロ無水フタル酸、
４−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メ
リット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、０−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン
、１，３，５−トリニトロベンゼン、バラニトロベンザ
ニトリル、ヒクリルクロライド、キノンクロルイミド、
クロラニル、ブルマニル、ジクロロジシアノバラベンゾ
キノン、−アントラキノン、ジニトロアントラキノン、
２，７−シニトロフルオレノン、２，４，７−トリニト
ロフルオレノン、２，４，５．７−チトラニトロフルオ
レノン、９−フルオレニリデン〔ジシアノメチレンマロ
ノジニトリル〕、ポリニトロ−９−フルオレニリデンー
〔ジシアノメチレンマロノジニトリル１ピクリン酸、０
−ニトロ安息香酸、３，５−ジニトロ安息香酸、ペンタ
フルオロ安息香酸、５−ニトロサリチル酸、３，５−ジ
ニトロ安息香酸、フタル酸、メリット酸、そのｆｌｉｐ
の電子親和力の大きい化合物を挙げることができる。−
１：た、電子受容性物質の添加割合は、重量比でキャリ
ア発生物質：電子受容性物質−１００：　０．０１〜２
００、好才しくは１００　：　０．１〜１００である。

以上のようにして形成される前記ＣＧＬ２の厚さは、好
ましくは０．００５〜２０μｍ、特に好ましくは０，０
５〜５μｍである。０．００５μｍ未満では充分な光感
度が得られず、また加μｍを越えると充分な電荷保持性
が得られない。

ｔた、前記ＣＴ　Ｌ　３　ｉｔ、Ｆｌｌ避斃ｔｆ＄ｆｙ
　上述のＣＧＬ２と同様にして（即ち、学独で或いは上
して）形成することができる。そして、他のＣＴＭｉ含
有せしめてもよい。

この場合、バインダー樹脂と全キャリア輸送物質との配
合割合は、全キャリア輸送物質／バインダー樹脂＝（０
，１〜１０）（更にはＱ、５〜２０）／１（重量比）と
するのが好ましい。

更に、このキャリア輸送層には感度の向上、残留電位乃
至反復使用時の疲労を更に低減する目的で前述した電子
受容性物質を添加することもできる。この電子受容性物
質をキャリア発生層及びキャリア輸送層の両層に加える
場合、各層に加える電子受容性物質は全く同一あるいは
一部同一であつ層のいずれか一方に添加してもよい。

キャリア輸送層への電子受容性物Ｊｍの添加割合は重量
比で全キャリア輸送物質：電子受容性物質＝　１００　
：　０．０１〜１００好ましくは１００　：　０．１〜
５０である。

このようにして形成されるキャリア輸送層３の厚さは２
〜１００μｍ１好ましくは５〜３０μｍである。

以上、本発明を第１図又は第２図に示した具体的構成例
に従って説明したが、本発明においては、キャリア発生
層と組合せられるキャリア輸送層として既述の構成成分
を含有せしめればそｎで充分であり、電子写真感光体と
して機械的構成は任意に選定できる。

例えば、第３図に示すように、導電性支持体１上に適当
な中間層５を設け、これを介してキャリア発生層２を形
成し、その上にキャリア輸送層３を形成してもよい。こ
の中間層５には、感光層４の帯電時において導電性支持
体１から感光層４にフリーキャリアが注入されることを
阻止する機能、並びに感光層４を導電性支持体に対して
一体的に接着せしめる接着層としての機能を有せしめる
ことができる。かかる中間層５の材質としては、酸化ア
ルミニウム、酸化インジウム等の金属酸化物、アクリル
樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂
、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂、塩化ビニル−酢
酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水
マレイン酸共重合体樹脂等の高分子物質を用いることが
できる。

又、第４図に示すように、導電性支持体１上に、前記中
間層５を介して又は介さずに、キャリア輸送層３を形成
してその上にキャリア発生層２を形成して感光層４を構
成せしめてもよい。

また、第５図は、上記のキャリア発生物質を上記の電荷
輸送物質が含有されたキャリア輸送相中に分散せしめて
なる（即ち、キャリア発生物質相とキャリア輸送物質相
との混合相からなる）単層の感光層を形成した例を示す
。この感光層のバインダー樹脂として、上述のポリカー
ボネート樹脂用する。

なお、本発明に使用可能なＣＱＩｕＪ、　Ｃ’１１’　
Ｍは上述したものに限られるものではなく、公知の他の
物質、更には公知の無機系物質を使用することもできる
。こうした無機系物質としては、例えば酸化亜鉛、酸化
鉛、酸化チタン、硫化亜鉛、硫化鉛、硫化カドミウム、
硫化水銀等が楯げられる。

５、実施例 以下、本発明全具体的な実施例について更に詳細に説明
する。

実施例１ アルミニウムを蒸着した厚さ１００μｎ１のピリエチレ
ンテレフタレートより成る導電性支持体上に、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル−無水マレイン１１シ共重合体「エスレ
ックＭＦ−１０Ｊ　（漬水化学工業社製）より成る厚さ
約０．１μｍの中間層を設けた。次に、既述した構造式
（ＸＩ−５）で示したビスアゾ化合物２ｇ’ｉｌ、２−
ジクロルエタン１００ｍＪＬと共に１２時間ボールミル
により分散し、得られた分散液を前記中間層上にトソタ
ーブレードを用いて塗布し、十分乾燥して厚さ約０．３
μ＋１１　のＣＣ＋　Ｌ　ｆ形成した。

一方、既述の構造式（Ｖｌ−１８）で示した゛スチリル
化合物１１．２５ｇと、既述の構造式（Ｂ−２）で示し
たポリカーボネート１５ｇとを１，２−ジクロルエタン
１００ｍμに溶解し、得られた溶液を前記ＣＧＬ上にド
クターブレードを用いて塗布し、温度８０℃で１時間乾
燥して厚さ１４μｍのＣＴＬを形成し、以って本発明に
基く電子写真感光体を製造した。これを「試料１」とす
る。

実施例２〜５ ＣＧＬの形成において、既述した構造式（Ｖｌｌｌ　−
３）、（ＩＸ−３）、（Ｘ−４）、及び（ＸＩ［−２）
で示したものを夫々使用した以外は実施例１と全く同様
にして、４種の本発明に基づく電子写真感光体を製造し
た。これらをそれぞれ、「試料２」、「試料３」、「試
料４」及び「試料５」とする。

実施例６〜７ ＣＴＬの形成において、既述した構造式（Ａ−１）、（
Ａ−１０）で示した化合物を夫々用いた他は実施例１と
同様にして、本発明に基づく電子写真感光体を製造した
。これ全１試料６」及び「試料７」とする。

実施例８ 実施例２において、ＣＧＬの形成時にＣＴＬと同じポリ
カーボネートをバインクーとして使用し、かつＣＴ　Ｍ
として（Ｉ−１４）で示される化合物を用いた以外は同
様にして本発明に基づく電子写真感光体を製造した。こ
れを「試料８」とする。

比較例１ 実施例１のＣＴＬの形成において、バインダーとして公
知のポリカーボネートヲ用いた他は、実施例１と同様に
して比較用を子写真感光体を製造した。これを「比較試
料１」とする。

「エレクトロメーターＳ　Ｐ　−４２８型」　（川口電
機製作新製）を用いて、その電子写真特性を調べた。

即ち、感光体表面を帯電電位−６ＫＶで５秒間帯電させ
たときの受容電位ＶＡ（Ｖ）と、５秒間暗減衰させた後
の電位（初期電位）Ｖｌをい　に減衰させるために必要
な露光量””　／２　（Ｊｔｕｘ・秒）とを調べた。結
果は下記表−１に示す通りであった。

表−１ また、試料１〜試料８ヂびに比較試料１の各々を乾式１
１Ｌ子写真復写ＵＭ　［Ｕ　−Ｂｉ　ｘ　２０ｆ）Ｏｋ
Ｃｊ　（小西六写真工業社製）に装着して連続複写を行
ない、露光絞り値１．０における黒紙電位Ｖｂ（Ｖ）及
び白紙！、位Ｖｗ（Ｖ）を、［エレクトロスタチックボ
ルトメーター１４４１）−ｉＤ型」　（モンローエレク
トロニクスインコーボレーテッド製）を用いて、現像す
る直前において測定した。結果は下記表−２に示す通り
であった。

尚、ここでいう黒紙電位とは、Ｐ！ｄｄＷｄ　箔Ｉ〆斃
ダど〆夛反射誤興１．３の黒紙全原稿とし、上述の複写
サイクルを実施したときの感光体の表面電位を表わし、
白紙電位とは、白紙を原稿としたときの感光体の表面電
位を表わす。

表−２ （但、上記表中△Ｖｂ（■）及び△ｖｗ（ｖ）はそれぞ
れ、黒紙電位ｖｂ（ｖ）及び白紙電位Ｖｗ（■）の変動
量を示し、変動量の■は増加を、θは減少を表わす。） 一方、上記の各側による感光体について、表面状態を観
察したところ、下記表−３の結果が得られた。

表−３ この結果から、本発明による感光体の表面性が良く、ト
ナーフィルミングも発生しないことが分った。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の実施例を示すものでめって、第１図、第
２図、第３図、第４図、第５図は電子写真感光体の５例
の各断面図 である。 なお、図面に示された符号において、 １・・・・基板 ２・・・・キャリア発生層（ＣＧＬ　）３・・・・キャ
リア輸送層（Ｃ’ｌ’　Ｌ　）４・・・・感光層 である。 第１図 ＠２日 第′３図 ＠４Ｅ２］ 第５０

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、下記一般式（Ａ）で表わされるポリカーボネートと
   、下記一般式ＣＢ）で表わされるポリカーボネートとの
   いずれか一方を主成分とするバインダーが感光層に含有
   されていることを特徴とする感光体。 一般式〔Ａ〕： （但、この一般式中、 Ｒ１，Ｉ（Ｆ：水素原子、置換若しくは未置換の脂肪童
   基、置換若しくは未置換の 炭素環基、又は置換若しくは装置 換の芳香族基であって、Ｒ１及びＲ２ の少なくとも一方がかさ高い基１ ．３．　Ｒ４、Ｒ５，Ｒ６、Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９、Ｒ１０
   ：水素原子、ハロゲン原子、置換若 しくは未置換の脂肪族基又は置換 若しくは未置換の炭素環基、 ｎ：１０〜１０００である。） 一般式〔Ｂ〕： （但、この一般式中、 Ｒ’、　Ｒ４、Ｒ５，Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ＋’
   、’　ｎ　：前記したものと同じ、 Ｚ：置換若しくは未置換の炭素環又は 置換若しくは未置換の複素環を形 成するのに必要な原子群 である。）